WO2013183157A1 - 酸化物超電導体形成用の原料溶液 - Google Patents

酸化物超電導体形成用の原料溶液 Download PDF

Info

Publication number
WO2013183157A1
WO2013183157A1 PCT/JP2012/064751 JP2012064751W WO2013183157A1 WO 2013183157 A1 WO2013183157 A1 WO 2013183157A1 JP 2012064751 W JP2012064751 W JP 2012064751W WO 2013183157 A1 WO2013183157 A1 WO 2013183157A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
material solution
raw material
oxide superconductor
nanoparticles
forming
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/064751
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
元気 本田
永石　竜起
慶 花房
巌 山口
松井　浩明
近藤　和吉
俊弥 熊谷
Original Assignee
住友電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友電気工業株式会社 filed Critical 住友電気工業株式会社
Priority to DE112012006474.7T priority Critical patent/DE112012006474T5/de
Priority to KR20157000206A priority patent/KR20150029680A/ko
Priority to PCT/JP2012/064751 priority patent/WO2013183157A1/ja
Priority to CN201280073816.6A priority patent/CN104364856A/zh
Priority to US14/405,287 priority patent/US20150162518A1/en
Publication of WO2013183157A1 publication Critical patent/WO2013183157A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials
    • H10N60/855—Ceramic materials
    • H10N60/857—Ceramic materials comprising copper oxide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming superconductor layers
    • H10N60/0324—Processes for depositing or forming superconductor layers from a solution
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0828—Introducing flux pinning centres

