WO2012017870A1 - 色素、光電変換素子及び光電気化学電池 - Google Patents
色素、光電変換素子及び光電気化学電池 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012017870A1 WO2012017870A1 PCT/JP2011/067007 JP2011067007W WO2012017870A1 WO 2012017870 A1 WO2012017870 A1 WO 2012017870A1 JP 2011067007 W JP2011067007 W JP 2011067007W WO 2012017870 A1 WO2012017870 A1 WO 2012017870A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- dye
- general formula
- conversion efficiency
- layer
- photoelectrochemical cell
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 296
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 82
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 47
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 25
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 223
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 161
- -1 R 46 Chemical compound 0.000 claims description 61
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 18
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 17
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 319
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 222
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 212
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 186
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 description 124
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 119
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 110
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 107
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 96
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 62
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 60
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 51
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 41
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 34
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 32
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 32
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 31
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 29
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 26
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 25
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 23
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 22
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 19
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 17
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 16
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 16
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 15
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 12
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 11
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 10
- UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L zinc iodide Chemical compound I[Zn]I UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 7
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 6
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 6
- 239000008279 sol Substances 0.000 description 6
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 6
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- SZTSOGYCXBVMMT-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1-propylimidazole;hydroiodide Chemical compound [I-].CCC[NH+]1C=C(C)N=C1C SZTSOGYCXBVMMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 4
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 4
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 4
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 4
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 4
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- GKXDJYKZFZVASJ-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;iodide Chemical compound [I-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC GKXDJYKZFZVASJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- VWIIJDNADIEEDB-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1,3-oxazolidin-2-one Chemical compound CN1CCOC1=O VWIIJDNADIEEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 3
- ISHFYECQSXFODS-UHFFFAOYSA-M 1,2-dimethyl-3-propylimidazol-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CCCN1C=C[N+](C)=C1C ISHFYECQSXFODS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SFPQDYSOPQHZAQ-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropanenitrile Chemical compound COC(C)C#N SFPQDYSOPQHZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropanenitrile Chemical compound COCCC#N OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000270728 Alligator Species 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003109 Karl Fischer titration Methods 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N citronellol Chemical compound OCCC(C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000012039 electrophile Substances 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M lithium acetate Chemical compound [Li+].CC([O-])=O XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006391 phthalonitrile polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N thianthrene Chemical compound C1=CC=C2SC3=CC=CC=C3SC2=C1 GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N (3alpha,5alpha,7alpha,12alpha)-3,7,12-trihydroxy-cholan-24-oic acid Natural products OC1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N (R)-(+)-citronellol Natural products OCC[C@H](C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYRHLUUGTNNSDF-UHFFFAOYSA-M 1,3-bis[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl]imidazol-1-ium;iodide Chemical compound [I-].COCCOCCOCCN1C=C[N+](CCOCCOCCOC)=C1 XYRHLUUGTNNSDF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazolidin-4-one Chemical compound CN1CN(C)C(=O)C1 YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-2-amine Chemical class NC1=NC=CS1 RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XREPTGNZZKNFQZ-UHFFFAOYSA-M 1-butyl-3-methylimidazolium iodide Chemical compound [I-].CCCCN1C=C[N+](C)=C1 XREPTGNZZKNFQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HOQAPVYOGBLGOC-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2CC HOQAPVYOGBLGOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVCMUVGRRDWTDK-UHFFFAOYSA-M 1-methyl-3-propylimidazol-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CCCN1C=C[N+](C)=C1 IVCMUVGRRDWTDK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1 FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEQXEQXNHPQBQO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOCCOCCOCCOCCO UEQXEQXNHPQBQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSIAIROWMJGMQZ-UHFFFAOYSA-N 2h-triazol-4-amine Chemical class NC1=CNN=N1 JSIAIROWMJGMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSBOSAGJYNRBJN-UHFFFAOYSA-N 5-nitronaphthalene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C2=C1C=CC=C2[N+](=O)[O-] VSBOSAGJYNRBJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVDLHGSZWAELAU-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butylthiophene-2-carbonyl chloride Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(Cl)=O)S1 RVDLHGSZWAELAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LUAZZOXZPVVGSO-UHFFFAOYSA-N Benzyl viologen Chemical compound C=1C=C(C=2C=C[N+](CC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=C[N+]=1CC1=CC=CC=C1 LUAZZOXZPVVGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CCCC=C(C)[C@]1C(C(C)=C2C(C)C2)=C(*)C(*CC**2)=C2C1C Chemical compound CCCC=C(C)[C@]1C(C(C)=C2C(C)C2)=C(*)C(*CC**2)=C2C1C 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004380 Cholic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical class OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJAPGHQTQWGEHG-UHFFFAOYSA-N O.O.O.O.[In+3] Chemical compound O.O.O.O.[In+3] JJAPGHQTQWGEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMNQEYSGLXNRIO-UHFFFAOYSA-N [I+].C[N+]1=CN(C=C1)CCCCCC Chemical compound [I+].C[N+]1=CN(C=C1)CCCCCC PMNQEYSGLXNRIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000738 acetamido group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)N([H])[*] 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000001720 action spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000000043 benzamido group Chemical group [H]N([*])C(=O)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N beta-citronellol Natural products OCCC(C)CCCC(C)=C JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Chemical group 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 125000002057 carboxymethyl group Chemical group [H]OC(=O)C([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N cholic acid Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N 0.000 description 1
- 235000019416 cholic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960002471 cholic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000000484 citronellol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- MLIREBYILWEBDM-UHFFFAOYSA-N cyanoacetic acid Chemical group OC(=O)CC#N MLIREBYILWEBDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O guanidinium Chemical compound NC(N)=[NH2+] ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004687 hexahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-O hydron;1,3-oxazole Chemical compound C1=COC=[NH+]1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004698 iron complex Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010299 mechanically pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-diol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=C(O)C2=C1 PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002113 octoxynol Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- FIKAKWIAUPDISJ-UHFFFAOYSA-L paraquat dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].C1=C[N+](C)=CC=C1C1=CC=[N+](C)C=C1 FIKAKWIAUPDISJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000006678 phenoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005499 phosphonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N pivalic acid Chemical compound CC(C)(C)C(O)=O IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 235000012247 sodium ferrocyanide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003458 sulfonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DPKBAXPHAYBPRL-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;iodide Chemical compound [I-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DPKBAXPHAYBPRL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 229920002397 thermoplastic olefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- GZNAASVAJNXPPW-UHFFFAOYSA-M tin(4+) chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Sn+4] GZNAASVAJNXPPW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrachloride;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- FWPIDFUJEMBDLS-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride dihydrate Substances O.O.Cl[Sn]Cl FWPIDFUJEMBDLS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- QQOWHRYOXYEMTL-UHFFFAOYSA-N triazin-4-amine Chemical class N=C1C=CN=NN1 QQOWHRYOXYEMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
- C07F1/005—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F11/00—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic Table
- C07F11/005—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic Table compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F13/00—Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic Table
- C07F13/005—Compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0013—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/003—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/005—Compounds of elements of Group 5 of the Periodic Table without metal-carbon linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
- C09B47/06—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide
- C09B47/067—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide from phthalodinitriles naphthalenedinitriles, aromatic dinitriles prepared in situ, hydrogenated phthalodinitrile
- C09B47/0675—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide from phthalodinitriles naphthalenedinitriles, aromatic dinitriles prepared in situ, hydrogenated phthalodinitrile having oxygen or sulfur linked directly to the skeleton
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
- H01G9/2013—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte the electrolyte comprising ionic liquids, e.g. alkyl imidazolium iodide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
Definitions
- the present invention relates to a dye, a photoelectric conversion element, and a photoelectrochemical cell having high conversion efficiency and excellent durability.
- Photoelectric conversion elements are used in various optical sensors, copiers, solar cells and the like.
- Various types of photoelectric conversion elements have been put to practical use, such as those using metals, semiconductors, organic pigments and dyes, or combinations thereof.
- a solar cell using non-depleting solar energy does not require fuel, and its full-scale practical use is expected greatly as it uses inexhaustible clean energy.
- silicon solar cells have been researched and developed for a long time. It is spreading due to the policy considerations of each country. However, silicon is an inorganic material, and its throughput and molecular modification are naturally limited.
- Patent Document 1 describes a dye-sensitized photoelectric conversion element using semiconductor fine particles sensitized with a ruthenium complex dye by applying this technique.
- conventional ruthenium complex dyes can be photoelectrically converted using visible light, they can hardly absorb infrared light having a wavelength longer than 700 nm, and thus have a low photoelectric conversion ability in the infrared region.
- the proposal which provides a photoelectric conversion element with high conversion efficiency in the infrared region higher than 700 nm by using the polymethine dye which has a specific structure is proposed (for example, refer patent document 2).
- a photoelectrochemical cell using a phthalocyanine dye having a specific structure has also been proposed (see, for example, Patent Document 3).
- the photoelectric conversion element is required to have high initial conversion efficiency in a wide wavelength region, little deterioration in conversion efficiency after use, and excellent durability.
- the photoelectric conversion element described in Patent Document 2 and the photoelectrochemical cell described in Patent Document 3 are not sufficient. Therefore, a photoelectric conversion element and a photoelectrochemical cell having high conversion efficiency and excellent durability are required.
- dye solution for photoelectric conversion elements are required.
- An object of the present invention is to provide a dye, a photoelectric conversion element, and a photoelectrochemical cell having high conversion efficiency and excellent durability.
- the molecule has one or two COOH groups, R 1 to R 16 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and form a ring with an adjacent substituent.
- M represents two hydrogen atoms, two lithium atoms, or one metal atom of a group 3 to 14 having an atomic radius of 135 pm or more or a metal oxide thereof.
- the general formula (1a) has at least one structure represented by the following general formula (2a) in the molecule.
- n represents an integer of 0 or 1.
- A represents an aromatic group or a heterocyclic group. However, A does not have an acidic group.
- R 35 to R 58 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least six of R 35 , R 40 , R 41 , R 46 , R 47 , R 52 , R 53 and R 58 have the structure of the general formula (2a), or R 36 , R 39 , R 42. , R 45 , R 48 , R 51 , R 54 and R 57 have a structure of the general formula (2a). M is synonymous with the general formula (1a).
- a photoelectric conversion device comprising a photoreceptor layer having the dye according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8> and semiconductor fine particles
- a photoelectric conversion element comprising a photosensitive layer having a dye according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, a dye different from the dye, and semiconductor fine particles, ⁇ 11>
- a dye, a photoelectric conversion element, and a photoelectrochemical cell having high conversion efficiency and excellent durability can be provided.
- the present inventors include a photoconductor having a semiconductor fine particle layer in which a phthalocyanine dye (dye compound) having a specific structure is adsorbed on a conductive support, a charge transfer body, and a counter electrode. It has been found that a photoelectric conversion element having a laminated structure and a photoelectrochemical cell using the photoelectric conversion element have high conversion efficiency and durability, and particularly a decrease in conversion efficiency is small. The present invention has been made based on this finding.
- the photoelectric conversion element 10 includes a conductive support 1, a photosensitive layer 2, a charge transfer layer 3, and a counter electrode 4 arranged in that order on the conductive support 1.
- the conductive support 1 and the photoreceptor 2 constitute a light receiving electrode 5.
- the photoreceptor 2 has conductive fine particles 22 and a sensitizing dye 21, and the dye 21 is adsorbed on the conductive fine particles 22 at least in part (the dye is in an adsorption equilibrium state, It may be present in the partial charge transfer layer.)
- the conductive support 1 on which the photoreceptor 2 is formed functions as a working electrode in the photoelectric conversion element 10.
- the photoelectric conversion element 10 can be operated as the photoelectrochemical cell 100 by causing the external circuit 6 to work.
- the upper and lower sides of the photoelectric conversion element do not need to be defined in particular, but in this specification, based on what is illustrated, the side of the counter electrode 4 serving as the light receiving side is the upper (top) direction, and the support The side of 1 is the lower (bottom) direction.
- the light-receiving electrode 5 is an electrode composed of a conductive support 1 and a photosensitive layer (semiconductor film) 2 of semiconductor fine particles 22 adsorbed with a dye 21 coated on the conductive support.
- the light incident on the photoreceptor (semiconductor film) 2 excites the dye.
- the excited dye has high energy electrons. Therefore, the electrons are transferred from the dye 21 to the conduction band of the semiconductor fine particles 22 and further reach the conductive support 1 by diffusion.
- the molecule of the dye 21 is an oxidant.
- the electrons on the electrode return to the oxidized dye while working in an external circuit, thereby acting as a photoelectrochemical cell.
- the light receiving electrode 5 functions as a negative electrode of the battery.
- the photoelectric conversion element of this embodiment has a photoreceptor having a layer of porous semiconductor fine particles on which a sensitizing dye described later is adsorbed on a conductive support. At this time, as described above, a part of the dye may be dissociated in the electrolyte.
- the photoreceptor is designed according to the purpose, and may have a single layer structure or a multilayer structure.
- the photoreceptor of the photoelectric conversion element of the present embodiment contains semiconductor fine particles adsorbed with a specific sensitizing dye, has high sensitivity, and can be used as a photoelectrochemical cell, and can obtain high conversion efficiency. High durability.
- (A) Dye In the photoelectric conversion element of the present invention, a dye having a structure represented by the following general formula (1a) is used. This dye can be particularly suitably used for a photoelectric conversion element or a photoelectrochemical battery.
- the molecule has one or two COOH groups, and R 1 to R 16 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may form a ring with an adjacent substituent. Good.
- substituents examples include an alkyl group or an alkenyl group (for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec-butyl, t-butyl, pentyl, isopentyl, 2-methylbutyl, 1-methylbutyl, hexyl, isohexyl, sec-hexyl, t-hexyl, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, n-dodecyl, cyclohexyl, vinyl, allyl, benzyl, etc.), aryl groups (eg, phenyl, tolyl, xylyl, biphenyl, naphthyl, etc.), heterocyclic residues ( For example, pyridyl, imidazolyl, furyl, thienyl, pyronyl, oxazolyl, thiazolyl,
- n represents an integer of 0 or 1.
- A represents an aromatic group or a heterocyclic group, and A may be substituted or unsubstituted. However, A does not have an acidic group.
- Examples having a substituent include those similar to R 1 to R 16 .
- the substituent having the structure of the general formula (2a) can improve the conversion efficiency by controlling the inefficient association state and expanding the wavelength range.
- Examples of the aromatic group represented by A include benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene.
- the heterocyclic ring include anthraquinone, carbazole, pyridine, quinoline, thiophene, furan, xanthene, and thianthrene.
- n is an integer of 1 or more, that is, the substituent having the structure of the general formula (2a) is preferably bonded to A via a sulfur atom.
- the substituent having the structure of the general formula (2a) is preferably any one of R 1 to R 16 .
- M represents two hydrogen atoms, two lithium atoms, or one metal atom of group 3 to 14 having an atomic radius of 130 pm or more.
- M is preferably a metal atom of 135 pm or more, more preferably a metal atom of 140 pm or more.
- the atomic radius of M is preferably 165 pm or less. If the atomic radius of M is too large, the dye becomes unstable and causes a decrease in durability.
- Sc (atomic radius: 148 pm), Ti (atomic radius: 136 pm), Y (atomic radius: 163 pm), Zr (atomic radius: 154 pm), Nb (atomic radius: 147 pm), Mo (atomic radius: 138 pm), Cd (atomic radius) Radius 136 pm), In (atomic radius 142 pm), Sn (atomic radius 140 pm), Hf (atomic radius 152 pm), Ta (atomic radius 146 pm), W (atomic radius 137 pm) or Pb (atomic radius 144 pm), preferably , Sc, Zr, Sn, In, Hf or Pb.
- R 19 to R 34 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent include those similar to R 1 to R 16 . At least six of R 19 , R 22 , R 23 , R 26 , R 27 , R 30 , R 31 , R 34 are represented by the general formula (2a).
- General formula (2a) is synonymous with the said general formula (1a).
- M has the same meaning as in the general formula (1a).
- R 35 to R 58 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least six of R 35 , R 40 , R 41 , R 46 , R 47 , R 52 , R 53 and R 58 have the structure of the general formula (2a), or R 36 , R 39 , R 42. , R 45 , R 48 , R 51 , R 54 and R 57 have a structure of the general formula (2a). Therefore, it is R 36 , R 39 that has the structure of the general formula (2a) only in six or more of R 35 , R 40 , R 41 , R 46 , R 47 , R 52 , R 53 and R 58.
- R 42 , R 45 , R 48 , R 51 , R 54 and R 57 may be only six or more. Further, six or more of R 35 , R 40 , R 41 , R 46 , R 47 , R 52 , R 53 and R 58 have the structure of the general formula (2a), and R 36 , R 39 , R Six or more of 42 , R 45 , R 48 , R 51 , R 54 and R 57 may have the structure of the general formula (2a). In general formula (3) or (4), general formula (2a) is synonymous with that in general formula (1a). M has the same meaning as in the general formula (1a).
- R 19 to R 58 it is preferable that one or two of R 19 to R 58 have a COOH group.
- the part which has COOH group can selectively adsorb
- the following general formula (5) is preferably included.
- Y represents alkylene (e.g., methylene, ethylene, propylene, butylene), alkenylene (e.g., vinylene, propenylene, butenylene, pentenylene, hexenylene), alkynylene (e.g., ethynylene, propynylene, butynylene, pentynylene), arylene (e.g., phenylene, naphthylene).
- M represents an integer of 1 or more.
- Y is preferably alkenylene, alkynylene, arylene, more preferably arylene.
- the carboxylic acid of the general formula (5) is preferably a conjugated carboxylic acid. Thereby, the effect of an electron injection efficiency improvement can be acquired and a photoelectric conversion efficiency improves.
- m is preferably an integer of 1 or more, more preferably an integer of 1 to 3.
- the following general formula (6) is preferably included.
- the electron injection efficiency can be further improved.
- dye compound represented by general formula (1a) of this invention is not limited to this.
- M represents two hydrogen atoms, two lithium atoms, or one metal atom having an atomic radius of 135 pm or more of group 3 to 14, and in dye XC, X represents a sulfur atom Represents.
- R in XB represents an aromatic group or a heterocyclic group bonded directly or via a sulfur atom.
- XK Y is (for example, methylene, ethylene, propylene, butylene), alkenylene (for example, vinylene, propenylene, butenylene, pentenylene, hexenylene), alkynylene (for example, ethynylene, propynylene, butynylene, pentynylene), arylene (for example, phenylene, naphthylene).
- alkenylene for example, vinylene, propenylene, butenylene, pentenylene, hexenylene
- alkynylene for example, ethynylene, propynylene, butynylene, pentynylene
- arylene for example, phenylene, naphthylene
- the dye having the structure of the general formula (1a) can be prepared by using a phthalonitrile having a substituent corresponding to each dye in the same manner as shown in the preparation examples described in Examples below.
- a compound a complex and a pigment
- the salt, complex when it is other than a complex
- the meaning containing the ion are used.
- it is the meaning including the compound modified with the predetermined form in the range with the desired effect.
- a substituent that does not specify substitution / non-substitution means that the group may have an arbitrary substituent. This is also synonymous for compounds that do not specify substitution / non-substitution.
- the molecule has at least one COOH group.
- R 101 to R 116 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may form a ring with an adjacent substituent.
- R 101 to R 116 are preferably the same as R 1 to R 16 in the general formula (1a). However, it does not have to have a substituent represented by the general formula (2a).
- M represents two hydrogen atoms or one or two metal atoms, and the metal atoms include metal oxides.
- the atomic radius of the metal atom is not particularly limited, but preferably has a difference of 20 nm or more, and more preferably has a difference of 40 nm or more with respect to the maximum absorption in the solution of the first dye.
- the general formula (1b) has at least one structure represented by the general formula (2b) in the molecule.
- n represents an integer of 0 or 1.
- X represents NR 211 , an oxygen atom, or a sulfur atom, and R 211 represents a hydrogen atom or a substituent.
- R 201 represents an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. R 201 may be substituted or unsubstituted. Examples having a substituent include those similar to R 101 to R 116 .
- the substituent having the structure of the general formula (2b) can improve the conversion efficiency by controlling the inefficient association state and expanding the wavelength range.
- Examples of the aromatic group represented by R 201 include benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene.
- Examples of the heterocyclic ring include anthraquinone, carbazole, pyridine, quinoline, thiophene, furan, xanthene, and thianthrene.
- Preferred examples include heterocyclic rings. When these are bonded via an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom or directly, an effect of improving the conversion efficiency and improving the durability can be obtained by the effect of improving ⁇ and stabilizing the one-electron oxidation state.
- a photosensitive member 2 in which a dye 21 is adsorbed on porous semiconductor fine particles 22 is formed on a conductive support 1.
- a dispersion of semiconductor fine particles is applied to a conductive support and dried, and then immersed in the dye solution of the present invention to produce a photoreceptor.
- the conductive support there can be used a glass or a polymer material having a conductive film layer on the surface, such as a metal that is conductive in the support itself. It is preferable that the conductive support is substantially transparent.
- Substantially transparent means that the light transmittance is 10% or more, preferably 50% or more, particularly preferably 80% or more.
- a glass or polymer material coated with a conductive metal oxide can be used as the conductive support.
- the coating amount of the conductive metal oxide at this time is preferably 0.1 to 100 g per 1 m 2 of glass or polymer material support.
- light is preferably incident from the support side.
- polymer materials examples include tetraacetyl cellulose (TAC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), syndiotactic polystyrene (SPS), polyphenylene sulfide (PPS), polycarbonate (PC), Examples include polyarylate (PAR), polysulfone (PSF), polyester sulfone (PES), polyetherimide (PEI), cyclic polyolefin, and brominated phenoxy.
- TAC tetraacetyl cellulose
- PET polyethylene terephthalate
- PEN polyethylene naphthalate
- SPS syndiotactic polystyrene
- PPS polyphenylene sulfide
- PC polycarbonate
- PAR polyarylate
- PSF polysulfone
- PET polyester sulfone
- PEI polyetherimide
- cyclic polyolefin examples include brominated phenoxy.
- a metal support can be used as a preferable conductive support.
- a conductive metal support composed of any element belonging to Group 4 to Group 13 is used as the conductive support.
- Group 4 to Group 13 are those in the long-period periodic table.
- the thickness of the conductive metal support in the present invention is preferably 10 ⁇ m or more and 2000 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, and particularly preferably 50 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less. When this thickness is too thick, flexibility is lacking, which may cause trouble when used as a photoelectric conversion element. Moreover, when too thin, it may be damaged during use of the photoelectric conversion element, which is not preferable.
- the range of the surface resistance is preferably 10 ⁇ / m 2 or less, more preferably 1 ⁇ / m 2 or less, and particularly preferably 0.1 ⁇ / m 2 or less. When this value is too high, it becomes difficult to energize and the function as a photoelectric conversion element cannot be exhibited.
- the conductive metal support Since the conductive metal support has a small surface resistance and can reduce the internal resistance of the photoelectrochemical cell, a high output battery can be obtained. Further, when a conductive metal support is used, the support does not soften even if the conductive metal support coated with the semiconductor fine particle dispersion described below is heated and dried at a high temperature. . Therefore, a porous semiconductor fine particle layer having a large specific surface area can be formed by appropriately selecting the heating conditions. Thereby, the amount of dye adsorption can be increased, and a photoelectric conversion element with high output and high conversion efficiency can be provided.
- a conductive metal layer provided on a polymer material layer can be preferably used.
- the polymer material layer is not particularly limited, but a material that does not melt and retain its shape when heated after coating the semiconductor fine particle dispersion on the conductive layer is selected.
- the conductive layer can be produced by laminating the polymer material layer by a conventional method such as extrusion coating.
- a polymer material layer provided with a conductive layer is used so that the polymer material layer functions as a protective layer for a photoelectric conversion element or a photoelectrochemical cell.
- the polymer material layer can function not only as a protective layer but also as an insulating layer. Thereby, the insulation of photoelectric conversion element itself can be ensured.
- the polymer material layer is used as an insulating layer, it is preferable to use a material having a volume resistivity of 10 10 to 10 20 ⁇ ⁇ cm. More preferably, the volume resistivity is 10 11 to 10 19 ⁇ ⁇ cm.
- the conductive metal support is preferably substantially transparent.
- substantially transparent means that the light transmittance is 10% or more, preferably 50% or more, particularly preferably 80% or more.
- the n-type inorganic semiconductor preferably used in the present invention is TiO 2 , TiSrO 3 , ZnO, Nb 2 O 3 , SnO 2 , WO 3 , Si, CdS, CdSe, V 2 O 5 , ZnS, ZnSe, SnSe, KTaO. 3 , FeS 2 , PbS, InP, GaAs, CuInS 2 , CuInSe 2 and the like.
- the most preferred n-type semiconductors are TiO 2 , ZnO, SnO 2 , WO 3 , and Nb 2 O 3 .
- a semiconductor material in which a plurality of these semiconductors are combined is also preferably used.
- the content of the large particles is preferably 50% or less, more preferably 20% or less of the mass of particles having an average particle size of 50 nm or less.
- the average particle size of the large particles added and mixed for the above purpose is preferably 100 nm or more, and more preferably 250 nm or more.
- the gel-sol method described in Sakuo Sakuo's “Science of Sol-Gel Method”, Agne Jofu Co., Ltd. (1998) is preferable.
- a method of producing an oxide by high-temperature hydrolysis of chloride developed by Degussa in an oxyhydrogen salt is preferable.
- the semiconductor fine particles are titanium oxide
- the above sol-gel method, gel-sol method, and high-temperature hydrolysis method in oxyhydrogen salt of chloride are all preferred, but Kiyoshi Manabu's “Titanium oxide properties and applied technology”
- the sulfuric acid method and the chlorine method described in Gihodo Publishing (1997) can also be used.
- a method for producing semiconductor fine particles for example, as a method for producing titania nanoparticles, preferably, a method by flame hydrolysis of titanium tetrachloride, a combustion method of titanium tetrachloride, hydrolysis of a stable chalcogenide complex, orthotitanic acid Of semiconductor, forming semiconductor fine particles from soluble and insoluble parts, then dissolving and removing soluble parts, hydrothermal synthesis of peroxide aqueous solution, or production of core / shell structured titanium oxide fine particles by sol-gel method A method is mentioned.
- titania examples include anatase type, brookite type, and rutile type, and anatase type and brookite type are preferable. Titania nanotubes, nanowires, and nanorods may be mixed with titania fine particles.
- ⁇ Titania may be doped with a nonmetallic element or the like.
- an additive may be used on the surface to improve the necking or to prevent reverse electron transfer.
- preferred additives include ITO, SnO particles, whiskers, fibrous graphite / carbon nanotubes, zinc oxide necking binders, fibrous materials such as cellulose, metals, organic silicon, dodecylbenzenesulfonic acid, silane compounds, etc. Examples thereof include a mobile binding molecule and a potential gradient dendrimer.
- titania may be acid-base or redox treated before dye adsorption. Etching, oxidation treatment, hydrogen peroxide treatment, dehydrogenation treatment, UV-ozone, oxygen plasma, or the like may be used.
- a porous semiconductor fine particle coating layer can be obtained by applying a semiconductor fine particle dispersion to the conductive support and heating it appropriately.
- a method of preparing a semiconductor fine particle dispersion is a method of depositing fine particles in a solvent and using them as they are when synthesizing a semiconductor. Ultrafine particles are irradiated with ultrasonic waves. Or a method of mechanically pulverizing and grinding using a mill or a mortar.
- the dispersion solvent water and / or various organic solvents can be used.
- organic solvent examples include alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, citronellol and terpineol, ketones such as acetone, esters such as ethyl acetate, dichloromethane, acetonitrile and the like.
- alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, citronellol and terpineol
- ketones such as acetone
- esters such as ethyl acetate, dichloromethane, acetonitrile and the like.
- a small amount of, for example, a polymer such as polyethylene glycol, hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, a surfactant, an acid, or a chelating agent may be used as a dispersion aid.
- the dispersing aids are preferably removed by a filtration method, a method using a separation membrane, a centrifugal method or the like before the step of forming a film on a conductive support. If the viscosity of the semiconductor fine particle dispersion is too high, the dispersion will aggregate and cannot be formed into a film. Conversely, if the viscosity of the semiconductor fine particle dispersion is too low, the liquid will flow and cannot be formed into a film. is there. Therefore, the viscosity of the dispersion is preferably 10 to 300 N ⁇ s / m 2 at 25 ° C. More preferably, it is 50 to 200 N ⁇ s / m 2 at 25 ° C.
- a roller method, a dip method, or the like can be used as an application method.
- an air knife method, a blade method, etc. can be used as a metering method.
- the application method and the metering method can be made the same part.
- a rouge method, a curtain method and the like are preferable.
- wet printing method intaglio, rubber plate, screen printing and the like are preferred, including the three major printing methods of letterpress, offset and gravure.
- a preferred film forming method is selected according to the liquid viscosity and the wet thickness.
- the semiconductor fine particle dispersion of the present invention since it has a high viscosity and has a viscous property, it may have a strong cohesive force and may not be well adapted to the support during coating. In such a case, by performing cleaning and hydrophilization of the surface by UV ozone treatment, the binding force between the applied semiconductor fine particle dispersion and the surface of the conductive support increases, and the semiconductor fine particle dispersion can be easily applied.
- the preferred thickness of the entire semiconductor fine particle layer is 0.1 to 100 ⁇ m.
- the thickness of the semiconductor fine particle layer is further preferably 1 to 30 ⁇ m, and more preferably 2 to 25 ⁇ m.
- the amount of the semiconductor fine particles supported per 1 m 2 of the support is preferably 0.5 g to 400 g, more preferably 5 to 100 g.
- the applied semiconductor fine particle layer is subjected to heat treatment to enhance the electronic contact between the semiconductor fine particles and to improve the adhesion to the support, and to dry the applied semiconductor fine particle dispersion. .
- heat treatment By this heat treatment, a porous semiconductor fine particle layer can be formed.
- light energy can also be used.
- the surface may be activated by applying light absorbed by the semiconductor fine particles such as ultraviolet light, or only the surface of the semiconductor fine particles may be activated by laser light or the like. Can do.
- the impurities adsorbed on the particle surface are decomposed by the activation of the particle surface, and can be brought into a preferable state for the above purpose.
- heat treatment and ultraviolet light it is preferable to heat the semiconductor fine particles at 100 ° C. to 250 ° C. or preferably 100 ° C. to 150 ° C. while irradiating the semiconductor fine particles with light absorbed by the fine particles.
- the semiconductor fine particle dispersion may be applied to the conductive support, and other treatments may be performed in addition to heating and light irradiation.
- Examples of preferred methods include energization and chemical treatment.
- a pressure may be applied after the application, and a method for applying the pressure includes Japanese Patent Publication No. 2003-500857.
- Examples of light irradiation include JP-A No. 2001-357896.
- Examples of plasma, microwave, and energization include JP-A No. 2002-353453.
- Examples of the chemical treatment include JP-A-2001-357896.
- the method for coating the above-mentioned semiconductor fine particles on the conductive support is not only the method for applying the above-mentioned semiconductor fine particle dispersion on the conductive support, but also the semiconductor fine particle precursor described in Japanese Patent No. 2664194.
- a method such as a method of obtaining a semiconductor fine particle film by applying on a conductive support and hydrolyzing with moisture in the air can be used.
- the precursor include (NH 4 ) 2 TiF 6 , titanium peroxide, metal alkoxide / metal complex / metal organic acid salt, and the like.
- a method of forming a semiconductor film by applying a slurry in which a metal organic oxide (alkoxide, etc.) coexists, and heat treatment, light treatment, etc., a slurry in which an inorganic precursor coexists, titania dispersed in the pH of the slurry The method which specified the property of particle
- a binder may be added in a small amount, and examples of the binder include cellulose, fluoropolymer, crosslinked rubber, polybutyl titanate, carboxymethyl cellulose and the like.
- Techniques related to the formation of semiconductor fine particles or precursor layers thereof include corona discharge, plasma, a method of hydrophilizing by a physical method such as UV, a chemical treatment with alkali, polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid, polyaniline, etc. For example, formation of an interlayer film for bonding may be mentioned.
- Examples of the dry method include vapor deposition, sputtering, and aerosol deposition method. Further, electrophoresis or electrodeposition may be used. Moreover, after producing a coating film once on a heat-resistant board
- the semiconductor fine particles preferably have a large surface area so that many dyes can be adsorbed.
- the surface area is preferably 10 times or more, more preferably 100 times or more the projected area.
- limiting in particular in this upper limit Usually, it is about 5000 times. JP-A-2001-93591 and the like are preferable as the structure of semiconductor fine particles.
- the thickness of the semiconductor fine particle layer increases, the amount of dye that can be supported per unit area increases, so that the light absorption efficiency increases.
- the preferred thickness of the semiconductor fine particle layer varies depending on the use of the device, but is typically 0.1 to 100 ⁇ m. When used as a photoelectrochemical cell, the thickness is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 3 to 30 ⁇ m.
- the semiconductor fine particles may be heated at a temperature of 100 to 800 ° C. for 10 minutes to 10 hours in order to adhere the particles to each other after being applied to the support.
- the film forming temperature is preferably 400 to 600 ° C.
- a polymer material is used as the support, it is preferably heated after film formation at 250 ° C.
- the film forming method may be any of (1) a wet method, (2) a dry method, and (3) an electrophoresis method (including an electrodeposition method), and preferably (1) a wet method or ( 2) A dry method, more preferably (1) a wet method.
- the coating amount of semiconductor fine particles per 1 m 2 of support is preferably 0.5 to 500 g, more preferably 5 to 100 g.
- the solution used for the dye solution for dye adsorption can be used without particular limitation as long as it can dissolve the dye for the photoelectric conversion element of the present invention.
- an organic solvent such as ethanol, methanol, isopropanol, toluene, t-butanol, acetonitrile, acetone, n-butanol can be used. Among these, ethanol and toluene can be preferably used.
- the organic solvent can be used alone or a mixture of a plurality of organic solvents.
- the dye is quickly adsorbed after the baking and before water adsorbs on the coating film surface. You may mix the pigment
- the total amount of the dye used is preferably 0.01 to 100 mmol, more preferably 0.1 to 50 mmol, and particularly preferably 0.1 to 10 mmol per 1 m 2 of the support.
- the amount of the dye of the present invention is preferably 5 mol% or more.
- the adsorption amount of the dye to the semiconductor fine particles is preferably 0.001 to 1 mmol, more preferably 0.1 to 0.5 mmol, with respect to 1 g of the semiconductor fine particles.
- a colorless compound may be co-adsorbed for the purpose of reducing the interaction between dyes such as association.
- the hydrophobic compound to be co-adsorbed include steroid compounds having a carboxyl group (for example, cholic acid, pivalic acid) and the like.
- the surface of the semiconductor fine particles may be treated with amines.
- Preferred amines include 4-tert-butylpyridine, polyvinylpyridine and the like. These may be used as they are in the case of a liquid, or may be used by dissolving in an organic solvent.
- the counter electrode serves as the positive electrode of the photoelectrochemical cell.
- the counter electrode is usually synonymous with the conductive support described above, but the support is not necessarily required in a configuration in which the strength is sufficiently maintained. However, having a support is advantageous in terms of hermeticity.
- the material for the counter electrode include platinum, carbon, conductive polymer, and the like. Preferable examples include platinum, carbon, and conductive polymer.
- the structure of the counter electrode a structure having a high current collecting effect is preferable.
- Preferred examples include JP-A-10-505192.
- a composite electrode such as titanium oxide and tin oxide (TiO 2 / SnO 2 ) may be used, and examples of the mixed electrode of titania include those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-111393. Examples of mixed electrodes other than titania include those described in JP-A Nos. 2001-185243 and 2003-282164.
- a short-circuit prevention layer between the conductive support and the porous semiconductor fine particle layer in order to prevent reverse current due to direct contact between the electrolyte and the electrode.
- Preferable examples include those described in JP-A-06-507999.
- a spacer or a separator In order to prevent contact between the light receiving electrode and the counter electrode, it is preferable to use a spacer or a separator.
- Preferable examples include those described in JP-A-2001-283941.
- Electrolyte As a typical redox couple, for example, a combination of iodine and iodide (for example, lithium iodide, tetrabutylammonium iodide, tetrapropylammonium iodide, etc.), alkyl viologen (for example, methyl viologen chloride, hexyl) A combination of viologen bromide, benzyl viologen tetrafluoroborate) and its reduced form, a combination of polyhydroxybenzenes (eg, hydroquinone, naphthohydroquinone, etc.) and its oxidant, a divalent and trivalent iron complex (eg, red blood salt) And yellow blood salt).
- iodine and iodide for example, lithium iodide, tetrabutylammonium iodide, tetrapropylammonium iodide, etc.
- a combination of iodine and iodide is preferred.
- an aprotic polar solvent for example, acetonitrile, propylene carbonate, ethylene carbonate, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, sulfolane, 1,3-dimethylimidazolinone, 3-methyloxazolidinone, etc.
- the polymer used for the matrix of the gel electrolyte include polyacrylonitrile and polyvinylidene fluoride.
- molten salt examples include those imparted with fluidity at room temperature by mixing polyethylene oxide with lithium iodide and at least one other lithium salt (for example, lithium acetate, lithium perchlorate, etc.). It is done. In this case, the amount of the polymer added is 1 to 50% by mass.
- ⁇ -butyrolactone may be included in the electrolytic solution, thereby increasing the diffusion efficiency of iodide ions and improving the conversion efficiency.
- aminopyridine compounds As an additive to the electrolyte, in addition to the aforementioned 4-tert-butylpyridine, aminopyridine compounds, benzimidazole compounds, aminotriazole compounds and aminothiazole compounds, imidazole compounds, aminotriazine compounds, urea derivatives, Amide compounds, pyrimidine-based compounds and nitrogen-free heterocycles can be added.
- a method of controlling the water content of the electrolytic solution may be taken.
- Preferred methods for controlling moisture include a method for controlling the concentration and a method in which a dehydrating agent is allowed to coexist.
- an inclusion compound of iodine and cyclodextrin may be used, and conversely, a method of constantly supplying water may be used.
- Cyclic amidine may be used, and an antioxidant, hydrolysis inhibitor, decomposition inhibitor, and zinc iodide may be added.
- a molten salt may be used as the electrolyte, and preferred molten salts include ionic liquids containing imidazolium or triazolium type cations, oxazolium-based, pyridinium-based, guanidinium-based, and combinations thereof. These cationic systems may be combined with specific anions. Additives may be added to these molten salts. You may have a liquid crystalline substituent. Further, a quaternary ammonium salt-based molten salt may be used.
- molten salt other than these for example, flowability at room temperature was imparted by mixing polyethylene oxide with lithium iodide and at least one other lithium salt (for example, lithium acetate, lithium perchlorate, etc.). And the like.
