WO2013179762A1 - 基板保持装置及び基板処理装置 - Google Patents

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淳 宮成
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東京応化工業株式会社
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    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls

Definitions

  • the present invention relates to a substrate holding device and a substrate processing apparatus including the same.
  • holding devices described in Patent Documents 1 to 3 are known.
  • the holding device described in Patent Document 1 is provided with an airflow generation mechanism for preventing adhesion of particles in the holding container.
  • the holding device described in Patent Document 2 is provided with a gas supply means for supplying an inert gas into the storage container in order to prevent adhesion of particles.
  • the holding device described in Patent Document 3 is provided with a blower and an exhaust fan for adjusting the temperature and humidity in the storage chamber.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2006-32869 (published on February 2, 2006)” Japanese Patent Publication “Japanese Patent Laid-Open No. 2005-340330 (published on December 8, 2005)” Japanese Patent Publication “Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-46198” (published on March 5, 2009)
  • the thickness (film thickness) of the semiconductor wafer that is the basis of the semiconductor chip is currently 125 ⁇ m to 150 ⁇ m, but it is said that it must be 25 ⁇ m to 50 ⁇ m for the next generation chip. Therefore, in order to obtain a semiconductor wafer having the above thickness, a semiconductor wafer thinning step is indispensable.
  • the semiconductor wafer thinning process is performed as follows. First, a support plate for protecting the semiconductor wafer is attached via a tape or adhesive having adhesive layers on both sides so as to cover the circuit formation surface of the semiconductor wafer. Next, this is reversed, and the back surface of the semiconductor wafer is ground by a cylinder to make it thinner. Subsequently, a dicing tape held by a dicing frame is attached to the back surface of the thinned semiconductor wafer. Further, in this state, the support plate that covers the circuit forming surface of the semiconductor wafer is peeled, and then divided into chips by a dicing apparatus.
  • the dicing tape attached to the other semiconductor wafer is damaged by the volatilized adhesive component and cleaning liquid component. End up.
  • components volatilized from the adhesive and cleaning liquid on the semiconductor wafers, specifically organic solvents, etc. are dicing. There is a problem that the tape is damaged, and the dicing tape is peeled off or deteriorated.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to hold a substrate that can hold the substrate without damaging an adhesive tape such as a dicing tape attached to the substrate.
  • the present invention provides an apparatus and a substrate processing apparatus including the substrate holding apparatus.
  • a substrate holding apparatus includes a holding container for holding a plurality of substrates on which one side has an adhesive tape attached and the other side is treated with a liquid, And an airflow generating means for generating a gas flow from the inside of the holding container to the outside of the holding container.
  • a substrate processing apparatus is characterized by including the above substrate holding apparatus.
  • the substrate holding apparatus has a holding container for holding a plurality of substrates, each having a pressure-sensitive adhesive tape attached to one side and treated with a liquid on the other side, and the inside of the holding container to the outside of the holding container.
  • the air flow generating means for generating the gas flow is provided, so that the substrate can be held without damaging the adhesive tape attached to the substrate.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an outline of a substrate holding apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate holding apparatus 100 includes a holding container 101 and an airflow generation unit.
  • the airflow generation means includes an exhaust unit 103 that sucks the gas in the holding container 101 and exhausts it outside the holding container 101.
  • a support portion 102 that supports the laminated body 10 including the substrate 1, the dicing tape (adhesive tape) 2, and the dicing frame 3 may be provided.
  • a dicing tape 2 formed so that an outer edge portion of the laminate 1 protrudes outside the outer edge portion of the substrate 1 is attached to one surface of the substrate 1.
  • a dicing frame 3 may be attached to the outer edge portion of the dicing tape 2.
  • the substrate 1 is, for example, a thinned semiconductor wafer.
  • the film thickness of the semiconductor wafer is preferably 10 to 150 ⁇ m.
  • the dicing tape 2 holds the substrate 1.
  • the dicing tape 2 only the part which touches the board
  • a resin film such as PVC (polyvinyl chloride), polyolefin, or polypropylene can be used as the base film.
  • the dicing frame 3 prevents slack of the dicing tape 2.
  • a groove for accommodating the laminated body 10 is formed by being divided into a plurality of slots by the support portion 102, and one laminated body is provided for each slot. 10 may be accommodated.
  • the holding container 101 may be a rectangular parallelepiped whose at least one surface can be opened when the stacked body 10 is housed and taken out, and the stacked body 10 may be housed in the holding container 101 from this open surface.
  • the support portion 102 is, for example, a plate-like body that is provided at a position facing each other on each of the two inner walls that intersect the open surface of the holding container 101 and projects from one inner wall toward the other inner wall. May be.
  • the surface of the substrate 1 held in the holding container 101 is treated with a liquid on the surface facing away from the surface to which the dicing tape 2 is attached. That is, a support plate (not shown) that supports the substrate 1 is attached to the surface of the substrate 1 that faces away from the surface to which the dicing tape 2 is attached, during the thinning process of the substrate 1 and the subsequent transport. It is attached.
  • the support plate peels off after the substrate is thinned, but the adhesive used to attach the support plate may remain on the surface of the substrate from which the support plate has been peeled off.
  • the remaining adhesive is removed by washing with a cleaning liquid, but the adhesive may remain on the surface of the substrate after the cleaning and may become wet with the cleaning liquid.
