WO2012176747A1 - 機能素子の製造方法 - Google Patents

機能素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012176747A1
WO2012176747A1 PCT/JP2012/065562 JP2012065562W WO2012176747A1 WO 2012176747 A1 WO2012176747 A1 WO 2012176747A1 JP 2012065562 W JP2012065562 W JP 2012065562W WO 2012176747 A1 WO2012176747 A1 WO 2012176747A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching
protective film
film
functional element
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/065562
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
智彦 豊里
美保子 中村
木村　和弘
池田　真義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Priority to JP2013521577A priority Critical patent/JP5689967B2/ja
Priority to KR1020137030457A priority patent/KR101574155B1/ko
Priority to US14/128,722 priority patent/US8970213B2/en
Publication of WO2012176747A1 publication Critical patent/WO2012176747A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a functional element.
  • MRAM Magnetic Random Access Memory
  • TMR Tunneling Magneto Resistive
  • a base layer, a multilayer film having a basic structure of a magnetoresistive effect, and a cap layer are sequentially formed on a silicon or glass substrate having a metal wiring (word line).
  • a metal wiring (word line) As an example of the multilayer film, an antiferromagnetic layer, a magnetization fixed layer, an insulating layer, and a magnetization free layer are laminated in that order from the bottom.
  • the magnetoresistive effect element is installed, for example, at the intersection of a word line and a bit line used for signal reading and writing.
  • the lowermost base layer and the uppermost cap layer of the magnetoresistive effect element are processed into a lower electrode and an upper electrode, respectively, and used as a memory cell serving as an electrode by connecting to a wiring.
  • the magnetoresistive effect element has a high and low electric resistance value of the current flowing through the insulating layer by allowing a current to flow vertically in the magnetoresistive effect element from the lower electrode to the upper electrode and freely changing the magnetization direction of the magnetization free layer. Is changed to “0” and “1”, and reading and writing are performed by exchanging information with the metal wiring.
  • Etching techniques include an ion beam etching (IBE) method and a reactive ion etching (RIE) method.
  • FIG. 6 shows a conventional process of processing the lower electrode and the upper electrode.
  • FIG. 6A shows a substrate in which a multilayer film 12 and a cap layer 11 serving as an upper electrode are formed on a base layer 13 formed on the wiring 14.
  • FIG. 6B shows a state in which the protective film 15 and the interlayer film 16 are formed on the substrate so as to cover the cap layer 11, the multilayer film 12, and the base layer 13.
  • FIG. 6D shows a state in which the lower electrode is formed by transferring the pattern formed on the mask 17 by etching to the interlayer film 16, the protective film 15, and the base layer 13.
  • FIG. 6E shows a state where the mask 17 is removed from this state. Thereafter, the interlayer film 16 and the protective film 15 are etched, and a state where the cap layer 11 serving as the upper electrode is cued is shown in FIG.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a method for manufacturing a functional element that can process a lower electrode and an upper electrode with fewer steps than before after processing a multilayer film. With the goal.
  • the present invention provides a method for manufacturing a functional element, including a protective film forming step of forming a protective film on a base layer, a patterned multilayer film and a cap layer, the protective film, and the lower layer. And an electrode forming step of forming the upper electrode and the lower electrode in one step by etching a predetermined region of the formation.
  • the present invention it is possible to process the lower electrode and the upper electrode with fewer steps after processing the multilayer film, and it is possible to reduce positional deviation during processing.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining an example of an etching apparatus suitable for the present embodiment.
  • the etching apparatus can process the magnetoresistive element by using a reactive ion etching method.
  • the etching apparatus includes a vacuum vessel 40 and a dielectric wall vessel 406 that is airtightly connected to the vacuum vessel 40 so that the internal space communicates with the vacuum vessel 40.
  • the inside of the vacuum vessel 40 is exhausted by the exhaust system 403.
  • the substrate 7 is carried into the vacuum container 40 from a gate valve (not shown) and is held by the substrate holder 44.
  • the substrate holder 44 can be maintained at a predetermined temperature by the temperature control mechanism 45.
  • a large number of side wall magnets 42 are arranged side by side on the outside of the side wall of the vacuum vessel 40, whereby a cusp magnetic field is formed along the inner surface of the side wall of the vacuum vessel 40.
  • the cusp magnetic field prevents the plasma from diffusing to the inner surface of the side wall of the vacuum vessel 40.
  • the gas introduction system 41 is operated, and an etching gas having a predetermined flow rate is introduced into the vacuum container 40 from a cylinder storing gas through a pipe, a valve, and a flow rate regulator.
  • the introduced etching gas diffuses into the dielectric wall container 406 via the vacuum container 40.
  • the plasma source 401 is operated.
  • the plasma source 401 includes an antenna 402 that generates an induction magnetic field in the dielectric wall container 406, a power source 403 that is connected to the antenna 402 via a matching unit (not shown), and an electromagnet 405.
  • the electromagnet 405 generates a predetermined magnetic field in the dielectric wall container 406.
  • the power source 403 generates high frequency power (source power) to be supplied to the antenna 402. Current flows through the antenna 402 by the high frequency generated by the plasma high frequency power supply 403, and plasma P is formed inside the dielectric wall container 406.
  • the formed plasma P diffuses from the dielectric wall container 406 into the vacuum container 40 and reaches the vicinity of the surface of the substrate 7, thereby etching the surface of the substrate 7.
  • the bias power supply 46 is operated to control the incidence of ions from the plasma onto the surface of the substrate 7.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining an example of a film forming apparatus suitable for the present embodiment.
  • FIG. 5 shows an apparatus related to RS-CVD (Radial Shower Chemical Vapor Deposition) that forms a film by using a vapor deposition method using radicals.
  • the apparatus according to FIG. 5 has a vacuum vessel 50.
  • the vacuum vessel 50 is exhausted by the exhaust system 51.
  • the substrate 7 is carried into the vacuum vessel 50 from a gate valve (not shown) and is held by the substrate holder 53.
  • the substrate holder 53 is maintained at a predetermined temperature by the heater 52.
  • high-frequency power for example, 13.56 MHz
  • a partition plate 56 made of a conductive member is disposed between the plasma generation chamber 55 and the radical reaction chamber 58, and the partition plate 56 has a through hole 57. Further, the partition plate 56 is provided with a second gas introduction system 59, and a raw material gas can be supplied to the radical reaction chamber 58.
  • the plasma P contains electrons, radicals, and ions, but the electrons and ions are blocked by the partition plate 56 charged by high frequency discharge, and the radicals selectively pass through the through holes 57 and are introduced into the radical reaction chamber 58. Then, a source gas is also introduced from the second gas introduction system 59 of the partition plate 56 and is deposited on the substrate 7 to form a film.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect element according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the structure of the magnetoresistive effect element according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing processing steps up to the multilayer film 12 in the manufacture of the magnetoresistive effect element according to the present embodiment.
  • a wiring 14 (for example, Cu) is formed on a substrate such as silicon or glass, and is joined to the wiring 14 on the wiring 14.
  • a base layer 13 to be a lower electrode is formed.
  • a multilayer film 12 having a magnetic junction is formed on the underlayer 13.
  • a cap layer 11 serving as an upper electrode is formed on the multilayer film 12.
  • a hard mask (for example, SiO 2 ) 18 and a resist 19 for patterning the cap layer 11 are formed on the cap layer 11. The layer above the cap layer 11 is appropriately selected depending on the etching method and the etching target.
  • the underlayer 13 is preferably a single layer film or a laminated film of tantalum, titanium, aluminum, silicon, ruthenium or a conductive compound thereof such as tantalum nitride, titanium nitride, ruthenium oxide, ruthenium nitride, tantalum carbide, and titanium carbide. is there.
  • an antiferromagnetic layer 124, a magnetization fixed layer 123, a barrier layer 122, and a magnetization free layer 121 are laminated in order from the bottom.
  • the cap layer 11 is processed into an upper electrode in a later step, a conductive material is used.
  • the cap layer 11 is preferably a single-layer film or a laminated film of tantalum, titanium, or a conductive compound thereof such as tantalum nitride, titanium nitride, tantalum carbide, or titanium carbide.
  • a base layer, a multilayer film, a cap layer, a hard mask for patterning, and a resist layered before patterning are referred to as “laminated structure” in the present invention.
  • a multilayer film, a cap layer, a hard mask, and a resist that are processed by patterning to form a lower electrode are referred to as “magnetoresistance effect elements”.
  • the “multilayer film” refers to a film having a basic structure in a functional element such as a magnetoresistive effect element.
  • the above-described laminated structure is processed using, for example, the apparatus shown in FIGS. An example is shown in FIG.
  • FIG. 3A shows a state in which the resist 19 is patterned. From this state, the pattern formed on the resist is transferred to the lower hard mask 18 by RIE using fluorocarbon as an etching gas.
  • FIG. 3B shows a state in which the resist 19 is removed by ashing after patterning the hard mask 18.
  • FIG. 3C shows a state where the pattern formed on the hard mask 18 is transferred to the cap layer 11 by RIE using a chlorine-based gas as an etching gas.
  • FIG. 3D shows a state in which the multilayer film 12 is processed from this state by RIE using a carbon base gas such as alcohol as an etching gas, using the cap layer 11 as a mask.
  • a carbon base gas such as alcohol
  • the etching is stopped at the base layer 13 because the base layer 13 is difficult to be etched.
  • the carbon base gas include alcohol (CH 3 OH, C 2 H 5 OH, etc.), and mixed gas obtained by adding oxygen or nitrogen to hydrocarbon (CH 4 + O 2 , C 2 H 6 + N 2 + O 2 , C 2 H 4). + O 2 or the like), a mixed gas of carbon monoxide and ammonia, carbon dioxide, or the like.
  • FIG. 1 shows a method of manufacturing a magnetoresistive effect element according to the present invention.
  • FIG. 1A shows a state after patterning up to the upper layer of the base layer 13 as described above.
  • FIG. 1B shows a state in which the protective film 15 is formed on the base layer 13, the multilayer film 12, and the cap layer 11 from this state.
  • Various methods such as a sputtering method and a CVD method are used for forming the protective film 15. From the viewpoint of securing a sufficient amount of film formation on the side walls of the cap layer 11 and the multilayer film 12, the CVD method is preferable.
  • a sufficient protective film is formed on the sidewalls of the multilayer film 12 and the cap layer 11, and damage to the element during film formation can be reduced. .
  • FIG. 1B shows the same state as FIG.1 (b), and is a figure for demonstrating the surface part 15a and the side wall part 15b.
  • the surface portion 15a and the base layer 13 are etched using the protective film 15 as a mask.
  • the state after this etching is shown in FIG.
  • the upper electrode and the lower electrode are formed simultaneously.
  • an IBE method, an RIE method, or the like is used.
  • the RIE method is particularly preferable.
  • the etching amount of the surface portion 15a and the underlayer 13 with respect to the etching amount of the side wall portion 15b is referred to as “anisotropic”. That is, the large anisotropy indicates that the etching amount of the surface portion 15a and the base layer 13 is large with respect to the etching amount of the side wall portion 15b.
  • an insulating film is generally used to prevent an electrical short circuit.
  • etching gas when etching is performed by the RIE method, various gases such as an inert gas such as Ar can be used.
  • fluorocarbon and hydrofluorocarbon (hereinafter collectively referred to as CF-based gas) are preferable.
  • CF 4 or C 2 F 6 is preferred as the fluorocarbon
  • CHF 3 is preferred as the hydrofluorocarbon.
  • CF-based gas the anisotropy can be increased, and a protective film is formed on the side wall portion 15b by the carbon polymer generated during etching. Therefore, the side wall portion 15b is processed during the processing of the underlayer 13. The possibility of disappearing can be reduced.
  • the side wall portion 15b disappears during the processing of the surface portion 15a and the underlayer 13, there is a possibility that the conductive material of the underlayer 13 adheres to the side wall portion of the multilayer film 12 and is electrically short-circuited.
  • argon, helium, nitrogen, hydrogen, oxygen, xenon, or the like may be added as an additive gas to the CF gas.
  • anisotropy can be further increased by using a silicon-based insulating film such as silicon oxide or silicon nitride for the protective film 15.
  • the base layer 13 does not need to be processed vertically as shown in FIG. 1D, and the base layer 13 between adjacent elements is etched to prevent an electrical short circuit. , May be tapered.
  • the etching is performed using the protective film 15 as a mask, the upper electrode and the lower electrode are formed by one etching process. Further, since the protective film 15 formed on the patterned multilayer film 12 and the cap layer 11 also has a shape along the pattern, the use of the protective film 15 as a mask causes a problem of positional displacement of the lower electrode pattern. Can be prevented.
  • the surface portion 15a and the underlayer 13 are etched using the protective film 15 as a mask, but this etching process may be composed of a plurality of steps.
  • the source power may be increased at the beginning of etching and the source power may be continuously decreased toward the end of etching.
  • the etching gas, the pressure in the processing space, the gas flow rate, the power supplied to the plasma generation unit, and the like can be changed.
  • the above-described etching process may be performed by two or more processes according to the material of the protective film or the underlayer.
  • the second etching step may be performed in a different processing space and different atmosphere from the first etching step. In this case, the number of etching steps is increased as compared with the present embodiment, but the problem of misalignment can be prevented.
  • the formation of the protective film 15 and the subsequent etching are consistently performed in a vacuum.
  • the protective film 15 may be taken out to the atmosphere and then etched using a different apparatus. .
  • the protective film 15 was formed by the RS-CVD method under the following conditions using the apparatus shown in FIG.
  • the source gases 1 and 2 are gases introduced from the first gas introduction system 54, and the source gas 3 is a gas introduced from the second gas introduction system 59.
  • Source gas 1 SiH 4
  • Source gas 2 Ar
  • Source gas 3 NH 3
  • Flow rate of source gas 1 110 mL / min (sccm)
  • Flow rate of source gas 2 250 mL / min (sccm)
  • Flow rate of source gas 3 2500 mL / min (sccm)
  • Source power 1000W Pressure in the vacuum vessel 50: 20 Pa
  • the temperature of the substrate holder holding the substrate 7 180 ° C.
  • Etching gas CF 4 Etching gas flow rate: 50 mL / min (sccm)
  • Source power 700W
  • Bias power 50W
  • the present invention can also be used in a method for manufacturing various functional elements such as a resistance change element (ReRAM) and a ferroelectric memory (FeRAM).
  • these functional elements similarly to the present invention, after patterning the multilayer film having the basic structure of the functional element, a protective film covering the base layer and the multilayer film is formed, and the base layer is processed using the protective film as a mask. A lower electrode can be formed. Accordingly, when used for these functional elements, similarly, the number of steps in forming the lower electrode can be reduced, and displacement can be prevented.
  • the basic structure here refers to a structure that is at least necessary for performing its function, such as a tunnel barrier layer and a pair of ferromagnetic layers that cause a magnetoresistive effect in a magnetoresistive element. .
  • the present invention can be used in a method for manufacturing a functional element.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

　従来は、機能素子の製造において、上部電極及び下部電極を形成するために、多くの工程が必要であり、また電極の形成の際に位置ずれの問題が生じていた。　機能素子の製造方法において、下地層とパターニングされた多層膜及びキャップ層を覆う保護膜を成膜した後、レジストを改めて形成することなく下地層の加工を行うことにより従来よりも少ない工程で電極を形成することができる。またパターニングされた多層膜及びキャップ上に形成された保護膜をマスクとするために位置ずれの問題を防ぐことができる。

Description

機能素子の製造方法
　本発明は機能素子の製造方法に関する。
　ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）はＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）等の磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリで、ＤＲＡＭ並みの集積密度とＳＲＡＭ並みの高速性を持ち、且つ無制限にデータが書き換えられる画期的な次世代メモリとして世界から注目されている。
　ＭＲＡＭの構成としては例えば、メタル配線（ワード線）を有したシリコンやガラスの基板上に、下地層、磁気抵抗効果の基本構造を有する多層膜、キャップ層が順に形成されている。多層膜の例として下側から反強磁性層、磁化固定層、絶縁層、磁化自由層が順に積層されている。
　磁気抵抗効果素子は、例えば、信号の読み出しと書き込みに使うワード線とビット線の交点に設置される。磁気抵抗効果素子の最下層の下地層と最上層のキャップ層がそれぞれ下部電極、上部電極に加工され、配線に接続することで電極の役割を果たすメモリセルとして使われる。
　磁気抵抗効果素子は、下部電極から上部電極へと磁気抵抗効果素子内に電流を垂直に流し、磁化自由層の磁化の向きを自由に変えることにより、絶縁層に流れる電流の電気抵抗値の高低を「０」、「１」と変化し、メタル配線と情報を交換することで読み出し、書き込みを行う。
　磁気抵抗効果素子の加工には、一般にエッチング技術が用いられる。エッチング技術にはイオンビームエッチング（ＩＢＥ：Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法や反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法がある。
　従来は、この磁気抵抗効果素子の加工において、下部電極と上部電極はそれぞれ別の工程でエッチングされていた（例えば特許文献１）。
　図６は、従来の下部電極及び上部電極の加工工程を表したものである。図６（ａ）は、配線１４上に形成された下地層１３の上に、多層膜１２と上部電極となるキャップ層１１が形成された基板を示す。この基板に対し、キャップ層１１、多層膜１２及び下地層１３を覆うように保護膜１５及び層間膜１６を形成した状態を図６（ｂ）に示す。次に、層間膜１６上にマスク１７を形成した状態を図６（ｃ）に示す。そして、エッチングによってマスク１７に形成されたパターンを層間膜１６、保護膜１５及び下地層１３に転写することで下部電極を形成した状態を図６（ｄ）に示す。この状態からマスク１７を除去した状態を図６（ｅ）に示す。その後、層間膜１６及び保護膜１５をエッチングすることで、上部電極となる該キャップ層１１の頭だしを行った状態を図６（ｆ）に示す。
特開２００６－６０１７２号公報
　しかし、図６に示すような加工方法によれば、磁気抵抗効果素子の製造において多くの工程が必要となる。また工程数に応じて加工装置の増加や大型化が避けられない。さらに、素子の微細化に伴い、層間膜１６の上に形成されるマスクを精度良く多層膜１２上に形成することが困難となり、位置ずれの問題が生じる可能性がある。位置ずれが生じた場合、多層膜側壁の保護膜が消滅することで電気的な短絡が生じ、素子としての機能が失われる可能性がある。
　本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、多層膜を加工後に下部電極と上部電極を従来よりも少ない工程で加工することが可能な機能素子の製造方法を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決するために本発明は、機能素子の製造方法であって、下地層とパターニングされた多層膜及びキャップ層に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜及び前記下地層の所定の領域をエッチングすることで上部電極及び下部電極を１の工程により形成する電極形成工程と、を備えることを特徴とする。
　本発明によれば、多層膜を加工後に下部電極と上部電極を少ない工程で加工することが可能であり、かつ加工時の位置ずれを低減することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の構造の一例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造工程の一部を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造装置（反応性イオンエッチング装置）を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造装置（ラジカル反応装置）を説明するための図である。 従来の磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための図である。
　図４は本実施形態に好適なエッチング装置の一例を説明するための図である。
　図４に係る装置は反応性イオンエッチング法を用いて磁気抵抗効果素子の加工を行うことができる。このエッチング装置は真空容器４０及び、真空容器４０に対して内部空間が連通するようにして気密に接続された誘導体壁容器４０６を有する。真空容器４０は内部が排気系４０３によって排気される。また、真空容器４０には、不図示のゲートバルブから基板７が搬入され、基板ホルダー４４に保持される。基板ホルダー４４は温度制御機構４５により所定温度に維持することが可能である。
　真空容器４０の側壁の外側には、多数の側壁用磁石４２が多数並べて配置され、これによってカスプ磁場が真空容器４０の側壁の内面に沿って形成される。このカスプ磁場によって真空容器４０の側壁の内面へのプラズマの拡散が防止されている。
　次に、エッチング実行時の動作について説明する。まず、ガス導入系４１を動作させ、ガスを溜めているボンベから配管、バルブ、及び、流量調整器を介して、所定の流量のエッチングガスを真空容器４０内へ導入する。導入されたエッチングガスは、真空容器４０内を経由して誘電体壁容器４０６内に拡散する。次にプラズマ源４０１を動作させる。プラズマ源４０１は、誘電体壁容器４０６内に誘導磁界を発生するアンテナ４０２と、アンテナ４０２に不図示の整合器を介して伝送路４０４によって接続される電源４０３と、電磁石４０５を有する。電磁石４０５は誘電体壁容器４０６内に所定の磁界を生じさせる。電源４０３はアンテナ４０２に供給する高周波電力（ソース電力）を発生させる。プラズマ用高周波電源４０３が発生させた高周波によってアンテナ４０２に電流が流れ、誘電体壁容器４０６の内部にプラズマＰが形成される。
　形成されたプラズマＰは誘電体壁容器４０６から真空容器４０内に拡散し、基板７の表面付近に達することで基板７の表面がエッチングされる。この時、同時に、バイアス用電源４６を作動させて、プラズマから基板７の表面へのイオンの入射を制御している。
　図５は本実施形態に好適な成膜装置の一例を説明するための図である。
　図５はラジカルによる蒸着法を用いて成膜を行うＲＳ－ＣＶＤ（Ｒａｄｉｃａｌ　Ｓｈｏｗｅｒ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に係る装置である。図５に係る装置は真空容器５０を有する。真空容器５０は排気系５１によって排気される。また、真空容器５０には、不図示のゲートバルブから基板７が搬入され、基板ホルダー５３に保持される。基板ホルダー５３はヒータ５２によって所定の温度に維持される。
　次に、図５に示す装置の成膜実行時の動作について説明する。まず、第１のガス導入系５４を動作させ、ガスを溜めているボンベから不図示の配管、バルブ、及び、流量調整器を介して、所定の流量の成膜ガスを真空容器５０内へ導入する。導入された成膜ガスは、プラズマ生成室５５内に拡散する。そして、高周波電源５０２を動作させる。高周波電極５０１は伝送路５０３によって高周波電源５０２と接続される。高周波電源５０２から高周波電極５０１に高周波電力（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を供給することで、プラズマＰが生成される。プラズマ生成室５５とラジカル反応室５８の間には導電性部材からなる隔壁板５６が配置され、隔壁板５６は貫通孔５７を有する。また隔壁板５６には第２のガス導入系５９が備わっており、ラジカル反応室５８に原料ガスを供給できる。プラズマＰは電子やラジカル、イオンを含むが、高周波放電により帯電した隔壁板５６によって電子やイオンは遮断され、ラジカルが選択的に貫通孔５７を通過してラジカル反応室５８に導入される。そして、隔壁板５６の第２のガス導入系５９からも原料ガスが導入され、基板７に蒸着し、成膜が行われる。
　次に、図１乃至図３を参照して、上述した図４及び図５に示した装置を用いた本実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法を説明する。図１は本実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法を模式的に示す図である。図２は本実施形態に係る磁気抵抗効果素子の構造を模式的に示す図である。図３は本実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造において、多層膜１２までの加工工程を模式的に示す図である。
　図２に示すように本実施形態における磁気抵抗効果素子に係る積層構造は、例えばシリコンやガラス等の基板上に配線１４（たとえばＣｕ）が形成され、配線１４の上に配線１４と接合される下部電極となる下地層１３が形成される。下地層１３の上に磁気接合部を有する多層膜１２が形成されている。多層膜１２の上には、上部電極の役割を担うキャップ層１１が形成されている。そしてキャップ層１１の上には、キャップ層１１をパターニングするためのハードマスク（例えばＳｉＯ2）１８及びレジスト１９が形成されている。なおキャップ層１１より上の層はエッチング方法やエッチング対象物によって適宜選択されるものである。
　下地層１３は、後の工程で下部電極に加工されるため、導電性の材質が用いられる。下地層１３にはタンタルやチタン、アルミニウム、シリコン、ルテニウムもしくはこれらの導電性化合物である窒化タンタル、窒化チタン、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化タンタル、炭化チタン等の単層膜又は積層膜が好適である。
　多層膜１２の磁気接合部は例えば、反強磁性層１２４、磁化固定層１２３、バリア層１２２、磁化自由層１２１が下から順に積層されている。
　キャップ層１１は、後の工程で上部電極に加工されるため、導電性の材質が用いられる。キャップ層１１にはタンタルやチタンもしくはこれらの導電性化合物である窒化タンタルや窒化チタン、炭化タンタル、炭化チタン等の単層膜又は積層膜が好適である。
　なお、本発明において、下部電極となる下地層、多層膜、キャップ層、パターニングのためのハードマスク及びレジストが積層されたパターニング前のものを「積層構造」という。またパターニングにより多層膜、キャップ層、ハードマスク及びレジストに加工が施こされ、下部電極が形成されたものを「磁気抵抗効果素子」という。さらに「多層膜」とは、磁気抵抗効果素子等の機能素子における基本構造を有するものをいう。
　上述した積層構造を例えば図４及び５に示した装置を用いて加工を行う。図３にその一例を示す。
　図３（ａ）にレジスト１９をパターニングした状態を示す。この状態からフルオロカーボンをエッチングガスとして用いたＲＩＥによって、レジストに形成されたパターンを下層のハードマスク１８に転写する。ハードマスク１８をパターニング後にアッシング処理によってレジスト１９を除去した状態を図３（ｂ）に示す。次にハードマスク１８に形成されたパターンを、塩素系ガスをエッチングガスとして用いたＲＩＥによってキャップ層１１に転写した状態を図３（ｃ）に示す。そして、この状態からアルコールなどの炭素ベースガスをエッチングガスとして用いたＲＩＥによって、キャップ層１１をマスクとして多層膜１２の加工を行った状態を図３（ｄ）に示す。多層膜１２のエッチングにおいてアルコールなどの炭素ベースガスを用いた場合には、図３（ｄ）に示されるように、下地層１３がエッチングされ難いために下地層１３でエッチングが止まる。炭素ベースガスとしてはアルコール（ＣＨ3ＯＨ、Ｃ2Ｈ5ＯＨなど）や、炭化水素に酸素や窒素を加えた混合ガス（ＣＨ4＋Ｏ2、Ｃ2Ｈ6＋Ｎ2＋Ｏ2、Ｃ2Ｈ4＋Ｏ2など）、一酸化炭素とアンモニアの混合ガス、二酸化炭素などを用いることができる。
　図１に本発明による磁気抵抗効果素子の製造方法を示す。
　図１（ａ）は、上述したように下地層１３の上層までパターニングした後の状態を示している。この状態から、下地層１３及び多層膜１２、キャップ層１１上に保護膜１５を形成した状態を図１（ｂ）に示す。この保護膜１５の成膜にはスパッタリング法やＣＶＤ法などの種々の方法が用いられる。キャップ層１１及び多層膜１２の側壁に対して十分な成膜量を確保する観点からＣＶＤ法が好ましい。特に図５に示した装置によるＲＳ－ＣＶＤ法を用いることで多層膜１２及びキャップ層１１の側壁にも十分な保護膜が形成され、且つ成膜時の素子へのダメージを低減することができる。
　ここで、図１（ｂ）の状態における保護膜１５について、加工後の多層膜１２及びキャップ層１１の側壁部の保護膜１５を側壁部１５ｂとする。そして保護膜１５の側壁部１５ｂ以外の部分を表面部１５ａとする。即ち、表面部１５ａは、基板面内方向に略平行な面を指している。図１（ｃ）は図１（ｂ）と同じ状態を示すものであり、表面部１５ａ及び側壁部１５ｂを説明するための図である。
　この図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示す状態から、保護膜１５をマスクとして表面部１５ａ及び下地層１３のエッチングを行う。このエッチング後の様子を図１（ｄ）に示す。本発明によれば、一つのエッチング工程で表面部１５ａ及び下地層１３の加工を行うため、上部電極及び下部電極が同時に形成されることになる。エッチングを行う際にはＩＢＥ法やＲＩＥ法などが用いられる。側壁部１５ｂのエッチング量に対する表面部１５ａ及び下地層１３のエッチング量を大きくするために、特にＲＩＥ法が好ましい。以下、側壁部１５ｂのエッチング量に対する表面部１５ａ及び下地層１３のエッチング量を「異方性」という。即ち、異方性が大きいとは、側壁部１５ｂのエッチング量に対する表面部１５ａ及び下地層１３のエッチング量が大きいことを示す。保護膜１５としては電気的な短絡を防ぐために一般に絶縁膜が用いられる。
　ＲＩＥ法によってエッチングを行う際にエッチングガスとしては、不活性ガスであるＡｒなど種々のガスを用いることができるが、特にフルオロカーボンやハイドロフルオロカーボン（以下まとめてＣＦ系ガスという）が好適である。フルオロカーボンとしてはＣＦ4やＣ2Ｆ6が、ハイドロフルオロカーボンとしてはＣＨＦ3が好適である。ＣＦ系ガスを用いた場合、異方性を大きくすることができ、さらにエッチング中に生成される炭素ポリマーによって側壁部１５ｂに保護膜が形成されるため、下地層１３の加工中に側壁部１５ｂが消滅する可能性を低減できる。側壁部１５ｂが表面部１５ａ及び下地層１３を加工中に消滅した場合、導電性である下地層１３の物質が多層膜１２の側壁部に付着し、電気的に短絡する可能性がある。
　またこのＣＦ系ガスには添加ガスとしてアルゴン、ヘリウム、窒素、水素、酸素やキセノン等が添加されていてもよい。
　エッチングガスとしてＣＦ系ガスを用いる場合は、保護膜１５に酸化シリコンや窒化シリコンなどのシリコン系の絶縁膜を用いることでより異方性を大きくすることができる。
　このとき、下地層１３は図１（ｄ）に示すように垂直に加工される必要は無く、隣接する素子との間の下地層１３がエッチングされ電気的な短絡が防がれる状態であれば、テーパ状になっていても良い。
　このように、本発明では保護膜１５をマスクとしてエッチングを行うため、１つのエッチング工程によって上部電極と下部電極が形成されることになる。さらに、パターニングされた多層膜１２及びキャップ層１１の上に形成された保護膜１５もパターンに沿った形状となるため、この保護膜１５をマスクとして用いることで、下部電極パターンの位置ずれの問題を防ぐことができる。
　上述した実施形態において、保護膜１５をマスクとして表面部１５ａ及び下地層１３をエッチングしたが、このエッチング工程は複数のステップから構成されていても良い。例として、エッチング初期にソース電力を大きくし、エッチング終期に向けてソース電力を連続的に小さくしていっても良い。他にエッチングガスや処理空間内の圧力、ガス流量、プラズマ生成部への供給電力等を変化させることができる。また上述したエッチング工程は保護膜や下地層の材質に合わせて２つ以上の工程によってエッチングを行っても良い。例として第１のエッチング工程と異なる処理空間及び異なる雰囲気中で第２のエッチング工程を行っても良い。この場合エッチング工程は本実施形態に比較して増えることになるが、位置ずれの問題は防ぐことができる。
　また上述した保護膜１５の成膜及びその後のエッチングは、一貫して真空内で行われることが好ましいが、保護膜１５の成膜後に大気に取り出し、異なる装置によってその後のエッチングを行っても良い。
　（実施例）
　本実施形態を用いて磁気抵抗効果素子の製造を行った実施例を以下に示す。
　図３（ａ）に示す状態から、図５に示す装置を用いて以下の条件のＲＳ－ＣＶＤ法により保護膜１５を成膜した。原料ガス１及び２は第１のガス導入系５４から導入されるガスを、原料ガス３は第２のガス導入系５９から導入されるガスを示す。
原料ガス１：ＳｉＨ4
原料ガス２：Ａｒ
原料ガス３：ＮＨ3
原料ガス１の流量：１１０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
原料ガス２の流量：２５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
原料ガス３の流量：２５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
ソース電力：１０００Ｗ
真空容器５０内の圧力：２０Ｐａ
基板７を保持する基板ホルダーの温度：１８０℃
　次に図３（ｂ）に示す状態から、図４に示す装置を用いて以下の条件のＲＩＥ法により表面部１５ａ及び下地層１３のエッチングを行った。
エッチングガス：ＣＦ4
エッチングガスの流量：５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
ソース電力：７００Ｗ
バイアス電力：５０Ｗ
真空容器３０内の圧力：０．４Ｐａ
基板７を保持する基板ホルダーの温度：８０℃
　上述した実施例により作製された磁気抵抗効果素子を透過型電子顕微鏡により観察したところ、下部電極及び上部電極が磁気抵抗効果素子のパターンに沿って形成されていることが確認された。
　上述した実施形態において磁気抵抗効果素子を例に説明したが、本発明は抵抗変化素子（ＲｅＲＡＭ）や強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）などの、種々の機能素子の製造方法においても用いることができる。これらの機能素子においても本発明同様に、機能素子の基本構造を有する多層膜をパターニングした後に、下地層及び多層膜を覆う保護膜を形成し、該保護膜をマスクとして下地層を加工することで下部電極を形成できる。従って、これらの機能素子に用いた場合も同様に、下部電極の形成における工程数を減らすことが可能であり、また位置ずれを防ぐことができる。なお、ここでの基本構造とは、例えば磁気抵抗効果素子における磁気抵抗効果を生じせしめるトンネルバリア層及び１組の強磁性層のように、その機能を発揮するために最低限必要な構造を指す。
　以上、添付図面を参照して本発明に係る実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々の形態に変更可能である。
　本発明は機能素子の製造方法に用いることが可能である。
１１　キャップ層
１２　多層膜
１３　下地層
１４　配線
１５　保護膜
１６　層間膜
１７　マスク
１８　ハードマスク
１９　レジスト
７　基板
４０　真空容器
４０１　プラズマ源
４０２　アンテナ
４０３　プラズマ用高周波電源
４０４　伝送路
４０５　磁石
４０６　誘導体壁容器
４１　ガス導入系
４２　磁石
４３　排気系
４４　基板ホルダー
４５　温度制御
４６　バイアス用高周波電源
５０　真空容器
５０１　高周波電極
５０２　高周波電源
５０３　伝送路
５１　排気系
５２　ヒータ
５３　基板ホルダー
５４　第１のガス導入系
５５　プラズマ生成室
５６　隔壁板
５７　貫通孔
５８　ラジカル反応室
５９　第２のガス導入系

Claims (6)

  1. 　機能素子の製造方法であって、
    　下地層とパターニングされた多層膜及びキャップ層に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    　前記保護膜及び前記下地層の所定の領域をエッチングすることで上部電極及び下部電極を１の工程により形成する電極形成工程と、
    　を備えることを特徴とする機能素子の製造方法。
  2. 　前記エッチングは反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項１に記載の機能素子の製造方法。
  3. 　前記保護膜はＣＶＤ法により形成されることを特徴とする請求項２に記載の機能素子の製造方法。
  4. 　前記保護膜は酸化シリコンもしくは窒化シリコンであり、
    　前記下地層はタンタル、チタン、アルミニウム、シリコン、ルテニウム、窒化タンタル、窒化チタン、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化タンタル、炭化チタンのいずれかの単層膜または積層膜であることを特徴とする請求項３に記載の機能素子の製造方法。
  5. 　前記キャップ層はタンタル、チタン、窒化タンタル、窒化チタン、炭化タンタル、炭化チタンのいずれかの単層膜又は積層膜であることを特徴とする請求項４に記載の機能素子の製造方法。
  6. 　前記反応性イオンエッチングにおいてエッチングガスとしてフルオロカーボンもしくはハイドロフルオロカーボンを用いることを特徴とする請求項５に記載の機能素子の製造方法。
PCT/JP2012/065562 2011-06-24 2012-06-19 機能素子の製造方法 Ceased WO2012176747A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013521577A JP5689967B2 (ja) 2011-06-24 2012-06-19 磁気抵抗効果素子の製造方法
KR1020137030457A KR101574155B1 (ko) 2011-06-24 2012-06-19 자기 저항 효과 소자의 제조 방법
US14/128,722 US8970213B2 (en) 2011-06-24 2012-06-19 Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-140392 2011-06-24
JP2011140392 2011-06-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012176747A1 true WO2012176747A1 (ja) 2012-12-27

Family

ID=47422583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/065562 Ceased WO2012176747A1 (ja) 2011-06-24 2012-06-19 機能素子の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8970213B2 (ja)
JP (1) JP5689967B2 (ja)
KR (1) KR101574155B1 (ja)
WO (1) WO2012176747A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015018885A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
JP2017228787A (ja) * 2017-08-22 2017-12-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
WO2019188450A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10833255B2 (en) 2017-09-21 2020-11-10 Hitachi High-Tech Corporation Method for manufacturing magnetic tunnel junction element, and inductively coupled plasma processing apparatus
JP2024523775A (ja) * 2021-06-16 2024-07-02 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 側壁ポリマースペーサを有するワイドベース磁気トンネル接合デバイス

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101566863B1 (ko) 2011-08-25 2015-11-06 캐논 아네르바 가부시키가이샤 자기저항 소자의 제조 방법 및 자기저항 필름의 가공 방법
WO2015045205A1 (ja) 2013-09-25 2015-04-02 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法および製造システム
US10003014B2 (en) * 2014-06-20 2018-06-19 International Business Machines Corporation Method of forming an on-pitch self-aligned hard mask for contact to a tunnel junction using ion beam etching
US10256395B2 (en) 2015-06-19 2019-04-09 Intel Corporation Capped magnetic memory
US9771261B1 (en) * 2016-03-17 2017-09-26 Texas Instruments Incorporated Selective patterning of an integrated fluxgate device
CN107623014A (zh) * 2016-07-14 2018-01-23 上海磁宇信息科技有限公司 一种磁性随机存储器的制备方法
JP2019047119A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 Tdk株式会社 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、および磁気デバイス
US10910560B2 (en) 2018-09-21 2021-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. RRAM structure
US11031543B2 (en) 2018-10-23 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Via landing enhancement for memory device
CN115734700B (zh) * 2021-08-30 2025-11-11 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种mram磁隧道侧壁沾污的控制方法
KR102809207B1 (ko) * 2022-11-28 2025-05-16 세메스 주식회사 라이너 구조물 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340260A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Sony Corp 磁性体層の加工方法および磁気記憶装置の製造方法
JP2006179701A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ
JP2009032872A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sharp Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3951902B2 (ja) * 2002-11-25 2007-08-01 ヤマハ株式会社 磁気トンネル接合素子の製法と磁気トンネル接合装置
JP2006060044A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Canon Anelva Corp 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP4534664B2 (ja) 2004-08-24 2010-09-01 ソニー株式会社 磁気記憶装置の製造方法
JP2006261592A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
JP2008192222A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気検出素子及びその製造方法
TW201131644A (en) * 2009-12-08 2011-09-16 Ulvac Inc Method of processing multilayer electrode
JP5720681B2 (ja) * 2010-05-28 2015-05-20 日本電気株式会社 薄膜磁気デバイス及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340260A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Sony Corp 磁性体層の加工方法および磁気記憶装置の製造方法
JP2006179701A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ
JP2009032872A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sharp Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015018885A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
US9680090B2 (en) 2013-07-10 2017-06-13 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma etching method
JP2017228787A (ja) * 2017-08-22 2017-12-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
US10833255B2 (en) 2017-09-21 2020-11-10 Hitachi High-Tech Corporation Method for manufacturing magnetic tunnel junction element, and inductively coupled plasma processing apparatus
WO2019188450A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2019176051A (ja) * 2018-03-29 2019-10-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP7223507B2 (ja) 2018-03-29 2023-02-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US11616194B2 (en) 2018-03-29 2023-03-28 Tokyo Electron Limited Etching method
JP2024523775A (ja) * 2021-06-16 2024-07-02 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 側壁ポリマースペーサを有するワイドベース磁気トンネル接合デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012176747A1 (ja) 2015-02-23
US8970213B2 (en) 2015-03-03
KR101574155B1 (ko) 2015-12-03
US20140138347A1 (en) 2014-05-22
JP5689967B2 (ja) 2015-03-25
KR20140007463A (ko) 2014-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5689967B2 (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法
US9601688B2 (en) Method of manufacturing magnetoresistive element and method of processing magnetoresistive film
US8546263B2 (en) Method of patterning of magnetic tunnel junctions
KR101066158B1 (ko) 자기 소자의 제조 방법 및 제조 장치
US9577183B2 (en) Methods of manufacturing a magnetoresistive random access memory device
TW202006984A (zh) 磁阻式隨機存取記憶體的製造方法及結構
KR101862632B1 (ko) 자기 저항 효과 소자의 제조 방법 및 제조 시스템
US9647206B2 (en) Method for etching layer to be etched
KR20130015564A (ko) 반도체 소자의 제조방법
CN103794717B (zh) 一种包含介电层的嵌入型磁隧道结器件的制造方法
CN107623014A (zh) 一种磁性随机存储器的制备方法
JP2025085021A (ja) 側壁洗浄によるイオンビームエッチング
TW201503257A (zh) 電漿蝕刻方法
US20190019946A1 (en) Methods for additive formation of a stt mram stack
CN109994600A (zh) 一种磁性随机存储器的制作方法
CN107658324A (zh) 一种磁性隧道结的对准和形成方法
CN108232010B (zh) 一种气体团簇离子束平坦化磁性隧道结底电极的方法
US20100301008A1 (en) Process and apparatus for fabricating magnetic device
CN111613571B (zh) 一种制作磁性随机存储器单元阵列的方法
CN108242503B (zh) 一种优化磁性隧道结的方法
JP5639195B2 (ja) 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法
US20150072440A1 (en) Method of manufacturing magnetoresistive element
CN114530550B (zh) 一种mram磁隧道结的刻蚀方法
CN115666206A (zh) 半导体结构及其制造方法、半导体存储器
CN111816224B (zh) 一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12802871

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137030457

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013521577

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14128722

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12802871

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1