WO2013075591A1 - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例公开了阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板的制作方法包括：在基板上形成栅电极和公共电极；在形成有所述栅电极和公共电极的基板上形成栅绝缘层和有源层；在形成有所述栅绝缘层和有源层的基板上形成包括源电极和漏电极的源漏电极层；在形成有所述源漏电极层的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；在形成有所述具有过孔的钝化层的基板上形成像素电极，所述像素电极通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接。所述形成像素电极的过程包括：初次刻蚀工艺、灰化工艺和二次刻蚀工艺。

Description

阵列基板及其制作方法、 显示装置 技术领域
本发明的实施例涉及阵列基板及其制作方法、 显示装置。 背景技术
薄膜晶体管液晶显示 ( Thin Film Transistor Liquid Crystal Display , TFT-LCD )技术在近些年来发展迅速。 然而， 液晶显示器在正面观看画面显 示效果很好， 而从侧面观看就会出现变色。 广视角 （ Wide Viewing Angle ) 技术由于降低了侧面看屏幕产生的变色程度， 而成为新的发展趋势。 高级超 维场转换技术（ Advanced Super Dimension Switch, ADSDS ) , 简称 ADS, 是液晶界为解决大尺寸、 高清晰度桌面显示器和液晶电视应用而开发的广视 角技术。 其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板 状电极层间产生的电场形成多维电场， 使液晶盒内狭缝电极间、 电极正上方 所有取向液晶分子都能够产生旋转， 从而提高了液晶工作效率并增大了透光 效率。 高级超维场开关技术可以提高 TFT-LCD产品的画面品质， 具有高分 辨率、 高透过率、 低功耗、 宽视角、 高开口率、低色差、 无挤压水波紋（push Mura )等优点。
如图 1所示， ADS模式的液晶面板包括彩膜基板 12和阵列基板， 阵列 基板包括位于下部的形成于基板 1上的透明氧化铟锡（ ITO )公共电极（ Vcom, 可视为板状电极） 3' , 和位于上部的钝化层（Passivation ) 7上的作为像素电 极的条状电极 8' (可视为狭缝状电极） 。 其中条状电极 8'通过曝光、 显影、 刻蚀和剥离等工艺而形成。彩膜基板 12和阵列基板之间发生多维电场后在大 部分区域上使光透过， 从而可以实现高亮度的广视角。 ADS模式液晶面板的 透过率与条状电极 8'的间距（Pitch ) a相关。
在 ADS模式的液晶面板中，条状电极的间距 a等于条状电极的宽度（ CD ) b与条状电极之间的间隙（Spacer ) c之和。 当条状电极的间距 a为 ΙΟμπι时， 条状电极的宽度 b为 4μπι, 条状电极之间的间隙 c为 6μπι; 当间距为 8μπι, 条状电极的宽度 b为 2.6μπι, 条状电极之间的间隙 c为 5.4μπι时， 液晶面板 的亮度特性较好。 当条状电极的间距 a为 6μπι, 条状电极的宽度 b为 2μπι, 间隙 c为 4μπι时， 液晶面板的亮度特性非常好， 但由于现有的曝光机能够曝 光的宽度在 3.0-5.0μπι之间， 因此工艺上要实现条状电极的宽度 b小于 3μπι 较难， 随着条状电极宽度的变化液晶面板容易产生斑或波紋（ Mura )等不良， 降低液晶面板的显示品质。
如图 2所示，示出了液晶面板的透过率与条状电极的宽度 b之间的关系， 随着间距 = +0逐渐变小， 液晶面板的亮度（即透过率）会增加； 虽然亮度 在增加， 但维持亮度均一性的工艺范围在逐渐减 d、。
再如图 3所示，示出了透过率的变化随条状电极宽度 b的变化仿真数据。 图中两条曲线分别代表条状电极的间距 a为 8μπι和条状电极的间距 a为 ΙΟμπι 时的情形。 从图中可以看出， 当宽度 b的增加百分比相同的情况下， 条状电 极的间距 a为 8μπι与条状电极的间距 a为 ΙΟμπι的液晶面板相比， 前者透过 率随间距变化量的变化较大， 容易产生斑或波紋（Mura )等现象。
结合图 2和图 3中两个曲线图可知， 条状电极的间距 a越小， 液晶面板 的亮度越好； 在同样的条状电极的间距 a的情况下，条状电极的宽度 b越小， 液晶面板的亮度越好。 发明内容
本发明的一个实施例提供阵列基板的制作方法， 包括： 在基板上形成栅 电极和公共电极； 在形成有所述栅电极和公共电极的基板上形成栅绝缘层和 有源层； 在形成有所述栅绝缘层和有源层的基板上形成包括源电极和漏电极 的源漏电极层； 在形成有所述源漏电极层的基板上形成钝化层， 并在所述钝 化层上形成过孔； 在形成有所述具有过孔的钝化层的基板上形成像素电极， 所述像素电极通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接； 其中， 所述形成像素 电极的过程包括： 初次刻蚀工艺、 灰化工艺和二次刻蚀工艺。
本发明的另一实施例还提供一种阵列基板， 包括： 基板； 形成于所述基 板上的栅电极和公共电极； 形成于所述基板上并覆盖所述栅电极和公共电极 的栅绝缘层； 依次形成在所述栅绝缘层上并位于栅电极之上的有源层和源漏 电极层， 所述源漏电极层包括源电极和漏电极； 形成在所述基板上并覆盖所 述有源层、 源漏电极层和栅绝缘层的钝化层， 所述钝化层上形成有过孔； 以 连接的像素电 本发明的又一实施例还提供了一种显示装置， 包括上述阵列基板。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例或现有技 术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图 仅仅涉及本发明的一些实施例， 并非对本发明的限制。
图 1是现有技术中 ADS模式的液晶面板的结构示意图；
图 2是 ADS模式的液晶面板的光透过率随条状电极的宽度变化的曲线 图 3是 ADS模式的液晶面板的光透过率的降低百分比随条状电极宽度 增加的百分比变化的曲线图；
图 4是本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图 5是图 4中步骤 S5的流程图；
图 6a-图 6f是步骤 S5的各个步骤对应的结构图；
图 7是本发明实施例的阵列基板的局部结构示意图； 具体实施方式
下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
本发明要解决的技术问题之一是如何形成尺寸更小的条状电极， 以提高 显示装置的透过率， 改善斑或波紋现象。
本发明实施例的阵列基板包括多条栅线和多条数据线， 这些栅线和数据 线彼此交叉由此限定了排列为矩阵的像素单元， 每个像素单元包括作为开关 元件的薄膜晶体管和用于控制液晶的排列的像素电极和公共电极。 例如， 每 个像素的薄膜晶体管的栅极与相应的栅线电连接或一体形成， 源极与相应的 数据线电连接或一体形成， 漏极与相应的像素电极电连接或一体形成。 下面 的描述主要针对单个或多个像素单元进行， 但是其他像素单元可以相同地形 成。
第一实施例
如图 4所示， 为本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图， 并结合图 7所示， 本方法包括以下步骤：
步骤 Sl、 在基板 1上形成透明电极 31、 栅电极 2、 栅线（未示出）和公 共电极线 32; 其中栅电极 2、栅线和公共电极线 32可以由一金属薄膜通过构 图工艺而形成， 透明电极 31和公共电极线 32彼此电性连接以构成公共电极 3 , 即， 板状电极；
本步骤中的金属薄膜可以包含 Mo, Cu, A1或铝镍合金及其组合物； 基 板 1可以为玻璃基板、 树脂基板等等；
步骤 S2、 在完成步骤 1的基板 1上连续沉积栅绝缘层 4和非晶硅薄膜， 通过构图工艺在栅绝缘层 4上形成有源层 5;
本步骤中栅绝缘层 4的材料可选用氮化硅或氧化硅等， 用于形成有源层 5的非晶硅薄膜例如包括下 n+a-Si非晶硅薄膜 52、 a-Si非晶硅薄膜 51和上 n+a-Si非晶硅薄膜 52;
步骤 S3、 在完成步骤 S2的基板上沉积金属薄膜， 通过构图工艺形成包 括源电极 61和漏电极 62的源漏电极层 6。源电极 61和漏电极 6之间的间隙 暴露部分的上 n+a-Si非晶硅薄膜 52。 接着将上 n+a-Si非晶硅薄膜 52的暴露 部分完全刻蚀掉， 并将由此暴露的 a-Si非晶硅薄膜 51刻蚀掉一部分， 从而 形成 TFT沟道；
步骤 S4、 在完成步骤 S3的基板上沉积钝化层 7, 并在钝化层 7上形成 过孔 H;
步骤 S5、 在完成步骤 S4的基板上形成像素电极 8, 像素电极 8通过过 孔 H与源漏电极层 6中的漏电极 62连接； 其中， 像素电极 8例如包括与透 明电极 31重叠的多个条状电极 81 , 两个相邻的条状电极 81之间例如存在狭 缝。条状电极 81可以为之字形、直线形等。 所述形成像素电极 8的过程至少 包括： 初次刻蚀工艺、 灰化工艺和二次刻蚀工艺。
上述步骤中所涉及的构图工艺至少包括： 涂覆、掩模曝光、 显影、 刻蚀、 剥离等一系列过程。 如图 5所示， 该步骤 S5例如包括：
步骤 S51、 在钝化层 7上依次沉积透明导电膜 9和光刻胶（ Photoresist, PR ) 10; 如图 6a所示； 其中透明导电膜 9可以是氧化铟锡（ ITO )导电膜或 铟辞氧化物（IZO )导电膜等， 本实施例以 ITO导电膜 9为例进行说明。
步骤 S52、 釆用掩模板 11对光刻胶 10进行曝光和显影以形成光刻胶图 案 10'; 如图 6b所示;
步骤 S53、 对 ITO导电膜 9进行第一次刻蚀以形成 ITO导电图案 9，； 如 图 6c所示;
步骤 S54、对光刻胶图案 10，进行灰化处理以形成光刻胶图案 10"; 如图 6d所示；
步骤 S55、 以光刻胶图案 10"作为刻蚀掩模对 ITO导电图案 9，进行第二 次刻蚀以形成 ITO导电图案 9"; 如图 6e所示；
步骤 S56、对光刻胶图案 10"进行剥离处理， 得到 ITO导电图案 9"作为 一个条状电极 81 , 如图 6f所示。
尽管图 5仅示出了一个条状电极 81的示例性形成工艺，但是本领域技术 人员可以理解， 本申请实施例中的像素电极 8所包括的全部或部分条状电极 81均可由上述工艺形成。
在第一次刻蚀工艺之后追加灰化工艺和二次刻蚀工艺， 最后形成的相邻 两个条状电极 81的间距能够达到 4.5-6μηι, 优选地， 为 4.5μπι; 条状电极 81 的宽度能够达到 1.5-2μπι, 优选地， 为 1.5μπι; 两个相邻的条状电极 81之间 的间隙能够达到 3-4 μπι, 优选地， 为 3μηι; 在本发明的一个实施例中， 像素 电极 8所包括的全部条状电极 81的间距为 4.5-6μπι, 优选地， 为 4.5μπι; 每 个条状电极 8的宽度为 1.5-2μπι, 优选地， 为 1.5μπι; 每两个相邻条状电极 81之间的间隙能够达到 3-4 μπι, 优选地， 为 3μπι; 经试验证明， 与现有技术 相比， 根据本申请实施例的液晶面板的亮度特性能够改善 20%-30%, 并且提 高了光透过率， 改善了斑或波紋等现象。
第二实施例
如图 7所示， 本发明实施例还提供了一种阵列基板， 包括基板 1 , 形成 于基板 1上的栅电极 2、 栅线（未示出）和公共电极 32, 形成在基板 1上的 栅绝缘层 4,栅绝缘层 4覆盖在栅电极 2、栅线和公共电极上； 依次形成在栅 绝缘层 4上并位于栅电极 2之上的有源层 5和包括源电极 61和漏电极 62的 源漏电极层 6, 形成在基板 1上的钝化层 7 ,钝化层 7上形成有过孔 H, 形成 其中公共电极包括透明电极 31和公共电极线 32; 其中， 像素电极 8例如包 括与透明电极 31重叠的多个条状电极 81 , 两个相邻的条状电极 81之间例如 存在狭缝。 条状电极 81例如为之字形、 直线形等。
相邻两个条状电极 81的间距为 4.5-6μπι, 优选地， 为 4.5μπι; 条状电极 81的宽度能够达到 1.5-2μπι, 优选地， 为 1.5μπι; 两个相邻的条状电极 81之 间的间隙能够达到 3-4 μπι, 优选地， 为 3μπι; 在本发明的一个实施例中， 像 素电极 8所包括的全部条状电极 81的间距为 4.5-6μπι, 优选地， 为 4.5μπι; 每个条状电极 8的宽度为 1.5-2μπι, 优选地， 为 1.5μπι; 每两个相邻条状电极 81之间的间隙能够达到 3-4 μπι, 优选地， 为 3μπι;
第三实施例
本发明的实施例还提供了一种显示装置， 其包括上述任一实施例的阵列 基板。 本发明的实施例的显示装置可以为包括对置基板的液晶显示装置， 例 如， 用于液晶电视、 手机、 液晶显示器、 GPS等。 其中， 阵列基板与对置基 板彼此对置以形成液晶盒， 在液晶盒中填充有液晶材料。 该对置基板例如为 彩膜基板。 阵列基板的每个像素单元的像素电极用于施加电场对液晶材料的 旋转的程度进行控制从而进行显示操作。 在一些示例例中， 该液晶显示装置 还包括为阵列基板提供背光的背光源。
本发明的实施例的显示装置也可以是不包括彩膜基板的其他类型的显示 装置， 例如电子纸显示装置。
本发明的各个实施例均适用于 ADS 型液晶显示装置以及平面转换 ( In-Plane Switching, IPS )型液晶显示装置。
由以上实施例可以看出， 本发明实施例在形成条状电极时， 通过在初次 刻蚀工艺之后追加灰化工艺和二次刻蚀工艺， 使得条状电极的图案更微小， 从而提高了显示装置的亮度和透过率， 改善了斑和波紋等不良， 提高了液晶 面板的显示品质。 ( 1 ) 阵列基板的制作方法， 包括： 在基板上形成栅电极和公共电极；
在形成有所述栅电极和公共电极的基板上形成栅绝缘层和有源层； 在形成有所述栅绝缘层和有源层的基板上形成包括源电极和漏电极的源 漏电极层；
在形成有所述源漏电极层的基板上形成钝化层， 并在所述钝化层上形成 过孔；
在形成有所述具有过孔的钝化层的基板上形成像素电极， 所述像素电极 通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接； 其中， 所述形成像素电极的过程包 括： 初次刻蚀工艺、 灰化工艺和二次刻蚀工艺。
( 2 )根据 ( 1 ) 的阵列基板的制作方法， 其中， 所述形成像素电极的步 骤包括：
在所述钝化层上依次沉积透明导电膜和光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光和显影以形成第一光刻胶图案；
以第一光刻胶图案作为刻蚀掩模对其下方的所述透明导电膜进行第一次 刻蚀以形成第一透明导电图案；
对第一光刻胶图案进行灰化处理以形成第二光刻胶图案；
以第二光刻胶图案作为刻蚀掩模对所述第一透明导电图案进行第二次刻 蚀以形成第二透明导电图案；
对所述第二光刻胶图案进行剥离处理。
( 3 )根据（ 1 )或（ 2 )的阵列基板的制作方法， 其中， 所述像素电极形 成为包括至少两个相邻的条状电极， 所述至少两个相邻的条状电极的间距为 4.5-6μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极的至少一个的宽度为 1.5-2μπι。
( 4 )根据 ( 3 ) 的阵列基板的制作方法， 其中， 所述至少两个相邻的条 状电极的间距为 4.5μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极中的至少一个的宽 度为 1.5μπι。
( 5 )根据（ 1 ) 的阵列基板的制作方法 , 其中， 所述像素电极形成为与 所述公共电极至少部分重叠。
( 6 )根据（ 1 ) 的阵列基板的制作方法 , 其中， 所述公共电极形成为板 状。
( 7 )根据（ 1 ) 的方法制作的阵列基板 , 包括： 基板； 形成于所述基板 上的栅电极和公共电极； 形成于所述基板上并覆盖所述栅电极和公共电极的 栅绝缘层； 依次形成在所述栅绝缘层上并位于栅电极之上的有源层和源漏电 极层， 所述源漏电极层包括源电极和漏电极； 形成在所述基板上并覆盖所述 有源层、 源漏电极层和栅绝缘层的钝化层， 所述钝化层上形成有过孔； 以及
(8)根据 (7) 的阵列基板， 其中， 所述像素电极包括至少两个相邻的 条状电极， 所述至少两个相邻的条状电极的间距为 4.5-6μπι, 且所述至少两 个相邻的条状电极的至少一个的宽度为 1.5-2μπι。
(9)根据 (7) 的阵列基板， 其中， 所述至少两个相邻的条状电极的间 距为 4.5μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极的至少一个的宽度为 1.5μπι。
(10)显示装置， 包括根据（7) 的阵列基板。
虽然上文中已经用一般性说明、 具体实施方式及实验， 对本发明作了详 尽的描述， 但在本发明基础上， 可以对之作一些修改或改进， 这对本领域技 术人员而言是显而易见的。 因此， 在不偏离本发明精神的基础上所做的这些 修改或改进， 均属于本发明要求保护的范围。

Claims

1、 阵列基板的制作方法， 包括：
在基板上形成栅电极和公共电极；
在形成有所述栅电极和公共电极的基板上形成栅绝缘层和有源层； 在形成有所述栅绝缘层和有源层的基板上形成包括源电极和漏电极的源 漏电极层；
在形成有所述源漏电极层的基板上形成钝化层， 并在所述钝化层上形成 过孔；
在形成有所述具有过孔的钝化层的基板上形成像素电极， 所述像素电极 通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接； 其中， 所述形成像素电极的过程包 括： 初次刻蚀工艺、 灰化工艺和二次刻蚀工艺。
2、如权利要求 1所述的阵列基板的制作方法， 其中， 所述形成像素电极 的步骤包括：
在所述钝化层上依次沉积透明导电膜和光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光和显影以形成第一光刻胶图案；
以第一光刻胶图案作为刻蚀掩模对其下方的所述透明导电膜进行第一次 刻蚀以形成第一透明导电图案；
对第一光刻胶图案进行灰化处理以形成第二光刻胶图案；
以第二光刻胶图案作为刻蚀掩模对所述第一透明导电图案进行第二次刻 蚀以形成第二透明导电图案；
对所述第二光刻胶图案进行剥离处理。
3、如权利要求 1所述的阵列基板的制作方法， 其中， 所述像素电极形成 为包括至少两个相邻的条状电极， 所述至少两个相邻的条状电极的间距为 4.5-6μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极的至少一个的宽度为 1.5-2μπι。
4、如权利要求 2所述的阵列基板的制作方法， 其中， 所述像素电极形成 为包括至少两个相邻的条状电极， 所述至少两个相邻的条状电极的间距为 4.5-6μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极中的至少一个的宽度为 1.5-2μπι。
5、如权利要求 3所述的阵列基板的制作方法， 其中， 所述至少两个相邻 的条状电极的间距为 4.5μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极中的至少一个 的宽度为 1.5μπι。
6、如权利要求 4所述的阵列基板的制作方法， 其中， 所述至少两个相邻 的条状电极的间距为 4.5μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极中的至少一个 的宽度为 1.5μπι。
7、如权利要求 1所述的阵列基板的制作方法， 其中， 所述像素电极形成 为与所述公共电极至少部分重叠。
8、如权利要求 1所述的阵列基板的制作方法， 其中， 所述公共电极形成 为板状。
9、 如权利要求 1所述的方法制作的阵列基板， 包括： 基板； 形成于所述 基板上的栅电极和公共电极； 形成于所述基板上并覆盖所述栅电极和公共电 极的栅绝缘层； 依次形成在所述栅绝缘层上并位于栅电极之上的有源层和源 漏电极层， 所述源漏电极层包括源电极和漏电极； 形成在所述基板上并覆盖 所述有源层、 源漏电极层和栅绝缘层的钝化层， 所述钝化层上形成有过孔； 极。
10、 如权利要求 9所述的阵列基板， 其中， 所述像素电极包括至少两个 相邻的条状电极， 所述至少两个相邻的条状电极的间距为 4.5-6μπι, 且所述 至少两个相邻的条状电极的至少一个的宽度为 1.5-2μπι。
11、如权利要求 10所述的阵列基板， 其中， 所述至少两个相邻的条状电 极的间距为 4.5μπι, 且所述至少两个相邻的条状电极的至少一个的宽度为
1.5μπι。
12、 显示装置， 包括权利要求 9所述的阵列基板。
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