  • the dicing tape of the other substrate 1 stored in the holding container is damaged by the volatilized adhesive component and cleaning liquid component. I will receive it. In this way, not only the contaminated substrate 1 but also the dicing tape of other substrates 1 accommodated adjacently are damaged and the product value is lost, leading to a significant decrease in manufacturing efficiency. End up.
  • the substrate holding apparatus 100 includes an exhaust unit 103 that sucks the gas in the holding container 101 and exhausts the gas outside the holding container 101 to generate a gas flow from the holding container 101 to the outside of the holding container 101. Yes. Therefore, even if the surface of the substrate 1 is contaminated with the adhesive and the cleaning liquid, the volatilized adhesive component and the cleaning liquid component are exhausted out of the holding container 101 along the gas flow generated by the exhaust unit 103. It is possible to prevent the dicing tape of the other substrate 1 from being damaged.
  • the exhaust part 103 may be provided at three places, ie, the upper part, the central part, and the lower part of the side wall of the holding container 101, or may be one of them. Moreover, the exhaust part 103 may be provided in the upper wall or lower wall of the holding
  • FIGS. 3 to 8 are a cross-sectional view (a) and a top view (b) showing an outline of a substrate holding device according to another embodiment of the present invention.
  • one exhaust part 103a may be provided on the lower left side of the side surface of the holding container 101.
  • one exhaust part 103b may be provided on the lower right side of the side surface of the holding container 101.
  • two exhaust parts 103c may be provided on the upper surface of the holding container 101 as in the substrate holding apparatus 100c shown in FIG.
  • one exhaust part 103d may be provided at each of the central parts of the two opposing side surfaces of the holding container 101.
  • an exhaust part 103e is provided on the upper wall of the holding container 101 so as to open toward the entire position facing the outer peripheral part of the stacked body 10. Good.
  • the exhaust portion 103 f provided so as to open to all of the plurality of adjacent stacked bodies 10 is arranged in a direction along the surface of the stacked body 10. Three of them may be arranged.
  • the exhaust unit 103 may include an exhaust duct connected to an exhaust port provided on the outer wall of the holding container 101.
  • the gas in the holding container 101 may be exhausted outside the holding container 101 by connecting the exhaust duct to suction means (not shown) such as a pump and sucking the gas in the holding container 101.
  • the holding container 101 stacks the substrate 1 so that the surface to be treated with the liquid faces the surface of the other adjacent substrate 1 on which the dicing tape 2 is attached, You may hold
  • the dicing tape 2 is swollen and damaged by the adhesive component and the cleaning liquid component volatilized from the substrate 1 whose surface is contaminated. 1 peels off.
  • the exhaust unit 103 includes an opening (not shown) that opens toward a gap between at least one pair of adjacent substrates 1 and 1, and allows the gas in the holding container 101 to pass through the opening. It is preferable to suck. Thereby, the gas between the adjacent substrates 1 and 1 can be exhausted more efficiently. That is, since a gas flow from the inside of the holding container 101 to the outside of the holding container 101 can be generated between the slots in which the stacked bodies 10 are accommodated, the volatilized adhesive component and the cleaning liquid component are adjoined to the adjacent substrate 1. It is possible to prevent the dicing tape 2 affixed to the substrate from being damaged.
  • the exhaust unit 103 only needs to include an opening that opens toward the gap between at least one pair of adjacent substrates 1, 1.
  • the exhaust unit 103 is adjacent to each of the upper portion, the central portion, and the lower portion of the holding container 101. You may provide the opening part opened toward the space
  • the exhaust unit 103 preferably includes a plurality of openings in a direction intersecting the surface of the substrate 1 held in the holding container 101. And it is more preferable that the exhaust part 103 is provided with the opening part opened toward all the space
  • the exhaust unit 103 may include a plurality of openings so that openings are provided at positions corresponding to the plurality of sets of substrates 1 and 1, respectively, or between a plurality of sets of adjacent substrates 1 and 1. You may provide one opening part opened with respect to all. That is, it is preferable that the exhaust unit 103 includes an opening so that an air flow from the inside of the holding container 101 to the outside of the holding container 101 is generated in all of a plurality of adjacent substrates 1 and 1.
  • the exhaust part 103 preferably includes a plurality of openings arranged in a direction along the surface of the substrate 1 held in the holding container 101.
  • the exhaust part 103 preferably includes a plurality of openings arranged in a direction along the surface of the substrate 1 held in the holding container 101.
  • the exhaust unit 103 preferably sucks and exhausts the gas in the holding container 101 so that the flow rate at the opening is 5 m 3 / min or more and 200 m 3 / min or less.
  • the exhaust unit 103 preferably sucks and exhausts the gas in the holding container 101 so that the gas flow in the holding container 101 is substantially uniform.
  • the gas flow in the holding container 101 can be made substantially uniform.
  • substantially uniform means not only when the gas flow in the entire holding container 101 is uniform, but also the gas flow in the holding container 101 where the substrate 1 is held is particularly uniform. This includes cases where
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an outline of a substrate holding apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • the substrate holding device 200 includes a holding container 201, a gas inlet part 204, and an exhaust port.
  • the exhaust port may be connected to the exhaust unit 203.
  • a support unit 202 that supports the laminated body 10 including the substrate 1, the dicing tape 2, and the dicing frame 3 may be provided.
  • a groove for accommodating the laminated body 10 is formed by being divided into a plurality of slots by the support portion 202, and one laminated body is provided for each slot. 10 may be accommodated.
  • the holding container 201 may be a rectangular parallelepiped whose at least one surface can be opened when the stacked body 10 is stored and taken out, and the stacked body 10 may be stored in the holding container 201 from this open surface.
  • the support portion 202 is, for example, a plate-like body that is provided at a position facing each other on each of the two inner walls that intersect the open surface of the holding container 201 and protrudes from one inner wall toward the other inner wall. May be.
  • the substrate holding apparatus 200 includes a gas inlet portion 204 that sends gas into the holding container 201 and an exhaust port that exhausts the gas in the holding container 201 to the outside of the holding container 201, the substrate holding apparatus 200 holds the gas from the holding container 201.
  • a gas flow to the outside of the container 201 can be generated more efficiently. Therefore, even if the surface of the substrate 1 is contaminated with the adhesive and the cleaning liquid, the volatilized adhesive component and the cleaning liquid component are connected to the exhaust unit 203 along the gas flow generated by the gas feeding unit 204. It is possible to prevent the dicing tape of the other substrate 1 from being damaged by being exhausted out of the holding container 201 through the exhausted vent.
  • Gas is not particularly limited from the gas feed join the club 204 is fed, for example, helium, neon, rare gas such as argon, and nitrogen (N 2) include an inert gas such as a gas.
  • the gas inlet part 204 is provided at the center part of the side wall of the holding container 201, and the exhaust part 203 may be connected to the exhaust port provided on the opposite side wall.
  • the container 201 may be provided at three locations, an upper portion, a central portion, and a lower portion of the side wall.
  • the gas inlet part 204 and the exhaust part 203 may be provided so as to face each other on the opposing side walls, or their positions may be shifted in a direction intersecting the surface of the substrate 1. That is, the gas delivery unit 204 and the exhaust unit 203 are not limited in the installation mode, such as the installation position and the number of installations, as long as the gas in the holding container 201 can be sufficiently exhausted outside the holding container 201.
  • the gas inlet unit 204 may include an inlet duct connected to an inlet provided on the outer wall of the holding container 201. Then, the feeding duct may be connected to a blowing means (not shown) to feed gas into the holding container 201.
  • the exhaust unit 203 may include an exhaust duct connected to an exhaust port provided on the outer wall of the holding container 201.
  • the gas in the holding container 201 may be exhausted outside the holding container 201 by connecting the exhaust duct to suction means (not shown) such as a pump and sucking the gas in the holding container 201.
  • the holding container 201 laminates the substrate 1 so that the surface to be treated with the liquid faces the surface of the other adjacent substrate 1 on which the dicing tape 2 is attached, You may hold
  • the gas inflow part 204 is provided with the opening part (not shown) opened toward the space
  • the gas inlet 204 only needs to have an opening that opens toward the gap between at least one pair of adjacent substrates 1, 1.
  • An opening that opens toward the gap between the adjacent substrates 1 and 1 may be provided, and the number of openings and the installation position are not limited.
  • the gas inlet 204 is preferably provided with a plurality of openings in a direction intersecting the surface of the substrate 1 held in the holding container 201.
  • the gas inlet 204 is more preferably provided with an opening that opens toward all the gaps between a plurality of sets of adjacent substrates 1 and 1 held in the holding container 201.
  • the gas inlet 204 may be provided with a plurality of openings so that the openings are provided at positions corresponding to each of the plurality of sets of substrates 1, 1, or a plurality of sets of adjacent substrates 1, 1. You may provide the one opening part opened with respect to all between one. That is, it is preferable that the gas inlet 204 includes an opening so that an air flow from the inside of the holding container 201 to the outside of the holding container 201 is generated in all of the plurality of sets of adjacent substrates 1. .
  • the gas inlet part 204 includes a plurality of openings arranged in a direction along the surface of the substrate 1 held in the holding container 201.
  • the gas inlet part 204 includes a plurality of openings arranged in a direction along the surface of the substrate 1 held in the holding container 201.
  • the gas inlet 204 preferably feeds gas into the holding container 201 so that the flow rate at the opening is 5 m 3 / min or more and 200 m 3 / min or less.
  • the gas feeding unit 204 feeds the gas into the holding container 201 so that the gas flow in the holding container 201 is substantially uniform.
  • the gas inlet 204 feeds gas from the opening at the above-described flow rate, the gas flow in the holding container 201 can be made substantially uniform.
  • substantially uniform means not only the case where the gas flow in the entire holding container 201 is uniform, but also the gas flow in the holding container 201 where the substrate 1 is particularly held is uniform. This includes cases where
  • a substrate processing apparatus includes the substrate holding apparatus according to the present invention. That is, since the substrate holding apparatus 100 and the substrate holding apparatus 200 described above are an embodiment of the holding apparatus included in the substrate processing apparatus according to the present invention, the description of the substrate processing apparatus according to the present invention is as follows. In accordance with the description of the holding device 200.
  • a substrate processing method including a step of holding the substrate 1 on the holding device 100 or the substrate holding device 200 is also included in the scope of the present invention.
  • a dicing tape having a dicing frame was attached to one side of a thinned 12-inch silicon wafer (thickness: 50 ⁇ m) to prepare a laminate.
