WO2012067025A1 - シリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示すシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。まず、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた後、超純水(Fe濃度:1ng/L)を用いて2分間リンス処理を行った。
図1に示すシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。その後、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた後、超純水(Cu濃度:1ng/L)を用いて2分間リンス処理を行った。
図1に示されるようなシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。まず、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた。その後、三方切替弁7の操作により超純水供給ライン5から液供給管11への流路を開成し、超純水W(Fe濃度:1ng/L)を用いて2分間リンス処理を行った。
Fe濃度が5ng/Lの超純水を使用する以外は実施例1と同様にしてシリコンウェハの清浄化処理を行い、乾燥後のシリコンウェハにおけるFe付着量を気相分解-ICP/MSにより分析したところ、Fe元素のウェハ上濃度は4.3×1010atoms/cm2であった。
実施例2における金属付着量をフィードバックし、炭酸ガス供給装置7から超純水に供給する炭酸ガスを5ppmとすること以外は実施例2と同様にしてシリコンウェハの清浄化処理を行い、乾燥後のシリコンウェハにおけるFe付着量を気相分解-ICP/MSにより分析したところ、Fe元素のウェハ上濃度は8.9×109atoms/cm2まで減少した。
図1に示されるようなシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。まず、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた。その後、三方切替弁7の操作により超純水供給ライン5から液供給管11への流路を開成し、バルブ8Aを開成して炭酸ガス供給装置7から超純水W(Cu濃度:1ng/L)に炭酸ガスを1ppm供給することにより、炭酸水を用いて2分間リンス処理を行った。
1…洗浄槽
3…炭酸ガス供給装置
4…オゾンガス供給装置
5…超純水供給ライン
7…三方切替弁
8A,8B…バルブ
Claims (11)
- 洗浄液により洗浄したシリコンウェハを、炭酸水によりリンスすることを特徴とするシリコンウェハ清浄化方法。
- 前記シリコンウェハを前記炭酸水によりリンスした後、超純水によりリンスすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハ清浄化方法。
- 前記シリコンウェハ清浄化方法により清浄化された後の前記シリコンウェハへの金属付着量の分析結果に基づいて炭酸ガス濃度が調整された炭酸水により、前記洗浄液により洗浄されたシリコンウェハをリンスすることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンウェハ清浄化方法。
- 前記洗浄液による洗浄を行った洗浄槽において、前記炭酸水によるリンス処理を行うことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のシリコンウェハ清浄化方法。
- 前記洗浄液による洗浄を行った洗浄槽とは異なる洗浄槽において、前記炭酸水によるリンス処理を行うことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のシリコンウェハ清浄化方法。
- ガス透過膜を用いて炭酸ガスを超純水に溶解させる方法、超純水が通液するラインに炭酸ガスを注入する方法、又は炭酸型イオン交換樹脂と超純水とを接触させて超純水中に炭酸ガスを徐放させる方法により、前記炭酸水を調製することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のシリコンウェハ清浄化方法。
- 洗浄液によりシリコンウェハの洗浄処理を行う清浄槽と、
炭酸水を前記清浄槽に供給する炭酸水供給部と
を備え、
前記炭酸水供給部から前記清浄槽に供給された炭酸水により、前記洗浄液により洗浄されたシリコンウェハをリンスすることを特徴とするシリコンウェハ清浄化装置。 - 前記清浄槽に超純水を供給する超純水供給部をさらに備え、
前記シリコンウェハを前記炭酸水によりリンスした後、前記超純水供給部から前記清浄槽に供給された超純水により、前記シリコンウェハをリンスすることを特徴とする請求項7に記載のシリコンウェハ清浄化装置。 - 前記清浄槽に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記清浄槽への前記洗浄液と前記炭酸水との供給を切り替える液体供給ユニットとをさらに備えることを特徴とする請求項7または8に記載のシリコンウェハ清浄化装置。 - シリコンウェハの洗浄処理を行う洗浄槽と、
前記洗浄槽内において洗浄処理が行われたシリコンウェハのリンス処理を行うリンス槽と、
前記リンス槽に炭酸水を供給する炭酸水供給部と
を備え、
前記炭酸水供給部から前記リンス槽に供給された炭酸水により、前記洗浄槽にて洗浄されたシリコンウェハをリンスすることを特徴とするシリコンウェハ清浄化装置。 - 前記シリコンウェハ清浄化装置により清浄化された後の前記シリコンウェハへの金属付着量の分析結果に基づいて炭酸ガス濃度が調整された炭酸水により、前記洗浄液により洗浄されたシリコンウェハをリンスすることを特徴とする請求項7~10のいずれか1項に記載のシリコンウェハ清浄化装置。
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