Definitions

  • the present invention relates to a raw material solution for forming an oxide superconductor used when a layer made of an oxide superconductor is formed on a substrate using a coating pyrolysis method.
  • oxide superconducting thin film wire in which a thin film layer (oxide superconducting layer) made of an oxide superconductor is formed on a substrate has attracted attention.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2007-165153 (Patent Document 1)).
  • a raw material solution produced by dissolving organometallic compounds of RE (rare earth element), Ba (barium), and Cu (copper) in a solvent was applied to a substrate to form a coating film. Thereafter, for example, a calcined heat treatment is performed at around 500 ° C., the organometallic compound is pyrolyzed, and the pyrolyzed organic component is removed to produce a calcined film that is a precursor of the oxide superconducting thin film.
  • MOD solution produced by dissolving organometallic compounds of RE (rare earth element), Ba (barium), and Cu (copper) in a solvent was applied to a substrate to form a coating film.
  • a calcined heat treatment is performed at around 500 ° C.
  • the organometallic compound is pyrolyzed
  • the pyrolyzed organic component is removed to produce a calcined film that is a precursor of the oxide superconducting thin film.
  • the calcined film is crystallized by subjecting it to a heat treatment at a higher temperature (for example, around 750 to 800 ° C.) to form a RE123-based superconducting thin layer represented by REBa 2 Cu 3 O 7-X , which is oxidized.
  • a heat treatment at a higher temperature (for example, around 750 to 800 ° C.) to form a RE123-based superconducting thin layer represented by REBa 2 Cu 3 O 7-X , which is oxidized.
  • vapor phase methods evaporation method, sputtering method, pulsed laser deposition method, etc.
  • an oxide superconducting layer into which a pin is introduced is formed by adding an element that is a pin raw material, for example, a metal complex (salt) of Zr, to the raw material solution.
  • a pin raw material for example, a metal complex (salt) of Zr
  • the above method has no problem when applied to the TFA-MOD method using an organometallic compound containing fluorine in the raw material solution, but in the case of the FF-MOD method using an organometallic compound not containing fluorine, It is difficult to properly control pin formation by adding a pin compound material in the form of a metal complex to the raw material solution, and it is difficult to perform orientational growth (epitaxial growth) in the process of crystal growth of an oxide superconductor. There was a problem in applying the above method.
  • the present invention provides a raw material solution for the MOD method that can suitably control the particle size of a pin without requiring a treatment for thermally decomposing a metal complex or a heat treatment for generating a pin compound.
  • the task is to do.
  • the nanoparticles function sufficiently as magnetic flux pins.
  • the added nanoparticles are introduced as pins, there is no need for conventional heat treatment for thermally decomposing a metal complex or heat treatment for generating a pin compound.
  • the particle size of the introduced pin follows the size of the added nanoparticle, the particle size of the pin can be easily and precisely controlled.
  • the present invention is based on the above knowledge, and the invention according to claim 1 forms an RE123-based oxide superconductor in which a magnetic flux pinning point is introduced on a substrate using a coating pyrolysis method.
  • a predetermined amount of nanoparticles for forming the pinning point is dispersed in a raw material solution for forming an oxide superconductor for dissolving an organometallic compound for forming the oxide superconductor.
  • a raw material solution for forming an oxide superconductor is based on the above knowledge, and the invention according to claim 1 forms an RE123-based oxide superconductor in which a magnetic flux pinning point is introduced on a substrate using a coating pyrolysis method.
  • a predetermined amount of nanoparticles for forming the pinning point is dispersed in a raw material solution for forming an oxide superconductor for dissolving an organometallic compound for forming the oxide superconductor.
  • a raw material solution for forming an oxide superconductor is
  • oxide superconducting layer in which nanoparticles functioning sufficiently as magnetic flux pins are appropriately controlled and introduced.
  • An oxide superconducting thin film wire with improved Jc and Ic can be provided.
  • Nanoparticles for forming pinning points function not only as nanoparticles that function as magnetic flux pins themselves but also as magnetic flux pins by reacting with organometallic compounds contained in the raw material solution during the main annealing process. Nanoparticles that produce pin compounds may also be used.
  • Examples of the former nanoparticles include Ag (silver), Au (gold), Pt (platinum), BaCeO 3 (barium cerate), BaTiO 3 (barium titanate), BaZrO 3 (barium zirconate), and SrTiO 3.
  • Examples thereof include nanoparticles such as (strontium titanate), and the material is not limited as long as the material does not adversely affect the superconducting properties of the oxide superconducting thin film.
  • nanoparticles are nanoparticles that do not react with the raw material solution. For this reason, a pin can be introduced without performing a separate heat treatment. In addition, since the particle size of the introduced pin follows the size of the added nanoparticle, the particle size of the pin can be easily and precisely controlled. Furthermore, since composition deviation does not occur when the oxide superconductor is formed, a desired high Jc or Ic oxide superconducting thin layer can be obtained.
  • a material having a high melting point such as Pt is prevented from moving and agglomerating or deforming in the calcining heat treatment and the main heat treatment forming the oxide superconductor. Therefore, it is more preferable.
  • nanoparticles include nanoparticles such as CeO 2 (cerium oxide), ZrO 2 (zirconium dioxide), SiC (silicon carbide), TiN (titanium nitride), and the like. Reacts with the organometallic compound contained in the raw material solution, respectively, and BaNeO 3 (barium cerate), BaZrO 3 (barium zirconate), Y 2 Si 2 O 7 , BaTiO 3 (barium titanate), etc. It generates particles and functions as a magnetic flux pin.
  • these nanoparticles generate pins by reacting with the organometallic compound contained in the raw material solution, they differ in composition from the nanoparticle that does not react with the above raw material solution when the oxide superconductor is formed. In view of this, it is preferable to prepare the raw material solution in advance.
  • the invention according to claim 2 is the raw material solution for forming an oxide superconductor according to claim 1, wherein the nanoparticles have a particle size of 5 to 100 nm.
  • the particle size of the nanoparticles is too small, the function as a magnetic flux pin cannot be fully exhibited. On the other hand, if the particle size is too large, the superconducting properties of the oxide superconducting thin film may be adversely affected.
