WO2012060460A1 - 置換カルコゲノアセン化合物 - Google Patents
置換カルコゲノアセン化合物 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012060460A1 WO2012060460A1 PCT/JP2011/075529 JP2011075529W WO2012060460A1 WO 2012060460 A1 WO2012060460 A1 WO 2012060460A1 JP 2011075529 W JP2011075529 W JP 2011075529W WO 2012060460 A1 WO2012060460 A1 WO 2012060460A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- fluorine atom
- compound
- atom
- Prior art date
Links
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 title abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 51
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 31
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 105
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 60
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 11
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 9
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 2
- -1 2-ethylhexyl group Chemical group 0.000 description 216
- 238000000034 method Methods 0.000 description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 19
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 13
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 8
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N Vilsmeier-Haack reagent Natural products CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 5
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 4
- FRLGLIZOVAOJPU-UHFFFAOYSA-N 2-(4-hexylphenyl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound C1=CC(CCCCCC)=CC=C1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 FRLGLIZOVAOJPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 4
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004972 1-butynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C#C* 0.000 description 3
- 125000000530 1-propynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#C* 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- USDBUPWGLHJMFC-UHFFFAOYSA-N 4,11-dibromo-3,7,10,14-tetrathiatetracyclo[6.6.0.02,6.09,13]tetradeca-1(8),2(6),4,9(13),11-pentaene Chemical compound Brc1cc2sc3c4sc(Br)cc4sc3c2s1 USDBUPWGLHJMFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RPNDVNFIVZPZHH-UHFFFAOYSA-N 4-(2-hexyldecyl)aniline Chemical compound CCCCCCCCC(CCCCCC)CC1=CC=C(N)C=C1 RPNDVNFIVZPZHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGYUJBHLIHOYEN-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)C(CC1=CC=C(C=C1)B1OC(C)(C)C(C)(C)O1)CCCCCCCC Chemical compound C(CCCCC)C(CC1=CC=C(C=C1)B1OC(C)(C)C(C)(C)O1)CCCCCCCC KGYUJBHLIHOYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QJNZEHIXZAUZJK-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCC(CCCCCC)CC1=CC=C(I)C=C1 Chemical compound CCCCCCCCC(CCCCCC)CC1=CC=C(I)C=C1 QJNZEHIXZAUZJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 3
- 125000004410 cyclooctyloxy group Chemical group C1(CCCCCCC1)O* 0.000 description 3
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000005446 heptyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005921 isopentoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000006611 nonyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N sphos Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 3
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGEWQJMYCRLSAT-UHFFFAOYSA-M [Br-].CCCCCCCCC(C[Mg+])CCCCCC Chemical compound [Br-].CCCCCCCCC(C[Mg+])CCCCCC FGEWQJMYCRLSAT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003113 cycloheptyloxy group Chemical group C1(CCCCCC1)O* 0.000 description 2
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGWBXRXNERKBSJ-UHFFFAOYSA-N dithieno[2,3-a:2',3'-d]thiophene Chemical group C1=CSC2=C1SC1=C2SC=C1 VGWBXRXNERKBSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 2
- 125000001802 myricyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005484 neopentoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001196 nonadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) nitrate Chemical compound [Pd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003444 phase transfer catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 2
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FMYXZXAKZWIOHO-UHFFFAOYSA-N trichloro(2-phenylethyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCC1=CC=CC=C1 FMYXZXAKZWIOHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RRHPTXZOMDSKRS-PHFPKPIQSA-L (1z,5z)-cycloocta-1,5-diene;dichloropalladium Chemical compound Cl[Pd]Cl.C\1C\C=C/CC\C=C/1 RRHPTXZOMDSKRS-PHFPKPIQSA-L 0.000 description 1
- XYNVLFGOOWUKQS-UHFFFAOYSA-N (4-hexoxyphenyl)boronic acid Chemical compound CCCCCCOC1=CC=C(B(O)O)C=C1 XYNVLFGOOWUKQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APQIUTYORBAGEZ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dibromoethane Chemical compound CC(Br)Br APQIUTYORBAGEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CENMEJUYOOMFFZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,2-benzodioxaborole Chemical group C1=CC=C2OBOC2=C1 CENMEJUYOOMFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCWDBNBNYVVARF-UHFFFAOYSA-N 1,3,2-dioxaborolane Chemical group B1OCCO1 NCWDBNBNYVVARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIMPAOAAAYDUKQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-4-(4-methoxyphenyl)benzene Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC=C(OC)C=C1 UIMPAOAAAYDUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 2,2,5,8-tetramethyl-3,4-dihydrochromen-6-ol Chemical compound C1CC(C)(C)OC2=C1C(C)=C(O)C=C2C MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEMZPXWZVTUONV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-dicyclohexylphosphanylphenyl)-n,n-dimethylaniline Chemical group CN(C)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 ZEMZPXWZVTUONV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWZQTJFOKCBQGX-UHFFFAOYSA-N 2-(5-hexylthiophen-2-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound S1C(CCCCCC)=CC=C1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 FWZQTJFOKCBQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- FAFGMAGIYHHRKN-UHFFFAOYSA-N 2-diphenylphosphanylethyl(diphenyl)phosphane;palladium Chemical compound [Pd].C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAFGMAGIYHHRKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDJXFZUGZASGIW-UHFFFAOYSA-L 2-diphenylphosphanylethyl(diphenyl)phosphane;palladium(2+);dichloride Chemical compound Cl[Pd]Cl.C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LDJXFZUGZASGIW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005979 2-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZFSUTBGOXYEMLK-UHFFFAOYSA-N 4,11-dioctyl-3,7,10,14-tetrathiatetracyclo[6.6.0.02,6.09,13]tetradeca-1(8),2(6),4,9(13),11-pentaene Chemical compound CCCCCCCCC1=CC2=C(S1)C1=C(S2)C2=C(S1)C=C(CCCCCCCC)S2 ZFSUTBGOXYEMLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFSYHMCKWNKAH-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical group CC1(C)OBOC1(C)C UCFSYHMCKWNKAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECCSFDHAVAAAW-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-2-propan-2-yl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound CC(C)B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 MECCSFDHAVAAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDFQBORIUYODSI-UHFFFAOYSA-N 4-bromoaniline Chemical compound NC1=CC=C(Br)C=C1 WDFQBORIUYODSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004800 4-bromophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Br 0.000 description 1
- PWATUXGJXJPDET-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethyl-1,3,2-dioxaborinane Chemical group CC1(C)COBOC1 PWATUXGJXJPDET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWEKWRQKAHQYNE-UHFFFAOYSA-N 7-(bromomethyl)pentadecane Chemical compound CCCCCCCCC(CBr)CCCCCC RWEKWRQKAHQYNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMKGKYQBASDDJB-UHFFFAOYSA-N 9$l^{2}-borabicyclo[3.3.1]nonane Chemical group C1CCC2CCCC1[B]2 AMKGKYQBASDDJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CC(*)=CC(*1)=C(C)C(*2)=C1C1=C2C=C(*)*1 Chemical compound CC(*)=CC(*1)=C(C)C(*2)=C1C1=C2C=C(*)*1 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Chemical group CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021605 Palladium(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Chemical class 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKFWSAJNEUJFRB-UHFFFAOYSA-N [Ni+2].ClC1=C(CCC=CCC1)Cl Chemical compound [Ni+2].ClC1=C(CCC=CCC1)Cl CKFWSAJNEUJFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTENDICUTNSELD-UHFFFAOYSA-N acetic acid triphenylphosphane Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HTENDICUTNSELD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBYGDVHOECIAFC-UHFFFAOYSA-L acetonitrile;palladium(2+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].CC#N.CC#N RBYGDVHOECIAFC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004171 alkoxy aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N antimony lead Chemical compound [Sb].[Pb] QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002511 behenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WXNOJTUTEXAZLD-UHFFFAOYSA-L benzonitrile;dichloropalladium Chemical compound Cl[Pd]Cl.N#CC1=CC=CC=C1.N#CC1=CC=CC=C1 WXNOJTUTEXAZLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000704 biodegradable plastic Polymers 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JYBWGIWGBANSPY-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(2-cyclohexylphosphanylethyl)phosphane Chemical compound C1CCCCC1PCCPC1CCCCC1 JYBWGIWGBANSPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLBDFFXXXCOME-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(3-cyclohexylphosphanylpropyl)phosphane Chemical compound C1CCCCC1PCCCPC1CCCCC1 IFLBDFFXXXCOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKYBCOXHZIHBMV-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(4-cyclohexylphosphanylbutyl)phosphane Chemical compound C1CCCCC1PCCCCPC1CCCCC1 OKYBCOXHZIHBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- WETILHVHYFKOLH-UHFFFAOYSA-L dichloronickel(2+) diphenylphosphanide Chemical compound Cl[Ni](P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)Cl WETILHVHYFKOLH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XXECWTBMGGXMKP-UHFFFAOYSA-L dichloronickel;2-diphenylphosphanylethyl(diphenyl)phosphane Chemical compound Cl[Ni]Cl.C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XXECWTBMGGXMKP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LCSNDSFWVKMJCT-UHFFFAOYSA-N dicyclohexyl-(2-phenylphenyl)phosphane Chemical group C1CCCCC1P(C=1C(=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1CCCCC1 LCSNDSFWVKMJCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPVWUKXZFDHGMZ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexyl-[2-(2-methylphenyl)phenyl]phosphane Chemical group CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 GPVWUKXZFDHGMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWXWPPKDQOWNSX-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethanone Chemical compound C1CCCCC1C(=O)C1CCCCC1 TWXWPPKDQOWNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- CXVAUNIKYTWEFC-UHFFFAOYSA-N dimethoxyborinic acid Chemical compound COB(O)OC CXVAUNIKYTWEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- HASCQPSFPAKVEK-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)phosphine Chemical compound CP(C)C1=CC=CC=C1 HASCQPSFPAKVEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- CNXMDTWQWLGCPE-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl-(2-phenylphenyl)phosphane Chemical group CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 CNXMDTWQWLGCPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- CAYKJANQVKIYPJ-UHFFFAOYSA-L ethane-1,2-diamine;palladium(2+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].NCCN CAYKJANQVKIYPJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- YSHRZXJIVPGBEZ-UHFFFAOYSA-N ethyl(3-ethylphosphanylpropyl)phosphane Chemical compound CCPCCCPCC YSHRZXJIVPGBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N glutaronitrile Chemical compound N#CCCCC#N ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002818 heptacosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- ZPZZKNJQGCUFFP-UHFFFAOYSA-N hexan-3-ylphosphane Chemical compound CCCC(P)CC ZPZZKNJQGCUFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 125000002463 lignoceryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- JILPJDVXYVTZDQ-UHFFFAOYSA-N lithium methoxide Chemical compound [Li+].[O-]C JILPJDVXYVTZDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZVCGYPLLBEUNV-UHFFFAOYSA-N lithium;ethanolate Chemical compound [Li+].CC[O-] AZVCGYPLLBEUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J magnesium;barium(2+);tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Mg+2].[Ba+2] COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLFVELFOWVBWKZ-UHFFFAOYSA-N methyl(2-methylphosphanylethyl)phosphane Chemical compound CPCCPC LLFVELFOWVBWKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHPYJCCZIPMKTK-UHFFFAOYSA-N methyl(3-methylphosphanylpropyl)phosphane Chemical compound CPCCCPC GHPYJCCZIPMKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRUOKVVWGVFZQH-UHFFFAOYSA-N methyl(4-methylphosphanylbutyl)phosphane Chemical compound CPCCCCPC KRUOKVVWGVFZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTSFBKGHQLDFHU-UHFFFAOYSA-L methyl(diphenyl)phosphane;palladium(2+);dichloride Chemical compound Cl[Pd]Cl.C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 GTSFBKGHQLDFHU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000002819 montanyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BFSQJYRFLQUZKX-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) iodide Chemical compound I[Ni]I BFSQJYRFLQUZKX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000002465 nonacosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRSFFCXEKGPBW-UHFFFAOYSA-N octylboron Chemical compound [B]CCCCCCCC LGRSFFCXEKGPBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGAISFRMWCCXCG-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);1,10-phenanthroline;dichloride Chemical compound Cl[Pd]Cl.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 YGAISFRMWCCXCG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PBDBXAQKXCXZCJ-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound [Pd+2].[O-]C(=O)C(F)(F)F.[O-]C(=O)C(F)(F)F PBDBXAQKXCXZCJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RFLFDJSIZCCYIP-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);sulfate Chemical compound [Pd+2].[O-]S([O-])(=O)=O RFLFDJSIZCCYIP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VUYVXCJTTQJVKJ-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);tricyclohexylphosphane;dichloride Chemical compound Cl[Pd]Cl.C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1.C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 VUYVXCJTTQJVKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ULYNIEUXPCUIEL-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);triethylphosphane;dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].CCP(CC)CC.CCP(CC)CC ULYNIEUXPCUIEL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000364 palladium(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- JKDRQYIYVJVOPF-FDGPNNRMSA-L palladium(ii) acetylacetonate Chemical compound [Pd+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O JKDRQYIYVJVOPF-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- INIOZDBICVTGEO-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) bromide Chemical compound Br[Pd]Br INIOZDBICVTGEO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002460 pentacosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- AVNRJUHUOZDFKS-UHFFFAOYSA-N phenyl(3-phenylphosphanylpropyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1PCCCPC1=CC=CC=C1 AVNRJUHUOZDFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRYYUQJFQWSHNC-UHFFFAOYSA-N phenyl(4-phenylphosphanylbutyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1PCCCCPC1=CC=CC=C1 LRYYUQJFQWSHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- RPDAUEIUDPHABB-UHFFFAOYSA-N potassium ethoxide Chemical compound [K+].CC[O-] RPDAUEIUDPHABB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAWXSQJJCIFIK-UHFFFAOYSA-N potassium methoxide Chemical compound [K+].[O-]C BDAWXSQJJCIFIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- ZPCMXDAWIYRTGP-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl(3-propan-2-ylphosphanylpropyl)phosphane Chemical compound CC(C)PCCCPC(C)C ZPCMXDAWIYRTGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJWVVZMFYIKDPT-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl(4-propan-2-ylphosphanylbutyl)phosphane Chemical compound CC(C)PCCCCPC(C)C LJWVVZMFYIKDPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N sodium ethoxide Chemical compound [Na+].CC[O-] QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011008 sodium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 229910021515 thallium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DASUJKKKKGHFBF-UHFFFAOYSA-L thallium(i) carbonate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]C([O-])=O DASUJKKKKGHFBF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QGYXCSSUHCHXHB-UHFFFAOYSA-M thallium(i) hydroxide Chemical compound [OH-].[Tl+] QGYXCSSUHCHXHB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002469 tricosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002827 triflate group Chemical group FC(S(=O)(=O)O*)(F)F 0.000 description 1
- RMNIZOOYFMNEJJ-UHFFFAOYSA-K tripotassium;phosphate;hydrate Chemical compound O.[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O RMNIZOOYFMNEJJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IDXDWPWXHTXJMZ-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1P(C=1C(=CC(C)=CC=1C)C)C1=C(C)C=C(C)C=C1C IDXDWPWXHTXJMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIOSDXGZLBPOHD-UHFFFAOYSA-N tris(2-methoxyphenyl)phosphane Chemical compound COC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)OC)C1=CC=CC=C1OC IIOSDXGZLBPOHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAPGHLJQIVDTPT-UHFFFAOYSA-N tris(3-chlorophenyl)phosphane Chemical compound ClC1=CC=CC(P(C=2C=C(Cl)C=CC=2)C=2C=C(Cl)C=CC=2)=C1 QAPGHLJQIVDTPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCXTYQMZVYIQRP-UHFFFAOYSA-N tris(3-methoxyphenyl)phosphane Chemical compound COC1=CC=CC(P(C=2C=C(OC)C=CC=2)C=2C=C(OC)C=CC=2)=C1 CCXTYQMZVYIQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFNXCUNDYSYVJY-UHFFFAOYSA-N tris(3-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC(P(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 LFNXCUNDYSYVJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQKSLJOIKWOGIZ-UHFFFAOYSA-N tris(4-chlorophenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1P(C=1C=CC(Cl)=CC=1)C1=CC=C(Cl)C=C1 IQKSLJOIKWOGIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEPJPYNDFSOARB-UHFFFAOYSA-N tris(4-fluorophenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1P(C=1C=CC(F)=CC=1)C1=CC=C(F)C=C1 GEPJPYNDFSOARB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYUUAUOYLFIRJG-UHFFFAOYSA-N tris(4-methoxyphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1P(C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 UYUUAUOYLFIRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N tris(4-methylphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1P(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLQYXUGCCKQSRJ-UHFFFAOYSA-N tris(furan-2-yl)phosphane Chemical compound C1=COC(P(C=2OC=CC=2)C=2OC=CC=2)=C1 DLQYXUGCCKQSRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- UGOMMVLRQDMAQQ-UHFFFAOYSA-N xphos Chemical group CC(C)C1=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 UGOMMVLRQDMAQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D495/22—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains four or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D517/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms
- C07D517/22—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms in which the condensed system contains four or more hetero rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/731—Liquid crystalline materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
Definitions
- the present invention relates to a substituted chalcogenoacene compound and an organic semiconductor device containing the compound.
- a thin film can be obtained by sublimating a substituted chalcogenoacene compound represented by Ying Liu, Ying Wang, Weiping Wu, Yunqi Liu, Adv. Funct. Mater. 19, 772-778 (2009) Table 2. And it is also described that the organic semiconductor device containing this thin film shows 0.04 cm ⁇ 2 > / Vs as a carrier field effect mobility in 20 degreeC. Recent organic semiconductor devices are required to further improve carrier field-effect mobility.
- the present invention is as follows. ⁇ 1> Formula (1) (Wherein, W, X, Y and Z each independently represent an oxygen, sulfur, selenium or tellurium atom. R 1 and R 2 each independently have 1 carbon atom which may have a fluorine atom.
- An alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms which may have a fluorine atom, an alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms which may have a fluorine atom, and a fluorine atom Represents a good alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, a substituted aryl group or a substituted heteroaryl group, wherein the aryl group and heteroaryl group may have an alkyl group which may have a fluorine atom or a fluorine atom.
- R 1 and R 2 are each independently a phenyl group to which an alkyl group which may have a fluorine atom is bonded, and all the carbon atoms constituting the phenyl group are 8-26 ⁇
- R 1 and R 2 are each independently a phenyl group to which an alkoxy group which may have a fluorine atom is bonded, and all the carbon atoms constituting the phenyl group are 8 to 26 ⁇
- R 3 has an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a fluorine atom, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms which may have a fluorine atom, and a fluorine atom.
- R 4 and R 5 are each independently a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. Or carbon number An aryloxy group of 1-20, may form a ring structure together with the boron atom bonded to R 4 and R 5.
- ⁇ 10> A thin film containing the substituted chalcogenoacene compound according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7> and a polymer organic semiconductor material.
- ⁇ 11> An organic semiconductor device having the thin film according to ⁇ 9> or ⁇ 10>.
- ⁇ 12> An organic transistor having the thin film according to ⁇ 9> or ⁇ 10>.
- FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating one embodiment of an organic transistor according to the present invention.
- FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating one embodiment of the organic transistor according to the present invention.
- 11 is a substrate
- 12 is a gate electrode
- 13 is a gate insulating film
- 14 is a source electrode
- 15 is a drain electrode
- 16 is a semiconductor layer (thin film of the present invention).
- Reference numeral 21 denotes a substrate
- 22 denotes a source electrode
- 23 denotes a drain electrode
- 24 denotes a gate insulating film
- 25 denotes a gate electrode
- 26 denotes a semiconductor layer (the thin film of the present invention).
- W, X, Y and Z contained in the substituted chalcogenoacene compound represented by the formula (1) (compound (1)) each independently represent an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom or a tellurium atom, All of W, X, Y and Z are sulfur atoms.
- R 1 And R 2 The alkyl group represented by may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl.
- pentyl group isopentyl group, neopentyl group, cyclopentyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, cycloheptyl group, octyl group, 2-hexyloctyl group, 3,7-dimethyloctyl group, cyclo Octyl, nonyl, decyl, 2-hexyldecyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl, icosyl, heicosyl, docosyl , Tricosyl group, tetracosyl group, pentacosyl group, hex Cosyl group, heptacosyl group, o
- Isopen Group a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2-hexyl octyl, 3,7-dimethyl octyl group, nonyl group, decyl group, and a 2-hexyl decyl.
- R 1 And R 2 As the alkyl group optionally having a fluorine atom, an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom is preferable, and an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms is preferable.
- the alkoxy group represented by the formula may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group, and a tert-butoxy group.
- Pentyloxy group isopentyloxy group, neopentyloxy group, cyclopentyloxy group, hexyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group, cycloheptyloxy group, octyloxy group, 2-hexyloctyl Oxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, cyclooctyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 2-hexyldecyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group, tridecyloxy group, tetradecyloxy group, penta Decyloxy group, hexadecylo Si group, heptadecyloxy group, octadecyloxy group, nonadecyloxy group, icosyloxy group, heicosyloxy group, do
- R 1 And R 2 As the alkoxy group optionally having a fluorine atom, an alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom is preferable, and an alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms is preferable.
- the alkylthio group represented by may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include methylthio group, ethylthio group, propithiol group, isopropylthio group, butylthio group, sec-butylthio group, tert- Butylthio group, pentylthio group, isopentylthio group, neopentylthio group, cyclopentylthio group, hexylthio group, 2-ethylhexylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, cycloheptylthio group, Octylthio group, 2-hexyloctylthio group, nonylthio group, decylthio group, 2-hexyldecylthio group, undecylthio group, dodecyl
- pentylthio group isopentylthio group, hexylthio group, 2-ethylhexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2-hexyloctylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, nonylthio group, decylthio group And 2-hexyldecylthio group.
- R 1 And R 2 As the alkylthio group optionally having a fluorine atom, an alkylthio group having 2 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom is preferable, and an alkylthio group having 2 to 20 carbon atoms is preferable.
- the alkynyl group represented by may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, 1-pentynyl group, 1-hexynyl group, 1-heptynyl group, 1-octynyl group, 1-nonynyl group, 1-decynyl group, 1-undecynyl group, 1-dodecynyl group, 1-tridecynyl group, 1-tetradecynyl group, 1-pentadecynyl group, 1-hexadecynyl group, 1-heptadecynyl group, 1-octadecynyl group, 1-nonadecynyl group, 1-icosinyl group, 1-henicosinyl group, 1-docosinyl group, 1-tricosynyl group, 1-tetracosin
- R 1 And R 2 Specific examples of the substituted aryl group represented by the formula include a phenyl group having a substituent, a 1-naphthyl group having a substituent, and a 2-naphthyl group having a substituent, and a phenyl group having a substituent is preferable.
- R 1 And R 2 The substituted heteroaryl group represented by the formula has an aromatic ring structure containing a hetero atom such as a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a selenium atom. Specific examples thereof include a thienyl group having a substituent and a substituent.
- a thienyl group having a substituent a thieno [3,2-b] thienyl group having a substituent, and a dithieno [3,2-b: 2 ′, 3′-d] thiophene group having a substituent And substituted benzo [b] thie
- examples thereof include a nyl group and a benzo [b] furyl group, and a thienyl group having a substituent is particularly preferable.
- R 1 And R 2 An alkyl group which may have a fluorine atom which is a substituent of the substituted aryl group or substituted heteroaryl group represented by the formula, an alkoxy group which may have a fluorine atom, and a fluorine atom which may have As the alkylthio group, R 1 And R 2
- R 1 And R 2 The same specific examples as mentioned above are mentioned, and an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom, an alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom, and a fluorine atom
- Preferred examples of the substituted aryl group represented by the formula (1) include an aryl group substituted with an alkyl group optionally having a fluorine atom and an aryl group substituted with an alkoxy group optionally having a fluorine atom.
- More preferable examples include an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom or an aryl group substituted with an alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom. . Particularly preferred are alkylaryl groups and alkoxyaryl groups having 8 to 26 carbon atoms.
- R 1 And R 2 A preferable example of the substituted heteroaryl group represented by the above is a thienyl group substituted with an alkyl group which may have a fluorine atom, and a more preferable example is carbon which may have a fluorine atom. This is a thienyl group substituted with an alkyl group of 2 to 20.
- an alkyl thienyl group having 6 to 24 carbon atoms is preferable.
- Specific examples of the compound (1) include compounds shown in Tables 1 to 9.
- the preferred compound (1) is represented by the compound number in the table, for example, (1-1-1), (1-1-2), (1-1-3), (1-1-4), ( 1-1-5), (1-1-6), (1-1-7), (1-1-8), (1-1-9), (1-1-10), (1- 1-11), (1-1-12), (1-1-13), (1-1-14), (1-1-15), (1-1-16), (1-1 17), (1-1-18), (1-1-24), (1-1-25), (1-2-1), (1-2-2), (1-2-3) , (1-2-4), (1-2-5), (1-2-7), (1-2-8), (1-2-9), (1-2-10), ( 1-2-11), (1-2-12), (1-2-13), (1-2-14), (1-2-15), (1-2-16), (1- 2-1 ), (1-2-18), (1-2-24), (1-2-25) (1-3-1), (1-3-2), (1-3-3), ( 1-3-4), (1-3-5), (1-3-7), (1-3-8), (1-3-9),
- R 4 And R 5 Each independently represents a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms; 4 And R 5 May be bonded to form a ring structure with a boron atom, and R 4 And R 5 May be an oxygen atom and may form a ring structure between molecules. )
- the method including the process of making the compound (compound (3)) represented by these can be mentioned.
- R 4 And R 5 As the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, neopentyl group, cyclopentyl group , A hexyl group, a cyclohexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group and a 1,2-dimethylpropyl group, and a linear, branched or cyclic alkyl group.
- alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms examples include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group and hexyloxy group.
- aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms examples include phenoxy group, 1 -A naphthyloxy group and 2-naphthyloxy group are mentioned.
- R 4 And R 5 are bonded to form a ring structure with a boron atom
- examples of preferable rings include 1,3,2-dioxaborolane ring, 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane ring
- examples include 5,5-dimethyl-1,3,2-dioxaborinane ring, 1,3,2-benzodioxaborol ring, and 9-borabicyclo3,3,1-nonane ring.
- a transition metal catalyst used for the reaction process of a compound (2) and a compound (3) a palladium catalyst and a nickel catalyst are mentioned, for example.
- a commercially available product may be used as the paradymium catalyst, or a product prepared by previously contacting a palladium compound and a phosphine compound may be used.
- the palladium compound and the phosphine compound may be added to the reaction system containing the compound (2). In addition, it may be prepared in the reaction system.
- the palladium catalyst examples include tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0), bis (acetate) bis (triphenylphosphine) palladium (II), bis [1,2-bis (diphenylphosphino) ethane] palladium (0 ), [1,2-bis (diphenylphosphino) ethane] dichloropalladium (II), dibromobis (triphenylphosphine) palladium (II), dichlorobis (dimethylphenylphosphine) palladium (II), dichlorobis (methyldiphenylphosphine) palladium (II), dichlorobis (tricyclohexylphosphine) palladium (II), dichlorobis (triethylphosphine) palladium (II), dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (II), dichlorobi [Tris (2-methylphenyl)
- the palladium compound for preparing the palladium catalyst examples include tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) ⁇ chloroform adduct, palladium (II) acetate, chloride Palladium (II), (bicyclo [2.2.1] hepta-2,5-diene) dichloropalladium (II), (2,2′-bipyridyl) dichloropalladium (II), bis (acetonitrile) chloronitropalladium ( II), bis (benzonitrile) dichloropalladium (II), bis (acetonitrile) dichloropalladium (II), dichloro (1,5-cyclooctadiene) palladium (II), dichloro (ethylenediamine) palladium (II), dichloro ( N, N
- Examples of the phosphine compound for preparing the palladium catalyst include triphenylphosphine, tris (2-methylphenyl) phosphine, tris (3-methylphenyl) phosphine, tris (4-methylphenyl) phosphine, and tris (pentafluorophenyl).
- Phosphine tris (4-fluorophenyl) phosphine, tris (2-methoxyphenyl) phosphine, tris (3-methoxyphenyl) phosphine, tris (4-methoxyphenyl) phosphine, tris (2,4,6-trimethylphenyl) Phosphine, tri (3-chlorophenyl) phosphine, tri (4-chlorophenyl) phosphine, tri-n-butylphosphine, tri-tert-butylphosphine, tricyclohexylphosphine, 1,2-diphenylphosphine Ethane, 1,3-diphenylphosphinopropane, 1,4-diphenylphosphinobutane, 1,2-dicyclohexylphosphinoethane, 1,3-dicyclohexylphosphinopropane, 1,4-dicyclohexylphosphinobutan
- the amount of the phosphine compound used is, for example, 0.5 to 10 moles per mole of the palladium compound. , Preferably 1 to 5 mol.
- the nickel catalyst include dichlorobis (1,1′-diphenylphosphinoferrocenyl) nickel (II), dichlorobis (diphenylphosphino) nickel (II), dichloronickel (II), diiodonickel (II), Examples include dichloro (1,5-cyclooctadiene) nickel (II) and dichloro [1,2-bis (diphenylphosphino) ethane] nickel (II).
- the amount of the transition metal catalyst used may be, for example, in the range of 0.0005 to 0.5 mol as a metal atom with respect to 1 mol of compound (2).
- Examples of the base used in this step include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, thallium hydroxide, barium hydroxide, lithium methoxide, sodium methoxide, potassium methoxide, lithium ethoxide, sodium ethoxide.
- Potassium ethoxide, sodium tert-butoxide, potassium tert-butoxide, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, thallium carbonate, cesium carbonate, sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, sodium phosphate, potassium phosphate, diethylamine, triethylamine, Diisopropylamine and piperidine are mentioned.
- the amount of the base to be used is generally 0.5 mol or more, preferably 1 mol or more, per 1 mol of compound (2). It is preferable to perform the reaction process of a compound (2) and a compound (3) in presence of a solvent.
- the solvent examples include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; ether solvents such as diethyl ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, tert-butyl methyl ether and ethylene glycol dimethyl ether; N, N-dimethylformamide Amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; dimethyl sulfoxide; N-methylpyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone; and water.
- a solvent may be used independently and may be used in mixture of 2 or more types. The solvent is preferably used after deaeration.
- part or all of the compound (2) or compound (3) used in the step may be dissolved or suspended in a solvent and then degassed by nitrogen bubbling or reduced pressure.
- the amount of the solvent to be used can be, for example, 0.5 to 200 parts by weight, preferably 2 to 100 parts by weight with respect to 1 part by weight of the compound (2).
- the reaction step may be further performed in the presence of a phase transfer catalyst.
- the phase transfer catalyst include quaternary ammonium salts such as tetraalkylammonium halide, tetraalkylammonium hydrogensulfate, and tetraalkylammonium hydroxide, preferably tetrabutylammonium halide and benzyltriethylhalogen.
- the reaction step can be performed in the air, but it is preferably performed in an inert gas such as nitrogen or argon.
- the reaction temperature in the reaction step can be, for example, in the range of 0 to 200 ° C., and the reaction time can be in the range of, for example, 1 minute to 96 hours.
- the obtained reaction mixture and an aqueous ammonium chloride solution are mixed, and if necessary, an extraction process is performed by adding an organic solvent insoluble in water, and the obtained organic layer is concentrated, if necessary.
- the compound (1) can be isolated by performing purification means such as column chromatography, distillation, recrystallization, recycle gel permeation chromatography, sublimation purification and the like.
- R in Formula (4) 3 Is R 3 Means the same as R 6 , R 7 And R 8 Each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, cyclopentyl group, A hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group, and a decyl group are mentioned.
- R in formula (4) 6 , R 7 And R 8 are preferably the same.
- Q 3 Represents a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom), preferably a chlorine atom, bromine atom and iodine atom.
- the compound (1) of the present invention can form a thin film by a vacuum deposition process. Moreover, since compound (1) is excellent in solubility in an organic solvent, a thin film can be formed by a method of applying a solution obtained by dissolving in an organic solvent.
- organic solvent used for preparing the solution examples include alcohol solvents such as methanol, ethanol, 2-propanol, and butanol, benzene, toluene, xylene, tetralin, mesitylene, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, trichlorobenzene, and fluoro.
- alcohol solvents such as methanol, ethanol, 2-propanol, and butanol
- benzene toluene
- xylene tetralin
- mesitylene mesitylene
- chlorobenzene o-dichlorobenzene
- trichlorobenzene trichlorobenzene
- Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and anisole, for example, halogenated hydrocarbon solvents such as dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, 1,1 ′, 2,2′-tetrachloroethane, tetrachloroethylene, carbon tetrachloride, for example diethyl Ether solvents such as ether, dioxane and tetrahydrofuran, aliphatic hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, heptane, octane and cyclohexane, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexane Ketone solvents such as Sanone, ester solvents such as ethyl acetate and butyl acetate, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, methoxyacetonitrile, glutaroni
- toluene, xylene, tetralin, mesitylene, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, o-dichlorobenzene, dichloromethane, chloroform and tetrahydrofuran are preferred.
- Two or more organic solvents can be mixed and used.
- concentration of the compound (1) in the solution containing the compound (1) and the organic solvent include 0.001 to 50% by weight, preferably 0.01 to 10% by weight, and more preferably Is in the range of 0.1 to 5% by weight.
- the compound (1) may be used alone, or an antioxidant, a stabilizer, an organic semiconductor as long as it does not significantly impair the carrier mobility of the thin film (organic semiconductor active layer) described later.
- the organic semiconductor material may be a low-molecular material or a high-molecular material, and may be crosslinked or not crosslinked when a crosslinking reaction is possible.
- a polymer material is used. Specific examples include polyacetylene derivatives, polythiophene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polypyrrole derivatives, polyaniline derivatives, polytriarylamine derivatives, polyquinoline derivatives, perylene derivatives, tetracene derivatives, pentacene derivatives and phthalocyanine derivatives.
- the content of the compound (1) is preferably 10% by weight or more, and more preferably 20% by weight or more.
- the organic insulating material may be a low molecular material or a high molecular material, and may be crosslinked or not crosslinked when a crosslinking reaction is possible.
- a polymer material is used. Specific examples include polystyrene, polycarbonate, polydimethylsiloxane, nylon, polyimide, cyclic olefin copolymer, epoxy polymer, cellulose, polyoxymethylene, polyolefin polymer, polyvinyl polymer, polyester polymer, polyether polymer, polyamide polymer.
- the content of the compound (1) is preferably 10% by weight or more, and more preferably adjusted to 20% by weight or more.
- the solution can be prepared by dissolving the compound (1) in an organic solvent, for example, in the range of 10 to 200 ° C, preferably in the range of 20 to 150 ° C.
- the thin film of the present invention is a thin film containing the compound (1), for example, a thin film having a thickness of 1 nm to 10 ⁇ m, preferably a thickness of 5 nm to 1 ⁇ m.
- the thin film of the present invention may exhibit luminescence and conductivity similar to that of a semiconductor, and are excellent as a luminescent thin film and a conductive thin film, respectively.
- the luminescent thin film means a thin film containing the compound (1) and emits light under conditions of light or electrical stimulation.
- the light-emitting thin film is useful as a material for a light-emitting element.
- a light-emitting element having a light-emitting thin film is also one aspect of the present invention.
- the light emitting device of the present invention is useful as a material for organic light emitting diodes, for example.
- the light emitting element means a device using the light emitting thin film.
- the conductive thin film means a thin film that exhibits conductivity under conditions of light and electrical stimulation.
- a conductive thin film showing conductivity similar to that of a semiconductor is sometimes referred to as an organic semiconductor thin film.
- the conductive thin film is useful as a material for an organic semiconductor device described later.
- the conductive thin film and the light-emitting thin film of the present invention can be produced in the same manner as a conventionally known method except that the compound (1) of the present invention is used as a material. Next, the organic transistor will be described.
- the organic transistor of the present invention includes the thin film of the present invention as a semiconductor layer. Since the said organic transistor contains the compound (1) of this invention, there exists a tendency for carrier mobility to be high.
- the organic transistor has a carrier mobility of, for example, 10 -3 cm 2 / Vs or more.
- an organic field effect transistor is mentioned as an organic transistor of this invention.
- the source electrode and the drain electrode are usually in contact with the semiconductor layer, and a gate electrode may be provided with an insulating layer (dielectric layer) in contact with the active layer interposed therebetween.
- the organic transistor for example, (1) Structure comprising substrate / gate electrode / insulator layer / source electrode / drain electrode / semiconductor layer; (2) Structure comprising substrate / gate electrode / insulator layer / semiconductor layer / source electrode / drain electrode; (3) Structure consisting of substrate / semiconductor layer / source electrode / drain electrode / insulator layer / gate electrode; (4) Structure comprising substrate / source electrode / drain electrode / semiconductor layer / insulator layer / gate electrode, Etc.
- the semiconductor layer has the organic semiconductor thin film of the present invention. In the case where there are a plurality of the semiconductor layers in each structure, they may be provided in the same plane or stacked.
- a plurality of source electrodes, drain electrodes, and gate electrodes may be provided.
- a vacuum deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, or a molecular beam epitaxial growth method can be used, and a vacuum deposition method is preferable.
- the vacuum deposition method is a method in which the compound (1) is heated in a crucible or a metal boat under vacuum, and the sublimated compound is deposited on a substrate or an insulator material.
- the degree of vacuum during deposition is 1 ⁇ 10 -1 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 -3 Pa or less.
- the substrate temperature during vapor deposition is 0 ° C. to 300 ° C., preferably 20 ° C. to 200 ° C.
- the deposition rate is 0.001 nm / sec to 10 nm / sec, preferably 0.01 nm / sec to 1 nm / sec.
- the film thickness of the organic semiconductor thin film is 1 nm to 10 ⁇ m, preferably 5 nm to 1 ⁇ m.
- the coating film forming process can be exemplified because the compound (1) is excellent in solubility in an organic solvent.
- the coating film forming process is a film forming process including a step of dissolving the compound in the organic solvent described above to prepare an organic solution and applying the organic solution to a substrate or an insulator layer.
- the coating step include a casting method, a dip coating method, a die coater method, a roll coater method, a bar coater method, a spin coating method, an inkjet method, a screen printing method, an offset printing method, and a micro contact printing method. Is mentioned. These steps may be used alone or in combination of two or more.
- a film containing an organic solvent obtained by coating film formation gives the thin film of the present invention by removing the organic solvent.
- Examples of the removal method include natural drying treatment, heat treatment, reduced pressure treatment, ventilation treatment, or a combination of these, and natural drying treatment or heat treatment is preferable in terms of simple operation.
- Specific examples include a treatment in which the substrate is left in the atmosphere or heated on a hot plate (for example, 40 to 250 ° C., preferably 50 to 200 ° C.).
- the compound (1) may be dispersed in the solvent to perform coating film formation.
- a specific embodiment in this case may be processed by replacing the organic solution in the coating film forming process with the organic solution described above with a dispersion in which the compound (1) is dispersed in a solvent.
- the material constituting the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode is not particularly limited as long as it is a general conductive material.
- conductive polymer whose conductivity is improved by doping or the like, for example, conductive polyaniline, conductive polypyrrole, conductive polythiophene, a complex of polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid, or the like is also preferably used. Among them, those having low electrical resistance at the contact surface with the semiconductor layer are preferable. These electrode materials may be used alone or in combination of two or more.
- the film thickness of the electrode varies depending on the material, it may be 0.1 nm to 10 ⁇ m, preferably 0.5 nm to 5 ⁇ m, more preferably 1 nm to 1 ⁇ m. Moreover, when it serves as a gate electrode and a board
- a method for forming an electrode film on the thin film of the present invention various known methods can be mentioned. Specific examples include a vacuum deposition method, a sputtering method, a coating method, a thermal transfer method, a printing method, and a sol-gel method. It is preferable to perform patterning as needed during film formation or after film formation. Various methods can be used as a patterning method.
- a photolithographic method combining photoresist patterning and etching may be used.
- printing methods such as ink jet printing, screen printing, offset printing, letterpress printing, and soft lithography techniques such as a microcontact printing method are also included. These methods may be used alone, or two or more types may be mixed and patterned.
- the insulating layer various insulating films such as inorganic oxides and organic compound films can be used.
- Inorganic oxides include silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, tin oxide, vanadium oxide, barium strontium titanate, barium zirconate titanate, lead zirconate titanate, lead lanthanum titanate, strontium titanate, Barium titanate, barium magnesium fluoride, bismuth titanate, strontium bismuth titanate, strontium bismuth tantalate, bismuth tantalate niobate, yttrium trioxide, and the like, preferably silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide and Titanium oxide.
- Examples of the inorganic nitride include silicon nitride and aluminum nitride.
- organic compound film polystyrene, polyimide, polyamide, polyester, polyacrylate, photo radical polymerization system, photo cation polymerization system photo-curing resin, copolymer containing acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, novolac resin,
- examples include cyanoethyl pullulan, and polystyrene, polyimide, polyvinylphenol, and polyvinyl alcohol are preferable.
- These insulating layer materials may be used alone or in combination of two or more.
- the thickness of the insulating layer varies depending on the material, but is usually from 0.1 nm to 100 ⁇ m, preferably from 0.5 nm to 50 ⁇ m, more preferably from 5 nm to 10 ⁇ m.
- Various known methods can be used as a method for forming the insulating layer. Specifically, spin coating, spray coating, dip coating, casting, bar coating, blade coating and other coating methods, screen printing, offset printing, inkjet printing methods, vacuum deposition, molecular beam epitaxial growth, ion cluster beam And dry process methods such as ion plating, sputtering, atmospheric pressure plasma, and CVD.
- a sol-gel method alumite on aluminum, and a method of forming an oxide film on a metal such as a thermal oxide film of silicon.
- the substrate include a plate or sheet made of glass, paper, quartz, ceramic, or a flexible resin substrate material.
- the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC ), Cellulose triacetate (TAC) and cellulose acetate propionate (CAP).
- the thickness of the substrate is preferably 1 ⁇ m to 10 mm, more preferably 5 ⁇ m to 5 mm.
- Surface treatment may be performed on the insulator layer or the substrate in a portion of the insulator layer or the substrate that is in contact with the semiconductor layer. By performing surface treatment on the insulator layer on which the semiconductor layer is stacked, transistor characteristics of the element can be improved.
- the surface treatment includes hydrophobization treatment with hexamethyldisilazane, octadecyltrichlorosilane, octyltrichlorosilane, phenyltrichlorosilane, phenethyltrichlorosilane, acid treatment with hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrogen peroxide water, water, etc.
- Examples include a thin film forming process, a mechanical process, an electrical process such as corona discharge, a rubbing process using fibers, and the like, and two or more processing methods may be used in combination.
- Examples of the method for performing the surface treatment include a vacuum deposition method, a sputtering method, a coating method, a printing method, and a sol-gel method.
- a protective film made of a resin or an inorganic compound may be provided on the semiconductor layer.
- the organic transistor of this invention can be used for organic semiconductor devices, such as a liquid crystal display element, an organic electroluminescent element, electronic paper, a sensor, and RFIDs (radio frequency identification cards), for example.
- organic semiconductor devices such as a liquid crystal display element, an organic electroluminescent element, electronic paper, a sensor, and RFIDs (radio frequency identification cards), for example.
- Specific examples of the structure of the organic transistor include the embodiment shown in FIG. 1 and the embodiment shown in FIG.
- NMR was measured using FX-270 manufactured by JEOL.
- the number average molecular weight and the weight average molecular weight were determined by size exclusion chromatography (SEC).
- SEC size exclusion chromatography
- GPC gel permeation chromatography whose mobile phase is an organic solvent in SEC is called gel permeation chromatography (GPC).
- the polymer compound to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.05% by weight, and 10 ⁇ L was injected into GPC (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: LC-10Avp).
- Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 2.0 mL / min.
- PLgel MIXED-B manufactured by Polymer Laboratories
- a UV-VIS detector manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: SPD-10Avp was used as the detector.
- the resulting mixture was then refluxed for 4 hours to prepare the corresponding Grignard reagent (2-hexyldecylmagnesium bromide).
- the Grignard reagent (2-hexyldecylmagnesium bromide) obtained above was added to a 1.0 M diethyl ether solution of ZnCl 2 (manufactured by Sigma-Aldrich, 33.0 mL, 33.0 mmol) at room temperature, Stir for 2 hours 30 minutes to prepare the corresponding zinc reagent (0.204M) in the system.
- reaction solution after stirring was added to an aqueous solution of potassium iodide (33.5 g, 201.5 mmol) (water 75 mL) at 5 ° C., then the temperature was raised to room temperature, and the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, this solution was poured into an aqueous sodium sulfite solution at room temperature, ethyl acetate was added, and the mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer. The organic layer obtained by liquid separation was washed successively with water and saturated brine.
- the wafer and the solid subjected to sublimation purification of the compound (1-5-5) obtained in Example 1 are contained in a chamber set to a degree of vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pascal or less.
- a tungsten boat is installed, and the wafer is heated to a temperature in the range of room temperature to 80 ° C. while heating the boat, and a thin film of compound (1-5-5) is formed on the portion not covered with the metal mask (the film thickness is An organic semiconductor layer having a thickness of about 29 nm was formed.
- a metal mask for forming a source electrode and a drain electrode is placed on the surface of the organic semiconductor layer, 5 nm of molybdenum oxide and 35 nm of gold are sequentially vacuum-deposited on the organic semiconductor layer.
- a source electrode and a drain electrode were formed on an organic transistor as shown in FIG. Next, the electrical characteristics of the obtained organic transistor device were measured.
- the change curve of the drain current (Id) with respect to the drain voltage (Vd) was favorable at a certain gate voltage (Vg), and had a saturation region at a high drain voltage. Further, when the negative gate voltage applied to the gate electrode is increased, the negative drain current also increases.
- L and W are the gate length and gate width of the organic transistor
- Ci is the capacitance per unit area of the gate insulating film
- Vg is the gate voltage
- Vt is the gate voltage. It is a threshold voltage.
- Example 7 ⁇ Example 2 of Production of Organic Transistor Using Thin Film and Organic Semiconductor Layer as Thin Film> A gold electrode to be a source and a drain electrode was placed on a glass substrate, and a 0.6 wt% o-xylene solution of the compound (1-5-12) produced in Example 3 was dropped thereon, and spin An organic layer was formed by a coating method.
- the substrate was heated at 80 ° C. for 10 minutes to form an insulating layer. Further, an aluminum film was formed on the insulating film by vapor deposition to form a gate electrode, and the organic transistor 2 shown in FIG. 2 was manufactured. Next, the electrical characteristics of the obtained organic transistor device were measured in the same manner as in Example 6. As a result, the carrier field effect mobility was 0.02 cm 2 / Vs.
- Example 8 ⁇ Production Example of Composition Containing Compound (1-5-12) and Polymer Organic Semiconductor Material>
- the o-xylene solution was adjusted so that.
- the polymer (10) is composed of monomers 9,9-dioctylfluorene-2,7-bis (dimethylborate) and N, N-bis (4-bromophenyl) -N- (4-sec-) 50: They were mixed at a ratio of 50 and synthesized by the method described in Japanese Patent No. 4375820.
- the polymer (10) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 351,000 and a number average molecular weight of 85,000.
- n in Formula (10) shows the number of repetitions of the structure in parentheses, and represents the number corresponding to the weight average molecular weight and the number average molecular weight of the compound being the above values.
- the substrate was heated at 80 ° C. for 10 minutes to form an insulating layer. Further, an aluminum film was formed on the insulating film by vapor deposition to form a gate electrode, and the organic transistor 2 shown in FIG. 2 was manufactured. Next, the electrical characteristics of the obtained organic transistor device were measured in the same manner as in Example 6. As a result, the carrier field effect mobility was 0.05 cm 2 / Vs.
- Example 10 ⁇ Production Example 4 of Thin Film and Organic Transistor Using Thin Film as Organic Semiconductor Layer> A gold electrode to be a source and a drain electrode was placed on a glass substrate, and a 1.0 wt% o-xylene solution of the compound (1-1-9) produced in Example 5 was dropped thereon, and spin An organic layer was formed by a coating method. On the organic layer, after spin-coating a solution containing Teflon (manufactured by DuPont, fluorine polymer), the substrate was heated at 80 ° C. for 10 minutes to form an insulating layer. Further, an aluminum film was formed on the insulating film by vapor deposition to form a gate electrode, and the organic transistor 2 shown in FIG.
- Teflon manufactured by DuPont, fluorine polymer
- Example 11 ⁇ Production Example of Composition Containing Compound (1-1-9) and Polymer Organic Semiconductor Material> The compound (1-1-9) produced in Example 5 and the polymer (10) were mixed at a weight ratio of 75:25, and the o-xylene solution was adjusted to 1.2 wt%.
- Example 12 ⁇ Production Example 5 of Organic Transistor Using Thin Film and Organic Film as Thin Film> A gold electrode serving as a source and drain electrode was placed on a glass substrate, and the o-xylene solution prepared above was dropped thereon, and an organic layer was formed by a spin coating method. After spin-coating a solution containing Teflon (manufactured by DuPont, fluorine polymer) on the organic layer, the substrate was heated at 80 ° C. for 10 minutes to form an insulating layer. Further, an aluminum film was formed on the insulating film by vapor deposition to form a gate electrode, and the organic transistor 2 shown in FIG. 2 was manufactured. Next, the electrical characteristics of the obtained organic transistor device were measured in the same manner as in Example 6. As a result, the carrier field effect mobility was 0.30 cm 2 / Vs.
- an organic semiconductor device having further improved carrier field effect mobility, a thin film providing the device, and a compound constituting the thin film.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
式(1) (式中、W、X、Y、Zは、硫黄等を表す。R1及びR2は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキニル基、置換アリール基又は置換ヘテロアリール基を表す。) で表される置換カルコゲノアセン化合物は、薄膜にして有機半導体デバイスに使用できる。
Description
本発明は、置換カルコゲノアセン化合物及び該化合物を含有する有機半導体デバイス等に関する。
本発明は以下の通りである。
<1> 式(1)
(式中、W、X、Y、Zはそれぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン又はテルル原子を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルコキシ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキルチオ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~30のアルキニル基、置換アリール基又は置換ヘテロアリール基を表し、ここでアリール基及びヘテロアリール基は、フッ素原子を有していてよいアルキル基、フッ素原子を有していてよいアルコキシ基又はフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基で置換されており、置換アリール基の炭素数は7~36であり、また、置換ヘテロアリール基の炭素数は5~34である。)
で表される置換カルコゲノアセン化合物。
<2> W、X、Y、Zが、硫黄原子である<1>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<3> R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルキル基が結合したフェニル基であり、該フェニル基を構成する全ての炭素数が8~26である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<4> R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基が結合したフェニル基であり、該フェニル基を構成する全ての炭素数が8~26である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<5> R1及びR2が同一で、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<6> R1及びR2が同一で、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<7> R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を有する全炭素数6~24のチエニル基である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<8> 遷移金属触媒及び塩基の存在下、式(2)
(式中、W、X、Y、Zはそれぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン又はテルル原子を表す。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホナート基を表す。)
で表される化合物と、式(3)
(式中、R3はフッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルコキシ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキルチオ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~30のアルキニル基、置換アリール基又は置換ヘテロアリール基を表し、ここでアリール基及びヘテロアリール基は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基又はフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基で置換されており、置換アリール基の炭素数は7~36であり、また、置換ヘテロアリール基の炭素数は5~34である。R4及びR5は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又は炭素数6~20のアリールオキシ基を表し、R4及びR5が結合してホウ素原子とともに環構造を形成していてもよい。)
で表される化合物を反応させる工程を含む上述の式(1)で表される化合物の製造方法。
<9> <1>~<7>のいずれか記載の置換カルコゲノアセン化合物を含有する薄膜。
<10> <1>~<7>のいずれか記載の置換カルコゲノアセン化合物と高分子有機半導体材料とを含有する薄膜。
<11> <9>又は<10>記載の薄膜を有する有機半導体デバイス。
<12> <9>又は<10>記載の薄膜を有する有機トランジスタ。
<1> 式(1)
(式中、W、X、Y、Zはそれぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン又はテルル原子を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルコキシ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキルチオ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~30のアルキニル基、置換アリール基又は置換ヘテロアリール基を表し、ここでアリール基及びヘテロアリール基は、フッ素原子を有していてよいアルキル基、フッ素原子を有していてよいアルコキシ基又はフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基で置換されており、置換アリール基の炭素数は7~36であり、また、置換ヘテロアリール基の炭素数は5~34である。)
で表される置換カルコゲノアセン化合物。
<2> W、X、Y、Zが、硫黄原子である<1>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<3> R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルキル基が結合したフェニル基であり、該フェニル基を構成する全ての炭素数が8~26である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<4> R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基が結合したフェニル基であり、該フェニル基を構成する全ての炭素数が8~26である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<5> R1及びR2が同一で、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<6> R1及びR2が同一で、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<7> R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を有する全炭素数6~24のチエニル基である<1>又は<2>記載の置換カルコゲノアセン化合物。
<8> 遷移金属触媒及び塩基の存在下、式(2)
(式中、W、X、Y、Zはそれぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン又はテルル原子を表す。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホナート基を表す。)
で表される化合物と、式(3)
(式中、R3はフッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルコキシ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキルチオ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~30のアルキニル基、置換アリール基又は置換ヘテロアリール基を表し、ここでアリール基及びヘテロアリール基は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基又はフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基で置換されており、置換アリール基の炭素数は7~36であり、また、置換ヘテロアリール基の炭素数は5~34である。R4及びR5は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又は炭素数6~20のアリールオキシ基を表し、R4及びR5が結合してホウ素原子とともに環構造を形成していてもよい。)
で表される化合物を反応させる工程を含む上述の式(1)で表される化合物の製造方法。
<9> <1>~<7>のいずれか記載の置換カルコゲノアセン化合物を含有する薄膜。
<10> <1>~<7>のいずれか記載の置換カルコゲノアセン化合物と高分子有機半導体材料とを含有する薄膜。
<11> <9>又は<10>記載の薄膜を有する有機半導体デバイス。
<12> <9>又は<10>記載の薄膜を有する有機トランジスタ。
図1は、本発明における有機トランジスタの一つの態様を説明する断面図である。
図2は、本発明における有機トランジスタの一つの態様を説明する断面図である。
図中の11は基板、12はゲート電極、13はゲート絶縁膜、14はソース電極、15はドレイン電極、16は半導体層(本発明の薄膜)を表す。また、21は基板、22はソース電極、23はドレイン電極、24はゲート絶縁膜、25はゲート電極、26は半導体層(本発明の薄膜)を表す。
図2は、本発明における有機トランジスタの一つの態様を説明する断面図である。
図中の11は基板、12はゲート電極、13はゲート絶縁膜、14はソース電極、15はドレイン電極、16は半導体層(本発明の薄膜)を表す。また、21は基板、22はソース電極、23はドレイン電極、24はゲート絶縁膜、25はゲート電極、26は半導体層(本発明の薄膜)を表す。
以下、本発明について詳細に説明する。
式(1)で表される置換カルコゲノアセン化合物(化合物(1))に含まれるW、X、Y及びZは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を表し、好ましくは、W、X、Y及びZの全てが硫黄原子である。
R1及びR2で表されるアルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、ノニル基、デシル基、2−ヘキシルデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、ペンタコシル基、ヘキサコシル基、ヘプタコシル基、オクタコシル基、ノナコシル基及びトリアコンチル基等が挙げられ、好ましくは、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、ノニル基、デシル基、2−ヘキシルデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、及びイコシル基が挙げられ、さらに好ましくは、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基及び2−ヘキシルデシル基が挙げられる。
R1及びR2で表されるフッ素原子を有していてもよいアルキル基としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基が好ましく、炭素数2~20のアルキル基が好ましい。
R1及びR2で表されるアルコキシ基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−ヘキシルオクチルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、2−ヘキシルデシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基、ヘンイコシルオキシ基、ドコシルオキシ基、トリコシルオキシ基、テトラコシルオキシ基、ペンタコシルオキシ基、ヘキサコシルオキシ基、ヘプタコシルオキシ基、オクタコシルオキシ基、ノナコシルオキシ基及びトリアコンチルオキシ基等が挙げられ、好ましくは、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−ヘキシルオクチルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、2−ヘキシルデシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基及びイコシルオキシ基が挙げられ、さらに好ましくは、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−ヘキシルオクチルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基及び2−ヘキシルデシルオキシ基が挙げられる。
R1及びR2で表されるフッ素原子を有していてもよいアルコキシ基としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基が好ましく、炭素数2~20のアルコキシ基が好ましい。
R1及びR2で表されるアルキルチオ基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピチオル基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−ヘキシルオクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、2−ヘキシルデシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、ノナデシルチオ基、イコシルチオ基、ヘンイコシルチオ基、ドコシルチオ基、トリコシルチオ基、テトラコシルチオ基、ペンタコシルチオ基、ヘキサコシルチオ基、ヘプタコシルチオ基、オクタコシルチオ基、ノナコシルチオ基及びトリアコンチル基等が挙げられ、好ましくは、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチチオル基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−ヘキシルオクチルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、2−ヘキシルデシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、ノナデシルチオ基及びイコシルチオ基等が挙げられ、さらに好ましくは、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−ヘキシルオクチルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基及び2−ヘキシルデシルチオ基が挙げられる。
R1及びR2で表されるフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキルチオ基が好ましく、炭素数2~20のアルキルチオ基が好ましい。
R1及びR2で表されるアルキニル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、1−ヘキシニル基、1−ヘプチニル基、1−オクチニル基、1−ノニニル基、1−デキニル基、1−ウンデキニル基、1−ドデキニル基、1−トリデキニル基、1−テトラデキニル基、1−ペンタデキニル基、1−ヘキサデキニル基、1−ヘプタデキニル基、1−オクタデキニル基、1−ノナデキニル基、1−イコシニル基、1−ヘンイコシニル基、1−ドコシニル基、1−トリコシニル基、1−テトラコシニル基、1−ペンタコシニル基、1−ヘキサコシニル基、1−ヘプタコシニル基、1−オクタコシニル基、1−ノナコシニル基、1−トリアコンチニル基、(トリメチルシリル)エチニル基、(トリエチルシリル)エチニル基及び(トリイソプロピルシリル)エチニル基が挙げられ、好ましくは、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、1−ヘキシニル基、1−ヘプチニル基、1−オクチニル基、1−ノニニル基、1−デキニル基、1−ウンデキニル基、1−ドデキニル基、1−トリデキニル基、1−テトラデキニル基、1−ペンタデキニル基、1−ヘキサデキニル基、1−ヘプタデキニル基、1−オクタデキニル基、1−ノナデキニル基、1−イコシニル基、(トリメチルシリル)エチニル基、(トリエチルシリル)エチニル基及び(トリイソプロピルシリル)エチニル基等が挙げられ、さらに好ましくはエチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、1−ヘキシニル基、1−ヘプチニル基、1−オクチニル基、1−ノニニル基、1−デキニル基、1−ウンデキニル基、1−ドデキニル基、1−トリデキニル基、1−テトラデキニル基、1−ペンタデキニル基、1−ヘキサデキニル基、(トリメチルシリル)エチニル基、(トリエチルシリル)エチニル基及び(トリイソプロピルシリル)エチニル基が挙げられる。
R1及びR2で表される置換アリール基の具体例としては、置換基を有するフェニル基、置換基を有する1−ナフチル基及び置換基を有する2−ナフチル基を挙げられ、置換基を有するフェニル基が好ましい。
R1及びR2で表される置換ヘテロアリール基は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子などのヘテロ原子を含む芳香環構造を有し、具体例としては、置換基を有するチエニル基、置換基を有するフリル基、置換基を有するチアゾリル基、置換基を有するチエノ[3,2−b]チエニル基、置換基を有するジチエノ[3,2−b:2’,3’−d]チオフェン基、置換基を有するフロロ[3,2−b]フリル基、置換基を有するチエノ[3,2−b]フリル基、置換基を有するベンゾ[b]チエニル基、置換基を有するベンゾ[b]フリル基が挙げられ、好ましくは、置換基を有するチエニル基、置換基を有するチエノ[3,2−b]チエニル基、置換基を有するジチエノ[3,2−b:2’,3’−d]チオフェン基、置換基を有するベンゾ[b]チエニル基及びベンゾ[b]フリル基が挙げられ、とりわけ、置換基を有するチエニル基が好ましい。
R1及びR2で表される置換アリール基又は置換ヘテロアリール基の置換基であるフッ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基及びフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基としては、R1及びR2について上述したものと同じ具体例が挙げられ、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基及びフッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキルチオ基が好ましい。
R1及びR2で表される置換アリール基の好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよいアルキル基で置換されたアリール基及びフッ素原子を有していてもよいアルコキシ基で置換されたアリール基であり、より好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基又はフッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基で置換されたアリール基である。特に、全炭素数8~26のアルキルアリール基及びアルコキシアリール基が好ましい。
R1及びR2で表される置換ヘテロアリール基の好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよいアルキル基で置換されたチエニル基であり、より好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基で置換されたチエニル基である。特に、全炭素数6~24のアルキルチエニル基が好ましい。
化合物(1)の具体例としては、表1~9で示される化合物を挙げることができる。
好ましい化合物(1)を表中の化合物番号で表わせば、例えば、(1−1−1)、(1−1−2)、(1−1−3)、(1−1−4)、(1−1−5)、(1−1−6)、(1−1−7)、(1−1−8)、(1−1−9)、(1−1−10)、(1−1−11)、(1−1−12)、(1−1−13)、(1−1−14)、(1−1−15)、(1−1−16)、(1−1−17)、(1−1−18)、(1−1−24)、(1−1−25)、(1−2−1)、(1−2−2)、(1−2−3)、(1−2−4)、(1−2−5)、(1−2−7)、(1−2−8)、(1−2−9)、(1−2−10)、(1−2−11)、(1−2−12)、(1−2−13)、(1−2−14)、(1−2−15)、(1−2−16)、(1−2−17)、(1−2−18)、(1−2−24)、(1−2−25)(1−3−1)、(1−3−2)、(1−3−3)、(1−3−4)、(1−3−5)、(1−3−7)、(1−3−8)、(1−3−9)、(1−3−10)、(1−3−11)、(1−3−12)、(1−3−13)、(1−3−14)、(1−3−15)、(1−3−16)、(1−3−17)、(1−3−18)、(1−4−1)、(1−4−2)、(1−4−3)、(1−4−4)、(1−4−5)、(1−4−6)、(1−4−7)、(1−4−8)、(1−4−9)、(1−4−10)、(1−4−11)、(1−4−12)、(1−4−13)、(1−4−14)、(1−4−15)、(1−4−16)、(1−4−17)、(1−4−18)、(1−4−19)、(1−4−20)、(1−4−21)、(1−4−32)、(1−4−33)、(1−4−34)、(1−5−1)、(1−5−2)、(1−5−3)、(1−5−4)、(1−5−5)、(1−5−6)、(1−5−7)、(1−5−8)、(1−5−9)、(1−5−10)、(1−5−11)、(1−5−12)、(1−5−13)、(1−5−14)、(1−5−15)、(1−5−16)、(1−5−17)、(1−5−18)、(1−5−24)、(1−5−25)、(1−6−1)、(1−6−2)、(1−6−3)、(1−6−4)、(1−6−5)、(1−6−6)、(1−6−7)、(1−6−8)、(1−6−9)、(1−6−10)、(1−6−11)、(1−6−12)、(1−6−13)、(1−6−14)、(1−6−15)、(1−6−16)、(1−6−17)、(1−6−18)、(1−6−24)、(1−6−25)、(1−7−1)、(1−7−2)、(1−7−3)、(1−7−4)、(1−7−5)、(1−7−6)、(1−7−7)、(1−7−8)、(1−7−9)、(1−7−10)、(1−7−11)、(1−7−12)、(1−7−13)、(1−7−14)、(1−7−15)、(1−7−16)、(1−7−17)、(1−7−18)、(1−7−24)、(1−7−25)、(1−8−1)、(1−8−2)、(1−8−3)、(1−8−4)、(1−8−5)、(1−8−6)、(1−8−7)、(1−8−8)、(1−8−9)、(1−8−10)、(1−8−11)、(1−8−12)、(1−8−13)、(1−8−14)、(1−8−15)、(1−8−16)、(1−8−17)、(1−8−18)、(1−8−24)、(1−8−25)、(1−9−1)、(1−9−2)、(1−9−3)、(1−9−4)、(1−9−5)、(1−9−6)、(1−9−7)、(1−9−8)、(1−9−9)、(1−9−10)、(1−9−11)、(1−9−12)及び(1−9−13)が挙げられ、より好ましいのは、(1−1−1)、(1−1−2)、(1−1−3)、(1−1−5)、(1−1−7)、(1−1−8)、(1−1−9)、(1−1−10)、(1−1−11)、(1−1−12)、(1−1−13)、(1−1−14)、(1−1−15)、(1−1−16)、(1−1−17)、(1−1−18)、(1−2−1)、(1−2−2)、(1−2−3)、(1−2−5)、(1−2−7)、(1−2−8)、(1−2−9)、(1−2−10)、(1−2−11)、(1−2−12)、(1−2−13)、(1−2−14)、(1−2−15)、(1−2−16)、(1−2−17)、(1−2−18)、(1−4−2)、(1−4−3)、(1−4−4)、(1−4−5)、(1−4−6)、(1−4−8)、(1−4−9)、(1−4−10)、(1−4−11)、(1−4−12)、(1−4−13)、(1−4−14)、(1−4−15)、(1−4−16)、(1−4−17)、(1−4−18)、(1−4−19)、(1−4−20)、(1−4−21)、(1−4−32)、(1−4−33)、(1−4−34)、(1−5−1)、(1−5−2)、(1−5−3)、(1−5−5)、(1−5−6)、(1−5−7)、(1−5−8)、(1−5−9)、(1−5−10)、(1−5−11)、(1−5−12)、(1−5−13)、(1−5−14)、(1−5−15)、(1−5−16)、(1−5−17)、(1−5−18)、(1−6−1)、(1−6−2)、(1−6−3)、(1−6−5)、(1−6−6)、(1−6−7)、(1−6−8)、(1−6−9)、(1−6−10)、(1−6−11)、(1−6−12)、(1−6−13)、(1−6−14)、(1−6−15)、(1−6−16)、(1−6−17)、(1−6−18)、(1−7−1)、(1−7−2)、(1−7−3)、(1−7−5)、(1−7−6)、(1−7−7)、(1−7−8)、(1−7−9)、(1−7−10)、(1−7−11)、(1−7−12)、(1−7−13)、(1−7−14)、(1−7−15)、(1−7−16)、(1−7−17)、(1−7−18)、(1−8−1)、(1−8−2)、(1−8−3)、(1−8−5)、(1−8−6)、(1−8−7)、(1−8−8)、(1−8−9)、(1−8−10)、(1−8−11)、(1−8−12)、(1−8−13)、(1−8−14)、(1−8−15)、(1−8−16)、(1−8−17)、(1−8−18)、(1−9−2)、(1−9−3)、(1−9−7)、(1−9−8)、(1−9−9)、(1−9−10)及び(1−9−11)である。
化合物(1)の製造方法としては、例えば、遷移金属触媒及び塩基の存在下、式(2)
(式中、W、X、Y及びZは前記と同じ意味を表し、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホナート基を表す。)
で表される化合物(化合物(2))と、式(3)
(式中、R3は前記R1と同様の意味を表し、同様のものが好ましい。R4及びR5は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又は炭素数6~20のアリールオキシ基を表し、R4及びR5が結合してホウ素原子とともに環構造を形成していてもよく、R4及びR5が酸素原子で分子間で環構造を形成していてもよい。)
で表される化合物(化合物(3))を反応させる工程を含む方法を挙げることができる。
R4及びR5で表される炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基及び1,2−ジメチルプロピル基等の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基が挙げられる。炭素数1~10のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基及びヘキシルオキシ基が挙げられ、炭素数6~20のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基及び2−ナフチルオキシ基が挙げられる。
R4とR5が結合してホウ素原子とともに環構造を形成する場合、好ましい環の例としては、1,3,2−ジオキサボロラン環、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン環、5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン環、1,3,2−ベンゾジオキサボロール環及び9−ボラビシクロ3,3,1−ノナン環が挙げられる。
化合物(2)と化合物(3)の反応工程に用いられる遷移金属触媒としては、例えば、パラジウム触媒及びニッケル触媒が挙げられる。パラジム触媒は、市販品を用いてもよいし、予めパラジウム化合物とホスフィン化合物を接触させて調製したものを用いてもよく、また、パラジウム化合物とホスフィン化合物を、化合物(2)を含む反応系に加えて、反応系内で調製してもよい。
パラジウム触媒としては、例えば、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ビス(アセテート)ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ビス[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラジウム(0)、[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ジクロロパラジウム(II)、ジブロモビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(ジメチルフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(メチルジフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリエチルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス[トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン]パラジウム(II)、テトラキス(メチルジフェニルホスフィン)パラジウム(0)、テトラキス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム(0)及びジクロロビス(1,1’−ジフェニルホスフィノフェロセニル)パラジウム(II)が挙げられる。これのパラジウム化合物の多くは市販されており、そのまま使用できる。
パラジウム触媒を調製するためのパラジウム化合物としては、例えば、トリス(ジベンシリデンアセトン)ジパラジウム(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)・クロロホルム付加体、酢酸パラジウム(II)、塩化パラジウム(II)、(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2,5−ジエン)ジクロロパラジウム(II)、(2,2’−ビピリジル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(アセトニトリル)クロロニトロパラジウム(II)、ビス(ベンゾニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(アセトニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ジクロロ(1,5−シクロオクタジエン)パラジウム(II)、ジクロロ(エチレンジアミン)パラジウム(II)、ジクロロ(N,N,N’,N’−テトラメチレンジアミン)パラジウム(II)、ジクロロ(1,10−フェナントロリン)パラジウム(II)、パラジウム(II)アセチルアセトナート、臭化パラジウム(II)、パラジウム(II)ヘキサフルオロアセチルアセトナート、ヨウ化パラジウム(II)、硝酸パラジウム(II)、硫酸パラジウム(II)及びトリフルオロ酢酸パラジウム(II)が挙げられる。これらのパラジウム化合物も、市販品をそのまま使用できる。
パラジウム触媒を調製するためのホスフィン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(3−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン、トリス(4−フルオロフェニル)ホスフィン、トリス(2−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(3−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン、トリ(3−クロロフェニル)ホスフィン、トリ(4−クロロフェニル)ホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィン、トリ−tert−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,2−ジフェニルホスフィノエタン、1,3−ジフェニルホスフィノプロパン、1,4−ジフェニルホスフィノブタン、1,2−ジシクロヘキシルホスフィノエタン、1,3−ジシクロヘキシルホスフィノプロパン、1,4−ジシクロヘキシルホスフィノブタン、1,2−ジメチルホスフィノエタン、1,3−ジメチルホスフィノプロパン、1,4−ジメチルホスフィノブタン、1,2−ジエチルホスフィノエタン、1,3−ジエチルホスフィノプロパン、1,4−ジエチルホスフィノブタン、1,2−ジイソプロピルホスフィノエタン、1,3−ジイソプロピルホスフィノプロパン、1,4−ジイソプロピルホスフィノブタン、トリ−2−フリルホスフィン、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)ビフェニル、2−(ジ−tert−ブチルホスフィノ)ビフェニル、2−ジ−tert−ブチルホスフィノ−2’−メチルビフェニル、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ−2’−6’−ジメトキシ、1,1’−ビフェニル、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)−2’−(N,N−ジメチルアミノ)ビフェニル、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’−メチル−ビフェニル、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)−2’,4’,6’−トリ−イソプロピル1,1’−ビフェニル、1,1‘−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン及び1,1’−ビス(ジ−イソプロピルホスフィノ)フェロセンが挙げられる。これらのホスフィン化合物も、市販品をそのまま使用してもよいし公知の方法に準じて製造したものを用いてもよい。ホスフィン化合物の使用量はパラジウム化合物1モルに対して、例えば、0.5~10モルであり、好ましくは1~5モルである。
ニッケル触媒としては、例えば、ジクロロビス(1,1’−ジフェニルホスフィノフェロセニル)ニッケル(II)、ジクロロビス(ジフェニルホスフィノ)ニッケル(II)、ジクロロニッケル(II)、ジヨードニッケル(II)、ジクロロ(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(II)及びジクロロ[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ニッケル(II)が挙げられる。
遷移金属触媒の使用量は化合物(2)1モルに対して、金属原子として、例えば、0.0005~0.5モルの範囲を挙げることができる。
本工程に用いられる塩基としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化タリウム、水酸化バリウム、リチウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、リチウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−ブトキシド、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸タリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン及びピペリジンが挙げられる。塩基の使用量は、化合物(2)1モルに対して、通常0.5モル以上、好ましくは、1モル以上である。
化合物(2)と化合物(3)の反応工程は、溶媒の存在下で行うことが好ましい。溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、tert−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル溶媒;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶媒;ジメチルスルホキシド;N−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン;及び水が挙げられる。溶媒は単独で用いてもよいし2種以上を混合して用いてもよい。溶媒は脱気して用いることが好ましい。また、工程で用いる化合物(2)又は化合物(3)の一部又は全てを溶媒に溶解又は懸濁させてから、窒素バブリング又は減圧等で脱気してもよい。溶媒の使用量は、化合物(2)1重量部に対して、例えば、0.5~200重量部の範囲等を挙げることができ、好ましくは2~100重量部の範囲等が挙げられる。
該反応工程は、さらに、相間移動触媒の存在下で行ってもよい。相間移動触媒としては、例えば、テトラアルキルハロゲン化アンモニウム、テトラアルキル硫酸水素アンモニウム、テトラアルキル水酸化アンモニウムなどの第4級アンモニウム塩を挙げることができ、好ましくは、テトラブチルハロゲン化アンモニウム及びベンジルトリエチルハロゲン化アンモニウムが挙げられる。
該反応工程は大気下でも可能であるが、窒素あるいはアルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
該反応工程における反応温度は、例えば、0~200℃の範囲、反応時間は、例えば、1分~96時間の範囲を挙げることができる。
反応終了後、例えば、得られた反応混合物と塩化アンモニウム水溶液とを混合し、必要に応じて水に不溶の有機溶媒を加えて抽出処理をし、得られた有機層を濃縮し、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶、リサイクルゲルパーミネーションクロマトグラフィー、昇華精製等の精製手段を行うことで、化合物(1)を単離することができる。
化合物(1)を製造する際、化合物(3)の化合物の代わりに、下記一般式(4)、(5)、(6)及び(7)でそれぞれ表される化合物(化合物(4)、化合物(5)、化合物(6)及び化合物(7))を用い、同様に反応させることができる。
式(4)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、R6、R7及びR8は、それぞれ独立に、炭素数1~10のアルキル基を示し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びデシル基が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基及びヘキシル基であり、さらに好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基である。式(4)中のR6、R7及びR8は同一であることが好ましい。
式(5)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、Q2はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子)を示し、好ましくは塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。
式(6)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、Q3はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子)を示し、好ましくは塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。
式(7)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、Q4はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子)を示し、好ましくは塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。
化合物(1)を製造する他の方法としては、例えば、前述の遷移金属触媒及び前述の塩基の存在下、式(8)
(式中、W、X、Y及びZは前記と同じ意味を表し、Q5は−BR4R5、−SnR6R7R8、−MgQ2、−ZnQ3、及び−CuQ4を表わし、R4、R5、R6、R7、R8、Q2、Q3、Q4は前記と同じ意味を表す。)
で表される化合物(化合物(8))と、式(9)
(式中、R3及びQ1は前記と同様の意味を表す。)
で表される化合物(化合物(9))とを、化合物(2)と化合物(3)の反応工程と同様に反応させる工程を含む方法等を挙げることができる。
本発明の化合物(1)は、真空蒸着プロセスで薄膜を形成させることができる。
また、化合物(1)は有機溶媒への溶解性に優れることから、有機溶媒に溶解して得られる溶液を塗布する方法によって薄膜を形成させることができる。溶液を調製するのに用いられる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、2−プロパノール、ブタノール等のアルコール溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、メシチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、フルオロベンゼン、アニソール等の芳香族炭化水素溶媒、例えばジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1’,2,2’−テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素溶媒、例えばジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、グルタロニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル溶媒、ジメチルスルホキシド、スルホラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。中でも、トルエン、キシレン、テトラリン、メシチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム及びテトラヒドロフランが好ましい。有機溶媒は2種以上を混合して用いることもできる。
化合物(1)及び有機溶媒を含む溶液における化合物(1)の濃度としては、例えば、0.001~50重量%の範囲等を挙げることができ、好ましくは0.01~10重量%、より好ましくは0.1~5重量%の範囲等が挙げられる。
該溶液には、化合物(1)を単独で使用してもよいし、後述する薄膜(有機半導体活性層)のキャリア移動度を著しく損なわない範囲であれば、酸化防止剤、安定剤、有機半導体材料、有機絶縁性材料などと混合して使用してもよい。
該有機半導体材料としては、低分子材料でもよく、高分子材料でもよく、架橋反応が可能な場合は架橋していてもよく架橋していなくてもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリトリアリールアミン誘導体、ポリキノリン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体及びフタロシアニン誘導体が挙げられ、この場合、化合物(1)の含有量は、10重量%以上が好ましく、20重量%以上になるように調製することがより好ましい。
該有機絶縁性材料としては、低分子材料でもよく、高分子材料でもよく、架橋反応が可能な場合は架橋していてもよく架橋していなくてもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィンコポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール系樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及び各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマーが挙げられ、この場合、化合物(1)の含有量は、10重量%以上が好ましく、20重量%以上になるように調整することがより好ましい。
該溶液の調製方法としては、有機溶媒に化合物(1)を、例えば、10~200℃の範囲等、好ましくは20~150℃の範囲等で溶解することによって得ることができる。
本発明の薄膜は、化合物(1)を含む薄膜であり、例えば、厚み1nm~10μm、好ましくは厚み5nm~1μmの薄膜である。
本発明の薄膜は発光性、半導体と同様の導電性を示す場合があり、それぞれ、発光性薄膜、導電性薄膜としても優れている。
本発明において発光性薄膜とは、化合物(1)を含む薄膜であって、光や電気的刺激の条件下で発光する薄膜を意味する。発光性薄膜は、発光素子の材料として有用である。発光性薄膜を有する発光素子もまた、本発明の一つである。本発明の発光素子は、例えば有機発光ダイオード等の材料として有用である。
本発明において、発光素子とは該発光性薄膜を用いたデバイスのことを意味する。
本発明において、導電性薄膜とは、光や電気的刺激の条件下で導電性を示す薄膜を意味する。半導体と同様の導電性を示す導電性薄膜を特に有機半導体薄膜と称することがある。導電性薄膜は、後述の有機半導体デバイス等の材料として有用である。
本発明の導電性薄膜及び発光性薄膜は、それぞれ、本発明の化合物(1)を材料として用いる以外は、従来公知の方法と同様に製造することができる。
次に、有機トランジスタについて説明する。
本発明の有機トランジスタは、本発明の薄膜を半導体層として含むものである。
上記該有機トランジスタは、本発明の化合物(1)を含んでいるので、キャリア移動度が高い傾向がある。上記該有機トランジスは、キャリア移動度を、例えば、10−3cm2/Vs以上とすることができる。ここでキャリア移動度は、パラメータアナライザー等を用いて測定したドレイン電流及びゲート電圧について、下記式(a)を適用することにより測定することができる。
Id=(W/2L)μCi(Vg−Vt)2・・・(a)
(式中、Id=電気的特性の飽和領域におけるドレイン電流、L=有機トランジスタのチャネル長、W=有機トランジスタのチャネル幅、Ci=ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Vg=ゲート電圧、Vt=ゲート電圧のしきい値電圧)
本発明の有機トランジスタとしては、有機電界効果トランジスタが挙げられる。
該有機電界効果トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極が半導体層に接しており、さらに活性層に接した絶縁層(誘電体層)を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
上記有機トランジスタの素子構造としては、例えば、
(1)基板/ゲート電極/絶縁体層/ソース電極・ドレイン電極/半導体層からなる構造;
(2)基板/ゲート電極/絶縁体層/半導体層/ソース電極・ドレイン電極からなる構造;
(3)基板/半導体層/ソース電極・ドレイン電極/絶縁体層/ゲート電極からなる構造;
(4)基板/ソース電極・ドレイン電極/半導体層/絶縁体層/ゲート電極からなる構造、
などが挙げられる。
上記各構造において、半導体層は、本発明の有機半導体薄膜を有する。各構造において該半導体層が複数である場合、同一平面内に設けてもよいし、積層して設けてもよい。上記各構造において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は、それぞれ複数設けてもよい。
有機トランジスタにおける薄膜を半導体層として形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、分子線エピタキシャル成長法などの真空プロセスでの形成法が挙げられ、好ましくは真空蒸着法が挙げられる。
真空蒸着法とは、化合物(1)をルツボや金属ボート中で真空下、加熱し、昇華した化合物を基板もしくは絶縁体材料に蒸着させる方法である。
蒸着時の真空度は、1×10−1Pa以下、好ましくは1×10−3Pa以下である。
蒸着時の基板温度は0℃~300℃、好ましくは20℃~200℃である。
蒸着速度は、0.001nm/sec~10nm/secであり、好ましくは0.01nm/sec~1nm/secである。上記有機半導体薄膜の膜厚は、1nm~10μmであり、好ましくは5nm~1μmである。
有機トランジスタにおける薄膜を半導体層として形成する方法の異なる実施態様としては、化合物(1)が有機溶媒に対する溶解性に優れていることから、塗布成膜加工を例示することができる。塗布成膜加工は、該化合物を前述した有機溶媒に溶解して有機溶液を調製し、該有機溶液を基板もしくは絶縁体層に塗布する工程を有する成膜加工である。塗布する工程としては、例えば、キャスティング法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法及びマイクロコンタクト印刷法が挙げられる。これらの工程は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせてもよい。
塗布成膜加工して得られた有機溶媒を含む膜は、該有機溶媒を除去することで、本発明の薄膜を与える。除去方法としては、例えば、自然乾燥処理、加熱処理、減圧処理、通風処理又はこれらを組み合わせた処理等を挙げることがで、操作が簡便である点で自然乾燥処理もしくは加熱処理が好ましい。具体的には、大気下で放置もしくはホットプレートで基板加熱(例えば、40~250℃、好ましくは、50~200℃)する処理等が挙げられる。
化合物(1)を溶媒に溶解させなくとも、化合物(1)を溶媒に分散させて、塗布製膜加工を行ってもよい。この場合の具体的な実施態様は、前述の有機溶液による塗布成膜加工の処理における有機溶液を、化合物(1)を溶媒に分散させた分散液に置き換えて処理すればよい。
薄膜を半導体層として形成する方法としては、化合物(1)を有機溶媒で溶解させて得られる有機溶液を用いた塗布成膜加工が好ましい。
本発明の有機トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を構成する材料は、一般的な導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト、カーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物、酸化アルミニウム、酸化モリブデン等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、インジウム、ITO、炭素、及び酸化モリブデンが好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。これらの電極材料は単独で使用してもよいし、2種類以上を混合して使用してもよい。
電極の膜厚は、材料によっても異なるが、0.1nm~10μmであればよく、好ましくは0.5nm~5μmであり、より好ましくは1nm~1μmである。また、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
本発明の薄膜に電極膜を形成する方法としては、公知の種々の方法が挙げられる。具体的には、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。成膜時又は成膜後に、パターニングを必要に応じて行うことが好ましい。パターニングの方法としても、種々の方法を用いることができる。具体的には、フォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法などが挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷などの印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法などのソフトリソグラフィーの手法なども挙げられる。これらの手法は単独で用いてもよいし、2種類以上を混合してパターニングを行うことも可能である。
絶縁層としては、無機酸化物や有機化合物皮膜などの種々の絶縁膜を用いることができる。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム等が挙げられ、好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル及び酸化チタンである。無機窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。有機化合物皮膜としては、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン等が挙げられ、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルフェノール及びポリビニルアルコールが好ましい。
これらの絶縁層材料は単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。絶縁層の膜厚は、材料によっても異なるが、通常0.1nm~100μmであり、好ましくは0.5nm~50μmであり、より好ましくは5nm~10μmである。
絶縁層の形成方法としては、公知の種々の方法を用いることができる。具体的には、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティングなどの塗布法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェットなどの印刷法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、CVD法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイト、シリコンの熱酸化膜のように金属上に酸化物膜を形成する方法などが挙げられる。
基板としては、ガラス、紙、石英、セラミック、又はフレキシブルな樹脂の基板材料から構成された板又はシートなどが挙げられる。樹脂フィルムとしては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)及びセルロースアセテートプロピオネート(CAP)が挙げられる。基板の厚さは1μm~10mmが好ましく、5μm~5mmがさらに好ましい。
半導体層と接触する絶縁体層や基板の部分において、絶縁体層や基板上に表面処理を行ってもよい。半導体層が積層される絶縁体層上に表面処理を行うことにより、素子のトランジスタ特性を向上させることができる。表面処理としては、具体的には、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシランなどによる疎水化処理、塩酸、硫酸、過酸化水素水などによる酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニアなどによるアンモニア処理、オゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴンなどのプラズマ処理、ラングミュラー・ブロジェット膜の形成処理、その他の絶縁体等や半導体の薄膜の形成処理、機械的処理、コロナ放電などの電気的処理、繊維などを利用したラビング処理などが挙げられ、2種類以上の処理法を組み合わせて使用してもよい。
表面処理を行う方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、印刷法及びゾルゲル法が挙げられる。
半導体層上に樹脂もしくは無機化合物からなる保護膜を設けてもよい。保護膜の形成により、外気の影響を抑制してトランジスタの駆動を安定化することができる。
本発明の有機トランジスタは、例えば、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、センサー、RFIDs(radio frequency identification cards)等の有機半導体デバイスに使用することができる。
有機トランジスタの具体的な構成としては、例えば、図1記載の実施態様、図2記載の実施態様などを挙げることができる。
式(1)で表される置換カルコゲノアセン化合物(化合物(1))に含まれるW、X、Y及びZは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を表し、好ましくは、W、X、Y及びZの全てが硫黄原子である。
R1及びR2で表されるアルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、ノニル基、デシル基、2−ヘキシルデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、ペンタコシル基、ヘキサコシル基、ヘプタコシル基、オクタコシル基、ノナコシル基及びトリアコンチル基等が挙げられ、好ましくは、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、ノニル基、デシル基、2−ヘキシルデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、及びイコシル基が挙げられ、さらに好ましくは、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基及び2−ヘキシルデシル基が挙げられる。
R1及びR2で表されるフッ素原子を有していてもよいアルキル基としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基が好ましく、炭素数2~20のアルキル基が好ましい。
R1及びR2で表されるアルコキシ基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−ヘキシルオクチルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、2−ヘキシルデシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基、ヘンイコシルオキシ基、ドコシルオキシ基、トリコシルオキシ基、テトラコシルオキシ基、ペンタコシルオキシ基、ヘキサコシルオキシ基、ヘプタコシルオキシ基、オクタコシルオキシ基、ノナコシルオキシ基及びトリアコンチルオキシ基等が挙げられ、好ましくは、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−ヘキシルオクチルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、2−ヘキシルデシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基及びイコシルオキシ基が挙げられ、さらに好ましくは、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−ヘキシルオクチルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基及び2−ヘキシルデシルオキシ基が挙げられる。
R1及びR2で表されるフッ素原子を有していてもよいアルコキシ基としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基が好ましく、炭素数2~20のアルコキシ基が好ましい。
R1及びR2で表されるアルキルチオ基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピチオル基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−ヘキシルオクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、2−ヘキシルデシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、ノナデシルチオ基、イコシルチオ基、ヘンイコシルチオ基、ドコシルチオ基、トリコシルチオ基、テトラコシルチオ基、ペンタコシルチオ基、ヘキサコシルチオ基、ヘプタコシルチオ基、オクタコシルチオ基、ノナコシルチオ基及びトリアコンチル基等が挙げられ、好ましくは、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチチオル基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−ヘキシルオクチルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、2−ヘキシルデシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、ノナデシルチオ基及びイコシルチオ基等が挙げられ、さらに好ましくは、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−ヘキシルオクチルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基及び2−ヘキシルデシルチオ基が挙げられる。
R1及びR2で表されるフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキルチオ基が好ましく、炭素数2~20のアルキルチオ基が好ましい。
R1及びR2で表されるアルキニル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、具体例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、1−ヘキシニル基、1−ヘプチニル基、1−オクチニル基、1−ノニニル基、1−デキニル基、1−ウンデキニル基、1−ドデキニル基、1−トリデキニル基、1−テトラデキニル基、1−ペンタデキニル基、1−ヘキサデキニル基、1−ヘプタデキニル基、1−オクタデキニル基、1−ノナデキニル基、1−イコシニル基、1−ヘンイコシニル基、1−ドコシニル基、1−トリコシニル基、1−テトラコシニル基、1−ペンタコシニル基、1−ヘキサコシニル基、1−ヘプタコシニル基、1−オクタコシニル基、1−ノナコシニル基、1−トリアコンチニル基、(トリメチルシリル)エチニル基、(トリエチルシリル)エチニル基及び(トリイソプロピルシリル)エチニル基が挙げられ、好ましくは、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、1−ヘキシニル基、1−ヘプチニル基、1−オクチニル基、1−ノニニル基、1−デキニル基、1−ウンデキニル基、1−ドデキニル基、1−トリデキニル基、1−テトラデキニル基、1−ペンタデキニル基、1−ヘキサデキニル基、1−ヘプタデキニル基、1−オクタデキニル基、1−ノナデキニル基、1−イコシニル基、(トリメチルシリル)エチニル基、(トリエチルシリル)エチニル基及び(トリイソプロピルシリル)エチニル基等が挙げられ、さらに好ましくはエチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、1−ヘキシニル基、1−ヘプチニル基、1−オクチニル基、1−ノニニル基、1−デキニル基、1−ウンデキニル基、1−ドデキニル基、1−トリデキニル基、1−テトラデキニル基、1−ペンタデキニル基、1−ヘキサデキニル基、(トリメチルシリル)エチニル基、(トリエチルシリル)エチニル基及び(トリイソプロピルシリル)エチニル基が挙げられる。
R1及びR2で表される置換アリール基の具体例としては、置換基を有するフェニル基、置換基を有する1−ナフチル基及び置換基を有する2−ナフチル基を挙げられ、置換基を有するフェニル基が好ましい。
R1及びR2で表される置換ヘテロアリール基は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子などのヘテロ原子を含む芳香環構造を有し、具体例としては、置換基を有するチエニル基、置換基を有するフリル基、置換基を有するチアゾリル基、置換基を有するチエノ[3,2−b]チエニル基、置換基を有するジチエノ[3,2−b:2’,3’−d]チオフェン基、置換基を有するフロロ[3,2−b]フリル基、置換基を有するチエノ[3,2−b]フリル基、置換基を有するベンゾ[b]チエニル基、置換基を有するベンゾ[b]フリル基が挙げられ、好ましくは、置換基を有するチエニル基、置換基を有するチエノ[3,2−b]チエニル基、置換基を有するジチエノ[3,2−b:2’,3’−d]チオフェン基、置換基を有するベンゾ[b]チエニル基及びベンゾ[b]フリル基が挙げられ、とりわけ、置換基を有するチエニル基が好ましい。
R1及びR2で表される置換アリール基又は置換ヘテロアリール基の置換基であるフッ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基及びフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基としては、R1及びR2について上述したものと同じ具体例が挙げられ、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基及びフッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキルチオ基が好ましい。
R1及びR2で表される置換アリール基の好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよいアルキル基で置換されたアリール基及びフッ素原子を有していてもよいアルコキシ基で置換されたアリール基であり、より好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基又はフッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基で置換されたアリール基である。特に、全炭素数8~26のアルキルアリール基及びアルコキシアリール基が好ましい。
R1及びR2で表される置換ヘテロアリール基の好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよいアルキル基で置換されたチエニル基であり、より好ましい例としては、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基で置換されたチエニル基である。特に、全炭素数6~24のアルキルチエニル基が好ましい。
化合物(1)の具体例としては、表1~9で示される化合物を挙げることができる。
化合物(1)の製造方法としては、例えば、遷移金属触媒及び塩基の存在下、式(2)
(式中、W、X、Y及びZは前記と同じ意味を表し、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホナート基を表す。)
で表される化合物(化合物(2))と、式(3)
(式中、R3は前記R1と同様の意味を表し、同様のものが好ましい。R4及びR5は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又は炭素数6~20のアリールオキシ基を表し、R4及びR5が結合してホウ素原子とともに環構造を形成していてもよく、R4及びR5が酸素原子で分子間で環構造を形成していてもよい。)
で表される化合物(化合物(3))を反応させる工程を含む方法を挙げることができる。
R4及びR5で表される炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基及び1,2−ジメチルプロピル基等の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基が挙げられる。炭素数1~10のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基及びヘキシルオキシ基が挙げられ、炭素数6~20のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基及び2−ナフチルオキシ基が挙げられる。
R4とR5が結合してホウ素原子とともに環構造を形成する場合、好ましい環の例としては、1,3,2−ジオキサボロラン環、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン環、5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン環、1,3,2−ベンゾジオキサボロール環及び9−ボラビシクロ3,3,1−ノナン環が挙げられる。
化合物(2)と化合物(3)の反応工程に用いられる遷移金属触媒としては、例えば、パラジウム触媒及びニッケル触媒が挙げられる。パラジム触媒は、市販品を用いてもよいし、予めパラジウム化合物とホスフィン化合物を接触させて調製したものを用いてもよく、また、パラジウム化合物とホスフィン化合物を、化合物(2)を含む反応系に加えて、反応系内で調製してもよい。
パラジウム触媒としては、例えば、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ビス(アセテート)ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ビス[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラジウム(0)、[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ジクロロパラジウム(II)、ジブロモビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(ジメチルフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(メチルジフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリエチルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス[トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン]パラジウム(II)、テトラキス(メチルジフェニルホスフィン)パラジウム(0)、テトラキス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム(0)及びジクロロビス(1,1’−ジフェニルホスフィノフェロセニル)パラジウム(II)が挙げられる。これのパラジウム化合物の多くは市販されており、そのまま使用できる。
パラジウム触媒を調製するためのパラジウム化合物としては、例えば、トリス(ジベンシリデンアセトン)ジパラジウム(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)・クロロホルム付加体、酢酸パラジウム(II)、塩化パラジウム(II)、(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2,5−ジエン)ジクロロパラジウム(II)、(2,2’−ビピリジル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(アセトニトリル)クロロニトロパラジウム(II)、ビス(ベンゾニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(アセトニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ジクロロ(1,5−シクロオクタジエン)パラジウム(II)、ジクロロ(エチレンジアミン)パラジウム(II)、ジクロロ(N,N,N’,N’−テトラメチレンジアミン)パラジウム(II)、ジクロロ(1,10−フェナントロリン)パラジウム(II)、パラジウム(II)アセチルアセトナート、臭化パラジウム(II)、パラジウム(II)ヘキサフルオロアセチルアセトナート、ヨウ化パラジウム(II)、硝酸パラジウム(II)、硫酸パラジウム(II)及びトリフルオロ酢酸パラジウム(II)が挙げられる。これらのパラジウム化合物も、市販品をそのまま使用できる。
パラジウム触媒を調製するためのホスフィン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(3−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン、トリス(4−フルオロフェニル)ホスフィン、トリス(2−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(3−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン、トリ(3−クロロフェニル)ホスフィン、トリ(4−クロロフェニル)ホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィン、トリ−tert−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,2−ジフェニルホスフィノエタン、1,3−ジフェニルホスフィノプロパン、1,4−ジフェニルホスフィノブタン、1,2−ジシクロヘキシルホスフィノエタン、1,3−ジシクロヘキシルホスフィノプロパン、1,4−ジシクロヘキシルホスフィノブタン、1,2−ジメチルホスフィノエタン、1,3−ジメチルホスフィノプロパン、1,4−ジメチルホスフィノブタン、1,2−ジエチルホスフィノエタン、1,3−ジエチルホスフィノプロパン、1,4−ジエチルホスフィノブタン、1,2−ジイソプロピルホスフィノエタン、1,3−ジイソプロピルホスフィノプロパン、1,4−ジイソプロピルホスフィノブタン、トリ−2−フリルホスフィン、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)ビフェニル、2−(ジ−tert−ブチルホスフィノ)ビフェニル、2−ジ−tert−ブチルホスフィノ−2’−メチルビフェニル、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ−2’−6’−ジメトキシ、1,1’−ビフェニル、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)−2’−(N,N−ジメチルアミノ)ビフェニル、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’−メチル−ビフェニル、2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)−2’,4’,6’−トリ−イソプロピル1,1’−ビフェニル、1,1‘−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン及び1,1’−ビス(ジ−イソプロピルホスフィノ)フェロセンが挙げられる。これらのホスフィン化合物も、市販品をそのまま使用してもよいし公知の方法に準じて製造したものを用いてもよい。ホスフィン化合物の使用量はパラジウム化合物1モルに対して、例えば、0.5~10モルであり、好ましくは1~5モルである。
ニッケル触媒としては、例えば、ジクロロビス(1,1’−ジフェニルホスフィノフェロセニル)ニッケル(II)、ジクロロビス(ジフェニルホスフィノ)ニッケル(II)、ジクロロニッケル(II)、ジヨードニッケル(II)、ジクロロ(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(II)及びジクロロ[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ニッケル(II)が挙げられる。
遷移金属触媒の使用量は化合物(2)1モルに対して、金属原子として、例えば、0.0005~0.5モルの範囲を挙げることができる。
本工程に用いられる塩基としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化タリウム、水酸化バリウム、リチウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、リチウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−ブトキシド、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸タリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン及びピペリジンが挙げられる。塩基の使用量は、化合物(2)1モルに対して、通常0.5モル以上、好ましくは、1モル以上である。
化合物(2)と化合物(3)の反応工程は、溶媒の存在下で行うことが好ましい。溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、tert−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル溶媒;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶媒;ジメチルスルホキシド;N−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン;及び水が挙げられる。溶媒は単独で用いてもよいし2種以上を混合して用いてもよい。溶媒は脱気して用いることが好ましい。また、工程で用いる化合物(2)又は化合物(3)の一部又は全てを溶媒に溶解又は懸濁させてから、窒素バブリング又は減圧等で脱気してもよい。溶媒の使用量は、化合物(2)1重量部に対して、例えば、0.5~200重量部の範囲等を挙げることができ、好ましくは2~100重量部の範囲等が挙げられる。
該反応工程は、さらに、相間移動触媒の存在下で行ってもよい。相間移動触媒としては、例えば、テトラアルキルハロゲン化アンモニウム、テトラアルキル硫酸水素アンモニウム、テトラアルキル水酸化アンモニウムなどの第4級アンモニウム塩を挙げることができ、好ましくは、テトラブチルハロゲン化アンモニウム及びベンジルトリエチルハロゲン化アンモニウムが挙げられる。
該反応工程は大気下でも可能であるが、窒素あるいはアルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
該反応工程における反応温度は、例えば、0~200℃の範囲、反応時間は、例えば、1分~96時間の範囲を挙げることができる。
反応終了後、例えば、得られた反応混合物と塩化アンモニウム水溶液とを混合し、必要に応じて水に不溶の有機溶媒を加えて抽出処理をし、得られた有機層を濃縮し、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶、リサイクルゲルパーミネーションクロマトグラフィー、昇華精製等の精製手段を行うことで、化合物(1)を単離することができる。
化合物(1)を製造する際、化合物(3)の化合物の代わりに、下記一般式(4)、(5)、(6)及び(7)でそれぞれ表される化合物(化合物(4)、化合物(5)、化合物(6)及び化合物(7))を用い、同様に反応させることができる。
式(4)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、R6、R7及びR8は、それぞれ独立に、炭素数1~10のアルキル基を示し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びデシル基が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基及びヘキシル基であり、さらに好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基である。式(4)中のR6、R7及びR8は同一であることが好ましい。
式(5)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、Q2はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子)を示し、好ましくは塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。
式(6)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、Q3はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子)を示し、好ましくは塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。
式(7)におけるR3は前記R3と同じ意味を表し、Q4はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子)を示し、好ましくは塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。
化合物(1)を製造する他の方法としては、例えば、前述の遷移金属触媒及び前述の塩基の存在下、式(8)
(式中、W、X、Y及びZは前記と同じ意味を表し、Q5は−BR4R5、−SnR6R7R8、−MgQ2、−ZnQ3、及び−CuQ4を表わし、R4、R5、R6、R7、R8、Q2、Q3、Q4は前記と同じ意味を表す。)
で表される化合物(化合物(8))と、式(9)
(式中、R3及びQ1は前記と同様の意味を表す。)
で表される化合物(化合物(9))とを、化合物(2)と化合物(3)の反応工程と同様に反応させる工程を含む方法等を挙げることができる。
本発明の化合物(1)は、真空蒸着プロセスで薄膜を形成させることができる。
また、化合物(1)は有機溶媒への溶解性に優れることから、有機溶媒に溶解して得られる溶液を塗布する方法によって薄膜を形成させることができる。溶液を調製するのに用いられる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、2−プロパノール、ブタノール等のアルコール溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、メシチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、フルオロベンゼン、アニソール等の芳香族炭化水素溶媒、例えばジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1’,2,2’−テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素溶媒、例えばジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、グルタロニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル溶媒、ジメチルスルホキシド、スルホラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。中でも、トルエン、キシレン、テトラリン、メシチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム及びテトラヒドロフランが好ましい。有機溶媒は2種以上を混合して用いることもできる。
化合物(1)及び有機溶媒を含む溶液における化合物(1)の濃度としては、例えば、0.001~50重量%の範囲等を挙げることができ、好ましくは0.01~10重量%、より好ましくは0.1~5重量%の範囲等が挙げられる。
該溶液には、化合物(1)を単独で使用してもよいし、後述する薄膜(有機半導体活性層)のキャリア移動度を著しく損なわない範囲であれば、酸化防止剤、安定剤、有機半導体材料、有機絶縁性材料などと混合して使用してもよい。
該有機半導体材料としては、低分子材料でもよく、高分子材料でもよく、架橋反応が可能な場合は架橋していてもよく架橋していなくてもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリトリアリールアミン誘導体、ポリキノリン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体及びフタロシアニン誘導体が挙げられ、この場合、化合物(1)の含有量は、10重量%以上が好ましく、20重量%以上になるように調製することがより好ましい。
該有機絶縁性材料としては、低分子材料でもよく、高分子材料でもよく、架橋反応が可能な場合は架橋していてもよく架橋していなくてもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィンコポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール系樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及び各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマーが挙げられ、この場合、化合物(1)の含有量は、10重量%以上が好ましく、20重量%以上になるように調整することがより好ましい。
該溶液の調製方法としては、有機溶媒に化合物(1)を、例えば、10~200℃の範囲等、好ましくは20~150℃の範囲等で溶解することによって得ることができる。
本発明の薄膜は、化合物(1)を含む薄膜であり、例えば、厚み1nm~10μm、好ましくは厚み5nm~1μmの薄膜である。
本発明の薄膜は発光性、半導体と同様の導電性を示す場合があり、それぞれ、発光性薄膜、導電性薄膜としても優れている。
本発明において発光性薄膜とは、化合物(1)を含む薄膜であって、光や電気的刺激の条件下で発光する薄膜を意味する。発光性薄膜は、発光素子の材料として有用である。発光性薄膜を有する発光素子もまた、本発明の一つである。本発明の発光素子は、例えば有機発光ダイオード等の材料として有用である。
本発明において、発光素子とは該発光性薄膜を用いたデバイスのことを意味する。
本発明において、導電性薄膜とは、光や電気的刺激の条件下で導電性を示す薄膜を意味する。半導体と同様の導電性を示す導電性薄膜を特に有機半導体薄膜と称することがある。導電性薄膜は、後述の有機半導体デバイス等の材料として有用である。
本発明の導電性薄膜及び発光性薄膜は、それぞれ、本発明の化合物(1)を材料として用いる以外は、従来公知の方法と同様に製造することができる。
次に、有機トランジスタについて説明する。
本発明の有機トランジスタは、本発明の薄膜を半導体層として含むものである。
上記該有機トランジスタは、本発明の化合物(1)を含んでいるので、キャリア移動度が高い傾向がある。上記該有機トランジスは、キャリア移動度を、例えば、10−3cm2/Vs以上とすることができる。ここでキャリア移動度は、パラメータアナライザー等を用いて測定したドレイン電流及びゲート電圧について、下記式(a)を適用することにより測定することができる。
Id=(W/2L)μCi(Vg−Vt)2・・・(a)
(式中、Id=電気的特性の飽和領域におけるドレイン電流、L=有機トランジスタのチャネル長、W=有機トランジスタのチャネル幅、Ci=ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Vg=ゲート電圧、Vt=ゲート電圧のしきい値電圧)
本発明の有機トランジスタとしては、有機電界効果トランジスタが挙げられる。
該有機電界効果トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極が半導体層に接しており、さらに活性層に接した絶縁層(誘電体層)を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
上記有機トランジスタの素子構造としては、例えば、
(1)基板/ゲート電極/絶縁体層/ソース電極・ドレイン電極/半導体層からなる構造;
(2)基板/ゲート電極/絶縁体層/半導体層/ソース電極・ドレイン電極からなる構造;
(3)基板/半導体層/ソース電極・ドレイン電極/絶縁体層/ゲート電極からなる構造;
(4)基板/ソース電極・ドレイン電極/半導体層/絶縁体層/ゲート電極からなる構造、
などが挙げられる。
上記各構造において、半導体層は、本発明の有機半導体薄膜を有する。各構造において該半導体層が複数である場合、同一平面内に設けてもよいし、積層して設けてもよい。上記各構造において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は、それぞれ複数設けてもよい。
有機トランジスタにおける薄膜を半導体層として形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、分子線エピタキシャル成長法などの真空プロセスでの形成法が挙げられ、好ましくは真空蒸着法が挙げられる。
真空蒸着法とは、化合物(1)をルツボや金属ボート中で真空下、加熱し、昇華した化合物を基板もしくは絶縁体材料に蒸着させる方法である。
蒸着時の真空度は、1×10−1Pa以下、好ましくは1×10−3Pa以下である。
蒸着時の基板温度は0℃~300℃、好ましくは20℃~200℃である。
蒸着速度は、0.001nm/sec~10nm/secであり、好ましくは0.01nm/sec~1nm/secである。上記有機半導体薄膜の膜厚は、1nm~10μmであり、好ましくは5nm~1μmである。
有機トランジスタにおける薄膜を半導体層として形成する方法の異なる実施態様としては、化合物(1)が有機溶媒に対する溶解性に優れていることから、塗布成膜加工を例示することができる。塗布成膜加工は、該化合物を前述した有機溶媒に溶解して有機溶液を調製し、該有機溶液を基板もしくは絶縁体層に塗布する工程を有する成膜加工である。塗布する工程としては、例えば、キャスティング法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法及びマイクロコンタクト印刷法が挙げられる。これらの工程は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせてもよい。
塗布成膜加工して得られた有機溶媒を含む膜は、該有機溶媒を除去することで、本発明の薄膜を与える。除去方法としては、例えば、自然乾燥処理、加熱処理、減圧処理、通風処理又はこれらを組み合わせた処理等を挙げることがで、操作が簡便である点で自然乾燥処理もしくは加熱処理が好ましい。具体的には、大気下で放置もしくはホットプレートで基板加熱(例えば、40~250℃、好ましくは、50~200℃)する処理等が挙げられる。
化合物(1)を溶媒に溶解させなくとも、化合物(1)を溶媒に分散させて、塗布製膜加工を行ってもよい。この場合の具体的な実施態様は、前述の有機溶液による塗布成膜加工の処理における有機溶液を、化合物(1)を溶媒に分散させた分散液に置き換えて処理すればよい。
薄膜を半導体層として形成する方法としては、化合物(1)を有機溶媒で溶解させて得られる有機溶液を用いた塗布成膜加工が好ましい。
本発明の有機トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を構成する材料は、一般的な導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト、カーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物、酸化アルミニウム、酸化モリブデン等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、インジウム、ITO、炭素、及び酸化モリブデンが好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。これらの電極材料は単独で使用してもよいし、2種類以上を混合して使用してもよい。
電極の膜厚は、材料によっても異なるが、0.1nm~10μmであればよく、好ましくは0.5nm~5μmであり、より好ましくは1nm~1μmである。また、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
本発明の薄膜に電極膜を形成する方法としては、公知の種々の方法が挙げられる。具体的には、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。成膜時又は成膜後に、パターニングを必要に応じて行うことが好ましい。パターニングの方法としても、種々の方法を用いることができる。具体的には、フォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法などが挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷などの印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法などのソフトリソグラフィーの手法なども挙げられる。これらの手法は単独で用いてもよいし、2種類以上を混合してパターニングを行うことも可能である。
絶縁層としては、無機酸化物や有機化合物皮膜などの種々の絶縁膜を用いることができる。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム等が挙げられ、好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル及び酸化チタンである。無機窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。有機化合物皮膜としては、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン等が挙げられ、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルフェノール及びポリビニルアルコールが好ましい。
これらの絶縁層材料は単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。絶縁層の膜厚は、材料によっても異なるが、通常0.1nm~100μmであり、好ましくは0.5nm~50μmであり、より好ましくは5nm~10μmである。
絶縁層の形成方法としては、公知の種々の方法を用いることができる。具体的には、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティングなどの塗布法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェットなどの印刷法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、CVD法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイト、シリコンの熱酸化膜のように金属上に酸化物膜を形成する方法などが挙げられる。
基板としては、ガラス、紙、石英、セラミック、又はフレキシブルな樹脂の基板材料から構成された板又はシートなどが挙げられる。樹脂フィルムとしては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)及びセルロースアセテートプロピオネート(CAP)が挙げられる。基板の厚さは1μm~10mmが好ましく、5μm~5mmがさらに好ましい。
半導体層と接触する絶縁体層や基板の部分において、絶縁体層や基板上に表面処理を行ってもよい。半導体層が積層される絶縁体層上に表面処理を行うことにより、素子のトランジスタ特性を向上させることができる。表面処理としては、具体的には、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシランなどによる疎水化処理、塩酸、硫酸、過酸化水素水などによる酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニアなどによるアンモニア処理、オゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴンなどのプラズマ処理、ラングミュラー・ブロジェット膜の形成処理、その他の絶縁体等や半導体の薄膜の形成処理、機械的処理、コロナ放電などの電気的処理、繊維などを利用したラビング処理などが挙げられ、2種類以上の処理法を組み合わせて使用してもよい。
表面処理を行う方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、印刷法及びゾルゲル法が挙げられる。
半導体層上に樹脂もしくは無機化合物からなる保護膜を設けてもよい。保護膜の形成により、外気の影響を抑制してトランジスタの駆動を安定化することができる。
本発明の有機トランジスタは、例えば、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、センサー、RFIDs(radio frequency identification cards)等の有機半導体デバイスに使用することができる。
有機トランジスタの具体的な構成としては、例えば、図1記載の実施態様、図2記載の実施態様などを挙げることができる。
以下、本発明を実施例により更に詳しく説明する。
実施例において、NMRは、日本電子製のFX−270を用いて測定した。
数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。SECのうち移動相が有機溶媒であるゲル浸透クロマトグラフィーをゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)という。
測定する高分子化合物を、約0.05重量%の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPC(島津製作所製、商品名:LC−10Avp)に10μL注入した。GPCの移動相としてテトラヒドロフランを用い、2.0mL/分の流量で流した。カラムとして、PLgel MIXED−B(ポリマーラボラトリーズ製)を用いた。検出器にはUV−VIS検出器(島津製作所製、商品名:SPD−10Avp)を用いた。
[実施例1]
<化合物(1−5−5):2,6−ビス(4−ヘキシルフェニル)チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
室温(約20℃)下、2,6−ジブロモ−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン(文献Adv.Funct.Mater.Vol.19,P.772,(2009)を参考にして合成)(2.0g、4.88mmol)、4−ヘキシルフェニルボロン酸ピナコールエステル(文献Tetrahedron Letters,Vol.47、P.8313,(2006)を参考にして合成)(3.79g、13.16mmol)、2.0Mの炭酸ナトリウム水溶液(66mL)及びテトラヒドロフラン(200mL)の混合液を20分間窒素バブリングした後、テトラキストリフェニルホスフィン(0.113g、0.098mmol)を加え、13時間還流させた。その後、得られた溶液を室温まで冷却し、析出した沈殿物を濾過した。濾紙上の残留物を水及びエタノールで洗浄することにより化合物(1−5−5)を得た。(2.41g、4.21mmol、収率84%)
1H−NMR(CDCl3:CS2=1:4、δppm):7.51(d,J=7.8Hz,4H)、7.42(s,2H)、7.19(d,J=8.1Hz,4H)、2.65(t,J=7.8Hz,4H)、1.71−1.61(m、4H)、1.42−1.29(m,12H)、0.94(t,J=6.5Hz,6H)
elemental anal:calcd for C34H36S4:C71.28、H6.33;found C70.96、H6.30.
[実施例2]
<化合物(1−6−5):2,6−ビス(4−ヘキシルオキシフェニル)チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
実施例1で使用した4−ヘキシルフェニルボロン酸ピナコールエステルの代わりに、4−ヘキシロキシフェニルボロン酸(Combi−Blocks inc.製)を用いて、実施例1と同様な操作を行うことにより、化合物(1−6−5)を得た。(123mg、83%)
HRMS(EI):604.1576(M+).Calcd for C34H36O2S4:604.1598.
[製造例1]
<4−(2−ヘキシルデシル)アニリンの合成>
窒素気流下、マグネシウム(0.96g、39.6mmol)とテトラヒドロフラン(5.5mL)との混合物に、室温にて、ジブロモエタン(触媒量)を加えた。さらに、テトラヒドロフラン(22mL)を加えたのち、1−ブロモ−2−ヘキシルデカン(文献J.Am.Chem.Soc.Vol.127,P.4286,(2005)を参考にして合成)(10.1g、33.0mmol)のテトラヒドロフラン(6mL)溶液を滴下した。その後、得られた混合物を4時間還流させ、対応するグリニャール試薬(2−ヘキシルデシルマグネシウムブロミド)を調製した。
窒素気流下、ZnCl2の1.0Mジエチルエーテル溶液(シグマアルドリッチ社製、33.0mL、33.0mmol)に、室温にて、上記で得たグリニャール試薬(2−ヘキシルデシルマグネシウムブロミド)を加え、2時間30分間攪拌し、系中で対応する亜鉛試薬(0.204M)を調製した。
窒素気流下、4−ブロモアニリン(関東化学社製、3.37g、19.6mmol)、酢酸パラジウム(0.044g、0.20mmol)、S−Phos(2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル、0.16g、0.39mmol)及びテトラヒドロフラン(30mL)の混合液に、室温下、上記で得た亜鉛試薬(0.204M、96mL、19.6mmol)を滴下し、13.5時間攪拌した。その後、塩化アンモニウム水溶液とジエチルエーテルとを加え、有機層を抽出した。水及び飽和食塩水により洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=8:1)によって精製することにより、4−(2−ヘキシルデシル)アニリンを得た。(5.57g、17.5mmol、収率89%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):6.92(d,J=8.1Hz,2H)、6.61(d,J=8.1Hz,2H)、3.53(s,2H)、2.41(d,J=7.0Hz,2H)、1.56−1.47(m、1H)、1.35−1.15(m、24H)、0.90−0.85(m、6H)
HRMS(EI):317.3071(M+).Calcd for C22H39N1
:317.3083.
[製造例2]
<4−(2−ヘキシルデシル)ヨードベンゼンの合成>
製造例1で合成した4−(2−ヘキシルデシル)アニリン(8.0g、25.2mmol)及び水113mLの混合液に、室温下、濃硫酸(13.4mL、24.7g)を加えた後、5℃まで冷却した。亜硫酸ナトリウム(2.26g、32.8mmol)水溶液(水5mL)を、得られた溶液に滴下し、0~5℃にて2時間攪拌した。攪拌後の反応溶液をヨウ化カリウム(33.5g、201.5mmol)水溶液(水75mL)に5℃にて加えた後、室温まで昇温させ、さらに、3時間攪拌した。その後、室温下、この溶液を亜硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ込み、酢酸エチルを加え有機層と水層に分液した。分液して得られた有機層を水及び飽和食塩水で順次、洗浄した。水層を酢酸エチルで抽出した後、得られた酢酸エチル層を前記有機層と合せて、硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。シリカゲルカラム(ヘキサン:酢酸エチル=10:1)によって精製することにより、4−(2−ヘキシルデシル)ヨードベンゼンを得た。
(7.95g、18.6mmol、収率74%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):7.57(d,J=8.1Hz,2H)、6.89(d,J=8.1Hz,2H)、2.46(d,J=7.0Hz,2H)、1.60−1.50(m、1H)、1.33−1.16(m、24H)、0.91−0.85(m、6H)
HRMS(EI):428.1901(M+).Calcd for C22H37I1:428.1940.
[製造例3]
<4−(2−ヘキシルデシル)フェニルボロン酸ピナコールエステルの合成>
製造例2で合成した4−(2−ヘキシルデシル)ヨードベンゼン(6.0g、14.0mmol)をテトラヒドロフラン114mLに溶解し、溶液を−78℃に冷却した。この溶液に同温度で、t−BuLiの1.59Mペンタン溶液(関東化学社製、15.1mL、24.0mmol)を滴下した。−78℃にて45分間撹拌した後、0℃まで昇温し、同温度で30分間攪拌した。再び、−78℃に冷却し、2−イソプロピル−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(東京化成社製、3.19g、17.14mmol)を加えた後、緩やかに室温まで昇温させ、そのまま3時間攪拌した。得られた反応液をエバポレーターにて濃縮した後、クロロホルムを加え、得られたクロロホルム層を塩化アンモニウム水溶液及び水で順次、洗浄した。得られたクロロホルム層を硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。シリカゲルカラム(ヘキサン:酢酸エチル=10:1)によって精製することにより、4−(2−ヘキシルデシル)フェニルボロン酸ピナコールエステルを得た。(4.12g、9.6mmol、収率69%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):7.71(d,J=8.1Hz,2H)、7.15(d,J=8.1Hz,2H)、2.53(d,J=7.0Hz,2H)、1.65−1.56(m、1H)、1.34(s、12H)1.29−1.19(m、24H)、0.90−0.85(m、6H)
HRMS(EI):428.3792(M+).Calcd for C28H49B1O2:428.3826.
[実施例3]
<化合物(1−5−12):2,6−ビス[4−(2−ヘキシルデシル)フェニル]チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成
>
室温下、2,6−ジブロモ−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン(0.21g、0.51mmol)、製造例3で合成した4−(2−ヘキシルデシル)フェニルボロン酸ピナコールエステル(0.59g、1.38mmol)、2.0Mの炭酸ナトリウム水溶液(7mL)及びテトラヒドロフラン(21mL)の混合液を20分間窒素バブリングした後、テトラキストリフェニルホスフィン(0.012g、0.01mmol)を加え、9時間還流させた。その後、溶液を室温まで冷却し、析出した沈殿物を濾過した。また、得られた濾液にクロロホルムを加え、分液して得られるクロロホルム層を水及び食塩水で順次、洗浄した。その後、クロロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターを用いて濃縮した。得られた2つの粗生成物を併せて、カラムクロマトグラフィー(SiO2、ヘキサン)及びリサイクルゲルパーミネーションクロマトグラフィーを用いて精製することにより化合物(1−5−12)を得た。(284mg、0.333mmol、収率65%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):7.55(d,J=8.1Hz,4H)、7.50(s,2H)、7.19(d,J=8.1Hz,4H)、2.56(d,J=6.8Hz,4H)、1.68−1.60(m、2H)、1.34−1.21(m,48H)、0.88(t,J=7.0Hz,12H)
HRMS(EI):852.4796(M+).Calcd for C54H76S4:852.4830.
[実施例4]
<化合物(1−7−5):2,6−ビス(5−ヘキシル−2−チエニル)チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
実施例1で用いた4−ヘキシルフェニルボロン酸ピナコールエステルの代わりに、5−ヘキシル−2−チオフェンボロン酸ピナコールエステル(シグマアルドリッチ社製、0.39g、1.32mmol)を用いる以外は、実施例1に準じて行うことにより、化合物(1−7−5)(6mg、0.010mmol、収率2%)を得た。
HRMS(EI):584.0816(M+).Calcd for C30H32S6:584.0828.
[実施例5]
<化合物(1−1−9):2,6−ジオクチル−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
室温下、2,6−ジブロモ−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン(6.3g、15.36mmol)、オクチルボロン酸(和光純薬社製、14.56g、92.15mmol)、リン酸三カリウムの水和物(17.93g、84.47mmol)、1,4−ジオキサン(630mL)の混合液を1時間窒素バブリングした後、酢酸パラジウム(II)(0.345g、1.54mmol)及びS−Phos(シグマアルドリッチ社製、1.26g、3.07mmol)を加え、2時間還流させた。その後、溶液を室温まで冷却し、エバポレーターを用いて濃縮した。クロロホルムを加え、分液して得られるクロロホルム層を水及び食塩水で、順次、洗浄した。その後、得られたクロロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターを用いて濃縮した。得られた化合物をカラムクロマトグラフィー(SiO2,ヘキサン)及びリサイクルゲルパーミネーションクロマトグラフィーによりに単離、精製することで2,6−ジオクチル−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン2.88gを得た。(6.04mmol、収率39%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):6.97(s,2H)、2.90(t,J=7.3Hz,4H)、1.79−1.68(m、4H)、1.44−1.24(m,20H)、0.88(t,J=6.8Hz,6H)
HRMS(EI):476.1700(M+).Calcd for C26H36S4:476.1700.
[実施例6]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例1>
フェネチルトリクロロシラン処理が行われているSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウエハー上に、有機半導体層を形成するための金属マスクを置き、マスクされているシリコンウエハーを得た。次に、真空度1×10−3パスカル以下に設定されているチャンバ内に、該ウエハーと、実施例1で得られた化合物(1−5−5)の昇華精製済みの固体が入っているタングステン製のボートとを設置し、該ボートを加熱しながら該ウエハーを室温以上80℃以下の範囲に加熱し、金属マスクされていない部分に化合物(1−5−5)の薄膜(膜厚は約29nm)からなる有機半導体層を形成させた。
続いて、金属マスクを外した後、ソース電極及びドレイン電極を形成するための金属マスクを有機半導体層の面に置き、酸化モリブデンを5nm、金を35nm順次真空蒸着して、該有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、図1に示すような有機トランジスタを製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を測定した。その結果、あるゲート電圧(Vg)において、ドレイン電圧(Vd)に対するドレイン電流(Id)の変化曲線は、良好であり、高いドレイン電圧において飽和領域を有していた。また、ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、化合物(1−5−5)の薄膜を有機半導体層にもつ有機トランジスタは、p型の有機トランジスタであることを確認することができた。さらに、有機トランジスタの飽和キャリア電界効果移動度μは、有機トランジスタの電気的特性の飽和領域におけるドレイン電流Idを表す式
Id=(W/2L)μCi(Vg−Vt)2・・・(a)
を用いて算出した。ここで、L及びWは、それぞれ、有機トランジスタのゲート長及びゲート幅であり、Ciは、ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量であり、Vgは、ゲート電圧であり、Vtは、ゲート電圧のしきい値電圧である。式(a)を用いて、製造した薄膜を有機半導体層にもつ有機トランジスタのキャリア電界効果移動度μを計算した結果、基板温度が60℃におけるキャリア電界効果移動度は0.33cm2/Vsであった。
[実施例7]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例2>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に実施例3で製造した化合物(1−5−12)の0.6wt%のo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.02cm2/Vsであった。
[実施例8]
<化合物(1−5−12)と高分子有機半導体材料とを含有する組成物の製造例>
実施例3で製造した化合物(1−5−12)および式(10)で表される高分子有機半導体材料(高分子(10))を75:25の重量比で混合し0.6wt%となるようにo−キシレン溶液を調整した。高分子(10)はモノマーである9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ビス(ジメチルボレート)とN,N−ビス(4−ブロモフェニル)−N−(4−sec−)とを50:50の割合で混合し、特許第4375820号に記載されている方法によって合成した。高分子(10)のポリスチレン換算の重量平均分子量は、351,000であり、数平均分子量は、85,000であった。なお、式(10)におけるnは、括弧内の構造の繰り返し数を示し、当該化合物の重量平均分子量および数平均分子量が上記の値となるのに対応する数をあらわす。
[実施例9]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例3>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に上記で調整したo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.05cm2/Vsであった。
[実施例10]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例4>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に実施例5で製造した化合物(1−1−9)の1.0wt%のo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.07cm2/Vsであった。
[実施例11]
<化合物(1−1−9)と高分子有機半導体材料とを含有する組成物の製造例>
実施例5で製造した化合物(1−1−9)および高分子(10)を75:25の重量比で混合し1.2wt%となるようにo−キシレン溶液を調整した。
[実施例12]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例5>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に上記で調整したo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.30cm2/Vsであった。
実施例において、NMRは、日本電子製のFX−270を用いて測定した。
数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。SECのうち移動相が有機溶媒であるゲル浸透クロマトグラフィーをゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)という。
測定する高分子化合物を、約0.05重量%の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPC(島津製作所製、商品名:LC−10Avp)に10μL注入した。GPCの移動相としてテトラヒドロフランを用い、2.0mL/分の流量で流した。カラムとして、PLgel MIXED−B(ポリマーラボラトリーズ製)を用いた。検出器にはUV−VIS検出器(島津製作所製、商品名:SPD−10Avp)を用いた。
[実施例1]
<化合物(1−5−5):2,6−ビス(4−ヘキシルフェニル)チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
室温(約20℃)下、2,6−ジブロモ−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン(文献Adv.Funct.Mater.Vol.19,P.772,(2009)を参考にして合成)(2.0g、4.88mmol)、4−ヘキシルフェニルボロン酸ピナコールエステル(文献Tetrahedron Letters,Vol.47、P.8313,(2006)を参考にして合成)(3.79g、13.16mmol)、2.0Mの炭酸ナトリウム水溶液(66mL)及びテトラヒドロフラン(200mL)の混合液を20分間窒素バブリングした後、テトラキストリフェニルホスフィン(0.113g、0.098mmol)を加え、13時間還流させた。その後、得られた溶液を室温まで冷却し、析出した沈殿物を濾過した。濾紙上の残留物を水及びエタノールで洗浄することにより化合物(1−5−5)を得た。(2.41g、4.21mmol、収率84%)
1H−NMR(CDCl3:CS2=1:4、δppm):7.51(d,J=7.8Hz,4H)、7.42(s,2H)、7.19(d,J=8.1Hz,4H)、2.65(t,J=7.8Hz,4H)、1.71−1.61(m、4H)、1.42−1.29(m,12H)、0.94(t,J=6.5Hz,6H)
elemental anal:calcd for C34H36S4:C71.28、H6.33;found C70.96、H6.30.
[実施例2]
<化合物(1−6−5):2,6−ビス(4−ヘキシルオキシフェニル)チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
実施例1で使用した4−ヘキシルフェニルボロン酸ピナコールエステルの代わりに、4−ヘキシロキシフェニルボロン酸(Combi−Blocks inc.製)を用いて、実施例1と同様な操作を行うことにより、化合物(1−6−5)を得た。(123mg、83%)
HRMS(EI):604.1576(M+).Calcd for C34H36O2S4:604.1598.
[製造例1]
<4−(2−ヘキシルデシル)アニリンの合成>
窒素気流下、マグネシウム(0.96g、39.6mmol)とテトラヒドロフラン(5.5mL)との混合物に、室温にて、ジブロモエタン(触媒量)を加えた。さらに、テトラヒドロフラン(22mL)を加えたのち、1−ブロモ−2−ヘキシルデカン(文献J.Am.Chem.Soc.Vol.127,P.4286,(2005)を参考にして合成)(10.1g、33.0mmol)のテトラヒドロフラン(6mL)溶液を滴下した。その後、得られた混合物を4時間還流させ、対応するグリニャール試薬(2−ヘキシルデシルマグネシウムブロミド)を調製した。
窒素気流下、ZnCl2の1.0Mジエチルエーテル溶液(シグマアルドリッチ社製、33.0mL、33.0mmol)に、室温にて、上記で得たグリニャール試薬(2−ヘキシルデシルマグネシウムブロミド)を加え、2時間30分間攪拌し、系中で対応する亜鉛試薬(0.204M)を調製した。
窒素気流下、4−ブロモアニリン(関東化学社製、3.37g、19.6mmol)、酢酸パラジウム(0.044g、0.20mmol)、S−Phos(2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル、0.16g、0.39mmol)及びテトラヒドロフラン(30mL)の混合液に、室温下、上記で得た亜鉛試薬(0.204M、96mL、19.6mmol)を滴下し、13.5時間攪拌した。その後、塩化アンモニウム水溶液とジエチルエーテルとを加え、有機層を抽出した。水及び飽和食塩水により洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=8:1)によって精製することにより、4−(2−ヘキシルデシル)アニリンを得た。(5.57g、17.5mmol、収率89%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):6.92(d,J=8.1Hz,2H)、6.61(d,J=8.1Hz,2H)、3.53(s,2H)、2.41(d,J=7.0Hz,2H)、1.56−1.47(m、1H)、1.35−1.15(m、24H)、0.90−0.85(m、6H)
HRMS(EI):317.3071(M+).Calcd for C22H39N1
:317.3083.
[製造例2]
<4−(2−ヘキシルデシル)ヨードベンゼンの合成>
製造例1で合成した4−(2−ヘキシルデシル)アニリン(8.0g、25.2mmol)及び水113mLの混合液に、室温下、濃硫酸(13.4mL、24.7g)を加えた後、5℃まで冷却した。亜硫酸ナトリウム(2.26g、32.8mmol)水溶液(水5mL)を、得られた溶液に滴下し、0~5℃にて2時間攪拌した。攪拌後の反応溶液をヨウ化カリウム(33.5g、201.5mmol)水溶液(水75mL)に5℃にて加えた後、室温まで昇温させ、さらに、3時間攪拌した。その後、室温下、この溶液を亜硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ込み、酢酸エチルを加え有機層と水層に分液した。分液して得られた有機層を水及び飽和食塩水で順次、洗浄した。水層を酢酸エチルで抽出した後、得られた酢酸エチル層を前記有機層と合せて、硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。シリカゲルカラム(ヘキサン:酢酸エチル=10:1)によって精製することにより、4−(2−ヘキシルデシル)ヨードベンゼンを得た。
(7.95g、18.6mmol、収率74%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):7.57(d,J=8.1Hz,2H)、6.89(d,J=8.1Hz,2H)、2.46(d,J=7.0Hz,2H)、1.60−1.50(m、1H)、1.33−1.16(m、24H)、0.91−0.85(m、6H)
HRMS(EI):428.1901(M+).Calcd for C22H37I1:428.1940.
[製造例3]
<4−(2−ヘキシルデシル)フェニルボロン酸ピナコールエステルの合成>
製造例2で合成した4−(2−ヘキシルデシル)ヨードベンゼン(6.0g、14.0mmol)をテトラヒドロフラン114mLに溶解し、溶液を−78℃に冷却した。この溶液に同温度で、t−BuLiの1.59Mペンタン溶液(関東化学社製、15.1mL、24.0mmol)を滴下した。−78℃にて45分間撹拌した後、0℃まで昇温し、同温度で30分間攪拌した。再び、−78℃に冷却し、2−イソプロピル−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(東京化成社製、3.19g、17.14mmol)を加えた後、緩やかに室温まで昇温させ、そのまま3時間攪拌した。得られた反応液をエバポレーターにて濃縮した後、クロロホルムを加え、得られたクロロホルム層を塩化アンモニウム水溶液及び水で順次、洗浄した。得られたクロロホルム層を硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。シリカゲルカラム(ヘキサン:酢酸エチル=10:1)によって精製することにより、4−(2−ヘキシルデシル)フェニルボロン酸ピナコールエステルを得た。(4.12g、9.6mmol、収率69%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):7.71(d,J=8.1Hz,2H)、7.15(d,J=8.1Hz,2H)、2.53(d,J=7.0Hz,2H)、1.65−1.56(m、1H)、1.34(s、12H)1.29−1.19(m、24H)、0.90−0.85(m、6H)
HRMS(EI):428.3792(M+).Calcd for C28H49B1O2:428.3826.
[実施例3]
<化合物(1−5−12):2,6−ビス[4−(2−ヘキシルデシル)フェニル]チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成
>
室温下、2,6−ジブロモ−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン(0.21g、0.51mmol)、製造例3で合成した4−(2−ヘキシルデシル)フェニルボロン酸ピナコールエステル(0.59g、1.38mmol)、2.0Mの炭酸ナトリウム水溶液(7mL)及びテトラヒドロフラン(21mL)の混合液を20分間窒素バブリングした後、テトラキストリフェニルホスフィン(0.012g、0.01mmol)を加え、9時間還流させた。その後、溶液を室温まで冷却し、析出した沈殿物を濾過した。また、得られた濾液にクロロホルムを加え、分液して得られるクロロホルム層を水及び食塩水で順次、洗浄した。その後、クロロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターを用いて濃縮した。得られた2つの粗生成物を併せて、カラムクロマトグラフィー(SiO2、ヘキサン)及びリサイクルゲルパーミネーションクロマトグラフィーを用いて精製することにより化合物(1−5−12)を得た。(284mg、0.333mmol、収率65%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):7.55(d,J=8.1Hz,4H)、7.50(s,2H)、7.19(d,J=8.1Hz,4H)、2.56(d,J=6.8Hz,4H)、1.68−1.60(m、2H)、1.34−1.21(m,48H)、0.88(t,J=7.0Hz,12H)
HRMS(EI):852.4796(M+).Calcd for C54H76S4:852.4830.
[実施例4]
<化合物(1−7−5):2,6−ビス(5−ヘキシル−2−チエニル)チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
実施例1で用いた4−ヘキシルフェニルボロン酸ピナコールエステルの代わりに、5−ヘキシル−2−チオフェンボロン酸ピナコールエステル(シグマアルドリッチ社製、0.39g、1.32mmol)を用いる以外は、実施例1に準じて行うことにより、化合物(1−7−5)(6mg、0.010mmol、収率2%)を得た。
HRMS(EI):584.0816(M+).Calcd for C30H32S6:584.0828.
[実施例5]
<化合物(1−1−9):2,6−ジオクチル−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェンの合成>
室温下、2,6−ジブロモ−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン(6.3g、15.36mmol)、オクチルボロン酸(和光純薬社製、14.56g、92.15mmol)、リン酸三カリウムの水和物(17.93g、84.47mmol)、1,4−ジオキサン(630mL)の混合液を1時間窒素バブリングした後、酢酸パラジウム(II)(0.345g、1.54mmol)及びS−Phos(シグマアルドリッチ社製、1.26g、3.07mmol)を加え、2時間還流させた。その後、溶液を室温まで冷却し、エバポレーターを用いて濃縮した。クロロホルムを加え、分液して得られるクロロホルム層を水及び食塩水で、順次、洗浄した。その後、得られたクロロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターを用いて濃縮した。得られた化合物をカラムクロマトグラフィー(SiO2,ヘキサン)及びリサイクルゲルパーミネーションクロマトグラフィーによりに単離、精製することで2,6−ジオクチル−チエノ[3,2−b]チエノ[2’,3’:4,5]チエノ[2,3−d]チオフェン2.88gを得た。(6.04mmol、収率39%)
1H−NMR(CDCl3、δppm):6.97(s,2H)、2.90(t,J=7.3Hz,4H)、1.79−1.68(m、4H)、1.44−1.24(m,20H)、0.88(t,J=6.8Hz,6H)
HRMS(EI):476.1700(M+).Calcd for C26H36S4:476.1700.
[実施例6]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例1>
フェネチルトリクロロシラン処理が行われているSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウエハー上に、有機半導体層を形成するための金属マスクを置き、マスクされているシリコンウエハーを得た。次に、真空度1×10−3パスカル以下に設定されているチャンバ内に、該ウエハーと、実施例1で得られた化合物(1−5−5)の昇華精製済みの固体が入っているタングステン製のボートとを設置し、該ボートを加熱しながら該ウエハーを室温以上80℃以下の範囲に加熱し、金属マスクされていない部分に化合物(1−5−5)の薄膜(膜厚は約29nm)からなる有機半導体層を形成させた。
続いて、金属マスクを外した後、ソース電極及びドレイン電極を形成するための金属マスクを有機半導体層の面に置き、酸化モリブデンを5nm、金を35nm順次真空蒸着して、該有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、図1に示すような有機トランジスタを製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を測定した。その結果、あるゲート電圧(Vg)において、ドレイン電圧(Vd)に対するドレイン電流(Id)の変化曲線は、良好であり、高いドレイン電圧において飽和領域を有していた。また、ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、化合物(1−5−5)の薄膜を有機半導体層にもつ有機トランジスタは、p型の有機トランジスタであることを確認することができた。さらに、有機トランジスタの飽和キャリア電界効果移動度μは、有機トランジスタの電気的特性の飽和領域におけるドレイン電流Idを表す式
Id=(W/2L)μCi(Vg−Vt)2・・・(a)
を用いて算出した。ここで、L及びWは、それぞれ、有機トランジスタのゲート長及びゲート幅であり、Ciは、ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量であり、Vgは、ゲート電圧であり、Vtは、ゲート電圧のしきい値電圧である。式(a)を用いて、製造した薄膜を有機半導体層にもつ有機トランジスタのキャリア電界効果移動度μを計算した結果、基板温度が60℃におけるキャリア電界効果移動度は0.33cm2/Vsであった。
[実施例7]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例2>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に実施例3で製造した化合物(1−5−12)の0.6wt%のo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.02cm2/Vsであった。
[実施例8]
<化合物(1−5−12)と高分子有機半導体材料とを含有する組成物の製造例>
実施例3で製造した化合物(1−5−12)および式(10)で表される高分子有機半導体材料(高分子(10))を75:25の重量比で混合し0.6wt%となるようにo−キシレン溶液を調整した。高分子(10)はモノマーである9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ビス(ジメチルボレート)とN,N−ビス(4−ブロモフェニル)−N−(4−sec−)とを50:50の割合で混合し、特許第4375820号に記載されている方法によって合成した。高分子(10)のポリスチレン換算の重量平均分子量は、351,000であり、数平均分子量は、85,000であった。なお、式(10)におけるnは、括弧内の構造の繰り返し数を示し、当該化合物の重量平均分子量および数平均分子量が上記の値となるのに対応する数をあらわす。
[実施例9]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例3>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に上記で調整したo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.05cm2/Vsであった。
[実施例10]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例4>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に実施例5で製造した化合物(1−1−9)の1.0wt%のo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.07cm2/Vsであった。
[実施例11]
<化合物(1−1−9)と高分子有機半導体材料とを含有する組成物の製造例>
実施例5で製造した化合物(1−1−9)および高分子(10)を75:25の重量比で混合し1.2wt%となるようにo−キシレン溶液を調整した。
[実施例12]
<薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例5>
ガラス基板上に、ソース及びドレイン電極となる金電極を設置して、その上に上記で調整したo−キシレン溶液を滴下し、スピンコート法により有機層を形成した。有機層の上に、テフロン(デュポン社製、フッ素系ポリマー)を含有する溶液をスピンコート後に、基板を80℃で10分加熱して絶縁層を形成した。さらにこの絶縁膜の上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成し、図2に示す有機トランジスタ2を製造した。
次に、得られた有機トランジスタデバイスの電気特性を実施例6と同様に測定した。その結果、キャリア電界効果移動度は、0.30cm2/Vsであった。
本発明によれば、キャリア電界効果移動度がさらに向上した有機半導体デバイス、該デバイスを与える薄膜及び該薄膜を構成する化合物が提供可能である。
Claims (15)
- 式(1)
(式中、W、X、Y、Zはそれぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン又はテルル原子を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルコキシ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキルチオ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~30のアルキニル基、置換アリール基又は置換ヘテロアリール基を表し、ここでアリール基及びヘテロアリール基は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基又はフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基で置換されており、置換アリール基の炭素数は7~36であり、また、置換ヘテロアリール基の炭素数は5~34である。)
で表される化合物。 - W、X、Y、Zが、硫黄原子である請求項1記載の化合物。
- R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルキル基で置換された全炭素数が8~26のフェニル基である請求項1又は2記載の化合物。
- R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基で置換された全炭素数が8~26のフェニル基である請求項1又は2記載の化合物。
- R1及びR2が同一で、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルキル基である請求項1又は2記載の化合物。
- R1及びR2が同一で、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~20のアルコキシ基である請求項1又は2記載の化合物。
- R1及びR2が、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよいアルキル基で置換された全炭素数が6~24のチエニル基である請求項1又は2記載の化合物。
- 遷移金属触媒及び塩基の存在下、式(2)
(式中、W、X、Y、Zはそれぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン、テルル原子を表す。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホナート基を表す。)
で表される化合物と、式(3)
(式中、R3はフッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキル基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルコキシ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~30のアルキルチオ基、フッ素原子を有していてもよい炭素数2~30のアルキニル基、置換アリール基又は置換ヘテロアリール基を表し、ここでアリール基及びヘテロアリール基は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子を有していてもよいアルコキシ基又はフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基で置換されており、置換アリール基の炭素数は7~36であり、また、置換ヘテロアリール基の炭素数は5~34である。R4及びR5は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又は炭素数6~20のアリールオキシ基を表し、R4及びR5が結合してホウ素原子とともに環構造を形成していてもよい。)
で表される化合物を反応させる工程を含むことを特徴とする式(1)
(式中、W、X、Y、Zは前記と同じ意味を表し、R1及びR2は、前記R3と同じ意味を表す。)
で表される化合物の製造方法。 - 請求項1~7のいずれか記載の化合物と高分子有機半導体材料とを含有する組成物
- 請求項1~7のいずれか記載の化合物を含有する薄膜。
- 請求項9記載の組成物を含有する薄膜。
- 請求項10記載の薄膜を有する有機半導体デバイス。
- 請求項11記載の薄膜を有する有機半導体デバイス。
- 請求項10記載の薄膜を有する有機トランジスタ。
- 請求項11記載の薄膜を有する有機トランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010248219 | 2010-11-05 | ||
JP2010-248219 | 2010-11-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2012060460A1 true WO2012060460A1 (ja) | 2012-05-10 |
Family
ID=46024572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/075529 WO2012060460A1 (ja) | 2010-11-05 | 2011-10-31 | 置換カルコゲノアセン化合物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012111748A (ja) |
TW (1) | TW201229053A (ja) |
WO (1) | WO2012060460A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015195258A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 東ソー株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
US9954172B2 (en) | 2014-11-25 | 2018-04-24 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, organic semiconductor composition, organic semiconductor film, compound, and oligomer or polymer |
CN109314186A (zh) * | 2016-06-09 | 2019-02-05 | 株式会社大赛璐 | 有机半导体器件制造用组合物 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9070882B2 (en) * | 2013-08-22 | 2015-06-30 | Corning Incorporated | Boron ester fused thiophene monomers |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031983A2 (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-23 | Telemanager Technologies, Inc. | Remote prescription refill system |
WO2006077888A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | National University Of Corporation Hiroshima University | 新規な縮合多環芳香族化合物およびその利用 |
JP2010043038A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ラダー型化合物及び有機半導体材料 |
-
2011
- 2011-10-31 JP JP2011238425A patent/JP2012111748A/ja active Pending
- 2011-10-31 WO PCT/JP2011/075529 patent/WO2012060460A1/ja active Application Filing
- 2011-11-02 TW TW100139954A patent/TW201229053A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031983A2 (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-23 | Telemanager Technologies, Inc. | Remote prescription refill system |
WO2006077888A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | National University Of Corporation Hiroshima University | 新規な縮合多環芳香族化合物およびその利用 |
JP2010043038A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ラダー型化合物及び有機半導体材料 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
GARCIA,G. ET AL.: "Theoretical Study of Bis (phenylethynyl)thienoacenes as Precursors of Molecular Wires for Molecular Electronics", JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, vol. 114, no. 28, 29 June 2010 (2010-06-29), pages 12325 - 12334 * |
LIU,H. ET AL.: "The Diversity of Electron- Transport Behaviors of Molecular Junctions: correlation with the Electron-Transport Pathway", CHEMPHYSCHEM, vol. 11, no. 9, 21 June 2010 (2010-06-21), pages 1895 - 1902 * |
LIU,Y. ET AL.: "Synthesis, characterization, and field-effect transistor performance of thieno [3,2-b]thieno[2',3':4,5]thieno[2,3-d]thiophene derivatives", ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, vol. 19, no. 5, 2009, pages 772 - 778 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015195258A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 東ソー株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
US9954172B2 (en) | 2014-11-25 | 2018-04-24 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, organic semiconductor composition, organic semiconductor film, compound, and oligomer or polymer |
CN109314186A (zh) * | 2016-06-09 | 2019-02-05 | 株式会社大赛璐 | 有机半导体器件制造用组合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201229053A (en) | 2012-07-16 |
JP2012111748A (ja) | 2012-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101599687B1 (ko) | 신규 헤테로시클릭 화합물, 이를 위한 중간체 제조 방법, 및 이의 용도 | |
KR102216743B1 (ko) | 전기활성 층을 형성하기 위한 시스템 | |
CN102007131B (zh) | [1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩化合物及其制法、和用其的有机电子器件 | |
KR101884479B1 (ko) | 전기활성 조성물 및 그 조성물로 제조된 전자 소자 | |
EP2192123B1 (en) | Fused tricyclic compounds useful in organic thin film devices such as transistors | |
JP5728990B2 (ja) | ジカルコゲノベンゾジピロール化合物、該化合物の製造方法、該化合物を含む薄膜及び該薄膜を含む有機半導体デバイス | |
JP5758045B2 (ja) | 電子デバイス | |
KR20110065511A (ko) | 신규 화합물 및 유기 반도체 재료 | |
JP2014507401A (ja) | 電子技術応用のためのトリアジン誘導体 | |
WO2011108765A1 (ja) | 多環式化合物 | |
US20120187383A1 (en) | Electroactive compound and composition and electronic device made with the composition | |
JP2010043038A (ja) | ラダー型化合物及び有機半導体材料 | |
WO2012060460A1 (ja) | 置換カルコゲノアセン化合物 | |
WO2012115218A1 (ja) | ジアントラ[2,3-b:2',3'-f]チエノ[3,2-b]チオフェンの製造方法並びにその用途 | |
US20120187382A1 (en) | Electronic devices having long lifetime | |
CN109195970A (zh) | 电活性材料 | |
KR101900510B1 (ko) | 이소티오인디고계 폴리머 | |
KR20140044308A (ko) | 격납된 층을 제조하기 위한 공정 및 재료, 및 이를 사용하여 제조된 소자 | |
JP2013035814A (ja) | 新規な有機半導体材料およびそれを用いた電子デバイス | |
JP2012206989A (ja) | 可溶性ヘテロアセン化合物及び該化合物を含有する薄膜および有機トランジスタ | |
JP2012184196A (ja) | 含ピロールヘテロアセン化合物、該化合物の製造方法、該化合物を含む薄膜及び該薄膜を含む有機半導体デバイス | |
JP6252032B2 (ja) | ベンゾジフラン誘導体及び有機薄膜トランジスタ | |
WO2012111533A1 (ja) | 有機トランジスタ用化合物 | |
JP2018168149A (ja) | ジイミダゾロベンゾジチオフェン化合物、その製造方法及びトランジスタ素子 | |
JP7129279B2 (ja) | ジベンゾアントラセノチオフェン骨格を繰り返し単位として有する縮環高分子化合物とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11838110 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11838110 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |