TWI607977B - Chemical polishing device - Google Patents

Description

化學研磨裝置

本發明係有關化學研磨裝置，其構成為，對被連續性搬運的複數個玻璃基板進行化學研磨處理。

為了將玻璃基板薄型化，一般來說必須使用含有氫氟酸的化學研磨液來對玻璃基板進行化學研磨處理。這樣的化學研磨處理，舉例來說有批次式化學研磨，亦即將欲處理之玻璃基板在放入有化學研磨液的槽內浸漬規定時間；及單片式化學研磨，亦即將欲處理之玻璃基板以搬運輥(roller)依序搬運，同時噴灑化學研磨液。

這些化學研磨方式當中，批次方式研磨，是藉由將欲處理之玻璃基板在研磨液浴槽內浸漬規定時間，來使玻璃基板薄板化至所需板厚，其具有一次能夠處理多量玻璃基板之優點。不過，批次方式研磨，至少具有以下的問題點。

首先，批次方式研磨中，研磨液浴槽係為對上方開放之構造，會造成研磨液浴槽的周圍成為濃氫氟酸環境之問題。特別是，在對研磨液浴槽的研磨液進行起泡 (bubbling)處理的情形下，氣體狀的氫氟酸容易擴散至周圍，是其問題點。在這樣的氫氟酸環境中作業的作業員，若沒有穿戴適當的保護裝備而作業，恐會損害健康。因此，支付給作業員的保護裝備成本會變高。

此外，批次方式研磨中，為了消除研磨液浴槽周圍的濃氫氟酸環境，必須有強力的洗氣器(scrubber)等排氣設備，會使設備成本增大。再者，設備會因為氫氟酸氣體而易發生腐蝕，故為了施以適當的防蝕處理而花費成本，或設備的更換頻率變多而花費成本，也是其問題。

鑑此，近年來有人使用單片方式的化學研磨處理。舉例來說，在習知技術中有一種平面顯示器玻璃基板蝕刻裝置，其構成為，藉由能夠附著玻璃基板的治具來將玻璃基板縱向支撐，並在搬運治具的同時對玻璃基板噴射化學研磨液(例如參照專利文獻1)。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

專利文獻1：日本特開2008-266135號公報

然而，專利文獻1記載之技術中，依然不得不使用用來支撐玻璃基板的治具。因此，如同上述批次式化學研磨裝置般，準備治具的費用高，且還有玻璃基板上 容易產生治具痕跡的問題。一旦玻璃基板產生治具痕跡，則要做高效率的倒角設計就極為困難，故會使得倒角效率降低，造成不便。

本發明係有鑑於上述課題而研發，提供一種單片式的化學研磨裝置，其不需使用治具，也可對玻璃基板施以化學研磨處理。

本發明之化學研磨裝置，其構成為，對沿著搬運路徑被連續性搬運的複數個玻璃基板進行化學研磨處理。搬運路徑的構成代表例，例如有排列複數個搬運輥之構成，但亦可不用此一構成，而採用在輥上搭上網目狀的皮帶(belt)之構成等。

此化學研磨裝置，至少具備第1研磨處理部、第2研磨處理部、及洗淨部。第1研磨處理部是構成為，對沿著搬運路徑被搬運的玻璃基板，藉由第1處理液來進行化學研磨處理。第2研磨處理部是構成為，對沿著搬運路徑被搬運的玻璃基板，藉由與第1處理液不同的第2處理液來進行化學研磨處理。洗淨部是構成為搬運路徑中第1研磨處理部的下游側，且配置於第2研磨處理部的上游側，洗淨附著於玻璃基板的處理液。

在此構成中，沿著搬運路徑被連續性搬運的玻璃基板，會依序通過第1研磨處理部、洗淨部、及第2研磨處理部。玻璃基板係沿著搬運路徑而流動，故無需將 玻璃基板藉由治具等來事先保持。沿著搬運路徑被連續性搬運的玻璃基板，是在第1研磨處理部以第1處理液進行化學研磨處理，其後以洗淨部洗淨後，在第2研磨處理部以第2處理液進行化學研磨處理。因此，便可連續執行兩種類的研磨處理。相異兩種類研磨處理的例子，例如有利用氫氟酸濃度調整成彼此不同之處理液，來做研磨速度快的處理及研磨速度慢的處理這兩種類，或是利用在主成分的硫酸中添加少量氫氟酸而成之處理液來做抑制玻璃凹坑(pit)的處理，及利用以氫氟酸為主成分之處理液來將玻璃薄型化的處理這兩種類等，但並不限定於此。