  • the particle size of 5 to 100 nm is a size corresponding to the coherence length, and there is no possibility that these problems will occur.
  • the invention according to claim 3 is characterized in that the addition amount of the nanoparticles to the raw material solution is 0.01 to 10 mol% with respect to RE (rare earth element) in the raw material solution. Or it is the raw material solution for oxide superconductor formation of Claim 2.
  • the invention according to claim 4 is the raw material solution for forming an oxide superconductor according to any one of claims 1 to 3, wherein a dispersant is added.
  • a raw material solution in which the nanoparticles are more uniformly dispersed can be prepared by adding a dispersant to suppress the occurrence of aggregation.
  • dispersant examples include acrylic acid polymer, olefin-maleic acid copolymer, polyvinyl pyrrolidone, polyethyleneimine, and the like.
  • the addition amount is appropriately determined.
  • the type of dispersant contained may not be disclosed, but there is no problem.
  • these dispersing agents do not contain elements other than C, H, O, and N.
  • the invention according to claim 5 is the oxide superconductor formation according to any one of claims 1 to 4, wherein the organometallic compound is an organometallic compound containing no fluorine. This is a raw material solution.
  • the effect of the present invention can be remarkably exhibited. That is, unlike the case of using a raw material solution to which a conventional metal complex is added, it is easy to appropriately add to the raw material solution to appropriately control the formation of pins, and to sufficiently grow the orientation during crystal growth. Can do.
  • the FF-MOD method using a raw material solution made of an organometallic compound not containing fluorine is different from the case of using the TFA-MOD method in forming an oxide superelectric layer, and is dangerous like hydrogen fluoride gas. No gas is generated, and no processing equipment is required.
  • the raw material solution which can control the particle size of a pin suitably can be provided, and the nanoparticle fully functioning as a magnetic flux pin is appropriately controlled by using such a raw material solution.
  • the introduced oxide superconducting layer can be obtained, and an oxide superconducting thin film wire with improved Jc and Ic can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an oxide superconducting wire created in Example 1.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an oxide superconducting wire created in Comparative Example 1.
  • the organometallic compound includes an organometallic compound containing fluorine such as trifluoroacetate in the case of the TFA-MOD method, and fluorine such as acetylacetonate in the case of the FF-MOD method. Use no organometallic compound.
  • the substrate is a Ni-W alloy base material, a clad type metal base material using SUS or the like as a base metal, an IBAD base material, etc., and an intermediate of a three-layer structure formed in the order of CeO 2 / YSZ / CeO 2
  • An oriented metal substrate on which a layer is formed is preferably used.
  • the formed pin functions sufficiently as a magnetic flux pin in the oxide superconducting layer, an oxide superconducting thin film wire with improved Jc and Ic can be obtained.
  • a raw material solution was prepared using Pt nanoparticles as nanoparticles, and a Y123-based oxide superconducting layer was formed using this raw material solution.
  • Example 1 Preparation of raw material solution (1) Preparation of MOD solution Each acetylacetonate complex of Y, Ba and Cu was prepared so that the molar ratio of Y: Ba: Cu was 1: 2: 3 and dissolved in alcohol. An alcohol solution of an organometallic compound was prepared. (2) Pt nanoparticle dispersion platinum platinum colloidal solution (particle size: 10 nm, Pt concentration: 1 wt.%, Solvent: ethanol, dispersant does not contain elements other than C, H, O, N) .
  • Example 1 An oxide superconducting wire of a comparative example was produced in the same manner as in Example 1 except that a MOD solution not added with a dispersion of Pt nanoparticles was used as the raw material solution. 3. Evaluation of Oxide Superconducting Wire The oxide superconducting wire obtained in Example 1 and Comparative Example 1 was evaluated as follows. (1) Cross-sectional structure Using the S-TEM method, the cross section of the oxide superconducting layer formed on the oxide superconducting wires of Example 1 and Comparative Example was observed.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an oxide superconducting wire prepared in Example 1 and FIG. 2 in a comparative example.
  • 1 is a substrate
  • 2 is a formed Y123 oxide superconducting layer
  • 3 is Pt nanoparticles.
  • Example 1 As shown in FIG. 1, in Example 1, it was confirmed that the Pt nanoparticles 3 were uniformly dispersed in the Y123 oxide superconducting layer 2. On the other hand, as shown in FIG. 2, formation of nanoparticles in the Y123 oxide superconducting layer 2 was not observed in the comparative example.
  • (2) Measurement of Ic The superconducting properties (Jc, Ic) of Example 1 and the comparative example were measured at 77K under a self magnetic field. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 1 From Table 1, by using the raw material solution to which nanoparticles were added (Example 1), a pin was formed in the oxide superconducting layer, and this pin functions sufficiently as a magnetic flux pin, so that Jc and Ic were improved. You can see that (Examples 2 to 4) The oxide superconducting wires of Examples 2 to 4 were obtained in the same manner as in Example 1 except that Pt nanoparticles having the particle sizes shown in Table 2 were used as the Pt nanoparticles.
  • the superconducting properties (Jc, Ic) of the oxide superconducting wires obtained in Examples 2 to 4 were measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are shown in Table 2 together with the results of Example 1. 3. Evaluation Results Table 2 summarizes the evaluation results of Examples 2 to 4 together with the evaluation results of Example 1.
  • Example 3 and Example 1 a higher Ic was obtained than in Example 2 and Example 4. Such a result was obtained because in Example 3 and Example 1, the Pt nanoparticles had a particle size of 5 to 100 nm, and thus the function of the magnetic flux pinning point was further enhanced. .
  • Examples 6 to 9 1. Preparation of raw material solution The oxides of Examples 5 to 8 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the ratio of Pt to Y (Pt / Y) contained in the raw material solution was changed to the mol% shown in Table 3. A superconducting wire was obtained.
  • Example 6 Example 1, and Example 7, a higher Ic was obtained than in Example 5 and Example 8. This result was obtained because in Example 6, Example 1 and Example 7, the moles of Pt and Y were 0.01 to 10, so that the function of the magnetic flux pinning point was further enhanced. It is because it has been.
  • nanoparticles such as ZrO 2 also has a similar flux pinning features and Pt nanoparticles It was confirmed that As described above, according to the present invention, an oxide superconducting layer having a higher Ic can be formed.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

