WO2012084733A1 - Verfahren zum herstellen eines pyrolysetauglichen bauteils eines gargeräts sowie pyrolysetaugliches bauteil für ein gargerät - Google Patents

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WO2012084733A1
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silicon dioxide
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carbon
base part
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Jochen Herbolsheimer
Frank JÖRDENS
Jürgen Salomon
Philipp Schaller
Gerhard Schmidmayer
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BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH
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    • F24C15/168—Shelves, racks or trays inside ovens; Supports therefor with telescopic rail systems

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a pyrolysetau réelle member of a cooking appliance, wherein the cooking appliance is designed to carry out a pyrolysis operation.
  • a base member of the component is provided and coated.
  • the invention relates to a pyrolysetaugliches component for a cooking appliance.
  • a base element of the component is provided and coated.
  • a silicon dioxide layer by a PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) deposition is provided on the base.
  • PECVD plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • the silicon dioxide layer is produced by a high-rate PECVD deposition, in which this layer is produced at a speed of greater than 0.5 ⁇ m / ⁇ m, in particular approximately 1 ⁇ m / ⁇ m, Such a procedure is particularly advantageous. Because the silicon dioxide layer can be applied particularly firmly and stably.
  • the silicon dioxide layer is produced with a thickness of less than or equal to 10 ⁇ m, in particular between 50 nm and 2000 nm.
  • a thin silicon dioxide layer on the particular metallic base is sufficient to achieve the above advantages and improvements properly. As a result, a very material-saving coating process can be made possible.
  • a microwave-induced plasma at 2.45 GHz is generated in the PECVD deposition.
  • the protection against thermal tarnish and chemical attack by food residues on the component can be achieved particularly advantageous.
  • the silicon dioxide coating is produced in vacuum using the above-mentioned microwave-induced plasma.
  • the plasma generated in this way excites the so-called precursor (for example hexamethyldisiloxane) in such a way that a very dense, well-adhering non-porous layer is produced on the component in comparison to the conventional plasma methods.
  • foreign atoms are introduced into a layer structure comprising the silicon dioxide layer.
  • the process parameters during the deposition it is possible to incorporate these foreign atoms in the layer composite in such a way that gradient layers are produced.
  • different thermal expansion coefficients between the base part and the coating can be compensated or the surface energy of the coating can be varied.
  • the layer structure is formed with a first layer which comprises silicon, oxygen, carbon and hydrogen, and is formed as the layer closest to the base part.
  • this first layer is a SiO x C y H z layer (with 0 ⁇ x, y, z ⁇ 2).
  • the layer structure is formed with a second layer which comprises silicon and carbon and is formed on the first layer, the concentration of carbon in the second layer being smaller than in the first layer.
  • a gradient in concentration is adjusted, particularly with regard to the carbon atoms and oxygen atoms.
  • the layer structure is formed with a second layer comprising silicon, oxygen, carbon and hydrogen, and on the first layer is formed, wherein the concentration of oxygen, carbon and hydrogen in the second layer is different than in the first layer.
  • a gradient in concentration is adjusted, particularly with regard to the hydrogen atoms, carbon atoms and oxygen atoms.
  • the silicon dioxide layer is formed quasi as a third layer on the second layer.
  • the three layers of the layer structure are each formed with the same layer thickness. However, it can also be provided that the three layers are produced with different layer thicknesses.
  • the base is formed of metal.
  • the invention further relates to a pyrolysetaugliches component for a cooking appliance, which has a base, which is coated.
  • a silicon dioxide layer is formed, which is deposited by PECVD deposition, in particular by high-rate PECVD deposition on the base.
  • the component is a grid or a food support or a telescopic extension device for receiving a food support.
  • a food support for example, a grid, a baking tray or a grill pan may be provided.
  • the support frame for receiving a food support may be formed for example of rods as a lattice frame and in the cooking chamber non-destructive attachable and removable again.
  • a layer composite is formed on the base part, which has a first layer with silicon, carbon, oxygen and hydrogen on which a second layer of silicon and carbon is formed, wherein the concentration of carbon in the second layer is smaller than in the first layer, and on the second layer to the outside of the silicon dioxide layer is formed. It is preferably provided that on the base a layer composite is formed, which has a first layer of silicon, carbon, oxygen and hydrogen, on which - optionally a second layer with silicon oxygen, carbon and hydrogen is formed, wherein the concentration of oxygen , Carbon and hydrogen in the second layer is other than in the first layer, and on the second layer to the outside of the silicon dioxide layer is formed.
  • FIG. 1 is a simplified representation of a support frame for receiving a
  • FIG. 2 shows a telescopic extension device for receiving a food support.
  • FIG. 3 is a sectional view through a rod of the support frame according to FIG. 1.
  • a support frame 1 which is constructed of rods.
  • the support frame 1 can be introduced into the cooking chamber and arranged for example on a vertical side wall of a muffle.
  • the support frame 1 comprises two vertical support rods 2 and 3, on which a plurality of guide rods is arranged. These are each assigned in pairs to each other and each form an insertion guide.
  • four insertion guides 4, 5, 6 and 7 are given, which are viewed in the vertical direction at different height levels. As a result, insertion levels for a food support in the muffle are also specified.
  • the insertion guide 4 comprises two parallel mutually oriented guide rods 8 and 9, between which then the food support can be inserted and held with a portion.
  • the support frame 1 is made as a pyrolysetaugliches component having a base of metal, on the outside of a layer composite is applied. This is generated by high-rate PECVD deposition.
  • a telescopic extension device 10 is shown in a simplified perspective view, which is also designed to hold a food support and in a cooking chamber on a vertical side wall of a muffle can be fastened.
  • the telescopic extension device 10 comprises in the exemplary embodiment two rails 1 1 and 12, wherein the rail 1 1 is the fixedly mounted rail and the rail 12 is the relatively movable pull-out rail.
  • This telescopic extension device 10 is also a component suitable for pyrolysis, which is in each case formed from a base part which is coated on the outside with a layer composite, this being produced by high-rate PECVD deposition.
  • the laminate can both components contain up to three layers, first, an SiO x is formed C y H z layer as the first layer on the base part and on it, as the second layer then, an SiO k C
  • FIG. 1 a sectional view through the rod 8 is shown in FIG. It is the base part 13 can be seen.
  • the SiO x C y H z layer On the outside 14 of the first layer 15 is formed, which, as already mentioned above, the SiO x C y H z layer.
  • the silicon dioxide layer 17 On the outside, the silicon dioxide layer 17 is then formed.
  • the three layers 15 to 17 have a concentration gradient with respect to the foreign atoms carbon and hydrogen, which decreases from the inside to the outside.
  • the layers 15 to 17 are applied with a high-rate PECVD deposition process, wherein the layers are produced at a rate of up to about 6 ⁇ / ⁇ (preferably 0.5 to 1 ⁇ / ⁇ ). In doing so, a microwave-induced plasma is generated at 2.45 GHz. The generation of Silicon dioxide layer 17 is vacuumed using this microwave induced plasma.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils (1, 10) eines Gargeräts, welches zur Durchführung eines Pyrolysebetriebs ausgebildet ist, bei welchem ein Grundteil (13) des Bauteils (1, 10) bereitgestellt und beschichtet wird, wobei auf dem Grundteil (13) eine Siliziumdioxidschicht (17) durch eine PECVD-Abscheidung erzeugt wird. Die Erfindung betrifft auch ein pyrolysetaugliches Bauteil (1, 10).

Description

Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils eines Gargeräts sowie pyrolysetaugliches Bauteil für ein Gargerät
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils eines Gargeräts, wobei das Gargerät zur Durchführung eines Pyrolysebetriebs ausgebildet ist. Bei dem Verfahren wird ein Grundelement des Bauteils bereitgestellt und beschichtet. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein pyrolysetaugliches Bauteil für ein Gargerät.
Bei Gargeräten, wie einem Backofen, ist es bekannt, dass in dem Garraum Traggestelle zur Aufnahme von Gargutträgern, wie beispielsweise eine Grillpfanne, ein Backblech oder einen Grillrost, vorgesehen sind. Darüber hinaus können auch Auszugsvorrichtungen, wie beispielsweise Teleskopauszüge, vorgesehen sein, auf denen derartige Gargutträger positioniert werden können. Bei Backöfen, die einen Pyrolysebetrieb ermöglichen, treten in diesem Pyrolysebetrieb sehr hohe Temperaturen auf, die auf die Bauteile im Garraum einwirken. Herkömmliche Bauteile, die während des Pyrolysebetriebs im Garraum belassen werden können, sind mit Emaille beschichtet. Diese sind jedoch sehr aufwändig herstellbar und dadurch auch teuer. Darüber hinaus verlieren sie mit der Dauer den typischen Edelstahleindruck. Darüber hinaus sind emaillierte Bauteile schlagempfindlich, so dass es zu Abplatzern von der Emaillebeschichtung kommen kann.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils eines Gargeräts sowie ein derartiges Bauteil zu schaffen, bei dem im Hinblick auf die Einwirkung in einem Pyrolysebetrieb eine größere Verschleißarmut gegeben ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren, welches die Merkmale nach Anspruch 1 aufweist, und ein Bauteil, welches die Merkmale nach Anspruch 12 aufweist, gelöst.
Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils eines Gargeräts, welches zur Durchführung eines Pyrolysebetriebs ausgebildet ist, wird ein Grundelement des Bauteils bereitgestellt und beschichtet. Auf dem Grundteil wird eine Siliziumdioxidschicht durch eine PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition)-Abscheidung erzeugt. Durch eine derartige spezifische Aufbringungsart einer derartig spezifischen Materialschicht wird erreicht, dass die Pyrolysetauglichkeit des Bauteils deutlich verbessert ist. Die Robustheit und die Verschleißarmut derartiger Bauteile gegenüber den Einwirkungen bei einer Pyrolyse kann wesentlich erhöht werden. Insbesondere kann durch eine derartige Ausgestaltung erreicht werden, dass die bei herkömmlichen Bauteilen auftretende Verfleckung beziehungsweise die Anlauffarben bei der Pyrolyse verhindert werden können. Der metallische Charakter des Bauteils bleibt darüber hinaus erhalten.
Insbesondere ist es ermöglicht, dass ein derartiges pyrolysetaugliches Bauteil emaillefrei beschichtet wird und somit das Auftreten von Abplatzern verhindert werden kann.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Siliziumdioxidschicht durch eine Hochrate- PECVD-Abscheidung erzeugt wird, bei welcher diese Schicht mit einer Geschwindigkeit von größer 0,5 μηι/ΓΤπη, insbesondere etwa 1 μΓη/ηιίη, erzeugt wird, Eine derartige Vorgehensweise ist besonders vorteilhaft, da die Siliziumdioxidschicht besonders fest und stabil aufgebracht werden kann.
Im Vergleich zur Emaillierung ist dies ein besonders ressourcenschonendes Beschichtungsverfahren, da keine hohen Einbrenntemperaturen erforderlich sind.
Vorzugsweise wird vorgesehen, dass die Siliziumdioxidschicht mit einer Dicke kleiner oder gleich 10 μηι, insbesondere zwischen 50 nm und 2000 nm, erzeugt wird. Bereits eine derartige dünne Siliziumdioxidschicht auf dem insbesondere metallischen Grundteil reicht aus, um die oben genannten Vorteile und Verbesserungen einwandfrei erzielen zu können. Dadurch kann auch ein sehr materialsparendes Beschichtungsverfahren ermöglicht werden.
Vorzugsweise wird vorgesehen, dass bei der PECVD-Abscheidung ein mikrowelleninduziertes Plasma bei 2,45 GHz erzeugt wird. Der Schutz gegen thermische Anlauffarben und chemischen Angriff durch Lebensmittelreste auf das Bauteil kann dadurch besonders vorteilhaft erzielt werden. Vorzugsweise wird die Siliziumdioxidbeschichtung im Vakuum unter Verwendung des oben genannten mikrowelleninduzierten Plasmas erzeugt. Das so erzeugte Plasma regt den so genannten Precursor (beispielsweise Hexamethyldisiloxan) so an, dass eine im Vergleich zu den üblichen Plasmaverfahren sehr dichte, gut haftende porenfreie Schicht auf dem Bauteil erzeugt wird.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass in einen die Siliziumdioxidschicht umfassenden Schichtenaufbau Fremdatome eingebracht werden. Durch Variation der Prozessparameter bei der Abscheidung ist es möglich, diese Fremdatome so in den Schichtenverbund einzubauen, dass Gradientenschichten erzeugt werden. Dadurch können zum Beispiel unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Grundteil und der Beschichtung kompensiert oder die Oberflächenenergie der Beschichtung variiert werden.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass als Fremdatome Kohlenstoff und/oder Wasserstoff eingebracht werden. Die oben genannten Eigenschaften können dadurch besonders präzise und dauerhaft erzielt werden.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Schichtenaufbau mit einer ersten Schicht ausgebildet wird, die Silizium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff aufweist, und als dem Grundteil nächstgelegene Schicht ausgebildet wird. Vorzugsweise ist diese erste Schicht eine SiOxCyHz-Schicht (mit 0<x,y,z<2).
Vorzugsweise wird vorgesehen, dass der Schichtenaufbau mit einer zweiten Schicht ausgebildet wird, die Silizium und Kohlenstoff aufweist, und auf der ersten Schicht ausgebildet wird, wobei die Konzentration von Kohlenstoff in der zweiten Schicht kleiner als in der ersten Schicht ausgebildet wird. In Bezug auf die zwei Schichten wird somit ein Gradient in der Konzentration eingestellt, wobei dies insbesondere die Kohlenstoffatome und Sauerstoffatome betrifft. Die oben genannten Vorteile im Hinblick auf die Angleichung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten oder die Variation der Oberflächenenergie kann dadurch verbessert werden.
Es ist auch möglich, dass der Schichtenaufbau mit einer zweiten Schicht ausgebildet wird, die Silizium , Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff aufweist, und auf der ersten Schicht ausgebildet wird, wobei die Konzentration von Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff in der zweiten Schicht eine andere ist als in der ersten Schicht. In Bezug auf die zwei Schichten wird somit ein Gradient in der Konzentration eingestellt, wobei dies insbesondere die Wasserstoffatome, Kohlenstoffatome und Sauerstoffatome betrifft. Die oben genannten Vorteile im Hinblick auf die Angleichung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten oder die Variation der Oberflächenenergie kann dadurch verbessert werden.
Vorzugsweise wird vorgesehen, dass die Siliziumdioxidschicht quasi als dritte Schicht auf der zweiten Schicht ausgebildet wird.
Ein derartiger Schichtenaufbau ist im Hinblick auf die oben genannten Vorteile und Verbesserungen besonders hervorzuheben.
Es kann vorgesehen sein, dass die drei Schichten des Schichtenaufbaus mit jeweils gleicher Schichtdicke ausgebildet werden. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, dass die drei Schichten mit unterschiedlichen Schichtdicken erzeugt werden.
Vorzugsweise ist das Grundteil aus Metall ausgebildet. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein pyrolysetaugliches Bauteil für ein Gargerät, welches ein Grundteil aufweist, das beschichtet ist. Als Beschichtung ist eine Siliziumdioxidschicht ausgebildet, welche durch PECVD-Abscheiden, insbesondere durch Hochrate-PECVD-Abscheiden, auf das Grundteil aufgebracht ist. Vorzugsweise ist das Bauteil ein Gitterrost oder ein Gargutträger oder eine Teleskopauszugsvorrichtung zur Aufnahme eines Gargutträgers. Als Gargutträger kann beispielsweise ein Gitterrost, ein Backblech oder eine Grillpfanne vorgesehen sein. Das Traggestell zur Aufnahme eines Gargutträgers kann beispielsweise aus Stäben als Gittergestell ausgebildet sein und in den Garraum zerstörungsfrei reversibel anbringbar und wieder entnehmbar sein.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass auf dem Grundteil ein Schichtenverbund ausgebildet ist, welcher eine erste Schicht mit Silizium, Kohlenstoff, Sauerstoff und Wasserstoff aufweist, auf welche eine zweite Schicht mit Silizium und Kohlenstoff ausgebildet ist, wobei die Konzentration des Kohlenstoffs in der zweiten Schicht kleiner ist als in der ersten Schicht, und auf der zweiten Schicht nach außen hin die Siliziumdioxidschicht ausgebildet ist. Vorzugsweise ist vorgesehen, dass auf dem Grundteil ein Schichtenverbund ausgebildet ist, welcher eine erste Schicht mit Silizium, Kohlenstoff, Sauerstoff und Wasserstoff aufweist, auf welche - fakultativ- eine zweite Schicht mit Silizium Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff ausgebildet ist, wobei die Konzentration des Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff in der zweiten Schicht eine andere ist als in der ersten Schicht, und auf der zweiten Schicht nach außen hin die Siliziumdioxidschicht ausgebildet ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand schematischer Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 eine vereinfachte Darstellung eines Traggestells zur Aufnahme eines
Gargutträgers;
Fig. 2 eine Teleskopauszugsvorrichtung zur Aufnahme eines Gargutträgers; und Fig. 3 eine Schnittdarstellung durch einen Stab des Traggestells gemäß Fig. 1.
In den Figuren werden gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen. In Fig. 1 ist ein Traggestell 1 gezeigt, welches aus Stäben aufgebaut ist. Das Traggestell 1 kann in den Garraum eingebracht werden und beispielsweise an einer vertikalen Seitenwand einer Muffel angeordnet werden. Das Traggestell 1 umfasst zwei vertikale Haltestäbe 2 und 3, an denen eine Vielzahl von Führungsstäben angeordnet ist. Diese sind jeweils paarweise einander zugeordnet und bilden jeweils eine Einschubführung. Im Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, dass vier Einschubführungen 4, 5, 6 und 7 vorgegeben sind, die in vertikaler Richtung betrachtet auf unterschiedlichen Höhenniveaus liegen. Dadurch werden auch Einschubebenen für einen Gargutträger in der Muffel vorgegeben. Beispielsweise umfasst die Einschubführung 4 zwei parallel zueinander orientierte Führungsstäbe 8 und 9, zwischen denen dann der Gargutträger mit einem Teilbereich eingeschoben und gehalten werden kann. Das Traggestell 1 ist als pyrolysetaugliches Bauteil hergestellt, welches ein Grundteil aus Metall aufweist, an dessen Außenseite ein Schichtenverbund aufgebracht ist. Dieser ist durch ein Hochrate- PECVD-Abscheiden erzeugt.
In Fig. 2 ist in einer vereinfachten perspektivischen Darstellung eine Teleskopauszugsvorrichtung 10 gezeigt, welcher ebenfalls zur Aufnahme eines Gargutträgers ausgebildet ist und in einem Garraum an einer vertikalen Seitenwand einer Muffel befestigbar ist. Die Teleskopauszugsvorrichtung 10 umfasst im Ausführungsbeispiel zwei Schienen 1 1 und 12, wobei die Schiene 1 1 die ortsfest angebrachte Schiene ist und die Schiene 12 die dazu relativ bewegbare Auszugsschiene ist. Auch diese Teleskopauszugsvorrichtung 10 ist ein pyrolysetaugliches Bauteil, welches jeweils aus einem Grundteil ausgebildet ist, das außenseitig mit einem Schichtenverbund beschichtet ist, wobei dies durch ein Hochrate-PECVD-Abscheiden erzeugt wurde. Der Schichtenverbund kann bei beiden Bauteilen bis zu drei Schichten aufweisen, wobei zunächst auf dem Grundteil eine SiOxCyHz -Schicht als erste Schicht ausgebildet ist und darauf als zweite Schicht dann eine SiOkC|Hm -Schicht ausgebildet ist (mit 0<x,y,z,k,l,m<2 und x^k; y^l, z^m). Auf dieser zweiten Schicht nach außen hin anschließend ist dann eine Siliziumdioxidschicht ausgebildet.
Dazu ist in Fig. 3 eine Schnittdarstellung durch den Stab 8 gezeigt. Es ist dabei das Grundteil 13 zu erkennen. Auf dessen Außenseite 14 ist die erste Schicht 15 ausgebildet, die, wie bereits oben erwähnt, die SiOxCyHz-Schicht ist. Auf diese ist dann die zweite Schicht 16 aufgebracht, welche eine SiOkC|Hm -Schicht ist. Außen liegend ist dann die Siliziumdioxidschicht 17 ausgebildet. Die drei Schichten 15 bis 17 weisen im Hinblick auf die Fremdatome Kohlenstoff und Wasserstoff einen Konzentrationsgradienten auf, der von innen nach außen abnimmt.
Darüber hinaus sind die Schichten 15 bis 17 mit einem Hochrate-PECVD- Abscheideverfahren aufgebracht, wobei die Schichten mit einer Geschwindigkeit von bis etwa 6 μΓη/ηιίη erzeugt werden (vorzugsweise 0,5 - 1 μΓη/ηιίη). Es wird dabei ein mikrowelleninduziertes Plasma bei 2,45 GHz erzeugt. Die Erzeugung der Siliziumdioxidschicht 17 erfolgt im Vakuum unter Verwendung dieses mikrowelleninduzierten Plasmas.
Bezugszeichenliste
1 Traggestell
2, 3 Haltestäbe
4, 5, 6, 7 Einschubführungen
8, 9 Führungsstäbe
10 Teleskopauszugsvorrichtung
1 1 , 12 Schienen
13 Grundteil
14 Außenseite
15, 16, 17 Schichten

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils (1 , 10) eines Gargeräts, welches zur Durchführung eines Pyrolysebetriebs ausgebildet ist, bei welchem ein Grundteil (13) des Bauteils (1 , 10) bereitgestellt und beschichtet wird, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Grundteil (13) eine Siliziumdioxidschicht (17) durch eine PECVD-Abscheidung erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumdioxidschicht (17) durch eine Hochrate-PECVD-Abscheidung erzeugt wird, bei welcher die Schicht (17) mit einer Geschwindigkeit von größer 0,5 μηι/ΓΤΐίη , insbesondere etwa 1 μηι/Γηίη, erzeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die
Siliziumdioxidschicht (17) mit einer Dicke kleiner oder gleich 10 μηι, insbesondere zwischen 50 nm und 2000 nm, erzeugt wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der PECVD-Abscheidung ein mikrowelleninduziertes Plasma bei 2,45 GHz erzeugt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einen die Siliziumdioxidschicht (17) umfassenden Schichtenaufbau auf dem Grundteil (13) Fremdatome eingebracht werden.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als Fremdatome
Kohlenstoff und/oder Wasserstoff eingebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Fremdatome mit einem definierten Konzentrationsgradienten in Richtung der Schichtdicke der Siliziumdioxidschicht (17) eingebracht werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Schichtenaufbau mit einer ersten Schicht (15) ausgebildet wird, die Silizium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff aufweist, und als dem Grundteil (13) nächstgelegene Schicht (15) ausgebildet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Schichtenaufbau mit einer zweiten Schicht (16) ausgebildet wird, die Silizium und Kohlenstoff aufweist, und auf der ersten Schicht (15) ausgebildet wird, wobei die Konzentration von Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff in der zweiten Schicht (16) eine andere ist als in der ersten Schicht (15).
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumdioxidschicht (17) auf der ersten oder zweiten Schicht (16) ausgebildet wird.
1 1. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Grundteil (13) aus Metall ausgebildet wird.
12. Pyrolysetaugliches Bauteil (1 , 10) für ein Gargerät, welches ein Grundteil (13)
aufweist, welches beschichtet ist, dadurch gekennzeichnet, dass als
Beschichtung eine Siliziumdioxidschicht (17) ausgebildet ist, welche durch PECVD- Abscheiden, insbesondere Hochrate-PECVD-Abscheiden, auf das Grundteil (13) aufgebracht ist.
13. Bauteil nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil ein
Traggestell (1 ) zur Aufnahme eines Gargutträgers oder ein Gargutträger oder eine Teleskopauszugsvorrichtung (10) zur Aufnahme eines Gargutträgers ist.
14. Bauteil nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Grundteil (13) ein Schichtenverbund ausgebildet ist, welcher eine erste Schicht (15) mit Silizium, Kohlenstoff, Sauerstoff und Wasserstoff aufweist, auf welcher eine zweite Schicht (16) mit Silizium Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff ausgebildet ist, wobei die Konzentration des Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff in der zweiten Schicht (16) kleiner ist als in der ersten Schicht (15) ist, und auf der ersten oder zweiten Schicht (16) die Siliziumdioxidschicht (17) ausgebildet ist.
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