上述構成中，較佳是，第1研磨處理部具有 複數個處理腔室，其構成為對玻璃基板噴射第1處理液，且第2研磨處理部具有複數個處理腔室，其構成為對玻璃基板噴射第2處理液。藉由採用這樣的構成，會防止單一處理腔室大型化，故在研磨處理中途，構成處置腔室的各構件不易發生問題。

此外，上述構成中，較佳是，至少在第1研 磨處理部的上游側更具備前處理部，其構成為使導入第1研磨處理部之前的玻璃基板的表面潤濕。藉由採用這樣的構成，在對玻璃基板表面進行研磨處理之前，玻璃基板表面會因水等液體而濡濕形成液體膜，故會防止對玻璃基板表面的乾燥部分進行研磨處理。因此，便會防止對乾燥部分進行化學研磨而發生白濁等問題。

按照上述之本發明，可不需使用治具而對玻璃基板施以化學研磨處理。

2‧‧‧第2研磨處理部

4‧‧‧第1研磨處理部

10‧‧‧化學研磨裝置

12，62‧‧‧搬入部

14，64‧‧‧前處理腔室

16‧‧‧第3處理腔室

18‧‧‧第4處理腔室

20‧‧‧第5處理腔室

22‧‧‧第6處理腔室

24，70‧‧‧水洗腔室

26‧‧‧搬出部

28‧‧‧第2中繼部

30‧‧‧第3中繼部

32‧‧‧第4中繼部

50‧‧‧搬運輥

66‧‧‧第1處理腔室

68‧‧‧第2處理腔室

72‧‧‧第1中繼部

[圖1]本發明實施形態之單片式化學研磨裝置的外觀示意圖。

[圖2]單片式化學研磨裝置的概略構成示意圖。

[圖3]單片式化學研磨裝置的概略構成示意圖。

[圖4]第3處理腔室的概略構成示意圖。

[圖5]處理液供給機構的概略構成示意圖。

[圖6]曲柄(crank)機構的概略構成示意圖。

[圖7]前處理腔室內的處理說明圖。

[圖8]以搬運輥支撐玻璃之狀態示意圖。

圖1為本發明實施形態一例之單片式的化學研磨裝置10的外觀示意圖。如同圖所示，化學研磨裝置10具備將複數個搬運輥50排列而構成之搬運路徑，沿著此搬運路徑，從上游依序設有第1研磨處理部4、水洗腔室70、第2研磨處理部2、及水洗腔室24。本實施形態中，在第1研磨處理部4，是利用含有適當濃度的氫氟酸而以硫酸為主成分之高黏性研磨液，進行預備性處理，目 的在於抑制凹坑；在第2研磨處理部2，則利用以氫氟酸為主成分之研磨液，進行薄型化處理。

在第1研磨處理部4的前段，設有搬入部62 及前處理腔室64。第1研磨處理部2具備第1處理腔室66、第2處理腔室68、及第1中繼部72。此外，在第1研磨處理部4的後段，設有水洗腔室70。

搬入部62係構成為，可接收以作業員之手動 作業或以機器人等之自動作業而搬入的欲處理之玻璃基板100。本實施形態中，玻璃基板100係為平板(flat panel)用的厚度0.5mm~2.0mm左右之薄型玻璃基板，但做為處理對象之玻璃基板100並不限定於此。前處理腔室64係構成為，接收從搬入部62搬運而來的玻璃基板100。第1處理腔室66是構成為，對玻璃基板100的上下面噴射化學研磨液以抑制或除去玻璃基板100表面的凹坑，同時將玻璃基板100薄型化。第2處理腔室68是構成為，對玻璃基板100的上下面噴射與第1處理腔室66同一組成之化學研磨液，進一步抑制或除去玻璃基板100表面的凹坑。第1中繼部72是構成為，連結第1處理腔室66及第2處理腔室68。

水洗腔室70係構成為，對經過第2處理腔室 68的玻璃基板100水洗。水洗腔室70係構成為本發明之洗淨部。本實施形態中，是採用水洗腔室70作為洗淨部，但作為洗淨部，亦可採用以水以外的洗淨液來洗淨玻璃基板100之構成。在水洗腔室70中被去除處理液的玻 璃基板100，會進一步被搬運至搬運路徑的下游。

在第1研磨處理部4的後段且在第2研磨處 理部2的前段，設有搬入部12及前處理腔室14。第2研磨處理部2係具備第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22、第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32。此外，在第2研磨處理部2的後段，設有水洗腔室24及搬出部26。具備第2處理液容納部42、第2處理液供給部44、及水供給部46。

搬入部12係構成為，可接收從水洗腔室70 排出的玻璃基板100。前處理腔室14係構成為，接收從搬入部12搬運而來的玻璃基板100。第3處理腔室16是構成為，對玻璃基板100的上下面噴射化學研磨液，將玻璃基板100薄型化。第4處理腔室18、第5處理腔室20、及第6處理腔室22是分別構成為，對玻璃基板100的上下面噴射與第3處理腔室16同一組成之化學研磨液，將玻璃基板100進一步薄型化。第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32，係分別構成為連結複數個處理腔室。

水洗腔室24係構成為，對經過第6處理腔室 22的玻璃基板100水洗。搬出部26係構成為，可取出經化學研磨處理及水洗處理的玻璃基板100。到達搬出部26的玻璃基板100，係以作業員之手動作業或以機器人等之自動作業，而從化學研磨裝置10撤下並回收。其後，玻璃基板100若需要進一步薄型化的情形下，會再次被導入 化學研磨裝置10，另一方面，若不需要進一步薄型化的情形下，會移轉至成膜工程等後續工程。

如圖2所示，化學研磨裝置10具備第1處理 液容納部84、第1處理液供給部82、水供給部74、第2處理液容納部42、第2處理液供給部44、及水供給部46。第1處理液容納部84是透過回收管線840而與第1處理腔室66及第2處理腔室68連接。第1處理液供給部82是透過給液管線820而與第1處理腔室66、第2處理腔室68、及第1中繼部72連接。水供給部74是透過給水管線740而與前處理腔室64及水洗腔室70連接。另，圖1中，化學研磨裝置10的回收管線420、給液管線440、及洗淨水的給水管線460省略圖示。

第2處理液容納部42是透過回收管線420而 與第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22連接。第2處理液供給部44是透過給液管線440而與第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22、第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32連接。水供給部46是透過給水管線460而與前處理腔室14及水洗腔室24連接。

上述化學研磨裝置10中，除了對前處理腔室 64，14的導入口、從水洗腔室70，24的導出口、及後述曲柄機構36一部分的作業空間以外，化學研磨裝置10是全體呈氣密且液密閉塞。設於化學研磨裝置的導入口及導出口係呈比玻璃基板100的板厚稍高，且比玻璃基板100 的寬度稍廣的狹縫形狀。此外，如上述般，在同一平面上排列有多數的搬運輥50，貫穿各部。各搬運輥50是支撐玻璃基板100的底面，同時朝圖示右方向搬運。

此處，搬運速度較佳是設定在100~800mm/ 分，更佳是應設定在300~550mm/分。而在第1處理腔室66、第2處理腔室68、第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、及第6處理腔室22的處理時間，在本實施形態中是設定為合計20分~60分左右，但並不限定於此。此外，如果超出上述範圍而搬運速度過慢，則不僅生產效率差，化學研磨液也容易在玻璃基板100上滯留，妨礙均一的化學研磨，最糟的情況下可能會誘發玻璃基板100破裂等。另一方面，在同一裝置規模中，若搬運速度過快，液體組成會難以最佳化來符合此速度，結果會難以實現均勻的化學研磨。

被化學研磨裝置10薄型化處理的玻璃基板 100並無特別限定，但化學研磨裝置10係構成為，針對G8尺寸的四等分切割(1080×1230mm)及G6尺寸(1500×1800mm)等大型玻璃基板，也能將其上下兩面均勻地研磨。此外，化學研磨裝置10係構成為，不需使用治具或載具，而直接地藉由搬運輥50搬運玻璃基板100。

如上述般，第1處理腔室66、第2處理腔室 68、及第1中繼部72，是經由給液管線820從第1處理液供給部82接受第1處理液(化學研磨液)之供給，該第1處理液受到溫度管理。本實施形態中，第1處理液是 受到溫度管理成為40~42℃左右。此外，第1處理液的組成，係使用硫酸35~95重量%、氫氟酸1~10重量%左右、其餘為水之液體組成，但並不限定於此液體組成。

此外，第3處理腔室16、第4處理腔室18、 第5處理腔室20、第6處理腔室22、第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32，是經由給液管線440從第2處理液供給部44接受第2處理液(化學研磨液)之供給，該第2處理液受到溫度管理。本實施形態中，第2處理液是受到溫度管理成為40~42℃左右。此外，第2處理液的組成，係使用氫氟酸1~20重量%、鹽酸0~10重量%、其餘為水之液體組成，但並不限定於此液體組成。

前處理腔室64及水洗腔室70，是經由給水管 線740從水供給部46接受洗淨水之供給。又，前處理腔室14及水洗腔室24，是經由給水管線460從水供給部46接受洗淨水之供給。另，從前處理腔室64、14及水洗腔室70、24排出之洗淨排水，會排出至廢水處理設備。

另一方面，如上述般，第1處理腔室66及第 2處理腔室68的底部，是經由回收管線840與第1處理液容納部84連通，而回收第1處理液。此外，第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、及第6處理腔室22的底部，是經由回收管線420與第2處理液容納部42連通，而回收第2處理液。

第1中繼部72的底部，係具有分別朝向鄰接的處理腔室傾斜之底部，故第1中繼部72內的第1處理 液會順暢地被引導至鄰接的處理腔室。第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32的底部，係具有分別朝向鄰接的處理腔室傾斜之底部，故第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32內的第2處理液也會順暢地被引導至鄰接的處理腔室。另，被回收的研磨處理水，會經過反應生成物沈澱等處理後，若為可再利用之狀態則會被送至第1處理液供給部82或第2處理液供給部44，另一方面，若為無法再利用的狀態下，會被移轉至廢液處理工程作為濃稠廢液。

此外，如圖3所示，前處理腔室64、第1處 理腔室66、第2處理腔室68、水洗腔室70、前處理腔室14、第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22、及水洗腔室24，是經由排氣管線340與排氣部34連通，各腔室的內部氣體會被排氣部34吸引。此處，由於排氣管線340恆定地發揮功能，故化學研磨裝置10的開口部會維持在負壓狀態，處理氣體不易通過這些開口部漏出。

接下來進行各處理腔室構成之說明，但因第1 研磨處理部4側之構成與第2研磨處理部2側之構成實質上相同，故以下僅針對第2研磨處理部2側之構成進行說明，針對第1研磨處理部4側之構成則省略說明。如圖4及圖5所示，在第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22、及水洗腔室24，有於玻璃基板100搬運方向延伸的一群(10根)噴射管444 (444U，444L)，分別配置在搬運輥50的上下位置。各 噴射管444係為氯乙烯或鐵氟龍(登錄商標)所成之中空樹脂管，在一根噴射管上有複數個噴射噴嘴446形成一列。又，從配置於上側的上側噴射管444U，對玻璃基板100的上面噴射化學研磨液，而從配置於下側的下側噴射管444L，對玻璃基板100的底面噴射化學研磨液。另一方面，從配置於水洗腔室24的上側噴射管242U，對玻璃基板的上面噴射洗淨水，而從下側噴射管242L，對玻璃基板100的底面噴射洗淨水。又，在第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32，分別設有噴射管282(282U，282L)、噴射管302(302U，302L)、及噴射管322(322U，322L)，對玻璃基板100的上面及底面，噴射與第3~第6處理腔室18、20、22、24同一組成之化學研磨液。

本實施形態中，配置於第2中繼部28、第3 中繼部30、及第4中繼部32的噴射管282(282U，282L)、噴射管302(302U，302L)、及噴射管322(322U，322L)，還有配置於水洗腔室24的噴射管(242U，242L)，係被保持為固定狀態。另一方面，配置於第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22的各噴射管444，是構成為藉由曲柄機構36而擺盪。

如圖5(A)及圖5(B)所示，本實施形態中，第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室 20、及第6處理腔室22中，是在玻璃基板100的上側及下側分別配置有10根噴射管444(444U，444L)。圖5(A)為噴射管444(444U，444L)之俯視圖，在各噴射管444(444U，444L)例如形成有8個噴射噴嘴446。

各噴射管444(444U，444L)的先端側(圖 示下側)被閉塞，而在其基端側設有液壓控制部。液壓控制部，是由與噴射管444(444U，444L)同數量(10個)的開關閥442(442U，442L)所構成，藉由調整各開關閥442(442U，442L)的開度，能夠任意設定供給至各噴射管444(444U，444L)的化學研磨液的液壓。舉例來說，可將上側噴射管444U與下側噴射管444L的液壓設成有差別，或以中央的噴射管444(444U，444L)與端部的噴射管444(444U，444L)來將液壓設成有差別。另，供給至各噴射管444(444U，444L)的化學研磨液的液壓，可藉由配置於化學研磨裝置10上面的儀表38而確認。

本實施形態中，相較於周邊位置的噴射管444(444U，444L)，中央位置的噴射管444(444U，444L)的液壓係設定成稍大，對玻璃基板100中央位置的接觸壓或噴射量，係設定成比對玻璃基板100周邊位置的接觸壓或噴射量稍高。因此，噴射至玻璃基板100中央位置的化學研磨液，會順暢地移動至玻璃基板的周邊位置，在玻璃基板100的上面不易滯留化學研磨液。其結果，在玻璃基板100全面會幾乎有等量的化學研磨液作用，玻璃 基板100全面容易被均一地研磨。另，如果不使噴射管444(444U，444L)的液壓於寬度方向變化，化學研磨液仍不會在玻璃基板100上面滯留的情形下，則無需特地使噴射管444(444U，444L)的液壓於寬度方向變化，可將噴射管444(444U，444L)的液壓設定成均一。

此外，各噴射管444(444U，444L)是構成 為，其兩端被軸承等可旋轉地做軸支撐，以便藉由曲柄機構36而以約±30°擺盪(oscillation)(參照圖5(B))。另，圖5(B)係揭示擺盪角度，並非揭示化學研磨液的噴射範圍。也就是說，從噴射管444的噴射噴嘴446，化學研磨液會呈喇叭狀噴出，故其噴射範圍比擺盪角度還廣。

曲柄機構36如圖6(A)及圖6(B)所示， 係具備：驅動電動機362；及傳遞機構部364，其構成為將驅動電動機362的旋轉力轉換成使噴射管444(444U，444L)擺盪的力，而傳遞至噴射管444(444U，444L)。 驅動電動機362的旋轉力，會透過傳遞臂而傳遞至擺盪臂366，作為使擺盪臂366擺盪的力。擺盪臂366係被設於化學研磨裝置10內壁部的支撐部368以可旋轉之狀態支撐。

另一方面，各噴射管444(444U，444L)的 端部係貫穿處理腔室的隔壁，而在位於處理腔室外側的部分，安裝有轉矩傳遞臂372、376，其用來傳遞噴射管444(444U，444L)擺盪所需的轉矩。轉矩傳遞臂372、376 分別以可旋轉之狀態被保持臂370、374支撐。保持臂370、374係以可旋轉且可滑動之狀態與擺盪臂366連結。

當擺盪臂366藉由驅動電動機362的旋轉力 而擺盪，則保持臂370、374會與擺盪臂366連動，而如圖中箭頭所示般擺盪。來自保持臂370的力，會透過轉矩傳遞臂372傳遞至上側噴射管444U以作為轉矩。此外，來自保持臂374的力，會透過轉矩傳遞臂376傳遞至下側噴射管444L以作為轉矩。其結果，如圖6(A)及圖6(B)所示，上側噴射管444U及下側噴射管444L會朝與玻璃基板100搬運方向正交之方向，且彼此相反之方向旋轉約±30°。另，驅動電動機362的旋轉數會規定噴射管444(444U，444L)的擺盪次數，而在本實施形態中，驅動電動機的旋轉數被設定在10~30rpm左右。

在上側的噴射管444U，其下面形成有噴射噴 嘴446U，而在下側的噴射管444L，其上面形成有噴射噴嘴446L，故各噴射噴嘴會旋轉約±30°，同時對玻璃基板的上下面噴射化學研磨液(參照圖5(B))。

不過，本實施形態中，刻意將藉由同一液體 組成而執行同樣化學研磨的第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、及第6處理腔室22，彼此分割設置。其理由在於抑制噴射管444(444U，444L)的長度，藉此會防止噴射管444(444U，444L)撓曲，且使噴射管444(444U，444L)順暢地擺盪。此外，也為了減少 噴射管444(444U，444L)之熱膨脹所造成的影響。藉由採取這樣的構成，可將噴射管444(444U，444L)與玻璃基板100之距離維持均一，容易調整噴射至玻璃基板100的化學研磨液的液壓。此外，噴射管444(444U，444L)會順暢地擺盪，藉此，可從玻璃基板100的上面順暢地將化學研磨液沖下，故在玻璃基板100的上面便不易滯留化學研磨液。另，噴射管444(444U，444L)之長度，雖亦與管徑(送液量)有關，但一般而言抑制在2.5m以下為佳，較佳是2m以下。

為了高速地將玻璃基板100化學研磨，必須 使加溫狀態的化學研磨液的送液量增加，而藉由將噴射管444(444U，444L)的長度抑制在適當的長度，無需將驅動電動機362過於大型化，且以簡單的機構，便能使複數個噴射管444(444U，444L)順暢地擺盪。

接著利用圖7(A)~圖7(C)，說明前處理 腔室14之構成。如前述般，在前處理腔室14，靠近第3處理腔室16，配置有使噴射管444(444U，444L)擺盪之曲柄機構36。除了上述構成外，在前處理腔室14中，在對第3處理腔室16的玻璃基板100之導入口，配置有接收玻璃基板100的對向輥146、及對玻璃基板100的上下面噴射水的水洗噴嘴142，144。水洗噴嘴142，144是橫跨與玻璃基板100的搬運方向正交之方向(寬度方向)全域，以規定間隔配備有複數個。此處，接觸壓係被設定成，玻璃基板100會被對向輥146與搬運輥50柔和地保 持住，而導入至第3處理腔室16。

此外，水洗噴嘴142，144係被設定成，朝向 玻璃基板100對第3處理腔室16的導入口噴射水。因此，被導入至第3處理腔室16的玻璃基板100，係為充分濡濕之狀態，防止不均勻之初始蝕刻。也就是說，由於第3處理腔室16為氫氟酸氣體環境，故若玻璃基板100表面為乾燥狀態，則會有被氫氟酸氣體不均勻侵蝕的危險，但本實施形態中，玻璃基板100表面係被水保護，故其後在第3處理腔室16中會開始均勻的蝕刻。

本實施形態中，如圖7(A)~圖7(C)所 示，水洗噴嘴142係構成為朝正下方噴射水，另一方面，水洗噴嘴144係構成為朝上方且朝玻璃基板100的搬運路徑上游側斜向地噴射水。水洗噴嘴144構成為朝斜上方噴射水，其結果，當玻璃基板100接近水洗噴嘴142，144時，如圖7(A)及圖7(B)所示，可從水洗噴嘴144對玻璃基板100的上面供給水。因此，在玻璃基板100的上面，可迅速形成水膜，免於接觸氫氟酸氣體。另，當玻璃基板100接近水洗噴嘴144，從水洗噴嘴144噴射的水會打在玻璃基板100的底面，故可藉由水洗噴嘴144適當地洗淨玻璃基板100的底面，且適當地使其潤濕。

如上所述，藉由在前處理腔室14設置水洗噴 嘴142，144，會防止乾燥狀態的玻璃基板100曝露於氫氟酸氣體，而被不均勻地蝕刻。此外，由於防止了玻璃基板100在乾燥狀態下被對向輥146及搬運輥50夾持，故 當通過對向輥146及搬運輥50之間時，會防止玻璃基板100產生損傷，或玻璃基板100污損。

接下來，說明第2中繼部28、第3中繼部 30、及第4中繼部32。在第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32，於搬運路徑的上下位置，分別配置有固定狀態的噴射管282、噴射管302、及噴射管322。又，從噴射管282、噴射管302、噴射管322對玻璃基板100的上下面噴射化學研磨液。本實施形態中，噴射管444、噴射管282、噴射管302、及噴射管322分別構成為本發明之研磨液噴射手段。

此處，亦可考慮將第2中繼部28、第3中繼 部30、及第4中繼部32做成玻璃研磨處理中的空閒空問，但本實施形態中卻刻意在第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32，也對玻璃基板100噴射同一組成之化學研磨液。因此，便無需擔心當通過第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32時，化學研磨液會在玻璃基板100上滯留，或反過來說當通過第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32時玻璃基板100會有乾燥傾向，而實現高品質的玻璃研磨。另，第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32的噴射管282、噴射管302、及噴射管322係為固定狀態，但亦可採取非固定式而為擺盪式之構成。

玻璃基板100會依序通過第3處理腔室16、 第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22、 第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32，依序受到化學研磨。而完成複數個階段的化學研磨之玻璃基板100，會藉由配置於第6處理腔室22出口的風刀244進行上面的液切處理後，再從配置於水洗腔室24的一群噴射管242接受洗淨水而被洗淨。洗淨用之噴射管242係為固定狀態，但亦可採用使其擺盪之構成。

無論如何，在洗淨處理的最終段，配置有上 下一對風刀246，藉由該處噴射出的空氣，玻璃基板100的上下面會迅速被乾燥。接著，從水洗腔室24的導出口300排出之玻璃基板100，會被在搬出部26待命的作業員取出，結束一連串的加工處理。像這樣，在上下一對風刀246的前段另行配置風刀244，藉此，可從玻璃基板100的上面迅速除去化學研磨液，故可有效防止玻璃基板100的上面被不均勻地蝕刻。

如上所述，按照本實施形態之化學研磨裝置 10，在閉塞之空間中進行化學研磨，於裝置內產生的氫氟酸氣體等有毒氣體會藉由洗氣器等排氣機構而幾乎完全回收，故氫氟酸氣體幾乎不會擴散至化學單片裝置10周圍。其結果，化學研磨裝置10周圍的作業環境，相較於批次式化學研磨處理之情形會明顯的提升。是故，不必擔心使作業員的健康惡化，且亦不需要在保護裝備上花費成本。

此外，能夠防止化學研磨裝置10周圍的設備 被氫氟酸氣體侵害，故亦可抑制設備的維護費用。也就是 說，能夠以低價的維護費用，為作業員提供良好的作業環境，可謂具有很大的優點。

又，使用單片方式的化學研磨裝置10的情形 下，相較於批次方式的研磨處理，具有可提升作業效率及製品品質之優點。再者，按照化學研磨裝置10，板厚精度會提升，故可預期切割(scribe)時良率穩定。此外，在切斷面平面強度方面，也能夠比批次方式的研磨處理來得強。又，不會有起泡所造成的氫氟酸損失，故可望有減少氫氟酸成本15%左右之效果。又，對於玻璃基板100可連續且自動地進行相異種類之研磨處理，故對於玻璃基板100的處理效率會提升。

此處，利用圖8(A)及圖8(B)，說明被搬 運輥50搬運之玻璃基板100的狀態。習知，為了避免玻璃基板100污損，並不太建議採取使玻璃基板100直接接觸搬運輥50圓周面之構成。不過，本實施形態中卻設法讓玻璃基板100就算直接置放在搬運輥50圓周面上，玻璃基板100也不會污損。

首先，本實施形態中，從複數個噴射管444 (444U，444L)、噴射管282(282U，282L)、噴射管302(302U，302L)、及噴射管322(322U，322L)噴射之多量的化學研磨液，會總是碰觸搬運輥50的圓周面，搬運輥50圓周面會保持在濕潤狀態，且在搬運輥50圓周面形成有化學研磨液的薄層。此時，複數個噴射管444(444U，444L)、噴射管282(282U，282L)、噴射管 302(302U，302L)、及噴射管322(322U，322L)會進行化學研磨液之噴射，使得至少化學研磨處理空間(第3處理腔室16、第4處理腔室18、第5處理腔室20、第6處理腔室22、第2中繼部28、第3中繼部30、及第4中繼部32)的所有搬運輥50的圓周面成為濕潤狀態。

藉由採用本實施形態記載之構成，來自複數 個噴射管444(444U，444L)、噴射管282(282U，282L)、噴射管302(302U，302L)、及噴射管322(322U，322L)之研磨液，會噴灑上化學研磨處理空間內的搬運輥50圓周面，故搬運輥50的圓周面會因研磨液而保持濕潤狀態。此外，會藉由噴灑上搬運輥50圓周面的研磨液而被洗淨，故在搬運輥50圓周面不易附著沉澱物等異物，搬運輥50的圓周面會總是保持清潔狀態。

藉由以上構成，可大幅減低搬運輥50圓周面 與玻璃基板100主面之間的摩擦係數，玻璃基板100便不容易因與搬運輥50圓周面接觸而污損。此外，由於在玻璃基板100主面與搬運輥50圓周面之間亦介有化學研磨液，故在玻璃基板100與搬運輥50圓周面接觸之部分，也會被化學研磨液適當地研磨。其結果，就算直接將玻璃基板100載置於搬運輥50上而搬運，也不易發生化學研磨處理的不均一，或玻璃基板100品質劣化等問題。如此一來，即使不使用治具，也可適當地對玻璃基板依序施以化學研磨處理。

再者，如圖8(B)所示，針對複數個噴射管 444(444U，444L)、噴射管282(282U，282L)、噴射管302(302U，302L)、及噴射管322(322U，322L)之研磨液噴射手段，較佳是設定成，構成為從下側噴射研磨液之複數個噴射管444L、噴射管282L、噴射管302L、及噴射管322L)的噴射力，係比構成為從上側噴射研磨液之複數個噴射管444U、噴射管282U、噴射管302U、及噴射管322U)的噴射力還強。其理由在於，藉由如此之構成，會對玻璃基板100施加朝上的力，使玻璃基板100朝上方向浮起。如圖8(B)所示，對於玻璃基板100作用一朝上的力，藉此，玻璃基板100主面與搬運輥50圓周面之間的摩擦會進一步減低。

像這樣，由於構成為設法減低搬運輥50圓周 面與玻璃基板100主面之間的摩擦力，同時在搬運輥50的圓周面不會有異物附著，故就算直接將玻璃基板100置放在搬運輥50上，玻璃基板100也不容易污損。因此，便容易將玻璃基板100沿著搬運輥50排列而水平地搬運。

上述實施形態中，係舉例說明對玻璃基板100 進行凹坑抑制處理或薄型化處理，但除此之外，亦可在化學研磨裝置10中進行將附有形成圖樣的阻劑層之玻璃基板100加以裁斷之處理、或是將玻璃基板100表面洗淨之處理。

上述實施形態之說明中，所有要點均為例 示，不應認為其為限制之用。本發明之範圍並非由上述實 施形態，而是由申請專利範圍來揭示。又，本發明之範圍中，係意圖包含與申請專利範圍的意義及範圍內均等之所有變更。

2‧‧‧第2研磨處理部

4‧‧‧第1研磨處理部

10‧‧‧化學研磨裝置

12，62‧‧‧搬入部

14，64‧‧‧前處理腔室

16‧‧‧第3處理腔室

18‧‧‧第4處理腔室

20‧‧‧第5處理腔室

22‧‧‧第6處理腔室

24，70‧‧‧水洗腔室

26‧‧‧搬出部

28‧‧‧第2中繼部

30‧‧‧第3中繼部

32‧‧‧第4中繼部

36‧‧‧曲柄機構

42‧‧‧第2處理液容納部

44‧‧‧第2處理液供給部

46，74‧‧‧水供給部

50‧‧‧搬運輥

66‧‧‧第1處理腔室

68‧‧‧第2處理腔室

72‧‧‧第1中繼部

82‧‧‧第1處理液供給部

84‧‧‧第1處理液容納部

100‧‧‧玻璃基板

242L、444L‧‧‧下側噴射管

242U、444U‧‧‧上側噴射管

244、246‧‧‧風刀

282L、282U、302L、302U、322L、322U‧‧‧噴射管

362‧‧‧驅動電動機

364‧‧‧傳遞機構部

420‧‧‧回收管線

446L、446U‧‧‧噴射噴嘴

440‧‧‧給液管線

460‧‧‧給水管線

Claims (1)

1. 一種化學研磨裝置，係構成為對沿著搬運路徑被連續性搬運的複數個玻璃基板進行化學研磨處理之化學研磨裝置，其特徵為，至少具備：第1研磨處理部，其構成為對沿著前述搬運路徑被搬運的玻璃基板，藉由第1處理液來進行化學研磨處理；第2研磨處理部，其構成為對沿著前述搬運路徑被搬運的玻璃基板，藉由與前述第1處理液不同的第2處理液來進行化學研磨處理；及洗淨部，其構成為前述搬運路徑中前述第1研磨處理部的下游側，且配置於前述第2研磨處理部的上游側，洗淨附著於前述玻璃基板的處理液；前述第1研磨處理部具有：複數個處理腔室，其構成為對前述玻璃基板噴射前述第1處理液；及中繼部，其構成為中繼各處理腔室並且對前述玻璃基板噴射前述第1處理液；且前述第2研磨處理部具有：複數個處理腔室，其構成為對前述玻璃基板噴射前述第2處理液；及中繼部，其構成為中繼各處理腔室並且對前述玻璃基板噴射前述第2處理液；至少在前述第1研磨處理部的上游側更具備前處理部，該前處理部是構成為，使導入前述第1研磨處理部前的玻璃基板的表面以水潤濕。