WO2012144355A1 - 液状封止樹脂組成物、液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims description 14
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 35
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 32
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 5
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-non-5-ene Chemical compound C1CCN=C2CCCN21 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- -1 aralkyl epoxy resins Chemical compound 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPVHVQFTYXQKAP-YFKPBYRVSA-N (4r)-3-formyl-2,2-dimethyl-1,3-thiazolidine-4-carboxylic acid Chemical compound CC1(C)SC[C@@H](C(O)=O)N1C=O LPVHVQFTYXQKAP-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)OCCN JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGIKILRODBEJIL-UHFFFAOYSA-N 1-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNC(C)O XGIKILRODBEJIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULZRKSDAMUWQEZ-UHFFFAOYSA-N 1-anilinoethanol Chemical compound CC(O)NC1=CC=CC=C1 ULZRKSDAMUWQEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFYNHXMPPRNECN-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine;phenol Chemical class OC1=CC=CC=C1.C1CCCCN2CCCN=C21 MFYNHXMPPRNECN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNIOWJUQPMKCIJ-UHFFFAOYSA-N 2-(benzylamino)ethanol Chemical compound OCCNCC1=CC=CC=C1 XNIOWJUQPMKCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 2-(dibutylamino)ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCCC IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RILLZYSZSDGYGV-UHFFFAOYSA-N 2-(propan-2-ylamino)ethanol Chemical compound CC(C)NCCO RILLZYSZSDGYGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOAOAKDONABGPZ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCC(N)(CO)CO IOAOAKDONABGPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVEUFHOBGCSKSH-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC=C1N(CC1OC1)CC1OC1 OVEUFHOBGCSKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C(C)CC(C)C PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSCYDNKUMPKGV-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN=C(C)CC(C)C VZSCYDNKUMPKGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWLUMTFWVZZZND-UHFFFAOYSA-N Dibenzylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CNCC1=CC=CC=C1 BWLUMTFWVZZZND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMMSIHQREDTMNE-UHFFFAOYSA-N N1CCNCC1.NC(CN1CCN(CC1)CC(C)(N)C)(C)C Chemical compound N1CCNCC1.NC(CN1CCN(CC1)CC(C)(N)C)(C)C SMMSIHQREDTMNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N aminomethyl propanol Chemical compound CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003254 anti-foaming effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000012482 calibration solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound NC1CCCCC1N SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- LYBKPDDZTNUNNM-UHFFFAOYSA-N isopropylbenzylamine Chemical compound CC(C)NCC1=CC=CC=C1 LYBKPDDZTNUNNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N n,n',n'-trimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound CNCCCCCCN(C)C ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C1OC1CN(C=1C=CC=CC=1)CC1CO1 JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N n-decyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCNCCCCCCCCCC GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCCCCCC PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007793 ph indicator Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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Definitions
- the present invention relates to a liquid sealing resin composition having both high thermal conductivity and high gap inflow property, a bump connection type semiconductor device using the liquid sealing resin composition, and a method for manufacturing the semiconductor device.
- the present invention claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-095645 filed in Japan on April 22, 2011, the contents of which are incorporated herein by reference.
- bump connection type semiconductor devices capable of high-density mounting in a small area have been widely used in various electronic information processing devices.
- a liquid sealing resin called an underfill material is filled into the bump connection portion and cured.
- the periphery of the connection bump is reinforced.
- a liquid sealing resin for semiconductor devices generally contains a silica filler in order to maintain the thermal dimension stability and strength, but in order to improve thermal conductivity, it is relatively thermal conductive. It is common to contain as much heat-conductive filler as possible instead of low-silica filler, and it is widely known that high heat-conductive fillers such as silicon nitride, aluminum nitride, alumina, and magnesium oxide can be used. ing. Among them, for example, using spherical alumina, spherical alumina containing particles having an average particle diameter of 2 to 30 ⁇ m and containing particles having a particle diameter of 24 ⁇ m or more is 15% or more and 1 ⁇ m or less is 3% or more.
- alumina with an average diameter of less than 1 ⁇ m could not be used because this technique causes problems in fluidity. As a result, it was difficult to increase the filling degree of alumina by using alumina having an average diameter of 1 ⁇ m or less and to achieve high thermal conductivity. Further, as a filler using an average diameter of less than 1 ⁇ m, an ultrafine inorganic filler having an average particle diameter of less than 0.1 ⁇ m is added to a mixture of alumina having an average particle diameter of 1 to 30 ⁇ m and silica having an average particle diameter of 0.1 to 30 ⁇ m. In which the total resin composition contains 44 to 75% by volume has been proposed (Patent Document 3). However, since it is necessary to use silica having a low thermal conductivity as compared with alumina, there is a problem that it is unavoidable that the thermal conductivity is lowered as compared with those containing only alumina.
- An object of the present invention is to provide a liquid encapsulating resin composition having both high thermal conductivity and high gap inflow properties that have been difficult to realize in the past.
- a liquid sealing resin composition comprising (A) a liquid epoxy resin, (B) an amine-based curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the (C) inorganic filler has an average diameter of 0.00.
- Liquid sealing characterized by containing a mixture of spherical alumina (1) having a diameter of 5 ⁇ m or more and less than 1.0 ⁇ m and spherical alumina (2) having an average diameter of 1.0 ⁇ m or more and less than 3.0 ⁇ m and having a pH higher than 7.
- Resin composition [2]
- the liquid sealing resin composition according to [2] which is at least one kind.
- the content of the inorganic filler (C) in the liquid encapsulating resin composition is 80% by mass or more, of which (C) spherical alumina occupying 0.5 to 1.0 ⁇ m in the inorganic filler (
- a semiconductor device comprising a semiconductor element and a substrate on which the semiconductor element can be mounted, wherein the liquid sealing resin composition according to [1] or [2] is between the semiconductor element and the substrate A semiconductor device which is sealed with a cured product.
- the present invention it is possible to provide a liquid encapsulating resin composition having both high thermal conductivity and high gap inflow property. By enabling thinning, a semiconductor device capable of stable high-speed operation with low power consumption can be obtained.
- the liquid sealing resin composition of the present invention is a liquid sealing resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) an amine-based curing agent, and (C) an inorganic filler, and the above (C) inorganic
- the filler contains a mixture of spherical alumina (1) having an average diameter of 0.5 ⁇ m or more and less than 1.0 ⁇ m and spherical alumina (2) having an average diameter of 1.0 ⁇ m or more and less than 3.0 ⁇ m, and the pH is greater than 7.
- a liquid sealing resin composition characterized by the above.
- the liquid sealing resin composition of the present invention is preferably used when the gap between the semiconductor element and the substrate is sealed after bump-connecting the semiconductor element and the substrate.
- the space between the semiconductor element and the substrate is sealed with the cured product of the liquid sealing resin composition.
- the liquid sealing resin composition of the present invention contains an epoxy resin (A).
- the epoxy resin (A) is not particularly limited in molecular weight and structure as long as it has two or more epoxy groups in one molecule.
- a phenol novolac type epoxy resin for example, a cresol novolak type epoxy resin, etc.
- Bisphenol type epoxy resins such as novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, N, N-diglycidylaniline, N, N-diglycidyltoluidine, diaminodiphenylmethane type glycidylamine, aminophenol type glycidyl Aromatic glycidylamine type epoxy resin such as amine, hydroquinone type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, triphenolpropane type epoxy resin Alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resin, dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin having phenylene and / or biphenylene ske
- the epoxy resin (A) is finally liquid at room temperature (25 ° C.) because of the liquid encapsulating resin composition. What is necessary is just to dissolve in a liquid epoxy resin and to be in a liquid state as a result.
- normal temperature refers to 25 ° C.
- liquid refers to that the resin or resin composition has fluidity.
- the liquid resin composition has fluidity at room temperature (25 ° C.).
- the liquid sealing resin composition of the present invention contains an amine-based curing agent (B).
- amine-based curing agent examples include diethylenetriamine, triethylenetetraamine, tetraethylenepentamine, m-xylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2-methylpentamethylenediamine aliphatic polyamine, isophoronediamine, 1,3-bisamino.
- Cycloaliphatic polyamines such as methylcyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, norbornenediamine, 1,2-diaminocyclohexane, N-aminoethylpiperazine, 1,4-bis (2-amino-2-methylpropyl) piperazine
- Piperazine type polyamines such as diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, diethyltoluenediamine, trimethylenebis (4-aminobenzoate), polytetramethyl N'okishido - aromatic polyamines such as di -P- amino benzoate.
- an aromatic polyamine type curing agent is more preferable from the viewpoints of heat resistance, electrical characteristics, mechanical characteristics, adhesion, and moisture resistance.
- a liquid curing agent is preferable in order to ensure the fluidity of the thermosetting liquid sealing resin composition, but as a result, if it is in a liquid state at room temperature, a solid curing agent may be dissolved and used. it can.
- curing agents other than amine curing agents phenols, acid anhydrides, polyamide resins, polysulfide resins and the like may be used in combination.
- the liquid sealing resin composition of the present invention comprises, as the inorganic filler (C), spherical alumina (1) having an average diameter of 0.5 ⁇ m or more and less than 1.0 ⁇ m and spherical alumina having an average diameter of 1.0 ⁇ m or more and less than 3.0 ⁇ m (2 ).
- the average diameter of the spherical alumina (1) is 0.5 ⁇ m or more, the effect of improving the inflow property to the gap of the bump connection portion is enhanced, and when it is less than 1.0 ⁇ m, the effect of improving the thermal conductivity is enhanced.
- the average diameter of the spherical alumina (2) is 1.0 ⁇ m or more, the effect of improving the inflow property to the gap of the bump connection portion is enhanced, and when it is less than 3.0 ⁇ m, the effect of improving the thermal conductivity is enhanced. Become.
- the inorganic filler (C) has both high thermal conductivity and high gap inflow, and can sufficiently maintain the reliability of the semiconductor device, and the content is not limited as long as it can flow into the bump connection portion.
- the content of the spherical alumina (1) having a content of 80% by mass or more and of which the inorganic filler (C) is 0.5 ⁇ m or more and less than 1.0 ⁇ m is preferably 5% by mass or more and less than 50% by mass.
- the content of the inorganic filler (C) is 80% by mass or more, the effect of increasing the thermal conductivity is increased, and when the proportion of alumina (1) is 5% by mass or more, the inflow property to the gaps in the bump connecting portion.
- Inorganic fillers other than spherical alumina can be added as long as the effects of the present invention are high thermal conductivity, low dielectric constant, and high gap inflow, such as spherical silica, silicon nitride and nitride.
- Aluminum, magnesium oxide, or the like can be used in combination as appropriate.
- the pH value of the liquid sealing resin composition of the present invention containing the above components is larger than 7. Thereby, the dispersibility of the spherical alumina in the resin system is further improved, the viscosity is lowered, and the gap inflow property is improved. At the same time, electrostatic interaction between the spherical alumina particles is further weakened, so that generation of various voids that hinder heat conduction such as unfilled voids, entrained voids, and volatile voids is suppressed, and high thermal conductivity can be obtained. More preferably, since the pH value greater than 8 exceeds the isoelectric point of alumina, the effect is further enhanced.
- the pH value refers to a hydrogen ion index or a hydrogen ion concentration index.
- the method for determining the pH value is not particularly limited.
- a general method using a pH test paper such as a litmus test paper, a pH indicator, a pH electrode, a pH sensor, or the like can be used.
- pretreatment can be performed, additives can be added, and operations such as heating and cooling can be added within a range that does not change the pH value of the liquid sealing resin composition.
- 0.01 to 0.1 ml of the liquid sealing resin composition was placed on the sensor part of the pH meter, and 0.02 to 0.2 ml of pure water was added thereon to prepare a specimen. Furthermore, the sensor part was tilted so that the whole was covered with the specimen and allowed to stand until the pH value was stabilized, and the displayed pH value was used as the pH value of the liquid resin composition.
- the liquid sealing resin composition of the present invention preferably contains a basic compound (D).
- the basic compound works to shift the pH value of the entire sealing resin system in the basic direction, thereby displacing the surface potential of the spherical alumina in the negative direction.
- the dispersibility in each sealing resin system can be improved and the viscosity can be lowered, so that the gap inflow property can be improved.
- the electrostatic interaction between the spherical alumina particles can be weakened, generation of various voids that hinder heat conduction such as unfilled voids, entrained voids, and volatile voids can be suppressed, so that high thermal conductivity can be obtained.
- the basic compound (D) is not particularly limited as long as the pH value of the entire encapsulating resin product can be shifted in the basic direction.
- examples of such a compound include hexylamine, heptylamine, Primary amines such as octylamine, secondary amines such as dipropylamine, dibutylamine, isopropylbenzylamine, dihexylamine, dioctylamine, dicyclohexylamine, diphenylamine, dibenzylamine, didecylamine, iminodiethanol, ethylaminoethanol, Isopropylaminoethanol, benzylethanolamine, dibutylaminoethanol, anilinoethanol, 2-amino-2-ethyl-1,3-propanediol, isopropanolamine, aminomethylpropanol, ethanolamine, amino Primary, secondary, tertiary amino alcohols such as propanol, hexan
- 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene (DBU) or a salt thereof, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5-ene (DBN) or a salt thereof is a sealing resin.
- DBU 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene
- DBN 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5-ene
- the effect of shifting the pH value of the system to basic is higher and preferable.
- the compounding amount of the basic compound (D) is not particularly limited as long as the pH value of the entire sealing resin product can be shifted in the basic direction, but is 0.005% by mass to 1.0% by mass. Preferably there is.
- the epoxy resin (A), the curing agent (B), and the inorganic filler (C) have a spherical alumina (1) having an average diameter of 0.5 ⁇ m or more and less than 1.0 ⁇ m and an average diameter.
- a mixture with spherical alumina (2) of 1.0 ⁇ m or more and less than 3.0 ⁇ m basic compound (D), adhesion aid, dispersant, anti-bleeding agent, colorant, antifoaming as necessary
- additives such as an agent, a diluent, a pigment, a flame retardant, and a leveling agent can be used.
- the effect of the present invention can be maintained by appropriately increasing the blending amount of the basic compound (D).
- the liquid sealing resin composition of the present invention is prepared by dispersing and kneading the above-described components and additives using a planetary mixer, a triple roll, a two-heat roll, a laika machine, etc.
- a generally known production method such as foam production can be used.
- the raw material charging step, the dispersion kneading step, etc. if necessary, can adjust the raw material charging sequence and the charging time, or can divide the raw material and distribute it several times. It is also possible to perform kneading, heating, adding an aging step, and the like.
- Such a liquid encapsulating resin composition has an epoxy resin reaction rate of 95% under curing conditions of 150 ° C. or less and 2 hours or less from the viewpoint of shortening the time in the manufacturing process of the semiconductor device and reducing the thermal stress on the semiconductor device.
- the above is preferable.
- the reason for this is that when the reaction rate is 95% or more, physical properties such as glass transition temperature (Tg) and fracture toughness value are less likely to change due to post-curing due to high temperature storage, etc., and adversely affect semiconductor devices such as warping and peeling. It is because is reduced.
- curing refers to forming a three-dimensional network structure by thermosetting reaction of an epoxy resin
- the reaction rate (Y) is measured by DSC (differential scanning calorimetry)
- the calorific value is measured by DSC after weighing 20 mg of sample in an aluminum pan, capping, and using DSC220 manufactured by Seiko Instruments Inc., measuring the temperature range of 30-300 ° C under the temperature rising condition of 10 ° C / min. (° C.) It can be determined as the area of the reaction peak with the base line in the graph with DSC (mJ / mg) on the vertical axis.
- the semiconductor device of the present invention is manufactured using the liquid sealing resin composition described above.
- a semiconductor element having a solder bump and a substrate are first solder-connected through a reflow apparatus.
- flux 3 is applied to solder bumps 1 provided on the semiconductor element 2.
- FIG. 1C the obtained semiconductor element 2 is temporarily mounted on the substrate 4.
- the semiconductor element 2 is reflow-connected to the substrate 4 as shown in FIG.
- FIG. 1 (e) the liquid sealing resin composition 5 is filled in the gap between the semiconductor element 2 and the substrate 4.
- a method utilizing a capillary phenomenon is common. Specifically, the liquid sealing resin composition is applied to one side of the semiconductor element and then poured into the gap between the semiconductor element and the substrate by a capillary phenomenon, and the liquid sealing resin composition is applied to the two sides of the semiconductor element. After coating, a method of pouring into the gap between the semiconductor element and the substrate by capillary action, a through hole is opened in the central part of the semiconductor element, the liquid sealing resin composition is applied around the semiconductor element, and then the semiconductor element And a method of pouring into the gap between the substrate and the substrate by capillary action. Further, instead of applying the whole amount at once, a method of applying in two steps is also performed. Next, the filled liquid sealing resin composition is cured.
- the curing conditions are not particularly limited, but can be cured by heating for 1 to 12 hours in a temperature range of 100 to 170 ° C., for example. Furthermore, for example, after heating at 100 ° C. for 1 hour, heat curing may be performed while changing the temperature stepwise, such as heating at 150 ° C. for 2 hours. In this manner, a semiconductor device in which the space between the semiconductor element and the substrate is sealed with the cured product of the liquid sealing resin composition can be obtained.
- Such semiconductor devices include flip-chip semiconductor devices, cavity down type BGA (Ball Grid Array), POP (Package on Package) type BGA (Ball Grid Array), TAB (Tape Automated Bonding) type BGA (Ball). Grid Array) and CSP (Chip Scale Package).
- Example 1 shows the epoxy resin (A) and curing agent (B) shown below, a mixture of spherical alumina and spherical silica as the inorganic filler (C), basic compound (D), diluting solvent, and adhesion aid. After blending with the indicated composition and kneading and dispersing it sufficiently with three rolls, vacuum degassing was performed to obtain a liquid sealing resin composition. In addition, the basic compound and the diluting solvent were previously mixed at room temperature.
- Epoxy resin Dainippon Ink & Chemicals, Inc. (EXA-830LVP) Made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. (JER-630) ⁇ Hardener (B) Nippon Kayaku Co., Ltd. (Kayahard AA) ⁇ Inorganic filler (C) ⁇ Spherical alumina (1) Manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. (ASFP-20: average diameter 0.2 ⁇ m) Admatechs Co., Ltd. (AO-502: average diameter 0.7 ⁇ m) ⁇ Spherical alumina (2) Showa Denko Co., Ltd. (CB-P02: average diameter 2.0 ⁇ m) Showa Denko Co., Ltd.
- the thermal diffusivity ⁇ , density ⁇ , and specific heat Cp of a cured product obtained by heating for 2 hours in an atmosphere at 150 ° C. are determined by the following methods.
- the thermal conductivity ⁇ was calculated from the equation (1).
- the thermal diffusivity ⁇ is measured by a laser flash method according to JIS R 1611: 2011 (least square method) using a thermal diffusivity measuring device LFA447 Nanoflash (manufactured by NETZSCH), and the density ⁇ is based on the JIS K 7112A method.
- a glass cell having a parallel plane with a gap was prepared by bonding an 18 mm ⁇ 18 mm glass plate (upper) and a glass plate (lower) so that a space of 70 ⁇ 10 ⁇ m was left therebetween.
- the glass cell was placed on a hot plate and allowed to stand for 5 minutes while adjusting the temperature so that the upper surface temperature of the glass plate (upper) was 110 ⁇ 1 ° C.
- 0.05 to 0.1 mL of a liquid sealing resin composition that was allowed to stand at room temperature for 24 hours was applied to one side of the glass cell using the capillary phenomenon, and the time (seconds) required to flow 18 mm was measured. It was determined that a gap inflow time of less than 400 seconds was good and a gap inflow time of 400 seconds or more was unacceptable.
- a 15 mm square semiconductor element provided with solder bumps having a bump size of 100 ⁇ m and a number of bumps of 3872, and a BT substrate (bismaleimide triazine substrate, connection pad: gold-plated surface) are combined with a rosin flux agent (tal Using a Kester 6502 manufactured by Chinster Co., Ltd., a semiconductor device having a gap between the semiconductor element and the BT substrate of 80 ⁇ m obtained by heating and melting at 260 ° C. on a hot plate heated to 110 ° C.
- the liquid sealing resin composition was filled into the gap between the semiconductor element and the BT substrate from one side of the semiconductor element using a capillary phenomenon, and then cured and sealed at 150 ° C. for 2 hours to obtain a semiconductor device. .
- the obtained semiconductor device was inspected using an ultrasonic deep wound device, and it was determined that there was no unfilled portion, and that there was an unfilled portion was unacceptable.
- the present invention can be used to obtain a liquid sealing resin composition having both high thermal conductivity, low dielectric constant, and high gap inflow property, and a semiconductor device using the same.
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Abstract
高熱伝導率と高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供することを目的の一つとし、本発明は(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、および(C)無機充填材を含有する液状封止樹脂組成物であって、上記(C)無機充填材が平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含み、且つpHが7より大きいことを特徴とする液状封止樹脂組成物を提供する。
Description
本発明は、高熱伝導率と高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物、その液状封止樹脂組成物を用いたバンプ接続方式の半導体装置、および半導体装置の製造方法に関する。
本発明は、2011年4月22日に、日本に出願された特願2011-095645号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明は、2011年4月22日に、日本に出願された特願2011-095645号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年様々な電子情報処理機器には、狭い面積に高密度実装することが可能なバンプ接続方式の半導体装置が広く用いられるようになってきている。そのようなバンプ接続方式の半導体装置では、半導体素子をバンプによって電気的に接続した後、接続信頼性を向上するために、アンダーフィル材と呼ばれる液状封止樹脂をバンプ接続部へ充填して硬化させ、接続バンプ周辺を補強するのが一般的である。
また一方で高度情報化社会進展の一端として、あらゆる情報が電子データ化され、それを瞬時に処理して伝達する必要にも迫られてきており、さらに低炭素社会の実現など環境問題への対応も必須とされていることから、大容量の電子データを高速且つ低消費電力で処理できる安価な電子情報処理機器が求められてきている。それに伴って機器に組み入れられる半導体装置にも、より低消費電力で安定した高速動作の可能なことが求められており、そのため半導体装置の発熱対策も重要になってきたことから、バンプ接続方式の半導体装置に用いられる液状封止樹脂に対しても高い熱伝導性が必要になってきている。
さらに、電子情報処理機器の低価格化を実現するために、半導体装置は小型・薄型化が進んできており、近年ではバンプ接続方式の半導体装置における接続部の隙間やバンプ間隔は100μmに満たないものがほとんどで、今後もますます微細化が進むとみられるため、用いられる液状封止樹脂にはいっそう高い隙間流入性が求められてきている。このように、高い熱伝導性と高い隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂が求められてきた。
さらに、電子情報処理機器の低価格化を実現するために、半導体装置は小型・薄型化が進んできており、近年ではバンプ接続方式の半導体装置における接続部の隙間やバンプ間隔は100μmに満たないものがほとんどで、今後もますます微細化が進むとみられるため、用いられる液状封止樹脂にはいっそう高い隙間流入性が求められてきている。このように、高い熱伝導性と高い隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂が求められてきた。
従来、半導体装置用液状封止樹脂には熱時寸法の安定性や強度保持のためシリカフィラーを含有するのが一般的であったが、熱伝導性を改善するためには比較的熱伝導性の低いシリカフィラーに替えて、より高い熱伝導性のフィラーをできるだけ多く含有するのが一般的であり、窒化ケイ素や窒化アルミニウム、アルミナ、酸化マグネシウムなどの高熱伝導性フィラーを使用できることは広く知られている。
それらの中で、例えば球状アルミナを用いたものとして、平均粒径2~30μmであり、且つ粒径24μm以上の粒子を15%以上、1μm以下の粒子を3%以上含有する球状アルミナを含有したものが提案されている(特許文献1参照)。しかし、この技術では24μm以上の粒子を15%以上含有していることを必要とすることから、バンプ接続部の隙間やバンプとバンプの間へフィラーが詰まる可能性が高くなるため、ますます微細化する傾向にある半導体装置への適用には限界があった。一方、前述に比べてより小さい径の球状アルミナを用いることで、そのような問題に対応するものとして、平均粒子径が1~5μm、最大粒子径が20μm以下で、10μmを超える粒子の構成割合が10質量%未満の球状アルミナを組成物全体の60~90質量%含有するものも提案されている(特許文献2参照)。しかしこの技術では流動性に問題が生じるとの理由から、平均径1μm未満のアルミナを用いることはできなかった。その結果、平均径1μm以下のアルミナを用いることでアルミナの充填度をアップし、高熱伝導化を図ることは困難であった。さらに、平均径1μm未満のフィラーを用いるものとして、平均粒径1~30μmのアルミナと平均粒径0.1~30μmのシリカの混合物に、さらに平均粒径0.1μm未満の超微粉無機充填材を全樹脂組成物中に44~75体積%含むものなども提案されている(特許文献3)。
しかし、アルミナと比べて熱伝導性の低いシリカを併用する必要があることから、アルミナだけを含有したものに比べ熱伝導性が低下することは避ける事が出来ないという問題があった。
それらの中で、例えば球状アルミナを用いたものとして、平均粒径2~30μmであり、且つ粒径24μm以上の粒子を15%以上、1μm以下の粒子を3%以上含有する球状アルミナを含有したものが提案されている(特許文献1参照)。しかし、この技術では24μm以上の粒子を15%以上含有していることを必要とすることから、バンプ接続部の隙間やバンプとバンプの間へフィラーが詰まる可能性が高くなるため、ますます微細化する傾向にある半導体装置への適用には限界があった。一方、前述に比べてより小さい径の球状アルミナを用いることで、そのような問題に対応するものとして、平均粒子径が1~5μm、最大粒子径が20μm以下で、10μmを超える粒子の構成割合が10質量%未満の球状アルミナを組成物全体の60~90質量%含有するものも提案されている(特許文献2参照)。しかしこの技術では流動性に問題が生じるとの理由から、平均径1μm未満のアルミナを用いることはできなかった。その結果、平均径1μm以下のアルミナを用いることでアルミナの充填度をアップし、高熱伝導化を図ることは困難であった。さらに、平均径1μm未満のフィラーを用いるものとして、平均粒径1~30μmのアルミナと平均粒径0.1~30μmのシリカの混合物に、さらに平均粒径0.1μm未満の超微粉無機充填材を全樹脂組成物中に44~75体積%含むものなども提案されている(特許文献3)。
しかし、アルミナと比べて熱伝導性の低いシリカを併用する必要があることから、アルミナだけを含有したものに比べ熱伝導性が低下することは避ける事が出来ないという問題があった。
本発明の目的は、従来は実現が困難であった高い熱伝導率と高い隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供することである。
本発明は以下の通りである。
[1](A)液状エポキシ樹脂、(B)アミン系硬化剤、および(C)無機充填材を含有する液状封止樹脂組成物であって、上記(C)無機充填材が平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含有し、且つpHが7より大きいことを特徴とする液状封止樹脂組成物。
[2] さらに、(D)塩基性化合物を含有することを特徴とする[1]記載の液状封止樹脂組成物。
[3]前記(D)塩基性化合物が、1,8-ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン-7、1,5-ジアザビシクロ(4.3.0)ノネン-5、およびそれらの塩のうち少なくとも1種類である[2]記載の液状封止樹脂組成物。
[4]液状封止樹脂組成物における前記(C)無機充填材の含有量が80質量%以上であって、そのうち(C)無機充填剤に占める0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)の割合が5質量%以上50質量%未満である[1]~[3]いずれかに記載の液状封止樹脂組成物。
[5] 半導体素子と、半導体素子を搭載し得る基板とを具備する半導体装置であって、前記半導体素子と前記基板との間が、[1]または[2]に記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
[6] 半導体素子を搭載し得る基板上に半導体素子を接続搭載する工程と、
半導体素子と基板との間に液状封止樹脂組成物を充填し硬化する工程とを具備する半導体装置の製造方法であって、上記充填工程において使用する液状封止樹脂組成物が、[1]~[4]いずれかに記載の液状封止樹脂組成物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
[1](A)液状エポキシ樹脂、(B)アミン系硬化剤、および(C)無機充填材を含有する液状封止樹脂組成物であって、上記(C)無機充填材が平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含有し、且つpHが7より大きいことを特徴とする液状封止樹脂組成物。
[2] さらに、(D)塩基性化合物を含有することを特徴とする[1]記載の液状封止樹脂組成物。
[3]前記(D)塩基性化合物が、1,8-ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン-7、1,5-ジアザビシクロ(4.3.0)ノネン-5、およびそれらの塩のうち少なくとも1種類である[2]記載の液状封止樹脂組成物。
[4]液状封止樹脂組成物における前記(C)無機充填材の含有量が80質量%以上であって、そのうち(C)無機充填剤に占める0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)の割合が5質量%以上50質量%未満である[1]~[3]いずれかに記載の液状封止樹脂組成物。
[5] 半導体素子と、半導体素子を搭載し得る基板とを具備する半導体装置であって、前記半導体素子と前記基板との間が、[1]または[2]に記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
[6] 半導体素子を搭載し得る基板上に半導体素子を接続搭載する工程と、
半導体素子と基板との間に液状封止樹脂組成物を充填し硬化する工程とを具備する半導体装置の製造方法であって、上記充填工程において使用する液状封止樹脂組成物が、[1]~[4]いずれかに記載の液状封止樹脂組成物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
本発明によれば、高い熱伝導率と高い隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物の提供を可能にし、それを用いて組み立てられたバンプ接続方式の半導体装置の発熱対策や小型・薄型化を可能にすることで、低消費電力で安定した高速動作が可能な半導体装置を得ることができる
以下、本発明の液状封止樹脂組成物および半導体装置について説明する。
本発明の液状封止樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)アミン系硬化剤、および(C)無機充填材を含有する液状封止樹脂組成物であって、上記(C)無機充填材が平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含有し、且つpHが7より大きいことを特徴とする液状封止樹脂組成物である。本発明の液状封止樹脂組成物は、半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に好ましく用いられる。
本発明の半導体装置では、半導体素子と基板との間が上記液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されている。
まず、液状封止樹脂組成物について説明する。
本発明の液状封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A)を含む。これにより、硬化後の封止樹脂脂組成物が耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れ、且つバンプ接続部を強固に接着することができる。そのため、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
エポキシ樹脂(A)としては、一分子中にエポキシ基を2個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、N,N-ジグリシジルアニリン、N,N-ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンなどの芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ-アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
本発明の液状封止樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)アミン系硬化剤、および(C)無機充填材を含有する液状封止樹脂組成物であって、上記(C)無機充填材が平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含有し、且つpHが7より大きいことを特徴とする液状封止樹脂組成物である。本発明の液状封止樹脂組成物は、半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に好ましく用いられる。
本発明の半導体装置では、半導体素子と基板との間が上記液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されている。
まず、液状封止樹脂組成物について説明する。
本発明の液状封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A)を含む。これにより、硬化後の封止樹脂脂組成物が耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れ、且つバンプ接続部を強固に接着することができる。そのため、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
エポキシ樹脂(A)としては、一分子中にエポキシ基を2個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、N,N-ジグリシジルアニリン、N,N-ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンなどの芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ-アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
さらに本発明の場合、芳香族環にグリシジル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点からより好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性という観点から使用する量を制限するほうがさらに好ましい。これらは単独でも2種以上混合して使用してもよい。また本発明では液状封止樹脂組成物の態様のため、エポキシ樹脂(A)として最終的に常温(25℃)で液状であることが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解させ、結果的に液状の状態であればよい。
本発明において、常温とは25℃を指し、また、液状とは樹脂又は樹脂組成物が流動性を有していることを指す。
本発明において、上記液状樹脂組成物は、常温(25℃)において流動性を有している。
本発明において、常温とは25℃を指し、また、液状とは樹脂又は樹脂組成物が流動性を有していることを指す。
本発明において、上記液状樹脂組成物は、常温(25℃)において流動性を有している。
本発明の液状封止樹脂組成物は、アミン系硬化剤(B)を含む。そのようなものとしては、例えばジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、m-キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2-メチルペンタメチレンジアミン脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス(4-アミノシクロヘキシル)メタン、ノルボルネンジアミン、1,2-ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、N-アミノエチルピペラジン、1,4-ビス(2-アミノ-2-メチルプロピル)ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、m-フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス(4-アミノベンゾエート)、ポリテトラメチレンオキシド-ジ-P-アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類が挙げられる。これらは、単独で用いても2種以上の硬化剤を配合して用いてもよい。
さらに半導体装置の封止用途を考慮すると、耐熱性、電気的特性、機械的特性、密着性、耐湿性の観点から芳香族ポリアミン型硬化剤が一層好ましい。性状としては、熱硬化性液状封止樹脂組成物の流動性を確保するため液状の硬化剤が好ましいが、結果的に常温で液状の状態であれば固形の硬化剤を溶解させて用いることもできる。
アミン系硬化剤以外の硬化剤として、フェノール類、酸無水物、ポリアミド樹脂、ポリスルフィド樹脂などを併用してもよい。
さらに半導体装置の封止用途を考慮すると、耐熱性、電気的特性、機械的特性、密着性、耐湿性の観点から芳香族ポリアミン型硬化剤が一層好ましい。性状としては、熱硬化性液状封止樹脂組成物の流動性を確保するため液状の硬化剤が好ましいが、結果的に常温で液状の状態であれば固形の硬化剤を溶解させて用いることもできる。
アミン系硬化剤以外の硬化剤として、フェノール類、酸無水物、ポリアミド樹脂、ポリスルフィド樹脂などを併用してもよい。
本発明の液状封止樹脂組成物は、無機充填材(C)として平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含む。
球状アルミナ(1)の平均径が0.5μm以上であるとバンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、1.0μm未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。球状アルミナ(2)の平均径が1.0μm以上であると、バンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、3.0μm未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。
球状アルミナ(1)の平均径が0.5μm以上であるとバンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、1.0μm未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。球状アルミナ(2)の平均径が1.0μm以上であると、バンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、3.0μm未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。
無機充填材(C)は、高熱伝導と高隙間流入性とを兼備しており半導体装置の信頼性を十分保持可能で、バンプ接続部への流入が可能であれば含有量に制限はないが、含有量80質量%以上で、そのうち無機充填剤(C)に占める0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)の割合が5質量%以上50質量%未満であることが好ましい。無機充填剤(C)の含有量が80質量%以上であると熱伝導率上昇効果が高くなり、そのうちアルミナ(1)の割合が5質量%以上であるとバンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、50質量%未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。
球状アルミナ以外の無機充填材も、本発明の効果である高熱伝導と低誘電率、高隙間流入性とが得られる範囲で加えることができ、そのようなものとしては球状シリカ、窒化ケイ素や窒化アルミニウム、酸化マグネシウムなどを適宜併用することができる。
球状アルミナ以外の無機充填材も、本発明の効果である高熱伝導と低誘電率、高隙間流入性とが得られる範囲で加えることができ、そのようなものとしては球状シリカ、窒化ケイ素や窒化アルミニウム、酸化マグネシウムなどを適宜併用することができる。
上記成分を含有する本発明の液状封止樹脂組成物のpH値は、7をより大きい。これにより、球状アルミナの樹脂系への分散性がいっそう向上し、粘度が低下して隙間流入性が向上する。それと同時に球状アルミナ粒子同士の静電気的相互作用がいっそう弱まるので、未充填ボイドや巻き込みボイド、揮発ボイドなど熱伝導を妨げる各種ボイドの発生が抑制され、高い熱伝導率を得ることができる。さらに好ましくは、pH値8より大きいことが、アルミナの等電点を上回るので、前記効果がいっそう高くなる。
ここでpH値とは、水素イオン指数または水素イオン濃度指数を指す。pH値の決定方法は特に限定されないが、例えばリトマス試験紙などのpH試験紙、pH指示薬、pH電極やpHセンサーなどを用いた一般的なものを使用することができる。なお、pH値の決定に際しては、液状封止樹脂組成物のpH値を変動させない範囲で前処理を施したり、添加剤を加えたり、加熱や冷却などの操作も加えることができる。
本願では、液状封止樹脂組成物0.01~0.1mlを、pHメーターのセンサー部に乗せ、その上から純水を0.02~0.2ml加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、pH値が安定するまで静置し、表示されたpH値を液状樹脂組成物のpH値とした。
ここでpH値とは、水素イオン指数または水素イオン濃度指数を指す。pH値の決定方法は特に限定されないが、例えばリトマス試験紙などのpH試験紙、pH指示薬、pH電極やpHセンサーなどを用いた一般的なものを使用することができる。なお、pH値の決定に際しては、液状封止樹脂組成物のpH値を変動させない範囲で前処理を施したり、添加剤を加えたり、加熱や冷却などの操作も加えることができる。
本願では、液状封止樹脂組成物0.01~0.1mlを、pHメーターのセンサー部に乗せ、その上から純水を0.02~0.2ml加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、pH値が安定するまで静置し、表示されたpH値を液状樹脂組成物のpH値とした。
本発明の液状封止樹脂組成物は塩基性化合物(D)を含有することが好ましい。塩基性化合物とは、液状封止樹脂組成物に加えることで封止樹脂系全体のpH値を塩基性方向へ移行させるように働き、そのことによって球状アルミナの表面電位をマイナス方向へ変位させることで各々の封止樹脂系への分散性を改善し、粘度を低下できるので隙間流入性を向上させることができる。それと同時に、球状アルミナ粒子同士の静電気的相互作用を弱められるので、未充填ボイドや巻き込みボイド、揮発ボイドなど熱伝導を妨げる各種ボイドの発生を抑制できることから、高い熱伝導率を得ることができる。
従って、塩基性化合物(D)として、封止樹脂物全体のpH値を塩基性方向へ移行し得るものであれば特に制限はないが、そのようなものとしては、例えばヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミンなどの1級アミン類、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、イソプロピルベンジルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジデシルアミンなどの2級アミン類、イミノジエタノール、エチルアミノエタノール、イソプロピルアミノエタノール、ベンジルエタノールアミン、ジブチルアミノエタノール、アニリノエタノール、2-アミノ-2-エチル-1,3-プロパンジオール、イソプロパノールアミン、アミノメチルプロパノール、エタノールアミン、アミノプロパノール、ヘキサノールアミン、アミノエトキシエタノール、トリスヒドロキシメチルアミノメタンなどの1級,2級,3級アミノアルコール類、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミンとその部分加水分解物、3-トリメトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミンとその部分加水分解物、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシランなどの各種塩基性カップリング剤や、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(DBU)あるいはその塩、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン(DBN)あるいはその塩などの塩基性物質などを挙げる事ができる。
なかでも、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(DBU)あるいはその塩、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン(DBN)あるいはその塩が封止樹脂系のpH値を塩基性に移行させる効果がより高く好ましい。
なかでも、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(DBU)あるいはその塩、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン(DBN)あるいはその塩が封止樹脂系のpH値を塩基性に移行させる効果がより高く好ましい。
塩基性化合物(D)の配合量は、封止樹脂物全体のpH値を塩基性方向へ移行し得るものであれば特に制限はないが、0.005質量%以上1.0質量%以下であることが好ましい。
本発明の液状封止樹脂組成物には、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無機充填材(C)として平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物、塩基性化合物(D)を含有する以外に、必要に応じて密着助剤、分散剤、ブリード防止剤、着色剤、消泡剤、希釈剤、顔料、難燃剤、レベリング剤などの各種添加剤を用いることができる。ただし、それらの添加物によって塩基性化合物の働きが抑えられる場合は、適宜塩基性化合物(D)の配合量を増やすことで本発明の効果を維持できる。
本発明の液状封止樹脂組成物は、上述した各成分、添加剤などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造するなど、一般的に知られている製造方法を用いることができる。さらに、液状封止樹脂組成物の製造に際しては、必要に応じて原料投入工程、分散混練工程などにおいて、原料投入の順序や投入時間を調整することや、何度かに分けて原料投入や分散混練を行うこと、加温すること、熟成工程を付加することなども可能である。
このような液状封止樹脂組成物は、半導体装置の製造プロセスにおける時間の短縮や半導体デバイスへの熱応力低減の観点から、150℃以下2時間以下の硬化条件でエポキシ樹脂の反応率が95%以上であることが好ましい。その理由としては、反応率が95%以上になると、高温保管などによる後硬化により、ガラス転移温度(Tg)や破壊靱性値などの物性が変化することが少なく、反りや剥離など半導体装置へ悪影響が低減されるからである。ここで硬化とは、エポキシ樹脂の熱硬化反応によって3次元網状構造を形成することを指し、その反応率(Y)はDSC(示差走査熱量測定)により測定し、未硬化のサンプルの発熱量A(mJ/mg)と硬化後のサンプルの発熱量B(mJ/mg)を測定し、Y(%)=(1-B/A)×100の計算式を用いて算出する。DSCによる発熱量測定はアルミパンにサンプルを20mg秤量し蓋をした後、Seiko Instruments社製DSC220を用い30-300℃の温度範囲を10℃/minの昇温条件で測定し、横軸に温度(℃)縦軸にDSC(mJ/mg)をとったグラフにおけるベースラインを底辺とした反応ピークの面積として求めることができる。
次に、半導体装置について説明する。
本発明の半導体装置は、上述した液状封止樹脂組成物を用いて製造される。
例えばフリップチップ接続のアンダーフィル材に適用した場合について説明すると、まず半田バンプを有する半導体素子と基板とを、リフロー装置を通して半田接続を行う。具体的には、図1(a)および(b)に示すように、半導体素子2に設けられた半田バンプ1にフラックス3を塗布する。次いで、図1(c)に示すように、得られた半導体素子2を基板4上に仮搭載する。その後、図1(d)に示すように、半導体素子2を基板4にリフロー接続する。次いで、図1(e)に示すように、半導体素子2と基板4との間隙に液状封止樹脂組成物5を充填する。充填する方法としては、毛細管現象を利用する方法が一般的である。具体的には、半導体素子の一辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の2辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の中央部にスルーホールを開けておき、半導体素子の周囲に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法などが挙げられる。また、一度に全量を塗布するのではなく、2度に分けて塗布する方法なども行われる。次に、充填した上記液状封止樹脂組成物を硬化させる。硬化条件は、特に限定されないが、例えば100℃~170℃の温度範囲で1~12時間加熱を行うことにより硬化できる。さらに、例えば100℃で1時間加熱した後、引き続き150℃で2時間加熱するような、段階的に温度を変化させながら加熱硬化を行っても良い。このようにして、半導体素子と基板との間が、液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されている半導体装置を得ることができる。
本発明の半導体装置は、上述した液状封止樹脂組成物を用いて製造される。
例えばフリップチップ接続のアンダーフィル材に適用した場合について説明すると、まず半田バンプを有する半導体素子と基板とを、リフロー装置を通して半田接続を行う。具体的には、図1(a)および(b)に示すように、半導体素子2に設けられた半田バンプ1にフラックス3を塗布する。次いで、図1(c)に示すように、得られた半導体素子2を基板4上に仮搭載する。その後、図1(d)に示すように、半導体素子2を基板4にリフロー接続する。次いで、図1(e)に示すように、半導体素子2と基板4との間隙に液状封止樹脂組成物5を充填する。充填する方法としては、毛細管現象を利用する方法が一般的である。具体的には、半導体素子の一辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の2辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の中央部にスルーホールを開けておき、半導体素子の周囲に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法などが挙げられる。また、一度に全量を塗布するのではなく、2度に分けて塗布する方法なども行われる。次に、充填した上記液状封止樹脂組成物を硬化させる。硬化条件は、特に限定されないが、例えば100℃~170℃の温度範囲で1~12時間加熱を行うことにより硬化できる。さらに、例えば100℃で1時間加熱した後、引き続き150℃で2時間加熱するような、段階的に温度を変化させながら加熱硬化を行っても良い。このようにして、半導体素子と基板との間が、液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されている半導体装置を得ることができる。
このような半導体装置には、フリップチップ方式の半導体装置、キャビティーダウン型BGA(Ball Grid Array)、POP(Package on Package)型BGA(Ball Grid Array)、TAB(Tape Automated Bonding)型BGA(Ball Grid Array)、CSP(Chip Scale Package)等が挙げられる。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(実施例1~7)(比較例1~5)
下記に示すエポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)、無機充填剤(C)として球状アルミナと球状シリカとの混合物、塩基性化合物(D)、その他に希釈溶剤、密着助剤を表1に示した組成で配合、それを3本ロールにて十分に混練分散した後、真空脱泡して液状封止樹脂組成物を得た。なお、塩基性化合物と希釈溶剤とは予め室温混合したものを用いた。
(実施例1~7)(比較例1~5)
下記に示すエポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)、無機充填剤(C)として球状アルミナと球状シリカとの混合物、塩基性化合物(D)、その他に希釈溶剤、密着助剤を表1に示した組成で配合、それを3本ロールにて十分に混練分散した後、真空脱泡して液状封止樹脂組成物を得た。なお、塩基性化合物と希釈溶剤とは予め室温混合したものを用いた。
○エポキシ樹脂(A)
大日本インキ化学工業(株)製 (EXA-830LVP)
ジャパンエポキシレジン(株)製(JER-630)
○硬化剤(B)
日本化薬(株)製 (カヤハードAA)
○無機充填材(C)
・球状アルミナ(1)
電気化学工業(株)製 (ASFP-20:平均径0.2μm)
アドマテクス(株)製 (AO-502:平均径0.7μm)
・球状アルミナ(2)
昭和電工(株)製 (CB-P02:平均径2.0μm)
昭和電工(株)製 (CB-A05S:平均径3.0μm)
昭和電工(株)製 (CB-P05:平均径4.0μm)
○塩基性化合物(D)
1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン-7(DBU)
DBU-フェノール塩 サンアプロ(株)製U-CAT (SA-1)
1,5-ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン-5 (DBN)
○希釈溶剤
ブチルセロソルブアセテート(BCSA)
○密着助剤
信越化学(株)製 (KBM-403)
大日本インキ化学工業(株)製 (EXA-830LVP)
ジャパンエポキシレジン(株)製(JER-630)
○硬化剤(B)
日本化薬(株)製 (カヤハードAA)
○無機充填材(C)
・球状アルミナ(1)
電気化学工業(株)製 (ASFP-20:平均径0.2μm)
アドマテクス(株)製 (AO-502:平均径0.7μm)
・球状アルミナ(2)
昭和電工(株)製 (CB-P02:平均径2.0μm)
昭和電工(株)製 (CB-A05S:平均径3.0μm)
昭和電工(株)製 (CB-P05:平均径4.0μm)
○塩基性化合物(D)
1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン-7(DBU)
DBU-フェノール塩 サンアプロ(株)製U-CAT (SA-1)
1,5-ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン-5 (DBN)
○希釈溶剤
ブチルセロソルブアセテート(BCSA)
○密着助剤
信越化学(株)製 (KBM-403)
(測定及び評価)
得られた液状封止樹脂組成物および半導体装置について、以下の測定及び評価を行った。得られた結果を表1に示す。
得られた液状封止樹脂組成物および半導体装置について、以下の測定及び評価を行った。得られた結果を表1に示す。
1.pHの測定
各液状封止樹脂組成物0.05mlを、予め校正液を用いて校正されたHORIBA製コンパクトpHメーター「B-211」のセンサー部に乗せ、その上から純水約0.1ml加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、センサー部の蓋を閉めてpH値が安定したとの表示が出るまで静置した。表示されたpH値を液状樹脂組成物のpH値とした。
各液状封止樹脂組成物0.05mlを、予め校正液を用いて校正されたHORIBA製コンパクトpHメーター「B-211」のセンサー部に乗せ、その上から純水約0.1ml加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、センサー部の蓋を閉めてpH値が安定したとの表示が出るまで静置した。表示されたpH値を液状樹脂組成物のpH値とした。
2.熱伝導率の測定と評価
各液状封止樹脂組成物について、150℃雰囲気下で2時間加熱して得られる硬化物の熱拡散率α、密度ρおよび比熱Cpを下記方法によってそれぞれ測定して求め、式(1)により熱伝導率λを算出した。
熱拡散率αは、熱拡散率測定装置LFA447 Nanoflash(NETZSCH社製)を用い、JIS R 1611:2011(最小二乗法)に準拠したレーザーフラッシュ法によって測定、密度ρはJIS K 7112A法に準拠した水中置換法によって測定、また比熱Cpについては示差走査熱量計 DSC7(PERKIN-ELMER社製)を用い、JIS K 7123に準拠した方法によって測定した。
熱伝導率の評価については、熱伝導率値が1.5W/m・K以上のものは良好、1.5W/m・K未満のものは不可と判定した。
λ=α×ρ×Cp ・・・・・・・・・・・式(1)
λ:熱伝導率(W/m・K)
α:熱拡散率(m2/sec)
ρ:密度(kg/m3)
Cp:比熱(J/kg・K)
各液状封止樹脂組成物について、150℃雰囲気下で2時間加熱して得られる硬化物の熱拡散率α、密度ρおよび比熱Cpを下記方法によってそれぞれ測定して求め、式(1)により熱伝導率λを算出した。
熱拡散率αは、熱拡散率測定装置LFA447 Nanoflash(NETZSCH社製)を用い、JIS R 1611:2011(最小二乗法)に準拠したレーザーフラッシュ法によって測定、密度ρはJIS K 7112A法に準拠した水中置換法によって測定、また比熱Cpについては示差走査熱量計 DSC7(PERKIN-ELMER社製)を用い、JIS K 7123に準拠した方法によって測定した。
熱伝導率の評価については、熱伝導率値が1.5W/m・K以上のものは良好、1.5W/m・K未満のものは不可と判定した。
λ=α×ρ×Cp ・・・・・・・・・・・式(1)
λ:熱伝導率(W/m・K)
α:熱拡散率(m2/sec)
ρ:密度(kg/m3)
Cp:比熱(J/kg・K)
3.隙間流入速度の測定と評価
18mm×18mmのガラス板(上)とガラス板(下)とを70±10μmの間隔が空くように張り合わせて、隙間のある平行平面を持つガラスセルを作製した。このガラスセルをホットプレートの上に置き、ガラス板(上)の上面温度が110±1℃になるよう温度調整しながら5分間静置した。その後、ガラスセルの一辺に、室温で24時間静置した液状封止樹脂組成物0.05~0.1mLを毛細管現象を利用して塗布し、18mm流れきる時間(秒)を測定した。隙間流入時間が400秒未満のものを良好、400秒以上のものを不可と判定した。
18mm×18mmのガラス板(上)とガラス板(下)とを70±10μmの間隔が空くように張り合わせて、隙間のある平行平面を持つガラスセルを作製した。このガラスセルをホットプレートの上に置き、ガラス板(上)の上面温度が110±1℃になるよう温度調整しながら5分間静置した。その後、ガラスセルの一辺に、室温で24時間静置した液状封止樹脂組成物0.05~0.1mLを毛細管現象を利用して塗布し、18mm流れきる時間(秒)を測定した。隙間流入時間が400秒未満のものを良好、400秒以上のものを不可と判定した。
4.隙間流入性の評価
バンプサイズ100μm、バンプ数3872個の半田バンプが設けられた15mm角の半導体素子と、BT基板(ビスマレイミドトリアジン基板、接続パッド:金メッキ表面)とを、ロジン系フラックス剤(タルチンケスター社製 Kester6502)を使用し、260℃で加熱して半田を溶融接合して得られた、半導体素子とBT基板との隙間が80μmの半導体装置を、110℃に加熱した熱板上に乗せ、半導体素子とBT基板との隙間に前記の液状封止樹脂組成物を半導体素子の一辺から毛細管現象を利用して充填した後、150℃で2時間硬化封止して半導体装置を得た。得られた半導体装置を、超音波深傷装置を用いて検査し、未充填部の無かったものを良好、未充填部のあったものを不可と判定した。
バンプサイズ100μm、バンプ数3872個の半田バンプが設けられた15mm角の半導体素子と、BT基板(ビスマレイミドトリアジン基板、接続パッド:金メッキ表面)とを、ロジン系フラックス剤(タルチンケスター社製 Kester6502)を使用し、260℃で加熱して半田を溶融接合して得られた、半導体素子とBT基板との隙間が80μmの半導体装置を、110℃に加熱した熱板上に乗せ、半導体素子とBT基板との隙間に前記の液状封止樹脂組成物を半導体素子の一辺から毛細管現象を利用して充填した後、150℃で2時間硬化封止して半導体装置を得た。得られた半導体装置を、超音波深傷装置を用いて検査し、未充填部の無かったものを良好、未充填部のあったものを不可と判定した。
本発明は、高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置を得ることに利用することができる。
Claims (6)
- (A)液状エポキシ樹脂、(B)アミン系硬化剤、および(C)無機充填材を含有する液状封止樹脂組成物であって、
上記(C)無機充填材が平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含有し、且つ
pHが7より大きいことを特徴とする液状封止樹脂組成物。 - さらに、(D)塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項1記載の液状封止樹脂組成物。
- 前記(D)塩基性化合物が、1,8-ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン-7、1,5-ジアザビシクロ(4.3.0)ノネン-5、およびそれらの塩のうち少なくとも1種類である請求項1又は2記載の液状封止樹脂組成物。
- 液状封止樹脂組成物における前記(C)無機充填材の含有量が80質量%以上であって、そのうち(C)無機充填剤に占める0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)の割合が5質量%以上50質量%未満である請求項1または2に記載の液状封止樹脂組成物。
- 半導体素子と、半導体素子を搭載し得る基板とを具備する半導体装置であって、前記半導体素子と前記基板との間が、請求項1または2に記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
- 半導体素子を搭載し得る基板上に半導体素子を接続搭載する工程と、
半導体素子と基板との間に液状封止樹脂組成物を充填し硬化する工程とを具備する半導体装置の製造方法であって、
上記充填工程において使用する液状封止樹脂組成物が、請求項1または2に記載の液状封止樹脂組成物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011-095645 | 2011-04-22 | ||
JP2011095645A JP2012224799A (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 液状封止樹脂組成物および液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Publications (1)
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---|---|
WO2012144355A1 true WO2012144355A1 (ja) | 2012-10-26 |
Family
ID=47041467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2012/059545 WO2012144355A1 (ja) | 2011-04-22 | 2012-04-06 | 液状封止樹脂組成物、液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012224799A (ja) |
TW (1) | TW201311790A (ja) |
WO (1) | WO2012144355A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9670377B2 (en) | 2014-03-04 | 2017-06-06 | Namics Corporation | Underfill composition for encapsulating a bond line |
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