JP2000109216A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2000109216A
JP2000109216A JP29619398A JP29619398A JP2000109216A JP 2000109216 A JP2000109216 A JP 2000109216A JP 29619398 A JP29619398 A JP 29619398A JP 29619398 A JP29619398 A JP 29619398A JP 2000109216 A JP2000109216 A JP 2000109216A
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JP
Japan
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substrate
processing liquid
processing
transport
slit nozzle
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Application number
JP29619398A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Suzuki
聡 鈴木
Takeshi Taniguchi
竹志 谷口
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を均一に処理することができる基板処理
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 処理チャンバー1内において基板Sを水
平または傾斜状態で搬送する複数の搬送ローラ4と、こ
の搬送ローラ4により搬送される基板Sの上方に配設さ
れた上部スリットノズル11および複数のスプレーノズ
ル5と、搬送ローラ4により搬送される基板Sの下方に
配設された下部スリットノズル12および複数のスプレ
ーノズル6とを備える。上部スリットノズル11および
下部スリットノズル12は、搬送ローラ4による基板S
の搬送方向と直交する方向に向けて形成されたスリット
部を有し、このスリット部から基板Sのに向けて処理液
を帯状に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示パネル
用のガラス基板やフォトマスク用のガラス基板等の基板
に処理液を供給することにより、その処理を行う基板処
理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、基板に形成されたシリコン系膜
またはタンタル系膜を処理液としてのフッ酸によりエッ
チング処理する基板処理装置においては、基板を複数の
搬送ローラにより搬送すると共に、この基板の上方に配
置された処理液供給ノズルから基板の表面に対して処理
液を供給することにより、基板表面のエッチング処理を
実行している。
【0003】このような基板処理装置においては、基板
の上面に供給された処理液が基板の下面側まで回り込ん
だ後、基板の下面から滴下する現象が発生する。このよ
うな現象が発生した場合においては、基板の裏面が不均
一にエッチングされることによるエッチングむらが発生
する。
【0004】このため、基板の下方に、基板の下面に向
けて処理液を噴出する処理液吐出ノズルを配設し、この
処理液吐出ノズルから基板の下面に処理液を供給するこ
とにより、上述したエッチングむらを防止している(例
えば特開平9−155306号公報)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理液
吐出ノズルから基板の下面に処理液を噴出する構成とし
た場合においては、基板の下面全域に渡り、均一に処理
液を供給することが困難となる。また、処理液吐出ノズ
ルから噴出される処理液は、液滴状となって基板の下面
に到達するため、基板下面のエッチング開始時期が不均
一となる。このような場合においては、基板を均一に処
理することが不可能となる。
【0006】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板を均一に処理することができる基
板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板を水平または傾斜状態でその主面に沿って搬送
する搬送手段と、前記搬送手段により搬送される基板の
上面に処理液を供給する供給手段とを備えた基板処理装
置において、前記搬送手段により搬送される基板の下方
に配設され、当該基板の下面に対し、基板の搬送方向と
交差する方向にわたって直線状に処理液を供給する下部
供給手段を備えたことを特徴とする。
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、前記下部供給手段は、基板の搬送方向
と交差する方向にわたって形成された処理液の吐出口を
