JP2013251348A - 基板保持装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイシングテープにダメージを与えることなく基板を保持する。
【解決手段】基板保持装置100は、その片面にダイシングテープ2が貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板1を、複数保持するための保持容器101と、保持容器101内から保持容器101外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えている。
【選択図】図1
【解決手段】基板保持装置100は、その片面にダイシングテープ2が貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板1を、複数保持するための保持容器101と、保持容器101内から保持容器101外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板保持装置及びこれを備えた基板処理装置に関する。
基板処理装置において処理中又は処理後の基板を保持する保持装置として、特許文献1〜3に記載された保持装置が知られている。特許文献1に記載の保持装置には、保持容器内でのパーティクルの付着を防ぐための気流発生機構が設けられている。また、特許文献2に記載の保持装置には、パーティクルの付着を防ぐために、収容容器内に不活性ガスを供給するガス供給手段が設けられている。さらに、特許文献3に記載の保持装置には、格納室内の温度及び湿度を調節するための送風器及び排気ファンが設けられている。
近年、ICカード、携帯電話などの電子機器の薄型化、小型化、軽量化などが要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となる半導体ウェハの厚さ(膜厚)は現状では125μm〜150μmであるが、次世代のチップ用には25μm〜50μmにしなければならないといわれている。したがって、上記膜厚の半導体ウェハを得るためには、半導体ウェハの薄板化工程が必要不可欠である。
半導体ウェハの薄板化工程は次のように行なう。まず、半導体ウェハの回路形成面を覆うように、半導体ウェハを保護するためのサポートプレートを、両面に接着層を有するテープまたは接着剤を介して貼り付ける。次に、これを反転して、半導体ウェハの裏面をクラインダーによって研削して薄板化する。続いて、薄板化した半導体ウェハの裏面に、ダイシングフレームに保持されているダイシングテープを貼り付ける。さらに、この状態で半導体ウェハの回路形成面を覆うサポートプレートを剥離した後、ダイシング装置によって各チップに分割する。
上記のように薄板化工程を行った場合、サポートプレートを剥離した後、半導体ウェハの回路形成面に、接着剤等が残存してしまう。このため、付着している接着剤等を洗浄液で洗浄して除去する。そして、洗浄後の半導体ウェハは、ダイシング等のその後の処理に供されるまで、カセット等の収容容器内に保持される。
このとき、洗浄後の半導体ウェハ上が、残存する接着剤及び洗浄液により汚染されていると、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分により、他の半導体ウェハに貼り付けられたダイシングテープがダメージを受けてしまう。特に、複数の半導体ウェハを、それぞれ、隣接する半導体ウェハのダイシングテープ側に対向するように積層した場合、半導体ウェハ上の接着剤及び洗浄液から揮発した成分、具体的には有機溶剤等が、ダイシングテープにダメージを与え、ダイシングテープが剥離したり、変質したりするという問題がある。
この問題により、汚染された半導体ウェハのみならず、隣接して保持した他の半導体ウェハに貼り付けられたダイシングテープまでダメージを受けてしまうので、製造効率の重大な低下に繋がってしまう。特許文献1〜3に記載の保持装置では、このようなダイシングテープのダメージについて考慮されていないため、接着剤成分及び洗浄液成分によるダイシングテープへのダメージを防ぐことができない。したがって、ダイシングテープにダメージを与えることなく、半導体ウェハを保持することが可能な保持装置が望まれている。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に貼り付けられたダイシングテープのような粘着テープにダメージを与えることなく、基板を保持することが可能な基板保持装置、及び当該基板保持装置を備えた基板処理装置を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明に係る基板保持装置は、その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えていることを特徴としている。
また、本発明に係る基板処理装置は、上記基板保持装置を備えたことを特徴としている。
本発明に係る基板保持装置は、その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えているので、基板に貼り付けられた粘着テープにダメージを与えることなく基板を保持することができる。
〔基板保持装置〕
(第1実施形態)
本発明の一実施形態に係る基板保持装置について、図1を参照して以下に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図1に示すように、基板保持装置100は、保持容器101及び気流発生手段を備えている。気流発生手段は、保持容器101内の気体を吸引して、保持容器101外に排気する排気部103を備えている。保持容器101内には、基板1、ダイシングテープ(粘着テープ)2及びダイシングフレーム3を含む積層体10を支持する支持部102が設けられていてもよい。
(第1実施形態)
本発明の一実施形態に係る基板保持装置について、図1を参照して以下に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図1に示すように、基板保持装置100は、保持容器101及び気流発生手段を備えている。気流発生手段は、保持容器101内の気体を吸引して、保持容器101外に排気する排気部103を備えている。保持容器101内には、基板1、ダイシングテープ(粘着テープ)2及びダイシングフレーム3を含む積層体10を支持する支持部102が設けられていてもよい。
積層体10において、基板1の片面には、その外縁部分が基板1の外縁部分よりも外側にはみ出すように形成されたダイシングテープ2が貼り付けられている。ダイシングテープ2の外縁部分には、ダイシングフレーム3が取り付けられていてもよい。基板1は、例えば、薄化された半導体ウェハである。半導体ウェハの膜厚は、10〜150μmであることが好ましい。
ダイシングテープ2は、基板1を保持するものである。ダイシングテープ2は、少なくとも基板1に接する部分のみが粘着性を有していればよい。ダイシングテープ2としては、例えば、ベースフィルムがPVC(ポリ塩化ビニル)やポリオレフィン、ポリプロピレン等の樹脂フィルムを用いることができる。ダイシングフレーム3は、ダイシングテープ2の弛みを防止するものである。
保持容器101内は、複数の積層体10を保持するために、支持部102により複数のスロットに分割されて積層体10を収容するための溝が形成されており、各スロットに1つの積層体10を収容するようになっていてもよい。保持容器101は積層体10の収容時及び取り出し時に少なくとも1面が開放可能な直方体であってもよく、この開放面から積層体10を保持容器101内に収容してもよい。支持部102は、例えば、保持容器101の開放面に交差する2つの内壁のそれぞれにおいて、互いに対向する位置に設けられており、一方の内壁から他方の内壁に向かって突出する板状体であってもよい。
ここで、保持容器101内に保持される基板1は、ダイシングテープ2が貼り付けられた面に背向する面が液体により処理される。すなわち、基板1のダイシングテープ2が貼着された面に背向する面には、基板1の薄板化工程及びその後の搬送時等において、基板1を支持するサポートプレート(図示せず)が貼り付けられている。サポートプレートは、基板の薄板化処理後に剥離するが、サポートプレートを剥離した基板表面には、サポートプレートを貼り付けるために使用した接着剤が残存することがある。
残存する接着剤は洗浄液を用いて洗浄して除去するが、洗浄後の基板表面に接着剤が残存し、さらに洗浄液により濡れた状態となる場合がある。この場合、接着剤及び洗浄液により表面が汚染された基板を保持容器内に収容すると、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分によって、保持容器内に収容された他の基板1のダイシングタテープがダメージを受けてしまう。このように、汚染された基板1のみならず、隣接して収容した他の基板1のダイシングタテープまでがダメージを受けて製品価値が失われてしまうので、製造効率の重大な低下に繋がってしまう。
基板保持装置100は、保持容器101内の気体を吸引して、保持容器101外に排気することによって、保持容器101内から保持容器101外への気体の流れを生じさせる排気部103を備えている。したがって、基板1表面が接着剤及び洗浄液により汚染されていたとしても、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分は、排気部103が生じさせた気体の流れにのって保持容器101外に排気され、他の基板1のダイシングテープにダメージを与えるのを防ぐことができる。
排気部103は、図1に示すように、保持容器101の側壁の上部、中央部、及び下部の3箇所に設けられていてもよいし、いずれか1箇所であってもよい。また、排気部103は、保持容器101の上壁又は下壁に設けられていてもよいし、対向する側壁の両方に設けられていてもよい。さらに、排気部103は、保持容器101の上壁又は下壁において、基板1の外周部に対応する位置全体から気体を排気するようになっていてもよい。すなわち、排気部103は、保持容器101内の気体を保持容器101外に十分に排気できれば、その設置位置、設置数等の設置態様は限定されない。
ここで、排気部103の設置位置の例を図3〜8に示す。図3〜8は、本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図(a)及び上面図(b)である。図3に示す基板保持装置100aのように、保持容器101の側面の下部左側に、排気部103aが1つ設けられていてもよい。また、図4に示す基板保持装置100bのように、保持容器101の側面の下部右側に、排気部103bが1つ設けられていてもよい。さらに、図5に示す基板保持装置100cのように、保持容器101の上面に、排気部103cが2つ設けられていてもよい。
また、図6に示す基板保持装置100dのように、保持容器101の対向する2つの側面の中央部に、排気部103dがそれぞれ1つ設けられていてもよい。さらに、図7に示す基板保持装置100eのように、保持容器101の上壁において、積層体10の外周部に対向する位置全体に向けて開口するように、排気部103eが設けられていてもよい。また、図8に示す基板保持装置100fのように、複数組の隣接する積層体10間の全てに対して開口するように設けられた排気部103fが、積層体10の面に沿った方向に3つ配列して設けられていてもよい。
排気部103は、保持容器101の外壁に設けられた排気口に接続された排気ダクトを備えていてもよい。当該排気ダクトをポンプ等の吸引手段(図示せず)に連結し、保持容器101内の気体を吸引させることによって、保持容器101内の気体を保持容器101外に排気してもよい。
保持容器101は、図1に示すように、基板1を、液体により処理される面が、隣接する他の基板1におけるダイシングテープ2が貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する基板1・1同士が接触しないように保持するようになっていてもよい。このように、保持容器101内に複数の基板1を積層して保持すると、表面が汚染された基板1から揮発した接着剤成分及び洗浄液成分によって、ダイシングテープ2が膨潤してダメージを受け、基板1から剥離してしまう。
そこで、排気部103は、少なくとも一組の隣接する基板1・1間の空隙に向かって開口している開口部(図示せず)を備え、当該開口部を介して保持容器101内の気体を吸引することが好ましい。これにより、隣接する基板1・1間の気体をより効率よく排気することができる。すなわち、各積層体10が収容されるスロット間において、保持容器101内から保持容器101外への気体の流れを生じさせることができるので、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分が、隣接する基板1に貼り付けられたダイシングテープ2にダメージを与えるのを防ぐことができる。
排気部103は、少なくとも一組の隣接する基板1・1間の空隙に向かって開口する開口部を備えていればよいが、例えば、保持容器101の上部、中央部及び下部のそれぞれにおいて、隣接する基板1・1間の空隙に向かって開口する開口部を備えていてもよく、開口部の数及び設置位置は限定されない。排気部103は、保持容器101内に保持される基板1の面に交差する方向に複数の開口部を備えていることが好ましい。そして、排気部103は、保持容器101内に保持される複数組の隣接する基板1・1間の全ての空隙に向かって開口している開口部を備えていることがより好ましい。
排気部103は、複数組の基板1・1間のそれぞれに対応する位置に開口部が設けられるように、複数の開口部を備えていてもよいし、複数組の隣接する基板1・1間の全てに対して開口した1つの開口部を備えていてもよい。すなわち、排気部103は、複数組の隣接する基板1・1間の全てにおいて、保持容器101内から保持容器101外への気流が発生するように、開口部を備えていることが好ましい。
排気部103は、保持容器101内に保持される基板1の面に沿った方向に配列した複数の開口部を備えていることが好ましい。このように、基板1の面に沿った方向に複数の開口部が設けられていることによって、隣接する基板1・1間の気体をより効率よく排気することができる。
排気部103は、開口部における流量が5m3/分以上、200m3/分以下になるように、保持容器101内の気体を吸引し、排気することが好ましい。
また、排気部103は、保持容器101内の気体の流れが実質的に均一になるように、保持容器101内の気体を吸引し、排気することが好ましい。例えば、排気部103が、上述した流量で開口部から気体を吸引して排気すれば、保持容器101内の気体の流れを実質的に均一にすることができる。ここで、「実質的に均一」とは、保持容器101内全体の気体の流れが均一である場合のみならず、保持容器101内の特に基板1が保持されている箇所の気体の流れが均一である場合も含む。
(第2実施形態)
本発明の他の実施形態に係る基板保持装置について、図2を参照して以下に説明する。図2は、本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図2に示すように、基板保持装置200は、保持容器201、気体送入部204、及び排気口を備えている。排気口は、排気部203に連結されていてもよい。保持容器201内には、基板1、ダイシングテープ2及びダイシングフレーム3を含む積層体10を支持する支持部202が設けられていてもよい。
本発明の他の実施形態に係る基板保持装置について、図2を参照して以下に説明する。図2は、本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図2に示すように、基板保持装置200は、保持容器201、気体送入部204、及び排気口を備えている。排気口は、排気部203に連結されていてもよい。保持容器201内には、基板1、ダイシングテープ2及びダイシングフレーム3を含む積層体10を支持する支持部202が設けられていてもよい。
保持容器201内は、複数の積層体10を保持するために、支持部202により複数のスロットに分割されて積層体10を収容するための溝が形成されており、各スロットに1つの積層体10を収容するようになっていてもよい。保持容器201は積層体10の収容時及び取り出し時に少なくとも1面が開放可能な直方体であってもよく、この開放面から積層体10を保持容器201内に収容してもよい。支持部202は、例えば、保持容器201の開放面に交差する2つの内壁のそれぞれにおいて、互いに対向する位置に設けられており、一方の内壁から他方の内壁に向かって突出する板状体であってもよい。
基板保持装置200は、保持容器201内に気体を送り込む気体送入部204と、保持容器201内の気体を保持容器201外に排気する排気口とを備えているので、保持容器201内から保持容器201外への気体の流れをより効率よく生じさせることができる。したがって、基板1表面が接着剤及び洗浄液により汚染されていたとしても、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分は、気体送入部204が生じさせた気体の流れにのって、排気部203に連結された排気口を介して保持容器201外に排気され、他の基板1のダイシングテープにダメージを与えるのを防ぐことができる。
気体送入部204から送入される気体は特に限定されないが、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス、及び窒素(N2)ガス等の不活性ガスが挙げられる。
気体送入部204は、図2に示すように、保持容器201の側壁の中央部に設けられ、その対向する側壁に設けられた排気口に排気部203が連結されていてもよいし、保持容器201の側壁の上部、中央部、及び下部の3箇所に設けられていてもよい。また、気体送入部204と排気部203とは、対向する側壁において向かい合うように設けられていてもよいし、基板1の面に交差する方向にその位置がずれていてもよい。すなわち、気体送入部204及び排気部203は、保持容器201内の気体を保持容器201外に十分に排気できれば、その設置位置、設置数等の設置態様は限定されない。
気体送入部204は、保持容器201の外壁に設けられた送入口に接続された送入ダクトを備えていてもよい。そして、当該送入ダクトを送風手段(図示せず)に連結し、保持容器201内に気体を送入してもよい。
また、排気部203は、保持容器201の外壁に設けられた排気口に接続された排気ダクトを備えていてもよい。当該排気ダクトをポンプ等の吸引手段(図示せず)に連結し、保持容器201内の気体を吸引させることによって、保持容器201内の気体を保持容器201外に排気してもよい。
保持容器201は、図1に示すように、基板1を、液体により処理される面が、隣接する他の基板1におけるダイシングテープ2が貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する基板1・1同士が接触しないように保持するようになっていてもよい。
そして、気体送入部204は、少なくとも一組の隣接する基板1・1間の空隙に向かって開口している開口部(図示せず)を備え、当該開口部を介して保持容器201内に気体を送入することが好ましい。これにより、各積層体10が収容されるスロット間において、保持容器201内から保持容器201外への気体の流れを生じさせることができるので、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分が、隣接する基板1に貼り付けられたダイシングテープ2にダメージを与えるのを防ぐことができる。
気体送入部204は、少なくとも一組の隣接する基板1・1間の空隙に向かって開口する開口部を備えていればよいが、例えば、保持容器201の上部、中央部及び下部のそれぞれにおいて、隣接する基板1・1間の空隙に向かって開口する開口部を備えていてもよく、開口部の数及び設置位置は限定されない。気体送入部204は、保持容器201内に保持される基板1の面に交差する方向に複数の開口部を備えていることが好ましい。そして、気体送入部204は、保持容器201内に保持される複数組の隣接する基板1・1間の全ての空隙に向かって開口している開口部を備えていることがより好ましい。
気体送入部204は、複数組の基板1・1間のそれぞれに対応する位置に開口部が設けられるように、複数の開口部を備えていてもよいし、複数組の隣接する基板1・1間の全てに対して開口した1つの開口部を備えていてもよい。すなわち、気体送入部204は、複数組の隣接する基板1・1間の全てにおいて、保持容器201内から保持容器201外への気流が発生するように、開口部を備えていることが好ましい。
気体送入部204は、保持容器201内に保持される基板1の面に沿った方向に配列した複数の開口部を備えていることが好ましい。このように、基板1の面に沿った方向に複数の開口部が設けられていることによって、隣接する基板1・1間に排気部203に向かう気体の流れをより効率よく生じさせることができる。
気体送入部204は、開口部における流量が5m3/分以上、200m3/分以下になるように、保持容器201内に気体を送り込むことが好ましい。
また、気体送入部204は、保持容器201内の気体の流れが実質的に均一になるように、保持容器201内に気体を送り込むことが好ましい。例えば、気体送入部204が、上述した流量で開口部から気体を送り込めば、保持容器201内の気体の流れを実質的に均一にすることができる。ここで、「実質的に均一」とは、保持容器201内全体の気体の流れが均一である場合のみならず、保持容器201内の特に基板1が保持されている箇所の気体の流れが均一である場合も含む。
〔基板処理装置〕
本発明に係る基板処理装置は、本発明に係る基板保持装置を備えたことを特徴としている。すなわち、上述した基板保持装置100及び基板保持装置200は、本発明に係る基板処理装置が備える保持装置の一実施形態であるため、本発明に係る基板処理装置の説明は、保持装置100及び基板保持装置200の説明に準じる。
本発明に係る基板処理装置は、本発明に係る基板保持装置を備えたことを特徴としている。すなわち、上述した基板保持装置100及び基板保持装置200は、本発明に係る基板処理装置が備える保持装置の一実施形態であるため、本発明に係る基板処理装置の説明は、保持装置100及び基板保持装置200の説明に準じる。
なお、保持装置100又は基板保持装置200に基板1を保持する工程を包含する基板処理方法も、本発明の範疇に含まれる。
保持容器における排気部の形成位置が、ダイシングテープが受けるダメージに及ぼす影響を調べた。
まず、薄化処理した12インチシリコンウェハ(厚さ50μm)の片面に、ダイシングフレームを有するダイシングテープを貼り付け、積層体を作成した。ウェハのダイシングテープが貼り付けられた面に背向する面を、有機溶剤成分を含む接着剤を用いてコーティングし、70μmの接着剤層を形成した(コーティングした接着剤をベークせずに用いることで、ウェハが有機溶剤等で汚染した状態を再現した(汚染積層体))。また、比較対照として、基板を接着剤によりコーティングしていない積層体(正常積層体)を作成した。
基板保持装置として、複数の支持部により基板保持装置内を分割し、13段のスロットが形成された基板保持装置を用いた。ロボットアームにより積層体が収容される面を開口し、作成した積層体を収容した。
汚染積層体を収容した上段のスロットに、汚染積層体のウェハ側の面と正常積層体のダイシングテープ側の面とが対向するように、正常積層体を収容し、1組の積層体とした。このような積層体の組を、基板保持装置の上部、中央部及び下部にそれぞれ収容した。
実施例として、図3に示すように、保持容器側面の下部左側に1つの排気部103aを設けた基板保持装置100a(実施例1)、図4に示すように、保持容器側面の下部右側に1つの排気部103bを設けた基板保持装置100b(実施例2)、図5に示すように、保持容器上面に2つの排気部103cを設けた基板保持装置100c(実施例3)、図6に示すように、保持容器の対向する2つの側面の中央部にそれぞれ1つの排気部103dを設けた基板保持装置100d(実施例4)、図7に示すように、保持容器の上壁において、積層体の外周部に対向する位置全体に向けた開口部を有する排気部103eを設けた基板保持装置100e(実施例5)、図8に示すように、複数組の隣接する積層体間の全てに対して開口した開口部を有する排気部103fを、積層体の面に沿った方向に3つ配列して設けた基板保持装置100f(実施例6)をそれぞれ用いた。比較例として、排気部を備えていない基板保持装置を用いた。
実施例1〜6の各基板保持装置100a〜100fにおいて、各積層体を収容するために開口した開放面は、図3〜8の各図中(b)に示すように開口したままで、以下の処理を行った。また、比較例の基板保持装置においても、同様に開放面は開口したままにした。
実施例1〜6の各基板保持装置に設けられた排気部において、排気ダクトは直径約50mmであり、当該排気ダクトをさらに直径約100mmのダクトに連結し、2m3/minで基板保持装置内の気体を吸引排気した。実施例1〜6及び比較例の基板保持装置内に、各組の積層体を収容した状態で5時間放置し、正常積層体のダイシングテープが受けるダメージを目視により確認した。
その結果、実施例1〜6の全てにおいて、保持容器内における収容位置に関わらず、正常積層体のダイシングテープはほとんどダメージを受けなかった、一方、比較例においては、全ての収容位置において、正常積層体のダイシングテープ全面が膨潤し、ウェハから剥離していた。
実施例1〜5においては、排気部からより遠い位置に収容された正常積層体のダイシングテープにおいて、他の位置に収容された正常積層体のダイシングテープと比較してわずかにダイシングテープの膨潤が見られた。また、膨潤が見られたダイシングテープにおいて、排気部の設置位置側の部分が、他の位置よりもわずかに多く膨潤していた。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、例えば、薄板化ウェハの保持等に利用することができる。
1 基板
2 ダイシングテープ
3 ダイシングフレーム
10 積層体
100 基板保持装置
101 保持容器
103 排気部
200 基板保持装置
201 保持容器
203 排気部
204 気体送入部
2 ダイシングテープ
3 ダイシングフレーム
10 積層体
100 基板保持装置
101 保持容器
103 排気部
200 基板保持装置
201 保持容器
203 排気部
204 気体送入部
Claims (9)
- その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、
上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段と、
を備えていることを特徴とする基板保持装置。 - 上記気流発生手段は、上記保持容器内の気体を吸引して、上記保持容器外に排気する排気部を備えていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 上記保持容器は、上記基板を、液体により処理される面が、隣接する他の基板における粘着テープが貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する上記基板同士が接触しないように保持するようになっており、
上記排気部は、少なくとも一組の隣接する上記基板間の空隙に向かって開口している開口部を備え、当該開口部を介して上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項2に記載の基板保持装置。 - 上記開口部は、複数組の隣接する上記基板間の全ての空隙に向かって開口していることを特徴とする請求項3に記載の基板保持装置。
- 上記排気部は、上記保持容器内に保持される上記基板の面に沿った方向に配列した複数の上記開口部を備えていることを特徴とする請求項3又は4に記載の基板保持装置。
- 上記排気部は、上記開口部における流量が5m3/分以上、200m3/分以下になるように、上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の基板保持装置。
- 上記排気部は、上記保持容器内の気体の流れが実質的に均一になるように、上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項2〜6のいずれか1項に記載の基板保持装置。
- 上記気流発生手段は、上記保持容器内に気体を送り込む気体送入部を備え、
上記保持容器には、上記保持容器内の気体を上記保持容器外に排気する排気口が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板保持装置を備えたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012123721A JP2013251348A (ja) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 基板保持装置及び基板処理装置 |
PCT/JP2013/060280 WO2013179762A1 (ja) | 2012-05-30 | 2013-04-04 | 基板保持装置及び基板処理装置 |
TW102118405A TW201401407A (zh) | 2012-05-30 | 2013-05-24 | 基板保持裝置及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012123721A JP2013251348A (ja) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 基板保持装置及び基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013251348A true JP2013251348A (ja) | 2013-12-12 |
Family
ID=49672970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012123721A Pending JP2013251348A (ja) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 基板保持装置及び基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013251348A (ja) |
TW (1) | TW201401407A (ja) |
WO (1) | WO2013179762A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2012
- 2012-05-30 JP JP2012123721A patent/JP2013251348A/ja active Pending
-
2013
- 2013-04-04 WO PCT/JP2013/060280 patent/WO2013179762A1/ja active Application Filing
- 2013-05-24 TW TW102118405A patent/TW201401407A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013179762A1 (ja) | 2013-12-05 |
TW201401407A (zh) | 2014-01-01 |
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