  • the surface of the wafer facing away from the surface on which the dicing tape was attached was coated with an adhesive containing an organic solvent component to form an adhesive layer of 70 ⁇ m (use the coated adhesive without baking)
  • an adhesive containing an organic solvent component to form an adhesive layer of 70 ⁇ m (use the coated adhesive without baking)
  • the state where the wafer was contaminated with an organic solvent or the like was reproduced (contaminated laminate).
  • a laminate (normal laminate) in which the substrate was not coated with an adhesive was prepared.
  • the substrate holding device As the substrate holding device, a substrate holding device in which the inside of the substrate holding device was divided by a plurality of support portions and 13-stage slots were formed was used. The surface where the laminated body is accommodated was opened by the robot arm, and the produced laminated body was accommodated.
  • the normal laminate is accommodated in the upper slot containing the contaminated laminate so that the wafer side surface of the contaminated laminate and the dicing tape side surface of the normal laminate face each other to form a set of laminates.
  • Such a set of laminated bodies was accommodated in the upper part, the central part, and the lower part of the substrate holding device, respectively.
  • the substrate holding apparatus 100a (Example 1) provided with one exhaust part 103a on the lower left side of the holding container side surface, and on the lower right side of the holding container side surface as shown in FIG.
  • a substrate holding apparatus 100b (Example 2) provided with one exhaust part 103b, as shown in FIG. 5, a substrate holding apparatus 100c (Example 3) provided with two exhaust parts 103c on the upper surface of the holding container, and FIG.
  • a substrate holding apparatus 100d (Example 4) in which one exhaust part 103d is provided at each of the center portions of two opposing side surfaces of the holding container, and the upper wall of the holding container is laminated as shown in FIG.
  • a substrate holding device 100e (Example 5) provided with an exhaust part 103e having an opening directed to the entire position facing the outer peripheral part of the body, as shown in FIG. Opening opening
  • An exhaust 103f having three sequences to the direction along the surface of the laminate is provided a substrate holding apparatus 100f (Example 6) were used, respectively.
  • a substrate holding device not provided with an exhaust part was used.
  • the open surface opened to accommodate each stacked body remains open as shown in FIG. Was processed. Further, in the substrate holding device of the comparative example, the open surface was similarly left open.
  • the exhaust duct has a diameter of about 50 mm.
  • the exhaust duct is further connected to a duct having a diameter of about 100 mm, and the inside of the substrate holding device is 2 m 3 / min. The gas was sucked and exhausted.
  • each set of laminated bodies was left for 5 hours in a state where the laminated bodies were accommodated, and the damage received by the dicing tape of the normal laminated bodies was visually confirmed.
  • the present invention can be used for holding a thinned wafer, for example.

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Abstract

　基板保持装置（１００）は、その片面にダイシングテープ（２）が貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板（１）を、複数保持するための保持容器（１０１）と、保持容器（１０１）内から保持容器（１０１）外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えている。

Description

基板保持装置及び基板処理装置
　本発明は、基板保持装置及びこれを備えた基板処理装置に関する。
　基板処理装置において処理中又は処理後の基板を保持する保持装置として、特許文献１～３に記載された保持装置が知られている。特許文献１に記載の保持装置には、保持容器内でのパーティクルの付着を防ぐための気流発生機構が設けられている。また、特許文献２に記載の保持装置には、パーティクルの付着を防ぐために、収容容器内に不活性ガスを供給するガス供給手段が設けられている。さらに、特許文献３に記載の保持装置には、格納室内の温度及び湿度を調節するための送風器及び排気ファンが設けられている。
日本国公開特許公報「特開２００６－３２８６９号公報（２００６年２月２日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００５－３４０３３０号公報（２００５年１２月８日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００９－４６１９８号公報（２００９年３月５日公開）」
　近年、ＩＣカード、携帯電話などの電子機器の薄型化、小型化、軽量化などが要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となる半導体ウェハの厚さ（膜厚）は現状では１２５μｍ～１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ～５０μｍにしなければならないといわれている。したがって、上記膜厚の半導体ウェハを得るためには、半導体ウェハの薄板化工程が必要不可欠である。
　半導体ウェハの薄板化工程は次のように行なう。まず、半導体ウェハの回路形成面を覆うように、半導体ウェハを保護するためのサポートプレートを、両面に接着層を有するテープまたは接着剤を介して貼り付ける。次に、これを反転して、半導体ウェハの裏面をクラインダーによって研削して薄板化する。続いて、薄板化した半導体ウェハの裏面に、ダイシングフレームに保持されているダイシングテープを貼り付ける。さらに、この状態で半導体ウェハの回路形成面を覆うサポートプレートを剥離した後、ダイシング装置によって各チップに分割する。
　上記のように薄板化工程を行った場合、サポートプレートを剥離した後、半導体ウェハの回路形成面に、接着剤等が残存してしまう。このため、付着している接着剤等を洗浄液で洗浄して除去する。そして、洗浄後の半導体ウェハは、ダイシング等のその後の処理に供されるまで、カセット等の収容容器内に保持される。
　このとき、洗浄後の半導体ウェハ上が、残存する接着剤及び洗浄液により汚染されていると、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分により、他の半導体ウェハに貼り付けられたダイシングテープがダメージを受けてしまう。特に、複数の半導体ウェハを、それぞれ、隣接する半導体ウェハのダイシングテープ側に対向するように積層した場合、半導体ウェハ上の接着剤及び洗浄液から揮発した成分、具体的には有機溶剤等が、ダイシングテープにダメージを与え、ダイシングテープが剥離したり、変質したりするという問題がある。
　この問題により、汚染された半導体ウェハのみならず、隣接して保持した他の半導体ウェハに貼り付けられたダイシングテープまでダメージを受けてしまうので、製造効率の重大な低下に繋がってしまう。特許文献１～３に記載の保持装置では、このようなダイシングテープのダメージについて考慮されていないため、接着剤成分及び洗浄液成分によるダイシングテープへのダメージを防ぐことができない。したがって、ダイシングテープにダメージを与えることなく、半導体ウェハを保持することが可能な保持装置が望まれている。
　本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に貼り付けられたダイシングテープのような粘着テープにダメージを与えることなく、基板を保持することが可能な基板保持装置、及び当該基板保持装置を備えた基板処理装置を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る基板保持装置は、その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えていることを特徴としている。
　また、本発明に係る基板処理装置は、上記基板保持装置を備えたことを特徴としている。
　本発明に係る基板保持装置は、その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えているので、基板に貼り付けられた粘着テープにダメージを与えることなく基板を保持することができる。
本発明の一実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。 本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。 本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。 本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。 本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。 本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。 本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。 本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
　〔基板保持装置〕
　（第１実施形態）
　本発明の一実施形態に係る基板保持装置について、図１を参照して以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図１に示すように、基板保持装置１００は、保持容器１０１及び気流発生手段を備えている。気流発生手段は、保持容器１０１内の気体を吸引して、保持容器１０１外に排気する排気部１０３を備えている。保持容器１０１内には、基板１、ダイシングテープ（粘着テープ）２及びダイシングフレーム３を含む積層体１０を支持する支持部１０２が設けられていてもよい。
　積層体１０において、基板１の片面には、その外縁部分が基板１の外縁部分よりも外側にはみ出すように形成されたダイシングテープ２が貼り付けられている。ダイシングテープ２の外縁部分には、ダイシングフレーム３が取り付けられていてもよい。基板１は、例えば、薄化された半導体ウェハである。半導体ウェハの膜厚は、１０～１５０μｍであることが好ましい。
　ダイシングテープ２は、基板１を保持するものである。ダイシングテープ２は、少なくとも基板１に接する部分のみが粘着性を有していればよい。ダイシングテープ２としては、例えば、ベースフィルムがＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やポリオレフィン、ポリプロピレン等の樹脂フィルムを用いることができる。ダイシングフレーム３は、ダイシングテープ２の弛みを防止するものである。
　保持容器１０１内は、複数の積層体１０を保持するために、支持部１０２により複数のスロットに分割されて積層体１０を収容するための溝が形成されており、各スロットに１つの積層体１０を収容するようになっていてもよい。保持容器１０１は積層体１０の収容時及び取り出し時に少なくとも１面が開放可能な直方体であってもよく、この開放面から積層体１０を保持容器１０１内に収容してもよい。支持部１０２は、例えば、保持容器１０１の開放面に交差する２つの内壁のそれぞれにおいて、互いに対向する位置に設けられており、一方の内壁から他方の内壁に向かって突出する板状体であってもよい。
　ここで、保持容器１０１内に保持される基板１は、ダイシングテープ２が貼り付けられた面に背向する面が液体により処理される。すなわち、基板１のダイシングテープ２が貼着された面に背向する面には、基板１の薄板化工程及びその後の搬送時等において、基板１を支持するサポートプレート（図示せず）が貼り付けられている。サポートプレートは、基板の薄板化処理後に剥離するが、サポートプレートを剥離した基板表面には、サポートプレートを貼り付けるために使用した接着剤が残存することがある。
　残存する接着剤は洗浄液を用いて洗浄して除去するが、洗浄後の基板表面に接着剤が残存し、さらに洗浄液により濡れた状態となる場合がある。この場合、接着剤及び洗浄液により表面が汚染された基板を保持容器内に収容すると、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分によって、保持容器内に収容された他の基板１のダイシングタテープがダメージを受けてしまう。このように、汚染された基板１のみならず、隣接して収容した他の基板１のダイシングタテープまでがダメージを受けて製品価値が失われてしまうので、製造効率の重大な低下に繋がってしまう。
　基板保持装置１００は、保持容器１０１内の気体を吸引して、保持容器１０１外に排気することによって、保持容器１０１内から保持容器１０１外への気体の流れを生じさせる排気部１０３を備えている。したがって、基板１表面が接着剤及び洗浄液により汚染されていたとしても、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分は、排気部１０３が生じさせた気体の流れにのって保持容器１０１外に排気され、他の基板１のダイシングテープにダメージを与えるのを防ぐことができる。
　排気部１０３は、図１に示すように、保持容器１０１の側壁の上部、中央部、及び下部の３箇所に設けられていてもよいし、いずれか１箇所であってもよい。また、排気部１０３は、保持容器１０１の上壁又は下壁に設けられていてもよいし、対向する側壁の両方に設けられていてもよい。さらに、排気部１０３は、保持容器１０１の上壁又は下壁において、基板１の外周部に対応する位置全体から気体を排気するようになっていてもよい。すなわち、排気部１０３は、保持容器１０１内の気体を保持容器１０１外に十分に排気できれば、その設置位置、設置数等の設置態様は限定されない。
　ここで、排気部１０３の設置位置の例を図３～８に示す。図３～８は、本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。図３に示す基板保持装置１００ａのように、保持容器１０１の側面の下部左側に、排気部１０３ａが１つ設けられていてもよい。また、図４に示す基板保持装置１００ｂのように、保持容器１０１の側面の下部右側に、排気部１０３ｂが１つ設けられていてもよい。さらに、図５に示す基板保持装置１００ｃのように、保持容器１０１の上面に、排気部１０３ｃが２つ設けられていてもよい。
　また、図６に示す基板保持装置１００ｄのように、保持容器１０１の対向する２つの側面の中央部に、排気部１０３ｄがそれぞれ１つ設けられていてもよい。さらに、図７に示す基板保持装置１００ｅのように、保持容器１０１の上壁において、積層体１０の外周部に対向する位置全体に向けて開口するように、排気部１０３ｅが設けられていてもよい。また、図８に示す基板保持装置１００ｆのように、複数組の隣接する積層体１０間の全てに対して開口するように設けられた排気部１０３ｆが、積層体１０の面に沿った方向に３つ配列して設けられていてもよい。
　排気部１０３は、保持容器１０１の外壁に設けられた排気口に接続された排気ダクトを備えていてもよい。当該排気ダクトをポンプ等の吸引手段（図示せず）に連結し、保持容器１０１内の気体を吸引させることによって、保持容器１０１内の気体を保持容器１０１外に排気してもよい。
　保持容器１０１は、図１に示すように、基板１を、液体により処理される面が、隣接する他の基板１におけるダイシングテープ２が貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する基板１・１同士が接触しないように保持するようになっていてもよい。このように、保持容器１０１内に複数の基板１を積層して保持すると、表面が汚染された基板１から揮発した接着剤成分及び洗浄液成分によって、ダイシングテープ２が膨潤してダメージを受け、基板１から剥離してしまう。
　そこで、排気部１０３は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口している開口部（図示せず）を備え、当該開口部を介して保持容器１０１内の気体を吸引することが好ましい。これにより、隣接する基板１・１間の気体をより効率よく排気することができる。すなわち、各積層体１０が収容されるスロット間において、保持容器１０１内から保持容器１０１外への気体の流れを生じさせることができるので、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分が、隣接する基板１に貼り付けられたダイシングテープ２にダメージを与えるのを防ぐことができる。
　排気部１０３は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていればよいが、例えば、保持容器１０１の上部、中央部及び下部のそれぞれにおいて、隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていてもよく、開口部の数及び設置位置は限定されない。排気部１０３は、保持容器１０１内に保持される基板１の面に交差する方向に複数の開口部を備えていることが好ましい。そして、排気部１０３は、保持容器１０１内に保持される複数組の隣接する基板１・１間の全ての空隙に向かって開口している開口部を備えていることがより好ましい。
　排気部１０３は、複数組の基板１・１間のそれぞれに対応する位置に開口部が設けられるように、複数の開口部を備えていてもよいし、複数組の隣接する基板１・１間の全てに対して開口した１つの開口部を備えていてもよい。すなわち、排気部１０３は、複数組の隣接する基板１・１間の全てにおいて、保持容器１０１内から保持容器１０１外への気流が発生するように、開口部を備えていることが好ましい。
　排気部１０３は、保持容器１０１内に保持される基板１の面に沿った方向に配列した複数の開口部を備えていることが好ましい。このように、基板１の面に沿った方向に複数の開口部が設けられていることによって、隣接する基板１・１間の気体をより効率よく排気することができる。
　排気部１０３は、開口部における流量が５ｍ３／分以上、２００ｍ３／分以下になるように、保持容器１０１内の気体を吸引し、排気することが好ましい。
　また、排気部１０３は、保持容器１０１内の気体の流れが実質的に均一になるように、保持容器１０１内の気体を吸引し、排気することが好ましい。例えば、排気部１０３が、上述した流量で開口部から気体を吸引して排気すれば、保持容器１０１内の気体の流れを実質的に均一にすることができる。ここで、「実質的に均一」とは、保持容器１０１内全体の気体の流れが均一である場合のみならず、保持容器１０１内の特に基板１が保持されている箇所の気体の流れが均一である場合も含む。
　（第２実施形態）
　本発明の他の実施形態に係る基板保持装置について、図２を参照して以下に説明する。図２は、本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図２に示すように、基板保持装置２００は、保持容器２０１、気体送入部２０４、及び排気口を備えている。排気口は、排気部２０３に連結されていてもよい。保持容器２０１内には、基板１、ダイシングテープ２及びダイシングフレーム３を含む積層体１０を支持する支持部２０２が設けられていてもよい。
　保持容器２０１内は、複数の積層体１０を保持するために、支持部２０２により複数のスロットに分割されて積層体１０を収容するための溝が形成されており、各スロットに１つの積層体１０を収容するようになっていてもよい。保持容器２０１は積層体１０の収容時及び取り出し時に少なくとも１面が開放可能な直方体であってもよく、この開放面から積層体１０を保持容器２０１内に収容してもよい。支持部２０２は、例えば、保持容器２０１の開放面に交差する２つの内壁のそれぞれにおいて、互いに対向する位置に設けられており、一方の内壁から他方の内壁に向かって突出する板状体であってもよい。
　基板保持装置２００は、保持容器２０１内に気体を送り込む気体送入部２０４と、保持容器２０１内の気体を保持容器２０１外に排気する排気口とを備えているので、保持容器２０１内から保持容器２０１外への気体の流れをより効率よく生じさせることができる。したがって、基板１表面が接着剤及び洗浄液により汚染されていたとしても、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分は、気体送入部２０４が生じさせた気体の流れにのって、排気部２０３に連結された排気口を介して保持容器２０１外に排気され、他の基板１のダイシングテープにダメージを与えるのを防ぐことができる。
　気体送入部２０４から送入される気体は特に限定されないが、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス、及び窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスが挙げられる。
　気体送入部２０４は、図２に示すように、保持容器２０１の側壁の中央部に設けられ、その対向する側壁に設けられた排気口に排気部２０３が連結されていてもよいし、保持容器２０１の側壁の上部、中央部、及び下部の３箇所に設けられていてもよい。また、気体送入部２０４と排気部２０３とは、対向する側壁において向かい合うように設けられていてもよいし、基板１の面に交差する方向にその位置がずれていてもよい。すなわち、気体送入部２０４及び排気部２０３は、保持容器２０１内の気体を保持容器２０１外に十分に排気できれば、その設置位置、設置数等の設置態様は限定されない。
　気体送入部２０４は、保持容器２０１の外壁に設けられた送入口に接続された送入ダクトを備えていてもよい。そして、当該送入ダクトを送風手段（図示せず）に連結し、保持容器２０１内に気体を送入してもよい。
　また、排気部２０３は、保持容器２０１の外壁に設けられた排気口に接続された排気ダクトを備えていてもよい。当該排気ダクトをポンプ等の吸引手段（図示せず）に連結し、保持容器２０１内の気体を吸引させることによって、保持容器２０１内の気体を保持容器２０１外に排気してもよい。
　保持容器２０１は、図１に示すように、基板１を、液体により処理される面が、隣接する他の基板１におけるダイシングテープ２が貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する基板１・１同士が接触しないように保持するようになっていてもよい。
　そして、気体送入部２０４は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口している開口部（図示せず）を備え、当該開口部を介して保持容器２０１内に気体を送入することが好ましい。これにより、各積層体１０が収容されるスロット間において、保持容器２０１内から保持容器２０１外への気体の流れを生じさせることができるので、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分が、隣接する基板１に貼り付けられたダイシングテープ２にダメージを与えるのを防ぐことができる。
　気体送入部２０４は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていればよいが、例えば、保持容器２０１の上部、中央部及び下部のそれぞれにおいて、隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていてもよく、開口部の数及び設置位置は限定されない。気体送入部２０４は、保持容器２０１内に保持される基板１の面に交差する方向に複数の開口部を備えていることが好ましい。そして、気体送入部２０４は、保持容器２０１内に保持される複数組の隣接する基板１・１間の全ての空隙に向かって開口している開口部を備えていることがより好ましい。
　気体送入部２０４は、複数組の基板１・１間のそれぞれに対応する位置に開口部が設けられるように、複数の開口部を備えていてもよいし、複数組の隣接する基板１・１間の全てに対して開口した１つの開口部を備えていてもよい。すなわち、気体送入部２０４は、複数組の隣接する基板１・１間の全てにおいて、保持容器２０１内から保持容器２０１外への気流が発生するように、開口部を備えていることが好ましい。
　気体送入部２０４は、保持容器２０１内に保持される基板１の面に沿った方向に配列した複数の開口部を備えていることが好ましい。このように、基板１の面に沿った方向に複数の開口部が設けられていることによって、隣接する基板１・１間に排気部２０３に向かう気体の流れをより効率よく生じさせることができる。
　気体送入部２０４は、開口部における流量が５ｍ３／分以上、２００ｍ３／分以下になるように、保持容器２０１内に気体を送り込むことが好ましい。
　また、気体送入部２０４は、保持容器２０１内の気体の流れが実質的に均一になるように、保持容器２０１内に気体を送り込むことが好ましい。例えば、気体送入部２０４が、上述した流量で開口部から気体を送り込めば、保持容器２０１内の気体の流れを実質的に均一にすることができる。ここで、「実質的に均一」とは、保持容器２０１内全体の気体の流れが均一である場合のみならず、保持容器２０１内の特に基板１が保持されている箇所の気体の流れが均一である場合も含む。
　〔基板処理装置〕
　本発明に係る基板処理装置は、本発明に係る基板保持装置を備えたことを特徴としている。すなわち、上述した基板保持装置１００及び基板保持装置２００は、本発明に係る基板処理装置が備える保持装置の一実施形態であるため、本発明に係る基板処理装置の説明は、保持装置１００及び基板保持装置２００の説明に準じる。
　なお、保持装置１００又は基板保持装置２００に基板１を保持する工程を包含する基板処理方法も、本発明の範疇に含まれる。
　保持容器における排気部の形成位置が、ダイシングテープが受けるダメージに及ぼす影響を調べた。
　まず、薄化処理した１２インチシリコンウェハ（厚さ５０μｍ）の片面に、ダイシングフレームを有するダイシングテープを貼り付け、積層体を作成した。ウェハのダイシングテープが貼り付けられた面に背向する面を、有機溶剤成分を含む接着剤を用いてコーティングし、７０μｍの接着剤層を形成した（コーティングした接着剤をベークせずに用いることで、ウェハが有機溶剤等で汚染した状態を再現した（汚染積層体））。また、比較対照として、基板を接着剤によりコーティングしていない積層体（正常積層体）を作成した。
　基板保持装置として、複数の支持部により基板保持装置内を分割し、１３段のスロットが形成された基板保持装置を用いた。ロボットアームにより積層体が収容される面を開口し、作成した積層体を収容した。
　汚染積層体を収容した上段のスロットに、汚染積層体のウェハ側の面と正常積層体のダイシングテープ側の面とが対向するように、正常積層体を収容し、１組の積層体とした。このような積層体の組を、基板保持装置の上部、中央部及び下部にそれぞれ収容した。
　実施例として、図３に示すように、保持容器側面の下部左側に１つの排気部１０３ａを設けた基板保持装置１００ａ（実施例１）、図４に示すように、保持容器側面の下部右側に１つの排気部１０３ｂを設けた基板保持装置１００ｂ（実施例２）、図５に示すように、保持容器上面に２つの排気部１０３ｃを設けた基板保持装置１００ｃ（実施例３）、図６に示すように、保持容器の対向する２つの側面の中央部にそれぞれ１つの排気部１０３ｄを設けた基板保持装置１００ｄ（実施例４）、図７に示すように、保持容器の上壁において、積層体の外周部に対向する位置全体に向けた開口部を有する排気部１０３ｅを設けた基板保持装置１００ｅ（実施例５）、図８に示すように、複数組の隣接する積層体間の全てに対して開口した開口部を有する排気部１０３ｆを、積層体の面に沿った方向に３つ配列して設けた基板保持装置１００ｆ（実施例６）をそれぞれ用いた。比較例として、排気部を備えていない基板保持装置を用いた。
　実施例１～６の各基板保持装置１００ａ～１００ｆにおいて、各積層体を収容するために開口した開放面は、図３～８の各図中（ｂ）に示すように開口したままで、以下の処理を行った。また、比較例の基板保持装置においても、同様に開放面は開口したままにした。
　実施例１～６の各基板保持装置に設けられた排気部において、排気ダクトは直径約５０ｍｍであり、当該排気ダクトをさらに直径約１００ｍｍのダクトに連結し、２ｍ３／ｍｉｎで基板保持装置内の気体を吸引排気した。実施例１～６及び比較例の基板保持装置内に、各組の積層体を収容した状態で５時間放置し、正常積層体のダイシングテープが受けるダメージを目視により確認した。
　その結果、実施例１～６の全てにおいて、保持容器内における収容位置に関わらず、正常積層体のダイシングテープはほとんどダメージを受けなかった、一方、比較例においては、全ての収容位置において、正常積層体のダイシングテープ全面が膨潤し、ウェハから剥離していた。
　実施例１～５においては、排気部からより遠い位置に収容された正常積層体のダイシングテープにおいて、他の位置に収容された正常積層体のダイシングテープと比較してわずかにダイシングテープの膨潤が見られた。また、膨潤が見られたダイシングテープにおいて、排気部の設置位置側の部分が、他の位置よりもわずかに多く膨潤していた。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明は、例えば、薄板化ウェハの保持等に利用することができる。
　１　　　基板
　２　　　ダイシングテープ
　３　　　ダイシングフレーム
　１０　　積層体
　１００　基板保持装置
　１０１　保持容器
　１０３　排気部
　２００　基板保持装置
　２０１　保持容器
　２０３　排気部
　２０４　気体送入部
 

Claims (9)

  1. 　その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、
    　上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段と、
    を備えていることを特徴とする基板保持装置。
  2. 　上記気流発生手段は、上記保持容器内の気体を吸引して、上記保持容器外に排気する排気部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
  3. 　上記保持容器は、上記基板を、液体により処理される面が、隣接する他の基板における粘着テープが貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する上記基板同士が接触しないように保持するようになっており、
    　上記排気部は、少なくとも一組の隣接する上記基板間の空隙に向かって開口している開口部を備え、当該開口部を介して上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
  4. 　上記開口部は、複数組の隣接する上記基板間の全ての空隙に向かって開口していることを特徴とする請求項３に記載の基板保持装置。
  5. 　上記排気部は、上記保持容器内に保持される上記基板の面に沿った方向に配列した複数の上記開口部を備えていることを特徴とする請求項３又は４に記載の基板保持装置。
  6. 　上記排気部は、上記開口部における流量が５ｍ３／分以上、２００ｍ３／分以下になるように、上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項３～５のいずれか１項に記載の基板保持装置。
  7. 　上記排気部は、上記保持容器内の気体の流れが実質的に均一になるように、上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項２～６のいずれか１項に記載の基板保持装置。
  8. 　上記気流発生手段は、上記保持容器内に気体を送り込む気体送入部を備え、
    　上記保持容器には、上記保持容器内の気体を上記保持容器外に排気する排気口が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の基板保持装置を備えたことを特徴とする基板処理装置。
     
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