　塗布熱分解法を用いて基板（１）上に磁束ピン止め点が導入されたＲＥ１２３系の酸化物超電導体（２）を形成するための酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液であって、酸化物超電導体（２）を形成するための有機金属化合物を溶解した溶液に、ピン止め点を形成するためのナノ粒子（３）を所定量分散させている酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液。ナノ粒子（３）の粒径は、５～１００ｎｍである。有機金属化合物は、フッ素を含まない有機金属化合物である。これにより、ＦＦ－ＭＯＤ法においても容易にピンの材料を添加することができ、金属錯体を熱分解する処理やピン化合物を生成させるための熱処理を必要とせず、ピンの粒子サイズを好適に制御することができる。

Description

酸化物超電導体形成用の原料溶液
　本発明は、塗布熱分解法を用いて基板上に酸化物超電導体からなる層を形成する際に使用される酸化物超電導体形成用の原料溶液に関する。
　液体窒素の温度で超電導性を有する高温超電導体の発見以来、ケーブル、限流器、マグネットなどの電力機器への応用を目指した高温超電導線材の開発が活発に行われている。中でも、基板上に酸化物超電導体からなる薄膜層（酸化物超電導層）を形成させた酸化物超電導薄膜線材が注目されている。
　このような酸化物超電導線材の製造方法の１つに、塗布熱分解法（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略称：ＭＯＤ法）がある（特開２００７－１６５１５３号公報（特許文献１））。
　この方法は、ＲＥ（希土類元素）、Ｂａ（バリウム）、Ｃｕ（銅）の各有機金属化合物を溶媒に溶解して製造された原料溶液（ＭＯＤ溶液）を基板に塗布して塗布膜を形成した後、例えば、５００℃付近で仮焼熱処理して、有機金属化合物を熱分解させ、熱分解した有機成分を除去することにより酸化物超電導薄膜の前駆体である仮焼膜を作製し、作製した仮焼膜をさらに高温（例えば７５０～８００℃付近）で本焼熱処理することにより結晶化を行って、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－Ｘで表されるＲＥ１２３系の超電導薄層を形成させて酸化物超電導線材を製造するものであり、主に真空中で製造される気相法（蒸着法、スパッタ法、パルスレーザ蒸着法等）に比較して製造設備が簡単で済み、また大面積や複雑な形状への対応が容易である等の特徴を有しているため、広く用いられている。
　しかし、近年、臨界電流密度Ｊｃや臨界電流Ｉｃがより向上した酸化物超電導薄膜線材が強く求められており、その対策として、磁場下においてＲＥ１２３系酸化物超電導体に侵入するナノサイズの量子化磁束の運動を妨げることを目的として、人工的にナノサイズの磁束ピン止め点（以下、「ピン」という）を導入することが行われている。
　上記したＭＯＤ法においても、原料溶液に、ピンの原料となる元素、例えば、Ｚｒの金属錯体（塩）を添加することにより、ピンが導入された酸化物超電導層を形成させることが行われている（例えば、非特許文献１）。
特開２００７－１６５１５３号公報
「ナノ粒子導入ＴＦＡ－ＭＯＤＹ１－ｘＳｍｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（１－ｘ、ｘ、２、３、ｙは下付き）線材のＪｃ－Ｂ－θ特性」、三浦　正志他、ＴＥＩＯＮ　ＫＯＧＡＫＵ（Ｊ．Ｃｒｙｏ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．）Ｖｏｌ．４４　Ｎｏ．５（２００９）２１０－２１６
　しかしながら、上記の方法を用いた場合、ピンを形成させるためには、添加された金属錯体を熱分解する処理、さらには、ピン化合物を生成させるための熱処理を必要とする。また、生成されたピン化合物が磁束ピンとして充分に機能するためには、生成されたピン化合物を凝集させて、一定以上の大きさにする必要があるが、このようにピンの粒子サイズを好適に制御することは容易ではない。
　また、上記の方法は、原料溶液にフッ素を含む有機金属化合物を用いるＴＦＡ－ＭＯＤ法に適用する場合には問題ないが、フッ素を含まない有機金属化合物を用いるＦＦ－ＭＯＤ法の場合には、ピン化合物の材料を金属錯体の形で適切に原料溶液に添加して、ピンの形成を適切に制御することが難しく、また酸化物超電導体を結晶成長させる過程で配向成長（エピタキシャル成長）し難いため、上記の方法を適用することには問題があった。
　本発明は、上記の問題に鑑み、金属錯体を熱分解する処理やピン化合物を生成させるための熱処理を必要とせず、ピンの粒子サイズを好適に制御することができるＭＯＤ法の原料溶液を提供することを課題とする。
　本発明者は、種々の実験、検討を行った結果、ナノ粒子を添加した原料溶液を用いることにより、上記課題が解決できることを見出した。
　即ち、ＭＯＤ溶液にナノ粒子を添加した原料溶液を用いて、ＭＯＤ法により酸化物超電導層を形成させた場合、ナノ粒子が磁束ピンとして充分機能する。
　そして、添加したナノ粒子がピンとして導入されるため、従来のような、金属錯体を熱分解する処理やピン化合物を生成させるための熱処理を別途必要としない。また、導入されたピンの粒子サイズは、添加されたナノ粒子のサイズに従うため、ピンの粒子サイズを容易に、精度良く好適に制御することができる。
　本発明は、以上の知見に基づくものであり、請求項１に記載の発明は、塗布熱分解法を用いて基板上に磁束ピン止め点が導入されたＲＥ１２３系の酸化物超電導体を形成するための酸化物超電導体形成用の原料溶液であって、前記酸化物超電導体を形成するための有機金属化合物を溶解した溶液に、前記ピン止め点を形成するためのナノ粒子を所定量分散させていることを特徴とする酸化物超電導体形成用の原料溶液である。
　本請求項の酸化物超電導体形成用の原料溶液を用いることにより、上記したように、磁束ピンとして充分に機能するナノ粒子が適切に制御されて導入された酸化物超電導層を得ることができ、ＪｃやＩｃがより向上した酸化物超電導薄膜線材を提供することができる。
　「ピン止め点を形成するためのナノ粒子」としては、それ自身が磁束ピンとして機能するナノ粒子だけでなく、本焼熱処理時に原料溶液に含まれる有機金属化合物と反応して磁束ピンとして機能するピン化合物を生成するナノ粒子であってもよい。
　前者のナノ粒子としては、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、ＢａＣｅＯ３（セリウム酸バリウム）、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、ＢａＺｒＯ３（ジルコン酸バリウム）、ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）などのナノ粒子を挙げることができ、酸化物超電導薄膜の超電導特性に悪影響を与えない材料である限り、限定されない。
　これらのナノ粒子は原料溶液と反応しないナノ粒子である。このため、別途熱処理を行うことなく、ピンを導入することができる。また、導入されたピンの粒子サイズは、添加されたナノ粒子のサイズに従うため、ピンの粒子サイズを容易に、精度良く好適に制御することができる。さらに、酸化物超電導体の形成時に組成のズレが生じることがないため、所望する高いＪｃやＩｃの酸化物超電導薄層を得ることができる。前記した各材料の内でも、例えば、Ｐｔのように、融点が高い材料は、酸化物超電導体を形成する仮焼熱処理および本焼熱処理において、移動して凝集したり変形したりすることが抑制されるため、より好ましい。
　また、後者のナノ粒子としては、例えば、ＣｅＯ２（酸化セリウム）、ＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＴｉＮ（窒化チタン）などのナノ粒子を挙げることができ、これらのナノ粒子は、原料溶液に含まれる有機金属化合物と反応して、それぞれ、ＢａＣｅＯ３（セリウム酸バリウム）、ＢａＺｒＯ３（ジルコン酸バリウム）、Ｙ２Ｓｉ２Ｏ７、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）などのナノ粒子を生成して、磁束ピンとして機能する。
　これらのナノ粒子は、原料溶液に含まれる有機金属化合物と反応させることにより、ピンを生成しているため、上記の原料溶液と反応しないナノ粒子の場合と異なり、酸化物超電導体の形成時に組成のズレが生じる恐れがあり、それを見込んで、予め、原料溶液の調製を行うことが好ましい。
　請求項２に記載の発明は、前記ナノ粒子の粒径が、５～１００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の酸化物超電導体形成用の原料溶液である。
　ナノ粒子の粒径が小さすぎると、磁束ピンとしての機能を充分に発揮させることができない。一方、粒径が大きすぎると、酸化物超電導薄膜の超電導特性に悪影響を与える恐れがある。
　５～１００ｎｍの粒径は、コヒーレンス長に対応したサイズであり、これらの問題が発生する恐れがない。
　請求項３に記載の発明は、前記ナノ粒子の原料溶液に対する添加量が、原料溶液中のＲＥ（希土類元素）に対して、０．０１～１０モル％であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の酸化物超電導体形成用の原料溶液である。
　ナノ粒子の添加量が少なすぎると、充分な量のピンを形成することができず、磁束ピンとしての機能を充分に発揮させることができない。一方、添加量が多すぎると、形成されるピンが多くなりすぎ、酸化物超電導薄膜の超電導特性に悪影響を与える恐れがある。
　原料溶液中のＲＥに対する添加量が、０．０１～１０モル％であると、これらの問題が発生する恐れがない。
　請求項４に記載の発明は、分散剤が添加されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の酸化物超電導体形成用の原料溶液である。
　添加されたナノ粒子は、原料溶液中で凝集する恐れがあるため、分散剤を添加して凝集の発生を抑制することにより、ナノ粒子がより均一に分散された原料溶液を調製することができる。
　具体的な分散剤としては、例えば、アクリル酸重合体、オレフィン－マレイン酸共重合体、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミンなどを挙げることができ、ナノ粒子の種類や量に対応して分散剤の材料や添加量が適宜決定される。市販されているナノ粒子分散溶液やナノコロイド溶液を用いる場合は、含まれる分散剤の種類が公開されていない場合もあるが、問題ない。なお、これらの分散剤には、Ｃ、Ｈ、Ｏ、Ｎ以外の元素は含まれていないことが好ましい。
　請求項５に記載の発明は、前記有機金属化合物が、フッ素を含まない有機金属化合物であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の酸化物超電導体形成用の原料溶液である。
　上記した酸化物超電導体形成用の原料溶液をＦＦ－ＭＯＤ法に適用した場合、本発明の効果を顕著に発揮することができる。即ち、従来の金属錯体を添加した原料溶液を用いる場合と異なり、原料溶液に適切に添加してピンの形成を適切に制御することが容易であり、また、結晶成長に際して充分に配向成長させることができる。
　そして、フッ素を含まない有機金属化合物からなる原料溶液を用いるＦＦ－ＭＯＤ法は、酸化物超電層の形成に際して、ＴＦＡ－ＭＯＤ法を用いた場合と異なり、フッ化水素ガスのような危険なガスを発生せず、そのための処理設備も不要である。
　本発明によれば、ピンの粒子サイズを好適に制御することができる原料溶液を提供することができ、このような原料溶液を用いることにより、磁束ピンとして充分に機能するナノ粒子が適切に制御されて導入された酸化物超電導層を得ることができ、ＪｃやＩｃがより向上した酸化物超電導薄膜線材を提供することができる。
実施例１において作成された酸化物超電導線材の模式的な断面図である。 比較例１において作成された酸化物超電導線材の模式的な断面図である。
　以下、本発明を実施の形態に基づき図面を用いて本発明を説明する。
１．原料溶液の作製
　始めに、本発明の原料溶液の一般的な作製方法について説明する。なお、以下では、ＲＥとしてＹを用いている。
（１）ＭＯＤ溶液の作製
　Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの有機金属化合物から出発してＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３の比率（モル比）で合成し、アルコールを溶媒としたＭＯＤ溶液を作製する。なお、ＭＯＤ溶液のＹ３＋，Ｂａ２＋、Ｃｕ２＋を合わせた総カチオン濃度は１ｍｏｌ／Ｌとする。
　なお、前記有機金属化合物としては、ＴＦＡ－ＭＯＤ法の場合には、トリフルオロアセテートなどのフッ素を含む有機金属化合物を、また、ＦＦ－ＭＯＤ法の場合には、アセチルアセトナートなどのフッ素を含まない有機金属化合物を用いる。
（２）ナノ粒子分散液の作製
　前記したＭＯＤ溶液の作製とは別に、所定量のナノ粒子をアルコールに分散させ、ナノ粒子分散液を作製する。なお、この際、ナノ粒子の凝集を防止するために、分散剤を添加しておく。
（３）原料溶液の作製
　上記で作製されたＭＯＤ溶液およびナノ粒子分散液を用いて、Ｙに対するナノ粒子の添加量が所定のモル％となるように混合し、原料溶液を作製する。
２．Ｙ１２３酸化物超電導層の形成
　次に、上記で作製された原料溶液を用いたＹ１２３酸化物超電導層の形成について説明する。
（１）基板の準備
　始めに、酸化物超電導層を形成させる基板を準備する。基板としては、Ｎｉ－Ｗ合金基材、ＳＵＳ等をベース金属としたクラッドタイプの金属基材、ＩＢＡＤ基材などの上に、ＣｅＯ２／ＹＳＺ／ＣｅＯ２の順に形成された３層構造の中間層が形成されている配向金属基板が好ましく用いられる。
（２）原料溶液の塗布
　前記基板上に、前記原料溶液を所定量塗布後、乾燥して所定厚みの塗膜を形成する。
（３）仮焼膜の作製
　前記塗膜を、所定の仮焼熱処理条件で熱処理して、仮焼膜を作製する。
（４）本焼膜（酸化物超電導層）の作製
　前記仮焼膜を、所定の本焼熱処理条件で熱処理して、酸化物超電導層を作製する。このとき、酸化物超電導層の形成と共に、ナノ粒子からなるピンが酸化物超電導層内に形成される。
　形成されたピンは、酸化物超電導層において、磁束ピンとして充分機能するため、ＪｃやＩｃが向上した酸化物超電導薄膜線材が得られる。
　本実施例においては、ナノ粒子としてＰｔナノ粒子を用いて原料溶液を作製し、さらに、この原料溶液を用いてＹ１２３系酸化物超電導層を形成した。
（実施例１）
１．原料溶液の作製
（１）ＭＯＤ溶液の作製
　Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの各アセチルアセトナート錯体を、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕのモル比が１：２：３となるように調製してアルコールに溶解させ、有機金属化合物のアルコール溶液を作製した。
（２）Ｐｔナノ粒子分散液
　白金ナノコロイド溶液（粒径：１０ｎｍ、Ｐｔ濃度：１ｗｔ．％、溶媒：エタノール、分散剤にはＣ、Ｈ、Ｏ、Ｎ以外の元素は含まない）を使用した。
（３）原料溶液の作製
　作製された有機金属化合物のアルコール溶液と、Ｐｔナノ粒子分散液とを、ＰｔのＹに対する比率（Ｐｔ／Ｙ）が０．０６モル％となるように、混合することにより原料溶液を作製した。
２．酸化物超電導層の形成
（１）塗膜形成工程および仮焼熱処理工程
　ＳＵＳ上にＣｕ層、Ｎｉ層を形成させたクラッド基板の上にＹ２Ｏ３、ＹＳＺ、ＣｅＯ２の３層からなる中間層を設けた基板の上に、作製した原料溶液を塗布し、所定の厚みの塗膜を形成した。その後、大気雰囲気下で５００℃まで昇温して２時間保持後、冷却し、厚さ３００ｎｍの第１層目の仮焼膜を形成した。次に、第１層目と同じ条件で第２層目、第３層目を形成し、３層タイプの仮焼膜を作製した。
（２）本焼熱処理工程
　得られた仮焼膜を、酸素濃度１００ｐｐｍのアルゴン／酸素混合ガス雰囲気下、８００℃まで昇温後、そのまま９０分間保持し、５００℃まで約３時間で降温した時点で雰囲気を酸素１００％に切り替えて、さらに５時間かけて室温まで冷却し、厚さ０．７５μｍのＹ１２３酸化物超電導層が形成された実施例１の酸化物超電導線材を作製した。
（比較例）
　原料溶液として、Ｐｔナノ粒子の分散液を添加していないＭＯＤ溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例の酸化物超電導線材を作製した。
３．酸化物超電導線材の評価
　実施例１、比較例１で得られた酸化物超電導線材について、以下の評価を行った。
（１）断面構造
　Ｓ－ＴＥＭの方法を用いて、実施例１、比較例の酸化物超電導線材に形成された酸化物超電導層の断面を観察した。
　観察結果を、図１および図２に模式的に示す。なお、図１は実施例１、図２は比較例において作成された酸化物超電導線材の模式的な断面図である。図１、図２において、１は基板であり、２は形成されたＹ１２３酸化物超電導層であり、３はＰｔナノ粒子である。
　図１に示すように、実施例１においてはＹ１２３酸化物超電導層２中にＰｔナノ粒子３が均一に分散していることが確認された。一方、図２に示すように、比較例においてはＹ１２３酸化物超電導層２中にナノ粒子の形成は観察されなかった。
（２）Ｉｃの測定
　実施例１および比較例の超電導特性（Ｊｃ、Ｉｃ）を、７７Ｋ、自己磁場下において測定した。測定結果を、表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１より、ナノ粒子が添加された原料溶液を用いることにより（実施例１）、酸化物超電導層内にピンが形成され、このピンが磁束ピンとして充分に機能するため、Ｊｃ，Ｉｃが向上していることが分かる。
（実施例２～４）
　Ｐｔナノ粒子として、表２に示す粒径のＰｔナノ粒子を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２～４の酸化物超電導線材を得た。
　実施例２～４で得られた酸化物超電導線材について、実施例１と同様に、超電導特性（Ｊｃ、Ｉｃ）を測定した。実施例１の結果と併せて、測定結果を、表２に示す。
３．評価結果
　実施例２～４の評価結果を実施例１の評価結果と併せてまとめて表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２より、実施例３、実施例１において実施例２、実施例４よりも高いＩｃが得られていることが分かる。このような結果が得られたのは、実施例３、実施例１においてはＰｔナノ粒子の粒径が５～１００ｎｍであるため、磁束ピン止め点の機能が、より高められているためである。
（実施例６～９）
１．原料溶液の作製
　原料溶液に含まれるにＹに対するＰｔの比（Ｐｔ／Ｙ）を、表３に示すモル％としたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例５～８の酸化物超電導線材を得た。
　実施例５～８で得られた酸化物超電導線材について、実施例１と同様に、超電導特性（Ｊｃ、Ｉｃ）を測定した。実施例１の結果と合わせて、測定結果を、表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３より、実施例６、実施例１、実施例７において実施例５、実施例８よりも高いＩｃが得られていることが分かる。このような結果が得られたのは、実施例６、実施例１、実施例７においてはＰｔとＹのモルが０．０１～１０であるため、磁束ピン止め点の機能が、より一層高められているためである。
　以上、ナノ粒子としてＰｔナノ粒子を用いた例について説明したが、Ａｇ、Ａｕ、ＢａＣｅＯ３、ＣｅＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯ２等のナノ粒子もＰｔナノ粒子と同様の磁束ピン止め機能を有していることが確認された。以上のように、本発明によればより高いＩｃを有する酸化物超電導層を形成することができる。
　以上、本発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
　１　基板、２　Ｙ１２３酸化物超電導層、３　Ｐｔナノ粒子。

Claims (5)

  1. 　塗布熱分解法を用いて基板（１）上に磁束ピン止め点が導入されたＲＥ１２３系の酸化物超電導体（２）を形成するための酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液であって、
    　前記酸化物超電導体（２）を形成するための有機金属化合物を溶解した溶液に、前記ピン止め点を形成するためのナノ粒子（３）を所定量分散させていることを特徴とする酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液。
  2. 　前記ナノ粒子（３）の粒径が、５～１００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液。
  3. 　前記ナノ粒子（３）の原料溶液に対する添加量が、原料溶液中のＲＥ（希土類元素）に対して、０．０１～１０モル％であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液。
  4. 　分散剤が添加されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液。
  5. 　前記有機金属化合物が、フッ素を含まない有機金属化合物であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の酸化物超電導体（２）形成用の原料溶液。
PCT/JP2012/064751 2012-06-08 2012-06-08 酸化物超電導体形成用の原料溶液 WO2013183157A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112012006474.7T DE112012006474T5 (de) 2012-06-08 2012-06-08 Ausgangsmateriallösung zum Bilden eines Oxid-Supraleiters
KR20157000206A KR20150029680A (ko) 2012-06-08 2012-06-08 산화물 초전도체 형성용의 원료 용액
PCT/JP2012/064751 WO2013183157A1 (ja) 2012-06-08 2012-06-08 酸化物超電導体形成用の原料溶液
CN201280073816.6A CN104364856A (zh) 2012-06-08 2012-06-08 用于形成氧化物超导体的原料溶液
US14/405,287 US20150162518A1 (en) 2012-06-08 2012-06-08 Source material solution for forming oxide superconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/064751 WO2013183157A1 (ja) 2012-06-08 2012-06-08 酸化物超電導体形成用の原料溶液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013183157A1 true WO2013183157A1 (ja) 2013-12-12

Family

ID=49711573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/064751 WO2013183157A1 (ja) 2012-06-08 2012-06-08 酸化物超電導体形成用の原料溶液

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150162518A1 (ja)
KR (1) KR20150029680A (ja)
CN (1) CN104364856A (ja)
DE (1) DE112012006474T5 (ja)
WO (1) WO2013183157A1 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007526199A (ja) * 2004-01-16 2007-09-13 アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション ナノドットフラックス・ピン止めセンターを有する酸化物膜

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3854551B2 (ja) * 2002-08-06 2006-12-06 財団法人国際超電導産業技術研究センター 酸化物超電導線材
US7871663B1 (en) * 2005-10-03 2011-01-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Minute doping for YBCO flux pinning
JP5270176B2 (ja) * 2008-01-08 2013-08-21 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター Ｒｅ系酸化物超電導線材及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007526199A (ja) * 2004-01-16 2007-09-13 アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション ナノドットフラックス・ピン止めセンターを有する酸化物膜

Also Published As

Publication number Publication date
CN104364856A (zh) 2015-02-18
DE112012006474T5 (de) 2015-02-26
KR20150029680A (ko) 2015-03-18
US20150162518A1 (en) 2015-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101911218B (zh) Re系氧化物超导线材及其制造方法
CN107922208B (zh) 氧化物超导体及其制造方法
JP5736603B2 (ja) Ｒｅｂｃｏ系酸化物超電導薄膜とその製造方法
Rijckaert et al. Influence of Ba2+ consumption and intermediate dwelling during processing of YBa2Cu3O7 nanocomposite films
WO2013002372A1 (ja) Ｒｅ１２３系超電導線材およびその製造方法
CN110383398B (zh) 氧化物超导薄膜材料、氧化物超导薄膜线材和氧化物超导薄膜的制造方法
Motoki et al. Greatly enhanced flux pinning properties of fluorine-free metal–organic decomposition YBCO films by co-addition of halogens (Cl, Br) and metals (Zr, Sn, Hf)
JP2013235766A (ja) 酸化物超電導薄膜とその形成方法
JP2012174565A (ja) 酸化物超電導体形成用の原料溶液
WO2013179443A1 (ja) 酸化物超電導薄膜とその製造方法
JP2012174564A (ja) 酸化物超電導薄膜とその製造方法
WO2013183157A1 (ja) 酸化物超電導体形成用の原料溶液
JP2012221922A (ja) 酸化物超電導薄膜層形成用の原料溶液、酸化物超電導薄膜層および酸化物超電導薄膜線材
JP5688804B2 (ja) 酸化物超電導薄膜層形成用の中間層、酸化物超電導薄膜層および酸化物超電導薄膜線材
JP2013235765A (ja) 酸化物超電導線材とその製造方法
JP5713440B2 (ja) 酸化物超電導薄膜とその製造方法
JP2011253768A (ja) 酸化物超電導薄膜の製造方法
JP2011253766A (ja) 酸化物超電導薄膜の製造方法
JP2012181963A (ja) 酸化物超電導線材の製造方法
JP2013218799A (ja) 酸化物超電導線材とその製造方法
Jongprateep et al. Compositions and particle sizes of (RE) Ba2Cu3O7-X superconductor powders synthesized by the solution combustion technique
TWI509850B (zh) 超導膜元件及超導膜元件之製備方法
JP2016076343A (ja) Ｒｅ系酸化物超電導線材の製造方法
JP5464194B2 (ja) 酸化物超電導薄膜線材
JP2012129085A (ja) 酸化物超電導薄膜線材とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12878281

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14405287

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112012006474

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120120064747

Country of ref document: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157000206

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12878281

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP