CN109195970A - 电活性材料 - Google Patents

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Abstract

披露了一种化合物，该化合物是具有至少一个具有式(I)的取代基的N‑杂环在式I中：Q1、Q2、Q3、Q4和Q5是相同或不同的并且可以是N或CR1；R1在每次出现时是相同或不同的并且可以是H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基或氘代杂芳基；并且*表示与该N‑杂环中N的附接点。在式I中，Q1至Q5中的至少一个是N并且Q1至Q5中的至少一个是C‑CN。

Description

电活性材料
背景信息
技术领域
本披露涉及新颖的电活性化合物。本披露进一步涉及具有至少一个包含这种电活性化合物的层的电子装置。
背景技术
在组成OLED显示器的诸如有机发光二极管(“OLED”)的有机电子装置中，一个或多个有机电活性层被夹在两个电接触层之间。在OLED中，当横跨这些电接触层施加电压时，至少一个有机电活性层穿过透光的电接触层发射光。
众所周知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作发光组分。简单的有机分子、共轭聚合物、以及有机金属配合物已经被使用。发光材料可以单独使用或可以存在于电活性主体材料中。
采用电致发光材料的装置通常包括一个或多个电荷传输层，这些电荷传输层被定位在光活性(例如发光)层与接触层(空穴注入接触层)之间。装置可包含两个或更多个接触层。空穴传输层可定位在光活性层与空穴注入接触层之间。空穴注入接触层也可被称为阳极。电子传输层可定位在光活性层与电子注入接触层之间。电子注入接触层也可被称为阴极。
持续需要用于电子装置中的电活性材料。
发明内容
提供了一种包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物
其中：
Q1、Q2、Q3、Q4和Q5是相同或不同的并且选自由N和CR1组成的组；
R1在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1至Q5中的至少一个是N并且Q1至Q5中的至少一个是C-CN。
还提供了一种组合物，其包含(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂，(b)包含具有式I的取代基的N-杂环的第一主体化合物，以及(c)第二主体化合物。
还提供了一种电子装置，其具有至少一个包含一种化合物的层，该化合物包含具有式I的取代基的N-杂环。
前述总体描述和下文详细描述仅为示例性和说明性的，并不限制如所附权利要求所限定的本发明。
附图说明
附图中示出了实施例，以提高对如在此提出的概念的理解。
图1包括有机电子装置的一个实例的图示，该有机电子装置包括在此所述的新化合物。
图2包括有机电子装置的另一个实例的图示，该有机电子装置包括在此所述的新化合物。
熟练的技术人员应理解，图中的物体是为了简化和清楚而示出的，并且不一定按比例绘制。例如，图中的一些物体的尺寸相对于其他物体可能有所放大，以帮助提高对实施例的理解。
具体实施方式
提供了一种化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，如以下详细描述的。
进一步提供了一种组合物，其包含(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)第二主体化合物。
进一步提供了一种电子装置，其具有至少一个包含化合物的层，该化合物是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环。
进一步提供了一种电子装置，其具有至少一个包含以上所述的组合物之一的层。
许多方面和实施例已在以上进行描述并且仅是示例性且非限制性的。在阅读本说明书后，熟练的技术人员应理解在不脱离本发明范围的情况下其他方面和实施例是可能的。
从以下详细说明并且从权利要求书中，任何一个或多个实施例的其他特征和益处将是明显的。详细说明首先提出术语的定义和阐明，接着是具有式I的取代基的化合物、包括具有式I的取代基的化合物的组合物、电子装置，并且最后是实例。
1.术语的定义和阐明
在提出下述实施例的详情之前，定义或阐明一些术语。
如在“术语的定义和阐明”中所使用的，R、R’和R”和任何其他变量是通用名称，并且可以与式中定义的那些相同或不同。
如在此使用的，术语“烷基”包括支链和直链的饱和脂肪族烃基。除非另外指明，该术语还旨在包括环状基团。烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基、环戊基、己基、环己基、异己基等。术语“烷基”进一步包括取代和未取代的烃基二者。在一些实施例中，烷基可以是单-、二-和三-取代的。取代的烷基的一个实例是三氟甲基。其他取代的烷基由在此所述的取代基中的一个或多个形成。在某些实施例中，烷基具有1至20个碳原子。在其他实施例中，该基团具有1至6个碳原子。该术语旨在包括杂烷基。杂烷基可以具有从1-20个碳原子。
术语“芳香族化合物”旨在是指包含至少一个具有4n+2离域π电子的不饱和环状基团的有机化合物。该术语旨在涵盖芳香族化合物和杂芳族化合物两者，所述芳族化合物仅具有碳和氢原子，所述杂芳族化合物中的环状基团内的一个或多个碳原子已被另一个原子如氮、氧、硫等替换。
术语“芳基”或“芳基基团”是指衍生自芳香族化合物的部分。“衍生自”化合物的基团表示通过除去一个或多个氢(“H”)或氘(“D”)形成的基团。芳基可以是单个环(单环)或具有稠合在一起或共价连接的多个环(二环、或更多)。“烃芳基”在一个或多个芳环中仅具有碳原子。“杂芳基”在至少一个芳环中具有一个或多个杂原子。在一些实施例中，烃芳基具有6至60个环碳原子；在一些实施例中，6至30个环碳原子。在一些实施例中，杂芳基具有从4-50个环碳原子；在一些实施例中，4-30个环碳原子。
术语“烷氧基”旨在是指基团-OR，其中R是烷基。
术语“芳氧基”旨在是指基团-OR，其中R是芳基。
除非另外指明，所有基团可以是取代的或未取代的。任选取代的基团，例如但不限于烷基或芳基，可以被一个或多个可以是相同或不同的取代基取代。合适的取代基包括D、烷基、芳基、硝基、氰基、-N(R’)(R”)、卤素、羟基、羧基、烯基、炔基、环烷基、杂芳基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧基羰基、全氟烷基、全氟烷氧基、芳基烷基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、硅氧烷、硫代烷氧基、-S(O)2-、-C(＝O)-N(R’)(R”)、(R’)(R”)N-烷基、(R’)(R”)N-烷氧基烷基、(R’)(R”)N-烷基芳氧基烷基、-S(O)s-芳基(其中s＝0-2)、或-S(O)s-杂芳基(其中s＝0-2)。每个R’和R”独立地是任选取代的烷基、环烷基或芳基。R’和R”，与它们所结合的氮原子一起，在某些实施例中可以形成环体系。取代基还可以是交联基团。任何具有可用氢的前述基团也可以是氘代的。
当涉及层、材料、构件、或结构时，术语“电荷传输”旨在是指此类层、材料、构件、或结构促进此类电荷以相对效率和小的电荷损失穿过此类层、材料、构件、或结构的厚度的迁移。空穴传输材料有利于正电荷；电子传输材料有利于负电荷。虽然发光材料也可以具有一些电荷传输特性，但是术语“电荷传输层、材料、构件、或结构”不旨在包括其主要功能是发光的层、材料、构件、或结构。
术语“化合物”旨在是指由分子组成的不带电物质，所述分子进一步包括原子，其中原子不能通过不破坏化学键的物理手段与其对应的分子分离。该术语旨在包括低聚物和聚合物。
术语“氘代的”旨在是指至少一个氢(“H”)已被氘(“D”)替换。术语“氘代类似物”是指其中一个或多个可用氢已被氘替换的化合物或基团的结构类似物。在氘代化合物或氘代类似物中，氘以天然丰度水平的至少100倍存在。
术语“掺杂剂”旨在是指包括主体材料的层内的材料，与在没有这种材料的情况下该层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电子特性或一种或多种波长相比，该材料改变该层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电子特性或一种或多种目标波长。
当涉及层或材料时，术语“电活性”旨在表示电子地促进装置的运行的层或材料。电活性材料的实例包括但不限于传导、注入、传输或阻断电荷的材料，其中电荷可为电子或空穴，或者在接收辐射时发射辐射或表现出电子-空穴对浓度变化的材料。非活性材料的实例包括但不限于平面化材料、绝缘材料和环境阻挡材料。
前缀“氟”旨在表示基团中的一个或多个氢已经被氟替换。
术语“甲锗烷基”是指基团R3Ge-，其中R在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基或氘代芳基。氘代甲锗烷基是其中一个或多个R基团被氘代的基团。
前缀“杂”表示一个或多个碳原子已经被一种不同原子替换。在一些实施例中，杂原子为O、N、S、或它们的组合。
术语“主体材料”旨在是指向其中添加掺杂剂的材料。主体材料可以或可以不具有发射、接收、或过滤辐射的一种或多种电子特性或能力。在一些实施例中，主体材料以较高的浓度存在。
术语“液体组合物”旨在是指材料溶解在其中以形成溶液的液体介质、材料分散在其中以形成分散体的液体介质、或材料悬浮在其中以形成悬浮液或乳液的液体介质。
术语“光活性”是指当通过所施加的电压激活时发射光(诸如在发光二极管或化学电池中)、在吸收光子之后发射光(诸如在下变频磷光体装置中)、或者响应于辐射能并且在或不在所施加的偏压下生成信号(诸如在光电检测器或光伏电池中)的材料或层。
术语“硅氧烷”是指基团R3SiOR2Si-，其中R在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基或氘代芳基。在一些实施例中，R烷基中的一个或多个碳被Si替换。氘代硅氧烷基团是其中一个或多个R基团被氘代的基团。
术语“甲硅烷氧基”是指基团R3SiO-，其中R在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基或氘代芳基。氘代甲硅烷氧基是其中一个或多个R基团被氘代的基团。
术语“甲硅烷基”是指基团R3Si-，其中R在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基或氘代芳基。在一些实施例中，R烷基中的一个或多个碳被Si替换。氘代甲硅烷基是其中一个或多个R基团被氘代的基团。
在其中如下所示取代基键穿过一个或多个环的结构中，
这意味着取代基R可在一个或多个环上的任何可用位置处键合。
当用来指装置中的层时，短语“邻近的”不一定是指一层紧挨着另一层。另一方面，短语“相邻的R基团”用来指化学式中彼此紧靠的R基团(即，通过键结合的原子上的R基团)。以下示出示例性相邻的R基团：
在本说明书中，除非由使用上下文另外明确指明或相反指示，在本发明主题的实施例被陈述或描述为包含(comprising)、包括(including)、含有(containing)、具有某些特征或要素、由某些特征或要素组成或由某些特征或要素构成时，除了明确陈述或描述的那些之外的一个或多个特征或要素也可存在于该实施例中。所披露的本发明主题的替代实施例被描述为主要由某些特征或要素组成，其中将实质性改变操作原理或实施例的区别特性的实施例特征或要素在此不存在。所描述的本发明主题的另一个替代实施例被描述为由某些特征或要素组成，在该实施例中或在其非本质变型中，仅存在所具体陈述或描述的特征或要素。
此外，除非有相反的明确说明，否则“或”是指包含性的“或”，而不是指排他性的“或”。例如，以下中的任一项均满足条件A或B：A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B均为真(或存在)。
而且，使用“一个或一种”来描述在此所描述的要素和组分。这样做只是为了方便并给出本发明范围的一般意义。该描述应被解读为包括一个/种或至少一个/种，并且单数形式也包括复数形式，除非其明显地另有所指。
对应于元素周期表内的列的族编号使用如在CRC Handbook of Chemistry andPhysics[CRC化学与物理手册]，第81版(2000-2001)中所见的“New Notation[新命名法]”惯例。
除非另有定义，否则本文所使用的所有技术和科学术语均具有与本发明所属领域普通技术人员所通常理解的相同含义。尽管与本文所述的那些类似或等同的方法和材料可用于本发明实施例的实践或测试中，但在下面描述合适的方法和材料。除非引用具体段落，否则本文提及的全部出版物、专利申请、专利以及其它参考文献均以全文引用方式并入本文。在冲突的情况下，则以本说明书，包括定义为准。此外，材料、方法和实例仅为说明性的并且不旨在是限制性的。
在此未描述的有关特定材料、加工行为和电路的许多细节均是常规的并且可以在有机发光二极管显示器、光电检测器、光伏和半导体构件领域的教科书和其他来源中找到。
2.具有式I的取代基的化合物
提供了一种化合物，其中，该化合物是具有式I的取代基的N-杂环
其中：
Q1、Q2、Q3、Q4和Q5是相同或不同的并且选自由N和CR1组成的组；
R1在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1至Q5中的至少一个是N并且Q1至Q5中的至少一个是C-CN。
在一些实施例中，该化合物是氘代的。在一些实施例中，该化合物是至少10％氘代的。“％氘代的”或“％氘代”是指氘核与质子加氘核的总和的比率，以百分比表示。在一些实施例中，该化合物是至少20％氘代的；在一些实施例中，至少30％氘代的；在一些实施例中，至少40％氘代的；在一些实施例中，至少50％氘代的；在一些实施例中，至少60％氘代的；在一些实施例中，至少70％氘代的；在一些实施例中，至少80％氘代的；在一些实施例中，至少90％氘代的；在一些实施例中，100％氘代的。
在一些实施例中，在N-杂环上存在氘代。
在一些实施例中，在具有式I的取代基上存在氘代。
在一些实施例中，在N-杂环和具有式I的取代基两者上存在氘代。
在一些实施例中，该N-杂环是稠环N-杂环，其具有至少两个具有至少一个环N的稠合芳环。在一些实施例中，该N-杂环具有至少三个具有至少一个环N的稠合芳环。
在一些实施例中，N-杂环选自由以下各项组成的组：咔唑、苯并咔唑、二苯并咔唑、吲哚并咔唑、吲哚、吲哚并吲哚、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在一些实施例中，N-杂环选自由以下各项组成的组：苯并咔唑、二苯并咔唑、吲哚并咔唑、吲哚、吲哚并吲哚、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在一些实施例中，N-杂环选自由以下各项组成的组：吲哚并咔唑、吲哚、吲哚并吲哚、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在一些实施例中，N-杂环是具有式II的咔唑
其中：
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1是相同或不同的并且是从0至4的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
在式II的一些实施例中，a＝0。
在式II的一些实施例中，a＝1。
在式II的一些实施例中，a＝2。
在式II的一些实施例中，a＝3。
在式II的一些实施例中，a＝4。
在式II的一些实施例中，a>0。
在式II的一些实施例中，a>0且至少一个R4是D。
在式II的一些实施例中，a>0且至少一个R4是烷基或氘代烷基。在一些实施例中，烷基具有1-20个环碳；在一些实施例中，1-12个碳；在一些实施例中，1-8个碳。
在式II的一些实施例中，a>0且至少一个R4是烃芳基或氘代烃芳基。
在式II的一些实施例中，a>0且至少一个R4具有式a
其中：
R5在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、硅氧烷、甲硅烷基、甲锗烷基、二芳基氨基、咔唑基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代二芳基氨基、以及氘代咔唑基，其中相邻的R5基团可连接在一起以形成稠合芳环或氘代稠合芳环；
p在每次出现时是相同或不同的并且是从0至4的整数；
q是从0至5的整数；
r是从1至5的整数；并且
#表示附接点。
在式II的一些实施例中，a>0且至少一个R4具有式b
其中R5、p、q、r和#如式a中。
在式II的一些实施例中，a>0且至少一个R4选自由以下各项组成的组：苯基、萘基、联苯基、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。在一些实施例中，这些取代基选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、以及它们的组合。
在式II的一些实施例中，a1＝0。
在式II的一些实施例中，a1＝1。
在式II的一些实施例中，a1＝2。
在式II的一些实施例中，a1＝3。
在式II的一些实施例中，a1＝4。
在式II的一些实施例中，a1>0。
在式II的一些实施例中，a1>0且至少一个R4是如以上所述的。
在一些实施例中，N-杂环是具有式II-a、式II-b、或式II-c的苯并咔唑
其中：
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1在每次出现时是相同或不同的并且为从0至4的整数；
c在每次出现时是相同或不同的并且是从0至2的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
在一些实施例中，N-杂环具有式II-a。
在一些实施例中，N-杂环具有式II-b。
在一些实施例中，N-杂环具有式II-c。
在式II-a、式II-b和式II-c的一些实施例中，c＝0。
在式II-a、式II-b和式II-c的一些实施例中，c＝1。
在式II-a、式II-b和式II-c的一些实施例中，c＝2。
在式II-a、式II-b和式II-c的一些实施例中，c>0。
对于式II中的a、a1和R4的上述实施例同样适用于式II-a、式II-b和式II-c中的a、a1和R4。
在一些实施例中，N-杂环是具有式II-d、式II-e或式II-f的二苯并咔唑
其中：
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1在每次出现时是相同或不同的并且为从0至4的整数；
c和c1在每次出现时是相同或不同的并且为从0至2的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
在一些实施例中，N-杂环具有式II-d。
在一些实施例中，N-杂环具有式II-e。
在一些实施例中，N-杂环具有式II-f。
在式II-d、式II-e和式II-f的一些实施例中，c1＝0。
在式II-d、式II-e和式II-f的一些实施例中，c1＝1。
在式II-d、式II-e和式II-f的一些实施例中，c1＝2。
在式II-d、式II-e和式II-f的一些实施例中，c1>0。
对于式II-a中的a、a1、c和R4的上述实施例同样适用于式II-d、式II-e和式II-f中的a、a1、c和R4。
在一些实施例中，N-杂环是具有式III-a的吲哚
其中：
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a是从0至4的整数；
c是从0至2的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
对于式II-a中的a、c和R4的上述实施例同样适用于式III-a中的a、c和R4。
在一些实施例中，N-杂环是具有式III-b的吲哚并吲哚
其中：
Ar1选自由以下各项组成的组：烃芳基、杂芳基、以及其氘代类似物；
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1是相同或不同的并且是从0至4的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
在式III-b的一些实施例中，Ar1是烃芳基或其氘代类似物。在一些实施例中，烃芳基具有6-24个环碳。
在式III-b的一些实施例中，Ar1具有如上所定义的式a。
在式III-b的一些实施例中，Ar1具有如上所定义的式b。
在式III-b的一些实施例中，Ar1是不具有非芳香族取代基的烃芳基。
在式III-b的一些实施例中，Ar1是不具有其他取代基的氘代烃芳基。
在式III-b的一些实施例中，Ar1是取代的烃芳基。在一些实施例中，这些取代基选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、以及它们的组合。
在式III-b的一些实施例中，Ar1选自由以下各项组成的组：苯基、萘基、联苯基、联萘基、三联苯、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
对于式II-a中的a、a1和R4的上述实施例同样适用于式III-b中的a、a1和R4。
在一些实施例中，N-杂环是具有式IV-a、式IV-b、式IV-c、式IV-d或式IV-e的吲哚并咔唑
其中：
Ar1选自由以下各项组成的组：烃芳基、杂芳基、以及其氘代类似物；
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1在每次出现时是相同或不同的并且为从0至4的整数；
c是从0至2的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
在一些实施例中，N-杂环具有式IV-a。
在一些实施例中，N-杂环具有式IV-b。
在一些实施例中，N-杂环具有式IV-c。
在一些实施例中，N-杂环具有式IV-d。
在一些实施例中，N-杂环具有式IV-e。
对于式III-b中的a、a1、c、Ar1和R4的上述实施例同样适用于式IV-a、式IV-b、式IV-c、式IV-d和式IV-e中的a、a1、c、Ar1和R4。
N-杂环具有至少一个具有式I的取代基
其中：
Q1、Q2、Q3、Q4和Q5是相同或不同的并且选自由N和CR1组成的组；
R1在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1至Q5中的至少一个是N并且Q1至Q5中的至少一个是C-CN。
将具有式I的取代基直接附接到N-杂环中的环氮上。
在一些实施例中，N-杂环具有单个具有式I的取代基。
在式I的一些实施例中，Q1＝N。
在式I的一些实施例中，Q2＝N。
在式I的一些实施例中，Q3＝N。
在式I的一些实施例中，Q4＝N。
在式I的一些实施例中，Q5＝N。
在式I的一些实施例中，Q1＝CR1。
在式I的一些实施例中，Q2＝CR1。
在式I的一些实施例中，Q3＝CR1。
在式I的一些实施例中，Q4＝CR1。
在式I的一些实施例中，Q5＝CR1。
在式I的一些实施例中，Q1＝C-CN。
在式I的一些实施例中，Q2＝C-CN。
在式I的一些实施例中，Q3＝C-CN。
在式I的一些实施例中，Q4＝C-CN。
在式I的一些实施例中，Q5＝C-CN。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的两个是N。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中仅有一个是C-CN。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是H或D。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是烃芳基或其氘代类似物。在一些实施例中，烃芳基具有6-24个环碳。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1具有如上所定义的式a。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1具有如上所定义的式b。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是不具有非芳香族取代基的烃芳基。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是不具有其他取代基的氘代烃芳基。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是取代的烃芳基。在一些实施例中，这些取代基选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、以及它们的组合。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1选自由以下各项组成的组：苯基、萘基、联苯基、联萘基、三联苯、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是芳氧基或氘代芳氧基。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是烃芳氧基或氘代烃芳氧基。在一些实施例中，芳氧基的芳基部分具有6-18个环碳；在一些实施例中，6-12个环碳。
在式I的一些实施例中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1选自由以下各项组成的组：苯氧基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在一些实施例中，N-杂环上的取代基具有式IA
其中：
Q1、Q3和Q5是相同或不同的并且选自由N和CR1组成的组；
R1、R2和R3在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1、Q3和Q5中的至少一个是N并且Q1、Q3和Q5中的至少一个是C-CN。
在式IA的一些实施例中，Q1＝N。
在式IA的一些实施例中，Q3＝N。
在式IA的一些实施例中，Q5＝N。
在式IA的一些实施例中，Q1＝CR3。
在式IA的一些实施例中，Q3＝CR3。
在式IA的一些实施例中，Q5＝CR3。
在式IA的一些实施例中，Q1＝C-CN。
在式IA的一些实施例中，Q3＝C-CN。
在式IA的一些实施例中，Q5＝C-CN。
在式IA的一些实施例中，R2＝R3。
在式IA的一些实施例中，R2≠R3。
在式IA的一些实施例中，R2是H或D。
在式IA的一些实施例中，R2是烃芳基或其氘代类似物。在一些实施例中，烃芳基具有6-24个环碳。
在式IA的一些实施例中，R2具有如上所定义的式a。
在式IA的一些实施例中，R2具有如上所定义的式b。
在式IA的一些实施例中，R2是不具有非芳香族取代基的烃芳基。
在式IA的一些实施例中，R2是不具有其他取代基的氘代烃芳基。
在式IA的一些实施例中，R2是取代的烃芳基。在一些实施例中，这些取代基选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、以及它们的组合。
在式IA的一些实施例中，R2选自由以下各项组成的组：苯基、萘基、联苯基、联萘基、三联苯、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在式IA的一些实施例中，R2是芳氧基或氘代芳氧基。
在式IA的一些实施例中，R2是烃芳氧基或氘代烃芳氧基。在一些实施例中，芳氧基的芳基部分具有6-18个环碳；在一些实施例中，6-12个环碳。
在式IA的一些实施例中，R2选自由以下各项组成的组：苯氧基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
对于R2的所有上述实施例同样适用于R3。
在一些实施例中，取代基具有式IB
其中：
Q1和Q3是相同或不同的并且选自由N和CR1组成的组；
R1、R2和R3在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1和Q3中的至少一个是C-CN。
在式IB的一些实施例中，Q1＝C-CN。
在式IB的一些实施例中，Q3＝C-CN。
在式IB的一些实施例中，Q1＝CR1。
在式IB的一些实施例中，Q3＝CR1。
对于式IA中的R1、R2和R3的所有上述实施例同样适用于式IB中的R1、R2和R3。
N-杂环和取代基团的上述实施例中的任一个可以与一个或多个其他实施例组合，只要它们不互相排斥即可。例如，其中N-杂环是具有式II的咔唑的实施例可以与其中取代基具有式IIA的实施例组合，以及与其中Q1是N的实施例组合，以及与其中R2＝R3且是苯基的实施例组合。对于以上讨论的其他非相互排斥的实施例同样如此。本领域技术人员将理解哪些实施例是相互排斥的并且因此将容易地能够确定本申请所考虑的实施例的组合。
在此描述的化合物可以使用将产生C-C或C-N键的任何技术制造。已知多种这样的技术，例如Suzuki、Yamamoto、Stille和金属催化的C-N偶联以及金属催化的和氧化的直接芳基化。
具有式IV-a的核心吲哚并咔唑可以根据文献程序从2,3’-联吲哚合成：Janosik,T.；Bergman,J.Tetrahedron[四面体杂志](1999)，55，2371。2,3’-联吲哚是根据在Robertson,N.；Parsons,S.；MacLean,E.J.；Coxall,R.A.；Mount，Andrew R.Journal of材料Chemistry[材料化学杂志](2000)，10，2043中描述的程序合成的。
具有式IV-b的核心吲哚并咔唑可以根据在EP2080762A1和美国专利8062769中发现的程序来合成。
具有式IV-c的核心吲哚并咔唑可以根据在Pindur,U.；Müller,J.Arch.Pharm.(1987)，320，280中发现的程序从可商购的3,3’-亚甲基二吲哚来合成。
具有式IV-d的核心吲哚并咔唑可以根据在Knolker,Hans-Joachim；Reddy,Kethiri R.Tetrahedron Letters[四面体快报](1998)，39(23)，4007-4008中发现的程序来合成。
具有式IV-e的核心吲哚并咔唑可以根据在Desarbre,Eric和Bergman,Jan；Journal of the Chemical Society,Perkin Transactions 1:Organic and Bio-OrganicChemistry[化学学会期刊，帕金汇刊1：有机化学和生物有机化学]，(13)，2009-2016；1998中发现的程序来合成。
氘代化合物可以以类似的方式使用氘代前体材料，或更通常通过在路易斯酸H/D交换催化剂(诸如三氟甲磺酸、三氯化铝或二氯化乙基铝)的存在下，用氘代溶剂(诸如苯-d6)处理未氘代化合物来制备。
示例性制备在实例中给出。
以下示出了具有式I的取代基的N-杂环化合物的一些非限制性实例。
具有式I的取代基的N-杂环化合物可以形成为用于电子装置的层。术语“层”与术语“膜”可互换地使用并且是指覆盖所希望区域的涂层。该术语不受尺寸的限制。该区域可如整个装置一样大，或者如特定功能区例如实际视觉显示器一样小，或者如单个子像素一样小。层和膜可由任何常规的沉积技术形成，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)和热转移。连续液体沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸涂、狭缝式模具涂布、喷涂、以及连续喷嘴涂布。不连续的液体沉积技术包括，但不限于，喷墨印刷、凹版印刷和丝网印刷。
在一些实施例中，具有式I的取代基的新N-杂环化合物可以用作装置中用于电致发光材料的主体。
在一些实施例中，具有式I的取代基的新N-杂环化合物可用作装置中的电子传输材料。
3.包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的组合物
在一些实施例中，提供了一种组合物，其中，该组合物包含(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)第二主体化合物。(a)掺杂剂
可以用作光活性层中的掺杂剂的电致发光(“EL”)材料包括但不限于小分子有机发光化合物、发光金属络合物、共轭聚合物、及其混合物。小分子发光有机化合物的实例包括但不限于芘、苝、红荧烯、香豆素、蒽、噻二唑、苯并芴、它们的衍生物、以及它们的混合物。金属络合物的实例包括但不限于金属螯合喔星类(oxinoid)化合物和金属(如铱、铑、钌、锇和铂)的环金属化络合物。共轭聚合物的实例包括但不限于聚(苯撑乙烯)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(对亚苯基)、它们的共聚物、以及它们的混合物。
在一些实施例中，掺杂剂是有机金属络合物。在一些实施例中，有机金属络合物是环金属化的。“环金属化的”意指络合物含有至少一个配体，该配体与金属在至少两个点上键合，形成至少一个具有至少一个碳-金属键的5元或6元环。在一些实施例中，该金属是铱或铂。在一些实施例中，有机金属络合物是电中性的。此类材料已经在例如美国专利6,670,645和公布的PCT申请WO 03/063555、WO 2004/016710和WO 03/040257中披露。
在一些实施例中，掺杂剂是具有式Ir(L1)x(L2)y(L3)z的络合物；其中
L1是通过碳和氮配位的单阴离子二齿环金属化配体；
L2是不通过碳配位的单阴离子二齿配体；
L3是单齿配体；
x是1-3；
y和z独立地是0-2；并且
选择x、y和z使得铱是六配位的并且络合物是电中性的。
式的一些实例包括但不限于Ir(L1)3；Ir(L1)2(L2)；和Ir(L1)2(L3)(L3’)，其中L3是阴离子的并且L3’是非离子的。配体可以是未被取代的或被以下各项取代：F、D、烷基、全氟烷基、烷氧基、烷基氨基、芳基氨基、CN、甲硅烷基、氟烷氧基、芳基、或它们的氘代类似物。
在络合物Ir(L1)3的一些实施例中，所有三个L1配体是相同的并且该络合物是均配体的。
在络合物Ir(L1)3的一些实施例中，至少一个L1配体不同于其他两个并且该络合物是杂配体的。在一些实施例中，杂配体的络合物具有三个不同的L1配体。
在一些实施例中，L1是芳基N-杂环，其中芳基是苯基或萘基，并且N-杂环是吡啶、喹啉、异喹啉、二嗪、吡咯、吡唑或咪唑。
在一些实施例中，L1选自由以下各项组成的组：苯基吡啶、苯基喹啉、苯基异喹啉、苯基嘧啶、苯基吡唑、噻吩基吡啶、噻吩基喹啉、以及噻吩基嘧啶。
单阴离子二齿配体L2在金属配位化学领域是熟知的。一般来说，这些配体具有作为配位原子的N、O、P或S，并且当与铱配位时形成5元或6元环。合适的配位基团包括氨基、亚氨基、酰氨基、醇盐、羧酸盐、膦基、硫醇盐等。用于这些配体的合适母体化合物的实例包括β-二羧基(β-烯醇化物配体)，以及它们的N和S类似物；氨基羧酸(氨基羧酸盐配体)；吡啶羧酸(亚氨基羧酸盐配体)；水杨酸衍生物(水杨酸盐配体)；羟基喹啉(羟基喹啉配体)以及它们的S类似物；以及膦基烷醇(膦基醇盐配体)。
在一些实施例中，L2选自由以下各项组成的组：β-二烯醇化物、二酮亚胺、吡啶甲酸根、N-烷氧基吡唑、以及它们的氘代类似物。
单齿配体L3可以是阴离子的或非离子的。阴离子配体包括但不限于H-(“氢化物”)和具有作为配位原子的C、O或S的配体。配位基团包括但不限于醇基、羧酸根、硫代羧酸根、二硫代羧酸根、磺酸根、硫醇基、氨基甲酸根、二硫代氨基甲酸根、硫卡巴腙阴离子、磺酰胺阴离子等。在一些情况下，以上列出的作为L2的配体，如β-烯醇化物和膦基醇盐，可以充当单齿配体。单齿配体还可以是配位阴离子如卤离子、氰化物、异氰化物、硝酸根、磷酸根、六卤代锑酸根等。这些配体通常是可商购的。
单齿L3配体还可以是非离子配体，如CO或单齿膦配体。
铱络合物掺杂剂可以使用如在例如美国专利6,670,645中所述的标准合成技术来制备。
在一些实施例中，掺杂剂是小有机发光化合物。在一些实施例中，掺杂剂选自由以下各项组成的组：非聚合物螺双芴化合物和荧蒽化合物。
在一些实施例中，掺杂剂是具有芳胺基的化合物。在一些实施例中，掺杂剂选自下式：
其中：
A在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：烃芳基、杂芳基、以及它们的氘代类似物；
E是烃芳基或其氘代类似物；并且
s是从1-6的整数。
在上式的一些实施例中，E具有至少3个稠环。
在上式的一些实施例中，s＝2。
在一些实施例中，E衍生自选自由以下各项组成的组的化合物：萘、蒽、芘、并四苯、呫吨、苝、香豆素、若丹明、喹吖啶酮、苯并芴以及红荧烯。
在一些实施例中，A选自由以下各项组成的组：苯基、联苯基、三联苯、甲苯基、萘基、萘基苯基、以及蒽基。
在一些实施例中，掺杂剂具有下式：
其中：
Y在每次出现时是相同或不同的并且是具有3-60个碳原子的芳香族基团；
E1是芳香族基团、二价三苯胺残基或单键。
在一些实施例中，掺杂剂是芳基并苯。在一些实施例中，掺杂剂是非对称芳基并苯。
在一些实施例中，小分子有机掺杂剂选自由以下各项组成的组：氨基取代的氨基取代的蒽、氨基取代的苯并芴、氨基取代的芘、以及它们的氘代类似物。
在组合物的一些实施例中，掺杂剂能够电致发光，该电致发光具有在大约600与750nm之间的发射最大值。此类材料在此是指“发射红光的材料”或“发射红光的掺杂剂”。
发射红光的材料的实例包括但不限于具有苯基喹啉或苯基异喹啉配体、二茚并芘、荧蒽、以及苝的Ir的络合物。发射红光的材料已经在例如美国专利6,875,524和公布的美国申请2005-0158577中披露。
发射红光的有机金属铱络合物的实例包括但不限于下面的化合物D1至D10
在组合物的一些实施例中，掺杂剂能够电致发光，该电致发光具有在大约495与600nm之间的发射最大值。此类材料在此是指“发射绿光的材料”或“发射绿光的掺杂剂”。
在一些实施例中，发射绿光的材料具有在495与570nm之间的发射最大值。
在一些实施例中，发射绿光的材料在颜色上更黄，并且具有在大约570与590nm之间的发射最大值。此类材料在此是指“发射黄光的材料”或“发射黄光的掺杂剂”。
发射绿光的材料的实例包括但不限于具有苯基吡啶配体、双(二芳基氨基)蒽、以及聚苯撑乙烯聚合物的Ir的络合物。发射绿光的材料已经在例如公布的PCT申请WO 2007/021117中披露。
发射绿光的有机金属Ir络合物包括但不限于下面的D11至D33。
小分子有机发射绿光的材料的一些实例包括但不限于以下示出的化合物D52至D59。
在组合物的一些实施例中，掺杂剂能够电致发光，该电致发光具有在大约380与495nm之间的发射最大值。此类材料在此是指“发射蓝光的材料”或“发射蓝光的掺杂剂”。
在一些实施例中，发射蓝光的材料具有在450与495nm之间的发射最大值。
发射蓝光的材料的实例包括但不限于具有苯基吡啶或苯基咪唑配体、二芳基蒽、二氨基二氨基芘、二氨基苯并芴、以及聚芴聚合物的Ir的络合物。发射蓝光的材料已经在例如美国专利6,875,524、以及公布的美国申请2007-0292713和2007-0063638中披露。
发射蓝光的有机金属Ir络合物的实例包括但不限于下面的D34至D51。
小分子有机发射蓝光的材料的实例包括但不限于以下示出的化合物D60至D68。
(b)第一主体
第一主体化合物是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，如以上所详述的。
(c)第二主体
在一些实施例中，第二主体是氘代的。在一些实施例中，第二主体是至少10％氘代的；在一些实施例中，至少20％氘代的；在一些实施例中，至少30％氘代的；在一些实施例中，至少40％氘代的；在一些实施例中，至少50％氘代的；在一些实施例中，至少60％氘代的；在一些实施例中，至少70％氘代的；在一些实施例中，至少80％氘代的；在一些实施例中，至少90％氘代的。在一些实施例中，第二主体是100％氘代的。
第二主体材料的实例包括但不限于咔唑、吲哚并咔唑、菲、苯并菲、菲咯啉、三嗪、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃、二苯并呋喃、苯并二呋喃、金属喹啉络合物、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在一些实施例中，第二主体选自由以下各项组成的组：吲哚并咔唑、苯并菲、二苯并呋喃、苯并二呋喃、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在一些实施例中，第二主体选自由以下各项组成的组：吲哚并咔唑、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在一些实施例中，第二主体具有式V(a)、式V(b)、式V(c)、式V(d)、以及式V(e)中之一
其中：
Ar2和Ar3是相同或不同的并且是烃芳基或氘代烃芳基；
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1是相同或不同的并且是从0至4的整数；并且
c是从0至2的整数。
在一些实施例中，第二主体具有式V-a。
在一些实施例中，第二主体具有式V-b。
在一些实施例中，第二主体具有式V-c。
在一些实施例中，第二主体具有式V-d。
在一些实施例中，第二主体具有式V-e。
在式V-a至V-e的一些实施例中，Ar2是具有6-24个环碳的烃芳基或其氘代类似物。
在式V-a至V-e的一些实施例中，Ar2具有如上所定义的式a。
在式V-a至V-e的一些实施例中，Ar2具有如上所定义的式b。
在式V-a至V-e的一些实施例中，Ar2是不具有非芳香族取代基的烃芳基。
在式V-a至V-e的一些实施例中，Ar2是不具有其他取代基的氘代烃芳基。
在式V-a至V-e的一些实施例中，Ar2是取代的烃芳基。在一些实施例中，这些取代基选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、以及它们的组合。
在式V-a至V-e的一些实施例中，Ar2选自由以下各项组成的组：苯基、萘基、联苯基、联萘基、三联苯、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
对于Ar2的所有上述实施例同样适用于Ar3。
在式V-a至V-e的一些实施例中,a＝0。
在式V-a至V-e的一些实施例中,a＝1。
在式V-a至V-e的一些实施例中,a＝2。
在式V-a至V-e的一些实施例中,a＝3。
在式V-a至V-e的一些实施例中,a＝4。
在式V-a至V-e的一些实施例中,a>0。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4＝D。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4是具有1-12个碳原子的烷基或氘代烷基。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4是具有6-24个环碳的烃芳基或氘代烃芳基。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4是不具有非芳香族取代基的烃芳基。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4是不具有其他取代基的氘代烃芳基。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4具有如上所定义的式a。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4具有如上所定义的式b。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a>0且至少一个R4选自由以下各项组成的组：苯基、萘基、联苯基、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。在一些实施例中，这些取代基选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、以及它们的组合。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a1＝0。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a1＝1。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a1＝2。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a1＝3。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a1＝4。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a1>0。
在式V-a至V-e的一些实施例中，a1>0且至少一个R4是如以上所述的。
在式V-a至V-e的一些实施例中，c＝0。
在式V-a至V-e的一些实施例中，c＝1。
在式V-a至V-e的一些实施例中，c>0。
在式V-a至V-e的一些实施例中，c>0且R4＝D。
在一些实施例中，第二主体具有式VI
其中：
Ar4选自由以下各项组成的组：具有至少两个稠环的烃芳基、具有至少两个稠环的杂芳基、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物；
Ar5和Ar6在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：烃芳基、杂芳基、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物；并且
m是1或2。
在式VI的一些实施例中，Ar4具有3-5个稠合芳环。
在式VI的一些实施例中，Ar4选自由以下各项组成的组：蒽、芘、菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、二苯并呋喃、二呋喃并苯、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在式VI的一些实施例中，Ar4选自由以下各项组成的组：蒽、芘、菲、苯并菲、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
在式VI的一些实施例中，Ar5＝Ar6。
在式VI的一些实施例中，Ar5≠Ar6。
在式VI的一些实施例中，Ar5是烃芳基或其氘代类似物。在一些实施例中，烃芳基具有6-24个环碳。
在式VI的一些实施例中，Ar5具有如上所定义的式a。
在式VI的一些实施例中，Ar5具有如上所定义的式b。
在式VI的一些实施例中，Ar5是不具有非芳香族取代基的烃芳基。
在式VI的一些实施例中，Ar5是不具有其他取代基的氘代烃芳基。
在式VI的一些实施例中，Ar5是取代的烃芳基。在一些实施例中，这些取代基选自由以下各项组成的组：D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、以及它们的组合。
在式VI的一些实施例中，Ar5选自由以下各项组成的组：苯基、萘基、联苯基、联萘基、三联苯、、菲基、蒽基、4-萘基苯基、4-菲基苯基、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
对于Ar5的所有上述实施例同样适用于Ar6。
在式VI的一些实施例中，m＝1。
在式VI的一些实施例中，m＝2。
在一些实施例中，第二主体具有式VII
其中：
Ar5和Ar6是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：烃芳基、杂芳基、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物；
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
b是从0至3的整数；
c是从0至2的整数；并且
d是从0至6的整数。
在式VII的一些实施例中，b＝0。
在式VII的一些实施例中，b＝1。
在式VII的一些实施例中，b＝2。
在式VII的一些实施例中，b＝3。
在式VII的一些实施例中，b>0。
在式VII的一些实施例中，d>0且至少一个R4是D。
在式VII的一些实施例中，d>0且至少一个R4是具有1-12个碳的烷基或其氘代类似物。
在式VII的一些实施例中，d>0且至少一个R4是具有6-20个环碳的烃芳基或其氘代类似物。
在式VII的一些实施例中，c＝0。
在式VII的一些实施例中，c＝1。
在式VII的一些实施例中，c＝2。
在式VII的一些实施例中，c>0。
在式VII的一些实施例中，c>0且至少一个R4是如以上所述的。
在式VII的一些实施例中，d＝0。
在式VII的一些实施例中，d＝1。
在式VII的一些实施例中，d＝2。
在式VII的一些实施例中，d＝3。
在式VII的一些实施例中，d＝4。
在式VII的一些实施例中，d＝5。
在式VII的一些实施例中，d＝6。
在式VII的一些实施例中，d>0。
在式VII的一些实施例中，d>0且至少一个R4是如以上所述的。
对于式VI中的Ar5和Ar6的上述实施例同样适用于式VII中的Ar5和Ar6。
在新组合物的一些实施例中，基于在该组合物中的重量，第一主体以比第二主体更高的浓度存在。
在新组合物的一些实施例中，第一主体与第二主体的重量比在10:1至1:10的范围内。在一些实施例中，该重量比在6:1至1:6；在一些实施例中，5:1至1:2；在一些实施例中，3:1至1:1的范围内。
在新组合物的一些实施例中，掺杂剂与第一主体和第二主体的总和(“总主体”)的重量比在1:99至20:80的范围内；在一些实施例中，5:95至15:85。
在一些实施例中，新组合物被溶解或分散在液体介质中以形成油墨。该油墨可用于材料的液相沉积，以形成多个层。
术语“液体介质”旨在是指液态物质，包括纯净液体、多种液体的组合、溶液、分散体、悬浮液、以及乳液。无论是否存在一种或多种溶剂都使用液体介质。
在一些实施例中，液体介质是极性非水性溶剂。极性溶剂的实例包括但不限于C1至C20醇、醚、以及酸酯。
在一些实施例中，液体介质是相对非极性溶剂。非极性溶剂的实例包括但不限于C1至C12烷烃，芳香族化合物如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。
在一些实施例中，液体介质是两种或更多种溶剂的混合物。
在一些实施例中，液体介质选自由以下各项组成的组：氯化烃(如二氯甲烷、氯仿、氯苯)、芳香烃(如取代的或非取代的甲苯或二甲苯，包括三氟甲苯)、极性溶剂(如四氢呋喃(THF)、N-甲基吡咯烷酮(NMP))、酯(如乙酸乙酯、苯甲酸甲酯或酞酸二乙酯)、醚(如苯甲醚或二甲氧基苯)、醇(如异丙醇)、酮(如环戊酮)或它们的任何混合物。
用于电致发光材料的合适溶剂已经在例如公布的PCT申请WO 2007/145979中进行了描述。
4.电子装置
可得益于具有一个或多个包括至少一种如在此所述的化合物的层的有机电子装置包括但不限于：(1)将电能转换为辐射的装置(例如发光二极管、发光二极管显示器、照明装置、光源、或二极管激光器)，(2)通过电子方法检测信号的装置(例如光电检测器、光导电池、光敏电阻器、光控继电器、光电晶体管、光电管、IR检测器、生物传感器)，(3)将辐射转换为电能的装置(例如光伏装置或太阳能电池)，(4)将一个波长的光转换成更长波长的光的装置(例如，下变频磷光体装置)；以及(5)包括一个或多个电子部件的装置，该一个或多个电子部件包括一个或多个有机半导体层(例如，晶体管或二极管)。根据本发明的组合物的其他用途包括用于记忆存储装置的涂覆材料、抗静电膜、生物传感器、电致变色装置、固体电解电容器、储能装置(诸如可再充电电池)和电磁屏蔽应用。
一种可利用在此描述的新化合物的有机电子装置结构的一个图示在图1中示出。装置100具有第一电接触层，阳极层110和第二电接触层，阴极层160，以及介于它们之间的光活性层140。可以任选地存在附加层。邻近该阳极的可以是空穴注入层120，有时称为缓冲层。邻近该空穴注入层的可以是包含空穴传输材料的空穴传输层130。邻近该阴极的可以是包含电子传输材料的电子传输层150。作为一种选择，装置可以使用一个或多个紧邻阳极110的附加的空穴注入层或空穴传输层(未示出)和/或一个或多个紧邻阴极160的附加的电子注入层或电子传输层(未示出)。层120至150单独地且统称为有机活性层。
在一些实施例中，为了实现全色，发光层被像素化，每种不同颜色具有子像素单元。像素化装置的图示在图2中示出。装置200具有阳极110、空穴注入层120、空穴传输层130、光活性层140、电子传输层150和阴极160。光活性层被分成子像素141、142、143，它们横越该层重复。在一些实施例中，这些子像素表示红色、蓝色和绿色发射。尽管图2中描绘了三个不同的子像素单元，可以使用两个或三个以上的子像素单元。
这里将参照图1进一步讨论这些不同的层。然而，该讨论同样适用于图2和其他构型。
在一些实施例中，不同的层具有以下厚度范围：阳极110，在一些实施例中，空穴注入层120，在一些实施例中，空穴传输层130，在一些实施例中，光活性层140，在一些实施例中，电子传输层150，在一些实施例中，阴极160，在一些实施例中，所希望的层厚度的比率将取决于所用材料的确切性质。
在此描述的包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的新化合物中的一种或多种可存在于装置的一个或多个电活性层中。
在一些实施例中，包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的新化合物可用作层140中的光活性掺杂剂材料。在一些实施例中，包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的新化合物作为一种或多种主体材料中的光活性掺杂剂材料存在。
在一些实施例中，包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的新化合物可用作光活性层140中用于光活性掺杂剂材料的主体材料。
在一些实施例中，包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的新化合物可用作电子传输层150中的电子传输材料。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的至少一个有机活性层，其中该有机活性层包括包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的光活性层，其中该光活性层包括包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极、以及在其间的光活性层，其中该光活性层包括(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)第二主体化合物。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的光活性层，并且进一步包括附加有机活性层，该有机活性层包括包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物。在一些实施例中，该附加有机活性层是空穴传输层。在一些实施例中，该附加的有机活性层是电子传输层。
阳极110是对于注入正电荷载体尤其有效的电极。其可由例如包含金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物的材料制成，或者其可为导电聚合物、以及它们的混合物。合适的金属包括第11族金属，第4、5和6族中的金属和第8-10族的过渡金属。如果阳极是要透光的，则一般使用第12、13和14族金属的混合金属氧化物，例如氧化铟锡。该阳极还可包含有机材料诸如聚苯胺，如在“Flexible light-emittingdiodes made fromsoluble conducting polymer[由可溶性导电聚合物制成的柔性发光二极管]”，Nature[自然]，第357卷，第477-479页(1992年6月11日)中所述。阳极和阴极中的至少一个应是至少部分透明的以允许产生的光被观察到。
任选的空穴注入层120包括空穴注入材料。术语“空穴注入层”或“空穴注入材料”旨在是指导电或半导电材料，并且在有机电子装置中可具有一种或多种功能，包括但不限于下层的平面化、电荷传输和/或电荷注入特性、杂质诸如氧或金属离子的清除、以及有利于或改善有机电子装置的性能的其他方面。空穴注入材料可以是聚合物、低聚物或小分子，并且可以是呈溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶体混合物或其他组合物的形式。
空穴注入层可用聚合物材料形成，如聚苯胺(PANI)或聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)，这些聚合物材料通常掺杂有质子酸。质子酸可以是例如聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)等。空穴注入层120可包含电荷转移化合物等，如酞菁铜和四硫富瓦烯-四氰基对苯二醌二甲烷体系(TTF-TCNQ)。在一些实施例中，空穴注入层120由导电聚合物和胶体形成聚合物酸的分散体制成。此类材料已经在例如公布的美国专利申请2004-0102577、2004-0127637和2005-0205860中描述。
层130包括空穴传输材料。用于空穴传输层的空穴传输材料的实例已概述于例如Y.Wang的Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology[柯克·奥思默化工百科全书]，第四版，第18卷，第837-860页，1996中。空穴传输小分子和聚合物二者均可使用。常用的空穴传输分子包括但不限于：4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯胺(TDATA)；4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)；N,N’-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)；4,4’-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)；1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)；1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)；N,N'-双(4-甲基苯基)-N,N'-双(4-乙基苯基)-[1,1'-(3,3'-二甲基)联苯基]-4,4'-二胺(ETPD)；四-(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-苯二胺(PDA)；α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)；对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)；三苯胺(TPA)；双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)；1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)；1,2-反式-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)；N,N,N'，N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TTB)；N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双-(苯基)联苯胺(α-NPB)；以及卟啉化合物，如酞菁铜。常用的空穴传输聚合物包括但不限于聚乙烯咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚(二氧噻吩)、聚苯胺、以及聚吡咯。还可能通过将空穴传输分子如上述那些掺入聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸酯中来获得空穴传输聚合物。在一些情况下，使用三芳基胺聚合物，尤其是三芳基胺-芴共聚物。在一些情况下，所述聚合物和共聚物是可交联的。可交联空穴传输聚合物的实例可见于例如公布的美国专利申请2005-0184287和公布的PCT申请WO2005/052027中。在一些实施例中，空穴传输层掺杂有p型掺杂剂，如四氟四氰基喹啉二甲烷和苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酐。
根据装置的应用，光活性层140可以是由所施加的电压激活的发光层(例如在发光二极管或发光电化学电池中)、吸收光并且发射具有更长波长的光的材料层(例如在下变频磷光体装置中)、或响应于辐射能并且在或不在所施加的偏压下生成信号的材料层(诸如在光电检测器或光伏装置中)。
在一些实施例中，光活性层包括作为光活性材料的包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物。在一些实施例中，光活性层进一步包含主体材料。主体材料的实例包括但不限于菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、咔唑、吲哚并咔唑、呋喃、苯并呋喃、二苯并呋喃、苯并二呋喃和金属喹啉络合物。在一些实施例中，主体材料是氘代的。
在一些实施例中，光活性层包括作为主体材料的具有式I的化合物并且附加地包括光活性掺杂剂。合适的光活性掺杂剂如以上所述。
在一些实施例中，光活性层包含(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)第二主体化合物。上文描述了合适的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层仅包括(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)第二主体化合物，其中不存在将实质上改变该层的操作原理或区别特征的附加材料。
在一些实施例中，基于在光活性层中的重量，第一主体以比第二主体更高的浓度存在。
在一些实施例中，光活性层中第一主体与第二主体的重量比在10:1至1:10的范围内。在一些实施例中，该重量比在6:1至1:6；在一些实施例中，5:1至1:2；在一些实施例中，3:1至1:1的范围内。
在一些实施例中，掺杂剂与总主体的重量比在1:99至20:80；在一些实施例中，5:95至15:85的范围内。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射红光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式VI的第二主体化合物，如上所定义的。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射红光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式VII的第二主体化合物，如上所定义的。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射绿光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(a)、式V(b)、式V(c)、式V(d)、以及式V(e)中之一的第二主体化合物，如上所定义的。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射绿光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(a)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射绿光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(b)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射绿光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(c)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射绿光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(d)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射绿光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(e)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射黄光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(a)、式V(b)、式V(c)、式V(d)、以及式V(e)中之一的第二主体化合物，如上所定义的。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射黄光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(a)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射黄光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(b)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射黄光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(c)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包括(a)发射黄光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(d)的第二主体化合物。
在一些实施例中，光活性层包含(a)发射黄光的掺杂剂，(b)第一主体化合物，其是具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环，以及(c)具有式V(e)的第二主体化合物。
任选层150可以同时起到促进电子传输的作用，并且还用作约束层以防止激子在层界面处猝灭。优选地，该层促进电子移动性并减少激子淬灭。
在一些实施例中，层150包括包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物。
在一些实施例中，层150仅包括包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物，其中将实质上改变该层的工作原理或区别特性的附加材料不存在。
在一些实施例中，层150包括其他电子传输材料。可用于任选电子传输层150中的电子传输材料的实例包括金属螯合的喔星类化合物，包括金属喹啉盐衍生物如三(8-羟基喹啉)铝(AlQ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(BAlq)、四-(8-羟基喹啉)铪(HfQ)以及四-(8-羟基喹啉)锆(ZrQ)；以及唑类化合物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)以及1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)；喹喔啉衍生物，如2,3-双(4-氟苯基)喹喔啉；菲咯啉，如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA)；三嗪；富勒烯；以及它们的混合物。在一些实施例中，该电子传输材料选自由以下各项组成的组：金属喹啉盐和菲咯啉衍生物。在一些实施例中，该电子传输层进一步包含n型掺杂剂。N型掺杂剂材料是众所周知的。n型掺杂剂包括但不限于第1族和第2族金属；第1族和第2族金属盐，如LiF、CsF和Cs2CO3；第1族和第2族金属有机化合物，如喹啉锂；以及分子n型掺杂剂，诸如无色染料、金属络合物，诸如W2(hpp)4(其中hpp＝1,3,4,6,7,8-六氢-2H-嘧啶并-[1,2-a]-嘧啶)和二茂钴、四硫杂并四苯、双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯、杂环基团或二价基团、以及杂环基团或二价基团的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物以及多环化物。
可以在电子传输层上沉积任选的电子注入层。电子注入材料的实例包括但不限于含Li的有机金属化合物，LiF、Li2O、喹啉锂；含Cs的有机金属化合物，CsF、Cs2O和Cs2CO3。该层可与下面的电子传输层、上面覆盖的阴极或两者反应。当存在电子注入层时，沉积的材料的量通常在的范围内，在一些实施例中
阴极160是对于注入电子或负电荷载体尤其有效的电极。阴极可以是具有低于阳极的功函的任何金属或非金属。用于阴极的材料可以选自第1族的碱金属(例如，Li、Cs)，第2族(碱土)金属，第12族金属，包括稀土元素和镧系元素，以及锕系元素。可以使用如铝、铟、钙、钡、钐和镁、以及组合的材料。
已知在有机电子装置中具有其他层。例如，在阳极110与空穴注入层120之间可存在层(未示出)以控制注入的正电荷的量和/或提供层的带隙匹配，或用作保护层。可以使用本领域中已知的层，例如酞菁铜、氮氧化硅、碳氟化合物、硅烷或金属(如Pt)的超薄层。可替代地，可以对阳极层110、活性层120、130、140和150或阴极层160中的一些或全部进行表面处理以增加电荷载流子传输效率。优选通过平衡发射极层中的正电荷和负电荷来确定每个组件层的材料的选择，以提供具有高电致发光效率的装置。
应当理解，每个功能层可由多于一个层构成。
装置层可以通过任何沉积技术或技术的组合形成，包括气相沉积、液相沉积和热转移。可使用诸如玻璃、塑料和金属的基板。可使用常规的气相沉积技术，如热蒸发、化学气相沉积等。可使用常规的涂布或印刷技术，包括但不限于旋涂、浸涂、卷对卷技术、喷墨印刷、连续喷嘴印刷、丝网印刷、凹版印刷等，由合适溶剂中的溶液或分散体来施用有机层。
对于液相沉积方法，本领域技术人员可容易地确定用于特定化合物或相关类别化合物的合适溶剂。对于一些应用，希望这些化合物溶解于非水溶剂中。此类非水溶剂可以是相对极性的，诸如C1至C20醇、醚和酸酯，或可以是相对非极性的，诸如C1至C12烷烃或芳香族化合物诸如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。用于制造包括新化合物的液体组合物(如在此所述的作为溶液或分散体)的其他合适液体包括但不限于氯化烃(诸如二氯甲烷、氯仿、氯苯)、芳烃(诸如取代的和未取代的甲苯和二甲苯，包括三氟甲苯)、极性溶剂(诸如四氢呋喃(THP)、N-甲基吡咯烷酮)、酯(诸如乙酸乙酯)、醇(异丙醇)、酮(环戊酮)、以及它们的混合物。用于电致发光材料的合适溶剂已经在例如公布的PCT申请WO 2007/145979中进行了描述。
在一些实施例中，该装置由空穴注入层、空穴传输层和光活性层的液相沉积以及阳极、电子传输层、电子注入层和阴极的气相沉积制成。
应当理解，可通过优化装置中的其他层来进一步改善由在此所述的新组合物制得的装置的效率。例如，可使用更有效的阴极例如Ca、Ba或LiF。导致操作电压降低或增加量子效率的成型基板和新型空穴传输材料也是可应用的。还可添加附加层以定制各种层的能级并且促进电致发光。
在一些实施例中，该装置按顺序具有以下结构：阳极、空穴注入层、空穴传输层、光活性层、电子传输层、电子注入层、阴极。
尽管与在此描述的方法和材料类似或等同的方法和材料可用于本发明的实践或测试中，但是在下面描述了合适的方法和材料。此外，材料、方法和实例仅为说明性的并且不旨在是限制性的。所有的公开物、专利申请、专利、以及在此提及的其他参考文献以其全文通过引用结合。
实例
在此描述的概念将在以下实例中进一步描述，这些实例不限制权利要求中所述的本发明的范围。
合成实例1
这个实例说明了化合物I-1的制备。
在手套箱中，用3.9g的12-[3-(3-苯基苯基)苯基]-11H-吲哚并[2,3-a]咔唑处理1.77g的2-溴代-5-氰基吡啶、52mg的Pd(OAc)2和280mg的9,9-二甲基-4,5-双(二苯基膦基)呫吨在104mL 1,4-二噁烷中的混合物并且添加1.09g的叔丁醇钠。将反应在115℃下加热过夜。将反应混合物冷却至室温，添加水，并用二氯甲烷萃取内容物。将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩。将粗固体溶解在二氯甲烷中并且通过用80:20至30:70的己烷:二氯甲烷洗脱的中压液相色谱法(MPLC)来纯化。将最纯的级分合并，并且通过旋转蒸发进行浓缩以给出呈黄色泡沫的产物。通过将该材料溶解于甲苯(10mL)并且穿过弗罗里硅土(100-200目)(54g)的1”直径塞，用甲苯(375mL)然后用二氯甲烷洗脱来完成该材料的进一步纯化。将最纯的级分合并，并且通过旋转蒸发进行浓缩。将产物在二氯甲烷和甲醇中溶解，并且通过旋转蒸发小心浓缩以给出一种固体，将该固体过滤，用甲醇洗涤，并且在减压下浓缩以除去二氯甲烷，并且给出呈非常浅黄色固体的I-1(3.05g，64％产率，99.99％纯度，通过超高效液相色谱法(UPLC))。在装置制备之前通过真空升华完成最终纯化。
合成实例2
这个实例说明了化合物I-2的制备。
a.2-甲硫基-4,6-二苯基嘧啶-5-腈(中间体1)的合成。
在手套箱中，向在500mL的1,4-二噁烷中的2.36g的4,6-二氯-2-(甲硫基)嘧啶-5-腈中添加2.82g的苯基硼酸、14.70g的磷酸钾、60mg的乙酸钯(II)，然后添加141mg的三苯基膦。将该反应在氮气下回流持续2.25小时，冷却至室温，并且然后通过旋转蒸发进行浓缩。添加水并且用二氯甲烷萃取内容物。将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩以给出一种固体，将该固体用45mL的2:1甲基叔丁基醚:二氯甲烷的混合物研磨，然后用甲基叔丁基醚洗涤以给出呈黄褐色固体的中间体1(2.25g，65％产率)。
b.2-甲磺酰基-4,6-二苯基嘧啶-5-腈(中间体2)的合成。
在室温下在5分钟内向在376mL二氯甲烷中的6.11g的中间体1中添加在170mL二氯甲烷中的11.75g的间氯过氧苯甲酸(77％)。2小时之后，用饱和的水性碳酸氢钠溶液、然后用饱和的亚硫酸钠、然后用饱和的水性碳酸氢钠洗涤该反应。将该有机层分离并在室温下与170mL 1M NaHSO3和一些1,4-二噁烷一起搅拌持续90分钟。将该有机层分离并用二氯甲烷萃取水层。将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩。将所得固体用75mL的2:1甲基叔丁基醚:二氯甲烷研磨以给出灰白色固体。将该固体溶解在二氯甲烷中并通过用二氯甲烷洗脱的硅胶色谱法来纯化，以在合并且浓缩了最纯的级分之后，给出呈白色固体的中间体2(5.4g，80％产率)。
c.2-羟基-4,6-二苯基嘧啶-5-腈(中间体3)的合成。
向在423mL的1,4-二噁烷中的5.7g的中间体2中添加34.0mL的1M NaOH水溶液。在室温下将该反应搅拌过夜之后，添加水(200mL)并且用浓HCl水溶液调节pH直至pH＝2。用二氯甲烷萃取内容物并且将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩，以给出呈白色固体的中间体3(5.1g，定量产率)。
d.2-氯-4,6-二苯基嘧啶-5-腈(中间体4)的合成。
向5.1g的中间体3在97mL的1,4-二噁烷中的悬浮液中添加6.8mL磷酰氯。将该反应在回流下加热持续1小时，冷却至室温，并添加水(300mL)和碳酸氢钠直至碱性。用二氯甲烷萃取内容物并且将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩，以提供橙白色固体。将粗材料通过用二氯甲烷洗脱的MPLC来纯化，合并最纯的级分，以在通过旋转蒸发进行浓缩之后，给出呈白色固体的中间体4(3.2g，经过2个步骤65％产率)。
e.11-(间三联苯)-12-(4,6-二苯基-5-氰基嘧啶-2-基)-吲哚并[2,3-a]咔唑(I-2)的合成。
在手套箱中，在室温下向在47mL N,N-二甲基甲酰胺中的4.43g的12-[3-(3-苯基苯基)苯基]-11H-吲哚并[2,3-a]咔唑中添加436mg的60％NaH。在室温下持续搅拌50分钟之后，在7分钟内添加在127mL N,N-二甲基甲酰胺中的3.2g的中间体4。在54℃下将该反应加热过夜。将反应混合物冷却至室温，并添加水(400mL)和饱和的氯化铵水溶液(20mL)。用二氯甲烷萃取内容物并且将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩。将粗材料通过用90:10至50:50的己烷:二氯甲烷洗脱的MPLC来纯化。将最纯的级分合并并且浓缩成残余物，该残余物被溶解于二氯甲烷中(30mL)。添加乙腈(50mL)并在过滤之后通过旋转蒸发的部分浓缩提供更纯净的材料。通过溶解在沸腾的二氯甲烷(30mL)和乙腈(34mL)中进行重结晶，用乙腈洗涤收集的固体之后，给出呈黄色固体的I-2(2.55g，38％产率，99.99％纯度，通过UPLC)。
合成实例3
这个实例说明了化合物I-3的制备。
在手套箱中，用3.3g的12-[3-(3-苯基苯基)苯基]-11H-吲哚并[2,3-a]咔唑和924mg的叔丁醇钠处理2.38g的2-氯-4,6-二苯基-5-氰基吡啶、44mg的乙酸钯(II)和237mg的9,9-二甲基-4,5-双(二苯基膦基)呫吨在88mL 1,4-二噁烷中的混合物。将反应在回流下加热持续10.5小时。附加的在3mL 1,4-二噁烷中的772mg的2-氯-4,6-二苯基-5-氰基吡啶。在回流下加热1.5小时之后，添加9mg的乙酸钯(II)、48mg的9,9-二甲基-4,5-双(二苯基膦基)-呫吨、和300mg的叔丁醇钠。将反应在回流下加热4小时。将反应混合物冷却至室温并且将内容物用二氯甲烷萃取，经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩。将粗固体溶解在二氯甲烷中并且通过用85:15至50:50的己烷:二氯甲烷洗脱的MPLC来纯化。将最纯的级分合并，并且通过旋转蒸发进行浓缩以给出1.87g的呈非常淡黄色固体的产物。将固体溶解在样品1:1的二氯甲烷:乙腈(60mL)中，并且部分浓缩直至一些固体沉淀。1小时之后，将固体过滤，并用乙腈洗涤，以给出呈非常淡黄色固体的I-3(1.40g，28％产率，99.99％纯度，通过UPLC)。在装置制备之前通过真空升华完成最终纯化。
合成实例4
这个实例说明了化合物I-4的制备。
在手套箱中，在室温下向在150mL N,N-二甲基甲酰胺中的5.0g的12-[3-(3-苯基苯基)苯基]-11H-吲哚并[2,3-a]咔唑中添加496mg的氢化钠在矿物油中的60％分散体。在室温下持续搅拌50分钟之后，在7分钟内添加在25mL N,N-二甲基甲酰胺中的4.0g的2-氯-4,6-二苯氧基-5-氰基嘧啶。将该反应在55℃加热6.5小时，然后冷却至室温。添加水(400mL)并且用二氯甲烷萃取内容物。将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并且浓缩至体积为45mL。添加己烷(约50mL)并过滤该混合物，并用己烷(约200mL)洗涤，以给出6.05g的呈浅黄色固体的产物。用最小量的二氯甲烷研磨该固体，然后溶解在二氯甲烷(190mL)中并通过用75:25至40:60的己烷:二氯甲烷洗脱的MPLC来纯化。将最纯的级分合并，并且通过旋转蒸发进行浓缩，以给出一种固体，使用等量的THF/己烷使该固体重结晶两次，用1:1的THF:己烷洗涤以给出呈金色晶体的I-4(1.21g，15％产率)。在装置制备之前通过真空升华完成最终纯化。
合成实例5
这个实例说明了化合物I-5的制备。
a.2,6-二苯基-嘧啶-4-酮(中间体5)的合成。
用4.74g的氢氧化钠在10mL水中的溶液处理18.47g的苯甲脒盐酸盐在47mL水中的溶液。接下来，添加21.45mL的苯甲酰乙酸乙酯，随后添加50mL乙醇，以产生均相反应，将该反应在室温下搅拌过夜。将非均相反应过滤，并用甲基叔丁基醚洗涤固体以给出呈白色固体的中间体5。(19.9g，68％产率)。
b.2,6-二苯基-5-溴代嘧啶-4-酮(中间体6)的合成。
向在570mL乙酸中的19.9g的中间体5中添加21.4g的N-溴代-琥珀酰亚胺。在室温下将该非均相反应搅拌过夜。添加水并且用二氯甲烷萃取内容物。将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩以给出一种固体，用热乙醇将该固体研磨并用乙醇洗涤两次，然后用甲基叔丁基醚洗涤一次，以给出呈白色固体的中间体6(20.25g，77％产率)。
c.2,6-二苯基-5-氰基嘧啶-4-酮(中间体7)的合成。
在手套箱中，将在145mL N,N-二甲基甲酰胺中的4.0g的中间体6和4.0g的Pd(PPh3)4加热至50℃的内部温度。接下来，添加2.88g的氢化锌，并且在118℃的内部温度下将该反应加热过夜。将该反应冷却，向该反应中添加水(1L)并且用氯仿萃取内容物。将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩以给出一种固体，将该固体用二氯甲烷研磨，以给出呈白色固体的中间体7(740mg，22％产率)。
d.2,6-二苯基-5-溴代嘧啶-4-酮(中间体8)的合成。
向4.49g的中间体7在76mL的1,4-二噁烷中的悬浮液中添加23.5mL的磷酰氯。将该反应回流持续3.5小时，冷却至室温，并且倒入在冰浴中冷却的水中。添加饱和的碳酸钠水溶液直至pH＝6，并且用二氯甲烷萃取内容物。将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩，以提供一种灰白色固体，将该固体溶解在二氯甲烷中并通过用70:30至50:50的己烷:二氯甲烷洗脱的中压液相色谱法(MPLC)来纯化。将最纯的级分合并，并且通过旋转蒸发进行浓缩以给出呈白色固体的中间体8(3.15g，66％产率)。
e.11-(间三联苯)-12-(2,6-二苯基-5-氰基嘧啶-4-基)-吲哚并[2,3-a]咔唑(I-5)的合成。
在手套箱中，在室温下向在31mL DMF中的4.30g的12-[3-(3-苯基苯基)苯基]-11H-吲哚并[2,3-a]咔唑中添加在10mL DMF中的434mg 60％NaH。在室温下搅拌持续1小时之后，添加在103mL DMF中的3.1g的中间体8。将反应在60℃-65℃之间加热。3小时之后，添加附加的在1mL DMF中的55mg NaH(60％，在矿物油中)。将该反应搅拌过夜之后，添加水(500mL)和饱和的氯化铵水溶液(10mL)。用二氯甲烷萃取内容物并且将合并的有机层经硫酸钠干燥，过滤，并通过旋转蒸发进行浓缩，以给出金橙色油。将粗材料通过用90:10至50:50的己烷:二氯甲烷洗脱的MPLC来纯化。将最纯的级分合并，并且通过旋转蒸发进行浓缩，以给出一种黄色固体，将该固体溶解在二氯甲烷中，过滤，并通过从二氯甲烷/乙腈中旋转蒸发小心进行浓缩，以给出呈黄色固体的I-5(1.32g，22％产率，99.99％纯度，通过UPLC)。在装置制备之前通过真空升华完成最终纯化。
装置实例
(1)材料
D1是环金属化铱络合物。此类材料已经描述于例如公布的PCT申请WO2013142634中。
D2是环金属化铱络合物。此类材料已描述于例如美国专利7,276,716中。
ET-1是芳基氧化膦。
ET-2是喹啉锂。
HIJ-1为空穴注入材料，其由导电聚合物和聚合氟化磺酸的水性分散体制成。此类材料已经在例如美国专利7,351,358、7,431,866、7,462,298，以及公开的PCT申请WO 2009/018009中披露。
以下示出的主体H1是吲哚并咔唑。此类材料已经描述于例如公布的PCT申请WO2012087955中。
以下示出的主体H2是氘代氨基-化合物。此类材料已描述于例如美国专利8,968,883中。
HTM-1是三芳基胺聚合物。
(2)装置制造
通过溶液加工和热蒸发技术的组合来制造OLED装置。使用来自薄膜装置公司(Thin Film Devices,Inc)的图案化的氧化铟锡(ITO)涂覆的玻璃基板。这些ITO基板基于涂覆有ITO的Corning 1737玻璃，所述ITO具有30欧/平方的薄层电阻和80％的透光率。在水性洗涤剂溶液中超声清洁图案化的ITO基板并用蒸馏水冲洗。随后在丙酮中超声清洁图案化的ITO，用异丙醇冲洗并且在氮气流中干燥。
在即将制造装置之前，将清洁的、图案化的ITO基板用紫外臭氧处理10分钟。在冷却之后立即在ITO表面之上旋涂HIJ-1的水性分散体并且加热以去除溶剂，以形成空穴注入层(“HIL”)。冷却之后，然后用空穴传输材料的甲苯溶液旋涂这些基板，并且然后加热以除去溶剂，以形成空穴传输层(“HTL”)。冷却之后，将这些基板用主体和掺杂剂的苯甲酸甲酯溶液旋涂，并且加热以除去溶剂，以形成电致发光层(“EML”)。将这些基板掩蔽并且放置于真空室中。通过热蒸发沉积电子传输材料层，以形成电子传输层(“ETL”)。然后在真空下更换掩模并通过热蒸发沉积Al层，以形成阴极。将室排气，并且使用玻璃盖、干燥剂和紫外可固化环氧化物来封装这些装置。
(3)装置表征
OLED装置通过测量它们的(1)电流-电压(I-V)曲线、(2)相对于电压的电致发光辐射和(3)相对于电压的电致发光光谱来表征。所有三个测量同时进行并且由计算机控制。通过将LED的电致发光辐射除以运行装置所需的电流密度来确定某一电压下装置的电流效率。单位为cd/A。功率效率是电流效率除以工作电压。单位为lm/W。使用Minolta CS-100色度计或Photoresearch PR-705色度计确定颜色坐标。
装置实例1-4
这些实例说明了具有式I的材料作为装置中的主体材料的用途。这些装置如以上所述被制造并具有以下层。
阳极＝ITO(50nm)
HIL＝HIJ-1(50nm)
HTL＝HTM-1:HTM-2(8:2，按重量计)(18nm)
EML＝44wt％第一主体，40wt％第二主体H1，以及16wt％D1(53nm)。第一主体在以下表1中给出。
ETL＝ET-1:ET-2(2:3，按重量计)(20nm)
阴极＝Al(100nm)
结果在以下表1中给出。
表1.装置结果
除T95之外的所有数据在2000尼特下。CE是电流效率；EQE＝外量子效率；T95是在5mA/cm2和50℃下装置达到初始亮度的95％的以小时计的时间。
装置实例5-7
这些实例说明了具有式I的材料作为装置中的主体材料的用途。这些装置如以上所述被制造并具有以下层。
阳极＝ITO(50nm)
HIL＝HIJ-1(78nm)
HTL＝HTM-1:HTM-2(8:2，按重量计)(18nm)
EML＝65wt％第一主体，21wt％第二主体H2，8wt％D2和6wt％D1(64nm)。第一主体在以下表2中给出。
ETL＝ET-1:ET-2(2:3，按重量计)(22nm)
阴极＝Al(100nm)
结果在以下表2中给出。
表2.装置结果
除T95之外的所有数据在2000尼特下。CE是电流效率；EQE＝外量子效率；T95是在8mA/cm2和50℃下装置达到初始亮度的95％的以小时计的时间。
应注意的是，并不是所有的以上在一般性描述或实例中所描述的活动都是必需的，一部分具体活动可能不是必需的，并且除了所描述的那些以外，还可进行一个或多个其他活动。此外，所列举的活动的顺序不必是它们实施的顺序。
在前述说明书中，已参考具体实施例描述了概念。然而，本领域的普通技术人员理解，在不脱离以下权利要求中所规定的本发明范围的情况下可作出各种修改和改变。因此，说明书和附图应被认为是示例性的而非限制意义，并且所有的此类修改均旨在包括于本发明的范围内。
上面已经关于具体实施例描述了益处、其他优点和问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案、以及可能引起任何益处、优点、或解决方案出现或使其变得更明显的一个或多个任何特征不会被解释为任何或所有权利要求的关键的、必要的或基本的特征。
要理解的是，为清楚起见，此处在单独实施例的背景下所述的某些特征还可以以组合形式在单个实施例中提供。相反地，为了简洁起见，在单个实施例的背景下所述的各个特征也可以单独地或以任何子组合提供。在此处指定的各个范围内的数值的使用表述为近似值，就像所述范围内的最小值和最大值二者前面都有单词“约”。以这种方式，可以使用高于和低于所述范围的轻微变化来实现与这些范围内的值基本上相同的结果。而且，这些范围的公开还旨在作为包括在最小与最大平均值之间的每个值的连续范围，包括当一个值的一些分量与不同值的分量混合时可产生的分数值。此外，当公开更宽和更窄的范围时，在本发明的期望内，使来自一个范围的最小值与来自另一个范围的最大值匹配，并且反之亦然。

Claims (17)

1.一种包含具有至少一个具有式I的取代基的N-杂环的化合物
其中：
Q1、Q2、Q3、Q4和Q5是相同或不同的并且选自由N和CR1组成的组；
R1在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1至Q5中的至少一个是N并且Q1至Q5中的至少一个是C-CN。
2.如权利要求1所述的化合物，其中，该N-杂环是稠环N-杂环，其具有至少两个具有至少一个环N的稠合芳环。
3.如权利要求1所述的化合物，其中，该N-杂环选自由以下各项组成的组：咔唑、苯并咔唑、二苯并咔唑、吲哚并咔唑、吲哚、吲哚并吲哚、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
4.如权利要求1所述的化合物，其中，该N-杂环选自由以下各项组成的组：具有式II的咔唑，具有式II-a、式II-b或式II-c的苯并咔唑，具有式II-d、式II-e或式II-f的二苯并咔唑，具有式III-a的吲哚，以及具有式III-b的吲哚并吲哚
其中：
Ar1选自由以下各项组成的组：烃芳基、杂芳基、以及其氘代类似物；
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1在每次出现时是相同或不同的并且为从0至4的整数；
c和c1在每次出现时是相同或不同的并且为从0至2的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
5.如权利要求1所述的化合物，其中，该N-杂环是具有式IV-a、式IV-b、式IV-c、式IV-d或式IV-e的吲哚并咔唑
其中：
Ar1选自由以下各项组成的组：烃芳基、杂芳基、以及其氘代类似物；
R4在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、氟芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代部分氟化芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、以及氘代甲硅烷氧基，其中相邻的R4基团可以连接在一起以形成稠环；
a和a1是相同或不同的并且是从0至4的整数；
c是从0至2的整数；并且
**表示与该具有式I的取代基的附接点。
6.如权利要求1所述的化合物，其中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中，R1是H或D。
7.如权利要求1所述的化合物，其中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是具有6-24个环碳的烃芳基或其氘代类似物。
8.如权利要求1所述的化合物，其中，Q1至Q5中的至少一个是CR1，其中R1是烃芳氧基或氘代烃芳氧基。
9.如权利要求1所述的化合物，其中，该取代基团具有式IA
其中：
Q1、Q3和Q5是相同或不同的并且选自由N和CR3组成的组；
R1、R2和R3在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1、Q3和Q5中的至少一个是N并且Q1、Q3和Q5中的至少一个是C-CN。
10.如权利要求1所述的化合物，其中，该取代基具有式IB
其中：
Q1和Q3是相同或不同的并且选自由N和CR3组成的组；
R1、R2和R3在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成的组：H、D、CN、烃芳基、杂芳基、氘代烃芳基、以及氘代杂芳基；并且
*表示与该N-杂环中N的附接点；
其前提是Q1和Q3中的至少一个是C-CN。
11.一种组合物，包含(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂，(b)根据权利要求1所述的第一主体化合物，以及(c)第二主体化合物。
12.一种有机电子装置，包括阳极、阴极和在其间的至少一个有机活性层，其中，该有机活性层包含根据权利要求1所述的化合物。
13.如权利要求12所述的装置，其中该有机活性层是光活性层。
14.如权利要求13所述的装置，其中，根据权利要求1所述的化合物是第一主体化合物并且该光活性层进一步包含(a)能够具有在380与750nm之间的发射最大值的电致发光的掺杂剂，以及(c)第二主体化合物。
15.如权利要求14所述的装置，其中，该第二主体选自由以下各项组成的组：吲哚并咔唑、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。
16.如权利要求12所述的装置，其中，该有机活性层是电子传输层。
17.一种选自化合物I-1至化合物I-5的化合物
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