- the electrolyte may be quasi-solidified by adding a gelling agent to an electrolyte solution composed of an electrolyte and a solvent for gelation.
- a gelling agent include organic compounds having a molecular weight of 1000 or less, Si-containing compounds having a molecular weight in the range of 500 to 5000, organic salts made of specific acidic compounds and basic compounds, sorbitol derivatives, and polyvinylpyridine.
- a method of trapping a matrix polymer, a crosslinkable polymer compound or monomer, a crosslinking agent, an electrolyte, and a solvent in the polymer may be used.
- a matrix polymer a polymer having a nitrogen-containing heterocyclic ring in a repeating unit of a main chain or a side chain, a crosslinked product obtained by reacting these with an electrophilic compound, a polymer having a triazine structure, or having a ureido structure
- a system including a cross-linked polymer obtained by reacting a functional group such as a hydroxyl group, an amino group or a carboxyl group with one or more functional isocyanate as one component may be used.
- a crosslinking method in which a crosslinked polymer composed of a hydrosilyl group and a double bond compound, polysulfonic acid, polycarboxylic acid, or the like is reacted with a divalent or higher valent metal ion compound may be used.
- Examples of the solvent that can be preferably used in combination with the quasi-solid electrolyte include a specific phosphoric acid ester, a mixed solvent containing ethylene carbonate, and a solvent having a specific dielectric constant.
- the liquid electrolyte solution may be held in a solid electrolyte membrane or pores, and preferred methods thereof include conductive polymer membranes, fibrous solids, and cloth solids such as filters.
- a solid charge transport layer such as a p-type semiconductor or a hole transport material may be used.
- An organic hole transport material may be used as the solid charge transport layer.
- the hole transport layer is preferably a conductive polymer such as polythiophene, polyaniline, polypyrrole, or polysilane, and a spiro compound in which two rings share a central element having a tetrahedral structure such as C or Si, a triarylamine, or the like.
- Aromatic amine derivatives, triphenylene derivatives, nitrogen-containing heterocyclic derivatives, liquid crystal cyano derivatives are exemplified.
- the redox couple is an electron carrier, a certain concentration is required.
- the preferred concentration is 0.01 mol / L or more in total, more preferably 0.1 mol / L, and particularly preferably 0.3 mol / L or more.
- the upper limit in this case is not particularly limited, but is usually about 5 mol / L.
- the dyes XA to XO were used. Further, in the dyes XA to XO, comparative dyes having M, R, and X described in each table were used. Further, the following dyes ZA to ZE were used as comparative dyes. These comparative dyes were also prepared in the same manner as the dye of the present invention (the dye XA having Sn as the central metal).
- Example 1A (Preparation of photoelectric conversion element)
- the photoelectric conversion element shown in FIG. 1 was produced as follows. On the glass substrate, tin oxide doped with fluorine was formed as a transparent conductive film by sputtering, and this was scribed with a laser to divide the transparent conductive film into two parts. Among these, anatase-type titanium oxide particles were sintered on one conductive film to produce a light receiving electrode. Thereafter, a dispersion containing silica particles and rutile titanium oxide at a ratio of 40:60 (mass ratio) was applied and sintered on the light-receiving electrode to form an insulating porous body.
- a methoxypropionitrile solution of dimethylpropylimidazolium iodide (0.5 mol / L) and iodine (0.1 mol / L) was used as the electrolytic solution.
- the atomic radii of M in the dye are shown in Table A and Table 1. As described above, this value is the same as in Chem. Eur. J. et al. The values are listed in Table 2 of 2009, 15, 186-197.
- the metal atom includes those in an oxidized state, and the atomic radius of the metal atom in the oxidized state is a metal atom radius when not in the oxidized state.
- Conversion efficiency of 5% or more ⁇ 4% or more and less than 5% ⁇ , 3% or more and less than 4% ⁇ ⁇ 2% or more and less than 3% ⁇ less than 2% was displayed as x, and those with a conversion efficiency of 3% or more were accepted and those with less than 3% were rejected. Further, a decrease in conversion efficiency after 500 hours with respect to the initial value of conversion efficiency was evaluated as durability. When the result is 90% or more, ⁇ , 60% or more and less than 90% are evaluated as ⁇ , 40% or more and less than 60% are evaluated as ⁇ , and less than 40% are evaluated as ⁇ . On the other hand, a conversion efficiency after 500 hours of 60% or more was accepted, and a conversion efficiency of less than 60% was rejected.
- the initial value of the conversion efficiency is an acceptable level, and the conversion efficiency after 500 hours is excellent, being 60% or more of the initial value. Shows durability.
- M in the dye is a group 3 to 14, in the case of a metal atom having an atomic radius of less than 135 pm, both the initial value and durability of the conversion efficiency were unacceptable (Sample No. 1A). -7 to 1A-10, 1A-21 to 1A-24, 1A-28 to 1A-30, 1A-32 to 1A-34).
- Example 2A An ITO film was produced on a glass substrate, and an FTO film was laminated thereon to produce a transparent conductive film. Then, a transparent electrode plate was obtained by forming an oxide semiconductor porous film on the transparent conductive film. And the photoelectrochemical cell was produced using the transparent electrode plate, and conversion efficiency was measured. The method is as follows (1) to (5).
- a photoelectrochemical cell having the structure shown in FIG. 2 of Japanese Patent No. 4260494 was produced using the above three types of transparent electrode plates.
- the oxide semiconductor porous film is formed by dispersing titanium oxide fine particles having an average particle diameter of about 230 nm in acetonitrile to form a paste, applying the paste to the transparent electrode 11 by a bar coating method to a thickness of 15 ⁇ m, and drying to 450 ° C. And baked for 1 hour. Thereafter, the dyes listed in Table 2 were supported on the oxide semiconductor porous membrane.
- a conductive substrate in which an ITO film and an FTO film were laminated on a glass plate was used for the counter electrode, and an electrolyte solution made of a non-aqueous solution of iodine / iodide was used for the electrolyte layer.
- the planar dimensions of the photoelectrochemical cell were 25 mm long and 25 mm wide.
- the conversion efficiency after 500 hours with respect to the initial value of conversion efficiency is 90% or more, ⁇ , 60% or more and less than 90% ⁇ , 40% or more and less than 60% ⁇ , Those less than 40% were evaluated as x.
- the conversion efficiency after 500 hours was 60% or more with respect to the initial value of the conversion efficiency, it was determined to be acceptable, and when the conversion efficiency was less than 60%, it was rejected.
- Table 2A when the conductive layer is only the ITO film or only the FTO film, the conversion efficiency is lowered even in the photoelectrochemical cell of the present invention, and the conductive layer is formed on the ITO film. In the case, the conversion efficiency tended to increase.
- test cell (i) A collecting electrode was arranged on the FTO film to produce a photoelectrochemical cell, and the conversion efficiency was evaluated. Evaluation was made into two types, test cell (i) and test cell (iv) as follows.
- etching was performed using hydrofluoric acid.
- a metal conductive layer (seed layer) was formed by sputtering to enable plating formation, and a metal wiring layer was further formed by additive plating.
- the metal wiring layer was formed in a convex lens shape from the transparent substrate surface to a height of 3 ⁇ m.
- the circuit width was 60 ⁇ m.
- an FTO film having a thickness of 400 nm was formed as the shielding layer 5 by the SPD method to obtain an electrode substrate (i).
- the cross-sectional shape of the electrode substrate (i) was as shown in FIG. 2 in JP-A No. 2004-146425.
- the platinum sputtered FTO substrate and the substrate were placed facing each other through a 50 ⁇ m-thick thermoplastic polyolefin resin sheet, and the resin sheet portion was heat-melted to fix the bipolar plates.
- a methoxyacetonitrile solution containing 0.5M iodide and 0.05M iodine as the main components was injected from the electrolyte solution inlet previously opened on the platinum sputter electrode side, and filled between the electrodes. It was. Furthermore, the peripheral part and the electrolyte solution injection port were sealed with an epoxy-based sealing resin, and a silver paste was applied to the current collecting terminal part to obtain a test cell (i).
- the test cell (i) was irradiated with AM1.5 artificial sunlight in the same manner as in Experiment 1, and the conversion efficiency was measured. The results are shown in Table 3.
- Test cell (iv) A glass substrate with a 100 ⁇ 100 mm FTO film was prepared in the same manner as in the test cell (i).
- a metal wiring layer (gold circuit) was formed by additive plating.
- the metal wiring layer (gold circuit) was formed in a lattice shape on the substrate surface, and had a circuit width of 50 ⁇ m and a circuit thickness of 5 ⁇ m.
- an FTO film having a thickness of 300 nm was formed as a shielding layer by the SPD method to obtain an electrode substrate (iv).
- the conversion efficiency after 500 hours was 60% or more with respect to the initial value of the conversion efficiency, it was determined to be acceptable, and when the conversion efficiency was less than 60%, it was rejected. From Table 3, the conversion efficiency of the test cell using the dye of the present invention showed a high value of 1% or more. Moreover, conversion efficiency can be made high by selecting the solvent used for a pigment
- the obtained titania colloidal particles (A2) was concentrated to 10 wt%, the peroxotitanic acid solution were mixed, the titanium of the mixed solution TiO 2 terms, TiO 2 mass of 30 mass% Then, hydroxypropylcellulose was added as a film formation aid so that a coating solution for forming a semiconductor film (A1) was prepared.
- the coating liquid (A1) is applied on a transparent glass substrate on which fluorine-doped tin oxide is formed as an electrode layer, followed by natural drying, followed by a low-pressure mercury lamp. It was used to irradiate ultraviolet rays of 6000 mJ / cm 2 to decompose the peroxo acid and harden the coating film. The coating film was heated at 300 ° C. for 30 minutes to decompose and anneal the hydroxypropyl cellulose to form an oxide semiconductor film (A3) on the glass substrate.
- an oxide semiconductor film (C3) is formed in the same manner as the oxide semiconductor film (A3) using the peroxotitanic acid solution obtained above and titania colloidal particles (C2), and a metal oxide semiconductor film
- the dye of the present invention was adsorbed as a spectral sensitizing dye.
- the photoelectrochemical cell (C) was produced by the same method as the photoelectrochemical cell (A).
- titania colloidal particles (D2) are concentrated to 10% by mass, and hydroxypropylcellulose is added as a film forming aid so as to be 30% by mass in terms of TiO 2 to form a semiconductor film.
- a coating solution was prepared.
- the coating solution is applied onto a transparent glass substrate on which fluorine-doped tin oxide is formed as an electrode layer, dried naturally, and subsequently irradiated with 6000 mJ / cm 2 of ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp to form a film. Cured. Furthermore, it heated at 300 degreeC for 30 minute (s), the hydroxypropyl cellulose was decomposed
- the dye of the present invention was adsorbed as a spectral sensitizing dye in the same manner as the oxide semiconductor film (A3). Then, the photoelectrochemical cell (D) was produced by the method similar to a photoelectrochemical cell (A).
- a conversion efficiency of 5.0% or more is ⁇ , 4.0% or more and less than 5.0% is ⁇ , 3.0% or more and less than 4.0% is ⁇ , 2.0% or more 3 Less than 0.0% was indicated as ⁇ , less than 2.0% as x, conversion efficiency of 3.0% or more was accepted, and less than 3.0% was rejected.
- the initial value of the conversion efficiency was an acceptable level, and the conversion efficiency after 500 hours passed was excellent at 60% or more of the initial value. Shows durability.
- the comparative dye was used, it was found that the initial value of the conversion efficiency was an acceptable level, but there was a problem with durability.
- Titanium oxide was prepared by changing the method, an oxide semiconductor film was prepared from the obtained titanium oxide, and a photoelectrochemical cell was evaluated.
- titanium oxide 1 blue kite type
- anatase-type titanium oxide trade name ST-01, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.
- Rutile type titanium oxide was used.
- comparative titanium oxide 1 anatase type
- titanium oxide 1 blue kite type
- comparative titanium oxide 2 rutile type
- the titanium tetrachloride concentration was 0.25 mol / liter (2% by mass in terms of titanium oxide).
- the reaction solution started to become cloudy immediately after dropping, but kept at the same temperature. After the dropping was completed, the temperature was further raised and heated to the vicinity of the boiling point (104 ° C.). The reaction was terminated.
- the sol obtained by the reaction was filtered, and then powdered using a vacuum dryer at 60 ° C.
- the ratio (peak intensity at the position where the three lines overlap) was 0.05.
- the titanium oxide was crystallinity of about 70.0% by mass for the brookite type, about 1.2% by mass for the rutile type, and about 28.8% by mass for the anatase type.
- the average particle diameter of the primary particles was 0.015 ⁇ m.
- Ti content 28% by mass, specific gravity 1.5, purity 99.9%
- distilled water 500 ml of this solution was put into a reaction tank equipped with a reflux condenser, and ozone gas with a purity of 80% was bubbled from the ozone gas generator at 1 L / min while heating at 85 ° C. to carry out an oxidation reaction. This state was maintained for 2 hours to complete the reaction.
- the obtained sol was filtered and vacuum-dried to obtain a powder.
- the ratio of (peak intensity on the surface of blue kite type 121) / (peak intensity at the position where the three overlap) is 0.85, (rutile main peak intensity) /
- the ratio (peak intensity at the position where the three lines overlap) was 0.
- the titanium dioxide was about 98% by mass for the blue kite type, 0% by mass for the rutile type, 0% by mass for the anatase type, and about 2% was amorphous.
- the average particle diameter of the primary particles was 0.05 ⁇ m.
- a photoelectrochemical cell using the photoelectric conversion element having the structure shown in FIG. 1 described in JP-A No. 2000-340269 using the titanium oxides 1 to 3 prepared by the above method as a semiconductor was produced by the following method.
- a glass substrate was coated with fluorine-doped tin oxide to form a conductive transparent electrode.
- a paste using each titanium oxide particle as a raw material was formed on the electrode surface, applied to a thickness of 50 ⁇ m by a bar coating method, and then baked at 500 ° C. to form a thin layer having a thickness of about 20 ⁇ m.
- a 3 ⁇ 10 ⁇ 4 M dye solution was prepared using ethanol as a solvent, and the glass substrate on which the above-mentioned titanium oxide thin layer was formed was immersed therein and kept at room temperature for 12 hours. As a result, these dyes were adsorbed onto a thin layer of titanium oxide.
- a photoelectric conversion element having the structure shown in FIG. 1 of JP-A No. 2000-340269 was produced using tetrapropylammonium iodide salt and lithium iodide in acetonitrile as an electrolyte and using platinum as a counter electrode.
- light from a 160 W high-pressure mercury lamp (the infrared part was cut by a filter) was irradiated to the above-described element, and the initial value of conversion efficiency was measured in the same manner as in Experiment 1. The results are shown in Table 5 as conversion efficiency.
- a conversion efficiency of 5.0% or more is ⁇ , 4.0% or more and less than 5.0% ⁇ , 3.0% or more and less than 4.0% ⁇ , 2.0% or more 3 Less than 0.0% was indicated as ⁇ , less than 2.0% as x, conversion efficiency of 3.0% or more was accepted, and less than 3.0% was rejected.
- the conversion efficiency after 500 hours with respect to the initial value of conversion efficiency is 90% or more, ⁇ , 60% or more and less than 90%, ⁇ , 40% or more and less than 60%, or less than 40%. Things were evaluated as x. The results are shown in Table 5 as durability. When the conversion efficiency after 500 hours was 60% or more with respect to the initial value of the conversion efficiency, it was determined to be acceptable, and when the conversion efficiency was less than 60%, it was rejected.
- Example 6 A paste in which semiconductor fine particles were dispersed was prepared using titanium oxides having different particle sizes. Using this, a photoelectrochemical cell was produced and its characteristics were evaluated.
- a titania slurry was prepared by placing spherical TiO 2 particles (anatase type, average particle size: 25 nm, hereinafter referred to as spherical TiO 2 particles 1) in a nitric acid solution and stirring. Next, a cellulose binder as a thickener was added to the titania slurry and kneaded to prepare a paste.
- rod-like TiO 2 particles anatase, diameter: 30 nm, aspect ratio: 6.3, hereinafter referred to as rod-like TiO 2 particles 2
- Photoelectrochemical cell 1 A photoelectrode having the same configuration as that of the photoelectrode 12 shown in FIG. 5 of JP-A-2002-289274 is prepared by the following procedure, and further, the photoelectrode is used and dye sensitization is performed except for the photoelectrode. A 10 ⁇ 10 mm scale photoelectrochemical cell 1 having the same configuration as the solar cell 20 was produced.
- a transparent electrode in which a fluorine-doped SnO 2 conductive film (film thickness: 500 nm) was formed on a glass substrate was prepared.
- the paste 2 was screen-printed and then dried. Then, it baked on the conditions of 450 degreeC in the air. Further, by repeating the firing and the screen printing using a paste 4, the semiconductor electrodes (area of the light receiving surface of the same structure as the semiconductor electrode 2 shown in FIG.
- dye was made to adsorb
- an iodine-based redox solution containing iodine and lithium iodide as a platinum electrode (thickness of Pt thin film; 100 nm) having the same shape and size as the above-described photoelectrode as a counter electrode and electrolyte E was prepared. Further, a DuPont spacer S (trade name: “Surlin”) having a shape corresponding to the size of the semiconductor electrode was prepared. As shown in FIG. 3 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-289274, the photoelectrode 10 and The counter electrode CE and the spacer S were opposed to each other, and the above electrolyte was filled therein to complete the photoelectrochemical cell 1.
- Photoelectrochemical cell 2 The photoelectrode 10 shown in FIG. 1 described in JP-A-2002-289274 was prepared by the same procedure as that of the photoelectrochemical cell 1 except that the semiconductor electrode was manufactured as follows.
- Paste 2 was used as a semiconductor layer forming paste. Then, paste 2 was screen-printed on the SnO 2 conductive film and then dried. Then, it baked on the conditions of 450 degreeC in the air, and formed the semiconductor layer.
- Paste 3 was used as the innermost layer forming paste of the light scattering layer.
- the paste 5 was used as the outermost layer forming paste of the light scattering layer. Then, a light scattering layer was formed on the semiconductor layer in the same manner as in the photoelectrochemical cell 1.
- a semiconductor electrode having the same configuration as the semiconductor electrode 2 shown in FIG. 1 described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-289274 (light receiving surface area; 10 mm ⁇ 10 mm, layer thickness; 10 ⁇ m, Layer thickness: 3 ⁇ m, innermost layer thickness: 4 ⁇ m, content of rod-like TiO 2 particles 1 contained in the innermost layer; 10 mass%, outermost layer thickness: 3 ⁇ m, innermost layer
- the content ratio of the rod-like TiO 2 particles 1 contained in 1; 50% by mass) was formed, and a photoelectrode containing no sensitizing dye was produced.
- the photoelectrochemical cell 2 was completed by making the photoelectrode, the counter electrode CE, and the spacer S face each other and filling the above electrolyte therein.
- Photoelectrochemical cell 3 According to the same procedure as that of the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 1 was used as a semiconductor layer forming paste and the paste 4 was used as a light scattering layer forming paste in the production of a semiconductor electrode. 5 was produced, and a photoelectrochemical cell 3 having the same configuration as the photoelectrochemical cell 20 shown in FIG. 3 described in JP-A-2002-289274 was produced.
- the semiconductor electrode has a light receiving surface area of 10 mm ⁇ 10 mm, a layer thickness of 10 ⁇ m, a semiconductor layer thickness of 5 ⁇ m, a light scattering layer thickness of 5 ⁇ m, and the rod-like TiO 2 particles 1 contained in the light scattering layer. Content rate: 30% by mass.
- Photoelectrochemical cell 4 In the production of the semiconductor electrode, the light shown in FIG. 5 was obtained by the same procedure as that of the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 2 was used as the semiconductor layer forming paste and the paste 6 was used as the light scattering layer forming paste. A photoelectrode and photoelectrochemical cell 4 having the same configuration as the electrode 10 and the photoelectrochemical cell 20 shown in FIG. 3 described in JP-A-2002-289274 were produced.
- the semiconductor electrode has a light receiving surface area: 10 mm ⁇ 10 mm, layer thickness: 10 ⁇ m, semiconductor layer thickness: 6.5 ⁇ m, light scattering layer thickness: 3.5 ⁇ m, plate-like contained in the light scattering layer
- the content of mica particles 1 was 20% by mass.
- the photoelectrochemical cell 5 was prepared by the same procedure as that of the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 2 was used as the semiconductor layer forming paste and the paste 8 was used as the light scattering layer forming paste. Produced.
- the photoelectrochemical cell 6 was prepared by the same procedure as that of the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 2 was used as the semiconductor layer forming paste and the paste 9 was used as the light scattering layer forming paste. Produced.
- the photoelectrochemical cell 7 was prepared by the same procedure as that of the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 2 was used as the semiconductor layer forming paste and the paste 10 was used as the light scattering layer forming paste. Produced.
- the photoelectrochemical cell 9 was prepared in the same procedure as the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 2 was used as the semiconductor layer forming paste and the paste 13 was used as the light scattering layer forming paste. Produced.
- the photoelectrochemical cell 10 was prepared by the same procedure as that of the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 2 was used as the semiconductor layer forming paste and the paste 14 was used as the light scattering layer forming paste. Produced.
- the content of the rod-like TiO 2 particles 9 contained in the light scattering layer of the semiconductor electrode was 30% by mass.
- Photoelectrochemical cell 11 Similar to the photoelectrochemical cell 1 except that a semiconductor electrode (light-receiving surface area: 10 mm ⁇ 10 mm, layer thickness: 10 ⁇ m) made of only the semiconductor layer using only the paste 2 was manufactured in the manufacture of the semiconductor electrode.
- the photoelectrochemical cell 11 was produced according to the procedure.
- Electrochemical battery 12 In the production of the semiconductor electrode, the photoelectrode and the comparative photoelectricity were prepared in the same procedure as in the photoelectrochemical cell 1 except that the paste 2 was used as the semiconductor layer forming paste and the paste 7 was used as the light scattering layer forming paste. A chemical battery 12 was produced. The content ratio of the rod-shaped TiO 2 particles 2 contained in the light scattering layer of the semiconductor electrode; was 30 wt%.
- the photoelectrochemical cells 1 to 12 were irradiated with 1000 W / m 2 of pseudo-sunlight from a xenon lamp through an AM1.5 filter using a solar simulator (manufactured by WACOM, WXS-85H (trade name)). Current-voltage characteristics were measured using an IV tester to determine an initial value of conversion efficiency. The results are shown in Table 6. A conversion efficiency of 5.0% or more is ⁇ , 4.0% or more and less than 5.0% ⁇ , 3.0% or more and less than 4.0% ⁇ , 2.0% or more 3 Less than 0.0% was indicated as ⁇ , less than 2.0% as x, conversion efficiency of 3.0% or more was accepted, and less than 3.0% was rejected.
- the conversion efficiency after 500 hours with respect to the initial value of conversion efficiency is 90% or more, ⁇ , 60% or more and less than 90%, ⁇ , 40% or more and less than 60%, or less than 40%. Things were evaluated as x and the results are shown in Table 6. When the conversion efficiency after 500 hours was 60% or more with respect to the initial value of the conversion efficiency, it was determined to be acceptable, and when the conversion efficiency was less than 60%, it was rejected.
- the initial value of the conversion efficiency is 1% or more, and the conversion efficiency after the elapse of 500 hours is excellent, being 60% or more of the initial value. Showed high durability.
- the comparative dye was used, most photoelectrochemical cells did not reach the acceptable level at the initial value of the conversion efficiency. Note that the atomic radius of Fe is 116 pm.
- Example 7A A slurry obtained by adding metal alkoxide to metal oxide fine particles was applied to a conductive substrate, and then UV ozone irradiation, UV irradiation or drying was performed to produce an electrode. Then, the photoelectrochemical cell was produced and the conversion efficiency was measured.
- Titanium oxide was used as the metal oxide fine particles.
- P25 powder (trade name, manufactured by Degussa) having a mass ratio of 30% rutile type and 70% anatase type and an average particle size of 25 nm was used.
- metal oxide fine particle powder Pretreatment of metal oxide fine particle powder
- the metal oxide fine particles were previously heat-treated to remove surface organic substances and moisture.
- the fine particles were heated in an oven at 450 ° C. in the atmosphere for 30 minutes.
- the metal alkoxide that plays a role in bonding metal oxide fine particles includes titanium (IV) tetraisopropoxide (TTIP) as a titanium raw material, zirconium (IV) tetra n-propoxide as a zirconium raw material, and niobium as a niobium raw material.
- TTIP titanium
- IV tetraisopropoxide
- V Pentaethoxide (all manufactured by Aldrich) was used.
- the molar concentration ratio between the metal oxide fine particles and the metal alkoxide is appropriately adjusted according to the metal oxide fine particle diameter so that the amorphous layer generated by hydrolysis of the metal alkoxide is not excessively thick and the particles can be sufficiently bonded to each other. did. All metal alkoxides were 0.1M ethanol solutions. When mixing titanium oxide fine particles and titanium (IV) tetraisopropoxide (TTIP), 3.55 g of a 0.1 M TTIP solution was mixed with 1 g of titanium oxide fine particles. At this time, the titanium oxide concentration in the obtained paste was about 22% by mass, and the viscosity was appropriate for coating. Moreover, the titanium oxide, TTIP, and ethanol at this time were 1: 0.127: 3.42 by mass ratio, and 1: 0.036: 5.92 by molar ratio.
- TTIP titanium (IV) tetraisopropoxide
- the metal oxide fine particles and the metal alkoxide solution were stirred for 2 hours with a magnetic stirrer in a sealed container to obtain a uniform paste.
- a doctor blade method, a screen printing method, a spray coating method, or the like can be used, and an appropriate paste viscosity is appropriately selected depending on the application method.
- a method of applying simply with a glass rod similar to the doctor blade method was used.
- the concentration of the metal oxide fine particles giving an appropriate paste viscosity was approximately in the range of 5 to 30% by mass.
- the thickness of the amorphous metal oxide formed by the decomposition of the metal alkoxide was in the range of about 0.1 to 0.6 nm in this experiment, and the thickness could be in an appropriate range.
- UV ozone treatment For UV ozone treatment, NL-UV253 UV ozone cleaner manufactured by Nippon Laser Electronics was used. The UV light source was equipped with three 4.5 W mercury lamps having emission lines at 185 nm and 254 nm, and the sample was placed horizontally at a distance of about 6.5 cm from the light source. Ozone is generated by introducing an oxygen stream into the chamber. In this example, this UV ozone treatment was performed for 2 hours. Note that no decrease in the conductivity of the ITO film and the FTO film due to this UV ozone treatment was observed.
- UV treatment Similarly to the UV ozone treatment, the treatment was performed for 2 hours, except that the inside of the chamber was replaced with nitrogen. No decrease in the conductivity of the ITO film and FTO film due to the UV treatment was observed.
- a photoelectrochemical cell was fabricated by using a conductive substrate on which a porous film after dye adsorption was formed as a photoelectrode, and an ITO / PET film or FTO / glass counter electrode in which platinum fine particles were modified by sputtering.
- the effective area of the photoelectrode was about 0.2 cm 2 .
- 3-methoxypropionitrile containing 0.5 M LiI, 0.05 M I 2 and 0.5 M t-butylpyridine was introduced into the gap between both electrodes by capillary action.
- the battery performance was evaluated by measuring the photocurrent action spectrum under irradiation with a constant number of photons (1016 cm ⁇ 2 ) and IV measurement under irradiation with AM1.5 simulated sunlight (100 mW / cm 2 ).
- a CEP-2000 type spectral sensitivity measuring device manufactured by Spectrometer Co., Ltd. was used for these measurements.
- the conversion efficiency obtained is shown in Table 7A. Conversion efficiency is 2.0% or more, ⁇ , 0.8% or more, less than 2.0%, ⁇ , 0.3% or more, less than 0.8%, ⁇ , less than 0.3% Was displayed as x, and conversion efficiency of 0.8% or more was accepted and less than 0.3% was rejected.
- the conversion efficiency after 500 hours with respect to the initial value of conversion efficiency is 90% or more, ⁇ , 60% to less than 90% ⁇ , 40% to less than 60% ⁇ , less than 40% Those were evaluated as x, and the results are shown in Table 7 as durability.
- the conversion efficiency after 500 hours was 60% or more with respect to the initial value of the conversion efficiency, it was determined to be acceptable, and when the conversion efficiency was less than 60%, it was rejected.
- the column of “ pretreatment of titanium oxide” in Table 7A indicates the presence or absence of pretreatment of titanium oxide fine particles (heat treatment in an oven at 450 ° C. for 30 minutes).
- Samples 6, 14, and 22 represent samples using a paste having a high TTIP concentration (titanium oxide: TTIP molar ratio of 1: 0.356).
- the photoelectrochemical cell using the dye of the present invention has a UV membrane, a UV irradiation, and a drying treatment before and after adsorption of the sensitizing dye after the porous film is formed. It turned out that the conversion efficiency of the pass level is obtained. Furthermore, the conversion efficiency after the elapse of 500 hours was 60% or more of the initial value, indicating excellent durability. On the other hand, when a comparative dye was used, the initial value of the conversion efficiency was acceptable, but it was found that there was a problem in durability.
- Example 7B (Production of photoelectrochemical cell) An ethanol solution containing a dye used in combination with the dye (XF) described in Table 7B below was prepared. The concentration of the dye (XF) was 0.25 mol / L, and the concentration of the dye used in combination was 0.25 mol / L. Otherwise, a photoelectrochemical cell was produced in the same manner as in Experiment 7A.
- the photoelectrochemical cell combined with the dye has high photoelectric conversion regardless of the presence or absence of UV ozone treatment, UV irradiation treatment, and drying treatment after the formation of the porous film and before the adsorption of the sensitizing dye.
- the conversion efficiency after the elapse of 500 hours was 60% or more of the initial value, and excellent durability was exhibited.
- No. 1-No. No. 8 benzimidazole compound electrolyte was dropped onto a porous titanium oxide semiconductor thin film (thickness: 15 ⁇ m) in which the dyes listed in Table 8 were supported on conductive glass.
- a frame type spacer (thickness: 25 ⁇ m) made of a polyethylene film was placed thereon, and this was covered with a platinum counter electrode to produce a photoelectric conversion element.
- the obtained photoelectric conversion element was irradiated with light having an intensity of 100 mW / cm 2 using a Xe lamp as a light source.
- Table 9 shows the obtained open circuit voltage and photoelectric conversion efficiency.
- the open circuit voltage is 7.0 V or more, ⁇ , 6.5 V or more and less than 7.0 V, ⁇ , 6.0 V or more and less than 6.5 V, ⁇ , or less than 6.0 V ⁇ It was displayed as 6.5V or more as the pass.
- a conversion efficiency of 5.0% or more is ⁇ , 4.0% or more and less than 5.0% is ⁇ , 3.0% or more and less than 4.0% is ⁇ , 2.0 % Or less and less than 3.0% are indicated as ⁇ , and less than 2.0% are indicated as ⁇ , conversion efficiency is 3.0% or more as pass, and less than 3.0% is rejected. did.
- the conversion efficiency after 500 hours with respect to the initial value of conversion efficiency is 90% or more, ⁇ , 60% to less than 90% ⁇ , 40% to less than 60% ⁇ , less than 40% Those were evaluated as x, and the results are shown in Table 8 as durability.
- Table 8 shows the results of photoelectric conversion elements using an electrolytic solution to which no benzimidazole compound was added.
- the initial values of the open circuit voltage and the conversion efficiency are both acceptable levels, and the conversion efficiency after the elapse of 500 hours is 60% or more of the initial value. And showed excellent durability.
- the comparative dye was used, the initial values of the open circuit voltage and the conversion efficiency were acceptable levels, but it was found that there was a problem in durability.
- the slurry for forming the first layer (P1 content: 15 mass%; hereinafter, “slurry” was prepared by the same preparation procedure as that of the slurry 1 except that only P25 was used without using P200. 2)) was prepared.
- a transparent electrode (thickness: 1.1 mm) in which a fluorine-doped SnO 2 conductive film (film thickness: 700 nm) was formed on a glass substrate (transparent conductive glass) was prepared. Then, the SnO 2 conductive film, the slurry 2 described above was coated with Bakoda, then dried. Then, it baked for 30 minutes at 450 degreeC in air
- the second layer was formed on the first layer by repeating the same application and firing as described above using the slurry 1.
- the semiconductor electrode 2 (light-receiving surface area; 1.0 cm 2 , the total thickness of the first layer and the second layer: 10 ⁇ m (the thickness of the first layer: 3 ⁇ m, the first layer) on the SnO 2 conductive film No. 2 layer thickness: 7 ⁇ m)
- a photoelectrode 10 containing no sensitizing dye was prepared.
- Photoelectrochemical cell 2 The photoelectrochemical cell 2 was produced in the same procedure and conditions as the photoelectrochemical cell 1 except that the concentration of zinc iodide in the liquid electrolyte was 50 mmol / L.
- Photoelectrochemical cell 3 Comparative photoelectrochemistry was performed in the same procedure and conditions as in the photoelectrochemical cell 1 except that lithium iodide was added instead of zinc iodide in the liquid electrolyte, and the concentration of lithium iodide in the liquid electrolyte was 20 mmol / L. Battery 1 was produced.
- Comparative electrochemical cell 4 Comparative photoelectrochemistry in the same procedure and conditions as in the photoelectrochemical cell 1 except that lithium iodide was added instead of zinc iodide in the liquid electrolyte, and the concentration of lithium iodide in the liquid electrolyte was 100 mmol / L. Battery 4 was produced.
- the conversion efficiency of the samples using the photoelectrochemical cells 1 to 4 was measured by the following procedure.
- the battery characteristic evaluation test was conducted using a solar simulator (trade name; “WXS-85-H type” manufactured by Wacom), and the irradiation conditions of pseudo-sunlight from a xenon lamp light source through an AM filter (AM1.5).
- the measurement was performed under measurement conditions of 100 mW / cm 2 (so-called “1Sun” irradiation conditions).
- Example 10 Preparation of Titanium Dioxide Dispersion 15 g of titanium dioxide fine particles (Nippon Aerosil Co., Ltd., Degussa P-25), 45 g of water, dispersant (Triron X, manufactured by Aldrich Co., Ltd.) -100) 1 g, 30 g of zirconia beads having a diameter of 0.5 mm (manufactured by Nikkato Co., Ltd.) were added, and dispersion treatment was performed at 1500 rpm for 2 hours using a sand grinder mill (manufactured by Imex). Zirconia beads were filtered off from the resulting dispersion. The average particle diameter of the titanium dioxide fine particles in the obtained dispersion was 2.5 ⁇ m. The particle size was measured with a master sizer (trade name) manufactured by MALVERN.
- Titanium Oxide Fine Particle Layer Adsorbed with Dye 20 mm long and 20 mm wide conductive glass plate coated with fluorine-doped tin oxide (Asahi Glass Co., Ltd., TCO glass-U, surface resistance: approx. 30 ⁇ / m 2 ), and a spacer adhesive tape was applied to both ends of the conductive layer side (a portion having a width of 3 mm from the end), and then the dispersion was applied onto the conductive layer using a glass rod. . After application of the dispersion, the adhesive tape was peeled off and air-dried at room temperature for 1 day.
- this semiconductor-coated glass plate was placed in an electric furnace (muffle furnace FP-32 manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.) and baked at 450 ° C. for 30 minutes.
- the semiconductor-coated glass plate was taken out and cooled, and then immersed in an ethanol solution (concentration: 3 ⁇ 10 ⁇ 4 mol / L) of the dyes shown in Table 11 for 3 hours.
- the semiconductor-coated glass plate on which the dye was adsorbed was immersed in 4-tert-butylpyridine for 15 minutes, washed with ethanol, and naturally dried to obtain a titanium oxide fine particle layer (electrode A) on which the dye was adsorbed.
- the thickness of the dye-sensitized titanium oxide fine particle layer of the electrode A was 10 ⁇ m, and the coating amount of the titanium oxide fine particles was 20 g / m 2 .
- the amount of dye adsorbed was in the range of 0.1 to 10 mmol / m 2 depending on the type.
- a photoelectrochemical cell a-1 (sample number 10-1) of the present invention in which the counter electrode 40 composed of the plate 41 was sequentially laminated was obtained.
- a photoelectrochemical cell a-2 (Sample No. 10-4) was obtained by repeating the above steps except that the combination of the dye and the electrolyte composition was changed as shown in Table 10.
- a photoelectrochemical cell b-2 (Sample No. 10-5) was obtained by repeating the above steps except that the dye was changed as shown in Table 10.
- Photoelectrochemical cell c (electrolyte described in JP-A-9-27352)
- the electrolytic solution was applied and impregnated on the electrode A (20 mm ⁇ 20 mm) composed of the titanium oxide fine particle layer dye-sensitized with the dye of the present invention as described above.
- the electrolyte was 1 g of hexaethylene glycol methacrylate (manufactured by Nippon Oil & Fats Chemical Co., Ltd., Bremer PE-350), 1 g of ethylene glycol, and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane as a polymerization initiator.
- a photoelectrochemical cell c-2 (Sample No. 10-6) was obtained by repeating the above steps except that the dye was changed as shown in Table 10.
- the alligator clips were connected to the conductive glass plate 10 and the platinum-deposited glass plate 40 of the photoelectrochemical cell, respectively, and each alligator clip was connected to a current-voltage measuring device (Keutley SMU238 type (trade name)). This was irradiated with simulated sunlight from the conductive glass plate 10 side, and the generated electricity was measured with a current-voltage measuring device.
- Table 10 shows the initial value of the conversion efficiency of the photoelectrochemical cell determined in this way and the rate of decrease in conversion efficiency after 300 hours of continuous irradiation. An initial value of conversion efficiency of 2.7% or more was accepted and less than 2.7% was rejected. Moreover, the case where the reduction rate of the conversion efficiency after 300 hours passed was 20% or less was determined to be acceptable, and the case where it exceeded 20% was regarded as unacceptable.
- the coated support was then attached to a vapor deposition apparatus and further 2,2 ′, 7,7′-tetrakis (diphenylamino) -9,9′- with a thickness of 100 nm by thermal vapor deposition under a vacuum of about 10 ⁇ 5 mbar.
- a layer of spirobifluorene was formed.
- a gold layer having a thickness of 200 nm was coated on the coated support as a counter electrode in a vapor deposition apparatus.
- the sample thus prepared was attached to an optical device including a high-pressure lamp, an optical filter, a lens and a mounting. By using the filter and installing the lens in an appropriate place, the intensity of the irradiated light could be changed.
