WO2013011957A1 - 近接場光デバイスの製造方法及び近接場光デバイス - Google Patents

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孝幸 糟谷
杉浦　聡
勝美 吉沢
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パイオニア株式会社
パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社
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    • H01S5/3412—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires quantum box or quantum dash

Definitions

  • the present invention relates to a near-field light device device using a minute spot of near-field light such as HAMR (Heat Assisted Magnetic Recording), SNOM (Scanning Near Field Optical Microscope), etc. About.
  • HAMR Heat Assisted Magnetic Recording
  • SNOM Sccanning Near Field Optical Microscope
  • Patent Literature 1 heat-assisted magnetic recording using near-field light as a light source for heating a magnetic recording medium
  • Non-Patent Document 1 a manufacturing method (see Patent Document 2) that appropriately controls the size of quantum dots and a near-field concentrator using stacked quantum dots have been proposed (see Patent Document 3). Furthermore, an approach has been proposed in which near-field light is generated by a surface-emitting laser and high-density recording is possible with an optical head using the near-field light (Non-Patent Document 1).
  • near-field light generating portion The size of the portion that generates near-field light of the near-field light device (hereinafter referred to as “near-field light generating portion”) is very small in the nano order. Accordingly, there is a problem that it is extremely difficult to mass-produce and form a near-field light device in which a light source that emits light to the near-field light generation unit and the near-field light generation unit are integrated.
  • the present invention has been made in view of the above problems, for example, and an object and problem thereof is to provide a near-field light device manufacturing method and a near-field light device suitable for mass production.
  • the near-field light manufacturing method of the present invention includes a step of forming a near-field light generating portion on one surface of a transparent substrate, a step of forming a light source, and the near-field light generating portion. Bonding the transparent substrate on which the light source is formed and the light source.
  • a near-field light device of the present invention is disposed on a transparent substrate, a near-field light generating portion disposed on one surface of the transparent substrate, and the other surface of the transparent substrate.
  • a light source is disposed on a transparent substrate, a near-field light generating portion disposed on one surface of the transparent substrate, and the other surface of the transparent substrate.
  • FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a process that follows the process of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a process cross-sectional view showing a process that follows the process of FIG. 3.
  • FIG. 5 is a process cross-sectional view showing a process that follows the process of FIG. 4.
  • FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process of FIG. 5.
  • FIG. 7 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process in FIG. 6.
  • FIG. 8 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process in FIG. 7.
  • FIG. 9 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process in FIG. 8.
  • FIG. 10 is a process cross-sectional view illustrating a process following the process in FIG. 9.
  • FIG. 11 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process of FIG. 10. It is process sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the near-field optical device which concerns on 2nd Embodiment.
  • FIG. 13 is a process cross-sectional view illustrating a process continued from the process in FIG. 12.
  • FIG. 14 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process of FIG. 13.
  • FIG. 13 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process of FIG. 13.
  • FIG. 15 is a process cross-sectional view illustrating a process following the process in FIG. 14.
  • FIG. 16 is a process cross-sectional view illustrating a process following the process in FIG. 15.
  • FIG. 17 is a process cross-sectional view illustrating a process that follows the process in FIG. 16. It is a figure which shows the structure of the 1st modification of the near-field light device which concerns on embodiment of this invention. It is a figure which shows the structure of the 1st modification of the near-field light device which concerns on embodiment of this invention. It is a figure which shows the structure of the 1st modification of the near-field light device which concerns on embodiment of this invention. It is a figure which shows the example which applied the near-field optical device which concerns on this invention to magnetic recording.
  • FIG. 24 is a process cross-sectional view illustrating a process continued from the process in FIG. 23.
  • FIG. 25 is a process cross-sectional view illustrating a process continued from the process in FIG. 24.
  • FIG. 26 is a process cross-sectional view illustrating a process continued from the process in FIG. 25.
  • FIG. 27 is a process cross-sectional view illustrating a process continued from the process in FIG. 26.
  • FIG. 31 is a process cross-sectional view illustrating a process continued from the process in FIG. 30.
  • FIG. 32 is a process cross-sectional view illustrating a process continued from the process in FIG. 31. It is a figure which shows the structure of the near-field light device which concerns on the modification of 4th Embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a structure of a near-field light device according to the present embodiment.
  • the near-field light device 100 includes: (i) a glass substrate 32, a stopper layer 31 stacked on the glass substrate 32, and a near-field light generating unit 10 stacked on the stopper layer 31. (Ii) an n-GaAs substrate 24, a light source 20 stacked on the n-GaAs substrate 24, a first electrode 41 formed on the light source 20, A member including a second electrode 42 formed on the n-GaAs substrate 24 is bonded to each other through a bonding layer 50.
  • the n-GaAs substrate 24 may be a p-GaAs substrate.
  • the light source 20 is a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting LASER: vertical cavity surface emitting laser). VCSEL configurations are well known to those skilled in the art and will not be described in detail here.
  • the light source 20 includes an upper mirror layer 22, a light emitting layer 21, and a lower mirror layer 23. During operation of the light source 20, power is supplied between the first electrode 41 and the second electrode 42.
  • Near-field optical device manufacturing method Next, a manufacturing method of the near-field light device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
  • a stopper layer 31 containing, for example, GaAs or the like is formed on the n-GaAs substrate 30, a stopper layer 31 containing, for example, GaAs or the like is formed.
  • the GaAs substrate 11, the quantum dot layer 12, and the quantum dot layer 13 are stacked in this order on the stopper layer 31.
  • the upper surface of the quantum dot layer 13 is fixed to the silicon substrate 62 with, for example, wax 61.
  • the n-GaAs substrate 30 is removed by, for example, grinding or chemical etching (see FIG. 5).
  • the glass substrate 32 is bonded to the lower surface of the stopper layer 31. Subsequently, the wax 61 and the silicon substrate 62 are removed (see FIG. 7). Next, as shown in FIG. 8, a metal layer 15 including, for example, gold (Au), copper (Cu), or the like is formed on the quantum dot layer 13.
  • a predetermined mask is formed on the metal layer 15, and the metal layer 15 is etched using the formed mask, thereby forming the metal edge 14 as shown in FIG. .
  • a predetermined mask is formed on the quantum dot layer 13 so as to cover the metal edge 14, and the quantum dot layer 13, the quantum dot layer 12, and the GaAs substrate 11 are etched using the formed mask. As shown in FIG. 10, the near-field light generating unit 10 is formed.
  • the member provided with the near-field light generator 10 and the member provided with the light source 20 are bonded together.
  • the member provided with the light source 20 is manufactured by a process different from the process of manufacturing the near-field light generating unit 10 shown in FIGS.
  • FIGS. 1 A second embodiment of the near-field light device of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • the second embodiment is the same as the configuration of the first embodiment except that the manufacturing process of the near-field light device is partially different. Therefore, in the second embodiment, the description overlapping with that of the first embodiment is omitted, and the common portions in the drawings are denoted by the same reference numerals, and only the differences are basically illustrated in FIGS. The description will be given with reference.
  • the quantum dot layer 12, and the quantum dot layer 13 are stacked in this order on the stopper layer 31 (see FIG. 3), as shown in FIG. A metal layer 15 is formed.
  • a predetermined mask is formed on the metal layer 15, and the metal layer 15 is etched using the formed mask, thereby forming the metal edge 14 as shown in FIG. .
  • a predetermined mask is formed on the quantum dot layer 13 so as to cover the metal edge 14, and the quantum dot layer 13, the quantum dot layer 12, and the GaAs substrate 11 are etched using the formed mask. As shown in FIG. 14, the near-field light generating unit 10 is formed.
  • wax 61 or the like is applied to the upper surface of the stopper layer 31 so as to cover the near-field light generating unit 10, and the silicon substrate 61 is laminated on the wax 61 (see FIG. 15).
  • the n-GaAs substrate 30 is removed by, for example, grinding or chemical etching (see FIG. 16).
  • the glass substrate 32 is bonded to the lower surface of the stopper layer 31. Thereafter, the wax 61 and the silicon substrate 62 are removed.
  • FIG. 18 is a diagram showing a structure of a first modification of the near-field light device according to the embodiment of the present invention.
  • a recess is formed in a part of the n-GaAs substrate 25 of the near-field light device 110 according to the first modification. If comprised in this way, the light radiate
  • FIG. 19 is a diagram showing a structure of a second modification of the near-field light device according to the embodiment of the present invention.
  • a lens 33 is formed on the glass substrate 32 in particular. If comprised in this way, the light radiate
  • the lens 33 is not limited to the convex lens type, and a Fresnel lens may be dug into the glass substrate 32.
  • FIG. 20 is a diagram showing a structure of a third modification of the near-field light device according to the embodiment of the present invention.
  • the near-field light generating unit 10 is stacked on the n-GaAs substrate 34 instead of the glass substrate.
  • the n-GaAs substrate 34 is bonded to the n-GaAs substrate 26 via a bonding layer 52.
  • FIGS. 21A and 21B are diagrams showing an example in which the near-field light device according to the present invention is applied to magnetic recording.
  • FIG. 21 (a) illustrates the following contents.
  • the ON / OFF of the light source 20 of the near-field light device 100 is controlled based on the recording signal corresponding to the information recorded on the recording medium 200, so that the metal end 14 ( Near field light 300 is generated around (see FIG. 1), or the generated near field light 300 disappears.
  • the light source 20 is ON, energy moves from the metal end 14 to the minute spot on the recording medium 200 via the near-field light 300.
  • the near-field light generating part 10 is made up to the height of the upper surface of the metal edge 14 with a coating layer 101 made of a dielectric material such as SiO 2 or a resin such as PMMA (Poly Methyl Methacrylate). Covered. If comprised in this way, it can prevent that this near field light generation part 10 is destroyed.
  • the coating layer 101 may cover not only the near-field light generator 10 but also the surface emitting laser (light source 20).
  • the coercive force of the minute spot is reduced by applying energy to the minute spot of the recording medium 200.
  • Information is recorded on the recording medium 200 by applying a magnetic field to a minute spot with a reduced coercive force by a magnetic head (not shown).
  • the metal edge 14 (see FIG. 1) included in the near-field light generating unit 10 and the recording medium 200 are less than a predetermined distance (for example, 20 nm or less), the metal edge 14 (see FIG. 1) and the metal of the recording medium 200 are used.
  • the area facing the end 14 is integrated to generate the near-field light 300. Due to the integrated near-field light, the region itself facing the metal end 14 of the recording medium 200 generates heat, and the energy utilization efficiency is improved.
  • the size (height direction) of the near-field light device can be adjusted by appropriately adjusting the thickness of the glass substrate 32.
  • FIG. 22 is a diagram showing the structure of the near-field light device according to this embodiment.
  • the near-field light device 140 includes an n-GaAs substrate 30, a lower electrode 44 formed on the lower surface of the n-GaAs substrate 30, and a light source 20 stacked on the upper surface of the n-GaAs substrate 30.
  • the near-field light generating unit 10 stacked on the light source 20 and the upper electrode 43 formed on the upper surface of the light source 20 are configured.
  • the n-GaAs substrate 30 may be a p-GaAs substrate.
  • the near-field light generating unit 10 includes a GaAs substrate 11, a quantum dot layer 12 stacked on the GaAs substrate 11, a quantum dot layer 13 stacked on the quantum dot layer 12, and the quantum dot layer 13 and a metal end 14 formed on top of 13.
  • the light source 20 includes an upper mirror layer 22, a light emitting layer 21, and a lower mirror layer 23. During operation of the light source 20, power is supplied between the upper electrode 43 and the lower electrode 44.
  • Near-field optical device manufacturing method Next, a manufacturing method of the near-field light device 140 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
  • the lower mirror layer 23, the light emitting layer 21, and the upper mirror layer 22 are laminated in this order on the n-GaAs substrate 30.
  • the GaAs substrate 11, the quantum dot layer 12, the quantum dot layer 13, and the metal layer 15 are laminated on the upper mirror layer 22 in this order.
  • a predetermined mask is formed on the metal layer 15, and etching or the like is performed on the metal layer 15 using the formed mask, thereby forming the metal edge 14 as shown in FIG. .
  • a predetermined mask is formed on the quantum dot layer 13 so as to cover the metal edge 14, and the quantum dot layer 13, the quantum dot layer 12, and the GaAs substrate 11 are etched using the formed mask. As shown in FIG. 26, the near-field light generating unit 10 is formed.
  • a predetermined mask is formed on the upper mirror layer 22 so as to cover the near-field light generating unit 10, and the upper mirror layer 22, the light emitting layer 21, and the lower mirror layer 23 are formed using the formed mask. Etching or the like is performed to form the light source 20 as shown in FIG. Thereafter, the upper electrode 41 is formed on the upper mirror layer 22 (see FIG. 1).
  • the lower electrode 44 is typically formed before the step shown in FIG.
  • the upper electrode 43 and the lower electrode 44 are made of, for example, gold (Au) or copper (Cu).
  • the near-field light device 140 in which the near-field light generator 10 and the light source 20 are integrally formed can be mass-produced relatively easily.
  • n-GaAs substrate 30 may also be etched.
  • etching or the like may be performed so that the upper mirror layer 22 is tapered as shown in FIG.
  • the upper electrode 47 is formed after the oxide film 60 made of, for example, SiO 2 is formed on the upper surface of the light emitting layer 21.
  • FIGS. 30 to 32 A fourth embodiment of the near-field light device of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • the fourth embodiment is the same as the third embodiment except that the configuration of the near-field light device is partially different. Accordingly, the description of the fourth embodiment that is the same as that of the third embodiment is omitted, and common portions in the drawings are denoted by the same reference numerals, and only the points that are basically different are shown in FIGS. 30 to 32. The description will be given with reference.
  • a predetermined mask 53 is formed on the upper mirror layer 22 so as to cover the near-field light generating unit 10 and formed. Etching or the like is performed on the upper mirror layer 22 using the mask 53, so that the upper surface of the light emitting layer 21 is exposed as shown in FIG.
  • an oxide film 60 made of, for example, SiO 2 is formed on the exposed upper surface of the light emitting layer 21. Subsequently, as shown in FIG. 31, a metal film 45 made of, for example, gold is formed on the formed oxide film 60.
  • the metal film 45, the oxide film 60, the light emitting layer 21, and the lower mirror layer 23 are etched using a predetermined mask as shown in FIG. Then, the upper electrode 46 and the like are formed.
  • the n-GaAs substrate 30 may be etched or the like as shown in FIG.
  • FIG. 34 is a diagram showing a schematic structure of a near-field light device according to this embodiment.
  • FIG. 34A is a perspective view of the near-field light device according to the present embodiment, and
  • FIG. 34B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
  • the near-field light device 150 includes a light source 20, a transparent substrate 81 stacked on the light source 20, a near-field light generating unit 70 stacked on the transparent substrate 81, and the near-field. And a light shielding plate 82 that surrounds the light generating unit 70 and covers the upper surface of the transparent substrate 81.
  • the transparent substrate 81 may be any substrate that can transmit at least light that can appropriately operate the near-field light generation unit 70 out of the light emitted from the light source 20.
  • the transparent substrate 81 has a high light transmittance such as a glass substrate. It is not restricted to the board
  • FIG. 35 is a diagram showing the structure of the near-field light generator according to this embodiment.
  • the near-field light generator 70 includes a GaAs substrate 72, a GaAs buffer layer 73 stacked on the GaAs substrate 72, an InAs layer 74 stacked on the GaAs buffer layer 73, An InAs quantum dot 75 formed on the InAs layer 74, a GaAs layer 76 laminated so as to cover the InAs quantum dot 75, and a metal edge 77 formed on the GaAs layer 76. It is configured.
  • the metal end 77 is preferably made of a metal (for example, gold (Au)) having an energy band capable of efficiently absorbing near-field light energy, but may be made of a metal other than gold or a semiconductor.
  • the near-field light generating unit 70 is configured by GaAs and InAs.
  • the near-field light generating unit may be configured by a light-transmitting material such as CuCl, GaN, or ZnO. .
  • the light emitted from the light source 20 passes through the transparent substrate 81, the GaAs substrate 72, the GaAs buffer layer 73 and the InAs layer 74 and reaches the InAs quantum dots 75. Then, near-field light is generated around the InAs quantum dots 75. The energy of the generated near-field light moves to the metal end 77, and near-field light is generated around the metal end 77. The energy of the generated near-field light is obtained when the distance between the metal edge 77 and an object (not shown) becomes a distance that causes a near-field interaction (for example, 20 nm (nanometer) or less). Then, it moves from the metal edge 77 to a minute spot on the surface of the object.
  • a distance that causes a near-field interaction for example, 20 nm (nanometer) or less.
  • the diameter of the spot formed on the upper surface of the transparent substrate 81 (that is, the boundary surface between the transparent substrate 81 and the light shielding plate 82) of the light emitted from the light source 20 is assumed to be condensed by a lens or the like. It is several hundred nm to several ⁇ m ( ⁇ m).
  • the size of the near-field light generating unit 70 is several tens nm to several hundreds nm. Then, light that is not incident on the near-field light generator 70 out of the light emitted from the light source 20 may leak from the vicinity of the near-field light generator 70.
  • the light shielding plate 82 since the upper surface of the transparent substrate 81 is covered with the light shielding plate 82, the light emitted from the light source 20 that does not enter the near-field light generator 70 is the near-field light generator 70. It is possible to prevent leakage from the surroundings.
  • a metal, a dielectric multilayer film (so-called dielectric mirror) or the like can be applied to the light shielding plate 82.
  • FIG. 6 A sixth embodiment of the near-field light device of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the sixth embodiment is the same as the fifth embodiment except that the configuration of the near-field light device is partially different. Therefore, the description of the sixth embodiment that is the same as that of the fifth embodiment is omitted, and common portions in the drawing are denoted by the same reference numerals, and only the points that are basically different are described with reference to FIG. explain.
  • FIG. 36 is a diagram showing a schematic structure of a near-field light device according to the present embodiment having the same purpose as FIG.
  • FIG. 36A is a perspective view of the near-field light device according to the present embodiment
  • FIG. 36B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG.
  • the near-field light device 160 includes a light source 20, a transparent substrate 81 laminated on the light source 20, a near-field light generator 70 laminated on the transparent substrate 81, and the near-field.
  • a horizontal light shielding plate 83 that surrounds the light generation unit 70 and covers the upper surface of the transparent substrate 81, and a vertical light shielding plate 84 that covers the side surface of the near-field light generation unit 70 are configured.
  • a seventh embodiment of the near-field light device of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the seventh embodiment is the same as the configuration of the fifth embodiment except that the configuration of the near-field light device is partially different. Therefore, the description of the seventh embodiment that is the same as that of the fifth embodiment is omitted, and common portions in the drawing are denoted by the same reference numerals, and only fundamentally different points are described with reference to FIG. explain.
  • FIG. 37 is a diagram showing a schematic structure of the near-field light device according to the present embodiment having the same purpose as in FIG.
  • FIG. 37 (a) is a perspective view of the near-field light device according to the present embodiment
  • FIG. 37 (b) is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 37 (a).
  • the near-field light device 170 includes a light source 20, a transparent substrate 81 laminated on the light source 20, a near-field light generator 70 laminated on the transparent substrate 81, and the near-field. And a light shielding plate 85 that surrounds the light generating unit 70 and covers the upper surface of the transparent substrate 81.
  • the thickness of the light shielding plate 85 is equal to or substantially equal to the distance from the bottom surface of the GaAs substrate 72 of the near-field light generating unit 70 to the top surface of the GaAs layer 76.
  • FIG. 8 An eighth embodiment of the near-field light device of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the eighth embodiment is the same as the fifth embodiment except that the configuration of the near-field light device is partially different. Therefore, the description of the eighth embodiment that is the same as that of the fifth embodiment is omitted, and common portions in the drawing are denoted by the same reference numerals, and only fundamentally different points are described with reference to FIG. explain.
  • FIG. 38 is a diagram showing a schematic structure of the near-field light device according to the present embodiment having the same purpose as in FIG.
  • FIG. 38A is a perspective view of the near-field light device according to the present embodiment
  • FIG. 38B is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG.
  • the near-field light device 180 includes a light source 20, a transparent substrate 81 stacked on the light source 20, a near-field light generating unit 70 stacked on the transparent substrate 81, and the near-field. And a light shielding plate 86 that surrounds the light generation unit 70 and covers the upper surface of the transparent substrate 81.
  • a minute groove 87 is formed between the near-field light generating unit 70 and the light shielding plate 86.
  • the groove part 87 does not need to be formed intentionally, for example, may be formed accidentally during the manufacturing process of the said near field optical device 180.
  • FIG. 39 is a diagram showing an example in which the near-field light device according to the present invention is applied to magnetic recording.
  • ON / OFF of the light source 20 of the near-field light device 150 is controlled, so that the metal end 77 included in the near-field light generating unit 70 (FIG. 35).
  • the near-field light 300 is generated around the reference), or the generated near-field light 300 disappears.
  • the light source 20 is ON, energy moves from the metal edge 77 to the minute spot on the recording medium 200 via the near-field light 300.
  • FIG. 39 illustrates the near-field light device 150 according to the fifth embodiment described above, but the near-field light device according to each of the sixth to eighth embodiments is also applicable.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and the near-field light device with such a change
  • the manufacturing method and the near-field optical device are also included in the technical scope of the present invention.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,70 ... Near-field light generation part 20 ... Light source, 21 ... Light emitting layer, 22 ... Upper mirror layer, 23 ... Lower mirror layer, 81 ... Transparent substrate, 82, 85, 86 ... Light-shielding plate, 83 ... Horizontal light-shielding plate 84 ... Vertical light shielding plate, 100, 110, 120, 130, 140, 150, 160, 170, 180 ... Near-field light device

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Abstract

　近接場光デバイスの製造方法は、透明基板（３２）の一方の面に近接場光発生部（１０）を形成するステップと、光源（２０）を形成するステップと、近接場光発生部が形成された透明基板と光源を貼り合わせるステップと、を備える。これにより、量産化に適した近接場光デバイスの製造方法を提供することができる。

Description

近接場光デバイスの製造方法及び近接場光デバイス
　本発明は、例えば、HAMR（熱アシスト磁気記録：Heat Assisted Magnetic Recording）、SNOM（走査型近接場光学顕微鏡：Scanning Near Field Optical Microscope)等の近接場光の微小スポットを利用する近接場光デバイス装置に関する。
　近接場光を利用した、光の回折限界を超えたナノスケールの微小光スポットの利用例として、例えば、近接場光を磁気記録媒体の昇温するための光源として用いる熱アシスト磁気記録（特許文献１参照）が提案されている。
　また、近年の半導体微細加工技術の進歩により、量子力学的効果を利用し、単一電子を制御することにより電子の粒子性を極限まで利用するナノスケールの量子ドットが注目されている。たとえば、量子ドットのサイズを適切に制御する製造方法（特許文献２参照）、および、積層された量子ドットを利用した近接場集光器が提案されている（特許文献３参照）。さらに、面発光レーザにより近接場光を生成し、この近接場光を用いた光ヘッドにて高密度記録を可能にする取り組みも提案されている（非特許文献１）。
特開２００３－０４５００４号公報 特開２００９－２３１６０１号公報 特開２００６－０８０４５９号公報
微小共振器面発光レーザによる近接場光生成（電子情報通信学会論文誌　C Vol.J83-C No.9 pp.826-834 2000年9月）
　近接場光デバイスの近接場光を発生する部分（以下、“近接場光発生部”と称する）のサイズは、ナノオーダーと大変小さい。従って、かかる近接場光発生部に光を出射する光源と、近接場光発生部と、が一体になった近接場光デバイスを量産形成することは困難性が極めて高いという課題がある。
　本発明は、例えば上記課題に鑑みてなされたものであり、量産化に適した近接場光デバイスの製造方法及び近接場光デバイスを提供することをその目的・課題とする。
　本発明の近接場光の製造方法は、上記課題を解決するために、透明基板の一方の面に近接場光発生部を形成するステップと、光源を形成するステップと、前記近接場光発生部が形成された前記透明基板と前記光源を貼り合わせるステップと、を備える。
　本発明の近接場光デバイスは、上記課題を解決するために、透明基板と、前記透明基板の一方の面に配置された近接場光発生部と、前記透明基板の他方の面に配置された光源と、を備える。
　本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
第１実施形態に係る近接場光デバイスの構造を示す図である。 第１実施形態に係る近接場光デバイスの製造方法の一工程を示す工程断面図である。 図２の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図３の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図４の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図５の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図６の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図７の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図８の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図９の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図１０の工程に続く工程を示す工程断面図である。 第２実施形態に係る近接場光デバイスの製造方法の一工程を示す工程断面図である。 図１２の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図１３の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図１４の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図１５の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図１６の工程に続く工程を示す工程断面図である。 本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第１変形例の構造を示す図である。 本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第１変形例の構造を示す図である。 本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第１変形例の構造を示す図である。 本発明に係る近接場光デバイスを磁気記録に応用した例を示す図である。 第３実施形態に係る近接場光デバイスの構造を示す図である。 第３実施形態に係る近接場光デバイスの製造方法の一工程を示す工程断面図である。 図２３の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図２４の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図２５の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図２６の工程に続く工程を示す工程断面図である。 第３実施形態の第１変形例に係る近接場光デバイスの構造を示す図である。 第３実施形態の第２変形例に係る近接場光デバイスの構造を示す図である。 第４実施形態に係る近接場光デバイスの製造方法の一工程を示す工程断面図である。 図３０の工程に続く工程を示す工程断面図である。 図３１の工程に続く工程を示す工程断面図である。 第４実施形態の変形例に係る近接場光デバイスの構造を示す図である。 第５実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。 第５実施形態に係る近接場光発生部の構造を示す図である。 第６実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。 第７実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。 第８実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。 本発明に係る近接場光デバイスを磁気記録に応用した例を示す図である。
　以下、本発明の近接場光デバイスに係る実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
　＜第１実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第１実施形態について、図１乃至図１１を参照して説明する。
　（近接場光デバイスの構成）
　先ず、本実施形態に係る近接場光デバイスの構成について、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る近接場光デバイスの構造を示す図である。
　図１において、近接場光デバイス１００は、（ｉ）ガラス基板３２と、該ガラス基板３２の上に積層されたストッパ層３１と、該ストッパ層３１の上に積層された近接場光発生部１０と、を備えてなる部材と、（ｉｉ）ｎ－ＧａＡｓ基板２４と、該ｎ－ＧａＡｓ基板２４の上に積層された光源２０と、該光源２０の上に形成された第１電極４１と、ｎ－ＧａＡｓ基板２４の上に形成された第２電極４２と、を備えてなる部材と、が互いに貼り合わせ層５０を介して張り合わされることによって構成されている。尚、ｎ－ＧａＡｓ基板２４は、ｐ－ＧａＡｓ基板であってもよい。
　光源２０は、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ＬＡＳＥＲ：垂直共振器面発行レーザ）である。ＶＣＳＥＬの構成は当業者にとって周知であるため、ここでは詳述しない。光源２０は、上部ミラー層２２、発光層２１及び下部ミラー層２３を備えて構成されている。光源２０の動作時には、第１電極４１及び第２電極４２間に電力が供給される。
　（近接場光デバイスの製造方法）
　次に、本実施形態に係る近接場光デバイス１００の製造方法について、図２乃至図１１を参照して説明する。
　図２において、ｎ－ＧａＡｓ基板３０の上に、例えばＧａＡｓ等を含んでなるストッパ層３１が形成される。次に、図３に示すように、該ストッパ層３１の上に、ＧａＡｓ基板１１、量子ドット層１２及び量子ドット層１３が、この順番で積層される。
　次に、図４に示すように、量子ドット層１３の上面が、例えばワックス６１により、シリコン基板６２に固定される。次に、例えば研削、ケミカルエッチング等によりｎ－ＧａＡｓ基板３０が除去される（図５参照）。
　次に、図６に示すように、ストッパ層３１の下面にガラス基板３２が接着される。続いて、ワックス６１及びシリコン基板６２が除去される（図７参照）。次に、図８に示すように、量子ドット層１３の上に、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等を含んでなる金属層１５が形成される。
　次に、金属層１５の上に所定のマスクが形成され、該形成されたマスクを用いて金属層１５にエッチング等が施されることにより、図９に示すように金属端１４が形成される。次に、金属端１４を覆うように量子ドット層１３の上に所定のマスクが形成され、該形成されたマスクを用いて量子ドット層１３、量子ドット層１２及びＧａＡｓ基板１１に対してエッチング等が施されることにより、図１０に示すように近接場光発生部１０が形成される。
　次に、図１１に示すように、近接場光発生部１０を備えてなる部材と、光源２０を備えてなる部材とが互いに貼り合わせられる。ここで、光源２０を備えてなる部材は、図２乃至図１０に示した近接場光発生部１０を製造する工程とは異なる工程により製造される。
　＜第２実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第２実施形態を、図１２乃至図１７を参照して説明する。第２実施形態では、近接場光デバイスの製造工程の一部異なる以外は、第１実施形態の構成と同様である。よって、第２実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図１２乃至図１７を参照して説明する。
　（近接場光デバイスの製造方法）
　ストッパ層３１の上に、ＧａＡｓ基板１１、量子ドット層１２及び量子ドット層１３が、この順番で積層された後に（図３参照）、図１２に示すように、該量子ドット層１３の上に金属層１５が形成される。
　次に、金属層１５の上に所定のマスクが形成され、該形成されたマスクを用いて金属層１５にエッチング等が施されることにより、図１３に示すように金属端１４が形成される。次に、金属端１４を覆うように量子ドット層１３の上に所定のマスクが形成され、該形成されたマスクを用いて量子ドット層１３、量子ドット層１２及びＧａＡｓ基板１１に対してエッチング等が施されることにより、図１４に示すように近接場光発生部１０が形成される。
　次に、ストッパ層３１の上面に、近接場光発生部１０を覆うように、例えばワックス６１等が塗布され、該ワックス６１の上にシリコン基板６１が積層される（図１５参照）。次に、例えば研削、ケミカルエッチング等によりｎ－ＧａＡｓ基板３０が除去される（図１６参照）。
　次に、図１７に示すように、ストッパ層３１の下面にガラス基板３２が接着される。その後、ワックス６１及びシリコン基板６２が除去される。
　＜変形例＞
　（第１変形例）
　本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第１変形例について、図１８を参照して説明する。図１８は、本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第１変形例の構造を示す図である。
　図１８に示すように、第１変形例に係る近接場光デバイス１１０のｎ－ＧａＡｓ基板２５の一部には、凹部が形成されている。このように構成すれば、光源２０から出射された光を比較的効率良く近接場光発生部１０に導くことができる。
　（第２変形例）
　本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第２変形例について、図１９を参照して説明する。図１９は、本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第２変形例の構造を示す図である。
　図１９に示すように、第２変形例に係る近接場光デバイス１２０では特に、ガラス基板３２にレンズ３３が形成されている。このように構成すれば、光源２０から出射された光を近接場光発生部１０に集光させることができ、実用上非常に有利である。レンズ３３は凸レンズタイプに限らず、フレネルレンズをガラス基板３２に掘り込んで形成してもよい。
　（第３変形例）
　本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第３変形例について、図２０を参照して説明する。図２０は、本発明の実施形態に係る近接場光デバイスの第３変形例の構造を示す図である。
　図２０に示すように、第３変形例に係る近接場光デバイス１３０では、近接場光発生部１０が、ガラス基板に代えて、ｎ－ＧａＡｓ基板３４上に積層されている。そして、該ｎ－ＧａＡｓ基板３４は、ｎ－ＧａＡｓ基板２６に、貼り合わせ層５２を介して張り合わされている。
　＜応用例＞
　本発明に係る近接場光デバイスを、磁気ヘッドに適用した例を、図２１を参照して説明する。図２１（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る近接場光デバイスを磁気記録に応用した例を示す図である。
　図２１（ａ）では、以下の内容を図示している。即ち、記録媒体２００に記録される情報に対応する記録信号に基づいて、近接場光デバイス１００の光源２０のＯＮ／ＯＦＦが制御されることにより、近接場光発生部１０が備える金属端１４（図１参照）の周囲に近接場光３００が発生したり、該発生した近接場光３００が消失したりする。そして、光源２０がＯＮである場合には、近接場光３００を介して、金属端１４から記録媒体２００の微小スポットへエネルギーが移動する。
　尚、図２１（ｂ）では、近接場光デバイス１００の変形例を示している。図２１（ｂ）では、例えばＳｉＯ２等の誘電体や、例えばＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ　Ｍｅｔｈｙｌ　Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）等の樹脂等からなるコーティング層１０１で、金属端１４の上表面の高さまで近接場光発生部１０が覆われている。このように構成すれば、該近接場光発生部１０が破壊されることを防止することができる。コーティング層１０１により、近接場光発生部１０だけでなく、面発光レーザ（光源２０）の部分まで覆うように構成してもよい。
　記録媒体２００が磁気記録媒体である場合は、記録媒体２００の微小スポットにエネルギーが付与されることにより、該微小スポットの保磁力が低減される。そして、保磁力を低減された微小スポットに対して、磁気ヘッド（図示せず）により磁界が加えられることにより、記録媒体２００への情報の記録が行われる。
　尚、近接場光発生部１０が備える金属端１４（図１参照）と記録媒体２００が所定距離以下（例えば２０ｎｍ以下）であるときは、金属端１４（図１参照）と記録媒体２００の金属端１４に対向する領域が一体となって近接場光３００を発生する。一体となった近接場光により、記録媒体２００の金属端１４に対向する領自体が発熱することになり、エネルギーの利用効率が向上する。
　また、近接場光デバイスの周辺に磁気ヘッドなどの磁気デバイスを形成する場合、近接場光デバイスと磁気ヘッドの大きさ（高さ）をあわせる必要がある。ＶＣＳＥＬを用いた近接場光デバイスの場合、ガラス基板３２の厚みを適宜調整することにより、近接場光デバイスの大きさ（高さ方向）の調整を行うことが可能になる。
　＜第３実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第３実施形態について、図２２乃至図２７を参照して説明する。
　（近接場光デバイスの構成）
　先ず、本実施形態に係る近接場光デバイスの構成について、図２２を参照して説明する。図２２は、本実施形態に係る近接場光デバイスの構造を示す図である。
　図２２において、近接場光デバイス１４０は、ｎ－ＧａＡｓ基板３０と、該ｎ－ＧａＡｓ基板３０の下面に形成された下部電極４４と、該ｎ－ＧａＡｓ基板３０の上面に積層された光源２０と、該光源２０の上に積層された近接場光発生部１０と、該光源２０の上面に形成された上部電極４３と、を備えて構成されている。尚、ｎ－ＧａＡｓ基板３０は、ｐ－ＧａＡｓ基板であってもよい。
　近接場光発生部１０は、ＧａＡｓ基板１１と、該ＧａＡｓ基板１１の上に積層された量子ドット層１２と、該量子ドット層１２の上に積層された量子ドット層１３と、該量子ドット層１３の上に形成された金属端１４と、を備えて構成されている。
　光源２０は、上部ミラー層２２、発光層２１及び下部ミラー層２３を備えて構成されている。光源２０の動作時には、上部電極４３及び下部電極４４間に電力が供給される。
　（近接場光デバイスの製造方法）
　次に、本実施形態に係る近接場光デバイス１４０の製造方法について、図２３乃至図２７を参照して説明する。
　図２３において、ｎ－ＧａＡｓ基板３０の上に、下部ミラー層２３、発光層２１及び上部ミラー層２２が、この順番で積層される。次に、図２４に示すように、上部ミラー層２２の上に、ＧａＡｓ基板１１、量子ドット層１２、量子ドット層１３及び金属層１５が、この順番で積層される。
　次に、金属層１５の上に所定のマスクが形成され、該形成されたマスクを用いて金属層１５にエッチング等が施されることにより、図２５に示すように金属端１４が形成される。次に、金属端１４を覆うように量子ドット層１３の上に所定のマスクが形成され、該形成されたマスクを用いて量子ドット層１３、量子ドット層１２及びＧａＡｓ基板１１に対してエッチング等が施されることにより、図２６に示すように近接場光発生部１０が形成される。
　次に、近接場光発生部１０を覆うように上部ミラー層２２の上に所定のマスクが形成され、該形成されたマスクを用いて上部ミラー層２２、発光層２１及び下部ミラー層２３に対してエッチング等が施されることにより、図２７に示すように光源２０が形成される。その後、上部ミラー層２２の上に上部電極４１が形成される（図１参照）。尚、下部電極４４は、典型的には、図２３に示した工程以前に形成される。また、上部電極４３及び下部電極４４は、例えば金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等により構成されている。
　上述した製造方法によれば、近接場光発生部１０と光源２０とが一体に形成された近接場光デバイス１４０を、比較的容易にして量産することができる。
　＜変形例＞
　（第１変形例）
　図２７に示した工程において、図２８に示すように、ｎ－ＧａＡｓ基板３０に対してもエッチング等が施されてもよい。
　（第２変形例）
　或いは、図２７に示した工程において、図２９に示すように、上部ミラー層２２がテーパー状となるようにエッチング等が施されてもよい。この場合、発光層２１の上面に、例えばＳｉＯ２等からなる酸化被膜６０が形成された後に、上部電極４７が形成される。
　＜第４実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第４実施形態を、図３０乃至図３２を参照して説明する。第４実施形態では、近接場光デバイスの構成が一部異なる以外は、第３実施形態の構成と同様である。よって、第４実施形態について、第３実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図３０乃至図３２を参照して説明する。
　（近接場光デバイスの製造方法）
　本実施形態では、近接場光発生部１０が形成された後（図２６参照）、近接場光発生部１０を覆うように上部ミラー層２２の上に所定のマスク５３が形成され、該形成されたマスク５３を用いて上部ミラー層２２に対してエッチング等が施されることにより、図３０に示すように、発光層２１の上面が露出される。
　次に、露出された発光層２１の上面に、例えばＳｉＯ２等からなる酸化被膜６０が形成される。続いて、図３１に示すように、該形成された酸化被膜６０の上に、例えば金等からなる金属膜４５が形成される。
　次に、マスク５３が剥離された後に、所定のマスクを用いて金属膜４５、酸化被膜６０、発光層２１及び下部ミラー層２３に対してエッチング等が施されることにより、図３２に示すように、上部電極４６等が形成される。
　＜変形例＞
　図３２に示した工程において、図３３に示すように、ｎ－ＧａＡｓ基板３０に対してもエッチング等が施されてもよい。
　＜第５実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第５実施形態について、図３４及び図３５を参照して説明する。図３４は、本実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。図３４（ａ）は、本実施形態に係る近接場光デバイスの斜視図であり、図３４（ｂ）は、図３４（ａ）のＡ－Ａ´線断面図である。
　図３４において、近接場光デバイス１５０は、光源２０と、該光源２０の上に積層された透明基板８１と、該透明基板８１の上に積層された近接場光発生部７０と、該近接場光発生部７０の周囲を囲うと共に透明基板８１の上面を覆う遮光板８２と、を備えて構成されている。
　光源２０には、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザ、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ＬＡＳＥＲ：垂直共振器面発行レーザ）、有機ＥＬ等を適用可能である。透明基板８１は、光源２０から出射された光のうち、近接場光発生部７０を適切に動作可能な光を少なくとも透過させることが可能な基板であればよく、例えばガラス基板等の高光透過率を有する基板に限られない。
　ここで、近接場光発生部７０について、図３５を参照して説明を加える。図３５は、本実施形態に係る近接場光発生部の構造を示す図である。
　図３５において、近接場光発生部７０は、ＧａＡｓ基板７２と、該ＧａＡｓ基板７２の上に積層されたＧａＡｓバッファ層７３と、該ＧａＡｓバッファ層７３の上に積層されたＩｎＡｓ層７４と、該ＩｎＡｓ層７４の上に形成されたＩｎＡｓ量子ドット７５と、該ＩｎＡｓ量子ドット７５を覆うように積層されたＧａＡｓ層７６と、該ＧａＡｓ層７６の上に形成された金属端７７と、を備えて構成されている。
　金属端７７は、近接場光のエネルギーを効率良く吸収できるエネルギーバンドを有する金属（例えば、金（Ａｕ））により構成されることが望ましいが、金以外の金属或いは半導体により構成されていてもよい。尚、本実施形態では、ＧａＡｓ及びＩｎＡｓにより近接場光発生部７０が構成されているが、例えばＣｕＣｌ、ＧａＮ、ＺｎＯ等の透光性を有する材料により近接場光発生部が構成されてもよい。
　近接場光デバイス１５０の動作時には、光源２０から出射された光が、透明基板８１、ＧａＡｓ基板７２、ＧａＡｓバッファ層７３及びＩｎＡｓ層７４を透過してＩｎＡｓ量子ドット７５に到達する。すると、ＩｎＡｓ量子ドット７５の周囲に近接場光が発生する。該発生した近接場光のエネルギーは金属端７７に移動し、該金属端７７の周囲に近接場光が発生する。該発生した近接場光のエネルギーは、金属端７７と対象物（図示せず）との間の距離が、近接場相互作用を引き起こす距離（例えば、２０ｎｍ（ナノメートル）以下）となったときに、金属端７７から対象物表面の微小スポットへ移動する。
　ここで、本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、光源２０から出射される光が透明基板８１の上面（即ち、透明基板８１と遮光板８２との境界面）に形成されるスポットの径は、仮にレンズ等により集光されたとしても、数百ｎｍ～数μｍ（μメートル）である。他方、近接場光発生部７０の大きさは、数十ｎｍ～数百ｎｍである。すると、光源２０から出射された光のうち近接場光発生部７０に入射しない光が、該近接場光発生部７０の周囲から漏れ出る可能性がある。
　しかるに本実施形態では、透明基板８１の上面が遮光板８２により覆われているので、光源２０から出射された光のうち近接場光発生部７０に入射しない光が、該近接場光発生部７０の周囲から漏れ出ることを防止することができる。遮光板８２には、金属や誘電体多層膜（所謂、誘電体ミラー）等を適用可能である。
　＜第６実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第６実施形態を、図３６を参照して説明する。第６実施形態では、近接場光デバイスの構成が一部異なる以外は、第５実施形態の構成と同様である。よって、第６実施形態について、第５実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図３６を参照して説明する。
　図３６は、図３４と同趣旨の、本実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。図３６（ａ）は、本実施形態に係る近接場光デバイスの斜視図であり、図３６（ｂ）は、図３６（ａ）のＢ－Ｂ´線断面図である。
　図３６において、近接場光デバイス１６０は、光源２０と、該光源２０の上に積層された透明基板８１と、該透明基板８１の上に積層された近接場光発生部７０と、該近接場光発生部７０の周囲を囲うと共に透明基板８１の上面を覆う水平遮光板８３と、近接場光発生部７０の側面を覆う垂直遮光板８４と、を備えて構成されている。
　＜第７実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第７実施形態を、図３７を参照して説明する。第７実施形態では、近接場光デバイスの構成が一部異なる以外は、第５実施形態の構成と同様である。よって、第７実施形態について、第５実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図３７を参照して説明する。
　図３７は、図３４と同趣旨の、本実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。図３７（ａ）は、本実施形態に係る近接場光デバイスの斜視図であり、図３７（ｂ）は、図３７（ａ）のＣ－Ｃ´線断面図である。
　図３７において、近接場光デバイス１７０は、光源２０と、該光源２０の上に積層された透明基板８１と、該透明基板８１の上に積層された近接場光発生部７０と、該近接場光発生部７０の周囲を囲うと共に透明基板８１の上面を覆う遮光板８５と、を備えて構成されている。
　本実施形態では特に、遮光板８５の厚さは、近接場光発生部７０のＧａＡｓ基板７２の底面からＧａＡｓ層７６の上面までの距離と、等しい又はほぼ等しい。
　＜第８実施形態＞
　本発明の近接場光デバイスに係る第８実施形態を、図３８を参照して説明する。第８実施形態では、近接場光デバイスの構成が一部異なる以外は、第５実施形態の構成と同様である。よって、第８実施形態について、第５実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図３８を参照して説明する。
　図３８は、図３４と同趣旨の、本実施形態に係る近接場光デバイスの概略構造を示す図である。図３８（ａ）は、本実施形態に係る近接場光デバイスの斜視図であり、図３８（ｂ）は、図３８（ａ）のＤ－Ｄ´線断面図である。
　図３８において、近接場光デバイス１８０は、光源２０と、該光源２０の上に積層された透明基板８１と、該透明基板８１の上に積層された近接場光発生部７０と、該近接場光発生部７０の周囲を囲うと共に透明基板８１の上面を覆う遮光板８６と、を備えて構成されている。
　本実施形態では特に、近接場光発生部７０と遮光板８６との間に微小な溝部８７が形成されている。尚、溝部８７は意図的に形成されなくてもよく、例えば当該近接場光デバイス１８０の製造工程中に偶発的に形成されてもよい。
　＜応用例＞
　本発明に係る近接場光デバイスを、磁気ヘッドに適用した例を、図３９を参照して説明する。図３９は、本発明に係る近接場光デバイスを磁気記録に応用した例を示す図である。
　記録媒体２００に記録される情報に対応する記録信号に基づいて、近接場光デバイス１５０の光源２０のＯＮ／ＯＦＦが制御されることにより、近接場光発生部７０が備える金属端７７（図３５参照）の周囲に近接場光３００が発生したり、該発生した近接場光３００が消失したりする。そして、光源２０がＯＮである場合には、近接場光３００を介して、金属端７７から記録媒体２００の微小スポットへエネルギーが移動する。
　記録媒体２００の微小スポットにエネルギーが付与されることにより、該微小スポットの保磁力が低減される。そして、保磁力を低減された微小スポットに対して、磁気ヘッド（図示せず）により磁界が加えられることにより、記録媒体２００への情報の記録が行われる。
　尚、図３９には、上述した第５実施形態に係る近接場光デバイス１５０が記載されているが、第６実乃至第８実施形態各々に係る近接場光デバイスも適用可能である。
　本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う近接場光デバイスの製造方法及び近接場光デバイスもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
　１０、７０…近接場光発生部、２０…光源、２１…発光層、２２…上部ミラー層、２３…下部ミラー層、８１…透明基板、８２、８５、８６…遮光板、８３…水平遮光板、８４…垂直遮光板、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０…近接場光デバイス

Claims (4)

  1. 　透明基板の一方の面に近接場光発生部を形成するステップと、
    　光源を形成するステップと、
    　前記近接場光発生部が形成された前記透明基板と前記光源を貼り合わせるステップと、
    　を備えることを特徴とする近接場光デバイスの製造方法。
  2. 　透明基板と、
    　前記透明基板の一方の面に配置された近接場光発生部と、
    　前記透明基板の他方の面に配置された光源と、
    　を備えたことを特徴とする近接場光デバイス。
  3. 　前記近接場光発生部は、前記光源から出射された出射光に基づいて近接場光を発生し、
    　前記出射光が外部に漏れ出るのを抑制する遮光部を更に備えた
    　ことを特徴とする請求項２に記載の近接場光デバイス。
  4. 　前記遮光部は、前記透明基板上に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の近接場光デバイス。
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