WO2013100145A1 - 光学素子、光学薄膜形成装置、及び光学薄膜形成方法 - Google Patents
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Definitions
- An optical thin film forming method is a method of forming an optical thin film on a film forming material having a curved surface.
- This method includes an arranging step of arranging a film forming material on an arrangement portion in the processing chamber, and an exhausting step of evacuating the processing chamber in a state where the film forming material is arranged in the processing chamber.
- This method also includes a gas supply step of supplying an active gas and an inert gas into the processing chamber after evacuation.
- This method also applies a voltage to a target that is provided in a processing chamber to which an active gas and an inert gas are supplied, and that is disposed opposite to the arrangement portion, so that the inert gas collides with the target.
- a sputtering step of extracting target particles from the target In addition, in this method, target particles or active gas obtained by a sputtering process in a state in which a specific space that is a part of the space in the processing chamber and is between the target and the placement portion is surrounded by a shielding portion. There is an optical thin film forming step in which the particles that have reacted with the material are deposited on the curved surface of the film forming material.
- FIG. 1 is a conceptual diagram of a reactive sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows a mode that the target particle
- FIG. 5 It is sectional drawing which shows the lens surface of the optical lens of Example 5 in Example 5, and the figure which shows the spectral reflection characteristic of the anti-reflective film formed in the lens surface. It is a figure which shows the spectral reflection characteristic of the anti-reflective film in the measurement position of a part of lens surface of the optical lens of the film-forming target in Example 5.
- FIG. It is a figure which shows the film structure of the anti-reflective film in Example 6, and the film-forming conditions by reactive sputtering.
- the outer diameter of the outer peripheral edge 3b of the aspheric lens surface 3a is larger than the effective lens diameter.
- An annular land surface 3c having a constant width is continuous with the outer peripheral edge 3b of the aspheric lens surface 3a in a direction orthogonal to the lens optical axis 3A.
- the sphere length Z in the optical lens 3 is the length in the direction along the lens optical axis 3A from the height position of the land surface 3c of the optical lens 3 to the height position of the center P of the optical lens 3. It is.
- FIG. 10 is a diagram showing the spectral reflection characteristics of the antireflection film at a part of the measurement positions on the lens surface of the optical lens to be deposited in Example 2.
- FIG. 10A shows the spectral reflection characteristics at the center P and a plurality of measurement positions (positions A1, B1, C1) arranged in the radial direction
- FIG. 10B shows the center P arranged in the circumferential direction.
- the spectral reflection characteristics at a plurality of measurement positions are shown.
- Example 6 In comparison, in Example 6 in which the antireflection film was formed on the lens surface by the optical thin film formation method according to the embodiment of the present invention, ⁇ 1 at the reflectance of 1.0% of the antireflection film was 12 nm, Further, ⁇ 2 at a reflectance of 1.0% is 38 nm, and an antireflection film having substantially the same optical film thickness is formed.
- the antireflection film is formed by the optical thin film formation method according to the embodiment of the present invention. The superiority of forming the film can be confirmed.
- the lowermost position of the shielding part is arranged at least equal to or lower than the lowest position of the lens surface of the convex lens arranged on the arrangement part. be able to.
- the spectral reflectance was demonstrated to the example, it is not restricted to this.
- the present invention can also be applied to the spectral transmittance using the transmittance which is in the integral relationship with the reflectance as an index.
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Abstract
Description
屈折率表記(λ=550nm)
M=1.55~1.80
H=1.80~2.60
L=1.30~1.55
<<実施例一覧>>
(実施例1)凹半球レンズ、B270、7層
(実施例2)凹半球レンズ、B270、7層
(実施例3)凹非球面レンズ、M-TAF101、7層
(実施例4)凹非球面レンズ、M-TAFD305、7層
(実施例5)凹非球面レンズ、M-TAFD305、7層
(実施例6)凹非球面レンズ、M-TAFD305、1層(SiO2)
<<比較例一覧>>
(比較例1)凹非球面レンズ、M-TAFD305、1層(SiO2)
(比較例2)凹非球面レンズ、M-TAFD305、1層(SiO2)
屈折率はλ=550nmにおける屈折率である。
なお、「分光反射率」とは、反射率を波長の関数として表したものをいう(非特許文献:「光用語辞典P237、発行者:オーム社)。本明細書においては、「分光反射率」を同じ意味として「分光反射特性」や「特性曲線」とも表記する。
x1=0.01~0.50
x2=0.01~0.60
x3=0.01~0.50
x4=0.70~1.30
y1=0.30~1.00
y2=0.80~1.50
y3=0.40~1.00
x1=0.70~1.30
x1=0.70~1.30
x1=0.70~1.30
2 処理室
3 光学レンズ
3a レンズ面
3b 外周縁
3c ランド面
4 ワークホルダー
4a ワーク設置面
5 ターゲット
5a ターゲット表面
6 スパッタ電極
7 電源
8 空間
9 遮蔽部
11 排気機構
12 不活性ガス供給機構
13 活性ガス供給機構
14 反射防止膜
L ターゲット表面とレンズ面の間の最大距離
Claims (14)
- 曲面状に形成された曲面状表面と、
前記曲面状表面上に形成された光学薄膜と
を備え、
前記曲面状表面は、
前記曲面状表面の中心を含む第1の部位と、
前記第1の部位から離れた第2の部位と
を有し、
前記第1の部位上の光学薄膜の光学的膜厚と、前記第2の部位上の光学薄膜の光学的膜厚は、実質的に同じである、
光学素子。 - 前記光学薄膜の分光反射率の所定の反射率または前記光学薄膜の分光透過率の所定の透過率において、前記第1の部位上の最も短波長側の波長と、前記第2の部位上の最も短波長側の波長との第1の波長差は、50nm以下である、
または、
前記光学薄膜の分光反射率の所定の反射率または前記光学薄膜の分光透過率の所定の透過率において、前記第1の部位上の最も長波長側の波長と、前記第2の部位上の最も長波長側の波長との第2の波長差は、100nm以下である、
請求項1記載の光学素子。 - 前記光学薄膜は、反射防止膜であり、
紫外領域から近赤外領域の分光反射特性において分光反射率1.0%を満たす場合に、
前記第1の波長差は30nm以下である、または、
前記第2の波長差は60nm以下である、
請求項2記載の光学素子。 - 前記第2の部位は複数あり、
複数の前記第2の部位の各々は、前記曲面状表面の径方向に配置され、
前記複数の第2の部位の各々について、前記第2の波長差は、60nm以下である、
請求項2または3記載の光学素子。 - 前記第2の部位は複数あり、
複数の前記第2の部位の各々は、前記曲面状表面の周方向に配置され、
前記複数の第2の部位の各々について、前記第2の波長差は、60nm以下である、
請求項2~4のいずれか1項に記載の光学素子。 - 前記光学薄膜は、単層膜であり、
前記単層膜は、前記光学素子の表面に、酸化シリコンにより形成される層である、
請求項1~5のいずれか1項に記載の光学素子。 - 前記光学薄膜は、多層膜である、
請求項1~5のいずれか1項に記載の光学素子。 - 前記光学薄膜は、前記光学素子の表面に、酸化シリコンにより形成される層と、酸化ニオブにより形成される層とを交互に積層した多層膜である、
請求項7記載の光学素子。 - 処理室を有し、曲面状表面を有する被成膜材に光学薄膜を前記処理室において形成する光学薄膜形成装置において、
前記処理室内の空気を排気する排気部と、
真空状態に保持された前記処理室内に活性ガスおよび不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に設けられ、前記被成膜材が配置される配置部と、
前記処理室内において前記配置部に対向配置されたターゲットと、
前記ターゲットの粒子が出るよう前記ターゲットに電圧を印加する電源と、
前記処理室内に設けられ、前記処理室内の空間の一部分であって前記ターゲットと前記配置部との間の空間である特定空間を取り囲むことが可能である遮蔽部と、
を備え、
光学薄膜形成装置。 - 前記遮蔽部の最下部の位置は、前記配置部に配置された前記被成膜材の最も高い位置と同じかそれよりも低い、
請求項9記載の光学薄膜形成装置。 - 前記被成膜材は、光学素子であり、
前記曲面状表面は、凹面形状を有し、
前記光学素子を前記配置部上に配置した状態において、前記曲面状表面の面径を前記凹面形状における球欠長さで除した値を、前記ターゲット表面から前記凹面形状の最も遠い位置までの距離でさらに除したときの値が0.010~10の範囲となるように前記配置部及び前記ターゲットが配置されている、
請求項9または10記載の光学薄膜形成装置。 - 第1の変更と第2の変更のうちの少なくとも一方を行う位置変更部を更に備え、
前記第1の変更は、前記遮蔽部の前記配置部に対する相対的な位置を、前記特定空間を取り囲む第1の位置から、前記第1の位置よりも前記配置部と前記遮蔽部とが離れた第2の位置へと変更することであり、
前記第2の変更は、前記相対的な位置を、前記第2の位置から前記第1の位置へと変更することである、
請求項9~11のいずれか1項に記載の光学薄膜形成装置。 - 曲面状表面を有する被成膜材に光学薄膜を形成する光学薄膜形成方法において、
処理室内の配置部上に前記被成膜材を配置する配置工程と、
前記被成膜材が前記処理室内に配置された状態で、前記処理室内を真空排気する排気工程と、
真空排気した後に前記処理室内に活性ガスおよび不活性ガスを供給するガス供給工程と、
前記配置部に対向配置されたターゲットに電圧を印加することにより、前記不活性ガスが前記ターゲットに衝突して前記ターゲットから前記ターゲットの粒子を出すスパッタ工程と、
前記処理室内の空間の一部分であって前記ターゲットと前記配置部との間の空間である特定空間を遮蔽部により取り囲んだ状態で、前記スパッタ工程により得られる前記ターゲットの粒子、または、前記活性ガスと反応した前記粒子が、前記被成膜材の前記曲面状表面に堆積する光学薄膜形成工程と
を有する光学薄膜形成方法。 - 前記光学薄膜形成工程において、前記被成膜材は、前記特定空間の中の前記ターゲットの粒子の平均自由行程と、前記遮蔽部の内側面の距離との比で求められるクヌーセン数が0.3より小さい領域に配置されている、
請求項13記載の光学薄膜形成方法。
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