- the gold layer and the SnO 2 layer were contacted and attached to the apparatus shown in the current measuring apparatus while the sample was irradiated. For the measurement, light having a wavelength of less than 430 nm was blocked using an appropriate optical filter. Furthermore, the apparatus was adjusted so that the intensity of the radiation was approximately equal to about 1000 W / m 2 ).
- Example 12 In a tandem cell produced in the same manner as in Example 1 of JP-A-2000-90989, a photoelectrochemical cell using the dye XA of the present invention (the central metal is In) and a comparative dye ZB (the central metal is Cu) were used. A photoelectrochemical cell was produced. When the conversion efficiency of these photoelectrochemical cells was measured, it was found that the conversion efficiency of the photoelectrochemical cell of the present invention was 50% greater than that of the comparativelectrochemical cell, indicating excellent characteristics. .
- the obtained colloidal solution containing titanium oxide particles is slowly concentrated with an evaporator until the titanium oxide has a concentration of 10 wt%, and then polyethylene glycol (manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd., weight average molecular weight: 200000) is added to the titanium oxide.
- a suspension in which titanium oxide particles were dispersed was obtained by adding 40% by mass and stirring.
- the prepared titanium oxide suspension was applied by the doctor blade method to the transparent conductive film 2 side of the glass substrate 1 on which the SnO 2 film was formed as the transparent conductive film 2 to obtain a coating film having a length of about 10 mm and a width of about 10 mm.
- This coating film is pre-dried at 120 ° C. for 30 minutes, and further baked at 500 ° C. for 30 minutes in an oxygen atmosphere to become the first porous semiconductor layer of the first porous photoelectric conversion layer 4.
- the film thickness is 10 ⁇ m.
- About a titanium oxide film was formed.
- the zirconia beads are removed, and polyethylene glycol (manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd., weight average molecular weight: 200,000) is added at a mass ratio of 40% to titanium oxide, followed by stirring to obtain a suspension in which titanium oxide particles are dispersed. Obtained.
- said titanium oxide suspension was apply
- This coating film is pre-dried at 80 ° C. for 20 minutes, and further baked at about 50 ° C. for 60 minutes in an oxygen atmosphere to form the second porous semiconductor layer of the second porous photoelectric conversion layer 5.
- a titanium oxide film 1 having a thickness of about 22 ⁇ m was formed. When the haze ratio of the porous semiconductor layer was measured, it was 84%.
- a glass substrate having a transparent conductive film and a porous semiconductor layer is immersed in the dye solution for adsorbing the first dye heated to about 50 ° C. for 10 minutes at 25 ° C., and the first dye is immersed in the porous semiconductor layer. Was adsorbed. Thereafter, the glass substrate 1 was washed several times with absolute ethanol and dried at about 60 ° C. for about 20 minutes. Next, the glass substrate was immersed in 0.5N hydrochloric acid for about 10 minutes, and then washed with ethanol to remove excess first dye adsorbed on the second porous semiconductor layer. Furthermore, the glass substrate was dried at about 60 ° C. for about 20 minutes.
- the dye described in Table 11 is dissolved in ethanol to give a second dye having a concentration of 3 ⁇ 10 ⁇ 4 mol / liter.
- a dye solution for adsorption was prepared.
- the glass substrate provided with the above-described transparent conductive film and the porous semiconductor layer on which the first dye is adsorbed is immersed in a dye solution for adsorbing the second dye at room temperature and normal pressure for 15 minutes, so that Two dyes were adsorbed. Thereafter, the glass substrate was washed several times with absolute ethanol and dried at about 60 ° C. for about 20 minutes.
- the haze ratio of the porous semiconductor layer was measured and found to be 84% (when S-2 was used) and 85% (when the dye of the present invention was used).
- dimethylpropylimidazolium iodide has a concentration of 0.5 mol / liter
- lithium iodide has a concentration of 0.1 mol / liter
- iodine has a concentration of 0.05 mol / liter.
- a redox electrolyte solution was prepared.
- the porous semiconductor layer side of the glass substrate provided with the porous semiconductor layer on which the first dye and the second dye are adsorbed is opposed to the platinum side of the counter electrode side support made of ITO glass provided with platinum as the counter electrode layer.
- the redox electrolyte prepared in the meantime was injected, and the periphery was sealed with an epoxy resin sealing material to complete a photoelectrochemical cell.
- the second porous semiconductor layer is formed using the titanium oxide suspension that is the same layer as the second porous semiconductor layer and the first porous semiconductor layer, that is, the first porous semiconductor layer is formed. Except for this, a titanium oxide film 2 was prepared in the same manner as the titanium oxide film 1, and a photoelectrochemical cell was similarly prepared and evaluated using the titanium oxide film 2. The haze ratio of the porous photoelectric conversion layer was 15% (when a comparative dye was used) and 16% (when the dye XL of the present invention (in which the central metal is In) was used).
- the conversion efficiency of the obtained photoelectrochemical cell was measured at AM-1.5 (100 mW / cm 2 ).
- a conversion efficiency of 5.0% or more is ⁇ , 4.0% or more and less than 5.0% ⁇ , 3.0% or more and less than 4.0% ⁇ , 2.0% or more 3 Less than 0.0% was indicated as ⁇ , less than 2.0% as x, conversion efficiency of 3.0% or more was accepted, and less than 3.0% was rejected.
- Titanium oxide suspension was prepared by dispersing 4.0 g of commercially available titanium oxide particles (manufactured by Teika Co., Ltd., average particle size 20 nm) and 20 ml of diethylene glycol monomethyl ether for 6 hours with a paint shaker using hard glass beads. . Next, this titanium oxide suspension was applied to a glass plate (electrode layer) to which a tin oxide conductive layer had previously been adhered using a doctor blade, pre-dried at 100 ° C. for 30 minutes, and then an electric furnace at 500 ° C. Was fired for 40 minutes to form a porous titanium oxide film on the glass plate.
- a dye solution of the present invention in which the dye of the present invention was dissolved in ethanol and a dye solution of a comparative dye in which the comparative dye was dissolved in ethanol were obtained.
- a dye solution in which the dye of the present invention was dissolved in ethanol and a dye solution of a comparative dye in which the comparison dye was dissolved in ethanol were prepared.
- the concentration of these dye solutions was 5 ⁇ 10 ⁇ 4 mol / liter.
- the glass plate on which the film-like titanium oxide was formed was placed in this solution, and after the dye was adsorbed at 60 ° C. for 60 minutes, the dye was adsorbed on the glass plate by drying.
- a photoelectric conversion layer on which a porous titanium oxide layer was formed was formed (Sample A).
- a toluene solution (1%) of polyvinylcarbazole (weight average molecular weight 3,000) as a hole transport material was applied and dried under reduced pressure to form a hole transport layer (Sample B).
- a toluene solution (1%) of polyvinylcarbazole (weight average molecular weight 3,000) as a hole transport material was applied and dried under reduced pressure to form a hole transport layer (Sample B).
- 1.95 g of ethylcarbazole as an intermolecular charge transfer complex and 2.03 g of 5-nitronaphthoquinone were dissolved in 100 ml acetone, and the obtained solution was repeatedly applied onto the hole transport layer of Sample B to form a conductive layer.
- a gold electrode (counter electrode) was deposited on the conductive layer to obtain a photoelectric conversion element (Sample C).
- a conversion efficiency of 5.0% or more is ⁇ , 4.0% or more and less than 5.0% ⁇ , 3.0% or more and less than 4.0% ⁇ , 2.0% or more 3 Less than 0.0% was indicated as ⁇ , less than 2.0% as x, conversion efficiency of 3.0% or more was accepted, and less than 3.0% was rejected.
- dye of this invention was excellent in the photoelectric conversion efficiency, and even if it was this type
- first photoelectric conversion layer 4.0 g of commercially available titanium oxide particles (manufactured by Teika Co., Ltd., average particle size 30 nm) and 20 ml of diethylene glycol monomethyl ether were dispersed with a paint shaker for 6 hours using hard glass beads, and titanium oxide. A suspension was made. Next, this titanium oxide suspension was applied to a glass plate to which a tin oxide conductive layer had been previously attached using a doctor blade, preliminarily dried at 100 ° C. for 30 minutes, and then baked at 500 ° C. for 40 minutes. A titanium oxide film was obtained.
- the dye represented by S-3 below [cis-dithiocyline-N-bis (2,2'-bipyridyl-4, 4'-dicarboxylic acid) ruthenium] was dissolved in ethanol.
- the concentration of this dye was 3 ⁇ 10 ⁇ 4 mol / L.
- the glass plate on which the film-like titanium oxide is formed is put in this solution, and the dye is adsorbed at 60 ° C. for 720 minutes and then dried.
- a conversion layer (sample A) was obtained.
- the second photoelectric conversion layer 4.0 g of commercially available nickel oxide particles (Kishida Chemical, average particle size 100 nm) and 20 ml of diethylene glycol monomethyl ether were dispersed with a paint shaker for 8 hours using glass beads and a nickel oxide suspension After that, the glass beads were removed. Next, this titanium oxide suspension was applied to a glass plate to which a tin oxide conductive layer was adhered using a doctor blade, pre-dried at 100 ° C. for 30 minutes, and then baked at 300 ° C. for 30 minutes. Got.
- the dye of the present invention was dissolved in dimethyl sulfoxide to obtain a dye solution having a concentration of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 mol / L.
- the glass plate on which the film-like titanium oxide is formed is put in this solution, dye adsorption is performed at 70 ° C. for 60 minutes, and then the second photoelectric element on which the second dye described in Table 13 is adsorbed is dried.
- a conversion layer (sample B) was obtained.
- the sample B is overlaid on the sample A, a liquid electrolyte is put between these two electrodes, the side surface is sealed with resin, a lead wire is attached, and the photoelectric conversion element (element of the present invention) Configuration C) was prepared.
- the liquid electrolyte is a mixed solvent of acetonitrile / ethylene carbonate (volume ratio is 1: 4), tetrapropylammonium iodide and iodine, each having a concentration of 0.46 mol / L, 0.06 mol / L. What was melt
- a transparent conductive glass plate provided with the sample A as one electrode and carrying platinum as a counter electrode was used.
- a liquid electrolyte was placed between the two electrodes, and this side surface was sealed with resin, and then a lead wire was attached to produce a photoelectric conversion element (element configuration D) of the present invention.
- the obtained photoelectric conversion elements (samples C and D) were irradiated with light having an intensity of 1000 W / m 2 using a solar simulator. Conversion efficiency is 6.5% or more for ⁇ , 6.0% or more but less than 6.5% ⁇ , 5.0% or more but less than 6.0% ⁇ , less than 5.0% The thing was displayed as x and the thing whose conversion efficiency was 6.0% or more was set as the pass.
- dye of this invention is excellent in a photoelectric conversion efficiency, and can obtain the photoelectric conversion element which has the conversion efficiency of a pass level also in this type
- Example 16 A photoelectrochemical cell using a polymer electrolyte was prepared and evaluated.
- the coating liquid for producing the titanium oxide film was 4.0 g of commercially available titanium oxide particles (trade name AMT-600, anatase type crystal, average particle size of 30 nm, specific surface area of 50 m2 / g, manufactured by Teika Co., Ltd.) and diethylene glycol monomethyl ether. 20 ml was dispersed with a glass shaker for 7 hours with a paint shaker to prepare a titanium oxide suspension.
- this titanium oxide suspension was formed on a glass substrate with SnO 2 as a transparent conductive film having a film thickness of about 11 ⁇ m, a length of about 10 mm, and a width of about 10 mm.
- the film was applied to the side, preliminarily dried at 100 ° C. for 30 minutes, and then baked under oxygen at 460 ° C. for 40 minutes. As a result, a titanium oxide film A having a thickness of about 8 ⁇ m was produced.
- the dyes listed in Table 14 were dissolved in absolute ethanol at a concentration of 3 ⁇ 10 ⁇ 4 mol / liter to prepare an adsorption dye solution.
- the adsorbing dye solution as described above, the obtained transparent substrate provided with the titanium oxide film and the transparent conductive film was placed in a container and allowed to penetrate for about 4 hours to adsorb the dye. Thereafter, it was washed several times with absolute ethanol and dried at about 60 ° C. for about 20 minutes.
- a beaker was placed in the vacuum container, and a transparent substrate equipped with the titanium oxide film A and a transparent conductive film was placed therein, and was evacuated with a rotary pump for about 10 minutes. While maintaining the vacuum container in a vacuum state, the monomer solution was poured into a beaker and impregnated for about 15 minutes to sufficiently soak the monomer solution in titanium oxide. A polyethylene separator, a PET film and a pressing plate were installed and fixed with a jig. Then, it heat-polymerized by heating at about 85 degreeC for 30 minutes, and formed the high molecular compound layer on the titanium oxide film.
- a redox electrolyte solution to be impregnated into the polymer compound was prepared.
- the redox electrolyte was prepared by dissolving 0.5 mol / liter of lithium iodide and 0.05 mol / liter of iodine using PC as a solvent.
- the polymer compound prepared on the above-described titanium oxide film A was immersed in this solution for about 2 hours, so that the polymer compound was impregnated with the redox electrolyte solution to prepare a polymer electrolyte.
- a conductive substrate provided with a platinum film was installed, and the periphery was sealed with an epoxy-based sealant to create an element A.
- the titanium oxide film A After the dye adsorption of the titanium oxide film A, it is prepared by dissolving lithium iodide at a concentration of 0.5 mol / liter and iodine at a concentration of 0.05 mol / liter using PC as a solvent without performing monomer treatment.
- the oxidized redox electrolyte solution was injected between the counter electrode as it was and sealed to prepare an element B.
- a solar simulator was used to irradiate light having an intensity of 1000 W / m 2 and the conversion efficiency was measured. The results are shown in Table 14. Conversion efficiency is 3.5% or more, ⁇ , 2.5% or more, less than 3.5%, ⁇ , 2.0% or more, less than 2.5%, ⁇ , less than 2.0% Was displayed as x.
- the photoelectric conversion element shown in FIG. 1 was produced as follows. On the glass substrate, tin oxide doped with fluorine was formed as a transparent conductive film by sputtering, and this was scribed with a laser to divide the transparent conductive film into two parts. Next, 32 g of anatase-type titanium oxide (P-25 (trade name) manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) is mixed with 100 mL of a mixed solvent having a volume ratio of water and acetonitrile of 4: 1, and a rotating / revolving mixing conditioner is prepared. The resulting mixture was uniformly dispersed and mixed to obtain a semiconductor fine particle dispersion. This dispersion was applied to a transparent conductive film and heated at 500 ° C. to produce a light receiving electrode.
- P-25 trade name
- a mixed solvent having a volume ratio of water and acetonitrile of 4: 1
- a dispersion containing 40:60 (mass ratio) of silica particles and rutile-type titanium oxide is prepared, and this dispersion is applied to the light receiving electrode and heated at 500 ° C. to form an insulating porous material. Formed body.
- a carbon electrode was formed as a counter electrode.
- the glass substrate on which the above-mentioned insulating porous body was formed was immersed in an ethanol solution of the dye described in Table 15 below (only dye 1 or a mixture of dye 1 and dye 2) for 5 hours. .
- the dyed glass was immersed in a 10% ethanol solution of 4-tert-butylpyridine for 30 minutes, then washed with ethanol and naturally dried.
- the thickness of the photosensitive layer thus obtained was 10 ⁇ m, and the coating amount of semiconductor fine particles was 20 g / m 2 .
- As the electrolytic solution a methoxypropionitrile solution of dimethylpropylimidazolium iodide (0.5 mol / L) and iodine (0.1 mol / L) was used.
- the results are: conversion efficiency of 7.5% or more ⁇ , 7.3% or more of less than 7.5% ⁇ , 7.1% or more of less than 7.3% ⁇ , 7.1% Those with less than were evaluated as x, and those with 7.1% or more were regarded as acceptable.
- Titanium Oxide Fine Particle Layer Adsorbed with Dye 20 mm long and 20 mm wide conductive glass plate coated with fluorine-doped tin oxide (Asahi Glass Co., Ltd., TCO glass-U, surface resistance: approx. 30 ⁇ / m 2 ), and a spacer adhesive tape was applied to both ends of the conductive layer side (a portion having a width of 3 mm from the end), and then the dispersion was applied onto the conductive layer using a glass rod. . After application of the dispersion, the adhesive tape was peeled off and air-dried at room temperature for 1 day.
- this semiconductor-coated glass plate was placed in an electric furnace (muffle furnace FP-32 manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.) and baked at 450 ° C. for 30 minutes.
- the semiconductor-coated glass plate was taken out and cooled, and then immersed in an ethanol solution (concentration: 1 ⁇ 10 ⁇ 4 mol / L) of the dyes shown in Table 16 for 3 hours.
- the semiconductor-coated glass plate on which the dye was adsorbed was immersed in 4-tert-butylpyridine for 15 minutes, washed with ethanol, and naturally dried to obtain a titanium oxide fine particle layer (electrode A) on which the dye was adsorbed.
- the thickness of the dye-sensitized titanium oxide fine particle layer of the electrode A was 10 ⁇ m, and the coating amount of the titanium oxide fine particles was 20 g / m 2 .
- the amount of dye adsorbed was in the range of 0.1 to 10 mmol / m 2 depending on the type.
- the electrolyte composition has a high viscosity and it is difficult to impregnate the electrolyte composition using capillary action, the electrolyte composition is heated to 50 ° C. and applied to the titanium oxide electrode. After the electrode was placed under reduced pressure and the electrolyte composition sufficiently penetrated and the air in the electrode escaped, platinum-deposited glass (counter electrode) was overlaid to produce a photoelectrochemical cell in the same manner.
- the above steps were carried out with the dye changed, and photoelectrochemical cells were prepared as shown in Table 16.
- the electrolyte composition used for each photoelectrochemical cell was one containing 98% by mass of the following heterocyclic quaternary salt compound and 2% by mass of iodine.
- the initial value of the conversion efficiency is ⁇ for 3.5% or more, ⁇ for 2.5% or more and less than 3.5%, ⁇ for 2.0% or more and less than 2.5%, 2.0 Those with a conversion efficiency of 2.5% or more were regarded as acceptable. Regarding the conversion efficiency after storage in the dark and the conversion efficiency after continuous light irradiation, those with a reduction rate of 20% or less were accepted.
- the dispersion liquid was applied to a non-alkali glass substrate having a thickness of 1.9 mm with an applicator, applied to a thickness of 40 to 70 ⁇ m, and dried at room temperature for 1 hour. . Thereafter, the sample was heated in air at 350 ° C. for 0.5 hour, and the change in weight before and after heating was measured. As a result, the solid content other than the semiconductor fine particles of Sample No. 19-3 was 1%. The solid content of the sample other than the semiconductor fine particles was 0.3%.
- the cell After injecting the molten salt, the cell was sucked for several hours under vacuum to deaerate the inside of the cell including the photosensitive electrode and the molten salt, and finally the small holes were sealed with low-melting glass.
- a porous semiconductor fine particle layer is produced by applying a dispersion liquid having a solid content of 1.0% by mass to a support made of a conductive polymer and heating it, and the dye of the present invention is adsorbed. It was found that a dye-sensitized solar cell with high conversion efficiency can be obtained as compared with the case where a comparative dye is adsorbed. Furthermore, in the case of the dye-sensitized solar cell using the comparative dye, the rate of decrease in conversion efficiency after continuous light irradiation was as high as 35% or more, whereas the dye-sensitized solar cell using the dye of the present invention was used. In the case, the reduction rate of the conversion efficiency after continuous light irradiation was 10% or less, and it was found that the durability was excellent.
- Example 20 As an epoxy sealant in Experiment 18, a glass sphere having a diameter of 25 ⁇ m was dispersed almost uniformly in a resin composition consisting of Epicoat 828 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), a curing agent and a plastic paste. A photoelectrochemical cell was prepared in the same manner except that the stopper paste was used, and the photoelectric conversion efficiency was measured. Table 18 shows the initial value of the conversion efficiency of each photoelectrochemical cell determined in this way, the rate of decrease in conversion efficiency after 1000 hours of storage at 85 ° C., and the rate of decrease in conversion efficiency after 500 hours of continuous light irradiation. . A conversion efficiency of 3.0% or more was regarded as acceptable. Regarding the rate of decrease in conversion efficiency after storage at 85 ° C. for 1000 hours in the dark and the rate of decrease in conversion efficiency after 500 hours of continuous light irradiation, those with a rate of decrease of 20% or less were accepted.
- Epicoat 828 trade name, manufactured by Japan Ep
- the initial value of the conversion efficiency was as high as 6.0% or more. Moreover, it turned out that durability is excellent compared with a comparative example with a reduction rate of 20% or less in both dark storage and after continuous light irradiation.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
下記一般式(1a)の構造の色素。[一般式(1a)において、分子内に1つ又は2つのCOOH基を有し、R1~R16は各々独立に水素原子又は置換基を表し、隣り合う置換基と環を形成していてもよい。Mは2個の水素原子、2個のリチウム原子又は3~14族の原子半径135pm以上の1個の金属原子を表す。一般式(1a)において、分子内に少なくとも特定の置換基を有する。]
Description
本発明は、変換効率が高く、耐久性に優れた色素、光電変換素子及び光電気化学電池に関する。
光電変換素子は各種の光センサー、複写機、太陽電池等に用いられている。この光電変換素子には金属を用いたもの、半導体を用いたもの、有機顔料や色素を用いたもの、あるいはこれらを組み合わせたものなどの様々な方式が実用化されている。中でも、非枯渇性の太陽エネルギーを利用した太陽電池は、燃料が不要であり、無尽蔵なクリーンエネルギーを利用したものとして、その本格的な実用化が大いに期待されている。この中でも、シリコン系太陽電池は古くから研究開発が進められてきた。各国の政策的な配慮もあって普及が進んでいる。しかし、シリコンは無機材料であり、スループット及び分子修飾には自ずと限界がある。
そこで色素増感型太陽電池の研究が精力的に行われている。とくに、スイスのローザンヌ工科大学のGraetzel等がポーラス酸化チタン薄膜の表面にルテニウム錯体からなる色素を固定した色素増感型太陽電池を開発し、アモルファスシリコン並の変換効率を実現した。これにより、色素増感型太陽電池が一躍世界の研究者から注目を集めるようになった。
特許文献1には、この技術を応用し、ルテニウム錯体色素によって増感された半導体微粒子を用いた色素増感光電変換素子が記載されている。しかしながら従来のルテニウム錯体色素は、可視光線を用いて光電変換できるものの、700nmより長波長の赤外光をほとんど吸収することができないため、赤外域での光電変換能が低い。
そこで特定の構造を有するポリメチン色素を用いることにより、700nmより高波長の赤外域で、変換効率の高い光電変換素子を提供する提案がされている(例えば、特許文献2参照)。また、特定の構造のフタロシアニン色素を用いた光電気化学電池も提案されている(例えば、特許文献3参照)。
ところで、光電変換素子には、広い波長域で初期の変換効率が高く、使用後も変換効率の低下が少なく耐久性に優れることが必要とされる。しかし耐久性という点では、特許文献2記載の光電変換素子や、特許文献3の光電気化学電池では十分とはいえない。
そこで、変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換素子及び光電気化学電池が必要とされている。さらに光電変換素子用色素及び光電変換素子用色素溶液が必要とされている。
そこで特定の構造を有するポリメチン色素を用いることにより、700nmより高波長の赤外域で、変換効率の高い光電変換素子を提供する提案がされている(例えば、特許文献2参照)。また、特定の構造のフタロシアニン色素を用いた光電気化学電池も提案されている(例えば、特許文献3参照)。
ところで、光電変換素子には、広い波長域で初期の変換効率が高く、使用後も変換効率の低下が少なく耐久性に優れることが必要とされる。しかし耐久性という点では、特許文献2記載の光電変換素子や、特許文献3の光電気化学電池では十分とはいえない。
そこで、変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換素子及び光電気化学電池が必要とされている。さらに光電変換素子用色素及び光電変換素子用色素溶液が必要とされている。
本発明の課題は、変換効率が高く、さらに耐久性に優れた色素、光電変換素子及び光電気化学電池を提供することにある。
本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、導電性支持体上に特定の構造を有するフタロシアニン色素(色素化合物)を吸着させた多孔質半導体微粒子層を有する感光体、電荷移動体、及び対極を含む積層構造よりなる光電変換素子とこれを用いた光電気化学電池が、広い波長域で変換効率が高く、耐久性に優れることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
本発明によれば、以下の手段が提供される。
本発明によれば、以下の手段が提供される。
<1>下記一般式(1a)の構造の色素、
[一般式(1a)において、分子内に1つ又は2つのCOOH基を有し、R1~R16は各々独立に水素原子又は置換基を表し、隣り合う置換基と環を形成していてもよい。Mは2個の水素原子、2個のリチウム原子、又は3~14族の原子半径135pm以上の1個の金属原子もしくはその金属酸化物を表す。
一般式(1a)において、分子内に少なくとも1つ以上の下記一般式(2a)で表される構造を有している。一般式(2a)において、nは0又は1の整数を表す。Aは芳香族基又は複素環基を表す。ただし、Aは酸性基を有することはない。]
<2>分子内に前記一般式(2a)で表される構造を6つ以上有する<1>項記載の色素、
<3>前記一般式(1a)の構造を有する色素が、下記一般式(3)又は一般式(4)で表される<1>又は<2>項記載の色素、
[一般式(3)において、R19~R34は各々独立に水素原子又は置換基を表す。R19、R22、R23、R26、R27、R30、R31、R34のうち、6つ以上が少なくとも前記一般式(2a)で表される構造を有する。Mは、一般式(1a)と同義である。]
[ 一般式(4)において、R35~R58は各々独立に水素原子又は置換基を表す。少なくとも、R35、R40、R41、R46、R47、R52、R53及びR58のうち6つ以上が一般式(2a)の構造を有するか、R36、R39、R42、R45、R48、R51、R54及びR57のうち6つ以上が一般式(2a)の構造を有する。Mは一般式(1a)と同義である。]
<4>前記一般式(2a)におけるAが、複素環を表す<1>~<3>のいずれか1項記載の色素、
<5>前記一般式(3)又は一般式(4)において、R19~R58のうち1つ又は2つがCOOH基を有する<3>又は<4>記載の色素、
<6>前記一般式(1a)、(3)又は(4)において、下記一般式(5)で表される置換基を含む<1>~<5>のいずれか1項記載の色素、
[ 一般式(5)中、Yはアルキレン、アルケニレン、アルキニレン、アリーレンを表す。mは1以上の整数を表す。]
<7>前記一般式(1a)、(3)又は(4)において、下記一般式(6)を含む<1>~<6>のいずれか1項記載の色素、
<8><1>~<7>のいずれか1項記載の光電変換素子用又は光電気化学電池用色素、
<9><1>~<8>のいずれか1項記載の色素と半導体微粒子とを有する感光体層を具備する光電変換素子、
<10><1>~<8>のいずれか1項記載の色素と、該色素と異なる色素と、半導体微粒子とを有する感光体層を具備する光電変換素子、
<11>前記異なる色素が、下記一般式(1b)で表される<10>記載の光電変換素子、
[一般式(1b)において、分子内に少なくとも1つ以上のCOOH基を有し、R101~R116は各々独立に水素原子又は置換基を表し、隣り合う置換基と環を形成していてもよい。Mは2個の水素原子又は1個若しくは2個の金属原子を表し、該金属原子には金属酸化物も含まれる。
一般式(1b)において、分子内に少なくとも1つ以上の下記一般式(2b)で表される構造を有している。一般式(2b)において、nは0又は1の整数を表す。XはNR211、酸素原子、硫黄原子を表し、R211は水素原子又は置換基を表す。R201は、脂肪族基、芳香族基又は複素環基を表す。]
<12>前記<9>~<11>のいずれか1項記載の光電変換素子を備える光電気化学電池。
一般式(1a)において、分子内に少なくとも1つ以上の下記一般式(2a)で表される構造を有している。一般式(2a)において、nは0又は1の整数を表す。Aは芳香族基又は複素環基を表す。ただし、Aは酸性基を有することはない。]
<3>前記一般式(1a)の構造を有する色素が、下記一般式(3)又は一般式(4)で表される<1>又は<2>項記載の色素、
<4>前記一般式(2a)におけるAが、複素環を表す<1>~<3>のいずれか1項記載の色素、
<5>前記一般式(3)又は一般式(4)において、R19~R58のうち1つ又は2つがCOOH基を有する<3>又は<4>記載の色素、
<6>前記一般式(1a)、(3)又は(4)において、下記一般式(5)で表される置換基を含む<1>~<5>のいずれか1項記載の色素、
<7>前記一般式(1a)、(3)又は(4)において、下記一般式(6)を含む<1>~<6>のいずれか1項記載の色素、
<9><1>~<8>のいずれか1項記載の色素と半導体微粒子とを有する感光体層を具備する光電変換素子、
<10><1>~<8>のいずれか1項記載の色素と、該色素と異なる色素と、半導体微粒子とを有する感光体層を具備する光電変換素子、
<11>前記異なる色素が、下記一般式(1b)で表される<10>記載の光電変換素子、
一般式(1b)において、分子内に少なくとも1つ以上の下記一般式(2b)で表される構造を有している。一般式(2b)において、nは0又は1の整数を表す。XはNR211、酸素原子、硫黄原子を表し、R211は水素原子又は置換基を表す。R201は、脂肪族基、芳香族基又は複素環基を表す。]
<12>前記<9>~<11>のいずれか1項記載の光電変換素子を備える光電気化学電池。
本発明により、変換効率が高く、耐久性に優れた色素、光電変換素子及び光電気化学電池を提供することができる。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、導電性支持体上に特定の構造を有するフタロシアニン色素(色素化合物)を吸着させた半導体微粒子層を有する感光体、電荷移動体、及び対極を含む積層構造よりなる光電変換素子とこれを用いた光電気化学電池が、変換効率が高く、耐久性、特に変換効率の低下が少ないことを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
本発明の光電変換素子の好ましい実施態様を、図面を参照して説明する。図1に示すように、光電変換素子10は、導電性支持体1、導電性支持体1上にその順序で配された、感光体層2、電荷移動体層3、及び対極4からなる。前記導電性支持体1と感光体2とにより受光電極5を構成している。その感光体2は導電性微粒子22と増感色素21とを有しており、色素21はその少なくとも一部において導電性微粒子22に吸着している(色素は吸着平衡状態になっており、一部電荷移動体層に存在していてもよい。)。感光体2が形成された導電性支持体1は光電変換素子10において作用電極として機能する。この光電変換素子10を外部回路6で仕事をさせるようにして、光電気化学電池100として作動させることができる。
なお、光電変換素子の上下は特に定めなくてもよいが、本明細書において、図示したものに基づいて言えば、受光側となる対極4の側を上部(天部)の方向とし、支持体1の側を下部(底部)の方向とする。
なお、光電変換素子の上下は特に定めなくてもよいが、本明細書において、図示したものに基づいて言えば、受光側となる対極4の側を上部(天部)の方向とし、支持体1の側を下部(底部)の方向とする。
受光電極5は、導電性支持体1および導電性支持体上に塗設される色素21の吸着した半導体微粒子22の感光層(半導体膜)2よりなる電極である。感光体(半導体膜)2に入射した光は色素を励起する。励起色素はエネルギーの高い電子を有している。そこでこの電子が色素21から半導体微粒子22の伝導帯に渡され、さらに拡散によって導電性支持体1に到達する。このとき色素21の分子は酸化体となっている。電極上の電子が外部回路で仕事をしながら色素酸化体に戻ることにより、光電気化学電池として作用する。この際、受光電極5はこの電池の負極として働く。
本実施形態の光電変換素子は、導電性支持体上に後述の増感色素が吸着された多孔質半導体微粒子の層を有する感光体を有する。このとき色素において一部電解質中に解離したもの等があってもよいことは上述のとおりである。感光体は目的に応じて設計され、単層構成でも多層構成でもよい。本実施形態の光電変換素子の感光体には、特定の増感色素が吸着した半導体微粒子を含み、感度が高く、光電気化学電池として使用する場合に、高い変換効率を得ることができ、さらに高い耐久性を有する。
(A)色素
本発明の光電変換素子においては、下記一般式(1a)で表される構造を有する色素が使用される。この色素は光電変換素子用又は光電気化学電池用として特に好適に使用することができる。
一般式(1a)において、分子内に1つ又は2つのCOOH基を有し、R1~R16は各々独立に水素原子又は置換基を表し、隣り合う置換基と環を形成していてもよい。置換基の例としては、アルキル基ないしアルケニル基(例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、ペンチル、イソペンチル、2-メチルブチル、1-メチルブチル、ヘキシル、イソヘキシル、sec-ヘキシル、t-ヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ビニル、アリル、ベンジル等)、アリール基(例えばフェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチル等)、複素環残基(例えばピリジル、イミダゾリル、フリル、チエニル、ピロニル、オキサゾリル、チアゾリル、ベンズイミダゾリル、キノリル等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素等)、アルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、ベンジルオキシ等)、アリールオキシ基(例えばフェノキシ等)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチオ等)、アリールチオ基(例えばフェニルチオ等)、ヒドロキシ基および酸素陰イオン、ニトロ基、シアノ基、アミド基(例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等)、スルホンアミド基(例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等)、ウレイド基(例えば、3-フェニルウレイド等)、ウレタン基(例えばイソブトキシカルボニルアミノ、カルバモイルオキシ等)、エステル基(例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ、メトキシカルボニル、フェノキシカルボニル等)、カルバモイル基(例えばN-メチルカルバモイル、N,N-ジフェニルカルバモイル等)、スルファモイル基(例えばN-フェニルスルファモイル等)、アシル基(例えばアセチル、ベンゾイル等)、アミノ基(例えばアミノ、メチルアミノ、アニリノ、ジフェニルアミノ等)、スルホニル基(例えばメチルスルホニル等)、ホスホニル基及びそのエステル、ホスホニルオキシ基及びそのエステル、カルボキシル基(例えばカルボキシル、カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシプロピル、カルボキシブチル等)、スルホ基等が挙げられる。置換基の炭素原子上にはさらに上記の置換基があってもよい。
Mは2個の水素原子、2個のリチウム原子、又は3~14族の原子半径135pm(ピコメートル)以上の1個の金属原子を表す。ここで、金属原子とは、酸化状態のものも含み、酸化状態における金属原子の原子半径は、酸化状態にない場合の金属原子半径をいう。本明細書において、金属原子の原子半径は、Chem.Eur.J.2009,15,186-197の表2に記載された値をいうものとする。
一般式(1a)において、分子内に少なくとも1つ以上の下記一般式(2a)で表される構造を有している。一般式(2a)において、nは0又は1の整数を表す。Aは芳香族基又は複素環基を表し、Aは置換されていても無置換でもよい。ただし、Aは酸性基を有することはない。置換基を有する場合の例としてはR1~R16と同様のものが挙げられる。
上記一般式(2a)の構造を有する置換基は、非効率な会合状態を制御し、波長域を拡大することにより、変換効率を向上させることができる。Aで表される芳香族基としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどが挙げられ、複素環としては、アントラキノン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、キサンテン、チアントレンなどが挙げられる。好ましい例としては複素環が挙げられる。これらが硫黄原子を介し又は直接結合することで、ε向上効果および一電子酸化状態の安定化によって変換効率向上、耐久性向上の効果を得ることができる。nは1以上の整数、すなわち、一般式(2a)の構造を有する置換基は、硫黄原子を介して、Aが結合していることが好ましい。また一般式(2a)の構造を有する置換基は、R1~R16のいずれかであることが好ましい。
一般式(1a)において、Mは2個の水素原子、2個のリチウム原子、又は3~14族の原子半径130pm以上の1個の金属原子を表す。Mは、好ましくは、135pm以上の金属原子、さらに好ましくは140pm以上の金属原子である。原子半径の大きな中心金属を有する色素を用いることで、色素を構成する環全体のひずみが大きくなり、非効率な会合状態を制御することができ、波長域を拡大することにより、変換効率を向上させることができる。Mの原子半径は165pm以下であることが好ましい。Mの原子半径が大きすぎると、色素が不安定化し耐久性低下の原因となる。Mとしては、Sc(原子半径148pm)、Ti(原子半径136pm)、Y(原子半径163pm)、Zr(原子半径154pm)、Nb(原子半径147pm)、Mo(原子半径138pm)、、Cd(原子半径136pm)、In(原子半径142pm)、Sn(原子半径140pm)、Hf(原子半径152pm)、Ta(原子半径146pm)、W(原子半径137pm)又はPb(原子半径144pm)であり、好ましくは、Sc、Zr、Sn、In、Hf又はPbである。
本発明の光電変換素子においては、下記一般式(1a)で表される構造を有する色素が使用される。この色素は光電変換素子用又は光電気化学電池用として特に好適に使用することができる。
Mは2個の水素原子、2個のリチウム原子、又は3~14族の原子半径135pm(ピコメートル)以上の1個の金属原子を表す。ここで、金属原子とは、酸化状態のものも含み、酸化状態における金属原子の原子半径は、酸化状態にない場合の金属原子半径をいう。本明細書において、金属原子の原子半径は、Chem.Eur.J.2009,15,186-197の表2に記載された値をいうものとする。
一般式(1a)において、分子内に少なくとも1つ以上の下記一般式(2a)で表される構造を有している。一般式(2a)において、nは0又は1の整数を表す。Aは芳香族基又は複素環基を表し、Aは置換されていても無置換でもよい。ただし、Aは酸性基を有することはない。置換基を有する場合の例としてはR1~R16と同様のものが挙げられる。
一般式(1a)において、Mは2個の水素原子、2個のリチウム原子、又は3~14族の原子半径130pm以上の1個の金属原子を表す。Mは、好ましくは、135pm以上の金属原子、さらに好ましくは140pm以上の金属原子である。原子半径の大きな中心金属を有する色素を用いることで、色素を構成する環全体のひずみが大きくなり、非効率な会合状態を制御することができ、波長域を拡大することにより、変換効率を向上させることができる。Mの原子半径は165pm以下であることが好ましい。Mの原子半径が大きすぎると、色素が不安定化し耐久性低下の原因となる。Mとしては、Sc(原子半径148pm)、Ti(原子半径136pm)、Y(原子半径163pm)、Zr(原子半径154pm)、Nb(原子半径147pm)、Mo(原子半径138pm)、、Cd(原子半径136pm)、In(原子半径142pm)、Sn(原子半径140pm)、Hf(原子半径152pm)、Ta(原子半径146pm)、W(原子半径137pm)又はPb(原子半径144pm)であり、好ましくは、Sc、Zr、Sn、In、Hf又はPbである。
一般式(1a)において、分子内に前記一般式(2a)で表される構造を6つ以上有することが好ましい。これにより、非効率会合抑制の効果を最大限発揮することができる。
前記一般式(1)の構造を有する色素が、下記一般式(3)又は一般式(4)で表されることが好ましい。
前記一般式(1)の構造を有する色素が、下記一般式(3)又は一般式(4)で表されることが好ましい。
上記一般式(3)において、R19~R34は各々独立に水素原子又は置換基を表す。置換基の例としてはR1~R16と同様のものが挙げられる。
R19、R22、R23、R26、R27、R30、R31、R34のうち、6つ以上が少なくとも前記一般式(2a)で表される。一般式(2a)は、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
Mは、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
R19、R22、R23、R26、R27、R30、R31、R34のうち、6つ以上が少なくとも前記一般式(2a)で表される。一般式(2a)は、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
Mは、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
前記一般式(4)において、R35~R58は各々独立に水素原子又は置換基を表す。少なくとも、R35、R40、R41、R46、R47、R52、R53及びR58のうち6つ以上が一般式(2a)の構造を有するか、R36、R39、R42、R45、R48、R51、R54及びR57のうち6つ以上が一般式(2a)の構造を有する。したがって、一般式(2a)の構造を有するのが、R35、R40、R41、R46、R47、R52、R53及びR58のうち6つ以上のみでも、R36、R39、R42、R45、R48、R51、R54及びR57のうち6つ以上のみでもよい。さらに、R35、R40、R41、R46、R47、R52、R53及びR58のうち6つ以上に一般式(2a)の構造を有し、かつR36、R39、R42、R45、R48、R51、R54及びR57のうち6つ以上に一般式(2a)の構造を有していてもよい。
一般式(3)又は(4)において、一般式(2a)は、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
Mは、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
一般式(3)又は(4)において、一般式(2a)は、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
Mは、前記一般式(1a)におけるのと同義である。
前記一般式(3)及び(4)において、R19~R58のうち1つ又は2つがCOOH基を有することが好ましい。これにより、COOH基を有する部分が選択的に半導体微粒子、好ましくは酸化チタン微粒子へ吸着することができ、光電変換効率を向上させることができる。
前記一般式(1a)、(3)又は(4)において、下記一般式(5)を含むことが好ましい。Yは、アルキレン(例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン)、アルケニレン(例えばビニレン、プロペニレン、ブテニレン、ペンテニレン、ヘキセニレン)、アルキニレン(例えばエチニレン、プロピニレン、ブチニレン、ペンチニレン)、アリーレン(例えば、フェニレン、ナフチレン)を表し、mは1以上の整数を表す。Yは、好ましくは、アルケニレン、アルキニレン、アリーレン、さらに好ましくは、アリーレンである。一般式(5)のカルボン酸は、共役のカルボン酸であることが好ましい。これにより、電子注入効率向上の効果を得ることができ、光電変換効率が向上する。mは好ましくは、1以上の整数、さらに好ましくは、1~3の整数である。
前記一般式(1a)、(3)又は(4)において、下記一般式(5)を含むことが好ましい。Yは、アルキレン(例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン)、アルケニレン(例えばビニレン、プロペニレン、ブテニレン、ペンテニレン、ヘキセニレン)、アルキニレン(例えばエチニレン、プロピニレン、ブチニレン、ペンチニレン)、アリーレン(例えば、フェニレン、ナフチレン)を表し、mは1以上の整数を表す。Yは、好ましくは、アルケニレン、アルキニレン、アリーレン、さらに好ましくは、アリーレンである。一般式(5)のカルボン酸は、共役のカルボン酸であることが好ましい。これにより、電子注入効率向上の効果を得ることができ、光電変換効率が向上する。mは好ましくは、1以上の整数、さらに好ましくは、1~3の整数である。
以下に本発明の一般式(1a)で表される色素化合物の好ましい具体例を示すが、本発明がこれに限定されるものではない。ただし、下記色素XA~XOにおいて、Mは2個の水素原子、2個のリチウム原子、又は3~14族の原子半径135pm以上の1個の金属原子を表し、色素XCにおいて、Xは硫黄原子を表す。
XBのRは直接、又は硫黄原子を介して結合する芳香族基、複素環基を表す。
XKのYは(例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン)、アルケニレン(例えばビニレン、プロペニレン、ブテニレン、ペンテニレン、ヘキセニレン)、アルキニレン(例えばエチニレン、プロピニレン、ブチニレン、ペンチニレン)、アリーレン(例えば、フェニレン、ナフチレン)を表す。
XBのRは直接、又は硫黄原子を介して結合する芳香族基、複素環基を表す。
XKのYは(例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン)、アルケニレン(例えばビニレン、プロペニレン、ブテニレン、ペンテニレン、ヘキセニレン)、アルキニレン(例えばエチニレン、プロピニレン、ブチニレン、ペンチニレン)、アリーレン(例えば、フェニレン、ナフチレン)を表す。
一般式(1a)の構造の色素は、後述の実施例記載の調製例に示すのと同様の方法で、各色素に対応する置換基を有するフタロニトリルを用いて、調製することができる。
なお、本明細書において化合物(錯体、色素を含む)の表示については、当該化合物そのもののほか、その塩、錯体(錯体以外のとき)、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の形態で修飾された化合物を含む意味である。また、本明細書において置換・無置換を明記していない置換基については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。
なお、本明細書において化合物(錯体、色素を含む)の表示については、当該化合物そのもののほか、その塩、錯体(錯体以外のとき)、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の形態で修飾された化合物を含む意味である。また、本明細書において置換・無置換を明記していない置換基については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。
本発明の光電変換素子及び光電気化学電池において、前記の一般式(1a)で表される色素と、該色素と異なる色素を併用することができる。併用する色素は、前記の一般式(1a)で表される色素と、類似骨格の色素のものが好ましい。これにより、色素が半導体微粒子に吸着する際の配向状態や耐久性に悪影響を及ぼすことなく、吸収域拡大効果による変換効率向上の効果を得ることができる。併用できる色素としては、特に制限されないが、下記一般式(1b)で表されることが好ましい。
上記一般式(1b)において、分子内に少なくとも1つ以上のCOOH基を有する。R101~R116は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、隣り合う置換基と環を形成していてもよい。R101~R116は、前記一般式(1a)におけるR1~R16と同義のものが好ましい。ただし、一般式(2a)で表される置換基を有さなくてよい。
Mは2個の水素原子又は1個若しくは2個の金属原子を表し、該金属原子には金属酸化物も含まれる。金属原子の原子半径は特に制限されないが、好ましくは第一色素の溶液中における極大吸収に対し20nm以上の差があることが好ましく、さらに好ましくは40nm以上の差があることが好ましい。これにより第一色素の吸収の弱い部位を補い、広い波長域での発電が可能となる。 Mが金属原子の場合、金属酸化物も含まれる。好ましい金属原子は、TiO、VO、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Pbである。さらに好ましくは、Zn、Ru、VO、Sn、In、Pb、Osである。
Mは2個の水素原子又は1個若しくは2個の金属原子を表し、該金属原子には金属酸化物も含まれる。金属原子の原子半径は特に制限されないが、好ましくは第一色素の溶液中における極大吸収に対し20nm以上の差があることが好ましく、さらに好ましくは40nm以上の差があることが好ましい。これにより第一色素の吸収の弱い部位を補い、広い波長域での発電が可能となる。 Mが金属原子の場合、金属酸化物も含まれる。好ましい金属原子は、TiO、VO、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Pbである。さらに好ましくは、Zn、Ru、VO、Sn、In、Pb、Osである。
一般式(1b)において、分子内に少なくとも1つ以上の上記一般式(2b)で表される構造を有している。一般式(2b)において、nは0又は1の整数を表す。XはNR211、酸素原子、硫黄原子を表し、R211は水素原子又は置換基を表す。R201は、脂肪族基、芳香族基又は複素環基を表す。R201は置換されていても無置換でもよい。置換基を有する場合の例としてはR101~R116と同様のものが挙げられる。
上記一般式(2b)の構造を有する置換基は、非効率な会合状態を制御し、波長域を拡大することにより、変換効率を向上させることができる。R201で表される芳香族基としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどが挙げられ、複素環としては、アントラキノン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、キサンテン、チアントレンなどが挙げられる。好ましい例としては複素環が挙げられる。これらが酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を介して又は直接に結合することで、ε向上効果および一電子酸化状態の安定化によって変換効率向上、耐久性向上の効果を得ることができる。nは1以上の整数、すなわち、一般式(2b)の構造を有する置換基は、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を介して結合していることが好ましい。また一般式(2b)の構造を有する置換基は、R101~R116のいずれかであることが好ましい。
一般式(1b)の構造の色素は、一般式(1a)の構造の色素と同様、後述の実施例記載の調製例に示すのと同様の方法で、各色素に対応する置換基を有するフタロニトリルを用いて、調製することができる。
上記一般式(2b)の構造を有する置換基は、非効率な会合状態を制御し、波長域を拡大することにより、変換効率を向上させることができる。R201で表される芳香族基としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどが挙げられ、複素環としては、アントラキノン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、キサンテン、チアントレンなどが挙げられる。好ましい例としては複素環が挙げられる。これらが酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を介して又は直接に結合することで、ε向上効果および一電子酸化状態の安定化によって変換効率向上、耐久性向上の効果を得ることができる。nは1以上の整数、すなわち、一般式(2b)の構造を有する置換基は、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を介して結合していることが好ましい。また一般式(2b)の構造を有する置換基は、R101~R116のいずれかであることが好ましい。
一般式(1b)の構造の色素は、一般式(1a)の構造の色素と同様、後述の実施例記載の調製例に示すのと同様の方法で、各色素に対応する置換基を有するフタロニトリルを用いて、調製することができる。
一般式(1a)で表される色素の量(T1a)は、併用される色素、好ましくは、一般式(1b)で表される色素の量(T1b)との関係で添加量を調節することが好ましい。具体的にモル比においてT1a/T1bが10/1~1/2であることが好ましく、10/1~1/1であることがより好ましく、5/1~2/1であることが特に好ましい。このような範囲で用いることにより、両色素の効果が十分に発揮され、高い変換効率の光電変換素子や光電気化学電池を得ることができる。
以下に本発明の一般式(1b)で表される色素化合物の好ましい具体例Q1~Q32を示すが、本発明がこれに限定されるものではない。ただし、下記色素のA’、B’、C’のうち、C-1~C-13、D-1~D-10は、下記の置換基を表す。*はベンゼン環との結合位置を表す。
(B)導電性支持体
図1に示すように、本発明の光電変換素子には、導電性支持体1上には多孔質の半導体微粒子22に色素21が吸着された感光体2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子の分散液を導電性支持体に塗布・乾燥後、本発明の色素溶液に浸漬することにより、感光体を製造することができる。
導電性支持体としては、金属のように支持体そのものに導電性があるものか、または表面に導電膜層を有するガラスや高分子材料を使用することができる。導電性支持体は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10%以上であることを意味し、50%以上であることが好ましく、80%以上が特に好ましい。導電性支持体としては、ガラスや高分子材料に導電性の金属酸化物を塗設したものを使用することができる。このときの導電性の金属酸化物の塗布量は、ガラスや高分子材料の支持体1m2当たり、0.1~100gが好ましい。透明導電性支持体を用いる場合、光は支持体側から入射させることが好ましい。好ましく使用される高分子材料の一例として、テトラアセチルセルロース(TAC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート(PAR)、ポリスルフォン(PSF)、ポリエステルスルフォン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、環状ポリオレフィン、ブロム化フェノキシ等を挙げることができる。
図1に示すように、本発明の光電変換素子には、導電性支持体1上には多孔質の半導体微粒子22に色素21が吸着された感光体2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子の分散液を導電性支持体に塗布・乾燥後、本発明の色素溶液に浸漬することにより、感光体を製造することができる。
導電性支持体としては、金属のように支持体そのものに導電性があるものか、または表面に導電膜層を有するガラスや高分子材料を使用することができる。導電性支持体は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10%以上であることを意味し、50%以上であることが好ましく、80%以上が特に好ましい。導電性支持体としては、ガラスや高分子材料に導電性の金属酸化物を塗設したものを使用することができる。このときの導電性の金属酸化物の塗布量は、ガラスや高分子材料の支持体1m2当たり、0.1~100gが好ましい。透明導電性支持体を用いる場合、光は支持体側から入射させることが好ましい。好ましく使用される高分子材料の一例として、テトラアセチルセルロース(TAC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート(PAR)、ポリスルフォン(PSF)、ポリエステルスルフォン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、環状ポリオレフィン、ブロム化フェノキシ等を挙げることができる。
本発明においては、好ましい導電性支持体として、金属支持体を用いることができる。導電性金属支持体としては、導電性支持体として4族~13族に属するいずれかの元素で構成された導電性金属支持体が使用される。ここで4族~13族とは、長周期型周期表におけるものをいう。
本発明における導電性金属支持体の厚さは10μm以上2000μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは10μm以上1000μm以下であり、特に好ましくは50μm以上500μm以下である。この厚さが厚すぎると可撓性に欠けるため、光電変換素子として使用する場合に支障が生じることがある。また薄すぎると光電変換素子を使用中に破損することがあり好ましくない。
本発明に用いられる導電性金属支持体の表面抵抗は低い程よい。好ましい表面抵抗の範囲としては10Ω/m2以下であり、さらに好ましくは1Ω/m2以下であり、特に好ましくは0.1Ω/m2以下である。この値が高すぎると、通電しにくくなり光電変換素子としての機能を発揮することができない。
本発明における導電性金属支持体の厚さは10μm以上2000μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは10μm以上1000μm以下であり、特に好ましくは50μm以上500μm以下である。この厚さが厚すぎると可撓性に欠けるため、光電変換素子として使用する場合に支障が生じることがある。また薄すぎると光電変換素子を使用中に破損することがあり好ましくない。
本発明に用いられる導電性金属支持体の表面抵抗は低い程よい。好ましい表面抵抗の範囲としては10Ω/m2以下であり、さらに好ましくは1Ω/m2以下であり、特に好ましくは0.1Ω/m2以下である。この値が高すぎると、通電しにくくなり光電変換素子としての機能を発揮することができない。
導電性金属支持体としては、チタン、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、亜鉛、モリブデン、タンタル、ニオブ、及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を好ましく使用できる。これらの金属は合金であってもよい。これらのうち、チタン、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、および亜鉛がより好ましく、チタン、アルミニウム、および銅がさらに好ましく、チタンおよびアルミニウムがもっとも好ましい。アルミニウムの場合は、アルミニウム合金展伸材、1000系~7000系(軽金属協会:アルミニウムハンドブック、軽金属協会、(1978)、26)などを好ましく使用することができる。
導電性金属支持体は、表面抵抗が小さく光電気化学電池の内部抵抗を下げられるため高出力の電池を得ることができる。また導電性金属支持体を用いた場合には、後述の半導体微粒子分散液が塗布された導電性金属支持体を加熱乾燥させる温度を高くして焼成しても、支持体が軟化することがない。したがって加熱条件を適宜選択することにより、比表面積の大きな多孔質半導体微粒子層を形成することができる。これにより色素吸着量を増加させ、高出力で変換効率の高い光電変換素子を提供することができる。
また巻回された金属シートを連続的に送り出しながら半導体微粒子分散液を該金属シートに塗工し、その後加熱することで、多孔質の導電性支持体を得ることができる。その後本発明の色素を連続塗布することで、導電性支持体上に感光層を形成することができる。この工程を経ることにより、廉価で光電変換素子や光電気化学電池を製造することが可能になる。
また巻回された金属シートを連続的に送り出しながら半導体微粒子分散液を該金属シートに塗工し、その後加熱することで、多孔質の導電性支持体を得ることができる。その後本発明の色素を連続塗布することで、導電性支持体上に感光層を形成することができる。この工程を経ることにより、廉価で光電変換素子や光電気化学電池を製造することが可能になる。
本発明の導電性金属支持体としては、高分子材料層の上に導電層を設けたものを好ましく使用することができる。高分子材料層としては、特に制限されないが、導電層上に半導体微粒子分散液を塗布後加熱した場合に溶融して形状を保持することがない材料を選択する。導電層は高分子材料層に従来の方法、例えば押出被覆等により積層して製造することができる。
使用することが可能な高分子材料層としては、テトラアセチルセルロース(TAC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート(PAr)、ポリスルフォン(PSF)、ポリエステルスルフォン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、環状ポリオレフィン、ブロム化フェノキシ等を例示することができる。
本発明の導電性金属支持体として、高分子材料層の上に導電層を設けたものを使用することにより、該高分子材料層は光電変換素子や光電気化学電池の保護層として機能することが可能となる。高分子材料として電気絶縁性の材料を使用すれば、該高分子材料層は保護層としてだけでなく、絶縁層として機能することができる。これにより、光電変換素子自体の絶縁性を確保することができる。該高分子材料層を絶縁層として使用する場合は、この体積固有抵抗は1010~1020Ω・cmのものを使用することが好ましい。さらに好ましくは、体積固有抵抗は1011~1019Ω・cmである。前記の材料を使用して、特に導電性の材料を配合しなければ、この範囲内の体積固有抵抗を有する絶縁層のものを得ることができる。
導電性金属支持体は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10%以上であることを意味し、50%以上であることが好ましく、80%以上が特に好ましい。
使用することが可能な高分子材料層としては、テトラアセチルセルロース(TAC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート(PAr)、ポリスルフォン(PSF)、ポリエステルスルフォン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、環状ポリオレフィン、ブロム化フェノキシ等を例示することができる。
本発明の導電性金属支持体として、高分子材料層の上に導電層を設けたものを使用することにより、該高分子材料層は光電変換素子や光電気化学電池の保護層として機能することが可能となる。高分子材料として電気絶縁性の材料を使用すれば、該高分子材料層は保護層としてだけでなく、絶縁層として機能することができる。これにより、光電変換素子自体の絶縁性を確保することができる。該高分子材料層を絶縁層として使用する場合は、この体積固有抵抗は1010~1020Ω・cmのものを使用することが好ましい。さらに好ましくは、体積固有抵抗は1011~1019Ω・cmである。前記の材料を使用して、特に導電性の材料を配合しなければ、この範囲内の体積固有抵抗を有する絶縁層のものを得ることができる。
導電性金属支持体は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10%以上であることを意味し、50%以上であることが好ましく、80%以上が特に好ましい。
導電性金属支持体上には、表面に光マネージメント機能を施してもよい。例えば、高屈折膜及び低屈折率の酸化物膜を交互に積層した反射防止膜や、ライトガイド機能を設けてもよい。
導電性支持体上には、紫外光を遮断する機能を持たせることが好ましい。例えば、紫外光を可視光に変えることが出来る蛍光材料を前記高分子材料層の内部または表面に存在させる方法が挙げられる。また、別の好ましい方法として、紫外線吸収剤を用いる方法も挙げられる。導電性支持体上には、特開平11-250944号公報などに記載の機能を付与してもよい。
導電膜の抵抗値はセル面積が大きくなると大きくなる為、集電電極を配置してもよい。好ましい集電電極の形状及び材質としては、特開平11-266028号公報などに記載のものを使用することができる。高分子材料層と導電層の間にガスバリア膜及び/又はイオン拡散防止膜を配置しても良い。ガスバリア層としては、樹脂膜や無機膜のどちらでもよい。
導電性支持体上には、紫外光を遮断する機能を持たせることが好ましい。例えば、紫外光を可視光に変えることが出来る蛍光材料を前記高分子材料層の内部または表面に存在させる方法が挙げられる。また、別の好ましい方法として、紫外線吸収剤を用いる方法も挙げられる。導電性支持体上には、特開平11-250944号公報などに記載の機能を付与してもよい。
導電膜の抵抗値はセル面積が大きくなると大きくなる為、集電電極を配置してもよい。好ましい集電電極の形状及び材質としては、特開平11-266028号公報などに記載のものを使用することができる。高分子材料層と導電層の間にガスバリア膜及び/又はイオン拡散防止膜を配置しても良い。ガスバリア層としては、樹脂膜や無機膜のどちらでもよい。
(C)半導体微粒子
図1に示すように、本発明の光電変換素子には、導電性支持体1上には半導体微粒子22に色素21が吸着された感光体2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子の分散液を前記の導電性支持体に塗布・乾燥後、本発明の色素溶液に浸漬することにより、感光体を製造することができる。
半導体微粒子としては、好ましくは金属のカルコゲニド(例えば酸化物、硫化物、セレン化物等)またはペロブスカイトの微粒子が用いられる。金属のカルコゲニドとしては、好ましくはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、もしくはタンタルの酸化物、硫化カドミウム、セレン化カドミウム等が挙げられる。ペロブスカイトとしては、好ましくはチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム等が挙げられる。これらのうち酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンが特に好ましい。
図1に示すように、本発明の光電変換素子には、導電性支持体1上には半導体微粒子22に色素21が吸着された感光体2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子の分散液を前記の導電性支持体に塗布・乾燥後、本発明の色素溶液に浸漬することにより、感光体を製造することができる。
半導体微粒子としては、好ましくは金属のカルコゲニド(例えば酸化物、硫化物、セレン化物等)またはペロブスカイトの微粒子が用いられる。金属のカルコゲニドとしては、好ましくはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、もしくはタンタルの酸化物、硫化カドミウム、セレン化カドミウム等が挙げられる。ペロブスカイトとしては、好ましくはチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム等が挙げられる。これらのうち酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンが特に好ましい。
半導体には伝導に関わるキャリアーが電子であるn型とキャリアーが正孔であるp型が存在するが、本発明の素子ではn型を用いることが変換効率の点で好ましい。n型半導体には、不純物準位をもたず伝導帯電子と価電子帯正孔によるキャリアーの濃度が等しい固有半導体(あるいは真性半導体)の他に、不純物に由来する構造欠陥により電子キャリアー濃度の高いn型半導体が存在する。本発明で好ましく用いられるn型の無機半導体は、TiO2、TiSrO3、ZnO、Nb2O3、SnO2、WO3、Si、CdS、CdSe、V2O5、ZnS、ZnSe、SnSe、KTaO3、FeS2、PbS、InP、GaAs、CuInS2、CuInSe2などである。これらのうち最も好ましいn型半導体はTiO2、ZnO、SnO2、WO3、ならびにNb2O3である。また、これらの半導体の複数を複合させた半導体材料も好ましく用いられる。
半導体微粒子の粒径は、半導体微粒子分散液の粘度を高く保つ目的で、一次粒子の平均粒径が2nm以上50nm以下であることが好ましく、また一次粒子の平均粒径が2nm以上30nm以下の超微粒子であることがより好ましい。粒径分布の異なる2種類以上の微粒子を混合してもよく、この場合小さい粒子の平均サイズは5nm以下であるのが好ましい。また、入射光を散乱させて光捕獲率を向上させる目的で、上記の超微粒子に対して平均粒径が50nmを越える大きな粒子を、低含率で添加することもできる。この場合、大粒子の含率は、平均粒径が50nm以下の粒子の質量の50%以下であることが好ましく、20%以下であることがより好ましい。上記の目的で添加混合する大粒子の平均粒径は、100nm以上が好ましく、250nm以上がより好ましい。
半導体微粒子の作製法としては、作花済夫の「ゾル・ゲル法の科学」アグネ承風社(1998年)等に記載のゲル・ゾル法が好ましい。またDegussa社が開発した塩化物を酸水素塩中で高温加水分解により酸化物を作製する方法も好ましい。半導体微粒子が酸化チタンの場合、上記ゾル・ゲル法、ゲル・ゾル法、塩化物の酸水素塩中での高温加水分解法はいずれも好ましいが、さらに清野学の「酸化チタン 物性と応用技術」技報堂出版(1997年)に記載の硫酸法および塩素法を用いることもできる。さらにゾル・ゲル法として、バルべ等のジャーナル・オブ・アメリカン・セラミック・ソサエティー,第80巻,第12号,3157~3171頁(1997年)に記載の方法や、バーンサイドらのケミストリー・オブ・マテリアルズ,第10巻,第9号,2419~2425頁に記載の方法も好ましい。
この他に、半導体微粒子の製造方法として、例えば、チタニアナノ粒子の製造方法として好ましくは、四塩化チタンの火炎加水分解による方法、四塩化チタンの燃焼法、安定なカルコゲナイド錯体の加水分解、オルトチタン酸の加水分解、可溶部と不溶部から半導体微粒子を形成後可溶部を溶解除去する方法、過酸化物水溶液の水熱合成、またはゾル・ゲル法によるコア/シェル構造の酸化チタン微粒子の製造方法が挙げられる。
チタニアの結晶構造としては、アナターゼ型、ブルッカイト型、または、ルチル型があげられ、アナターゼ型、ブルッカイト型が好ましい。
チタニアナノチューブ・ナノワイヤー・ナノロッドをチタニア微粒子に混合してもよい。
チタニアナノチューブ・ナノワイヤー・ナノロッドをチタニア微粒子に混合してもよい。
チタニアは、非金属元素などによりドーピングされていても良い。チタニアへの添加剤としてドーパント以外に、ネッキングを改善する為のバインダーや逆電子移動防止の為に表面へ添加剤を用いても良い。好ましい添加剤の例としては、ITO、SnO粒子、ウイスカー、繊維状グラファイト・カーボンナノチューブ、酸化亜鉛ネッキング結合子、セルロース等の繊維状物質、金属、有機シリコン、ドデシルベンゼンスルホン酸、シラン化合物等の電荷移動結合分子、及び電位傾斜型デンドリマーなどが挙げられる。
チタニア上の表面欠陥を除去するなどの目的で、色素吸着前にチタニアを酸塩基又は酸化還元処理しても良い。エッチング、酸化処理、過酸化水素処理、脱水素処理、UV-オゾン、酸素プラズマなどで処理してもよい。
(D)半導体微粒子分散液
本発明においては、半導体微粒子分散液を前記の導電性支持体に塗布し、適度に加熱することにより、多孔質半導体微粒子塗布層を得ることができる。
半導体微粒子分散液を作製する方法としては、前述のゾル・ゲル法の他に、半導体を合成する際に溶媒中で微粒子として析出させそのまま使用する方法、微粒子に超音波などを照射して超微粒子に粉砕する方法、あるいはミルや乳鉢などを使って機械的に粉砕しすり潰す方法、等が挙げられる。分散溶媒としては、水および/または各種の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,シトロネロール,ターピネオールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、酢酸エチルなどのエステル類、ジクロロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。
分散の際、必要に応じて例えばポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースのようなポリマー、界面活性剤、酸、またはキレート剤等を分散助剤として少量用いてもよい。しかし、これらの分散助剤は、導電性支持体上へ製膜する工程の前に、ろ過法や分離膜を用いる方法、あるいは遠心分離法などによって大部分を除去しておくことが好ましい。
半導体微粒子分散液の粘度が高すぎると分散液が凝集してしまい製膜することができず、逆に半導体微粒子分散液の粘度が低すぎると液が流れてしまい製膜することができないことがある。したがって分散液の粘度は、25℃で10~300N・s/m2が好ましい。さらに好ましくは、25℃で50~200N・s/m2である。
本発明においては、半導体微粒子分散液を前記の導電性支持体に塗布し、適度に加熱することにより、多孔質半導体微粒子塗布層を得ることができる。
半導体微粒子分散液を作製する方法としては、前述のゾル・ゲル法の他に、半導体を合成する際に溶媒中で微粒子として析出させそのまま使用する方法、微粒子に超音波などを照射して超微粒子に粉砕する方法、あるいはミルや乳鉢などを使って機械的に粉砕しすり潰す方法、等が挙げられる。分散溶媒としては、水および/または各種の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,シトロネロール,ターピネオールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、酢酸エチルなどのエステル類、ジクロロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。
分散の際、必要に応じて例えばポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースのようなポリマー、界面活性剤、酸、またはキレート剤等を分散助剤として少量用いてもよい。しかし、これらの分散助剤は、導電性支持体上へ製膜する工程の前に、ろ過法や分離膜を用いる方法、あるいは遠心分離法などによって大部分を除去しておくことが好ましい。
半導体微粒子分散液の粘度が高すぎると分散液が凝集してしまい製膜することができず、逆に半導体微粒子分散液の粘度が低すぎると液が流れてしまい製膜することができないことがある。したがって分散液の粘度は、25℃で10~300N・s/m2が好ましい。さらに好ましくは、25℃で50~200N・s/m2である。
半導体微粒子分散液の塗布方法としては、アプリケーション系の方法としてローラ法、ディップ法等を使用することができる。またメータリング系の方法としてエアーナイフ法、ブレード法等を使用することができる。またアプリケーション系の方法とメータリング系の方法を同一部分にできるものとして、特公昭58-4589号公報に開示されているワイヤーバー法、米国特許2681294号明細書等に記載のスライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法等が好ましい。また汎用機を使用してスピン法やスプレー法で塗布するのも好ましい。湿式印刷方法としては、凸版、オフセットおよびグラビアの3大印刷法をはじめ、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等が好ましい。これらの中から、液粘度やウェット厚さに応じて、好ましい製膜方法を選択する。また本発明の半導体微粒子分散液は粘度が高く、粘稠性を有するため、凝集力が強いことがあり、塗布時に支持体とうまく馴染まない場合がある。このような場合に、UVオゾン処理で表面のクリーニングと親水化を行うことにより、塗布した半導体微粒子分散液と導電性支持体表面の結着力が増し、半導体微粒子分散液の塗布が行い易くなる。
半導体微粒子層全体の好ましい厚さは0.1~100μmである。半導体微粒子層の厚さはさらに1~30μmが好ましく、2~25μmがより好ましい。半導体微粒子の支持体1m2当りの担持量は0.5g~400gが好ましく、5~100gがより好ましい。
半導体微粒子層全体の好ましい厚さは0.1~100μmである。半導体微粒子層の厚さはさらに1~30μmが好ましく、2~25μmがより好ましい。半導体微粒子の支持体1m2当りの担持量は0.5g~400gが好ましく、5~100gがより好ましい。
塗布した半導体微粒子の層に対し、半導体微粒子同士の電子的接触の強化と、支持体との密着性の向上のため、また塗布した半導体微粒子分散液を乾燥させるために、加熱処理が施される。この加熱処理により多孔質半導体微粒子層を形成することができる。
また、加熱処理に加えて光のエネルギーを用いることもできる。例えば、半導体微粒子として酸化チタンを用いた場合に、紫外光のような半導体微粒子が吸収する光を与えることで表面を活性化してもよいし、レーザー光などで半導体微粒子表面のみを活性化することができる。半導体微粒子に対して該微粒子が吸収する光を照射することで、粒子表面に吸着した不純物が粒子表面の活性化によって分解され、上記の目的のために好ましい状態とすることができる。加熱処理と紫外光を組み合わせる場合は、半導体微粒子に対して該微粒子が吸収する光を照射しながら、100℃以上250℃以下あるいは好ましくは100℃以上150℃以下で加熱することが好ましい。このように、半導体微粒子を光励起することによって、微粒子層内に混入した不純物を光分解により洗浄するとともに、微粒子の間の物理的接合を強めることができる。
また、加熱処理に加えて光のエネルギーを用いることもできる。例えば、半導体微粒子として酸化チタンを用いた場合に、紫外光のような半導体微粒子が吸収する光を与えることで表面を活性化してもよいし、レーザー光などで半導体微粒子表面のみを活性化することができる。半導体微粒子に対して該微粒子が吸収する光を照射することで、粒子表面に吸着した不純物が粒子表面の活性化によって分解され、上記の目的のために好ましい状態とすることができる。加熱処理と紫外光を組み合わせる場合は、半導体微粒子に対して該微粒子が吸収する光を照射しながら、100℃以上250℃以下あるいは好ましくは100℃以上150℃以下で加熱することが好ましい。このように、半導体微粒子を光励起することによって、微粒子層内に混入した不純物を光分解により洗浄するとともに、微粒子の間の物理的接合を強めることができる。
また、半導体微粒子分散液を前記の導電性支持体に塗布し、加熱や光を照射する以外に他の処理を行ってもよい。好ましい方法として例えば、通電、化学的処理などが挙げられる。
塗布後に圧力をかけても良く、圧力をかける方法としては、特表2003-500857号公報等が挙げられる。光照射の例としては、特開2001-357896号公報等が挙げられる。プラズマ・マイクロ波・通電の例としては、特開2002-353453号公報等が挙げられる。化学的処理としては、例えば特開2001-357896号公報が挙げられる。
塗布後に圧力をかけても良く、圧力をかける方法としては、特表2003-500857号公報等が挙げられる。光照射の例としては、特開2001-357896号公報等が挙げられる。プラズマ・マイクロ波・通電の例としては、特開2002-353453号公報等が挙げられる。化学的処理としては、例えば特開2001-357896号公報が挙げられる。
上述の半導体微粒子を導電性支持体上に塗設する方法は、上述の半導体微粒子分散液を導電性支持体上に塗布する方法のほか、特許第2664194号公報に記載の半導体微粒子の前駆体を導電性支持体上に塗布し空気中の水分によって加水分解して半導体微粒子膜を得る方法などの方法を使用することができる。
前駆体として例えば、(NH4)2TiF6、過酸化チタン、金属アルコキシド・金属錯体・金属有機酸塩等が挙げられる。
また、金属有機酸化物(アルコキシドなど)を共存させたスラリーを塗布し加熱処理、光処理などで半導体膜を形成する方法、無機系前駆体を共存させたスラリー、スラリーのpHと分散させたチタニア粒子の性状を特定した方法が挙げられる。これらスラリーには、少量であればバインダーを添加しても良く、バインダーとしては、セルロース、フッ素ポリマー、架橋ゴム、ポリブチルチタネート、カルボキシメチルセルロースなどが挙げられる。
半導体微粒子又はその前駆体層の形成に関する技術としては、コロナ放電、プラズマ、UVなどの物理的な方法で親水化する方法、アルカリやポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸などによる化学処理、ポリアニリンなどの接合用中間膜の形成などが挙げられる。
前駆体として例えば、(NH4)2TiF6、過酸化チタン、金属アルコキシド・金属錯体・金属有機酸塩等が挙げられる。
また、金属有機酸化物(アルコキシドなど)を共存させたスラリーを塗布し加熱処理、光処理などで半導体膜を形成する方法、無機系前駆体を共存させたスラリー、スラリーのpHと分散させたチタニア粒子の性状を特定した方法が挙げられる。これらスラリーには、少量であればバインダーを添加しても良く、バインダーとしては、セルロース、フッ素ポリマー、架橋ゴム、ポリブチルチタネート、カルボキシメチルセルロースなどが挙げられる。
半導体微粒子又はその前駆体層の形成に関する技術としては、コロナ放電、プラズマ、UVなどの物理的な方法で親水化する方法、アルカリやポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸などによる化学処理、ポリアニリンなどの接合用中間膜の形成などが挙げられる。
半導体微粒子を導電性支持体上に塗設する方法として、上述の(1)湿式法とともに、(2)乾式法、(3)その他の方法を併用しても良い。(2)乾式法として好ましくは、特開2000-231943号公報等が挙げられる。(3)その他の方法として、好ましくは、特開2002-134435号公報等が挙げられる。
乾式法としては、蒸着やスパッタリング、エアロゾルデポジション法などが挙げられる。また、電気泳動法・電析法を用いても良い。
また、耐熱基板上でいったん塗膜を作製した後、プラスチック等のフィルムに転写する方法を用いても良い。好ましくは、特開2002-184475号公報記載のEVAを介して転写する方法、特開2003-98977号公報記載の紫外線、水系溶媒で除去可能な無機塩を含む犠牲基板上に半導体層・導電層を形成後、有機基板に転写後、犠牲基板を除去する方法などが挙げられる。
また、耐熱基板上でいったん塗膜を作製した後、プラスチック等のフィルムに転写する方法を用いても良い。好ましくは、特開2002-184475号公報記載のEVAを介して転写する方法、特開2003-98977号公報記載の紫外線、水系溶媒で除去可能な無機塩を含む犠牲基板上に半導体層・導電層を形成後、有機基板に転写後、犠牲基板を除去する方法などが挙げられる。
半導体微粒子は多くの色素を吸着することができるように表面積の大きいものが好ましい。例えば半導体微粒子を支持体上に塗設した状態で、その表面積が投影面積に対して10倍以上であることが好ましく、100倍以上であることがより好ましい。この上限には特に制限はないが、通常5000倍程度である。好ましい半導体微粒子の構造としては、特開2001-93591号公報等が挙げられる。
一般に、半導体微粒子の層の厚みが大きいほど単位面積当たりに担持できる色素の量が増えるため光の吸収効率が高くなるが、発生した電子の拡散距離が増すため電荷再結合によるロスも大きくなる。半導体微粒子層の好ましい厚みは素子の用途によって異なるが、典型的には0.1~100μmである。光電気化学電池として用いる場合は1~50μmであることが好ましく、3~30μmであることがより好ましい。半導体微粒子は、支持体に塗布した後に粒子同士を密着させるために、100~800℃の温度で10分~10時間加熱してもよい。支持体としてガラスを用いる場合、製膜温度は400~600℃が好ましい。
支持体として高分子材料を用いる場合、250℃以下で製膜後加熱することが好ましい。その場合の製膜方法としては、(1)湿式法、(2)乾式法、(3)電気泳動法(電析法を含む)の何れでも良く、好ましくは、(1)湿式法、又は(2)乾式法であり、更に好ましくは、(1)湿式法である。
なお、半導体微粒子の支持体1m2当たりの塗布量は0.5~500g、さらには5~100gが好ましい。
支持体として高分子材料を用いる場合、250℃以下で製膜後加熱することが好ましい。その場合の製膜方法としては、(1)湿式法、(2)乾式法、(3)電気泳動法(電析法を含む)の何れでも良く、好ましくは、(1)湿式法、又は(2)乾式法であり、更に好ましくは、(1)湿式法である。
なお、半導体微粒子の支持体1m2当たりの塗布量は0.5~500g、さらには5~100gが好ましい。
半導体微粒子に色素を吸着させるには、溶液と本発明の色素よりなる色素吸着用色素溶液の中に、製膜後の半導体電極を浸漬するのが好ましい。色素吸着用色素溶液に使用される溶液は、本発明の光電変換素子用色素が溶解できる溶液なら特に制限なく使用することができる。例えば、エタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエン、t-ブタノール、アセトニトリル、アセトン、n-ブタノールなどの有機溶媒を使用することができる。その中でも、エタノール、トルエンを好ましく使用することができる。有機溶媒は単独でも、複数のものを混合したものも使用することができる。上記色素の濃度は、半導体微粒子へ均一に吸着するように、0.01ミリモル/L~1.0ミリモル/Lとすることが好ましい。さらに好ましくは、0.1ミリモル/L~1.0ミリモル/Lである。
溶液と本発明の色素よりなる色素吸着用色素溶液は必要に応じて50℃ないし100℃に加熱してもよい。色素の吸着は半導体微粒子の塗布前に行っても塗布後に行ってもよい。また、半導体微粒子と色素を同時に塗布して吸着させてもよい。未吸着の色素は洗浄によって除去する。塗布膜の焼成を行う場合は色素の吸着は焼成後に行うことが好ましい。焼成後、塗布膜表面に水が吸着する前にすばやく色素を吸着させるのが特に好ましい。本発明の趣旨を損なわない範囲内で、他の構造を有する色素を混合してもよい。色素を混合する場合は、すべての色素が溶解するようにして、色素吸着用色素溶液とすることが必要である。
溶液と本発明の色素よりなる色素吸着用色素溶液は必要に応じて50℃ないし100℃に加熱してもよい。色素の吸着は半導体微粒子の塗布前に行っても塗布後に行ってもよい。また、半導体微粒子と色素を同時に塗布して吸着させてもよい。未吸着の色素は洗浄によって除去する。塗布膜の焼成を行う場合は色素の吸着は焼成後に行うことが好ましい。焼成後、塗布膜表面に水が吸着する前にすばやく色素を吸着させるのが特に好ましい。本発明の趣旨を損なわない範囲内で、他の構造を有する色素を混合してもよい。色素を混合する場合は、すべての色素が溶解するようにして、色素吸着用色素溶液とすることが必要である。
色素の使用量は、全体で、支持体1m2当たり0.01~100ミリモルが好ましく、より好ましくは0.1~50ミリモル、特に好ましくは0.1~10ミリモルである。この場合、本発明の色素の使用量は5モル%以上とすることが好ましい。
また、色素の半導体微粒子に対する吸着量は半導体微粒子1gに対して0.001~1ミリモルが好ましく、より好ましくは0.1~0.5ミリモルである。
このような色素量とすることによって、半導体における増感効果が十分に得られる。これに対し、色素量が少ないと増感効果が不十分となり、色素量が多すぎると、半導体に付着していない色素が浮遊し増感効果を低減させる原因となる。
また、色素の半導体微粒子に対する吸着量は半導体微粒子1gに対して0.001~1ミリモルが好ましく、より好ましくは0.1~0.5ミリモルである。
このような色素量とすることによって、半導体における増感効果が十分に得られる。これに対し、色素量が少ないと増感効果が不十分となり、色素量が多すぎると、半導体に付着していない色素が浮遊し増感効果を低減させる原因となる。
また、会合など色素同士の相互作用を低減する目的で無色の化合物を共吸着させてもよい。共吸着させる疎水性化合物としてはカルボキシル基を有するステロイド化合物(例えばコール酸、ピバル酸(pivalic acid))等が挙げられる。
色素を吸着した後に、アミン類を用いて半導体微粒子の表面を処理してもよい。好ましいアミン類としては4-tert-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン等が挙げられる。これらは液体の場合はそのまま用いてもよいし有機溶媒に溶解して用いてもよい。
色素を吸着した後に、アミン類を用いて半導体微粒子の表面を処理してもよい。好ましいアミン類としては4-tert-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン等が挙げられる。これらは液体の場合はそのまま用いてもよいし有機溶媒に溶解して用いてもよい。
対向電極は、光電気化学電池の正極として働くものである。対向電極は、通常前述の導電性支持体と同義であるが、強度が十分に保たれるような構成では支持体は必ずしも必要でない。ただし、支持体を有する方が密閉性の点で有利である。対向電極の材料としては、白金、カーボン、導電性ポリマー、などがあげられる。好ましい例としては、白金、カーボン、導電性ポリマーが挙げられる。
対極の構造としては、集電効果が高い構造が好ましい。好ましい例としては、特開平10-505192号公報などが挙げられる。
受光電極は酸化チタンと酸化スズ(TiO2/SnO2)などの複合電極を用いても良く、チタニアの混合電極として例えば、特開2000-113913号公報等に記載のものが挙げられる。チタニア以外の混合電極として例えば、特開2001-185243号公報、特開2003-282164号公報等に記載のものが挙げられる。
受光電極は酸化チタンと酸化スズ(TiO2/SnO2)などの複合電極を用いても良く、チタニアの混合電極として例えば、特開2000-113913号公報等に記載のものが挙げられる。チタニア以外の混合電極として例えば、特開2001-185243号公報、特開2003-282164号公報等に記載のものが挙げられる。
受光電極は、入射光の利用率を高めるなどのためにタンデム型にしても良い。好ましいタンデム型の構成例としては、特開2002-90989号公報等に記載の例が挙げられる。
受光電極層内部で光散乱、反射を効率的に行う光マネージメント機能を設けてもよい。好ましくは、特開2002-93476号公報に記載のものが挙げられる。
受光電極層内部で光散乱、反射を効率的に行う光マネージメント機能を設けてもよい。好ましくは、特開2002-93476号公報に記載のものが挙げられる。
導電性支持体と多孔質半導体微粒子層の間には、電解液と電極が直接接触することによる逆電流を防止する為、短絡防止層を形成することが好ましい。好ましい例としては、特開平06-507999号公報等に記載のものが挙げられる。
受光電極と対極の接触を防ぐ為に、スペーサーやセパレータを用いることが好ましい。好ましい例としては、特開2001-283941号公報に記載のものが挙げられる。
受光電極と対極の接触を防ぐ為に、スペーサーやセパレータを用いることが好ましい。好ましい例としては、特開2001-283941号公報に記載のものが挙げられる。
(E)電解質
代表的な酸化還元対としては、例えばヨウ素とヨウ化物(例えばヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム等)との組み合わせ、アルキルビオローゲン(例えばメチルビオローゲンクロリド、ヘキシルビオローゲンブロミド、ベンジルビオローゲンテトラフルオロボレート)とその還元体との組み合わせ、ポリヒドロキシベンゼン類(例えばハイドロキノン、ナフトハイドロキノン等)とその酸化体との組み合わせ、2価と3価の鉄錯体(例えば赤血塩と黄血塩)の組み合わせ等が挙げられる。これらのうちヨウ素とヨウ化物との組み合わせが好ましい。これらを溶かす有機溶媒としては、非プロトン性の極性溶媒(例えばアセトニトリル、炭酸プロピレン、炭酸エチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、1,3-ジメチルイミダゾリノン、3-メチルオキサゾリジノン等)が好ましい。ゲル電解質のマトリクスに使用されるポリマーとしては、例えばポリアクリロニトリル、ポリビニリデンフルオリド等が挙げられる。溶融塩としては、例えばヨウ化リチウムと他の少なくとも1種類のリチウム塩(例えば酢酸リチウム、過塩素酸リチウム等)にポリエチレンオキシドを混合することにより、室温での流動性を付与したもの等が挙げられる。この場合のポリマーの添加量は1~50質量%である。また、γ-ブチロラクトンを電解液に含んでいてもよく、これによりヨウ化物イオンの拡散効率が高くなり変換効率が向上する。
代表的な酸化還元対としては、例えばヨウ素とヨウ化物(例えばヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム等)との組み合わせ、アルキルビオローゲン(例えばメチルビオローゲンクロリド、ヘキシルビオローゲンブロミド、ベンジルビオローゲンテトラフルオロボレート)とその還元体との組み合わせ、ポリヒドロキシベンゼン類(例えばハイドロキノン、ナフトハイドロキノン等)とその酸化体との組み合わせ、2価と3価の鉄錯体(例えば赤血塩と黄血塩)の組み合わせ等が挙げられる。これらのうちヨウ素とヨウ化物との組み合わせが好ましい。これらを溶かす有機溶媒としては、非プロトン性の極性溶媒(例えばアセトニトリル、炭酸プロピレン、炭酸エチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、1,3-ジメチルイミダゾリノン、3-メチルオキサゾリジノン等)が好ましい。ゲル電解質のマトリクスに使用されるポリマーとしては、例えばポリアクリロニトリル、ポリビニリデンフルオリド等が挙げられる。溶融塩としては、例えばヨウ化リチウムと他の少なくとも1種類のリチウム塩(例えば酢酸リチウム、過塩素酸リチウム等)にポリエチレンオキシドを混合することにより、室温での流動性を付与したもの等が挙げられる。この場合のポリマーの添加量は1~50質量%である。また、γ-ブチロラクトンを電解液に含んでいてもよく、これによりヨウ化物イオンの拡散効率が高くなり変換効率が向上する。
電解質への添加物として、前述の4-tert-ブチルピリジンのほか、アミノピリジン系化合物、ベンズイミダゾール系化合物、アミノトリアゾール系化合物及びアミノチアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、アミノトリアジン系化合物、尿素誘導体、アミド化合物、ピリミジン系化合物及び窒素を含まない複素環を加えることができる。
また、効率を向上する為に、電解液の水分を制御する方法をとってもよい。水分を制御する好ましい方法としては、濃度を制御する方法や脱水剤を共存させる方法を挙げることができる。ヨウ素の毒性軽減のために、ヨウ素とシクロデキストリンの包摂化合物の使用をしてもよく、逆に水分を常時補給する方法を用いてもよい。また環状アミジンを用いてもよく、酸化防止剤、加水分解防止剤、分解防止剤、ヨウ化亜鉛を加えてもよい。
電解質として溶融塩を用いてもよく、好ましい溶融塩としては、イミダゾリウム又はトリアゾリウム型陽イオンを含むイオン性液体、オキサゾリウム系、ピリジニウム系、グアニジウム系およびこれらの組み合わせが挙げられる。これらカチオン系に対して特定のアニオンと組み合わせてもよい。これらの溶融塩に対しては添加物を加えてもよい。液晶性の置換基を持っていてもよい。また、四級アンモニウム塩系の溶融塩を用いてもよい。
これら以外の溶融塩としては、例えば、ヨウ化リチウムと他の少なくとも1種類のリチウム塩(例えば酢酸リチウム、過塩素酸リチウム等)にポリエチレンオキシドを混合することにより、室温での流動性を付与したもの等が挙げられる。
電解質と溶媒からなる電解液にゲル化剤を添加してゲル化させることにより、電解質を擬固体化してもよい。ゲル化剤としては、分子量1000以下の有機化合物、分子量500-5000の範囲のSi含有化合物、特定の酸性化合物と塩基性化合物から出来る有機塩、ソルビトール誘導体、ポリビニルピリジンが挙げられる。
また、マトリックス高分子、架橋型高分子化合物又はモノマー、架橋剤、電解質及び溶媒を高分子中に閉じ込める方法を用いても良い。
マトリックス高分子として好ましくは、含窒素複素環を主鎖あるいは側鎖の繰り返し単位中に持つ高分子及びこれらを求電子性化合物と反応させた架橋体、トリアジン構造を持つ高分子、ウレイド構造をもつ高分子、液晶性化合物を含むもの、エーテル結合を有する高分子、ポリフッ化ビニリデン系、メタクリレート・アクリレート系、熱硬化性樹脂、架橋ポリシロキサン、PVA、ポリアルキレングリールとデキストリンなどの包摂化合物、含酸素または含硫黄高分子を添加した系、天然高分子などが挙げられる。これらにアルカリ膨潤型高分子、一つの高分子内にカチオン部位とヨウ素との電荷移動錯体を形成できる化合物を持った高分子などを添加しても良い。
マトリックス高分子として好ましくは、含窒素複素環を主鎖あるいは側鎖の繰り返し単位中に持つ高分子及びこれらを求電子性化合物と反応させた架橋体、トリアジン構造を持つ高分子、ウレイド構造をもつ高分子、液晶性化合物を含むもの、エーテル結合を有する高分子、ポリフッ化ビニリデン系、メタクリレート・アクリレート系、熱硬化性樹脂、架橋ポリシロキサン、PVA、ポリアルキレングリールとデキストリンなどの包摂化合物、含酸素または含硫黄高分子を添加した系、天然高分子などが挙げられる。これらにアルカリ膨潤型高分子、一つの高分子内にカチオン部位とヨウ素との電荷移動錯体を形成できる化合物を持った高分子などを添加しても良い。
マトリックスポリマーとして2官能以上のイソシアネートを一方の成分として、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基などの官能基と反応させた架橋ポリマーを含む系を用いても良い。また、ヒドロシリル基と二重結合性化合物による架橋高分子、ポリスルホン酸又はポリカルボン酸などを2価以上の金属イオン化合物と反応させる架橋方法などを用いても良い。
上記擬固体の電解質との組み合わせで好ましく用いることが出来る溶媒としては、特定のりん酸エステル、エチレンカーボネートを含む混合溶媒、特定の比誘電率を持つ溶媒などが挙げられる。固体電解質膜あるいは細孔に液体電解質溶液を保持させても良く、その方法として好ましくは、導電性高分子膜、繊維状固体、フィルタなどの布状固体が挙げられる。
以上の液体電解質及び擬固体電解質の代わりにp型半導体あるいはホール輸送材料などの固体電荷輸送層を用いてもよい。固体電荷輸送層として有機ホール輸送材料を用いても良い。ホール輸送層として好ましくは、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、及びポリシランなどの導電性高分子、及び2個の環がC、Siなど四面体構造をとる中心元素を共有するスピロ化合物、トリアリールアミンなどの芳香族アミン誘導体、トリフェニレン誘導体、含窒素複素環誘導体、液晶性シアノ誘導体が挙げられる。
酸化還元対は、電子のキャリアになるので、ある程度の濃度が必要である。好ましい濃度としては合計で0.01モル/L以上であり、より好ましくは0.1モル/Lであり、特に好ましくは0.3モル/L以上である。この場合の上限には特に制限はないが、通常5モル/L程度である。
以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(色素の調製)
[中心金属がSnの色素XAの調製]
1.中間体A、Bの合成
下記スキームに従って中間体Aを合成した。
中間体A及びBを用いて、以下のスキームに従って中心金属がSnの本発明の色素XAを調製した。
[中心金属がSnの色素XAの調製]
1.中間体A、Bの合成
下記スキームに従って中間体Aを合成した。
中間体A(3.7g)及び中間体B(1.5g)をキノリンに溶解させ、SnCl2(3.6g)を加えて、150℃で10時間撹拌した。冷却後、水を加えろ過を行った後にカラムクロマトグラフィーで精製し、中心金属がSnの色素XA(1.0g)を得た。
同様の方法で、各色素に対応する置換基を有するフタロニトリルを用いることにより、他の色素を調製した。
同様の方法で、各色素に対応する置換基を有するフタロニトリルを用いることにより、他の色素を調製した。
以下の実施例においては、前記の色素XA~XOを用いた。また、色素XA~XOにおいて、各表に記載のM、RおよびXを有する比較色素を用いた。さらに比較色素としては、以下のZA~ZEを用いた。これらの比較色素も、本発明の上記の色素(中心金属がSnの色素XA)と同様の方法で調製した。
[実験1A]
(光電変換素子の作製)
図1に示す光電変換素子を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、透明導電膜としてフッ素をドープした酸化スズをスパッタリングにより形成し、これをレーザーでスクライブして、透明導電膜を2つの部分に分割した。このうち一方の導電膜上にアナターゼ型酸化チタン粒子を焼結して受光電極を作製した。その後、受光電極上にシリカ粒子とルチル型酸化チタンとを40:60(質量比)で含有する分散液を塗布及び焼結して絶縁性多孔体を形成した。半導体微粒子の塗布量を20g/m2とし、次いで対極として炭素電極を形成させた。
次に、下記の表1Aに記載された色素のエタノール溶液(各3×10-4モル/L)に48時間浸漬した。増感色素の染着したガラスを4-tert-ブチルピリジンの10%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄し自然乾燥させた。得られた感光体の厚さは10μmであった。色素量は、色素の種類に応じ、適宜0.1~10ミリモル/m2の範囲から選択した。
電解液としては、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウム(0.5モル/L)、ヨウ素(0.1モル/L)のメトキシプロピオニトリル溶液を用いた。
色素中のMの原子半径を、表Aおよび表1に示す。この値は、前記のように、金属原子の原子半径は、Chem.Eur.J.2009,15,186-197の表2に記載された値である。また、金属原子とは、酸化状態のものも含み、酸化状態における金属原子の原子半径は、酸化状態にない場合の金属原子半径である。
(光電変換素子の作製)
図1に示す光電変換素子を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、透明導電膜としてフッ素をドープした酸化スズをスパッタリングにより形成し、これをレーザーでスクライブして、透明導電膜を2つの部分に分割した。このうち一方の導電膜上にアナターゼ型酸化チタン粒子を焼結して受光電極を作製した。その後、受光電極上にシリカ粒子とルチル型酸化チタンとを40:60(質量比)で含有する分散液を塗布及び焼結して絶縁性多孔体を形成した。半導体微粒子の塗布量を20g/m2とし、次いで対極として炭素電極を形成させた。
次に、下記の表1Aに記載された色素のエタノール溶液(各3×10-4モル/L)に48時間浸漬した。増感色素の染着したガラスを4-tert-ブチルピリジンの10%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄し自然乾燥させた。得られた感光体の厚さは10μmであった。色素量は、色素の種類に応じ、適宜0.1~10ミリモル/m2の範囲から選択した。
電解液としては、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウム(0.5モル/L)、ヨウ素(0.1モル/L)のメトキシプロピオニトリル溶液を用いた。
色素中のMの原子半径を、表Aおよび表1に示す。この値は、前記のように、金属原子の原子半径は、Chem.Eur.J.2009,15,186-197の表2に記載された値である。また、金属原子とは、酸化状態のものも含み、酸化状態における金属原子の原子半径は、酸化状態にない場合の金属原子半径である。
(色素の極大吸収波長の測定)
本発明及び比較色素の極大吸収波長を測定した。その結果を表Aに示す。測定は分光光度計(U-4100(商品名)、日立ハイテク社製)によって行い、溶液はTHF:エタノール=1:1を用い、濃度が2μMになるように調整したものを用いた。
本発明及び比較色素の極大吸収波長を測定した。その結果を表Aに示す。測定は分光光度計(U-4100(商品名)、日立ハイテク社製)によって行い、溶液はTHF:エタノール=1:1を用い、濃度が2μMになるように調整したものを用いた。
(光電変換効率の測定)
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機社製)の光をAM1.5Gフィルター(Oriel社製)およびシャープカットフィルター(KenkoL-42、商品名)を通すことにより紫外線を含まない模擬太陽光を発生させた。この光の強度は89mW/cm2であった。作製した光電変換素子にこの光を照射し、電流電圧測定装置(ケースレー238型、商品名)で、光電変換特性を測定した。
光電変換素子の変換効率の初期値を測定した結果を、下記の表1Aにおいて、変換効率として示した。変換効率が5%以上のものを◎、4%以上5%未満のものを○○、3%以上4%未満のものを○、2%以上3%未満のものを△、2%未満のものを×として表示し、変換効率が3%以上のものを合格とし、3%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率の低下を耐久性として評価した。その結果が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機社製)の光をAM1.5Gフィルター(Oriel社製)およびシャープカットフィルター(KenkoL-42、商品名)を通すことにより紫外線を含まない模擬太陽光を発生させた。この光の強度は89mW/cm2であった。作製した光電変換素子にこの光を照射し、電流電圧測定装置(ケースレー238型、商品名)で、光電変換特性を測定した。
光電変換素子の変換効率の初期値を測定した結果を、下記の表1Aにおいて、変換効率として示した。変換効率が5%以上のものを◎、4%以上5%未満のものを○○、3%以上4%未満のものを○、2%以上3%未満のものを△、2%未満のものを×として表示し、変換効率が3%以上のものを合格とし、3%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率の低下を耐久性として評価した。その結果が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
これに対して、色素中のMが3~14族であっても原子半径が135pm未満の金属原子の場合には、変換効率の初期値および耐久性はともに不合格であった(試料番号1A-7~1A-10、1A-21~1A-24、1A-28~1A-30、1A-32~1A-34)。また、色素XBにおいて、置換基Rがすべてヘキシルの場合も、変換効率の初期値および耐久性はともに不合格であった(試料番号1A-16)。さらに、一般式(2a)の構造を有しない色素を用いた場合も、変換効率の初期値および耐久性はともに不合格であった(試料番号1A-18~1A-20、1A-22~1A-24、1A-32)。
[実験1B]
(光電変換素子の作製)
下記の表1Bに記載された色素(XA、XB、XD、XE又はXF)と併用する色素を含むエタノール溶液を作製した。色素(XA、XB、XD、XE又はXF)の濃度は、0.2モル/Lとし、併用する色素の濃度は、0.1モル/Lとした。それ以外は、実験1Aと同様の方法で、光電変換素子を作製した。
(光電変換素子の作製)
下記の表1Bに記載された色素(XA、XB、XD、XE又はXF)と併用する色素を含むエタノール溶液を作製した。色素(XA、XB、XD、XE又はXF)の濃度は、0.2モル/Lとし、併用する色素の濃度は、0.1モル/Lとした。それ以外は、実験1Aと同様の方法で、光電変換素子を作製した。
(色素の極大吸収波長の測定)
併用する色素の極大吸収波長を測定した。その結果を表Bに示す。測定は分光光度計(U-4100(商品名)、日立ハイテク社製)によって行い、溶液はTHF:エタノール=1:1を用い、濃度が2μMになるように調整したものを用いた。
併用する色素の極大吸収波長を測定した。その結果を表Bに示す。測定は分光光度計(U-4100(商品名)、日立ハイテク社製)によって行い、溶液はTHF:エタノール=1:1を用い、濃度が2μMになるように調整したものを用いた。
(光電変換効率の測定)
上記の方法で作製した光電変換素子について、実験1Aと同様の方法で光電変換特性を測定し、実験1Aと同様の方法でその性能について評価した。その結果を表1Bに示す。
上記の方法で作製した光電変換素子について、実験1Aと同様の方法で光電変換特性を測定し、実験1Aと同様の方法でその性能について評価した。その結果を表1Bに示す。
[実験2A]
ガラス基板上にITO膜を作製し、その上にFTO膜を積層することにより、透明導電膜を作製した。その後透明導電膜上に酸化物半導体多孔質膜を形成することにより、透明電極板を得た。そしてその透明電極板を使用して光電気化学電池を作製し、変換効率を測定した。その方法は以下の(1)~(5)の通りである。
ガラス基板上にITO膜を作製し、その上にFTO膜を積層することにより、透明導電膜を作製した。その後透明導電膜上に酸化物半導体多孔質膜を形成することにより、透明電極板を得た。そしてその透明電極板を使用して光電気化学電池を作製し、変換効率を測定した。その方法は以下の(1)~(5)の通りである。
(1)ITO(インジウム・スズ・オキサイド)膜用原料化合物溶液の調製
塩化インジウム(III)四水和物5.58gと塩化スズ(II)二水和物0.23gとをエタノール100mLに溶解して、ITO膜用原料化合物溶液とした。
塩化インジウム(III)四水和物5.58gと塩化スズ(II)二水和物0.23gとをエタノール100mLに溶解して、ITO膜用原料化合物溶液とした。
(2)FTO(フッ素ドープ酸化スズ)膜用原料化合物溶液の調製
塩化スズ(IV)五水和物0.701gをエタノール10mLに溶解し、これにフッ化アンモニウム0.592gの飽和水溶液を加え、この混合物を超音波洗浄機に約20分間かけ、完全に溶解して、FTO膜用原料化合物溶液とした。
塩化スズ(IV)五水和物0.701gをエタノール10mLに溶解し、これにフッ化アンモニウム0.592gの飽和水溶液を加え、この混合物を超音波洗浄機に約20分間かけ、完全に溶解して、FTO膜用原料化合物溶液とした。
(3)ITO/FTO透明導電膜の作製
厚さ2mmの耐熱ガラス板の表面を化学洗浄し、乾燥した後、このガラス板を反応器内に置き、ヒータで加熱した。ヒータの加熱温度が450℃になったところで、(1)で得られたITO膜用原料化合物溶液を、口径0.3mmのノズルから圧力0.06MPaで、ガラス板までの距離を400mmとして、25分間噴霧した。
このITO膜用原料化合物溶液の噴霧後、2分間(この間ガラス基板表面にエタノールを噴霧し続け、基板表面温度の上昇を抑えるようにした。)経過し、ヒータの加熱温度が530℃になった時に、(2)で得られたFTO膜用原料化合物溶液を同様の条件で2分30秒間噴霧した。これにより、耐熱ガラス板上に厚さ530nmのITO膜、厚さ170nmのFTO膜が順次形成された透明電極板が得られた。
比較のために、厚さ2mmの耐熱ガラス板上に同様に、厚さ530nmのITO膜のみを成膜した透明電極板と、同じく厚さ180nmのFTO膜のみを成膜した透明電極板とをそれぞれ作製した。
これら3種の透明電極板を加熱炉にて、450℃で2時間加熱した。
厚さ2mmの耐熱ガラス板の表面を化学洗浄し、乾燥した後、このガラス板を反応器内に置き、ヒータで加熱した。ヒータの加熱温度が450℃になったところで、(1)で得られたITO膜用原料化合物溶液を、口径0.3mmのノズルから圧力0.06MPaで、ガラス板までの距離を400mmとして、25分間噴霧した。
このITO膜用原料化合物溶液の噴霧後、2分間(この間ガラス基板表面にエタノールを噴霧し続け、基板表面温度の上昇を抑えるようにした。)経過し、ヒータの加熱温度が530℃になった時に、(2)で得られたFTO膜用原料化合物溶液を同様の条件で2分30秒間噴霧した。これにより、耐熱ガラス板上に厚さ530nmのITO膜、厚さ170nmのFTO膜が順次形成された透明電極板が得られた。
比較のために、厚さ2mmの耐熱ガラス板上に同様に、厚さ530nmのITO膜のみを成膜した透明電極板と、同じく厚さ180nmのFTO膜のみを成膜した透明電極板とをそれぞれ作製した。
これら3種の透明電極板を加熱炉にて、450℃で2時間加熱した。
(4)光電気化学電池の作製
次に、上記3種の透明電極板を用いて、特許第4260494号公報の図2に示した構造の光電気化学電池を作製した。酸化物半導体多孔質膜の形成は、平均粒径約230nmの酸化チタン微粒子をアセトニトリルに分散してペーストとし、これを透明電極11上にバーコート法により厚さ15μmに塗布し、乾燥後450℃で1時間焼成して行った。その後、この酸化物半導体多孔質膜に表2記載の色素を担持した。
さらに、対極には、ガラス板上にITO膜とFTO膜とを積層した導電性基板を使用し、電解質層には、ヨウ素/ヨウ化物の非水溶液からなる電解液を用いた。光電気化学電池の平面寸法は縦25mmで横25mmとした。
次に、上記3種の透明電極板を用いて、特許第4260494号公報の図2に示した構造の光電気化学電池を作製した。酸化物半導体多孔質膜の形成は、平均粒径約230nmの酸化チタン微粒子をアセトニトリルに分散してペーストとし、これを透明電極11上にバーコート法により厚さ15μmに塗布し、乾燥後450℃で1時間焼成して行った。その後、この酸化物半導体多孔質膜に表2記載の色素を担持した。
さらに、対極には、ガラス板上にITO膜とFTO膜とを積層した導電性基板を使用し、電解質層には、ヨウ素/ヨウ化物の非水溶液からなる電解液を用いた。光電気化学電池の平面寸法は縦25mmで横25mmとした。
(5)光電気化学電池の評価
(4)で得られた光電気化学電池について、擬似太陽光(AM1.5)を照射し、実験1と同様の方法で光電変換特性を測定し、変換効率を求めた。その結果を表2Aに示す。変換効率が5%以上のものを◎、4%以上5%未満のものを○○、3%以上4%未満のものを○、2%以上3%未満のものを△、2%未満のものを×として表示し、変換効率が3%以上のものを合格とし、3%未満のものを不合格とした。耐久性については、変換効率の初期値に対し500時間経過後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×とした。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
表2Aからわかるように、導電層がITO膜のみの場合やFTO膜のみの場合は、本発明の光電気化学電池でも、変換効率が低くなり、導電層がITO膜上にFTO膜が形成された場合は、変換効率が高くなる傾向を示した。その傾向は比較例の光電気化学電池の場合も同様であった。
それにもかかわらず、本発明の光電気化学電池は、いずれも500時間経過後の変換効率が60%以上と、優れた耐久性を示すのに対し、比較例の光電気化学電池の500時間経過後の変換効率は40%未満で、耐久性に問題があることがわかった。
(4)で得られた光電気化学電池について、擬似太陽光(AM1.5)を照射し、実験1と同様の方法で光電変換特性を測定し、変換効率を求めた。その結果を表2Aに示す。変換効率が5%以上のものを◎、4%以上5%未満のものを○○、3%以上4%未満のものを○、2%以上3%未満のものを△、2%未満のものを×として表示し、変換効率が3%以上のものを合格とし、3%未満のものを不合格とした。耐久性については、変換効率の初期値に対し500時間経過後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×とした。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
それにもかかわらず、本発明の光電気化学電池は、いずれも500時間経過後の変換効率が60%以上と、優れた耐久性を示すのに対し、比較例の光電気化学電池の500時間経過後の変換効率は40%未満で、耐久性に問題があることがわかった。
[実験2B]
(光電気化学電池の作製)
下記の表2Bに記載された色素(XH又はXJ)と併用する色素を含むエタノール溶液を作製した。色素(XH又はXJ)の濃度は、0.2モル/Lとし、併用する色素の濃度は、0.1モル/Lとした。それ以外は、実験2Aと同様の方法で、光電気化学電池を作製した。
(光電気化学電池の作製)
下記の表2Bに記載された色素(XH又はXJ)と併用する色素を含むエタノール溶液を作製した。色素(XH又はXJ)の濃度は、0.2モル/Lとし、併用する色素の濃度は、0.1モル/Lとした。それ以外は、実験2Aと同様の方法で、光電気化学電池を作製した。
(光電変換効率の測定)
上記の方法で作製した光電気化学電池について、実験2Aと同様の方法で光電変換特性を測定し、実験2Aと同様の方法でその性能について評価した。その結果を表2Bに示す。
上記の方法で作製した光電気化学電池について、実験2Aと同様の方法で光電変換特性を測定し、実験2Aと同様の方法でその性能について評価した。その結果を表2Bに示す。
[実験3]
FTO膜上に集電電極を配し、光電気化学電池を作製し、変換効率を評価した。評価は以下の通り、試験セル(i)と試験セル(iv)の2種類とした。
FTO膜上に集電電極を配し、光電気化学電池を作製し、変換効率を評価した。評価は以下の通り、試験セル(i)と試験セル(iv)の2種類とした。
(試験セル(i))
縦100mm、横100mm、厚さ2mmの耐熱ガラス板の表面を化学洗浄し、乾燥した後、このガラス板を反応器内に置き、ヒータで加熱した後、上記の実験2で使用したFTO(フッ素ドープ酸化スズ)膜用原料化合物溶液を、口径0.3mmのノズルから圧力0.06MPaで、ガラス板までの距離を400mmとして、25分間噴霧し、FTO膜付きガラス基板を用意した。
その表面に、エッチング法により深さ5μmの溝を格子回路パターン状に形成した。フォトリソグラフでパターン形成した後に、フッ酸を用いてエッチングを行った。これに、めっき形成を可能とするためにスパッタ法により金属導電層(シード層)を形成し、更にアディティブめっきにより金属配線層を形成した。金属配線層は、透明基板表面から凸レンズ状に3μm高さまで形成した。回路幅は60μmとした。この上から、遮蔽層5としてFTO膜を400nmの厚さでSPD法により形成して、電極基板(i)とした。なお、電極基板(i)の断面形状は、特開2004-146425中の図2に示すものとなっていた。
縦100mm、横100mm、厚さ2mmの耐熱ガラス板の表面を化学洗浄し、乾燥した後、このガラス板を反応器内に置き、ヒータで加熱した後、上記の実験2で使用したFTO(フッ素ドープ酸化スズ)膜用原料化合物溶液を、口径0.3mmのノズルから圧力0.06MPaで、ガラス板までの距離を400mmとして、25分間噴霧し、FTO膜付きガラス基板を用意した。
その表面に、エッチング法により深さ5μmの溝を格子回路パターン状に形成した。フォトリソグラフでパターン形成した後に、フッ酸を用いてエッチングを行った。これに、めっき形成を可能とするためにスパッタ法により金属導電層(シード層)を形成し、更にアディティブめっきにより金属配線層を形成した。金属配線層は、透明基板表面から凸レンズ状に3μm高さまで形成した。回路幅は60μmとした。この上から、遮蔽層5としてFTO膜を400nmの厚さでSPD法により形成して、電極基板(i)とした。なお、電極基板(i)の断面形状は、特開2004-146425中の図2に示すものとなっていた。
電極基板(i)上に平均粒径25nmの酸化チタン分散液を塗布・乾燥し、450℃で1時間加熱・焼結した。これを表3に示す色素のエタノール溶液中に40分間浸漬して色素担持した。また本発明に用いられる色素の各種有機溶剤への溶解性について予備検討した。その結果、トルエンに溶解できることがわかったので、表4に記載の通り、トルエン溶液中に40分間浸透させ担持させたものも用意した。
50μm厚の熱可塑性ポリオレフィン樹脂シートを介して、白金スパッタFTO基板と上記基板を対向して配置し、樹脂シート部を熱溶融させて両極板を固定した。
なおあらかじめ白金スパッタ極側に開けておいた電解液の注液口から、0.5Mのヨウ化塩と0.05Mのヨウ素とを主成分に含むメトキシアセトニトリル溶液を注液し、電極間に満たした。さらに周辺部及び電解液注液口をエポキシ系封止樹脂で封止し、集電端子部に銀ペーストを塗布して、試験セル(i)とした。実験1と同様の方法で、AM1.5の疑似太陽光を試験セル(i)に照射し、変換効率を測定した。その結果を表3に示す。
50μm厚の熱可塑性ポリオレフィン樹脂シートを介して、白金スパッタFTO基板と上記基板を対向して配置し、樹脂シート部を熱溶融させて両極板を固定した。
なおあらかじめ白金スパッタ極側に開けておいた電解液の注液口から、0.5Mのヨウ化塩と0.05Mのヨウ素とを主成分に含むメトキシアセトニトリル溶液を注液し、電極間に満たした。さらに周辺部及び電解液注液口をエポキシ系封止樹脂で封止し、集電端子部に銀ペーストを塗布して、試験セル(i)とした。実験1と同様の方法で、AM1.5の疑似太陽光を試験セル(i)に照射し、変換効率を測定した。その結果を表3に示す。
(試験セル(iv))
試験セル(i)と同様の方法で、100×100mmのFTO膜付きガラス基板を用意した。そのFTOガラス基板上に、アディティブめっき法により金属配線層(金回路)を形成した。この金属配線層(金回路)は基板表面に格子状に形成し、回路幅50μm、回路厚5μmとした。この表面に、厚さ300nmのFTO膜を遮蔽層として、SPD法により形成して電極基板(iv)とした。電極基板(iv)の断面をSEM-EDXを用いて確認したところ、配線底部でめっきレジストの裾引きに起因すると思われる潜り込みがあり、影部分にはFTOが被覆されていなかった。
電極基板(iv)を用い、試験セル(i)と同様に、試験セル(iv)を作製した。実験1と同様の方法でAM1.5の疑似太陽光を照射し、変換効率を測定した。その変換効率の初期値の結果を表3に、変換効率として示す。
変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、80%以上90%未満のものを○○、60%以上80%未満のものを△、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、耐久性として表3に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
表3より、本発明の色素を用いた試験セルの変換効率は1%以上と、高い値を示した。また色素溶液に用いられる溶媒を適宜選択することにより、変換効率を高くでき、耐久性も合格レベルであった。色素溶液に用いられる溶媒として同じものを用いた場合でも、共役のカルボキシル基を有する場合は、さらに変換効率を高くすることができた。
これに対して、比較色素を用いた場合は、変換効率の初期値および耐久性が著しく低くなった。
試験セル(i)と同様の方法で、100×100mmのFTO膜付きガラス基板を用意した。そのFTOガラス基板上に、アディティブめっき法により金属配線層(金回路)を形成した。この金属配線層(金回路)は基板表面に格子状に形成し、回路幅50μm、回路厚5μmとした。この表面に、厚さ300nmのFTO膜を遮蔽層として、SPD法により形成して電極基板(iv)とした。電極基板(iv)の断面をSEM-EDXを用いて確認したところ、配線底部でめっきレジストの裾引きに起因すると思われる潜り込みがあり、影部分にはFTOが被覆されていなかった。
電極基板(iv)を用い、試験セル(i)と同様に、試験セル(iv)を作製した。実験1と同様の方法でAM1.5の疑似太陽光を照射し、変換効率を測定した。その変換効率の初期値の結果を表3に、変換効率として示す。
変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、80%以上90%未満のものを○○、60%以上80%未満のものを△、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、耐久性として表3に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
これに対して、比較色素を用いた場合は、変換効率の初期値および耐久性が著しく低くなった。
[実験4]
ペルオキソチタン酸及び酸化チタン微粒子を作製し、これを用いて酸化物半導体膜を作製した。これを用いて光電気化学電池を作製し、評価した。
(光電気化学電池(A)の作製)
(1)酸化物半導体膜形成用塗布液(A1)の調製
5gの水素化チタンを1リットルの純水に懸濁し、5質量%の過酸化水素液400gを30分かけて添加し、ついで80℃に加熱して溶解してペルオキソチタン酸の溶液を調製した。この溶液の全量から90容積%を分取し、濃アンモニア水を添加してpH9に調整し、オートクレーブに入れ、250℃で5時間、飽和蒸気圧下で水熱処理を行ってチタニアコロイド粒子(A2)を調製した。得られたチタニアコロイド粒子は、X線回折により結晶性の高いアナターゼ型酸化チタンであった。
ペルオキソチタン酸及び酸化チタン微粒子を作製し、これを用いて酸化物半導体膜を作製した。これを用いて光電気化学電池を作製し、評価した。
(光電気化学電池(A)の作製)
(1)酸化物半導体膜形成用塗布液(A1)の調製
5gの水素化チタンを1リットルの純水に懸濁し、5質量%の過酸化水素液400gを30分かけて添加し、ついで80℃に加熱して溶解してペルオキソチタン酸の溶液を調製した。この溶液の全量から90容積%を分取し、濃アンモニア水を添加してpH9に調整し、オートクレーブに入れ、250℃で5時間、飽和蒸気圧下で水熱処理を行ってチタニアコロイド粒子(A2)を調製した。得られたチタニアコロイド粒子は、X線回折により結晶性の高いアナターゼ型酸化チタンであった。
次に、上記で得られたチタニアコロイド粒子(A2)を10質量%まで濃縮し、前記ペルオキソチタン酸溶液を混合し、この混合液中のチタンをTiO2換算し、TiO2質量の30質量%となるように膜形成助剤としてヒドロキシプロピルセルロースを添加して半導体膜形成用塗布液(A1)を調製した。
(2)酸化物半導体膜(A3)の作製
次いで、フッ素ドープした酸化スズが電極層として形成された透明ガラス基板上に前記塗布液(A1)を塗布し、自然乾燥し、引き続き低圧水銀ランプを用いて6000mJ/cm2の紫外線を照射してペルオキソ酸を分解させ、塗膜を硬化させた。塗膜を300℃で30分間加熱してヒドロキシプロピルセルロースの分解およびアニーリングを行って酸化物半導体膜(A3)をガラス基板に形成した。
次いで、フッ素ドープした酸化スズが電極層として形成された透明ガラス基板上に前記塗布液(A1)を塗布し、自然乾燥し、引き続き低圧水銀ランプを用いて6000mJ/cm2の紫外線を照射してペルオキソ酸を分解させ、塗膜を硬化させた。塗膜を300℃で30分間加熱してヒドロキシプロピルセルロースの分解およびアニーリングを行って酸化物半導体膜(A3)をガラス基板に形成した。
(3)酸化物半導体膜(A3)への色素の吸着
次に、分光増感色素として本発明の色素の濃度3×10-4モル/Lのエタノール溶液を調製した。この色素溶液を100rpmスピナーで、金属酸化物半導体膜(A3)上へ塗布して乾燥した。この塗布および乾燥工程を5回行った。
次に、分光増感色素として本発明の色素の濃度3×10-4モル/Lのエタノール溶液を調製した。この色素溶液を100rpmスピナーで、金属酸化物半導体膜(A3)上へ塗布して乾燥した。この塗布および乾燥工程を5回行った。
(4)電解質溶液の調製
アセトニトリルと炭酸エチレンとの体積比が1:5の混合溶媒に、テトラプロピルアンモニウムアイオダイドを0.46モル/L、ヨウ素を0.07モル/リットルの濃度となるように溶解して電解質溶液を調製した。
アセトニトリルと炭酸エチレンとの体積比が1:5の混合溶媒に、テトラプロピルアンモニウムアイオダイドを0.46モル/L、ヨウ素を0.07モル/リットルの濃度となるように溶解して電解質溶液を調製した。
(5)光電気化学電池(A)の作製
(2)で作製した、色素を吸着させた酸化物半導体膜(A3)が形成されたガラス基板を一方の電極とし、他方の電極として、フッ素ドープした酸化スズを電極として形成した。その上に白金を担持した透明ガラス基板を対向して配置し、側面を樹脂にてシールし、電極間に(4)の電解質溶液を封入した。さらに電極間をリード線で接続して光電気化学電池(A)を作製した。
(2)で作製した、色素を吸着させた酸化物半導体膜(A3)が形成されたガラス基板を一方の電極とし、他方の電極として、フッ素ドープした酸化スズを電極として形成した。その上に白金を担持した透明ガラス基板を対向して配置し、側面を樹脂にてシールし、電極間に(4)の電解質溶液を封入した。さらに電極間をリード線で接続して光電気化学電池(A)を作製した。
(光電気化学電池(B)の作製)
紫外線を照射してペルオキソ酸を分解させ、膜を硬化させた後、Arガスのイオン照射(日新電気製:イオン注入装置、200eVで10時間照射)を行った以外は、酸化物半導体膜(A3)と同様にして酸化物半導体膜(B3)を形成した。
酸化物半導体膜(A3)と同様に、酸化物半導体膜(B3)に色素の吸着を行った。その後、光電気化学電池(A)と同様の方法で、光電気化学電池(B)を作製した。
紫外線を照射してペルオキソ酸を分解させ、膜を硬化させた後、Arガスのイオン照射(日新電気製:イオン注入装置、200eVで10時間照射)を行った以外は、酸化物半導体膜(A3)と同様にして酸化物半導体膜(B3)を形成した。
酸化物半導体膜(A3)と同様に、酸化物半導体膜(B3)に色素の吸着を行った。その後、光電気化学電池(A)と同様の方法で、光電気化学電池(B)を作製した。
(光電気化学電池(C)の作製)
18.3gの4塩化チタンを純水で希釈して、TiO2換算で1.0質量%含有する水溶液を得た。この水溶液を撹拌しながら、15質量%のアンモニア水を添加し、pH9.5の白色スラリーを得た。このスラリーを濾過洗浄し、TiO2換算で、10.2質量%の水和酸化チタンゲルのケーキを得た。このケーキと5質量%過酸化水素液400gを混合し、ついで80℃に加熱して溶解してペルオキソチタン酸の溶液を調製した。この溶液全量から90体積%を分取し、これに濃アンモニア水を添加してpH9に調整し、オートクレーブに入れ、250℃で5時間、飽和蒸気圧下で水熱処理を行ってチタニアコロイド粒子(C2)を調製した。
次に、上記で得られたペルオキソチタン酸溶液とチタニアコロイド粒子(C2)を使用して酸化物半導体膜(A3)と同様にして酸化物半導体膜(C3)を形成し、金属酸化物半導体膜(A3)と同様にして、分光増感色素として本発明の色素の吸着を行った。その後、光電気化学電池(A)と同様の方法で、光電気化学電池(C)を作製した。
18.3gの4塩化チタンを純水で希釈して、TiO2換算で1.0質量%含有する水溶液を得た。この水溶液を撹拌しながら、15質量%のアンモニア水を添加し、pH9.5の白色スラリーを得た。このスラリーを濾過洗浄し、TiO2換算で、10.2質量%の水和酸化チタンゲルのケーキを得た。このケーキと5質量%過酸化水素液400gを混合し、ついで80℃に加熱して溶解してペルオキソチタン酸の溶液を調製した。この溶液全量から90体積%を分取し、これに濃アンモニア水を添加してpH9に調整し、オートクレーブに入れ、250℃で5時間、飽和蒸気圧下で水熱処理を行ってチタニアコロイド粒子(C2)を調製した。
次に、上記で得られたペルオキソチタン酸溶液とチタニアコロイド粒子(C2)を使用して酸化物半導体膜(A3)と同様にして酸化物半導体膜(C3)を形成し、金属酸化物半導体膜(A3)と同様にして、分光増感色素として本発明の色素の吸着を行った。その後、光電気化学電池(A)と同様の方法で、光電気化学電池(C)を作製した。
(光電気化学電池(D)の作製)
18.3gの4塩化チタンを純水で希釈してTiO2換算で1.0質量%含有する水溶液を得た。これを撹拌しながら、15質量%のアンモニア水を添加し、pH9.5の白色スラリーを得た。このスラリーを濾過洗浄した後、純水に懸濁してTiO2として0.6質量%の水和酸化チタンゲルのスラリーとし、これに塩酸を加えてpH2とした後、オートクレーブに入れ、180℃で5時間、飽和蒸気圧下で水熱処理を行ってチタニアコロイド粒子(D2)を調製した。
18.3gの4塩化チタンを純水で希釈してTiO2換算で1.0質量%含有する水溶液を得た。これを撹拌しながら、15質量%のアンモニア水を添加し、pH9.5の白色スラリーを得た。このスラリーを濾過洗浄した後、純水に懸濁してTiO2として0.6質量%の水和酸化チタンゲルのスラリーとし、これに塩酸を加えてpH2とした後、オートクレーブに入れ、180℃で5時間、飽和蒸気圧下で水熱処理を行ってチタニアコロイド粒子(D2)を調製した。
次に、チタニアコロイド粒子(D2)を10質量%まで濃縮し、これに、TiO2に換算して、30質量%となるように膜形成助剤としてヒドロキシプロピルセルロースを添加して、半導体膜形成用塗布液を調製した。次いで、フッ素ドープした酸化スズが電極層として形成された透明ガラス基板上に、前記塗布液を塗布し、自然乾燥し、引き続き低圧水銀ランプを用いて6000mJ/cm2の紫外線を照射し、膜を硬化させた。さらに、300℃で30分間加熱してヒドロキシプロピルセルロースの分解およびアニーリングを行い、酸化物半導体膜(D3)を形成した。
次に、酸化物半導体膜(A3)と同様にして分光増感色素として、本発明の色素の吸着を行った。その後、光電気化学電池(A)と同様の方法で、光電気化学電池(D)を作製した。
光電気化学電池(A)~(D)について、擬似太陽光(AM1.5)を照射し、実験1と同様の方法で光電変換特性を測定し、変換効率を求めた。その変換効率の初期値の結果を表4に、変換効率として示す。変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価した。その値を耐久性として表5に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
これに対して、比較色素を用いた場合には、変換効率の初期値が合格レベルであるが、耐久性に問題があることがわかった。
[実験5]
方法を変えて酸化チタンの調製を行い、得られた酸化チタンから酸化物半導体膜を作製し、光電気化学電池とし、その評価を行った。
方法を変えて酸化チタンの調製を行い、得られた酸化チタンから酸化物半導体膜を作製し、光電気化学電池とし、その評価を行った。
(1)熱処理法による酸化チタンの調製
(酸化チタン1(ブルーカイト型)等)
市販のアナターゼ型酸化チタン(石原産業社製、商品名ST-01)を用い、これを約900℃に加熱してブルーカイト型の酸化チタンに変換し、さらに約1,200℃に加熱してルチル型の酸化チタンとした。それぞれ順に、比較酸化チタン1(アナターゼ型)、酸化チタン1(ブルーカイト型)、比較酸化チタン2(ルチル型)とする。
(酸化チタン1(ブルーカイト型)等)
市販のアナターゼ型酸化チタン(石原産業社製、商品名ST-01)を用い、これを約900℃に加熱してブルーカイト型の酸化チタンに変換し、さらに約1,200℃に加熱してルチル型の酸化チタンとした。それぞれ順に、比較酸化チタン1(アナターゼ型)、酸化チタン1(ブルーカイト型)、比較酸化チタン2(ルチル型)とする。
(2)湿式法による酸化チタンの合成
(酸化チタン2(ブルーカイト型))
蒸留水954mlを還流冷却器付きの反応槽に装入し、95℃に加温する。撹拌速度を約200rpmに保ちながら、この蒸留水に四塩化チタン(Ti含有量:16.3質量%、比重1.59、純度99.9%)水溶液46mlを約5.0ml/minの速度で反応槽に滴下した。このとき、反応液の温度が下がらないように注意した。その結果、四塩化チタン濃度が0.25mol/リットル(酸化チタン換算2質量%)であった。反応槽中では反応液が滴下直後から、白濁し始めたがそのままの温度で保持を続け、滴下終了後さらに昇温し沸点付近(104℃)まで加熱し、この状態で60分間保持して完全に反応を終了した。
(酸化チタン2(ブルーカイト型))
蒸留水954mlを還流冷却器付きの反応槽に装入し、95℃に加温する。撹拌速度を約200rpmに保ちながら、この蒸留水に四塩化チタン(Ti含有量:16.3質量%、比重1.59、純度99.9%)水溶液46mlを約5.0ml/minの速度で反応槽に滴下した。このとき、反応液の温度が下がらないように注意した。その結果、四塩化チタン濃度が0.25mol/リットル(酸化チタン換算2質量%)であった。反応槽中では反応液が滴下直後から、白濁し始めたがそのままの温度で保持を続け、滴下終了後さらに昇温し沸点付近(104℃)まで加熱し、この状態で60分間保持して完全に反応を終了した。
反応により、得られたゾルを濾過し、次いで60℃の真空乾燥器を用いて粉末とした。この粉末をX線回折法により定量分析した結果、(ブルーカイト型121面のピーク強度)/(三本が重なる位置でのピーク強度)比は0.38、(ルチル型のメインピーク強度)/(三本が重なる位置でのピーク強度)比は0.05であった。これらから求めると酸化チタンは、ブルーカイト型が約70.0質量%、ルチル型が約1.2質量%、アナターゼ型が約28.8質量%の結晶性であった。また、透過型電子顕微鏡でこの微粒子を観察したところ、1次粒子の平均粒径は0.015μmであった。
(酸化チタン3(ブルーカイト型))
三塩化チタン水溶液(Ti含有量:28質量%、比重1.5、純度99.9%)を蒸留水で希釈し、チタン濃度換算で0.25モル/Lの溶液とした。このとき、液温が上昇しないよう氷冷して、50℃以下に保った。次に、この溶液を還流冷却器付きの反応槽に500ml投入し、85℃に加温しながらオゾンガス発生装置から純度80%のオゾンガスを1L/minでバブリングし、酸化反応を行なった。この状態で2時間保持し、完全に反応を終了した。得られたゾルをろ過、真空乾燥し、粉末とした。この粉末をX線回折法により定量分析した結果、(ブルーカイト型121面のピーク強度)/(三本が重なる位置でのピーク強度)比は0.85、(ルチル型のメインピーク強度)/(三本が重なる位置でのピーク強度)比は0であった。これらから求めると二酸化チタンは、ブルーカイト型が約98質量%、ルチル型が0質量%、アナターゼ型が0質量%であり、約2%は無定形であった。また、透過型電子顕微鏡でこの微粒子を観察したところ、1次粒子の平均粒径は0.05μmであった。
三塩化チタン水溶液(Ti含有量:28質量%、比重1.5、純度99.9%)を蒸留水で希釈し、チタン濃度換算で0.25モル/Lの溶液とした。このとき、液温が上昇しないよう氷冷して、50℃以下に保った。次に、この溶液を還流冷却器付きの反応槽に500ml投入し、85℃に加温しながらオゾンガス発生装置から純度80%のオゾンガスを1L/minでバブリングし、酸化反応を行なった。この状態で2時間保持し、完全に反応を終了した。得られたゾルをろ過、真空乾燥し、粉末とした。この粉末をX線回折法により定量分析した結果、(ブルーカイト型121面のピーク強度)/(三本が重なる位置でのピーク強度)比は0.85、(ルチル型のメインピーク強度)/(三本が重なる位置でのピーク強度)比は0であった。これらから求めると二酸化チタンは、ブルーカイト型が約98質量%、ルチル型が0質量%、アナターゼ型が0質量%であり、約2%は無定形であった。また、透過型電子顕微鏡でこの微粒子を観察したところ、1次粒子の平均粒径は0.05μmであった。
(光電気化学電池の作製および評価)
上記の方法で調製した酸化チタン1~3を半導体として特開2000-340269号公報記載の図1に示す構成の光電変換素子を用いた光電気化学電池を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にフッ素ドープの酸化スズをコートし、導電性透明電極とした。電極面上にそれぞれの酸化チタン粒子を原料としたペーストを作成し、バーコート法で厚さ50μmに塗布した後、500℃で焼成して膜厚約20μmの薄層を形成した。
上記の方法で調製した酸化チタン1~3を半導体として特開2000-340269号公報記載の図1に示す構成の光電変換素子を用いた光電気化学電池を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にフッ素ドープの酸化スズをコートし、導電性透明電極とした。電極面上にそれぞれの酸化チタン粒子を原料としたペーストを作成し、バーコート法で厚さ50μmに塗布した後、500℃で焼成して膜厚約20μmの薄層を形成した。
溶媒としてエタノールを用いて、3×10-4Mの色素溶液を調製して、これに上記の酸化チタンの薄層を形成したガラス基板を浸漬し、12時間室温で保持した。その結果、酸化チタンの薄層上にこれらの色素を吸着させた。
電解液としてテトラプロピルアンモニウムのヨウ素塩とヨウ化リチウムのアセトニトリル溶液を用い、白金を対極として特開2000-340269号公報の図1に示す構成を有する光電変換素子を作製した。光電変換は160Wの高圧水銀ランプの光(フィルターで赤外線部をカット)を上記の素子に照射し、実験1と同様の方法で変換効率の初期値を測定した。その結果を変換効率として表5に示す。
変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価した。その結果を耐久性として表5に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
表5からわかるように、本発明の色素を用いた場合、異なる酸化チタンを用いた場合でも、変換効率の初期値が高くなり、耐久性も合格レベルであることがわかった。これに対して、比較色素を用いた場合は、変換効率の初期値および耐久性がいずれも不合格であった。
変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価した。その結果を耐久性として表5に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
[実験6]
粒径の異なる酸化チタンを用いて、半導体微粒子が分散したペーストを作製した。これを用いて光電気化学電池を作製し、その特性を評価した。
粒径の異なる酸化チタンを用いて、半導体微粒子が分散したペーストを作製した。これを用いて光電気化学電池を作製し、その特性を評価した。
[ペーストの調製]
(ペースト1)
球形のTiO2粒子(アナターゼ型、平均粒径;25nm、以下、球形TiO2粒子1という)とを硝酸溶液に入れて撹拌することによりチタニアスラリーを調製した。次に、チタニアスラリーに増粘剤としてセルロース系バインダーを加え、混練してペーストを調製した。
(ペースト1)
球形のTiO2粒子(アナターゼ型、平均粒径;25nm、以下、球形TiO2粒子1という)とを硝酸溶液に入れて撹拌することによりチタニアスラリーを調製した。次に、チタニアスラリーに増粘剤としてセルロース系バインダーを加え、混練してペーストを調製した。
(ペースト2)
球形TiO2粒子1と、球形のTiO2粒子(アナターゼ型、平均粒径;200nm、以下、球形TiO2粒子2という)とを硝酸溶液に入れて撹拌することによりチタニアスラリーを調製した。次に、チタニアスラリーに増粘剤としてセルロース系バインダーを加え、混練してペースト(TiO2粒子1の質量:TiO2粒子2の質量=30:70)を調製した。
球形TiO2粒子1と、球形のTiO2粒子(アナターゼ型、平均粒径;200nm、以下、球形TiO2粒子2という)とを硝酸溶液に入れて撹拌することによりチタニアスラリーを調製した。次に、チタニアスラリーに増粘剤としてセルロース系バインダーを加え、混練してペースト(TiO2粒子1の質量:TiO2粒子2の質量=30:70)を調製した。
(ペースト3)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ型、直径;100nm、アスペクト比;5、以下、棒状TiO2粒子1という)を混合し、棒状TiO2粒子1の質量:ペースト1の質量=10:90のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ型、直径;100nm、アスペクト比;5、以下、棒状TiO2粒子1という)を混合し、棒状TiO2粒子1の質量:ペースト1の質量=10:90のペーストを調製した。
(ペースト4)
ペースト1に、棒状TiO2粒子1を混合し、棒状TiO2粒子1の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状TiO2粒子1を混合し、棒状TiO2粒子1の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト5)
ペースト1に、棒状TiO2粒子1を混合し、棒状TiO2粒子1の質量:ペースト1の質量=50:50のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状TiO2粒子1を混合し、棒状TiO2粒子1の質量:ペースト1の質量=50:50のペーストを調製した。
(ペースト6)
ペースト1に、板状のマイカ粒子(直径;100nm、アスペクト比;6、以下、板状マイカ粒子1という)を混合し、板状マイカ粒子1の質量:ペースト1の質量=20:80のペーストを調製した。
ペースト1に、板状のマイカ粒子(直径;100nm、アスペクト比;6、以下、板状マイカ粒子1という)を混合し、板状マイカ粒子1の質量:ペースト1の質量=20:80のペーストを調製した。
(ペースト7)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;30nm、アスペクト比;6.3、以下、棒状TiO2粒子2という)を混合し、棒状TiO2粒子2の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;30nm、アスペクト比;6.3、以下、棒状TiO2粒子2という)を混合し、棒状TiO2粒子2の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト8)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;50nm、アスペクト比;6.1、以下、棒状TiO2粒子3という)を混合し、棒状TiO2粒子3の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;50nm、アスペクト比;6.1、以下、棒状TiO2粒子3という)を混合し、棒状TiO2粒子3の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト9)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;75nm、アスペクト比;5.8、以下、棒状TiO2粒子4という)を混合し、棒状TiO2粒子4の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;75nm、アスペクト比;5.8、以下、棒状TiO2粒子4という)を混合し、棒状TiO2粒子4の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト10)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;130nm、アスペクト比;5.2、以下、棒状TiO2粒子5という)を混合し、棒状TiO2粒子5の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;130nm、アスペクト比;5.2、以下、棒状TiO2粒子5という)を混合し、棒状TiO2粒子5の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト11)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;180nm、アスペクト比;5、以下、棒状TiO2粒子6という)を混合し、棒状TiO2粒子6の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;180nm、アスペクト比;5、以下、棒状TiO2粒子6という)を混合し、棒状TiO2粒子6の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト12)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;240nm、アスペクト比;5、以下、棒状TiO2粒子7という)を混合し、棒状TiO2粒子7の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;240nm、アスペクト比;5、以下、棒状TiO2粒子7という)を混合し、棒状TiO2粒子7の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト13)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;110nm、アスペクト比;4.1、以下、棒状TiO2粒子8という)を混合し、棒状TiO2粒子8の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;110nm、アスペクト比;4.1、以下、棒状TiO2粒子8という)を混合し、棒状TiO2粒子8の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(ペースト14)
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;105nm、アスペクト比;3.4、以下、棒状TiO2粒子9という)を混合し、棒状TiO2粒子9の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
ペースト1に、棒状のTiO2粒子(アナターゼ、直径;105nm、アスペクト比;3.4、以下、棒状TiO2粒子9という)を混合し、棒状TiO2粒子9の質量:ペースト1の質量=30:70のペーストを調製した。
(光電気化学電池1)
以下に示す手順により、特開2002-289274号公報の図5に記載の光電極12と同様の構成を有する光電極を作製し、更に、光電極を用いて、当該光電極以外は色素増感型太陽電池20と同様の構成を有する10×10mmのスケールの光電気化学電池1を作製した。
以下に示す手順により、特開2002-289274号公報の図5に記載の光電極12と同様の構成を有する光電極を作製し、更に、光電極を用いて、当該光電極以外は色素増感型太陽電池20と同様の構成を有する10×10mmのスケールの光電気化学電池1を作製した。
ガラス基板上にフッ素ドープされたSnO2導電膜(膜厚;500nm)を形成した透明電極を準備した。
このSnO2導電膜上に、上記のペースト2をスクリーン印刷し、次いで乾燥させた。その後、空気中、450℃の条件のもとで焼成した。更に、ペースト4を用いてこのスクリーン印刷と焼成とを繰り返すことにより、SnO2導電膜上に上記特許文献の図5に示す半導体電極2と同様の構成の半導体電極(受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;6μm、光散乱層の層厚;4μm、光散乱層に含有される棒状TiO2粒子1の含有率;30質量%)を形成し、増感色素を含有していない光電極を作製した。
このSnO2導電膜上に、上記のペースト2をスクリーン印刷し、次いで乾燥させた。その後、空気中、450℃の条件のもとで焼成した。更に、ペースト4を用いてこのスクリーン印刷と焼成とを繰り返すことにより、SnO2導電膜上に上記特許文献の図5に示す半導体電極2と同様の構成の半導体電極(受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;6μm、光散乱層の層厚;4μm、光散乱層に含有される棒状TiO2粒子1の含有率;30質量%)を形成し、増感色素を含有していない光電極を作製した。
次に、半導体電極に色素を以下のようにして吸着させた。まずマグネシウムエトキシドで脱水した無水エタノールを溶媒として、これに表6記載の色素のそれぞれの濃度が3×10-4mol/Lとなるように溶解し、色素溶液を調製した。次に、この溶液に半導体電極を浸漬し、これにより、半導体電極に色素が全量で約1.5×10-7mol/cm2吸着し、光電極10を完成させた。
次に、対極として上記の光電極と同様の形状と大きさを有する白金電極(Pt薄膜の厚さ;100nm)、電解質Eとして、ヨウ素及びヨウ化リチウムを含むヨウ素系レドックス溶液を調製した。更に、半導体電極の大きさに合わせた形状を有するデュポン社製のスペーサS(商品名:「サーリン」)を準備し、特開2002-289274号公報の図3に示すように、光電極10と対極CEとスペーサSを介して対向させ、内部に上記の電解質を充填して光電気化学電池1を完成させた。
(光電気化学電池2)
半導体電極の製造を以下のようにして行ったこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により特開2002-289274号公報記載の図1に示した光電極10を作製し、特開2002-289274号公報記載の図3に示した色素増感型太陽電池20と同様の構成を有する光電気化学電池2を作製した。
半導体電極の製造を以下のようにして行ったこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により特開2002-289274号公報記載の図1に示した光電極10を作製し、特開2002-289274号公報記載の図3に示した色素増感型太陽電池20と同様の構成を有する光電気化学電池2を作製した。
ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用した。そして、SnO2導電膜上に、ペースト2をスクリーン印刷し、次いで乾燥させた。その後、空気中、450℃の条件のもとで焼成し、半導体層を形成した。
ペースト3を光散乱層の最内部の層形成用ペーストとして使用した。また、ペースト5を光散乱層の最外部の層形成用ペーストとして使用した。そして、光電気化学電池1と同様にして半導体層上に光散乱層を形成した。
そして、SnO2導電膜上に、特開2002-289274号公報記載の図1に示す半導体電極2と同様の構成の半導体電極(受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;3μm、最内部の層の層厚;4μm、最内部の層に含有される棒状TiO2粒子1の含有率;10質量%、最外部の層の層厚;3μm、最内部の層に含有される棒状TiO2粒子1の含有率;50質量%)を形成し、増感色素を含有していない光電極を作製した。光電気化学電池1と同様に、光電極と対極CEとスペーサSを介して対向させ、内部に上記の電解質を充填して光電気化学電池2を完成させた。
(光電気化学電池3)
半導体電極の製造に際して、ペースト1を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト4を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により、特開2002-289274号公報の図5に示した光電極10を作製し、特開2002-289274号公報記載の図3に示した光電気化学電池20と同様の構成を有する光電気化学電池3を作製した。
なお、半導体電極は、受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;5μm、光散乱層の層厚;5μm、光散乱層に含有される棒状TiO2粒子1の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト1を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト4を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により、特開2002-289274号公報の図5に示した光電極10を作製し、特開2002-289274号公報記載の図3に示した光電気化学電池20と同様の構成を有する光電気化学電池3を作製した。
なお、半導体電極は、受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;5μm、光散乱層の層厚;5μm、光散乱層に含有される棒状TiO2粒子1の含有率;30質量%であった。
(光電気化学電池4)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト6を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により図5に示した光電極10及び特開2002-289274記載の図3に示した光電気化学電池20と同様の構成を有する光電極及び光電気化学電池4を作製した。なお、半導体電極は、受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;6.5μm、光散乱層の層厚;3.5μm、光散乱層に含有される板状マイカ粒子1の含有率;20質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト6を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により図5に示した光電極10及び特開2002-289274記載の図3に示した光電気化学電池20と同様の構成を有する光電極及び光電気化学電池4を作製した。なお、半導体電極は、受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;6.5μm、光散乱層の層厚;3.5μm、光散乱層に含有される板状マイカ粒子1の含有率;20質量%であった。
(光電気化学電池5)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト8を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池5を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子3の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト8を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池5を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子3の含有率;30質量%であった。
(光電気化学電池6)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト9を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池6を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子4の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト9を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池6を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子4の含有率;30質量%であった。
(光電気化学電池7)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト10を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池7を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子5の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト10を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池7を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子5の含有率;30質量%であった。
(光電気化学電池8)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト11を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池8を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子6の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト11を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池8を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子6の含有率;30質量%であった。
(光電気化学電池9)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト13を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池9を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子8の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト13を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池9を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子8の含有率;30質量%であった。
(光電気化学電池10)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト14を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池10を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子9の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト14を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池10を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子9の含有率;30質量%であった。
(光電気化学電池11)
半導体電極の製造に際して、ペースト2のみを用いて半導体層のみからなる半導体電極(受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、)を作製したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池11を作製した。
半導体電極の製造に際して、ペースト2のみを用いて半導体層のみからなる半導体電極(受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、)を作製したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電気化学電池11を作製した。
(電気化学電池12)
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト7を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電極及び比較光電気化学電池12を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子2の含有率;30質量%であった。
半導体電極の製造に際して、ペースト2を半導体層形成用ペーストとして使用し、ペースト7を光散乱層形成用ペーストとして使用したこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順により光電極及び比較光電気化学電池12を作製した。なお、半導体電極の光散乱層に含有される棒状TiO2粒子2の含有率;30質量%であった。
[特性の試験及び評価]
光電気化学電池1~12について、ソーラーシミュレータ(WACOM製、WXS-85H(商品名))を用いて、AM1.5フィルターを通したキセノンランプから1000W/m2の疑似太陽光を照射した。I-Vテスターを用いて電流-電圧特性を測定し、変換効率の初期値を求めた。その結果を表6に示す。
変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、その結果を表6に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
光電気化学電池1~12について、ソーラーシミュレータ(WACOM製、WXS-85H(商品名))を用いて、AM1.5フィルターを通したキセノンランプから1000W/m2の疑似太陽光を照射した。I-Vテスターを用いて電流-電圧特性を測定し、変換効率の初期値を求めた。その結果を表6に示す。
変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、その結果を表6に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
これに対して、比較色素を用いた場合には、ほとんどの光電気化学電池で変換効率の初期値で合格レベルに到達しなかった。なお、Feの原子半径は116pmである。
[実験7A]
金属酸化物微粒子に金属アルコキシドを加えスラリー状としたものを導電性基板に塗布し、その後、UVオゾン照射、UV照射又は乾燥を行い、電極を作製した。その後、光電気化学電池を作製し、変換効率を測定した。
金属酸化物微粒子に金属アルコキシドを加えスラリー状としたものを導電性基板に塗布し、その後、UVオゾン照射、UV照射又は乾燥を行い、電極を作製した。その後、光電気化学電池を作製し、変換効率を測定した。
(金属酸化物微粒子)
金属酸化物微粒子としては、酸化チタンを用いた。酸化チタンは、質量比で、30%ルチル型及び70%アナターゼ型、平均粒径25nmのP25粉末(Degussa社製、商品名)を用いた。
金属酸化物微粒子としては、酸化チタンを用いた。酸化チタンは、質量比で、30%ルチル型及び70%アナターゼ型、平均粒径25nmのP25粉末(Degussa社製、商品名)を用いた。
(金属酸化物微粒子粉末の前処理)
金属酸化物微粒子をあらかじめ熱処理することで表面の有機物と水分を除去した。酸化チタン微粒子の場合は450℃のオーブンで大気下、30分間加熱した。
金属酸化物微粒子をあらかじめ熱処理することで表面の有機物と水分を除去した。酸化チタン微粒子の場合は450℃のオーブンで大気下、30分間加熱した。
(金属酸化物微粒子に含まれる水分量の測定)
温度26℃、湿度72%の環境に保存しておいた酸化チタン、P25粉末(Degussa社製、商品名)に含まれる水分量を、熱重量測定における重量減少、及び300℃に加熱したときに脱着した水分量のカールフィッシャー滴定により定量した。
温度26℃、湿度72%の環境に保存しておいた酸化チタン、P25粉末(Degussa社製、商品名)に含まれる水分量を、熱重量測定における重量減少、及び300℃に加熱したときに脱着した水分量のカールフィッシャー滴定により定量した。
酸化チタン、P25粉末(Degussa社製、商品名)を300℃で加熱したときに脱着する水分量をカールフィッシャー滴定によって定量したところ、0.1033gの酸化チタン微粉末中に0.253mgの水が含まれていた。すなわち、酸化チタン微粉末は約2.5質量%の水分を含んでいた。30分間熱処理し、冷却後デシケーター中に保存して用いた。
(金属アルコキシドペーストの調製)
金属酸化物微粒子を結合する役割をする金属アルコキシドとしては、チタン原料としてはチタン(IV)テトライソプロポキシド(TTIP)、ジルコニウム原料としてはジルコニウム(IV)テトラn-プロポキシド、ニオブ原料としてはニオブ(V)ペンタエトキシド(全てAldrich社製)をそれぞれ用いた。
金属酸化物微粒子を結合する役割をする金属アルコキシドとしては、チタン原料としてはチタン(IV)テトライソプロポキシド(TTIP)、ジルコニウム原料としてはジルコニウム(IV)テトラn-プロポキシド、ニオブ原料としてはニオブ(V)ペンタエトキシド(全てAldrich社製)をそれぞれ用いた。
金属酸化物微粒子と金属アルコキシドのモル濃度比は、金属アルコキシドの加水分解によって生じるアモルファス層が過度に厚くならず、かつ粒子同士の結合が十分行えるように、金属酸化物微粒子径に応じて適宜調節した。なお、金属アルコキシドはすべて、0.1Mのエタノール溶液とした。酸化チタン微粒子とチタン(IV)テトライソプロポキシド(TTIP)とを混合する場合には、酸化チタン微粒子1gに対し、3.55gの0.1M TTIP溶液を混合した。このとき、得られたペースト中の酸化チタン濃度は約22質量%となり、塗布に適当な粘度となった。また、このときの酸化チタンとTTIPとエタノールは、質量比で1:0.127:3.42、モル比で1:0.036:5.92であった。
同様に、酸化チタン微粒子とTTIP以外のアルコキシドの混合ペーストについても微粒子濃度が22質量%となるように調製した。酸化亜鉛及び酸化スズ微粒子を用いたペーストでは16質量%とした。酸化亜鉛及び酸化スズの場合は、金属酸化物微粒子1gに対して、金属アルコキシド溶液5.25gの比で混合した。
金属酸化物微粒子と金属アルコキシド溶液は、密閉容器中においてマグネチックスターラーによって2時間攪拌して均一なペーストを得た。導電性基板へのペーストの塗布方法は、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法などを用いることが可能であり、適当なペースト粘度は塗布方法によって適宜選択した。ここでは簡便にガラス棒で塗布する方法(ドクターブレード法に類似)を用いた。この場合、適当なペースト粘度を与える金属酸化物微粒子の濃度は概ね5~30質量%の範囲となった。
金属アルコキシドの分解によって生成するアモルファス金属酸化物の厚さは本実験では0.1~0.6nm程度の範囲にあり、適切な範囲の厚さとすることができた。
(導電性基板上へのペーストの塗布と風乾処理)
スズドープ酸化インジウム(ITO)導電膜付きポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム基板(20Ω/cm2)又はフッ素ドープ酸化スズ(FTO)導電膜付きガラス基板(10Ω/cm2)に、スペーサとして粘着テープ2枚を一定間隔で平行に貼り付け、上記の方法に従って調製した各ペーストを、ガラス棒を用いて均一に塗布した。
ペーストを塗布後、色素吸着前に、UVオゾン処理、UV照射処理、又は乾燥処理の有無について条件を変えて多孔質膜を作製した。
スズドープ酸化インジウム(ITO)導電膜付きポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム基板(20Ω/cm2)又はフッ素ドープ酸化スズ(FTO)導電膜付きガラス基板(10Ω/cm2)に、スペーサとして粘着テープ2枚を一定間隔で平行に貼り付け、上記の方法に従って調製した各ペーストを、ガラス棒を用いて均一に塗布した。
ペーストを塗布後、色素吸着前に、UVオゾン処理、UV照射処理、又は乾燥処理の有無について条件を変えて多孔質膜を作製した。
(乾燥処理)
導電性基板へ塗布した後の膜を大気中室温において2分程度で風乾した。この過程でペースト中の金属アルコキシドが大気中の水分によって加水分解を受け、Tiアルコキシド、Zrアルコキシド、Nbアルコキシドからそれぞれアモルファスの酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブが形成された。
生成したアモルファス金属酸化物が、金属酸化物微粒子同士及び膜と導電性基板を接着する役割を果たすため、風乾するのみで機械的強度と付着性に優れた多孔質膜が得られた。
導電性基板へ塗布した後の膜を大気中室温において2分程度で風乾した。この過程でペースト中の金属アルコキシドが大気中の水分によって加水分解を受け、Tiアルコキシド、Zrアルコキシド、Nbアルコキシドからそれぞれアモルファスの酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブが形成された。
生成したアモルファス金属酸化物が、金属酸化物微粒子同士及び膜と導電性基板を接着する役割を果たすため、風乾するのみで機械的強度と付着性に優れた多孔質膜が得られた。
(UVオゾン処理)
UVオゾン処理には日本レーザー電子社製のNL-UV253 UVオゾンクリーナーを用いた。UV光源には185nmと254nmに輝線を持つ4.5W水銀ランプ3個を備えており、試料を光源から約6.5センチの距離に水平に配置した。チャンバー中に酸素気流を導入することでオゾンが発生する。本実施例においてはこのUVオゾン処理を2時間行なった。なお、このUVオゾン処理によるITO膜及びFTO膜の導電性の低下は全く見られなかった。
UVオゾン処理には日本レーザー電子社製のNL-UV253 UVオゾンクリーナーを用いた。UV光源には185nmと254nmに輝線を持つ4.5W水銀ランプ3個を備えており、試料を光源から約6.5センチの距離に水平に配置した。チャンバー中に酸素気流を導入することでオゾンが発生する。本実施例においてはこのUVオゾン処理を2時間行なった。なお、このUVオゾン処理によるITO膜及びFTO膜の導電性の低下は全く見られなかった。
(UV処理)
チャンバー中を窒素置換して処理を行う以外は同様に、前記UVオゾン処理と同様に、2時間処理を行った。このUV処理によるITO膜及びFTO膜の導電性の低下はまったく見られなかった。
チャンバー中を窒素置換して処理を行う以外は同様に、前記UVオゾン処理と同様に、2時間処理を行った。このUV処理によるITO膜及びFTO膜の導電性の低下はまったく見られなかった。
(色素吸着)
色素には表7記載の色素を用いて、各色素の0.5mMのエタノール溶液を調製した。本実験では上記のプロセスで作製した多孔質膜を100℃のオーブンで1時間乾燥した後に増感色素の溶液に浸漬し、そのまま室温で50分間放置して酸化チタン表面に色素を吸着させた。色素吸着後の試料はエタノールで洗浄し、風乾した。
色素には表7記載の色素を用いて、各色素の0.5mMのエタノール溶液を調製した。本実験では上記のプロセスで作製した多孔質膜を100℃のオーブンで1時間乾燥した後に増感色素の溶液に浸漬し、そのまま室温で50分間放置して酸化チタン表面に色素を吸着させた。色素吸着後の試料はエタノールで洗浄し、風乾した。
(光電気化学電池の作製と電池特性評価)
色素吸着後の多孔質膜が形成された導電性基板を光電極とし、これと白金微粒子をスパッタリングにより修飾したITO/PETフィルム又はFTO/ガラス対極を対向させて、光電気化学電池を試作した。上記光電極の実効面積は約0.2cm2とした。電解質溶液には0.5MのLiI,0.05MのI2,0.5Mのt-ブチルピリジンを含む3-メトキシプロピオニトリルを用い、毛管現象によって両電極間のギャップに導入した。
色素吸着後の多孔質膜が形成された導電性基板を光電極とし、これと白金微粒子をスパッタリングにより修飾したITO/PETフィルム又はFTO/ガラス対極を対向させて、光電気化学電池を試作した。上記光電極の実効面積は約0.2cm2とした。電解質溶液には0.5MのLiI,0.05MのI2,0.5Mのt-ブチルピリジンを含む3-メトキシプロピオニトリルを用い、毛管現象によって両電極間のギャップに導入した。
電池性能の評価は、一定フォトン数(1016cm-2)照射下での光電流作用スペクトル測定及びAM1.5擬似太陽光(100mW/cm2)照射下でのI-V測定により行なった。これらの測定には分光計器社製のCEP-2000型分光感度測定装置を用いた。得られた変換効率を表7Aに示す。
変換効率が2.0%以上のものを◎、0.8%以上2.0%未満のものを○、0.3%以上0.8%未満のものを△、0.3%未満のものを×として表示し、変換効率が0.8%以上のものを合格とし、0.3%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、この結果を表7に耐久性として示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
変換効率が2.0%以上のものを◎、0.8%以上2.0%未満のものを○、0.3%以上0.8%未満のものを△、0.3%未満のものを×として表示し、変換効率が0.8%以上のものを合格とし、0.3%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、この結果を表7に耐久性として示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
表7Aにおいて、「UVオゾン」、「UV」、「乾燥」の欄はそれぞれ、多孔質膜の形成後、増感色素吸着前における、UVオゾン処理、UV照射処理、乾燥処理の有無を表す。処理したものが「○」であり、処理なしのものが「×」である。
表7Aの「酸化チタンの前処理」の欄は、酸化チタン微粒子の前処理(450℃のオーブンで30分間熱処理)の有無を示す。試料6、14、22は、高TTIP濃度(酸化チタン:TTIPのモル比が1:0.356)のペーストを用いた試料を表す。他の試料(試料1~5,7~13,23,24)は全て酸化チタン:TTIP=1:0.0356のペーストを用いた。
表7Aからわかるように、本発明の色素を用いた光電気化学電池は、多孔質膜の形成後、増感色素吸着前における、UVオゾン処理、UV照射処理、乾燥処理の有無にかかわらず、合格レベルの変換効率が得られることがわかった。さらに500時間経過後の変換効率が初期値の60%以上と、優れた耐久性を示した。
これに対して、比較色素を用いた場合には、変換効率の初期値が合格レベルのものもあるが、耐久性に問題があることがわかった。
これに対して、比較色素を用いた場合には、変換効率の初期値が合格レベルのものもあるが、耐久性に問題があることがわかった。
[実験7B]
(光電気化学電池の作製)
下記の表7Bに記載された色素(XF)と併用する色素を含むエタノール溶液を作製した。色素(XF)の濃度は、0.25モル/Lとし、併用する色素の濃度は、0.25 モル/Lとした。それ以外は、実験7Aと同様の方法で、光電気化学電池を作製した。
(光電気化学電池の作製)
下記の表7Bに記載された色素(XF)と併用する色素を含むエタノール溶液を作製した。色素(XF)の濃度は、0.25モル/Lとし、併用する色素の濃度は、0.25 モル/Lとした。それ以外は、実験7Aと同様の方法で、光電気化学電池を作製した。
(光電変換効率の測定)
上記の方法で作製した光電気化学電池について、実験7Aと同様の方法で光電変換特性を測定し、実験7Aと同様の方法でその性能について評価した。その結果を表7Bに示す。
上記の方法で作製した光電気化学電池について、実験7Aと同様の方法で光電変換特性を測定し、実験7Aと同様の方法でその性能について評価した。その結果を表7Bに示す。
[実験8]
溶媒としてアセトニトリルを用い、ヨウ化リチウム0.1mol/L、ヨウ素0.05mol/L、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウム0.62mol/Lを溶解した電解質溶液を調製した。ここに下記に示すNo.1~No.8のベンズイミダゾール系化合物をそれぞれ濃度0.5mol/Lになるように別々に添加し、溶解した。
溶媒としてアセトニトリルを用い、ヨウ化リチウム0.1mol/L、ヨウ素0.05mol/L、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウム0.62mol/Lを溶解した電解質溶液を調製した。ここに下記に示すNo.1~No.8のベンズイミダゾール系化合物をそれぞれ濃度0.5mol/Lになるように別々に添加し、溶解した。
No.1~No.8のベンズイミダゾール系化合物電解液を、導電性ガラスに表8記載の色素を担持した多孔質酸化チタン半導体薄膜(厚さ15μm)に滴下した。ここにポリエチレンフィルム製のフレーム型スペーサー(厚さ25μm)をのせ、白金対電極でこれを覆い、光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子に、Xeランプを光源として強度100mW/cm2の光を照射した。表9に得られた開放電圧と光電変換効率を示す。
得られた光電変換素子に、Xeランプを光源として強度100mW/cm2の光を照射した。表9に得られた開放電圧と光電変換効率を示す。
(結果の評価)
(i)開放電圧は、7.0V以上のものを◎、6.5V以上7.0V未満のものを○、6.0V以上6.5V未満のものを△、6.0V未満のものを×として表示し、6.5V以上を合格とした。
(ii)変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、その結果を耐久性として表8に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
なお、表8には、ベンズイミダゾール系化合物を加えていない電解液を用いた光電変換素子の結果も示した。
(i)開放電圧は、7.0V以上のものを◎、6.5V以上7.0V未満のものを○、6.0V以上6.5V未満のものを△、6.0V未満のものを×として表示し、6.5V以上を合格とした。
(ii)変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。また、変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が90%以上のものを◎、60%以上90%未満のものを○、40%以上60%未満のものを△、40%未満のものを×として評価し、その結果を耐久性として表8に示す。変換効率の初期値に対し500時間後の変換効率が60%以上のものを合格とし、60%未満のものを不合格とした。
なお、表8には、ベンズイミダゾール系化合物を加えていない電解液を用いた光電変換素子の結果も示した。
これに対して、比較色素を用いた場合には、開放電圧と変換効率の初期値は合格レベルであるが、耐久性に問題があることがわかった。
[実験9]
(光電気化学電池1)
以下に示す手順により、特開2004-152613号公報の図1に示した光電極10と同様の構成を有する光電極(ただし、半導体電極2を2層構造とした。)を作製し、更に、この光電極を用いた以外は特開2004-152613号公報の図1に示した色素増感型太陽電池20と同様の構成を有する光電気化学電池(半導体電極2の受光面F2の面積:1cm2)を作製した。なお、当該2層構造を有する半導体電極2の各層について、透明電極1に近い側に配置される層を「第1の層」、多孔体層PSに近い側に配置される層を「第2の層」という。
(光電気化学電池1)
以下に示す手順により、特開2004-152613号公報の図1に示した光電極10と同様の構成を有する光電極(ただし、半導体電極2を2層構造とした。)を作製し、更に、この光電極を用いた以外は特開2004-152613号公報の図1に示した色素増感型太陽電池20と同様の構成を有する光電気化学電池(半導体電極2の受光面F2の面積:1cm2)を作製した。なお、当該2層構造を有する半導体電極2の各層について、透明電極1に近い側に配置される層を「第1の層」、多孔体層PSに近い側に配置される層を「第2の層」という。
まず、平均粒子径25nmのP25粉末(Degussa社製、商品名)と、これと粒子径の異なる酸化チタン粒子、P200粉末(平均粒子径:200nm、Degussa社製、商品名)とを用い、P25とP200の合計の含有量が15質量%で、P25とP200との質量比が、P25:P200=30:70となるように、これらにアセチルアセトン、イオン交換水、界面活性剤(東京化成社製、商品名;「Triton-X」)を加え、混練して第2の層形成用のスラリー、以下、「スラリー1」とする)を調製した。
次に、P200を使用せず、P25のみを使用したこと以外は、前述のスラリー1と同様の調製手順により第1の層形成用のスラリー(P1の含有量;15質量%、以下、「スラリー2」とする)を調製した。
次に、P200を使用せず、P25のみを使用したこと以外は、前述のスラリー1と同様の調製手順により第1の層形成用のスラリー(P1の含有量;15質量%、以下、「スラリー2」とする)を調製した。
一方、ガラス基板(透明導電性ガラス)上に、フッ素ドープされたSnO2導電膜(膜厚:700nm)を形成した透明電極(厚さ:1.1mm)を準備した。そして、このSnO2導電膜上に、上述のスラリー2をバーコーダで塗布し、次いで乾燥させた。その後、大気中、450℃で30分間焼成した。このようにして、透明電極上に、半導体電極2の第1の層を形成した。
更に、スラリー1を用いて、上述と同様の塗布と焼成とを繰り返すことにより、第1の層上に、第2の層を形成した。このようにして、SnO2導電膜上に半導体電極2(受光面の面積;1.0cm2、第1層と第2層の合計厚さ:10μm(第1の層の厚さ:3μm、第2の層の厚さ:7μm))を形成し、増感色素を含有していない状態の光電極10を作製した。
次に、色素として表9記載の色素のエタノール溶液(各増感色素の濃度;3×10-4mol/L)を調製した。この溶液に前記光電極10を浸漬し、80℃の温度条件のもとで20時間放置した。これにより、半導体電極の内部に増感色素を合計で約1.0×10-7mol/cm2吸着させた。
次に、上記の光電極と同様の形状と大きさを有する対極CEを作製した。先ず、透明導電性ガラス上に、塩化白金酸六水和物のイソプロパノール溶液を滴下し、大気中で乾燥した後に450℃で30分焼成処理することにより、白金焼結対極CEを得た。なお、この対極CEには予め電解質Eの注入用の孔(直径1mm)を設けておいた。
次に、溶媒となるメトキシアセトニトリルに、ヨウ化亜鉛と、ヨウ化-1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムと、ヨウ素と、4-tert-ブチルピリジンとを溶解させて液状電解質(ヨウ化亜鉛の濃度:10mmol/L、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウムの濃度:0.6mol/L、ヨウ素の濃度:0.05mol/L、4-tert-ブチルピリジン濃度:1mol/L)を調製した。
次に、半導体電極の大きさに合わせた形状を有する三井デュポンポリケミカル社製のスペーサS(商品名:「ハイミラン」,エチレン/メタクリル酸ランダム共重合体アイオノマーフィルム)を準備し、特開2004-152613号公報の図1に示すように、光電極と対極とをスペーサを介して対向させ、それぞれを熱溶着により張り合わせて電池の筐体(電解質未充填)を得た。
次に、液状電解質を対極の孔から筐体内に注入した後、孔をスペーサと同素材の部材で塞ぎ、更に対極の孔にこの部材を熱溶着させて孔を封止し、光電気化学電池1を完成させた。
次に、液状電解質を対極の孔から筐体内に注入した後、孔をスペーサと同素材の部材で塞ぎ、更に対極の孔にこの部材を熱溶着させて孔を封止し、光電気化学電池1を完成させた。
(光電気化学電池2)
液状電解質におけるヨウ化亜鉛の濃度を50mmol/Lとしたこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順及び条件で光電気化学電池2を作製した。
液状電解質におけるヨウ化亜鉛の濃度を50mmol/Lとしたこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順及び条件で光電気化学電池2を作製した。
(光電気化学電池3)
液状電解質におけるヨウ化亜鉛の代わりにヨウ化リチウムを添加し、液状電解質におけるヨウ化リチウムの濃度を20mmol/Lとしたこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順及び条件で比較光電気化学電池1を作製した。
液状電解質におけるヨウ化亜鉛の代わりにヨウ化リチウムを添加し、液状電解質におけるヨウ化リチウムの濃度を20mmol/Lとしたこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順及び条件で比較光電気化学電池1を作製した。
(比較電気化学電池4)
液状電解質におけるヨウ化亜鉛の代わりにヨウ化リチウムを添加し、液状電解質におけるヨウ化リチウムの濃度を100mmol/Lとしたこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順及び条件で比較光電気化学電池4を作製した。
液状電解質におけるヨウ化亜鉛の代わりにヨウ化リチウムを添加し、液状電解質におけるヨウ化リチウムの濃度を100mmol/Lとしたこと以外は、光電気化学電池1と同様の手順及び条件で比較光電気化学電池4を作製した。
(試験と評価)
以下の手順により、光電気化学電池1~4を用いた試料について、変換効率を測定した。
電池特性評価試験は、ソーラーシミュレータ(ワコム製、商品名;「WXS-85-H型」)を用い、AMフィルター(AM1.5)を通したキセノンランプ光源からの疑似太陽光の照射条件を、100mW/cm2とする(いわゆる「1Sun」の照射条件)測定条件の下で行った。
以下の手順により、光電気化学電池1~4を用いた試料について、変換効率を測定した。
電池特性評価試験は、ソーラーシミュレータ(ワコム製、商品名;「WXS-85-H型」)を用い、AMフィルター(AM1.5)を通したキセノンランプ光源からの疑似太陽光の照射条件を、100mW/cm2とする(いわゆる「1Sun」の照射条件)測定条件の下で行った。
各光電気化学電池について、I-Vテスターを用いて室温にて電流-電圧特性を測定し、これらから変換効率を求めた。得られた結果を表9(1Sunの照射条件)の「初期値」として示す。また、60℃、1Sun照射で、10Ω負荷での作動条件で、変換効率の300時間経過後の変換効率の結果も表10に示す。変換効率の初期値が2.5%以上を合格、2.5%未満を不合格とした。また300時間経過後の変換効率の低下率が初期値に対し20%以下のものを合格、20%を越えるものを不合格とした。
これに対して、比較色素を用いた場合には、変換効率の初期値も、耐久性も合格レベルに到達しなかった。
[実験10]
1.二酸化チタン分散液の調製
内側をフッ素樹脂コーティングした内容積200mlのステンレス製容器に二酸化チタン微粒子(日本アエロジル(株)製,Degussa P-25)15g、水45g、分散剤(アルドリッチ社製、Triron X-100)1g、直径0.5mmのジルコニアビーズ(ニッカトー社製)30gを入れ、サンドグラインダーミル(アイメックス社製)を用いて1500rpmで2時間分散処理した。得られた分散液からジルコニアビーズを濾別した。得られた分散液中の二酸化チタン微粒子の平均粒径は2.5μmであった。なお粒径はMALVERN社製のマスターサイザー(商品名)により測定した。
1.二酸化チタン分散液の調製
内側をフッ素樹脂コーティングした内容積200mlのステンレス製容器に二酸化チタン微粒子(日本アエロジル(株)製,Degussa P-25)15g、水45g、分散剤(アルドリッチ社製、Triron X-100)1g、直径0.5mmのジルコニアビーズ(ニッカトー社製)30gを入れ、サンドグラインダーミル(アイメックス社製)を用いて1500rpmで2時間分散処理した。得られた分散液からジルコニアビーズを濾別した。得られた分散液中の二酸化チタン微粒子の平均粒径は2.5μmであった。なお粒径はMALVERN社製のマスターサイザー(商品名)により測定した。
2.色素を吸着した酸化チタン微粒子層(電極A)の作製
フッ素をドープした酸化スズを被覆した縦20mm、横20mmの導電性ガラス板(旭ガラス(株)製,TCOガラス-U,表面抵抗:約30Ω/m2)を準備し、その導電層側の両端(端から3mmの幅の部分)にスペーサー用粘着テープを張った後で、導電層上にガラス棒を用いて上記分散液を塗布した。分散液の塗布後、粘着テープを剥離し、室温で1日間風乾した。次にこの半導体塗布ガラス板を電気炉(ヤマト科学(株)製マッフル炉FP-32型)に入れ、450℃で30分間焼成した。半導体塗布ガラス板を取り出し冷却した後、表11に示す色素のエタノール溶液(濃度:3×10-4mol/L)に3時間浸漬した。色素が吸着した半導体塗布ガラス板を4-tert-ブチルピリジンに15分間浸漬した後、エタノールで洗浄し、自然乾燥させて、色素を吸着した酸化チタン微粒子層(電極A)を得た。電極Aの色素増感酸化チタン微粒子層の厚さは10μmであり、酸化チタン微粒子の塗布量は20g/m2であった。また色素の吸着量は、その種類に応じて0.1~10mmol/m2の範囲内であった。
フッ素をドープした酸化スズを被覆した縦20mm、横20mmの導電性ガラス板(旭ガラス(株)製,TCOガラス-U,表面抵抗:約30Ω/m2)を準備し、その導電層側の両端(端から3mmの幅の部分)にスペーサー用粘着テープを張った後で、導電層上にガラス棒を用いて上記分散液を塗布した。分散液の塗布後、粘着テープを剥離し、室温で1日間風乾した。次にこの半導体塗布ガラス板を電気炉(ヤマト科学(株)製マッフル炉FP-32型)に入れ、450℃で30分間焼成した。半導体塗布ガラス板を取り出し冷却した後、表11に示す色素のエタノール溶液(濃度:3×10-4mol/L)に3時間浸漬した。色素が吸着した半導体塗布ガラス板を4-tert-ブチルピリジンに15分間浸漬した後、エタノールで洗浄し、自然乾燥させて、色素を吸着した酸化チタン微粒子層(電極A)を得た。電極Aの色素増感酸化チタン微粒子層の厚さは10μmであり、酸化チタン微粒子の塗布量は20g/m2であった。また色素の吸着量は、その種類に応じて0.1~10mmol/m2の範囲内であった。
3.光電気化学電池aの作製
溶媒としては、アセトニトリルと3-メチル-2-オキサゾリジノンとの体積比90/10の混合物を用いた。この溶媒に、ヨウ素と電解質塩として、1-メチル-3-ヘキシルイミダゾリウムのヨウ素塩を加えて、0.5mol/Lの電解質塩および0.05mol/Lのヨウ素を含んだ溶液を調製した。この溶液に、(溶媒+窒素含有高分子化合物+塩)100質量部に対し、窒素含有高分子化合物(α)を10質量部加えた。さらに窒素含有高分子化合物の反応性窒素原子に対する求電子剤(β)を0.1モル混合し、均一な反応溶液とした。
溶媒としては、アセトニトリルと3-メチル-2-オキサゾリジノンとの体積比90/10の混合物を用いた。この溶媒に、ヨウ素と電解質塩として、1-メチル-3-ヘキシルイミダゾリウムのヨウ素塩を加えて、0.5mol/Lの電解質塩および0.05mol/Lのヨウ素を含んだ溶液を調製した。この溶液に、(溶媒+窒素含有高分子化合物+塩)100質量部に対し、窒素含有高分子化合物(α)を10質量部加えた。さらに窒素含有高分子化合物の反応性窒素原子に対する求電子剤(β)を0.1モル混合し、均一な反応溶液とした。
一方、前記電極Aの色素増感酸化チタン微粒子層の上にスペーサーを介して白金を蒸着したガラス板からなる対極の白金薄膜側を載置し、導電性ガラス板と白金蒸着ガラス板とを固定した。得られた組立体の開放端を上記電解質溶液に浸漬し、毛細管現象により色素増感酸化チタン微粒子層中に反応溶液を浸透させた。
次いで80℃で30分間加熱して、架橋反応を行った。このようにして、特開2000-323190号公報の図2に示す通り、導電性ガラス板10の導電層12上に、色素増感酸化チタン微粒子層20、電解質層30、および白金薄膜42およびガラス板41からなる対極40が順に積層された本発明の光電気化学電池a-1(試料番号10-1)を得た。
また色素と電解質組成物の組成の組み合わせを表10に示すように変更した以外上記工程を繰り返すことにより、光電気化学電池a-2(試料番号10-4)を得た。
次いで80℃で30分間加熱して、架橋反応を行った。このようにして、特開2000-323190号公報の図2に示す通り、導電性ガラス板10の導電層12上に、色素増感酸化チタン微粒子層20、電解質層30、および白金薄膜42およびガラス板41からなる対極40が順に積層された本発明の光電気化学電池a-1(試料番号10-1)を得た。
また色素と電解質組成物の組成の組み合わせを表10に示すように変更した以外上記工程を繰り返すことにより、光電気化学電池a-2(試料番号10-4)を得た。
4.光電気化学電池b、cの作製
(1)光電気化学電池b
前述のようにして本発明の色素により色素増感された酸化チタン微粒子層からなる電極A(縦20mm、横20mm)を同じ大きさの白金蒸着ガラス板にスペーサーを介して重ねあわせた。次に両ガラス板の隙間に毛細管現象を利用して電解液(アセトニトリルと3-メチル-2-オキサゾリジノンとの体積比90/10の混合物を溶媒としたヨウ素0.05mol/L、ヨウ化リチウム0.5mol/Lの溶液)を浸透させて、光電気化学電池b-1を作製した。また色素を表10に示すように変更した以外上記工程を繰り返すことにより、光電気化学電池b-2(試料番号10-5)を得た。
(1)光電気化学電池b
前述のようにして本発明の色素により色素増感された酸化チタン微粒子層からなる電極A(縦20mm、横20mm)を同じ大きさの白金蒸着ガラス板にスペーサーを介して重ねあわせた。次に両ガラス板の隙間に毛細管現象を利用して電解液(アセトニトリルと3-メチル-2-オキサゾリジノンとの体積比90/10の混合物を溶媒としたヨウ素0.05mol/L、ヨウ化リチウム0.5mol/Lの溶液)を浸透させて、光電気化学電池b-1を作製した。また色素を表10に示すように変更した以外上記工程を繰り返すことにより、光電気化学電池b-2(試料番号10-5)を得た。
(2)光電気化学電池c(特開平9-27352号に記載の電解質)
前述のようにして本発明の色素により色素増感された酸化チタン微粒子層からなる電極A(20mm×20mm)上に、電解液を塗布し、含浸させた。なお電解液は、ヘキサエチレングリコールメタクリル酸エステル(日本油脂化学(株)製,ブレンマーPE-350)1gと、エチレングリコール1gと、重合開始剤として2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン(日本チバガイギー(株)製,ダロキュア1173)20mgを含有した混合液に、ヨウ化リチウム500mgを溶解し10分間真空脱気することにより得た。次に前記混合溶液を含浸させた多孔性酸化チタン層を減圧下に置くことにより、多孔性酸化チタン層中の気泡を除き、モノマーの浸透を促した後、紫外光照射により重合して高分子化合物の均一なゲルを多孔性酸化チタン層の微細空孔内に充填した。このようにして得られたものをヨウ素雰囲気に30分間曝して、高分子化合物中にヨウ素を拡散させた後、白金蒸着ガラス板を重ね合わせ、光電気化学電池c-1(試料番号10-3)を得た。また色素を表10に示すように変更した以外上記工程を繰り返すことにより、光電気化学電池c-2(試料番号10-6)を得た。
前述のようにして本発明の色素により色素増感された酸化チタン微粒子層からなる電極A(20mm×20mm)上に、電解液を塗布し、含浸させた。なお電解液は、ヘキサエチレングリコールメタクリル酸エステル(日本油脂化学(株)製,ブレンマーPE-350)1gと、エチレングリコール1gと、重合開始剤として2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン(日本チバガイギー(株)製,ダロキュア1173)20mgを含有した混合液に、ヨウ化リチウム500mgを溶解し10分間真空脱気することにより得た。次に前記混合溶液を含浸させた多孔性酸化チタン層を減圧下に置くことにより、多孔性酸化チタン層中の気泡を除き、モノマーの浸透を促した後、紫外光照射により重合して高分子化合物の均一なゲルを多孔性酸化チタン層の微細空孔内に充填した。このようにして得られたものをヨウ素雰囲気に30分間曝して、高分子化合物中にヨウ素を拡散させた後、白金蒸着ガラス板を重ね合わせ、光電気化学電池c-1(試料番号10-3)を得た。また色素を表10に示すように変更した以外上記工程を繰り返すことにより、光電気化学電池c-2(試料番号10-6)を得た。
5.光電変換効率の測定
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機(株)製)の光をAM1.5フィルター(Oriel社製)およびシャープカットフィルター(Kenko L-42)を通すことにより、紫外線を含まない模擬太陽光とした。光強度は89mW/cm2とした。
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機(株)製)の光をAM1.5フィルター(Oriel社製)およびシャープカットフィルター(Kenko L-42)を通すことにより、紫外線を含まない模擬太陽光とした。光強度は89mW/cm2とした。
前述の光電気化学電池の導電性ガラス板10と白金蒸着ガラス板40にそれぞれワニ口クリップを接続し、各ワニ口クリップを電流電圧測定装置(ケースレーSMU238型(商品名))に接続した。これに導電性ガラス板10側から模擬太陽光を照射し、発生した電気を電流電圧測定装置により測定した。これにより求められた光電気化学電池の変換効率の初期値と、300時間連続照射時の変換効率の低下率を表10に示す。変換効率の初期値が2.7%以上を合格、2.7%未満を不合格とした。また300時間経過後の変換効率の低下率が20%以下の場合を合格、20%を越える場合を不合格とした。
(1)色素の記号は本文中に記載の通りである。
(2)窒素含有高分子α、求電子剤βは以下の化合物を示す。
これに対して、比較色素を用いた場合には、変換効率の初期値は合格レベルであるが、耐久性に問題があることがわかった。
[実験11]
ゾル-ゲル法によって調製した懸濁液を用いてスクリーン印刷によりTiO2の多孔質層をFTOガラス上に塗布し450℃で焼成した。これを本発明の色素XA(中心金属はSn)及び下記色素ZB(中心金属はCu)の10-4mol/Lエタノール溶液中に浸漬することで、これらの色素をそれぞれ多孔質層に吸着させた。
ゾル-ゲル法によって調製した懸濁液を用いてスクリーン印刷によりTiO2の多孔質層をFTOガラス上に塗布し450℃で焼成した。これを本発明の色素XA(中心金属はSn)及び下記色素ZB(中心金属はCu)の10-4mol/Lエタノール溶液中に浸漬することで、これらの色素をそれぞれ多孔質層に吸着させた。
次に、100mgの2,2’,7,7’-テトラキス(ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレンを5mLのクロロホルムに溶解した。上記の、色素XA(中心金属はSn)と色素ZB(中心金属はCu)が吸着された多孔質層に、このクロロホルム溶液を軽く塗布して、多孔質層の細孔内にしみこませた。次に溶液の一滴を直接表面に置いて室温で乾燥した。ついで被覆支持体を蒸着装置に装着して、約10-5ミリバールの真空下の熱蒸着によってさらに厚さ100nmの2,2’,7,7’-テトラキス(ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレンの層を形成した。さらに蒸着装置内でこの被覆支持体に対極として厚さ200nmの金の層を被覆した。
このように調製した試料を高圧ランプ、光学フィルター、レンズおよびマウンティングを含む光学装置に取り付けた。フィルターを使用するとともに、レンズを適切な場所に設置することにより、照射光の強度を変えることができた。金の層とSnO2層とに接点を付け、試料を照射している間、電流測定装置に示した装置に取り付けた。測定のために、適当な光学フィルターを用い波長が430nm未満の光を遮断した。さらに放射線の強度を約1000W/m2)にほぼ一致するように装置を調整した。
金の層およびSnO2層に接点を付け、また試料を照射している間は両接点をポテンシオスタットに接続した。外部電圧をかけずに色素(ZB(中心金属はCu))を用いた試料では約90nAの電流を生じたが、本発明の色素XA(中心金属はSn)を用いた試料では約190nAの電流を生じた。どちらの試料の場合も照射しないと電流は消失した。
[実験12]
特開2000-90989の実施例1と同様に作製したタンデムセルにおいて、本発明の色素XA(中心金属はIn)を用いた光電気化学電池と、比較色素 ZB(中心金属はCu)を用いた光電気化学電池を作製した。これらの光電気化学電池の変換効率を測定したところ、本発明の光電気化学電池の変換効率は、比較光電気化学電池に対し、50%大きな値を示し、優れた特性を示すことがわかった。
特開2000-90989の実施例1と同様に作製したタンデムセルにおいて、本発明の色素XA(中心金属はIn)を用いた光電気化学電池と、比較色素 ZB(中心金属はCu)を用いた光電気化学電池を作製した。これらの光電気化学電池の変換効率を測定したところ、本発明の光電気化学電池の変換効率は、比較光電気化学電池に対し、50%大きな値を示し、優れた特性を示すことがわかった。
[実験13]
(1)多孔質半導体層のへイズ率の測定
チタンイソプロポキシド125mlを0.1Mの硝酸水溶液(キシダ化学株式会社製)750mlに滴下し、80℃で8時間加熱して、加水分解反応をさせることにより、ゾル液を調製した。得られたゾル液をチタン製オートクレーブにて250℃で15時間保持し、粒子成長させ、その後、超音波分散を30分間行うことにより、平均一次粒径20nmの酸化チタン粒子を含むコロイド溶液を得た。
(1)多孔質半導体層のへイズ率の測定
チタンイソプロポキシド125mlを0.1Mの硝酸水溶液(キシダ化学株式会社製)750mlに滴下し、80℃で8時間加熱して、加水分解反応をさせることにより、ゾル液を調製した。得られたゾル液をチタン製オートクレーブにて250℃で15時間保持し、粒子成長させ、その後、超音波分散を30分間行うことにより、平均一次粒径20nmの酸化チタン粒子を含むコロイド溶液を得た。
得られた酸化チタン粒子を含むコロイド溶液を、エバポレーターにて、酸化チタンが10wt%の濃度になるまでゆっくりと濃縮した後、ポリエチレングリコール(キシダ化学株式会社製、重量平均分子量:200000)を酸化チタンに対する質量比で40%添加し、攪拌することにより、酸化チタン粒子が分散した懸濁液を得た。
透明導電膜2としてSnO2膜を形成したガラス基板1の透明導電膜2側に、調製した酸化チタン懸濁液をドクターブレード法で塗布し、縦10mm、横10mm程度の塗膜を得た。この塗膜を120℃で30分間予備乾燥し、さらに酸素雰囲気下、500℃で30分間焼成し、第1層多孔質光電変換層4の第1層多孔質半導体層となる、膜厚が10μm程度の酸化チタン膜を形成した。
次に、市販の酸化チタン微粒子(テイカ社製、製品名:TITANIX JA-1、粒径約180nm)4.0gと酸化マグネシウム粉末(キシダ化学株式会社製)0.4gを蒸留水20mlに入れ、塩酸でpH=1に調整した。さらに、ジルコニアビーズを加え、この混合溶液をペイントシェイカーで25℃で8時間分散処理した。その後、ジルコニアビーズを取り除き、ポリエチレングレコール(キシダ化学株式会社製、重量平均分子量:200000)を酸化チタンに対する質量比で40%添加し、攪拌することにより、酸化チタン粒子が分散した懸濁液を得た。
第1層多孔質半導体層の酸化チタン膜を形成したガラス基板1の第1層多孔質半導体層上に、上記の酸化チタン懸濁液をドクターブレード法で塗布し、塗膜を得た。この塗膜を80℃で20分間予備乾燥し、さらに酸素雰囲気下、約50℃で60分間焼成し、第2層多孔質光電変換層5の第2層多孔質半導体層となる、膜厚が22μm程度の酸化チタン膜1を形成した。多孔質半導体層のへイズ率を測定したところ、84%であった。
第1層多孔質半導体層の酸化チタン膜を形成したガラス基板1の第1層多孔質半導体層上に、上記の酸化チタン懸濁液をドクターブレード法で塗布し、塗膜を得た。この塗膜を80℃で20分間予備乾燥し、さらに酸素雰囲気下、約50℃で60分間焼成し、第2層多孔質光電変換層5の第2層多孔質半導体層となる、膜厚が22μm程度の酸化チタン膜1を形成した。多孔質半導体層のへイズ率を測定したところ、84%であった。
(2)色素の半導体微粒子層への吸着
吸収スペクトルにおける最大感度吸収波長領域を短波長側に有する色素(第1色素)として、下記のメロシアニン系色素S-2又はQ5をエタノールに溶解して、濃度3×10-4モル/リットルの第1色素の吸着用色素溶液を調製した。
吸収スペクトルにおける最大感度吸収波長領域を短波長側に有する色素(第1色素)として、下記のメロシアニン系色素S-2又はQ5をエタノールに溶解して、濃度3×10-4モル/リットルの第1色素の吸着用色素溶液を調製した。
透明導電膜と多孔質半導体層を具備したガラス基板を、約50℃に加温した上記の第1色素の吸着用色素溶液に25℃で10分間浸漬させて、多孔質半導体層に第1色素を吸着させた。その後、ガラス基板1を無水エタノールで数回洗浄し、約60℃で約20分間乾燥させた。次いで、ガラス基板を0.5N-塩酸に約10分間浸漬させ、その後エタノールで洗浄して、第2層多孔質半導体層に吸着された過剰の第1色素を除去した。さらに、ガラス基板を約60℃で約20分間乾燥させた。
次に、吸収スペクトルにおける最大感度吸収波長領域を長波長側に有する色素(第2色素)として、表11記載の色素をエタノールに溶解して、濃度3×10-4モル/リットルの第2色素の吸着用色素溶液を調製した。
上記の透明導電膜と第1色素が吸着された多孔質半導体層を具備したガラス基板を、室温、常圧で第2色素の吸着用色素溶液に15分間浸漬させて、多孔質半導体層に第2色素を吸着させた。その後、ガラス基板を無水エタノールで数回洗浄し、約60℃で約20分間乾燥させた。ここで多孔質半導体層のへイズ率を測定したところ、84%(S-2を使用した場合)、85%(本発明の色素を使用した場合)であった。
上記の透明導電膜と第1色素が吸着された多孔質半導体層を具備したガラス基板を、室温、常圧で第2色素の吸着用色素溶液に15分間浸漬させて、多孔質半導体層に第2色素を吸着させた。その後、ガラス基板を無水エタノールで数回洗浄し、約60℃で約20分間乾燥させた。ここで多孔質半導体層のへイズ率を測定したところ、84%(S-2を使用した場合)、85%(本発明の色素を使用した場合)であった。
次に、3-メトキシプロピオニトリル溶媒に、ジメチルプロピルイミダゾリウムヨージドが濃度0.5モル/リットル、ヨウ化リチウムが濃度0.1モル/リットル、ヨウ素が濃度0.05モル/リットルになるように溶解させて、酸化還元性電解液を調製した。第1色素と第2色素を吸着させた多孔質半導体層を具備したガラス基板の多孔質半導体層側と、対向電極層として白金を具備したITOガラスからなる対極側支持体の白金側とが対向するように設置し、その間に調製した酸化還元性電解液を注入し、周囲をエポキシ系樹脂の封止材により封止して、光電気化学電池を完成した。
また、第2層多孔質半導体層と第1多孔質半導体層と同じ層とする、すなわち第1多孔質半導体層を形成する酸化チタン懸濁液を用いて第2層多孔質半導体層を形成すること以外は、酸化チタン膜1と同様に酸化チタン膜2を作成し、これを用いて同様に光電気化学電池を作製し、評価した。多孔質光電変換層のヘイズ率は15%(比較色素を使用した場合)、16%(本発明の色素XL(中心金属はIn)を使用した場合)であった。
得られた光電気化学電池について、AM-1.5(100mW/cm2)で、変換効率を測定した。変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。
[実験14]
市販の酸化チタン粒子(テイカ株式会社製、平均粒径20nm)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlとを、硬質ガラスビーズを使用してペイントシェイカーにより6時間分散させて酸化チタン懸濁液を作成した。次いで、この酸化チタン懸濁液を、ドクターブレードを用いて、予め酸化スズ導電層を付着させたガラス板(電極層)に塗布し、100℃で30分予備乾燥した後、500℃の電気炉で40分間焼成し、ガラス板上に多孔質酸化チタン膜を形成した。これとは別に、本発明の色素をエタノールに溶解させた本発明の色素溶液と、同様に、比較色素をエタノールに溶解させた比較色素の色素溶液を得た。
市販の酸化チタン粒子(テイカ株式会社製、平均粒径20nm)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlとを、硬質ガラスビーズを使用してペイントシェイカーにより6時間分散させて酸化チタン懸濁液を作成した。次いで、この酸化チタン懸濁液を、ドクターブレードを用いて、予め酸化スズ導電層を付着させたガラス板(電極層)に塗布し、100℃で30分予備乾燥した後、500℃の電気炉で40分間焼成し、ガラス板上に多孔質酸化チタン膜を形成した。これとは別に、本発明の色素をエタノールに溶解させた本発明の色素溶液と、同様に、比較色素をエタノールに溶解させた比較色素の色素溶液を得た。
次に、本発明の色素をエタノールに溶解させた色素溶液と、同様に、比較色素をエタノールに溶解させた比較色素の色素溶液を調製した。
これらの色素溶液の濃度は、いずれも、5×10-4モル/リットルとした。次に、この溶液中に、膜状の酸化チタンが形成された前記のガラス板を入れ、60℃で60分間色素吸着を行った後、乾燥することにより、ガラス板上に色素が吸着された多孔質酸化チタン層が形成された光電変換層を形成した(試料A)。前記試料Aの光電変換層上に、ホール輸送材料としてのポリビニルカルバゾール(重量平均分子量3,000)のトルエン溶液(1%)を塗布して、減圧乾燥してホール輸送層を形成した(試料B)。分子間電荷移動錯体としてのエチルカルバゾール1.95g及び5-ニトロナフトキノン2.03gを100mlアセトンに溶解して、得られた溶液を試料Bのホール輸送層上に繰り返し塗布して伝導層を形成した。次いで、伝導層上に金電極(対電極)を蒸着して光電変換素子を得た(試料C)。変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。
これらの色素溶液の濃度は、いずれも、5×10-4モル/リットルとした。次に、この溶液中に、膜状の酸化チタンが形成された前記のガラス板を入れ、60℃で60分間色素吸着を行った後、乾燥することにより、ガラス板上に色素が吸着された多孔質酸化チタン層が形成された光電変換層を形成した(試料A)。前記試料Aの光電変換層上に、ホール輸送材料としてのポリビニルカルバゾール(重量平均分子量3,000)のトルエン溶液(1%)を塗布して、減圧乾燥してホール輸送層を形成した(試料B)。分子間電荷移動錯体としてのエチルカルバゾール1.95g及び5-ニトロナフトキノン2.03gを100mlアセトンに溶解して、得られた溶液を試料Bのホール輸送層上に繰り返し塗布して伝導層を形成した。次いで、伝導層上に金電極(対電極)を蒸着して光電変換素子を得た(試料C)。変換効率が5.0%以上のものを◎、4.0%以上5.0%未満のものを○○、3.0%以上4.0%未満のものを○、2.0%以上3.0%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が3.0%以上のものを合格とし、3.0%未満のものを不合格とした。
[実験15]
(1)第1光電変換層の形成
市販の酸化チタン粒子(テイカ株式会社製、平均粒径30nm)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlを硬質ガラスビーズを使用しペイントシェイカーにより6時間分散させ酸化チタン懸濁液を作成した。次いで、この酸化チタン懸濁液をドクターブレードを用いて、予め酸化スズ導電層が付着されたガラス板に塗布し、100℃で30分予備乾燥した後、電気炉で500℃で40分間焼成し、酸化チタン膜を得た。
(1)第1光電変換層の形成
市販の酸化チタン粒子(テイカ株式会社製、平均粒径30nm)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlを硬質ガラスビーズを使用しペイントシェイカーにより6時間分散させ酸化チタン懸濁液を作成した。次いで、この酸化チタン懸濁液をドクターブレードを用いて、予め酸化スズ導電層が付着されたガラス板に塗布し、100℃で30分予備乾燥した後、電気炉で500℃で40分間焼成し、酸化チタン膜を得た。
これとは別に、下記S-3で表された色素〔cis-dithiocyanine-N-bis(2,2’-bipyridyl-4,4’-dicarboxylic acid) ruthenium〕をエタノールに溶解した。
この色素の濃度を3×10-4モル/Lとした。次に、この溶液中に膜状の酸化チタンを形成した前記のガラス板を入れ、60℃で720分間色素吸着を行ってから乾燥し、表13記載の第1色素が吸着された第1光電変換層(試料A)を得た。
(2)第2光電変換層の形成
市販の酸化ニッケル粒子(キシダ化学、平均粒径100nm)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlをガラスビーズを使用しペイントシェイカーで8時間分散させ酸化ニッケル懸濁液を作製し、その後ガラスビーズを取り除いた。次いで、この酸化チタン懸濁液をドクターブレードを用いて、酸化スズ導電層が付着されたガラス板に塗布し、100℃で30分予備乾燥した後、300℃で30分間焼成し、酸化ニッケル膜を得た。
市販の酸化ニッケル粒子(キシダ化学、平均粒径100nm)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlをガラスビーズを使用しペイントシェイカーで8時間分散させ酸化ニッケル懸濁液を作製し、その後ガラスビーズを取り除いた。次いで、この酸化チタン懸濁液をドクターブレードを用いて、酸化スズ導電層が付着されたガラス板に塗布し、100℃で30分予備乾燥した後、300℃で30分間焼成し、酸化ニッケル膜を得た。
これとは別に、本発明の色素をジメチルスルホキシドに溶解し、濃度が1×10-4モル/Lの色素溶液を得た。次に、この溶液中に膜状の酸化チタンを形成した前記のガラス板を入れ、70℃で60分間色素吸着を行ってから乾燥し、表13記載の第2色素が吸着された第2光電変換層(試料B)を得た。
(3)前記の試料A上に試料Bを重ね、これら2つの電極の間に液体電解質を入れ、この側面を樹脂で封止した後、リード線を取付けて、本発明の光電変換素子(素子構成C)を作製した。なお、液体電解質は、アセトニトリル/炭酸エチレンの混合溶媒(体積比が1:4)に、テトラプロピルアンモニウムアイオダイドとヨウ素とを、それぞれの濃度が0.46モル/L、0.06モル/Lとなるように溶解したものを用いた。
また、前記の試料Aを一方の電極として備え、対電極として白金を担持した透明導電性ガラス板を用いた。2つの電極の間に液体電解質を入れ、この側面を樹脂で封止した後、リード線を取付けて、本発明の光電変換素子(素子構成D)を作製した。
得られた光電変換素子(試料C、及びD)にソーラーシミュレーターで1000W/m2の強度の光を照射した。変換効率は、6.5%以上のものを◎、6.0%以上6.5%未満のものを○、5.0%以上6.0%未満のものを△、5.0%未満のものを×として表示し、変換効率が6.0%以上のものを合格とした。
[実験16]
高分子電解質を用いた光電気化学電池を作製し、評価した。酸化チタン膜を作製する塗液は、市販の酸化チタン粒子(テイカ株式会社社製、商品名AMT-600、アナターゼ型結晶、平均粒径30nm、比表面積50m2/g)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlとをガラスビーズを使用し、ペイントシェイカーで7時間分散させ、酸化チタン懸濁液を調製した。この酸化チタン懸濁液をドクターブレードを用いて、11μm程度の膜厚、縦10mm、横10mm程度の面積で、SnO2を透明導電膜としてガラス基板上に作製された基板上に、透明導電膜側に塗布し、100℃で30分間予備乾燥した後、460℃で40分間酸素下で焼成し、その結果、膜厚が8μm程度の酸化チタン膜Aを作製した。
高分子電解質を用いた光電気化学電池を作製し、評価した。酸化チタン膜を作製する塗液は、市販の酸化チタン粒子(テイカ株式会社社製、商品名AMT-600、アナターゼ型結晶、平均粒径30nm、比表面積50m2/g)4.0gとジエチレングリコールモノメチルエーテル20mlとをガラスビーズを使用し、ペイントシェイカーで7時間分散させ、酸化チタン懸濁液を調製した。この酸化チタン懸濁液をドクターブレードを用いて、11μm程度の膜厚、縦10mm、横10mm程度の面積で、SnO2を透明導電膜としてガラス基板上に作製された基板上に、透明導電膜側に塗布し、100℃で30分間予備乾燥した後、460℃で40分間酸素下で焼成し、その結果、膜厚が8μm程度の酸化チタン膜Aを作製した。
次に表14記載の色素を無水エタノールに濃度3×10-4モル/リットルで溶解させ吸着用色素溶液を作製した。この吸着用色素溶液中に、上記の通り、得られた酸化チタン膜と透明導電膜を具備した透明基板を容器にそれぞれ入れ、約4時間浸透させることにより色素を吸着させた。その後、無水エタノールで数回洗浄し約60℃で約20分間乾燥させた。
次に、下記一般式で表される、単量体を用意した。下記一般式で示される単量体において、Rはメチル基、Aは8つのポリエチレンオキサイド基と2つのポリプロピレンオキサイド基と中心核としてブタンテトライル基であり、nは2~4である。
この単量体をプロピレンカーボネート(以下、PCと記載する)に20質量%の濃度で溶解させ、また、熱重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を、上記の単量体に対して1質量%の濃度で溶解させて、単量体溶液を作製した。この単量体溶液を以下の方法で、前記の酸化チタン膜に含浸させた。
真空容器内にビーカーを設置し、その中に、酸化チタン膜Aと透明導電膜を具備した透明基板を入れ、ロータリーポンプで約10分間真空引きした。真空容器内を真空状態に保ちながら上記の単量体溶液をビーカー内に注入し、約15分間含浸させて、酸化チタン中に単量体溶液を十分に染み込ませた。ポリエチレン製セパレーター、PETフィルムと押さえ板を設置し冶具で固定した。その後、約85℃で30分間加熱することにより、熱重合させ、酸化チタン膜上に高分子化合物層を形成した。
真空容器内にビーカーを設置し、その中に、酸化チタン膜Aと透明導電膜を具備した透明基板を入れ、ロータリーポンプで約10分間真空引きした。真空容器内を真空状態に保ちながら上記の単量体溶液をビーカー内に注入し、約15分間含浸させて、酸化チタン中に単量体溶液を十分に染み込ませた。ポリエチレン製セパレーター、PETフィルムと押さえ板を設置し冶具で固定した。その後、約85℃で30分間加熱することにより、熱重合させ、酸化チタン膜上に高分子化合物層を形成した。
次に、高分子化合物に含浸させる酸化還元性電解液を作製した。酸化還元性電解液は、PCを溶媒として濃度0.5モル/リットルのヨウ化リチウムと濃度0.05モル/リットルのヨウ素を溶解させて作製した。この溶液中に上述の酸化チタン膜Aに作製した高分子化合物を約2時間浸すことにより、高分子化合物中に酸化還元性電解液を染み込ませて高分子電解質を作製した。
その後、白金膜を具備した導電性基板を設置し、エポキシ系の封止剤にて周囲を封止し素子Aを作成した。
また、酸化チタン膜Aを色素吸着後、単量体処理を行わずに、PCを溶媒として濃度0.5モル/リットルのヨウ化リチウムと濃度0.05モル/リットルのヨウ素を溶解させて作製した酸化還元電解液をそのまま対極との間に注入して封止して素子Bを作成した。素子A、Bを用いて、ソーラーシミュレーターで1000W/m2の強度の光を照射し、変換効率を測定した。その結果を表14に示す。変換効率が3.5%以上のものを◎、2.5%以上3.5%未満のものを○、2.0%以上2.5%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示した。
[実験17]
(光電変換素子の作製)
図1に示す光電変換素子を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、透明導電膜としてフッ素をドープした酸化スズをスパッタリングにより形成し、これをレーザーでスクライブして、透明導電膜を2つの部分に分割した。次に、水とアセトニトリルの容量比4:1からなる混合溶媒100mLにアナターゼ型酸化チタン(日本アエロジル社製のP-25(商品名))を32g配合し、自転/公転併用式のミキシングコンディショナーを使用して均一に分散、混合し、半導体微粒子分散液を得た。この分散液を透明導電膜に塗布し、500℃で加熱して受光電極を作製した。
(光電変換素子の作製)
図1に示す光電変換素子を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、透明導電膜としてフッ素をドープした酸化スズをスパッタリングにより形成し、これをレーザーでスクライブして、透明導電膜を2つの部分に分割した。次に、水とアセトニトリルの容量比4:1からなる混合溶媒100mLにアナターゼ型酸化チタン(日本アエロジル社製のP-25(商品名))を32g配合し、自転/公転併用式のミキシングコンディショナーを使用して均一に分散、混合し、半導体微粒子分散液を得た。この分散液を透明導電膜に塗布し、500℃で加熱して受光電極を作製した。
その後、同様にシリカ粒子とルチル型酸化チタンとを40:60(質量比)で含有する分散液を作製し、この分散液を前記の受光電極に塗布し、500℃で加熱して絶縁性多孔体を形成した。次いで対極として炭素電極を形成した。
次に、下記の表15に記載された色素(色素1のみ又は色素1と色素2が混合されたもの)のエタノール溶液に、上記の絶縁性多孔体が形成されたガラス基板を5時間浸漬した。色素の染着したガラスを4-tert-ブチルピリジンの10%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄し自然乾燥させた。このようにして得られた感光層の厚さは10μmであり、半導体微粒子の塗布量は20g/m2であった。電解液は、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウム(0.5モル/L)、ヨウ素(0.1モル/L)のメトキシプロピオニトリル溶液を用いた。
次に、下記の表15に記載された色素(色素1のみ又は色素1と色素2が混合されたもの)のエタノール溶液に、上記の絶縁性多孔体が形成されたガラス基板を5時間浸漬した。色素の染着したガラスを4-tert-ブチルピリジンの10%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄し自然乾燥させた。このようにして得られた感光層の厚さは10μmであり、半導体微粒子の塗布量は20g/m2であった。電解液は、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウム(0.5モル/L)、ヨウ素(0.1モル/L)のメトキシプロピオニトリル溶液を用いた。
(光電変換効率の測定)
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機社製)の光をAM1.5Gフィルター(Oriel社製)およびシャープカットフィルター(KenkoL-42、商品名)を通すことにより紫外線を含まない模擬太陽光を発生させた。この光の強度は89mW/cm2であった。作製した光電変換素子にこの光を照射し、発生した電気を電流電圧測定装置(ケースレー238型、商品名)にて測定した。これにより求められた光電気化学電池の変換効率を測定した結果を下記の表15に示した。結果は、変換効率が7.5%以上のものを◎、7.3%以上7.5%未満のものを○、7.1%以上7.3%未満のものを△、7.1%未満のものを×として評価し、7.1%以上のものを合格とした。
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機社製)の光をAM1.5Gフィルター(Oriel社製)およびシャープカットフィルター(KenkoL-42、商品名)を通すことにより紫外線を含まない模擬太陽光を発生させた。この光の強度は89mW/cm2であった。作製した光電変換素子にこの光を照射し、発生した電気を電流電圧測定装置(ケースレー238型、商品名)にて測定した。これにより求められた光電気化学電池の変換効率を測定した結果を下記の表15に示した。結果は、変換効率が7.5%以上のものを◎、7.3%以上7.5%未満のものを○、7.1%以上7.3%未満のものを△、7.1%未満のものを×として評価し、7.1%以上のものを合格とした。
色素S-4、S-5としては、以下のものを使用した。また、色素S-4、S-5の極大吸収波長を測定した。測定は、分光光度計(U-4100(商品名)、日立ハイテク社製)によって行い、溶液はTHF:エタノール=1:1を用い、濃度が2μMになるように調整した。色素S-4の極大吸収波長は550nm、S-5の極大吸収波長は545nmであった。
表15に示されているように、本発明の色素とほかの色素を併用した場合、変換効率は7.5%以上と高い値を示した。これに対して、本発明の色素を含まない場合は、変換効率は7.1%未満と不十分であった。
[実験18]
1.二酸化チタン分散液の調製
内側をフッ素樹脂コーティングした内容積200mLのステンレス製容器に二酸化チタン微粒子(日本アエロジル(株)製,Degussa P-25)15g、水45g、分散剤(アルドリッチ社製、Triron X-100)1g、直径0.5mmのジルコニアビーズ(ニッカトー社製)30gを入れ、サンドグラインダーミル(アイメックス社製)を用いて1500rpmで2時間分散処理した。得られた分散液からジルコニアビーズを濾別した。得られた分散液中の二酸化チタン微粒子の平均粒径は2.5μmであった。なお粒径はMALVERN社製のマスターサイザー(商品名)により測定した。
1.二酸化チタン分散液の調製
内側をフッ素樹脂コーティングした内容積200mLのステンレス製容器に二酸化チタン微粒子(日本アエロジル(株)製,Degussa P-25)15g、水45g、分散剤(アルドリッチ社製、Triron X-100)1g、直径0.5mmのジルコニアビーズ(ニッカトー社製)30gを入れ、サンドグラインダーミル(アイメックス社製)を用いて1500rpmで2時間分散処理した。得られた分散液からジルコニアビーズを濾別した。得られた分散液中の二酸化チタン微粒子の平均粒径は2.5μmであった。なお粒径はMALVERN社製のマスターサイザー(商品名)により測定した。
2.色素を吸着した酸化チタン微粒子層(電極A)の作製
フッ素をドープした酸化スズを被覆した縦20mm、横20mmの導電性ガラス板(旭ガラス(株)製,TCOガラス-U,表面抵抗:約30Ω/m2)を準備し、その導電層側の両端(端から3mmの幅の部分)にスペーサー用粘着テープを張った後で、導電層上にガラス棒を用いて上記分散液を塗布した。分散液の塗布後、粘着テープを剥離し、室温で1日間風乾した。次にこの半導体塗布ガラス板を電気炉(ヤマト科学(株)製マッフル炉FP-32型)に入れ、450℃で30分間焼成した。半導体塗布ガラス板を取り出し冷却した後、表16に示す色素のエタノール溶液(濃度:1×10-4mol/L)に3時間浸漬した。色素が吸着した半導体塗布ガラス板を4-tert-ブチルピリジンに15分間浸漬した後、エタノールで洗浄し、自然乾燥させて、色素を吸着した酸化チタン微粒子層(電極A)を得た。電極Aの色素増感酸化チタン微粒子層の厚さは10μmであり、酸化チタン微粒子の塗布量は20g/m2であった。また色素の吸着量は、その種類に応じて0.1~10mmol/m2の範囲内であった。
フッ素をドープした酸化スズを被覆した縦20mm、横20mmの導電性ガラス板(旭ガラス(株)製,TCOガラス-U,表面抵抗:約30Ω/m2)を準備し、その導電層側の両端(端から3mmの幅の部分)にスペーサー用粘着テープを張った後で、導電層上にガラス棒を用いて上記分散液を塗布した。分散液の塗布後、粘着テープを剥離し、室温で1日間風乾した。次にこの半導体塗布ガラス板を電気炉(ヤマト科学(株)製マッフル炉FP-32型)に入れ、450℃で30分間焼成した。半導体塗布ガラス板を取り出し冷却した後、表16に示す色素のエタノール溶液(濃度:1×10-4mol/L)に3時間浸漬した。色素が吸着した半導体塗布ガラス板を4-tert-ブチルピリジンに15分間浸漬した後、エタノールで洗浄し、自然乾燥させて、色素を吸着した酸化チタン微粒子層(電極A)を得た。電極Aの色素増感酸化チタン微粒子層の厚さは10μmであり、酸化チタン微粒子の塗布量は20g/m2であった。また色素の吸着量は、その種類に応じて0.1~10mmol/m2の範囲内であった。
3.色素増感太陽電池の作製
上述のように作製した色素増感電極A(縦20mm、横20mm)をこれと同じ大きさの白金蒸着ガラスと重ね合わせた。次に、両ガラスの隙間に毛細管現象を利用して電解質組成物を染み込ませ、電解質を酸化チタン電極中に導入した。これにより、図1に示すように、導電性ガラスからなる導電性支持体(ガラスの透明基板上に導電層が設層されたもの)、感光体、電荷移動体、白金からなる対極及びガラスの透明基板を順に積層しエポキシ系封止剤で封止した光電気化学電池を作製した。ただし、電解質組成物の粘度が高く毛細管現象を利用して電解質組成物を染み込ませることが困難な場合は、電解質組成物を50℃に加温し、これを酸化チタン電極に塗布した後、この電極を減圧下に置き電解質組成物が十分浸透し電極中の空気が抜けた後、白金蒸着ガラス(対極)を重ね合わせて同様に光電気化学電池を作製した。
上述のように作製した色素増感電極A(縦20mm、横20mm)をこれと同じ大きさの白金蒸着ガラスと重ね合わせた。次に、両ガラスの隙間に毛細管現象を利用して電解質組成物を染み込ませ、電解質を酸化チタン電極中に導入した。これにより、図1に示すように、導電性ガラスからなる導電性支持体(ガラスの透明基板上に導電層が設層されたもの)、感光体、電荷移動体、白金からなる対極及びガラスの透明基板を順に積層しエポキシ系封止剤で封止した光電気化学電池を作製した。ただし、電解質組成物の粘度が高く毛細管現象を利用して電解質組成物を染み込ませることが困難な場合は、電解質組成物を50℃に加温し、これを酸化チタン電極に塗布した後、この電極を減圧下に置き電解質組成物が十分浸透し電極中の空気が抜けた後、白金蒸着ガラス(対極)を重ね合わせて同様に光電気化学電池を作製した。
色素を変更して上述の工程を行い、表16に記載のように、光電気化学電池を作製した。各光電気化学電池に用いた電解質組成物としては、下記のヘテロ環4級塩化合物を98質量%及びヨウ素を2質量%含有したものとした。
4.光電変換効率の測定
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機(株)製)の光をAM1.5フィルター(Oriel社製)及びシャープカットフィルター(Kenko L-37)ことにより紫外線を含まない模擬太陽光を発生させた。この光の強度は70mW/cm2であった。この模擬太陽光を、50℃で色素増感太陽電池に照射し、発生した電気を電流電圧測定装置(ケースレーSMU238型)で測定した。また、85℃で1000時間暗所保存後の変換効率の低下率及び500時間連続光照射後の変換効率の低下率も測定した。これらの結果を表16に示す。変換効率の初期値は、3.5%以上のものを◎、2.5%以上3.5%未満のものを○、2.0%以上2.5%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が2.5%以上のものを合格とした。暗所保存後の変換効率及び連続光照射後の変換効率については、低下率が20%以下のものを合格とした。
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機(株)製)の光をAM1.5フィルター(Oriel社製)及びシャープカットフィルター(Kenko L-37)ことにより紫外線を含まない模擬太陽光を発生させた。この光の強度は70mW/cm2であった。この模擬太陽光を、50℃で色素増感太陽電池に照射し、発生した電気を電流電圧測定装置(ケースレーSMU238型)で測定した。また、85℃で1000時間暗所保存後の変換効率の低下率及び500時間連続光照射後の変換効率の低下率も測定した。これらの結果を表16に示す。変換効率の初期値は、3.5%以上のものを◎、2.5%以上3.5%未満のものを○、2.0%以上2.5%未満のものを△、2.0%未満のものを×として表示し、変換効率が2.5%以上のものを合格とした。暗所保存後の変換効率及び連続光照射後の変換効率については、低下率が20%以下のものを合格とした。
表16より、本発明の光電気化学電池は、比較例に比べて耐久性が向上していることがわかった。
[実験19]
下記の方法に従って、光電気化学電池を作製し、評価した。その結果を表17に示す。
(1)透明導電性支持体の作製
感光性電極用支持体として、表面がフッ素コートされた厚さ0.4mmのシートの片面に、導電性の酸化スズの薄膜を厚さ200nmで均一にコーティングして可撓性のある透明導電性支持体を使用した。
下記の方法に従って、光電気化学電池を作製し、評価した。その結果を表17に示す。
(1)透明導電性支持体の作製
感光性電極用支持体として、表面がフッ素コートされた厚さ0.4mmのシートの片面に、導電性の酸化スズの薄膜を厚さ200nmで均一にコーティングして可撓性のある透明導電性支持体を使用した。
(2)対極用の導電性シートの作製
厚さ0.4mmのポリイミド製カプトン(登録商標)フィルムの片面に、真空スパッタリング法によって厚さ300nmの白金膜で均一に被覆した。面抵抗は5Ω/cm2であった。
厚さ0.4mmのポリイミド製カプトン(登録商標)フィルムの片面に、真空スパッタリング法によって厚さ300nmの白金膜で均一に被覆した。面抵抗は5Ω/cm2であった。
(3)半導体微粒子分散液の調製
C.J.BarbeらのJ.Am.Ceramic Soc.80巻、p.3157の論文に記載の製造方法に従い、チタン原料にチタニウムテトライソプロポキシドを用い、オートクレーブ中での重合反応の温度を230℃に設定して、二酸化チタン濃度11質量%のアナターゼ型二酸化チタンの分散液を合成した。得られた二酸化チタン粒子の一次粒子のサイズは10~30nmであった。得られた分散液を、超遠心分離機にかけて、粒子を分離し、凝集物を乾燥した後、メノウ乳鉢上で粉砕して白色粉末の半導体微粒子aを得た。水とアセトニトリルの容量比4:1からなる混合溶媒100ccに、半導体微粒子aを溶媒100ccあたり32gの濃度で添加し、自転/公転併用式のミキシングコンディショナーを使って均一に分散、混合した。この結果、得られた白色の半導体微粒子分散液は、50~150N・s/m2の高粘度のペースト状となり、このまま塗布に用いるのに適した液物性をもっていることがわかった。試料番号19-3は、平均分子量が50万のポリエチレングリコール(PEG)の粉末を、溶媒100cc当たり7.7g配合した。その他の半導体微粒子分散液には、半導体微粒子以外の固形分は加えなかった。
C.J.BarbeらのJ.Am.Ceramic Soc.80巻、p.3157の論文に記載の製造方法に従い、チタン原料にチタニウムテトライソプロポキシドを用い、オートクレーブ中での重合反応の温度を230℃に設定して、二酸化チタン濃度11質量%のアナターゼ型二酸化チタンの分散液を合成した。得られた二酸化チタン粒子の一次粒子のサイズは10~30nmであった。得られた分散液を、超遠心分離機にかけて、粒子を分離し、凝集物を乾燥した後、メノウ乳鉢上で粉砕して白色粉末の半導体微粒子aを得た。水とアセトニトリルの容量比4:1からなる混合溶媒100ccに、半導体微粒子aを溶媒100ccあたり32gの濃度で添加し、自転/公転併用式のミキシングコンディショナーを使って均一に分散、混合した。この結果、得られた白色の半導体微粒子分散液は、50~150N・s/m2の高粘度のペースト状となり、このまま塗布に用いるのに適した液物性をもっていることがわかった。試料番号19-3は、平均分子量が50万のポリエチレングリコール(PEG)の粉末を、溶媒100cc当たり7.7g配合した。その他の半導体微粒子分散液には、半導体微粒子以外の固形分は加えなかった。
(4)半導体微粒子分散液中の固形分の測定
厚さ1.9mmの無アルカリガラスの基板に分散液をアプリケーターで塗布し、40~70μmの厚さで塗布し、室温で1時間乾燥させた。その後、空気中、350℃で0.5時間加熱し、加熱前後の重量変化を測定したところ、前記試料番号19-3の半導体微粒子以外の固形分含量は1%であった。それ以外試料の半導体微粒子以外の固形分含量は、0.3%であった。
厚さ1.9mmの無アルカリガラスの基板に分散液をアプリケーターで塗布し、40~70μmの厚さで塗布し、室温で1時間乾燥させた。その後、空気中、350℃で0.5時間加熱し、加熱前後の重量変化を測定したところ、前記試料番号19-3の半導体微粒子以外の固形分含量は1%であった。それ以外試料の半導体微粒子以外の固形分含量は、0.3%であった。
(5)半導体微粒子層の作製
(1)で用意した透明導電性支持体に、(3)で調製した分散液をアプリケータで塗布し、室温下で1時間乾燥させることにより、40~70μmの均一な厚さの塗布層を形成した。さらに、この塗布層を表17記載の条件で処理して、色素増感のための多孔質半導体微粒子層を作製した。多孔質半導体微粒子層の最終的な平均膜厚は、いずれも6~7μmであった。
(1)で用意した透明導電性支持体に、(3)で調製した分散液をアプリケータで塗布し、室温下で1時間乾燥させることにより、40~70μmの均一な厚さの塗布層を形成した。さらに、この塗布層を表17記載の条件で処理して、色素増感のための多孔質半導体微粒子層を作製した。多孔質半導体微粒子層の最終的な平均膜厚は、いずれも6~7μmであった。
(6)色素吸着溶液の調製
表17に示した色素を、乾燥したアセトニトリル:t-ブタノール:エタノールを体積比で2:1:1の混合溶媒に、色素濃度が1×10-4モル/リットルとなるように溶解した。この色素溶液に添加剤として、p-C9H19-C6H4-O-(CH2CH2-O)3-(CH2)4-SO3Naの構造の有機スルホン酸誘導体を0.025モル/リットルの濃度となるように溶解して、色素吸着用溶液を調製した。
表17に示した色素を、乾燥したアセトニトリル:t-ブタノール:エタノールを体積比で2:1:1の混合溶媒に、色素濃度が1×10-4モル/リットルとなるように溶解した。この色素溶液に添加剤として、p-C9H19-C6H4-O-(CH2CH2-O)3-(CH2)4-SO3Naの構造の有機スルホン酸誘導体を0.025モル/リットルの濃度となるように溶解して、色素吸着用溶液を調製した。
(7)色素の吸着
上記の多孔質半導体微粒子層を塗設した基板を、上記の吸着用色素溶液に浸漬して、攪拌下40℃で3時間放置した。
このようにして半導体微粒子層に色素を吸着させ、感光層に用いる色素増感電極(感光性電極)を作製した。
上記の多孔質半導体微粒子層を塗設した基板を、上記の吸着用色素溶液に浸漬して、攪拌下40℃で3時間放置した。
このようにして半導体微粒子層に色素を吸着させ、感光層に用いる色素増感電極(感光性電極)を作製した。
(8)色素増感太陽電池の作製
色素吸着した多孔質半導体微粒子層をかき落として、受光面積1.0cm2(直径約1.1cm)の円型の感光性電極を形成した。この電極に対して、対極の白金蒸着ガラス基板を、熱圧着性のポリエチレンフイルム製のフレーム型スペーサー(厚さ20μm)を挿入して重ね合わせ、スペーサー部分を120℃に加熱し両基板を圧着した。さらにセルのエッジ部をエポキシ樹脂接着剤でシールした。対極の基板のコーナー部にあらかじめ設けた電解液注液用の小孔を通して、電解液として、表17記載のイミダゾリウムイオンE1~E4/ヨウ素=50:1(質量比)の組成から成る室温溶融塩を基板の小孔から毛細管現象を利用して電極間の空間にしみこませた。E1~E4としては、以下のものを使用した。
E1:1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムヨージド
E2:1-ブチルー3-メチルイミダゾリウムヨージド
E3:1-メチルー3-プロピルイミダゾリウムヨージド
E4:1,3-ジ(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エチル)イミダゾリウムヨージド
以上のセル組立工程と、電解液注入の工程をすべて上記の(露点-60)℃の乾燥空気中で実施した。溶融塩の注入後、真空下でセルを数時間吸引し感光性電極および溶融塩を含めたセル内部の脱気を行い、最終的に小孔を低融点ガラスで封じた。これにより、導電性支持体、色素が吸着された多孔質半導体微粒子電極(感光性電極)、電解液、対極および支持体が順に積層された光電気化学電池を作製した。
色素吸着した多孔質半導体微粒子層をかき落として、受光面積1.0cm2(直径約1.1cm)の円型の感光性電極を形成した。この電極に対して、対極の白金蒸着ガラス基板を、熱圧着性のポリエチレンフイルム製のフレーム型スペーサー(厚さ20μm)を挿入して重ね合わせ、スペーサー部分を120℃に加熱し両基板を圧着した。さらにセルのエッジ部をエポキシ樹脂接着剤でシールした。対極の基板のコーナー部にあらかじめ設けた電解液注液用の小孔を通して、電解液として、表17記載のイミダゾリウムイオンE1~E4/ヨウ素=50:1(質量比)の組成から成る室温溶融塩を基板の小孔から毛細管現象を利用して電極間の空間にしみこませた。E1~E4としては、以下のものを使用した。
E1:1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムヨージド
E2:1-ブチルー3-メチルイミダゾリウムヨージド
E3:1-メチルー3-プロピルイミダゾリウムヨージド
E4:1,3-ジ(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エチル)イミダゾリウムヨージド
以上のセル組立工程と、電解液注入の工程をすべて上記の(露点-60)℃の乾燥空気中で実施した。溶融塩の注入後、真空下でセルを数時間吸引し感光性電極および溶融塩を含めたセル内部の脱気を行い、最終的に小孔を低融点ガラスで封じた。これにより、導電性支持体、色素が吸着された多孔質半導体微粒子電極(感光性電極)、電解液、対極および支持体が順に積層された光電気化学電池を作製した。
(9)光電気化学電池の評価
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機社製)に太陽光シミュレーション用補正フィルター(Oriel社製AM1.5direct(商品名))を装着し、上記色素増感太陽電池に対し、入射光強度が100mW/cm2の模擬太陽光を、多孔質半導体微粒子電極(感光性電極)の側から照射した。素子は恒温装置のステージ上に密着して固定し、照射中の素子の温度を50℃に制御した。電流電圧測定装置(ケースレー社製ソースメジャーユニット238型(商品名))を用いて、素子に印加するDC電圧を10mV/秒の定速でスキャンし、素子の出力する光電流を計測することにより、光電流-電圧特性を測定した。これにより求められた上記の各種素子のエネルギー変換効率を、セルの構成要素(半導体微粒子、増感色素)の内容とともに表17に記載した。24時間連続光照射後の変換効率の低下率も測定した。これらの結果を表17に示す。変換効率の初期値は、3.0%以上のものを◎、2.0%以上3.0%未満のものを○、1.5%以上2.0%未満のものを△、1.5%未満のものを×として表示し、変換効率が2.0%以上のものを合格とした。また変換効率の低下率については、10%以下のものを合格とした。
500Wのキセノンランプ(ウシオ電機社製)に太陽光シミュレーション用補正フィルター(Oriel社製AM1.5direct(商品名))を装着し、上記色素増感太陽電池に対し、入射光強度が100mW/cm2の模擬太陽光を、多孔質半導体微粒子電極(感光性電極)の側から照射した。素子は恒温装置のステージ上に密着して固定し、照射中の素子の温度を50℃に制御した。電流電圧測定装置(ケースレー社製ソースメジャーユニット238型(商品名))を用いて、素子に印加するDC電圧を10mV/秒の定速でスキャンし、素子の出力する光電流を計測することにより、光電流-電圧特性を測定した。これにより求められた上記の各種素子のエネルギー変換効率を、セルの構成要素(半導体微粒子、増感色素)の内容とともに表17に記載した。24時間連続光照射後の変換効率の低下率も測定した。これらの結果を表17に示す。変換効率の初期値は、3.0%以上のものを◎、2.0%以上3.0%未満のものを○、1.5%以上2.0%未満のものを△、1.5%未満のものを×として表示し、変換効率が2.0%以上のものを合格とした。また変換効率の低下率については、10%以下のものを合格とした。
また、固形分の含量が1.0質量%の分散液を導電性高分子製の支持体に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子層を作製し、本発明の色素を吸着させた場合も、比較色素を吸着させた場合と比較して、高い変換効率の色素増感太陽電池が得られることがわかった。さらに比較色素を用いた色素増感太陽電池の場合は、連続光照射後の変換効率の低下率が35%以上と高くなったのに対し、本発明の色素を用いた色素増感太陽電池の場合は、連続光照射後の変換効率の低下率が10%以下で、耐久性に優れることがわかった。
[実験20]
実験18のエポキシ系封止剤として、エピコート828((商品名)、ジャパンエポキシレジン社製)、硬化剤及びプラスチックペーストからなる樹脂組成物中に直径25μmのガラス球体がほぼ均一に分散された封止剤ペーストを用いたこと以外は同様にして、光電気化学電池を作製し、光電変換効率の測定を行った。
これにより求めた各光電気化学電池の変換効率の初期値、85℃で1000時間暗所保存後の変換効率の低下率、及び500時間連続光照射後の変換効率の低下率を表18に示す。変換効率が3.0%以上のものを合格とした。85℃で1000時間暗所保存後の変換効率の低下率及び500時間連続光照射後の変換効率の低下率については、低下率が20%以下のものを合格とした。
実験18のエポキシ系封止剤として、エピコート828((商品名)、ジャパンエポキシレジン社製)、硬化剤及びプラスチックペーストからなる樹脂組成物中に直径25μmのガラス球体がほぼ均一に分散された封止剤ペーストを用いたこと以外は同様にして、光電気化学電池を作製し、光電変換効率の測定を行った。
これにより求めた各光電気化学電池の変換効率の初期値、85℃で1000時間暗所保存後の変換効率の低下率、及び500時間連続光照射後の変換効率の低下率を表18に示す。変換効率が3.0%以上のものを合格とした。85℃で1000時間暗所保存後の変換効率の低下率及び500時間連続光照射後の変換効率の低下率については、低下率が20%以下のものを合格とした。
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
本願は、2010年8月3日に日本国で特許出願された特願2010-174873及び2010年10月14日に日本国で特許出願された特願2010-231990に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
1 導電性支持体
2 感光体層
21 色素
22 半導体微粒子
3 電荷移動体層
4 対極
5 受光電極
6 回路
10 光電変換素子
100 光電気化学電池
2 感光体層
21 色素
22 半導体微粒子
3 電荷移動体層
4 対極
5 受光電極
6 回路
10 光電変換素子
100 光電気化学電池
Claims (12)
- 分子内に前記一般式(2a)で表される構造を6つ以上有する請求項1記載の色素。
- 前記一般式(1a)の構造を有する色素が、下記一般式(3)又は一般式(4)で表される請求項1又は2記載の色素。
- 前記一般式(2a)におけるAが、複素環を表す請求項1~3のいずれか1項記載の色素。
- 前記一般式(3)又は一般式(4)において、R19~R58のうち1つ又は2つがCOOH基を有する請求項3又は4記載の色素。
- 請求項1~7のいずれか1項記載の光電変換素子用又は光電気化学電池用色素。
- 請求項1~8のいずれか1項記載の色素と半導体微粒子とを有する感光体層を具備する光電変換素子。
- 請求項1~8のいずれか1項記載の色素と、該色素と異なる色素と、半導体微粒子とを有する感光体層を具備する光電変換素子。
- 前記異なる色素が、下記一般式(1b)で表される請求項10記載の光電変換素子。
一般式(1b)において、分子内に少なくとも1つ以上の下記一般式(2b)で表される構造を有している。一般式(2b)において、nは0又は1の整数を表す。XはNR211、酸素原子、硫黄原子を表し、R211は水素原子又は置換基を表す。R201は、脂肪族基、芳香族基又は複素環基を表す。] - 前記請求項9~11のいずれか1項記載の光電変換素子を備える光電気化学電池。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010174873 | 2010-08-03 | ||
JP2010-174873 | 2010-08-03 | ||
JP2010-231990 | 2010-10-14 | ||
JP2010231990 | 2010-10-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2012017870A1 true WO2012017870A1 (ja) | 2012-02-09 |
Family
ID=45559372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/067007 WO2012017870A1 (ja) | 2010-08-03 | 2011-07-26 | 色素、光電変換素子及び光電気化学電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2012017870A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013241502A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | フタロシアニン色素並びにフタロシアニン色素を用いた色素増感太陽電池及び光電変換素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009028478A1 (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | フタロシアニン化合物 |
WO2010050574A1 (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 富士フイルム株式会社 | 光電気化学電池 |
JP2010251241A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | 色素増感型光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 |
-
2011
- 2011-07-26 WO PCT/JP2011/067007 patent/WO2012017870A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009028478A1 (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | フタロシアニン化合物 |
WO2010050574A1 (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 富士フイルム株式会社 | 光電気化学電池 |
JP2010251241A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | 色素増感型光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SEUNGHUN EU ET AL.: "Synthesis of sterically hindered phthalocyanines and their applications to dye-sensitized solar cells", DALTON TRANSACTIONS, vol. 40, 2008, pages 5476 - 5483 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013241502A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | フタロシアニン色素並びにフタロシアニン色素を用いた色素増感太陽電池及び光電変換素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5620314B2 (ja) | 光電変換素子、光電気化学電池、光電変換素子用色素及び光電変換素子用色素溶液 | |
JP5572029B2 (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP5620316B2 (ja) | 光電変換素子、光電気化学電池及び色素 | |
JP5681716B2 (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP5869481B2 (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP2012113942A (ja) | 多層型光電変換素子およびその製造方法 | |
JP5689351B2 (ja) | 光電変換素子及び光電気化学電池 | |
WO2012017869A1 (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP5620315B2 (ja) | 光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP5620496B2 (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP2012051952A (ja) | 色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
WO2012017874A1 (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP2012156096A (ja) | 光電変換素子およびそれを用いた色素増感型太陽電池 | |
JP5467237B2 (ja) | 色素増感型光電変換素子およびそれを用いた色素増感型太陽電池の製造方法 | |
JP5162904B2 (ja) | 光電変換素子及び色素増感型太陽電池 | |
JP2012036239A (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
WO2012017873A1 (ja) | 金属錯体色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP2007200714A (ja) | 色素増感型太陽電池及びその製造方法 | |
JP5749883B2 (ja) | 色素、これを用いた光電変換素子及び光電気化学電池 | |
WO2012017870A1 (ja) | 色素、光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP2004238213A (ja) | 酸化チタン粒子の製造方法、及びそれを用いた光電変換素子 | |
JP5770115B2 (ja) | 光電変換素子および色素増感太陽電池 | |
JP2012036236A (ja) | 色素、これを用いた光電変換素子及び光電気化学電池 | |
JP2009252403A (ja) | 色素増感型太陽電池の作製方法、及び色素増感型太陽電池 | |
JP5572028B2 (ja) | 光電変換素子及びこれを用いた光電気化学電池、光電変換素子用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11814498 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11814498 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |