WO2012023373A1 - 積層装置 - Google Patents

Abstract

フィルム状樹脂を基材の凹凸に完全に追従させ、しかも、追従させたフィルム状樹脂の膜厚をより厳密なレベルで均一にする積層装置を提供するため、図１９に示すように、仮積層体（ＰＬ１）（３１）を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間Ｚにおいて、非接触状態で仮積層体（ＰＬ１）（３１）を加圧し、仮積層体（ＰＬ１）（３１）から本積層体を形成する加圧積層手段（Ｐ１）と有する積層機構（Ｅ１）を備えるようにした。

Description

積層装置

　本発明は、電子回路基板および半導体装置の製造において、凹凸を有する基材にフィルム状樹脂を積層する積層装置に関するものである。更に詳しくは、基材に積層したフィルム状樹脂の膜厚均一性が高く、基材とフィルム状樹脂との間に小さな気泡（マイクロボイド）が発生することを抑制できる積層装置に関するものである。

　近年、電子機器の小型化、高性能化に伴い、これらに用いられる電子回路基板の高密度化、多層化が進行している。このような電子回路基板の多層化においては、フィルム状樹脂を凹凸を有する基材へ積層した積層体の表面が平滑になることが求められる。このような要求に応える積層装置として、例えば、特許文献１には、膨張性を有する材料からなる可撓性シートで２つに仕切られた密閉空間の一方に、熱硬化性樹脂組成物又は感光性樹脂組成物からなるフィルム状樹脂と、基材と、を収容し、上記２つに仕切られた密閉空間の双方を減圧した後に、フィルム状樹脂と、基材と、を収容していない方の密閉空間だけ常圧に戻したり、更に加圧することにより、膨張性を有する材料からなる可撓性シートを減圧された密閉空間（フィルム状樹脂と基材とを収容している方の密閉空間）側へ膨張させ、その膨張した可撓性シートにより、フィルム状樹脂および基材を均等に加圧し、積層する装置が提案されている。この装置によれば、上記膨張性を有する材料からなる可撓性シートで２つに仕切られた密閉空間の気圧差により、上記可撓性シートが、いわば風船のように膨らみ、基材との接触部が基材の凹凸に沿って変形し、その状態でフィルム状樹脂と基材とを加圧する。そのため、この装置は、基材に凹凸があっても、フィルム状樹脂を基材の凹凸に沿って密着させることができる。

特開２００４－２４９６３９号公報

　しかしながら、上記の装置は、フィルム状樹脂を基材の凹凸に完全に沿って密着させることが困難な程、凹凸のピッチが小さい、あるいは、凹凸が大きい基材に対し、フィルム状樹脂と基材との間にマイクロボイドの発生を生じさせないことを優先させた装置である。この装置は、後工程で基材の上に積層したフィルム状樹脂の表面を、平面プレス板により平坦に成形する機能が付随しているため、積層されたフィルム状樹脂の膜厚の均一性はそれほど考慮されていない。例えば、上記の装置は、膨張させた可撓性シートを、フィルム状樹脂に押し当てることにより、基材の凹凸に沿って密着させてフィルム状樹脂を基材に積層している。したがって、基材の凹凸のピッチが小さい、あるいは、基材の凹凸が大きいときには、可撓性シートが被積層体の凹凸に沿って追従した状態で膨張しにくいため、基材に配置されるフィルム状樹脂は、上記可撓性シートにより強く加圧される部分とそうでない部分とが生じる。その結果、基材の凸部の頂点付近に配置されるフィルム状樹脂の部分は、そうでない部分に比べ、上記可撓性シートにより強く加圧されるため、伸びて膜厚が薄くなる。そのため、より厳密なレベルでフィルム状樹脂の膜厚を均一に保ったまま基材に積層することができないという傾向がみられる。

　本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、基材の凹凸のピッチが小さい、あるいは、基材の凹凸が大きいときでも、フィルム状樹脂を基材の凹凸に完全に沿わせて積層することができ、しかも、積層されたフィルム状樹脂の膜厚をより厳密なレベルで均一にすることができる積層装置の提供をその目的とする。

　上記目的を達成するため、本発明は、表裏両面の少なくとも一方に凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を付着してなる仮積層体（ＰＬ１）を対象とし、そのフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を基材の凹凸に追従させた本積層体を形成するための積層装置であって、上記仮積層体（ＰＬ１）を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方に接触しない非接触状態で上記仮積層体（ＰＬ１）を加圧して基材に積層して仮積層体（ＰＬ１）から本積層体を形成する加圧積層手段（Ｐ１）とを有する積層機構（Ｅ１）を有する積層装置をその要旨とする。

　すなわち、本発明者らは、凹凸を有する基材に積層されたフィルム状樹脂の膜厚をより厳密なレベルで均一にすること、および、基材の凹凸が大きいときでも、基材とフィルム状樹脂との間にマイクロボイドを発生させずにフィルム状樹脂を基材に積層すること等を課題として、研究を重ねた。その過程で、凹凸を有する基材に積層されたフィルム状樹脂の膜厚が不均一となるのは、先に述べたように、フィルム状樹脂を基材に積層する際に、基材の凹凸が大きい場合には、膨張した可撓性シートが基材の凹凸に沿って密着しきれず、基材の上に配置されたフィルム状樹脂が基材に強く押し当てられる（接触する）部分と、そうでない部分とが生じ、積層されたフィルム状樹脂の膜厚にむらができることを突き止めた。そこで、可撓性シートを膨らませてフィルム状樹脂に押し当てるのではなく、可撓性シートを用いずに、いわゆる非接触の状態で、フィルム状樹脂を加圧して基材に積層することができないか、とさらに検討を重ねた。その結果、フィルム状樹脂を加圧して基材に積層するに先立って、フィルム状樹脂を基材に重ねただけの仮積層体とし、この仮積層体を密閉空間に入れ、その密閉空間内に空気等を圧入して、空気等の圧力でフィルム状樹脂を基材に押し当て基材の凹凸に沿わせて積層体（本積層体）にすると、所期の目的を達成することができることを見出し、本発明に到達した。

　本発明の積層装置は、フィルム状樹脂を基材に重ねて付着させてなる仮積層体（ＰＬ１）を収容する密閉空間形成手段と、非接触状態で仮積層体（ＰＬ１）のフィルム状樹脂を加圧し、基材の凹凸に沿わせ本積層体にする加圧積層手段とを有する積層機構（Ｅ１）を備えている。したがって、本発明の装置によれば、可撓性シートの膨らむ力で、フィルム状樹脂を基材の凹凸に沿わせて積層体（本積層体）をつくるということを要さず、非接触の状態で、フィルム状樹脂を加圧することにより本積層体を形成することができる。更に、非接触状態でフィルム状樹脂の加圧が実現されることにより、支持体フィルムなしのフィルム状樹脂を基材に積層することが可能となるため、フィルム状樹脂自体の柔軟性を発揮させることが可能となる。よって、基材の凹凸の程度が比較的大きいものであっても、フィルム状樹脂と基材との間にマイクロボイドを発生させることなく、より高いレベルで両者が密着した状態の積層体（本積層体）を得ることができる。また、空気圧等を用い気体の圧力を利用して、フィルム状樹脂を基材に積層するため、凹凸を有する基材に積層されたフィルム状樹脂の膜厚をより厳密なレベルで均一にすることができる。

　したがって、本発明の積層装置は、光半導体素子のような発光する素子を搭載した基材とフィルム状樹脂の積層であって、積層後に、熱および光の少なくとも一方で硬化させる製品の製造において、後工程で樹脂層が光学マスク等と直接接触しないようにするために支持体フィルムの保護を必要とし、積層後に支持体フィルムを剥がす必要のあるドライフィルムソルダーマスクと異なり、基材の上に、予め支持体フィルムが取り除かれたフィルム状樹脂を配置し、直接、このフィルム状樹脂を加圧することが可能である。また、積層されたフィルム状樹脂の膜厚のバラツキを非常に少なくできるため、本発明の積層装置により、光半導体素子のような発光する素子を搭載した基材にフィルム状樹脂を積層すると、光学的に色むらの少ない、優れた光半導体装置を得ることができる。

　そして、本発明のなかでも、上記積層機構（Ｅ１）が、密閉空間内で仮積層体（ＰＬ１）から基材とフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方との間が負圧状態である仮積層体（ＰＬ２）を形成する減圧手段と、密閉空間内で仮積層体（ＰＬ１）を加熱して上記フィルム状樹脂の周縁部と基材をシールする加熱手段とをさらに有すると、積層機構（Ｅ１）の密閉空間内の気圧を仮積層体（ＰＬ２）の負圧空間の気圧より高くすることによって、非接触の状態で、気圧差による加圧力によりフィルム状樹脂を加圧することが可能であるため、フィルム状樹脂の粘着性や接着性を有する樹脂層を保護するために、フィルム状樹脂の表面を覆う必要がある支持体フィルムを取り除いた状態で、フィルム状樹脂層を加圧して基材に積層しても、フィルム状樹脂の樹脂層が加圧手段へ付着することがない。また、フィルム状樹脂自体の柔軟性が支持体フィルムによって阻害されず、基材に対するフィルム状樹脂の追従性がよくなる。このため、基材とフィルム状樹脂とが完全に密着し、部分的であってもフィルム状樹脂と基材との間にマイクロボイドが生じず、好適である。

　また、本発明のなかでも、上記積層機構（Ｅ１）が、密閉空間内で仮積層体（ＰＬ２）から本積層体を形成する際に仮積層体（ＰＬ２）と本積層体を加熱することにより上記基材に上記フィルム状樹脂を強固に追従させた状態にする加熱手段を有すると、仮積層体（ＰＬ２）の基材に対するフィルム状樹脂の追従性がよくなり、両者の密着性がより高い本積層体を形成することができる。

　さらに、本発明のなかでも、上記仮積層体（ＰＬ１）を対象とし、上記仮積層体（ＰＬ１）を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材が一体化した仮積層体（ＰＬ１）を形成する加圧積層手段（Ｐ２）を有する積層機構（Ｅ２）と、上記積層機構（Ｅ１）とを有すると、支持体フィルムにフィルム状樹脂が支持されるため、フィルム状樹脂層の形状が歪んだりせず平面に維持された状態で上記基材と対向させつつ、フィルム状樹脂と基材とを近接させて、フィルム状樹脂と基材とを一体化できる。よって、しわのないフィルム状樹脂が基材に対して重ねられている仮積層体（ＰＬ１）を得ることができる。このため、よりフィルム状樹脂の厚みが均一で、しかもフィルム状樹脂と基材との間にマイクロボイドの発生のない本積層体を得ることができる。

　また、本発明のなかでも、上記仮積層体（ＰＬ１）を対象とし、上記仮積層体（ＰＬ１）を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂の周縁部を上記基材へ積層して上記仮積層体（ＰＬ２）を形成する加圧積層手段（Ｐ３）を有する積層機構（Ｅ３）と、上記積層機構（Ｅ１）とを有すると、迅速に仮積層体（ＰＬ２）を形成することが可能であり効率よく、基材とフィルム状樹脂の間の空間を確実に密封することができる。

　そして、本発明のなかでも、上記加圧積層手段（Ｐ１）が、加圧圧力を制御する制御手段をさらに有すると、減圧された積層機構（Ｅ１）の密閉空間へ１段階で大気圧や設定された加圧エアーを注入する場合に較べて、仮積層体（ＰＬ２）から本積層体の形成のスピードを制御でき、穏やかに行えるために積層されたフィルム状樹脂層の膜厚均一性をより向上させることができる。

　さらに、本発明のなかでも、仮積層体（ＰＬ１）を上記積層機構（Ｅ２）または（Ｅ３）へ搬送する搬送機構（Ｔ１）と、上記積層機構（Ｅ２）または（Ｅ３）で形成された上記フィルム状樹脂を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂と上記基材が一体化した仮積層体（ＰＬ１）もしくは仮積層体（ＰＬ２）を上記積層機構（Ｅ１）へ搬送する搬送機構（Ｔ２）と、上記積層機構（Ｅ１）で形成された本積層体を上記積層機構（Ｅ１）から搬出する搬送機構（Ｔ３）と、を有すると、仮積層体（ＰＬ１）を形成する工程、フィルム状樹脂と基材が一体化した仮積層体（ＰＬ１）もしくは仮積層体（ＰＬ２）を形成する工程、本積層体を形成する工程を、それぞれ分散して行うことができるため、本積層体形成作業の効率化ならびに工程ごとに最適な形成条件を設定することができる。

　また、本発明のなかでも、上記支持体フィルム付きフィルム状樹脂から、支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離手段をさらに備えると、積層工程内において、フィルム状樹脂から支持体フィルムを剥離することができるため、基材の凹凸の程度やフィルム状樹脂の種類等に応じて、より簡便に基材にフィルム状樹脂を密接に積層することができる。

　そして、本発明のなかでも、上記支持体フィルム剥離手段が、仮積層体の支持体フィルム付きフィルム状樹脂および仮積層体形成前の支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方から支持体フィルムを剥離するように、それ自身が作動するための制御手段を有すると、支持体フィルムを、より容易かつ美麗に剥離することができるため好適である。

　さらに、本発明のなかでも、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を所定のサイズに切断する切断手段と、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム樹脂の一方をプレキュアするプレキュア手段とをさらに有すると、プレキュア手段によって、基材の凹凸の大きさ等に応じてフィルム状樹脂の残溶剤濃度や熱硬化の程度を制御することができる。そして、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム樹脂の一方をプレキュアすることにより、基材上に配置されたフィルム状樹脂が過度に流動して基材の凸部の上面や基材の周縁部に積層されたフィルム状樹脂の膜厚が薄くなることを抑制したり、フィルム状樹脂が基材の凹凸に追従する際に、過度に伸長しないようフィルム状樹脂の強度を高めることにより、基材上に積層されたフィルム状樹脂の膜厚均一性を向上させることができる。また、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方の、フィルム状樹脂の軟化の程度を計測することにより、後の工程である加圧積層手段において、加熱条件を計測データに基づいて設定することができるため、より確実に所望の状態の本積層体を得ることができる。さらに、コアに巻回された長尺帯状のフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を、プレキュアする前あるいは後に切断手段によって、仮積層体へ積層する際に用いられる所定のサイズへカットすることにより、ロールに巻かれたフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方から本積層体が形成される工程の全てを全自動化できる。

　なお、本発明において、「仮積層体」とは、凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂等（以下「フィルム状樹脂または支持体フィルム付きフィルム状樹脂」という）の樹脂面が密着追従していない状態の積層体をいう。なかでも、凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂等の樹脂面を対向させた状態で基材とフィルム状樹脂等とが重ね合わされた状態の仮積層体を「ＰＬ１」といい、ＰＬ１のフィルム状樹脂等の周縁部が基材に接して基材の凹凸面とフィルム状樹脂等の間の空間が封止され、減圧状態の密封空間が形成された仮積層体を「ＰＬ２」という。

　また、本発明において、「『非接触状態』でフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を加圧する」とは、「フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方に、『可撓性シート等の有体物が接触しない状態』で加圧する」ことをいう。

　そして、本発明において、基材にフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を『付着』してなる仮積層体（ＰＬ１）とは、基材の凹凸面に、フィルム状樹脂等の樹脂面を対向させた状態で、単に基材とフィルム状樹脂等とが重ね合わされた状態の仮積層体（ＰＬ１）をいい、基材とフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方が『一体化』してなる仮積層体（ＰＬ１）または（ＰＬ２）とは、基材とフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方が重ね合わされ、これがさらに加圧された状態の仮積層体（ＰＬ１）または（ＰＬ２）であって、基材からフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を簡単に分離できない程に一体化された状態の仮積層体（ＰＬ１）または（ＰＬ２）をいう。

本発明の一実施例の断面図である。 本発明の一実施例の部分断面図である。 本発明の一実施例の上面図である。 （ａ），（ｂ）はともに、本発明の一実施例の説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の部分拡大説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 （ａ），（ｂ）はともに、本発明のさらに他の実施例の説明図である。 本発明の他の実施例の断面図である。 本発明のさらに他の実施例の断面図である。 本発明のさらに他の実施例の説明図である。 本発明のさらに他の実施例の部分拡大説明図である。 本発明のさらに他の実施例の部分拡大説明図である。 本発明のさらに他の実施例の説明図である。 本発明のさらに他の実施例の説明図である。 本発明の一実施例の説明図である。 図１の部分拡大説明図である。 図１の部分拡大説明図である。 図３の部分拡大説明図である。 図３の部分拡大説明図である。 図１２の部分拡大説明図である。 図２１の部分拡大説明図である。 図２１の部分拡大説明図である。 図２２の部分拡大説明図である。 図２２の部分拡大説明図である。

　つぎに、本発明を実施するための形態について説明する。ただし、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。

　図１は、本発明の積層装置の一実施の形態を示している。この積層装置Ａは、シリコーン樹脂等からなるフィルム状樹脂を凹凸を有する基材に積層するための装置であって、上記長尺帯状の支持体フィルム付きフィルム状樹脂を切断する切断ブロック１と、支持体フィルム付きフィルム状樹脂をプレキュアするプレキュアブロック２と、支持体フィルム付きフィルム状樹脂から支持体フィルムを剥離する剥離ブロック３と、仮積層体を形成する仮積層体形成ブロック４と、本積層体を形成する本積層体形成ブロック５で構成されており、図示のように、矢印の流れ方向の上流（切断ブロック１）から下流（本積層体形成ブロック５）に向かってこの順で配設されている。なお、α’は、上記ブロック１～５を収容する全体カバーである。また、全体カバーα’には、各ブロックごとに、側面に図示しない安全扉と、本積層装置が設置されるクリーンルーム内の空気を更に清浄にする目的で天井部に図示しないＨＥＰＡフィルターとが設けられている。なお、図１の部分拡大図を、図２９（ブロック１，２）、図３０（ブロック３～５）に、それぞれ示す。また、図１において、各部分は模式的に示されており、その大きさ、厚み等は実際とは異なっている（以下の図においても同じ）。

　まず、上記切断ブロック１は、芯管に巻かれ内周側にカバーフィルムを有し、外周側に支持体フィルムを有する長尺帯状の支持体フィルム付きフィルム状樹脂からカバーフィルムを剥離する機能と、これを所定の長さに切断する機能と、を有している。すなわち、この切断ブロック１は、上記カバーフィルムを有する支持体フィルム付フィルム状樹脂が巻回された巻き出しロール６と、上記支持体フィルム付フィルム状樹脂から剥離したカバーフィルムを巻き取るためのカバーフィルム巻き取りロール７と、カバーフィルムが剥離された支持体フィルム付フィルム状樹脂を所定の長さに切断するディスクカッター８と、搬送コンベア９と、吸着搬送板１０とを備えている。

　より詳しく説明すると、図２に示すように、所定幅の上記巻き出しロール６は、基台ａから上方に延びた支柱板ｂに設けられ、上記支持体フィルム付フィルム状樹脂を繰り出し自在に保持する。また、巻き出しロール６は、図１の積層装置Ａを上から見た図である図３のｋに示すサーボモーターにより支持体フィルム付フィルム状樹脂の繰り出し方向と逆方向に回転し、繰り出された支持体フィルム付フィルム状樹脂に一定の張力を与えるように制御されている。上記巻き取りロール７は、支柱板ｂに設けられ、図３のｌに示すサーボモーターにより回転駆動されており、ガイドロールｅを介し、ニップロールｆ、ｇから繰り出される、剥離板ｄで支持体フィルム付フィルム状樹脂から剥離されたカバーフィルムを巻き取るようになっている。ニップロールｆは、図３のｍに示すサーボモーターで駆動され、駆動手段を有していないニップロールｇは、図示しないエアシリンダーでニップロールｆへ押圧される。

　搬送コンベア９は、ステンレス製のコンベアベルト９ｂと、駆動ロールｉとを有している。上記コンベアベルト９ｂは、図３に示すように、表面に多数の吸引穴９ｃを有し、エンドレス状になっていて、支持ロールｈ，駆動ロールｉに掛け渡されている。駆動ロールｉは、図３のｎに示すサーボモーターで駆動される。支持体フィルム付フィルム状樹脂の送り出し速度や送り量はニップロールｆ，ｇならびに駆動ロールｉを駆動するサーボモーターｎにより制御される。巻き出しロール６は、巻き出しロール６から搬送コンベア９へ供給される支持体フィルム付フィルム状樹脂に一定の設定した張力がかかるように、その回転力が制御され、巻き取りロール７は、ニップロールｆ，ｇから繰り出されたカバーフィルムを、設定した一定の張力で巻き取るように制御されている。この搬送コンベア９は、図２の９ａに示す減圧チャンバーと、コンベアベルト表面に設けられた吸引穴９ｃとが連通しているため吸引機能を有し、支持体フィルム付フィルム状樹脂を吸着した状態で搬送する。この搬送過程において、図２のｄに示される剥離板により、カバーフィルムは、支持体フィルム付フィルム状樹脂と異なる斜め後方に搬送方向が変更され、支持体フィルム付フィルム状樹脂から剥離される。なお、図３の部分拡大図を、図３１（ブロック１，２）、図３２（ブロック３～５）に、それぞれ示す。

　架橋板ｒは、搬送コンベア９から搬送された支持体フィルム付フィルム状樹脂を載せ、架橋板ｒ上を滑らせて移動させる。カバーフィルムが剥離され、搬送コンベア９によって架橋板ｒ上に搬送された支持体フィルム付フィルム状樹脂は、まず、架橋板ｒに設けられたディスクカッター走行溝ｐの上に張架され、架橋板ｒ上に設けられた吸引穴ｏより図示しない吸引手段により吸着され、切断時に支持体フィルム付フィルム状樹脂の位置がずれないように固定される。つぎに、ディスクカッター８が、図２の８ａに示すステッピングモーターにより回転されつつ、サーボモーターの回転運動を、内蔵するボールネジで直線運動に変換するＬＭアクチュエーター（８ｂ）により、図３のディスクカッター走行溝ｐを矢印ｑ方向へ走行し、架橋板ｒ上に固定された支持体フィルム付フィルム状樹脂を所定の長さに切断する。ディスクカッター８は、図３に示す位置に復帰しても良いし、その場に待機して搬送コンベア９から次の支持体フィルム付フィルム状樹脂が所定の長さ送り出されて架橋板ｒに吸着された後に矢印ｑと逆方向に走行して、支持体フィルム付フィルム状樹脂を切断してもよい。なお、架橋板ｒには図示しないヒーターが内蔵されており、搬送コンベア９から搬送された支持体フィルム付フィルム状樹脂を加温しているため、切断時の細かな切断屑（パーティクル）の発生を抑制している。

　吸着搬送板１０は、図３に示すように、吸着部１０ａを吸引する吸引装置（図示せず）による吸着機能と、エアシリンダー１０ｂによる上下駆動機能およびＬＭアクチュエーター１０ｃによる左右動する機能を有している。この吸着搬送板１０は、図２に示す状態からエアシリンダー１０ｂを動作させて下降して、所定寸法に切断された支持体フィルム付フィルム状樹脂を吸着し、エアシリンダー１０ｂを動作させて上昇して元の高さに戻り、ついで図示の右方にＬＭアクチュエーター１０ｃを動作させて水平移動し、続いてエアシリンダー１０ｂを動作させて下降して、所定寸法に切断された支持体フィルム付フィルム状樹脂（以下「切断フィルム状樹脂」という）１９の吸引を解除し、この切断フィルム状樹脂１９を、後工程のプレキュアブロック２から延びる搬送コンベア１１に載せる。なお、吸着搬送板１０の吸着部１０ａとしては、吸着部に金属焼結体やカーボン等の多孔質部材を用いた真空チャックやポリイミド等の誘電体を使用した静電チャックやベルヌーイ効果を利用した吸着パッド等、任意の吸着手段を用いることができる。

　プレキュアブロック２（図１に戻る）は、切断フィルム状樹脂１９をプレキュアするプレキュア機能を有するものであり、前記切断ブロック１および支持体フィルム剥離ブロック３と共通する搬送コンベア１１と、プレキュアブロック内気流循環用ブロアーファン１２ａ、ダクトヒーター１２ｂ、ＨＥＰＡフィルター１２ｃ、ダウンフロー吹き出し口１２ｄを有する、搬送コンベア１１の下部に配設される熱風循環式オーブン（以下「オーブン」とする）１２とを備えている。

　より詳しく説明すると、搬送コンベア１１の搬送ベルトはテフロン（登録商標）製のメッシュベルトで、図示していない支柱に軸支された、一対の支持ロールに架け渡されている。この搬送コンベア１１は、搬送ベルトの搬送面に、所定間隔で切断フィルム状樹脂１９を載置し、図示の矢印方向に搬送する。また、オーブン１２は、図示しない温度検出手段と温度制御手段を有しており、ダクトヒーター１２ｂが上記搬送コンベア１１の下方に、ブロアーファン１２ａ、ＨＥＰＡフィルター１２ｃと隣接した状態で設けられている。そして、ダクトヒーター１２ｂは、搬送ベルトの搬送面上の切断フィルム状樹脂１９を所定の温度にするため、オーブン１２内を循環する空気を加熱する。この加熱された空気はＨＥＰＡフィルター１２ｃに送られ清浄にされ、プレキュアブロック２内上方へ向かう配管（図示せず）の中を通り、ダウンフロー吹き出し口１２ｄより下方向へ吹き出されて、オーブン１２内に戻るように循環する。なお、オーブン１２内の空気は、上記のように循環するのみならず、切断フィルム状樹脂１９からのアウトガスを排気するため、図示しないブロアーファンと気体流量調整手段により排気されてもよい。搬送コンベア１１の搬送ベルトの搬送面に載置された切断フィルム状樹脂１９は、規定温度に設定されたオーブン１２内を、搬送コンベア１１で規定時間搬送されることによって、フィルム状樹脂の樹脂成分に硬化反応が生じ、いわばＢ－ステージ状となる。

　支持体フィルム剥離ブロック３は、プレキュアされた切断フィルム状樹脂１９の裏面から、支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離機能を有しており、図１および図３にその概略を示すように、ハーフカット装置１３と支持体フィルム剥離装置１４を備えている。より詳しく説明すると、ハーフカット装置１３は、図４（ａ）の正面図、図４（ｂ）の側面図に示すように、切刃１５とこれを上下に駆動するシリンダー１６とそれを支える台座１７と、切断フィルム状樹脂１９を搬送コンベア１３ａを介して載せる受台１８とからなる。プレキュアブロック２の搬送コンベア１１から、ハーフカット装置１３の搬送コンベア１３ａに載せかえられた切断フィルム状樹脂１９は、図４（ａ）において、図示しない切断フィルム状樹脂１９検出手段等によりハーフカット装置１３の中央部（受台１８上）に位置決めされる。位置決めは、図４（ｂ）において図示しないガイドピン等を受台１８の左側上方に位置する切刃１５より更に左側の受台１８上へ配置し、切断フィルム状樹脂１９を図示しない当接整列手段により上記ガイドピン等へ押し当てることによって行われ、これにより、受台１８における切断フィルム状樹脂１９の位置が確定される。上記以外の位置決め機構としては、例えば、切断フィルム状樹脂１９を、プレキュアブロック２の搬送コンベア１１からハーフカット装置１３の搬送コンベア１３ａに載せかえる前に、まず、センタリングテーブル等の位置決め手段に載せて位置決めし、その後に、図３に示す吸着搬送板１０と同様の搬送機構を用いて受台１８上の搬送コンベア１３ａへ載置するようにしてもよい。つぎに、図５に示すように、シリンダー１６を矢印の方向へ駆動し、位置決めされた切断フィルム状樹脂１９に対し、樹脂層であるフィルム状樹脂２０を通過し、支持体フィルム２１の上部に入り込むよう切刃１５を下降させる。これにより、切断フィルム状樹脂１９は、その幅方向を横切るようにフィルム状樹脂２０がカットされ、フィルム状樹脂２０の厚みとほぼ等しい深さに切れ込みが入る。これを「ハーフカット」という。図３において、ハーフカットされた切断フィルム状樹脂１９は、搬送コンベア１３ａによりハーフカット装置１３の直下から紙面の右方向へ搬送される。搬送されたハーフカット済みの切断フィルム状樹脂１９は、図３に示す移送アーム７３の吸着板７３ａにより吸着され、ＬＭアクチュエーター７３ｂにより搬送コンベア１３ａから持ち上げられ、ＬＭアクチュエーター７３ｃにより支持体フィルム剥離装置１４へ送られる。

　支持体フィルム剥離装置１４は、図６に示すように、上記移送アーム７３によって送られたハーフカット済みの切断フィルム状樹脂１９を載置する、四隅の脚部で支えられた載置台２２と、サーボモーター駆動ＬＭアクチュエーター２３と、上方に延びる押圧用アーム２４と、吸着パット２５を有しその固定板２６をサーボモーター駆動ＬＭアクチュエーター２６ａにより鉛直方向にスライドさせることにより上下移動可能なアーム２７と、このアーム２７に進退自在に取付けられたニードル部２８と、所定方向に移動自在なつまみ部２９（図示せず）とを備えている。上記載置台２２は、その下部に設けられたスライド自在のＬＭアクチュエーター２３により、水平方向に移動できるようになっている。なお、ＬＭアクチュエーター２３は、駆動源であるサーボモーター（図示せず）の回転を内蔵されたボールネジに伝えることにより、水平方向に移動できる。押圧用アーム２４は、吸着パット２５の下側で、かつ、載置台２２の脚部と脚部の間に配置され、載置台２２が図示の左方に移動して上方に空間ができたときに、吸着パット２５に向かって延びるようになっている。アーム２７は、基台に支持されているＬＭアクチュエーター２６ａに、固定板２６を介しＬＭアクチュエーター２６ａに沿って移動自在に取付けられ、内部の吸引路（図示せず）により、その吸着パット２５に、吸引力を付与する。吸着パット２５は、ハーフカット済みの切断フィルム状樹脂１９を吸着するためのものであり、上記ハーフカット済みの切断フィルム状樹脂１９より少し小さくなっている。ニードル部２８は、アーム２７に、そのアームの長さ方向に沿って進退自在に取付けられている。ニードル部２８の先端には、ニードルが設けられ、その先端が吸着パット２５に向けられている。

　つぎに、ハーフカット済みの切断フィルム状樹脂１９を、図６に矢印で示すように、移送アーム７３によって、支持体フィルム剥離装置１４の載置台２２上の所定位置に載置する。そして、載置台２２を吸着パット２５の直下へ移動させ、図７に矢印で示すように、アーム２７を下降作動させ吸着パット２５に上記の状態の切断フィルム状樹脂１９を接触させて吸着させ、その状態で吸着パット２５を上方に持ち上げる。このとき、吸着パット２５が切断フィルム状樹脂１９に対し少し小さいため、上記切断フィルム状樹脂１９の、ハーフカットされた側の端部が、支持体フィルム２１ごと少し吸着パット２５よりはみ出している。つまみ部２９は、このはみ出した端部をつかむもので、その先端の、一対のつまみ爪がつまみ部２９のエアシリンダーにより開閉してつまみ動作を行い、かつ、後端が先端を中心に下方に回動し、全体が図３に示す支持体フィルム剥離装置に付設されたＬＭアクチュエーター１４ａにより切断フィルム状樹脂の対角線方向へ水平移動できるようになっている。つまみ部２９が切断フィルム状樹脂１９のはみ出した端部をつかんだ後、載置台２２は側方に移動し、生じた空間から押圧用アーム２４が上昇し、吸着パット２５のパットと押圧用アーム２４とで、切断フィルム状樹脂１９の端部側の部分を挟み、固定する（図８）。その状態で、つまみ部２９が、切断フィルム状樹脂１９の端部をつかんでいるところを中心に、図９に示すように、つかんでいるところの反対側が下方に下がる。この動きにより、つまみ部２９によってつかまれている切断フィルム状樹脂１９の端部が、吸着パット２５のパット面から下方に下がり、それによって切断フィルム状樹脂１９のハーフカットされた部分の切れ目が広がり、割れた状態となる。

　ついで、押圧用アーム２４が下降し、図９の部分拡大図である図１０に示すように、ニードル部２８の先端に設けられたニードルが、そのハーフカットされた部分の割れ目を突いて、割れ目をさらに大きくし、そこから裂け易くする。その状態から、つまみ部２９が、図１１の矢印で示すように移動し、それによって、切断フィルム状樹脂１９の支持体フィルム２１が、切断フィルム状樹脂１９の端部ごと、フィルム状樹脂２０から剥がれる。また、ニードル部２８は元の位置に戻る。このとき、吸着パット２５には、残りの大部分のフィルム状樹脂２０のみが吸着された状態で残っている。そして、吸着パット２５直下に載置台２２を移動させた後、吸着パット２５を下降させてその吸着を解除することにより、フィルム状樹脂２０が載置台２２の上に載置される。フィルム状樹脂２０が載置された載置台２２は、吸着パット２５直下から移送アーム７３の吸着板７３ａの直下へ移動する。そして、この移送アーム７３によって、フィルム状樹脂２０は、仮積層体形成ブロック４へ搬送される。

　仮積層体形成ブロック４は（図１、図３に戻る）、上記フィルム状樹脂２０を、凹凸を有する基材の凹凸面に所定の位置関係で重ね、フィルム状樹脂自体の有する粘性および自重で、凹凸のうちの凸部に軽く付着させて仮積層体（ＰＬ１）を形成する機能を有する。この仮積層体形成ブロック４は、前述の支持体フィルム剥離ブロック３と共通する、吸着板７３ａに吸着保持されたフィルム状樹脂２０をアライメントテーブル３０の上方の所定位置へ移動させる移送アーム７３と、サーボモーター駆動ＬＭアクチュエーター３３ａにより上昇ならびに下降可能な基材ラック３３内へ多段に載置された、凹凸面付きの基材３８を１枚ずつ押し出す基材押し出し機構７４と、基材ラック３３から押し出された基材３８をアライメントテーブル３０へ案内するガイドレール７５と、吸着板７３ａに吸着保持されたフィルム状樹脂２０と基材３８の輪郭線をそれぞれ認識するＣＣＤカメラモジュール７６と、図示しない画像認識モジュールと、基材３８とその凹凸面に付着させたフィルム状樹脂２０とからなる仮積層体（ＰＬ１）３１をアライメントテーブル３０からチャックで挟んで本積層体形成ブロック５の搬送フィルム３４へ移送するスカラロボット３２と、を備えている。

　上記基材押し出し機構７４は、図３の部分拡大図である図１２の状態から、サーボモーター７４ｃの回転運動がＬＭアクチュエーター７４ｂにより、基材押し出しアーム７４ａの水平運動に変換される。そして、この水平運動力により、図１の仮積層体形成ブロック４の部分拡大図である図１３に示すように、基材押し出しアーム７４ａが、基材ラック３３に格納された基材３８を一枚ずつ押し出す。この時、基材ラック３３の高さは、最上段に格納された基材３８が基材押し出しアーム７４ａに押し出されるように、サーボモーター駆動ＬＭアクチュエーター３３ａで適切な高さに制御されている。基材ラック３３から押し出された基材３８はガイドレール７５に支えられつつ移動し、アライメントテーブル３０の概略中央部で停止する。この時、アライメントテーブル３０の各辺に２個ずつ設けられているセンタリングロッド３０ａは、エアシリンダー３０ｄにより下降しており、基材３８は下降したセンタリングロッド３０ａの上方をスライドする（図１４参照）。そして、基材３８がアライメントテーブル３０の概略中央まで移動すると基材押し出しアーム７４ａは図１２の状態へスライドして戻り、各センタリングロッド３０ａは基材３８のセンタリングに備えて上部が基材３８より高い位置まで上昇する。一方、基材ラック３３は、サーボモーター駆動ＬＭアクチュエーター３３ａにより、多段に格納された基材３８の収納スペースの１段分上昇させられ、次の基材押し出しに備えられる。そして、アライメントテーブルの４辺に隣接配置されたセンタリングロッド３０ａがマウントされたセンタリングバー３０ｃが、基材３８をセンタリングするための所定の位置（図１２および図１２の部分拡大図である図３３の点線３０ｂで示した位置）までスライドし、図１５の状態となる。この時、センタリングロッド３０ａとガイドレール７５が互いに干渉しないように、図１３に示すようにガイドレール７５上端に切り欠きが設けられている。このようにして、基材３８はアライメントテーブル３０の所定の位置へセンタリングされる。

　つぎに、上記移送アーム７３は、裏面にフィルム状樹脂２０を吸着した吸着板７３ａを、垂直移送機構（ＬＭアクチュエーター７３ｂ）および水平移送機構（ＬＭアクチュエーター７３ｃ）によりセンタリングされた基材３８の上方へ移動させ、図１６に示すように、基材３８とフィルム状樹脂２０が対向した状態にする。また、ＣＣＤカメラモジュール７６を４ユニット搭載したＣＣＤカメラバー７６ｂが、サーボモーター７６ｄで駆動されるＬＭアクチュエーター７６ｃにより、上記の対向する基材３８とフィルム状樹脂２０の間の空間に水平に移動して、図１７に示す状態となる。この状態の横断面模式図を図１３に示す。ＣＣＤカメラバー７６ｂに搭載されたＣＣＤカメラモジュール７６は、図１３の水平な点線で示すように、対向する基材３８とフィルム状樹脂２０の中間に位置し、基材３８とフィルム状樹脂２０までのそれぞれの距離がＣＣＤカメラの焦点距離と同じになるように設定されている。これらのＣＣＤカメラは、垂直な点線で示すように上方と下方をプリズムシャッターもしくは、上方と下方のどちらかを照明することによって、基材３８とフィルム状樹脂２０の四隅をその視野におさめることができる。この状態でＣＣＤカメラからの画像情報に基づいて基材３８とフィルム状樹脂２０のそれぞれの輪郭線をコンピューターに認識させ、両者の重心座標を算出する。

　そして、基材３８とフィルム状樹脂２０の重心座標が一致するように、アライメントテーブル３０をステッピングモーター３０ｇによりＸ方向、Ｙ方向、θ方向へ移動させる。上記のプロセスで基材３８とフィルム状樹脂２０の重心位置が一致すると、仮積層体（ＰＬ１）３１をつくるため、ＣＣＤカメラバー７６ｂを図１６の状態へ退避させ、吸着板７３ａを下降させ、図１８の状態とし、その状態で吸着板７３ａの吸引力を止め、フィルム状樹脂２０を基材３８の凹凸面に重ね、基材３８にフィルム状樹脂２０を軽く付着させる。基材３８が表裏の両面に凹凸を有する場合は、まず、基材３８の片面にフィルム状樹脂２０を付着させた仮積層体（ＰＬ１）３１をつくり、この仮積層体（ＰＬ１）３１を図示しない反転機構により反転し、アライメントテーブル３０上へ再び載置する。そして、上記のプロセスを繰り返すことにより、もう片方の面にもフィルム状樹脂２０を付着することができる。このように形成した仮積層体（ＰＬ１）３１を、スカラロボット３２のチャックが挟んで持ち上げ、その状態から旋回して所定の位置で仮積層体（ＰＬ１）３１を持ち下げた後に把持を止め、搬送フィルム３４上に仮積層体（ＰＬ１）３１を２列になるように順次載せる（図１、図３に戻る）。搬送フィルム３４は、後工程の本積層体形成ブロック５における、減圧工程，加圧工程に合わせて間欠的に作動するもので、始端ローラ４２から繰り出され、終端ローラ４３に巻き取られる。この搬送フィルム３４は、仮積層体（ＰＬ１）３１を搬送面に複数個ずつ（この例では４個）載せた状態で作動し、次工程の本積層体形成ブロック５に送る。

　本積層体形成ブロック５は、本発明の特徴部分であり、仮積層体（ＰＬ１）３１を収容可能な密閉空間形成手段と、この密閉空間において非接触状態で仮積層体（ＰＬ１）を加圧して本積層体を形成する加圧積層手段（Ｐ１）とを有している〔積層機構（Ｅ１）〕。この実施の形態では、図１に示すように、仮積層体（ＰＬ１）３１を本積層体３６にするための密閉空間形成手段として、減圧および加圧が自在に切換えられる減圧加圧槽３７を用いている。この減圧加圧槽３７は、図１９に示すように、上部プレート部６６と下部プレート部６７とを有している。上部プレート部６６は金属プレート下面が切削され凹状になっており、この凹状部分に、四角状のヒーター板６６ａが断熱板６６ｂを介して備えられている。接続口６６ｃは、図示しない真空吸引装置等（例えば、真空吸引装置，真空レギュレータ，大気導入配管，空気加圧装置等）に接続されている。また、ヒーター板６６ａ外周には、吸気・送気溝６８が設けられている。下部プレート部６７も上部プレート部６６と同様、金属プレート上面が切削され凹状になっており、この凹状部分である凹所７０内に、四角状のヒーター板６７ａが断熱板６７ｂを介して備えられている。また、前記と同様に、接続口６７ｃが図示しない真空吸引装置等（真空吸引装置，真空レギュレータ，大気導入配管，空気加圧装置等）に接続されており、上記ヒーター板６７ａ外周に、吸気・送気溝６９が設けられている。なお、上記のように上下のプレートの両方に接続口を設けずに上下どちらか一方のプレートのみに接続口を設けても良い。下部プレート部６７の上面には、ヒーター板６７ａを囲った状態で凹状溝が設けられ、その凹状溝内に、Ｏ－リング等からなるシール材７１が配設されている。下部プレート部６７は、油圧シリンダー５９により、昇降自在になっていて、図示の状態から上昇し、シール材７１を介して、上部プレート部６６と密着するようになっている。下部プレート部６７と上部プレート部６６とが密着すると、上記凹所７０は、密閉空間Ｚとなる。仮積層体（ＰＬ１）３１は、この密閉空間Ｚ内で、減圧工程および加工積層手段（Ｐ１)による非接触状態で加圧する工程を経て本積層体３６となる。

　これらの工程について、凹凸を有する基材３８として、図２０（ｂ）に示すように絶縁基材と導体パターンからなる基板３８ｂに、表面実装型発光素子を所定間隔に凸部３８ｃとして設け、その凸部３８ｃと凸部３８ｃとの間が凹部３８ｄとなっているものを用い、基材３８の凹凸面にフィルム状樹脂２０が重ねられてなる仮積層体（ＰＬ１）３１を本積層体３６にする場合を例にして詳述する。搬送フィルム３４に載せられた仮積層体（ＰＬ１）３１は、図１９において矢印のように搬送され、上部プレート部６６と下部プレート部６７との間の、密閉空間Ｚ用の凹所７０に対面した位置に位置決めされる。この位置では、仮積層体（ＰＬ１）３１は、基材３８の凹凸面にフィルム状樹脂２０が重ねられ、凸部３８ｃの上面に軽く付着した状態になっている。また、減圧加圧槽３７の接続口６６ｃまたは６７ｃと真空吸引装置の間の各配管は、いずれもバルブ（図示せず）で閉止されている。接続口（６６ｃ、６７ｃ）と真空吸引装置の間の各配管がいずれもバルブで閉止されている状態で、油圧シリンダー５９が上昇作動し、上部プレート部６６と下部プレート部６７とがシール材７１を介して当接し、下部プレート部６７の凹所７０が密閉空間Ｚになる。このとき、仮積層体（ＰＬ１）３１は、上部プレート部６６にも下部プレート部６７にも接触していない。密閉空間Ｚが形成された状態で、接続口６６ｃ、６７ｃと真空吸引装置（図示せず）の間のバルブが開放され、密閉空間Ｚ内が真空吸引され、同時に、予め所定の温度となるように制御された上下のヒーター板６６ａ，６７ａにより、仮積層体（ＰＬ１）３１が加熱される。すると、仮積層体（ＰＬ１）３１は、減圧下において、加熱されるため、仮積層体（ＰＬ１）３１のフィルム状樹脂２０が軟化して基材３８の凹凸に沿うようになり、さらには、フィルム状樹脂２０の端部の全周が、基材３８の表面の周縁部の全周にくっつく。これにより、フィルム状樹脂２０と基材３８のとの間に密封空間（Ｓ）が生じ、密封空間（Ｓ）をもった仮積層体（ＰＬ２）（７２）となる。このとき、上記密封空間（Ｓ）は、周囲の密閉空間Ｚと同じく減圧状態となっている。なお、（　）付の符号は図示されていない。以下の（　）付きの符号についても同じである。

　密封空間（Ｓ）を持った仮積層体（ＰＬ２）（７２）を形成後、ヒーター板６６ａ，６７ａの加熱を維持したまま、上記密閉空間Ｚの減圧状態を弱め、必要に応じて段階的もしくは連続的に気圧が高い状態にする。すなわち、本積層体形成ブロック５は、真空レギュレータを作動させて上記密閉空間Ｚの気圧を真空状態と大気圧の間の気圧に制御する、もしくは上部プレート部６６と下部プレート部６７の真空吸引を中止し、ついで、上記密閉空間Ｚに大気を導入する、更に必要に応じて圧縮空気等の加圧された気体を上記密閉空間Ｚに注入する等の、加圧圧力を制御する制御機能を有している。これにより、仮積層体（ＰＬ２）（７２）に対し、制御された加圧と加熱とが加えられる。このとき、仮積層体（ＰＬ２）（７２）のフィルム状樹脂２０と基材３８との間の密封空間（Ｓ）は、先に記載したとおり減圧状態になっており、この密封空間（Ｓ）を保ったまま、減圧加圧槽３７内の密閉空間Ｚが加圧状態となるため、この２つの空間（密閉空間Ｚと密封空間（Ｓ））に気圧の差が生じる。この生じた気圧差によって、仮積層体（ＰＬ２）（７２）のフィルム状樹脂２０が、外側から強く押された形となり、基材３８の凹凸に完全に沿った状態で基材３８に密着する。そして、上記加熱により、フィルム状樹脂２０が基材３８の凹凸に完全に沿った状態で基材３８に固着し、本積層体３６が形成される。

　このようにして形成された本積層体３６は、搬送フィルム３４の間欠的な作動によって減圧加圧槽３７から送り出される（図３参照）。

　つぎに、上記実施の形態である積層装置Ａを用いて、基材とフィルム状樹脂とを積層する動作を一連で説明する。

　切断ブロック１（図２参照）では、まず、巻き出しロール６から矢印の向きに送られた、カバーフィルムを備えた支持体フィルム付フィルム状樹脂は、剥離板ｄ部分でカバーフィルムが剥離され、カバーフィルムと支持体フィルム付フィルム状樹脂とに分離される。剥離されたカバーフィルムは、巻き取りロール７に巻き取られ収容される。一方、支持体フィルム付フィルム状樹脂は、ディスクカッター８によって、所定のサイズに切断され、切断フィルム状樹脂１９となる。切断フィルム状樹脂１９は、搬送コンベア１１によって、つぎのプレキュアブロック２へ搬送される。

　プレキュアブロック２では、切断フィルム状樹脂１９をプレキュアが行われる。具体的には、搬送コンベア１１上の切断フィルム状樹脂１９が、減圧加圧槽３７で加熱される際に自己保形性を有する程度に半硬化（Ｂ－ステージ状）するように、搬送コンベア１１の下側に設けられたブロアーファン１２ａとダクトヒーター１２ｂにより生じる循環高温空気により加熱される。プレキュアされた切断フィルム状樹脂１９は、搬送コンベア１１によって、つぎの支持体フィルム剥離ブロック３へ搬送される。

　支持体フィルム剥離ブロック３では、ハーフカット装置１３と支持体フィルム剥離装置１４とによって、プレキュアされた切断フィルム状樹脂１９から、支持体フィルム２１を剥離する動作が行なわれる。まず、プレキュアされた切断フィルム状樹脂１９をハーフカット装置１３の受台１８に移し、切刃１５（図４（ａ），（ｂ）参照）で、フィルム状樹脂２０と、支持体フィルム２１の上部に切れ目を入れる（ハーフカット）。この切れ目を入れた部分を、ハーフカットポイントという。つぎに、このハーフカットされた切断フィルム状樹脂１９を、支持体フィルム剥離装置１４のアーム２７の吸着パット２５に吸着させ（図７参照）、吸着パット２５からはみ出した切断フィルム状樹脂１９の部分（ハーフカットポイントに近い端部）をつまみ部２９で掴んで、切断フィルム状樹脂１９の反対側の端部方向に引張ることにより（図１１参照）、切断フィルム状樹脂１９のフィルム状樹脂２０がハーフカットポイントで切れ、ハーフカットポイントより先端側の部分から支持体フィルム２１が剥離し、吸着パット２５にフィルム状樹脂２０のみが残る。この残ったフィルム状樹脂２０がつぎの仮積層体形成ブロック４（図１参照）に送られる。

　仮積層体形成ブロック４では、基材ラック３３に格納された複数の基材３８のうち、最上段のものが基材押し出し機構７４によりアライメントテーブル３０上へ押し出される。アライメントテーブル３０上の基材３８に、移送アーム７３の吸着板７３ａに吸着されたフィルム状樹脂２０を対向させて、基材３８とフィルム状樹脂２０の重心位置を合わせる。その後、吸着板７３ａの吸着が解除されて、基材３８にフィルム状樹脂２０が重ねられ、仮積層体（ＰＬ１）３１が形成される。形成された仮積層体（ＰＬ１）３１は、スカラロボット３２によって搬送フィルム３４上に移され、つぎの本積層体形成ブロック５に送られる。

　本積層体形成ブロック５に送られた仮積層体（ＰＬ１）３１は、減圧加圧槽３７の密閉空間Ｚ（図１９参照）に位置決めされて、まず、加熱下で減圧処理される。これにより、仮積層体（ＰＬ１）３１のフィルム状樹脂２０が軟化し、既に支持体フィルム２１が剥離されているためにシート状の形状を維持することが出来なくなり、基材３８の凹凸に沿う状態となる。そして、さらに加熱および減圧処理が進むと、フィルム状樹脂２０の端部の全周が、基材３８の表面の周縁部全周にくっつくため、仮積層体（ＰＬ１）３１は、フィルム状樹脂２０と基材３８との間に減圧状態の密封空間（Ｓ）が生じた仮積層体（ＰＬ２）（７２）となる。つぎに、減圧加圧槽３７の密閉空間Ｚの減圧状態を解除し、密閉空間Ｚ内を大気圧、更には加圧状態にする。これにより、仮積層体（ＰＬ２）（７２）を収容している密閉空間Ｚが加圧されるため、これらの各空間（密閉空間Ｚ、密封空間（Ｓ））に気圧差が生じる。そして、この生じた気圧差によって、加熱により軟化しているフィルム状樹脂２０は、基材３８の凹凸に沿って密着して基材３８に固着される。すなわち、フィルム状樹脂２０は、減圧加圧槽３７のどの部分にも接触することのない、非接触によって、基材３８との間にマイクロボイド等を発生させずに、基材３８に積層される。このようにして、仮積層体（ＰＬ１）３１から本積層体３６が形成される。

　このように、この実施の形態の積層装置Ａによれば、非接触でフィルム状樹脂２０を基材３８の凹凸に沿って積層するため、光半導体素子が搭載された配線回路基板のように、基材３８の凹凸の程度が比較的大きいものであっても、あるいは凹凸の程度が小さくピッチが小さいものであっても、フィルム状樹脂を基材に充分追従させることができ、マイクロボイドを発生させることなく両者を積層することができる。また、凹凸を有する基材に追従させたフィルム状樹脂２０の膜厚をより厳密なレベルで均一の厚みとすることができる。そして、この積層装置Ａは、減圧と加圧とを同一の装置で行っているため、装置設置に際し省スペース化を図ることができる。なお、この積層装置Ａは、通常のプリント基板の封止はもとより、それ以外の用途にも有用であり、特に、ＬＥＤ基板やＰＤＰ基板の封止に有用である。

　上記の実施の形態においては、仮積層体（ＰＬ１）３１の搬送は、搬送フィルム３４（図１参照）を用いて行っているが、例えば、本積層体形成ブロック５において、図１９の減圧加圧槽３７の下部プレート部６７を左右にスライド自在にしておき、図１の状態から下部プレート部６７を左方にスライドさせ、スカラロボット３２を用いて、仮積層体（ＰＬ１）３１をこのスライド自在な下部プレート部６７に直接セットし、下部プレート部６７を所定位置に戻すようにしてもよい。また、本積層体３６を取り出す際にも同様に、減圧加圧槽３７の下部プレート部６７を図１の右方にスライドさせ、別のスカラロボットを用いて本積層体３６を直接取り出すようにしてもよい。これにより、搬送フィルム３４を設置するスペースが不要になるため、装置設置スペースの効率的に活用でき、省スペース化が図られる。また、搬送フィルムやこれを廃棄する費用が不要となるため、コスト削減も実現できる。

　また、上記の実施の形態の積層装置Ａにおいては、本積層体形成３６の形成に際して減圧と加圧とを同じ減圧加圧槽３７を用いて行うようにしているが、減圧槽と加圧槽を別々に、上流側と下流側に連続して設け、各槽で減圧または加圧を分担して作業するようにしてもよい。このように、減圧槽と加圧槽とを別々に設けると、一槽で減圧と加圧を行うときのように、減圧，加圧とを切換える時間のロスを少なくすることができ、製造の効率化を図ることができる。

　そして、上記の実施の形態の積層装置Ａでは、本積層体形成ブロック５において、仮積層体（ＰＬ１）３１に対し減圧処理を行っているが、フィルム状樹脂２０の柔軟性の程度や加圧処理の条件等によっては、この減圧処理は必ずしも行わなくてもよい。しかし、減圧処理を行った方がより密着性の高い本積層体を得ることができる傾向がみられるため、好適である。

　さらに、上記の実施例の形態の積層装置Ａでは、本積層体形成ブロック５において、密封空間（Ｓ）を有する仮積層体（ＰＬ２）（７２）形成に際し、加熱処理によって増したフィルム状樹脂２０の柔軟性、粘着性を利用して、フィルム状樹脂２０の周囲を基材３８に付着（積層）させる加圧積層手段（Ｐ３）を用いているが、減圧加圧槽３７内に、上記フィルム状樹脂２０の周囲を基材３８に積極的に付着（積層）させるための枠状の押圧手段を設け、これを支持アームによって上下させ、フィルム状樹脂の周囲を押圧するようにしてもよい。これにより、仮積層体（ＰＬ２）（７２）形成にかかる時間を短縮することができ、また、仮積層体（ＰＬ２）（７２）の密封性を確実化することができるため、本積層体３６形成時のフィルム状樹脂２０と基材３８との密着性をより高めることができる。なお、フィルム状樹脂の種類等によっては、加熱処理がなくても、仮積層体（ＰＬ２）（７２）形成のため、その周囲を基材に付着させることができるが、その場合には、必ずしも加熱処理を行わなくてもよい。

　つぎに、本発明の他の実施の形態の積層装置Ｂを図２１に示し、その部分拡大図を図３４（ブロック１，２）および図３５（ブロック４，５）に示す。この積層装置Ｂは、前記の実施の形態の積層装置Ａ（図１参照）における、支持体フィルム剥離ブロック３を削除したものである。すなわち、積層装置Ａにおいては、切断フィルム状樹脂１９（支持体フィルム付フィルム状樹脂）から支持体フィルム２１を剥離する支持体フィルム剥離ブロック３を備えているが、基材３８の凹凸の程度が比較的小さい等の場合には、支持体フィルム２１を剥離せずフィルム状樹脂２０に付着させたまま、基材３８に積層し、仮積層体（ＰＬ１）４６または仮積層体（ＰＬ２）（８１）を形成し、この仮積層体（ＰＬ１）４６または仮積層体（ＰＬ２）（８１）を非接触状態で加圧することにより、本積層体（９３）を得ることができる。したがって、この場合には、上記支持体フィルム剥離ブロック３は不要となる。

　この積層装置Ｂでは、上述のとおり、前記積層装置Ａにおける、支持体フィルム剥離ブロック３を削除している以外の部分は同一であるので、同一部分に同一番号を付してその説明を省略する。なお、積層装置Ｂでは、吸着板付反転テーブル３５が追加される。吸着板付反転テーブル３５は、プレキュアされた切断フィルム状樹脂１９を反転させ、切断フィルム状樹脂１９の支持体フィルム２１面を移送アーム７３の吸着板７３ａに吸着させる機能を有する。これによりアライメントテーブル３０上で切断フィルム状樹脂１９のフィルム状樹脂２０面と基材３８を対向させることができる。この積層装置Ｂは、積層装置Ａと同様の効果を奏し、また、支持体フィルム剥離ブロック３を備えないため、積層装置Ａに比し小型化できる。

　本発明のさらに他の実施の形態の積層装置Ｃを図２２に示し、その部分拡大図を、図３６（ブロック４）および図３７（ブロック３，５）に示す。この積層装置Ｃは、前記積層装置Ａ（図１参照）において、支持体フィルム剥離ブロック３における支持体フィルム２１の剥離の変形例を示し、密閉空間Ｚにおいて仮積層体（ＰＬ１）の支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０と基材３８との間の空間を負圧にする減圧機能と、仮積層体（ＰＬ１）を加熱する加熱機能と、仮積層体（ＰＬ１）の支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０と基材３８とが一体化した仮積層体（ＰＬ１）または仮積層体（ＰＬ２）を形成する加圧積層機能（Ｐ２）を有している〔積層機構（Ｅ２）〕。すなわち、この積層装置Ｃは、フィルム状樹脂２０に支持体フィルム２１をつけたまま仮積層体（ＰＬ１）４６または仮積層体（ＰＬ２）（８１）を形成し、その後、支持体フィルム２１を剥離して、本積層体（９４）を形成するもので、切断ブロック１と、プレキュアブロック２と、仮積層体形成ブロック４と、支持体フィルム剥離ブロック３と、本積層体形成ブロック５とで構成され、図示のように、矢印の流れ方向の上流（切断ブロック１）から、下流（本積層体形成ブロック５）に向かってこの順で配設されている。なお、図２２、図３６および図３７では、スカラロボット３２等の図示を省略している。

　このうち、切断ブロック１およびプレキュアブロック２については、前記積層装置Ａと実質的に同様の構成であるので、同一または相当部分に、同一符号を付してその説明を省略する。

　この積層装置Ｃは、仮積層体形成ブロック４において、ハーフカット装置１３でハーフカットされた切断フィルム状樹脂１９を、反転させ、上側に支持体フィルム２１が位置し下側にフィルム状樹脂２０が位置するようにする反転機構９２を備えている（図３６参照）。そして、切断フィルム状樹脂１９を基材３８の凹凸面に重ねて付着し仮積層体（ＰＬ１）４６とする。なお、基材３８の両面に凹凸がある場合は、まず、基材３８の片面にフィルム状樹脂２０面が接するように切断フィルム状樹脂１９を付着させた後に、基材３８を反転させ、もう一方の面に上記の操作を繰り返すことで、基材３８の両面に切断フィルム状樹脂１９が付着した仮積層体（ＰＬ１）を形成することができる。上記仮積層体（ＰＬ１）４６を搬送フィルム３４に載せ、接触積層装置４７（図２３参照）に搬入する。この接触積層装置４７は、上側可撓性シート４８を一種の風船状に膨張させ、その膨張力を利用し加圧して積層するものである。上記仮積層体（ＰＬ１）４６は、接触積層装置４７により、接触ラミネーション処理され、基材３８と支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０が一体化してなる、仮積層体（ＰＬ１）４６となる〔加圧積層手段（Ｐ２）〕。

　なお、上記接触積層装置４７は、図２３に示すように、上部プレート部４９と、下部プレート部５１とを有しており、上部プレート部４９は金属プレート下面が切削され、凹状に形成されており、上部プレート部４９の凹状部分に、四角状のヒーター板４９ａが断熱板４９ｂを介して備えられている。また、上部プレート部４９には上側可撓性シート４８が付設されている。下部プレート部５１も上部プレート部４９と同様、金属プレートからなり、金属プレート上面の凹所内に、四角状のヒーター板５１ａが断熱板５１ｂを介して備えられている。また、下部プレート部５１には下側弾性シート５０が付設されている。上部プレート部４９は、空気加圧装置（図示せず）ならびに真空吸引装置（図示せず）と切り替え接続が可能であり、開口溝５４ならびに配管接続口４９ｃを通じ、上部プレート部４９と上側可撓性シート４８との間の空隙部５２を加圧した際には、上側可撓性シート４８が、下部プレート部５１に向かって風船状に膨らむようになっている。図２３において、４４は枠状の可撓性シートの止め板、４５はその止め具である。一方、下部プレート部５１は、真空吸引装置（図示せず）と接続されるとともに、油圧シリンダー５０’により上昇し、上部プレート部４９に当接することにより、シール材５５を介して上部プレート部４９との間に密閉空間５３を形成する。

　上記基材３８に支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０が付着してなる仮積層体（ＰＬ１）４６は、この密閉空間５３において、下部プレート部５１の開口溝５６ならびに配管接続口５１ｃおよび上部プレート部４９の開口溝５４ならびに配管接続口４９ｃから真空吸引された状態で、上部プレート部４９の配管接続口４９ｃからの減圧を中止して空気を供給すると、上部プレート部４９の上側可撓性シート４８が、空隙部５２と密閉空間５３の気圧差により密閉空間５３の側へ加圧膨張する。この膨張した上側可撓性シート４８により、基材３８と支持体フィルム２１付きの切断フィルム状樹脂１９とが圧締（ラミネーション）される。下側弾性シート５０は、膨張した上側可撓性シート４８からの圧力を効率よく、基材３８および支持体フィルム２１付きの切断フィルム状樹脂１９に伝える作用をする。この接触ラミネーション処理によって、初めは基材３８と支持体フィルム２１付きの切断フィルム状樹脂１９とが基材３８に軽く付着した状態の仮積層体（ＰＬ１）４６であったものが、支持体フィルム２１付きの切断フィルム状樹脂１９が基材３８の凸面にしっかりと圧着固定され、両者が一体化された状態の仮積層体（ＰＬ１）４６となる。なお、上記接触ラミネーション処理は、上記切断フィルム状樹脂１９と基材３８とを一体化するために行うものであり、必ずしも切断フィルム状樹脂１９と基材３８との間に密封空間（Ｓ）を設けるものではないが、密封空間（Ｓ）を設けた仮積層体（ＰＬ２）（８１）を得るようにしてもよい。この工程で、仮積層体（ＰＬ２）（８１）を得るようにすると、後述の本積層体形成ブロック５における、所要時間を短縮することができる。また、上記切断フィルム状樹脂１９は、支持体フィルム２１を有し、追従性および柔軟性が低いため、上記の接触ラミネーション処理によっても基材３８の凹凸にそれほど沿わず、比較的平らな状態に保たれる。

　接触ラミネーション処理され、基材３８と支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０が一体化してなる仮積層体（ＰＬ１）４６を載置し、搬送する搬送フィルム３４は、図２２に示すように、仮積層体（ＰＬ１）４６が水冷式の冷却板５７上にくると、その動きが一旦停止する。これにより、仮積層体（ＰＬ１）４６が冷却板５７により冷却される。冷却後、仮積層体（ＰＬ１）４６は、図示しないスカラロボットにより、１枚ずつ支持体フィルム剥離ブロック３へ送られる。なお、上記仮積層体（ＰＬ１）４６が冷却されているため、支持体フィルム２１剥離時に、フィルム状樹脂２０が伸びたり破れたりすることを防止できる。支持体フィルム剥離ブロック３は、支持体フィルム剥離装置５８を有し、この支持体フィルム剥離装置５８は、図２４に示すように、支持体フィルム２１を接着して剥離するための剥離テープを巻き出す巻き出しロール６０と、支持体フィルム２１を剥離テープごと巻き取る、駆動装置（図示せず）付きのニップロールｔ、ｕおよび巻き取りロール６１と、剥離テープを所定の位置で支持体フィルムに圧接する圧接ロール６２と、サーボモーター駆動ＬＭアクチュエーター６４により水平移動可能な、仮積層体（ＰＬ１）４６を吸着する吸着台６３を有している。図中ｖは剥離テープのガイドロールである。

　この支持体フィルム剥離装置５８へ送られる上記仮積層体（ＰＬ１）４６は、冷却板５７（図２２参照）の上で一定時間留め置かれているため、仮積層体（ＰＬ１）４６のフィルム状樹脂２０が冷却され、基材３８に固着化した状態となっている。つぎに、図２４の平面図である図２５に示すように、仮積層体（ＰＬ１）４６から支持体フィルム２１を剥離するため、図示しないスカラロボットが、仮積層体（ＰＬ１）４６を４５°回転させて、吸着台６３に載置し、仮積層体（ＰＬ１）４６は吸着台６３に吸着される。そして、吸着台６３を、図２４に示す位置に移動させる。そして、吸着台６３上の仮積層体（ＰＬ１）４６に向かって圧接ロール６２を下降させ、仮積層体（ＰＬ１）４６と圧接ロール６２の間にある剥離テープが、仮積層体（ＰＬ１）４６表面の支持体フィルム２１に圧接するようにする。その圧接状態において、吸着台６３がサーボモーターで駆動されるＬＭアクチュエーター６４により図２５に示す位置へスライドする。その際、吸着台６３がスライドする距離に等しい長さの剥離テープが巻き取られるようにニップロールｔ，ｕを駆動する。このようにして、仮積層体（ＰＬ１）４６は、支持体フィルム２１が剥離テープごと剥離され、仮積層体（ＰＬ１）（６５）となる。なお、図２５では、巻き出しロール６０から巻き出されて巻き取りロール６１に巻き取られる間の剥離テープの図示を省略している。支持体フィルム２１が剥離された仮積層体（ＰＬ１）（６５）は、図示しないスカラロボットによって搬送フィルム３４上へ戻される。そして、この仮積層体（ＰＬ１）（６５）は、搬送フィルム３４によって、次の本積層体形成ブロック５へ移送される。

　本積層体形成ブロック５は、支持体フィルム２１が剥離された仮積層体（ＰＬ１）（６５）を加圧して本積層体３６に形成する機能を有している。この積層装置Ｃでは、仮積層体（ＰＬ１）（６５）を本積層体３６にするための密閉空間形成手段として、前記実施の形態である積層装置ＡおよびＢと同様、減圧および加圧が切換えられる減圧加圧槽３７を用い、同様にして、仮積層体（ＰＬ１）（６５）を本積層体（９４）にする。すなわち、上記減圧加圧槽３７の密閉空間Ｚ内では、減圧、加熱下において、仮積層体（ＰＬ１）（６５）は、当初のフィルム状樹脂２０が基材３８の凸部に接着した状態から、フィルム状樹脂２０が基材３８の凹凸の形状に緩やかに沿うように形状変形し、やがてフィルム状樹脂２０の端部全周が基材３８の表面の周縁部にくっつくようになる。このようにして、仮積層体（ＰＬ１）（６５）は、フィルム状樹脂２０と基材３８との間に周囲の密閉空間Ｚと同じく減圧状態となっている密封空間（Ｓ）を有する仮積層体（ＰＬ２）（８２）となる。

　つぎに、減圧加圧槽３７の密閉空間Ｚを加圧、加熱することにより、上記仮積層体（ＰＬ２）（８２）における、基材３８の凹凸に緩やかに沿っていたフィルム状樹脂２０が基材３８の凹凸に完全に沿った状態になる。そして、上記加熱によりフィルム状樹脂２０が基材３８の凹凸に沿った状態で基材３８に固着し、本積層体（９４）が形成される。

　この積層装置Ｃによれば、仮積層体（ＰＬ１）４６において、基材３８と切断フィルム状樹脂１９のフィルム状樹脂２０とが接触ラミネーション処理により強固に接着しているため、剥離テープを用いるという比較的簡易な方法で、仮積層体（ＰＬ１）４６から支持体フィルム２１を剥離することができる。また、支持体フィルム２１を有する切断フィルム状樹脂１９を基材３８に重ねて仮積層体（ＰＬ１）４６を形成するようにしているため、支持体フィルム２１の高い平面保持性によって、切断フィルム状樹脂１９のフィルム状樹脂２０はしわになることなく、基材３８に対して平面性を保って重ねられる。そして、切断フィルム状樹脂１９のフィルム状樹脂２０が基材３８に対して平面性を保った状態で、支持体フィルム２１剥離前のラミネーション処理によって、切断フィルム状樹脂１９と基材３８とが圧締され一体化しているため、支持体フィルム２１が剥離された後においても、フィルム状樹脂２０は基材３８に対してしわになることなく平面性を保った状態となっている。このように、しわの寄っていないフィルム状樹脂２０が基材３８に対して重ねられている仮積層体（ＰＬ１）（６５）ができるため、よりフィルム状樹脂２０の厚みが均一で、しかも、フィルム状樹脂２０と基材３８との間にマイクロボイドの発生のない本積層体（９４）を得ることができる。

　なお、本発明の実施形態である積層装置Ｃの、支持体フィルム剥離ブロック３において、接触積層装置４７を用いているが、これに代えて、接触積層装置７７（図２６）、接触積層装置７８（図２７）のような装置等を用いることができる。接触積層装置７７を用いると支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０と基材３８とが一体化した仮積層体（ＰＬ１）４６を得ることができる。また、接触積層装置７８を用いるとフィルム状樹脂２０と基材３８との間が負圧になっている、支持体フィルム２１付き仮積層体（ＰＬ２）（８１）を得ることができる。接触積層装置７７および７８はサーボプレス装置であり、正確に上下のプレス板の間隔を制御できる。したがって、フィルム状樹脂２０の膜厚を、容易に制御できる。なお、接触積層装置７７を用いて、仮積層体（ＰＬ１）４６を得たり、または、接触積層装置７８を用いて、仮積層体（ＰＬ２）（８１）を得た後、接触積層装置７７または７８から他の装置（例えば、減圧加圧槽３７等）へ移動させることなく、自身の有する密閉空間において、非接触状態で加圧処理を行えるようにすると、積層装置Ｃよりもさらに製造工程の短縮化、装置設置の省スペース化を図ることができる。

　上記接触積層装置７７は、図２６に示すように、ラバー８３を備えた上部プレート部８５と、同じくラバー８３’を備えた下部プレート部８６とを有し、上部プレート部８５には、上側断熱材１００を介して上側熱盤１０２およびカートリッジヒーター１０２’が設けられている。下部プレート部８６には、下側断熱材１０１を介して下側熱盤１０３およびカートリッジヒーター１０３’が設けられている。上下の熱盤（１０２，１０３）が対向する面に、ラバー８３，８３’がそれぞれ取り付けられている。さらに上部プレート部８５には、排気・送気溝９０を有する枠状の上側真空枠１０４がシール材１０５を介して取り付けられている。下部プレート部８６には、シール材１０６を介して下側真空枠１０７が取り付けられている。下側真空枠１０７は、固定枠１０７ａにリップパッキン１０７ｂを介して上面にシール材１０７ｃを有する可動枠１０７ｄが取り付けられ、上記固定枠１０７ａが可動枠１０７ｄの内周に陥入可能となっている。また、図示しないスプリングにより可動枠１０７ｄは上方へ持ち上げられている。そして、下部プレート部８６がサーボモーターで駆動されるボールネジに接続されたジョイント８４によって上昇し、上側真空枠１０４と下側真空枠１０７がシール材１０７ｃを介して勘合し、上部プレート部８５と下部プレート部８６との間に密閉空間７９が形成される。この密閉空間７９は、図示しない真空吸引装置（例えば、真空吸引装置，真空レギュレータ，大気導入配管，空気加圧装置等）等と、排気・送気溝９０において接続することにより、減圧状態または加圧状態とすることが可能となっている。したがって、上記密閉空間７９に、上側熱盤１０２のラバー８３に接しない状態で、仮積層体（ＰＬ１）４６を入れた後、密閉空間７９を減圧し、下側熱盤１０３を図２６に示す位置まで上昇させることによって、仮積層体（ＰＬ１）４６が減圧下で加圧されるため、支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０と基材３８とが一体化した仮積層体（ＰＬ１）４６を得ることが出来る。得られたこれらの仮積層体（ＰＬ１）から、必要に応じて支持体フィルム２１を剥離し、非接触状態で加圧することにより、本積層体を得ることができる。

　上記接触積層装置７８は、図２７に示すように、上記接触積層装置７７と同様に、ラバー８３を備えた上部プレート部８８と、ラバー８３’を備えた下部プレート部８９を有しており、さらに、切断フィルム状樹脂１９等の端部全周を、基材３８表面の周縁部に迅速に密着させるための押圧部８７が上部プレート部８８の下面に取り付けられている。押圧部８７の切断フィルム状樹脂１９等と接触する側の表面に、フッ素樹脂等をコーティングする等の離形処理をすると、切断フィルム状樹脂１９等からの離形性が良好となり好ましい。そして、下部プレート部８９がサーボモーターで駆動されるボールネジに接続されたジョイント８４によって上昇すると、上部プレート部８８と下部プレート部８９との間に密閉空間８０が形成されるようになっている。また、図示しない真空吸引装置（例えば、真空吸引装置，真空レギュレータ，大気導入配管，空気加圧装置等）等と吸気・送気溝９１において接続することにより、上記密閉空間８０を減圧状態または加圧状態にすることが可能となっている。したがって、この接触積層装置７８によると、支持体フィルム２１付きフィルム状樹脂２０と基材３８とが一体化した仮積層体（ＰＬ１）４６だけでなく、フィルム状樹脂２０と基材３８との間が負圧になっている、支持体フィルム２１付き仮積層体（ＰＬ２）（８１）を得ることができる。そして、得られたこれらの仮積層体（ＰＬ１）または（ＰＬ２）から、必要に応じて支持体フィルム２１を剥離し、非接触状態で加圧することにより、本積層体を得ることができる。

　また、本発明の実施形態である積層装置Ｃの支持体フィルム剥離装置５８に用いられる剥離テープとしては、シリコーンウェハーをダイシングして薄膜化する工程等でウェハーに貼る保護フィルムやダイシングテープを剥離する際に使用される剥離テープを用いることができる。なかでも、住友スリーエム社製のスコッチ（登録商標）ポリエステルテープ
　Ｎｏ．３３０５や、日東電工社製のエレップホルダー（登録商標）ＥＬＰ　ＢＴ－３１５等のゴム系粘着材を使用した粘着テープが好ましく用いられる。

　本発明に用いる凹凸を有する基材３８としては、基材の凹凸が比較的大きいものが特に好適に用いられる。このような基板としては、例えば、図２０（ａ）に示すように、樹脂またはセラミック等の絶縁性の基板３８ｂ（厚み：約６００μｍ）上に，発光素子（ＬＥＤ）を凸部３８ａ（高さ：約２００μｍ）として所定間隔で設けたＬＥＤ基板や、基板３８ｂ上に表面実装型発光素子（ＬＥＤ）を表面実装し凸部３８ｃ（高さ：約１．３５ｍｍ）として所定間隔で設けたＬＥＤ基板（図２０（ｂ））があげられる。その他、銅等のパターンを施したプリント基板や、ビルドアップ工法で用いられる多積層基板等の基材の凹凸が比較的小さいものにも好適に用いることができる。したがって、本発明の積層装置は、ウエハーレベルでの半導体装置の封止、有機基板上に搭載された半導体チップ表面の保護、ＬＥＤデバイスの封止、太陽電池の封止、半導体およびＬＥＤ、光デバイス、太陽電池に用いられる基板のレジスト層の形成などに有効的に用いることができる。

　また、フィルム状樹脂２０としては、粘着性や絶縁性、接着性、ホットメルト性に優れる性質を有する樹脂組成物が適している。このような樹脂組成物としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等に、安定剤、硬化剤、色素、滑剤等を配合したフィルム状樹脂（樹脂組成物）があげられ、具体的には、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂など、また、それらに各種無機質充填材を添加した組成物などがあげられる。上記無機質充填材としては、シリカ、微粉末シリカ、アルミナ、ＹＡＧなどの蛍光体、酸化チタンの他、熱伝導性フィラー、電気伝導性にすぐれた充填剤、カーボンブラックなどの着色剤等を用いることができる。

　そして、上記フィルム状樹脂２０は、通常、支持体フィルム２１を積層したものが用いられる。この支持体フィルム２１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレン－酢酸ビニル共重合体ケン化物フィルム等があげられる。また、支持体フィルム付フィルム状樹脂としては、例えば、半導体発光素子に使用する用途として、図２８に示すように、蛍光体含有シリコーンフィルム状樹脂２０（厚み：例えば約４０μｍ）の裏面に支持体フィルム２１（厚み：例えば約４０μｍ）を設け、表面にカバーフィルム４１（厚み：例えば約３０μｍ）を設けたものがあげられる。また同様に、プリント配線板の最外層の配線パターン保護に使用される、支持体フィルム、感光性樹脂組成物、カバーフィルムの３層構造からなるドライフィルムソルダーレジストを用いることができる。なお、半導体発光素子用に使用される支持体フィルム付きフィルム状樹脂は、ポストキュアされ熱硬化される前に支持体フィルムを剥がすことができればよいため、支持体フィルム２１を剥離する時期は、基板に積層後、積層前のいずれであってもよい。しかし、プリント配線板の最外層の配線パターン保護に使用されるドライフィルムソルダーレジストの場合は、パターンマスクを介して露光する際に、パターンマスクに感光性樹脂組成物が付着することを防止するため、基板に積層後、支持体フィルムが剥離される。

　本発明の積層装置を用いた実施例を説明する。

　実施例に先立ち、つぎの準備を行った。まず、凹凸を有する基材３８として、以下の基板Ｉ～基板IIIを用意した。また、フィルム状樹脂２０として、以下の熱硬化性の樹脂組成物αおよびβがそれぞれ、あらかじめ幅８０ｍｍの長尺帯状の支持体フィルムに厚さ４０μｍ、幅６５ｍｍに塗工されフィルム状樹脂化している、支持体フィルム付きフィルム状樹脂αおよびβを準備した。これらのフィルム状樹脂αおよびβは、幅８０ｍｍのカバーフィルムを有しており、支持体フィルムが外側になるように芯管に巻かれたロール状となっている。
〔基板Ｉ〕
　所定の導電パターン（高さ５０μｍ）を有する正負の電極を配設した（セラミック）基板に半導体発光素子（窒化ガリウム）をフリップチップ実装した基板。
　この基板は、正方形の形状をしており、一辺が７０ｍｍで基板の厚みが６００μｍであり、基板の表面から導電パターン上にマウントされた半導体発光素子の頂部までの厚みが２００μｍとなっている。上記半導体発光素子は、この基板に１ｃｍ間隔で縦横５列、合計２５個実装されている。
〔基板II〕
　基板Ｉに半導体発光素子（窒化ガリウム）をフリップチップ実装するかわりに幅５ｍｍ，奥行き５ｍｍ，高さ１．３５ｍｍの立方体である表面実装型半導体発光素子（窒化ガリウム）を表面実装した。基板IIの底面から表面実装型半導体発光素子の上端までの高さは２０００μｍとなっている。
〔基板III〕
　基板Ｉの導電パターンの高さを１００μｍとし、上記半導体発光素子等の電子部品を実装していない基板。
〔樹脂組成物α〕
熱硬化性の蛍光体含有シリコーン樹脂組成物。
〔樹脂組成物β〕
熱硬化性の感光性エポキシアクリル酸共重合樹脂組成物。

　＜実施例１＞
（基板Ｉ本積層体）
　図１に示す積層装置Ａによって、基板Ｉとフィルム状樹脂αとの積層を行った。基板Ｉは、基材ラック３３に収容されている。なお、この基材ラック３３は、天板と底板と２枚の側板により、四方が壁面で二方（正面および背面）が開放されている。そして、積層装置Ａがその開放されている一方（例えば、正面）から基材押し出しバーを挿入すると、もう一方（例えば、背面）側へ基板Ｉを押し出すことができるようになっている。また、２枚の側板の内側には、図１８の点線で示したように、基板Ｉを多段に収容可能できるように、水平方向のリブが多数設けられている。基板Ｉが基材ラック３３に収容された状態では、基板Ｉの両端がリブの上に載るかたちとなる。そして、上記で準備したロール状のフィルム状樹脂αを切断ブロック１の巻き出しロール６にセットし、基板Ｉの入った基材ラック３３を仮積層体形成ブロック４の所定の位置にセットし、積層装置Ａの自動運転を行い、本積層体を製造した。

　より詳しく述べると、積層装置Ａの自動運転では、初めに、切断ブロック１の工程において、カバーフィルムが剥離された、６５×７５ｍｍの大きさに切断された支持体フィルム付きフィルム状樹脂α（切断フィルム状樹脂１９）を得た。つぎに、この切断フィルム状樹脂１９を、熱硬化性の蛍光体含有シリコーン樹脂組成物の熱硬化温度に調整されたオーブン１２内で、３分間プレキュアし、ハーフカット装置１３で切断フィルム状樹脂１９をハーフカットした。ついで、支持体フィルム剥離装置１４によって、切断フィルム状樹脂１９から支持体フィルムを剥離し、６５×６５ｍｍの大きさのフィルム状樹脂αを得た。そして、フィルム状樹脂αを、凹凸を有する基板Ｉに、互いの重心位置を合わせて重ね、仮積層体（ＰＬ１）３１を形成した。さらに、上記仮積層体（ＰＬ１）３１を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した減圧加圧槽３７（図１９）内に収容し、この減圧加圧槽３７内を減圧（５０Ｐａ）した状態を２分間保持して、上記仮積層体（ＰＬ１）３１の基板Ｉとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間（Ｓ）を有する仮積層体（ＰＬ２）（７２）を形成した。仮積層体（ＰＬ２）（７２）を形成した後、減圧加圧槽３７の開口部から大気を減圧加圧槽３７内に導入し、更に０．３Ｍｐａの圧縮空気を減圧加圧槽３７内に導入し、減圧加圧槽３７の密閉空間Ｚと仮積層体（ＰＬ２）（７２）の密封空間（Ｓ）との間に生じた気圧の差を利用して、仮積層体（ＰＬ２）（７２）の基板Ｉに対するフィルム状樹脂αの密着状態での積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体３６を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体３６を得た。

＜実施例２＞
（基板Ｉ本積層体）
　図１に示す積層装置Ａの減圧加圧槽３７に代えて、図２７に示す接触積層装置７８を用いた以外は、実施例１と同様に本積層体を形成した。すなわち、まず、実施例１と同様にして仮積層体（ＰＬ１）３１を形成した。つぎに、この仮積層体（ＰＬ１）３１を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した接触積層装置７８（図２７）内に収容し、この接触積層装置７８の密閉空間８０内を減圧（５０Ｐａ）した後、上側弾性プレス板の押圧部８７と下側弾性プレス板の上面との間隔を６３０μｍにして、フィルム状樹脂αの周縁部を封止し、上記仮積層体（ＰＬ１）３１の基板Ｉとフィルム状樹脂αとの間に、減圧雰囲気の密封空間（Ｓ）を有する仮積層体（ＰＬ２）（７２）を形成した。仮積層体（ＰＬ２）（７２）を形成した後、上記接触積層装置７８の吸気・送気溝９１から上記密閉空間８０内に大気を導入し、更に圧縮空気を上記密閉空間８０内に導入して、接触積層装置７８の密閉空間８０と仮積層体（ＰＬ２）の密封空間（Ｓ）とに生じた気圧の差を利用して、基板Ｉに対するフィルム状樹脂αの積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体３６を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体３６を得た。

＜実施例３＞
（基板Ｉ本積層体）
　図２２に示す積層装置Ｃを用い、６５×６５ｍｍの大きさに切断された支持体フィルム付きフィルム状樹脂α（切断フィルム状樹脂１９）を得た。これを実施例１と同様にプレキュアし、ハーフカットを行わずに、この切断フィルム状樹脂１９の重心位置と、基板Ｉの重心位置を合わせて重ね合わせ、仮積層体（ＰＬ１）４６を形成した。

　つぎに、この仮積層体（ＰＬ１）４６を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した接触積層装置４７（図２３）の密閉空間５３に収容して、密閉空間５３および空隙部５２の圧力を、それぞれ５０Ｐａに減圧した。ついで、密閉空間５３を５０Ｐａの減圧状態に保ちつつ、開口溝５４および配管接続口４９ｃを通じ空隙部５２を大気圧に戻し、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に膨らませ、その状態を５秒間保持し、仮積層体（ＰＬ１）４６を圧締した。これにより、上記仮積層体（ＰＬ１）４６の、支持体フィルム付きフィルム状樹脂αと基板Ｉの凸部とを固着させる接触ラミネーション処理を行った。そして、上記接触ラミネーション処理された仮積層体（ＰＬ１）４６を、冷却板５７上で室温程度に冷却した後、支持体フィルム剥離装置５８〔剥離テープ／日東電工社製のエレップホルダー（登録商標）ＥＬＰ　ＢＴ－３１５〕で、仮積層体（ＰＬ１）４６から支持体フィルムを剥離し、仮積層体（ＰＬ１）（６５）とした。これを、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した、減圧加圧槽３７（図１９）内に収容した。仮積層体（ＰＬ１）（６５）を収容した後、この減圧加圧槽３７内を減圧（５０Ｐａ）して、上記仮積層体（ＰＬ１）（６５）を、基板Ｉとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間（Ｓ）が形成された仮積層体（ＰＬ２）（８２）にした。仮積層体（ＰＬ２）（８２）を形成した後、減圧加圧槽３７の開口部から圧縮空気を上記減圧加圧槽３７内に導入し、減圧加圧槽３７の密閉空間Ｚと仮積層体（ＰＬ２）（８２）の密封空間（Ｓ）とに生じた気圧の差を利用して、仮積層体（ＰＬ２）（８２）の基板Ｉに対するフィルム状樹脂αの密着状態での積層を完了し、目的とする基板Ｉの本積層体（９４）を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体（９４）を得た。

＜実施例４＞
（基板Ｉ本積層体）
　図２２に示す積層装置Ｃの接触積層装置４７に代えて、接触積層装置７７（図２６）を用いた以外は、実施例３と同様に本積層体を形成した。すなわち、仮積層体（ＰＬ１）４６を、予めフィルム状樹脂２０の熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した接触積層装置７７（図２６）の密閉空間７９に収容してその密閉空間７９内を５０Ｐａに減圧し、上側弾性プレス板の下端面と下側弾性プレス板の上面との間隔を７９０μｍにして圧締し、上記仮積層体（ＰＬ１）４６の切断フィルム状樹脂１９のフィルム状樹脂αと基板Ｉの凸部とを固着させる接触ラミネーション処理を行った以外は、実施例３と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Ｉの本積層体（９４）を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに替え、接触積層装置７７（図２６）の上側弾性プレス板の下端面と下側弾性プレス板の上面との間隔を１９９０μｍにして圧締した以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体（９４）を得た。

＜実施例５＞
（基板Ｉ本積層体）
　図２２に示す積層装置Ｃの減圧加圧槽３７に代えて、接触積層装置７８（図２７）を用いた以外は、実施例３と同様に本積層体を形成した。すなわち、仮積層体（ＰＬ１）（６５）を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した接触積層装置７８（図２７）の密閉空間８０に収容して、この密閉空間８０を５０Ｐａに減圧し、上側弾性プレス板の下端面と下側弾性プレス板の上面との間隔を６３０μｍにして、フィルム状樹脂αの周縁部を圧締し、上記仮積層体（ＰＬ１）（６５）の基板Ｉとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間（Ｓ）を有する仮積層体（ＰＬ２）（８２）を形成した。このようにして、仮積層体（ＰＬ２）（８２）を形成した後、接触積層装置７８の吸気・送気溝９１から大気を密閉空間８０内に導入し、更に０．３Ｍｐａの圧縮空気を密閉空間８０内に導入し、接触積層装置７８の密閉空間８０と仮積層体（ＰＬ２）（８２）の密封空間（Ｓ）とに生じた気圧の差を利用して、基板Ｉとフィルム状樹脂αの積層を完了し目的とする基板Ｉの本積層体（９４）を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体（９４）を得た。

＜実施例６＞
（基板Ｉ本積層体）
　実施例３において、接触積層装置４７の密閉空間５３および空隙部５２をそれぞれ５０Ｐａに減圧し、ついで、密閉空間５３を５０Ｐａの減圧状態に保ちつつ、空隙部５２の圧力を大気圧に戻し、更に空隙部５２の圧力を０．２Ｍｐａに加圧して、上側可撓性シート４８を密閉空間５３側に膨らませ、その状態を１０秒間保持し、仮積層体（ＰＬ１）４６を圧締した。これにより、接触ラミネーション処理された仮積層体（ＰＬ１）４６に代えて、フィルム状樹脂αと基板Ｉの凸部とが固着し、基板Ｉとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間（Ｓ）を有する仮積層体（ＰＬ２）（８１）を形成した。それ以外は、実施例３と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Ｉの本積層体（９４）を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体（９４）を得た。

＜実施例７＞
（基板III本積層体）
　基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例１と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体（９３）を得た。

＜実施例８＞
（基板III本積層体）
　基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例２と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体（９３）を得た。

＜実施例９＞
（基板III本積層体）
　基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例３と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体（９３）を得た。

＜実施例１０＞
（基板III本積層体）
　基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例４と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体（９３）を得た。

＜実施例１１＞
（基板III本積層体）
　基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例５と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βからなる本積層体（９３）を得た。

＜実施例１２＞
（基板III本積層体）
　基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例６と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体（９３）を得た。

＜比較例１＞
（基板Ｉ本積層体）
　図１に示す積層装置Ａにおいて、減圧加圧槽３７に代えて、接触積層装置４７（図２３）用いた以外は、実施例１と同様にして本積層体を形成した。すなわち、仮積層体（ＰＬ１）３１を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した接触積層装置４７の密閉空間５３に収容して、密閉空間５３と空隙部５２の圧力をそれぞれ５０Ｐａに減圧し、ついで、密閉空間５３を５０Ｐａの減圧状態に保ちつつ、空隙部５２の圧力を大気圧に戻し、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に膨らませ、その状態を２０秒間保持し、圧締して積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

＜比較例２＞
（基板Ｉ本積層体）
　図２２に示す積層装置Ｃにおいて、減圧加圧槽３７に代えて、接触積層装置４７（図２３）を用いた以外は、実施例３と同様にして本積層体を形成した。すなわち、仮積層体（ＰＬ１）４６を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した接触積層装置４７（図２３）の密閉空間５３に収容して、密閉空間５３と空隙部５２の圧力をそれぞれ５０Ｐａに減圧し、ついで、密閉空間５３を５０Ｐａの減圧状態に保ちつつ、空隙部５２の圧力を大気圧に戻し、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に膨らませ、その状態を５秒間保持することにより、圧締した。これにより、上記仮積層体（ＰＬ１）４６の支持体付フィルム状樹脂αにおけるフィルム状樹脂αと、基板Ｉの凸部とを固着させる接触ラミネーション処理を行った。そして、上記接触ラミネーション処理された仮積層体（ＰＬ１）４６を、冷却板５７上で室温程度に冷却した後に、支持体フィルム剥離装置５８〔剥離テープ／日東電工社製のエレップホルダー（登録商標）ＥＬＰ　ＢＴ－３１５〕で仮積層体（ＰＬ１）４６から支持体フィルムを剥離し、仮積層体（ＰＬ１）（６５）とした後、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の２分の１に熱盤の温度を調節した接触積層装置４７（図２３）の密閉空間５３に再び収容して、密閉空間５３と空隙部５２の圧力をそれぞれ５０Ｐａに減圧し、ついで、密閉空間５３を５０Ｐａの減圧状態に保ちつつ、空隙部５２の圧力を大気圧に戻し、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に膨らませ、その状態を２０秒間保持することにより、圧締して積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

＜比較例３＞
（基板Ｉ本積層体）
　比較例１において、接触積層装置４７（図２３）による上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に５秒間膨らませた後に、更に、空隙部５２に０．２Ｍｐａの圧力をかけて、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に２０秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

＜比較例４＞
（基板Ｉ本積層体）
　比較例１において、接触積層装置４７（図２３）による上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に５秒間膨らませた後に、更に、空隙部５２に０．５Ｍｐａの圧力をかけて、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に２０秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

＜比較例５＞
（基板Ｉ本積層体）
　比較例２において、接触積層装置４７（図２３）による上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に５秒間膨らませた後に、更に、空隙部５２に０．２Ｍｐａの圧力をかけて、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に２０秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

＜比較例６＞
（基板Ｉ本積層体）
　比較例２において、接触積層装置４７（図２３）による上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に５秒間膨らませた後に、更に、空隙部５２に０．５Ｍｐａの圧力をかけて、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に２０秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Ｉとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
（基板II本積層体）
　基板Ｉを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

＜比較例７＞
（基板III本積層体）
　実施例９において、減圧加圧槽３７による積層を実施しない以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

＜比較例８＞
（基板III本積層体）
　比較例７において、接触積層装置４７（図２３）による上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に膨らませる時間を、５秒間から２０秒間に変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

＜比較例９＞
（基板III本積層体）
　比較例７において、接触積層装置４７（図２３）による上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に５秒間膨らませた後に、更に、空隙部５２に０．２Ｍｐａの圧力をかけて、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に２０秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

＜比較例１０＞
（基板III本積層体）
　比較例７において、接触積層装置４７（図２３）による上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に５秒間膨らませた後に、更に、空隙部５２に０．５Ｍｐａの圧力をかけて、上側可撓性シート４８を密閉空間５３の側に２０秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

　上記実施例１～１２および比較例１～１０で得られた本積層体のそれぞれについて、生産能力、追従性、膜厚均一性の評価を以下の要領で行った。行った評価の結果を後記の表１および２に示す。

〔生産能力〕
　１時間当たりの合格製品生産能力に基づき以下の通り評価した。
　◎　…　４０枚以上
　○　…　２１－３９枚
　△　…　１－２０枚
　×　…　０枚

〔追従性〕
　凹凸を有する基板に対するフィルム状樹脂の追従性を１００倍顕微鏡で目視確認して以下のように評価した。
　○…凹凸を有する基板の凹部にフィルム状樹脂が完全に充填されている。
　△…ほぼ凹凸を有する基板の凹部にフィルム状樹脂が完全に充填されているが、凹凸を有する基板の凹部（凹面）の一部に気泡がわずかに見られる。
　×…凹凸を有する基板の凹部にフィルム状樹脂が完全には充填されておらず、凹凸を有する基板の凹部（凹面）に気泡が残る。

〔膜厚均一性〕
　本積層体をクロスセクション法で垂直に切断し、本積層体の垂直切断面を顕微鏡にて観察して以下のように評価した。
　◎…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が１μｍ未満である。
　○…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が１μｍ以上２μｍ未満である。
　△…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が２μｍ以上３μｍ未満である。
　×…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が３μｍ以上である。

　上記実施例においては、本発明における具体的な形態について示したが、上記実施例は単なる例示にすぎず、限定的に解釈されるものではない。さらに、請求の範囲の均等範囲に属する変更は、全て本発明の範囲内である。

　本発明の積層装置は、電子回路基板および半導体装置の製造において、凹凸を有する基材にフィルム状樹脂を積層する装置として利用できる。

３１　仮積層体（ＰＬ１）
Ｚ　　密閉空間

                                                                              

Claims (10)

1. 　表裏両面の少なくとも一方に凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を付着してなる仮積層体（ＰＬ１）を対象とし、そのフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を基材の凹凸に追従させた本積層体を形成するための積層装置であって、上記仮積層体（ＰＬ１）を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方に接触しない非接触状態で上記仮積層体（ＰＬ１）を加圧して基材に積層して仮積層体（ＰＬ１）から本積層体を形成する加圧積層手段（Ｐ１）とを有する積層機構（Ｅ１）を有することを特徴とする積層装置。
2. 　上記積層機構（Ｅ１）が、密閉空間内で仮積層体（ＰＬ１）から基材とフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方との間が負圧状態である仮積層体（ＰＬ２）を形成する減圧手段と、密閉空間内で仮積層体（ＰＬ１）を加熱して上記フィルム状樹脂の周縁部と基材をシールする加熱手段とをさらに有することを特徴とする請求項１記載の積層装置。
3. 　上記積層機構（Ｅ１）が、密閉空間内で仮積層体（ＰＬ２）から本積層体を形成する際に仮積層体（ＰＬ２）と本積層体を加熱することにより上記基材に上記フィルム状樹脂を強固に追従させた状態にする加熱手段を有することを特徴とする請求項１または２記載の積層装置。
4. 　上記仮積層体（ＰＬ１）を対象とし、上記仮積層体（ＰＬ１）を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材が一体化した仮積層体（ＰＬ１）を形成する加圧積層手段（Ｐ２）を有する積層機構（Ｅ２）と、上記積層機構（Ｅ１）とを有することを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の積層装置。
5. 　上記仮積層体（ＰＬ１）を対象とし、上記仮積層体（ＰＬ１）を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体（ＰＬ１）の上記フィルム状樹脂の周縁部を上記基材へ積層して上記仮積層体（ＰＬ２）を形成する加圧積層手段（Ｐ３）を有する積層機構（Ｅ３）と、上記積層機構（Ｅ１）とを有することを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の積層装置。
6. 　上記加圧積層手段（Ｐ１）が、加圧圧力を制御する制御手段をさらに有することを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の積層装置。
7. 　仮積層体（ＰＬ１）を上記積層機構（Ｅ２）または（Ｅ３）へ搬送する搬送機構（Ｔ１）と、上記積層機構（Ｅ２）または（Ｅ３）で形成された上記フィルム状樹脂を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂と上記基材が一体化した仮積層体（ＰＬ１）もしくは、仮積層体（ＰＬ２）を上記積層機構（Ｅ１）へ搬送する搬送機構（Ｔ２）と、上記積層機構（Ｅ１）で形成された本積層体を上記積層機構（Ｅ１）から搬出する搬送機構（Ｔ３）と、を有することを特徴とする請求項４～６のいずれか一項に記載の積層装置。
8. 　上記支持体フィルム付きフィルム状樹脂から、支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離手段をさらに備えることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の積層装置。
9. 　上記支持体フィルム剥離手段が、仮積層体の支持体フィルム付きフィルム状樹脂および仮積層体形成前の支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方から支持体フィルムを剥離するように、それ自身が作動するための制御手段を有することを特徴とする請求項８記載の積層装置。
10. 　フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を所定のサイズに切断する切断手段と、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム樹脂の一方をプレキュアするプレキュア手段とをさらに有することを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載の積層装置。

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