CN216550690U - 适用于键合基板的原子层沉积设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型为一种适用于键合基板的原子层沉积设备，主要包括一反应腔体、一承载盘、一遮挡机构及一扩散单元，其中承载盘及扩散单元位于反应腔体的容置空间内。遮挡机构包括一连接杆及一遮挡板，其中遮挡板位于容置空间内并面对承载盘，而连接杆则穿过反应腔体并连接遮挡板。承载盘用以承载至少一键合基板，并带动承载的键合基板相对于遮挡机构位移，使得遮挡机构的遮挡板接触键合基板的上表面。当遮挡板接触键合基板的上表面时，扩散单元会位于键合基板的周围，并朝键合基板的侧表面输出前驱物，以在键合基板的侧表面上形成保护层。

Description

适用于键合基板的原子层沉积设备

技术领域

本实用新型有关于一种适用于键合基板的原子层沉积设备，主要用以在键合基板的侧表面上形成保护层。

背景技术

半导体装置主要是在硅基板上进行氧化、微影、蚀刻、离子注入及薄膜沉积等制程，以在基板上形成电子组件。在完成上述的步骤后会继续进行半导体封装制程，主要对基板进行切割，以形成复数个晶粒。而后将晶粒设置在导电架上，并进行焊线及封胶。

随着集成电路技术的不断进步，电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。新一代的半导体封装技术，已开始将两个基板上的复数个晶粒对位，并将两个基板层叠设置及键合(wafer bonding)，以形成一键合基板。

而后依序对键合基板进行低温热处理(low temperature thermal treatment)、高精度减薄(high precision back thinning)、清洁及硅穿孔制程(TSV process)。在上述的制程中有可能会损坏两个基板的键合区域，特别是在进行硅穿孔制程时的湿式蚀刻制程，而降低半导体制程的良率。

实用新型内容

如先前技术所述，习用的键合基板在进行硅穿孔制程时，键合基板的侧表面可能会接触蚀刻液，而破坏两个基板在键合区域上的结构。为此本实用新型提出一种新颖的适用于键合基板的原子层沉积设备，可针对键合基板的侧表面进行原子层沉积，并在键合基板的侧表面及两个基板的键合区域形成保护层，可有效避免在进行硅穿孔制程的过程中，蚀刻液接触键合基板的侧表面及键合区域，进而破坏个基板在键合区域上的构造。

本实用新型的一目的，在于提出一种适用于键合基板的原子层沉积设备，主要包括一反应腔体、一承载盘、一遮挡机构及一扩散单元，其中承载盘、部分的遮挡机构及扩散单元位于反应腔体的容置空间内。承载盘包括一承载面用以承载一键合基板，其中键合基板为一第一基板及一第二基板的层叠，并包括一第一表面、一第二表面及至少一侧表面。

遮挡机构包括一遮挡板及一连接杆，其中连接杆连接反应腔体及遮挡板，而遮挡板则朝向承载盘的承载面。承载盘用以承载键合基板的第一表面，并带动承载的键合基板相对于遮挡机构位移，使得遮挡机构的遮挡板接触并遮挡键合基板的第二表面，而键合基板的侧表面则不会被承载盘及遮挡板所遮挡。

当承载盘及遮挡板分别接触键合基板的第一表面及第二表面时，扩散单元会位于键合基板的侧表面周围，并朝键合基板的侧表面输出至少一前驱物，以在键合基板的侧表面形成保护层。

具体而言，键合基板的侧表面具有一键合区域，其中键合区域为第一基板及第二基板在侧表面上的接合区域，并会在键合基板的侧表面形成一环形凹部。本实用新型所述的适用于键合基板的原子层沉积设备主要用以在键合基板的键合区域上形成保护层，以避免蚀刻液蚀刻内凹的键合区域。

本实用新型所述的遮挡机构可通过重力、弹簧的弹力或马达提供的力，通过遮挡板对承载盘承载的键合基板施加很小的压力，使得遮挡板确实接触及遮挡键合基板的上表面。

此外扩散单元可为环状，其中扩散单元的进气管环绕在遮挡板、键合基板及/或承载盘的周围，使得进气管可以朝键合基板的侧表面及键合区域输出前驱物，以利于在键合基板的侧表面及键合区域形成保护层。

