JP6669611B2 - ナノワイヤレーザ - Google Patents
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- 各々絶縁分離された複数の金属層が配列されたグレーティング構造と、
前記グレーティング構造の配列方向に延在して前記グレーティング構造の上に接して配置された半導体からなるナノワイヤ部と、
前記ナノワイヤ部を励起する励起手段と
を備え、
前記グレーティング構造の反射波長λ B は、前記グレーティング構造を構成する各々の前記金属層の配列方向の長さL 1 、隣り合う前記金属層の間隔L 2 、前記金属層の部分の実効屈折率N 1 、前記金属層の無い部分の実効屈折率N 2 を用いた式λ B =4N 1 L 1 =4N 2 L 2 を満たす状態とされ、
前記ナノワイヤ部の直径dは、発振波長λ、前記ナノワイヤ部の屈折率n core 、前記ナノワイヤ部の周りの屈折率n clad を用いた以下の式(A)を満たす状態とされていることを特徴とするナノワイヤレーザ。
- 請求項1記載のナノワイヤレーザにおいて、
前記ナノワイヤ部は、井戸層と障壁層とが交互に積層した多重量子井戸構造とされていることを特徴とするナノワイヤレーザ。 - 請求項1または2記載のナノワイヤレーザにおいて、
前記ナノワイヤ部は、延在方向が前記グレーティング構造の配列方向に非平行な状態で配置され、
前記ナノワイヤ部の延在方向と前記グレーティング構造の配列方向とのなす角度が、レーザ波長に対応されている
ことを特徴とするナノワイヤレーザ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のナノワイヤレーザにおいて、
前記グレーティング構造は、前記ナノワイヤ部の延在方向に沿う溝を備え、
前記ナノワイヤ部は、前記溝に配置されている
ことを特徴とするナノワイヤレーザ。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のナノワイヤレーザにおいて、
前記グレーティング構造は、一部に変調幅をλ/4とした変調部を備えることを特徴とするナノワイヤレーザ。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のナノワイヤレーザにおいて、
2つの前記グレーティング構造を備え、
前記ナノワイヤ部は、2つの前記グレーティング構造に渡って配置され、
2つの前記グレーティング構造の間隔は、フリースペクトルレンジが前記ナノワイヤ部の発振波長より大きい状態となるように設定されている
ことを特徴とするナノワイヤレーザ。
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