WO2012157118A1 - 電圧駆動型素子を駆動する駆動装置 - Google Patents

電圧駆動型素子を駆動する駆動装置 Download PDF

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真樹 早稲倉
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トヨタ自動車株式会社
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    • H03K17/6877Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the control circuit comprising active elements different from those used in the output circuit

Definitions

  • the present invention relates to a drive device for driving a voltage-driven element.
  • a voltage-driven element is an element that can exhibit a specific function using a driving voltage, and is widely used in various applications.
  • a voltage-driven element a voltage-driven switching element having an insulated gate is known.
  • the voltage-driven switching element controls a current value based on a gate voltage (an example of a drive voltage) supplied to an insulated gate, and is used, for example, in an inverter device that converts a DC voltage into an AC voltage.
  • An example of the voltage-driven switching element is a power semiconductor switching element including an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Semiconductor Field Field Effect Transistor).
  • a driving device is connected to the voltage driven element.
  • the drive device is configured to control a drive voltage supplied to the voltage-driven element.
  • the drive device can control the drive voltage based on a control signal instructing on / off of the voltage-driven element.
  • the driving device can also control the driving voltage based on a signal indicating the driving state of the voltage-driven element or a signal indicating the state of the external environment.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-324963 discloses an example of a drive device that can generate a highly accurate drive voltage.
  • the technique disclosed in this publication is characterized in that the drive voltage supplied to the gate resistance of the voltage-driven element is feedback-controlled to generate a highly accurate drive voltage. Specifically, the drive voltage is compared with a highly accurate reference voltage, and the drive voltage is controlled based on the comparison result. Since this drive device can generate a highly accurate drive voltage, it can provide a useful result in many applications.
  • the drive voltage supplied to the gate resistance can be controlled with high accuracy by feedback control of the voltage of the output terminal. it can.
  • a certain type of circuit between the output terminal of the driving device and the gate resistance of the voltage driving type element as necessary.
  • a current amplification circuit may be provided between the output terminal of the driving device and the gate resistance of the voltage driven element to drive a large capacity voltage driven element.
  • the output terminal of the driving device and the gate resistance of the voltage-driven element are indirectly connected via the current amplification circuit.
  • a feedback terminal directly connected to the gate resistance of the voltage driven element is provided separately from the output terminal. It is necessary to provide it.
  • the output terminal and the feedback terminal are provided separately, when the feedback terminal is opened, feedback control becomes impossible and the drive voltage rises to the power supply voltage.
  • the current amplifier circuit is one example.
  • One example is a circuit that adjusts feedback by providing an external resistor only in the feedback path, and a circuit that provides phase compensation by providing a parallel circuit of an external resistor and a capacitor only in the feedback path.
  • the technique disclosed in the present specification is intended to provide a technique that maintains feedback control even when a feedback terminal provided separately from an output terminal is opened.
  • the drive device disclosed in this specification is characterized in that a path is maintained so that feedback control is maintained even when the feedback terminal is opened.
  • the driving device disclosed in this specification when the electrical connection between the feedback terminal and the gate resistance of the voltage-driven element is ensured (normal state), the feedback terminal voltage is feedback-controlled, It is possible to control the drive voltage supplied to the gate resistance of the voltage driven element.
  • the electrical connection between the feedback terminal and the gate resistance of the voltage driven element is not secured (abnormal state)
  • the voltage of the output terminal is feedback controlled and supplied to the gate resistance of the voltage driven element. It is possible to control the drive voltage that is applied.
  • feedback control is performed in both the normal state and the abnormal state, and the drive voltage supplied to the voltage-driven element rises to the power supply voltage. The situation is configured to be avoidable.
  • FIG. 1 shows a configuration of an inverter device.
  • FIG. 2 shows an outline of the driving apparatus of the first embodiment.
  • FIG. 3 shows the configuration of the driving apparatus of the first embodiment (when the current amplifier circuit is not connected).
  • FIG. 4 shows the configuration of the driving apparatus of the first embodiment (when a current amplifier circuit is connected).
  • FIG. 5 shows a configuration of a modified example of the driving apparatus of the first embodiment.
  • FIG. 6 shows the configuration of the driving apparatus of the second embodiment.
  • FIG. 7 shows a configuration of one modified example of the driving apparatus of the second embodiment.
  • FIG. 8 shows a configuration of one modified example of the driving apparatus of the second embodiment.
  • the driving device disclosed in this specification is used to drive a voltage-driven element.
  • the voltage-driven element is an element that can exhibit a specific function using a driving voltage.
  • the voltage-driven element may be a voltage-driven switching element having an insulated gate, in particular a power semiconductor switching element.
  • the power semiconductor switching element includes an IGBT, a MOSFET, and a thyristor.
  • the drive device may include a first connection terminal, a feedback terminal, a second connection terminal, a switching element, and a control unit.
  • the first connection terminal is configured to be connectable to the gate resistance of the voltage driven element.
  • the first connection terminal may be directly connected to the gate resistance of the voltage driven element, or may be indirectly connected via another circuit.
  • the feedback terminal is also configured to be connectable to the gate resistance of the voltage driven element.
  • the feedback terminal is preferably connected directly to the gate resistance of the voltage driven element.
  • the second connection terminal is configured to be connectable to a drive power supply.
  • the second connection terminal may be directly connected to the drive power supply, or may be indirectly connected via another circuit.
  • the switching element has a first input / output electrode connected to the first connection terminal and a second input / output electrode connected to the second connection terminal.
  • An example of the switching element includes a voltage-driven switching element having an insulated gate. As the switching element, an element having a high switching speed is preferably used. For this reason, it is desirable to use a MOSFET as the switching element.
  • the control unit is connected to the control electrode of the switching element and controls the voltage input to the control electrode of the switching element.
  • the control unit may include an error amplifier, a reference power source, and a resistance unit.
  • the error amplifier has one input terminal connected to the reference power supply, the other input terminal connected to the feedback terminal, and the output terminal connected to the control electrode of the switching element.
  • the error amplifier is preferably configured to amplify and output an error between the two input terminals.
  • the error amplifier includes an operational amplifier.
  • the error amplifier includes a circuit including an A / D converter, a digital signal processing circuit, and a D / A converter as another example.
  • One end of the resistance portion is connected to the first connection terminal, and the other end is connected to a wiring between the other input terminal and the feedback terminal of the error amplifier.
  • Various elements having a resistance component can be used for the resistance section, and may be a fixed resistance or a variable resistance.
  • a fixed resistance element or a diode connected in the forward direction may be used for the resistance portion.
  • the control unit further includes a switch.
  • One end of the switch is connected to the second connection terminal, and the other end is connected to the control electrode of the switching element.
  • the switch when the switch is closed, the second input / output electrode of the switching element and the control electrode are short-circuited, so that the switching element is turned off. For this reason, when the switch is closed, the supply of the drive voltage to the voltage-driven element is stopped.
  • the switch when the switch is opened, the switching element is turned on, and the drive voltage is supplied to the voltage-driven element.
  • This drive device is characterized in that a switch for switching on / off of the control unit is disposed between the second connection terminal and the control terminal of the switching element, and is not provided in the feedback path.
  • a switch for switching on / off of the control unit is disposed between the second connection terminal and the control terminal of the switching element, and is not provided in the feedback path.
  • the resistance component of the switch varies, if such a switch is provided in the feedback path, the feedback characteristic for each driving device may vary.
  • the drive voltage supplied to the voltage-driven element is feedback-controlled with high accuracy. It becomes possible.
  • the switch may be opened in synchronization with the turn-on of the voltage-driven element.
  • “synchronize” typically includes a case where the times completely match within a range of control accuracy required for the voltage-driven element or the driving device. Further, the case of operating based on a common signal is also included in the “synchronize” here. For example, when a signal for instructing opening / closing of a switch and a signal for instructing turn-on of a voltage-driven element are common, they are included in “synchronize” here, and the switch opens and closes as long as the signals are common. Even if the timing does not match the timing at which the voltage-driven element is turned on, it is included in the “synchronization” here.
  • the surge voltage and switching loss of the voltage driven element strongly influence the switching speed of the voltage driven element. For this reason, in order to improve the surge voltage and switching loss of the voltage-driven element, it is important to supply a highly accurate driving voltage at the timing when the voltage-driven element is turned on. By opening the switch in synchronization with the turn-on of the voltage-driven element, the drive device can supply a highly accurate drive voltage in synchronization with the turn-on of the voltage-driven element. As a result, the surge voltage and switching loss of the voltage driven element can be improved.
  • control unit may further include a current detection unit that detects a current flowing through the resistance unit.
  • a current detection unit that detects a current flowing through the resistance unit.
  • control unit may further include a protection element.
  • the protection element is connected in parallel to the current detection unit, and is configured to conduct at a predetermined voltage or higher.
  • the predetermined voltage is higher than the operating voltage of the current detector.
  • Such a protective element normally does not interfere with the operation of the current detection unit.
  • an excessive voltage for example, electrostatic discharge (ESD)
  • ESD electrostatic discharge
  • the driving device may further include a current amplification circuit that amplifies the output current output from the first connection terminal and supplies the amplified output current to the gate resistor.
  • the inverter device 10 includes a DC power source 11, a smoothing capacitor 12, and an inverter unit 13.
  • the inverter unit 13 includes six voltage-driven elements 2a to 2f and six driving devices 1a to 1f that drive the voltage-driven elements 2a to 2f. IGBTs are used for the voltage driven elements 2a to 2f.
  • the six voltage-driven elements 2a to 2f constitute a three-phase bridge connection.
  • a reflux diode is connected in antiparallel to each of the voltage driven elements 2a to 2f.
  • the inverter unit 13 switches the DC voltage supplied from the DC power source 11 through the smoothing capacitor 12 to convert the DC voltage into an AC voltage and supplies the AC voltage to the AC motor 14. Since the six driving devices 1a to 1f all have equivalent circuit configurations, the six driving devices 1a to 1f will be described below without particularly distinguishing them.
  • FIG. 2 shows an outline of the driving device 1 that drives the voltage-driven element 2.
  • the driving device 1 includes a pair of gate resistors R1, R2 and a driving IC 3.
  • the first gate resistor R1 is a fixed resistance element, and determines the charging rate of the gate current of the voltage driven element 2.
  • the second gate resistor R2 is a fixed resistance element, and determines the discharge rate of the gate current of the voltage driven element 2.
  • the drive IC 3 is connected between a transformer type drive power supply Vcc and a ground power supply GND, and is configured to supply a drive voltage to the pair of gate resistors R1 and R2.
  • the driving IC 3 includes a pair of transistors M1 and M2, a first control unit 4 that controls the first transistor M1, a second control unit 5 that controls the second transistor M2, a first control unit 4 and a second control unit. 5 and a plurality of terminals T1 to T5.
  • T1 is a power supply terminal (an example of a second connection terminal), and is configured to be connectable to the drive power supply Vcc.
  • T2 is a first output terminal (an example of a first connection terminal), and is configured to be connectable to the first gate resistor R1.
  • T3 is a feedback terminal and is configured to be connectable to the first gate resistor R1.
  • T4 is a second output terminal, and is configured to be connectable to the second gate resistor R2.
  • T5 is a ground terminal, and is configured to be connectable to the ground power supply GND.
  • the first transistor M1 is a p-type MOSFET, and is connected between the first output terminal T2 and the power supply terminal T1. More specifically, in the first transistor M1, the drain electrode (an example of the first input / output electrode) is connected to the first output terminal T2, and the source electrode (an example of the second input / output electrode) is connected to the power supply terminal T1. It is connected. When the voltage-driven element 2 is turned on, the first transistor M1 is turned on, so that a positive drive voltage is supplied from the drive power supply Vcc to the first gate resistor R1 of the voltage-driven element 2 via the first transistor M1.
  • the first transistor M1 is a p-type MOSFET, and is connected between the first output terminal T2 and the power supply terminal T1. More specifically, in the first transistor M1, the drain electrode (an example of the first input / output electrode) is connected to the first output terminal T2, and the source electrode (an example of the second input / output electrode) is connected to the power supply terminal T1. It is connected. When the voltage-
  • the second transistor M2 is an n-type MOSFET, and is connected between the second output terminal T4 and the ground terminal T5. More specifically, in the second transistor M2, the drain electrode is connected to the second output terminal T4, and the source electrode is connected to the ground terminal T5. When the voltage-driven element 2 is turned off, the second transistor M2 is turned on, so that the ground voltage is supplied to the second gate resistor R2 of the voltage-driven element 2 through the second transistor M2.
  • the control block 6 outputs a first drive signal S1 to the first control unit 4 and a second drive signal S2 to the second control unit 5 based on a control signal supplied from an electronic control unit (ECU) (not shown). Is output.
  • the first control unit 4 controls on / off of the first transistor M1 based on the first drive signal S1.
  • the second controller 5 controls on / off of the second transistor M2 based on the second drive signal S2.
  • the drive device 1 is configured to be able to connect a current amplification circuit 7 to the drive IC 3 as necessary.
  • FIG. 3 illustrates a case where the current amplifier circuit 7 is not connected to the drive IC 3
  • FIG. 4 illustrates a case where the current amplifier circuit 7 is connected to the drive IC 3.
  • the driver IC 3 is connected to the driver IC 3 when the voltage-driven element 2 having a large current capacity is to be driven without connecting the current amplifier circuit 7 to the drive IC 3
  • the current amplifier circuit 7 is connected. In this way, by configuring the current amplifier circuit 7 to be arbitrarily attachable, it is possible to use the drive IC 3 that is shared by the voltage-driven elements 2 having various current capacities.
  • the first control unit 4 of the driving IC 3 includes an operational amplifier OP1, a reference power supply E REF , a switch SW1, a resistor R3, and voltage dividing circuits R4a and R4b.
  • an operational amplifier OP1 a reference power supply E REF , a switch SW1, a resistor R3, and voltage dividing circuits R4a and R4b.
  • a detailed description of the second control unit 5 is omitted, a configuration similar to that of the first control unit 4 may be used.
  • the operational amplifier OP1 has a non-inverting input terminal connected to the reference power supply E REF , an inverting input terminal connected to the feedback terminal T3 via the voltage dividing circuits R4a and R4b, and an output terminal controlling the first transistor M1. Connected to the electrode.
  • the switch SW1 has one end connected to the power supply terminal T1 and the other end connected to the control electrode of the first transistor M1.
  • the resistor R3 is a fixed resistance element, and one end is connected to the first output terminal T2, and the other end is connected to a wiring between the inverting input terminal of the operational amplifier OP1 and the feedback terminal T3. As shown in FIG. 5, a pair of diodes D1 and D2 may be used instead of the resistor R3.
  • the voltage dividing circuits R4a and R4b have a first voltage dividing adjustment resistor R4a and a second voltage dividing adjustment resistor R4b.
  • the voltage dividing adjustment first resistor R4a and the voltage dividing adjustment second resistor R4 are both fixed resistance elements, and their connection points are connected to the inverting input terminal of the operational amplifier OP1.
  • the target voltage of the first output terminal T2 and the feedback terminal T3 is set by adjusting the voltage dividing ratio of the first voltage dividing adjustment resistor R4a and the second voltage dividing adjustment resistor R4b.
  • both the first output terminal T2 and the feedback terminal T3 are directly connected to the first gate resistor R1.
  • the first output terminal T2 is indirectly connected to the first gate resistor R1 via the current amplifier circuit 7.
  • the feedback terminal T3 is directly connected to the first gate resistor R1.
  • the current amplifier circuit 7 has a bipolar transistor Q1 and resistors R5a and R5b.
  • the bipolar transistor Q1 is an npn type, and has an emitter terminal connected to the first gate resistor R1, a collector terminal connected to the drive power supply Vcc, and a base terminal connected to the first output terminal T2.
  • the resistors R5a and R5b are fixed resistance elements, and are connected between the base and emitter of the bipolar transistor Q1.
  • the current amplification circuit 7 constitutes an emitter follower circuit.
  • a transistor having an insulated gate may be used instead of the bipolar transistor Q1.
  • the first transistor M1 when the switch SW1 is opened based on the first drive signal S1 output from the control block 6, the first transistor M1 is turned on. At this time, in the second controller 5, the second transistor M2 is turned off based on the second drive signal S2 output from the control block 6.
  • the first transistor M1 When the first transistor M1 is turned on, a positive voltage is supplied from the drive power supply Vcc to the first gate resistor R1 via the first transistor M1.
  • the voltage at the feedback terminal T3 divided by the voltage dividing circuits R4a and R4b that is, the drive voltage supplied to the first gate resistor R1 divided by the voltage dividing circuits R4a and R4b) is applied to the inverting input terminal of the operational amplifier OP1.
  • the first control unit 4 compares the voltage at the feedback terminal T3 divided by the voltage dividing circuits R4a and R4b with the reference voltage, and controls the gate voltage input to the first transistor M1 based on the comparison result. To do. As a result, the voltage of the feedback terminal T3 is controlled to a constant value corresponding to the voltage division ratio with respect to the reference voltage of the reference power supply EREF . In this way, in a normal state where the feedback terminal is not open, the drive voltage supplied to the first gate resistor R1 is controlled with high accuracy, so that the gate current determined by the first gate resistor R1 is charged. The speed is also controlled with high accuracy.
  • the output voltage of the drive power supply Vcc varies in the range of several volts. For this reason, when the technique of the present embodiment is not used, if the output voltage of the drive power supply Vcc fluctuates low, the charging speed of the gate current is slower than the set value, which is required for turning on the voltage driven element 2. The time becomes longer and the switching loss increases. On the other hand, when the output voltage of the drive power supply Vcc fluctuates high, the charging rate of the gate current becomes faster than the set value, the rate of current change when the voltage driven element 2 is turned on increases, and a surge voltage is generated. .
  • a first gate by the voltage of the feedback terminal T3 by using a high-precision reference power supply E REF feedback control, without being affected by the fluctuation of the output voltage of the drive power source Vcc, a first gate
  • the drive voltage supplied to the resistor R1 can be controlled with extremely high accuracy.
  • an abnormal state where the feedback terminal T3 is opened will be described.
  • the feedback path from the feedback terminal T3 to the operational amplifier OP1 is blocked.
  • a current flows through the resistor R3, so that a feedback path from the first output terminal T2 to the operational amplifier OP1 is secured. That is, in the abnormal state, the voltage of the first output terminal T2 is feedback controlled.
  • the voltage of the first output terminal T2 is slightly clamped by the resistor R3, but the feedback control is maintained, so that fluctuations in the drive voltage are suppressed and the drive voltage supplied to the first gate resistor R1. The situation where the voltage increases to the level of the drive power supply Vcc is also avoided.
  • the clamp value of the first output terminal T2 is the product of the current flowing into the resistor R3 and the resistance value of the resistor R3. This clamp value is adjusted to be higher than the base-emitter voltage of the bipolar transistor Q1 so as not to disturb the operation of the current amplifier circuit 7. Specifically, if the resistance value of the resistor R3 is set high (in the example of FIG. 5, the number of diodes D1 and D2 connected in the forward direction is adjusted), the operation of the current amplifier circuit 7 may be hindered. Absent.
  • the driving device 1 is that the switch SW1 is connected between the power supply terminal T1 and the control electrode of the first transistor M1. For example, if the switch SW1 is provided on the feedback path, the accuracy of feedback deteriorates due to the characteristic variation of the switch SW1 (for example, variation in on-resistance). On the other hand, in the driving device 1, since the switch SW1 is not provided on the feedback path, the driving voltage controlled with high accuracy can be supplied to the first gate resistor R1. Therefore, the driving device 1 can control the charging speed of the gate current determined by the first gate resistor R1 with high accuracy and can drive the voltage driven element 2 with high accuracy. Generation and increase in switching loss can be suppressed.
  • FIG. 6 shows the configuration of the driving device 1 of the second embodiment.
  • the drive IC 3 of the drive device 1 is characterized by having a current detection unit 8 that detects a current flowing through the pair of diodes D1 and D2. Note that only one of the pair of diodes D1 and D2 may be provided.
  • the current detection unit 8 is configured as a current mirror circuit, and includes a pair of pnp transistors and a resistor R6. When the feedback terminal T3 is opened, the current detection unit 8 mirrors the current flowing through the pnp transistor Q2 and the diodes D1 and D1 to the pnp transistor Q3, and supplies a voltage signal corresponding to the mirror current to the control block 6. To do.
  • the control block 6 determines that the feedback terminal T3 is open when the voltage signal corresponding to the mirror current exceeds the threshold value.
  • the clamp voltage at the first output terminal T2 is, for example, about 0.1 to 2V.
  • the clamp voltage is extremely small, it is difficult to determine that the feedback terminal T3 is opened using the clamp voltage.
  • the current detection unit 8 it can be accurately determined that the feedback terminal T3 is open. If it can be determined that the feedback terminal T3 is open, the drive setting corresponding to the abnormal state can be adjusted as appropriate. For example, in the abnormal state, the drive voltage is higher than that in the normal state depending on the clamp voltage (the sum of the forward voltage of the diodes D1 and D2 and the base-emitter voltage of the transistor Q2).
  • the driving device 1 of the present embodiment can determine the abnormal state. Therefore, by appropriately adjusting the driving setting, for example, , It is possible to suppress a decrease in product life.
  • FIG. 7 shows an example of a modification of the driving device 1 of the second embodiment.
  • the drive device 1 is characterized in that a Zener diode ZD1 is provided in parallel with the current detection unit 8.
  • the Zener diode ZD1 has an anode connected to the feedback terminal T3 and a cathode connected to the first output terminal T2.
  • the drive device 1 is characterized in that a resistor R3 is connected in series with the diode D1.
  • the resistor R3 also functions as a current limiting resistor and suppresses an excessive current from flowing through the current detection unit 8.
  • Zener diode ZD1 conducts at a predetermined voltage or higher.
  • the predetermined voltage is higher than the operating voltage of the current detector 8.
  • Such a Zener diode ZD1 normally does not interfere with the operation of the current detection unit 8.
  • an excessive voltage for example, electrostatic discharge (ESD)
  • ESD electrostatic discharge
  • a plurality of diodes D3 to D5 may be used as protection elements instead of the Zener diode ZD1.
  • the diode D3 and the diode D4 are connected in series, the anode of the diode D3 is connected to the first output terminal T2, and the cathode of the diode D4 is connected to the feedback terminal T3.
  • the diode D5 has an anode connected to the feedback terminal T3 and a cathode connected to the first output terminal T2.
  • the diodes D3 to D5 can obtain the same effect as the Zener diode ZD1.

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Abstract

 駆動装置の制御部は、フィードバック端子と電圧駆動型素子のゲート抵抗の間の電気的な接続が確保されている場合には、フィードバック端子の電圧を利用して電圧駆動型素子のゲート抵抗に供給される電圧を制御可能に構成されている。駆動装置の制御部はさらに、フィードバック端子と電圧駆動型素子のゲート抵抗の間の電気的な接続が確保されていない場合には、出力端子の電圧を利用して電圧駆動型素子のゲート抵抗に供給される電圧を制御可能に構成されている。

Description

電圧駆動型素子を駆動する駆動装置
 本発明は、電圧駆動型素子を駆動する駆動装置に関する。
 電圧駆動型素子は、駆動電圧を用いて特定機能を発揮することが可能な素子であり、様々な用途で広く用いられている。電圧駆動型素子の一例には、絶縁ゲートを備える電圧駆動型スイッチング素子が知れられている。電圧駆動型スイッチング素子は、絶縁ゲートに供給されるゲート電圧(駆動電圧の一例)に基づいて電流値を制御するものであり、例えば直流電圧を交流電圧に変換するインバータ装置に用いられている。電圧駆動型スイッチング素子の一例には、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を含むパワー半導体スイッチング素子が挙げられる。
 このような電圧駆動型素子を駆動するために、電圧駆動型素子には駆動装置が接続されている。駆動装置は、電圧駆動型素子に供給する駆動電圧を制御するように構成されている。例えば、駆動装置は、電圧駆動型素子のオン・オフを指示する制御信号に基づいて駆動電圧を制御することができる。駆動装置はまた、電圧駆動型素子の駆動状態を示す信号、又は外部環境の状態を示す信号に基づいて駆動電圧を制御することができる。
 このような駆動装置では、高精度な駆動電圧を生成する技術の開発が望まれている。駆動装置で生成される駆動電圧の精度が低いと、その駆動電圧の精度を考慮して電圧駆動型素子の駆動条件を設定しなければならない。このため、駆動電圧の精度が低いと、最適な条件で電圧駆動型素子を駆動することができない。この結果、例えば、電圧駆動型素子のサージ電圧の増大、又は電圧駆動型素子の電力損失の悪化という問題が発生してしまう。
 特開2006-324963号公報には、高精度な駆動電圧を生成することが可能な駆動装置の一例が開示されている。この公報に開示される技術は、電圧駆動型素子のゲート抵抗に供給される駆動電圧をフィードバック制御し、高精度な駆動電圧を生成することを特徴としている。具体的には、駆動電圧を高精度な参照電圧と比較し、その比較結果に基づいて駆動電圧が制御されている。この駆動装置は、高精度な駆動電圧を生成することができることから、多くの用途で有用な結果を提供することができる。
 駆動装置の出力端子が電圧駆動型素子のゲート抵抗に直接的に接続されていれば、出力端子の電圧をフィードバック制御することによって、ゲート抵抗に供給される駆動電圧を高精度に制御することができる。しかしながら、駆動装置の出力端子と電圧駆動型素子のゲート抵抗の間に、必要に応じてある種の回路を設けたいことがある。例えば、駆動装置の出力端子と電圧駆動型素子のゲート抵抗の間に電流増幅回路を設け、大容量の電圧駆動型素子を駆動したいことがある。
 このような場合、駆動装置の出力端子と電圧駆動型素子のゲート抵抗が電流増幅回路を介して間接的に接続される。このため、電圧駆動型素子のゲート抵抗に供給される駆動電圧を高精度にフィードバック制御するためには、出力端子とは別に、電圧駆動型素子のゲート抵抗に直接的に接続されるフィードバック端子を設ける必要がある。このように、出力端子とフィードバック端子が別々に設けられていると、フィードバック端子がオープンになったときに、フィードバック制御が不能となり、駆動電圧が電源電圧にまで上昇するという問題が発生する。なお、出力端子とフィードバック端子を別々に設けたい理由は様々であり、上記電流増幅回路はその一例である。例えば、フェードバック経路にのみ回路素子を設けたいこともあり、このような場合でも出力端子とフィードバック端子を別々に設けることが望まれる。その一例には、フィードバック経路にのみ外部抵抗を設けてフィードバックの調整をする回路、フィードバック経路にのみ外部抵抗及びコンデンサの並列回路を設けて位相補償する回路が挙げられる。
 本願明細書で開示される技術は、出力端子とは別に設けられたフィードバック端子がオープンになった場合でも、フィードバック制御が維持される技術を提供することを目的としている。
 本明細書で開示される駆動装置は、フィードバック端子がオープンになった場合でも、フィードバック制御が維持されるような経路が確保されていることを特徴としている。本明細書で開示される駆動装置では、フィードバック端子と電圧駆動型素子のゲート抵抗の間の電気的な接続が確保されている場合(正常状態)には、フィードバック端子の電圧をフィードバック制御し、電圧駆動型素子のゲート抵抗に供給される駆動電圧を制御することが可能である。一方、フィードバック端子と電圧駆動型素子のゲート抵抗の間の電気的な接続が確保されていない場合(異常状態)には、出力端子の電圧をフィードバック制御し、電圧駆動型素子のゲート抵抗に供給される駆動電圧を制御することが可能である。このように、本明細書で開示される駆動装置では、正常状態と異常状態のいずれにおいてもフィードバック制御が行われており、電圧駆動型素子に供給される駆動電圧が電源電圧にまで上昇するという事態が回避可能に構成されている。
図1は、インバータ装置の構成を示す。 図2は、第1実施例の駆動装置の概要を示す。 図3は、第1実施例の駆動装置の構成を示す(電流増幅回路が接続されていない場合)。 図4は、第1実施例の駆動装置の構成を示す(電流増幅回路が接続されている場合)。 図5は、第1実施例の駆動装置の変形例の構成を示す。 図6は、第2実施例の駆動装置の構成を示す。 図7は、第2実施例の駆動装置の一つの変形例の構成を示す。 図8は、第2実施例の駆動装置の一つの変形例の構成を示す。
 本明細書で開示される駆動装置は、電圧駆動型素子を駆動するために用いられる。ここで、電圧駆動型素子は、駆動電圧を用いて特定機能を発揮することが可能な素子である。電圧駆動型素子は、絶縁ゲートを有する電圧駆動型スイッチング素子であってもよく、特にパワー半導体スイッチング素子であってもよい。パワー半導体スイッチング素子には、IGBT、MOSFET、サイリスタが含まれる。駆動装置は、第1接続端子とフィードバック端子と第2接続端子とスイッチング素子と制御部とを備えていてもよい。第1接続端子は、電圧駆動型素子のゲート抵抗に接続可能に構成されている。ここで、第1接続端子は、電圧駆動型素子のゲート抵抗に対して直接的に接続されていてもよく、他の回路を介して間接的に接続されていてもよい。フィードバック端子も、電圧駆動型素子のゲート抵抗に接続可能に構成されている。フィードバック端子は、電圧駆動型素子のゲート抵抗に対して直接的に接続されているのが望ましい。第2接続端子は、駆動電源に接続可能に構成されている。第2接続端子は、駆動電源に対して直接的に接続されていてもよく、他の回路を介して間接的に接続されていてもよい。スイッチング素子は、第1入出力電極が第1接続端子に接続されており、第2入出力電極が第2接続端子に接続されている。スイッチング素子の一例には、絶縁ゲートを有する電圧駆動型スイッチング素子が含まれる。スイッチング素子には、スイッチング速度の速い素子が用いられるのが望ましい。このため、スイッチング素子には、MOSFETが用いられるのが望ましい。制御部は、スイッチング素子の制御電極に接続されており、スイッチング素子の制御電極に入力する電圧を制御する。制御部は、誤差増幅器と参照電源と抵抗部を有していてもよい。誤差増幅器は、一方の入力端子が参照電源に接続されており、他方の入力端子がフィードバック端子に接続されており、出力端子がスイッチング素子の制御電極に接続されている。誤差増幅器は、2つの入力端子間の誤差を増幅して出力するように構成されているのが望ましい。誤差増幅器には、一例としてオペアンプが含まれる。また、誤差増幅器には、他の一例としてA/Dコンバータとデジタル信号処理回路とD/Aコンバータで構成される回路が含まれる。抵抗部は、一端が第1接続端子に接続されており、他端が誤差増幅器の他方の入力端子とフィードバック端子の間の配線に接続されている。抵抗部には、抵抗成分を有する様々な素子を用いることができ、固定抵抗であってもよく、可変抵抗であってもよい。例えば、抵抗部には、固定抵抗素子を用いてもよく、順方向に接続されるダイオードを用いてもよい。上記駆動装置では、フィードバック端子がオープンになっても、抵抗部を介して第1接続端子の電圧がフィードバック制御されるので、フィードバック制御が不能となる事態が回避可能に構成されている。
 本願明細書で開示される駆動装置では、制御部がスイッチをさらに有しているのが望ましい。スイッチは、一端が第2接続端子に接続されており、他端がスイッチング素子の制御電極に接続されている。この駆動装置では、スイッチが閉じると、スイッチング素子の第2入出力電極と制御電極が短絡するので、スイッチング素子がオフとなる。このため、スイッチが閉じたときは、電圧駆動型素子への駆動電圧の供給が停止する。一方、スイッチが開くと、スイッチング素子がオンとなり、電圧駆動型素子への駆動電圧の供給が行われる。この駆動装置では、制御部のオン/オフを切換えるためのスイッチが、第2接続端子とスイッチング素子の制御端子の間に配置されており、フィードバック経路に設けられていないことを特徴としている。一般的に、スイッチは、その抵抗成分にばらつきがあることから、そのようなスイッチがフィードバック経路に設けられていると、駆動装置毎のフィードバック特性もばらつく可能性がある。本願明細書で開示される駆動装置では、制御部のオン/オフを切換えるためのスイッチがフィードバック経路に設けられていないことから、電圧駆動型素子に供給される駆動電圧を高精度にフィードバック制御することが可能になる。
 本願明細書で開示される駆動装置では、スイッチが電圧駆動型素子のターンオンに同期して開いてもよい。ここでいう「同期する」とは、典型的には、電圧駆動型素子又は駆動装置に求められる制御精度の範囲内で時間が完全に一致する場合を含む。また、共通の信号に基づいて動作する場合も、ここでいう「同期する」に含まれる。例えば、スイッチの開閉を指示する信号と電圧駆動型素子のターンオンを指示する信号が共通の場合は、ここでいう「同期する」に含まれており、信号が共通する限りにおいて、スイッチが開閉するタイミングと電圧駆動型素子がターンオンするタイミングが不一致であってもここでいう「同期する」に含まれる。電圧駆動型素子のサージ電圧及びスイッチング損失は、電圧駆動型素子のスイッチング速度に強く影響する。このため、電圧駆動型素子のサージ電圧及びスイッチング損失を改善するためには、電圧駆動型素子がターンオンするタイミングにおいて、高精度な駆動電圧を供給することが重要である。スイッチが電圧駆動型素子のターンオンに同期して開くことにより、駆動装置は、電圧駆動型素子のターンオンに同期して高精度な駆動電圧を供給することができる。この結果、電圧駆動型素子のサージ電圧及びスイッチング損失を改善することが可能となる。
 本明細書で開示される駆動装置では、制御部が抵抗部を流れる電流を検出する電流検出部をさらに有していてもよい。この駆動装置では、電流検出部を流れる電流値を利用して、フィードバック端子がオープンになったことを判定することができる。
 本明細書で開示される駆動装置では、制御部が保護素子をさらに有していてもよい。保護素子は、電流検出部に対して並列に接続されており、所定電圧以上で導通するように構成されている。ここで、所定電圧は、電流検出部の動作電圧よりも高い。このような保護素子は、通常は電流検出部の動作を妨げることはない。一方で、電流検出部に過大な電圧(例えば、静電気放電(ESD))が印加された場合には、優先的に導通することで、電流検出部を過大な電圧による破壊から保護することができる。
 電圧駆動型素子が大電力を扱うような場合、例えば車両用のインバータ装置に搭載される電圧駆動型素子のような場合、電圧駆動型素子の電流容量が大きい。電流容量の大きい電圧駆動型素子を短い時間で駆動するためには、駆動装置のスイッチング素子の電流容量も増加させる必要がある。スイッチング素子の電流容量が増加すると、誤差増幅器のスルーレートも増加させなければならない。ところが、誤差増幅器のスルーレートを増加させると、誤差増幅器の定常損失が増加してしまう。上記問題を解決する1つの態様の駆動装置は、第1接続端子から出力される出力電流を増幅してゲート抵抗に供給する電流増幅回路をさらに備えていてもよい。電流増幅回路を設けることにより、スイッチング素子の電流容量を増加させなくても、電流容量の大きい電圧駆動型素子を短い時間で駆動することができる。この結果、制御部の誤差増幅器のスルーレートを増加させる必要がないので、誤差増幅器の定常損失の増加も回避できる。
 以下、図面を参照して各実施例を説明する。なお、各実施例で共通する構成要素に関しては共通の符号を付し、その説明を省略する。
(第1実施例)
 図1に、車両に搭載されるインバータ装置10の概要を示す。インバータ装置10は、直流電源11と、平滑コンデンサ12と、インバータ部13を備えている。インバータ部13は、6つの電圧駆動型素子2a~2fと、各電圧駆動型素子2a~2fを駆動する6つの駆動装置1a~1fを備えている。電圧駆動型素子2a~2fには、IGBTが用いられている。6つの電圧駆動型素子2a~2fは、三相ブリッジ接続を構成している。電圧駆動型素子2a~2fのそれぞれには、還流用のダイオードが逆並列に接続されている。インバータ部13は、直流電源11から平滑コンデンサ12を介して供給される直流電圧をスイッチングすることにより、その直流電圧を交流電圧に変換して交流モータ14に供給する。6つの駆動装置1a~1fはいずれも等価な回路構成を有しているので、以下では、6つの駆動装置1a~1fを特に区別せずに説明する。
 図2に、電圧駆動型素子2を駆動する駆動装置1の概要を示す。駆動装置1は、一対のゲート抵抗R1,R2と駆動IC3を備えている。
 図2に示されるように、第1ゲート抵抗R1は、固定抵抗素子であり、電圧駆動型素子2のゲート電流の充電速度を決定している。第2ゲート抵抗R2は、固定抵抗素子であり、電圧駆動型素子2のゲート電流の放電速度を決定している。
 駆動IC3は、トランス型の駆動電源Vccと接地電源GNDの間に接続されており、一対のゲート抵抗R1,R2に駆動電圧を供給するように構成されている。駆動IC3は、一対のトランジスタM1,M2と、第1トランジスタM1を制御する第1制御部4と、第2トランジスタM2を制御する第2制御部5と、第1制御部4と第2制御部5を制御する制御ブロック6と、複数の端子T1~T5を備えている。T1は電源端子(第2接続端子の一例)であり、駆動電源Vccに接続可能に構成されている。T2は第1出力端子(第1接続端子の一例)であり、第1ゲート抵抗R1に接続可能に構成されている。T3はフィードバック端子であり、第1ゲート抵抗R1に接続可能に構成されている。T4は第2出力端子であり、第2ゲート抵抗R2に接続可能に構成されている。T5は接地端子であり、接地電源GNDに接続可能に構成されている。
 第1トランジスタM1は、p型のMOSFETであり、第1出力端子T2と電源端子T1の間に接続されている。より詳細には、第1トランジスタM1では、ドレイン電極(第1入出力電極の一例)が第1出力端子T2に接続されており、ソース電極(第2入出力電極の一例)が電源端子T1に接続されている。電圧駆動型素子2がターンオンするとき、第1トランジスタM1がターンオンすることによって、第1トランジスタM1を介して駆動電源Vccから正の駆動電圧が電圧駆動型素子2の第1ゲート抵抗R1に供給される。
 第2トランジスタM2は、n型のMOSFETであり、第2出力端子T4と接地端子T5の間に接続されている。より詳細には、第2トランジスタM2では、ドレイン電極が第2出力端子T4に接続されており、ソース電極が接地端子T5に接続されている。電圧駆動型素子2がターンオフするとき、第2トランジスタM2がターンオンすることによって、第2トランジスタM2を介して電圧駆動型素子2の第2ゲート抵抗R2に接地電圧が供給される。
 制御ブロック6は、図示しない電子制御ユニット(ECU)から供給される制御信号に基づいて、第1制御部4に第1駆動信号S1を出力するとともに、第2制御部5に第2駆動信号S2を出力する。第1制御部4は、第1駆動信号S1に基づいて第1トランジスタM1のオン・オフを制御する。第2制御部5は、第2駆動信号S2に基づいて第2トランジスタM2のオン・オフを制御する。
 図3及び図4に示されるように、駆動装置1では、必要に応じて駆動IC3に対して電流増幅回路7を接続することが可能に構成されている。図3は駆動IC3に対して電流増幅回路7が接続されていない場合を例示しており、図4は駆動IC3に対して電流増幅回路7が接続されている場合を例示している。例えば、電流容量の小さな電圧駆動型素子2を駆動したい場合は、駆動IC3に対して電流増幅回路7を接続せずに、電流容量の大きな電圧駆動型素子2を駆動したい場合は、駆動IC3に対して電流増幅回路7を接続する。このように、電流増幅回路7を任意に取り付け可能に構成することで、様々な電流容量の電圧駆動型素子2に対して共通化された駆動IC3を用いることができる。
 図3及び図4に示されるように、駆動IC3の第1制御部4は、オペアンプOP1と参照電源EREFとスイッチSW1と抵抗R3と分圧回路R4a,R4bを有している。なお、第2制御部5の詳細な説明は省略するが、第1制御部4と同様な構成を用いてもよい。
 オペアンプOP1は、非反転入力端子が参照電源EREFに接続されており、反転入力端子が分圧回路R4a,R4bを介してフィードバック端子T3に接続されており、出力端子が第1トランジスタM1の制御電極に接続されている。スイッチSW1は、一端が電源端子T1に接続されており、他端が第1トランジスタM1の制御電極に接続されている。抵抗R3は、固定抵抗素子であり、一端が第1出力端子T2に接続されており、他端がオペアンプOP1の反転入力端子とフィードバック端子T3の間の配線に接続されている。なお、図5に示されるように、抵抗R3に代えて、一対のダイオードD1,D2を用いてもよい。分圧回路R4a,R4bは、分圧調整用第1抵抗R4aと分圧調整用第2抵抗R4bを有している。分圧調整用第1抵抗R4aと分圧調整用第2抵抗R4はいずれも、固定抵抗素子であり、その接続点がオペアンプOP1の反転入力端子に接続されている。分圧調整用第1抵抗R4aと分圧調整用第2抵抗R4bの分圧比を調整することにより、第1出力端子T2及びフィードバック端子T3の目標電圧が設定される。
 図3に示されるように、外付けの電流増幅回路7が接続されていない場合、第1出力端子T2とフィードバック端子T3はいずれも、第1ゲート抵抗R1に直接的に接続されている。一方、図4に示されるように、外付けの電流増幅回路7が接続されている場合、第1出力端子T2が電流増幅回路7を介して第1ゲート抵抗R1に間接的に接続されており、フィードバック端子T3が第1ゲート抵抗R1に直接的に接続されている。
 図4に示されるように、電流増幅回路7は、バイポーラトランジスタQ1と抵抗R5a,R5bを有している。バイポーラトランジスタQ1は、npn型であり、エミッタ端子が第1ゲート抵抗R1に接続されており、コレクタ端子が駆動電源Vccに接続されており、ベース端子が第1出力端子T2に接続されている。抵抗R5a,R5bは、固定抵抗素子であり、バイポーラトランジスタQ1のベース・エミッタ間に接続されている。電流増幅回路7は、エミッタフォロア回路を構成している。なお、電流増幅回路7では、バイポーラトランジスタQ1に代えて絶縁ゲートを有するトランジスタを用いてもよい。
 次に、図3及び図4を参照して、駆動装置1の動作を説明する。まず、フィードバック端子T3がオープンになっていない正常状態に関して説明する。
 第1制御部4では、制御ブロック6から出力される第1駆動信号S1に基づいてスイッチSW1が開くと、第1トランジスタM1がオンとなる。このとき、第2制御部5では、制御ブロック6から出力される第2駆動信号S2に基づいて第2トランジスタM2はオフとなっている。第1トランジスタM1がオンすると、駆動電源Vccから第1トランジスタM1を介して第1ゲート抵抗R1に正の電圧が供給される。オペアンプOP1の反転入力端子には、分圧回路R4a,R4bで分圧されたフィードバック端子T3の電圧(すなわち、分圧回路R4a,R4bで分圧された第1ゲート抵抗R1に供給される駆動電圧)が入力しており、非反転入力端子には参照電源EREFの参照電圧が入力している。このため、第1制御部4は、分圧回路R4a,R4bで分圧されたフィードバック端子T3の電圧を参照電圧と比較し、その比較結果に基づいて第1トランジスタM1に入力するゲート電圧を制御する。この結果、フィードバック端子T3の電圧は、参照電源EREFの参照電圧に対して分圧比に応じた一定値に制御される。このように、フィードバック端子がオープンになっていない正常状態では、第1ゲート抵抗R1に供給される駆動電圧が高精度に制御されているので、第1ゲート抵抗R1で決定されるゲート電流の充電速度も高精度に制御される。
 トランス型の駆動電源Vccの電源精度は低いことから、駆動電源Vccの出力電圧が数Vの範囲で変動することが知られている。このため、本実施例の技術が用いられていない場合、駆動電源Vccの出力電圧が低く変動すると、ゲート電流の充電速度が設定値よりも遅速化し、電圧駆動型素子2をターンオンさせるのに要する時間が長くなり、スイッチング損失が増加してしまう。一方、駆動電源Vccの出力電圧が高く変動すると、ゲート電流の充電速度が設定値よりも高速化し、電圧駆動型素子2をターンオンさせるときの電流変化率が大きくなり、サージ電圧が発生してしまう。
 本実施例の駆動装置1では、フィードバック端子T3の電圧を高精度な参照電源EREFを利用してフィードバック制御することにより、駆動電源Vccの出力電圧の変動の影響を受けることなく、第1ゲート抵抗R1に供給される駆動電圧を極めて高精度に制御することができる。
 次に、フィードバック端子T3がオープンになった異常状態に関して説明する。異常状態になると、フィードバック端子T3からオペアンプOP1へのフィードバックの経路が遮断される。このとき、駆動装置1では、抵抗R3を介して電流が流れ込むことで、第1出力端子T2からオペアンプOP1へのフィードバック経路が確保される。すなわち、異常状態では、第1出力端子T2の電圧がフィードバック制御される。この場合、抵抗R3によって第1出力端子T2の電圧は僅かにクランプされるが、フィードバック制御は維持されているので、駆動電圧の変動が抑えられるとともに、第1ゲート抵抗R1に供給される駆動電圧が駆動電源Vccのレベルにまで増加するという事態も回避される。
 第1出力端子T2のクランプ値は、抵抗R3に流れ込む電流と抵抗R3の抵抗値の積となる。このクランプ値は、電流増幅回路7の動作を妨げないように、バイポーラトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧よりも高くなるように調整される。具体的には、抵抗R3の抵抗値を高く設定すれば(図5の例では、順方向に接続するダイオードD1,D2の個数を調整すれば)、電流増幅回路7の動作が妨げられることがない。
 駆動装置1はまた、スイッチSW1が電源端子T1と第1トランジスタM1の制御電極の間に接続されていることを他の1つの特徴としている。例えば、スイッチSW1がフィードバックの経路上に設けられていると、スイッチSW1の特性ばらつき(例えば、オン抵抗のばらつき)によってフィードバックの精度が悪化する。一方、駆動装置1では、スイッチSW1がフィードバックの経路上に設けられていないので、高精度に制御された駆動電圧を第1ゲート抵抗R1に供給することができる。したがって、駆動装置1は、第1ゲート抵抗R1で決定されるゲート電流の充電速度を高精度に制御することができ、電圧駆動型素子2を高精度に駆動することができるので、サージ電圧の発生やスイッチング損失の増加を抑制することができる。
(第2実施例)
 図6に、第2実施例の駆動装置1の構成を示す。この駆動装置1の駆動IC3は、一対のダイオードD1,D2を流れる電流を検出する電流検出部8を有することを特徴としている。なお、一対のダイオードD1,D2は、どちらか一方のみが設けられていてもよい。電流検出部8はカレントミラー回路として構成されており、一対のpnpトランジスタと抵抗R6を有している。電流検出部8は、フィードバック端子T3がオープンになったときに、pnpトランジスタQ2とダイオードD1,D1を流れる電流をpnpトランジスタQ3にミラーし、そのミラー電流に応じた電圧信号を制御ブロック6に供給する。制御ブロック6は、ミラー電流に応じた電圧信号が閾値を超えたときに、フィードバック端子T3がオープンになったと判定する。
 フィードバック端子T3がオープンになったときに、第1出力端子T2におけるクランプ電圧は、例えば0.1~2V程度である。このように、クランプ電圧は極めて小さいことから、クランプ電圧を利用してフィードバック端子T3がオープンになったことを判定するのは難しい。一方、電流検出部8を利用すれば、フィードバック端子T3がオープンになったことを正確に判定することができる。フィードバック端子T3がオープンになったこと判定できれば、異常状態に応じた駆動設定を適宜に調整することができる。例えば、異常状態では、正常状態に比べて駆動電圧がクランプ電圧(ダイオードD1,D2の順方向電圧とトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧の合計)に依存して高くなる。このため、異常状態にも関わらず正常状態と同様の駆動条件を継続すると、製品寿命を低下させる懸念がある。このように、異常状態と正常状態で駆動設定を変更する必要性があり、本実施例の駆動装置1では、異常状態を判定することができるので、駆動設定を適宜に調整することで、例えば、製品寿命の低下を抑制することができる。
 図7に、第2実施例の駆動装置1の変形例の一例を示す。この駆動装置1は、電流検出部8に対して並列にツェナーダイオードZD1が設けられていることを特徴としている。ツェナーダイオードZD1は、アノードがフィードバック端子T3に接続されており、カソードが第1出力端子T2に接続されている。また、この駆動装置1は、ダイオードD1に対して抵抗R3が直列に接続されていることを特徴としている。なお、抵抗R3は、電流制限抵抗としても機能しており、電流検出部8に過大な電流が流れることを抑制する。
 ツェナーダイオードZD1は、所定電圧以上で導通する。ここで、所定電圧は、電流検出部8の動作電圧よりも高い。このようなツェナーダイオードZD1は、通常は電流検出部8の動作を妨げることない。一方で、電流検出部8に過大な電圧(例えば、静電気放電(ESD))が印加された場合には、優先的に導通することで、電流検出部8に過大な電流が流れることを抑制する。
 図8に示すように、ツェナーダイオードZD1に代えて複数のダイオードD3~D5を保護素子として用いてもよい。ダイオードD3とダイオードD4は直列に接続されており、ダイオードD3のアノードが第1出力端子T2に接続されており、ダイオードD4のカソードがフィードバック端子T3に接続されている。ダイオードD5は、アノードがフィードバック端子T3に接続されており、カソードが第1出力端子T2に接続されている。ダイオードD3~D5も、前記ツェナーダイオードZD1と同様の効果が得られる。
 以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
 本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

Claims (7)

  1.  電圧駆動型素子を駆動する駆動装置であって、
     前記電圧駆動型素子のゲート抵抗に接続可能に構成される第1接続端子と、
     前記電圧駆動型素子の前記ゲート抵抗に接続可能に構成されるフィードバック端子と、
     駆動電源に接続可能に構成される第2接続端子と、
     第1入出力電極が前記第1接続端子に接続されており、第2入出力電極が前記第2接続端子に接続されているスイッチング素子と、
     前記スイッチング素子の制御電極と前記フィードバック端子に接続されている制御部と、を備えており、
     前記制御部は、
    (1)前記フィードバック端子と前記電圧駆動型素子の前記ゲート抵抗の間の電気的な接続が確保されている場合には、前記フィードバック端子の電圧を利用して前記電圧駆動型素子の前記ゲート抵抗に供給される電圧を制御可能に構成されており、
    (2)前記フィードバック端子と前記電圧駆動型素子の前記ゲート抵抗の間の電気的な接続が確保されていない場合には、前記第1接続端子の電圧を利用して前記電圧駆動型素子の前記ゲート抵抗に供給される電圧を制御可能に構成されている、駆動装置。
  2.  前記制御部は、誤差増幅器と参照電源と抵抗部を有しており、
     前記誤差増幅器は、一方の入力端子が前記参照電源に接続されており、他方の入力端子が前記フィードバック端子に接続されており、出力端子が前記スイッチング素子の制御電極に接続されており、
     前記抵抗部は、一端が前記第1接続端子に接続されており、他端が前記誤差増幅器の前記他方の入力端子と前記フィードバック端子の間の配線に接続されている請求項1に記載の駆動装置。
  3.  前記制御部は、スイッチをさらに有しており、
     前記スイッチは、一端が前記第2接続端子に接続されており、他端が前記スイッチング素子の制御電極に接続されている請求項2に記載の駆動装置。
  4.  前記スイッチは、前記電圧駆動型素子のターンオンに同期して開く請求項3に記載の駆動装置。
  5.  前記制御部は、前記抵抗部を流れる電流を検出する電流検出部をさらに有する請求項2~4のいずれか一項に記載の駆動装置。
  6.  前記制御部は、前記電流検出部に対して並列に接続されているとともに所定電圧以上で導通する保護素子をさらに有しており、
     前記所定電圧が、前記電流検出部の動作電圧よりも高い請求項5に記載の駆動装置。
  7.  前記第1接続端子から出力される出力電流を増幅して前記ゲート抵抗に供給する電流増幅回路をさらに備える請求項1~6のいずれか一項に記載の駆動装置。
     
     
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