WO2013187232A1 - 化学研磨装置 - Google Patents

化学研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013187232A1
WO2013187232A1 PCT/JP2013/064836 JP2013064836W WO2013187232A1 WO 2013187232 A1 WO2013187232 A1 WO 2013187232A1 JP 2013064836 W JP2013064836 W JP 2013064836W WO 2013187232 A1 WO2013187232 A1 WO 2013187232A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
glass substrate
polishing
chemical polishing
processing
liquid
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/064836
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
榮 西山
Original Assignee
株式会社Ｎｓｃ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｎｓｃ filed Critical 株式会社Ｎｓｃ
Priority to KR1020147030929A priority Critical patent/KR102021959B1/ko
Priority to CN201380021338.9A priority patent/CN104379527A/zh
Publication of WO2013187232A1 publication Critical patent/WO2013187232A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching

Definitions

  • the present invention relates to a chemical polishing apparatus configured to perform chemical polishing on a plurality of glass substrates that are continuously conveyed.
  • the glass substrate is thinned to a desired plate thickness by immersing the glass substrate to be processed in a polishing bath for a predetermined time.
  • a polishing bath for a predetermined time.
  • the polishing bath has an intense hydrofluoric acid atmosphere due to the structure in which the polishing bath is open upward.
  • gaseous hydrofluoric acid is likely to diffuse around. Workers who work in such a hydrofluoric acid atmosphere may have a health hazard unless they wear appropriate protective equipment and work. For this reason, the cost of the protective equipment supplied to a worker becomes high.
  • a single-wafer chemical polishing process has been used.
  • a glass substrate is supported in a vertical direction by a jig capable of adhering the glass substrate, and a flat configured to inject a chemical polishing liquid onto the glass substrate while conveying the jig.
  • a panel display glass substrate etching apparatus for example, refer patent document 1.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a single wafer chemical polishing apparatus capable of performing a chemical polishing process on a glass substrate without using a jig. is there.
  • the chemical polishing apparatus is configured to perform a chemical polishing process on a plurality of glass substrates that are continuously transferred along a transfer path.
  • a typical example of the configuration of the transport path includes a configuration in which a plurality of transport rollers are arranged. However, instead of this configuration, a configuration in which a mesh belt is stretched around the rollers may be employed.
  • This chemical polishing apparatus includes at least a first polishing processing unit, a second polishing processing unit, and a cleaning unit.
  • the first polishing processing unit is configured to perform chemical polishing with the first processing liquid on the glass substrate transported along the transport path.
  • the second polishing processing unit is configured to perform a chemical polishing process on the glass substrate transported along the transport path with a second processing liquid different from the first processing liquid.
  • the cleaning unit is disposed on the downstream side of the first polishing processing unit in the conveyance path and on the upstream side of the second polishing processing unit, and is configured to clean the processing liquid adhering to the glass substrate.
  • the glass substrate that is continuously transported along the transport path sequentially passes through the first polishing processing section, the cleaning section, and the second polishing processing section. Since the glass substrate flows along the conveyance path, it is not necessary to hold the glass substrate with a jig or the like.
  • the glass substrate continuously transported along the transport path is subjected to chemical polishing with the first processing liquid in the first polishing processing unit, and then cleaned in the cleaning unit, and then the second. In the polishing processing section, chemical polishing processing is performed with the second processing liquid. For this reason, it becomes possible to perform two types of grinding
  • Examples of two different types of polishing treatment include two types of treatments using a treatment liquid adjusted to have different hydrofluoric acid concentrations, a treatment with a high polishing rate and a treatment with a low polishing rate, and a small amount of sulfuric acid as a main component.
  • the first polishing processing unit includes a plurality of processing chambers configured to spray the first processing liquid onto the glass substrate
  • the second polishing processing unit includes the first polishing processing unit It is preferable to have a plurality of processing chambers configured to spray the two processing liquids onto the glass substrate.
  • a pretreatment unit configured to moisten the surface of the glass substrate before being introduced into the first polishing processing unit is further provided at least upstream of the first polishing processing unit.
  • the surface of the glass substrate is wetted by a liquid such as water before the surface of the glass substrate is polished, so that a liquid film is formed. It is prevented that the polishing process is performed on the dried portion. For this reason, generation
  • FIG. 1 It is a figure which shows the external appearance of the single wafer type chemical polishing apparatus which concerns on embodiment of this invention. It is a figure which shows schematic structure of a single wafer type chemical polishing apparatus. It is a figure which shows schematic structure of a single wafer type chemical polishing apparatus. It is a figure which shows schematic structure of a 3rd processing chamber. It is a figure which shows schematic structure of a process liquid supply mechanism. It is a figure which shows schematic structure of a crank mechanism. It is a figure explaining the process in a pre-processing chamber. It is a figure which shows the support state of the glass by a conveyance roller.
  • FIG. 1 is a diagram showing an appearance of a single wafer chemical polishing apparatus 10 according to an example of an embodiment of the present invention.
  • the chemical polishing apparatus 10 includes a conveyance path configured by arranging a plurality of conveyance rollers 50, and the first polishing processing unit 4 and the water washing are sequentially performed from the upstream along the conveyance path.
  • a chamber 70, a second polishing processing unit 2, and a water washing chamber 24 are provided.
  • the first polishing processing unit 4 performs a preliminary process for the purpose of pit suppression using a high-viscosity polishing liquid containing a suitable concentration of hydrofluoric acid and containing sulfuric acid as a main component,
  • the thinning process is performed using a polishing liquid mainly containing hydrofluoric acid.
  • a carry-in unit 62 and a pretreatment chamber 64 are provided in the front stage of the first polishing processing unit 4.
  • the first polishing processing unit 2 includes a first processing chamber 66, a second processing chamber 68, and a first relay unit 72. Further, a water washing chamber 70 is provided at the subsequent stage of the first polishing processing unit 4.
  • the carry-in unit 62 is configured to be capable of receiving a glass substrate 100 to be processed that is carried in by manual work by an operator or automatic work by a robot or the like.
  • the glass substrate 100 is a thin glass substrate having a thickness of about 0.5 mm to 2.0 mm for a flat panel, but the glass substrate 100 to be processed is not limited to this.
  • the pretreatment chamber 64 is configured to receive the glass substrate 100 transported from the carry-in unit 62.
  • the first processing chamber 66 is configured to spray the chemical polishing liquid onto the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 to reduce or reduce the thickness of the glass substrate 100 while suppressing or removing pits on the surface of the glass substrate 100.
  • the second processing chamber 68 is configured to further suppress or remove pits on the surface of the glass substrate 100 by injecting a chemical polishing liquid having the same composition as that of the first processing chamber 66 onto the upper and lower surfaces of the glass substrate 100.
  • the first relay unit 72 is configured to connect the first processing chamber 66 and the first processing chamber 68.
  • the water washing chamber 70 is configured to wash the glass substrate 100 that has passed through the second processing chamber 68.
  • the water washing chamber 70 constitutes a washing unit in the present invention.
  • the rinsing chamber 70 is employed as the cleaning unit, but it is also possible to employ a configuration in which the glass substrate 100 is cleaned using a cleaning liquid other than water as the cleaning unit.
  • the glass substrate 100 from which the processing liquid has been removed in the water washing chamber 70 is further transported downstream of the transport path.
  • a carry-in unit 12 and a pretreatment chamber 14 are provided after the first polishing processing unit 4 and before the second polishing processing unit 2.
  • the second polishing processing unit 2 includes a third processing chamber 16, a fourth processing chamber 18, a fifth processing chamber 20, a sixth processing chamber 22, a second relay unit 28, and a third relay unit 30. And a fourth relay unit 32. Further, a rinsing chamber 24 and a carry-out unit 26 are provided at the subsequent stage of the second polishing processing unit 2.
  • a second processing liquid storage unit 42, a second processing liquid supply unit 44, and a water supply unit 46 are provided.
  • the carry-in unit 12 is configured to receive the glass substrate 100 discharged from the water washing chamber 70.
  • the pretreatment chamber 14 is configured to receive the glass substrate 100 transported from the carry-in unit 12.
  • the third processing chamber 16 is configured to spray the chemical polishing liquid on the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 to make the glass substrate 100 thinner.
  • the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, and the sixth processing chamber 22 each spray a chemical polishing liquid having the same composition as that of the third processing chamber 16 onto the upper and lower surfaces of the glass substrate 100. 100 is further thinned.
  • the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32 are each configured to connect a plurality of processing chambers.
  • the water washing chamber 24 is configured to wash the glass substrate 100 that has passed through the sixth processing chamber 22.
  • the carry-out unit 26 is configured to be able to take out the glass substrate 100 that has undergone the chemical polishing process and the water washing process.
  • the glass substrate 100 that has reached the carry-out unit 26 is removed from the chemical polishing apparatus 10 and collected by manual operation by an operator or automatic operation by a robot or the like. After that, the glass substrate 100 is introduced into the chemical polishing apparatus 10 again when further thinning is necessary, while it is transferred to a subsequent process such as a film forming process when further thinning is not necessary. .
  • the chemical polishing apparatus 10 includes a first processing liquid storage unit 84, a first processing liquid supply unit 82, a water supply unit 74, a second processing liquid storage unit 42, and a second processing liquid.
  • a supply unit 44 and a water supply unit 46 are provided.
  • the first processing liquid storage unit 84 is connected to the first processing chamber 66 and the second processing chamber 68 via a recovery line 840.
  • the first processing liquid supply unit 82 is connected to the first processing chamber 66, the second processing chamber 68, and the first relay unit 72 via a liquid supply line 820.
  • the water supply unit 74 is connected to the pretreatment chamber 64 and the water washing chamber 70 via a water supply line 740.
  • the recovery line 420, the liquid supply line 440, and the cleaning water supply line 460 of the chemical polishing apparatus 10 are not shown.
  • the second processing liquid storage unit 42 is connected to the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, the sixth processing chamber 22 and the recovery line 420.
  • the second processing liquid supply unit 44 is connected to the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, the sixth processing chamber 22, and the second relay via the liquid supply line 440.
  • the unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32 are connected.
  • the water supply unit 46 is connected to the pretreatment chamber 14 and the rinsing chamber 24 via a water supply line 460.
  • the chemical polishing apparatus 10 is the same as the chemical polishing apparatus 10 except for the inlet to the pretreatment chambers 64 and 14, the outlet from the washing chambers 70 and 24, and a part of the working space of the crank mechanism 36 described later.
  • the whole is airtight and watertightly closed.
  • the inlet and outlet provided in the chemical polishing apparatus have a slit shape that is slightly higher than the thickness of the glass substrate 100 and slightly wider than the lateral width of the glass substrate 100.
  • a large number of transport rollers 50 are arranged on the same plane so as to penetrate each part. Each conveyance roller 50 conveys rightward in the figure while supporting the bottom surface of the glass substrate 100.
  • the conveyance speed is preferably set to 100 to 800 mm / min, more preferably 300 to 550 mm / min.
  • the processing time in the first processing chamber 66, the second processing chamber 68, the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, and the sixth processing chamber 22 is: In this embodiment, the total time is set to about 20 to 60 minutes, but is not limited to this.
  • the conveyance speed is too slow exceeding the above range, not only the production efficiency is bad, but also the chemical polishing liquid tends to stay on the glass substrate 100, and uniform chemical polishing is hindered. There is a risk of causing cracks in the substrate 100.
  • the transport speed is too high in the same apparatus scale, it is difficult to optimize the liquid composition for realizing this, and it is difficult to achieve uniform chemical polishing after all.
  • the glass substrate 100 to be thinned by the chemical polishing apparatus 10 is not particularly limited, but the upper and lower surfaces of a large glass substrate such as a G8 size quarter cut (1080 ⁇ 1230 mm) and a G6 size (1500 ⁇ 1800 mm) are also provided.
  • the chemical polishing apparatus 10 is configured so that polishing can be performed uniformly. Further, the chemical polishing apparatus 10 is configured to directly convey the glass substrate 100 by the conveying roller 50 without using a jig or a carrier.
  • the temperature of the first processing chamber 66, the second processing chamber 68, and the first relay unit 72 is temperature-controlled from the first processing liquid supply unit 82 via the liquid supply line 820.
  • the first processing liquid (chemical polishing liquid) is supplied.
  • the temperature of the first processing liquid is controlled to about 40 to 42 ° C.
  • the composition of the first treatment liquid is 35 to 95% by weight of sulfuric acid, 1 to 10% by weight of hydrofluoric acid, and the composition of the remaining water, but is not limited to this liquid composition. Absent.
  • the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, the sixth processing chamber 22, the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit. 32 receives the supply of the second processing liquid (chemical polishing liquid) whose temperature is controlled from the second processing liquid supply unit 44 via the liquid supply line 440.
  • the temperature of the second processing liquid is controlled to about 40 to 42 ° C.
  • the composition of the second treatment liquid is 1 to 20% by weight of hydrofluoric acid, 0 to 10% by weight of hydrochloric acid, and the remaining water.
  • the composition of the second treatment liquid is not limited to this liquid composition. .
  • the pretreatment chamber 64 and the water washing chamber 70 are supplied with washing water from the water supply unit 46 via the water supply line 740. Further, the pretreatment chamber 14 and the rinsing chamber 24 receive supply of cleaning water from the water supply unit 46 via the water supply line 460. The cleaning wastewater discharged from the pretreatment chambers 64 and 14 and the water washing chambers 70 and 24 is discharged to a waste water treatment facility.
  • the bottoms of the first processing chamber 66 and the second processing chamber 68 communicate with the first processing liquid storage portion 84 via the recovery line 840, and the first processing liquid is It has come to be collected. Further, the bottoms of the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, and the sixth processing chamber 22 are connected to the second processing liquid storage unit 42 via the recovery line 420. The second processing liquid is collected and communicated.
  • the first processing liquid in the first relay part 72 is smoothly guided to the adjacent processing chamber. . Since the bottoms of the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32 have bottoms that are inclined toward the adjacent processing chambers, the second relay unit 28, The third processing unit 30 and the second processing liquid in the fourth relay unit 32 are also smoothly guided to the adjacent processing chamber.
  • the recovered polishing water is subjected to precipitation of reaction products and other processing, and can be reused in the first processing liquid supply unit 82 or the second processing liquid supply unit 44 if it can be reused. On the other hand, when it cannot be reused, it is transferred to a waste liquid treatment step as a concentrated waste liquid.
  • the fifth processing chamber 20, the sixth processing chamber 22, and the water washing chamber 24 communicate with the exhaust unit 34 via the exhaust line 340, and the internal gas of each chamber is sucked into the exhaust unit 34. It is like that.
  • the exhaust line 340 functions constantly, the openings of the chemical polishing apparatus 10 are maintained in a negative pressure state, and it is difficult for the processing gas to leak through these openings. .
  • each processing chamber will now be described. Since the configuration on the first polishing processing unit 4 side is substantially the same as the configuration on the second polishing processing unit 2 side, the second polishing processing will be described below. Only the configuration on the part 2 side will be described, and the description on the configuration on the first polishing processing unit 4 side will be omitted.
  • the glass substrate 100 is transferred to the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, the sixth processing chamber 22, and the rinsing chamber 24.
  • a group (10) of injection pipes 444 (444U, 444L) extending in the direction are arranged at the upper and lower positions of the conveying roller 50, respectively.
  • Each injection pipe 444 is a hollow resin pipe made of vinyl chloride or Teflon (registered trademark), and a plurality of injection nozzles 446 are formed in a row on one injection pipe. Then, the chemical polishing liquid is sprayed from the upper injection pipe 444U arranged on the upper side to the upper surface of the glass substrate 100, and the chemical polishing liquid is injected from the lower injection pipe 444L arranged on the lower side to the bottom surface of the glass substrate 100. Is injected. On the other hand, cleaning water is jetted from the upper jet pipe 242U arranged in the water washing chamber 24 to the upper surface of the glass substrate, and cleaning water is jetted from the lower jet pipe 242L to the bottom surface of the glass substrate 100.
  • the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32 are respectively provided with an injection pipe 282 (282U, 282L), an injection pipe 302 (302U, 302L), and an injection pipe 322 ( 322U, 322L), and a chemical polishing liquid having the same composition as that of the third to sixth processing chambers 18, 20, 22, and 24 is sprayed onto the top and bottom surfaces of the glass substrate 100.
  • the pipe 322 (322U, 322L) and the injection pipe (242U, 242L) disposed in the flush chamber 24 are held in a fixed state.
  • each injection pipe 444 arranged in the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, and the sixth processing chamber 22 is configured to swing by the crank mechanism 36. ing.
  • the third processing chamber 16, the fourth processing chamber 18, the fifth processing chamber 20, and the sixth processing chamber 22 are:
  • Ten injection pipes 444 (444U, 444L) are arranged on the upper side and the lower side of the glass substrate 100, respectively.
  • FIG. 5A is a plan view of the injection pipe 444 (444U, 444L).
  • eight injection nozzles 446 are formed in each injection pipe 444 (444U, 444L).
  • Each of the injection pipes 444 (444U, 444L) has a distal end side (the lower side in the drawing) closed, and a proximal end side provided with a hydraulic pressure control unit.
  • the hydraulic pressure control unit includes the same number (10) of open / close valves 442 (442U, 442L) as the injection pipes 444 (444U, 444L), and adjusts the opening of each open / close valve 442 (442U, 442L).
  • the hydraulic pressure of the chemical polishing liquid supplied to each injection pipe 444 (444U, 444L) can be arbitrarily set.
  • the liquid pressure of the injection pipe 444 (444U, 444L) at the central position is set to be slightly larger than the injection pipe 444 (444U, 444L) at the peripheral position, and the glass substrate 100 is moved toward the central position.
  • the contact pressure and the injection amount are set slightly higher than the contact pressure and the injection amount to the peripheral position of the glass substrate 100. Therefore, the chemical polishing liquid sprayed to the central position of the glass substrate 100 moves smoothly to the peripheral position of the glass substrate, and the chemical polishing liquid is less likely to stay on the upper surface of the glass substrate 100. As a result, an almost equal amount of chemical polishing liquid acts on the entire surface of the glass substrate 100, and the entire surface of the glass substrate 100 is easily polished uniformly.
  • the hydraulic pressure of the injection pipe 444 (444U, 444L) is dared. Need not be changed in the width direction, and the hydraulic pressures of all the injection pipes 444 (444U, 444L) may be set uniformly.
  • each injection pipe 444 (444U, 444L) is configured to be oscillated by about ⁇ 30 ° by the crank mechanism 36, with both ends thereof being rotatably supported by bearings or the like ( (See FIG. 5B).
  • FIG. 5B shows the swing angle and does not show the spray range of the chemical polishing liquid. That is, since the chemical polishing liquid is ejected from the spray nozzle 446 of the spray pipe 444 in a trumpet shape, the spray range is wider than the swing angle.
  • the crank mechanism 36 converts the drive motor 362 and the rotational force of the drive motor 362 into a force that causes the injection pipe 444 (444U, 444L) to swing.
  • a transmission mechanism 364 configured to transmit to the injection pipe 444 (444U, 444L).
  • the rotational force of the drive motor 362 is transmitted to the swing arm 366 as a force for swinging the swing arm 366 via the transmission arm.
  • the swing arm 366 is supported in a rotatable state by a support portion 368 provided on the inner wall portion of the chemical polishing apparatus 10.
  • each injection pipe 444 (444U, 444L) penetrates the partition wall of the processing chamber, and is required for the oscillation of the injection pipe 444 (444U, 444L) at a portion located outside the processing chamber.
  • Torque transmission arms 372 and 376 for transmitting various torques are attached.
  • the torque transmission arms 372 and 376 are supported by holding arms 370 and 374 in a rotatable state, respectively.
  • the holding arms 370 and 374 are connected to the swing arm 366 so as to be rotatable and slidable.
  • the holding arms 370 and 374 swing in conjunction with the swing arm 366 as shown by the arrows in the figure.
  • the force from the holding arm 370 is transmitted as torque to the upper injection pipe 444U via the torque transmission arm 372.
  • the force from the holding arm 374 is transmitted as torque to the lower injection pipe 444L via the torque transmission arm 376.
  • the upper injection pipe 444U and the lower injection pipe 444L are in a direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 and in directions opposite to each other. It will rotate about ⁇ 30 °.
  • the rotational speed of the drive motor 362 defines the number of oscillations of the injection pipe 444 (444U, 444L). In this embodiment, the rotational speed of the drive motor is set to about 10 to 30 rpm.
  • the upper injection pipe 444U has an injection nozzle 446U formed on its lower surface
  • the lower injection pipe 444L has an injection nozzle 446L formed on its upper surface, so that each injection nozzle rotates about ⁇ 30 °.
  • the chemical polishing liquid is sprayed onto the upper and lower surfaces of the glass substrate (see FIG. 5B).
  • the 3rd processing chamber 16, the 4th processing chamber 18, the 5th processing chamber 20, and the 6th processing chamber 22 which perform the same chemical polishing by the same liquid composition are dared to each other. It is divided and provided. The reason is that by suppressing the length of the injection pipe 444 (444U, 444L), the injection pipe 444 (444U, 444L) is prevented from bending and the injection pipe 444 (444U, 444L) is smoothly swung. This is to make it happen. Moreover, it is for suppressing the influence by the thermal expansion of the injection pipe 444 (444U, 444L) small.
  • the distance between the injection pipe 444 (444U, 444L) and the glass substrate 100 can be maintained uniformly, and the hydraulic pressure of the chemical polishing liquid injected onto the glass substrate 100 is adjusted. It becomes easy. Further, since the injection pipe 444 (444U, 444L) smoothly swings, the chemical polishing liquid can be smoothly flowed off from the upper surface of the glass substrate 100, so that the chemical polishing liquid is applied to the upper surface of the glass substrate 100. It becomes difficult to stay.
  • the length of the injection pipe 444 (444U, 444L) relates to the pipe diameter (liquid feeding amount), in general, it is preferable to suppress the length to 2.5 m or less, preferably 2 m or less.
  • the plurality of injection pipes 444 (444U, 444L) can be smoothly swung with a simple mechanism without enlarging the drive motor 362 so much.
  • the pre-processing chamber 14 is provided with the crank mechanism 36 that swings the injection pipe 444 (444U, 444L) in the vicinity of the third processing chamber 16.
  • the pretreatment chamber 14 is sprayed with water on the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 and the opposing roller 146 that receives the glass substrate 100 at the inlet of the glass substrate 100 to the third processing chamber 16. Washing nozzles 142 and 144 are arranged.
  • a plurality of the water washing nozzles 142 and 144 are arranged at predetermined intervals over the entire region in the direction (width direction) orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100.
  • the contact pressure is set so that the glass substrate 100 is softly held by the opposing roller 146 and the transport roller 50 and introduced into the third processing chamber 16.
  • the water washing nozzles 142 and 144 are set to inject water toward the inlet of the glass substrate 100 to the third processing chamber 16. Therefore, the glass substrate 100 introduced into the third processing chamber 16 is in a sufficiently wet state, and inhomogeneous initial etching is prevented. That is, since the third processing chamber 16 is in a hydrofluoric acid gas atmosphere, if the surface of the glass substrate 100 is in a dry state, there is a risk that it will be inhomogeneously eroded by the hydrofluoric acid gas. Since the surface of the glass substrate 100 is protected with water, uniform etching is started in the third processing chamber 16 thereafter.
  • the water washing nozzle 142 is configured to inject water downward, while the water washing nozzle 144 is on the upper side and the glass substrate. It is comprised so that water may be injected diagonally toward the upstream of 100 conveyance paths.
  • the water washing nozzle 144 being configured to inject water obliquely upward, as shown in FIGS. 7A and 7B, when the glass substrate 100 approaches the water washing nozzles 142 and 144, the water washing is performed. Water can be supplied from the nozzle 144 to the upper surface of the glass substrate 100. For this reason, it becomes possible to rapidly form a water film for protecting from the hydrofluoric acid gas on the upper surface of the glass substrate 100.
  • the water washing nozzle 144 When the glass substrate 100 approaches the water washing nozzle 144, the water sprayed from the water washing nozzle 144 comes into contact with the bottom surface of the glass substrate 100. Therefore, the water washing nozzle 144 appropriately cleans the bottom surface of the glass substrate 100, and appropriately Can be moistened.
  • the washing nozzles 142 and 144 in the pretreatment chamber 14, it is possible to prevent the glass substrate 100 in a dry state from being exposed to the hydrofluoric acid gas and being etched unevenly. Further, since the glass substrate 100 is prevented from being sandwiched between the counter roller 146 and the transport roller 50 in a dry state, the glass substrate 100 may be damaged when passing between the counter roller 146 and the transport roller 50. The glass substrate 100 is prevented from being damaged.
  • the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32 will be described.
  • the injection pipe 282, the injection pipe 302, and the injection pipe 322 in a fixed state are arranged at the upper and lower positions of the conveyance path, respectively. Yes.
  • the chemical polishing liquid is sprayed onto the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 from the spray pipe 282, the spray pipe 302, and the spray pipe 322.
  • the injection pipe 444, the injection pipe 282, the injection pipe 302, and the injection pipe 322 each constitute the polishing liquid injection means of the present invention.
  • the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32 can be considered as empty spaces in the glass polishing process.
  • the chemical polishing liquid having the same composition is sprayed onto the glass substrate 100. Therefore, the chemical polishing liquid stays on the glass substrate 100 when passing through the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32, or conversely, the second relay unit 28, the second relay unit 28, There is no possibility that the glass substrate 100 becomes dry when passing through the third relay unit 30 and the fourth relay unit 32, and high-quality glass polishing is realized.
  • the injection pipe 282, the injection pipe 302, and the injection pipe 322 of the second relay unit 28, the third relay unit 30, and the fourth relay unit 32 are in a fixed state, but are not fixed and swing. It is also possible to adopt a formula structure.
  • the glass substrate 100 includes a third processing chamber 16, a fourth processing chamber 18, a fifth processing chamber 20, a sixth processing chamber 22, a second relay unit 28, a third relay unit 30, and a fourth processing chamber.
  • a third processing chamber 16 is sequentially subjected to chemical polishing.
  • the glass substrate 100 that has been subjected to the multi-stage chemical polishing is subjected to a liquid draining process on the upper surface by an air knife 244 disposed at the outlet of the sixth processing chamber 22, and then a group of disposed in the water washing chamber 24. Washing is performed with washing water received from the injection pipe 242.
  • the cleaning injection pipe 242 is in a fixed state, but may be configured to swing this.
  • a pair of upper and lower air knives 246 are arranged in the final stage of the cleaning process, and the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 are quickly dried by the air jetted therefrom. And the glass substrate 100 discharged
  • the air knife 244 in front of the pair of upper and lower air knives 246, the chemical polishing liquid can be quickly removed from the upper surface of the glass substrate 100. Therefore, the upper surface of the glass substrate 100 is uneven. It is possible to effectively prevent etching.
  • the chemical polishing apparatus 10 As described above, according to the chemical polishing apparatus 10 according to the present embodiment, chemical polishing is performed in a closed space, and toxic gas such as hydrofluoric acid gas generated in the apparatus is almost exhausted by an exhaust mechanism such as a scrubber. Since everything is recovered, the hydrofluoric acid gas hardly diffuses around the chemical single wafer apparatus 10. As a result, the working environment around the chemical polishing apparatus 10 is remarkably improved as compared with the case of the batch type chemical polishing process. Accordingly, there is no need to worry about deteriorating the health of workers, and it is not necessary to cost protective equipment.
  • the equipment around the chemical polishing apparatus 10 can be prevented from being attacked by the hydrofluoric acid gas, the maintenance cost of the equipment can be reduced. In other words, it can be said that there is a great merit that a good working environment can be provided to the worker with low maintenance costs.
  • the single wafer chemical polishing apparatus 10 when used, there is a merit that it is possible to improve the work efficiency and the quality of the product as compared with the batch polishing process.
  • the chemical polishing apparatus 10 since the plate thickness accuracy is improved, the yield stability at the time of scribing is predicted. Further, the flat strength of the cut surface can be increased as compared with the batch-type polishing treatment. And since there is no hydrofluoric acid loss by bubbling, the effect of reducing hydrofluoric acid cost by about 15% can be expected. Furthermore, since different types of polishing processes can be continuously and automatically performed on the glass substrate 100, the processing efficiency for the glass substrate 100 is improved.
  • the state of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 50 will be described with reference to FIGS. 8A and 8B.
  • a measure is taken to prevent the glass substrate 100 from being soiled even when the glass substrate 100 is placed directly on the peripheral surface of the transport roller 50.
  • the chemical polishing liquid always hits the peripheral surface of the transport roller 50, the peripheral surface of the transport roller 50 is kept in a wet state, and a thin layer of the chemical polishing liquid is formed on the peripheral surface of the transport roller 50. Yes.
  • the plurality of injection pipes 444 (444U, 444L), the injection pipes 282 (282U, 282L), the injection pipes 302 (302U, 302L), and the injection pipes 322 (322U, 322L) are at least in the chemical polishing processing space (the first polishing space).
  • the chemical polishing liquid is sprayed so that the peripheral surfaces of all the transport rollers 50 are in a wet state.
  • a plurality of injection pipes 444 (444U, 444L), injection pipes 282 (282U, 282L), injection pipes 302 (302U, 302L), and injection pipes 322 (322U, 322L) ) Is sprayed onto the peripheral surface of the transport roller 50 in the chemical polishing space, so that the peripheral surface of the transport roller 50 is kept wet by the polishing liquid. Further, since the peripheral surface of the transport roller 50 is cleaned by the sprayed polishing liquid, it is difficult for foreign matters such as sludge to adhere to the peripheral surface of the transport roller 50, and the peripheral surface of the transport roller 50 is always in a clean state. Kept.
  • the friction coefficient between the peripheral surface of the transport roller 50 and the main surface of the glass substrate 100 can be greatly reduced, and the glass substrate 100 is soiled by contact with the peripheral surface of the transport roller 50. It becomes difficult.
  • the chemical polishing liquid is interposed between the main surface of the glass substrate 100 and the peripheral surface of the transport roller 50, the portion of the glass substrate 100 that is in contact with the peripheral surface of the transport roller 50 is also chemically polished. It is properly polished with the liquid.
  • problems such as non-uniform chemical polishing treatment or deterioration of the quality of the glass substrate 100 occur. It becomes difficult. Thereby, even if it does not use a jig
  • a plurality of injection pipes 444 (444U, 444L), injection pipes 282 (282U, 282L), injection pipes 302 (302U, 302L), and injection pipes 322 (322U, 322L)
  • the injection forces of a plurality of injection pipes 444L, injection pipes 282L, injection pipes 302L, and injection pipes 322L configured to inject the polishing liquid from the lower side inject the polishing liquid from the upper side.
  • the plurality of injection pipes 444U, the injection pipes 282U, the injection pipes 302U, and the injection pipes 322U that are configured to be set to be stronger than the injection force.
  • the example in which the pit suppressing process and the thinning process are performed on the glass substrate 100 has been described.
  • a process of cutting the glass substrate 100 to which a patterned resist is applied, or a glass substrate It is also possible to perform the process of cleaning the surface of 100 with the chemical polishing apparatus 10.
  • 2-Second polishing processing unit 4-First polishing processing unit 10-Chemical polishing apparatus 12, 62-Load-in unit 14,64-Preprocessing chamber 16-Third processing chamber 18-Fourth processing chamber 20- Fifth processing chamber 22-Sixth processing chamber 24, 70-Washing chamber 26-Unloading unit 28-Second relay unit 30-Third relay unit 32-Fourth relay unit 50-Conveying roller 66-No. 1 processing chamber 68-second processing chamber 72-first relay section

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

治具を使用することなくガラス基板に対して化学研磨処理を施すことが可能な枚葉式の化学研磨処理装置を提供する。化学研磨装置（１０）は、第１の研磨処理部（４）、第２の研磨処理部（２）、および洗浄部（７０）を少なくとも備える。第１の研磨処理部（４）は、搬送路に沿って搬送されるガラス基板（１００）に対して第１の処理液によって化学研磨処理を行うように構成される。第２の研磨処理部（２）は、搬送路に沿って搬送されるガラス基板（１００）に対して第１の処理液とは異なる第２の処理液によって化学研磨処理を行うように構成される。洗浄部（７０）は、搬送路における第１の研磨処理部（４）の下流側であり、かつ、第２の研磨処理部（２）の上流側に配置されており、ガラス基板（１００）に付着した処理液を洗浄するように構成される。

Description

化学研磨装置
　本発明は、連続的に搬送される複数のガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成された化学研磨装置に関する。
　ガラス基板を薄型化するためには、一般的にフッ酸を含む化学研磨液を用いてガラス基板に対して化学研磨処理を行う必要がある。このような化学研磨処理としては、処理すべきガラス基板を化学研磨液が入れられた槽に所定時間浸漬するバッチ式化学研磨、および処理すべきガラス基板を搬送ローラで順次的に搬送しつつ化学研磨液をスプレーする枚葉式化学研磨が挙げられる。
　これらの化学研磨の方式のうち、バッチ方式の研磨では、処理すべきガラス基板を研磨液浴槽に所定時間浸漬することによってガラス基板を所望の板厚まで薄板化するもので、一度に多量のガラス基板を処理できるというメリットがある。ところが、バッチ方式の研磨は、少なくとも以下の問題点を有している。
　まず、バッチ方式の研磨では、研磨液浴槽が上方に対して開放している構造上、研磨液浴槽の周囲が濃いフッ酸雰囲気になるという問題がある。特に、研磨液浴槽の研磨液に対してバブリング処理を行っている場合には、ガス状のフッ酸が周囲に拡散し易いという問題点を抱えている。このようなフッ酸雰囲気の中で作業にあたる作業員は、適切な保護装備を身につけて作業にあたらなければ、健康を害してしまう虞がある。このため、作業員に支給する保護装備のコストが高くなる。
　また、バッチ方式の研磨では、研磨液浴槽の周囲が濃いフッ酸雰囲気を解消するためには、強力なスクラバー等の排気設備が必要となり、設備コストを増大させてしまう。さらには、フッ酸ガスによって設備の腐食が発生し易くなるため、適切な防食処理を施すためにコストがかかったり、設備の交換頻度が多くなってコストがかかったりするという問題もある。
　そこで、近年、枚葉方式の化学研磨処理が用いられることがあった。例えば、従来技術の中には、ガラス基板を付着できる治具によってガラス基板を縦向きに支持し、この治具を搬送しつつガラス基板に対して化学研磨液を噴射するように構成されたフラットパネルディスプレイガラス基板エッチング装置が存在する（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００８－２６６１３５号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の技術では、依然としてガラス基板を支持するための治具を使用することを余儀なくされる。このため、上述のバッチ式の化学研磨装置と同様に、治具を準備する費用が高く、またガラス基板に治具跡が発生し易いという問題もある。ガラス基板に治具跡が発生すると効率の良い面取設計をすることが極めて困難になるため、面取効率を低下させてしまうという不都合がある。
　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、治具を使用することなくガラス基板に対して化学研磨処理を施すことが可能な枚葉式の化学研磨装置を提供することである。
　この発明に係る化学研磨装置は、搬送路に沿って連続的に搬送される複数のガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成される。搬送路の構成の代表例としては複数の搬送ローラを配列した構成が挙げられるが、この構成に代えてローラにメッシュ状のベルトを架け渡した構成等を採用することも可能である。
　この化学研磨装置は、第１の研磨処理部、第２の研磨処理部、および洗浄部を少なくとも備える。第１の研磨処理部は、搬送路に沿って搬送されるガラス基板に対して第１の処理液によって化学研磨処理を行うように構成される。第２の研磨処理部は、搬送路に沿って搬送されるガラス基板に対して第１の処理液とは異なる第２の処理液によって化学研磨処理を行うように構成される。洗浄部は、搬送路における第１の研磨処理部の下流側であり、かつ、第２の研磨処理部の上流側に配置されており、ガラス基板に付着した処理液を洗浄するように構成される。
　この構成においては、搬送路に沿って連続的に搬送されるガラス基板が、順次的に、第１の研磨処理部、洗浄部、および第２の研磨処理部を通過する。ガラス基板は、搬送路に沿って流されるため、ガラス基板を治具等によって保持しておく必要がない。搬送路に沿って連続的に搬送されるガラス基板は、第１の研磨処理部にて第１の処理液にて化学研磨処理が行われ、その後、洗浄部にて洗浄された後、第２の研磨処理部にて第２の処理液にて化学研磨処理が行われる。このため、２種類の研磨処理を連続して実行することが可能となる。異なる２種類の研磨処理の例としては、フッ酸濃度が互いに異なるように調整された処理液を用いた研磨速度が速い処理および研磨速度が遅い処理の２種類や、主成分である硫酸に少量のフッ酸を加えた処理液を用いたガラスのピットを抑制する処理およびフッ酸を主成分とする処理液を用いたガラスを薄型化する処理の２種類等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　上記の構成において、第１の研磨処理部は、第１の処理液をガラス基板に対して噴射するように構成された複数の処理チャンバを有し、かつ、第２の研磨処理部は、第２の処理液をガラス基板に対して噴射するように構成された複数の処理チャンバを有することが好ましい。このような構成を採用することにより、１つの処理チャンバが大型化することが防止されるため、研磨処理の最中に処置チャンバを構成する各部材において不具合が発生しにくくなる。
　また、上記の構成において、少なくとも第１の研磨処理部の上流側に、第１の研磨処理部に導入される前のガラス基板の表面を湿らせるように構成された前処理部をさらに備えることが好ましい。この構成を採用することにより、ガラス基板の表面に対して研磨処理が行われる前に、ガラス基板の表面が水等の液体によって濡らされて液体の膜が形成されるため、ガラス基板の表面の乾いた部分に研磨処理が行われることが防止される。このため、乾いた部分に化学研磨が行われることによって発生する白濁等の不具合の発生が防止される。
　上記した本発明によれば、治具を使用することなくガラス基板に対して化学研磨処理を施すことが可能になる。
本発明の実施形態に係る枚葉式化学研磨装置の外観を示す図である。 枚葉式化学研磨装置の概略構成を示す図である。 枚葉式化学研磨装置の概略構成を示す図である。 第３の処理チャンバの概略構成を示す図である。 処理液供給機構の概略構成を示す図である。 クランク機構の概略構成を示す図である。 前処理チャンバでの処理を説明する図である。 搬送ローラによるガラスの支持状態を示す図である。
　図１は、本発明の実施形態の一例に係る枚葉式の化学研磨装置１０の外観を示す図である。同図に示すように、化学研磨装置１０は、複数の搬送ローラ５０を配列して構成される搬送路を備えており、この搬送路に沿って上流から順に第１の研磨処理部４、水洗チャンバ７０、第２の研磨処理部２、および水洗チャンバ２４が設けられている。この実施形態では、第１の研磨処理部４では、適度な濃度のフッ酸を含み硫酸を主成分とする高粘性の研磨液を用いたピット抑制を目的とする予備的処理が行われ、第２の研磨処理部２では、フッ酸を主成分とする研磨液を用いて薄型化処理が行われる。
　第１の研磨処理部４の前段には搬入部６２および前処理チャンバ６４が設けられる。第１の研磨処理部２は、第１の処理チャンバ６６、第２の処理チャンバ６８、および第１の中継部７２を備える。また、第１の研磨処理部４の後段には水洗チャンバ７０が設けられる。
　搬入部６２は、作業員による手動作業またはロボット等による自動作業によって搬入される処理すべきガラス基板１００を受け入れ可能に構成される。この実施形態では、ガラス基板１００はフラットパネル用の厚み０．５ｍｍ～２．０ｍｍ程度の薄型ガラス基板であるが、処理の対象となるガラス基板１００はこれには限定されない。前処理チャンバ６４は、搬入部６２から搬送されるガラス基板１００を受け入れるように構成される。第１の処理チャンバ６６は、ガラス基板１００の上下面に化学研磨液を噴射してガラス基板１００表面のピットを抑制または除去しつつガラス基板１００を薄型化するように構成される。第２の処理チャンバ６８は、第１の処理チャンバ６６と同一組成の化学研磨液をガラス基板１００の上下面に噴射してガラス基板１００の表面のピットを更に抑制または除去するように構成される。第１の中継部７２は、第１の処理チャンバ６６および第１の処理チャンバ６８を連結するように構成される。
　水洗チャンバ７０は、第２の処理チャンバ６８を経由したガラス基板１００を水洗するように構成される。水洗チャンバ７０は、この発明における洗浄部を構成する。この実施形態では、洗浄部として水洗チャンバ７０を採用しているが、洗浄部として水以外の洗浄液を用いてガラス基板１００を洗浄する構成を採用することも可能である。水洗チャンバ７０において処理液が取り除かれたガラス基板１００は、さらに搬送路の下流に搬送される。
　第１の研磨処理部４の後段でかつ第２の研磨処理部２の前段には搬入部１２および前処理チャンバ１４が設けられる。第２の研磨処理部２は、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２を備える。また、第２の研磨処理部２の後段には水洗チャンバ２４および搬出部２６が設けられる。第２の処理液収容部４２、第２の処理液供給部４４、および水供給部４６を備える。
　搬入部１２は、水洗チャンバ７０から排出されるガラス基板１００を受け入れ可能に構成される。前処理チャンバ１４は、搬入部１２から搬送されるガラス基板１００を受け入れるように構成される。第３の処理チャンバ１６は、ガラス基板１００の上下面に化学研磨液を噴射してガラス基板１００を薄型化するように構成される。第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、および第６の処理チャンバ２２はそれぞれ、第３の処理チャンバ１６と同一組成の化学研磨液をガラス基板１００の上下面に噴射してガラス基板１００を更に薄型化するように構成される。第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２はそれぞれ、複数の処理チャンバを連結するように構成される。
　水洗チャンバ２４は、第６の処理チャンバ２２を経由したガラス基板１００を水洗するように構成される。搬出部２６は、化学研磨処理および水洗処理を経たガラス基板１００を取り出し可能に構成されている。搬出部２６に到達したガラス基板１００は、作業員による手動作業またはロボット等による自動作業によって化学研磨装置１０から取り除かれて回収される。その後、ガラス基板１００は、さらなる薄型化が必要な場合には、再度化学研磨装置１０に導入される一方で、さらなる薄型化が必要でない場合には成膜工程等の後段の工程に移行される。
　図２に示すように、化学研磨装置１０は、第１の処理液収容部８４、第１の処理液供給部８２、水供給部７４、第２の処理液収容部４２、第２の処理液供給部４４、および水供給部４６を備えている。第１の処理液収容部８４は、第１の処理チャンバ６６および第２の処理チャンバ６８と回収ライン８４０を介して接続されている。第１の処理液供給部８２は、給液ライン８２０を介して、第１の処理チャンバ６６、第２の処理チャンバ６８、および第１の中継部７２に接続されている。水供給部７４は、給水ライン７４０を介して前処理チャンバ６４および水洗チャンバ７０に接続されている。なお、図１では、化学研磨装置１０の回収ライン４２０、給液ライン４４０、および洗浄水の給水ライン４６０については図示を省略している。
　第２の処理液収容部４２は、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２と回収ライン４２０を介して接続されている。第２の処理液供給部４４は、給液ライン４４０を介して、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２に接続されている。水供給部４６は、給水ライン４６０を介して前処理チャンバ１４および水洗チャンバ２４に接続されている。
　上述の化学研磨装置１０において、前処理チャンバ６４，１４への導入口、水洗チャンバ７０，２４からの導出口、および後述するクランク機構３６の一部の作業空間を除いて、化学研磨装置１０は全体として気密的にかつ水密的に閉塞されている。化学研磨装置に設けられる導入口および導出口は、ガラス基板１００の板厚よりやや高く、ガラス基板１００の横幅よりやや広いスリット形状を呈している。また、上述のとおり、各部を貫通して、同一平面上に多数の搬送ローラ５０が配列されている。各搬送ローラ５０は、ガラス基板１００の底面を支持しつつ図示右向きに搬送する。
　ここで、搬送速度は、１００～８００ｍｍ／分に設定されるのが好ましく、より好ましくは、３００～５５０ｍｍ／分に設定すべきである。そして、第１の処理チャンバ６６、第２の処理チャンバ６８、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、および第６の処理チャンバ２２での処理時間は、この実施形態では合計２０～６０分程度に設定されているが、これに限定されるものではない。また、上記の範囲を超えて搬送速度が遅すぎると、生産効率が悪いだけでなく、化学研磨液がガラス基板１００上に滞留しやすく、均一な化学研磨が阻害されたり、最悪の場合、ガラス基板１００の割れを誘発したりする虞がある。一方、同一の装置規模において、搬送速度を高すぎると、これを実現する液組成の最適化が難しく、結局、均質な化学研磨が実現しにくい。
　化学研磨装置１０で薄型化処理されるガラス基板１００は、特に限定されないが、Ｇ８サイズのクォーターカット（１０８０×１２３０ｍｍ）およびＧ６サイズ（１５００×１８００ｍｍ）等の大型ガラス基板についても、その上下両面を均質に研磨できるよう化学研磨装置１０は構成されている。また、化学研磨装置１０は、治具やキャリアを用いることなく、ガラス基板１００を直接的に搬送ローラ５０によって搬送するように構成される。
　上述したように、第１の処理チャンバ６６、第２の処理チャンバ６８、および第１の中継部７２は、給液ライン８２０を経由して、第１の処理液供給部８２から温度管理された第１の処理液（化学研磨液）の供給を受ける。この実施形態では、第１の処理液は、４０～４２℃程度に温度管理されている。また、第１の処理液の組成は、硫酸３５～９５重量％、フッ酸１～１０重量％程度、残り水の液組成のものが用いられているが、この液組成に限定されるものではない。
　また、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２は、給液ライン４４０を経由して、第２の処理液供給部４４から温度管理された第２の処理液（化学研磨液）の供給を受ける。この実施形態では、第２の処理液は、４０～４２℃程度に温度管理されている。また、第２の処理液の組成は、フッ酸１～２０重量％、塩酸０～１０重量％、残り水の液組成のものが用いられているが、この液組成に限定されるものではない。
　前処理チャンバ６４および水洗チャンバ７０は、給水ライン７４０を経由して水供給部４６から洗浄水の供給を受ける。さらに、前処理チャンバ１４および水洗チャンバ２４は、給水ライン４６０を経由して水供給部４６から洗浄水の供給を受ける。なお、前処理チャンバ６４，１４および水洗チャンバ７０，２４から排出される洗浄排水は、廃水処理設備へと排出される。
　一方、上述のとおり、第１の処理チャンバ６６および第２の処理チャンバ６８の底部は、回収ライン８４０を経由して第１の処理液収容部８４に連通しており、第１の処理液が回収されるようになっている。また、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、および第６の処理チャンバ２２の底部は、回収ライン４２０を経由して第２の処理液収容部４２に連通しており、第２の処理液が回収されるようになっている。
　第１の中継部７２の底部は、それぞれ隣接する処理チャンバに向けて傾斜するような底部を有するため、第１の中継部７２内の第１の処理液は円滑に隣接する処理チャンバに導かれる。第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２の底部は、それぞれ隣接する処理チャンバに向けて傾斜するような底部を有するため、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２内の第２の処理液についても円滑に隣接する処理チャンバに導かれる。なお、回収された研磨処理水は、反応生成物の沈殿その他の処理を経た上で、再利用が可能な状態であれば第１の処理液供給部８２または第２の処理液供給部４４に送られる一方で、再利用が可能でない状態の場合には濃厚廃液として廃液処理工程へと移行される。
　また、図３に示す通り、前処理チャンバ６４、第１の処理チャンバ６６、第２の処理チャンバ６８、水洗チャンバ７０、前処理チャンバ１４、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２、および水洗チャンバ２４は、排気ライン３４０を経由して、排気部３４に連通しており、各チャンバの内部ガスが排気部３４に吸引されるようになっている。ここで、排気ライン３４０は定常的に機能しているので、化学研磨装置１０の開口部が、負圧状態に維持されることになり、これらの開口部を通して処理ガスが漏出しにくくなっている。
　ここから各処理チャンバの構成の説明を行うが、第１の研磨処理部４側の構成は第２の研磨処理部２側の構成と実質的に同じであるため、以下、第２の研磨処理部２側の構成についてのみ説明を行い、第１の研磨処理部４側の構成については説明を省略する。図４および図５に示すように、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２、および水洗チャンバ２４には、ガラス基板１００の搬送方向に延びる一群（１０本）の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）が、搬送ローラ５０の上下位置にそれぞれ配置されている。各噴射パイプ４４４は、塩化ビニルやテフロン（登録商標）による中空の樹脂パイプであり、一本の噴射パイプに、複数個の噴射ノズル４４６が一列に形成されている。そして、上側に配置された上側噴射パイプ４４４Ｕからガラス基板１００の上面に対して化学研磨液が噴射され、下側に配置された下側噴射パイプ４４４Ｌからガラス基板１００の底面に対して化学研磨液が噴射される。一方、水洗チャンバ２４に配置された上側噴射パイプ２４２Ｕからガラス基板の上面に対して洗浄水が噴射され、下側噴射パイプ２４２Ｌからガラス基板１００の底面に対して洗浄水が噴射される。さらに、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２には、それぞれ噴射パイプ２８２（２８２Ｕ，２８２Ｌ）、噴射パイプ３０２（３０２Ｕ，３０２Ｌ）、および噴射パイプ３２２（３２２Ｕ，３２２Ｌ）が設けられており、第３～第６の処理チャンバ１８、２０、２２、２４と同一組成の化学研磨液がガラス基板１００の上面および底面に噴射される。
　この実施形態では、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２に配置された噴射パイプ２８２（２８２Ｕ，２８２Ｌ）、噴射パイプ３０２（３０２Ｕ，３０２Ｌ）、および噴射パイプ３２２（３２２Ｕ，３２２Ｌ）、ならびに水洗チャンバ２４に配置された噴射パイプ（２４２Ｕ，２４２Ｌ）は固定状態に保持されている。一方、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２に配置される各噴射パイプ４４４は、クランク機構３６によって揺動するように構成されている。
　図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、この実施形態では、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、および第６の処理チャンバ２２は、ガラス基板１００の上側および下側にそれぞれ１０本の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）が配置されている。図５（Ａ）は、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の平面図であり、各噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）には、例えば８個の噴射ノズル４４６が形成されている。
　各噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）は、その先端側（図示下側）が閉塞される一方、その基端側には、液圧制御部が設けられている。液圧制御部は、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）と同数（１０個）の開閉バルブ４４２（４４２Ｕ，４４２Ｌ）で構成され、各開閉バルブ４４２（４４２Ｕ，４４２Ｌ）の開度を調整することで各噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）に供給される化学研磨液の液圧が任意に設定できるようになっている。例えば、上側噴射パイプ４４４Ｕと下側噴射パイプ４４４Ｌの液圧に差を設けたり、中央の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）と端部の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）とで液圧に差を設けたりすることが可能である。なお、各噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）に供給される化学研磨液の液圧は、化学研磨装置１０の上面に配置された計器３８によって確認することができる。
　この実施形態では、周辺位置の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）に比べて、中央位置の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の液圧がやや大きく設定されており、ガラス基板１００の中央位置への接触圧や噴射量は、ガラス基板１００の周辺位置への接触圧や噴射量よりやや高く設定されている。そのため、ガラス基板１００の中央位置に噴射された化学研磨液は、ガラス基板の周辺位置に円滑に移動することになり、ガラス基板１００の上面に化学研磨液が滞留しにくくなっている。その結果、ガラス基板１００全面にほぼ等量の化学研磨液が作用することになり、ガラス基板１００全面が均一に研磨され易くなる。なお、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の液圧を幅方向において変化させなくとも、ガラス基板１００の上面に化学研磨液が滞留しない場合には、敢えて噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の液圧を幅方向において変化させる必要はなく、すべての噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の液圧を均一に設定すると良い。
　また、各噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）は、その両端が軸受などによって回転可能に軸支されることで、クランク機構３６によって約±３０°揺動（oscillation）されるよう構成されている（図５（Ｂ）参照）。なお、図５（Ｂ）は、揺動角度を示したものであって、化学研磨液の噴射範囲を示すものではない。すなわち、噴射パイプ４４４の噴射ノズル４４６からは、化学研磨液がラッパ状に噴出されるので、その噴射範囲は、揺動角度より広い。
　クランク機構３６は、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、駆動モータ３６２と、駆動モータ３６２の回転力を、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）を揺動させる力に変換して、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）に伝達するように構成された伝達機構部３６４とを備える。駆動モータ３６２の回転力は、伝達アームを介して揺動アーム３６６に、揺動アーム３６６を揺動させる力として伝達される。揺動アーム３６６は、化学研磨装置１０の内壁部に設けられた支持部３６８に回動可能な状態で支持されている。
　一方で、各噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の端部は、処理チャンバの隔壁を貫通しており、処理チャンバの外側に位置する部分に、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の揺動に必要なトルクを伝達するためのトルク伝達アーム３７２、３７６が取り付けられる。トルク伝達アーム３７２、３７６はそれぞれ、回動可能な状態で保持アーム３７０、３７４に支持されている。保持アーム３７０、３７４は、回動可能でかつスライド可能な状態にて揺動アーム３６６に連結されている。
　駆動モータ３６２の回転力によって揺動アーム３６６が揺動すると、揺動アーム３６６に連動して保持アーム３７０、３７４が図中の矢印に示すように揺動する。保持アーム３７０からの力はトルク伝達アーム３７２を介して上側噴射パイプ４４４Ｕにトルクとして伝達する。また、保持アーム３７４からの力はトルク伝達アーム３７６を介して下側噴射パイプ４４４Ｌにトルクとして伝達する。この結果、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、上側噴射パイプ４４４Ｕおよび下側噴射パイプ４４４Ｌは、ガラス基板１００の搬送方向に直交する方向であって、互いに反対の方向に約±３０°回転することになる。なお、駆動モータ３６２の回転数は、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の揺動回数を規定するが、この実施形態では駆動モータの回転数が１０～３０ｒｐｍ程度に設定されている。
　上側の噴射パイプ４４４Ｕには、その下面に噴射ノズル４４６Ｕが形成され、下側の噴射パイプ４４４Ｌには、その上面に噴射ノズル４４６Ｌが形成されているので、各噴射ノズルは、約±３０°回転しつつ、化学研磨液をガラス基板の上下面に噴射することになる（図５（Ｂ）参照）。
　ところで、本実施形態では、同一の液組成によって同様の化学研磨を実行する第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、および第６の処理チャンバ２２を敢えて互いに分割して設けている。その理由は、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の長さを抑制することで、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の撓みを防止し、且つ、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）を円滑に揺動させるためである。また、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の熱膨張による影響を小さく抑えるためである。このような構成を採り入れることにより、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）とガラス基板１００との距離を均一に維持することが可能となり、ガラス基板１００に噴射される化学研磨液の液圧を調整しやすくなる。また、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）が円滑に揺動することにより、ガラス基板１００の上面から化学研磨液を円滑に流し落とすことが可能になるため、ガラス基板１００の上面に化学研磨液が滞留しにくくなる。なお、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の長さは、パイプ径（送液量）にも関係するが、一般的には、２．５ｍ以下、好ましくは２ｍ以下に抑制するのが好ましい。
　高速でガラス基板１００を化学研磨するためには、加温状態の化学研磨液の送液量を増加させる必要があるところ、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）の長さを適切な長さに抑制することで、駆動モータ３６２をそれほど大型化することなく、且つ、簡単な機構で、複数の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）を円滑に揺動させることができる。
　続いて、図７（Ａ）～図７（Ｃ）を用いて、前処理チャンバ１４の構成について説明する。前処理チャンバ１４には、第３の処理チャンバ１６に近接して、噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）を揺動させるクランク機構３６が配置されることは前記した通りである。上記の構成に加えて、前処理チャンバ１４には、第３の処理チャンバ１６へのガラス基板１００の導入口に、ガラス基板１００を受入れる対向ローラ１４６と、ガラス基板１００の上下面に水を噴射する水洗ノズル１４２，１４４とが配置されている。水洗ノズル１４２，１４４は、ガラス基板１００の搬送方向に直交する方向（幅方向）の全域にわたって所定の間隔にて複数配備されている。ここで、ガラス基板１００は、対向ローラ１４６と搬送ローラ５０に、柔らかく保持されて第３の処理チャンバ１６に導入されるよう接触圧が設定されている。
　また、水洗ノズル１４２，１４４は、ガラス基板１００の第３の処理チャンバ１６への導入口に向けて、水を噴射するよう設定されている。そのため、第３の処理チャンバ１６に導入されたガラス基板１００は、十分に濡れた状態であり、不均質な初期エッチングが為されることが防止される。すなわち、第３の処理チャンバ１６は、フッ酸ガス雰囲気であるので、ガラス基板１００の表面がドライ状態であると、フッ酸ガスによって不均質に侵蝕される危険があるが、本実施形態では、ガラス基板１００の表面が水で保護されているので、その後、第３の処理チャンバ１６において均質なエッチングが開始される。
　本実施形態では、図７（Ａ）～図７（Ｃ）に示すように、水洗ノズル１４２は真下に向かって水を噴射するように構成される一方で、水洗ノズル１４４は上方でかつガラス基板１００の搬送路の上流側に向かって斜めに水を噴射するように構成される。水洗ノズル１４４が斜め上方に水を噴射するように構成される結果、ガラス基板１００が水洗ノズル１４２，１４４に接近する際に、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、水洗ノズル１４４からガラス基板１００の上面に水を供給することが可能になる。このため、ガラス基板１００の上面に、フッ酸ガスから保護するための水の膜を迅速に形成することが可能になる。なお、ガラス基板１００が水洗ノズル１４４に接近すると、水洗ノズル１４４から噴射する水はガラス基板１００の底面に当たるようになるため、水洗ノズル１４４によってガラス基板１００の底面を適切に洗浄し、かつ適切に湿らせることが可能である。
　以上のとおり、前処理チャンバ１４に水洗ノズル１４２，１４４を設けたことにより、ドライ状態のガラス基板１００がフッ酸ガスにさらされて、不均一にエッチングされることが防止される。また、ガラス基板１００がドライ状態にて対向ローラ１４６および搬送ローラ５０に挟み込まれることが防止されるため、対向ローラ１４６および搬送ローラ５０の間を通過する際にガラス基板１００に傷が発生したり、ガラス基板１００が汚損したりすることが防止される。
　続いて、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２について説明する。第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２には、それぞれ固定状態の噴射パイプ２８２、噴射パイプ３０２、および噴射パイプ３２２が搬送路の上下位置に配置されている。そして、噴射パイプ２８２、噴射パイプ３０２、噴射パイプ３２２からガラス基板１００の上下面に化学研磨液が噴射される。この実施形態では、噴射パイプ４４４、噴射パイプ２８２、噴射パイプ３０２、および噴射パイプ３２２がそれぞれ本発明の研磨液噴射手段を構成する。
　ここで、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２を、ガラス研磨処理における空スペースとすることも考えられるが、本実施形態では敢えて、これらの第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２でも、同一組成の化学研磨液をガラス基板１００に噴射している。そのため、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２の通過時において化学研磨液がガラス基板１００上に滞留したり、逆に第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２の通過時にガラス基板１００が乾燥ぎみになったりするおそれがなく、高品質のガラス研磨が実現される。なお、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２の噴射パイプ２８２、噴射パイプ３０２、および噴射パイプ３２２は、固定状態であるが、固定式ではなく揺動式の構成を採り入れることも可能である。
　ガラス基板１００は、第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２をこの順に通過して、順次的に化学研磨される。そして、複数段階の化学研磨を終えたガラス基板１００は、第６の処理チャンバ２２の出口に配置されたエアナイフ２４４によって上面の液切り処理が行われた後、水洗チャンバ２４に配置された一群の噴射パイプ２４２から受ける洗浄水によって洗浄される。洗浄用の噴射パイプ２４２は、固定状態であるが、これを揺動させる構成を採っても良い。
　いずれにしても、洗浄処理の最終段には、上下一対のエアナイフ２４６が配置されており、そこから噴射されるエアーによってガラス基板１００の上下面が迅速に乾燥される。そして、水洗チャンバ２４の導出口３００から排出されたガラス基板１００は、搬出部２６に待機する作業員によって取り出され、一連の加工処理が完了する。このように、上下一対のエアナイフ２４６の前段に別途エアナイフ２４４を配置することにより、ガラス基板１００の上面から化学研磨液を迅速に除去することが可能になるため、ガラス基板１００の上面が不均一にエッチングされることを効果的に防止することが可能になる。
　以上のように、本実施形態に係る化学研磨装置１０によれば、閉塞された空間において化学研磨が行われ、装置内で発生したフッ酸ガス等の有毒なガスはスクラバー等の排気機構によってほぼすべて回収されるため、化学枚葉装置１０周囲にフッ酸ガスがほとんど拡散しない。その結果、化学研磨装置１０周囲の作業環境がバッチ式化学研磨処理の場合に比較して格段に向上する。したがって、作業員の健康を悪化させる心配がなくなるとともに、保護装備にコストをかける必要がなくなる。
　また、化学研磨装置１０の周囲の設備がフッ酸ガスによって侵されることを防止できるため、設備のメンテナンス費用を抑えることも可能である。つまり、安価なメンテナンス費用で、作業員に良好な作業環境を提供することができるという大きなメリットがあると言える。
　さらに、枚葉方式の化学研磨装置１０を用いた場合、バッチ方式の研磨処理に比較して、作業効率や製品の品質を向上させることが可能になるというメリットがある。加えて、化学研磨装置１０によれば、板厚精度が向上するため、スクライブ時の歩留り安定が予測される。また、切断面フラット強度についても、バッチ方式の研磨処理に比較して強くすることが可能になる。そして、バブリングによるフッ酸ロスがないため、フッ酸コストを１５％程度削減する効果が期待できる。さらに、ガラス基板１００に対して異なる種類の研磨処理を連続的にかつ自動的に行うことが可能となるため、ガラス基板１００に対する処理効率が向上する。
　ここで、図８（Ａ）および図８（Ｂ）を用いて、搬送ローラ５０によって搬送されるガラス基板１００の状態を説明する。従来、ガラス基板１００の汚損を回避するために、ガラス基板１００を直接的に搬送ローラ５０の周面に接触させる構成を採ることはあまり推奨されていなかった。ところが、この実施形態では、ガラス基板１００を搬送ローラ５０の周面上に直接置いてもガラス基板１００が汚損しないための工夫が施されている。
　まず、この実施形態では、複数の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）、噴射パイプ２８２（２８２Ｕ，２８２Ｌ）、噴射パイプ３０２（３０２Ｕ，３０２Ｌ）、および噴射パイプ３２２（３２２Ｕ，３２２Ｌ）から噴射される多量の化学研磨液が搬送ローラ５０の周面に常時あたっており、搬送ローラ５０の周面がウエットの状態に保たれるとともに、搬送ローラ５０の周面に化学研磨液の薄い層が形成されている。このとき、複数の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）、噴射パイプ２８２（２８２Ｕ，２８２Ｌ）、噴射パイプ３０２（３０２Ｕ，３０２Ｌ）、および噴射パイプ３２２（３２２Ｕ，３２２Ｌ）は、少なくとも化学研磨処理空間（第３の処理チャンバ１６、第４の処理チャンバ１８、第５の処理チャンバ２０、第６の処理チャンバ２２、第２の中継部２８、第３の中継部３０、および第４の中継部３２）のすべての搬送ローラ５０の周面がウエットの状態になるように、化学研磨液の噴射を行う。
　この実施形態に記載の構成を採用することにより、複数の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）、噴射パイプ２８２（２８２Ｕ，２８２Ｌ）、噴射パイプ３０２（３０２Ｕ，３０２Ｌ）、および噴射パイプ３２２（３２２Ｕ，３２２Ｌ）からの研磨液が化学研磨処理空間内の搬送ローラ５０の周面に噴きつけられるため、搬送ローラ５０の周面が研磨液によってウエットな状態に保たれる。また、搬送ローラ５０の周面が噴きつけられた研磨液によって洗浄されるため、搬送ローラ５０の周面にスラッジ等の異物が付着しにくくなり、搬送ローラ５０の周面が常時クリーンな状態に保たれる。
　以上の構成により、搬送ローラ５０の周面とガラス基板１００の主面との間の摩擦係数を大きく低減することが可能になり、ガラス基板１００が搬送ローラ５０の周面との接触によって汚損されにくくなる。また、ガラス基板１００の主面と搬送ローラ５０の周面との間にも化学研磨液が介在するようになるため、ガラス基板１００における搬送ローラ５０の周面に接触している部分も化学研磨液によって適正に研磨される。その結果、ガラス基板１００を直接的に搬送ローラ５０上に載置して搬送しても、化学研磨処理の不均一が発生したり、ガラス基板１００の品質が劣化したりするといった不具合が発生しにくくなる。これにより、治具を使用しなくとも、適正にガラス基板に対して順次的に化学研磨処理を施すことが可能になる。
　さらには、図８（Ｂ）に示すように、複数の噴射パイプ４４４（４４４Ｕ，４４４Ｌ）、噴射パイプ２８２（２８２Ｕ，２８２Ｌ）、噴射パイプ３０２（３０２Ｕ，３０２Ｌ）、および噴射パイプ３２２（３２２Ｕ，３２２Ｌ）研磨液噴射手段について、下側から研磨液を噴射するように構成された複数の噴射パイプ４４４Ｌ、噴射パイプ２８２Ｌ、噴射パイプ３０２Ｌ、および噴射パイプ３２２Ｌ）の噴射力が、上側から研磨液を噴射するように構成された複数の噴射パイプ４４４Ｕ、噴射パイプ２８２Ｕ、噴射パイプ３０２Ｕ、および噴射パイプ３２２Ｕ）の噴射力よりも強くなるように設定することが好ましい。その理由は、そのように構成することによって、ガラス基板１００を上方向に浮かせようとする上向きの力がガラス基板１００に加えられるからである。図８（Ｂ）に示すように、ガラス基板１００に対して上向きの力が作用することにより、ガラス基板１００の主面と搬送ローラ５０の周面との間の摩擦がさらに低減される。
　このように、搬送ローラ５０の周面とガラス基板１００の主面との間の摩擦力を低減する工夫を施しつつ、搬送ローラ５０の周面に異物が付着しないように構成しているため、直接的にガラス基板１００を搬送ローラ５０上に置いても、ガラス基板１００が汚損しにくい。このため、ガラス基板１００を搬送ローラ５０の配列に沿って水平に搬送することが容易になる。
　上述の実施形態では、ガラス基板１００に対してピット抑制処理や薄型化処理を行う例を説明したが、このほかにもパターニングされたレジストが付与されたガラス基板１００を切断する処理や、ガラス基板１００の表面を洗浄する処理を化学研磨装置１０にて行うことも可能である。
　上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　２－第２の研磨処理部
　４－第１の研磨処理部
　１０－化学研磨装置
　１２，６２－搬入部
　１４，６４－前処理チャンバ
　１６－第３の処理チャンバ
　１８－第４の処理チャンバ
　２０－第５の処理チャンバ
　２２－第６の処理チャンバ
　２４，７０－水洗チャンバ
　２６－搬出部
　２８－第２の中継部
　３０－第３の中継部
　３２－第４の中継部
　５０－搬送ローラ
　６６－第１の処理チャンバ
　６８－第２の処理チャンバ
　７２－第１の中継部

Claims (3)

  1. 　搬送路に沿って連続的に搬送される複数のガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成された化学研磨装置であって、
    　前記搬送路に沿って搬送されるガラス基板に対して第１の処理液によって化学研磨処理を行うように構成された第１の研磨処理部と、
    　前記搬送路に沿って搬送されるガラス基板に対して前記第１の処理液とは異なる第２の処理液によって化学研磨処理を行うように構成された第２の研磨処理部と、
    　前記搬送路における前記第１の研磨処理部の下流側であり、かつ、前記第２の研磨処理部の上流側に配置された、前記ガラス基板に付着した処理液を洗浄するように構成された洗浄部と、
    を少なくとも備えたことを特徴とする化学研磨装置。
  2. 　前記第１の研磨処理部は、前記第１の処理液を前記ガラス基板に対して噴射するように構成された複数の処理チャンバを有し、かつ、
    　前記第２の研磨処理部は、前記第２の処理液を前記ガラス基板に対して噴射するように構成された複数の処理チャンバを有することを特徴とする請求項１に記載の化学研磨装置。
  3. 　少なくとも前記第１の研磨処理部の上流側に、前記第１の研磨処理部に導入される前のガラス基板の表面を湿らせるように構成された前処理部をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の化学研磨装置。
PCT/JP2013/064836 2012-06-14 2013-05-29 化学研磨装置 WO2013187232A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020147030929A KR102021959B1 (ko) 2012-06-14 2013-05-29 화학 연마 장치
CN201380021338.9A CN104379527A (zh) 2012-06-14 2013-05-29 化学研磨装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-134708 2012-06-14
JP2012134708A JP5518133B2 (ja) 2012-06-14 2012-06-14 化学研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013187232A1 true WO2013187232A1 (ja) 2013-12-19

Family

ID=49758062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/064836 WO2013187232A1 (ja) 2012-06-14 2013-05-29 化学研磨装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5518133B2 (ja)
KR (1) KR102021959B1 (ja)
CN (1) CN104379527A (ja)
TW (1) TWI607977B (ja)
WO (1) WO2013187232A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6013557B1 (ja) * 2015-06-02 2016-10-25 株式会社Ｎｓｃ スプレイエッチング装置
TWI725112B (zh) 2016-01-29 2021-04-21 美商康寧公司 用於薄化玻璃的方法
JP6536830B2 (ja) * 2016-08-30 2019-07-03 株式会社Ｎｓｃ スプレイエッチング装置
JP6497414B2 (ja) * 2017-06-22 2019-04-10 株式会社Ｎｓｃ ガラス表面処理装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS483688B1 (ja) * 1963-01-23 1973-02-01
JPH11307494A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000109216A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001089191A (ja) * 1999-09-27 2001-04-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板の製造方法及び該製造方法により製造されたディスプレイ用ガラス基板
JP2003077886A (ja) * 2001-06-14 2003-03-14 Alps Electric Co Ltd ウエット処理装置
JP2006243754A (ja) * 2004-06-03 2006-09-14 Tescom:Kk フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置及びフラットパネルディスプレイ
WO2012108452A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 株式会社Ｎｓｃ ガラス基板の製造方法及びその装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003226552A (ja) * 2002-02-01 2003-08-12 Nishiyama Stainless Chem Kk ガラス基板並びに液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造方法
CN2763268Y (zh) * 2004-12-30 2006-03-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 湿蚀刻设备
TWI257667B (en) * 2004-12-31 2006-07-01 Innolux Display Corp Wet-etching apparatus and wet-etching method
JP4324742B2 (ja) * 2006-04-28 2009-09-02 シャープ株式会社 研磨ガラス基板の製造方法
KR101387711B1 (ko) 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
CN101928019A (zh) * 2009-06-24 2010-12-29 李敏杰 一种从海水中提取原盐方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS483688B1 (ja) * 1963-01-23 1973-02-01
JPH11307494A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000109216A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001089191A (ja) * 1999-09-27 2001-04-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板の製造方法及び該製造方法により製造されたディスプレイ用ガラス基板
JP2003077886A (ja) * 2001-06-14 2003-03-14 Alps Electric Co Ltd ウエット処理装置
JP2006243754A (ja) * 2004-06-03 2006-09-14 Tescom:Kk フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置及びフラットパネルディスプレイ
WO2012108452A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 株式会社Ｎｓｃ ガラス基板の製造方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104379527A (zh) 2015-02-25
TW201410630A (zh) 2014-03-16
JP2013256427A (ja) 2013-12-26
TWI607977B (zh) 2017-12-11
KR102021959B1 (ko) 2019-09-17
JP5518133B2 (ja) 2014-06-11
KR20150030641A (ko) 2015-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5334216B2 (ja) ガラス基板の製造方法
JP5518133B2 (ja) 化学研磨装置
TWI559389B (zh) Glass substrate manufacturing method and device thereof
JP5383769B2 (ja) 枚葉式化学研磨装置
JP5340457B1 (ja) 化学研磨装置
JP5317304B2 (ja) 化学研磨装置
JP2018073960A (ja) エッチング装置
JP5697386B2 (ja) 基板の処理装置及び流体ナイフ
JP5994239B2 (ja) 洗浄装置及び方法
KR100693761B1 (ko) 상압 플라즈마 발생기를 구비한 세정장치
JP2018073872A (ja) エッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13804674

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147030929

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13804674

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1