JP6821234B2 - 電気活性材料 - Google Patents

Description

本開示は、新規電気活性化合物に関する。本開示はさらに、そのような電気活性化合物を含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスに関する。

ＯＬＥＤディスプレイを構成する、有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）などの、有機電子デバイスにおいて、１つ以上の有機電気活性層が２つの電気コンタクト層の間に挟まれる。ＯＬＥＤにおいて、少なくとも１つの有機電気活性層は、電気コンタクト層にわたって電圧を印加した時に光透過性電気コンタクト層を通して発光する。

発光ダイオード中の発光成分として有機エレクトロルミネセンス化合物を使用することは周知である。簡単な有機分子、共役ポリマー、および有機金属錯体が使用されている。発光材料は、単独で使用されてもよいし、または電気活性ホスト材料中に存在してもよい。

エレクトロルミネセンス材料を使用するデバイスは頻繁に、光活性（例えば、発光）層とコンタクト層（正孔注入コンタクト層）との間に配置される、１つ以上の電荷輸送層を含む。デバイスは、２つ以上のコンタクト層を含有することができる。正孔輸送層は、光活性層と正孔注入コンタクト層との間に配置することができる。正孔注入コンタクト層はまた、アノードと呼ばれてもよい。電子輸送層は、光活性層と電子注入コンタクト層との間に配置することができる。電子注入コンタクト層はまた、カソードと呼ばれてもよい。

電子デバイスに使用するための電気活性材料は、継続的に必要とされている。

式Ｉ

（式中：
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、およびＱ５は、同じまたは異なるものであり、ＮおよびＣＲ¹からなる群から選択され；
Ｒ¹は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、炭化水素アリール、ヘテロアール、重水素化炭化水素アリール、および重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され；
＊は、Ｎ−複素環中のＮへの結合点を表し；
ただし、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＮであり、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣ−ＣＮである）
の少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む化合物が提供される。

（ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）式Ｉの置換基を有するＮ−複素環を含む第１ホスト化合物、および（ｃ）第２ホスト化合物を含む組成物もまた提供される。

式Ｉの置換基を有するＮ−複素環を含む化合物を含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスもまた提供される。

前述の概要および以下の詳細な説明は、例示的な、かつ、説明的なものであるにすぎず、添付の特許請求の範囲において規定されるような、本発明を限定するものではない。

実施形態は、本明細書に示されるような概念の理解を深めるために添付図において例示される。

本明細書に記載される新規化合物を含む有機電子デバイスの一例の図解を含む。 本明細書に記載される新規化合物を含む有機電子デバイスの別の例の図解を含む。

当業者は、図中の対象物が簡潔にかつ明確にするために例示されており、必ずしも一定の縮尺で描かれたものではないことを十分理解する。例えば、図中の対象物のいくつかの寸法は、実施形態の理解を深めるのに役立つように、他の対象物に対して誇張されている場合がある。

以下に詳細に記載されるように、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である化合物が提供される。

さらに、（ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）第２ホスト化合物を含む組成物が提供される。

さらに、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である化合物を含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスが提供される。

さらに、上で記載された組成物の１つを含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスが提供される。

多くの態様および実施形態が、上で記載されており、例示的であるにすぎず、限定的ではない。本明細書を読んだ後に、当業者は、他の態様および実施形態が本発明の範囲から逸脱することなしに可能であることを十分理解する。

実施形態の任意の１つ以上の他の特徴および利益が、以下の詳細な説明から、および特許請求の範囲から明らかであろう。詳細な説明は先ず、用語の定義および明確化に取り組み、これに、式Ｉの置換基を有する化合物、式Ｉの置換基を有する化合物を含む組成物、電子デバイス、および最後に実施例が続く。

１．用語の定義および明確化
以下に記載される実施形態の詳細に取り組む前に、いくつかの用語が定義されるまたは明らかにされる。

「用語の定義および明確化」において用いるところでは、Ｒ、Ｒ’およびＲ”ならびに任意の他の変数は、総称であり、式中で定義されるものと同じものであってもよいし、またはそれとは異なるものであってもよい。

本明細書で用いるところでは、用語「アルキル」は、分岐および直鎖の飽和脂肪族炭化水素基を包含する。特に明記しない限り、この用語はまた、環状基を包含することを意図する。アルキル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃブチル、ｔｅｒｔブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、イソヘキシル等が挙げられる。用語「アルキル」は、置換および非置換炭化水素基の両方をさらに包含する。いくつかの実施形態において、アルキル基は、モノ−、ジ−およびトリ−置換されていてもよい。置換アルキル基の一例はトリフルオロメチルである。他の置換アルキル基は、本明細書に記載される置換基の１つ以上から形成される。特定の実施形態において、アルキル基は、１〜２０個の炭素原子を有する。他の実施形態において、この基は、１〜６個の炭素原子を有する。この用語は、ヘテロアルキル基を包含することを意図する。ヘテロアルキル基は、１〜２０個の炭素原子を有してもよい。

用語「芳香族化合物」は、４ｎ＋２の非局在化パイ電子を有する少なくとも１つの不飽和環状基を含む有機化合物を意味することを意図する。この用語は、炭素および水素原子のみを有する芳香族化合物、および環状基内の炭素原子の１つ以上が窒素、酸素、硫黄等の、別の原子によって置換されているヘテロ芳香族化合物の両方を包含することを意図する。

用語「アリール」または「アリール基」は、芳香族化合物に由来する部分を意味する。化合物「に由来する」基は、１個以上の水素（「Ｈ」）または重水素（「Ｄ」）の除去によって形成されるラジカルを示す。アリール基は、単環（単環式）であってもよいし、または一緒に縮合したまたは共有結合によって結合した複数環（二環式以上）を有してもよい。「炭化水素アリール」は、芳香環中に炭素原子のみを有する。「ヘテロアリール」は、少なくとも１つの芳香環中に１つ以上のヘテロ原子を有する。いくつかの実施形態において、炭化水素アリール基は、６〜６０個の環炭素原子を有し；いくつかの実施形態において、６〜３０個の環炭素原子を有する。いくつかの実施形態において、ヘテロアリール基は、４〜５０個の環炭素原子を有し；いくつかの実施形態において、４〜３０個の環炭素原子を有する。

用語「アルコキシ」は、基−ＯＲ（式中、Ｒはアルキルである）を意味することを意図する。

用語「アリールオキシ」は、基−ＯＲ（式中、Ｒはアリールである）を意味することを意図する。

特に明記しない限り、すべての基は、置換または非置換であり得る。アルキルまたはアリールなどの、しかしそれらに限定されない、場合により置換されている基は、同じまたは異なるものであってもよい１つ以上の置換基で置換されていてもよい。好適な置換基には、Ｄ、アルキル、アリール、ニトロ、シアノ、−Ｎ（Ｒ’）（Ｒ’’）、ハロ、ヒドロキシ、カルボキシ、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アルコキシカルボニル、ペルフルオロアルキル、ペルフルオロアルコキシ、アリールアルキル、シリル、シロキシ、シロキサン、チオアルコキシ、−Ｓ（Ｏ）₂−Ｎ（Ｒ’）（Ｒ’’）、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ’）（Ｒ’’）、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ−アルキル、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ−アルコキシアルキル、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ−アルキルアリールオキシアルキル、−Ｓ（Ｏ）_s−アリール（式中、ｓ＝０〜２）または−Ｓ（Ｏ）_s−ヘテロアリール（式中、ｓ＝０〜２）が含まれる。各Ｒ’およびＲ’’は独立して、場合により置換されているアルキル、シクロアルキル、またはアリール基である。特定の実施形態において、Ｒ’およびＲ’’は、それらが結合している窒素原子と一緒に、環系を形成することができる。置換基はまた、架橋基であってもよい。利用可能な水素を持った先行基のいずれもまた重水素化されていてもよい。

用語「電荷輸送」は、層、材料、部材、または構造に言及している場合、そのような層、材料、部材、または構造が、比較的効率よく、かつ小さい電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造の厚さを通してそのような電荷の移動を容易にすることを意味することを意図する。正孔輸送材料は正電荷を容易にし、電子輸送材料は負電荷を容易にする。発光材料もまたいくつかの電荷輸送特性を有していてもよいが、用語「電荷輸送層、材料、部材、または構造」は、その一次機能が発光である層、材料、部材、または構造を包含することを意図しない。

用語「化合物」は、化学結合を破壊することなく物理的手段によってそれらの相当する分子から原子を分離することができない、原子をさらに含む分子から構成される非荷電物質を意味することを意図する。この用語は、オリゴマーおよびポリマーを包含することを意図する。

用語「重水素化（されている）」は、少なくとも１個の水素（「Ｈ」）が重水素（「Ｄ」）によって置換されていることを意味することを意図する。用語「重水素化類似体」は、１つ以上の利用可能な水素が重水素で置換されている化合物または基の構造類似体を指す。重水素化化合物または重水素化類似体において、重水素は、天然存在度レベルの少なくとも１００倍存在している。

用語「ドーパント」は、ホスト材料を含む層内で、その層の電子的特性、または放射線放出、受容、もしくはフィルタリングの目標波長を、そのような材料のない層の電子的特性、または放射線放出、受容、もしくはフィルタリングの波長に比べて変化させる材料を意味することを意図する。

用語「電気活性」は、それが層または材料に言及するところでは、デバイスの動作を電子的に容易にする層または材料を示すことを意図する。電気活性材料の例としては、電荷（電荷は、電子か正孔かのいずれでもあり得る）を導く、注入する、輸送する、もしくはブロックする材料、または放射線を発する材料もしくは放射線を受ける時に電子−正孔対の濃度の変化を示す材料が挙げられるが、それらに限定されない。不活性材料の例としては、平坦化材料、絶縁材料、および環境バリア材が挙げられるが、それらに限定されない。

接頭辞「フルオロ」は、基中の１個以上の水素原子がフッ素で置換されていることを示すことを意図する。

用語「ゲルミル」は、基Ｒ₃Ｇｅ−（式中、Ｒは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、Ｃ１〜２０アルキル、重水素化アルキル、フルオロアルキル、アリール、または重水素化アリールである）を指す。重水素化ゲルミル基は、１つ以上のＲ基が重水素化されているものである。

接頭辞「ヘテロ」は、１個以上の炭素原子が異なる原子で置換されていることを示す。いくつかの実施形態において、ヘテロ原子は、Ｏ、Ｎ、Ｓ、またはそれらの組み合わせである。

用語「ホスト材料」は、ドーパントが添加される材料を意味することを意図する。ホスト材料は、電子的特性、または放射線を発する、受容する、もしくはフィルタする能力を有してもよいし、または有していなくてもよい。いくつかの実施形態において、ホスト材料は、より高い濃度で存在する。

用語「液体組成物」は、材料が溶解して溶液を形成する液体媒体、材料が分散して分散系を形成する液体媒体、または材料が懸濁して懸濁液もしくはエマルションを形成する液体媒体を意味することを意図する。

用語「光活性」は、（発光ダイオードもしくは化学セルにおけるなどの）印加電圧によって活性化されるときに発光する材料もしくは層、（ダウンコンバート燐光体デバイスにおけるなどの）光子の吸収後に発光する材料もしくは層、または（光検出器もしくは光起電力セルにおけるなどの）輻射エネルギーに応答し、印加バイアス電圧を使用してまたは使用せずに信号を発生する材料もしくは層を指す。

用語「シロキサン」は、基Ｒ₃ＳｉＯＲ₂Ｓｉ−（式中、Ｒは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、Ｃ１〜２０アルキル、重水素化アルキル、フルオロアルキル、アリール、または重水素化アリールである）を指す。いくつかの実施形態において、Ｒアルキル基中の１個以上の炭素は、Ｓｉで置換されている。重水素化シロキサン基は、１つ以上のＲ基が重水素化されているものである。

用語「シロキシ」は、基Ｒ₃ＳｉＯ−（式中、Ｒは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、Ｃ１〜２０アルキル、重水素化アルキル、フルオロアルキル、アリール、または重水素化アリールである）を指す。重水素化シロキシ基は、１つ以上のＲ基が重水素化されているものである。

用語「シリル」は、基Ｒ₃Ｓｉ−（式中、Ｒは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、Ｃ１〜２０アルキル、重水素化アルキル、フルオロアルキル、アリール、または重水素化アリールである）を指す。いくつかの実施形態において、Ｒアルキル基中の１個以上の炭素はＳｉで置換されている。重水素化シリル基は、１つ以上のＲ基が重水素化されているものである。

置換基結合が以下に示されるように１つ以上の環を貫通する構造において、

置換基Ｒは１つ以上の環上の任意の利用可能な位置で結合していてもよいことが意味される。

語句「に隣接した（ａｄｊａｃｅｎｔ ｔｏ）」は、デバイスにおける層に言及するために用いられる場合、１つの層が別の層のすぐ隣りにあることを必ずしも意味しない。他方で、語句「隣接Ｒ基（ａｄｊａｃｅｎｔ Ｒ ｇｒｏｕｐ）」は、化学式中で互いに隣りにあるＲ基（すなわち、結合によって連結された原子上にあるＲ基）を指すために用いられる。例示的な隣接Ｒ基は以下に示される：

本明細書において、特に明示的に述べられないか、または使用に関連してそれとは反対を示されない限り、本明細書の主題の実施形態が、ある特定の特徴または要素を含む、包含する、含有する、有する、それらからなる、またはそれらによってもしくはそれらから構成されると述べられまたは記載される場合、明示的に述べられたまたは記載されたものに加えて１つ以上の特徴または要素が実施形態に存在してもよい。本明細書の開示された主題の代わりの実施形態であって、その実施形態において、操作の原理または実施形態の際立った特性を実質的に変えるだろう特徴または要素がそこに存在しない実施形態は、特定の特徴または要素から本質的になると記載される。本明細書の記載された主題のさらなる代わりの実施形態であって、その実施形態において、またはその実態のない変形において、具体的に述べられたまたは記載された特徴または要素のみが存在する実施形態は、ある特定の特徴または要素からなると記載される。

さらに、明確にそれとは反対をはっきりと述べられない限り、「または（ｏｒ）」は、包括的な「または」を意味し、排他的な「または」を意味しない。例えば、条件ＡまたはＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａが真であり（または存在し）、かつＢが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在せず）、かつＢが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢが両方とも真である（または存在する）。

また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本明細書に記載される要素および成分を記載するために用いられる。これは、便宜上および本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われるにすぎない。この記載は、１つまたは少なくとも１つを包含すると解釈されるべきであり、単数はまた、それが別の意味を有することが明らかでない限り複数をも包含する。

元素の周期表内の列に相当する族番号は、ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１^st Ｅｄｉｔｉｏｎ（２０００〜２００１年）に見られるような「新表記法」規約を使用する。

特に定義しない限り、本明細書に用いられるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されるものと同一の意味を有する。本明細書に記載されるものと同様のまたは同等の方法および材料を、本発明の実施形態の実施または試験において用いることができるが、好適な方法および材料は、以下に記載される。本明細書に述べられるすべての刊行物、特許出願、特許、および他の参考文献は、特定の節が引用されない限り、それらの全体を参照により本明細書に援用される。不一致がある場合、定義を含めて、本明細書が優先される。さらに、材料、方法、および実施例は、例証的であるにすぎず、限定的であることを意図しない。

本明細書に記載されていない範囲まで、特定の材料、処理動作、および回路に関する多くの詳細は、従来のものであり、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光起電力、および半導体部材技術内の教科書および他の情報源に見いだされ得る。

２．式Ｉの置換基を有する化合物
化合物が、式Ｉ

（式中：
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、およびＱ５は、同じまたは異なるものであり、ＮおよびＣＲ¹からなる群から選択され；
Ｒ¹は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、炭化水素アリール、ヘテロアリール、重水素化炭化水素アリール、および重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され；
＊は、Ｎ−複素環中のＮへの結合点を表し；
ただし、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＮであり、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣ−ＣＮである）
の置換基を有するＮ−複素環である、化合物が提供される。

いくつかの実施形態において、化合物は重水素化されている。いくつかの実施形態において、化合物は少なくとも１０％重水素化されている。「％重水素化されている」または「％重水素化」とは、百分率として表される、重陽子対プロトンプラス重陽子の合計の比を意味する。いくつかの実施形態において、化合物は少なくとも２０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも３０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも４０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも５０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも６０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも７０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも８０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも９０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、１００％重水素化されている。

いくつかの実施形態において、重水素化は、Ｎ−複素環上に存在する。

いくつかの実施形態において、重水素化は、式Ｉの置換基上に存在する。

いくつかの実施形態において、重水素化は、Ｎ−複素環および式Ｉの置換基の両方上に存在する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、少なくとも１個の環Ｎを持った少なくとも２つの縮合芳香環を有する縮合環Ｎ−複素環である。いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、少なくとも１個の環Ｎを持った少なくとも３つの縮合芳香環を有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ジベンゾカルバゾール、インドロカルバゾール、インドール、インドロインドール、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、ベンゾカルバゾール、ジベンゾカルバゾール、インドロカルバゾール、インドール、インドロインドール、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、インドロカルバゾール、インドール、インドロインドール、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ

（式中：
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ａおよびａ１は、同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
＊＊は、式Ｉを有する置換基への結合点を表す）
を有するカラバゾールである。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＝０である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＝１である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＝２である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＝３である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＝４である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＞０である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴はＤである。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、アルキルまたは重水素化アルキルである。いくつかの実施形態において、アルキルは、１〜２０個の炭素を有し；いくつかの実施形態において、１〜１２個の炭素を有し；いくつかの実施形態において、１〜８個の炭素を有する。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、炭化水素アリールまたは重水素化炭化水素アリールである。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、式ａ

（式中：
Ｒ⁵は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シロキサン、シリル、ゲルミル、ジアリールアミノ、カルバゾリル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シロキサン、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化ジアリールアミノ、および重水素化カルバゾリルからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁵基は、互いに結合して縮合芳香環または重水素化縮合芳香環を形成することができ；
ｐは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
ｑは、０〜５の整数であり；
ｒは、１〜５の整数であり；
＃は、結合点を示す）
を有する。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、式ｂ

（式中、Ｒ⁵、ｐ、ｑ、ｒおよび＃は、式ａにおけるのと同様である）
を有する。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素類似体からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、置換基は、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、ゲルミル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ１＝０である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ１＝１である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ１＝２である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ１＝３である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ１＝４である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ１＞０である。

式ＩＩのいくつかの実施形態において、ａ１＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は上で記載されたとおりである。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ａ、式ＩＩ−ｂ、または式ＩＩ−ｃ

（式中：
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ａおよびａ１は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
ｃは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、０〜２の整数であり；
＊＊は、式Ｉを有する置換基への結合点を表す）
を有するベンゾカルバゾールである。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ａを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ｂを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ｃを有する。

式ＩＩ−ａ、式ＩＩ−ｂ、および式ＩＩ−ｃのいくつかの実施形態において、ｃ＝０である。

式ＩＩ−ａ、式ＩＩ−ｂ、および式ＩＩ−ｃのいくつかの実施形態において、ｃ＝１である。

式ＩＩ−ａ、式ＩＩ−ｂ、および式ＩＩ−ｃのいくつかの実施形態において、ｃ＝２である。

式ＩＩ−ａ、式ＩＩ−ｂ、および式ＩＩ−ｃのいくつかの実施形態において、ｃ＞０である。

式ＩＩ中のａ、ａ１、およびＲ⁴についての上記の実施形態は、式ＩＩ−ａ、式ＩＩ−ｂ、および式ＩＩ−ｃ中のａ、ａ１、およびＲ⁴に同様に当てはまる。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ｄ、式ＩＩ−ｅ、または式ＩＩ−ｆ

（式中：
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ａおよびａ１は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
ｃおよびｃ１は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、０〜２の整数であり；
＊＊は、式Ｉを有する置換基への結合点を表す）
を有するジベンゾカルバゾールである。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ｄを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ｅを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩ−ｆを有する。

式ＩＩ−ｄ、式ＩＩ−ｅ、および式ＩＩ−ｆのいくつかの実施形態において、ｃ１＝０である。

式ＩＩ−ｄ、式ＩＩ−ｅ、および式ＩＩ−ｆのいくつかの実施形態において、ｃ１＝１である。

式ＩＩ−ｄ、式ＩＩ−ｅ、および式ＩＩ−ｆのいくつかの実施形態において、ｃ１＝２である。

式ＩＩ−ｄ、式ＩＩ−ｅ、および式ＩＩ−ｆのいくつかの実施形態において、ｃ１＞０である。

式ＩＩ−ａ中のａ、ａ１、ｃ、およびＲ⁴についての上記の実施形態は、式ＩＩ−ｄ、式ＩＩ−ｅ、および式ＩＩ−ｆ中のａ、ａ１、ｃ、およびＲ⁴に同様に当てはまる。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩＩ−ａ

（式中：
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ａは、０〜４の整数であり；
ｃは、０〜２の整数であり；
＊＊は、式Ｉを有する置換基への結合点を表す）
を有するインドールである。

式ＩＩ−ａ中のａ、ｃ、およびＲ⁴についての上記の実施形態は、式ＩＩＩ−ａ中のａ、ｃ、およびＲ⁴に同様に当てはまる。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＩＩ−ｂ

（式中：
Ａｒ¹は、炭化水素アリール、ヘテロアリール、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択され；
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ａおよびａ１は、同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
＊＊は、式Ｉを有する置換基への結合点を表す）
を有するインドロインドールである。

式ＩＩＩ−ｂのいくつかの実施形態において、Ａｒ¹は、炭化水素アリールまたはそれの重水素化類似体である。いくつかの実施形態において、炭化水素アリールは、６〜２４個の環炭素を有する。

式ＩＩＩ−ｂのいくつかの実施形態において、Ａｒ¹は、上で定義されたような、式ａを有する。

式ＩＩＩ−ｂのいくつかの実施形態において、Ａｒ¹は、上で定義されたような、式ｂを有する。

式ＩＩＩ−ｂのいくつかの実施形態において、Ａｒ¹は、非芳香族置換基をまったく持たない炭化水素アリールである。

式ＩＩＩ−ｂのいくつかの実施形態において、Ａｒ¹は、他の置換基をまったく持たない重水素化炭化水素アリールである。

式ＩＩＩ−ｂのいくつかの実施形態において、Ａｒ¹は置換炭化水素アリールである。いくつかの実施形態において、置換基は、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、ゲルミル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式ＩＩＩ−ｂのいくつかの実施形態において、Ａｒ¹は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、テルフェニル、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

式ＩＩ−ａ中のａ、ａ１、およびＲ⁴について上記の実施形態は、式ＩＩＩ−ｂ中のａ、ａ１、およびＲ⁴に同様に当てはまる。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＶ−ａ、式ＩＶ−ｂ、式ＩＶ−ｃ、式ＩＶ−ｄ、または式ＩＶ−ｅ

（式中：
Ａｒ¹は、炭化水素アリール、ヘテロアリール、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択され；
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ａおよびａ１は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
ｃは、０〜２の整数であり；
＊＊は、式Ｉを有する置換基への結合点を表す）
を有するインドロカルバゾールである。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＶ−ａを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＶ−ｂを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＶ−ｃを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＶ−ｄを有する。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式ＩＶ−ｅを有する。

式ＩＩＩ−ｂ中のａ、ａ１、ｃ、Ａｒ¹、およびＲ⁴について上記の実施形態は、式ＩＶ−ａ、式ＩＶ−ｂ、式ＩＶ−ｃ、式ＩＶ−ｄ、および式ＩＶ−ｅ中のａ、ａ１、ｃ、Ａｒ¹、およびＲ⁴に同様に当てはまる。

Ｎ−複素環は、式Ｉ

（式中：
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、およびＱ５は、同じまたは異なるものであり、ＮおよびＣＲ¹からなる群から選択され；
Ｒ¹は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、炭化水素アリール、ヘテロアリール、重水素化炭化水素アリール、および重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され；
＊は、Ｎ−複素環中のＮへの結合点を表し；
ただし、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＮであり、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣ−ＣＮである）
を有する少なくとも１つの置換基を有する。

式Ｉの置換基は、Ｎ−複素環中の環窒素に直接結合している。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環は、式Ｉのただ１つの置換基を有する。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝Ｎである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ２＝Ｎである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝Ｎである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ４＝Ｎである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ５＝Ｎである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝ＣＲ¹である。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ２＝ＣＲ¹である。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝ＣＲ¹である。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ４＝ＣＲ¹である。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ５＝ＣＲ¹である。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝Ｃ−ＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ２＝Ｃ−ＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝Ｃ−ＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ４＝Ｃ−ＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ５＝Ｃ−ＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の２つはＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の１つのみがＣ−ＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、ＨまたはＤである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、炭化水素アリールまたはその重水素化類似体である。いくつかの実施形態において、炭化水素アリールは、６〜２４個の環炭素を有する。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、上で定義されたような、式ａを有する。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、上で定義されたような、式ｂを有する。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、非芳香族置換基をまったく持たない炭化水素アリールである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、他の置換基をまったく持たない重水素化炭化水素アリールである。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、置換炭化水素アリールである。いくつかの実施形態において、置換基は、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、ゲルミル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ビナフチル、テルフェニル、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、アリールオキシまたは重水素化アリールオキシ基である。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、炭化水素アリールオキシまたは重水素化炭化水素アリールオキシ基である。いくつかの実施形態において、アリールオキシ基のアリール部分は、６〜１８個の環炭素を有し；いくつかの実施形態において、６〜１２個の環炭素を有する。

式Ｉのいくつかの実施形態において、Ｑ１〜Ｑ５の少なくとも１つはＣＲ¹であり、ここで、Ｒ¹は、フェノキシ、その置換誘導体、およびその重水素化類似体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、Ｎ−複素環上の置換基は、式ＩＡ

（式中：
Ｑ１、Ｑ３、およびＱ５は、同じまたは異なるものであり、ＮおよびＣＲ¹からなる群から選択され；
Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、炭化水素アリール、ヘテロアリール、重水素化炭化水素アリール、および重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され；
＊は、Ｎ−複素環中のＮへの結合点を表し；
ただし、Ｑ１、Ｑ３、およびＱ５の少なくとも１つはＮであり、Ｑ１、Ｑ３、およびＱ５の少なくとも１つはＣ−ＣＮである）
を有する。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝Ｎである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝Ｎである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ５＝Ｎである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝ＣＲ³である。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝ＣＲ³である。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ５＝ＣＲ³である。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝Ｃ−ＣＮである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝Ｃ−ＣＮである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｑ５＝Ｃ−ＣＮである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²＝Ｒ³である。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²≠Ｒ³である。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、ＨまたはＤである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、炭化水素アリールまたはその重水素化類似体である。いくつかの実施形態において、炭化水素アリールは、６〜２４個の環炭素を有する。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、上で定義されたような、式ａを有する。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、上で定義されたような、式ｂを有する。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、非芳香族置換基をまったく持たない炭化水素アリールである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、他の置換基をまったく持たない重水素化炭化水素アリールである。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、置換炭化水素アリールである。いくつかの実施形態において、置換基は、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、ゲルミル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ビナフチル、テルフェニル、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、アリールオキシまたは重水素化アリールオキシ基である。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、炭化水素アリールオキシまたは重水素化炭化水素アリールオキシ基である。いくつかの実施形態において、アリールオキシ基のアリール部分は、６〜１８個の環炭素を有し；いくつかの実施形態において、６〜１２個の環炭素を有する。

式ＩＡのいくつかの実施形態において、Ｒ²は、フェノキシ、その置換誘導体、およびその重水素化類似体からなる群から選択される。

Ｒ²について上記の実施形態のすべてが、Ｒ³に同様に当てはまる。

いくつかの実施形態において、置換基は、式ＩＢ

（式中：
Ｑ１およびＱ３は、同じまたは異なるものであり、ＮおよびＣＲ¹からなる群から選択され；
Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、炭化水素アリール、ヘテロアリール、重水素化炭化水素アリール、および重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され；
＊は、Ｎ−複素環中のＮへの結合点を表し；
ただし、Ｑ１およびＱ３の少なくとも１つはＣ−ＣＮである）
を有する。

式ＩＢのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝Ｃ−ＣＮである。

式ＩＢのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝Ｃ−ＣＮである。

式ＩＢのいくつかの実施形態において、Ｑ１＝ＣＲ¹である。

式ＩＢのいくつかの実施形態において、Ｑ３＝ＣＲ¹である。

式ＩＡ中のＲ¹、Ｒ²、およびＲ³についての上記の実施形態のすべてが、式ＩＢ中のＲ¹、Ｒ²、およびＲ³に同様に当てはまる。

Ｎ−複素環についてのおよび置換基についての上の実施形態のどれも、それらが相互排他的でない限り、他の実施形態の１つ以上と組み合わせることができる。例えば、Ｎ−複素環が、式ＩＩを有するカルバゾールである実施形態は、置換基が式ＩＩＡを有する実施形態と組み合わせることができ、Ｑ１がＮである実施形態と組み合わせることができ、Ｒ²＝Ｒ³であり、そしてフェニルである実施形態と組み合わせることができる。同じことが、上で考察された他の非相互排他的な実施形態についても言える。当業者は、どの実施形態が相互排他的であるかを理解するであろうし、その結果、本出願によって考えられる実施形態の組み合わせを容易に決定できるであろう。

本明細書に記載される化合物は、Ｃ−ＣまたはＣ−Ｎ結合をもたらす任意の技術を用いて製造することができる。鈴木、山本、Ｓｔｉｌｌｅ、および金属触媒Ｃ−Ｎカップリングならびに金属触媒および酸化直接アリール化などの、様々なそのような技術が公知である。

式ＩＶ−ａのコアのインドロカルバゾールは、２，３’−ビインドリルから文献手順に従って合成することができる：Ｊａｎｏｓｉｋ，Ｔ．；Ｂｅｒｇｍａｎ，Ｊ．Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ（１９９９），５５，２３７１。２，３’−ビインドリルは、Ｒｏｂｅｒｔｓｏｎ，Ｎ．；Ｐａｒｓｏｎｓ，Ｓ．；ＭａｃＬｅａｎ，Ｅ．Ｊ．；Ｃｏｘａｌｌ，Ｒ．Ａ．；Ｍｏｕｎｔ，Ａｎｄｒｅｗ Ｒ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（２０００），１０，２０４３に記載されている手順に従って合成された。

式ＩＶ−ｂのコアのインドロカルバゾールは、欧州特許出願公開第２０８０７６２Ａ１号明細書および米国特許第８，０６２，７６９号明細書に見いだされる手順に従って合成することができる。

式ＩＶ−ｃのコアのインドロカルバゾールは、Ｐｉｎｄｕｒ，Ｕ．；Ｍｕｅｌｌｅｒ，Ｊ．Ａｒｃｈ．Ｐｈａｒｍ．（１９８７），３２０，２８０に見いだされる手順に従って商業的に入手可能な３，３’−メチレンジインドールから合成することができる。

式ＩＶ−ｄのコアのインドロカルバゾールは、Ｋｎｏｌｋｅｒ，Ｈａｎｓ−Ｊｏａｃｈｉｍ；Ｒｅｄｄｙ，Ｋｅｔｈｉｒｉ Ｒ．Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ（１９９８），３９（２３），４００７−４００８に見いだされる手順に従って合成することができる。

式ＩＶ−ｅのコアのインドロカルバゾールは、Ｄｅｓａｒｂｒｅ，ＥｒｉｃおよびＢｅｒｇｍａｎ，Ｊａｎ；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ １：Ｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｂｉｏ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，（１３），２００９−２０１６；１９９８に見いだされる手順に従って合成することができる。

重水素化化合物は、重水素化前駆体材料を使用して同様な方法でまたは、より一般的には、トリフルオロメタンスルホン酸、三塩化アルミニウムまたは二塩化エチルアルミニウムなどの、ルイス酸Ｈ／Ｄ交換触媒の存在下で、ベンゼン−ｄ６などの、重水素化溶媒で非重水素化化合物を処理することによって調製することができる。

例示的な調製が実施例において示される。

式Ｉの置換基を有するＮ−複素環化合物のいくつかの非限定的な例が下に示される。

式Ｉの置換基を有するＮ−複素環化合物は、電子デバイスの層を形成することができる。用語「層」は、用語「薄膜」と同じ意味で用いられ、所望の領域を覆うコーティングを指す。この用語はサイズによって限定されない。この領域は、全体デバイスと同じくらい大きい、または実際の表示装置などの特定の機能領域と同じくらい小さい、または単一のサブピクセルと同じくらい小さいものであり得る。層および薄膜は、蒸着、液体堆積（連続技術および不連続技術）、ならびに熱転写などの、任意の従来の堆積技術によって形成することができる。連続液体堆積技術には、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、吹付けコーティング、および連続ノズルコーティングが含まれるが、それらに限定されない。不連続液体堆積技術には、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が含まれるが、それらに限定されない。

いくつかの実施形態において、式Ｉの置換基を有する新規Ｎ−複素環化合物は、デバイスにおけるエレクトロルミネセンス材料用のホストとして使用することができる。

いくつかの実施形態において、式Ｉの置換基を有する新規Ｎ−複素環化合物は、デバイスにおける電子輸送材料として使用することができる。

３．式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む組成物
いくつかの実施形態において、組成物が（ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）第２ホスト化合物を含む組成物が提供される。

（ａ）ドーパント
光活性層にドーパントとして使用することができるエレクトロルミネセンス（「ＥＬ」）材料には、小分子有機発光性化合物、発光性金属錯体、共役ポリマー、およびそれらの混合物が含まれるが、それらに限定されない。小分子発光性有機化合物の例としては、クリセン、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、アントラセン、チアジアゾール、ベンゾフルオレン、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、それらに限定されない。金属錯体の例としては、金属キレートオキシノイド化合物、ならびにイリジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、および白金などの金属のシクロメタル化錯体が挙げられるが、それらに限定されない。共役ポリマーの例としては、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレン）、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、それらに限定されない。

いくつかの実施形態において、ドーパントは有機金属錯体である。いくつかの実施形態において、有機金属錯体はシクロメタル化である。「シクロメタル化」とは、少なくとも２点で金属に結合し、少なくとも１つ炭素−金属結合を持った少なくとも１つの５または６員環を形成している少なくとも１つの配位子を錯体が含有することを意味する。いくつかの実施形態において、金属は、イリジウムまたは白金である。いくつかの実施形態において、有機金属錯体は、電気的に中性である。そのような材料は、例えば、米国特許第６，６７０，６４５号明細書ならびにＰＣＴ出願公開国際公開第０３／０６３５５５号パンフレット、国際公開第２００４／０１６７１０号パンフレット、および国際公開第０３／０４０２５７号パンフレットに開示されている。

いくつかの実施形態において、ドーパントは、式Ｉｒ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ（Ｌ３）ｚを有する錯体であり；式中、
Ｌ１は、炭素および窒素を介して配位したモノアニオン性二座シクロメタル化配位子であり；
Ｌ２は、炭素を介して配位していないモノアニオン性二座配位子であり；
Ｌ３は、単座配位子であり；
ｘは、１〜３であり；
ｙおよびｚは独立して、０〜２であり；
ｘ、ｙ、およびｚは、イリジウムが六配位であり、錯体が電気的に中性であるように選択される。

式のいくつかの例としては、Ｉｒ（Ｌ１）₃；Ｉｒ（Ｌ１）₂（Ｌ２）；およびＩｒ（Ｌ１）₂（Ｌ３）（Ｌ３’）（式中、Ｌ３はアニオン性であり、Ｌ３’は非イオン性である）が挙げられるが、それらに限定されない。配位子は、非置換であってもよいし、またはＦ、Ｄ、アルキル、ペルフルオロラルキル、アルコキシル、アルキルアミノ、アリールアミノ、ＣＮ、シリル、フルオロアルコキシル、アリール基、またはそれらの重水素化類似体で置換されていてもよい。

錯体Ｉｒ（Ｌ１）₃のいくつかの実施形態において、すべての３つのＬ１配位子は同じものであり、錯体は、ホモレプティックである。

錯体Ｉｒ（Ｌ１）₃のいくつかの実施形態において、少なくとも１つのＬ１配位子は他とは異なり、錯体はヘテロレプティックである。いくつかの実施形態において、ヘテロレプティック錯体は、３つの異なるＬ１配位子を有する。

いくつかの実施形態において、Ｌ１は、アリールがフェニルまたはナフチルであり、そしてＮ−複素環が、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ジアジン、ピロール、ピラゾールまたはイミダゾールである、アリールＮ−複素環である。

いくつかの実施形態において、Ｌ１は、フェニルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン、フェニルピリミジン、フェニルピラゾール、チエニルピリジン、チエニルキノリン、およびチエニルピリミジンからなる群から選択される。

モノアニオン性二座配位子、Ｌ２は、金属配位化学の技術分野において周知である。一般にこれらの配位子は、配位原子としてＮ、Ｏ、Ｐ、またはＳを有し、イリジウムに配位した場合に５または６員環を形成する。好適な配位基には、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノ、チオレート等が含まれる。これらの配位子用の好適な親化合物の例としては、β−ジカルボニル（β−エノレート配位子）、およびそれらのＮおよびＳ類似体；アミノカルボン酸（アミノカルボキシレート配位子）；ピリジンカルボン酸（イミノカルボキシレート配位子）；サリチル酸誘導体（サリチレート配位子）；ヒドロキシキノリン（ヒドロキシキノリネート配位子）およびそれらのＳ類似体；ならびにホスフィノアルカノール（ホスフィノアルコキシド配位子）が挙げられる。

いくつかの実施形態において、Ｌ２は、β−ジエノレート、ジケチミン、ピコリネート、Ｎ−アコキシピラゾール、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

単座配位子Ｌ３は、アニオン性または非イオン性であり得る。アニオン性配位子には、Ｈ−（「ヒドリド」）および配位原子としてＣ、ＯまたはＳを有する配位子が含まれるが、それらに限定されない。配位基には、アルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレート、ジチオカルボキシレート、スルホネート、チオレート、カルバメート、ジチオカルバメート、チオカルバゾンアニオン、スルホンアミドアニオン等が含まれるが、それらに限定されない。いくつかの場合には、β−エノレートおよびホスフィノアルコキシドなどの、Ｌ２として上にリストアップされた配位子が、単座配位子として機能することができる。単座配位子はまた、ハライド、シアニド、イソシアニド、ナイトレート、スルフェート、ヘキサハロアンチモネート等の配位アニオンであり得る。これらの配位子は、一般に商業的に入手可能である。

単座Ｌ３配位子はまた、ＣＯなどの、非イオン性配位子または単座ホスフィン配位子であり得る。

イリジウム錯体ドーパントは、例えば、米国特許第６，６７０，６４号明細書に記載されているような標準合成技術を用いて製造することができる。

いくつかの実施形態において、ドーパントは、小有機発光性化合物である。いくつかの実施形態において、ドーパントは、非ポリマースピロビフルオレン化合物およびフルオランテン化合物からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、ドーパントは、アリールアミン基を有する化合物である。いくつかの実施形態において、ドーパントは、下式：

（式中：
Ａは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、炭化水素アリール、ヘテロアリール、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択され；
Ｅは、炭化水素アリール基またはその重水素化類似体であり；
ｓは、１〜６の整数である）
から選択される。

上式のいくつかの実施形態において、Ｅは、少なくとも少なくとも３つの縮合環を有する。

上式のいくつかの実施形態において、ｓ＝２である。

いくつかの実施形態において、Ｅは、ナフタレン、アントラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ベンゾフルオレン、およびルブレンからなる群から選択される化合物に由来する。

いくつかの実施形態において、Ａは、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、トリル、ナフチル、ナフチルフェニル、およびアントラセニル基からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、ドーパントは、下式：

（式中：
Ｙは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
Ｅ¹は、芳香族基、二価トリフェニルアミン残基、または単結合である）
を有する。

いくつかの実施形態において、ドーパントは、アリールアセンである。いくつかの実施形態において、ドーパントは、非対称アリールアセンである。

いくつかの実施形態において、小分子有機ドーパントは、アミノ置換クリセン、アミノ置換アントラセン、アミノ置換ベンゾフルオレン、アミノ置換ピレン、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

組成物のいくつかの実施形態において、ドーパントは、おおよそ６００〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力がある。そのような材料は本明細書では、「赤色発光材料」または「赤色発光ドーパント」と言われる。

赤色発光材料の例としては、フェニルキノリンまたはフェニルイソキノリン配位子、ペリフランテン、フルオランテン、およびペリレンを有するＩｒの錯体が挙げられるが、それらに限定されない。赤色発光材料は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書、および米国特許出願公開第２００５−０１５８５７７号明細書に開示されている。

赤色発光有機金属イリジウム錯体の例としては、下記の化合物Ｄ１〜Ｄ１０が挙げられるが、それらに限定されない。

組成物のいくつかの実施形態において、ドーパントは、おおよそ４９５〜６００ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力がある。そのような材料は本明細書では、「緑色発光材料」または「緑色発光ドーパント」と言われる。

いくつかの実施形態において、緑色発光材料は、４９５〜５７０ｎｍに発光極大を有する。

いくつかの実施形態において、緑色発光材料は、色がより黄色であり、おおよそ５７０〜５９０ｎｍに発光極大を有する。そのような材料は本明細書では、「黄色発光材料」または「黄色発光ドーパント」と言われる。

緑色発光材料の例としては、フェニルピリジン配位子、ビス（ジアリールアミノ）アントラセン、およびポリフェニレンポリマーを有するＩｒの錯体が挙げられるが、それらに限定されない。緑色発光材料は、例えば、ＰＣＴ出願公開国際公開第２００７／０２１１１７号パンフレットに開示されている。

緑色発光有機金属Ｉｒ錯体の例としては、下記のＤ１１〜Ｄ３３が挙げられるが、それらに限定されない。

小分子有機緑色発光材料のいくつかの例としては、下に示される化合物Ｄ５２〜Ｄ５９が挙げられるが、それらに限定されない。

組成物のいくつかの実施形態において、ドーパントは、おおよそ３８０〜４９５ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力がある。そのような材料は本明細書では、「青色発光材料」または「青色発光ドーパント」と言われる。

いくつかの実施形態において、青色発光材料は、４５０〜４９５ｎｍに発光極大を有する。

青色発光材料の例としては、フェニルピリジンまたはフェニルイミダゾール配位子、ジアリールアントラセン、ジアミノクリセン、ジアミノピレン、ジアミノベンゾフルオレン、およびポリフルオレンポリマーを有するＩｒの錯体が挙げられるが、それらに限定されない。青色発光材料は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書、ならびに米国特許出願公開第２００７−０２９２７１３号明細書および同第２００７−００６３６３８号明細書に開示されている。

青色発光有機金属Ｉｒ錯体の例としては、下記のＤ３４〜Ｄ５１が挙げられるが、それらに限定されない。

小分子有機青色発光材料の例としては、下に示される化合物Ｄ６０〜Ｄ６８が挙げられるが、それらに限定されない。

（ｂ）第１ホスト
第１ホスト化合物は、上で詳細に記載されたように、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である。

（ｃ）第２ホスト
いくつかの実施形態において、第２ホストは重水素化されている。いくつかの実施形態において、第２ホストは、少なくとも１０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも２０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも３０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも４０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも５０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも６０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも７０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも８０％重水素化されており；いくつかの実施形態において、少なくとも９０％重水素化されている。いくつかの実施形態において、第２ホストは、１００％重水素化されている。

第２ホスト材料の例としては、カルバゾール、インドロカルバゾール、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、トリアジン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フェニルピリジン、ベンゾジフラン、ジベンゾフラン、ベンゾジフラン、金属キノリネート錯体、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体が挙げられるが、それらに限定されない。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、インドロカルバゾール、クリセン、トリフェニレン、ジベンゾフラン、ベンゾジフラン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、インドロカルバゾール、クリセン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式Ｖ（ａ）、式Ｖ（ｂ）、式Ｖ（ｃ）、式Ｖ（ｄ）、および式Ｖ（ｅ）

（式中：
Ａｒ²およびＡｒ³は、同じまたは異なるものであり、炭化水素アリールまたは重水素化炭化水素アリール基であり；
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ａおよびａ１は、同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
ｃは、０〜２の整数である）
の１つを有する。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式Ｖ−ａを有する。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式Ｖ−ｂを有する。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式Ｖ−ｃを有する。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式Ｖ−ｄを有する。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式Ｖ−ｅを有する。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、Ａｒ²は、６〜２４個の環炭素を有する炭化水素アリールまたはその重水素化類似体である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、Ａｒ²は、上で定義されたような、式ａを有する。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、Ａｒ²は、上で定義されたような、式ｂを有する。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、Ａｒ²は、非芳香族置換基をまったく持たない炭化水素アリールである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、Ａｒ²は、他の置換基をまったく持たない重水素化炭化水素アリールである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、Ａｒ²は、置換炭化水素アリールである。いくつかの実施形態において、置換基は、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、ゲルミル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、Ａｒ²は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ビナフチル、テルフェニル、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

Ａｒ²について上記の実施形態のすべてが、Ａｒ³に同様に当てはまる。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＝０である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＝１である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＝２である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＝３である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＝４である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴＝Ｄである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、１〜１２個の炭素原子を有するアルキルまたは重水素化アルキルである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、６〜２４個の環炭素を有する炭化水素アリールまたは重水素化炭化水素アリールである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、非芳香族置換基をまったく持たない炭化水素アリールである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、他の置換基をまったく持たない重水素化炭化水素アリールである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、上で定義されたような、式ａを有する。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、上で定義されたような、式ｂを有する。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、置換基は、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、ゲルミル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ１＝０である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ１＝１である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ１＝２である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ１＝３である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ１＝４である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ１＞０である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ａ１＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、上で定義されたとおりである。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ｃ＝０である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ｃ＝１である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ｃ＞０である。

式Ｖ−ａ〜Ｖ−ｅのいくつかの実施形態において、ｃ＞０であり、Ｒ⁴＝Ｄである。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式ＶＩ

（式中：
Ａｒ⁴は、少なくとも２つの縮合環を有する炭化水素アリール、少なくとも２つの縮合環を有するヘテロアリール、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択され；
Ａｒ⁵およびＡｒ⁶は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、炭化水素アリール、ヘテロアリール、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択され；
ｍは、１または２である）
を有する。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁴は、３〜５つの縮合芳香環を有する。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁴は、アントラセン、クリセン、ピレン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フェニルピリジン、ジベンゾフラン、ジフラノベンゼン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁴は、アントラセン、クリセン、ピレン、フェナントレン、トリフェニレン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵＝Ａｒ⁶である。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵≠Ａｒ⁶である。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵は、炭化水素アリールまたはその重水素化類似体である。いくつかの実施形態において、炭化水素アリールは、６〜２４個の環炭素を有する。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵は、上で定義されたような、式ａを有する。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵は、上で定義されたような、式ｂを有する。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵は、非芳香族置換基をまったく持たない炭化水素アリールである。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵は、他の置換基をまったく持たない重水素化炭化水素アリールである。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵は、置換炭化水素アリールである。いくつかの実施形態において、置換基は、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、ゲルミル、重水素化アルキル、重水素化アルコキシ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、Ａｒ⁵は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ビナフチル、テルフェニル、フェナントリル、アントラセニル、４−ナフチルフェニル、４−フェナントリルフェニル、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。

Ａｒ⁵について上記の実施形態のすべてが、Ａｒ⁶に同様に当てはまる。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、ｍ＝１である。

式ＶＩのいくつかの実施形態において、ｍ＝２である。

いくつかの実施形態において、第２ホストは、式ＶＩＩ

（式中：
Ａｒ⁵およびＡｒ⁶は、同じまたは異なるものであり、炭化水素アリール、ヘテロアリール、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択され；
Ｒ⁴は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、炭化水素アリール、フルオロアリール、ヘテロアリール、アミノ、シリル、ゲルミル、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、シロキサン、シロキシ、重水素化アルキル、重水素化部分フッ素化アルキル、重水素化炭化水素アリール、重水素化部分フッ素化アリール、重水素化ヘテロアリール、重水素化アミノ、重水素化シリル、重水素化ゲルミル、重水素化アルコキシ、重水素化アリールオキシ、重水素化フルオロアルコキシ、重水素化シロキサン、および重水素化シロキシからなる群から選択され、ここで、隣接Ｒ⁴基は、互いに結合して縮合環を形成することができ；
ｂは、０〜３の整数であり；
ｃは、０〜２の整数であり；
ｄは、０〜６の整数である）
を有する。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｂ＝０である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｂ＝１である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｂ＝２である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｂ＝３である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｂ＞０である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴はＤである。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、１〜１２個の炭素を有するアルキルまたはその重水素化類似体である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、６〜２０個の環炭素を有する炭化水素アリールまたはその重水素化類似体である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｃ＝０である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｃ＝１である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｃ＝２である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｃ＞０である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｃ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、上で記載されたとおりである。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＝０である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＝１である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＝２である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＝３である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＝４である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＝５である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＝６である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＞０である。

式ＶＩＩのいくつかの実施形態において、ｄ＞０であり、少なくとも１つのＲ⁴は、上で記載されたとおりである。

式ＶＩ中のＡｒ⁵およびＡｒ⁶について上記の実施形態は、式ＶＩＩ中のＡｒ⁵およびＡｒ⁶に同様に当てはまる。

新規組成物のいくつかの実施形態において、組成物中の重量に基づいて、第１ホストは、第２ホストよりも高い濃度で存在する。

新規組成物のいくつかの実施形態において、第１ホスト対第２ホストの重量比は、１０：１〜１：１０の範囲にある。いくつかの実施形態において、この重量比は、６：１〜１：６の範囲にあり：いくつかの実施形態において、５：１〜１：２の範囲にあり；いくつかの実施形態において、３：１〜１：１の範囲にある。

新規組成物のいくつかの実施形態において、ドーパント対第１ホストおよび第２ホストの合計（「全ホスト」）の重量比は、１：９９〜２０：８０の範囲にあり；いくつかの実施形態において、５：９５〜１５：８５の範囲にある。

いくつかの実施形態において、新規組成物は、インクを形成するために液体媒体に溶解させられるかまたは分散させられる。インクは、層を形成するための材料の液体堆積のために使用することができる。

用語「液体媒体」は、純粋液体、液体の組み合わせ、溶液、分散系、懸濁液、およびエマルジョンなどの、液状材料を意味することを意図する。液体媒体は、１つ以上の溶媒が存在するかどうかにかかわらず使用される。

いくつかの実施形態において、液体媒体は、極性の非水性溶媒である。極性溶媒の例としては、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコール、エーテル、および酸エステルが挙げられるが、それらに限定されない。

いくつかの実施形態において、液体媒体は、比較的非極性溶媒である。非極性溶媒の例としては、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルカン、トルエン、キシレン、トリフルオロトルエンなどの芳香族化合物等が挙げられるが、それらに限定されない。

いくつかの実施形態において、液体媒体は、２つ以上の溶媒の混合物である。

いくつかの実施形態において、液体媒体は、塩素化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなどの）、芳香族炭化水素（トリフルオロトルエンなどの、置換または非置換トルエンまたはキシレンなどの）、極性溶媒（テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）などの）、エステル（酢酸エチル、安息香酸メチル、またはフタル酸ジエチルなどの）、エーテル（アニソールまたはジメトキシベンゼンなどの）、アルコール（イソプロパノールなどの）、ケトン（シクロペンタノンなどの）、およびそれらの任意の混合物からなる群から選択される。

エレクトロルミネセンス材料用の好適な溶媒は、例えば、ＰＣＴ出願公開国際公開第２００７／１４５９７９号パンフレットに記載されている。

４．電子デバイス
本明細書に記載されるような少なくとも１つの化合物を含む１つ以上の層を有することから恩恵を受け得る有機電子デバイスには、（１）電気エネルギーを放射線へ変換するデバイス（例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、照明デバイス、照明器具、またはダイオードレーザー）、（２）エレクトロニクスプロセスによって信号を検出するデバイス（例えば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管、赤外検出器、バイオセンサー）、（３）放射線を電気エネルギーへ変換するデバイス（例えば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、（４）１つの波長の光をより長い波長の光に変換するデバイス（例えば、ダウンコンバート燐光体デバイス）；および（５）１つ以上の有機半導体層を含む１つ以上の電子部品を含むデバイス（例えば、トランジスタまたはダイオード）が含まれるが、それらに限定されない。本発明による組成物の他の使用には、メモリ記憶デバイス用のコーティング材料、帯電防止薄膜、バイオセンサー、エレクトロクロミックデバイス、固体電解質コンデンサ、再充電可能バッテリなどのエネルギー貯蔵装置、および電磁遮蔽用途が含まれる。

本明細書に記載される新規化合物を利用することができる有機電子デバイス構造の図解は、図１に示される。デバイス１００は、第１電気コンタクト層、アノード層１１０および第２電気コンタクト層、カソード層１６０、ならびにそれらの間の光活性層１４０を有する。付加的な層が場合により存在していてもよい。緩衝層と言われることもある、正孔注入層１２０が、アノードに隣接していてもよい。正孔輸送材料を含む、正孔輸送層１３０が、正孔注入層に隣接していてもよい。電子輸送材料を含む、電子輸送層１５０が、カソードに隣接していてもよい。選択肢として、デバイスは、アノード１１０の隣に１つ以上の付加的な正孔注入層もしくは正孔輸送層（図示せず）および／またはカソード１６０の隣に１つ以上の付加的な電子注入層もしくは電子輸送層（図示せず）が使用されてもよい。層１２０〜１５０は個別におよび一括して有機活性層と言われる。

いくつかの実施形態において、フルカラーを達成するために、発光層は、異なる色のそれぞれについてサブピクセル単位で、ピクセル化される。ピクセル化デバイスの図解は、図２に示される。デバイス２００は、アノード１１０、正孔注入層１２０、正孔輸送層１３０、光活性層１４０、電子輸送層１５０、およびカソード１６０を有する。光活性層は、サブピクセル１４１、１４２、１４３に分けられ、それらは、層全体にわたって繰り返される。いくつかの実施形態において、サブピクセルは、赤色、青色および緑色放射を示す。３つの異なるサブピクセル単位が図２に描かれているが、２つまたは４つ以上のサブピクセル単位が用いられてもよい。

異なる層が、図１に関連して本明細書でさらに考察される。しかしながら、本考察は、図２および他の配置構成に同様に当てはまる。

いくつかの実施形態において、異なる層は、以下の範囲の厚さを有する：アノード１１０、５００〜５０００Å、いくつかの実施形態において、１０００〜２０００Å；正孔注入層１２０、５０〜２０００Å、いくつかの実施形態において、２００〜１０００Å；正孔輸送層１３０、５０〜３０００Å、いくつかの実施形態において、２００〜２０００Å；光活性層１４０、１０〜２０００Å、いくつかの実施形態において、１００〜１０００Å；電子輸送層１５０、５０〜２０００Å、いくつかの実施形態において、１００〜１０００Å；カソード１６０、２００〜１００００Å、いくつかの実施形態において、３００〜５０００Å。層厚さの所望の比率は、使用される材料の正確な性質次第である。

本明細書に記載される式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む新規化合物の１つ以上が、デバイスの電気活性層の１つ以上に存在してもよい。

いくつかの実施形態において、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む新規化合物は、層１４０における光活性ドーパント材料として有用である。いくつかの実施形態において、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む新規化合物は、１つ以上のホスト材料に光活性ドーパント材料として存在する。

いくつかの実施形態において、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む新規化合物は、光活性層１４０における光活性ドーパント材料用のホスト材料として有用である。

いくつかの実施形態において、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む新規化合物は、電子輸送層１５０における電子輸送材料として有用である。

いくつかの実施形態において、有機電子デバイスは、アノード、カソード、およびそれらの間の少なくとも１つの有機活性層を含み、ここで、有機活性層は、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む新規化合物を含む。

いくつかの実施形態において、有機電子デバイスは、アノード、カソード、およびそれらの間の光活性層を含み、ここで、光活性層は、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む新規化合物を含む。

いくつかの実施形態において、有機電子デバイスは、アノード、カソード、およびそれらの間の光活性層を含み、ここで、光活性層は、（ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、有機電子デバイスは、アノード、カソード、およびそれらの間の光活性層を含み、そして、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む化合物を含む付加的な有機活性層をさらに含む。いくつかの実施形態において、付加的な有機活性層は、正孔輸送層である。いくつかの実施形態において、付加的な有機活性層は、電子輸送層である。

アノード１１０は、正電荷キャリアを注入するために特に効率的である電極である。それは、例えば、金属、混合金属、合金、金属酸化物もしくは混合金属酸化物を含有する材料から製造され得るか、またはそれは、導電性ポリマー、およびそれらの混合物であり得る。好適な金属には、１１族金属、４族、５族、および６族の金属、ならびに８族〜１０族遷移金属が含まれる。アノードが光透過性である場合、酸化インジウムスズなどの、１２族、１３族および１４族金属の混合金属酸化物が一般的に使用される。アノードはまた、「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｍａｄｅ ｆｒｏｍ ｓｏｌｕｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ」，Ｎａｔｕｒｅ ｖｏｌ．３５７，ｐｐ４７７ ４７９（１１ Ｊｕｎｅ １９９２）に記載されるようにポリアニリンなどの有機材料を含んでもよい。アノードおよびカソードの少なくとも１つは、発生した光を観察することができるように少なくとも部分的に透明であるべきである。

任意選択の正孔注入層１２０は、正孔注入材料を含む。用語「正孔注入層」または「正孔注入材料」は、導電性材料または半導体材料を意味することを意図し、下位層の平坦化、電荷輸送および／もしくは電荷注入特性、酸素もしくは金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進するかまたは改善するための他の態様を含むが、それらに限定されない、１つ以上の機能を有機電子デバイスにおいて有し得る。正孔注入材料は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってもよく、溶液、分散系、懸濁液、エマルション、コロイド状混合物、または他の組成物の形態にあってもよい。

正孔注入層は、しばしばプロトン酸でドープされる、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などの、ポリマー材料で形成することができる。プロトン酸は、例えば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）等であり得る。正孔注入層１２０は、銅フタロアシアニンおよびテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの、電荷移動化合物等を含むことができる。いくつかの実施形態において、正孔注入層１２０は、導電性ポリマーとコロイド形成ポリマー酸との分散系から製造される。そのような材料は、例えば、米国特許出願公開第２００４−０１０２５７７号明細書、同第２００４−０１２７６３７号明細書、および同第２００５−０２０５８６０号明細書に記載されている。

層１３０は、正孔輸送材料を含む。正孔輸送層用の正孔輸送材料の例は、例えば、Ｙ．Ｗａｎｇによる、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｆｏｕｒｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．１８，ｐ．８３７−８６０，１９９６に要約されている。正孔輸送小分子およびポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子には、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）；４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；４、４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）；１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）；１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）；テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）；α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）；ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）；トリフェニルアミン（ＴＰＡ）；ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）；１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）；１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）；Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）；および銅フタロアシアニンなどの、ポルフィリン化合物が含まれるが、それらに限定されない。一般に使用される正孔輸送ポリマーには、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（ジオキシチオフェン）、ポリアニリン、およびポリピロールが含まれが、それらに限定されない。上述したものなどの正孔輸送分子をポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中へドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることがまた可能である。いくつかの場合に、トリアリールアミンポリマー、とりわけトリアリールアミン−フルオレンコポリマーが使用される。いくつかの場合に、ポリマーおよびコポリマーは架橋性である。架橋性正孔輸送ポリマーの例は、例えば、米国特許出願公開第２００５−０１８４２８７号明細書およびＰＣＴ出願公開国際公開第２００５／０５２０２７号パンフレットに見いだすことができる。いくつかの実施形態において、正孔輸送層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンおよびペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物などの、ｐ−ドーパントがドープされる。

デバイスの用途に応じて、光活性層１４０は、（発光ダイオードもしくは発光電気化学セルにおけるなどの）印加電圧によって活性化される発光層、（ダウンコンバート燐光体デバイスにおけるなどの）光を吸収し、より長い波長を有する光を発する材料の層、または（光検出器もしくは光起電力デバイスにおけるなどの）輻射エネルギーに応答し、印加バイアス電圧を使用してまたは使用せずに信号を発生する材料の層であり得る。

いくつかの実施形態において、光活性層は、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む化合物を光活性材料として含む。いくつかの実施形態において、光活性層は、ホスト材料をさらに含む。ホスト材料の例としては、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フェニルピリジン、カルバゾール、インドロカルバゾール、フラン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾジフラン、および金属キノリネート錯体が挙げられるが、それらに限定されない。いくつかの実施形態において、ホスト材料は、重水素化されている。

いくつかの実施形態において、光活性層は、式Ｉを有する化合物をホスト材料として含み、光活性ドーパントをさらに含む。好適な光活性ドーパントは、上に記載されている。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパンド、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）第２ホスト化合物を含む。好適な第２ホスト化合物は、上に記載されている。

いくつかの実施形態において、光活性層は、ただ（ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）第２ホスト化合物だけを含み、ここで、操作の原理または層の際立った特性を実質的に変えるだろう付加的な材料は存在しない。

いくつかの実施形態において、光活性層中の重量に基づいて、第１ホストは、第２ホストよりも高い濃度で存在する。

いくつかの実施形態において、光活性層中の第１ホスト対第２ホストの重量比は、１０：１〜１：１０の範囲にある。いくつかの実施形態において、この重量比は、６：１〜１：６の範囲にあり；いくつかの実施形態において、５：１〜１：２の範囲にあり；いくつかの実施形態において、３：１〜１：１の範囲にある。

いくつかの実施形態において、ドーパント対全ホストの重量比は、１：９９〜２０：８０の範囲にあり；いくつかの実施形態において、５：９５〜１５：８５の範囲にある。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）赤色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）上で定載されたような、式ＶＩを有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）赤色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）上で定載されたような、式ＶＩＩを有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）緑色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）上で定載されたような、式Ｖ（ａ）、式Ｖ（ｂ）、式Ｖ（ｃ）、式Ｖ（ｄ）、および式Ｖ（ｅ）の１つを有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）緑色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ａ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）緑色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｂ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）緑色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｃ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）緑色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｄ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）緑色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｅ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）黄色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）上で定義されたような、式Ｖ（ａ）、式Ｖ（ｂ）、式Ｖ（ｃ）、式Ｖ（ｄ）、および式Ｖ（ｅ）の１つを有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）黄色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｅ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）黄色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｂ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形において、光活性層は、（ａ）黄色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｃ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）黄色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｄ）を有する第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）黄色発光ドーパント、（ｂ）式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環である第１ホスト化合物、および（ｃ）式Ｖ（ｅ）を有する第２ホスト化合物を含む。

任意選択の層１５０は、電子輸送を促進するように、およびまた層界面での励起子の消滅を防ぐための閉じ込め層としても役立つように両方に機能することができる。好ましくは、この層は電子移動度を促進し、励起子消滅を低減する。

いくつかの実施形態において、層１５０は、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む化合物を含む。

いくつかの実施形態において、層１５０は、式Ｉの少なくとも１つの置換基を有するＮ−複素環を含む化合物のみを含み、ここで、操作の原理または層の際立った特性を実質的に変えるだろう付加的な材料は存在しない。

いくつかの実施形態において、層１５０は、他の電子輸送材料を含む。任意選択の電子輸送層１５０に使用することができる電子輸送材料の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ＡｌＱ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ハフニウム（ＨｆＱ）およびテトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ＺｒＱ）などの金属キノレート誘導体などの、金属キレート化オキシノイド化合物；ならびに、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンゾイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン；トリアジン；フラーレン；ならびにそれらの混合物が挙げられる。いくつかの実施形態において、電子輸送材料は、金属キノレートおよびフェナントロリン誘導体からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、電子輸送層は、ｎ−ドーパントをさらに含む。ｎ−ドーパント材料は周知である。ｎ−ドーパントには、１族および２族金属；ＬｉＦ、ＣｓＦ、およびＣｓ２ＣＯ３などの、１族および２族金属塩；Ｌｉキノレートなどの、１族および２族金属有機化合物；およびロイコ染料、金属錯体、例えば、Ｗ２（ｈｐｐ）４（式中、ｈｐｐ＝１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド−［１，２−ａ］−ピリミジンである）およびコバルトセンなど、テトラチアナフタセン、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、複素環ラジカルまたはジラジカル、および複素環式ラジカルまたはジラジカルのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物および多環などの、分子ｎ−ドーパントが含まれるが、それらに限定されない。

任意選択の電子注入層が、電子輸送層一面に堆積されてもよい。電子注入材料の例としては、Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｌｉキノレート、Ｃｓ含有有機金属化合物、ＣｓＦ、Ｃｓ₂Ｏ、およびＣｓ₂ＣＯ₃が挙げられるが、それらに限定されない。この層は、下にある電子輸送層、上にあるカソード、または両方と反応してもよい。電子注入層が存在する場合、堆積される材料の量は一般に、１〜１００Åの範囲にあり、いくつかの実施形態において、１〜１０Åの範囲にある。

カソード１６０は、電子または負電荷キャリアを注入するために特に効率的である電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有する任意の金属または非金属であり得る。カソード用の材料は、１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、稀土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドを含めた、１２族金属から選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウム、ならびに組み合わせなどの材料を使用することができる。

有機電子デバイスにおいて他の層を有することが知られている。例えば、注入される正電荷の量を制御するためのおよび／もしくは層のバンドギャップ整合を提供するための、または保護層として機能するための層（図示せず）が、アノード１１０と正孔注入層１２０との間に存在することができる。銅フタロアシアニン、オキシ窒化ケイ素、フルオロカーボン、シランなどの、当技術分野で公知である層、またはＰｔなどの、金属の極薄層を使用することができる。あるいは、アノード層１１０、活性層１２０、１３０、１４０、および１５０、またはカソード層１６０のうちのいくつかまたはすべてを表面処理して、電荷キャリア輸送効率を増加させることができる。構成層のそれぞれ用の材料の選択は好ましくは、高いエレクトロルミネセンス効率のデバイスを提供するためにエミッター層において正電荷と負電荷とのバランスを保つことによって決定される。

それぞれの機能性層が２つ以上の層から構成され得ることは理解される。

デバイス層は、蒸着、液体堆積、および熱転写などの、任意の堆積技術、または技術の組み合わせによって形成することができる。ガラス、プラスチック、および金属などの基材を使用することができる。熱蒸発、化学蒸着等などの、従来の蒸着技術を用いることができる。有機層は、スピンコーティング、浸漬コーティング、ロール−ツー−ロール技術、インクジェット印刷、連続ノズル印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷等を含むがそれらに限定されない従来のコーティングまたは印刷技術を用いて、好適な溶媒中の溶液または分散系から適用することができる。

液体堆積方法について、特定の化合物または関連したクラスの化合物用の好適な溶媒は、当業者によって容易に決定され得る。いくつかの用途のために、化合物は非水溶媒に溶解させられることが望ましい。そのような非水溶媒は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコール、エーテル、および酸エステルのように、比較的極性であり得るか、またはＣ₁〜Ｃ₁₂アルカンもしくはトルエン、キシレン、トリフルオロトルエン等などの芳香族化合物のように比較的非極性であり得る。新規化合物を含む、液体組成物を、本明細書に記載されるような溶液か分散系かのいずれかとして、製造するのに使用するための他の好適な液体には、塩素化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなどの）、芳香族炭化水素（置換および非置換トルエンおよびキシレンなどの）、トリフルロトルエンなどの）、極性溶媒（テトラヒドロフラン（ＴＨＰ）、Ｎ−メチルピロリドンなどの）エステル（酢酸エチルなどの）アルコール（イソプロパノール）、ケトン（シクロペンタトン）、ならびにそれらの混合物が含まれるが、それらに限定されない。エレクトロルミネセンス材料用の好適な溶媒は、例えば、ＰＣＴ出願公開国際公開第２００７／１４５９７９号パンフレットに記載されている。

いくつかの実施形態において、デバイスは、正孔注入層、正孔輸送層、および光活性層の液体堆積によって、ならびにアノード、電子輸送層、電子注入層およびカソードの蒸着によって製造される。

本明細書に記載された新規な組成物を使って製造されたデバイスの効率が、デバイスにおける他の層を最適化することによってさらに改善できることは理解される。例えば、Ｃａ、ＢａまたはＬｉＦなどのより効率的なカソードを使用することができる。造形基材と、動作電圧の低下をもたらすかまたは量子効率を増加させる新規な正孔輸送材料とがまた適用できる。付加的な層をまた、様々な層のエネルギーレベルを調整し、そしてエレクトロルミネセンスを促進するために加えることができる。

いくつかの実施形態において、デバイスは順に、以下の構造：アノード、正孔注入層、正孔輸送層、光活性層、電子輸送層、電子注入層、カソードを有する。

本明細書に記載されるものと同様のまたは同等な方法および材料を本発明の実施または試験に使用することができるが、好適な方法および材料は、以下に記載される。さらに、材料、方法、および実施例は、例証的であるにすぎず、限定することを意図するものではない。本明細書に述べられるすべての刊行物、特許出願、特許、および他の参照文献は、それらの全体を参照により援用される。

本明細書に記載される概念は、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定しない、以下の実施例においてさらに説明される。

合成例１
この実施例は、化合物Ｉ−１の調製を例示する。

グローブボックス中で、１０４ｍＬの１，４−ジオキサン中の１．７７ｇの２−ブロモ−５−シアノピリジンと、５２ｍｇのＰｄ（ＯＡｃ）₂と、２８０ｍｇの９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテンとの混合物を、３．９ｇの１２−［３−（３−フェニルフェニル）フェニル］−１１Ｈ−インドロ［２，３−ａ］カルバゾールで処理し、１．０９ｇのナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを添加した。反応物を１１５℃で一晩加熱した。反応混合物を室温に冷却し、水を添加し、内容物をジクロロメタンで抽出した。組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮した。粗固体をジクロロメタンに溶解させ、８０：２０〜３０：７０のヘキサン：ジクロロメタンで溶出する中圧液体クロマトグラフィー（ＭＰＬＣ）によって精製した。最も純粋な画分を組み合わせ、回転蒸発によって濃縮して生成物を黄色発泡体として得た。材料のさらなる精製は、トルエン（１０ｍＬ）に溶解させ、トルエン（３７５ｍＬ）、次にジクロロメタンで溶出する、Ｆｌｏｒｉｓｉｌ（１００〜２００メッシュ）の１インチ直径詰め物（５４ｇ）を通過させることによって成し遂げた。最も純粋な画分を組み合わせ、回転蒸発によって濃縮した。生成物をジクロロメタンおよびメタノールに溶解させ、回転蒸発によって注意深く濃縮して固体を得て、それを濾過し、メタノール」で洗浄し、減圧下で濃縮してジクロロメタンを除去し、Ｉ−１を非常に淡い黄色固体（３．０５ｇ、６４％収率、超高速液体クロマトグラフィー（Ｕｌｔｒａ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）（ＵＰＬＣ）により９９．９９％純粋）を得た。デバイス製造前の最終精製は、真空昇華によって成し遂げられた。

合成例２
この実施例は、化合物Ｉ−２の調製を例示する。

ａ．２−メチルチオ−４，６−ジフェニルピリミジン−５−カルボニトリル（中間体１）の合成。

グローブボックス中で、５００ｍＬの１，４−ジオキサン中の２．３６ｇの４，６−ジクロロ−２−（メチルチオ）ピリミジン−５−カルボニトリルに、２．８２ｇのフェニルボロン酸、１４．７０ｇのリン酸カリウム、６０ｍｇの酢酸パラジウム（ＩＩ）、次に１４１ｍｇのトリフェニルホスフィンを添加した。反応物を２．２５時間窒素下で還流させ、室温に冷却し、次に回転蒸発によって濃縮した。水を添加し、内容物をジクロロメタンで抽出した。組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮して固体を得て、それを、４５ｍＬのメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル：ジクロロメタンの２：１混合物でトリチュレーションし、次にメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルで洗浄して中間体１を黄褐色固体（２．２５ｇ、６５％収率）として得た。

ｂ．２−メチルスルホニル−４，６−ジフェニルピリミジン−５−カルボニトリル（中間体２）の合成。

３７６ｍＬジクロロメタン中の６．１１ｇの中間体１に、１７０ｍＬジクロロメタン中の１１．７５ｇのｍ−クロロ過安息香酸（７７％）を室温で５分にわたって添加した。２時間後に、反応物を飽和水性重炭酸ナトリウム溶液、次に飽和亜硫酸ナトリウム、次に飽和水性重炭酸ナトリウムで洗浄した。有機層を分離し、１７０ｍＬの１Ｍ ＮａＨＳＯ₃およびいくらかの１，４−ジオキサンと室温で９０分間攪拌した。有機層を分離し、水層をジクロロメタンで抽出した。組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮した。結果として生じた固体を、７５ｍＬのメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル：ジクロロメタンの２：１混合物でトリチュレーションして真っ白でない固体を得た。固体をジクロロメタンに溶解させ、ジクロロメタンで溶出する、シリカゲルクロマトグラフィーによって精製して、最も純粋な画分を組み合わせ、そして濃縮した後に、中間体２を白色固体（５．４ｇ、８０％収率）として得た。

ｃ．２−ヒドロキシ−４，６−ジフェニルピリミジン−５−カルボニトリル（中間体３）の合成。

４２３ｍＬの１，４−ジオキサン中の５．７ｇの中間体２に、３４．０ｍＬの１Ｍ水性ＮａＯＨを添加した。反応物を室温で一晩攪拌した後、水（２００ｍＬ）を添加し、ｐＨを濃厚水性ＨＣｌでｐＨ＝２まで調整した。内容物をジクロロメタンで抽出し、組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮して中間体３を白色固体（５．１ｇ、定量的収率）として得た。

ｄ．２−クロロ−４，６−ジフェニルピリミジン−５−カルボニトリル（中間体４）の合成。

９７ｍＬの１，４−ジオキサン中の５．１ｇの中間体３の懸濁液に、６．８ｍＬのオキシ塩化リンを添加した。反応物を１時間還流で加熱し、室温に冷却し、水（３００ｍＬ）および重炭酸ナトリウムを塩基性になるまで添加した。内容物をジクロロメタンで抽出し、組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮してオレンジ−白色固体を得た。粗材料を、ジクロロメタンで溶出する、ＭＰＬＣによって精製し、最も純粋な画分を組み合わせて、回転蒸発による濃縮後に、中間体４を白色固体（３．２ｇ、２工程にわたって６５％収率）として得た。

ｅ．１１−（ｍ−テルフェニル）−１２−（４，６−ジフェニル−５−シアノピリミジン−２−イル）−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（Ｉ−２）の合成。

グローブボックス中で、室温での４７ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中の４．４３ｇの１２−［３−（３−フェニルフェニル）フェニル］−１１Ｈ−インドロ［２，３−ａ］カルバゾールに、４３６ｍｇの６０％ＮａＨを添加した。室温で５０分間攪拌した後、１２７ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中の３．２ｇの中間体４を７分にわたって添加した。反応物を一晩５４℃で加熱した。反応混合物を室温に冷却し、水（４００ｍＬ）および飽和水性塩化アンモニウム（２０ｍＬ）を添加した。内容物をジクロロメタンで抽出し、組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮した。粗材料を、９０：１０〜５０：５０ヘキサン：ジクロロメタンで溶出するＭＰＬＣによって精製した。最も純粋な画分を組み合わせ、濃縮して残留物にし、それをジクロロメタン（３０ｍＬ）に溶解させた。アセトニトリル（５０ｍＬ）を添加し、回転蒸発による部分濃縮は、濾過後に、より純粋な材料を提供した。沸騰するジクロロメタン（３０ｍＬ）およびアセトニトリル（３４ｍＬ）に溶解させることによる再結晶は、集められた固体をアセトニトリルで洗浄後に、Ｉ−２を黄色固体（２．５５ｇ、３８％収率、ＵＰＬＣにより９９．９９％純粋）として与えた。

合成例３
この実施例は、化合物Ｉ−３の調製を例示する。

グローブボックス中で、８８ｍＬの１，４−ジオキサン中の２．３８ｇの２−クロロ−４，６−ジフェニル５−シアノピリジンと、４４ｍｇの酢酸パラジウム（ＩＩ）と、２３７ｍｇの９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−キサンテンとの混合物を、３．３ｇの１２−［３−（３−フェニルフェニル）フェニル］−１１Ｈ−インドロ［２，３−ａ］カルバゾールおよび９２４ｍｇのナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドで処理した。反応物を１０．５時間還流で加熱した。３ｍＬの１，４−ジオキサン中の追加の７７２ｍｇの２−クロロ−４，６−ジフェニル５−シアノピリジン。還流で１．５時間の加熱後に、９ｍｇの酢酸パラジウム（ＩＩ）、４８ｍｇの９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−キサンテン、および３００ｍｇのナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを添加した。反応物を４時間還流で加熱した。反応混合物を室温に冷却し、内容物をジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮した。粗固体をジクロロメタンに溶解させ、８５：１５〜５０：５０ヘキサン：ジクロロメタンで溶出するＭＰＬＣによって精製した。最も純粋な画分を組み合わせ、回転蒸発によって濃縮して１．８７ｇの生成物を非常に淡い黄色固体として得た。固体をサンプル１：１ジクロロメタン：アセトニトリル（６０ｍＬ）に溶解させ、いくらかの固体が沈澱するまで部分濃縮した。１時間後に、固体を濾過し、アセトニトリルで洗浄してＩ−３を非常に淡い黄色固体（１．４０ｇ、２８％収率、ＵＰＬＣにより９９．９９％純粋）として得た。デバイス製造前の最終精製は、真空昇華によって成し遂げた。

合成例４
この実施例は、化合物Ｉ−４の調製を例示する。

グローブボックス中で、室温での１５０ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中の５．０ｇの１２−［３−（３−フェニルフェニル）フェニル］−１１Ｈ−インドロ［２，３−ａ］カルバゾールに、鉱油中の４９６ｍｇの水素化ナトリウムの６０％分散系を添加した。室温で５０分間攪拌した後、２５ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中の４．０ｇの２−クロロ−４，６−ジフェノキシ−５−シアノピリミジンを７分にわたって添加した。反応物を６．５時間５５℃で加熱し、次に室温に冷却した。水（４００ｍＬ）を添加し、内容物をジクロロメタンで抽出した。組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、４５ｍＬの容積まで濃縮した。ヘキサン（約５０ｍＬ）を添加し、混合物を濾過し、ヘキサン（約２００ｍＬ）で洗浄して６．０５ｇの生成物を淡黄色固体として得た。固体を最小量のジクロロメタンでトリチュレーションし、次にジクロロメタン（１９０ｍＬ）に溶解させ、７５：２５〜４０：６０ヘキサン：ジクロロメタンで溶出するＭＰＬＣによって精製した。最も純粋な画分を組み合わせ、回転蒸発によって濃縮して固体を得て、それを等量のＴＨＦ／ヘキサンを使用して２回再結晶し、１：１ヘキサン：ＴＨＦで洗浄してＩ−４を良好な結晶（１．２１ｇ、１５％収率）を得た。デバイス製造前の最終精製は、真空昇華によって成し遂げられた。

合成例５
この実施例は、化合物Ｉ−５の調製を例示する。

ａ．２，６−ジフェニルピリミジン−４−オン（中間体５）の合成。

４７ｍＬ水中の１８．４７ｇのベンザミジン塩酸塩を、１０ｍＬ水中の４．７４ｇの水酸化ナトリウムで処理した。次に、２１．４５ｍＬのベンゾイル酢酸エチル、引き続き５０ｍＬのエタノールを添加して均一な反応物を生成し、それを室温で一晩攪拌した。不均一な反応物を濾過し、固体をメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルで洗浄して中間体５を白色固体（１９．９ｇ、６８％収率）として得た。

ｂ．２，６−ジフェニル５−ブロモピリミジン−４−オン（中間体６）の合成。

５７０ｍＬ酢酸中の１９．９ｇの中間体５に、２１．４ｇのＮ−ブロモスクシンイミドを添加した。不均一反応物を室温で一晩攪拌した。水を添加し、内容物をジクロロメタンで抽出した。組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮して固体を得て、それを熱いエタノールでトリチュレーションし、エタノールで２回、次にメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルで１回洗浄して中間体６を白色固体（２０．２５ｇ、７７％収率）として得た。

ｃ．２，６−ジフェニル５−シアノピリミジン−４−オン（中間体７）の合成。

グローブボックス中で、１４５ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中の４．０ｇの中間体６および４．０ｇのＰｄ（ＰＰｈ₃）₄を、５０℃の内温に加熱した。次に、２．８８ｇのシアン化亜鉛を添加し、反応物を一晩１１８℃の内温で加熱した。反応物を冷却し、水（１Ｌ）を反応物に添加し、内容物をクロロホルムで抽出した。組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、回転蒸発によって濃縮して固体を得て、それをジクロロメタンでトリチュレーションして中間体７を白色固体（７４０ｍｇ、２２％収率）として得た。

ｄ．２，６−ジフェニル５−ブロモピリミジン−４−オン（中間体８）の合成。

７６ｍＬの１，４−ジオキサン中の４．４９ｇの中間体７の懸濁液に、２３．５ｍＬのオキシ塩化リンを添加した。反応物を３．５時間還流させ、室温に冷却し、氷浴中で冷却される水に注ぎ込んだ。飽和水性炭酸ナトリウムの溶液をｐＨ＝６まで添加したとき、内容物をジクロロメタンで抽出した。組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮して真っ白でない固体を得て、それをジクロロメタンに溶解させ、７０：３０〜５０：５０ヘキサン：ジクロロメタンで溶出する中圧液体クロマトグラフィー（ＭＰＬＣ）によって精製した。最も純粋な画分を組み合わせ、回転蒸発によって濃縮して中間体８を白色固体（３．１５ｇ、６６％収率）として得た。

ｅ．１１−（ｍ−テルフェニル）−１２−（２，６−ジフェニル−５−シアノピリミジン−４−イル）−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（Ｉ−５）の合成。

グローブボックス中で、室温での３１ｍＬのＤＭＦ中の４．３０ｇの１２−［３−（３−フェニルフェニル）フェニル］−１１Ｈ−インドロ［２，３−ａ］カルバゾールに、１０ｍＬのＤＭＦ中の４３４ｍｇの６０％ＮａＨを添加した。室温で１時間攪拌した後、１０３ｍＬのＤＭＦ中の３．１ｇの中間体８を添加した。反応物を６０〜６５℃で加熱した。３時間後に、１ｍＬのＤＭＦ中の追加の５５ｍｇのＮａＨ（鉱油中６０％）を添加した。反応物を一晩攪拌した後、水（５００ｍＬ）および飽和水性塩化アンモニウム（１０ｍＬ）を添加した。内容物をジクロロメタンで抽出し、組み合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、回転蒸発によって濃縮して金−オレンジ色オイルを得た。粗材料を、９０：１０〜５０：５０ヘキサン：ジクロロメタンで溶出する、ＭＰＬＣによって精製した。最も純粋な画分を組み合わせ、回転蒸発によって濃縮して黄色固体を得て、それをジクロロメタンに溶解させ、濾過し、ジクロロメタン／アセトニトリルからの回転蒸発によって注意深く濃縮してＩ−５を黄色固体（１．３２ｇ、２２％収率、ＵＰＬＣにより９９．９９％純度）として得た。デバイス製造前の最終精製は、真空昇華によって成し遂げられた。

デバイス実施例：
（１）原材料
Ｄ１は、シクロメタル化イリジウム錯体である。そのような材料は、例えば、ＰＣＴ出願公開国際公開第２０１３１４２６３４号パンフレットに記載されている。

Ｄ２は、シクロメタル化イリジウム錯体である。そのような材料は、例えば、米国特許第７，２７６，７１６号明細書に記載されている。

ＥＴ−１は、アリールホスフィンオキシドである。
ＥＴ−２は、リチウムキノレートである。
ＨＩＪ−１は、導電性ポリマーとポリマーフッ素化スルホン酸との水性分散系から製造される正孔注入材料である。そのような材料は、例えば、米国特許第７，３５１，３５８号明細書、同第７，４３１，８６６号明細書、同第７，４６２，２９８号明細書、およびＰＣＴ出願公開国際公開第２００９／０１８００９号パンフレットに記載されている。
下に示される、Ｈｏｓｔ Ｈ１は、インドロカルバゾールである。そのような材料は、例えば、ＰＣＴ出願公開国際公開第２０１２０８７９５５号パンフレットに記載されている。

下に示される、Ｈｏｓｔ Ｈ２は、重水素化アミノクリセン化合物である。そのような材料は、例えば、米国特許第８，９６８，８８３号明細書に記載されている。

ＨＴＭ−１は、トリアリールアミンポリマーである。

（２）デバイス製造
ＯＬＥＤデバイスは、溶液加工と熱蒸発技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ製のパターン化酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）被覆ガラス基材を使用した。これらのＩＴＯ基材は、３０オーム／平方のシート抵抗および８０％光透過率を有するＩＴＯで被覆されたＣｏｒｎｉｎｇ１７３７ガラスをベースとしている。パター化ＩＴＯ基材を、水性洗剤溶液中で超音波によってきれいにし、蒸留水でリンスした。パターン化ＩＴＯをその後、アセトン中で超音波によってきれいし、イソプロパノールでリンスし、窒素の流れ中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、きれいにした、パターン化ＩＴＯ基材を１０分間ＵＶオゾンで処理した。冷却直後に、ＨＩＪ−１の水性分散系をＩＴＯ表面一面にスピンコートし、溶媒を除去するために加熱して正孔注入層（「ＨＩＬ」）を形成した。冷却後に、基材を次に、正孔輸送材料のトルエン溶液でコートし、次に溶媒を除去するために加熱して正孔輸送層（「ＨＴＬ」）を形成した。冷却後に基材を、ホストおよびドーパントの安息香酸メチル溶液でスピンコートし、溶媒を除去するために加熱して、エレクトロルミネセンス層（「ＥＭＬ」）を形成した。基材をマスクし、真空チャンバに入れた。電子輸送材料の層を、熱蒸発によって堆積させて電子輸送層（「ＥＴＬ」）を形成した。マスクを次に真空中で変え、Ａｌの層を熱蒸発によって堆積させて、カソードを形成した。チャンバをガス抜きし、デバイスを、ガラス蓋、乾燥剤、および紫外線硬化性エポキシを使用して封入した。

（３）デバイス特性評価
ＯＬＥＤデバイスを、それらの（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネセンススペクトル対電圧を測定することによって特性評価した。すべての３つの測定を同時に行い、コンピュータによって制御した。特定電圧でのデバイスの電流効率は、ＬＥＤのエレクトロルミネセンス放射輝度をデバイスを運転するために必要とされる電流密度で割ることによって求められる。単位はｃｄ／Ａである。電力効率は、運転電圧で割られた電流効率である。単位はｌｍ／Ｗである。色座標は、Ｍｉｎｏｌｔａ ＣＳ−１００メーターかＰｈｏｔｏｒｅｓｅａｒｃｈ ＰＲ−７０５メーターかのいずれかを用いてを決定した。

デバイス実施例１〜４
これらの実施例は、デバイスにおけるホスト材料としての、式Ｉを有する材料の使用を例示する。デバイスは、上記のとおり製造し、以下の層を有した。
アノード＝ＩＴＯ（５０ｎｍ）
ＨＩＬ＝ＨＩＪ−１（５０ｎｍ）
ＨＴＬ＝ＨＴＭ−１：ＨＴＭ−２（重量で、８：２）（１８ｎｍ）
ＥＭＬ＝４４重量％第１ホスト、４０重量％第２ホストＨ１、および１６重量％Ｄ１（５３ｎｍ）。第１ホストを、下の、表１に示す。
ＥＴＬ＝ＥＴ−１：ＥＴ−２（重量で２：３）（２０ｎｍ）
カソード＝Ａｌ（１００ｎｍ）
結果を下表１に示す。

Ｔ９５を除いて、すべてのデータは、２０００ニット（カンデラ毎平方メール）でのものである。ＣＥは電流効率であり；ＥＱＥ＝外部量子効率であり；Ｔ９５は、デバイスが５ｍＡ／ｃｍ²および５０℃で初期輝度の９５％に達するための時間単位の時間である。

デバイス実施例５〜７
これらの実施例は、デバイスにおけるホスト材料としての、式Ｉを有する材料の使用を例示する。デバイスは、上記のとおり製造し、以下の層を有した。
アノード＝ＩＴＯ（５０ｎｍ）
ＨＩＬ＝ＨＩＪ−１（７８ｎｍ）
ＨＴＬ＝ＨＴＭ−１：ＨＴＭ−２（重量で、８：２）（１８ｎｍ）
ＥＭＬ＝６５重量％第１ホスト、２１重量％第２ホストＨ２、８重量％Ｄ２および６重量％Ｄ１（６４ｎｍ）。第１ホストを、下表２に示す。
ＥＴＬ＝ＥＴ−１：ＥＴ−２（重量で２：３）（２２ｎｍ）
カソード＝Ａｌ（１００ｎｍ）
結果を下表２に示す。

Ｔ９５を除いて、すべてのデータは、２０００ニットでのものである。ＣＥは電流効率であり；ＥＱＥ＝外部量子効率であり；Ｔ９５は、デバイスが８ｍＡ／ｃｍ²および５０℃で初期輝度の９５％に達するための時間単位の時間である。

概要または実施例において上で記載された作業のすべてが必要であるわけではないこと、特定の作業の一部が必要でなくてもよいこと、そして１つ以上のさらなる作業が、記載されている作業に加えて行われてもよいことに留意されたい。さらにまた、作業がリストアップされる順序は、必ずしも作業が行われる順序ではない。

前述の明細書において、本概念は、具体的な実施形態に関連して説明されてきた。しかしながら、当業者は、様々な修正および変更が、以下の特許請求の範囲に説明されるような本発明の範囲から逸脱することなく行い得ることを十分理解するであろう。したがって、本明細書および図は、限定的な意味ではなく例証的な意味で考えられるべきであり、すべてのそのような修正は本発明の範囲内に含まれることが意図される。

利益、他の利点、および問題の解決策は、特定の実施形態に関して上で記載されてきた。しかしながら、利益、利点、問題の解決策、および任意の利益、利点、または解決策を生じさせ得るかもしくはより顕著なものにならせ得る任意の特徴は、任意のもしくはすべての請求項の決定的に重要な、必要とされる、または本質的な特徴と解釈されるべきではない。

特定の特徴が、明確にするために、別個の実施形態との関連で本明細書に記載され、単一の実施形態において組み合わせてまた提供されてもよいことは十分理解されるべきである。反対に、簡潔にするために、単一の実施形態との関連で記載される様々な特徴がまた、別個にまたは任意の副次的組み合わせで提供されてよい。本明細書で明記される様々な範囲の数値の使用は、記述範囲内の最小値および最大値が両方とも語「約」によって先行されるかのように近似値として記述される。このようにして、記述範囲の上下のわずかな変動は、範囲内の値と実質的に同じ結果を達成するために用いることができる。また、これらの範囲の開示は、１つの値の成分のいくつかが異なる値のそれらと混ぜられる場合に生じ得る小数値を含む最小平均値と最大平均値との間のあらゆる値を含む連続した範囲を意図する。さらに、より広いおよびより狭い範囲が開示される場合、１つの範囲からの最小値を別の範囲からの最大値とマッチさせることは本発明の熟慮内であり、逆もまた同様である。

Claims (11)

1. 下記の式ＩＢの置換基を有するＮ−複素環を含む化合物において、前記Ｎ−複素環は、下記の式ＩＶ−ｂである、化合物。
   

   

   式中：
   Ｑ１およびＱ３は、同じまたは異なるものであり、ＮおよびＣＲ^１からなる群から選択され；
   Ｒ¹ は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、炭化水素アリール、ヘテロアリール、重水素化炭化水素アリール、および重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され；
   Ｒ ² およびＲ ³ は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、炭化水素アリール、炭化水素アリールオキシ、重水素化炭化水素アリール、または重水素化炭化水素アリールオキシであり；
   ＊は、前記Ｎ−複素環中のＮへの結合点を表し；
   ただし、Ｑ１およびＱ３の少なくとも１つはＣ−ＣＮであり；
   

   

   式中：
   Ａｒ ¹ は、炭化水素アリール、または重水素化炭化水素アリールであり；
   Ｒ ⁴ は、Ｄであり、
   ａおよびａ１は、同じまたは異なるものであり、０〜４の整数であり；
   ｃは、０〜２の整数であり；
   ＊＊は、式ＩＢを有する前記置換基への結合点を表す。
2. 前記Ｒ ² およびＲ ³ は、出現ごとに同じまたは異なるものであり、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ビナフチル、テルフェニル、またはフェノキシである、請求項１に記載の化合物。
3. Ａｒ ^１ は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ビナフチル、テルフェニルである、請求項１または２に記載の化合物。
4. Ａｒ ^１ はテルフェニルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
5. 下記の化合物Ｉ−２〜化合物Ｉ−５から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
   

   
6. （ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）請求項１〜５のいずれか一項に記載の第１ホスト化合物、および（ｃ）第２ホスト化合物を含む組成物。
7. アノード、カソード、およびそれらの間の少なくとも１つの有機活性層を含む有機電子デバイスであって、前記有機活性層が、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物を含むデバイス。
8. 前記有機活性層が光活性層である、請求項７に記載のデバイス。
9. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の前記化合物が第１ホスト化合物であり、前記光活性層が、（ａ）３８０〜７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、および（ｃ）第２ホスト化合物をさらに含む、請求項８に記載のデバイス。
10. 前記第２ホスト化合物が、インドロカルバゾール、クリセン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される、請求項９に記載のデバイス。
11. 前記有機活性層が電子輸送層である、請求項７に記載のデバイス。

Images