CN108349869A - 可交联的空穴传输材料 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及可以表示为具有式I的化合物或由其衍生的聚合物的新颖的空穴传输材料。还披露了一种有机电子装置，该有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的至少一个有机活性层，其中该有机活性层包含该空穴传输材料。

Description

可交联的空穴传输材料
背景信息
技术领域
本披露涉及新颖的空穴传输化合物。本披露进一步涉及具有至少一个包含此种空穴传输化合物的层的电子装置。
背景技术
在组成OLED显示器的诸如有机发光二极管(“OLED”)的有机电子装置中，一个或多个有机电活性层被夹在两个电接触层之间。在OLED中，当横跨这些电接触层施加电压时，至少一个有机电活性层穿过透光的电接触层发射光。
众所周知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作发光组分。简单的有机分子、共轭聚合物、以及有机金属配合物已经被使用。
采用电致发光材料的装置通常包括一个或多个电荷传输层，这些电荷传输层被定位在光活性(例如发光)层与接触层(空穴注入接触层)之间。装置可包含两个或更多个接触层。空穴传输层可定位在光活性层与空穴注入接触层之间。空穴注入接触层也可被称为阳极。电子传输层可定位在光活性层与电子注入接触层之间。电子注入接触层也可被称为阴极。
持续需要用于电子装置中的电活性材料。
发明内容
提供了一种具有式I的化合物
其中Q1和Q2是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：H、D、烷基、氘代烷基、芳基、氘代芳基、以及具有式II的基团
＊-(L1)b-HT (II)
其前提是Q1和Q2中的至少一个是具有式II的基团；
其中：
HT在每次出现时是相同或不同的并且是空穴传输基团；
L1在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
a是从0-4的整数；
b在每次出现时是相同或不同的并且是0或1；并且
*表示附接点。
还提供了一种具有至少一个具有式III的单体单元的聚合物
其中：
L1在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
R4选自由H、D、以及L1组成的组；
a是从0-4的整数；并且
*表示附接点。
还提供了一种具有式IV的共聚物
[[A]x[M1]y[M2]z[E]w] (IV)
其中：
A是含有至少一个空穴传输基团的单体单元；
M1是在该共聚物中具有至少三个附接点的单体单元；
M2是具有两个附接点的芳族单体单元或其氘代类似物；
E是具有式III-a的单体单元
其中：
L1选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
R4a是H或D；
a是从0-4的整数；
x、y、z和w是相同或不同的并且是摩尔分数，其中至少x和w不为零；并且
*表示附接点。
进一步提供了一种具有至少一个层的电子装置，该层包含具有式I的化合物、具有至少一个具有式III的单体单元的聚合物、或具有式IV的共聚物。
前述总体描述和下文详细描述仅为示例性和说明性的，并不限制如所附权利要求所限定的本发明。
附图说明
附图中示出了实施例，以提高对如在此提出的概念的理解。
图1包括有机电子装置的一个实例的图示。
图2包括有机电子装置的另一个实例的图示。
熟练的技术人员应理解，图中的物体是为了简化和清楚而示出的，并且不一定按比例绘制。例如，图中的一些物体的尺寸相对于其他物体可能有所放大，以帮助提高对实施例的理解。
具体实施方式
提供了一种在此详细描述的具有式I的化合物。
提供了一种在此详细描述的具有至少一个具有式III的单体单元的聚合物。
提供了一种在此详细描述的具有式IV的共聚物。
提供了一种具有至少一个层的电子装置，该层包含具有式I的化合物、具有至少一个具有式III的单体单元的聚合物、或具有式IV的共聚物。
许多方面和实施例已在以上进行描述并且仅是示例性且非限制性的。在阅读本说明书后，熟练的技术人员应理解在不脱离本发明范围的情况下其他方面和实施例是可能的。
从以下详细说明并且从权利要求书中，任何一个或多个实施例的其他特征和益处将是明显的。详细说明首先提出术语的定义和阐明，接着是化合物、共聚物、电子装置，并且最后是实例。
1.术语的定义和阐明
在提出下述实施例的详情之前，定义或阐明一些术语。
如在此使用的，术语“烷基”包括支链和直链的饱和脂肪族烃基。除非另外指明，该术语还旨在包括环状基团。烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基、环戊基、己基、环己基、异己基等。术语“烷基”进一步包括取代和未取代的烃基二者。在一些实施例中，烷基可以是单-、二-和三-取代的。取代的烷基的一个实例是三氟甲基。其他取代的烷基由在此所述的取代基中的一个或多个形成。在某些实施例中，烷基具有1至20个碳原子。在其他实施例中，该基团具有1至6个碳原子。该术语旨在包括杂烷基。杂烷基可以具有从1-20个碳原子。
术语“芳族化合物”旨在是指包含至少一个具有离域π电子的不饱和环状基团的有机化合物。该术语旨在涵盖芳族化合物和杂芳族化合物两者，所述芳族化合物仅具有碳和氢原子，所述杂芳族化合物中的环状基团内的一个或多个碳原子已被另一个原子如氮、氧、硫等替换。
术语“芳基”或“芳基基团”是指衍生自芳族化合物的部分。“衍生自”化合物的基团表示通过除去一个或多个H或D形成的基团。芳基基团可以是单个环(单环)或稠合在一起或共价连接的多个环(二环、或更多)。芳基部分的实例包括但不限于苯基、1-萘基、2-萘基、二氢萘基、四氢萘基、联苯基、蒽基、菲基、芴基、茚满基、联苯基、苊基、苊烯基等。在一些实施例中，芳基基团具有6至60个环碳原子；在一些实施例中，6至30个环碳原子。该术语旨在包括杂芳基。杂芳基可以具有从3-50个环碳原子；在一些实施例中，4-30个环碳原子。
术语“烷氧基”旨在是指基团-OR，其中R是烷基。
术语“芳氧基”旨在是指基团-OR，其中R是芳基。
除非另外指明，所有基团可以是取代的或未取代的。任选取代的基团，例如但不限于烷基或芳基，可以被一个或多个可以是相同或不同的取代基取代。合适的取代基包括D、烷基、芳基、硝基、氰基、-N(R7)(R8)、卤素、羟基、羧基、烯基、炔基、环烷基、杂芳基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧基羰基、全氟烷基、全氟烷氧基、芳基烷基、甲硅烷基、硅氧烷、硫代烷氧基、-S(O)2-N(R’)(R”)、-C(＝O)-N(R’)(R”)、(R’)(R”)N-烷基、(R’)(R”)N-烷氧基烷基、(R’)(R”)N-烷基芳氧基烷基、-S(O)s-芳基(其中s＝0-2)、或-S(O)s-杂芳基(其中s＝0-2)。每个R’和R”独立地是任选取代的烷基、环烷基或芳基。R’和R”，与它们所结合的氮原子一起，在某些实施例中可以形成环体系。取代基还可以是交联基团。
当涉及层、材料、构件、或结构时，术语“电荷传输”旨在是指此类层、材料、构件、或结构促进此类电荷以相对效率和小的电荷损失穿过此类层、材料、构件、或结构的厚度的迁移。空穴传输材料有利于正电荷；电子传输材料有利于负电荷。虽然发光材料也可以具有一些电荷传输特性，但是术语“电荷传输层、材料、构件、或结构”不旨在包括其主要功能是发光的层、材料、构件、或结构。
术语“化合物”旨在是指由分子组成的不带电物质，所述分子进一步包括原子，其中原子不能通过不破坏化学键的物理手段与其对应的分子分离。该术语旨在包括低聚物和聚合物。
术语“可交联基团”或“交联基团”旨在是指可经由热处理、使用引发剂、或暴露于辐射连接到另一种化合物或聚合物链的化合物或聚合物链上的基团，其中该连接是共价键。在一些实施例中，该辐射是UV或可见的。可交联基团的实例包括但不限于乙烯基、丙烯酸酯、全氟乙烯基醚、1-苯并-3,4-环丁烷、邻醌二甲烷基团、硅氧烷、氰酸酯基团、环醚(环氧化物)、环烯烃、以及炔基团。
当涉及层或材料时，术语“电活性”旨在表示电子地促进装置的运行的层或材料。电活性材料的实例包括但不限于传导、注入、传输或阻断电荷的材料，其中电荷可为电子或空穴，或者在接收辐射时发射辐射或表现出电子-空穴对浓度变化的材料。非活性材料的实例包括但不限于平面化材料、绝缘材料和环境阻挡材料。
前缀“氟”旨在表示基团中的一个或多个氢已经被氟替换。
前缀“杂”表示一个或多个碳原子已经被不同原子替换。在一些实施例中，杂原子为O、N、S、或它们的组合。
术语“液体组合物”旨在是指材料溶解在其中以形成溶液的液体介质、材料分散在其中以形成分散体的液体介质、或材料悬浮在其中以形成悬浮液或乳液的液体介质。
术语“光活性”是指当通过所施加的电压激活时发射光(诸如在发光二极管或化学电池中)、在吸收光子之后发射光(诸如在下变频磷光体装置中)、或者响应于辐射能并且在或不在所施加的偏压下生成信号(诸如在光电检测器或光伏电池中)的材料或层。
术语“甲硅烷基”是指基团R3Si-，其中R是H、D、C1-20烷基、氟烷基、或芳基。在一些实施例中，R烷基中的一个或多个碳被Si替换。在一些实施例中，甲硅烷基是(己基)2Si(Me)CH2CH2Si(Me)2-和[CF3(CF2)6CH2CH2]2SiMe-。
术语“硅氧烷”是指基团(RO)3Si-，其中R是H、D、C1-20烷基、或氟烷基。
当用来指装置中的层时，短语“邻近的”不一定是指一层紧挨着另一层。另一方面，短语“相邻的R基团”用来指化学式中彼此紧靠的R基团(即，通过键结合的原子上的R基团)。
在本说明书中，除非在使用背景下另外明确指明或相反指示，在本发明主题的实施例被陈述或描述为包含、包括、含有、具有某些特征或要素、由某些特征或要素组成或由某些特征或要素构成时，除了明确论述或描述的那些以外的一个或多个特征或要素也可存在于该实施例中。所披露的本发明主题的替代实施例被描述为基本上由某些特征或要素组成，其中将实质性改变操作原理或实施例的区别特性的实施例特征或要素在此不存在。所描述的本发明主题的另一个替代实施例被描述为由某些特征或要素组成，在该实施例中或在其非本质变型中，仅存在所具体陈述或描述的特征或要素。
此外，除非有相反的明确说明，“或”是指包含性的或，而不是指排他性的或。例如，条件A或B由下列任一项满足：A是真(或存在)和B是假(或不存在)，A是假(或不存在)和B是真(或存在)，和A和B二者都是真(或存在)。
而且，使用“一个或一种”来描述在此所描述的要素和组分。这样做只是为了方便并给出本发明范围的一般意义。该描述应被解读为包括一个(一种)或至少一个(一种)，并且单数形式也包括复数形式，除非其明显地另有所指。
对应于元素周期表内的列的族编号使用如在CRC Handbook of Chemistry andPhysics[CRC化学与物理手册]，第81版(2000-2001)中所见的“New Notation[新命名法]”惯例。
除非另有定义，否则在此所使用的所有技术和科学术语均具有与本发明所属领域普通技术人员所通常理解的相同含义。尽管与在此所述的那些类似或等同的方法和材料可用于本发明实施例的实践或测试中，但在下面描述合适的方法和材料。除非引用具体段落，在此提及的所有出版物、专利申请、专利以及其他参考文献以其全文通过引用结合。在冲突的情况下，则以本说明书，包括定义为准。另外，材料、方法和实例仅为说明性的并且不旨在是限制性的。
在此未描述的有关特定材料、加工行为和电路的许多细节均是常规的并且可以在有机发光二极管显示器、光电检测器、光伏和半导体构件领域的教科书和其他来源中找到。
2.化合物
在此描述的化合物具有式I
其中Q1和Q2是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：H、D、烷基、氘代烷基、芳基、氘代芳基、以及具有式II的基团
＊-(L1)b-HT (II)
其前提是Q1和Q2中的至少一个是具有式II的基团；
其中：
HT在每次出现时是相同或不同的并且是空穴传输基团；
L1在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
a是从0-4的整数；
b在每次出现时是相同或不同的并且是0或1；并且
*表示附接点。
在一些实施例中，具有式I的化合物是氘代的。术语“氘代的”旨在是指至少一个氢(“H”)已被氘(“D”)替换。术语“氘代类似物”是指其中一个或多个可用氢已被氘替换的化合物或基团的结构类似物。在氘代化合物或氘代类似物中，氘以天然丰度水平的至少100倍存在。在一些实施例中，该化合物是至少10％氘代的。“％氘代的”或“％氘化”是指氘核与质子加氘核的总和的比率，以百分比表示。在一些实施例中，该化合物是至少10％氘代的；在一些实施例中，至少20％氘代的；在一些实施例中，至少30％氘代的；在一些实施例中，至少40％氘代的；在一些实施例中，至少50％氘代的；在一些实施例中，至少60％氘代的；在一些实施例中，至少70％氘代的；在一些实施例中，至少80％氘代的；在一些实施例中，至少90％氘代的；在一些实施例中，100％氘代的。
氘代材料可能不太易于被空穴、电子、激子或其组合降解。氘化可以潜在地抑制化合物在装置操作期间的降解，这进而可以导致改善的装置寿命。一般来说，这种改善是在不牺牲其他装置特性的情况下完成的。此外，氘代化合物通常具有比非氘代类似物更大的空气耐受性。这可以导致制备和纯化材料以及使用这些材料形成电子装置二者的更大的加工公差。
在式I的一些实施例中，Q1＝Q2。
在式I的一些实施例中，Q1≠Q2。
在式I的一些实施例中，Q1是H或D。
在式I的一些实施例中，Q1是具有1-12个碳的烷基或氘代烷基；在一些实施例中，1-8个碳；在一些实施例中，3-8个碳。
在式I的一些实施例中，Q1是具有6-60个环碳的烃芳基或氘代类似物；在一些实施例中，6-30个环碳；在一些实施例中，10-20个环碳。
在式I的一些实施例中，Q1是具有至少一个稠环的烃芳基或其氘代类似物。
在式I的一些实施例中，Q1选自下组，该组由以下各项组成：萘基、蒽基、萘基苯基、苯基萘基、芴基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式I的一些实施例中，Q1是不具有稠环的烃芳基。
在式I的一些实施例中，Q1具有式a
其中：
R20在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、烷基、烷氧基、硅氧烷、甲硅烷基、甲锗烷基、以及其氘代类似物；
p在每次出现时是相同或不同的并且是从0-4的整数；
q是从0-5的整数；
r是从1至5的整数；并且
*表示附接点。
在式I的一些实施例中，Q1具有式b
其中R20、p、q、r和*如式a中。
在式I的一些实施例中，Q1选自下组，该组由以下各项组成：苯基、联苯基、三联苯、萘基、苯基萘基、萘基苯基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。在一些实施例中，这些取代基选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基。
在式I的一些实施例中，Q1是具有3-60个环碳的杂芳基或其氘代类似物。在一些实施例中，该杂芳基具有3-30个环碳；在一些实施例中，5-20个环碳。
在式I的一些实施例中，Q1是N-杂芳基或其氘代类似物。
在一些实施例中，该N-杂芳基是衍生自化合物的基团，该化合物选自下组，该组由以下各项组成：吡咯、吡啶、嘧啶、咔唑、咪唑、苯并咪唑、咪唑并苯并咪唑、三唑、苯并三唑、三唑并吡啶、吲哚并咔唑、菲咯啉、喹啉、异喹啉、喹喔啉、吲哚、吲哚并吲哚、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式I的一些实施例中，Q1是具有如上所定义的式II的基团。
在式II的一些实施例中，b＝0。
在式II的一些实施例中，b＝1。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1是具有1-12个碳的烷基或氘代烷基；在一些实施例中，1-8个碳；在一些实施例中，3-8个碳。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1是具有6-60个环碳的烃芳基或氘代类似物；在一些实施例中，6-30个环碳；在一些实施例中，10-20个环碳。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1是具有至少一个稠环的烃芳基或其氘代类似物。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1选自下组，该组由以下各项组成：萘基、蒽基、萘基苯基、苯基萘基、芴基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1是不具有稠环的烃芳基。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1具有式c，
其中R20、p、r和*如式a中。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1具有式d
其中R20、p、r和*如式a中。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1选自下组，该组由以下各项组成：苯基、联苯基、三联苯、萘基、苯基萘基、萘基苯基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。在一些实施例中，这些取代基选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1是具有3-60个环碳的杂芳基或其氘代类似物。在一些实施例中，该杂芳基具有3-30个环碳；在一些实施例中，5-20个环碳。
在式II的一些实施例中，b＝1并且L1是N-杂芳基或其氘代类似物。
在式II的一些实施例中，HT包含选自下组的部分，该组由以下各项组成：芳基氨基、N-杂环、稠合芳族烃、其取代衍生物、其组合、以及其氘代类似物。
在式II的一些实施例中，HT选自下组，该组由以下各项组成：二芳基氨基、三芳基氨基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。在一些实施例中，HT是包含至少两个芳基氨基的部分。
在式II的一些实施例中，HT是具有一个或多个氮杂原子并且没有其他杂原子的N-杂环基团或其氘代类似物。
在一些实施例中，仅具有一个或多个氮杂原子的N-杂环基团衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：咔唑、苯并咔唑、氮杂咔唑、二氢化吖啶、吲哚、吲哚并吲哚、吲哚并咔唑、咪唑、苯并咪唑、吡咯并吡咯、二嗪、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、三唑并吡啶、喹啉、异喹啉、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式II的一些实施例中，HT是具有至少一个氮杂原子和至少一个氧或硫杂原子的N-杂环基团。
在一些实施例中，该N-杂环基团衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：噁嗪、吩噁嗪、噁唑、苯并噁唑、吩噻嗪、苯并噻唑、苯并噻二唑、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式II的一些实施例中，HT是具有稠环的烃芳基或其氘代类似物。
在一些实施例中，该烃芳基衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：芴、蒽、苯并蒽、苯并菲、二氢化茚、茚并芴、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式II的一些实施例中，HT包含至少一个芳基氨基和衍生自选自下组的化合物的第二基团，该组由以下各项组成：咔唑、苯并咔唑、吲哚并咔唑、芴、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在一些实施例中，HT具有式HT-1
其中：
Ar1是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
b1是0或1；并且
*表示附接点。
在式I中，当HT具有式HT-1并且b1＝0时，那么b＝1。
在式HT-1的一些实施例中，Ar1具有如上所定义的式c或式d。
在式HT-1的一些实施例中，Ar1选自下组，该组由以下各项组成：苯基、联苯基、三联苯、萘基、蒽基、其取代类似物、以及其氘代类似物。
在式HT-1的一些实施例中，Ar2具有如上所定义的式a或式b。
在式HT-1的一些实施例中，Ar2选自下组，该组由以下各项组成：苯基、联苯基、三联苯、萘基、蒽基、咔唑基、共价连接在一起的此类基团的组合、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在一些实施例中，HT具有式HT-1a
其中：
Ar1a和Ar2a在每次出现时是相同或不同的并且衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：芴、亚芳基咔唑、三芳基胺、其取代衍生物、以及其氘代类似物；并且
*表示附接点。
在一些实施例中，HT具有式HT-2
其中：
Ar1是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar3选自下组，该组由以下各项组成：芳基、(CR’2)r、金刚烷基、二环环己基、具有通过单个原子连接的脂肪族环的二环基团、其取代衍生物、以及其氘代类似物；
R’在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、烷基、氟烷基、芳基、氘代烷基、氘代氟烷基和氘代芳基；并且
*表示附接点。
在式HT-2的一些实施例中，Ar3具有如上所定义的式a或式b。
在式HT-2的一些实施例中，Ar3选自下组，该组由以下各项组成：苯基、萘基、蒽基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
对于式HT-1中的Ar1和Ar2的所有以上描述的实施例同样适用于式HT-2中的Ar1和Ar2。
在一些实施例中，HT具有式HT-2a
其中：
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
R5至R9在每次出现时独立地是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中相邻的R5或R9基团可以连接在一起以形成稠合的5-或6-元芳环；
a1在每次出现时是相同或不同的并且是从0至4的整数；
b3是0或1；
f在每次出现时是相同或不同的并且是0至可用的键合位置的最大数；
g是从0至3的整数；
h是1或2；并且
*表示附接点。
在式HT-2a的一些实施例中，两个Ar2基团是相同的。
在式HT-2a的一些实施例中，两个Ar2基团是不同的。
在式HT-2a的一些实施例中，至少一个Ar2是没有稠环的芳基。
在式HT-2a的一些实施例中，至少一个Ar2具有如上所定义的式c或式d。
在式HT-2a的一些实施例中，Ar2选自下组，该组由以下各项组成：苯基、联苯基、三联苯、其衍生物、以及其氘代类似物，这些衍生物具有一个或多个选自下组的取代基，该组由以下各项组成：烷基、烷氧基、和甲硅烷基。
在式HT-2a的一些实施例中，R5至R9是D或C1-10烷基。在一些实施例中，该烷基基团是氘代的。
在式HT-2a的一些实施例中，所有a1＝0。
在式HT-2a的一些实施例中，至少一个a1>0。
在式HT-2a的一些实施例中，所有f＝0。
在式HT-2a的一些实施例中，至少一个f>0。
在式HT-2a的一些实施例中，b3＝1。
在式HT-2a的一些实施例中，h＝2。
在式HT-2a的一些实施例中，g＝1。
在式HT-2a的一些实施例中，g＝2。
在一些实施例中，HT具有式HT-3
其中：
Ar1是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar4是芳基或氘代芳基；并且
*表示附接点。
对于式HT-1中的Ar1和Ar2的所有以上描述的实施例同样适用于式HT-3中的Ar1和Ar2。
在式HT-3的一些实施例中，Ar4是具有10-36个环碳的稠合烃芳基、其取代衍生物或其氘代类似物。
在式HT-3的一些实施例中，Ar4衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：苯、苯基苯、萘、蒽、芘、、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在一些实施例中，HT具有式HT-4
其中：
Ar1在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar5在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：亚苯基、取代的亚苯基、亚萘基、取代的亚萘基、以及其氘代类似物；
T1和T2在每次出现时独立地是相同或不同的，并且是以非平面构型连接的共轭部分或其氘代类似物；
d在每次出现时是相同或不同的并且是从1至6的整数；
e是从1至6的整数；并且
*表示附接点。
在式HT-4的一些实施例中，至少一个Ar5是具有选自下组的取代基的取代苯基，该组由以下各项组成：烷基、烷氧基、甲硅烷基、以及其氘代类似物。
在式HT-4的一些实施例中，d是1-4。
在式HT-4的一些实施例中，d是1-3。
在式HT-4的一些实施例中，d＝1。
式HT-4中的任何芳环可以在任何位置处被取代。取代基可以存在以改善化合物的一种或多种物理特性，如溶解度。在一些实施例中，取代基选自下组，该组由以下各项组成：D、C1-12烷基、C1-12烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、以及其氘代类似物。在一些实施例中，烷基是杂烷基。在一些实施例中，烷基是氟烷基。
对于式HT-1中的Ar1和Ar2的所有以上描述的实施例同样适用于式HT-4中的Ar1和Ar2。
在式HT-4的一些实施例中，至少一个Ar2具有选自下组的取代基，该组由以下各项组成：烷基、烷氧基、甲硅烷基、以及其氘代类似物。
在式HT-4中，T1和T2是共轭部分。在一些实施例中，T1和T2是芳族部分或氘代芳族部分。
在式HT-4的一些实施例中，T1和T2选自下组，该组由以下各项组成：亚苯基、亚萘基、蒽基、以及其氘代类似物。
在式HT-4的一些实施例中，[T1-T2]是取代的亚联苯基或其氘代类似物。术语“亚联苯基”旨在是指具有两个与化合物主链的附接点的联苯基。术语“联苯基”旨在是指具有两个通过单键连接的苯基单元的基团。亚联苯基可以在2、3-、4-或5-位之一以及2’、3’-、4’-或5’-位之一处附接。取代的亚联苯基在2-位上具有至少一个取代基。在式HT-4的一些实施例中，亚联苯基在至少2-位和2’-位上具有取代基。
在式HT-4的一些实施例中，[T1-T2]是亚联萘基或氘代亚联萘基。术语“亚联萘基”旨在是指具有2个与化合物主链的附接点的联萘基。术语“联萘基”旨在是指具有两个通过单键连接的萘单元的基团。在一些实施例中，亚联萘基是1,1’-亚联萘基，其在3-、4-、5-、6或7-位之一以及3’-、4’-、5’-、6’或7’-位之一处被附接到化合物主链上。
在式HT-4的一些实施例中，[T1-T2]是亚苯基-亚萘基或氘代亚苯基-亚萘基。
在式HT-4的一些实施例中，亚联苯基、亚联萘基和亚苯基-亚萘基在一个或多个位置处被取代。
在式HT-4的一些实施例中，[T1-T2]是在4位和4’位处被附接到基团主链上的1,1-亚联萘基，被称为4,4’-(1,1-亚联萘基)。
在一些实施例中，HT具有式HT-5或式HT-6
其中：
Ar1是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar6在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar7是芳基或氘代芳基；
R10和R11在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中选自R10和R11的相邻基团可以连接在一起以形成稠环；
b2是0或1；
g1在每次出现时是相同或不同的并且是从0-3的整数；并且
*表示附接点。
对于式HT-1中的Ar1的所有以上描述的实施例同样适用于式HT-6中的Ar1和Ar6。
对于式HT-1中的Ar2的所有以上描述的实施例同样适用于式HT-5和式HT-6中的Ar2。
在式HT-5的一些实施例中，Ar7具有如上所定义的式a或式b。
在式HT-5的一些实施例中，Ar7选自下组，该组由以下各项组成：苯基、联苯基、三联苯、萘基、蒽基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
对于式HT-2a中的R4至R9的所有以上描述的实施例同样适用于式HT-5和式HT-6中的R10和R11。
在式HT-5的一些实施例中，b2＝0。
在式HT-5的一些实施例中，b2＝1。
在式HT-5的一些实施例中，g2＝0。
在式HT-5的一些实施例中，至少一个g2＝1。
在式HT-5的一些实施例中，至少一个g2>0。
在式HT-6的一些实施例中，b2＝0。
在式HT-6的一些实施例中，b2＝1。
在式HT-6的一些实施例中，g2＝0。
在式HT-6的一些实施例中，至少一个g2＝1。
在式HT-6的一些实施例中，至少一个g2>0。
在一些实施例中，HT具有式HT-7
其中：
Ar8选自由H、D、芳基或氘代芳基组成的组，其前提是当k＝0时，Ar8为芳基或氘代芳基；
R10和R11在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中选自R10和R11的相邻基团可以连接在一起以形成稠环；
a2是从0-4的整数；
g2在每次出现时是相同或不同的并且是从0-3的整数；
k是从0-2的整数；并且
*表示附接点。
在式HT-7的一些实施例中，Ar8具有如上所定义的式a或式b。
在式HT-7的一些实施例中，Ar8选自下组，该组由以下各项组成：苯基、联苯基、三联苯、萘基、蒽基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
对于式HT-2a中的R4至R9的所有以上描述的实施例同样适用于式HT-7中的R10和R11。
在式HT-7的一些实施例中，a2＝0。
在式HT-7的一些实施例中，a2＝1。
在式HT-7的一些实施例中，a2>0。
在式HT-7的一些实施例中，g2＝0。
在式HT-7的一些实施例中，至少一个g2＝1。
在式HT-7的一些实施例中，至少一个g2>0。
对于Q1的所有以上描述的实施例同样适用于Q2。
在式I的一些实施例中，a＝0。
在式I的一些实施例中，a＝1。
在式I的一些实施例中，a＝2。
在式I的一些实施例中，a＝3。
在式I的一些实施例中，a＝4。
在式I的一些实施例中，a>0。
在式I的一些实施例中，a>0且至少一个R1＝D。
在式I的一些实施例中，a>0且至少一个R1是具有1-12个碳的烷基或氘代烷基；在一些实施例中，1-8个碳；在一些实施例中，3-8个碳。
在式I的一些实施例中，a>0且至少一个R1是具有1-12个碳的烷氧基或氘代烷氧基；在一些实施例中，1-8个碳；在一些实施例中，3-8个碳。
在式I的一些实施例中，a>0且至少一个R1选自下组，该组由以下各项组成：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、以及其氘代类似物。
式I的上述实施例中的任一个可与其他实施例中的一个或多个组合，只要它们不是互相排斥的。例如，其中L1＝具有3-8个碳的烷基的实施例可以与其中HT具有式HT-1的实施例组合。对于以上讨论的其他非相互排斥的实施例同样如此。本领域技术人员将理解哪些实施例是相互排斥的并且因此将容易地能够确定本申请所考虑的实施例的组合。
在下面示出了具有式I的化合物的一些非限制性实例。
化合物H1
化合物H2
化合物H3
化合物H4
化合物H5
具有式I的化合物可以使用将产生C-C或C-N键的任何技术制造。已知多种这样的技术，例如Suzuki、Yamamoto、Stille和金属催化的C-N偶联以及金属催化的和氧化的直接芳基化。
氘代化合物可以以类似的方式使用氘代前体材料，或更通常通过在路易斯酸H/D交换催化剂(诸如三氟甲磺酸、三氯化铝或二氯化乙基铝)的存在下，用氘代溶剂(诸如苯-d6)处理未氘代化合物来制备。
示例性制备在实例中给出。
这些化合物可以使用溶液处理技术形成层。术语“层”与术语“膜”可互换地使用并且是指覆盖所希望区域的涂层。该术语不受尺寸的限制。该区域可如整个装置一样大，或者如特定功能区例如实际视觉显示一样小，或者如单个子像素一样小。层和膜可由任何常规的沉积技术形成，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)和热转移。连续沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸涂、狭缝式模具涂布、喷涂、以及连续喷嘴涂布。不连续的沉积技术包括，但不限于，喷墨印刷、凹版印刷和丝网印刷。
具有式I的新化合物可用作空穴传输材料和电致发光材料的主体。这些新化合物还具有作为用于底漆层的材料以改善空穴传输层的沉积的效用。
3.聚合物和共聚物
还提供了一种具有至少一个具有式III的单体单元的聚合物
其中：
L1在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
R4选自由H、D、以及L1组成的组；
a是从0-4的整数；并且
*表示附接点。
在式III的一些实施例中，R4是H。
在式III的一些实施例中，R4是D。
在式III的一些实施例中，R4是L1。
对于式I中的R1、R2、R3、L1和a的所有以上描述的实施例同样适用于式III中的R1、R2、R3、L1和a。
进一步提供了一种具有式IV的共聚物
[[A]x[M1]y[M2]z[E]w] (IV)
其中：
A是含有至少一个空穴传输基团的单体单元；
M1是在该共聚物中具有至少三个附接点的单体单元；
M2是具有两个附接点的芳族单体单元或其氘代类似物；
E是具有式III-a的单体单元
其中：
L1选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
R4a是H或D；
a是从0-4的整数；
x、y、z和w是相同或不同的并且是摩尔分数，其中至少x和w不为零；并且
*表示附接点。
在式I的一些实施例中，“A”、“E”和任选的“M1”和“M2”单元以规则交替模式排列。
在式I的一些实施例中，“A”、“E”和任选的“M1”和“M2”单元以相同单体的嵌段排列。
在式I的一些实施例中，“A”、“E”和任选的“M1”和“M2”单元随机地排列。
在一些实施例中，可以操纵单体链段的分布以优化用于电子装置中的具有式I的化合物的特性。在一些实施例中，不同的分布可能导致最终决定相关成膜特性的不同程度的非缔合堆积。
在一些实施例中，具有式IV的共聚物是氘代的。在一些实施例中，该共聚物是至少10％氘代的；在一些实施例中，至少20％氘代的；在一些实施例中，至少30％氘代的；在一些实施例中，至少40％氘代的；在一些实施例中，至少50％氘代的；在一些实施例中，至少60％氘代的；在一些实施例中，至少70％氘代的；在一些实施例中，至少80％氘代的；在一些实施例中，至少90％氘代的；在一些实施例中，100％氘代的。
氘化可以存在于单体单元A、E、M1和M2中的一个或多个上。氘化可以存在于共聚物主链上、侧基上或两者上。
在式IV的一些实施例中，该共聚物具有Mn>10,000。在一些实施例中，该共聚物具有Mn>20,000；在一些实施例中，Mn>50,000；在一些实施例中，Mn>100,000；在一些实施例中，Mn>150,000。
在式IV的一些实施例中，x是在0.3-0.9的范围内；在一些实施例中，0.4-0.8；在一些实施例中，0.5-0.80。
在式IV的一些实施例中，y是在0-0.30的范围内；在一些实施例中，0.05-0.20；在一些实施例中，0.10-0.15。
在式IV的一些实施例中，z是在0-0.30的范围内；在一些实施例中，0.05-0.20；在一些实施例中，0.10-0.15。
在式IV的一些实施例中，w是在0.05-0.30的范围内；在一些实施例中，0.10-0.20；在一些实施例中，0.10-0.15。
在式IV的一些实施例中，单体单元A包括选自下组的部分，该组由以下各项组成：芳基氨基、N-杂环、稠合芳族烃、其取代衍生物、其组合、以及其氘代类似物。
在式IV的一些实施例中，单体单元A选自下组，该组由以下各项组成：二芳基氨基、三芳基氨基、其取代衍生物、以及其氘代类似物。在一些实施例中，单体单元A是包含至少两个芳基氨基的单体。
在式IV的一些实施例中，单体单元A是具有一个或多个氮杂原子并且没有其他杂原子的N-杂环基团或其氘代类似物。
在一些实施例中，仅具有一个或多个氮杂原子的N-杂环基团衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：咔唑、苯并咔唑、氮杂咔唑、二氢化吖啶、吲哚、吲哚并吲哚、吲哚并咔唑、咪唑、苯并咪唑、吡咯并吡咯、二嗪、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、三唑并吡啶、喹啉、异喹啉、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式IV的一些实施例中，单体单元A是具有至少一个氮杂原子和至少一个氧或硫杂原子的N-杂环基团。
在一些实施例中，该N-杂环基团衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：噁嗪、吩噁嗪、噁唑、苯并噁唑、吩噻嗪、苯并噻唑、苯并噻二唑、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式IV的一些实施例中，单体单元A是具有稠环的烃芳基或其氘代类似物。
在一些实施例中，该烃芳基衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：芴、蒽、苯并蒽、苯并菲、二氢化茚、茚并芴、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式IV的一些实施例中，单体单元A包含至少一个芳基氨基和衍生自选自下组的化合物的第二基团，该组由以下各项组成：咔唑、苯并咔唑、吲哚并咔唑、芴、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-1
其中：
Ar1在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar2是芳基或氘代芳基；
b1是0或1；并且
*表示附接点。
对于式HT-1中的Ar1、Ar2和b1的所有以上描述的实施例同样适用于式A-1中的Ar1、Ar2和b1。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-1a
其中：
Ar1a和Ar2a在每次出现时是相同或不同的并且衍生自选自下组的化合物，该组由以下各项组成：芴、亚芳基咔唑、三芳基胺、其取代衍生物、以及其氘代类似物；并且
*表示附接点。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-2
其中：
Ar1在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar3是芳基或氘代芳基；并且
*表示附接点。
对于式HT-2中的Ar1、Ar2和Ar3的所有以上描述的实施例同样适用于式A-2中的Ar1、Ar2和Ar3。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-2a
其中：
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
R5至R9在每次出现时独立地是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中相邻的R5或R9基团可以连接在一起以形成稠合的5-或6-元芳环；
a1在每次出现时是相同或不同的并且是从0至4的整数；
f在每次出现时是相同或不同的并且是0至可用的键合位置的最大数；
g是从0至3的整数；
h和h1是相同或不同的并且是1或2；并且
*表示附接点。
在式HT-2a的一些实施例中，h1＝2。
对于式HT-2a中的Ar2、R5至R9、a1、h和g的所有以上描述的实施例同样适用于式A-2a中的Ar2、R5至R9、a1、h和g。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-3
对于式HT-3中的Ar1、Ar2和Ar4的所有以上描述的实施例同样适用于式A-3中的Ar1、Ar2和Ar4。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-4
其中：
Ar1在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar5在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：亚苯基、取代的亚苯基、亚萘基、取代的亚萘基、以及其氘代类似物；
T1和T2在每次出现时独立地是相同或不同的，并且是以非平面构型连接的共轭部分或其氘代类似物；
d在每次出现时是相同或不同的并且是从1至6的整数；
e在每次出现时是相同或不同的并且是从1至6的整数；并且
*表示附接点。
对于式HT-4中的Ar1、Ar2、Ar5、T1、T2、d和e的所有以上描述的实施例同样适用于式A-4中的Ar1、Ar2、Ar5、T1、T2、d和e。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-5或式A-6
其中：
Ar1是芳基或氘代芳基；
Ar2在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar6在每次出现时是相同或不同的并且是芳基或氘代芳基；
Ar7是芳基或氘代芳基；
R10和R11在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中选自R10和R11的相邻基团可以连接在一起以形成稠环；
b2是0或1；
g1在每次出现时是相同或不同的并且是从0-3的整数；并且
*表示附接点。
对于式HT-5和式HT-6中的Ar1、Ar2、Ar6、Ar7、R10、R11、b2和g1的所有以上描述的实施例同样适用于式A-5和式A-6中的Ar1、Ar2、Ar6、Ar7、R10、R11、b2和g1。
在式IV的一些实施例中，单体单元A具有式A-7
其中：
Ar8选自由H、D、芳基或氘代芳基组成的组，其前提是当k＝0时，Ar8为芳基或氘代芳基；
R10和R11在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中选自R10和R11的相邻基团可以连接在一起以形成稠环；
a2在每次出现时是相同或不同的并且是从0-4的整数；
g2是从0-3的整数；
k是从0-2的整数；并且
*表示附接点。
对于式HT-7中的Ar8、R10、R11、a2和g2的所有以上描述的实施例同样适用于式A-7中的Ar8、R10、R11、a2和g2。
单体单元M1是在共聚物中具有至少三个附接点的支链单体单元。
在一些实施例中，单体单元M1是芳族的。
在一些实施例中，单体单元M1是芳族的，具有烷基支链基团。
在一些实施例中，单体单元M1是芳族的，具有芳族支链基团。
在一些实施例中，单体单元M1是三芳基胺基团。
在一些实施例中，单体单元M1具有式VI
其中：
Z选自下组，该组由以下各项组成：C、Si、Ge、N、环状脂肪族部分、芳族部分、氘代环状脂肪族部分、或氘代芳族部分，其中A具有至少三个键合位置；
Y是单键、烷基、芳族部分、氘代烷基、或氘代芳族部分，前提是当Y是单键、烷基或氘代烷基时，Z是芳族或氘代芳族部分；
s是从3至在Z上可用的键合位置的最大数的整数；并且
*表示共聚物中的附接点。
在式VI的一些实施例中，Z为衍生自化合物的芳族部分，该化合物选自苯、萘、蒽、菲、其取代衍生物、以及其氘代类似物。
在一些实施例中，单体单元M1具有式VII、式VIII、式IX和式X之一
其中：
Ar9是具有至少三个键合位置的芳族部分或氘代芳族部分；
R6在每次出现时独立地是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中相邻的R6基团可以连接在一起以形成稠合的5-或6-元芳环；
p1在每次出现时是相同或不同的并且是从0至4的整数；
*表示共聚物中的附接点。
在下面示出了单体单元M1的一些非限制性实例。
单体单元M2是芳族的任选的单体单元。
在一些实施例中，单体单元M2具有以下给出的式之一。
在M2-1至M2-18中：
R12在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳基、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基和氘代芳基；
R13在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：H、D、烷基和氘代烷基；
R14在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、以及其氘代类似物；
R15在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：芳基和氘代芳基；
f在每次出现时是相同或不同的并且是从0至可用于取代基的位置的最大数的整数；
t是0-20的整数；并且
*表示附接点。
在M2-1至M2-18的一些实施例中，f＝0。
在M2-1至M2-18的一些实施例中，至少一个f>0并且R12＝D。
在M2-1至M2-18的一些实施例中，至少一个f>0并且R12＝具有1-12个碳的烷基、或其氘代类似物。
在下面示出了任选的单体单元M2的一些非限制性实例。
单体单元E是具有式III-a的单体。
单体单元A、M1、M2和E的以上实施例中的任一个可与其他实施例中的一个或多个组合，只要它们不是互相排斥的。
在下面示出了具有式I的化合物的一些非限制性实例。
共聚物H1
在共聚物H1中，z＝0且不存在单体单元M2。
在一个实施例中，比率x:y:w＝58:12:30。
在一个实施例中，比率x:y:w＝76:12:12。
具有式IV的共聚物可以使用将产生C-C或C-N键的任何技术和已知的聚合技术制造。已知多种这样的技术，例如Suzuki、Yamamoto、Stille和金属催化的C-N偶联以及金属催化的和氧化的直接芳基化。
氘代化合物可以以类似的方式使用氘代前体材料，或更通常通过在路易斯酸H/D交换催化剂(诸如三氟甲磺酸、三氯化铝或二氯化乙基铝)的存在下，用氘代溶剂(诸如苯-d6)处理未氘代化合物来制备。
这些共聚物可以使用溶液处理技术形成层。层和膜可由任何常规的沉积技术形成，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)和热转移。连续沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸涂、狭缝式模具涂布、喷涂、以及连续喷嘴涂布。不连续的沉积技术包括，但不限于，喷墨印刷、凹版印刷和丝网印刷。
具有式IV的新共聚物可用作空穴传输材料和电致发光材料的主体。新共聚物也可以在空穴注入层与空穴传输层之间的一个或多个层中具有效用。
4.电子装置
得益于具有一个或多个包括至少一种如在此所述的化合物的层的有机电子装置包括但不限于：(1)将电能转换为辐射的装置(例如发光二极管、发光二极管显示器、照明装置、光源、或二极管激光器)，(2)通过电子方法检测信号的装置(例如光电检测器、光导电池、光敏电阻器、光控继电器、光电晶体管、光电管、IR检测器、生物传感器)，(3)将辐射转换为电能的装置(例如光伏装置或太阳能电池)，(4)将一个波长的光转换成更长波长的光的装置(例如，下变频磷光体装置)；以及(5)包括一个或多个包括一个或多个有机半导体层的电子元件的装置(例如，晶体管或二极管)。根据本发明的组合物的其他用途包括用于记忆存储装置的涂覆材料、抗静电膜、生物传感器、电致变色装置、固体电解电容器、储能装置(诸如可再充电电池)和电磁屏蔽应用。
包括具有式I的化合物或具有式IV的共聚物的有机电子装置结构的一个图示在图1中示出。装置100具有第一电接触层，阳极层110和第二电接触层，阴极层160，以及介于它们之间的光活性层140。可以任选地存在附加层。邻近该阳极的可以是空穴注入层120，有时称为缓冲层。邻近该空穴注入层的可以是包含空穴传输材料的空穴传输层130。邻近该阴极的可以是包含电子传输材料的电子传输层150。作为一种选择，装置可以使用一个或多个紧邻阳极110的附加的空穴注入层或空穴传输层(未示出)和/或一个或多个紧邻阴极160的附加的电子注入层或电子传输层(未示出)。层120至150单独地且统称为有机活性层。
在一些实施例中，为了实现全色，发光层被像素化，每种不同颜色具有子像素单元。包括该具有式I的化合物或该具有式IV的共聚物的像素化装置的图示在图2中示出。装置200具有阳极110、空穴注入层120、空穴传输层130、电致发光层140、电子传输层150和阴极160。电致发光层被分成子像素141、142、143，它们横越该层重复。在一些实施例中，这些子像素表示红色、蓝色和绿色发射。尽管图2中描绘了三个不同的子像素单元，可以使用两个或三个以上的子像素单元。
这里将参照图1进一步讨论这些不同的层。然而，该讨论同样适用于图2和其他构型。
在一些实施例中，这些不同的层具有以下厚度范围：阳极110，在一些实施例中，空穴注入层120，在一些实施例中， 空穴传输层130，在一些实施例中，光活性层140， 在一些实施例中，电子传输层150，在一些实施例中，阴极160，在一些实施例中，所期望的层厚度的比率将取决于所用材料的确切性质。
在此所述的具有式I或式II的新化合物中的一种或多种可存在于装置的一个或多个电活性层中。在一些实施例中，新化合物可用作层130中的电子传输材料。在一些实施例中，新化合物可用作光活性层140中的光活性掺杂剂材料的主体材料。术语“掺杂剂”旨在是指包括主体材料的层内的材料，与在没有这种材料的情况下该层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电子特性或一个或多个波长相比，该材料改变该层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电子特性或一个或多个目标波长。术语“主体材料”旨在是指向其中添加掺杂剂的材料。主体材料可以或可以不具有发射、接收、或过滤辐射的一种或多种电子特性或能力。在一些实施例中，主体材料以较高的浓度存在。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的至少一个有机活性层，其中该有机活性层包含具有式I的化合物。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的光活性层，并且进一步包括附加的有机活性层，该有机活性层包含具有式I的化合物。在一些实施例中，该附加的有机活性层是空穴传输层。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的至少一个有机活性层，其中该有机活性层包含具有式II的化合物。
在一些实施例中，有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的光活性层，并且进一步包括附加的有机活性层，该有机活性层包含具有式II的化合物。在一些实施例中，该附加的有机活性层是空穴传输层。
阳极110是对于注入正电荷载体尤其有效的电极。其可由例如包含金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物的材料制成，或者其可为导电聚合物、以及它们的混合物。合适的金属包括第11族金属、第4、5和6族中的金属和第8-10族的过渡金属。如果阳极是要透光的，则一般使用第12、13和14族金属的混合金属氧化物，例如氧化铟锡。该阳极还可包含有机材料诸如聚苯胺,如在“Flexible light-emittingdiodes made fromsoluble conducting polymer[由可溶性导电聚合物制成的柔性发光二极管]”，Nature[自然]，第357卷，第477-479页(1992年6月11日)中所述。阳极和阴极中的至少一个应是至少部分透明的以允许产生的光被观察到。
任选的空穴注入层120包括空穴注入材料。术语“空穴注入层”或“空穴注入材料”旨在是指导电或半导电材料，并且在有机电子装置中可具有一种或多种功能，包括但不限于下层的平面化、电荷传输和/或电荷注入特性、杂质诸如氧或金属离子的清除、以及有利于或改善有机电子装置的性能的其他方面。空穴注入材料可以是聚合物、低聚物或小分子，并且可以是呈溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶体混合物或其他组合物的形式。
空穴注入层可由聚合物材料形成，如聚苯胺(PANI)或聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)，所述聚合物材料通常掺杂有质子酸。质子酸可为例如聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)等。空穴注入层120可包含电荷转移化合物等，如酞菁铜和四硫富瓦烯-四氰基对苯二醌二甲烷体系(TTF-TCNQ)。在一些实施例中，空穴注入层120由导电聚合物和胶体形成聚合物酸的分散体制成。此类材料已经在例如公布的美国专利申请2004-0102577、2004-0127637和2005-0205860中进行了描述。
层130包括空穴传输材料。在一些实施例中，空穴传输层包含具有式I或式II的化合物。
在一些实施例中，空穴传输层仅包含具有式I的化合物，其中将实质上改变该层的操作原理或区别特性的附加材料不会存在于其中。
在一些实施例中，空穴传输层仅包含具有式II的化合物，其中将实质上改变该层的操作原理或区别特性的附加材料不会存在于其中。
在一些实施例中，层130包括其他空穴传输材料。用于空穴传输层的空穴传输材料的实例已概述于例如Y.Wang的Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology[柯克·奥思默化工百科全书]，第四版，第18卷，第837-860页，1996中。空穴传输小分子和聚合物二者均可使用。通常使用的空穴传输分子包括但不限于：4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯胺(TDATA)；4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)；N,N’-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)；4,4’-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)；1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)；1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)；N,N’-双(4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)-[1,1’-(3,3’-二甲基)联苯基]-4,4'-二胺(ETPD)；四-(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-苯二胺(PDA)；α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)；对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)；三苯胺(TPA)；双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)；1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)；1,2-反式-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)；N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TTB)；N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双-(苯基)联苯胺(α-NPB)；以及卟啉化合物，例如酞菁铜。常用的空穴传输聚合物包括但不限于聚乙烯咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚(二氧噻吩)、聚苯胺、以及聚吡咯。还有可能通过将空穴传输分子诸如上述那些掺入聚合物诸如聚苯乙烯和聚碳酸酯中来获得空穴传输聚合物。在一些情况下，使用三芳基胺聚合物，尤其是三芳基胺-芴共聚物。在一些情况下，所述聚合物和共聚物是可交联的。可交联空穴传输聚合物的实例可见于例如公布的美国专利申请2005-0184287和公布的PCT申请WO 2005/052027中。在一些实施例中，空穴传输层掺杂有p型掺杂剂，如四氟四氰基对苯二醌二甲烷和茈-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐。
根据装置的应用，光活性层140可以是由所施加的电压激活的发光层(例如在发光二极管或发光电化学电池中)、吸收光并且发射具有更长波长的光的材料层(例如在下变频磷光体装置中)、或响应于辐射能并且在或不在所施加的偏压下生成信号的材料层(诸如在光电检测器或光伏装置中)。
在一些实施例中，该光活性层包括有机电致发光(“EL”)材料。任何EL材料可用于这些装置中，所述材料包括但不限于小分子有机荧光化合物、荧光和磷光金属络合物、共轭聚合物、以及它们的混合物。荧光化合物的实例包括但不限于、芘、苝、红荧烯、香豆素、蒽、噻二唑、它们的衍生物、以及它们的混合物。金属络合物的实例包括但不限于金属螯合的喔星化合物，如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；环金属化的铱和铂电致发光化合物，如在Petrov等人的美国专利6,670,645以及已公布的PCT申请WO 03/063555和WO 2004/016710中所披露的铱与苯基吡啶、苯基喹啉、或苯基嘧啶配体的络合物，以及在例如已公布的PCT申请WO 03/008424、WO 03/091688、和WO 03/040257中所述的有机金属络合物、以及它们的混合物。在一些情况下，小分子荧光或有机金属材料作为掺杂剂与主体材料一起沉积以改善加工特性和/或电子特性。共轭聚合物的实例包括但不限于聚(苯撑乙烯)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(对亚苯基)、它们的共聚物、以及它们的混合物。
在一些实施例中，光活性层140包括在具有式I的主体材料中的电致发光材料。在一些实施例中，还存在第二主体材料。在一些实施例中，光活性层140仅包括电致发光材料和具有式I的主体材料。在一些实施例中，光活性层140仅包括电致发光材料、具有式I的第一主体材料和第二主体材料。第二主体材料的实例包括但不限于、菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃和金属喹啉络合物。
在一些实施例中，光活性层140包括在具有式II的主体材料中的电致发光材料。在一些实施例中，还存在第二主体材料。在一些实施例中，光活性层140仅包括电致发光材料和具有式II的主体材料。在一些实施例中，光活性层140仅包括电致发光材料、具有式II的第一主体材料和第二主体材料。第二主体材料的实例包括但不限于、菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃和金属喹啉络合物。
任选层150可以同时起到促进电子传输的作用，并且还用作空穴注入层或约束层以防止激子在层界面处淬灭。优选地，该层促进电子移动性并减少激子淬灭。可用于任选电子传输层150中的电子传输材料的实例包括金属螯合的喔星化合物，包括金属喹啉盐衍生物如三(8-羟基喹啉)铝(AlQ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(BAlq)、四-(8-羟基喹啉)铪(HfQ)和四-(8-羟基喹啉)锆(ZrQ)；以及唑化合物，诸如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)和1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)；喹喔啉衍生物，如2,3-二(4-氟苯基)喹喔啉；菲咯啉，诸如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA)；三嗪；富勒烯；以及它们的混合物。在一些实施例中，该电子传输材料选自下组，该组由以下各项组成：金属喹啉盐和菲咯啉衍生物。在一些实施例中，该电子传输层进一步包含n型掺杂剂。N型掺杂剂材料是众所周知的。n型掺杂剂包括但不限于第1族和第2族金属；第1族和第2族金属盐，如LiF、CsF和Cs2CO3；第1族和第2族金属有机化合物，如喹啉锂；以及分子n型掺杂剂，诸如无色染料、金属络合物，诸如W2(hpp)4(其中hpp＝1,3,4,6,7,8-六氢-2H-嘧啶并-[1,2-a]-嘧啶)和二茂钴、四硫杂并四苯、双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯、杂环基团或二价基团、以及杂环基团或二价基团的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物和多环化物。
可以在电子传输层上沉积任选的电子注入层。电子注入材料的实例包括但不限于含Li的有机金属化合物、LiF、Li2O、喹啉锂、含Cs的有机金属化合物、CsF、Cs2O和Cs2CO3。该层可与下面的电子传输层、上面覆盖的阴极或两者反应。当存在电子注入层时，沉积的材料的量通常在的范围内，在一些实施例中
阴极160是对于注入电子或负电荷载体尤其有效的电极。阴极可为具有低于阳极的功函数的任何金属或非金属。用于阴极的材料可选自第1族的碱金属(例如，Li、Cs)、第2族(碱土)金属、第12族金属，包括稀土元素和镧系元素、以及锕系元素。可使用诸如铝、铟、钙、钡、钐和镁、以及组合的材料。
已知在有机电子装置中具有其他层。例如，在阳极110与空穴注入层120之间可存在层(未示出)以控制注入的正电荷的量和/或提供层的带隙匹配，或用作保护层。可以使用本领域中已知的层，例如酞菁铜、氮氧化硅、碳氟化合物、硅烷或金属(如Pt)的超薄层。可替代地，可以对阳极层110、活性层120、130、140和150或阴极层160中的一些或全部进行表面处理以增加电荷载流子传输效率。优选通过平衡发射极层中的正电荷和负电荷来确定每个组件层的材料的选择，以提供具有高电致发光效率的装置。
应当理解，每个功能层可由多于一个层构成。
装置层可以通过任何沉积技术或技术的组合形成，包括气相沉积、液相沉积和热转移。可使用诸如玻璃、塑料和金属的基板。可使用常规的气相沉积技术，诸如热蒸发、化学气相沉积等。可使用常规的涂布或印刷技术，包括但不限于旋涂、浸涂、卷对卷技术、喷墨印刷、连续喷嘴印刷、丝网印刷、凹版印刷等，由合适溶剂中的溶液或分散体来施用有机层。
对于液相沉积方法，本领域技术人员可容易地确定用于特定化合物或相关类别化合物的合适溶剂。对于一些应用，期望这些化合物溶解于非水溶剂中。此类非水溶剂可以是相对极性的，诸如C1至C20醇、醚和酸酯，或可以是相对非极性的，诸如C1至C12烷烃或芳香族化合物诸如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。其他合适的用于制造包括新化合物的液体组合物的液体(如在此所述的作为溶液或分散体)包括但不限于氯化烃(诸如二氯甲烷、氯仿、氯苯)、芳烃(诸如取代的和未取代的甲苯和二甲苯，包括三氟甲苯)、极性溶剂(诸如四氢呋喃(THP)、N-甲基吡咯烷酮)、酯(诸如乙酸乙酯)、醇(异丙醇)、酮(环戊酮)、以及它们的混合物。用于电致发光材料的合适溶剂已经在例如公布的PCT申请WO 2007/145979中进行了描述。
在一些实施例中，该装置由空穴注入层、空穴传输层和光活性层的液相沉积以及阳极、电子传输层、电子注入层和阴极的气相沉积制成。
应当理解，可通过优化装置中的其他层来进一步改善由在此所述的新组合物制得的装置的效率。例如，可使用更有效的阴极例如Ca、Ba或LiF。导致操作电压降低或增加量子效率的成型基板和新型空穴传输材料也是可应用的。还可添加附加层以定制各种层的能级并且促进电致发光。
在一些实施例中，该装置具有按顺序的如下结构：阳极、空穴注入层、空穴传输层、光活性层、电子传输层、电子注入层、阴极。
尽管与在此所述的方法和材料类似或等同的方法和材料可用于本发明的实践或测试中，但是在下面描述了合适的方法和材料。另外，材料、方法和实例仅为说明性的并且不旨在是限制性的。所有的公开物、专利申请、专利、以及在此提及的其他参考文献以其全文通过引用结合。
实例
在此所述的概念将在以下实例中进一步描述，这些实例不限制权利要求中所述的本发明的范围。
合成实例1
应注意的是，并不是所有的以上在一般性描述或实例中所描述的活动都是必需的，一部分具体活动可能不是必需的，并且除了所描述的那些以外，还可进行一个或多个其他活动。此外，所列举的活动的顺序不必是它们实施的顺序。
在前述说明书中，已参考具体实施例描述了概念。然而，本领域的普通技术人员理解，在不脱离以下权利要求中所规定的本发明范围的情况下可作出各种修改和改变。因此，说明书和附图应被认为是示例性的而非限制意义，并且所有的此类修改均旨在包括于本发明的范围内。
上面已经关于具体实施例描述了益处、其他优点和问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案、以及可能引起任何益处、优点、或解决方案出现或使其变得更明显的一个或多个任何特征不会被解释为任何或所有权利要求的关键的、必要的或基本的特征。
要理解的是，为清楚起见，此处在单独实施例的背景下所述的某些特征还可以以组合形式在单个实施例中提供。相反地，为了简洁起见，在单个实施例的背景下所述的各个特征也可以单独地或以任何子组合提供。在此处指定的各个范围内的数值的使用表述为近似值，就像所述范围内的最小值和最大值二者前面都有单词“约”。以此方式，在所述范围之上或之下的微小变化均可用于获得与这些范围内的值基本上相同的结果。而且，这些范围的披露还旨在作为包括在最小与最大平均值之间的每个值的连续范围，包括当一个值的一些分量与不同值的分量混合时可产生的分数值。此外，当披露更宽和更窄的范围时，在本发明的期望内，使来自一个范围的最小值与来自另一个范围的最大值匹配，并且反之亦然。

Claims (4)

1.一种具有式I的化合物
其中Q1和Q2是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：H、D、烷基、氘代烷基、芳基、氘代芳基、以及具有式II的基团
*-(L1)b-HT (II)
其前提是Q1和Q2中的至少一个是具有式II的基团；
其中：
HT在每次出现时是相同或不同的并且是空穴传输基团；
L1在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
a是从0-4的整数；
b在每次出现时是相同或不同的并且是0或1；并且
*表示附接点。
2.一种具有至少一个具有式III的单体单元的聚合物
其中：
L1在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
R4选自由H、D、以及L1组成的组；
a是从0-4的整数；并且
*表示附接点。
3.一种具有式IV的共聚物
其中：
A是含有至少一个空穴传输基团的单体单元；
M1是在该共聚物中具有至少三个附接点的单体单元；
M2是具有两个附接点的芳族单体单元或其氘代类似物；
E是具有式III-a的单体单元
其中：
L1选自下组，该组由以下各项组成：烷基、芳基、其取代衍生物、其氘代类似物、以及它们的组合；
R1和R2是相同或不同的并且是H或D；
R3在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、CN、卤素、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
R4a是H或D；
a是从0-4的整数；
x、y、z和w是相同或不同的并且是摩尔分数，其中至少x和w不为零；并且
*表示附接点。
4.一种有机电子装置，其包括阳极、阴极和在其间的至少一个有机活性层，其中该有机活性层包含根据权利要求1-3中任一项所述的化合物。
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