TWM539151U

TWM539151U - 用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統

Info

Publication number: TWM539151U
Application number: TW106200052U
Authority: TW
Inventors: Xi-Ming Yan
Original assignee: Cisom International Co Ltd
Priority date: 2017-01-04
Filing date: 2017-01-04
Publication date: 2017-04-01

Description

用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統

本創作係關於半導體薄型晶圓的輸送系統，特別的是在半導體晶圓薄型化的不同製程階段，如貼附用來保護半導體晶圓的支持板、研削半導體晶圓、剝離包覆該經薄型化的半導體晶圓正面的支持板…等，之間的薄型晶圓輸送。更確切地說，本創作係關於一種用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統。

隨著科技的進步，電子產品的微小化為必須的發展趨勢，因此封裝完成的IC電子元件必須達到體積最小化及密度高之要求。在縮小封裝厚度的方法上，IC電子元件在線寬及厚度已到了縮小的極限，為了更進一步實現封裝尺寸的縮小，就有必要減少晶圓的厚度。然而，當晶圓的厚度減薄至300微米以下時，若採用一般真空吸盤吸取該薄型的晶圓會容易因為施力過大或不平均而導致該晶圓破碎。

半導體晶圓薄型化的製程包括：(1)利用兩面具有黏著層的黏著膠帶或黏著劑來貼附用來保護半導體晶圓的支持板，使其包覆半導體晶圓佈置有積體電路的一表面(正面)；(2)將該半導體晶圓翻轉，利用研磨機來研削該半導體晶圓的背面以進行晶圓薄型化；(3)對經薄型化的半導體晶圓的背面進行微粒清洗或蝕刻；(4)剝離包覆該經薄型化的半導體晶圓正面的支持板；(5)對該經薄型化的半導體晶圓的正面進行殘膠清洗；(6)將該經薄型化的半導體晶圓的背面固定在一晶圓框架(tape frame)上；(7)切割該經薄型化的半導體晶圓以獲得晶粒。

在前述的半導體晶圓薄型化製程中，若使用傳統自動化傳送晶圓的方式，例如真空吸引或靜電吸附，在各個薄型化製程工作站之間傳送經薄型化的晶圓，會容易使薄型晶圓在交接的過程中產生破裂。因此，爲了避免在傳送與處理期間損壞薄型晶圓，現今已經發展出多種針對薄型晶圓的傳送設備，其中一種為利用伯努利原理而發展出的伯努利末端執行器，其通常被安裝固定在傳送裝置之機械手臂的前端，用於承載和取放薄型晶圓。該伯努利末端執行器具有一中空的氣體傳送通道，且該氣體傳送通道的兩側分別設置進氣孔和出氣孔。藉由從該進氣孔注入一壓縮氣體，使該壓縮氣體沿著該氣體傳送通道從該出氣孔高速噴出，進而帶動該出氣孔周圍的空氣往該出氣孔高速地流動以產生吸附作用。

然而，在習知的伯努利末端執行器中，為了產生足夠大的吸附力以及足夠廣的吸附區域，必須在該進氣孔注入至少2.5公斤的壓縮氣體。也就是說，注入之壓縮氣體產生的作用力與實際需要的吸附力有相當大的落差，故若是單一出氣孔設計不當時容易發現單點吸附力過大的問題。意味著，在習知的伯努利末端執行器中存在難以精細地調控實際產生之吸附力和吸附區域的問題。因此，當藉由習知的伯努利末端執行器傳送厚度減薄至100微米，甚至是75微米以下的晶圓時仍存在相當高的破片率。另外，習知的晶圓傳送機具在將該薄型晶圓交接至半導體製程機台的過程亦容易使該薄型晶圓有容易破片的問題。

有鑑於此，如何創作出將一種新的伯努利末端執行器以及與該伯努利末端執行器相配合的晶圓承載台應用於半導體晶圓薄型化製程區，以解決習知技術中存在的技術問題，將是本創作所欲積極揭露之處。

本創作之目的在於提供一種用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統，其中一伯努利末端執行器係通過改變氣體傳送通道和與薄型晶圓接觸之表面的設計，以在該伯努利末端執行器生成均勻分布的吸附力和足夠寬廣的吸附區域，進而達到縮減注入之氣體量，並且可解決因單點吸附力過大導致晶圓破片的問題；並且，其中設置於半導體晶圓薄型化製程機台的晶圓承載台係與該伯努利末端執行器於空間上相配合，以達到該薄型晶圓在該伯努利末端執行器與該晶圓承載台交接的過程中不會發生破片的目的。

為達上述目的及其他目的，本創作提出一種用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統，包括：一第一半導體設備，具有一第一晶圓承載台；一第二半導體設備，具有一第二晶圓承載台；以及一伯努利末端執行器，用於在該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台之間傳送一薄型晶圓，包含：一本體，包含一第一面和一相對該第一面之第二面，並且該本體沿著該第一面形成有一進氣孔和至少一第一出氣孔，以及該本體沿著該第二面形成有一氣體傳送通道，其中該氣體傳送通道連通該進氣孔和該至少一第一出氣孔；以及一間隔蓋板，覆蓋在該氣體傳送通道上，其中該本體在該氣體傳送通道內具有相對該本體之該第二面不同深度的第一階梯面和第二階梯面；其中，該本體包含一用於與一機械手臂組合之延伸部和一用於承載該薄型晶圓之U型承載部；其中，該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台設有複數個承載件，各該承載件係一中空結構，其包含：一墊片，其用於接觸該薄型晶圓之表面；一殼體，其連接該墊片；以及一復位元件，其環繞該殼體之部分外部。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該本體之該第一面設置有一感測器。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該本體沿著該第一面設置有複數個溝槽和一連通該等溝槽之連接通道，並且該至少一第一出氣孔形成在該本體之該連接通道之位置。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該等溝槽為依序排列的半環形溝槽，並且該等溝槽的長度依序遞增。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該第二階梯面相對該本體之該第二面的深度大於該第一階梯面相對該本體之該第二面的深度，並且該至少一第一出氣孔設置在靠近該第一階梯面與該第二階梯面交接的位置。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該至少一第一出氣孔設置在該第二階梯面上。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該氣體傳送通道延伸至該本體之一側邊以形成至少一第二出氣孔，並且該至少一第二出氣孔的出氣方向垂直於該至少一第一出氣孔的出氣方向。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該至少一第二出氣孔的出氣方向平行於該伯努利末端執行器之行進方向。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該墊片之厚度為3微米至5微米。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該復位元件係彈簧。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該等承載件係以一圓環狀之方式等距離設置於該晶圓承載台上。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該U型承載部具一容置空間，當該伯努利末端執行器將該薄型晶圓放置或移離於該等承載件上時，該等承載件係位於該容置空間中。

為達上述目的及其他目的，本創作復提出一種用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統，包括：一第一半導體設備，具有一第一晶圓承載台；一第二半導體設備，具有一第二晶圓承載台；以及一伯努利末端執行器，用於在該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台之間傳送傳送一薄型晶圓，包含：一本體，包含一第一面和一相對該第一面之第二面，並且該本體沿著該第一面形成有一進氣孔和至少一第一出氣孔，以及該本體沿著該第二面形成有一氣體傳送通道，其中該氣體傳送通道連通該進氣孔和該至少一第一出氣孔；以及一間隔蓋板，覆蓋在該氣體傳送通道上，其中該本體沿著該第一面設置有複數個溝槽和一連通該等溝槽之連接通道，以及該至少一第一出氣孔形成在該本體之該連接通道之位置；其中，該本體包含一用於與一機械手臂組合之延伸部和一用於承載該薄型晶圓之U型承載部；其中，該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台設有複數個承載件，各該承載件係一中空結構，其包含：一墊片，其用於接觸該薄型晶圓之表面；一殼體，其連接該墊片；以及一復位元件，其環繞該殼體之部分外部。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該本體在該氣體傳送通道內具有相對該本體之該第二面不同深度的第一階梯面和第二階梯面。

本創作其中之一較佳實施例當中，其中該復位元件係彈簧。

藉此，本創作藉由在氣體傳送通道設置階梯差，以及在伯努利末端執行器上與薄型晶圓接觸的表面設置多個依序排列的溝槽，使得該伯努利末端執行器能生成均勻分布的吸附力和足夠寬廣的吸附區域，故能有效地降低注入之壓縮氣體的力道，以縮減注入之壓縮氣體的力道與實際對於薄型晶圓單點所需的吸附力之間的差距，進而解決因對薄型晶圓單點施加的吸附力過大導致破片的問題。另外，本創作藉由將複數個承載件以一圓環狀的方式等距離設置於半導體晶圓薄型化製程機台的晶圓承載台上，並使該等承載件與具有一U型承載部的伯努利末端執行器於空間上相互配合，來達到該薄型晶圓在該伯努利末端執行器與該晶圓承載台交接的過程中不會發生破片的目的。

為充分瞭解本創作之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體之實施例，並配合所附之圖式，對本創作做一詳細說明，說明如後：

請參照圖1、圖3及圖4，其圖1表示本創作之晶圓輸送系統於半導體晶圓薄型化製程區中的運作示意圖；圖3顯示一種根據本創作之第一較佳實施例之伯努利末端執行器20的上視立體圖；以及圖4顯示圖3之伯努利末端執行器20的下視平面圖。

該半導體晶圓薄型化製程區中包括第一半導體設備10A及第二半導體設備10B。該第一半導體設備10A及該第二半導體設備10B可為半導體晶圓薄型化的製程中之黏片機、研磨機、蝕刻清洗機台或框架移除器，但不以此為限。該第一半導體設備10A具有一第一晶圓承載台100A，並且該第二半導體設備10B具有一第二晶圓承載台100B，該第一晶圓承載台100A及該第二晶圓承載台100B係用以承放進行薄型化製程的一薄行晶圓W。該伯努利末端執行器20可裝設在一自動化控制裝置的機械手臂30上，以用於在該第一晶圓承載台100A、該第二晶圓承載台100B以及一放置晶圓的卡匣40之間承載、傳送和取放該薄型晶圓W。

如圖3和圖4所示，該伯努利末端執行器20包含一本體200和一間隔蓋板300。該本體200大致呈現一｢Y」字型，具有一U型承載部210和一延伸部220。該本體200的厚度較佳地小於3毫米（mm），故該伯努利末端執行器20伸入卡匣40內時，其可順利地通過任兩片晶圓之間的空間。該延伸部220上設置有一進氣孔240，用於與一氣體供應源連接。該U型承載部210上設置有複數個第一出氣孔230和複數個第二出氣孔235，其中兩個第一出氣孔230和其中兩個第二出氣孔235分別位在該U型承載部210之對稱的兩側，並且剩下的一個第二出氣孔235係位在該U型承載部210之U型凹部中央處。如圖3所示，該等第一出氣孔230的出氣方向Z垂直於該等第二出氣孔235的出氣方向X。應當注意的是，在本實施例中該等第二出氣孔235的出氣方向X平行於該伯努利末端執行器20的行進方向，此設計是為了配合在一般放置晶圓的卡匣40中，卡匣40正對於該伯努利末端執行器20的行進方向的位置通常是採用簍空無遮蔽的設計，故當該第二出氣孔235噴出氣體時，氣體可順利地朝卡匣40外排出不會造成放置在卡匣40上的晶圓的晃動。由此可知，本創作之該等第二出氣孔235的出氣方向較佳地可視對應使用的卡匣40結構而改變其出氣方向的設計。

請參照圖3至圖5，圖5顯示圖3之伯努利末端執行器20之本體200的下視立體圖。該本體200包含一第一面202和一相對該第一面202之第二面204。該本體200之該第二面204設置有相對該第二面204凹陷的氣體傳送通道250，其中該氣體傳送通道250延伸至該本體200之側邊以形成該等第二出氣孔235。為了防止氣體從該第二面204洩漏，該間隔蓋板300覆蓋在該本體200之該氣體傳送通道250上，進而形成僅連通該進氣孔240和該等第一出氣孔230與該等第二出氣孔235的該氣體傳送通道250。當藉由氣體供應源從該進氣孔240注入一壓縮氣體時，該壓縮氣體經由該氣體傳送通道250傳送至該本體200之該U型承載部210，接著經由該等第一出氣孔230與該等第二出氣孔235高速噴出，進而帶動該U型承載部210上之對應出氣位置的周圍（如圖7B中的虛線區域R）的空氣高速地流動以產生吸附作用。如圖3所示，該本體200之該第一面202設置有一感測器280，較佳地，該感測器280為一CCD感測器，其係用以感測並映射（mapping）卡匣40中放置晶圓的位置，因此該伯努利末端執行器20欲拿取卡匣40中的晶圓之前（在進行半導體晶圓薄型化製程之前，先將一晶圓從放置晶圓的卡匣40內取出），係先利用該感測器280對該卡匣40中的晶圓作映射的動作，接著該伯努利末端執行器20的U型承載部210伸入卡匣40內以將該晶圓置放於該U型承載部210上，接著將該晶圓從卡匣40內取出，然後接著將該晶圓傳送並放置於晶圓薄型化製程的機台之晶圓承載台（100A或100B）上。

請參照圖6A和圖6B，圖6A顯示沿著圖4之A-A截線之剖面圖，以及圖6B顯示圖6A之G部分之放大圖。該本體200具有相對該第二面204凹陷不同深度的第一階梯面S1、第二階梯面S2和第三階梯面S3，其中該第三階梯面S3相對於該第二面204之深度H3淺於該第一階梯面S1和該第二階梯面S2相對於該第二面204之深度。該第一階梯面S1和該第二階梯面S2之特徵將於後續詳細描述。該第三階梯面S3是用於與該間隔蓋板300固定連接，並且當該間隔蓋板300放置在該第三階梯面S3上時，該間隔蓋板300之外表面會與該本體200之該第二面204共平面。也就是說，從該伯努利末端執行器20的下方（即，從圖4的方向）視之時，該本體200與該間隔蓋板300之接合處不具有階梯差。

請參照圖7A和圖7B，圖7A顯示沿著圖4之B-B截線之剖面圖，以及圖7B顯示圖7A之F部分之放大圖。該本體200具有相對該第二面204凹陷深度H1的該第一階梯面S1和相對該第二面204凹陷深度H2的該第二階梯面S2。如同前述，由於該間隔蓋板300之外表面會與該本體200之該第二面204共平面，因此在圖7B中該第一階梯面S1和該第二階梯面S2相對該間隔蓋板300之外表面凹陷的深度相當於相對該本體200之該第二面204凹陷的深度。如圖7B所示，該第一出氣孔230設置在該第二階梯面S2，且位在靠近該第一階梯面S1與該第二階梯面S2交接的位置。因此，本創作藉由該第一階梯面S1和該第二階梯面S2之間的階梯差設計，可提升壓縮氣體經由該第一出氣孔230噴出而產生的壓差比，故可達到有效地降低注入之壓縮氣體的力道，以縮減注入之壓縮氣體的力道與實際對於薄型晶圓W單點所需的吸附力之間的差距，進而避免因存在單點吸附力過大導致薄型晶圓W破碎的問題。此外，經由實驗證實，當藉由習知的伯努利末端執行器與本創作的該伯努利末端執行器20傳送同一薄型晶圓W時，本創作只需注入力道相較習知技術之十分之一的壓縮氣體，即可達到搬運和傳送薄型晶圓W的效果。故，藉由本創作的該伯努利末端執行器20傳送薄型晶圓W還可有效地節省消耗的氣體量。

如圖3所示，該伯努利末端執行器20之該本體200之該第一面202設置有四個溝槽260和兩個連通該四個溝槽260之連接通道272和一個輔助連接通道274，其中該四個溝槽260為依序排列的半環形溝槽，並且該四個溝槽260的長度依序遞增。其中兩個第一出氣孔230分別形成在該兩個連接通道272上，以及剩下的一個第一出氣孔230形成在該輔助連接通道274上。可以理解的是，該等溝槽260、該等連接通道272和該輔助連接通道274的數量僅作爲一種示例，本創作並不局限於此。該等溝槽260和該等連接通道272和輔助連接通道274皆相對於該本體200之該第一面202凹陷一特定深度（如圖6A所示）。因此，當氣體從該等第一出氣孔230噴出時，氣體會經由該等連接通道272傳遞至該等溝槽260內。在本實施例中，藉由多道半環形溝槽260的設計，使得該伯努利末端執行器20會由內而外（從最內層的該溝槽260往最外層之該溝槽260）逐漸生成吸附力，以達到順向整平晶圓的效果，故可避免當晶圓非平坦的放置時，採用紊亂多點一起對晶圓施加吸附力，容易發生因晶圓內部應力不平均而破碎的問題。

請參照圖8，其顯示一種根據本創作之第二較佳實施例之伯努利末端執行器20’的立體圖。該伯努利末端執行器20’是由兩個相同的伯努利末端執行器20疊置組合而形成，以達到可雙面吸附的效果。第二較佳實施例之該伯努利末端執行器20’之結構和特徵大致相同於第一較佳實施例之該伯努利末端執行器20，在此不加以贅述。第二較佳實施例之該伯努利末端執行器20’相較於第一較佳實施例之該伯努利末端執行器20差別在於，該伯努利末端執行器20’上設置有複數個鎖固孔21。藉由鎖固件將該兩個伯努利末端執行器20鎖固在一起，可應用於不同使用範圍。

藉此，本創作藉由在氣體傳送通道設置階梯差，以及在伯努利末端執行器上與薄型晶圓接觸的表面設置多個依序排列的溝槽，使得該伯努利末端執行器能生成均勻分布的吸附力和足夠寬廣的吸附區域，故能有效地降低注入之壓縮氣體的力道，以縮減注入之壓縮氣體的力道與實際對於薄型晶圓單點所需的吸附力之間的差距，進而解決因對薄型晶圓單點施加的吸附力過大導致破片的問題。

接著，請再參照圖1，其中該第一晶圓承載台100A及該第二晶圓承載台100B之頂面分別設有複數個承載件110A、110B，該等承載件110A、110B係用以承載該薄型晶圓W。以下，請參照圖2，以承載件110A為示例來詳細說明各該承載件的結構及作動方式：各該承載件110A係一中空結構，其包括一墊片111A，其用於接觸該薄型晶圓W之表面；一殼體112A，其連接該墊片111A；以及一復位元件113A，其環繞該殼體112A之部分外部。於本實施例中，該復位元件113A及該殼體112A之被該復位元件113A環繞的部分係設置於該第一晶圓承載台100A之頂面以下，即僅該墊片111A及未被該復位元件113A環繞的該殼體112A之部分露出該第一晶圓承載台100A之頂面。當該伯努利末端執行器20將該薄型晶圓W放置於該等承載件110A上時，會下壓該等承載件110A，當該伯努利末端執行器20將該薄型晶圓W移離於該等承載件110A上時，各該承載件110A中的復位元件113A係使各該承載件110A向上回彈。更詳細地說，該墊片111A的厚度為3微米至5微米，並且該復位元件113A可為彈簧，但本創作並不局限於此，只要能使該等承載件110A達到壓縮及復位功能的元件皆可；如此設置可提供一緩衝該薄型晶圓W放置於該等承載件110A時的力道，以避免該薄型晶圓W從該伯努利末端執行器20交接至該等承載件110A上時發生破裂。

如圖1及圖9所示，該等承載件110A、110B係以一圓環狀之方式分別設置於該第一晶圓承載台100A及該第二晶圓承載台100B上，並且各該承載件110A、110B與其相鄰的承載件110A、110B係間隔一相等距離d。如此，該等承載件110A、110B可以均勻地承受該薄型晶圓W的重量。然而，須說明的是，該等承載件110A、110B也可以設置圍繞成正四角形、正五邊型、正六邊形…等，只要能達到均勻承受該薄型晶圓W的重量皆可。

請參照圖8及圖9，其中圖9顯示本創作之第二較佳實施例之伯努利末端執行器20’與第一晶圓承載台100A相配合的側視圖。該伯努利末端執行器20’的U型承載部210’具一容置空間S，當該伯努利末端執行器20’將該薄型晶圓W放置或移離於該等承載件110A上時，該等承載件110A係位於該容置空間S中。如此以將該薄型晶圓W從該伯努利末端執行器20’的U型承載部210’交接至該第一晶圓承載台100A。

藉此，本創作藉由將複數個承載件以一圓環狀且各該承載件與其相鄰的承載件間隔一相等距離之方式設置於半導體晶圓薄型化製程機台的晶圓承載台上，來與本創作之伯努利末端執行器於空間上相互配合，以達到在半導體晶圓薄型化製程區中自動化輸送一薄型晶圓並防止該薄型晶圓於交接的過程破裂之目的。

本創作在上文中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，該實施例僅用於描繪本創作，而不應解讀為限制本創作之範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本創作之範疇內。因此，本創作之保護範圍當以申請專利範圍所界定者為準。

10A‧‧‧第一半導體設備
10B‧‧‧第二半導體設備
100A‧‧‧第一晶圓承載台
100B‧‧‧第二晶圓承載台
110A、110B‧‧‧承載件
111A‧‧‧墊片
112A‧‧‧殼體
113A‧‧‧復位元件
20、20’‧‧‧伯努利末端執行器
21‧‧‧鎖固孔
200‧‧‧本體
202‧‧‧第一面
204‧‧‧第二面
210、210’‧‧‧U型承載部
220、220’‧‧‧延伸部
230‧‧‧第一出氣孔
235‧‧‧第二出氣孔
240‧‧‧進氣孔
250‧‧‧氣體傳送通道
260‧‧‧溝槽
272‧‧‧連接通道
274‧‧‧輔助連接通道
280‧‧‧感測器
30‧‧‧機械手臂
300‧‧‧間隔蓋板
40‧‧‧卡匣
A-A‧‧‧截線
B-B‧‧‧截線
d‧‧‧距離
F‧‧‧對應圖7B之部分
G‧‧‧對應圖6B之部分
H1、H2、H3‧‧‧深度
R‧‧‧區域
S‧‧‧容置空間
S1‧‧‧第一階梯面
S2‧‧‧第二階梯面
S3‧‧‧第三階梯面
W‧‧‧薄型晶圓
X、Y、Z‧‧‧方向

［圖1］係為根據本創作之晶圓輸送系統於半導體晶圓薄型化製程區中的運作示意圖。［圖2］係為本創作一實施例中之復位元件的結構圖。［圖3］係為根據本創作之第一較佳實施例之伯努利末端執行器的上視立體圖；［圖4］係為圖3之伯努利末端執行器的下視平面圖；［圖5］係為圖3之伯努利末端執行器之本體的下視立體圖；［圖6A］係為沿著圖4之A-A截線之剖面圖；［圖6B］係為圖6A之G部分之放大圖；［圖7A］係為沿著圖4之B-B截線之剖面圖；［圖7B］係為圖7A之F部分之放大圖；［圖8］係為根據本創作之第二較佳實施例之伯努利末端執行器的立體圖。［圖9］係為根據本創作之第二較佳實施例之伯努利末端執行器與晶圓承載台相配合的側視圖。

10A‧‧‧第一半導體設備

10B‧‧‧第二半導體設備

100A‧‧‧第一晶圓承載台

100B‧‧‧第二晶圓承載台

110A、110B‧‧‧承載件

111A‧‧‧墊片

112A‧‧‧殼體

20‧‧‧伯努利末端執行器

30‧‧‧機械手臂

40‧‧‧卡匣

S‧‧‧容置空間

W‧‧‧薄型晶圓

Claims

一種用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統，包括：一第一半導體設備，具有一第一晶圓承載台；一第二半導體設備，具有一第二晶圓承載台；以及一伯努利末端執行器，用於在該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台之間傳送一薄型晶圓，包含：一本體，包含一第一面和一相對該第一面之第二面，並且該本體沿著該第一面形成有一進氣孔和至少一第一出氣孔，以及該本體沿著該第二面形成有一氣體傳送通道，其中該氣體傳送通道連通該進氣孔和該至少一第一出氣孔；以及一間隔蓋板，覆蓋在該氣體傳送通道上，其中該本體在該氣體傳送通道內具有相對該本體之該第二面不同深度的第一階梯面和第二階梯面；其中，該本體包含用於與一機械手臂組合之一延伸部和用於承載該薄型晶圓之一U型承載部；其中，該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台設有複數個承載件，各該承載件係一中空結構，其包含：一墊片，其用於接觸該薄型晶圓之表面；一殼體，其連接該墊片；以及一復位元件，其環繞該殼體之部分外部。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該本體之該第一面設置有一感測器。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該本體沿著該第一面設置有複數個溝槽和連通該等溝槽之一連接通道，並且該至少一第一出氣孔形成在該本體之該連接通道之位置。
如請求項3所述之晶圓輸送系統，其中該等溝槽為依序排列的半環形溝槽，並且該等溝槽的長度依序遞增。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該第二階梯面相對該本體之該第二面的深度大於該第一階梯面相對該本體之該第二面的深度，並且該至少一第一出氣孔設置在靠近該第一階梯面與該第二階梯面交接的位置。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該至少一第一出氣孔設置在該第二階梯面上。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該氣體傳送通道延伸至該本體之一側邊以形成至少一第二出氣孔，並且該至少一第二出氣孔的出氣方向垂直於該至少一第一出氣孔的出氣方向。
如請求項7所述之晶圓輸送系統，其中該至少一第二出氣孔的出氣方向平行於該伯努利末端執行器之行進方向。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該墊片之厚度為3微米至5微米。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該復位元件係彈簧。
如請求項1所述之晶圓輸送系統，其中該等承載件係以一圓環狀之方式等距離設置於該晶圓承載台上。
如請求項1至11其中任一項所述之晶圓輸送系統，其中該U型承載部具一容置空間，當該伯努利末端執行器將該薄型晶圓放置或移離於該等承載件上時，該等承載件係位於該容置空間中。
一種用於半導體晶圓薄型化製程區之晶圓輸送系統，包括：一第一半導體設備，具有一第一晶圓承載台；一第二半導體設備，具有一第二晶圓承載台；以及一伯努利末端執行器，用於在該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台之間傳送傳送一薄型晶圓，包含：一本體，包含一第一面和一相對該第一面之第二面，並且該本體沿著該第一面形成有一進氣孔和至少一第一出氣孔，以及該本體沿著該第二面形成有一氣體傳送通道，其中該氣體傳送通道連通該進氣孔和該至少一第一出氣孔；以及一間隔蓋板，覆蓋在該氣體傳送通道上，其中該本體沿著該第一面設置有複數個溝槽和連通該等溝槽之一連接通道，以及該至少一第一出氣孔形成在該本體之該連接通道之位置；其中，該本體包含用於與一機械手臂組合之一延伸部和用於承載該薄型晶圓之一U型承載部；其中，該第一晶圓承載台及該第二晶圓承載台設有複數個承載件，各該承載件係一中空結構，其包含：一墊片，其用於接觸該薄型晶圓之表面；一殼體，其連接該墊片；以及一復位元件，其環繞該殼體之部分外部。
如請求項13所述之晶圓輸送系統，其中該本體之該第一面設置有一感測器。
如請求項13所述之晶圓輸送系統，其中該等溝槽為依序排列的半環形溝槽，並且該等溝槽的長度依序遞增。
如請求項13所述之晶圓輸送系統，其中該本體在該氣體傳送通道內具有相對該本體之該第二面不同深度的第一階梯面和第二階梯面。
如請求項16所述之晶圓輸送系統，其中該第二階梯面相對該本體之該第二面的深度大於該第一階梯面相對該本體之該第二面的深度，並且該至少一第一出氣孔設置在靠近該第一階梯面與該第二階梯面交接的位置。
如請求項17所述之晶圓輸送系統，其中該至少一第一出氣孔設置在該第二階梯面上。
如請求項13所述之晶圓輸送系統，其中該氣體傳送通道延伸至該本體之一側邊以形成至少一第二出氣孔，並且該至少一第二出氣孔的出氣方向垂直於該至少一第一出氣孔的出氣方向。
如請求項19所述之晶圓輸送系統，其中該至少一第二出氣孔的出氣方向平行於該伯努利末端執行器之行進方向。
如請求項13所述之晶圓輸送系統，其中該墊片之厚度為3微米至5微米。
如請求項13所述之晶圓輸送系統，其中該復位元件係彈簧。
如請求項13所述之晶圓輸送系統，其中該等承載件係以一圓環狀之方式等距離設置於該晶圓承載台上。
如請求項13至23其中任一項所述之晶圓輸送系統，其中該U型承載部具一容置空間，當該伯努利末端執行器將該薄型晶圓放置或移離於該等承載件上時，該等承載件係位於該容置空間中。