WO2013057802A1 - 基板めっき治具 - Google Patents

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吉岡　潤一郎
村山　隆史
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株式会社Ｊｃｕ
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    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer

Definitions

  • the present invention relates to a plating jig for holding a substrate when performing electrolytic plating of the substrate.
  • the plating jig that holds the substrate is configured such that the conductive pin contacts the conductive film of the substrate while holding the substrate. . Then, with the substrate held on the plating jig, the substrate is immersed in the electrolytic plating solution in the plating solution tank together with the jig, and current is supplied from the energizing pins to perform the electrolytic plating.
  • a sealing member for sealing the semiconductor wafer is provided so that the plating solution does not flow outside the plating surface of the semiconductor wafer. The thing which provided the cathode contact in the surface which does not contact a plating solution is reported (patent document 1).
  • the present inventors also provided a current-carrying member with a U-shaped side surface instead of the current-carrying pin inside the seal packing, and this contacts the conductive film exposed on the semiconductor wafer surface and the member that conducts electricity to the external electrode.
  • a semiconductor wafer plating jig is reported (Patent Document 2).
  • the present invention is such that the current-carrying pins and current-carrying members are not exposed to the plating solution in the plating of substrates such as semiconductor wafers, glass plates, and ceramic plates, and can be reliably energized to the substrate. It is an object to provide a plating jig that can be easily replaced.
  • an annular seal packing having an inner peripheral portion and an outer peripheral portion, and an opening formed at the center side of the annular seal packing. 2 holding members, and by sandwiching and holding the substrate to be plated between the first holding member and the second holding member, the tips of the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the annular seal packing are plated.
  • the substrate to be plated is in close contact with the surface to be plated and the first holding member, and the end of the substrate to be plated is held between the inner periphery and the outer periphery of the annular seal packing, and the surface to be plated of the substrate to be plated is exposed to the opening.
  • an energizing member having a special shape is provided inside the annular seal packing used for this, thereby energizing the plating of the substrate to be plated. With wood is not exposed to the plating solution, can be reliably energized be plated substrate, moreover, replacement of the seal packing also found that easy, and accomplished the present invention.
  • the present invention includes a plate-like first holding member and a second holding member provided with an annular seal packing having an inner peripheral portion and an outer peripheral portion and having an opening formed at the center side of the annular seal packing. And having the substrate to be plated interposed and held between the first holding member and the second holding member so that the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the annular seal packing are respectively plated surfaces of the substrate to be plated. The end of the substrate to be plated is held between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the annular seal packing, and the surface to be plated of the substrate to be plated is exposed to the opening.
  • a substrate plating jig An annular first energization member having a plurality of protruding contacts is provided inside the annular seal packing, and the substrate to be plated is sandwiched and held between the first holding member and the second holding member, thereby
  • the substrate plating jig is characterized in that a surface to be plated and a protruding contact are in contact with each other inside an annular seal packing.
  • the current-carrying member is not exposed to the plating solution when plating a substrate such as a semiconductor wafer, a glass plate, or a ceramic plate, and the substrate can be reliably energized, and the seal packing can be easily replaced. It is.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 2. It is drawing which shows a part of cyclic
  • FIG. 1 is a perspective view showing an entire substrate plating jig for holding a circular semiconductor wafer.
  • 1 is a substrate plating jig
  • 2 is a first holding member
  • 3 is a second holding member
  • 4 is an annular seal packing
  • 5 is an annular first energizing member having a plurality of protruding contacts
  • 6 is an opening
  • 7 is a second energizing member
  • 8 is a substrate base
  • 9 is a semiconductor wafer
  • 10 is a handle
  • 11 is a hinge mechanism.
  • a substrate base 8 having substantially the same shape as the semiconductor wafer 9 is provided on the upper surface of the first holding member 2.
  • the height of the substrate base 8 is not particularly limited, but it needs to be high enough to provide a space for housing components such as the annular first energization member 5 having a plurality of protruding contacts inside the annular seal packing 4. is there.
  • a second energizing member 7 that energizes the external electrode is provided on the upper surface of the first holding member 2.
  • the second energizing member 7 has an annular first seal member having a plurality of protruding contacts inside the annular seal packing 4 by sandwiching and holding the semiconductor wafer 9 between the first holding member 2 and the second holding member 3.
  • the second energizing member 7 is energized by being connected to a conductive member (not shown) embedded in the first holding member 2 or drawn from the back surface.
  • the shape of the second current-carrying member 7 is not particularly limited as long as it is a shape that can easily come into contact with the annular first current-carrying member 5 having a plurality of protruding contacts, and examples thereof include a leaf spring and a coil spring.
  • a third energization member (not shown) corresponding to the position where the second energization member 7 contacts the annular first energization member 5 having a plurality of protruding contacts.
  • the contact method between the second energization member 7 and the third energization member is not particularly limited. For example, sliding contact using an outlet-type energization member is preferable.
  • the second energizing member 7 that energizes the external electrode is provided on the first holding member 2 and is energized by contacting the annular first energizing member 5 having a plurality of protruding contacts.
  • the energization from the external electrode to the annular first energizing member 5 having a plurality of protruding contacts is performed when the semiconductor wafer 9 is interposed between the first holding member 2 and the second holding member 3 and held.
  • the method is not particularly limited as long as the sealing performance by the seal packing 4 is not hindered.
  • the first holding member 2 is provided with a fourth energization member (not shown) for energizing the external electrode, and this is provided with an annular first energization member having a plurality of protruding contacts.
  • a method of directly connecting wires 5 to energize them can be used.
  • the fourth energizing member used here is formed of a flexible conductive member (not shown), and when sandwiching and holding the semiconductor wafer 9 between the first holding member 2 and the second holding member 3, It is preferable that it bends or expands and contracts within the annular seal packing 4.
  • the connection between the fourth energizing member, the second energizing member 7 and the annular first energizing member 5 having a plurality of protruding contacts is in the vicinity of the hinge mechanism 11. It is preferable to carry out with.
  • annular seal packing 4 and an opening 6 having an inner diameter slightly smaller than that of the semiconductor wafer 9 are provided on the center side of the annular seal packing 4.
  • An annular first energization member 5 having a plurality of protruding contacts is provided inside the annular seal packing 4.
  • the second holding member 3 may be provided with a groove or a step so that the annular seal packing 4 can be simply fixed.
  • the annular seal packing 4 is not particularly limited as long as it has an inner peripheral portion and an outer peripheral portion, but is preferably substantially C-shaped, substantially J-shaped, substantially U-shaped, substantially U-shaped, etc. Among these, a substantially U-shaped one having a peripheral edge higher than the inner peripheral part is preferable.
  • FIG. 2 is an overall view of the annular first energization member 5 having a plurality of protruding contacts
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the annular first energization member 5 having a plurality of protruding contacts.
  • the annular first energization member 5 having a plurality of projecting contacts is sized to fit inside the annular seal packing 4 and includes an annular energization member 5a and projecting contacts 5b.
  • the protruding contacts 5b are, for example, a substantially trapezoidal shape, a substantially square shape, a substantially triangular shape, a substantially rod shape, etc., and a plurality of the protruding contact points 5b with an angle ⁇ toward the center direction of the annular seal packing 4 or the opening 6 Provided.
  • Another example of the shape of the protruding contact 5b is shown in FIGS.
  • the protruding contact 5b may be formed separately from the annular energizing member 5a and may be joined by welding or the like.
  • the annular energizing member 5a and the protruding contact 5b are made of a plate-shaped material. What was integrally formed by the press etc. is preferable.
  • the number of the projecting contacts 5b varies depending on the size of the semiconductor wafer and the like and cannot be generally stated, but is preferably 6 or more.
  • the angle ⁇ at which the protruding contact 5b is provided on the annular energizing member 5a is 15 to 45 °, preferably 30 °.
  • the material of the energizing member 5a and the protruding contact 5b is not particularly limited as long as it is a material to be energized, and examples thereof include materials having hardness and elasticity such as phosphor bronze and stainless spring steel.
  • the semiconductor wafer 9 is sandwiched and held between the first holding member 2 and the second holding member 3. Energization to the is ensured. Further, by using the annular first energization member 5 having such a plurality of protruding contacts and providing this inside the annular seal packing 4, a semiconductor is provided between the first holding member 2 and the second holding member 3. When the wafer 9 is interposed and held, the annular seal packing 4 can be pressed with equal pressure, and the deformation of the seal packing can be reduced. As a result, the sealing performance by the seal packing is improved, and the penetration of the plating solution into the energized portion can be suppressed.
  • a chemical fixing means such as a double-sided tape or an adhesive may be used.
  • a physical fixing means such as a stopper may be used. If it is a physical fixing means such as screwing, it is easy to replace the annular seal packing 4 and the annular first energization member 5 having a plurality of protruding contacts.
  • the hinge mechanism 11 is provided on the first holding member 2 and the second holding member 3, and the hinge mechanism is provided. What is necessary is just to fix the other end which provided 11 with a clamp, a U-shaped instrument (none is shown), etc. Moreover, you may utilize the clamper of patent 3629396 for fixation of the 1st holding member 2 and the 2nd holding member 3.
  • FIG. 1 is a clamp, a U-shaped instrument (none is shown), etc.
  • FIG. 7 shows the first holding member 2, the second holding member 3, the annular seal packing 4, and the annular first having a plurality of protruding contacts when the second holding member 3 is stacked on the first holding member 2. It is a figure which shows the positional relationship of the electricity supply member 5, the 2nd electricity supply member 7, the board
  • FIG. By overlapping the second holding member 3 on the first holding member 2, the tips of the inner peripheral portion 4 a and the outer peripheral portion 4 b of the annular seal packing 4 are in close contact with the surface to be plated of the semiconductor wafer 9 and the first holding member 2, respectively. And sealed.
  • the end of the semiconductor wafer 9 is held between the inner peripheral portion 4a and the outer peripheral portion 4b of the annular seal packing 4, and an annular first energization member 5 having a surface to be plated of the semiconductor wafer 9 and a plurality of protruding contacts is provided. Contact is made inside the annular seal packing 4. Further, the second energization member 7 energized with the external electrode by the conductive member 12 contacts and energizes the annular first energization member 5 having a plurality of protruding contacts.
  • the substrate plating jig described above If electrolytic plating is performed using the substrate plating jig described above, the current-carrying member is not exposed to the plating solution, the substrate can be reliably energized, and the seal packing can be easily replaced.
  • the substrate plating jig of the present invention can be used for manufacturing semiconductors.

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Abstract

　半導体ウエハ、ガラス板、セラミック板等の基板のめっきにおいて通電ピンや通電部材がめっき液中に露出しないと共に、確実に基板へ通電でき、しかも、通電ピンや通電部材、シールパッキンの交換も容易なめっき治具を提供することを目的とする。当該めっき治具は、板状の第１保持部材と、内周部および外周部を有する環状のシールパッキンが設けられると共に環状のシールパッキンの中心側に開口が形成されている第２保持部材とを具備し、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、前記環状のシールパッキンの内周部および外周部の先端がそれぞれ被めっき基板の被めっき面および第１保持部材に密接し、かつ被めっき基板の端が環状のシールパッキンの内周部と外周部の間で保持され、被めっき基板の被めっき面が前記開口に露出するように構成された基板めっき治具であって、環状のシールパッキンの内部に複数の突出接点を有する環状の第１通電部材を設け、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、被めっき基板の被めっき面と突出接点が環状のシールパッキンの内部で接触することを特徴とする基板めっき治具である。

Description

基板めっき治具
　本発明は基板の電解めっきを行う際に基板を保持するためのめっき治具に関する。
　半導体ウエハ、ガラス板、セラミック板等の基板に電解めっきを行う場合、基板を保持するめっき治具は、基板を保持した状態で、基板の導電膜に通電ピンが接触するように構成されている。そして該めっき治具に基板を保持した状態で、めっき液槽の電解めっき液中に基板を治具ごと浸漬し、通電ピンから電流を流して電解めっきを行うようになっている。
　しかしながら、従来のめっき治具では通電ピンがめっき液中に露出してるため、通電ピンにもめっきが析出してしまい、めっき効率が悪く、また、通電ピンの交換に時間がかかるものであった。
　これまで、めっき液中に通電ピンが露出しないような技術としては、例えば、半導体ウエハのめっき面以外にめっき液が流入しないように半導体ウエハをシールするシール部材を設け、シールされた半導体ウエハのめっき液と接触しない面に陰極接点を設けたものが報告されている（特許文献１）。
　また、本発明者らもシールパッキン内部に、通電ピンに替えて側面がコ字状の通電部材を設け、これを半導体ウエハ面に露出する導電膜と外部電極に通電する部材を跨ぐように接触させる半導体ウエハのメッキ治具を報告している（特許文献２）。
　しかしながら、これらの技術では通電ピンや通電部材がめっき液中に露出することは抑えられるものの、通電ピンや通電部材が確実に半導体ウエハへ接触して通電する構成となっていなかったり、通電ピンや通電部材のサイズが小さいため交換にも時間がかかり、また、シールパッキンの交換にも時間がかかるという問題があった。
特開平６－１０８２８５号公報 特許第３８４７４３４号公報
　従って本発明は、半導体ウエハ、ガラス板、セラミック板等の基板のめっきにおいて通電ピンや通電部材がめっき液中に露出しないと共に、確実に基板へ通電でき、しかも、通電ピンや通電部材、シールパッキンの交換も容易なめっき治具を提供することを課題とするものである。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、内周部および外周部を有する環状のシールパッキンが設けられると共に環状のシールパッキンの中心側に開口が形成されている第２保持部材とを具備し、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、前記環状のシールパッキンの内周部および外周部の先端がそれぞれ被めっき基板の被めっき面および第１保持部材に密接し、かつ被めっき基板の端が環状のシールパッキンの内周部と外周部の間で保持され、被めっき基板の被めっき面が前記開口に露出するように構成された基板めっき治具において、これに用いられる環状のシールパッキンの内部に、特殊な形状の通電部材を設けることにより、被めっき基板のめっきにおいて通電部材がめっき液中に露出しないと共に、確実に被めっき基板へ通電でき、しかも、シールパッキンの交換も容易なことを見出し、本発明を完成した。
　すなわち本発明は、板状の第１保持部材と、内周部および外周部を有する環状のシールパッキンが設けられると共に環状のシールパッキンの中心側に開口が形成されている第２保持部材とを具備し、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、前記環状のシールパッキンの内周部および外周部の先端がそれぞれ被めっき基板の被めっき面および第１保持部材に密接し、かつ被めっき基板の端が環状のシールパッキンの内周部と外周部の間で保持され、被めっき基板の被めっき面が前記開口に露出するように構成された基板めっき治具であって、
　環状のシールパッキンの内部に複数の突出接点を有する環状の第１通電部材を設け、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、被めっき基板の被めっき面と突出接点が環状のシールパッキンの内部で接触することを特徴とする基板めっき治具である。
　本発明の基板めっき治具を用いれば半導体ウエハ、ガラス板、セラミック板等の基板のめっきにおいて通電部材がめっき液中に露出しないと共に、確実に基板へ通電でき、しかも、シールパッキンの交換も容易である。
本発明の基板めっき治具全体を示す斜視図である。 本発明の基板めっき治具に用いられる複数の突出接点（略台形状）を有する環状の第１通電部材５の全体図である。 図２におけるＡ－Ａ’断面図である。 本発明の基板めっき治具に用いられる複数の突出接点（略四角状）を有する環状の第１通電部材５の一部分を示す図面である。 本発明の基板めっき治具に用いられる複数の突出接点（略三角状）を有する環状の第１通電部材５の一部分を示す図面である。 本発明の基板めっき治具に用いられる複数の突出接点（略棒状）を有する環状の第１通電部材５の一部分を示す図面である。 本発明の基板めっき治具の第１保持部材２を第２保持部材３の上に重ねた場合の各部材の位置関係を示す図である。
　以下、本発明の一態様を示す図面と共に、本発明の説明を続ける。
　図１は、円形の半導体ウエハを保持するための基板めっき治具全体を示す斜視図である。図中、１は基板めっき治具、２は第１保持部材、３は第２保持部材、４は環状のシールパッキン、５は複数の突出接点を有する環状の第１通電部材、６は開口、７は第２通電部材、８は基板台、９は半導体ウエハ、１０は取っ手、１１はヒンジ機構をそれぞれ示す。
　第１保持部材２の上面には、半導体ウエハ９と略同形状の基板台８が設けられている。この基板台８の高さは特に限定されないが、環状のシールパッキン４の内部に複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５等の部品が収納できるスペースを設けるだけの高さが必要である。また、第１保持部材２の上面には、外部電極と通電する第２通電部材７が設けられる。この第２通電部材７は、第１保持部材２と第２保持部材３の間に半導体ウエハ９を介在させ挟み込み保持することにより、環状シールパッキン４の内部で複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５と接触し、通電する位置に設ける。また、この第２通電部材７は、第１保持部材２に埋設や裏面から引き込んだ導電部材（図示せず）と接続することにより通電される。
　上記第２通電部材７の形状は、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５と接触しやすい形状であれば、特に限定されないが、例えば、板バネ、コイルバネ等の形状が挙げられる。また、上記接触をより確実なものとするために、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５に第２通電部材７が接触する位置に対応して第３通電部材（図示せず）を設けることが好ましい。この場合の第２通電部材７と第３通電部材の接触方法としては特に限定されないが、例えば、コンセント型の通電部材を利用した滑り接触が好ましい。
　なお、上記では外部電極と通電する第２通電部材７が第１保持部材２に設けられ、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５と接触することにより通電しているが、基本的に複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５への外部電極からの通電は、第１保持部材２と第２保持部材３の間に半導体ウエハ９を介在させ挟み込み保持する際に環状のシールパッキン４によるシール性を妨げないような方法であれば特に限定されない。このような方法としては、上記の他にも、第１保持部材２に外部電極と通電する第４通電部材（図示せず）を設け、これを複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５に直接配線接続して通電させる方法等が挙げられる。ここで用いられる第４通電部材としては、柔軟な導電部材（図示せず）で形成され、第１保持部材２と第２保持部材３の間に半導体ウエハ９を介在させ挟み込み保持する際に、屈曲または伸縮して環状のシールパッキン４の内部に収まるようなものが好ましい。また、第４通電部材の長さを短くできることから、第４通電部材と第２通電部材７および複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５との接続は、それぞれのヒンジ機構１１の近傍で行うことが好ましい。
　一方、第２保持部材３の上面には、環状のシールパッキン４と、環状のシールパッキン４の中心側に半導体ウエハ９より若干小さい内径の開口６が設けられている。また、この環状のシールパッキン４の内部には、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５が設けられている。更に、第２保持部材３には環状のシールパッキン４を簡易的に固定できるよう溝や段差を設けてもよい。
　上記環状のシールパッキン４は内周部および外周部を有するものであれば特に限定されないが、略Ｃ字状、略Ｊ字状、略Ｕ字状、略コ字状等のものが好ましく、その中でも内周部よりも外周部の縁が高い略コ字状のものが好ましい。
　環状のシールパッキン４の内部には、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５が設けられる。図２に、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５の全体図を示し、図３は複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５のＡ－Ａ’断面図を示す。
　この複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５は、環状のシールパッキン４の内部に収まる大きさであり、環状の通電部材５ａと突出接点５ｂとからなる。突出接点５ｂは、例えば、略台形状、略四角状、略三角状、略棒状等で、環状のシールパッキン４や開口６の中心方向に向かって角度θで複数個、環状の通電部材５ａに設けられる。突出接点５ｂの形状の別の例を図４～６に示す。突出接点５ｂは環状の通電部材５ａと別々に形成され、それらを溶接等により結合させたものでもよいが、交換の容易さ等から、環状の通電部材５ａと突出接点５ｂを板状の素材からプレス等により一体に形成されたものが好ましい。突出接点５ｂの個数は、半導体ウエハの大きさ等によっても異なるので一概に言えないが、好ましくは６個以上である。突出接点５ｂが環状の通電部材５ａに設けられる角度θは１５～４５°、好ましくは３０°である。通電部材５ａおよび突出接点５ｂの素材は通電する素材であれば特に限定されないが、例えば、リン青銅やステンレスバネ鋼等の硬さと弾性力がある素材が挙げられる。このような複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５を用いることにより、第１保持部材２と第２保持部材３の間に半導体ウエハ９を介在させ挟み込み保持した際に、半導体ウエハ９への通電が確実となる。また、このような複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５を用い、これを環状のシールパッキン４の内部に設けることにより、第１保持部材２と第２保持部材３の間に半導体ウエハ９を介在させ挟み込み保持する際に環状のシールパッキン４を均等な圧力で押さえておくことができ、シールパッキンの変形を小さくすることができる。その結果、シールパッキンによるシール性が向上し、通電部分へのめっき液の進入を抑えることができる。
　なお、環状のシールパッキン４の内部に複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５を固定するには、両面テープや、接着剤等の化学的な固定手段を用いてもよいし、ネジ止め等の物理的な固定手段を用いてもよい。ネジ止め等の物理的な固定手段であれば環状シールパッキン４や複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５の交換が容易となる。
　上記第１保持部材２と第２保持部材３の間に半導体ウエハ９を介在させ挟み込み保持するには、例えば、第１保持部材２と第２保持部材３にヒンジ機構１１を設けて、ヒンジ機構１１を設けた反対側の端をクランプ、コの字型の器具（何れも図示せず）等で固定すればよい。また、第１保持部材２と第２保持部材３の固定には特許第３６２９３９６号のクランパを利用してもよい。
　図７は、第２保持部材３を第１保持部材２の上に重ねた場合の第１保持部材２、第２保持部材３、環状のシールパッキン４、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５、第２通電部材７、基板台８、半導体ウエハ９、導電部材１２の位置関係を示す図である。第２保持部材３を第１保持部材２に重ねることにより、環状のシールパッキン４の内周部４ａおよび外周部４ｂの先端が、それぞれ半導体ウエハ９の被めっき面および第１保持部材２と密接し、シールされる。また、半導体ウエハ９の端は環状のシールパッキン４の内周部４ａと外周部４ｂの間で保持され、半導体ウエハ９の被めっき面と複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５が環状シールパッキン４の内部で接触する。更に、導電部材１２により外部電極と通電する第２通電部材７が複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５と接触して通電する。これにより環状のシールパッキン４の内部がシールされ、複数の突出接点を有する環状の第１通電部材５や外部電極と通電する第２通電部材７がめっき液に露出しない。
　以上説明した基板めっき治具を用いて電解めっきを行えば、通電部材がめっき液中に露出しないと共に、確実に基板へ通電でき、しかも、シールパッキンの交換も容易である。
産業上の利用分野
　本発明の基板めっき治具は、半導体の製造に利用できる。
　　　１　…　…　基板めっき治具
　　　２　…　…　第１保持部材
　　　３　…　…　第２保持部材
　　　４　…　…　環状のシールパッキン
　　　４ａ　…　…　内周部
　　　４ｂ　…　…　外周部
　　　５　…　…　複数の突出接点を有する環状の第１通電部材
　　　５ａ　…　…　環状の通電部材
　　　５ｂ　…　…　突出接点
　　　６　…　…　開口
　　　７　…　…　第２通電部材
　　　８　…　…　基板台
　　　９　…　…　半導体ウエハ
　　１０　…　…　取っ手
　　１１　…　…　ヒンジ機構
　　１２　…　…　導電部材

Claims (5)

  1. 　板状の第１保持部材と、内周部および外周部を有する環状のシールパッキンが設けられると共に環状のシールパッキンの中心側に開口が形成されている第２保持部材とを具備し、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、前記環状のシールパッキンの内周部および外周部の先端がそれぞれ被めっき基板の被めっき面および第１保持部材に密接し、かつ被めっき基板の端が環状のシールパッキンの内周部と外周部の間で保持され、被めっき基板の被めっき面が前記開口に露出するように構成された基板めっき治具であって、
    　環状のシールパッキンの内部に複数の突出接点を有する環状の第１通電部材を設け、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、被めっき基板の被めっき面と突出接点が環状のシールパッキンの内部で接触することを特徴とする基板めっき治具。
  2. 　第１保持部材に外部電極と通電する第２通電部材を設け、第１保持部材と第２保持部材の間に被めっき基板を介在させ挟み込み保持することにより、環状シールパッキンの内部で複数の突出接点を有する環状の第１通電部材と第２通電部材が接触して通電するものである請求項１記載の基板めっき治具。
  3. 　第１通電部材と、第２通電部材との接触をすべり接触により行うものである請求項２記載の基板めっき治具。
  4. 　第１保持部材に外部電極と通電する第４通電部材を設け、これを複数の突出接点を有する環状の第１通電部材に直接配線接続して通電するものである請求項１記載の基板めっき治具。
  5. 　板状の第１保持部材と、第２保持部材がヒンジ機構で接続されたものである請求項１～４の何れかに記載の基板めっき治具。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170321343A1 (en) * 2016-05-09 2017-11-09 Ebara Corporation Substrate holder and plating apparatus using the same
US20200168499A1 (en) * 2018-11-26 2020-05-28 C. Uyemura & Co., Ltd. Holding jig

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9464362B2 (en) * 2012-07-18 2016-10-11 Deca Technologies Inc. Magnetically sealed wafer plating jig system and method
JP6210298B2 (ja) * 2013-11-26 2017-10-11 大森ハンガー工業株式会社 メッキ用基板保持具
JP6508935B2 (ja) * 2014-02-28 2019-05-08 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置及びめっき方法
JP6545585B2 (ja) * 2014-10-16 2019-07-17 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよびめっき装置
CN105350059A (zh) * 2015-11-28 2016-02-24 石家庄海科电子科技有限公司 一种基片单面电镀的夹具及方法
CN110528041A (zh) * 2019-08-13 2019-12-03 广州兴森快捷电路科技有限公司 用于晶元的电镀加工方法、晶元及线路板
CN110629274A (zh) * 2019-08-29 2019-12-31 昆山东威科技股份有限公司 一种夹持机构及电镀装置
CN215925114U (zh) * 2021-01-30 2022-03-01 厦门海辰新能源科技有限公司 导电夹及镀膜机

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06108285A (ja) * 1991-04-22 1994-04-19 Toshiba Corp 半導体ウェハめっき用治具
JPH11200096A (ja) * 1997-11-06 1999-07-27 Ebara Corp ウエハのメッキ用治具
JPH11204459A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Ebara Corp 半導体ウエハのメッキ治具

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7022211B2 (en) * 2000-01-31 2006-04-04 Ebara Corporation Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer
KR100980051B1 (ko) * 2002-06-21 2010-09-06 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판홀더 및 도금장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06108285A (ja) * 1991-04-22 1994-04-19 Toshiba Corp 半導体ウェハめっき用治具
JPH11200096A (ja) * 1997-11-06 1999-07-27 Ebara Corp ウエハのメッキ用治具
JPH11204459A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Ebara Corp 半導体ウエハのメッキ治具

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170321343A1 (en) * 2016-05-09 2017-11-09 Ebara Corporation Substrate holder and plating apparatus using the same
US10738390B2 (en) * 2016-05-09 2020-08-11 Ebara Corporation Substrate holder and plating apparatus using the same
US20200168499A1 (en) * 2018-11-26 2020-05-28 C. Uyemura & Co., Ltd. Holding jig
US11887882B2 (en) * 2018-11-26 2024-01-30 C. Uyemura & Co., Ltd. Holding jig

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