有し、この吐出口から基板の下面に帯状に処理液を供給
する。
【0009】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、前記下部供給手段は、基板の搬送方向
と交差する方向にわたって配設され、基板の下面と当接
して回転するローラと、前記ローラに処理液を供給する
処理液供給手段とを有している。
【0010】請求項4に記載の発明は、基板を水平また
は傾斜状態でその主面に沿って搬送する搬送手段と、前
記搬送手段により搬送される基板の上方において、基板
の搬送方向と交差する方向にわたって形成された処理液
の吐出口を有し、この吐出口から基板の上面に帯状に処
理液を供給する上部供給手段と、前記搬送手段により搬
送される基板の下方において、基板の搬送方向と交差す
る方向にわたって形成された処理液の吐出口を有し、こ
の吐出口から基板の下面に帯状に処理液を供給する下部
供給手段とを備えたことを特徴とする。
【0011】請求項5に記載の発明は、請求項4に記載
の基板処理装置において、前記上部供給手段は、前記下
部供給手段が基板の下面に処理液を供給する以前に、基
板の上面に処理液を供給する。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態
に係る基板処理装置の側面概要図である。
【0013】この基板処理装置は、基板Sに形成された
シリコン系膜またはタンタル系膜を処理液としてのフッ
酸によりエッチング処理するものであり、処理チャンバ
ー1と、処理チャンバー1内において基板Sを水平また
は傾斜状態で搬送する複数の搬送ローラ4と、この搬送
ローラ4により搬送される基板Sの上方に配設された上
部スリットノズル11および複数のスプレーノズル5
と、搬送ローラ4により搬送される基板Sの下方に配設
された下部スリットノズル12および複数のスプレーノ
ズル6と、処理液を貯留する処理液タンク7と、処理液
タンク7内の処理液を供給路9を介して上部スリットノ
ズル11、スプレーノズル5、下部スリットノズル12
およびスプレーノズル6に向けて圧送するためのポンプ
8とを備える。なお、上部スリットノズル11、スプレ
ーノズル5、下部スリットノズル12およびスプレーノ
ズル6から基板Sに供給された後、処理チャンバー1に
滴下した処理液は、回収路10を介して処理液タンク7
に回収される。
【0014】上記上部スリットノズル11は、搬送ロー
ラ4による基板Sの搬送方向と直交する方向に向けて形
成されたスリット部を有し、このスリット部から基板S
の上面に向けて処理液を帯状(カーテン状)に供給する
構成となっている。一方、上記下部スリットノズル12
も、搬送ローラ4による基板Sの搬送方向と直交する方
向に向けて形成されたスリット部を有し、このスリット
部から基板Sの下面に向けて処理液を帯状に供給する構
成となっている。
【0015】この基板処理装置において基板Sをエッチ
ング処理する場合においては、処理チャンバー1の入口
部2から搬入された基板Sは複数の搬送ローラ4により
支持されて搬送される。そして、先ず、この基板Sの上
面に対して上部スリットノズル11から、処理液が搬送
方向と直交する方向において直線状に供給される。続い
て、この基板Sの下面に対して下部スリットノズル12
から、処理液が搬送方向と直交する方向において直線状
に供給される。
【0016】このように、基板Sの両面に対して最初に
処理液が直線状に供給されることから、基板Sの両面全
域にわたって処理液が均一に供給されることとなり、基
板Sに処理むらを生ずることなく、基板Sを均一に処理
することが可能となる。
【0017】この基板Sは、搬送ローラ4によりさらに
搬送され、スプレーノズル5からその上面にさらに処理
液を供給され、所定の量だけエッチング処理が施され
る。このとき、基板Sの上面には上部スリットノズル1
1によって既に均一に処理液が供給されているため、ス
プレーノズル5により基板Sの上面に処理液を供給して
も、処理むらが生ずることはない。
【0018】また、この基板Sは、スプレーノズル6か
らその下面にさらに処理液を供給される。これにより、
下部スリットノズル12により供給された処理液が同一
位置で停留することによる処理むらの発生が防止され
る。このとき、基板Sの下面には下部スリットノズル1
2によって既に均一に処理液が供給されているため、ス
プレーノズル6により基板Sの下面に処理液を供給して
も、処理むらが生ずることはない。
【0019】スプレーノズル5、6によりその両面に処
理液を供給され、所定の処理が終了した基板Sは、搬送
ローラ4によって、出口部3から処理チャンバー1の外
部に搬出される。
【0020】次に、この発明の他の実施形態について説
明する。図2はこの発明の第2実施形態に係る基板処理
装置の側面概要図である。なお、図1に示す第1実施形
態と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な
説明を省略する。
【0021】この第2実施形態の係る基板処理装置は、
第1実施形態における下部スリットノズル12に換え
て、貯留槽13内に貯留された処理液中にその下端部が
浸漬する塗布ローラ14を利用して基板Sの下面に処理
液を供給する構成となっている。
【0022】この塗布ローラ14は、基板Sを搬送する
搬送ローラ4と同期して回転する構成となっている。そ
して、この塗布ローラ14が、搬送ローラ4により搬送
される基板Sの下面と当接した状態で基板Sの移動に同
期して回転することにより、塗布ローラ14から基板S
の下面に対して処理液が直線状に供給される。
【0023】この第2実施形態に係る基板処理装置にお
いても、基板Sの両面に対して最初に処理液が搬送方向
と直交する方向において直線状に供給されることから、
基板Sの両面全域にわたって処理液が均一に供給される
こととなり、基板Sに処理むらを生ずることなく、基板
Sを均一に処理することが可能となる。
【0024】なお、上述した実施の形態においては、下
部スリットノズル12または塗布ローラ14による基板
Sの下面への処理液の供給に先立って、上部スリットノ
ズル11により基板Sの上面に処理液を供給している。
これは、基板Sの下面に供給された処理液が、所望のパ
ターンが形成されるべき基板Sの上面に回り込むことに
よりパターン形成の障害となることを防止するためであ
る。しかしながら、このような問題が生じない場合にお
いては、上部スリットノズル11による基板Sの上面へ
の処理液の供給に先立って、下部スリットノズル12ま
たは塗布ローラ14により基板Sの下面へ処理液を供給
するようにしてもよい。
【0025】また、上述した実施の形態においては、上
部スリットノズル11、下部スリットノズル12、塗布
ローラ14は基板Sの上面または下面に対して搬送方向
と直交する方向において直線状に処理液を供給するが、
搬送方向と交差する方向であれば必ずしも直交している
必要はない。
【0026】特に、基板Sを搬送方向を軸に傾斜させて
搬送しながら処理を行う場合は、搬送方向から基板Sの
傾斜上方に向かって0度よりも大きく45度以下の角度
でずれた方向において直線状に処理液を供給するように
前記上部スリットノズル11、下部スリットノズル1
2、塗布ローラ14を配してもよい。こうすることによ
って、基板Sの最下部が最初に処理液と接触し、順次、
基板Sの傾斜上方に向かって新鮮な処理液が供給されて
いく。
【0027】従って、基板Sの任意の部分において最初
に接触する処理液が常に新鮮な処理液なので、均一な処
理品質を得ることができる。
【0028】
【発明の効果】請求項1乃至請求項3に記載の発明によ
れば、搬送手段により搬送される基板の下方に配設さ
れ、当該基板の下面に対し、基板の搬送方向と交差する
方向にわたって直線状に処理液を供給する下部供給手段
を備えたことから、基板の下面全域に渡り均一に処理液
を供給することができ、基板の下面を均一に処理するこ
とが可能となる。
【0029】請求項4に記載の発明によれば、基板の搬
送方向と交差する方向にわたって形成された処理液の吐
出口から基板の上面に帯状に処理液を供給する上部供給
手段と、基板の搬送方向と交差する方向にわたって形成
された処理液の吐出口から基板の下面に帯状に処理液を
供給する下部供給手段とを備えたことから、基板の両面
全域に渡り均一に処理液を供給することができ、基板の
両面を均一に処理することが可能となる。
【0030】請求項5に記載の発明によれば、上部供給
手段が下部供給手段が基板の下面に処理液を供給する以
前に基板の上面に処理液を供給することから、基板の下
面に供給された処理液が、パターンが形成されるべき基
板の上面に回り込むことによりパターン形成の障害とな
ることを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の
側面概要図である。
【図2】この発明の第2実施形態に係る基板処理装置の
側面概要図である。
【符号の説明】
1 処理チャンバー 4 搬送ローラ 5 スプレーノズル 6 スプレーノズル 7 処理液タンク 8 ポンプ 11 上部スリットノズル 12 下部スリットノズル 13 貯留槽 14 塗布ローラ S 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 竹志 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2H096 AA28 AA30 CA12 CA20 GA60 HA20 4K057 WD07 WM01 WM06 WM09 WM18 WN01 5F031 CA05 CA07 GA53 MA23 MA24

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を水平または傾斜状態でその主面に
    沿って搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送さ
    れる基板の上面に処理液を供給する供給手段とを備えた
    基板処理装置において、 前記搬送手段により搬送される基板の下方に配設され、
    当該基板の下面に対し、基板の搬送方向と交差する方向
    にわたって直線状に処理液を供給する下部供給手段を備
    えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記下部供給手段は、基板の搬送方向と交差する方向に
    わたって形成された処理液の吐出口を有し、この吐出口
    から基板の下面に帯状に処理液を供給する基板処理装
    置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記下部供給手段は、基板の搬送方向と交差する方向に
    わたって配設され、基板の下面と当接して回転するロー
    ラと、前記ローラに処理液を供給する処理液供給手段と
    を有する基板処理装置。
  4. 【請求項4】 基板を水平または傾斜状態でその主面に
    沿って搬送する搬送手段と、 前記搬送手段により搬送される基板の上方において、基
    板の搬送方向と交差する方向にわたって形成された処理
    液の吐出口を有し、この吐出口から基板の上面に帯状に
    処理液を供給する上部供給手段と、 前記搬送手段により搬送される基板の下方において、基
    板の搬送方向と交差する方向にわたって形成された処理
    液の吐出口を有し、この吐出口から基板の下面に帯状に
    処理液を供給する下部供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の基板処理装置におい
    て、 前記上部供給手段は、前記下部供給手段が基板の下面に
    処理液を供給する以前に、基板の上面に処理液を供給す
    る基板処理装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4975169B1 (ja) * 2011-02-10 2012-07-11 株式会社Nsc ガラス基板の製造方法及びその装置
JP2013146727A (ja) * 2011-12-22 2013-08-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置
WO2013115126A1 (ja) * 2012-01-31 2013-08-08 株式会社Nsc 化学研磨装置
WO2013187232A1 (ja) * 2012-06-14 2013-12-19 株式会社Nsc 化学研磨装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103459342A (zh) * 2011-02-10 2013-12-18 株式会社Nsc 玻璃基板的制造方法及其装置
WO2012108452A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 株式会社Nsc ガラス基板の製造方法及びその装置
TWI559389B (zh) * 2011-02-10 2016-11-21 Nsc Co Ltd Glass substrate manufacturing method and device thereof
JP4975169B1 (ja) * 2011-02-10 2012-07-11 株式会社Nsc ガラス基板の製造方法及びその装置
JP2013146727A (ja) * 2011-12-22 2013-08-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置
KR20140128326A (ko) * 2012-01-31 2014-11-05 가부시키가이샤 엔에스씨 화학연마장치
CN104114509A (zh) * 2012-01-31 2014-10-22 株式会社Nsc 化学研磨装置
JP2013155086A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Nsc:Kk 化学研磨装置
WO2013115126A1 (ja) * 2012-01-31 2013-08-08 株式会社Nsc 化学研磨装置
TWI586618B (zh) * 2012-01-31 2017-06-11 Nsc Co Ltd Chemical grinding equipment
KR101995854B1 (ko) * 2012-01-31 2019-07-03 가부시키가이샤 엔에스씨 화학연마장치
WO2013187232A1 (ja) * 2012-06-14 2013-12-19 株式会社Nsc 化学研磨装置
JP2013256427A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Nsc:Kk 化学研磨装置
TWI607977B (zh) * 2012-06-14 2017-12-11 Nsc Co Ltd Chemical polishing device

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