JP2012074632A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012074632A JP2012074632A JP2010219985A JP2010219985A JP2012074632A JP 2012074632 A JP2012074632 A JP 2012074632A JP 2010219985 A JP2010219985 A JP 2010219985A JP 2010219985 A JP2010219985 A JP 2010219985A JP 2012074632 A JP2012074632 A JP 2012074632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- semiconductor
- semiconductor light
- carbon nanotube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】
本発明による発光素子は、半導体基板上に、発光素子を構成する半導体発光層および誘電体層、カーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成され、前記半導体及び誘電体層上にはカーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成されていることを特徴とするものである。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施形態を示す図であり、同図(a)は断面図、(b)は上面図である。Si基板上に下から順にp型コンタクト層、InAlAsクラッド層、InAlAs/InGaAs多重量子井戸層、InAlAsクラッド層、n型InGaAsコンタクト層、InAlAsクラッド層、InGaAsガイド層からなる化合物半導体レーザ部、SiO2からなる誘電体層が形成されている。レーザ部にはp型およびn型オーミック電極が形成されている。SiO2層の上にはカーボンナノチューブ(CNT)が形成されている。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図2は本発明の実施形態を示す図であり、同図(a)は断面図、(b)は上面図である。図1、図3に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。ここでの違いは、一方の電極をSi基板面に形成している点である。ウェハ接合する前に電極形成を行った後に、半導体発光層を接合することで作製できる。その他の工程は、第1の実施形態と同様である。このようにして作製された発光素子においても誘電体層とCNTの界面に表面プラズモンポラリトンが発生、光波長以下に光が閉じ込められ且つ高強度の電界強度が得られることで、従来難しかった電流駆動方式で波長650nmでの室温発振が得られた。
2 n型半導体層
3 半導体発光層
4 p型半導体層
5 誘電体
6 P電極
7 n電極
8 CNT
9 下地層
10 レーザー光
Claims (8)
- 半導体基板と、この半導体基板上に形成された発光素子を構成する半導体発光層および誘電体層と、前記半導体及び誘電体層上に形成されたカーボンナノチューブ或いはグラフェンの層とを具備することを特徴とする半導体発光素子。
- 前記発光素子は、前記半導体発光層上に電流注入部を有し、前記半導体発光層の発光により前記誘電体層と前記カーボンナノチューブ或いはグラフェンの層の界面に表面プラズモンポラリトンを発生させることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 第1電極と、この第1電極に接合するn型の不純物が導入されたn型半導体層と、このn型半導体層の上に接して形成されたp型の不純物が導入されたp型半導体層と、このp型半導体層の上に接して形成された誘電体層と、この誘電体層の上に形成された第2電極とを少なくとも備え、前記p型半導体層の前記誘電体側と前記カーボンナノチューブ或いは前記グラフェンの層の表面に誘起される表面プラズモンポラリトンが導波されるポラリトン導波路を具備する事を特徴とする半導体発光素子。
- 第1電極と、この第1電極に接合するp型の不純物が導入されたp型半導体層と、このp型半導体層の上に接して形成されたn型の不純物が導入されたn型半導体層と、このn型半導体層の上に接して形成された誘電体層と、この誘電体層の上に形成された第2電極とを少なくとも備え、前記n型半導体層の前記誘電体側と前記カーボンナノチューブ或いは前記グラフェンの層の表面に誘起される表面プラズモンポラリトンが導波されるポラリトン導波路を具備する事を特徴とする半導体発光素子。
- 前記カーボンナノチューブ乃至前記グラフェンの層の側壁下の誘電体層の一部はエッチングされて電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記カーボンナノチューブは直径1-100nm、アスペクト比10以上のナノロッドが空間充填率50%以上で集合している高充填ナノロッド集合体であることを特徴とする請求項1乃至請求項3記載の半導体発光素子。
- 前記カーボンナノチューブは可視光乃至赤外光の波長域に光吸収ピークを有する前記高充填ナノロッド集合体であることを特徴とする請求項1乃至請求項3記載の半導体発光素子。
- 半導体基板上にエピタキシャル成長層を形成して半導体発光層を形成する工程と、前記半導体基板を剥離する工程と、前記エピタキシャル成長層の一部を除去する工程と、前記エピタキシャル成長層を誘電体層で覆う工程と、前記半導体発光層に光導波路構造および電流注入部を形成する工程と、前記半導体発光層上にカーボンナノチューブ或いはグラフェンの層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010219985A JP5740125B2 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010219985A JP5740125B2 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012074632A true JP2012074632A (ja) | 2012-04-12 |
JP5740125B2 JP5740125B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=46170488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010219985A Expired - Fee Related JP5740125B2 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5740125B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015121417A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器 |
JP2017215330A (ja) * | 2017-07-10 | 2017-12-07 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器 |
CN109901254A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-06-18 | 电子科技大学中山学院 | 一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283487A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000138420A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-05-16 | Lucent Technol Inc | 半導体レ―ザ |
JP2002246695A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Canon Inc | 多孔質基板を用いた半導体デバイスの作製法及び半導体デバイス |
JP2004235581A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP2005038995A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Ricoh Co Ltd | 積層基体および半導体デバイスおよび光半導体デバイスおよび光伝送システムおよび光電子融合デバイス |
JP2006215544A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Olympus Corp | 負屈折を示す媒質及び光学系 |
JP2007134400A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | レーザ誘導光配線装置 |
JP2010089996A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | National Institute For Materials Science | グラフェン被覆部材とその製造方法。 |
JP2010153793A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Hitachi Ltd | グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置 |
-
2010
- 2010-09-29 JP JP2010219985A patent/JP5740125B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283487A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000138420A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-05-16 | Lucent Technol Inc | 半導体レ―ザ |
JP2002246695A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Canon Inc | 多孔質基板を用いた半導体デバイスの作製法及び半導体デバイス |
JP2004235581A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP2005038995A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Ricoh Co Ltd | 積層基体および半導体デバイスおよび光半導体デバイスおよび光伝送システムおよび光電子融合デバイス |
JP2006215544A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Olympus Corp | 負屈折を示す媒質及び光学系 |
JP2007134400A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | レーザ誘導光配線装置 |
JP2010089996A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | National Institute For Materials Science | グラフェン被覆部材とその製造方法。 |
JP2010153793A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Hitachi Ltd | グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015121417A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器 |
JP2017215330A (ja) * | 2017-07-10 | 2017-12-07 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器 |
CN109901254A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-06-18 | 电子科技大学中山学院 | 一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构 |
CN109901254B (zh) * | 2019-04-26 | 2022-12-13 | 电子科技大学中山学院 | 一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5740125B2 (ja) | 2015-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5758359B2 (ja) | 光配線デバイスおよびその製造方法 | |
JP6300240B2 (ja) | 半導体デバイス | |
Ryu et al. | Enhancement of light extraction from two-dimensional photonic crystal slab structures | |
US8471268B2 (en) | Light emitting device | |
Yokoo et al. | Subwavelength nanowire lasers on a silicon photonic crystal operating at telecom wavelengths | |
US20150222092A1 (en) | Iii-v photonic crystal microlaser bonded on silicon-on-insulator | |
CN103117510A (zh) | 一种混合硅基回音壁模式微腔激光器 | |
Zhao et al. | Progress of GaN‐Based Optoelectronic Devices Integrated with Optical Resonances | |
CN101924322A (zh) | 表面等离子体激元产生装置及其制造方法 | |
CN108736314B (zh) | 电注入硅基iii-v族纳米激光器阵列的制备方法 | |
US8885685B2 (en) | Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting apparatus, and method for manufacturing semiconductor light emitting | |
US10727431B2 (en) | Optoelectronic devices based on intrinsic plasmon-exciton polaritons | |
CN113396486A (zh) | 具有电介质dbr的磷化铟vcsel | |
US10965101B2 (en) | Plasmonic quantum well laser | |
Kim et al. | III–V nanowire array telecom lasers on (001) silicon-on-insulator photonic platforms | |
Lee et al. | Nanopillar array band-edge laser cavities on silicon-on-insulator for monolithic integrated light sources | |
JP6919549B2 (ja) | ナノワイヤ光デバイス | |
JP5740125B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6162401B2 (ja) | 光半導体デバイス | |
JP6669611B2 (ja) | ナノワイヤレーザ | |
Tiwari et al. | III–V infrared emitters on Si: fabrication concepts, device architectures and down-scaling with a focus on template-assisted selective epitaxy | |
JP5762851B2 (ja) | シリコン及びゲルマニウム発光素子 | |
US10374389B2 (en) | Plasmonic mode III-V laser as on-chip light source | |
Saxena et al. | Semiconductor nanolasers | |
JP2010238722A (ja) | シリコン発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121017 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130208 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130409 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141027 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150427 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |