WO2013164942A1 - Procédé de gravure, dispositif de gravure et support d'informations - Google Patents

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佐藤　秀明
孝弘 古川
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Abstract

[Problème] L'invention vise à réaliser avec précision un processus de gravure sur une plaquette, à maintenir dans une plage constante définie, la concentration d'un composant d'élution dans un fluide de gravure élué à partir de la plaquette. [Solution] Le procédé de gravure selon l'invention consiste en : un processus dans lequel le fluide de gravure (E), qui est apporté au processus de gravure après un processus de gravure, est déchargé à partir d'une section de décharge (30) dans une première quantité définie ; et un processus dans lequel du fluide de gravure (E) neuf est ajouté depuis une section d'ajout (11) dans une seconde quantité définie. La décharge de fluide de gravure et l'ajout de fluide de gravure neuf sont effectués en déterminant la première quantité définie pour la décharge et la seconde quantité définie pour l'ajout sur la base de : la concentration du composant d'élution de la plaquette (W), ladite concentration étant dans le fluide de gravure (E) et provenant d'une section de mesure de composant d'élution (25) ; la concentration en fluide de gravure (E) à partir d'une section de mesure de concentration (26) ; et la température du fluide de gravure à partir d'une section de mesure de température (27).
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016219449A (ja) * 2015-05-14 2016-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN108140572A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置及基板处理方法
CN108461426A (zh) * 2018-03-15 2018-08-28 福建省福联集成电路有限公司 一种多功能的蚀刻装置
CN111312619A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和处理液浓缩方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6118739B2 (ja) * 2014-01-31 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6412734B2 (ja) * 2014-08-19 2018-10-24 アプリシアテクノロジー株式会社 珪素濃度測定装置、半導体用エッチング処理装置、及び珪素濃度測定方法
JP6370233B2 (ja) * 2015-01-30 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6326387B2 (ja) * 2015-03-19 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6698446B2 (ja) * 2016-07-05 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6940232B2 (ja) * 2016-09-23 2021-09-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6909620B2 (ja) * 2017-04-20 2021-07-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6896129B2 (ja) * 2017-09-28 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
JP6735718B2 (ja) 2017-09-28 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
JP6776208B2 (ja) 2017-09-28 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6994898B2 (ja) 2017-10-19 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
JP6994899B2 (ja) 2017-10-20 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2019192863A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7072453B2 (ja) * 2018-06-29 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP6516908B2 (ja) * 2018-07-03 2019-05-22 東京エレクトロン株式会社 リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN109037119B (zh) * 2018-09-13 2021-04-09 友达光电（昆山）有限公司 一种蚀刻装置
JP7096112B2 (ja) * 2018-09-13 2022-07-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7158249B2 (ja) 2018-11-09 2022-10-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP7126927B2 (ja) * 2018-11-16 2022-08-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102081708B1 (ko) * 2019-04-15 2020-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001023952A (ja) * 1999-03-30 2001-01-26 Tokyo Electron Ltd エッチング方法及びエッチング装置
JP2007517413A (ja) * 2003-12-30 2007-06-28 アクリオン・エルエルシー 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法
JP2011119610A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001023952A (ja) * 1999-03-30 2001-01-26 Tokyo Electron Ltd エッチング方法及びエッチング装置
JP2007517413A (ja) * 2003-12-30 2007-06-28 アクリオン・エルエルシー 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法
JP2011119610A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016219449A (ja) * 2015-05-14 2016-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN108140572A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置及基板处理方法
CN108461426A (zh) * 2018-03-15 2018-08-28 福建省福联集成电路有限公司 一种多功能的蚀刻装置
CN108461426B (zh) * 2018-03-15 2024-01-23 福建省福联集成电路有限公司 一种多功能的蚀刻装置
CN111312619A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和处理液浓缩方法

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