WO2014013536A1 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014013536A1
WO2014013536A1 PCT/JP2012/068069 JP2012068069W WO2014013536A1 WO 2014013536 A1 WO2014013536 A1 WO 2014013536A1 JP 2012068069 W JP2012068069 W JP 2012068069W WO 2014013536 A1 WO2014013536 A1 WO 2014013536A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
substrates
solar cell
manufacturing
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/068069
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘臣 豊場
小林 伸二
真吾 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2014525573A priority Critical patent/JP6108120B2/ja
Priority to PCT/JP2012/068069 priority patent/WO2014013536A1/ja
Publication of WO2014013536A1 publication Critical patent/WO2014013536A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H10P72/0426—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
    • H10P72/15—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • FIG. 1 is a schematic perspective view of a cassette according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a cassette according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic front view for explaining a processing step in one embodiment of the present invention.
  • the solar cell includes, for example, a substrate made of a semiconductor material, first and second semiconductor layers disposed on one main surface of the substrate, and a first disposed on the first semiconductor layer. It may be a back junction solar cell including an electrode and a second electrode disposed on the second semiconductor layer.

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

 改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供する。 一方向に沿って配した複数の基板11を薬液13に浸漬することにより処理する処理工程を行う。複数の基板11の下方に気体供給部15を配置すると共に、薬液中において、気体供給部15と複数の基板11との間に複数の貫通孔を有するシート16を配置し、気体供給部15から供給した気体で泡を発生させながら処理工程を行う。

Description

太陽電池の製造方法
 本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
 近年、環境負荷の低いエネルギー源として、太陽電池に対する注目が高まってきている。なかでも、結晶シリコン基板などの半導体材料からなる基板を有する太陽電池に対する注目が高まってきている。
 このような半導体材料からなる基板を備える太陽電池の製造に際しては、例えば半導体材料からなる基板の表面にテクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造を形成する工程などといった基板をエッチングする工程を行う必要がある(例えば特許文献1を参照)。
特開平10-303443号公報
 基板をエッチングする工程などを行った後には、基板を洗浄する工程が必要となる。この洗浄工程や上述のエッチング工程などにおいては、基板の全体が均一に薬液と接触するようにする必要がある。基板に洗浄が不十分な部分やエッチングが不十分な部分が生じると、所望の太陽電池が得られない場合があり、良品率が低下する場合があるためである。
 本発明の主な目的は、改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供することにある。
 本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法は、一方向に沿って配した複数の基板を薬液に浸漬することにより処理する処理工程を備える。複数の基板の下方に気体供給部を配置すると共に、薬液中において、気体供給部と複数の基板との間に複数の貫通孔を有するシートを配置し、気体供給部から供給した気体で泡を発生させながら処理工程を行う、太陽電池の製造方法。
 本発明によれば、改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供することができる。
図1は、本発明の一実施形態におけるカセットの略図的斜視図である。 図2は、本発明の一実施形態におけるカセットの略図的平面図である。 図3は、本発明の一実施形態における処理工程を説明するための模式的正面図である。
 以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
 また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
 本実施形態では、半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法について説明する。半導体材料からなる基板は、結晶シリコン基板であってもよい。即ち、本発明に係る太陽電池の製造方法は、結晶シリコン太陽電池の製造方法であってもよい。
 太陽電池は、例えば、半導体材料からなる基板と、基板の一主面の上に配された一の導電型を有する第1の半導体層と、基板の他主面の上に配された他の導電型を有する第2の半導体層と、第1の半導体層の上に配された第1の電極と、第2の半導体層の上に配された第2の電極とを備えていてもよい。
 また、太陽電池は、例えば、半導体材料からなる基板と、基板の一主面の上に配された第1及び第2の半導体層と、第1の半導体層の上に配された第1の電極と、第2の半導体層の上に配された第2の電極とを備える裏面接合型の太陽電池であってもよい。
 半導体材料からなる基板の少なくとも一方の主面には、基板への光の入射効率を高めるためのテクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造が設けられていてもよい。テクスチャ構造は、例えば、結晶シリコン基板の表面を異方性エッチングすることにより形成することができる。
 本実施形態の太陽電池の製造方法は、半導体材料からなる基板を薬液に浸漬することにより処理する処理工程を含む。処理工程の具体例としては、基板を洗浄液に浸漬することにより基板を洗浄する洗浄工程や、基板をエッチング液に浸漬することにより基板をエッチングするエッチング工程などが挙げられる。処理工程として、洗浄工程とエッチング工程との少なくとも一方を行うことが好ましい。
 例えば、エッチング工程を行った後に、洗浄工程を行う場合などのように、太陽電池を製造するに際して、複数の処理工程を行う場合が考えられる。このような場合においては、複数の処理工程のうちの少なくともひとつの処理工程を本実施形態において説明する処理工程とすればよく、すべての処理工程を本実施形態において説明する処理工程と同様に行う必要は必ずしもない。
 処理工程に供される基板は、半導体材料からなる基板のみにより構成されていてもよいし、表面上に半導体層や保護層などの層や、電極などの部材が設けられた半導体材料からなる基板であってもよい。
 以下、本実施形態における処理工程の詳細について、図1~図3を参照しながら詳細に説明する。
 (カセット10への基板11のセット)
 まず、例えば、図1及び図2に示すようなカセット10に複数の基板11をセットする。ここで、基板11は、半導体材料からなる基板であってもよいし、半導体層などが表面上に配された半導体材料からなる基板であってもよい。
 カセット10は、一方向に沿って相互に間隔をおいて複数の基板11を保持可能な形状を有するものである限りにおいて特に限定されない。本実施形態では、カセット10の両側面には、複数の凹部対10aが形成されている。これら複数の凹部対10aのそれぞれに、基板11が挿入される。これにより、複数の基板11がx軸方向に沿って相互に間隔をおいた状態で保持される。
 カセット10のx方向の両側に位置する側壁部には、薬液が通過するための切欠10bや開口が設けられている。また、カセット10の底部には壁面が設けられていない。従って、カセット10の下方からカセット10内に薬液や泡等が浸入可能である。
 基板11の形状は、特に限定されない。基板11は、例えば、矩形状、正方形状、多角形状、円形状等であってもよい。また、基板11は、例えば、角部が面取り状またはR面取り状である矩形状、正方形状等であってもよい。以下、基板11が、略矩形状である例について説明する。
 基板11の一辺の長さは、例えば、100mm~200mm程度とすることができる。基板11の厚さは、300μm程度以下であることが好ましく、50μm~250μm程度であることがより好ましい。基板11の厚みに対する基板11の一辺の長さの比((基板11の一辺の長さ)/(基板11の厚み))は、400~40000であることが好ましい。
 なお、ひとつのカセット10に保持される基板11の数は、特に限定されないが、例えば、25枚~100枚程度とすることができる。ひとつのカセット10にセット可能な基板11の枚数を多くする観点からは、x軸方向に隣接する基板11間の距離Lは、3.5mm以下であることが好ましく、2.5mm以下であることが好ましい。x軸方向に隣接する基板11間の距離Lは、基板11の厚さの100倍以下であることが好ましく、10倍以下であることがより好ましい。但し、x軸方向に隣接する基板11間の距離Lが小さすぎると、基板11のセットが困難になる等の弊害が生じる場合がある。従って、x軸方向に隣接する基板11間の距離Lは、1.5mm以上であることが好ましく、2mm以上であることがより好ましい。
 (基板11の処理工程)
 次に、図3に示されるように、カセット10にセットされ、x軸方向に沿って相互に間隔をおいて配された複数の基板11を、カセット10ごと、洗浄槽12に溜められた薬液13に浸漬することにより複数の基板11を処理する処理工程を行う。この処理工程は、基板11のエッチング工程や洗浄工程等である。例えばエッチング工程を行う場合は、薬液13をエッチング液とすることができる。例えば洗浄工程を行う場合は、薬液13を洗浄液とすることができる。
 この洗浄工程において、複数の基板11の下方に、気体供給部15を配置する。気体供給部15は、開口15aを有しており、開口15aから複数の基板11に向けて気体14aが供給される。気体供給部15から供給されるガスとしては、空気または窒素、アルゴン等の不活性ガスが用いられる。なお、気体供給部15から供給された気体14aは、薬液13中において泡となってもよい。
 気体供給部15と複数の基板11との間には、複数の貫通孔を有するシート16が配される。シート16は、例えば、円形や多角形状などの貫通孔が設けられた樹脂シートにより構成されていてもよいし、例えば、織布や不織布により構成されていてもよい。なお、シート16は、カセット10に固定されていてもよい。
 このように、本実施形態では、複数の基板11と気体供給部15との間に複数の貫通孔を有するシート16を配した状態で、気体供給部15から気体14aを供給しながら処理工程を行う。気体供給部15から供給された気体14aは、シート16に達し、シート16の貫通孔を通過する。気体14aは、貫通孔を通過して泡14bとなり、シート16の上方に配された複数の基板11が設けられた領域に供給される。このため、例えば、シート16を設けない場合よりも、複数の基板11が設けられた領域に泡を高い均一性で供給することができる。よって、複数の基板11の表面全体に薬液13を高い均一性で供給することができる。その結果、複数の基板11を好適に処理することができる。複数の基板11の表面に洗浄不足の部分が生じたり、エッチング不足の部分が生じたりしにくい。また、処理工程が異方性エッチングを行うことにより、所謂テクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造を形成するエッチング工程においては、形成される凹凸構造に形状むらや寸法むらが生じにくい。従って、改善された良品率で太陽電池を製造することが可能となる。
 より高い均一性で複数の基板11に泡14bを供給する観点からは、シート16の貫通孔が、貫通孔を通過した泡14bの直径が、貫通孔を通過する前の泡14aの直径よりも小さくなるような寸法を有することが好ましい。また、貫通孔の基板11の配列方向(x軸方向)及び幅方向(y軸方向)の長さは、隣り合う基板11間の間隔の1/2以下であることが好ましく、1/10以下であることがより好ましく、1/100以下であることがさらに好ましい。
 さらに高い均一性で複数の基板11に泡14bを供給する観点からは、シート16の開口率は、33.3%~66.7%であることが好ましく、50.0%~66.7%であることがより好ましい。シート16の開口率が低すぎると、気体14aが滞留する場合がある。シート16の開口率が高すぎると、気体14aの形状が変わることなく貫通孔を通過してしまい、泡を高い均一性で供給することができない場合がある。
 シート16は、可撓性を有する樹脂シートなどにより構成されていることが好ましい。この場合、図3に記載されているように、泡14aによってシート16が上下に移動し、移動したシート16と基板11とが当接することにより基板11が動かされる場合がある。この基板11の移動によっても、基板11への薬液の供給性が向上する。従って、さらに改善された良品率で太陽電池を製造することが可能となる。シート16の上下動をより活発にする観点からは、シート16が撓んだ状態で気体供給部15と複数の基板11との間に配されていることが好ましい。また、シート16の厚みは、1.5mm以下であることが好ましく、1.2mm以下であることがより好ましい。但し、シート16の厚みが小さすぎると、泡の分散効果が小さくなる場合がある。従って、シート16の厚みは、0.5mm以上であることが好ましく、0.7mm以上であることがより好ましい。
 例えば、基板11の厚みが300μm以下と薄い場合は、基板11が撓みやすい。よって、隣り合う基板11同士が接触し、基板11の接触部に薬液が好適に供給されにくくなる場合がある。同様に、隣り合う基板11間の間隔が、基板11の平面形状を矩形に近似したときの一辺の長さの1/25以下である場合、さらには1/50以下である場合には、隣り合う基板11同士が接触し、基板11の接触部に薬液が好適に供給されにくくなる場合がある。よって、本実施形態の技術が特に有用である。
10…カセット
11…基板
12…洗浄槽
13…薬液
14a…気体
14b…シート通過後の泡
15…気体供給部
16…シート

Claims (8)

  1.  半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法であって、
     一方向に沿って配した複数の前記基板を薬液に浸漬することにより処理する処理工程を備え、
     前記複数の基板の下方に気体供給部を配置すると共に、前記薬液中において、前記気体供給部と前記複数の基板との間に複数の貫通孔を有するシートを配置し、前記気体供給部から供給した気体で泡を発生させながら前記処理工程を行う、太陽電池の製造方法。
  2.  前記貫通孔は、前記貫通孔を通過した泡の直径が前記貫通孔を通過する前の気体からなる泡の直径よりも小さくなるような直径を有する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
  3.  前記貫通孔の前記複数の基板の配列方向及び幅方向の長さは、隣り合う前記基板間の間隔の1/2以下である、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
  4.  前記シートは可撓性を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  5.  前記シートを、撓んだ状態で前記気体供給部と前記複数の基板との間に配する、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。
  6.  前記隣り合う基板間の間隔が、前記基板の厚さの100倍以下となるように前記複数の基板を配する、請求項1~5のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  7.  前記基板の厚さが300μm以下である、請求項1~6のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  8.  前記洗浄工程として、
     前記基板を洗浄液に浸漬することにより洗浄する洗浄工程と、
     前記基板をエッチング液に浸漬することによりエッチングするエッチング工程と、
    のうちの少なくとも一方を行う、請求項1~7のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
PCT/JP2012/068069 2012-07-17 2012-07-17 太陽電池の製造方法 Ceased WO2014013536A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014525573A JP6108120B2 (ja) 2012-07-17 2012-07-17 太陽電池の製造方法
PCT/JP2012/068069 WO2014013536A1 (ja) 2012-07-17 2012-07-17 太陽電池の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/068069 WO2014013536A1 (ja) 2012-07-17 2012-07-17 太陽電池の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014013536A1 true WO2014013536A1 (ja) 2014-01-23

Family

ID=49948392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/068069 Ceased WO2014013536A1 (ja) 2012-07-17 2012-07-17 太陽電池の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6108120B2 (ja)
WO (1) WO2014013536A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136537A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 キオクシア株式会社 基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51140471A (en) * 1975-05-30 1976-12-03 Hitachi Ltd Device for washing semiconductor wafer
JPH04171724A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Hitachi Ltd 半導体基板の洗浄方法及び装置
JPH11354476A (ja) * 1998-06-10 1999-12-24 Memc Kk シリコンウエハの保管方法
JP2003093982A (ja) * 2001-09-26 2003-04-02 Seiko Epson Corp 液体処理方法、液体処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0730685Y2 (ja) * 1984-08-01 1995-07-12 三洋電機株式会社 エツチング装置
JP2010074102A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Mitsubishi Electric Corp シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板のエッチング液、シリコン基板のエッチング装置
JP2013239693A (ja) * 2012-04-18 2013-11-28 Mitsubishi Electric Corp テクスチャー化シリコン基板の製造方法、処理装置、および太陽電池素子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51140471A (en) * 1975-05-30 1976-12-03 Hitachi Ltd Device for washing semiconductor wafer
JPH04171724A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Hitachi Ltd 半導体基板の洗浄方法及び装置
JPH11354476A (ja) * 1998-06-10 1999-12-24 Memc Kk シリコンウエハの保管方法
JP2003093982A (ja) * 2001-09-26 2003-04-02 Seiko Epson Corp 液体処理方法、液体処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136537A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 キオクシア株式会社 基板処理装置
JP7116694B2 (ja) 2019-02-21 2022-08-10 キオクシア株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6108120B2 (ja) 2017-04-05
JPWO2014013536A1 (ja) 2016-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6032623B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP3218170U (ja) シリコンウエハーの載置装置
US8987038B2 (en) Method for forming solar cell with selective emitters
JP7088947B2 (ja) マスクストリップ及びその製造方法、マスクプレート
JP6016174B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP7116694B2 (ja) 基板処理装置
JP5451742B2 (ja) シリコンの選択的ドーピング方法及びそれによって処理されたシリコン基板
JP6108120B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP4119820B2 (ja) プラズマcvd装置および光電変換装置の製造方法
JP5824620B2 (ja) ノンプラズマドライエッチング装置
JP2010517314A (ja) 基板のエッチング方法及び装置
CN105244761B (zh) 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法
JP2017517897A (ja) 大面積の垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーアレイの作製工程
JP5923736B2 (ja) 太陽電池の製造方法
KR20150138959A (ko) 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조, 정전 척 및 그 제조방법
JP2006294752A (ja) 基板表面処理用の基板のキャリアホルダー
KR102388646B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101055891B1 (ko) 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법
JP2019029612A (ja) 基板用カセット
JP5774341B2 (ja) 基板保持具および基板処理装置
JP2025152154A (ja) 基板カセットおよび基板処理装置
KR20120025905A (ko) 기판 배면 에칭장치
JP5795172B2 (ja) 半導体製造装置
JP6042143B2 (ja) 基板保持部材及びそれを備えた基板処理装置
CN102866438B (zh) 湿蚀刻基板的方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12881295

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014525573

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12881295

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1