WO2012096354A1 - 高周波モジュール - Google Patents

高周波モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2012096354A1
WO2012096354A1 PCT/JP2012/050524 JP2012050524W WO2012096354A1 WO 2012096354 A1 WO2012096354 A1 WO 2012096354A1 JP 2012050524 W JP2012050524 W JP 2012050524W WO 2012096354 A1 WO2012096354 A1 WO 2012096354A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
frequency module
electrode
substrate
component
high frequency
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/050524
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
祐司 町田
Original Assignee
ミツミ電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ミツミ電機株式会社 filed Critical ミツミ電機株式会社
Priority to US13/978,620 priority Critical patent/US20130300614A1/en
Priority to CN2012800051939A priority patent/CN103299551A/zh
Priority to EP12734724.3A priority patent/EP2651041A4/en
Publication of WO2012096354A1 publication Critical patent/WO2012096354A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module that receives a high-frequency signal.
  • a conventional high-frequency module there is known a structure in which a component is mounted on one side of a substrate and the mounting surface of the component is covered with a metallic shield case.
  • electrodes for connecting the high-frequency module to the communication device body are formed on the back surface of the component mounting surface.
  • the conventional high-frequency module there is known a configuration in which components are mounted on both surfaces of a substrate and the component mounting portion is covered with a metallic shield case.
  • pins for connecting the communication device main body and the high-frequency module are formed on the substrate outside the shield case, and the wiring pattern on the substrate and the pins are connected.
  • the above-described single-sided and double-sided high-frequency modules have a configuration in which the substrate is covered with a shield case, which is inconvenient in reducing the thickness of the high-frequency module.
  • Patent Document 1 describes a circuit module in which a resin mold layer and a metal layer are formed without using a metal case.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a high-frequency module that can contribute to a reduction in thickness while reducing manufacturing steps and costs.
  • the present invention employs the following configuration in order to achieve the above object.
  • the present invention mounts the component (112) mounted on one surface (110B) of the substrate (110), the component (112) formed on the one surface (110B), and the high-frequency module (100).
  • a high-frequency module (100) having an electrode (116) for connecting to a device to be connected and a first insulating layer (114) formed on the one surface (110B) so as to cover the component (112) Because The electrode (116) is formed such that at least a part of the electrode (116) is continuous with the first insulating layer (114) on the surface of the first insulating layer (114).
  • the high frequency module of the present invention includes a component (111) mounted on the other surface (110A) of the substrate (110), A second insulating layer (113) formed to cover the component (111) mounted on the other surface (110A).
  • an antenna pattern (119) for receiving a high frequency signal is formed on the surface of the second insulating layer (113).
  • an antenna pattern (119) for receiving a high frequency signal is formed on the other surface (110A) of the substrate (110).
  • the electrodes for connecting the communication device main body and the high frequency module can also be formed on the back surface of the mounting surface of the substrate of the high frequency module configured as described above, the high frequency module can be directly connected to the substrate of the communication device main body. .
  • FIGS. 10A and 10B are diagrams illustrating an example of a high-frequency module.
  • FIG. 10A is a diagram illustrating an outline of a cross section of the high frequency module 10
  • FIG. 10B is a diagram illustrating an outline of a cross section of the high frequency module 20.
  • the substrate 11 has a mounting portion 11A for mounting the component 12 and an electrode forming portion 11B on which the electrode 13 for mounting the high frequency module 10 on the communication device body is formed. Can be formed.
  • a space 14 is provided between the communication device main body and the substrate 11 by forming the electrode forming portion 11 ⁇ / b> B, and the components 12 can be mounted on both surfaces of the substrate 11 using this space 14.
  • the resin mold layer 15 that covers the component 12 can be formed on both surfaces of the substrate 11. At this time, the thickness of the resin mold layer 15 can be made thinner than the height H ⁇ b> 1 of the space 14.
  • components 22 can be mounted on both sides of the substrate 21 in the high-frequency module 20 of FIG.
  • solder balls 23 serving as electrodes for connecting the high-frequency module 20 and the communication device main body can be formed on the substrate 21 on the surface connected to the communication device main body.
  • a space 24 is provided between the communication device main body and the substrate 21, and the components 22 can be mounted on both surfaces of the substrate 21 using the space 24.
  • a resin mold layer 25 that covers the component 22 can be formed on both surfaces of the substrate 21. The thickness of the resin mold layer 25 is thinner than the height H ⁇ b> 2 of the space 24.
  • the high frequency modules 10 and 20 can both have a shield layer formed on the resin mold layer.
  • the high frequency module using the resin mold layer it is possible to mount components on both sides of the substrate and connect the high frequency module directly to the substrate of the communication device main body.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the high-frequency module according to the first embodiment.
  • the high-frequency module 100 of the present embodiment is configured by sealing an electronic component mounted on a circuit board with a resin or the like.
  • the high-frequency module 100 according to the present embodiment is mounted on a communication device that performs wireless communication.
  • the high-frequency module 100 is mounted on a wireless LAN (Local Area Network) device, a one-segment tuner device, a GPS (Global Positioning System) device, or the like.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the high frequency module taken along the line AA.
  • the high-frequency module 100 of this embodiment electronic components 111 and 112 are mounted on one surface 110A and the other surface 110B of the circuit board 110, respectively.
  • the circuit board 110 of the present embodiment is made of, for example, ceramic or epoxy resin.
  • a resin mold layer 113 that is an insulating layer that covers the electronic component 111 mounted on the surface 110A and a resin mold layer 114 that is an insulating layer that covers the electronic component 112 mounted on the surface 110B are formed.
  • the terminal 115 and the electrode 116 for drawing the terminal 115 out of the resin mold layer 114 are formed on the surface 110B side.
  • the surfaces of the resin mold layers 113 and 114 are preferably shield layers that shield the influence of noise and the like.
  • the terminal 115 is connected to the electronic components 111 and 112 mounted on the substrate 110.
  • the electrodes 116 are arranged so as to be connected to the substrate on the communication device side, so that the electronic components 111 and 112 mounted on the substrate 110 and the communication device side are arranged. These circuits can be connected through the terminal 115 and the electrode 116.
  • the electronic components 111 and 112 mounted on the surface 110A and the surface 110B are connected to the terminal 115 by a wiring pattern formed on the surface 110A and the surface 110B.
  • FIG. 3A to 3D are views for explaining a method for manufacturing the high-frequency module of the first embodiment.
  • FIG. 3A is a diagram for explaining the surface 110 ⁇ / b> A and the surface 110 ⁇ / b> B of the substrate 110 in the high-frequency module 100.
  • the electronic component 111 mounted on the surface 110A may be a component including, for example, a crystal oscillator.
  • the electronic component 112 mounted on the surface 110B may be a component related to communication, a power supply circuit of the high-frequency module 100, or the like.
  • the electronic component 112 is sealed between the surface 110B and the substrate of the communication device when the high-frequency module 100 is mounted on the communication device. Therefore, the improvement of the shielding effect with respect to the electronic component 112 can be expected.
  • the surface 110A is sealed with a mold resin to form a resin mold layer 113 that covers the electronic component 111. Also, the surface 110B is sealed with mold resin to form a resin mold layer 114 that covers the electronic component 112 and the terminal 115.
  • 3B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 3A.
  • a hole 117 reaching the terminal 115 is formed in a region 115 ⁇ / b> A overlapping the terminal 115 on the surface of the resin mold layer 114.
  • a copper paste is injected into the hole 117 using a mask to form the electrode 116.
  • the copper paste is injected into the hole 117 formed in the resin mold layer 114 to form the electrode 116. Therefore, in the high frequency module 100 of this embodiment, as shown in FIG. 2, the resin mold layer 114 and the electrode 116 are formed in a continuous state.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the separation of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • the electrodes 116 for connecting to the communication device are mounted on the surface of the resin mold layer 114 while mounting the electronic components 111 and 112 on both surfaces of the substrate 110. Can be formed. Therefore, when the high frequency module 100 is mounted on the communication device main body, the electronic components 111 and 112 in the high frequency module 100 and the communication circuit side are simply disposed so that the surface on which the electrode 116 is formed contacts the substrate of the communication device. Can be connected to the circuit.
  • the electronic components 111 and 112 are mounted on both surfaces of the substrate 110 and the electrodes 116 continuous with the resin mold layer 114 are formed. For this reason, in the high frequency module 100 of this embodiment, the process which provides the space for double-sided mounting between the communication apparatus main body and the board
  • the high-frequency module 100 according to the present embodiment does not need to use a metal shield case, and can be mounted on both sides. Therefore, the high-frequency module 100 as a whole can be reduced in size and thickness.
  • the second embodiment of the present invention is different from the first embodiment only in that an electrode for drawing out the terminal 115 to the surface of the resin mold layer 114 is previously mounted on the substrate. Therefore, in the following description of the second embodiment, the same reference numerals as those used in the description of the first embodiment are assigned to those having the same functional configuration as the first embodiment, and the description thereof is omitted. To do.
  • FIG. 5A to FIG. 5C are diagrams for explaining a method of manufacturing the high-frequency module according to the second embodiment.
  • a component that becomes the electrode component 116 ⁇ / b> A is mounted in advance on the substrate 110.
  • an electrode component 116A is mounted on the surface 110B of the present embodiment at a position where the terminal 115 is formed. Details of the shape of the electrode component 116A will be described later.
  • mold resin sealing is performed on the surface 110A in this state, and the resin mold layer 113 is formed so as to cover the electronic component 111.
  • the surface 110B is also sealed with mold resin to form a resin mold layer 114A so as to cover the electronic component 112.
  • the resin mold layer 114A is formed by sheet molding so that the electrode component 116A protrudes from the resin mold layer 114A by several tens of micrometers.
  • 5B is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 5A.
  • FIG. 5C is a bottom view of FIG. 5B as viewed from below.
  • FIGS. 6A to 6E are views for explaining electrode parts of the high-frequency module according to the second embodiment. 6A to 6E are shown in a state where the top and bottom are turned upside down as compared with FIG.
  • FIG. 6A is a first view showing an example of the electrode component 116A.
  • the electrode component 116A has a quadrangular cross section.
  • the electrode component 116A is provided on the substrate 110 with a solder surface 115A. It is joined by.
  • the electrode component 116B in FIG. 6B has, for example, an H shape with a recess 118A formed in the cross section. With this shape, the mold resin flows into the indentation 118A when the resin mold layer 114A is formed. Therefore, for example, when the high frequency module 100A is mounted on the communication device by reflow, the electrode part 116B is dropped or the electrode part 116B is misplaced due to melting of the solder surface 115A that joins the electrode part 116B and the face 110B. Can be prevented.
  • the electrode component 116C in FIG. 6C has a configuration having a convex portion 118B.
  • the electrode component 116D in FIG. 6D has a configuration having a semicircular recess 118C in the cross section.
  • the electrode component 116E shown in FIG. 6E is composed of solder balls.
  • the shape of the electrode component is such that the area where the electrode component and the resin mold layer 114A are in contact with each other is increased.
  • the high-frequency module 100A forms the resin mold layer 114A after mounting the electronic component 112 and the electrode component on the surface 110B, and therefore, between the communication device main body and the substrate 110. There is no need to provide a space, and the manufacturing process and cost can be reduced.
  • the side surfaces of the electrode parts 116B to 116E are in contact with the side surfaces of the resin mold layer 114A (first insulating layer) while being in contact with the side surfaces of the resin mold layer 114A (first insulating layer).
  • the high-frequency module 100A does not need to use a metal shield case and can be mounted on both sides, so that the high-frequency module 100 as a whole can be reduced in size and thickness.
  • a third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
  • the third embodiment of the present invention is different from the first embodiment in that the high-frequency module and the antenna are integrally formed. Therefore, in the following description of the third embodiment, the same reference numerals as those used in the description of the first embodiment are assigned to those having the same functional configuration as the first embodiment, and the description thereof is omitted. To do.
  • FIG. 7 is a first diagram illustrating the high-frequency module according to the third embodiment.
  • an antenna 119 and a surface layer pattern 120 for connecting the terminal 115 and the antenna 119 are formed on the surface of the resin mold layer 113.
  • the antenna 119 and the surface layer pattern 120 are formed on the high-frequency module 100 of the first embodiment, but the antenna 119 and the surface layer pattern 120 are similarly formed on the high-frequency module 100A of the second embodiment. And can be formed.
  • FIG. 8 is a second diagram illustrating the high-frequency module according to the third embodiment.
  • the antenna 119 and the surface layer pattern 120 are formed on the surface 110 ⁇ / b> A of the substrate 110 together with the electronic component 111.
  • the configuration of FIG. 8 is also applied to a form in which the electrode component 116A is mounted on the surface 110B of the substrate 110.
  • the antenna 119 and the surface layer pattern 120 of the present embodiment may be formed, for example, in the manufacturing process of the high frequency module 100C.
  • the antenna 119 and the surface layer pattern 120 may be formed in a lump when a plurality of high-frequency modules 100 ⁇ / b> C are grouped.
  • the fourth embodiment of the present invention shows a mode in which a high-frequency module is mounted on a communication device in a state where the high-frequency module is joined to a connector.
  • those having the same functional configuration as those of the first embodiment are given the same reference numerals as those used in the description of the first embodiment, and the description thereof is omitted.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the high-frequency module according to the fourth embodiment.
  • the high frequency module 100 is accommodated in the connector 200 mounted on the board of the communication device.
  • the connector 200 is formed with pins 210 and electrodes 220.
  • the electrode 116 is in pressure contact with the pin 210, and the high frequency module 100 and the connector 200 are connected.
  • the electrode 220 is formed integrally with the pin 210 and is connected to the electrode 116 via the pin 210.
  • the high-frequency module 100 can be accommodated in the connector 200 in this way, it is possible to cope with a case where a connector connection of the high-frequency module is required, for example, as authentication for receiving a high-frequency signal.
  • high frequency module 100A, 100B, 100C of 2nd embodiment and 3rd embodiment is applied similarly. be able to.
  • the present invention has been described based on each embodiment, but the present invention is not limited to the requirements shown in the above embodiment. With respect to these points, the gist of the present invention can be changed without departing from the scope of the present invention, and can be appropriately determined according to the application form.
  • High-frequency module 110 Substrate 111, 112 Electronic component 113, 114 Resin mold layer 115 Terminal 116 Electrode 116A Electrode component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Structure Of Receivers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

　基板の一方の面に実装された部品と、前記一方の面に形成された前記部品と当該高周波モジュールを搭載する装置とを接続するための電極と、前記一方の面に前記部品を覆うように形成された第１絶縁層と、を有する高周波モジュールであって、前記電極は、少なくとも前記電極の一部が前記第１絶縁層の表面で前記第１絶縁層と連続するように形成されている高周波モジュールを提供する。

Description

高周波モジュール
　本発明は、高周波信号を受信する高周波モジュールに関する。
　従来の高周波モジュールの一つとして、基板の片面に部品を実装し、部品の実装面を金属性のシールドケースで覆う構成のものが知られている。この高周波モジュールでは、部品実装面の裏面に、高周波モジュールを通信装置本体へ接続するための電極が形成されている。また従来の高周波モジュールでは、基板の両面に部品が実装されており、部品実装部が金属性のシールドケースで覆われた構成のものも知られている。両面実装の高周波モジュールでは、シールドケース外側の基板に通信装置本体と高周波モジュールとを接続するためのピンが形成されており、基板上の配線パターンとピンとが接続されている。
　上述の片面実装及び両面実装の高周波モジュールでは、シールドケースで基板を覆う構成であるため、高周波モジュールを薄型化するに当たり不都合であった。
　そこで、薄型化を実現するための高周波モジュールとして、基板の片面の実装された部品を覆う樹脂モールド層を形成し、樹脂モールド層の上にシールド層を形成する構成のものがある。例えば特許文献１には、金属ケースを使用せず樹脂モールド層と金属層とが形成された回路モジュールが記載されている。
特開２００４－１７２１７６号公報
　しかしながら構成が複雑な高周波モジュールでは、製造に係る工数やコストが増大するという問題点がある。
　本発明は、上記事情を鑑みてこれを解決すべくなされたものであり、製造に係る工程やコストを削減しつつ薄型化に貢献することが可能な高周波モジュールを提供することを目的としている。
　本発明は、上記目的を達成するために、以下の如き構成を採用した。
　本発明は、基板（１１０）の一方の面（１１０Ｂ）に実装された部品（１１２）と、前記一方の面（１１０Ｂ）に形成された前記部品（１１２）と当該高周波モジュール（１００）を搭載する装置とを接続するための電極（１１６）と、前記一方の面（１１０Ｂ）に前記部品（１１２）を覆うように形成された第１絶縁層（１１４）と、を有する高周波モジュール（１００）であって、
　前記電極（１１６）は、少なくとも前記電極（１１６）の一部が前記第１絶縁層（１１４）の表面で前記第１絶縁層（１１４）と連続するように形成されている。
　また本発明の高周波モジュールは、前記基板（１１０）の他方の面（１１０Ａ）に実装された部品（１１１）と、
　前記他方の面（１１０Ａ）に実装された前記部品（１１１）を覆うように形成された第２絶縁層（１１３）と、を有する。
　また本発明の高周波モジュールは、前記第２絶縁層（１１３）の表面に高周波信号を受信するためのアンテナパターン（１１９）が形成されている。
　また本発明の高周波モジュールは、前記基板（１１０）の前記他方の面（１１０Ａ）に、高周波信号を受信するためのアンテナパターン（１１９）が形成されている。
　なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。
　本発明によれば、製造に係る工程やコストを削減しつつ薄型化に貢献することができる。
第一の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。 高周波モジュールのＡ－Ａ断面図である。 第一の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第一の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第一の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第一の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第一の実施形態の高周波モジュールの個片化を説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。 第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第一の図である。 第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第二の図である。 第四の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。 高周波モジュールの一例を示す図である。 高周波モジュールの一例を示す図である。
　上述した構成の高周波モジュールの基板の実装面の裏面にも、通信装置本体と高周波モジュールとを接続するための電極が形成されうるので、通信装置本体の基板に高周波モジュールを直接接続することができる。
　また樹脂モールド層を用いた高周波モジュールにおいて、両面実装も可能である。図１０Aと図１０Bは、高周波モジュールの一例を示す図である。図１０Ａは、高周波モジュール１０の断面の概略を示す図であり、図１０Ｂは高周波モジュール２０の断面の概略を説明する図である。
　図１０Ａの高周波モジュール１０において基板１１は、部品１２を実装するための実装部１１Ａと、高周波モジュール１０を通信装置本体に実装する際ための電極１３が形成される電極形成部１１Ｂとを有するように形成しうる。高周波モジュール１０では、電極形成部１１Ｂを形成することで通信装置本体と基板１１との間に空間１４を設け、この空間１４を利用して基板１１の両面に部品１２を実装できる。さらに高周波モジュール１０では、基板１１の両面において、部品１２を覆う樹脂モールド層１５が形成できる。このとき樹脂モールド層１５の厚さは、空間１４の高さＨ１よりも薄くできる。
　図１０Ｂの高周波モジュール２０において基板２１には、両面に部品２２が実装しうる。また基板２１には、通信装置本体と接続する面に、高周波モジュール２０と通信装置本体とを接続するための電極となる半田ボール２３が形成できる。高周波モジュール２０では、半田ボール２３を形成することで通信装置本体と基板２１との間に空間２４を設け、この空間２４を利用して基板２１の両面に部品２２を実装できる。さらに高周波モジュール２０では、基板２１の両面において部品２２を覆う樹脂モールド層２５が形成できる。樹脂モールド層２５の厚さは、空間２４の高さＨ２よりも薄い。尚図示しないが、高周波モジュール１０、２０は、何れも樹脂モールド層の上にシールド層が形成できる。
　このように、樹脂モールド層を用いた高周波モジュールでは、基板の両面に部品を実装し、且つ高周波モジュールを通信装置本体の基板へ直接接続することができる構成もとれる。
　（第一の実施形態）
　以下に図面を参照して本発明の第一の実施形態について説明する。図１は、第一の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。
　本実施形態の高周波モジュール１００は、回路基板に実装された電子部品が樹脂等に封止されて構成されている。本実施形態の高周波モジュール１００は、無線通信を行う通信装置に搭載されるものであり、例えば無線ＬＡＮ（Local Area Network）装置、ワンセグチューナ装置、ＧＰＳ（Global Positioning System）装置等に搭載される。図２は、高周波モジュールのＡ－Ａ断面図である。
　本実施形態の高周波モジュール１００は、回路基板１１０の一方の面１１０Ａと他方の面１１０Ｂとに電子部品１１１、１１２がそれぞれ実装されている。本実施形態の回路基板１１０は、例えばセラミックやエポキシ樹脂等から形成されている。また高周波モジュール１００では、面１１０Ａに実装された電子部品１１１を覆う絶縁層である樹脂モールド層１１３と、面１１０Ｂに実装された電子部品１１２を覆う絶縁層である樹脂モールド層１１４とが形成されている。さらに本実施形態の高周波モジュール１００では、面１１０Ｂ側に端子１１５と、端子１１５を樹脂モールド層１１４の外部へ引き出すための電極１１６とが形成されている。
　尚本実施形態では図示していないが、樹脂モールド層１１３、１１４の表面は、ノイズ等の影響を遮蔽するシールド層となっていることが好ましい。
　この端子１１５は、基板１１０に実装された電子部品１１１、１１２と接続されている。本実施形態では、高周波モジュール１００を通信装置に搭載する際に、電極１１６が通信装置側の基板と接続するように配置することで、基板１１０に実装された電子部品１１１、１１２と通信装置側の回路とを端子１１５、電極１１６を介して接続することができる。尚図３Ａでは図示していないが、面１１０Ａ及び面１１０Ｂに実装された電子部品１１１、１１２は、面１１０Ａ及び面１１０Ｂ上に形成された配線パターンにより端子１１５と接続されている。
　図３Aから図３Dは、第一の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。図３Ａは、高周波モジュール１００における基板１１０の面１１０Ａと面１１０Ｂを説明する図である。面１１０Ａに実装された電子部品１１１は、例えば水晶発振器等を含む部品であっても良い。面１１０Ｂに実装された電子部品１１２は、通信に関わる部品や高周波モジュール１００の電源回路等であっても良い。本実施形態では、通信に関わる部品等を面１１０Ｂへ実装することで、高周波モジュール１００を通信装置へ搭載した際に電子部品１１２が面１１０Ｂと通信装置の基板との間に密封される。よって電子部品１１２に対するシールド効果の向上が期待できる。
　基板１１０への電子部品１１１、１１２の実装が完了すると、図３Ｂに示すように、面１１０Ａに対してモールド樹脂封止を行い、電子部品１１１を覆う樹脂モールド層１１３を形成する。また面１１０Ｂに対してもモールド樹脂封止を行い、電子部品１１２と端子１１５とを覆う樹脂モールド層１１４とを形成する。図３Ｂは、図３ＡのＢ－Ｂ断面図である。
　続いて図３Ｃに示すように、樹脂モールド層１１４の表面において端子１１５と重なる領域１１５Ａに、端子１１５まで達する穴１１７を形成する。尚穴１１７を形成する加工は、例えばレーザ等により行うことが好ましい。続いて図３Ｄに示すように、穴１１７に対してマスクを使用して銅ペーストを注入し、電極１１６を形成する。
　このように本実施形態では、樹脂モールド層１１４に形成した穴１１７に銅ペーストを注入して電極１１６としている。したがって本実施形態の高周波モジュール１００では、図２に示すように樹脂モールド層１１４と電極１１６とが連続した状態で形成される。
　本実施形態の高周波モジュール１００は、図４に示すように、複数個まとめて形成される。図３Ａ～図３Ｄに示す手順が完了した後に、複数個がそれぞれ個別の高周波モジュール１００として個片化される。図４は、第一の実施形態の高周波モジュールの個片化を説明する図である。
　本実施形態の高周波モジュール１００は、以上のように形成することで、基板１１０の両面に電子部品１１１、１１２を実装しつつ、通信装置と接続するための電極１１６を樹脂モールド層１１４の表面に形成することができる。したがって、高周波モジュール１００を通信装置本体へ搭載する際に、電極１１６が形成された面が通信装置の基板へ接するように配置するだけで、高周波モジュール１００内の電子部品１１１、１１２と通信回路側の回路とを接続することができる。
　また本実施形態の高周波モジュール１００は、基板１１０の両面に電子部品１１１、１１２を実装し且つ樹脂モールド層１１４と連続した電極１１６を形成する。このため本実施形態の高周波モジュール１００では、通信装置本体と基板１１０との間に両面実装するための空間を設ける加工が不要となり、製造工程やコストを低減できる。また本実施形態の高周波モジュール１００は、金属製のシールドケースを使用する必要がなく、両面実装とすることができるため、高周波モジュール１００全体の小型化及び薄型化に貢献することができる。
　（第二の実施形態）
　以下に図面を参照して本発明の第二の実施形態について説明する。本発明の第二の実施形態では、端子１１５を樹脂モールド層１１４の表面へ引き出すための電極を予め基板に実装しておく点のみ第一の実施形態と相違する。したがって以下の第二の実施形態の説明では、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
　図５Aから図５Cは、第二の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。本実施形態の高周波モジュール１００Ａは、基板１１０に電極部品１１６Ａとなる部品を予め実装しておく。
　図５Ａに示すように、本実施形態の面１１０Ｂには、端子１１５が形成される位置に電極部品１１６Ａが実装されている。電極部品１１６Ａの形状の詳細は後述する。
　本実施形態では、この状態で面１１０Ａに対してモールド樹脂封止を行い、電子部品１１１を覆うように樹脂モールド層１１３を形成する。また面１１０Ｂに対してもモールド樹脂封止を行い、電子部品１１２を覆うように樹脂モールド層１１４Ａを形成する。
　本実施形態では、図５Ｂに示すように、樹脂モールド層１１４Ａをシートモールド成形にて形成し、電極部品１１６Ａが樹脂モールド層１１４Ａから数十μメートル突出するようにした。図５Ｂは、図５ＡのＣ－Ｃ断面図である。
　本実施形態では、以上のようにして高周波モジュール１００Ａを形成することで、基板１１０の両面に電子部品１１１、１１２を実装しつつ、通信装置と接続するための電極部品１１６Ａを樹脂モールド層１１４Ａの表面と連続するように形成することができる。図５Ｃは、図５Ｂを下側から見た底面図である。
　以下に図６Aから図６Eを参照して本実施形態の電極部品１１６Ａの形状について説明する。図６Aから図６Eは、第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。なお、図６Aから図６Eは図２と比較して上下が倒置された状態で表してある。
　図６Ａは電極部品１１６Ａの例を示す第一の図である。電極部品１１６Ａは、例えば断面が四角形となる形状とした。電極部品１１６Ａは、基板１１０に半田面１１５Ａ
により接合されている。
　図６Ｂの電極部品１１６Ｂは、例えば断面にくぼみ１１８Ａが形成されるＨ字状とした。この形状にすることで、樹脂モールド層１１４Ａの形成時にモールド樹脂がくぼみ１１８Ａへ流れこむ。よって、例えばリフローにより高周波モジュール１００Ａを通信装置に実装する場合等に、電極部品１１６Ｂと面１１０Ｂとを接合する半田面１１５Ａが溶けることによる電極部品１１６Ｂの抜け落ちや電極部品１１６Ｂの配置のずれ等を防止できる。
　図６Ｃ～図６Ｅは、図６Ｂと同様に半田面１１５Ａが溶けることによる電極部品の抜け落ちや電極部品の配置のずれを防止するための電極部品の形状の例である。図６Ｃの電極部品１１６Ｃは、凸部１１８Ｂを有する構成とした。図６Ｄの電極部品１１６Ｄは、断面に半円型の凹部１１８Ｃを有する構成とした。図６Ｅの電極部品１１６Ｅは、半田ボールにより構成される。本実施形態では、電極部品の形状を、電極部品と樹脂モールド層１１４Ａとが接する面積が大きくなる形状にすることが好ましい。
　以上に説明したように、本実施形態の高周波モジュール１００Ａは、面１１０Ｂに電子部品１１２と電極部品とを実装してから樹脂モールド層１１４Ａを形成するため、通信装置本体と基板１１０との間に空間を設ける必要がなく、製造工程やコストを低減できる。
　また、図６Ａから図６Ｅに示すように、電極部品１１６Ｂから１１６Ｅの側面が樹脂モールド層１１４Ａ（第１絶縁層）の側面と接触しつつ樹脂モールド層１１４Ａ（第１絶縁層）の側面に係止されることで、電極部品１１６Ｂから１１６Ｅの抜け落ちや電極部品１１６Ｂから１１６Ｅの配置のずれ等を防止できる。
また本実施形態の高周波モジュール１００Ａは、金属製のシールドケースを使用する必要がなく、両面実装とすることができるため、高周波モジュール１００全体の小型化及び薄型化に貢献することができる。
　（第三の実施形態）
　以下に図面を参照して本発明の第三の実施形態について説明する。本発明の第三の実施形態では、高周波モジュールとアンテナとを一体的に形成する点が第一の実施形態と相違する。よって以下の第三の実施形態の説明では、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
　図７は、第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第一の図である。図７に示す高周波モジュール１００Ｂは、樹脂モールド層１１３の表面にアンテナ１１９と、端子１１５とアンテナ１１９とを接続するための表層パターン１２０とが形成されている。
　尚図７では、第一の実施形態の高周波モジュール１００にアンテナ１１９と表層パターン１２０とを形成した例を示したが、第二の実施形態の高周波モジュール１００Ａにも同様にアンテナ１１９と表層パターン１２０とを形成することができる。
　図８は、第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第二の図である。図８に示す高周波モジュール１００Ｃでは、基板１１０の面１１０Ａに電子部品１１１と共にアンテナ１１９と表層パターン１２０とが形成されている。尚図８の構成は、基板１１０の面１１０Ｂに電極部品１１６Ａを実装した形態にも適用される。
　また本実施形態のアンテナ１１９及び表層パターン１２０は、例えば高周波モジュール１００Ｃの製造工程において形成されても良い。例えば、図４に示すように、高周波モジュール１００Ｃが複数個まとまった状態であるときに、アンテナ１１９及び表層パターン１２０を一括して形成しても良い。
　（第四の実施形態）
　以下に図面を参照して本発明の第四の実施形態について説明する。本発明の第四の実施形態では、高周波モジュールがコネクタに接合された状態で通信装置に搭載される形態を示す。以下の第四の実施形態において、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
　図９は、第四の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。本実施形態では、通信装置の基板に実装されるコネクタ２００へ高周波モジュール１００が収納される。
　コネクタ２００には、ピン２１０と電極２２０とが形成されている。コネクタ２００に高周波モジュール１００が収納されると、電極１１６がピン２１０と圧接し、高周波モジュール１００とコネクタ２００とが接続される。電極２２０は、ピン２１０と一体的に形成されており、ピン２１０を介して電極１１６と接続される。
　このように高周波モジュール１００をコネクタ２００に収納可能とすれば、例えば高周波信号を受信するための認証として、高周波モジュールのコネクタ接続が要求される場合にも対応することができる。
　尚図９では、第一の実施形態の高周波モジュール１００をコネクタ２００に収納した例を説明したが、第二の実施形態及び第三の実施形態の高周波モジュール１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃも同様に適用することができる。
　以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
　本国際出願は、２０１１年１月１４日に出願した日本国特許出願２０１１－００６３１４号に基づく優先権を主張するものであり、２０１１－００６３１４号の全内容をここに本国際出願に援用する。
　１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ　高周波モジュール
　１１０　基板
　１１１、１１２　電子部品
　１１３、１１４　樹脂モールド層
　１１５　端子
　１１６　電極
　１１６Ａ　電極部品

Claims (5)

  1. 　基板の一方の面に実装された部品と、前記一方の面に形成された前記部品と当該高周波モジュールを搭載する装置とを接続するための電極と、前記一方の面に前記部品を覆うように形成された第１絶縁層と、を有する高周波モジュールであって、
    　前記電極は、少なくとも前記電極の一部が前記第１絶縁層の表面で前記第１絶縁層と連続するように形成されている高周波モジュール。
  2. 　前記基板の他方の面に実装された部品と、
    　前記他方の面に実装された前記部品を覆うように形成された第２絶縁層と、を有する請求項１記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第２絶縁層の表面に高周波信号を受信するためのアンテナパターンが形成されている請求項２記載の高周波モジュール。
  4. 　前記基板の前記他方の面に、
    　高周波信号を受信するためのアンテナパターンが形成されている請求項２記載の高周波モジュール。
  5. 　前記電極の側面が前記第１絶縁層の側面と接触しつつ前記第１絶縁層の側面に係止されるように、前記電極が前記第１絶縁層と連続することを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
PCT/JP2012/050524 2011-01-14 2012-01-12 高周波モジュール WO2012096354A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/978,620 US20130300614A1 (en) 2011-01-14 2012-01-12 High frequency module
CN2012800051939A CN103299551A (zh) 2011-01-14 2012-01-12 高频模块
EP12734724.3A EP2651041A4 (en) 2011-01-14 2012-01-12 HIGH FREQUENCY MODULE

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-006314 2011-01-14
JP2011006314A JP2012147403A (ja) 2011-01-14 2011-01-14 高周波モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012096354A1 true WO2012096354A1 (ja) 2012-07-19

Family

ID=46507245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/050524 WO2012096354A1 (ja) 2011-01-14 2012-01-12 高周波モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130300614A1 (ja)
EP (1) EP2651041A4 (ja)
JP (1) JP2012147403A (ja)
CN (1) CN103299551A (ja)
WO (1) WO2012096354A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2996955A1 (fr) * 2012-10-17 2014-04-18 Universal Scient Ind Shanghai Structure de boitier empilee tridimensionnelle et procede de fabrication de celle-ci
WO2020071021A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020071020A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2021006021A1 (ja) * 2019-07-09 2021-01-14 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000243887A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2000307045A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2000307049A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2002100710A (ja) * 2001-07-23 2002-04-05 Seiko Epson Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2004172176A (ja) 2002-11-18 2004-06-17 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュール
JP2005191064A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Nec Electronics Corp 樹脂封止方法および樹脂封止装置
JP2006042009A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp アンテナモジュール
JP2007102348A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Ｒｆｉｄタグ
JP2007295177A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Dainippon Printing Co Ltd 非接触データキャリア、非接触データキャリア用配線基板
WO2007132612A1 (ja) * 2006-05-17 2007-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合基板及びその製造方法
JP2009290553A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Fujitsu Media Device Kk 高周波モジュール及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005198051A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Ltd 高周波モジュール
US7295161B2 (en) * 2004-08-06 2007-11-13 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements
WO2007083430A1 (ja) * 2006-01-20 2007-07-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. アンテナ内蔵モジュールとカード型情報装置およびそれらの製造方法
JP4833192B2 (ja) * 2007-12-27 2011-12-07 新光電気工業株式会社 電子装置
WO2009119374A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000243887A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2000307045A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2000307049A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2002100710A (ja) * 2001-07-23 2002-04-05 Seiko Epson Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2004172176A (ja) 2002-11-18 2004-06-17 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュール
JP2005191064A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Nec Electronics Corp 樹脂封止方法および樹脂封止装置
JP2006042009A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp アンテナモジュール
JP2007102348A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Ｒｆｉｄタグ
JP2007295177A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Dainippon Printing Co Ltd 非接触データキャリア、非接触データキャリア用配線基板
WO2007132612A1 (ja) * 2006-05-17 2007-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合基板及びその製造方法
JP2009290553A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Fujitsu Media Device Kk 高周波モジュール及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2651041A4

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2996955A1 (fr) * 2012-10-17 2014-04-18 Universal Scient Ind Shanghai Structure de boitier empilee tridimensionnelle et procede de fabrication de celle-ci
US9167686B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Universal Scientific Industrial (Shanghai) Co., Ltd. 3D stacked package structure and method of manufacturing the same
WO2020071021A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020071020A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN112470407A (zh) * 2018-10-05 2021-03-09 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN112470407B (zh) * 2018-10-05 2022-04-26 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
US11348887B2 (en) 2018-10-05 2022-05-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device
WO2021006021A1 (ja) * 2019-07-09 2021-01-14 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US12052001B2 (en) 2019-07-09 2024-07-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device

Also Published As

Publication number Publication date
EP2651041A4 (en) 2014-07-30
US20130300614A1 (en) 2013-11-14
EP2651041A1 (en) 2013-10-16
CN103299551A (zh) 2013-09-11
JP2012147403A (ja) 2012-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9552923B2 (en) Electronic component
US8043892B2 (en) Semiconductor die package and integrated circuit package and fabricating method thereof
US9426935B2 (en) Method for manufacturing circuit board, circuit board, and electronic device
WO2019156051A1 (ja) 高周波モジュール
TW201344875A (zh) 電路模組及其製造方法
US9018741B2 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
US9854663B2 (en) Radio frequency module
CN103141164A (zh) 元器件内置基板及其制造方法
WO2012096354A1 (ja) 高周波モジュール
US20100038122A1 (en) Electronic component module and method for manufacturing the same
JPWO2020071493A1 (ja) モジュール
CN103985675A (zh) 半导体装置
KR100851683B1 (ko) 전자파간섭으로 방해받는 전자 장치들의 전자 컴포넌트들 및/또는 회로들 차폐
JP4650194B2 (ja) シールドケース付き電子部品の製造方法及びシールドケース付き電子部品
WO2017094834A1 (ja) 電子部品を実装した基板と放熱板を備えた電子部品モジュールおよびその製造方法
CN215912388U (zh) 框形电路板、电路板拼板、电路组件和电子设备
US20220418089A1 (en) Module
JP2009081400A (ja) 電子機器端末のシールド構造
JP7039527B2 (ja) 無線装置および無線装置の製造方法
JP6089557B2 (ja) 電子部品モジュール
KR20150081217A (ko) 전자 소자 모듈
EP2825003B1 (en) Printed wiring board and electric tool switch provided therewith
US8912641B1 (en) Low profile electronic package and associated methods
JP2011096926A (ja) 回路基板、コネクタおよび電子機器
JP2006005035A (ja) 電子部品収納用セラミックパッケージ集合体およびセラミックパッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12734724

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13978620

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012734724

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE