CN102893525B - 对电压驱动型元件进行驱动的驱动装置 - Google Patents
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Abstract
一种对电压驱动型元件进行驱动的驱动装置,所述驱动装置的控制部被构成为,在确保了反馈端子和电压驱动型元件的栅电阻之间的电连接的情况下,能够利用反馈端子的电压而对被供给至电压驱动型元件的栅电阻的电压进行控制。驱动装置的控制部还被构成为,在未确保反馈端子和电压驱动型元件的栅电阻之间的电连接的情况下,能够利用输出端子的电压而对被供给至电压驱动型元件的栅电阻的电压进行控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种对电压驱动型元件进行驱动的驱动装置。
背景技术
电压驱动型元件为能够利用驱动电压来发挥特定功能的元件,其被广泛地应用于各种用途。在电压驱动型元件的一个示例中,已知一种具备绝缘栅的电压驱动型开关元件。电压驱动型开关元件为,根据被供给至绝缘栅的栅极电压(驱动电压的一个示例)而对电流值进行控制的元件,被应用于例如将直流电压转换成交流电压的逆变器装置中。在电压驱动型开关元件的一个示例中,可以列举出包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)的功率半导体开关元件。
为了对这种电压驱动型元件进行驱动,在电压驱动型元件上连接有驱动装置。驱动装置被构成为,对供给至电压驱动型元件的驱动电压进行控制。例如,驱动装置能够根据用于指示电压驱动型元件的导通、断开的控制信号而对驱动电压进行控制。驱动装置还能够根据表示电压驱动型元件的驱动状态的信号、或者表示外部环境的状态的信号,而对驱动电压进行控制。
在这种驱动装置中,期待开发出一种能够生成高精度的驱动电压的技术。当通过驱动装置所生成的驱动电压的精度较低时,则必须在考虑该驱动电压的精度的条件下对电压驱动型元件的驱动条件进行设定。因此,在驱动电压的精度较低时,无法以最佳的条件对电压驱动型元件进行驱动。其结果为,将会发生例如电压驱动型元件的浪涌电压的增大、或者电压驱动型元件的电力损失的恶化等问题。
在日本特开2006-324963号公报中,公开了能够生成高精度的驱动电压的驱动装置的一个示例。该公报中所公开的技术的特征在于,对被供给至电压驱动型元件的栅电阻的驱动电压进行反馈控制,从而生成高精度的驱动电压。具体而言,是将驱动电压与高精度的参考电压进行比较,并根据该比较结果来控制驱动电压。由于该驱动装置能够生成高精度的驱动电压,从而能够在多种用途中提供有用的结果。
发明内容
发明所要解决的课题
如果将驱动装置的输出端子直接连接于电压驱动型元件的栅电阻上,则能够通过对输出端子的电压进行反馈控制,从而对被供给至栅电阻的驱动电压进行高精度的控制。然而,有时会根据需要而想要在驱动装置的输出端子和电压驱动型元件的栅电阻之间设置某种电路。例如,有时会想要在驱动装置的输出端子和电压驱动型元件的栅电阻之间设置电流放大电路,从而对高电容的电压驱动型元件进行驱动。
在这种情况下,驱动装置的输出端子和电压驱动型元件的栅电阻经由电流放大电路而被间接地连接。因此,为了对被供给至电压驱动型元件的栅电阻的驱动电压进行高精度的反馈控制,从而需要在输出端子之外另行设置被直接连接于电压驱动型元件的栅电阻上的反馈端子。如此,在分别设置有输出端子和反馈端子的情况下,当反馈端子成为断开时,将无法进行反馈控制,从而会产生驱动电压上升至电源电压的问题。另外,想要分别设置输出端子和反馈端子的理由有很多种,上述电流放大电路仅为其中的一个示例。例如,有时也会想要仅在反馈路径上设置电路元件,在这种情况下,也优选为分别设置输出端子和反馈端子。在其一个示例中可以列举出,仅在反馈路径上设置外部电阻以进行反馈的调整的电路、仅在反馈路径上设置外部电阻以及电容器的并联电路以进行相位补偿的电路。
本说明书中所公开的技术的目的在于,提供一种即使在于输出端子之外另行设置的反馈端子成为断开的情况下,也能够维持反馈控制的技术。
用于解决课题的方法
本说明书所公开的驱动装置的特征在于,即使在反馈端子成为断开的情况下,也能够确保维持反馈控制的路径。在本说明书所公开的驱动装置中,能够在确保了反馈端子和电压驱动型元件的栅电阻之间的电连接的情况(正常状态)下,对反馈端子的电压进行反馈控制,从而对被供给至电压驱动型元件的栅电阻的驱动电压进行控制。另一方面,能够在未确保反馈端子和电压驱动型元件的栅电阻之间的电连接的情况(异常状态)下,对输出端子的电压进行反馈控制,从而对被供给至电压驱动型元件的栅电阻的驱动电压进行控制。通过这种方式,使本说明书中所公开的驱动装置被构成为,在正常状态和异常状态下均能够实施反馈控制,从而能够避免被供给至电压驱动型元件的驱动电压上升至电源电压的情况。
附图说明
图1表示逆变器装置的结构。
图2表示第一实施例的驱动装置的概要。
图3表示第一实施例的驱动装置的结构(未连接电流放大电路时)。
图4表示第一实施例的驱动装置的结构(连接有电流放大电路时)。
图5表示第一实施例的驱动装置的改变例的结构。
图6表示第二实施例的驱动装置的结构。
图7表示第二实施例的驱动装置的一个改变例的结构。
图8表示第二实施例的驱动装置的一个改变例的结构。
具体实施方式
本说明书中所公开的驱动装置被用于对电压驱动型元件进行驱动。此处,电压驱动型元件为,能够利用驱动电压而发挥特定功能的元件。电压驱动型元件可以是具有绝缘栅的电压驱动型开关元件,尤其可以是功率半导体开关元件。功率半导体开关元件包括IGBT、MOSFET、闸流晶体管。驱动装置可以具备:第一连接端子、反馈端子、第二连接端子、开关元件以及控制部。第一连接端子以能够连接于电压驱动型元件的栅电阻的方式而构成。此处,第一连接端子既可以直接连接于电压驱动型元件的栅电阻,也可以经由其他电路而间接连接于电压驱动型元件的栅电阻。反馈端子也以能够连接于电压驱动型元件的栅电阻的方式而构成。反馈端子优选直接连接于电压驱动型元件的栅电阻。第二连接端子以能够连接于驱动电源的方式而构成。第二连接端子既可以直接连接于驱动电源,也可以经由其他电路而间接连接于驱动电源。开关元件的第一输入输出电极被连接于第一连接端子,第二输入输出电极被连接于第二连接端子。在开关元件的一个示例中,包括具有绝缘栅的电压驱动型开关元件。在开关元件中,优选使用开关速度较快的元件。因此,在开关元件中,优选使用MOSFET。控制部被连接于开关元件的控制电极,并对输入至开关元件的控制电极的电压进行控制。控制部可以具有误差放大器、参考电源和电阻部。误差放大器的一个输入端子被连接于参考电源,另一个输入端子被连接于反馈端子,输出端子被连接于开关元件的控制电极。误差放大器优选被构成为,对两个输入端子之间的误差进行放大并输出。作为一个示例,在误差放大器中包括运算放大器。此外,作为另一个示例,在误差放大器中,包括由A/D转换器、数字信号处理电路、以及D/A转换器所构成的电路。电阻部的一端被连接于第一连接端子,另一端被连接于误差放大器的另一个输入端子与反馈端子之间的配线上。电阻部能够使用具有电阻成分的各种元件,且既可以为固定电阻,也可以为可变电阻。例如,在电阻部中,既可以使用固定电阻元件,也可以使用正向连接的二极管。在上述驱动装置中,由于即使在反馈端子成为断开的情况下也可通过电阻部而对第一连接端子的电压进行反馈控制,因此成为了能够避免出现无法进行反馈控制的情况的结构。
在本说明书所公开的驱动装置中,优选为,控制部还具有开关。开关的一端被连接于第二连接端子,另一端被连接于开关元件的控制电极。在该驱动装置中,由于当开关闭合时,开关元件的第二输入输出电极和控制电极为短路,因此开关元件为断开。因此,当开关闭合时,将停止向电压驱动型元件供给驱动电压。另一方面,当开关断开时,开关元件成为导通,从而将实施向电压驱动型元件的驱动电压的供给。该驱动装置的特征在于,用于对控制部的导通、断开进行切换的开关被配置在,第二连接端子与开关元件的控制端子之间,而未设置在反馈路径上。通常,由于开关的电阻成分具有误差,所以在将这种开关设置在反馈路径上时,有可能会使每个驱动装置的反馈特性也出现误差。在本说明书所公开的驱动装置中,由于用于对控制部的导通、断开进行切换的开关未被设置在反馈路径上,因此能够高精度地对被供给至电压驱动型元件的驱动电压进行反馈控制。
在本说明书所公开的驱动装置中,也可以构成为,开关以与电压驱动型元件的接通同步的方式而断开。在这里所说的“同步”,在典型意义上包括,在电压驱动型元件或驱动装置所要求的控制精度的范围内时间完全一致的情况。并且,根据共用的信号而进行动作的情况,也包括在这里所说的“同步”中。例如,用于指示开关的开闭的信号和用于指示电压驱动型元件的接通的信号共用的情况,也包括在这里所说的“同步”中,只要是在信号共用的情况下,即使开关开闭的正时与电压驱动型元件接通的正时不一致,也包括在这里所称的“同步”中。电压驱动型元件的浪涌电压以及开关损失,对电压驱动型元件的开关速度具有较强影响。因此,为了改善电压驱动型元件的浪涌电压以及开关损失,在电压驱动型元件接通的正时,供给高精度的驱动电压是非常重要的。通过使开关以与电压驱动型元件的接通同步的方式而断开,从而使驱动装置能够以与电压驱动型元件的接通同步的方式而供给高精度的驱动电压。其结果为,能够改善电压驱动型元件的浪涌电压以及开关损失。
在本说明书所公开的驱动装置中,也可以构成为,控制部还具有电流检测部,所述电流检测部对流通于电阻部中的电流进行检测。在该驱动装置中,能够利用流通于电流检测部中的电流值,而对反馈端子变为断开的情况进行判断。
在本说明书所公开的驱动装置中,也可以构成为,控制部还具有保护元件。保护元件被构成为,以并联的方式而连接于电流检测部,且在预定电压以上时导通。此处,预定电压高于电流检测部的动作电压。这种保护元件通常不会妨碍电流检测部的动作。另一方面,在电流检测部上被施加了过大的电压(例如,静电放电(ESD))时,通过优先进行导通,从而能够保护电流检测部不会因过大的电压而损坏。
在电压驱动型元件要应对较大功率的情况下,例如,在其为搭载于车辆用的逆变器装置上的电压驱动型元件的情况下,电压驱动型元件的容许电流将较大。为了在较短的时间内对容许电流较大的电压驱动型元件进行驱动,从而需要使驱动装置的开关元件的容许电流也增加。如果开关元件的容许电流增加,则也必须使误差放大器的压摆率增加。但是,如果使误差放大器的压摆率增加,则误差放大器的恒定损失将会增加。在用于解决上述问题的一种实施方式的驱动装置中,也可以构成为,还具有电流放大电路,所述电流放大电路对从第一连接端子输出的输出电流进行放大并向栅电阻供给。通过设置电流放大电路,从而即使在不增加开关元件的容许电流的情况下,也能够在较短的时间内对容许电流较大的电压驱动型元件进行驱动。其结果为,由于不需要增加控制部的误差放大器的压摆率,因而能够避免误差放大器的恒定损失的增加。
(实施例)
下面,参照附图对各个实施例进行说明。另外,对于各个实施例中共同的结构要素标注相同的符号,并省略其说明。
(第一实施例)
在图1中,图示了被搭载在车辆上的逆变器装置10的概要。逆变器装置10具备:直流电源11、平滑电容器12、逆变器部13。逆变器部13具备:六个电压驱动型元件2a至2f;六个驱动装置1a至1f,其对各个电压驱动型元件2a至2f进行驱动。在电压驱动型元件2a至2f中应用了IGBT。六个电压驱动型元件2a至2f构成了三相桥式连接。在各个电压驱动型元件2a至2f上,分别以反并联的方式而连接有回流用的二极管。逆变器部13通过对从直流电源10经由平滑电容器12而被供给的直流电压进行转换,从而将该直流电压转换为交流电压并供给至交流电动机14。由于六个驱动装置1a至1f均具有等效的电路结构,因而在以下说明中,以不特别区分的方式对六个驱动装置1a至1f进行说明。
在图2中,图示了对电压驱动型元件2进行驱动的驱动装置1的概要。驱动装置1具备一对栅电阻R1、R2和驱动IC3。
如图2所示,第一栅电阻R1为固定电阻元件,其决定了电压驱动型元件2的栅电流的充电速度。第二栅电阻R2为固定电阻元件,其决定了电压驱动型元件2的栅电流的放电速度。
驱动IC3被连接于变压器型的驱动电源Vcc和接地电源GND之间,并以对一对栅电阻R1、R2供给驱动电压的方式而构成。驱动IC3具备:一对晶体管M1、M2;第一控制部4,其对第一晶体管M1进行控制;第二控制部5,其对第二晶体管M2进行控制;控制组块6,其对第一控制部4和第二控制部5进行控制;多个端子T1至T5。T1为电源端子(第二连接端子的一个示例),其以能够连接于驱动电源Vcc的方式而构成。T2为第一输出端子(第一连接端子的一个示例),其以能够连接于第一栅电阻R1的方式而构成。T3为反馈端子,其以能够连接于第一栅电阻R1的方式而构成。T4为第二输出端子,其以能够连接于第二栅电阻R2的方式而构成。T5为接地端子,其以能够连接于接地电源GND的方式而构成。
第一晶体管M1为p型的MOSFET,且被连接于第一输出端子T2和电源端子T1之间。更加详细而言,在第一晶体管M1中,漏电极(第一输入输出电极的一个示例)被连接于第一输出端子T2,源电极(第二输入输出电极的一个示例)被连接于电源端子T1。通过在电压驱动型元件2接通时使第一晶体管M1为接通,从而经由第一晶体管M1而从驱动电源Vcc向电压驱动型元件2的第一栅电阻R1供给正驱动电压。
第二晶体管M2为n型的MOSFET,且被连接于第二输出端子T4和接地端子T5之间。更加详细而言,在第二晶体管M2中,漏电极被连接于第二输出端子T4,源电极被连接于接地端子T5。通过在电压驱动型元件2接通时使晶体管M2为接通,从而经由第二晶体管M2而向电压驱动型元件2的第二栅电阻R2供给接地电压。
控制组块6根据从未图示的电子控制单元(ECU)所提供的控制信号,而向第一控制部4输出第一驱动信号S1,并向第二控制部5输出第二驱动信号S2。第一控制部4根据第一驱动信号S1而对第一晶体管M1的导通、断开进行控制。第二控制部5根据第二驱动信号S2而对第二晶体管M2的导通、断开进行控制。
如图3以及图4所示,驱动装置1被构成为,能够根据需要而在驱动IC3上连接电流放大电路7。图3例示了在驱动IC3上未连接电流放大电路7时的情况,图4例示了在驱动IC3上连接有电流放大电路7时的情况。例如,在想要对容许电流较小的电压驱动型元件2进行驱动时,不在驱动IC3上连接电流放大电路7,而在想要对容许电流较大的电压驱动型元件2进行驱动时,在驱动IC3上连接电流放大电路7。如此,通过以能够任意安装的方式而构成电流放大电路7,从而能够将被共用化了的驱动IC3应用于各种容许电流的电压驱动型元件2。
如图3以及图4所示,驱动IC3的第一控制部4具有运算放大器OP1、参考电源EREF、开关SW1、电阻R3、分压电路R4a、R4b。另外,虽然省略了第二控制部5的详细说明,但其可以采用与第一控制部4相同的结构。
运算放大器OP1的非反转输入端子被连接于参考电源EREF,反转输入端子经由分压电路R4a、R4b而被连接于反馈端子T3,输出端子被连接于第一晶体管M1的控制电极。开关SW1的一端被连接于电源端子T1,另一端被连接于第一晶体管M1的控制电极。电阻R3为固定电阻元件,其一端被连接于第一输出端子T2,另一端被连接于运算放大器OP1的反转输入端子和反馈端子T3之间的配线上。另外,如图5所示,也可以使用一对二极管D1、D2来代替电阻R3。分压电路R4a、R4b具有分压调节用第一电阻R4a和分压调节用第二电阻R4b。分压调节用第一电阻R4a和分压调节用第二电阻R4b均为固定电阻元件,其连接点被连接于运算放大器OP1的反转输入端子。通过对分压调节用第一电阻R4a和分压调节用第二电阻R4b的分压比进行调节,从而设定第一输出端子T2以及反馈端子T3的目标电压。
如图3所示,在未连接外接的电流放大电路7的情况下,第一输出端子T2和反馈端子T3均被直接连接于第一栅电阻R1。另一方面,如图4所示,在连接有外接的电流放大电路7的情况下,第一输出端子T2经由电流放大电路7而被间接连接于第一栅电阻R1,反馈端子T3被直接连接于第一栅电阻R1。
如图4所示,电流放大电路7具有双极型晶体管Q1和电阻R5a、R5b。双极型晶体管Q1为npn型,其发射极端子被连接于第一栅电阻R1,集电极端子被连接于驱动电源Vcc,基极端子被连接于第一输出端子T2。电阻R5a、R5b为固定电阻元件,且被连接于双极型晶体管Q1的基极、发射极之间。电流放大电路7构成了发射极跟随电路。另外,在电流放大电路7中,也可以使用具有绝缘栅的晶体管来代替双极型晶体管Q1。
下面,参照图3以及图4,对驱动装置1的动作进行说明。首先,对反馈端子T3未置于断开时的正常状态进行说明。
在第一控制部4中,当根据由控制组块6输出的第一驱动信号S1而使开关SW1断开时,第一晶体管M1置于导通。此时,在第二控制部5中,根据由控制组块6输出的第二驱动信号S2而使第二晶体管M2置于断开。当第一晶体管M1导通时,将从驱动电源Vcc起经由第一晶体管M1而向第一栅电阻R1供给正电压。在运算放大器OP1的反转输入端子上,输入被分压电路R4a、R4b分压后的反馈端子T3的电压(即,被分压电路R4a、R4b分压后的、被供给至第一栅电阻R1的驱动电压),在非反转输入端子上,输入参考电源EREF的参考电压。因此,第一控制部4对被分压电路R4a、R4b分压后的、反馈端子T3的电压和参考电压进行比较,并根据该比较结果而对向第一晶体管M1输入的栅电压进行控制。其结果为,反馈端子T3的电压被控制为,相对于参考电源EREF的参考电压而与分压比相对应的固定值。通过这种方式,由于在反馈端子未置于断开的正常状态下,被供给至第一栅电阻R1的驱动电压被高精度地控制,因此由第一栅电阻R1所决定的栅电流的充电速度也被高精度地控制。
已知由于变压器型的驱动电源Vcc的电源精度较低,因而驱动电源Vcc的输出电压会在几V的范围内进行变动。因此,在未使用本实施例的技术的情况下,当驱动电源Vcc的输出电压变动得较低时,栅电流的充电速度与设定值相比将会慢速化,从而使电压驱动型元件2导通所需要的时间将变长,进而会使开关损失增加。另一方面,当驱动电源Vcc的输出电压变动得较高时,栅电流的充电速度与设定值相比将会高速化,从而使电压驱动型元件2导通时所需要的电流变化率将增大,进而会导致产生浪涌电压。
在本实施例的驱动装置1中,通过利用高精度的参考电源EREF来对反馈端子T3的电压进行反馈控制,从而能够在不受驱动电源Vcc的输出电压的变化的影响的条件下,以极高精度对被供给至第一栅电阻R1的驱动电压进行控制。
接下来,对反馈端子T3置于断开的异常状态进行说明。在成为异常状态时,从反馈端子向运算放大器OP1的反馈路径将被切断。此时,在驱动装置1中,通过电流经由电阻R3而流入,从而确保了从第一输出端子T2向运算放大器OP1的反馈路径。即,在异常状态下,第一输出端子T2的电压被反馈控制。此时,虽然通过电阻R3而使第一输出端子T2的电压稍微被钳位,但是由于维持了反馈控制,因此抑制了驱动电压的变动,同时也避免了被供给至第一栅电阻R1的驱动电压增加到驱动电源Vcc的程度的情况。
第一输出端子T2的钳位值为,流入电阻R3的电流和电阻R3的电阻值的乘积。为了不妨碍电流放大电路7的动作,该钳位值被调节为,高于双极型晶体管Q1的基极/发射极间的电压。具体而言,只需将电阻R3的电阻值设定得较高(在图5的例中,只要对正向连接的二极管D1、D2的个数进行调节),就不会妨碍电流放大电路7的动作。
驱动装置1的另一个特征在于,开关SW1被连接于电源端子T1和第一晶体管M1的控制电极之间。例如,如果开关SW1被设置在反馈路径上,则由于开关SW1的特性误差(例如,导通电阻的误差)会导致反馈的精度恶化。另一方面,由于在驱动装置1中,开关SW1未被设置在反馈路径上,因而能够向第一栅电阻R1供给被高精度地控制的驱动电压。因此,由于驱动装置1能够高精度地对由第一栅电阻R1所决定的栅电流的充电速度进行控制,并能够高精度地对电压驱动型元件2进行驱动,因而能够抑制浪涌电压的产生以及开关损失的增加。
(第二实施例)
在图6中,图示了第二实施例的驱动装置1的结构。该驱动装置1的驱动IC3的特征在于,具有电流检测部8,该电流检测部8对流通于一对二极管D1、D2中的电流进行检测。另外,也可以仅设置一对二极管D1、D2中的某一方。电流检测部8作为电流镜电路而构成,并具有一对pnp晶体管和电阻R6。电流检测部8在反馈端子3成为断开时,将流通于pnp晶体管Q2和二极管D1、D1的电流反射到pnp晶体管Q3,并将与该反射电流相对应的电压信号供给至控制组块6。在与反射电流相对应的电压信号超过阈值时,控制组块6判断为,反馈端子T3成为了断开。
当反馈端子T3成为了断开时,第一输出端子T2的钳位电压例如为0.1V至2V左右。如此,由于钳位电压极小,因此利用钳位电压来对反馈端子T3成为断开的情况进行判断较为困难。另一方面,如果利用电流检测部8,则能够正确地判断出反馈端子T3成为断开的情况。如果能够判断出反馈端子T3成为了断开的情况,则能够对与异常状态相对应的驱动设定进行恰当的调节。例如,在异常状态下,与正常状态相比驱动电压将依存于钳位电压(二极管D1、D2的正向电压和晶体管Q2的基极/发射极间电压之和)而变高。因此,如果尽管处于异常状态下但继续采用与正常状态相同的驱动条件,则有可能会使产品寿命降低。如此,在异常状态和正常状态下,有必要改变驱动设定,在本实施例的驱动装置1中,由于能够对异常状态进行判断,因而通过对驱动设定适当地进行调节,从而能够对例如产品寿命的降低进行抑制。
在图7中,图示了第二实施例的驱动装置1的改变例的一个示例。该驱动装置1的特征在于,以与电流检测部8并联的方式而设置有齐纳(Zener)二极管ZD1。齐纳二极管ZD1的阳极被连接于反馈端子T3,阴极被连接于第一输出端子T2。此外,该驱动装置1的特征在于,电阻R3以串联的方式被连接于二极管D1。另外,电阻R3作为电流限制电阻而发挥功能,其对电流检测部8内流通过大的电流的状况进行抑制。
齐纳二极管ZD1在预定电压以上时导通。此处,预定电压高于电流检测部8的动作电压。这种齐纳二极管ZD1通常不会妨碍电流检测部8的动作。另一方面,在电流检测部8上被施加了过大的电压(例如,静电放电(ESD))的情况下,通过优先进行导通,从而对电流检测部8内流通过大的电流的状况进行抑制。
如图8所示,也可以使用多个二极管D3至D5来作为保护元件,以代替齐纳二极管ZD1。二极管D3和二极管D4以串联的方式而连接,二极管D3的阳极被连接于第一输出端子T2,二极管D4的阴极被连接于反馈端子T3。二极管D5的阳极被连接于反馈端子T3,阴极被连接于第一输出端子T2。二极管D3至D5也能够获得与所述齐纳二极管ZD1相同的效果。
以上,对本发明的具体示例进行了详细说明,但这些仅为示例,并不用于限定专利的权利要求范围。在专利的权利要求书所记载的技术中,包括对以上所示的具体示例进行各种变形、变更后的内容。
另外,在本说明书或者附图中所说明的技术要素,是单独或者以各种组合的形式来发挥技术上的有用性的,其并不限定于申请时的各权利要求中所记载的组合。另外,在本说明书或者附图中所例示的技术为,同时达成多个目的的技术,且达成其中一个目的本身也具有技术上的有用性。
Claims (9)
1.一种对电压驱动型元件进行驱动的驱动装置,具备:
第一连接端子,其以能够连接于所述电压驱动型元件的栅电阻的方式而构成;
反馈端子,其以能够连接于所述电压驱动型元件的所述栅电阻的方式而构成;
第二连接端子,其以能够连接于驱动电源的方式而构成;
开关元件,其第一输入输出电极被连接于所述第一连接端子,第二输入输出电极被连接于所述第二连接端子;
控制部,其被连接于所述开关元件的控制电极和所述反馈端子,
所述控制部被构成为,
(1)在确保了所述反馈端子和所述电压驱动型元件的所述栅电阻之间的电连接的情况下,能够利用所述反馈端子的电压而对被供给至所述电压驱动型元件的所述栅电阻的电压进行控制,
(2)在未确保所述反馈端子和所述电压驱动型元件的所述栅电阻之间的电连接的情况下,能够利用所述第一连接端子的电压而对被供给至所述电压驱动型元件的所述栅电阻的电压进行控制。
2.如权利要求1所述的驱动装置,其中,
所述控制部具有误差放大器、参考电源和电阻部,
所述误差放大器的一个输入端子被连接于所述参考电源,另一个输入端子被连接于所述反馈端子,输出端子被连接于所述开关元件的控制电极,
所述电阻部的一端被连接于所述第一连接端子,另一端被连接于所述误差放大器的所述另一个输入端子和所述反馈端子之间的配线上。
3.如权利要求2所述的驱动装置,其中,
所述控制部还具有开关,
所述开关的一端被连接于所述第二连接端子,另一端被连接于所述开关元件的控制电极。
4.如权利要求3所述的驱动装置,其中,
所述开关以与所述电压驱动型元件的接通同步的方式而断开。
5.如权利要求2至4中任意一项所述的驱动装置,其中,
所述控制部还具有电流检测部,所述电流检测部对流通于所述电阻部中的电流进行检测。
6.如权利要求5所述的驱动装置,其中,
所述控制部还具有保护元件,所述保护元件以并联的方式而连接于所述电流检测部,且在预定电压以上时导通,
所述预定电压高于所述电流检测部的动作电压。
7.如权利要求1至4中任意一项所述的驱动装置,其中,
还具有电流放大电路,所述电流放大电路对从所述第一连接端子输出的输出电流进行放大并向所述栅电阻供给。
8.如权利要求5所述的驱动装置,其中,
还具有电流放大电路,所述电流放大电路对从所述第一连接端子输出的输出电流进行放大并向所述栅电阻供给。
9.如权利要求6所述的驱动装置,其中,
还具有电流放大电路,所述电流放大电路对从所述第一连接端子输出的输出电流进行放大并向所述栅电阻供给。
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JP6349897B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2018-07-04 | 株式会社デンソー | 駆動回路のタイミング調整方法及び駆動回路のタイミング調整回路 |
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JP6900662B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2021-07-07 | 株式会社デンソー | スイッチング回路 |
JP6965537B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-11-10 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の駆動装置 |
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US11206016B2 (en) * | 2019-09-27 | 2021-12-21 | Analog Devices International Unlimited Company | Gate driver with pulsed gate slew control |
CN110729880B (zh) * | 2019-11-18 | 2021-06-11 | 阳光电源股份有限公司 | 电力变换装置的驱动电路及其应用装置 |
CN110957920A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-03 | 深圳市皓文电子有限公司 | 用于变换器的驱动单元及其变换器 |
JP2022143030A (ja) * | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 富士電機株式会社 | 駆動回路、半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1879282A (zh) * | 2003-09-10 | 2006-12-13 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 栅极驱动电路 |
CN101453203A (zh) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | 富士电机电子技术株式会社 | 驱动电路 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
KR100433799B1 (ko) * | 1998-12-03 | 2004-06-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 전압구동형 스위칭 소자의 게이트 구동회로 |
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JP4317825B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2009-08-19 | 三菱重工業株式会社 | インバータ装置 |
JP4595670B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2010-12-08 | トヨタ自動車株式会社 | 電圧駆動型スイッチング素子の駆動装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1879282A (zh) * | 2003-09-10 | 2006-12-13 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 栅极驱动电路 |
CN101453203A (zh) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | 富士电机电子技术株式会社 | 驱动电路 |
Non-Patent Citations (2)
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