为了达到上述的目的，本实用新型提出一种适用于键合基板的原子层沉积设备，包括：一反应腔体，包括一容置空间；一承载盘，位于容置空间内，并包括一承载面用以承载一键合基板，其中键合基板包括一第一基板及一第二基板的层叠，并具有一第一表面、一第二表面及至少一侧表面，其中侧表面位于第一表面及第二表面之间，承载盘用以遮挡键合基板的第一表面；一遮挡机构，包括：一遮挡板，位于容置空间内，并面对承载盘的承载面；一连接杆，连接反应腔体及遮挡板，其中遮挡板用以遮挡放置在承载盘上的键合基板的第二表面；及一扩散单元，设置在遮挡板的周围，并流体连接反应腔体的容置空间，其中扩散单元用以朝键合基板的侧表面输送至少一前驱物，以在键合基板的侧表面形成一保护层。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中扩散单元包括一第一环形输送管线及复数个第一进气管，第一环形输送管线位于遮挡板的周围，而第一进气管流体连接第一环形输送管线，其中第一进气管朝向遮挡板或遮挡板的下方，用以将前驱物输送至键合基板的侧表面。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中扩散单元包括一第二环形输送管线及复数个第二进气管，第二环形输送管线设置在第一环形输送管线的外围，其中第二环形输送管线经由第二进气管将一非反应气体输送至容置空间内。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，包括一升降机构连接承载盘，用以驱动承载盘相对于遮挡板位移，并调整承载盘与遮挡板之间的距离。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中升降机构驱动承载盘及键合基板靠近遮挡板，使得遮挡板遮挡键合基板的第二表面，而复数个第一进气管会位于键合基板的周围，并朝向键合基板的侧表面。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡机构包括一驱动马达，驱动马达通过连接杆连接并驱动遮挡板相对于承载盘位移，使得遮挡板遮挡承载盘上的键合基板的第二表面。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中反应腔体具有一穿孔，而连接杆穿过反应腔体的穿孔，并连接反应腔体的容置空间内的遮挡板，连接杆用以沿着穿孔相对于承载盘的承载面位移。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡机构包括一弹性单元及一止挡部，止挡部设置于连接杆上，而弹性单元则位于连接杆的止挡部与反应腔体之间，承载盘带动键合基板朝遮挡板的方向位移并接触遮挡板时，位于止挡部及反应腔体之间的弹性单元会产生形变。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡机构包括一重物，重物连接连接杆，承载盘带动键合基板朝遮挡板的方向位移并接触遮挡板时，重物会经由遮挡板朝承载盘的方向对键合基板施压。

所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡板包括一凸缘，设置在遮挡板朝向承载盘的一表面的一边缘区域，遮挡板经由凸缘接触承载盘上的键合基板的第二表面。

本实用新型的有益效果是：提供一种新颖的适用于键合基板的原子层沉积设备，可针对键合基板的侧表面进行原子层沉积，并在键合基板的侧表面及两个基板的键合区域形成保护层，可有效避免在进行硅穿孔制程的过程中，蚀刻液接触键合基板的侧表面及键合区域，进而破坏个基板在键合区域上的构造。

附图说明

图1为本实用新型适用于键合基板的原子层沉积设备一实施例的剖面示意图。

图2为本实用新型适用于键合基板的原子层沉积设备在键合基板的侧表面形成保护层一实施例的剖面示意图。

图3为本实用新型适用于键合基板的原子层沉积设备在键合基板的侧表面形成保护层又一实施例的剖面示意图。

图4为本实用新型适用于键合基板的原子层沉积设备又一实施例的剖面示意图。

图5为本实用新型适用于键合基板的原子层沉积设备又一实施例的剖面示意图。

附图标记说明：10-适用于键合基板的原子层沉积设备；11-反应腔体；111-穿孔；12-容置空间；13-承载盘；131-承载面；14-键合基板；141-第一基板；142-第一表面；143-第二基板；144-第二表面；145-保护层；146-侧表面；148-键合区域；15-遮挡机构；151-遮挡板；153-连接杆；1531-止抵部；155-重物；17-扩散单元；171-第一环形输送管线；172-第一进气管；173-第二环形输送管线；174-第二进气管；176-第三进气管；19-升降机构；191-马达；193-杆体；23-延伸部；25-遮挡机构；251-遮挡板；2511-凸缘；255-驱动马达；35-遮挡机构；355-止挡部；357-弹性单元。

