WO2012096084A1 - 共重合ポリマー、及び有機光電変換素子 - Google Patents

共重合ポリマー、及び有機光電変換素子 Download PDF

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豪志 武藤
近藤　健
直樹 大谷
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リンテック株式会社
日産化学工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a copolymer polymer and an organic photoelectric conversion element having a photoelectric conversion layer containing the copolymer.
  • an organic solar cell using an organic semiconductor material is capable of producing a light, inexpensive, and flexible element, and is replaced with a solar cell using an inorganic material such as a silicon semiconductor, which is currently mainstream. It is expected as a solar cell of the next generation. From such a background, research on organic photoelectric conversion elements using organic semiconductor materials has been conducted worldwide, and in improving the photoelectric conversion efficiency of organic photoelectric conversion elements, the organic semiconductor materials constituting the photoelectric conversion layer It is known that electronic structure design techniques are important.
  • Non-Patent Document 1 discloses a p-type semiconductor material (hereinafter referred to as “electron-donating property”) combined with fullerene which is an n-type semiconductor material (hereinafter also referred to as “electron-accepting material”) in improving the efficiency of an organic thin-film solar cell. It is described that the appropriate design of "material” is important. In addition, the appropriate design here refers to the highest occupied orbital (HOMO) quasi of the polymer by introducing a weak electron acceptor in an appropriate manner into the p-type polymer skeleton, where electron donor properties are inherently important.
  • HOMO highest occupied orbital
  • Patent Document 1 discloses a photovoltaic element using a copolymer incorporating a thienothiophene unit as an electron acceptor.
  • Patent Documents 2 to 5 disclose organic photoelectric conversion elements using copolymers obtained by copolymerization with various electron acceptor units using a polyfluorene derivative skeleton as an electron donor unit.
  • Patent Document 6 discloses an organic device using a ⁇ -conjugated polymer containing a benzotriazole skeleton as an n-type semiconductor material. Yes.
  • An object of this invention is to provide the novel organic material which can further improve a photoelectric conversion efficiency compared with the conventional p-type semiconductor material.
  • R 1 and R 2 each independently represents a monovalent hydrocarbon group or a substituted hydrocarbon group, and n represents the number of repeating units and is 2 to 75.
  • n in the general formula (I) is 3 to 60.
  • the organic photoelectric conversion element using the photoelectric conversion layer containing the copolymer of the present invention can further improve the obtained photoelectric conversion efficiency as compared with an organic photoelectric conversion element using a conventional p-type semiconductor material.
  • the copolymer of the present invention has a repeating unit represented by the following general formula (I).
  • n represents the number of repeating units and is 2 to 75.
  • n is less than 2, the ⁇ -electron conjugated system does not extend sufficiently, so that sufficient solar light absorption efficiency cannot be obtained, which is not preferable.
  • n exceeds 75, the solubility to a solvent falls and it is unpreferable since it is not suitable for the coating method which is mentioned later. Therefore, n is preferably 3 to 60, more preferably 10 to 55, still more preferably 25 to 55, and still more preferably 40 to 53.
  • the weight average molecular weight of the copolymer represented by the formula (I) is preferably 2,50.
  • n is a value calculated based on the weight average molecular weight of the copolymer.
  • the said weight average molecular weight is the value calculated as a polystyrene conversion value by the gel permeation chromatograph (GPC) method, and is specifically the value measured by the method as described in an Example.
  • R 1 and R 2 represent a monovalent hydrocarbon group or a substituted hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group include an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and the like.
  • the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, and a stearyl group.
  • an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms is more preferable, and 3 to 3 carbon atoms are preferable. More preferred is an alkyl group of 8.
  • alkenyl groups include vinyl, allyl, butenyl, butanedienyl, methylvinyl, and styryl groups.
  • cycloalkyl group examples include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group, a bicycloheptyl group, a bicyclooctyl group, a tricycloheptyl group, and an adamantyl group.
  • adamantyl group examples include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group, a bicycloheptyl group, a bicyclooctyl group, a tricycloheptyl group, and an adamantyl
  • aryl group for example, phenyl group, methylphenyl group, ethylphenyl group, biphenyl group, methylbiphenyl group, ethylbiphenyl group, cyclohexylbiphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, methylnaphthyl group, anthryl group, pyrenyl group,
  • aryl group for example, phenyl group, methylphenyl group, ethylphenyl group, biphenyl group, methylbiphenyl group, ethylbiphenyl group, cyclohexylbiphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, methylnaphthyl group, anthryl group, pyrenyl group
  • Examples include a chrycenyl group, a fluoranthenyl group, and a perylenyl group.
  • aralkyl group examples include benzyl group, methylbenzyl group, phenylethyl group, phenylpropyl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group, naphthylpropyl group, and the like.
  • substituted hydrocarbon group one or more hydrogen atoms in the above hydrocarbon group are substituted with a substituent, and a substituted alkyl group, a substituted alkenyl group, a substituted cycloalkyl group, a substituted aryl group, a substituted aralkyl group Etc.
  • a substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is preferable, a substituted alkyl group having 2 to 10 carbon atoms is more preferable, More preferred are 3 to 8 substituted alkyl groups.
  • substituents include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, and hetero atom-containing hydrocarbon group containing oxygen atom, silicon atom, sulfur atom, phosphorus atom and the like.
  • hetero atom-containing hydrocarbon group include an alkoxy group represented by —OR, a silyl group represented by —SiR 3 , and an amino group represented by —NR 2 .
  • R includes the above-described hydrocarbon groups.
  • the substituted hydrocarbon group may also contain a heteroaromatic ring.
  • an alkyl group or a substituted alkyl group is preferable, and an alkyl group is more preferable from the viewpoint of improving the solubility in a solvent.
  • the number of carbon atoms of R 1 and R 2 is preferably 1 to 12, more preferably 2 to 10, more preferably from the viewpoint of increasing the solubility in a solvent and the crystallinity of the resulting copolymer, and improving the carrier mobility. Preferably, it is 3-8.
  • the copolymer of the present invention is preferably capped with an inactive functional group at both ends of the above general formula (I).
  • an inactive functional group a hydrogen atom and / or a hydrocarbon group is preferable, an aryl group is more preferable, and a phenyl group is still more preferable.
  • the both ends of the copolymer may have the same inactive functional group, or may have different inactive functional groups.
  • the method for synthesizing the copolymer of the present invention is not particularly limited, but a method of copolymerizing monomers represented by the following general formula (II) and the following general formula (III) in the presence of a metal complex. Can be synthesized.
  • X in the formula (II) is a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, MgCl, MgBr, MgI, B (OR) 2 , SnR 3 (R is a monovalent hydrocarbon group or a substituted group) Hydrocarbon group) and the like.
  • B (OR) 2 includes those having a cyclic structure such as 1,3,2-dioxaborolane and 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane.
  • the method for synthesizing the monomer represented by the general formula (II) is not particularly limited, and examples of the synthesis method include the methods described in Examples.
  • R 1 and R 2 in formula (III) represent the same monovalent hydrocarbon group or substituted hydrocarbon group as in general formula (I).
  • Y in the formula (III) is a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, MgCl, MgBr, MgI, B (OR) 2 , SnR 3 (R is a monovalent hydrocarbon group or substituted hydrocarbon group) ) Etc.
  • B (OR) 2 includes those having a cyclic structure such as 1,3,2-dioxaborolane and 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane.
  • the method for synthesizing the monomer represented by the formula (III) is not particularly limited. For example, the method described in Examples, “Chen, SH et al., Chemistry of Materials, 2003, 15 Known synthesis methods such as the method described in “Volume, page 542”.
  • reduction catalysts such as a copper complex, a nickel complex, and a palladium complex
  • a nickel complex and a palladium complex are mentioned.
  • a nickel complex and a palladium complex are preferable.
  • the nickel complex include bis (1,5-cyclooctadiene) nickel, tetrakis (triphenylphosphine) nickel, dichloro (2,2′-bipyridine) nickel, and among these, the viewpoint of polymerization performance Therefore, bis (1,5-cyclooctadiene) nickel is preferable.
  • Examples of the palladium complex include tetrakis (triphenylphosphine) palladium, dichloro ⁇ 1,3-bis (diphenylphosphine) propane ⁇ palladium, tris (dibenzylidene) dipalladium and the like.
  • tris (dibenzylidene) dipalladium is preferable from the viewpoint of polymerization performance.
  • the polymerization procedure is not particularly limited.
  • the monomer is dissolved or dispersed in a solvent in a reaction vessel, and the above metal complex is added as a catalyst to the monomer represented by the above formulas (II) and (III).
  • polymerizing by a cross coupling reaction is mentioned.
  • X in the above formula (II) and Y in the formula (III) are eliminated to form a carbon-carbon bond, so that X and Y are different from each other, and X, Any of Y becomes halogen (or pseudo-halogen).
  • the solvent used for the polymerization is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the monomer suitably and does not cause an undesirable reaction with the monomer or polymer.
  • toluene, tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide and the like can be mentioned.
  • X in the above formula (II) or Y in the formula (III) is B (OR) 2 (R is a monovalent hydrocarbon group or substituted hydrocarbon group)
  • the reaction liquidity is determined to be basic.
  • bases such as alkali metal carbonates, alkali metal hydroxides and amines or aqueous solutions thereof are further added.
  • the atmosphere during the polymerization reaction is not particularly limited, but is usually carried out in air or under an inert atmosphere, preferably under an inert atmosphere.
  • the inert atmosphere include nitrogen gas or argon gas atmosphere.
  • the polymerization reaction is not particularly limited, but is preferably performed under heating and reflux.
  • the heating temperature is usually room temperature (25 ° C.) to 180 ° C., preferably 80 to 150 ° C., more preferably 80 to 120 ° C.
  • limiting in particular as a pressure at the time of a polymerization reaction Usually, it carries out at a normal pressure.
  • the polymerization time varies depending on the type of monomer and catalyst used, the temperature and pressure during polymerization, and is usually 1 to 240 hours, preferably 20 to 120 hours, and more preferably 50 to 100 hours.
  • the organic photoelectric conversion element 4 of the present invention includes at least one copolymer of the present invention between a pair of electrodes 1 and 3, at least one of which is transparent or translucent.
  • An organic photoelectric conversion element is an element that generates an electromotive force when irradiated with light energy. Generally, an element that converts light energy into electrical energy is provided with an electrode for taking out electric charges from the photoelectric conversion layer. It is a thing.
  • Applications of the organic photoelectric conversion element include various organic semiconductor devices such as organic solar cells and photodiodes.
  • a photoelectric converting layer is a layer which receives the photoelectric effect which makes the center of an organic photoelectric conversion element, may consist of a single layer, and may consist of multiple layers.
  • the photoelectric conversion layer is usually formed from an intrinsic semiconductor layer.
  • the intrinsic semiconductor layer is an organic layer having a pn junction interface made of an electron donating material (p-type semiconductor material) and an electron accepting material (n-type semiconductor material).
  • p-type semiconductor material electron donating material
  • n-type semiconductor material electron accepting material
  • FIG. 1 shows a case of an intrinsic semiconductor layer made of a single layer.
  • the organic photoelectric conversion element of the present invention has at least a photoelectric conversion layer containing a copolymer represented by the general formula (I).
  • the copolymer represented by the general formula (I) is excellent in electron donating property as a p-type semiconductor material. Therefore, the copolymer represented by the general formula (I) is used as a p-type semiconductor material.
  • the n-type semiconductor material is not particularly limited.
  • NTCDA 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxyl dianhydride
  • PTCDA 3,4,9,10-perylene tetracarboxyl dianhydride
  • PTCBI 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole
  • PTCBI 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole
  • PTCBI 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole
  • PTCBI 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole
  • PTCBI 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole
  • PTCBI 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole
  • PTDI-C8H N, N′-dioctyl-3,4,9,10
  • fullerene compound is preferable because it is an n-type semiconductor material that is stable and has high carrier mobility.
  • fullerene compounds include unsubstituted compounds such as C 60 , C 70 , C 76 , C 78 , C 82 , C 84 , C 90 , and C 94 , and [6,6] -phenyl C61 butyric acid.
  • Methyl ester ([6,6] -PCBM, or [60] PCBM), [5,6] -phenyl C61 butyric acid methyl ester ([5,6] -PCBM), [6,6] -phenyl C61 buty Rick acid hexyl ester ([6,6] -PCBH), [6,6] -phenyl C61 butyric acid dodecyl ester ([6,6] -PCBD), phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC 70 BM, or [70] PCBM), phenyl C85 butyric acid methyl ester (PC 84 BM), and the like.
  • [6,6] -phenyl C61 butyric acid methyl ester ([6,6] -PCBM or [60] PCBM) is more preferable from the viewpoint of having excellent electron accepting properties.
  • These n-type semiconductor materials can be used alone or in combination of two or more.
  • the mass ratio of the p-type semiconductor material to the n-type semiconductor material is preferably 10: 1 to 1:10, more preferably from the viewpoint of improving the photoelectric conversion efficiency. Is from 5: 1 to 1: 5, more preferably from 1: 1 to 1: 5.
  • the p-type semiconductor material refers to the copolymer represented by the general formula (I) of the present invention.
  • the photoelectric conversion efficiency in an organic photoelectric conversion element means the value calculated
  • Photoelectric conversion efficiency [%] V oc ⁇ J sc ⁇ FF (Formula 1) (V oc is the open circuit voltage [V], J sc is the short circuit current density [mA / cm 2 ], and FF is the fill factor.) That is, the photoelectric conversion efficiency is calculated by the product of three factors: an open circuit voltage, a short circuit current density, and a fill factor.
  • the organic photoelectric conversion element in the present invention includes the copolymer polymer having the repeating unit represented by the general formula (I) as the p-type semiconductor material, and thus has an effect of increasing the open circuit voltage among the above factors. The reason for this is not clear, but it is presumed that the HOMO level is deep.
  • a method for forming a photoelectric conversion layer containing a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material is not particularly limited, and examples thereof include a coating method such as spin coating and bar coating, and a vacuum deposition method.
  • coating method is preferable.
  • the solvent contained in this solution is not particularly limited, and for example, chlorobenzene, orthodichlorobenzene, chloroform, dichloromethane, toluene, tetrahydrofuran and the like can be used.
  • the electrode material of the organic photoelectric conversion element of the present invention is not particularly limited, but the cathode electrode material is selected from those having a small energy barrier with respect to the LUMO level of the electron-accepting material and a relatively small work function, for example , Ag, Al, Pt, Ir, Cr, ZnO, CNT, and alloys and composites thereof.
  • the anode electrode material is selected from materials having a small HOMO level and an energy barrier of the electron-donating material, a relatively large work function, and preferably a transparent material.
  • ITO tin-doped indium oxide
  • IrO 2 IrO 2
  • In 2 O 3 SnO 2
  • IZO indium oxide-zinc oxide
  • ZnO Ga, Al doped
  • MoO 3 molybdenum oxide
  • the method for forming the electrode is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition and various sputtering methods.
  • these photoelectric conversion layers and electrode materials can be laminated on a base material.
  • the substrate is appropriately selected according to the type and application of the photoelectric conversion material.
  • inorganic materials such as alkali-free glass and quartz glass, polyester, polycarbonate, polyolefin, polyamide, polyimide, polyphenylene sulfide, and polyparaxylene.
  • films and plates produced by an arbitrary method from an organic material such as an epoxy resin or a fluorine resin.
  • a buffer layer may be provided at the contact interface of each layer.
  • the buffer layer may be a conductive layer.
  • Example 1 Synthesis of copolymer 1
  • Compound (1e) 1.0 g
  • Compound (2a) 1.42 g as a metal complex, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (Sigma Aldrich) 41 mg, tris (2-methylphenyl) phosphine (Tokyo Chemical Industry) 54 mg (manufactured by Kogyo Co., Ltd.) was charged into the reaction vessel, and the reaction vessel was purged with nitrogen.
  • FIG. 2 is a 1 H-NMR chart of the obtained copolymer 1.
  • the weight average molecular weight Mw of the obtained copolymer 1 was 34,770, the polydispersity (Mw / Mn) of the copolymer was 2.45, and the number of repeating units n was 49.66.
  • Example 2 Production of organic photoelectric conversion element 1
  • 7.5 mg of copolymer 1 as p-type semiconductor and 30.0 mg of [60] PCBM (trade name “Nanom Spectra E100H” manufactured by Frontier Carbon Co., Ltd.) as n-type semiconductor material are weighed and dehydrated under nitrogen atmosphere 1.0 ml of chlorobenzene (manufactured by Sigma Aldrich, dehydrated product) was added, and the mixture was stirred for 24 hours while heating to 50 ° C. under a nitrogen atmosphere to prepare a mixed solution.
  • PCBM trade name “Nanom Spectra E100H” manufactured by Frontier Carbon Co., Ltd.
  • ITO glass cleaned by cleaning and UV-ozone treatment transparent conductive glass having a tin-doped indium oxide film formed on a glass substrate, resistance value 14 ⁇ / sq
  • PEDOT-PSS manufactured by Clevios
  • the organic photoelectric conversion element 1 using the copolymer synthesized in Example 1 is an organic photoelectric conversion element 2 of [60] PCBM / P3HT mixed system of Reference Example 1, which is one of the most common organic thin film solar cells. Compared with, a large conversion efficiency was obtained. Therefore, the organic photoelectric conversion element of the present invention is superior in photoelectric conversion efficiency as compared with the conventional one of Reference Example 1. From this result, the copolymer of the present invention is very useful as a p-type semiconductor material for organic thin film solar cells.
  • the copolymer of the present invention is very useful as a p-type semiconductor material for organic thin film solar cells.

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Abstract

　下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する共重合ポリマーは、従来のｐ型半導体材料と比べて光電変換効率が更に向上し得る新規有機材料となり得る。 （式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を示し、ｎは繰り返し単位の数を示し、２～７５である。）

Description

共重合ポリマー、及び有機光電変換素子
　本発明は、共重合ポリマー、及びその共重合ポリマーを含む光電変換層を有する有機光電変換素子に関する。
　地球規模での問題であるエネルギー問題を解決するためのエネルギー源の一つとして、環境負荷が少なく、半永久的に供給される太陽光エネルギーの利用が活発に研究されている。その中でも、特に、有機半導体材料を用いた有機太陽電池は、軽量、安価、フレキシブルな素子の作製が可能であり、現在の主流であるシリコン半導体等の無機系材料を用いた太陽電池に代わる次世代の太陽電池として期待されている。
　このような背景から、有機半導体材料を用いた有機光電変換素子の研究が全世界的に行われており、有機光電変換素子の光電変換効率向上においては、光電変換層を構成する有機半導体材料の電子構造の設計技術が重要であることが知られている。
　例えば、非特許文献１には、有機薄膜太陽電池の効率向上において、ｎ型半導体材料（以下、「電子受容性材料」ともいう）であるフラーレンと組み合わせるｐ型半導体材料（以下、「電子供与性材料」ともいう）の適切な設計が重要である旨が記載されている。なお、ここでいう適切な設計とは、本来電子ドナー性が重要であるｐ型ポリマーの骨格に、敢えて弱い電子アクセプターを適切な様式で導入することで、ポリマーの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）準位を深くさせ（負の方向に絶対値を大きくさせ）、ｎ型フラーレンの最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位との差を大きくすることを指す。ポリマーのＨＯＭＯ準位とフラーレンのＬＵＭＯ準位のエネルギー差は素子特性を大きく左右する開放電圧（Ｖoc）を決定する因子となることから、上記設計は実用化レベルの変換効率達成に向けて有望な手法とみなされている。
　光電変換層を構成する有機半導体のうち、ｐ型半導体材料については、有機合成的に電子ドナーと電子アクセプターを適切な形態で共有結合させた繰り返し単位を有する共重合体を用いることで、太陽光吸収効率の良い２ｅＶ程度の狭いバンドギャップが得られ、また、最高被占軌道の準位を深くすることで、素子内で大きな開放電圧（Ｖoc）を得られることが知られている。
　例えば、特許文献１には、電子アクセプターとして、チエノチオフェンユニットを組み込んだ共重合体を用いた光起電力素子が開示されている。また、特許文献２～５には、ポリフルオレン誘導体骨格を電子ドナーユニットとして、様々な電子アクセプターユニットと共重合して得られた共重合体を用いた有機光電変換素子が開示されている。
　一方、光電変換層を構成する有機半導体のうち、ｎ型半導体材料については、例えば、特許文献６には、ベンゾトリアゾール骨格を含むπ共役ポリマーをｎ型半導体材料として用いた有機デバイスが開示されている。
特開２００９－１５８９２１号公報 特開２００８－１０６２３９号公報 特開２００８－１０６２４０号公報 ＷＯ２００５／０６００１２号公報 特開２００９－２１５３４９号公報 特開２００６－０７７１７１号公報 Brabec, C. J. et al., Advanced Materials, 2009年, 21巻, 1ページ
　上記のように光電変換層を構成する有機半導体材料について様々な開発がなされているが、光電変換効率を更に向上し得る有機半導体材料が求められている。
　本発明は、従来のｐ型半導体材料と比べ、光電変換効率を更に向上し得る新規有機材料を提供することを目的とする。
　本発明者らは、下記に示す共重合ポリマーが、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、下記［１］～［５］を提供するものである。
［１］下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する、共重合ポリマー。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を示し、ｎは繰り返し単位の数を示し、２～７５である。）
［２］前記一般式（Ｉ）中のｎが、３～６０である、上記［１］に記載の共重合ポリマー。
［３］前記一般式（Ｉ）中のＲ1及びＲ2が、それぞれ独立に炭素数１～１２のアルキル基又は置換アルキル基である、上記［１］又は［２］に記載の共重合ポリマー。
［４］前記一般式（Ｉ）の末端に、水素原子及び／又は炭化水素基を有する、上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の共重合ポリマー。
［５］上記［１］～［４］のいずれか１項に記載の共重合ポリマーを含む光電変換層を有する、有機光電変換素子。
　本発明の共重合ポリマーを含む光電変換層を用いた有機光電変換素子は、従来のｐ型半導体材料を用いた有機光電変換素子に比べ、得られる光電変換効率を更に向上させることができる。
本発明の有機光電変換素子の一例を示す図である。 実施例１で得られた共重合ポリマー１の1Ｈ－ＮＭＲチャートである。
［共重合ポリマー］
　本発明の共重合ポリマーは、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　式（Ｉ）中、ｎは繰り返し単位の数を示し、２～７５である。ｎが２未満であると、π電子共役系が充分に伸長しないため、十分な太陽光吸収効率が得られず好ましくない。また、ｎが７５を超えると、溶媒への溶解性が低下し、後述するような塗布法に適さないため好ましくない。そのため、ｎとしては、好ましくは３～６０、より好ましくは１０～５５、更に好ましくは２５～５５、より更に好ましくは４０～５３である。
　また、式（Ｉ）で表される共重合ポリマーの重量平均分子量としては、好ましくは２，５０
０～２５０，０００、より好ましくは１０，０００～１２５，０００、更に好ましくは１５，０００～７５，０００、より更に好ましくは２０，０００～５０，０００である。２５００以上であれば、π電子共役系が十分に伸長し、太陽光吸収効率を向上させることができ、２５０，０００以下であれば、溶媒への十分な溶解性が得られる。なお、上記ｎは、共重合ポリマーの重量平均分子量を基に算出された値である。また、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法によりポリスチレン換算値として算出された値であり、具体的には実施例に記載の方法により測定された値である。
　式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2は一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を表す。
　炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
　アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基等が挙げられる。これらの中でも、溶媒への溶解性及び交互共重合ポリマーの結晶性を向上させる観点から、炭素数１～１２のアルキル基が好ましく、炭素数２～１０のアルキル基がより好ましく、炭素数３～８のアルキル基が更に好ましい。
　アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタンジエニル基、メチルビニル基、スチリル基等が挙げられる。
　シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、トリシクロヘプチル基、アダマンチル基等が挙げられる。
　アリール基としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ビフェニル基、メチルビフェニル基、エチルビフェニル基、シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基等が挙げられる。
　アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、メチルベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基等が挙げられる。
　置換炭化水素基としては、上記の炭化水素基における１つ以上の水素原子が置換基で置換されたものであり、置換アルキル基、置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換アリール基、置換アラルキル基等が挙げられる。これらの中でも、溶媒への溶解性及び交互共重合ポリマーの結晶性を向上させる観点から、炭素数１～１２の置換アルキル基が好ましく、炭素数２～１０の置換アルキル基がより好ましく、炭素数３～８の置換アルキル基が更に好ましい。
　置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子や、酸素原子、ケイ素原子、硫黄原子、リン原子等を含有したヘテロ原子含有炭化水素基等が挙げられる。具体的なヘテロ原子含有炭化水素基としては、－ＯＲで表されるアルコキシ基、－ＳｉＲ3で表されるシリル基、－ＮＲ2で表されるアミノ基等が挙げられる。但し、Ｒは、上述の炭化水素基が挙げられる。なお、置換炭化水素基は、ヘテロ芳香族環も含有してもよい。
　これらの炭化水素基及び置換炭化水素基の中でも、溶媒への溶解性を向上させる観点から、アルキル基又は置換アルキル基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
　Ｒ1及びＲ2の炭素数は、溶媒への溶解性や得られる共重合ポリマーの結晶性を上げ、キャリア移動度を向上させる観点から、好ましくは１～１２、より好ましくは２～１０、更に好ましくは３～８である。
　また、本発明の共重合ポリマーは、上記一般式（Ｉ）の両末端に不活性の官能基を有し、キャッピングしているものが好ましい。不活性の官能基としては、水素原子及び／又は炭化水素基が好ましく、アリール基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。共重合ポリマーの両末端には、同じ不活性の官能基を有していてもよいし、異なる不活性の官能基を有していてもよい。
［共重合ポリマーの合成方法］
　本発明の共重合ポリマーの合成方法は、特に制限されるものではないが、下記一般式（II）及び下記一般式（III）で表されるモノマーを、金属錯体の存在下で共重合させる方法により、合成することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　式（II）中のＸは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｂ（ＯＲ）2、ＳｎＲ3（Ｒは一価の炭化水素基又は置換炭化水素基）等を表す。なお、例えば、Ｂ（ＯＲ）2は、１，３，２－ジオキサボロランや４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン等のような環状構造を有するものも含まれる。上記一般式（II）で表されるモノマーの合成方法は、特に制限はないが、当該合成方法の一例としては、実施例で記載の方法が挙げられる。
　また、式（III）中のＲ1、Ｒ2は、上記一般式（Ｉ）と同じ一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を表す。式（III）中のＹは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｂ（ＯＲ）2、ＳｎＲ3（Ｒは一価の炭化水素基又は置換炭化水素基）等を表す。なお、例えば、Ｂ（ＯＲ）2は、１，３，２－ジオキサボロランや４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン等のような環状構造を有するものも含まれる。上記式（III）で表されるモノマーの合成方法は、特に制限はないが、例えば、実施例で記載の方法や、「Ｃｈｅｎ，　Ｓ．　Ｈ．　ｅｔ　ａｌ．，　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　２００３年，１５巻，５４２ページ」に記載の方法等の公知の合成方法が挙げられる。
　金属錯体としては、特に制限されず、例えば、銅錯体、ニッケル錯体、パラジウム錯体等の還元触媒が挙げられる。これらの中でも、ニッケル錯体、パラジウム錯体が好ましい。
　ニッケル錯体としては、例えば、ビス（１，５－シクロオクタジエン）ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ジクロロ（２，２’－ビピリジン）ニッケル等が挙げられ、これらの中でも、重合性能の観点から、ビス（１，５－シクロオクタジエン）ニッケルが好ましい。
　パラジウム錯体の例としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ｛１，３－ビス（ジフェニルホスフィン）プロパン｝パラジウム、トリス（ジベンジリデン）ジパラジウム等が挙げられる。これらの中でも、重合性能の観点から、トリス（ジベンジリデン）ジパラジウムが好ましい。
　なお、これらの金属錯体は、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　重合の手順は、特に制限されないが、例えば、反応容器中でモノマーを溶媒に溶解又は分散させ、そこに上記金属錯体を触媒として加え、上記式（II）及び（III）で表されるモノマーをクロスカップリング反応により重合させる方法が挙げられる。当該反応において重合させる場合、上記式（II）のＸ及び式（III）のＹは脱離することで炭素－炭素結合を形成するため、ＸとＹとは異なるものであり、且つ、Ｘ、Ｙのいずれかがハロゲン（又は擬似ハロゲン）となる。
　重合に用いる溶媒としては、モノマーを好適に溶解又は分散させることができ、且つ、モノマーや高分子との間に好ましくない反応を生じないものであれば、特に制限されない。例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　ただし、上記式（II）のＸ及び式（III）のＹのいずれかがＢ（ＯＲ）2（Ｒは一価の炭化水素基又は置換炭化水素基）である場合、反応液性を塩基性にするために、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アミン等の塩基あるいはそれらの水溶液が更に添加される。
　重合反応時の雰囲気は、特に制限されないが、通常は、空気中又は不活性雰囲気下で行われ、好ましくは、不活性雰囲気下で行われる。不活性雰囲気としては、窒素ガス又はアルゴンガス雰囲気が挙げられる。
　重合反応は、特に制限されないが、加熱還流下で行うことが好ましい。加熱温度としては、通常室温（２５℃）～１８０℃、好ましくは８０～１５０℃、より好ましくは８０～１２０℃である。重合反応時の圧力としては、特に制限はないが、通常は常圧で行う。
　重合時間としては、使用するモノマーや触媒の種類、重合時の温度や圧力等によっても異なるが、通常１～２４０時間、好ましくは２０～１２０時間、より好ましくは５０～１００時間である。
［有機光電変換素子］
　次に、本発明の共重合ポリマーを含む光電変換層を有する有機光電変換素子について説明する。
　本発明の有機光電変換素子４は、図１に示すように、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極１、３の間に、少なくとも１種の本発明の共重合ポリマーを含む光電変換層２を有する有機光電変換素子である。
　有機光電変換素子とは、光エネルギー照射によって起電力を発生する素子のことであり、一般的には光エネルギーを電気的なエネルギーに変換する素子で光電変換層に電荷を取り出すための電極を配したものである。有機光電変換素子の用途としては、有機太陽電池、フォトダイオード等の種々の有機半導体デバイスが挙げられる。これらの中でも、本発明の有機光電変換素子の用途としては、有機太陽電池が適している。
　また、光電変換層とは、有機光電変換素子の中心をなす光電効果を受ける層であり、単層からなってもよいし、複数層からなってもよい。単層の場合には、光電変換層は、通常、真性半導体層から形成される。真性半導体層とは、電子供与性材料（ｐ型半導体材料）及び電子受容性材料（ｎ型半導体材料）よりなるｐ－ｎ接合界面を持つ有機層のことである。複数層の場合には、電子供与性材料層と電子受容性材料層からなるｐ－ｎ接合界面を持つ有機層から形成される。図１では、単層からなる真性半導体層の場合を示している。
　本発明の有機光電変換素子において、少なくとも上記一般式（Ｉ）で表される共重合ポリマーを含む光電変換層を有する。ここで、上記一般式（Ｉ）で表される共重合ポリマーは、ｐ型半導体材料として電子供与性に優れている。したがって、上記一般式（Ｉ）で表される共重合ポリマーは、ｐ型半導体材料として用いられる。
　一方、ｎ型半導体材料としては、特に限定されず、例えば、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド（ＮＴＣＤＡ）、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド（ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボキシリックビスベンズイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ'－ジオクチル－３，４，９，１０－ナフチルテトラカルボキシジイミド（ＰＴＣＤＩ－Ｃ８Ｈ）、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（ＰＢＤ）、２，５－ジ（１－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール（ＢＮＤ）等のオキサゾール誘導体、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体（ＣＮ－ＰＰＶ）等が挙げられる。これらの中でも、安定でキャリア移動度の高いｎ型半導体材料であることから、フラーレン化合物が好ましい。
　フラーレン化合物としては、例えば、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ82、Ｃ84、Ｃ90、Ｃ94を始めとする無置換のもの、［６，６］－フェニルＣ６１ブチリックアシッドメチルエステル（［６，６］－ＰＣＢＭ、又は［６０］ＰＣＢＭ）、［５，６］－フェニルＣ６１ブチリックアシッドメチルエステル（［５，６］－ＰＣＢＭ）、［６，６］－フェニルＣ６１ブチリックアシッドヘキシルエステル（［６，６］－ＰＣＢＨ）、［６，６］－フェニルＣ６１ブチリックアシッドドデシルエステル（［６，６］－ＰＣＢＤ）、フェニルＣ７１ブチリックアシッドメチルエステル（ＰＣ70ＢＭ、又は［７０］ＰＣＢＭ）、フェニルＣ８５ブチリックアシッドメチルエステル（ＰＣ84ＢＭ）等が挙げられる。
　これらの中でも、優れた電子受容性を有する観点から、［６，６］－フェニルＣ６１ブチリックアシッドメチルエステル（［６，６］－ＰＣＢＭ、又は［６０］ＰＣＢＭ）がより好ましい。
　なお、これらのｎ型半導体材料は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　本発明において、ｐ型半導体材料とｎ型半導体材料の質量比〔ｐ型半導体材料：ｎ型半導体材料〕は、光電変換効率を向上させる観点から、好ましくは１０：１～１：１０、より好ましくは５：１～１：５、更に好ましくは１：１～１：５である。ここで、ｐ型半導体材料は、本発明の上記一般式（Ｉ）で表される共重合ポリマーのことをいう。
　ここで、本発明において、有機光電変換素子における光電変換効率とは、下記計算式（式１）により求められる値を意味する。
　光電変換効率［％］＝Ｖoc×Ｊsc×ＦＦ・・・（式１）
（Ｖocは開放電圧［Ｖ］、Ｊscは短絡電流密度［ｍＡ／ｃｍ2］、ＦＦは曲線因子を示す。）
　すなわち、光電変換効率は、開放電圧、短絡電流密度、及び曲線因子の３つの因子の積で算出される。本発明における有機光電変換素子は、ｐ型半導体材料として一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する共重合ポリマーを含むことで、上記因子のうち、特に開放電圧が上昇する効果を奏する。その理由は定かではないが、ＨＯＭＯ準位が深くなる結果であると推測される。
　また、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を含む光電変換層の形成方法としては、特に限定されないが、例えは、スピンコート及びバーコート等の塗布法、真空蒸着法等が挙げられる。これらの中でも、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を溶媒に溶かした溶液を上記塗布法により塗布する方法が好ましい。この溶液に含まれる溶媒としては、特に限定されず、例えば、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、テトラヒドロフラン等を用いることができる。
　本発明の有機光電変換素子の電極材料は、特に限定されないが、陰極電極材料としては、電子受容性材料のＬＵＭＯレベルに対してエネルギー障壁が小さく、仕事関数が比較的小さなものから選ばれ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ，Ｉｒ、Ｃｒ、ＺｎＯ、ＣＮＴ、及びそれらの合金、複合体等が挙げられる。
　一方、陽極電極材料としては、電子供与性材料のＨＯＭＯレベルとエネルギー障壁が小さく、比較的仕事関数が大きなものから選ばれ、透明なものが好ましい。例えば、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、ＩｒＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、酸化インジウム－酸化亜鉛（ＩＺＯ）、ＺｎＯ（Ｇａ、Ａｌドープ）、ＭｏＯ3等の材料から形成される透明半導体電極が挙げられる。
　電極の形成方法としては、特に制限はされず、例えば、真空蒸着、各種スパッタリング等の方法が挙げられる。
　なお、これらの光電変換層や電極材料は、基材上に積層することができる。基材としては、光電変換材料の種類や用途に応じて適宜選択されるが、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂等の有機材料から任意の方法で作製されたフィルムや板等が挙げられる。
　また、本発明において、必要に応じて、各層の接触界面に緩衝層（バッファ層）を設けることもできる。バッファ層としては、導電性の層であればよく、例えば、ポリ（３，４）－エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、酸化モリブデン、フッ化リチウム、酸化チタン、金あるいはバソクプロイン等からなる導電性の層が挙げられる。これらの中でも、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いることが好ましい。
　実施例において行った測定法の詳細を以下にまとめて示す。
（１）共重合ポリマーの重量平均分子量測定
　ＧＰＣ装置（東ソー（株）製、装置名「ＨＬＣ－８２２８ＧＰＣ」、カラム：製品名「ＳＨＯＤＥＸ　ＧＰＣ　ＫＦ－８０４Ｌ＋ＧＰＣ　ＫＦ－８０５Ｌ」）、カラム温度：４０℃、検出器：ＵＶ検出器（２５４ｎｍ）、溶離液：ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、カラム流速：１．０ｍｌ／分、ポリスチレン換算）を用いて、得られた共重合ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を測定した。また、繰り返し単位数ｎは、この重量平均分子量から算出した。
（２）1Ｈ－ＮＭＲ測定
　ＦＴ－ＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ製、装置名「ＪＮＭ－Ａ５００」）を用いた。
（３）有機光電変換素子の測定
　有機光電変換素子に、均一化した１００Ｗタングステンランプの光を照射しながら、ソーラーシミュレータ（ワコム電創製、装置名「ＷＸＳ－５０Ｓ－１．５」）、及び電圧－電流発生器（ＡＤＣ製、装置名「Ｒ６２４３」）を用いて、開放電圧（Ｖoc）、短絡電流密度（Ｊsc）、曲線因子（ＦＦ）を測定した。また、光電変換効率（η）は、上述の（式１）より算出した。
［合成例１：化合物（１ａ）の合成］
　１，２，５－ベンゾチアジアゾール（シグマアルドリッチ社製）９．８７ｇ、４８％臭化水素水（純正化学（株）製）５０ｍｌを混合し１１０℃まで加熱し、反応混合物に臭素３７．１ｇ、４８％臭化水素水３０ｍｌを滴下し、１１０℃のまま２．５時間撹拌した。反応液を冷却後、ろ過を行い、純水で洗浄した。得られた固体をクロロホルムで溶解し、純水で３回洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。その後、濃縮物をメタノールで再結晶化させ、１２．７３ｇの白色固体として、下記式で表される化合物（１ａ）を得た（収率６０％、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3）：７．７３（２Ｈ，ｓ））。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
［合成例２：化合物（１ｂ）の合成］
　化合物（１ａ）９．１４ｇとエタノール３００ｍｌを混合した後、０℃に冷却した。冷却後、水素化ホウ素ナトリウム（純正化学（株）製）２０．７ｇを少しずつ加えた後、室温まで昇温し３日間撹拌した。その後、反応液に純水を加えてジエチルエーテルで抽出し、純水、飽和食塩水の順で洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去し、７．５７ｇの白色固体として、下記式で表される化合物（１ｂ）を得た（収率９２％、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3）：３．８９（４Ｈ，ｓ）、６．８５（２Ｈ，ｓ））。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
［合成例３：化合物（１ｃ）の合成］
　化合物（１ｂ）１．０ｇとエタノール２５ｍｌを混合した後、４０％グリオキサール水溶液（東京化成工業（株）製）０．５６ｇを滴下した。室温で３時間撹拌後、反応液を４０℃まで加熱し１時間撹拌した。その後、反応液から溶媒を留去し、濃縮物を酢酸エチルで溶解し、純水、飽和食塩水の順で洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。その後、得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝５／９５及び３０／７０）で精製し、０．２３ｇの淡黄色固体として、下記式で表される化合物（１ｃ）を得た（収率２２％、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3）：８．０１（２Ｈ，ｓ）、９．０２（２Ｈ，ｓ））。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
［合成例４：化合物（１ｄ）の合成］
　化合物（１ｃ）１．６２ｇ、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（シグマアルドリッチ社製）１９８ｍｇを反応容器に投入し、反応容器を窒素置換した後に、２－チエニルトリブチルスズ（東京化成工業（株）製）４．３２ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド５６ｍｌをシリンジで加えた。反応液を９０℃まで加熱し、３．５時間撹拌した。その後、反応液を冷却し、純水を加えてトルエンで抽出し、有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。その後、濃縮物をメタノールで再結晶化させ、真空乾燥を行い、１．４１ｇの赤色固体として、下記式で表される化合物（１ｄ）を得た（収率８５％、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3）：７．２０（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝３．９，５．１Ｈｚ）、７．５２（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝０．９，５．１Ｈｚ）、７．８３（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝０．９，３．９Ｈｚ）、８．１３（２Ｈ，ｓ）、８．９８（２Ｈ，ｓ））。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
［合成例５：化合物（１ｅ）の合成］
　化合物（１ｄ）１．４１ｇとｏ－ジクロロベンゼン６０ｍｌを混合した後、５５℃まで加熱し、Ｎ－ブロモコハクイミド２．９６ｇを４回に分けて加え、５５℃の温度で更に６時間撹拌した。その後、反応液を１５０℃まで加熱して固体を完全に溶解させた後、室温まで冷却し、析出した固体をろ過で回収した。得られた固体を純水、エタノールの順で洗浄し、ｏ－ジクロロベンゼンで再結晶化し、２．００ｇの赤色固体として、下記式で表される化合物（１ｅ）を得た（収率９１％、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3）：７．１４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ）、７．５６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ）、８．１２（２Ｈ，ｓ）、８．９８（２Ｈ，ｓ））。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
［合成例６：化合物（２ａ）の合成］
　９，９－ジオクチル－２，７－ジブロモフルオレン（シグマアルドリッチ社製）６．０ｇを反応容器に投入し、反応容器を窒素置換した。テトラヒドロフラン１００ｍｌをシリンジで加え、－６５℃以下まで冷却した。反応溶液に１．６Ｍ　ｎ－ブチルリチウム／ヘキサン溶液１４ｍｌをシリンジで滴下し、－６５℃以下のまま１時間撹拌した。その後、２－イソプロポキシ－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（シグマアルドリッチ社製）４．４９ｇをシリンジで加え、－６５℃以下のまま１時間撹拌後、室温まで昇温し、１５時間撹拌した。その後、反応液に水を加え、ジエチルエーテルで抽出した後、飽和食塩水で洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。そして、濃縮物をメタノール：アセトン＝１０：１で再結晶化させ、４．７１ｇの白色固体として、下記式で表される化合物（２ａ）を得た（収率６７％、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3）：０．７５－１．１１（５４Ｈ，ｂｒ，ｍ）、２．０３（４Ｈ，ｍ）、７．６１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、８．２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、８．３０（２Ｈ，ｓ））。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
［実施例１：共重合ポリマー１の合成］
　化合物（１ｅ）１．０ｇ、化合物（２ａ）１．４２ｇ、金属錯体として、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（シグマアルドリッチ社製）４１ｍｇ、トリス（２－メチルフェニル）ホスフィン（東京化成工業（株）製）５４ｍｇを反応容器に投入し、反応容器を窒素置換した。そして、トルエン２２ｍｌ、１０％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（東京化成工業（株）製）１５ｍｌをシリンジで加え、反応溶液を９５℃まで加熱し、３日間撹拌した。その後、反応液にブロモベンゼン（東京化成工業（株）製）３５ｍｇ、フェニルボロン酸（東京化成工業（株）製）３０ｍｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）２ｍｇ、トリス（２－メチルフェニル）ホスフィン２．７ｍｇを加え、更に１日間９５℃で撹拌した。その後、反応液をメタノール／水＝９／１に滴下し、析出した固体をろ過で回収し、メタノールで洗浄した。得られた固体を、ソクスレー抽出機にて、アセトン、ヘキサンの順で洗浄した後、クロロホルムで抽出した。そして、クロロホルム抽出液から溶媒を留去した固体にクロロホルムを加えて溶解し、それをメタノール／水＝９／１に滴下し、析出した固体をろ過で回収後、真空乾燥をして、赤色固体として０．５１ｇの下記一般式（１）で表される共重合ポリマー１を得た（収率３４％、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3）：９．０８（２Ｈ，ｂｒ）、８．２２（２Ｈ，ｂｒ）、７．８７－７．７１（８Ｈ，ｂｒ）、７．４９（２Ｈ，ｂｒ）、２．１１（４Ｈ，ｂｒ）、１．１０（２４Ｈ，ｂｒ）、０．７９（６Ｈ，ｂｒ））。なお、図２は、得られた共重合ポリマー１の1Ｈ－ＮＭＲチャートである。
　得られた共重合ポリマー１の重量平均分子量Ｍｗは３４，７７０、共重合ポリマーの多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．４５、繰り返し単位数ｎは４９．６６であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
［実施例２：有機光電変換素子１の作製］
　ｐ型半導体として共重合ポリマー１を７．５ｍｇ、ｎ型半導体材料として［６０］ＰＣＢＭ（フロンティアカーボン（株）製、商品名「Ｎａｎｏｍ　Ｓｐｅｃｔｒａ　Ｅ１００Ｈ」）を３０．０ｍｇ秤量し、窒素雰囲気下で脱水クロロベンゼン（シグマアルドリッチ社製、脱水品）１．０ｍｌを加え、窒素雰囲気下で５０℃に加温しながら２４時間撹拌し混合溶液を調製した。
　次に、洗浄及びＵＶ－オゾン処理を行って清浄化したＩＴＯガラス（ガラス基板にスズドープ酸化インジウム膜を形成した透明導電性ガラス、抵抗値１４Ω／ｓｑ）に、文献（Ｂｒａｂｅｃ、Ｃ．Ｊ．　ｅｔ　ａｌ．、Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、２００９年、２１巻、１ページ）に記載された方法で、導電性ポリマー電極としてＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ（Ｃｌｅｖｉｏｓ社製）を４０ｎｍ成膜した上に、上記混合溶液を孔径０．４５μｍのシリンジフィルターで濾過してから滴下してスピンコートを行い、光電変換層を厚み７０ｎｍになるように形成した。形成された光電変換層の表面を観察したが、均質で曇りの無い膜が成膜されていた。
　次に、この光電変換層上にアルミニウム（高純度化学研究所（株）製）を約１００ｎｍ（真空度：８．２×１０-5Ｐａ、蒸着レート：０．１５ｎｍ／ｓ）積層し、有機光電変換素子１を作製した。
［参考例１：有機光電変換素子２の作製］
　ｐ型半導体としてＰ３ＨＴ（ポリ－３－ヘキシルチオフェン、Ｍｅｒｃｋ社製）を１５ｍｇ、ｎ型半導体として［６０］ＰＣＢＭ（フロンティアカーボン（株）製、商品名「Ｎａｎｏｍ　Ｓｐｅｃｔｒａ　Ｅ１００Ｈ」）を１１．３ｍｇ秤量し、窒素雰囲気下で脱水クロロベンゼン（シグマアルドリッチ社製、脱水品）１．０ｍｌを加え、窒素雰囲気下で５０℃に加温しながら２４時間撹拌し混合溶液を調製した。
　次に、実施例２で用いたものと同様のＩＴＯガラスに、非特許文献１に記載された方法で、導電性ポリマー電極としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｃｌｅｖｉｏｓ社製）を４０ｎｍ成膜した上に、上記混合溶液を孔径０．４５μｍのシリンジフィルターで濾過してから滴下し、回転数７００ｒｐｍで６０秒間スピンコートを行い、厚さ１２０ｎｍの薄膜を形成し、この薄膜に１５０℃で１０分間加熱処理を行って光電変換層とした。形成された光電変換層の表面を観察したが、均質で曇りの無い膜が成膜されていた。
　次に、この光電変換層にアルミニウム（高純度化学研究所（株）製）を約１００ｎｍ（真空度：８．２×１０-5Ｐａ、蒸着レート：０．１５ｎｍ／ｓ）積層し、有機光電変換素子２を作製した。
　得られた有機光電変換素子１、２について、上述の方法で開放電圧（Ｖoc）、短絡電流密度（Ｊsc）、曲線因子（ＦＦ）、及び光電変換効率（η）を測定した。結果を第１表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
　実施例１で合成した共重合ポリマーを用いた有機光電変換素子１は、最も一般的な有機薄膜太陽電池の一つである参考例１の［６０］ＰＣＢＭ／Ｐ３ＨＴ混合系の有機光電変換素子２と比べて、大きな変換効率が得られた。そのため、本発明の有機光電変換素子は、参考例１の従来のものと比べて、光電変換効率が優れている。
　この結果から、本発明の共重合ポリマーは、有機薄膜太陽電池用のｐ型半導体材料として非常に有用である。
　本発明の共重合ポリマーは、有機薄膜太陽電池用のｐ型半導体材料として非常に有用である。
１　陽極
２　光電変換層
３　陰極
４　有機光電変換素子

Claims (5)

  1. 　下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する、共重合ポリマー。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を示し、ｎは繰り返し単位数を示し、２～７５である。）
  2. 　前記一般式（Ｉ）中のｎが、３～６０である、請求項１に記載の共重合ポリマー。
  3. 　前記一般式（Ｉ）中のＲ1及びＲ2が、それぞれ独立に炭素数１～１２のアルキル基又は置換アルキル基である、請求項１又は２に記載の共重合ポリマー。
  4. 　前記一般式（Ｉ）の末端に、水素原子及び／又は炭化水素基を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の共重合ポリマー。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の共重合ポリマーを含む光電変換層を有する、有機光電変換素子。
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