JP5654255B2 - 蒸着装置 - Google Patents
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Description
また、基板が曲面を有するレンズである場合には、その曲面においても局所的に異なる膜厚分布が生じ同一のレンズでありながら干渉色が異なってしまうことがあり得る。特に、曲率半径の大きいハイカーブレンズでは、レンズの周縁がカーブの影になり、蒸着材料が付着しにくい。
補正板を配置することにより、各基板に成膜される蒸着膜の膜厚を均一に補正することができる。
すなわち、本実施形態例では、基板支持面2aの形状が蒸着源4を中心とする球面形状とされているため、基板支持部材2に支持された全ての基板6が、蒸着源4から等距離(=R)に配置される。
ところで、真空蒸着においては、真空チャンバー7内の圧力が十分低く保たれているため、蒸着源4に保持された蒸着材料の分子は基板6に向かってほぼ放射状に飛散する。このため、以下の説明では、基板6の被蒸着面に対する蒸着源4からの角度を、その被蒸着面に対する蒸着角(本明細書において「蒸着角」とは、蒸着源からの角度を示す。)として説明する。図3では、基板6の下端における被蒸着面の接線lnと、その下端の位置と蒸着源4とを結ぶ線l1の角度差θ1を基板6上端への蒸着角θ1とし、基板6の上端における被蒸着面の接線lnと、その上端の位置と蒸着源4とを結ぶ線l2とを基板6の下端への蒸着角θ2とする。
次に、上述した本実施形態例の蒸着装置1をより具体的に実施した実施例について説明する。図4Aは、実施例に係る蒸着装置の概略構成図である。
このように、実施例の蒸着装置では、基板6内でも、基板6間においても基板6周縁の蒸着角は同じになることがわかった。
図7Aは、比較例1に係る蒸着装置の概略構成図である。また、図7Bは、比較例1における蒸着装置を用いた場合の、蒸発源に最も接近する側であるB側(B side)の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θB(=θ1−θ2)と、蒸発源に最も遠隔する側であるC側(C side)の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θC(θ1−θ2)とを示している。また、基板支持面の回転で、その角度差は、ある程度相殺される。図7Bには、B側及びC側の角度差θB、θCが基板支持面の回転でも相殺できない角度分(相乗角度差)も示している。なお、ここで示す相乗角度差はB側及びC側の角度差θB、θCを和算した値(θB+θC)である。
すなわち、比較例1では、
R=1146mm
AG=90mm
GD=1146mm
BC=1390mm
に構成された蒸着装置を用いた。
図8Aは、比較例2に係る蒸着装置の概略構成図である。また、図8Bは、蒸発源に最も近接する側であるB側(B side)の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θB(=θ1−θ2)と、蒸発源に最も遠隔する側であるC側(C side)の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θC(=θ1−θ2)と、基板B側及びC側の角度差θB、θCから算出される相乗角度差θB+θCも示している。
R=1000mm
AG=90m、
GD=1146mm
BC=1350mm
に構成された蒸着装置を用いた。
図9Aは、比較例3に係る蒸着装置の概略構成図である。また、図9Bは、基板保持部材2の中心から一方の側であるB側の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θB(=θ1−θ2)と、B側とは基板保持部材の中心を挟んで反対側であるC側の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θC(=θ1−θ2)と、基板B側及びC側の角度差θB、θCの和算値から算出される相乗角度差θB+θCも示している。
すなわち、比較例3では、
R=1000mm
AG=0mm
GD=1146mm
BC=1350mm
に構成された蒸着装置を用いた。
図10Aは、比較例4に係る蒸着装置の概略構成図である。また、図10Bは、蒸発源に最も近接する側であるB側の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θB(=θ1−θ2)と、蒸発源に最も遠隔する側であるC側(C side)の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θC(=θ1−θ2)と、基板B側及びC側の角度差θB、θCの和算値から算出される相乗角度差θB+θCも示している。
R=1375.53mm
AG=90mm
GD=1146mm
BC=1390mm
に構成された蒸着装置を用いた。
図11Aは、比較例5に係る蒸着装置の概略構成図である。また、図11Bは、基板保持部材2の中心から一方の側であるB側(B side)の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θB(=θ1−θ2)と、B側とは基板保持部材の中心を挟んで反対側であるC側(C side)の1段目から8段目に配置された各基板6における被蒸着面の下端への蒸着角θ1、上端への蒸着角θ2、その蒸着角の角度差θC(=θ1−θ2)と、基板B側及びC側の角度差θB、θCの和算値から算出される相乗角度差θB+θCも示している。
すなわち、比較例3では、
R=1375.53mm
AG=0mm
GD=1146mm
BC=1390mm
に構成された蒸着装置を用いた。
次に、実施例の蒸着装置と、比較例4の蒸着装置において、蒸着材料としてSiO2を用いた成膜実験の比較結果を示す。この実験では、実施例の蒸着装置、及び比較例の蒸着装置ともに、基板支持部材2を回転させずに成膜を行った。
一方で、比較例4の蒸着装置を用いた場合では、基板支持部材2の中心軸から一方の側に支持された基板6が、他方の側に支持された基板6よりも明らかに膜厚が小さい。
Claims (4)
- 複数の基板を支持する基板支持部材と、
前記基板支持部材に支持された基板の被蒸着面上に所望の蒸着材料を飛散させる蒸着源であって、各基板の被蒸着面の周縁に対する蒸着源からの角度が、被蒸着面全周に渡ってほぼ同一となるように配置された蒸着源であって、
前記基板支持部材に支持された回転対称形状のある基板の被蒸着面全周縁にわたって前記ある基板の被蒸着面の周縁に対する蒸着源からの角度がほぼ同一となる位置に前記蒸着源が配置された
ことを特徴とする蒸着装置。 - 前記基板支持部材は、前記蒸着源側に面して所定の曲率を有する基板支持面を有して構成され、
前記複数の基板は、前記基板支持面に、前記被蒸着面が前記蒸着源側に面するように支持され、
前記基板支持部材に支持されたある基板から前記蒸着源への距離と、前記基板支持部材に支持された他の基板であって、前記ある基板とは異なる段に配置された基板から前記蒸着源への距離とが等距離である
ことを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。 - 前記回転対称形状のある基板は、被蒸着面が凸面形状のレンズである
請求項1又は2に記載の蒸着装置。 - 前記各基板の被蒸着面は曲面を有する
請求項1〜3のいずれかに記載の蒸着装置。
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JP2010077916A JP5654255B2 (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 蒸着装置 |
Publications (2)
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JP2011208238A JP2011208238A (ja) | 2011-10-20 |
JP5654255B2 true JP5654255B2 (ja) | 2015-01-14 |
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Family Applications (1)
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- 2010-03-30 JP JP2010077916A patent/JP5654255B2/ja active Active
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