具体实施方式

请参阅图1，为本实用新型适用于键合基板的原子层沉积设备一实施例的剖面示意图。如图所示，适用于键合基板的原子层沉积设备10主要包括一反应腔体11、一承载盘13、一遮挡机构15及一扩散单元17，其中反应腔体11包括一容置空间12，而承载盘13、部分的遮挡机构15及扩散单元17位于容置空间12内。

承载盘13包括一承载面131，用以承载一键合基板14。在本实用新型一实施例中，如图2及图3所示，键合基板14包括一第一基板141及一第二基板143的层叠，其中第一基板141及第二基板143可以是晶圆(wafer)，并通过半导体制程在晶圆上形成复数个电子组件。

第一基板141及第二基板143会先进行对准(aligning)，使得第一基板141上的复数个电子组件分别对准第二基板143上的复数个电子组件。经过对准的第一基板141及第二基板143可依序进行键合(bonding)及减薄(thinning)，而后在键合基板14上形成硅穿孔(TSV)，并将导电材料填注在硅穿孔内。

键合基板14的外观近似盘状体，并包括一第一表面142、一第二表面144及至少一侧表面146，其中侧表面146位于第一表面142及第二表面144之间，并连接第一表面142及第二表面144。具体而言，键合基板14的侧表面146具有至少一键合区域148，其中键合区域148为第一基板141及第二基板143的连接区域，并为环绕在键合基板14的侧表面146上的环形凹陷部。

在对键合基板14进行硅穿孔的制程过程中，有可会对键合基板14侧表面146上的键合区域148造成损害，使得第一基板141及第二基板143边缘分离，进而影响制程的良率。例如通过湿式蚀刻在键合基板14上形成硅穿孔时，蚀刻液可能会接触键合基板14侧表面146的键合区域148，使得键合区域148的第一基板141及第二基板143分离。

本实用新型提出的适用于键合基板的原子层沉积设备10可针对键合基板14的侧表面146进行原子层沉积，并在键合基板14的侧表面146及键合区域148上形成保护层145，例如保护层145可以是二氧化硅。通过保护层145的设置可防止蚀刻液接触键合基板14侧表面146及/或键合区域148，并避免键合基板14的键合区域148遭到蚀刻液的蚀刻。

本实用新型所述的适用于键合基板的原子层沉积设备10的遮挡机构15面对承载盘13的承载面131，在将键合基板14放置在承载盘13的承载面131时，遮挡机构15会面对承载盘13上的键合基板14，例如键合基板14的第一表面142放置在承载盘13的承载面131，并以承载盘13遮挡键合基板14的第一表面142，而遮挡机构15则会面对键合基板14的第二表面144。

在本实用新型一实施例中，遮挡机构15包括一遮挡板151及一连接杆153，其中遮挡板151位于容置空间12内，并面对承载盘13的承载面131及/或键合基板14的第二表面144。连接杆153用以连接反应腔体11及遮挡板151，其中遮挡板151及/或连接杆153可相对于承载盘13及/或反应腔体11位移。例如连接杆153可穿过反应腔体11，并连接容置空间12内的遮挡板151，其中遮挡板151为盘状体，并用以遮挡键合基板14的第二表面144。

承载盘13连接一升降机构19，其中升降机构19用以驱动承载盘13在容置空间12内相对于遮挡板151位移，以调整承载盘13与遮挡机构15的遮挡板151之间的距离。具体而言，升降机构19可包括一马达191及一杆体193，其中马达191通过杆体193连接并驱动承载盘13位移。升降机构19是一般适用于键合基板的原子层沉积设备10常用的机构，在此便不详细说明。

扩散单元17可为环状体，并环绕设置在遮挡板151的周围。扩散单元17流体连接反应腔体11的容置空间12，其中扩散单元17用以朝键合基板14的侧表面146输送至少一前驱物，以在键合基板14的侧表面146形成一保护层145。

具体而言，扩散单元17可包括一第一环形输送管线171及复数个第一进气管172，其中第一环形输送管线171位于遮挡板151的周围，而第一进气管172连接第一环形输送管线171及容置空间12。此外第一进气管172朝向遮挡板151或遮挡板151的下方，其中第一环形输送管线171可经由第一进气管172将至少一前驱物输送至容置空间12。

第一进气管172可相对于承载盘13的承载面131倾斜，以朝向键合基板14的侧表面146的方向喷出前驱物。

在本实用新型另一实施例中，扩散单元17可包括一第二环形输送管线173及复数个第二进气管174，其中第二环形输送管线173环绕设置在第一环形输送管线171的外侧，且第二进气管174流体连接第二环形输送管线173及容置空间12。在实际应用时，可将一非反应气体输送至第二环形输送管线173，其中第二环形输送管线173经由第二进气管174将非反应气体输送至容置空间12内，例如非反应气体可为氮气或氩气。

第二进气管174约略垂直承载盘13的承载面131的延伸线，其中第二进气管174的延伸线位于承载盘13的径向外侧。第二环形输送管线173经由第二进气管174将非反应气体输送至容置空间12时，会在承载盘13的径向外侧形成气墙，以将前驱物限制在气墙内。

在实际应用时，升降机构19可驱动承载盘13及键合基板14朝遮挡机构15靠近，使得遮挡机构15的遮挡板151接触并遮挡放置在承载盘13上的键合基板14的第二表面144。此时扩散单元17及/或第一进气管172会位于键合基板14的周围，其中第一进气管172会朝向键合基板14的侧表面146，并向键合基板14的侧表面146输出前驱物，以在键合基板14的侧表面146及键合区域148的表面沉积保护层145。

在本实用新型另一实施例中，扩散单元17可包括复数个第三进气管176，其中第三进气管176流体连接第一环形输送管线171及容置空间12。具体而言，第三进气管176朝向键合基板14的侧表面146，其中第一环形输送管线171经由第三进气管176将前驱物输送至键合基板14的侧表面146。例如第三进气管176与第一进气管172的倾斜角度不同，以增加前驱物输送至容置空间12的范围。

此外，当遮挡板151接触键合基板14的第二表面144后，升降机构19可能会驱动承载盘13及键合基板14继续朝遮挡机构15的方向位移，并带动或推动遮挡板151微幅向上位移，以确保遮挡板151接触并遮挡键合基板14的第二表面144。因为键合基板14的第一表面142及第二表面144分别被承载盘13及遮挡板151所遮挡，使得保护层145只会形成在键合基板14的侧表面146。

在实际应用时，遮挡板151的面积可略小于键合基板14的面积，其中遮挡板151只会接触并遮挡键合基板14的部分第二表面144，而靠近键合基板14外缘的部分第二表面144则未被遮挡板151所遮蔽。当遮挡板151的面积略小于键合基板14的第二表面144时，形成在键合基板14的侧表面146上的保护层145会延伸到键合基板14的部分第二表面144，如图2所示。

反之，若遮挡板151的面积等于或大于键合基板14的面积时，遮挡板151则会完整的遮挡键合基板14的第二表面144，使得保护层145被限制在键合基板14的侧表面146，如图3所示。

在本实用新型一实施例中，反应腔体11的顶部可设置一穿孔111，而连接杆153则穿过反应腔体11的穿孔111，并可沿着穿孔111相对于反应腔体11的顶部及/或承载盘13的承载面131位移或伸缩。连接杆153上可设置一止抵部1531，其中止抵部1531设置在连接杆153的表面。止抵部1531位于容置空间12的外部，且止抵部1531略大于设置在反应腔体11顶部的穿孔111。

当遮挡板151未接触键合基板14时，遮挡机构15会受到重力的作用朝承载盘13的方向位移，直到连接杆153上的止抵部1531抵住反应腔体11。当升降机构19驱动承载盘13及键合基板14继续朝遮挡机构15的方向位移，则会带动遮挡板151及连接杆153微幅向上位移。

在本实用新型一实施例中，如图1所示，遮挡机构15亦可包括一重物155，其中重物155连接连接杆153，在遮挡板151未接触键合基板14时，重物155会受到重力的作用，而带动遮挡板151朝承载盘13的方向位移，并朝承载盘13的方向对键合基板14的第二表面144施压。由于连接杆153及遮挡板151本身便具有一定的重量，并可对承载盘13上的键合基板14施压，因此重物155并非遮挡机构15的必要构件。

在本实用新型另一实施例中，如图4所示，遮挡机构25包括一遮挡板251、一连接杆153及一驱动马达255，其中驱动马达255通过连接杆153连接遮挡板251。驱动马达255固定在反应腔体11上，并通过连接杆153驱动遮挡板251相对于承载盘13位移，例如靠近或远离承载盘13，使得遮挡板251遮挡键合基板14的第二表面144。

在实际应用时，在升降机构19带动承载盘13及键合基板14上升到定位后，驱动马达255才会驱动连接杆153及遮挡板251朝承载盘13靠近，直到遮挡板251接触并遮挡键合基板14的第二表面144。在不同实施例中，亦可依据键合基板14的厚度，通过驱动马达255驱动遮挡板251位移至默认位置之后，升降机构19才会带动承载盘13及键合基板14朝遮挡板251靠近。

此外遮挡板251面对承载盘13的表面上具有一凸缘2511，其中凸缘2511可为环状，并设置在遮挡板251朝向承载盘13的表面的边缘区域。在以遮挡板251遮挡键合基板14的第二表面144时，只有遮挡板251的凸缘2511会接触键合基板14的第二表面144。

在本实用新型一实施例中，承载盘13可包括一延伸部23，其中延伸部23可沿着平行承载盘13的承载面131的方向延伸至第一进气管172、第二进气管174及/或第三进气管176的延伸位置。通过延伸部23的设置有利于将第一进气管172及第二进气管174输入容置空间12的前驱物聚集在键合基板14的周围，并有利于在键合基板14的侧表面146上形成保护层145。

具体而言，延伸部23可为板状体，并放置在承载盘13的承载面131上。延伸部23的面积大于承载面131的面积，而承载盘13则经由延伸部23承载键合基板14。在不同实施例中，亦可直接使用具有较大面积的承载盘13，其中承载盘13的承载面131延伸至第一进气管172、第二进气管174及/或第三进气管176的延伸位置。

在本实用新型另一实施例中，如图5所示，遮挡机构35包括一遮挡板151、一连接杆153、一止挡部355及至少一弹性单元357，其中连接杆153连接容置空间12内的遮挡板151，而止挡部355则位于反应腔体11的容置空间12外部，并与连接杆153相连接。弹性单元357位于止挡部355与反应腔体11之间，例如弹性单元357可以是弹簧，其中弹性单元357设置在反应腔体11的容置空间12外部，并套设在连接杆153上。

在本实用新型一实施例中，弹性单元357可以是压缩弹簧，当键合基板14未接触遮挡机构15时，止挡部355及反应腔体11会压缩两者之间的弹性单元357，而遮挡板151则会静置于容置空间12内的固定位置。当升降机构19带动承载盘13及键合基板14接触遮挡板151，并带动遮挡板151向上位移时，位于止挡部355及反应腔体11之间的弹性单元357则会产生形变，例如回复并伸长。

在本实用新型另一实施例中，弹性单元375亦可以是拉伸弹簧，其中弹性单元375的两端分别固定在止挡部355及反应腔体11上。当升降机构19带动承载盘13及键合基板14接触遮挡板151并朝遮挡机构15的方向位移时，止挡部355及反应腔体11则会拉长两者之间的弹性单元357。

由于本实用新型的遮挡板151主要用以遮挡键合基板14的第二表面144，因此上述的遮蔽板151、连接杆153及重物155的重量不需要太重，亦不需要选择弹力太大的弹性单元357，以避免遮挡板151在接触及遮挡键合基板14的过程中，对键合基板14施加过大的力，而造成键合基板14的损害。

本实用新型优点：

提供一种新颖的适用于键合基板的原子层沉积设备，可针对键合基板的侧表面进行原子层沉积，并在键合基板的侧表面及两个基板的键合区域形成保护层，可有效避免在进行硅穿孔制程的过程中，蚀刻液接触键合基板的侧表面及键合区域，进而破坏个基板在键合区域上的构造。

以上所述，仅为本实用新型的一较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围，即凡依本实用新型申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本实用新型的申请专利范围内。

Claims (10)

1.一种适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，包括：

一反应腔体，包括一容置空间；

一承载盘，位于该容置空间内，并包括一承载面用以承载一键合基板，其中该键合基板包括一第一基板及一第二基板的层叠，并具有一第一表面、一第二表面及至少一侧表面，其中该侧表面位于该第一表面及该第二表面之间，该承载盘用以遮挡该键合基板的该第一表面；

一遮挡机构，包括：

一遮挡板，位于该容置空间内，并面对该承载盘的该承载面；

一连接杆，连接该反应腔体及该遮挡板，其中该遮挡板用以遮挡放置在该承载盘上的该键合基板的该第二表面；及

一扩散单元，包括复数个第一进气管位于设置在该遮挡板的周围，并流体连接该反应腔体的该容置空间，其中该扩散单元用以朝该键合基板的该侧表面输送至少一前驱物，以在该键合基板的该侧表面形成一保护层，其中该承载盘包括一延伸部，沿着平行该承载盘的该承载面的方向延伸至该第一进气管的下方。

2.根据权利要求1所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该扩散单元包括一第一环形输送管线及复数个第一进气管，该第一环形输送管线位于该遮挡板的周围，而该第一进气管流体连接第一环形输送管线，其中该第一进气管朝向该遮挡板或该遮挡板的下方，用以将该前驱物输送至该键合基板的该侧表面。

3.根据权利要求2所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该扩散单元包括一第二环形输送管线及复数个第二进气管，该第二环形输送管线设置在该第一环形输送管线的外围，其中该第二环形输送管线经由该第二进气管将一非反应气体输送至该容置空间内。

4.根据权利要求2所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，包括一升降机构连接该承载盘，用以驱动该承载盘相对于该遮挡板位移，并调整该承载盘与该遮挡板之间的距离。

5.根据权利要求4所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该升降机构驱动该承载盘及该键合基板靠近该遮挡板，使得该遮挡板遮挡该键合基板的该第二表面，而该复数个第一进气管会位于该键合基板的周围，并朝向该键合基板的该侧表面。

6.根据权利要求1所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该遮挡机构包括一驱动马达，该驱动马达通过该连接杆连接并驱动该遮挡板相对于该承载盘位移，使得该遮挡板遮挡该承载盘上的该键合基板的该第二表面。

7.根据权利要求1所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该反应腔体具有一穿孔，而该连接杆穿过该反应腔体的该穿孔，并连接该反应腔体的该容置空间内的该遮挡板，该连接杆用以沿着该穿孔相对于该承载盘的该承载面位移。

8.根据权利要求7所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该遮挡机构包括一弹性单元及一止挡部，该止挡部设置于该连接杆上，而该弹性单元则位于该连接杆的该止挡部与该反应腔体之间，该承载盘带动该键合基板朝该遮挡板的方向位移并接触该遮挡板时，位于该止挡部及该反应腔体之间的该弹性单元会产生形变。

9.根据权利要求7所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该遮挡机构包括一重物，该重物连接该连接杆，该承载盘带动该键合基板朝该遮挡板的方向位移并接触该遮挡板时，该重物会经由该遮挡板朝该承载盘的方向对该键合基板施压。

10.根据权利要求1所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该遮挡板包括一凸缘，设置在该遮挡板朝向该承载盘的一表面的一边缘区域，该遮挡板经由该凸缘接触该承载盘上的该键合基板的该第二表面。

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