WO2012124047A1

WO2012124047A1 - 成膜装置

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Publication number: WO2012124047A1
Application number: PCT/JP2011/055986
Authority: WO
Inventors: 容征織田; 白幡　孝洋; 章男吉田
Original assignee: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Current assignee: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Priority date: 2011-03-15
Filing date: 2011-03-15
Publication date: 2012-09-20
Anticipated expiration: 2013-09-15
Also published as: KR20130087560A; HK1185923A1; JPWO2012124047A1; CN103314134A; CN103314134B; TWI466731B; US20130247820A1; DE112011105041T5; DE112011105041B4; JP5529340B2; US10121931B2; TW201249545A; KR101454566B1

Abstract

　本発明は、成膜が実施される基板への均一なミストの噴出を維持しつつ、ミスト噴射用ノズル周辺の構成の肥大化を防止することができる、成膜装置を提供することを目的とする。そして、本発明は、成膜の原料となるミストを発生するミスト発生器（２）と、ミスト発生器で発生したミストを、膜の成膜が行われる基板へと噴射するミスト噴射用ノズル（１）とを、備えている。ミスト噴射用ノズルは、中空部（１Ｈ）を有する本体部（１Ａ）と、ミストを供給するミスト供給口（５ａ）と、ミストを外部に噴射する噴射口（８）と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給口（６ａ）と、複数の孔（７ａ）が形成されたシャワープレート（７）とを、備えている。ここで、中空部は、シャワープレートの配設により、キャリアガス供給口と接続される第一の空間（１Ｓ）と、噴射口に接続される第二の空間（１Ｔ）とに分割され、ミスト供給口は、第二の空間に接続される。

Description

成膜装置

　本発明は、薄膜の成膜を行う成膜装置に関する発明であり、特に基板に対してミストを噴射することにより、当該基板上に薄膜を形成することができる成膜装置に係るものである。

　太陽電池や発光ダイオード等の電子デバイスの製造方法において、基板上に薄膜を成膜する工程が実行される。たとえば、基板に原料ミストを噴射させることにより当該基板に薄膜を形成する、先行技術が存在する（特許文献１参照）。

　特許文献１に係る技術では、噴出用ノズルから噴射される原料ミストを基板に吹き付けて、当該基板に薄膜を成膜している。噴出用ノズルは、大きな容積のガスだまり部と、断面形状が扁平形状である噴射口を有する噴出部と、ミスト供給管とを備えている。噴出用ノズルは、原料ミストの噴出方向が基板の平面に平行な方向と垂直な方向となるように、設置されている。

特開２００７－２５４８６９号公報

　特許文献１に係る技術では、ガスだまり部に設けたミスト供給口から原料ミストを供給し、断面積が供給口より小さい噴射口から当該原料ミストを噴出させることにより、原料ミストの均一化を図っている。

　しかしながら、当該特許文献１に係る技術では、原料ミストの均一な噴射を可能せしめるために、断面積の大きなミスト供給口が必要である。具体的に、噴射口の開口面積が所定の大きさに決定されており、当該噴射口の開口面積に対して、ミスト供給口の面積を十分大きくする必要がある。さらに、大面積の薄膜を成膜する際に当該特許文献１に係る技術を適用する場合には、均一なミストの噴射を可能せしめるために、断面形状が扁平である噴射口に対して、ミスト供給のための太い配管をガスだまり部に多数設ける必要がある。

　したがって、噴出用ノズル周辺の構成が肥大化するという問題を、特許文献１に係る技術は有している。つまり、特許文献１に係る技術では、噴射口の開口面積に応じて、ミスト供給口の総開口面積を十分に大きくしなければならないという制限があり、噴出用ノズルの構成簡略化は困難であった。そして、当該構成の肥大化に起因して、噴出用ノズル周辺のメンテナンス性が悪化し、噴出用ノズルの組立も複雑となり、さらに製造コストも増大する。

　そこで、本発明は、成膜が実施される基板への均一なミストの噴出を維持しつつ、ミスト噴射用ノズル周辺の構成の肥大化を防止することができる、成膜装置を提供することを目的とする。

　上記の目的を達成するために、本発明に係る成膜装置は、成膜の原料となるミストを発生するミスト発生器と、前記ミスト発生器で発生した前記ミストを、膜の成膜が行われる基板へと噴射するミスト噴射用ノズルとを、備えており、前記ミスト噴射用ノズルは、中空部を有する本体部と、前記本体部に形成され、前記ミスト発生器で発生した前記ミストを前記中空部内に供給するミスト供給口と、前記本体部に形成され、前記中空部の前記ミストを外部に噴射する第一の噴射口と、前記本外部に形成され、前記ミストを前記第一の噴射口へと運ぶキャリアガスを前記中空部内に供給する、少なくとも１つ以上のキャリアガス供給口と、前記中空部内に配置され、複数の孔が形成されたシャワープレートとを、備えており、前記中空部は、前記シャワープレートの配設により、前記キャリアガス供給口と接続される第一の空間と、前記第一の噴射口に接続される第二の空間とに分割され、前記ミスト供給口は、前記第二の空間に接続されるように、前記本体部に形成されている。

　本発明に係る成膜装置は、成膜の原料となるミストを発生するミスト発生器と、前記ミスト発生器で発生した前記ミストを、膜の成膜が行われる基板へと噴射するミスト噴射用ノズルとを、備えており、前記ミスト噴射用ノズルは、中空部を有する本体部と、前記本体部に形成され、前記ミスト発生器で発生した前記ミストを前記中空部内に供給するミスト供給口と、前記本体部に形成され、前記中空部の前記ミストを外部に噴射する第一の噴射口と、前記本外部に形成され、前記ミストを前記第一の噴射口へと運ぶキャリアガスを前記中空部内に供給する、少なくとも１つ以上のキャリアガス供給口と、前記中空部内に配置され、複数の孔が形成されたシャワープレートとを、備えており、前記中空部は、前記シャワープレートの配設により、前記キャリアガス供給口と接続される第一の空間と、前記第一の噴射口に接続される第二の空間とに分割され、前記ミスト供給口は、前記第二の空間に接続されるように、前記本体部に形成されている。

　したがって、第一の空間内に供給・拡散されたキャリアガスは、シャワープレートを経ることにより、均一化されて、第二の空間内へと流れ込む。そして、第二の空間内に供給され滞留しているミストは、当該キャリアガスにより整流・均一化され、第一の噴射口へと伝搬され（押し流され）、均一化されたミストがキャリアガスと共に、第一の噴射口から基板に向けて噴出させることができる。このように、均一なミストを基板に吹き付けることにより、基板の上面には、所望の薄膜を均一に成膜することができる。

　さらに、上記のように、シャワープレートの存在により、ミスト供給口の開口面積や数を大きくしなくても、第一の噴射口から均一なミストを噴射することができる。したがって、ミスト供給口の開口面積や数を小さくでき、ミスト噴射用ノズル周辺の構成の肥大化を防止することができる。よって、ミスト噴出用ノズル周辺のメンテナンス性が向上し、ミスト噴出用ノズルの組立も簡単となり、さらに製造コストも低減できる。

　この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

実施の形態１に係るミスト噴射用ノズル１の外観構成の概略を示す斜視図である。実施の形態１に係る成膜装置の構成を示す断面図である。シャワープレート７の構成を示す平面図である。実施の形態１に係るミスト噴射用ノズル１の比較対象となるノズル構成を示す断面図である。実施の形態３に係る成膜装置の構成を示す断面図である。実施の形態３に係るミスト噴射用ノズル１の外観構成の概略を示す斜視図である。実施の形態４に係る成膜装置の構成を示す断面図である。実施の形態４に係る成膜装置の他の構成例を示す断面図である。実施の形態４に係る成膜装置の他の構成例を示す断面図である。実施の形態４に係る成膜装置の他の構成例を示す断面図である。実施の形態５に係る成膜装置の構成を示す断面図である。実施の形態５に係る成膜装置の概略構成を示す平面図である。実施の形態６に係る成膜装置の構成を示す断面図である。実施の形態６に係る成膜装置の概略構成を示す平面図である。実施の形態７に係る成膜装置の構成を示す断面図である。

　本発明は、基板に薄膜を成膜する際に使用される成膜装置に関するものである。特に、本発明に係る成膜装置は、基板に対して、薄膜の原料ミストを噴射するミスト噴射用ノズルを有し、当該ミスト噴射により、基板に薄膜を成膜する。ここで、本発明では、気化されたガスを基板に対して晒すことにより、当該基板上に薄膜を成膜するものでなく、液状の「ミスト」を基板に対して吹き付けることにより、当該基板上に薄膜を成膜するものである。

　なお、本明細書では、液状の「ミスト」とは、液滴の粒径が１００μｍ以下のものである。また、気体でなく、液状であれば「ミスト」の粒径の下限は、特に限定される必要はない。しかしながら、たとえば一例を挙げるなら、当該「ミスト」の下限は０．１μｍ程度である。

　以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。

　＜実施の形態１＞
　図１は、本実施の形態に係る成膜装置が備える、ミスト噴射用ノズル１の外観構成を示す斜視図である。図１には、座標軸Ｘ－Ｙ－Ｚも併記している。図２は、成膜装置全体の概略構成を示す断面図である。ここで、図２は、図１の構成をＹ方向から眺めた時の断面図である。

　なお、図面簡略化のため、図１では、図２で示している、ミスト発生器２、各種配管３，４，５，６、ミスト供給口５ａ、キャリアガス供給口６ａおよび第一の噴射口８の図示を省略している。また、図２において、Ｘ－Ｚ座標系を併記している。

　図１の構成例では、一辺が１ｍ以上の矩形状の基板１００上に薄膜を成膜するために、ミスト噴射用ノズル１を、当該基板１００の上方に位置させている。そして、ミスト噴射用ノズル１は、基板１００の上面に対して、成膜の原料となるミストを噴射する。ここで、当該噴射を行いながら、たとえば基板１００を水平方向に移動させる。当該移動を伴うミスト噴射により、基板１００の上面全面に、ミストを噴射させることができ、結果として基板１００上面全面に、均一な薄膜を成膜することができる。

　ここで、基板１００は、成膜温度まで加熱されている。また、ミスト噴射の際における基板１００の上面とミスト噴射用ノズル１の端部との距離は、たとえば、数十ｍｍ以下程度である。

　図２に示すように、成膜装置は、ミスト噴射用ノズル１とミスト発生器２とを備えている。

　図２に示すように、ミスト噴射用ノズル１は、中空部１Ｈを有する本体部１Ａにより構成されている。本体部１Ａは、図１，２に示すように、Ｘ方向の幅が短く（たとえば、数ｃｍ程度）、Ｙ方向の奥行きが長く（Ｙ方向の基板１００の寸法より少し長い程度であり、たとえば１ｍ以上）、Ｚ方向の高さは少し高め（たとえば、１０～２０ｃｍ程度）の、略直方体の概略外観を有する。

　当該本体部１Ａは、たとえばステンレス製であっても良いが、軽量化の観点からはアルミニウム製を採用しても良い。また、アルミニウム製の場合には、本体部１Ａの耐腐食性向上させるために、コーティングを行うことが望ましい。

　図２に示すように、本体部１Ａには、ミスト供給口５ａ、キャリアガス供給口６ａおよび噴射口（第一の噴射口と把握できる）８が穿設されている。

　ミスト供給口５ａは、本体部１Ａの側壁に設けられており、ミスト発生器２で発生したミストを本体部１Ａの中空部１Ｈ内へ供給する、ミストの入口となる。図２に示すように、本実施の形態では、ミスト発生器２で発生したミストは、ミスト配管５を通って、ミスト供給口５ａに到達し、当該ミスト供給口５ａから本体部１Ａの内部に供給される。

　ここで、ミスト供給口５ａの数は、１個であっても良く、本体部１Ａの側壁において、Ｙ方向に沿って２個以上設けられていても良いが、ミスト噴射用ノズル１の構成簡略化の観点から、ミスト供給口５ａの数は少ない方が好ましい。また、ミスト供給口５ａの数に合わせて、当然、各ミスト供給口５ａとミスト発生器２とを接続する、ミスト配管５が各々配設される。

　また、ミスト供給口５ａの開口面積およびミスト配管５の開口面積は小さすぎると、ミストの目詰まりの原因となる。したがって、ミスト供給口５ａの開口面積およびミスト配管５の開口面積は、当該目詰まり防止が可能な程度の大きさであれば良い。

　噴射口８は、本体部１Ａ内部のミストを、基板１００に向けて噴射する、ミストの出口となる。したがって、噴射口８は、ミスト噴射の際に、基板１００の上面（薄膜形成面）に面する本体部１Ａの面に形成されている。つまり、噴射口８は、本体部１Ａの下面側に形成されている。噴射口８のＸ方向の幅は、本体部１Ａの中空部１ＨのＸ方向の幅よりも狭くなっている。たとえば、噴射口８のＸ方向の幅は、１～２ｍｍ程度である。また、噴射口８の開口形状は、スリット状であり、噴射口８のＹ方向の寸法は、本体部１ＡのＹ方向の寸法より少し小さめ程度である。そして、Ｙ方向における噴射口８の両端には、薄厚の本体部１Ａが存在している。

　図２に示す構成例では、キャリアガス供給口６ａは、本体部１Ａの噴射口８に対向する面（つまり、本体部１Ａの上面側）に設けられている（なお、後述するように、キャリアガス供給口６ａが第一の空間１Ｓと接続されていれば、当該キャリアガス供給口６ａは、本体部１Ａの側面側に配設されていても良い）。当該キャリアガス供給口６ａは、ミスト噴射用ノズル１の外側からキャリアガスを本体部１Ａの中空部１Ｈ内へ供給する、キャリアガスの入口となる。図２に示すように、キャリアガスは、キャリアガス配管６を通って、キャリアガス供給口６ａに到達し、当該キャリアガス供給口６ａから本体部１Ａの内部に供給される。

　ここで、キャリアガスとは、本体部１Ａの中空部１Ｈに滞留しているミストを、噴射口８へ搬送し、当該噴射口８から噴出させるためのガスである。当該キャリアガスとして、たとえば、空気、窒素や不活性ガスなどを採用することができる。

　ここで、キャリアガス供給口６ａの数は、１個であっても良く、本体部１Ａにおいて、２個以上設けられていても良いが、ミスト噴射用ノズル１の構成簡略化の観点から、キャリアガス供給口６ａの数は少ない方が好ましい。また、キャリアガス供給口６ａの数に合わせて、当然、各キャリアガス供給口６ａと接続する、キャリアガス配管６が各々配設される。

　また、キャリアガス供給口６ａの開口面積およびキャリアガス配管６の開口面積は大きすぎると、構成拡大の原因となる。したがって、シャワープレート７に穿設された孔７ａの開口面積との後述する関係を満たすように、キャリアガス供給口６ａの開口面積およびキャリアガス配管６の開口面積は、できる限り小さい方が好ましい。

　また、ミスト噴射用ノズル１には、シャワープレート７が配設されている。図１，２に示すように、シャワープレート７は、本体部１Ａの中空部１Ｈ内に配設されている。また、図２にから分かるように、シャワープレート７により当該中空部１Ｈは、二つの空間１Ｓ，１Ｔに分割される。つまり、中空部１Ｈ内において、シャワープレート７は、第一の空間１Ｓと第二の空間１Ｔとを仕切っている。

　図３は、シャワープレート７のＸ－Ｙ平面の平面図である。

　シャワープレート７は、薄厚のプレートであり、たとえばステンレス製のものを採用できる。図３に例示する構成では、シャワープレート７には複数の孔７ａが均等（図３と異なり、均等でなくても良い）に穿設されている。ここで、図３に示す一構成例では、各孔７ａの開口形状は丸形であり、各孔７ａは互い違いになるように配列されている。また、各孔７ａは、シャワープレート７の厚さ方向に貫通している。なお、孔７ａを通るのは「気体」であるキャリアガスである。したがって、各７ａの開口径は、微小にできる。各孔７ａの開口径は限定されることは無いが、一例としてたとえば０．０１ｍｍ程度である。

　図２に示すように、キャリアガス供給口６ａは第一の空間１Ｓと接続されており、噴射口８およびミスト供給口５ａは第二の空間１Ｔに接続されている。キャリアガス供給口６ａから供給されたキャリアガスは、シャワープレート７の存在により、第一の空間１Ｓに拡散・充満するとともに、孔７ａを通って第二の空間１Ｔへと均一に導かれる。一方、ミスト供給口５ａから供給され第二の空間１Ｔで充満しているミストは、当該キャリアガスの流れに伴って、噴射口８へと導かれ、当該噴射口８から均一に噴射される。

　図２に示すミスト発生器２では、原料溶液配管４を通って、成膜される薄膜の原料を溶解させた原料溶液が供給される。ミスト発生器２では、当該供給された原料溶液をミスト状（霧化）にする。そして、キャリアガス配管３から搬送されるキャリアガスの流れに従って、ミスト発生器２は、霧化した原料であるミストを、ミスト配管５を通して、ミスト噴射用ノズル１内へと供給する。ここで、当該キャリアガスとして、たとえば、空気、窒素や不活性ガスなどを採用することができる。

　以上のように、本実施の形態に係る成膜装置では、ミスト噴射用ノズル１において、中空部１Ｈ内に多数の孔７ａを有するシャワープレート７を配設し、当該シャワープレート７よりもキャリアガスの下流側であり、噴射口８よりもキャリアガスの上流側に、ミスト供給口５ａが形成されている。

　したがって、第一の空間１Ｓ内に供給・拡散されたキャリアガスは、シャワープレート７を経ることにより、均一化されて、第二の空間１Ｔ内へと流れ込む。そして、第二の空間１Ｔ内に供給され滞留しているミストは、当該キャリアガスにより整流・均一化され、噴射口８へと伝搬され（押し流され）、均一化されたミストがキャリアガスと共に、噴射口８から基板１００に向けて噴出させることができる。このように、均一なミストを加熱状態の基板１００に吹き付けることにより、基板１００の上面には、所望の薄膜を均一に成膜することができる。

　さらに、上記のように、シャワープレート７の存在により、特許文献１に係る技術のように、ミスト配管５の開口面積や数およびミスト供給口５ａの開口面積や数を大きくしなくても、噴射口８から均一なミストを噴射することができる。したがって、ミスト配管５の開口面積や数およびミスト供給口５ａの開口面積や数を小さくでき、ミスト噴射用ノズル１周辺の構成の肥大化を防止することができる。よって、ミスト噴出用ノズル１周辺のメンテナンス性が向上し、ミスト噴出用ノズル１の組立も簡単となり、さらに製造コストも低減できる。

　なお、キャリアガスもシャワープレート７の存在により、キャリアガス配管６の開口面積や数およびキャリアガス供給口６ａの開口面積や数を小さくしても、第一の空間１Ｓに拡散されたキャリアガスを、第二の空間１Ｔ内に均一な状態で送り込むことが可能となる。

　また、図４に示すように、ミスト供給口５ａを、第二の空間１Ｔでなく、第一の空間１Ｓに接続される構成も考えられる。しかし、当該図４に示す構成を採用した場合には、シャワープレート７に穿設された孔７ａにおいて、ミストによる目詰まりが発生する可能性がある。

　これに対して、図２に示すように、シャワープレート７よりもキャリアガスの下流側に（つまり、第二の空間１Ｔに接続するように）ミスト供給口５ａを本体部１Ａに設けることにより、シャワープレート７に穿設された孔７ａにおいてミストによる目詰まりが発生することを防止できる。なお、当該図２の構成では、シャワープレート７に穿設された孔７ａには、キャリアガスが流れる。しかし、キャリアガスは「気体」であるので、当該孔７ａでキャリアガスによる目詰まりが発生することは無い。

　また、図４に示すように、噴射口８の開口幅（Ｘ方向の幅）を中空部１Ｈの幅（Ｘ方向の幅）よりも絞る構成を採用することにより、噴射口８から、より均一化したミストを噴射させることができる。

　＜実施の形態２＞
　本実施の形態では、シャワープレート７に形成された孔７ａの開口面積と、キャリアガス供給口６ａの開口面積との関係について説明する。

　つまり、本実施の形態では、シャワープレート７に形成された複数の孔７ａの開口面積の総和は、キャリアガス供給口６ａの開口面積よりも、小さい。ここで、キャリアガス供給口６ａが２つ以上ある場合には、孔７ａの開口面積の総和は、キャリアガス供給口６ａの開口面積の総和よりも、小さい。

　当該構成を採用することにより、第一の空間１Ｓにおいて、キャリアガスを拡散させつつ、シャワープレート７の孔７ａから均一な流量のキャリアガスを、第二の空間１Ｔ内へ送り出すことができる。

　＜実施の形態３＞
　本実施の形態に係る成膜装置の構成を、図５に示す。

　図５に示すように、本実施の形態では、ミスト配管５が省略されており、ミスト噴射用ノズル１には直接、ミスト発生器２が接続されている。

　図６に示すように、本体部１Ａの側面には、長方形のミスト供給口５ａが穿設されている。そして、図５に示すように、本体部１Ａの側面には直接、当該ミスト供給口５ａを塞ぐように、ミスト発生器２が接続されている。ここで、本体部１Ａとミスト発生器２とは、たとえばボルト等の締結手段を用いて、直接接続されている。

　なお、上記以外の構成は、実施の形態１に係る成膜装置と本実施の形態に係る成膜装置とは、同じである。

　本実施の形態では、ミスト発生器２でミスト化された原料溶液は、ミスト配管を介さず直接、キャリアガスに伝搬されてミスト噴射用ノズル１内部へと供給される。

　したがって、図２で示したミスト配管５を省略することができ、成膜装置の構成をより簡略化でき、当該成膜装置の製造コストの低減もより図ることができ、成膜装置の組立も簡易となる。

　また、図２に示す構成の場合には、ミスト発生器２で発生したミストをミスト配管５で絞られ、第二の空間１Ｔへと供給されるが、本実施の形態では、ミストを絞ること無く、ミスト発生器２で生成したミストを第二の空間１Ｔ内へと送り込むことができる。したがって、実施の形態１に係る構成と比較して、本実施の形態に係る構成の方が、ミストの供給効率をより向上させることができる。また、ミスト配管５の省略により、本実施の形態に係る成膜装置では、ミスト配管５におけるミストの凝縮等を発生することも、当然無くなる。

　なお、本実施の形態では、本体部１Ａに長方形（Ｙ方向に長い）ミスト供給口５ａを穿設することにより、複数のミスト配管を配設することなく、第二の空間１Ｔ内の広い範囲にミストを供給することができる。

　＜実施の形態４＞
　本実施の形態に係る成膜装置の構成を、図７に示す。

　図７に示すように、本実施の形態では、本体部１Ａに温度調整部が設けられている。なお、当該温度調整部９が設けられている以外の構成は、上記他の実施の形態に係る成膜装置と本実施の形態に係る成膜装置とは、同じである。

　図７に示す構成では、温度調整部９は、噴射口８周辺の本体部１Ａに形成されている。当該温度調整部９として、流路を採用することができる。当該流路に温度調整された流体を循環させることにより、中空部１Ｈ内の温度を調整することができる。ここで、当該温度調整は、中空部１Ｈ内でミストが凝集せず、当該中空部１Ｈ内でミストが反応、分解、成膜しない温度範囲で加熱または冷却が実施される。ここで、温度調整部９により調整される温度は、基板１００の加熱温度や、ミストの成分である薄膜の原料の種類によって変わる。

　ミストは、温度の低いミスト噴射用ノズル１の内壁に接触すると凝集することがある。当該ミストの凝集は、ミストの均一噴射を妨げ、またはミスト凝集液の基板１００上への落下などを引き起こす。また、ミスト噴射用ノズル１内部でのミストが凝集すると、薄膜の原料の使用効率が低下する。

　他方、ミスト噴射用ノズル１が高温になりすぎると、ミスト噴射用ノズル１内でミストの原料が分解・成膜し、あるいは分解しないまでもミストの溶媒が気化し原料が析出する。当該現象においても、ミストの均一噴射の妨げや薄膜の原料の使用効率の低下等を引き起こす。

　そこで、本実施の形態に係る成膜装置では、ミスト噴射用ノズル１は、温度調整部９を備えている。したがって、ミスト噴射用ノズル１内において、ミストが凝集せず、尚且つミストが気化・分解しない適切な温度に保つことができる。

　なお、図７の構成は、図５の構成に温度調整部９を付加した構成であったが、図２に示した構成において、上記と同じ態様で温度調整部９を付加する構成も、当然採用できる（図８参照）。

　また、図７，８の構成では、温度調整部９は、噴射口８周辺の本体部１Ａに形成されている。基板１００が加熱されるが、当該加熱の影響を、本体部１Ａの噴射口８付近が最も受ける。そこで、少なくとも、温度調整部９を噴射口８周辺の本体部１Ａに設けることにより、本体部１Ａの構造の複雑化（または拡大）を防止しつつ、中空部１Ｈ内部の温度（特に、噴射口８付近の温度）を適温（ミストの凝集、ミストの分解・析出等が発生しない温度範囲）に調整することができる。

　また、図９，１０に示すように、本体部１Ａの壁部全面（または、少なくとも第二の空間１Ｔに面する本体部１Ａの壁部全体）に、均一に温度調整部９を配設しても良い。当該９，１０に示す構成を採用することにより、中空部１Ｈ（または第二の空間１Ｔ）内全体の温度を、図７，８に示す構成よりも、より適温に調整することができる。つまり、図９，１０に示す構成では、中空部１Ｈにおけるミストの凝集・分解・析出等の減少を完全に防止できる。

　なお、上記では、温度調整部９の一例として温度調整された流体が流れることができる流路を列記したが、中空部１Ｈ内の温度調整が可能なものであれば他の構成（たとえば、ヒートパイプ、クールプレートやホットプレートなどの構成体）を採用することもできる。

　＜実施の形態５＞
　本実施の形態に係る成膜装置の構成を、図１１に示す。なお、図１１の構成をＺ方向から眺めた平面図を図１２に示す。なお、図１２では、図面簡略化の観点から、ミスト発生器２や各種配管３，４，６，１１等の図示を省略している。

　図１１，１２に示すように、本実施の形態に係る成膜装置は、ミスト噴射用ノズル１に加えて、反応促進ガス噴射用ノズル１０を備えている。ここで、図１１の構成例では、ミスト噴射用ノズル１として図７に示したノズルを例示している。ミスト噴射用ノズル１の構成については、上記までの各実施の形態で説明しているので、ここでの説明は省略する。

　図１１に示すように、基板１００に対する薄膜成膜の際に、ミスト噴射用ノズル１と同様に、反応促進ガス噴射用ノズル１０は基板１００の上方に配置される。そして、ミスト噴射用ノズル１が基板１００の上面に対してミストを噴射する一方で、反応促進ガス噴射用ノズル１０は、当該基板１００の上面に対して反応促進ガスを噴射する。ここで、反応促進ガスとは、成膜原料を含むミストの分解反応を促進するガスであり、活性ガスを採用できる。反応促進ガスの具体例としては、たとえば、オゾン、アンモニアまたは過酸化水素などが挙げられる。

　上記ミストおよび反応促進ガスの噴射を行いながら、たとえば基板１００を水平方向（図１２のＸ方向）に移動させる。また、後述するように、反応促進ガスの噴射口（第二の噴射口と把握できる）１３は、噴射したミストと噴射した反応促進ガスとは基板１００の上面付近で混合できるように、ミストの噴射口８と隣り合っている。前記ミストと前記反応促進ガスとの基板１００上面付近における混合を可能せしめるためには、噴射口８と噴射口１３とは、数ｍｍ程度の距離の範囲で隣り合っていることが好ましい。また、ミストの噴射方向と反応促進ガスの噴射方向とが基板１００上面付近で交差するような形状を、噴射口８および／または噴射口１３は有していることが望ましい。

　なお、ミストおよび反応促進ガス噴射の際において、基板１００の上面から噴射口８までの距離および基板１００の上面から噴射口１３までの距離は共に、同じであることが好ましく、当該距離は、数ｍｍ（たとえば、１～２ｍｍ程度）である。また、ミストの噴射力（ミストの噴射流量）と反応促進ガスの噴射力（反応促進ガスの噴射流量）とは、たとえば同じである（なお、ミストの噴射力（ミストの噴射流量）と反応促進ガスの噴射力（反応促進ガスの噴射流量）とは異なっていても良い）。

　図１１に示すように、反応促進ガス噴射用ノズル１０は、中空部１０Ｈを有する本体部１０Ａにより構成されている。本体部１０Ａは、図１１，１２に示すように、Ｘ方向の幅が短く（たとえば、数ｃｍ程度）、Ｙ方向の奥行きが長く（Ｙ方向のミスト噴射用ノズル１の寸法と同じであり、たとえば１ｍ以上）、Ｚ方向の高さは、特に限定されないが、図１１の構成例では、ミスト噴射用ノズル１のＺ軸方向の高さよりも低くなっている、略直方体の概略外観を有する。

　図１１に示すように、本体部１０Ａには、噴射口１３および反応促進ガス供給口１１ａが穿設されている。

　噴射口１３は、本体部１０Ａ内部の反応促進ガスを、基板１００に向けて噴射する、反応促進ガスの出口となる。したがって、噴射口１３は、反応促進ガス噴射の際に、基板１００の上面（薄膜形成面）に面する本体部１０Ａの面に形成されている。つまり、噴射口１３は、本体部１０Ａの下面側に形成されている。噴射口１３のＸ方向の幅は、本体部１０Ａの中空部１０ＨのＸ方向の幅よりも狭くなっている。たとえば、噴射口１３のＸ方向の幅は、１～２ｍｍ程度である。また、噴射口１３の開口形状は、スリット状であり、噴射口１３のＹ方向の寸法は、噴射口８のＹ方向の寸法と同じである。そして、Ｙ方向における噴射口１３の両端には、薄厚の本体部１０Ａが存在している。

　図１１に例示する構成例では、反応促進ガス供給口１１ａは、本体部１０Ａの噴射口１３に対向する面（つまり、本体部１０Ａの上面側）に設けられている（なお、反応促進ガス供給口１１ａは本体部１０Ａの側面側に配設されていても良い）。当該反応促進ガス供給口１１ａは、反応促進ガス噴射用ノズル１０の外側から反応促進ガスを本体部１０Ａの中空部１０Ｈ内へ供給する、反応促進ガスの入口となる。図１１に示すように、反応促進ガスは、反応促進ガス配管１１を通って、反応促進ガス供給口１１ａに到達し、当該反応促進ガス供給口１１ａから本体部１０Ａの内部に供給される。

　ここで、反応促進ガス供給口１１ａの数は、１個であっても良く、本体部１０Ａの上面において、Ｙ方向に沿って２個以上設けられていても良いが、反応促進ガス噴射用ノズル１０の構成簡略化の観点から、反応促進ガス供給口１１ａの数は少ない方が好ましい。また、反応促進ガス供給口１１ａの数に合わせて、当然、各反応促進ガス供給口１１ａと接続する、反応促進ガス配管１１が各々配設される。

　また、反応促進ガス供給口１１ａの開口面積および反応促進ガス配管１１の開口面積は大きすぎると、構成拡大の原因となる。したがって、シャワープレート７１に穿設された孔７１ａの総開口面積よりも反応促進ガス供給口１１ａの総開口面積が大きくなることが望ましく、当該関係を満たす範囲で、反応促進ガス供給口１１ａの開口面積はできる限り小さい方が好ましい。

　また、反応促進ガス噴射用ノズル１０には、シャワープレート７１が配設されている。図１１に示すように、シャワープレート７１は、本体部１０Ａの中空部１０Ｈ内に配設されている。また、図１１にから分かるように、シャワープレート７１により当該中空部１０Ｈは、二つの空間１０Ｓ，１０Ｔに分割される。つまり、中空部１０Ｈ内において、シャワープレート７１は、第一の空間１０Ｓと第二の空間１０Ｔとを仕切っている。なお、シャワープレート７１の平面形状（孔７１ａの形成状態も含めて）は、図３で示したシャワープレート７の平面形状と同じである。

　シャワープレート７１は、薄厚のプレートであり、たとえばステンレス製のものを採用できる。図３に示したように、シャワープレート７１には複数の孔７１ａが均等に穿設されている。各孔７１ａは、シャワープレート７１の厚さ方向に貫通している。なお、孔７１ａを通るのは「気体」である反応促進ガスである。したがって、各７１ａの開口径は、微小にできる。各孔７１ａの開口径は限定されることは無いが、一例としてたとえば０．０１ｍｍ程度である。

　図１１に示すように、反応促進ガス供給口１１ａは第一の空間１０Ｓと接続されており、噴射口１３は第二の空間１０Ｔに接続されている。反応促進ガス供給口１１ａから供給された反応促進ガスは、シャワープレート７１の存在により、第一の空間１０Ｓに拡散・充満するとともに、孔７１ａを通って第二の空間１０Ｔへと均一に導かれる。そして、孔７１ａを通った反応促進ガスは、均一な整流を維持しながら第二の空間１０Ｔ内を伝搬し、噴射口１３へと導かれ、当該噴射口１３から均一に噴射される。

　反応性が高いガスである反応促進ガスを使用すると、原料（ミスト）の分解反応を促進することができるため、低温で高品質な薄膜を基板１００に対して成膜でき、有益である。たとえば、ミスト噴射用ノズル１内で、ミストと反応促進ガスとを混合する構成も採用することは可能である。しかしながら、反応促進ガスの反応性の高さから、ミスト噴射用ノズル１内でミストが分解される。当該ミストの分解は、噴射するミストの均一性悪化や原料（ミスト）使用効率悪化（つまり、基板１００に薄膜を成膜する際に、多くの原料が必要となる）に繋がる。

　そこで、本実施の形態に係る成膜装置では、反応促進ガス噴射用ノズル１０をさらに備えている。そして、反応促進ガス噴射用ノズル１０は反応促進ガスを噴射する噴射口１３を備えており、当該噴射口１３は、ミストを噴射する噴射口８と隣り合って配設されている。

　したがって、本実施の形態に係る成膜装置では、ミスト噴射用ノズル１外である基板１００の上面付近において、ミストと反応促進ガスとを混合させることができる。これにより、ミストの均一性悪化や原料使用効率悪化等の問題を発生させることなく、ミストの分解反応が促進される。

　なお、図１１の構成では、反応促進ガス噴射用ノズル１０は、図７に示したミスト噴射用ノズル１に隣接させていた。しかしながら、本実施の形態に係る反応促進ガス噴射用ノズル１０は、上記までで説明した他の形態（構成）のミスト噴射用ノズル１（図２、図５、図８、図９および図１０などで図示した、各ミスト噴射用ノズル１）に隣接させても良い。

　＜実施の形態６＞
　本実施の形態に係る成膜装置の構成を、図１３に示す。なお、図１３の構成をＺ方向から眺めた平面図を図１４に示す。なお、図１４では、図面簡略化の観点から、ミスト発生器２や各種配管３，４，６，１１，１５等の図示を省略している。

　図１３，１４に示すように、本実施の形態に係る成膜装置は、ミスト噴射用ノズル１および反応促進ガス噴射用ノズル１０に加えて、排気ノズル１４を備えている。ここで、図１３の構成例では、ミスト噴射用ノズル１として図７に示したノズル、反応促進ガス噴射用ノズル１０として図１１で示したノズルを例示している。ミスト噴射用ノズル１および反応促進ガス噴射用ノズル１０の構成については、上記までの各実施の形態で説明しているので、ここでの説明は省略する。

　図１３に示すように、基板１００に対する薄膜成膜の際に、ミスト噴射用ノズル１および反応促進ガス噴射用ノズル１０と同様に、排気ノズル１４は基板１００の上方に配置される。そして、ミスト噴射用ノズル１が基板１００の上面に対してミストを噴射し、反応促進ガス噴射用ノズル１０が基板１００の上面に対して反応促進ガスを噴射する一方で、排気ノズル１４は、当該基板１００の上方の領域の吸引（排気）を行う。

　上記ミストおよび反応促進ガスの噴射を行い、排気処理をも行いながら、たとえば基板１００を水平方向（図１４のＸ方向）に移動させる。また、排気ノズル１４の排気口１６を起点として、一方向（図１３，１４ではＸ方向）に、排気口１６、反応促進ガスの噴射口１３およびミストの噴射口８が隣り合っている。

　なお、ミストおよび反応促進ガス噴射および排気処理の際において、基板１００の上面から噴射口８までの距離、基板１００の上面から噴射口１３までの距離、および基板１００の上面から排気口１６までの距離は共に、同じであることが好ましく、当該距離は、数ｍｍ（たとえば、１～２ｍｍ程度）である。また、ミストの噴射力（ミストの噴射流量）と反応促進ガスの噴射力（反応促進ガスの噴射流量）と排気力（排気流量）とは、たとえば同じである。

　図１３に示すように、排気ノズル１４は、中空部１４Ｈを有する本体部１４Ａにより構成されている。本体部１４Ａは、図１３，１４に示すように、Ｘ方向の幅が短く（たとえば、数ｃｍ程度）、Ｙ方向の奥行きが長く（Ｙ方向のミスト噴射用ノズル１およびＹ方向の反応促進ガス噴射用ノズル１０の寸法と同じであり、たとえば１ｍ以上）、Ｚ方向の高さは、特に限定されないが、図１３の構成例では、ミスト噴射用ノズル１のＺ軸方向の高さよりも低くなっており、反応促進ガス噴射用ノズル１０のＺ軸方向の高さと同じである。当該本体部１４Ａも略直方体の概略外観を有する。

　図１３に示すように、本体部１４Ａには、排気口１６および排気配管接続部１５ａが穿設されている。

　排気口１６は、少なくとも、基板１００上面と各ノズル１，１０，１４との間に生成される空間に存する気体・液体・固体を、本体部１４Ａ内に吸引する。したがって、排気口１６は、排気処理の際に、基板１００の上面（薄膜形成面）に面する本体部１４Ａの面に形成されている。つまり、排気口１６は、本体部１４Ａの下面側に形成されている。

　排気口１６のＸ方向の幅は、本体部１４Ａの中空部１４ＨのＸ方向の幅よりも狭くなっている。たとえば、排気口１６のＸ方向の幅は、１～２ｍｍ程度である。また、排気口１６の開口形状は、スリット状であり、排気口１６のＹ方向の寸法は、噴射口８および噴射口１３のＹ方向の寸法と同じである。そして、Ｙ方向における排気口１６の両端には、薄厚の本体部１４Ａが存在している。

　排気配管接続部１５ａは、本体部１４Ａの排気口１６に対向する面（つまり、本体部１４Ａの上面側）に設けられている。排気口１６が吸引した固体・液体・気体は、排気配管接続部１５ａから排気配管１５を介して、排気ノズル１４の外側で、基板１００から離れた場所へと排気される。

　ここで、排気配管接続部１５ａの数は、１個であっても良く、本体部１４Ａの上面において、Ｙ方向に沿って２個以上設けられていても良いが、排気ノズル１４の構成簡略化の観点から、排気配管接続部１５ａの数は少ない方が好ましい。また、排気配管接続部１５ａの数に合わせて、当然、各排気配管接続部１５ａと接続する、排気配管１５が各々配設される。

　また、排気配管接続部１５ａの開口面積および排気配管１４の開口面積は大きすぎると、構成拡大の原因となるので、可能な限り小さくできる方が好ましい。

　本実施の形態に係る成膜装置では、排気ノズル１４をさらに備えている。したがって、ミスト噴射用ノズル１から噴射されたミストおよび反応促進ガス噴射用ノズル１０から噴射された反応促進ガスが、当該排気ノズル１４へと流れる均一な流れ（つまり、基板１００の上面と平行な水平方向（Ｘ方向）に流れる均一な流れ）を作り出すことができる。これにより、当該流れの経路の基板１００の上方において、ミストと反応促進ガスとの混合を促進させることができる。

　上記ミストと反応促進ガスとの混合の促進を図るためには、図１３に示すように、排気口１６を起点として、一方向（図１３では右方向）に沿って、排気口１６、噴射口１３および噴射口８が隣り合っていることが必要である。

　つまり、排気口１６の一方側（たとえば図１３の右側または左側）に噴射口８のみを配設し、排気口１６の他方側（図１３の左側または右側）に噴射口１３のみを配設する構成は、当該混合促進の観点からは望ましくない。これでは、一方の噴射口８（または１３）から排気口１６に至る経路において、他方の噴射口１３（または８）が存在しないこととなり、ミストと反応促進ガスとの混合が抑制される。

　また、図１３では、排気口１６、噴射口１３および噴射口８は、当該順に隣り合っているが、排気口１６、噴射口８および噴射口１３が当該順に隣り合っていても良い。

　また、上述したように、排気口１６の一方側（たとえば図１３の右側または左側）に噴射口８のみを配設し、排気口１６の他方側（図１３の左側または右側）に噴射口１３のみを配設する構成は、当該混合促進の観点からは望ましくない。しかしながら、次の構成では、ミストと反応促進ガスとの混合が促進されるので、採用できる。つまり、排気口１６の一方側（たとえば図１３の右側）に噴射口８と噴射口１３とのワンセットを隣接させて配設し、排気口１６の他方側（図１３の左側）に同じく噴射口８と噴射口１３とのワンセットを配設する構成は、採用できる。当該構成においても、排気口１６を起点として、一方向に、排気口１６、噴射口８および噴射口１３が隣り合っている構成が実現されるからである。

　また、図１３の構成と異なるが、当該図１３の構成において反応促進ガス噴出ノズル１０を省略しても良い。当該構成では、噴射口８および排気口１６のみが隣り合って配設される。

　ミストは、ミスト噴射用ノズル１から噴出した直後は図１３のＺ軸方向に均一化されているが、その後基板１００との衝突などにより均一性が悪化し得る。当該均一性の悪化は、基板１００上面に成膜される薄膜の不均一性の要因となる。そこで、図１３において噴射口８と排気口１６とを隣り合わせて配置させることにより、基板１００の上面と平行な水平方向（Ｘ－Ｙ方向）において、ミストを一様（均一に）に吸引することができる。つまり、排気口１６による吸引により、ミスト噴射用ノズル１から噴射したミストを、排気口１６に至るＸ－Ｙ水平方向において均一に流す流れを生成できる。したがって、基板１００上面に成膜される薄膜の均一性向上を図ることができる。

　なお、図１３の構成では、図７に示したミスト噴射用ノズル１を用いて構成されていた。しかしながら、本実施の形態に係るミスト噴射用ノズル１として、上記までで説明した他の形態（構成）のミスト噴射用ノズル１（図２、図５、図８、図９および図１０などで図示した、各ミスト噴射用ノズル１）を採用しても良い。

　また、排気ノズル１４の排気力が強すぎると、基板１００上面におけるミストの反応分解が、少なくなる。他方、排気ノズル１４の排気力が弱すぎると、当該排気ノズル１４に至るミストの流れの均一性が向上しない。そこで、ミストの反応分解効率の向上およびミストの流れの均一性の向上の観点から、排気ノズル１４の排気力は、ミスト噴射用ノズル１の噴射力と同じであることが望ましい。

　＜実施の形態７＞
　本実施の形態に係る成膜装置の構成を、図１５に示す。

　図１５に示すように、本実施の形態に係る成膜装置は、図１３に示した構成に加えて、二つ目のミスト噴射用ノズル１を備えている。つまり、本実施の形態では、複数のミスト噴射用ノズル１を備えている。

　ミスト噴射用ノズル１の数が増えた以外は、図１５に示す構成と図１３で示した構成とは同じである。また、図１５の構成例では、ミスト噴射用ノズル１として図７に示したノズルを例示している。したがって、各ノズル１，１０，１４の構成は、上記までの各実施の形態で説明しているので、ここでの説明は省略する。

　図１５の構成では、各噴射口８，１３および排気口１６は、隣り合って配置されている。ここで、実施の形態６で説明したように、本実施の形態においても、排気ノズル１４の排気口１６を起点として、一方向（図１５ではＸ方向）に、排気口１６、反応促進ガスの噴射口１３および二つのミストの噴射口８が隣り合っている。

　本実施の形態に係る成膜装置では、複数のミスト噴射用ノズル１を備えている。したがって、基板１００に２種類以上のミストを別々に噴射することができる。

　たとえば、一方のミスト噴射用ノズル１から、成膜される薄膜の原料を含む原料ミストを噴射し、他方のミスト噴射用ノズル１から、ミストの反応促進効果のある液体（たとえば過酸化水素水）から成るミストを噴射することができる。これにより、図１３の構成よりも、薄膜原料を含むミストの基板１００上面における反応・分解が促進させることができる。

　または、成膜される薄膜の原料が２種類上の元素から構成される場合、各元素毎に、当該元素を含むミストを、基板１００に対して別々に噴射させることができる。たとえば、原料溶液をミスト化しミストを生成するが、当該原料溶液には、当然溶媒が必要となる。ここで、一方の元素に適する溶媒が、他方の元素に適さない溶媒であることなどがある。このようなケースでは、本実施の形態に係る成膜装置を適用し、各ミスト噴射ノズル１から別々に異なる元素を含むミストを噴射させ、基板１００上面で各ミストを混合させる構成が望まれる。

　または、たとえば、２種類以上の固体を含むミストを基板１００上面に噴射させる場合において、一つのミスト噴射用ノズル１のみを用いて、当該ミストを噴射させることもできる。しかしながら、当該構成を採用したときには、ミスト噴射用ノズル１内部で２種類の固体が混合し、反応を行うこともケースもあり得る。当該ミスト噴射用ノズル１内部での異なる固体同士の反応は、薄膜の不均一性や原料使用効率の悪化などを引き起こす。そこで、本実施の形態に係る成膜装置を適用することにより、各ミスト噴射用ノズル１内部には、１種類の固体のみから成るミストのみを存在させることができ、前記の問題は解決する。

　また、図１５では、排気口１６の右隣において、噴射口１３および一方の噴射口８および他方の噴射口８が、当該順に隣り合っているが、一方の噴射口８と他方の噴射口８との間に噴射口１３を配置させても良い。

　また、図１５に示す、複数の噴射口８と噴射口１３とをワンセットして、排気口１６の一方側（たとえば図１５の右側）に当該ワンセットを隣接させて配設し、排気口１６の他方側（図１５の左側）に他の当該ワンセットを配設する構成を、採用しても良い。当該構成においても、排気口１６を起点として、一方向に、排気口１６、各噴射口８および噴射口１３が隣り合っている構成が実現されるからである。

　また、図１５の構成において、当該図１３の構成において反応促進ガス噴出ノズル１０および／または排気ノズル１４を省略しても良い。

　なお、図１５の構成では、各ミスト噴射用ノズル１は、図７に示した構成を有していた。しかしながら、各ミスト噴射用ノズル１としては、上記までで説明した他の形態（構成）のミスト噴射用ノズル１（図２、図５、図８、図９および図１０などで図示した、各ミスト噴射用ノズル１）を採用しても良い。また、各ミスト噴射用１は、各々異なる構成のものを採用しても良い。

　また、図１５の構成例では、２つのミスト噴射用ノズル１が図示されている。しかしながら、ミスト噴射用ノズル１は、３以上あっても良い。これにより、基板１００に噴射するミストのバリエーションが増える。

　この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

　１　ミスト噴射用ノズル
　１Ａ，１０Ａ，１４Ａ　本体部
　１Ｈ，１０Ｈ，１４Ｈ　中空部
　１Ｓ，１０Ｓ　第一の空間
　１Ｔ，１０Ｔ　第二の空間
　２　ミスト発生器
　３，６　キャリアガス配管
　４　原料溶液配管
　５　ミスト配管
　５ａ　ミスト供給口
　６ａ　キャリアガス供給口
　７，７１　シャワープレート
　７ａ，７１ａ　孔
　８，１３　噴射口
　９　温度調整部
　１０　反応促進ガス噴射用ノズル
　１１　反応促進ガス配管
　１１ａ　反応促進ガス供給口
　１４　排気ノズル
　１５　排気配管
　１５ａ　排気配管接続部
　１６　排気口
　１００　基板

Claims

　成膜の原料となるミストを発生するミスト発生器（２）と、
　前記ミスト発生器で発生した前記ミストを、膜の成膜が行われる基板へと噴射するミスト噴射用ノズル（１）とを、
備えており、
　前記ミスト噴射用ノズルは、
　中空部（１Ｈ）を有する本体部（１Ａ）と、
　前記本体部に形成され、前記ミスト発生器で発生した前記ミストを前記中空部内に供給するミスト供給口（５ａ）と、
　前記本体部に形成され、前記中空部の前記ミストを外部に噴射する第一の噴射口（８）と、
　前記本外部に形成され、前記ミストを前記第一の噴射口へと運ぶキャリアガスを前記中空部内に供給する、少なくとも１つ以上のキャリアガス供給口（６ａ）と、
　前記中空部内に配置され、複数の孔（７ａ）が形成されたシャワープレート（７）とを、
備えており、
　前記中空部は、
　前記シャワープレートの配設により、前記キャリアガス供給口と接続される第一の空間（１Ｓ）と、前記第一の噴射口に接続される第二の空間（１Ｔ）とに分割され、
　前記ミスト供給口は、
　前記第二の空間に接続されるように、前記本体部に形成されている、
ことを特徴とする成膜装置。
　前記シャワープレートに形成された前記複数の孔の開口面積の総和は、
　前記キャリアガス供給口の開口面積の総和よりも、小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
　前記ミスト供給口には、
　前記ミスト発生器で発生した前記ミストを、前記中空部内へと運ぶミスト配管（５）が接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
　前記本体部には直接、
　前記ミスト供給口を塞ぐように、前記ミスト発生器が接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
　前記ミスト噴射用ノズルは、
　少なくとも前記第一の噴射口周辺の前記本体部に形成され、前記中空部の温度調整が可能な温度調整部（９）を、
さらに備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
　前記温度調整部は、
　前記ミストガス噴射用ノズルの前記本体部の全体に渡って配設されている、
ことを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
　前記ミストの分解反応を促進する反応促進ガスを噴射する第二の噴射口（１３）を有する、反応促進ガス噴射用ノズル（１０）を、
さらに備えており、
　前記第一の噴射口と前記第二の噴射口とは、
　隣り合っている、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
　排気口（１６）を有する排気ノズル（１４）を、
さらに備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
　前記ミストの分解反応を促進する反応促進ガスを噴射する第二の噴射口（１３）を有する、反応促進ガス噴射用ノズル（１０）を、
さらに備えており、
　前記排気口を起点として一方向に、前記排気口と前記第一の噴射口と前記第二の噴射口とが、隣り合っている、
ことを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。
　前記排気ノズルの排気力は、
　前記ミスト噴射用ノズルの噴射力と同じである、
ことを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。
　前記ミスト噴射用ノズルは、
　２つ以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。