WO2012008343A1 - インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法 - Google Patents

インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法 Download PDF

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順子 宮坂
博志 中西
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    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]

Definitions

  • the present invention relates to a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds and a method for producing the same.
  • an imprint mold having an inverted pattern (transfer pattern) on the surface is pressed against the layer of the photocurable resin formed on the surface of the substrate, and the photocurable resin is applied.
  • An optical imprint method that forms a concavo-convex pattern on the surface of a substrate by curing is drawing attention.
  • An imprint mold used in the optical imprint method is required to have light transmittance, chemical resistance, and dimensional stability against a temperature rise caused by light irradiation.
  • quartz glass is often used from the viewpoint of light transmittance and chemical resistance.
  • quartz glass has a high coefficient of thermal expansion around room temperature of about 500 ppb / ° C. and lacks dimensional stability. Therefore, TiO 2 -containing quartz glass has been proposed as a quartz glass having a low thermal expansion coefficient (Patent Documents 1 and 2).
  • the TiO 2 -containing quartz glass has a streak (non-uniform composition (composition distribution)), the surface of the TiO 2 -containing quartz glass substrate that is the substrate for imprint molding, particularly the roughness of the side surface, It is difficult to reduce the swell by polishing. And it became clear by the inventors' investigation that the following problems occur when the roughness and waviness of the side surface of the TiO 2 -containing quartz glass substrate are large.
  • the present inventors have focused on the stress generated by the strie in the TiO 2 -containing quartz glass substrate, and have reached the present invention.
  • the present invention relates to a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds and a method for producing the same, which can suppress defects and misalignment of the concavo-convex pattern transferred to the surface of the substrate by the imprint method when used as an imprint mold. provide.
  • Imprint mold TiO 2 -containing quartz glass substrate of the present invention includes a main surface and a side surface, a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint mold, the arithmetic average roughness of the side surface (Ra) is The root mean square (MSFR_rms) of the irregularities in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface is 10 nm or less.
  • the TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds of the present invention preferably has a chamfered surface interposed between the main surface and the side surface for the purpose of preventing chipping and chipping of the outer periphery, and the chamfered surface.
  • the arithmetic average roughness (Ra) is preferably 1 nm or less.
  • the TiO 2 concentration in the TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds of the present invention is preferably 3 to 12% by mass,
  • the standard deviation (dev [ ⁇ ]) of stress generated by the strie is 0.05 MPa or less.
  • the difference ( ⁇ ) between the maximum value and the minimum value of the stress caused by the stripe is preferably 0.23 MPa or less.
  • Manufacturing method of one embodiment according to the imprint mold TiO 2 -containing quartz glass substrate of the present invention includes a main surface and a side surface, a method for producing a TiO imprint mold 2 -containing quartz glass substrate, By polishing the side surface of the TiO 2 -containing quartz glass substrate having a standard deviation (dev [ ⁇ ]) of stress caused by the strie of 0.05 MPa or less, the arithmetic average roughness (Ra) of the side surface is set to 1 nm or less, The root mean square (MSFR_rms) of the irregularities in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface is set to 10 nm or less.
  • the method for producing a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds is a method for producing a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds having a main surface and side surfaces,
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the side surface is 1 nm or less by polishing the side surface of the TiO 2 -containing quartz glass substrate having a difference ( ⁇ ) between the maximum value and the minimum value of the stress generated by the striee of 0.23 MPa or less.
  • the root mean square (MSFR_rms) of the irregularities in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface is set to 10 nm or less.
  • a polishing brush having polishing bristles protruding while supplying a polishing liquid containing abrasive grains and the TiO 2 -containing quartz It is preferable that the side surface of the TiO 2 -containing quartz glass substrate is polished by relatively moving the glass substrate.
  • TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds of the present invention
  • TiO 2 -containing quartz glass substrate has a chamfered surface interposed between the main surface and the side surface
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the chamfered surface is preferably 1 nm or less by polishing the chamfered surface together with the side surface of the containing quartz glass substrate.
  • Imprint mold TiO 2 -containing quartz glass substrate of the present invention when used as an imprint mold, it is possible to suppress the defects and misalignment of the uneven pattern transferred to the surface of the substrate by imprinting.
  • the method for producing a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds of the present invention when used as an imprint mold, it is possible to suppress defects and misalignment of the concavo-convex pattern transferred to the surface of the substrate by the imprint method.
  • a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint mold can be produced.
  • Figure 1 is a cross-sectional view in the vicinity of the periphery of an example of an imprint mold TiO 2 -containing quartz glass substrate of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view around the periphery showing another example of the TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view in the vicinity of the periphery showing an example of a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds of the present invention.
  • the imprint mold TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 has two main surfaces 12, a side surface 14 formed on the periphery of the imprint mold TiO 2 -containing quartz glass substrate 10, a main surface 12 and a side surface 14. And two chamfered surfaces 16 interposed therebetween.
  • the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint molds preferably has a chamfered surface 16 from the viewpoint of suppressing peripheral chipping and chipping, but does not necessarily have a chamfered surface as shown in FIG. May be.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the side surface 14 is 1 nm or less, preferably 0.7 nm or less, and more preferably 0.5 nm or less.
  • the arithmetic average roughness (Ra) is 1 nm or less, fine particles such as abrasive grains used for polishing the side surface 14 are difficult to adhere to the side surface 14.
  • fine particles can be removed without causing problems on the main surface by performing scrubbing using a PVA sponge on the side surface.
  • the arithmetic average roughness (Ra) is the arithmetic average roughness (Ra) defined in JIS B 0601: 2001, and the surface roughness is measured using an atomic force microscope (AFM) for an area of 1 ⁇ m ⁇ 1 ⁇ m. Calculate from the result.
  • the root mean square (MSFR_rms) of irregularities in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface 14 is 10 nm or less, preferably 7 nm or less, and more preferably 5 nm or less.
  • the root mean square (MSFR_rms) of the unevenness is an index of the waviness of the side surface 14, and if the root mean square (MSFR_rms) of the unevenness is 10 nm or less, the fine particles such as the abrasive grains used for polishing the side surface 14 are side surfaces. It is possible to remove fine particles without causing a problem on the main surface by performing scrubbing cleaning using a PVA sponge on the side surface. Further, when the imprint mold is used, the positional deviation caused by the waviness of the side surface 14 hardly occurs.
  • the root mean square (MSFR_rms) of the unevenness in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface 14 is preferably 0.1 nm or more, more preferably 0.5 nm or more, and further preferably 1 nm or more. If the root mean square (MSFR_rms) of the unevenness is 0.1 nm or more, the contact area is reduced and charging of the side surface 14 can be suppressed. In addition, adhesion of fine particles to the side surface 14 due to charging can be suppressed.
  • the root mean square (MSFR_rms) of the irregularities in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm is measured by measuring the surface roughness using a non-contact surface shape measuring device (for example, New View, etc., manufactured by ZYGO) for a region of 2 mm ⁇ 2 mm. It is calculated from the result of applying a band pass filter that becomes a spatial region (10 ⁇ m to 1 mm).
  • a non-contact surface shape measuring device for example, New View, etc., manufactured by ZYGO
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the chamfered surface 16 is preferably 1 nm or less, more preferably 0.7 nm or less, and further preferably 0.5 nm or less.
  • the arithmetic average roughness (Ra) is 1 nm or less, fine particles such as abrasive grains used for polishing the chamfered surface 16 are difficult to adhere to the chamfered surface 16.
  • fine particles can be removed without causing problems on the main surface by performing scrubbing using a PVA sponge on the side surface.
  • TiO 2 concentration in the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold (100 mass%) is preferably 3 to 12 mass%. Since the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is used as the substrate for imprint mold, dimensional stability with respect to temperature change is required. If TiO 2 concentration of 3 to 12 mass%, it is possible to reduce the thermal expansion coefficient at near room temperature. In order to make the thermal expansion coefficient near room temperature almost zero, the TiO 2 concentration is more preferably 5 to 9% by mass, and further preferably 6 to 8% by mass. The TiO 2 concentration is measured using a fundamental parameter (FP) method in a fluorescent X-ray analysis method.
  • FP fundamental parameter
  • Ti 3+ concentration The average Ti 3+ concentration in the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint molds is preferably 100 ppm by mass or less, more preferably 70 ppm by mass or less, further preferably 20 ppm by mass or less, and more preferably 10 ppm by mass or less. Particularly preferred.
  • the Ti 3+ concentration affects the coloring of TiO 2 -containing quartz glass for imprint molds, particularly the internal transmittance T 300 to 700 . If the Ti 3+ concentration is 100 mass ppm or less, brown coloring is suppressed, and as a result, a decrease in internal transmittance T 300 to 700 is suppressed, and transparency is improved.
  • the Ti 3+ concentration is obtained by electron spin resonance (ESR) measurement.
  • ESR electron spin resonance
  • the measurement conditions are as follows. Frequency: Near 9.44 GHz (X-band), Output: 4mW Modulating magnetic field: 100 KHz, 0.2 mT, Measurement temperature: room temperature, ESR seed integration range: 332 to 368 mT, Sensitivity calibration: performed at a certain amount of peak height of Mn 2+ / MgO.
  • the Ti 3+ concentration is determined by comparing the intensity after two-time integration with the corresponding intensity after two-time integration of a standard sample with a known concentration.
  • the ratio of variation in Ti 3+ concentration to the average value of Ti 3+ concentration is preferably 0.2 or less, more preferably 0.15 or less, and 0 .1 or less is more preferable. If ⁇ Ti 3+ / Ti 3+ is 0.2 or less, the distribution of characteristics such as coloring and absorption coefficient distribution becomes small.
  • ⁇ Ti 3+ / Ti 3+ is obtained by the following methods. The measurement is performed every 10 mm from end to end on an arbitrary line passing through the center point of the sample main surface. The difference between the maximum and minimum values of Ti 3+ concentration of .DELTA.Ti 3+, seek ⁇ Ti 3+ / Ti 3+ by dividing by the average value of the Ti 3+ concentration.
  • the OH concentration in the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint molds is preferably less than 600 mass ppm, more preferably 400 mass ppm or less, further preferably 200 mass ppm or less, and particularly preferably 100 mass ppm or less.
  • OH concentration is less than 600 ppm by mass, a decrease in light transmittance in the near-infrared region due to absorption due to OH groups is suppressed, and T 300 to 3000 is unlikely to be less than 80%.
  • the OH concentration is determined by the following method. Measurement is performed with an infrared spectrophotometer, and the OH concentration is determined from the absorption peak at a wavelength of 2.7 ⁇ m (JP Williams et. Al., Ceramic Bulletin, 55 (5), 524, 1976). The detection limit by this method is 0.1 ppm by mass.
  • the halogen concentration in the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably less than 50 ppm by mass, more preferably 20 ppm by mass or less, further preferably 1 ppm by mass or less, and particularly preferably 0.1 ppm by mass or less. . If the halogen concentration is less than 50 ppm by mass, the Ti 3+ concentration is unlikely to increase, so that brown coloring is unlikely to occur. As a result, the decrease in T 300 to 700 is suppressed and transparency is not impaired.
  • the halogen concentration is determined by the following method.
  • the chlorine concentration is obtained by quantitatively analyzing the chlorine ion concentration by ion chromatography analysis for a solution obtained by dissolving the sample in a sodium hydroxide solution by heating and filtering with a cation removal filter.
  • the fluorine concentration is determined by the fluorine ion electrode method. Specifically, according to the method described in Journal of the Chemical Society of Japan, 1972 (2), 350, the sample was heated and melted in anhydrous sodium carbonate, and the resulting melt was added with distilled water and hydrochloric acid (1: 1 by volume). ) Was added to prepare a sample solution, and the electromotive force of the sample solution was used as a fluorine ion selective electrode and a reference electrode. 945-220 and no. 945-468, respectively, are measured with a radiometer, and the fluorine concentration is determined based on a calibration curve prepared in advance using a fluorine ion standard solution.
  • the internal transmittance T 300 to 700 per 1 mm thickness in the wavelength range of 300 to 700 nm of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and 85%. The above is more preferable.
  • the photoimprint method since the photocurable resin is cured by irradiation with ultraviolet light, it is preferable that the ultraviolet light transmittance is high.
  • the internal transmittance T 400 to 700 per 1 mm thickness in the wavelength 400 to 700 nm region of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and 90%. The above is more preferable. If T 400-700 is 80% or more, visible light is not easily absorbed, and it becomes easier to determine the presence or absence of internal defects such as bubbles and striae when inspecting with a microscope or visual inspection. Is unlikely to occur.
  • the internal transmittance T 300 to 3000 per 1 mm thickness in the wavelength region of 300 to 3000 nm of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, 85% The above is more preferable.
  • T 300 to 3000 is 70% or more, the ultraviolet light transmittance is high, light absorption from the visible light region to the near infrared light region is suppressed, and temperature rise due to light absorption is suppressed.
  • the internal transmittance is obtained by the following method. Using a spectrophotometer, the transmittance of the sample (mirror-polished TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint mold) is measured. The internal transmittance per 1mm thickness is measured by measuring the transmittance of samples with different thicknesses, such as 2mm thick and 1mm thick, with the same degree of mirror polishing, and the transmittance is converted to absorbance. After that, the absorbance per 1 mm thickness is obtained by subtracting the absorbance of the 1 mm thick sample from the absorbance of the 2 mm thick sample, and is obtained by converting it again into the transmittance.
  • quartz glass having a thickness of about 1 mm, which is mirror-polished to the same extent as the sample is prepared.
  • the decrease in transmittance of the quartz glass at a wavelength at which the quartz glass does not absorb, for example, a wavelength in the vicinity of 2000 nm, is defined as the reflection loss on the front and back surfaces.
  • the decrease in transmittance is converted into absorbance, which is used as the absorbance of the reflection loss on the front and back surfaces.
  • the transmittance of the sample having a thickness of 1 mm in the measurement wavelength range of the internal transmittance is converted into absorbance, and the absorbance of the quartz glass near the wavelength of 2000 nm is subtracted. The difference in absorbance is converted back to transmittance to obtain internal transmittance.
  • the standard deviation (dev [ ⁇ ]) of the stress generated by the strike of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably 0.05 MPa or less, more preferably 0.04 MPa or less, and further 0.03 MPa or less. preferable.
  • a glass body manufactured by a soot method which will be described later, is said to be a three-way strie free, and no streaks are observed, but even a glass body manufactured by a soot method contains a dopant (TiO 2 or the like). There is a possibility of seeing a story. If a streak is present, it is difficult to obtain a surface with low roughness and waviness even after polishing.
  • the difference ( ⁇ ) between the maximum value and the minimum value in the stress generated by the strie of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably 0.23 MPa or less, and 0.2 MPa or less. Is more preferable, and 0.15 MPa or less is more preferable.
  • the stress is obtained by the following method.
  • the retardation of a sample is calculated
  • ⁇ C ⁇ F ⁇ n ⁇ d (1).
  • ⁇ a retardation
  • C a photoelastic constant
  • F a stress
  • n a refractive index
  • d is a thickness of the sample.
  • the stress standard deviation (dev [ ⁇ ]) and the difference between the maximum value and the minimum value ( ⁇ ) of the stress are obtained from the stress profile.
  • a sample is cut from the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold by slicing and further polished to obtain a plate-like sample of 30 mm ⁇ 30 mm ⁇ 0.5 mm.
  • a birefringence microscope apply a helium neon laser beam perpendicularly to the 30 mm x 30 mm surface of the sample, expand the magnification so that the striae can be observed sufficiently, examine the in-plane retardation distribution, and convert it to a stress distribution .
  • the striae pitch is fine, it is necessary to reduce the thickness of the sample.
  • the thermal expansion coefficient C 15 to 35 at 15 to 35 ° C. of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably in the range of 0 ⁇ 200 ppb / ° C. Since the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint molds is used as a substrate for imprint molds, the mold has experienced dimensional stability against temperature changes, more specifically, during the imprint method. It is required to have excellent dimensional stability against temperature changes in the temperature range to be obtained.
  • the temperature region that the imprint mold can experience varies depending on the type of imprint method.
  • the photocurable resin is cured by irradiation with ultraviolet light, so that the temperature range that the mold can experience is basically around room temperature.
  • the temperature of the mold may rise locally due to ultraviolet light irradiation.
  • the temperature range that the mold can experience is set to 15 to 35 ° C.
  • C 15 ⁇ 35 is more preferably within a range of 0 ⁇ 100 ppb / ° C., more preferably in the range of 0 ⁇ 50 ppb / ° C., and particularly preferably within a range of 0 ⁇ 30 ppb / ° C. .
  • the thermal expansion coefficient C 22 at 22 ° C. of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold is preferably 0 ⁇ 30 ppb / ° C., more preferably 0 ⁇ 10 ppb / ° C., and 0 ⁇ 5 ppb. More preferably, the temperature is / ° C. Be in the range C 22 is 0 ⁇ 30 ppb / ° C., whether positive or negative value, negligible dimensional changes due to temperature changes.
  • a laser heterodyne interferometric thermal dilatometer (eg, CTE-01, manufactured by UNIOPT Co., Ltd.) The sample dimensional change due to a temperature change of 3 ° C. is measured, and the average thermal expansion coefficient is taken as the thermal expansion coefficient at an intermediate temperature.
  • the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold preferably has a fictive temperature distribution within ⁇ 30 ° C. in the region from the main surface on the side where the transfer pattern is formed to a depth of 10 ⁇ m, and the fictive temperature distribution is ⁇ Those having a temperature within 20 ° C. are more preferable, and those having a fictive temperature distribution within ⁇ 10 ° C. are more preferable. If the virtual temperature distribution within ⁇ 30 ° C., the variation of the etching rate for forming the transfer pattern by etching the main surface of the TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprinting mold is suppressed.
  • the fictive temperature is determined by the following method.
  • (I) Prepare a sample whose virtual temperature is unknown. The sample is a mirror-polished TiO 2 -containing quartz glass substrate 10 for imprint mold.
  • (Ii) A glass body having a known fictive temperature and the same composition as that of the sample and having a different fictive temperature is prepared. The surface of the glass body is mirror-polished.
  • (Iii) An infrared reflection spectrum of the surface of the glass body of (ii) above is obtained using an infrared spectrometer (Magna 760 manufactured by Nikolet). The reflection spectrum is an average value scanned 256 times or more.
  • the peak observed in the vicinity of about 1120 cm ⁇ 1 is a peak due to stretching vibration due to the Si—O—Si bond of the glass, and the peak position depends on the virtual temperature.
  • a calibration curve indicating the relationship between the peak position and the virtual temperature obtained for a plurality of types of glass bodies having different virtual temperatures is created.
  • an infrared reflection spectrum is obtained under the same conditions as in (iii).
  • the position of the peak due to the stretching vibration due to the Si—O—Si bond observed in the vicinity of about 1120 cm ⁇ 1 is accurately obtained.
  • a virtual temperature is obtained by comparing the peak position with a calibration curve.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the side surface 14 is 1 nm or less, and the square of the unevenness in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface 14. Since the average square root (MSFR_rms) is 10 nm or less, fine particles such as abrasive grains used for polishing the side surface 14 are difficult to adhere to the side surface. In addition, fine particles can be removed without causing problems on the main surface by performing scrubbing using a PVA sponge on the side surface.
  • ⁇ Method for imprinting mold TiO 2 -containing quartz glass substrate In the method for producing a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds according to the present invention, (I) the standard deviation (dev [ ⁇ ]) of stress generated by the strie is 0.05 MPa or less, and / or (II) is caused by the strie.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the side surface is 1 nm or less.
  • the root mean square (MSFR_rms) of the irregularities in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface is 10 nm or less.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the chamfered surface is 1 nm or less by polishing the chamfered surface together with the side surface of the unpolished TiO 2 -containing quartz glass substrate. It is preferable to do.
  • Examples of the method for producing a TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint mold include methods having the following steps (a) to (f).
  • B A step of heating the porous TiO 2 —SiO 2 glass body to a densification temperature to obtain a TiO 2 —SiO 2 dense body.
  • C A step of heating the TiO 2 —SiO 2 dense body to a transparent vitrification temperature to obtain a transparent TiO 2 —SiO 2 glass body.
  • (D) A step of obtaining the molded TiO 2 —SiO 2 glass body by heating and molding the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body to a softening point or higher as necessary.
  • (E) A step of annealing the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (c) or the molded TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (d).
  • TiO 2 —SiO 2 glass fine particles (soot) obtained by flame hydrolysis or thermal decomposition of a SiO 2 precursor and a TiO 2 precursor, which are glass forming raw materials, by a soot method at a certain speed and centering on an axis
  • a porous TiO 2 —SiO 2 glass body is formed by depositing and growing on a rotating deposition substrate.
  • the soot method include an MCVD method, an OVD method, a VAD method, etc., which are excellent in mass productivity and have a uniform composition in a large area by adjusting manufacturing conditions such as the size of the substrate for deposition.
  • the VAD method is preferable.
  • Examples of the glass forming raw material include gasifiable raw materials.
  • Examples of the SiO 2 precursor include silicon halide compounds and alkoxysilanes.
  • Examples of the TiO 2 precursor include titanium halide compounds and alkoxy titanium.
  • Examples of the silicon halide compound include chlorides (SiCl 4 , SiHCl 3 , SiH 2 Cl 2 , SiH 3 Cl, etc.), fluorides (SiF 4 , SiHF 3 , SiH 2 F 2 etc.), bromides (SiBr 4 , SiHBr 3 , etc.). Etc.) and iodide (SiI 4 etc.).
  • Examples of the alkoxysilane include a compound represented by the following formula (3).
  • R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • n is an integer of 0 to 3, and some R may be different among plural Rs.
  • Examples of the titanium halide compound include TiCl 4 and TiBr 4 .
  • Examples of the alkoxy titanium include a compound represented by the following formula (4).
  • R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • n is an integer of 0 to 3
  • some R may be different among a plurality of R.
  • the SiO 2 precursor and TiO 2 precursor may be a compound containing Si and Ti such as a silicon titanium double alkoxide.
  • the substrate for deposition include a seed rod made of quartz glass (for example, a seed rod described in Japanese Patent Publication No. 63-24937).
  • a seed rod made of quartz glass for example, a seed rod described in Japanese Patent Publication No. 63-24937.
  • not only rod shape but a plate-shaped deposition base material may be used.
  • the porous TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (a) is heated to a densification temperature in an inert gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere to obtain a TiO 2 —SiO 2 dense body.
  • the densification temperature means a temperature at which the porous TiO 2 —SiO 2 glass body can be densified until voids cannot be confirmed with an optical microscope.
  • the densification temperature is preferably 1250 to 1550 ° C, more preferably 1350 to 1450 ° C.
  • As the inert gas helium is preferable.
  • the atmospheric pressure is preferably 10,000 to 200,000 Pa. Pa in this specification means not absolute pressure but absolute pressure.
  • the porous TiO 2 —SiO 2 glass body is placed under reduced pressure (preferably 13000 Pa or less, more preferably 1300 Pa or less) from the point of increasing homogeneity of the TiO 2 —SiO 2 dense body. Then, it is preferable to introduce an inert gas into an inert gas atmosphere at a predetermined pressure. Further, in the step (b), since the homogeneity of the TiO 2 —SiO 2 dense body is increased, the porous TiO 2 —SiO 2 glass body is at room temperature or a temperature lower than the densification temperature in an inert gas atmosphere. After holding, it is preferable to raise the temperature to the densification temperature.
  • the dense TiO 2 —SiO 2 obtained in the step (b) is heated to a transparent vitrification temperature to obtain a transparent TiO 2 —SiO 2 glass body.
  • the transparent vitrification temperature means a temperature at which crystals cannot be confirmed with an optical microscope and a transparent glass is obtained.
  • the transparent vitrification temperature is preferably 1350 to 1750 ° C, more preferably 1400 to 1700 ° C.
  • the atmosphere is preferably a 100% atmosphere of an inert gas (such as helium or argon) or an atmosphere containing an inert gas (such as helium or argon) as a main component.
  • the pressure of the atmosphere is preferably reduced pressure or normal pressure. In the case of reduced pressure, 13000 Pa or less is preferable.
  • the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (c) is put into a mold and heated to a temperature equal to or higher than the softening point to be molded into a desired shape to obtain a molded TiO 2 —SiO 2 glass body.
  • the molding temperature is preferably 1500 to 1800 ° C. When the molding temperature is 1500 ° C. or higher, the viscosity of the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body is low, and it is easy to deform by its own weight.
  • the growth of cristobalite, which is a crystal phase of SiO 2 , or the growth of rutile or anatase, which is a crystal phase of TiO 2 , is suppressed, and so-called devitrification hardly occurs. If the molding temperature is 1800 ° C. or lower, sublimation of SiO 2 can be suppressed.
  • Step (d) may be repeated a plurality of times. For example, after putting a transparent TiO 2 —SiO 2 glass body into a mold and heating to a temperature above the softening point, the resulting molded TiO 2 —SiO 2 glass body is put into another mold and heated to a temperature above the softening point Two-stage molding may be performed. Moreover, you may perform a process (c) and a process (d) continuously or simultaneously. If the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (c) is sufficiently large, the transparent TiO 2 —SiO 2 glass obtained in the step (c) without performing the next step (d). by cutting the body into a predetermined size may be formed TiO 2 -SiO 2 glass body. The following step (d ′) may be performed instead of step (d) or after step (d) and before step (e).
  • T 1 is the annealing point (° C.) of the TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (e).
  • the annealing point means a temperature at which the viscosity ⁇ of the glass is 1013 dPa ⁇ s.
  • An annealing point is calculated
  • a strie is a non-uniform composition (composition distribution) of a TiO 2 —SiO 2 glass body.
  • Site TiO 2 concentration is high, since the coefficient of thermal expansion (CTE) becomes negative, when the cooling process in step (e), there is a tendency that site TiO 2 concentration is high is inflated.
  • CTE coefficient of thermal expansion
  • the TiO 2 concentration adjacent the TiO 2 concentration is high sites exist lower portion, so that the compressive stress expansion of the TiO 2 concentration is high sites can be prevented is applied.
  • stress distribution occurs in the TiO 2 —SiO 2 glass body. In the present specification, such a stress distribution is referred to as “stress distribution caused by a streak”.
  • the nonuniformity in the composition of the TiO 2 —SiO 2 glass body can also be reduced by increasing the rotation speed of the deposition base material in the step (a).
  • the rotation speed is preferably 5 rpm or more, more preferably 20 rpm or more, still more preferably 50 rpm or more, and most preferably 100 rpm or more.
  • the TiO 2 —SiO 2 glass body used as the substrate for the imprint mold has a stress distribution caused by the striker, a difference in processing rate occurs when the surface is polished, and the roughness of the surface after polishing is reduced. The swell will be affected.
  • the stress distribution generated by the strie in the TiO 2 —SiO 2 glass body produced through the subsequent step (e) is used as the substrate for the imprint mold. It is reduced to a level that does not cause any problems.
  • the heating temperature in the step (d ′) is preferably less than T 1 + 600 ° C., more preferably less than T 1 + 550 ° C., and less than T 1 + 500 ° C. from the viewpoint of suppressing foaming and sublimation in the TiO 2 —SiO 2 glass body. Further preferred. That is, the heating temperature in the step (d ') is, T is preferably less than 1 + 400 ° C. or higher T 1 + 600 °C, T 1 + 400 °C or T, more preferably less than 1 + 550 °C, T 1 + 450 °C higher T than 1 + 500 ° C. is Further preferred.
  • the heating time is preferably more than 24 hours, more preferably more than 48 hours, and still more preferably more than 96 hours from the viewpoint of the effect of reducing the streak.
  • Step (d ′) and step (e) may be performed continuously or simultaneously. Moreover, you may perform a process (c) and / or a process (d), and a process (d ') continuously or simultaneously.
  • an annealing process is performed to lower the temperature to 700 ° C. or lower at an average temperature-decreasing rate of 100 ° C./hr or lower to control the virtual temperature of the TiO 2 —SiO 2 glass body .
  • the step (c) or the step (d) and the step (e) are carried out continuously or simultaneously, the step (c) or the step (d) is obtained in the temperature lowering process from a temperature of 1100 ° C. or higher.
  • a transparent TiO 2 —SiO 2 glass body or a molded TiO 2 —SiO 2 glass body is annealed by lowering the temperature from 1100 ° C. to 700 ° C. at an average temperature lowering rate of 100 ° C./hr or less to obtain a TiO 2 —SiO 2 glass body. Control the virtual temperature.
  • the average temperature lowering rate is more preferably 10 ° C./hr or less, further preferably 5 ° C./hr or less, and particularly preferably 2.5 ° C./hr or less.
  • the atmosphere is not particularly limited.
  • step (e) contamination is suppressed in steps (a) to (d) (particularly step (a)).
  • step (a) it is important to accurately control the temperature conditions in steps (b) to (d).
  • steps (a) to (e) are examples showing a method for producing a TiO 2 —SiO 2 glass body when the soot method is adopted in the step (a).
  • a transparent TiO 2 —SiO 2 glass body can be obtained directly without performing steps (b) and (c).
  • SiO 2 precursors and TiO 2 precursors which are glass forming raw materials, are hydrolyzed and oxidized in an oxyhydrogen flame at 1800 to 2000 ° C., and TiO 2 —SiO 2 glass fine particles are obtained at a transparent vitrification temperature.
  • a transparent TiO 2 —SiO 2 glass body is obtained directly by deposition.
  • the step (d) and the step (e) may be sequentially performed. Further, the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (a) by the direct method is cut into a predetermined size to obtain a molded TiO 2 —SiO 2 glass body, and then the step (e) may be performed. Good.
  • the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (a) by the direct method contains H 2 and OH. By adjusting the flame temperature and gas concentration in the direct method, the OH concentration of the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body can be adjusted.
  • the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (a) by the direct method is in a vacuum, a reduced pressure atmosphere, or normal pressure
  • the H 2 concentration is 1000 ppm by volume or less
  • the O 2 concentration is 18
  • the OH concentration of the transparent TiO 2 —SiO 2 glass body can also be adjusted by a method of degassing by holding at a temperature of 700 to 1800 ° C. for 10 minutes to 90 days in an atmosphere of volume% or less.
  • the TiO 2 —SiO 2 glass body obtained in the step (e) is subjected to machining such as cutting, cutting and polishing to obtain a TiO 2 —SiO 2 glass substrate having a predetermined shape.
  • machining such as cutting, cutting and polishing to obtain a TiO 2 —SiO 2 glass substrate having a predetermined shape.
  • at least polishing is performed.
  • the polishing step is preferably performed in two or more steps according to the finished state of the polished surface. In the final polishing step, it is preferable to use colloidal silica as an abrasive.
  • abrasive grains are included. While supplying the polishing liquid, the side surface of the TiO 2 —SiO 2 glass body can be polished by relatively moving the polishing brush provided with polishing brush bristles and the TiO 2 —SiO 2 glass body. preferable.
  • polishing abrasive grains SHOROX A-10 (KT) manufactured by Showa Denko, and as brush hairs for polishing, material: PP (polypropylene), brush diameter: ⁇ 0.5, shape: wave can be mentioned.
  • the standard deviation (dev [ ⁇ ]) of the stress caused by the strie is 0.05 MPa or less, and / or (II) Since the difference ( ⁇ ) between the maximum value and the minimum value of the stress caused by the strie is 0.23 MPa or less, that is, the side of the TiO 2 -containing quartz glass substrate having a small strie is polished, the arithmetic average roughness of the side
  • the thickness (Ra) can be set to 1 nm or less, and the root mean square (MSFR_rms) of unevenness in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface can be set to 10 nm or less.
  • the brush bristles for polishing a polishing brush projecting and TiO 2 -containing quartz glass substrate are relatively moved, the TiO 2 -containing quartz glass substrate
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the side surface can be made 1 nm or less
  • the root mean square (MSFR_rms) of the irregularities in the wavelength region of 10 ⁇ m to 1 mm on the side surface can be made 10 nm or less.
  • the imprint mold can be produced by forming a transfer pattern by etching on the main surface of the TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint mold of the present invention.
  • the transfer pattern is a reversal pattern of a desired fine uneven pattern, and includes a plurality of fine convex portions and / or concave portions.
  • etching method dry etching is preferable, and specifically, reactive ion etching with SF 6 is preferable.
  • Examples 1 and 2 are examples, and example 3 is a comparative example.
  • Example 1 (Process (a)) TiCl 4 and SiCl 4 as glass forming raw materials are each gasified and then mixed, and TiO 2 —SiO 2 glass fine particles obtained by heating and hydrolyzing (flame hydrolysis) in an oxyhydrogen flame are deposited. The material was deposited and grown to form a porous TiO 2 —SiO 2 glass body. Since the obtained porous TiO 2 —SiO 2 glass body is difficult to handle as it is, it is kept in the atmosphere at 1200 ° C. for 4 hours while being deposited on the deposition substrate, and then the deposition substrate. Removed from.
  • the primary polish a 20B double-side polish machine was used, and the main surface was polished by about 50 ⁇ m with a slurry mainly composed of cerium oxide having an average particle size of 1.5 ⁇ m as an abrasive.
  • a 20B double-side polish machine was used, and the main surface was polished by about 10 ⁇ m with a slurry mainly composed of cerium oxide having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m as an abrasive.
  • final polishing was performed using another polishing machine.
  • colloidal silica manufactured by Fujimi Corporation, Compol 20
  • the polished TiO 2 —SiO 2 glass plate was cleaned using a multistage automatic washer in which the first tank was a hot solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide and the third tank was a neutral surfactant solution. .
  • the obtained TiO 2 —SiO 2 glass base material is stored in a storage case made of polymethyl methacrylate in a clean room, and stored in accordance with MIL-STD-810F of US Military Standards MIL (Military Specifications and Military Standards). Perform a vibration test on the case. After the vibration test, the storage case was opened in a clean room, and for the TiO 2 —SiO 2 glass substrate taken out, the number of defects due to adhered foreign matter on the main surface was measured using a defect inspection apparatus (M1320, manufactured by Lasertec Corporation), Evaluation is based on the following criteria. The results are shown in Table 3. A: There is almost no difference in the number of defects before and after the vibration test. B: The number of defects after the vibration test was clearly increased compared to before the vibration test.
  • Example 2 The polishing of the TiO 2 —SiO 2 glass plate in the step (f) was performed using a polishing brush in which a brush protruded from the roll-shaped support toward the outer peripheral direction, and the TiO 2 —SiO 2 glass plate was A TiO 2 —SiO 2 glass substrate is obtained in the same manner as in Example 1 except that the rotation is performed with the axis perpendicular to the main surface as the rotation axis and contact with the rotated roll brush. The results are shown in Tables 1 to 3.
  • Example 3 In a method for manufacturing a glass body, except that no performing step (e), to obtain a TiO 2 -SiO 2 glass substrate in the same manner as in Example 1. The results are shown in Tables 1 to 3.
  • the TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint molds of the present invention is intended to form a fine concavo-convex pattern with a size of 1 nm to 10 ⁇ m in a semiconductor device, an optical waveguide, a micro optical element (diffraction grating, etc.), a biochip, a microreactor, etc. It is useful as a material for imprint molds used in the above.
  • TiO 2 -containing quartz glass substrate for imprint mold 12 main surface 14 side surface 16 chamfered surface

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Abstract

　本発明は、主表面と側面とを有する、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材であって、前記側面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１ｎｍ以下であり、前記側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）が、１０ｎｍ以下である、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材に関する。

Description

インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法
　本発明は、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法に関する。
　半導体デバイス、光導波路、微小光学素子（回折格子等）、バイオチップ、マイクロリアクタ等における寸法１ｎｍ～１０μｍの微細な凹凸パターンを、各種基板（たとえばＳｉ、サファイア等の単結晶基板、ガラス等の非晶質基板）の表面に形成する方法として、基板の表面に形成された光硬化性樹脂の層に、凹凸パターンの反転パターン（転写パターン）を表面に有するインプリントモールドを押し付け、光硬化性樹脂を硬化させることによって、基板の表面に凹凸パターンを形成する光インプリント法が注目されている。
　光インプリント法に用いられるインプリントモールドには、光透過性、耐薬品性、光照射による温度上昇に対する寸法安定性が求められる。インプリントモールド用基材としては、光透過性、耐薬品性の点から、石英ガラスがよく用いられる。しかし、石英ガラスは、室温付近における熱膨張係数が約５００ｐｐｂ／℃と高く、寸法安定性に欠ける。そこで、熱膨張係数の低い石英系ガラスとして、ＴｉＯ２含有石英ガラスが提案されている（特許文献１、２）。
日本国特開２００６－３０６６７４号公報 国際公開第２００９／０３４９５４号
　しかし、ＴｉＯ２含有石英ガラスには、ストリエ（組成上の不均一（組成分布））が存在するため、インプリントモールド用基材であるＴｉＯ２含有石英ガラス基材の表面、特に側面の粗さやうねりを研磨によって小さくすることが難しい。
　そして、発明者らの検討によりＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面の粗さやうねりが大きい場合、下記の問題が生じることがわかった。
　（ｉ）ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面の粗さが大きいと、側面を研磨する際に用いた研磨砥粒等の微粒子が側面に付着しやすい。そして、ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面が擦れた際に、微粒子が発生する。該微粒子は、側面研磨後の表面研磨時に主表面に回り込み主表面にスクラッチを発生させる、バッチ式洗浄時に主表面に回り込み再付着する、といった不具合の原因となる。そして、該微粒子は、インプリント法によって基板の表面に転写された凹凸パターンにおける欠陥の原因となる。
　（ii）ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面のうねりが大きいと、側面を研磨する際に用いた研磨砥粒（微粒子）が付着しやすく、（ｉ）と同じ問題が生じる。また、インプリント法によってインプリントモールドの反転パターン（転写パターン）を基板の表面に転写する際に、モールドの側面を治具等に当接させて位置あわせしようとしても、側面のうねりによって位置がずれてしまう。そのため、インプリント法によって基板の表面に転写された凹凸パターンの位置もずれてしまう。
　そこで、本発明者らは、ＴｉＯ２含有石英ガラス基材における、ストリエによって生じる応力に着目し、本発明に至った。本発明は、インプリントモールドとして用いた際に、インプリント法によって基板の表面に転写される凹凸パターンの欠陥や位置ズレを抑制できるインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法を提供する。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材は、主表面と側面とを有する、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材であって、前記側面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１ｎｍ以下であり、前記側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）が、１０ｎｍ以下である。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材は、前記主表面と前記側面との間に介在する面取り面を有することが外周部のカケやチッピングを防止する目的から好ましく、該面取り面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下であることが好ましい。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材中のＴｉＯ２濃度は、３～１２質量％であることが好ましい、
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材においては、ストリエによって生じる応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）が、０．０５ＭＰａ以下であることが好ましい。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材においては、ストリエによって生じる応力の最大値と最小値との差（Δσ）が、０．２３ＭＰａ以下であることが好ましい。
　本発明の一つの態様によるインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法は、主表面と側面とを有する、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材を製造する方法であって、ストリエによって生じる応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）が０．０５ＭＰａ以下のＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨することによって、前記側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、前記側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下とする。
　本発明の別の態様によるインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法は、主表面と側面とを有する、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材を製造する方法であって、ストリエによって生じる応力の最大値と最小値との差（Δσ）が０．２３ＭＰａ以下のＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨することによって、前記側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、前記側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下とする。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法においては、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら、研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシと前記ＴｉＯ２含有石英ガラス基材とを相対的に移動させて、前記ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨することが好ましい。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法においては、前記ＴｉＯ２含有石英ガラス基材が、前記主表面と前記側面との間に介在する面取り面を有する場合、ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面とともに面取り面を研磨することによって、前記面取り面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とすることが好ましい。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材は、インプリントモールドとして用いた際に、インプリント法によって基板の表面に転写される凹凸パターンの欠陥や位置ズレを抑制できる。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法によれば、インプリントモールドとして用いた際に、インプリント法によって基板の表面に転写される凹凸パターンの欠陥や位置ズレを抑制できるインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材を製造できる。
図１は、本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の一例を示す周縁付近の断面図である。 図２は、本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の他の例を示す周縁付近の断面図である。
＜ＴｉＯ２含有石英ガラス基材＞
　図１は、本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の一例を示す周縁付近の断面図である。
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０は、２つの主表面１２と、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の周縁に形成される側面１４と、主表面１２と側面１４との間に介在する２つの面取り面１６とを有する。
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０は、外周部のカケ、チッピング抑制の点から、面取り面１６を有することが好ましいが、図２に示すように、必ずしも、面取り面を有さなくてもよい。
（側面の算術平均粗さ）
　側面１４の算術平均粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下であり、０．７ｎｍ以下が好ましく、０．５ｎｍ以下がより好ましい。算術平均粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下であれば、側面１４を研磨する際に用いた研磨砥粒等の微粒子が側面１４に付着しにくい。また、側面にＰＶＡスポンジを用いた擦り洗浄を行うことによって主表面に不具合を生じることなく微粒子を除去することが可能である。
　算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２００１に規定される算術平均粗さ（Ｒａ）であり、１μｍ×１μｍの領域について原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて表面粗さを測定し、その結果から算出する。
（側面の凹凸の二乗平均平方根）
　側面１４の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）は、１０ｎｍ以下であり、７ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましい。凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）は側面１４のうねりの指標であり、凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）が１０ｎｍ以下であれば、側面１４を研磨する際に用いた研磨砥粒等の微粒子が側面１４に付着しにくく、側面にＰＶＡスポンジを用いた擦り洗浄を行うことによって主表面に不具合を生じることなく微粒子を除去することが可能である。また、インプリントモールドとした際に、側面１４のうねりが原因となる位置ズレが生じにくい。
　側面１４の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）は、０．１ｎｍ以上が好ましく、０．５ｎｍ以上がより好ましく、１ｎｍ以上がさらに好ましい。凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）が０．１ｎｍ以上であれば、接触面積が減少し、側面１４の帯電を抑制できる。そして、帯電による側面１４への微粒子の付着を抑制できる。
　１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）は、２ｍｍ×２ｍｍの領域について非接触表面形状測定機（たとえば、ＺＹＧＯ社製、ＮｅｗＶｉｅｗ等）を用いて表面粗さを測定し、所定の空間領域（１０μｍ～１ｍｍ）となるバンドパスフィルタをかけた結果から算出する。
（面取り面の算術平均粗さ）
　面取り面１６の算術平均粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下が好ましく、０．７ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以下がさらに好ましい。算術平均粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下であれば、面取り面１６を研磨する際に用いた研磨砥粒等の微粒子が面取り面１６に付着しにくい。また、側面にＰＶＡスポンジを用いた擦り洗浄を行うことによって主表面に不具合を生じることなく微粒子を除去することが可能である。
（ＴｉＯ２濃度）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０（１００質量％）中のＴｉＯ２濃度は、３～１２質量％が好ましい。インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０はインプリントモールド用基材として用いられるため、温度変化に対する寸法安定性が要求される。ＴｉＯ２濃度が３～１２質量％であれば、室温付近における熱膨張係数を小さくできる。室温付近における熱膨張係数をほぼゼロとするためには、ＴｉＯ２濃度は、５～９質量％がより好ましく、６～８質量％がさらに好ましい。
　ＴｉＯ２濃度は、蛍光Ｘ線分析法において、ファンダメンタルパラメーター（ＦＰ）法を用いて測定する。
（Ｔｉ３＋濃度）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０中のＴｉ３＋濃度は、平均で、１００質量ｐｐｍ以下が好ましく、７０質量ｐｐｍ以下がより好ましく、２０質量ｐｐｍ以下がさらに好ましく、１０質量ｐｐｍ以下が特に好ましい。Ｔｉ３＋濃度は、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラスの着色、特に内部透過率Ｔ３００～７００に影響する。Ｔｉ３＋濃度が１００質量ｐｐｍ以下であれば、茶色の着色が抑えられ、その結果、内部透過率Ｔ３００～７００の低下が抑えられ、透明性が良好となる。
　Ｔｉ３＋濃度は電子スピン共鳴（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｉｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定によって求める。測定条件は下記の通りである。周波数：９．４４ＧＨｚ付近（Ｘ－ｂａｎｄ）、
　出力：４ｍＷ、
　変調磁場：１００ＫＨｚ、０．２ｍＴ、
　測定温度：室温、
　ＥＳＲ種積分範囲：３３２～３６８ｍＴ、
　感度校正：一定量のＭｎ２＋／ＭｇＯのピーク高さにて実施。
　縦軸が信号強度であり、横軸が磁場強度（ｍＴ）であるＥＳＲ信号（微分形）において、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラスは、ｇ１＝１．９８８、ｇ２＝１．９４６、ｇ３＝１．９１５の異方性を有する形状を示す。ガラス中のＴｉ３＋は、通常、ｇ＝１．９前後で観察されるため、これらをＴｉ３＋由来の信号とする。Ｔｉ３＋濃度は、二回積分後の強度を、濃度既知の標準試料の対応する２回積分後の強度と比較して求める。
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラスにおける、Ｔｉ３＋濃度の平均値に対するＴｉ３＋濃度のばらつきの割合（ΔＴｉ３＋／Ｔｉ３＋）は、０．２以下が好ましく、０．１５以下がより好ましく、０．１以下がさらに好ましい。ΔＴｉ３＋／Ｔｉ３＋が０．２以下であれば、着色、吸収係数の分布等の特性の分布が小さくなる。
　ΔＴｉ３＋／Ｔｉ３＋は下記の方法によって求める。
　測定はサンプル主表面の中心点を通る任意のライン上で端から端まで１０ｍｍおきに行う。Ｔｉ３＋濃度の最大値と最小値の差をΔＴｉ３＋とし、Ｔｉ３＋濃度の平均値で除することでΔＴｉ３＋／Ｔｉ３＋を求める。
（ＯＨ濃度）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０中のＯＨ濃度は、６００質量ｐｐｍ未満が好ましく、４００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、２００質量ｐｐｍ以下がさらに好ましく、１００質量ｐｐｍ以下が特に好ましい。ＯＨ濃度が６００質量ｐｐｍ未満であれば、ＯＨ基に起因する吸収による近赤外域における光透過率の低下が抑えられ、Ｔ３００～３０００が８０％未満となりにくい。
　ＯＨ濃度は下記の方法によって求める。
　赤外分光光度計による測定を行い、波長２．７μｍでの吸収ピークからＯＨ濃度を求める（Ｊ．Ｐ．Ｗｉｌｌｉａｍｓ　ｅｔ．ａｌ．、Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、５５（５）、５２４、１９７６）。該方法による検出限界は０．１質量ｐｐｍである。
（ハロゲン濃度）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０中のハロゲン濃度は、５０質量ｐｐｍ未満が好ましく、２０質量ｐｐｍ以下がより好ましく、１質量ｐｐｍ以下がさらに好ましく、０．１質量ｐｐｍ以下が特に好ましい。ハロゲン濃度が５０質量ｐｐｍ未満であれば、Ｔｉ３＋濃度が増加しにくくなるため、茶色の着色が起こりにくくなる。その結果、Ｔ３００～７００の低下が抑えられ、透明性が損なわれない。
　ハロゲン濃度は下記の方法によって求める。
　塩素濃度は、サンプルを水酸化ナトリウム溶液に加熱溶解し、陽イオン除去フィルタでろ過した溶解液について、イオンクロマトグラフ分析法にて塩素イオン濃度を定量分析することによって求める。
　フッ素濃度は、フッ素イオン電極法によって求める。具体的には、日本化学会誌、１９７２（２）、３５０に記載された方法にしたがって、サンプルを無水炭酸ナトリウムに加熱融解し、得られた融液に蒸留水および塩酸（体積比で１：１）を加えて試料液を調製し、試料液の起電力をフッ素イオン選択性電極および比較電極としてラジオメータトレーディング社製Ｎｏ．９４５－２２０およびＮｏ．９４５－４６８をそれぞれ用いてラジオメータによって測定し、フッ素イオン標準溶液を用いてあらかじめ作成した検量線に基づいて、フッ素濃度を求める。
（内部透過率）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の、波長３００～７００ｎｍの領域における厚さ１ｍｍあたりの内部透過率Ｔ３００～７００は、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、８５％以上がさらに好ましい。光インプリント法では、紫外光照射によって光硬化性樹脂を硬化させるため、紫外光透過率が高い方が好ましい。
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の、波長４００～７００ｎｍの領域における厚さ１ｍｍあたりの内部透過率Ｔ４００～７００は、８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましい。Ｔ４００～７００が８０％以上であれば、可視光が吸収されにくく、顕微鏡、目視等による検査の際に、泡、脈理等の内部欠点の有無を判別しやすくなり、検査や評価において不具合が生じにくい。
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の、波長３００～３０００ｎｍの領域における厚さ１ｍｍあたりの内部透過率Ｔ３００～３０００は、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、８５％以上がさらに好ましい。Ｔ３００～３０００が７０％以上であれば、紫外光透過率が高く、また、可視光域から近赤外光域における光吸収が抑えられ、光吸収による温度上昇が抑えられる。
　内部透過率は下記の方法によって求める。
　分光光度計を用いて、サンプル（鏡面研磨されたインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材）の透過率を測定する。厚さ１ｍｍあたりの内部透過率は、同じ程度の鏡面研磨を施した厚さの異なるサンプル、たとえば、厚さ２ｍｍのサンプルと厚さ１ｍｍのサンプルの透過率を測定し、透過率を吸光度に変換した後、厚さ２ｍｍのサンプルの吸光度から厚さ１ｍｍのサンプルの吸光度を引くことで、厚さ１ｍｍあたりの吸光度を求め、再度透過率に変換することで求める。
　別の方法としては、まず、サンプルと同じ程度の鏡面研磨を施した厚さ１ｍｍ程度の石英ガラスを用意する。該石英ガラスの吸収のない波長、たとえば２０００ｎｍ付近の波長での石英ガラスの透過率減少分を表面・裏面の反射損とする。透過率減少分を吸光度に変換し、表面・裏面の反射損の吸光度とする。
　内部透過率の測定波長域における厚さ１ｍｍのサンプルの透過率を吸光度に変換し、前記石英ガラスの波長２０００ｎｍ付近での吸光度を引く。吸光度の差を再度透過率に変換して内部透過率とする。
（応力）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の、ストリエによって生じる応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）は、０．０５ＭＰａ以下が好ましく、０．０４ＭＰａ以下がより好ましく、０．０３ＭＰａ以下がさらに好ましい。通常、後述するスート法で製造されるガラス体は、３方向ストリエフリーといわれ、ストリエが見られないが、スート法で製造されるガラス体であってもドーパント（ＴｉＯ２等）を含む場合には、ストリエが見られる可能性がある。ストリエが存在すると、研磨しても粗さやうねりの小さい表面が得られにくい。また、同様の理由から、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の、ストリエによって生じる応力における最大値と最小値との差（Δσ）は、０．２３ＭＰａ以下が好ましく、０．２ＭＰａ以下がより好ましく、０．１５ＭＰａ以下がさらに好ましい。
　応力は下記の方法によって求める。
　まず、複屈折顕微鏡を用いて１ｍｍ×１ｍｍ程度の領域を測定することでサンプルのレタデーションを求め、下式（１）から応力のプロファイルを求める。
　Δ＝Ｃ×Ｆ×ｎ×ｄ　・・・（１）。
　ここで、Δは、レタデーションであり、Ｃは、光弾性定数であり、Ｆは、応力であり、ｎは屈折率であり、ｄは、サンプルの厚さである。
　ついで、応力のプロファイルから、応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）、応力における最大値と最小値との差（Δσ）を求める。
　具体的には、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０からスライスによってサンプルを切り取り、さらに研磨を行うことによって、３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．５ｍｍの板状のサンプルを得る。複屈折顕微鏡にて、サンプルの３０ｍｍ×３０ｍｍの面にヘリウムネオンレーザ光を垂直にあて、脈理が充分に観察可能な倍率に拡大して、面内のレタデーション分布を調べ、応力分布に換算する。脈理のピッチが細かい場合は、サンプルの厚さを薄くする必要がある。
（熱膨張係数）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の、１５～３５℃における熱膨張係数Ｃ１５～３５は、０±２００ｐｐｂ／℃の範囲内にあることが好ましい。インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０は、インプリントモールド用基材として用いられるため、温度変化に対する寸法安定性、より具体的には、インプリント法の際に、該モールドが経験し得る温度領域における温度変化に対する寸法安定性に優れることが要求される。ここで、インプリントモールドが経験し得る温度領域は、インプリント法の種類によって異なる。光インプリント法では、紫外光照射によって光硬化性樹脂を硬化させるため、該モールドが経験し得る温度領域は基本的には室温付近である。ただし、紫外光照射によって該モールドの温度が局所的に上昇する場合がある。紫外光照射による局所的な温度上昇を考慮して、該モールドが経験し得る温度領域を１５～３５℃とする。Ｃ１５～３５は、０±１００ｐｐｂ／℃の範囲内にあることがより好ましく、０±５０ｐｐｂ／℃の範囲内にあることがさらに好ましく、０±３０ｐｐｂ／℃の範囲内にあることが特に好ましい。
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の、２２℃における熱膨張係数Ｃ２２は、０±３０ｐｐｂ／℃であることが好ましく、０±１０ｐｐｂ／℃であることがより好ましく、０±５ｐｐｂ／℃であることがさらに好ましい。Ｃ２２が０±３０ｐｐｂ／℃の範囲であれば、値の正負にかかわらず、温度変化による寸法変化を無視できる。
　２２℃における熱膨張係数のように少ない測定点数で精度よく測定するためには、レーザヘテロダイン干渉式熱膨張計（たとえば、ユニオプト社製、ＣＴＥ－０１等）を用いて、その温度の前後１～３℃の温度変化によるサンプルの寸法変化を測定し、その平均の熱膨張係数をその中間の温度における熱膨張係数とする。
（仮想温度分布）
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０は、転写パターンを形成する側の主表面から深さ１０μｍまでの領域における仮想温度分布が±３０℃以内のものが好ましく、該仮想温度分布が±２０℃以内のものがより好ましく、該仮想温度分布が±１０℃以内のものがさらに好ましい。該仮想温度分布が±３０℃以内であれば、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の主表面にエッチングによって転写パターンを形成する際のエッチング速度のばらつきが抑えられる。
　仮想温度は下記の方法によって求める。
　（ｉ）仮想温度が未知のサンプルを用意する。該サンプルは、鏡面研磨されたインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０である。
　（ii）仮想温度が既知で、かつ前記サンプルと組成が同じガラス体であって、仮想温度が異なる複数種類のガラス体を用意する。該ガラス体の表面は、鏡面研磨しておく。
　（iii）赤外分光計（Ｎｉｋｏｌｅｔ社製Ｍａｇｎａ７６０）を用いて、前記（ii）のガラス体の表面の赤外反射スペクトルを取得する。反射スペクトルは、２５６回以上スキャンさせた平均値とする。得られた赤外反射スペクトルにおいて、約１１２０ｃｍ－１付近に観察されるピークがガラスのＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合による伸縮振動に起因するピークであり、ピーク位置は仮想温度に依存する。仮想温度が異なる複数種類のガラス体について得られた該ピーク位置と仮想温度との関係を示す検量線を作成する。
　（iv）前記（ｉ）のサンプルについて、前記（iii）と同じ条件にて赤外反射スペクトルを取得する。得られた赤外反射スペクトルにおいて、約１１２０ｃｍ－１付近に観察されるＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合による伸縮振動に起因するピークの位置を正確に求める。該ピーク位置を検量線に照らし合わせて、仮想温度を求める。
　また、表面から深さ１０μｍまでの領域における仮想温度分布は、下記のようにして求める。
　まず、前記の方法で表面の仮想温度を求める、ついで、１０質量％フッ酸溶液に３０秒間～１分間浸漬し、前後の質量減少量を求める。質量減少量から下式（２）によって、エッチングされた深さを求める。
　（エッチングされた深さ）＝（質量減少量）／（（密度）×（表面積））　・・・（２）。
　また、前記の方法でエッチングして現れた表面の仮想温度を求め、その深さにおける仮想温度とする。その後、再度１０質量％フッ酸溶液に３０秒間～１分間浸漬し、深さと仮想温度を求める。これを繰り返して１０μｍを超える直前までの操作によって得られた仮想温度の値の中で最大値と最小値を決定しその差を、表面から深さ１０μｍまでの領域における仮想温度分布とする。
（作用効果）
　以上説明したインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０にあっては、側面１４の算術平均粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下であり、側面１４の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）が１０ｎｍ以下であるため、側面１４を研磨する際に用いた研磨砥粒等の微粒子が側面に付着しにくい。また、側面にＰＶＡスポンジを用いた擦り洗浄を行うことによって主表面に不具合を生じることなく微粒子を除去することが可能である。その結果、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材１０の側面１４が擦れた際に微粒子が発生しにくくなり、側面研磨後の主表面研磨時に主表面に回り込み主表面にスクラッチを発生させる、バッチ式洗浄時に主表面に回り込み再付着する、といった不具合の発生を抑制できることによって、インプリント法によって基板の表面に転写される凹凸パターンにおける、微粒子、スクラッチが原因となって生じる欠陥が抑えられる。また、前記二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）が１０ｎｍ以下であるため、インプリントモールドとした際に、側面１４のうねりが原因となる位置ズレが生じにくい。その結果、インプリント法によって基板の表面に転写される凹凸パターンの位置ズレも抑えられる。
＜インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法＞
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法は、（Ｉ）ストリエによって生じる応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）が０．０５ＭＰａ以下、および／または（II）ストリエによって生じる応力の最大値と最小値との差（Δσ）が０．２３ＭＰａ以下の、未研磨のＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨することによって、側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下とする方法である。
　ＴｉＯ２含有石英ガラス基材が面取り面を有する場合は、未研磨のＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面とともに面取り面を研磨することによって、面取り面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とすることが好ましい。
　以下、本発明の製造方法の具体例を詳細に説明する。
　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材（以下、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材とも記す。）の製造方法としては、下記工程（ａ）～（ｆ）を有する方法が挙げられる。
　（ａ）スート法によってＳｉＯ２前駆体およびＴｉＯ２前駆体を含むガラス形成原料から得られるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス微粒子を、堆積させて多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得る工程。
　（ｂ）前記多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を緻密化温度まで昇温してＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体を得る工程。
　（ｃ）前記ＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体を透明ガラス化温度まで昇温して透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得る工程。
　（ｄ）必要に応じて前記透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を軟化点以上に加熱して成形し、成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得る工程。
　（ｅ）前記工程（ｃ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体または前記工程（ｄ）で得られた成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体をアニール処理する工程。
　（ｆ）前記工程（ｅ）で得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体に、切断、切削、研磨等の機械加工を行うことにより、所定の形状を有するＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材を得る工程。
（工程（ａ））
　スート法によって、ガラス形成原料であるＳｉＯ２前駆体およびＴｉＯ２前駆体を火炎加水分解または熱分解させて得られるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス微粒子（スート）を、ある一定速度で、軸を中心として回転する堆積用基材に堆積、成長させて多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を形成させる。
　スート法としては、ＭＣＶＤ法、ＯＶＤ法、ＶＡＤ法等が挙げられ、大量生産性に優れる、堆積用基材の大きさ等の製造条件を調整することによって大面積の面内において組成の均一なガラス体が得られる、等の点から、ＶＡＤ法が好ましい。
　ガラス形成原料としては、ガス化可能な原料が挙げられる。
　ＳｉＯ２前駆体としては、ハロゲン化ケイ素化合物、アルコキシシランが挙げられる。
　ＴｉＯ２前駆体としては、ハロゲン化チタン化合物、アルコキシチタンが挙げられる。
　ハロゲン化ケイ素化合物としては、塩化物（ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ等）、フッ化物（ＳｉＦ４、ＳｉＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２等）、臭化物（ＳｉＢｒ４、ＳｉＨＢｒ３等）、ヨウ化物（ＳｉＩ４等）が挙げられる。
　アルコキシシランとしては、下式（３）で表わされる化合物が挙げられる。
　ＲｎＳｉ（ＯＲ）４－ｎ　・・・（３）。
　ただし、Ｒは、炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは、０～３の整数であり、複数のＲにおいて、一部のＲが異なっていてもよい。
　ハロゲン化チタン化合物としては、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４等が挙げられる。
　アルコキシチタンとしては、下式（４）で表わされる化合物が挙げられる。
　ＲｎＴｉ（ＯＲ）４－ｎ　・・・（４）。
　ただし、Ｒは、炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは０～３の整数であり、複数のＲにおいて、一部のＲが異なっていてもよい。
　また、ＳｉＯ２前駆体およびＴｉＯ２前駆体として、シリコンチタンダブルアルコキシド等のＳｉおよびＴｉを含む化合物を用いてもよい。
　堆積用基材としては、石英ガラス製の種棒（たとえば、日本国特公昭６３－２４９３７号公報に記載された種棒）が挙げられる。また、棒状に限らず、板状の堆積用基材を用いてもよい。
（工程（ｂ））
　工程（ａ）で得られた多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を不活性ガス雰囲気中または減圧雰囲気下で緻密化温度まで昇温して、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体を得る。
　緻密化温度とは、光学顕微鏡で空隙が確認できなくなるまで多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を緻密化できる温度を意味する。
　緻密化温度は、１２５０～１５５０℃が好ましく、１３５０～１４５０℃がより好ましい。
　不活性ガスとしては、ヘリウムが好ましい。
　雰囲気の圧力は、１００００～２０００００Ｐａが好ましい。本明細書におけるＰａは、ゲージ圧ではなく絶対圧を意味する。
　工程（ｂ）においては、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体の均質性が上がる点から、多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を減圧下（好ましくは１３０００Ｐａ以下、より好ましくは１３００Ｐａ以下）に置いた後、ついで不活性ガスを導入して所定の圧力の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。
　また、工程（ｂ）においては、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体の均質性が上がる点から、多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を不活性ガス雰囲気下、室温または緻密化温度未満の温度にて保持した後に、緻密化温度まで昇温することが好ましい。
（工程（ｃ））
　工程（ｂ）で得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体を、透明ガラス化温度まで昇温して、透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得る。
　透明ガラス化温度とは、光学顕微鏡で結晶が確認できなくなり、透明なガラスが得られる温度を意味する。
　透明ガラス化温度は、１３５０～１７５０℃が好ましく、１４００～１７００℃がより好ましい。
　雰囲気としては、不活性ガス（ヘリウム、アルゴン等）の１００％の雰囲気、または不活性ガス（ヘリウム、アルゴン等）を主成分とする雰囲気が好ましい。
　雰囲気の圧力は、減圧または常圧が好ましい。減圧の場合は１３０００Ｐａ以下が好ましい。
（工程（ｄ））
　工程（ｃ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、型に入れて軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得る。
　成形温度は、１５００～１８００℃が好ましい。成形温度が１５００℃以上であれば、透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の粘度が低くなり、自重変形しやすい。また、ＳｉＯ２の結晶相であるクリストバライトの成長またはＴｉＯ２の結晶相であるルチルもしくはアナターゼの成長が抑えられ、いわゆる失透が生じにくい。成形温度が１８００℃以下であれば、ＳｉＯ２の昇華が抑えられる。
　工程（ｄ）は、複数回繰り返してもよい。たとえば、透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を型に入れて軟化点以上の温度に加熱した後、得られた成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を別の型に入れて軟化点以上の温度に加熱する２段階の成形を実施してもよい。
　また、工程（ｃ）および工程（ｄ）を連続的に、または同時に行ってもよい。
　また、工程（ｃ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体が充分に大きい場合は、つぎの工程（ｄ）を行わずに工程（ｃ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を所定の寸法に切り出すことで、成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体としてもよい。
　工程（ｄ）の代わりにまたは工程（ｄ）の後、工程（ｅ）よりも前に、下記の工程（ｄ'）を行ってもよい。
（工程（ｄ'））
　　（ｄ'）前記工程（ｃ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体または前記工程（ｄ）で得られた成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、Ｔ１＋４００℃以上の温度で２０時間以上加熱する工程。
　Ｔ１は、工程（ｅ）で得られるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の徐冷点（℃）である。徐冷点とは、ガラスの粘性ηが１０１３ｄＰａ・ｓとなる温度を意味する。徐冷点は、下記のように求める。
　ＪＩＳ　Ｒ　３１０３－２：２００１に準拠する方法でビームベンディング法によりガラスの粘性を測定し、粘性ηが１０１３ｄＰａ・ｓとなる温度を徐冷点とする。
　工程（ｄ'）を行うことによって、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体におけるストリエが軽減される。
　ストリエとは、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の組成上の不均一（組成分布）である。ストリエを有するＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体にはＴｉＯ２濃度の異なる部位が存在することになる。ＴｉＯ２濃度が高い部位は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が負になるため、工程（ｅ）における降温過程の際に、ＴｉＯ２濃度が高い部位が膨張する傾向がある。この際、ＴｉＯ２濃度が高い部位に隣接してＴｉＯ２濃度が低い部位が存在すると、ＴｉＯ２濃度が高い部位の膨張が妨げられて圧縮応力が加わることとなる。その結果、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体には応力の分布が生じることとなる。本明細書において、このような応力の分布のことを「ストリエによって生じる応力の分布」という。
　なお、工程（ａ）における堆積用基材の回転速度を上げることでも、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の組成上の不均一を少なくすることができる。回転速度は５ｒｐｍ以上が好ましく、より好ましくは２０ｒｐｍ以上、さらに好ましくは５０ｒｐｍ以上、もっとも好ましくは１００ｒｐｍ以上である。
　インプリントモールド用基材として用いられるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体に、ストリエによって生じる応力の分布が存在すると、表面を研磨する際に、加工レートに差が生じて、研磨後の表面の粗さやうねりに影響が及ぶこととなる。
　工程（ｄ）または（ｄ'）を行うことによって、ついで行われる工程（ｅ）を経て製造されるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体におけるストリエによって生じる応力の分布が、インプリントモールド用基材として用いる上で問題とならないレベルまで低減される。
　工程（ｄ'）における加熱温度は、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体における発泡や昇華が抑えられる点から、Ｔ１＋６００℃未満が好ましく、Ｔ１＋５５０℃未満がより好ましく、Ｔ１＋５００℃未満がさらに好ましい。すなわち、工程（ｄ'）における加熱温度は、Ｔ１＋４００℃以上Ｔ１＋６００℃未満が好ましく、Ｔ１＋４００℃以上Ｔ１＋５５０℃未満がより好ましく、Ｔ１＋４５０℃以上Ｔ１＋５００℃未満がさらに好ましい。
　工程（ｄ'）における加熱時間は、ストリエの軽減の効果とＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の歩留まりとのバランス、コストの抑制等の点から、２４０時間以下が好ましく、１５０時間以下がより好ましい。また、該加熱時間は、ストリエの軽減の効果の点から、２４時間超が好ましく、４８時間超がより好ましく、９６時間超がさらに好ましい。
　工程（ｄ'）および工程（ｅ）を連続的に、または同時に行ってもよい。
　また、工程（ｃ）およびまたは工程（ｄ）と、工程（ｄ'）とを連続的に、または同時に行ってもよい。
（工程（ｅ））
　工程（ｃ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体、工程（ｄ）で得られた成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体、または工程（ｄ’）で得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、１１００℃以上の温度に昇温した後、１００℃／ｈｒ以下の平均降温速度で７００℃以下の温度まで降温するアニール処理を行い、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の仮想温度を制御する。
　工程（ｃ）または工程（ｄ）と、工程（ｅ）とを連続的に、または同時に行う場合は、工程（ｃ）または工程（ｄ）における１１００℃以上の温度からの降温過程において、得られる透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体または成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、１１００℃から７００℃まで１００℃／ｈｒ以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行い、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の仮想温度を制御する。
　平均降温速度は、１０℃／ｈｒ以下がより好ましく、５℃／ｈｒ以下がさらに好ましく、２．５℃／ｈｒ以下が特に好ましい。
　また、７００℃以下の温度まで降温した後は放冷できる。なお、雰囲気は特に限定されない。
　工程（ｅ）で得られるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体から、異物、泡等のインクルージョンを排除するためには、工程（ａ）～（ｄ）（特に工程（ａ））においてコンタミネーションを抑制すること、さらに工程（ｂ）～（ｄ）の温度条件を正確にコントロールすることが肝要である。
　なお、上述の工程（ａ）～（ｅ）は、工程（ａ）においてスート法を採用した場合のＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の製造方法を示す例である。工程（ａ）において直接法を採用した場合は、工程（ｂ）および工程（ｃ）を行わずに直接、透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得ることができる。直接法は、ガラス形成原料であるＳｉＯ２前駆体およびＴｉＯ２前駆体を、１８００～２０００℃の酸水素火炎中で加水分解・酸化させて得られるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス微粒子を透明ガラス化温度で堆積させて直接、透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得る方法である。直接法による工程（ａ）に引き続いて、工程（ｄ）、工程（ｅ）を順次行えばよい。また、直接法による工程（ａ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を所定の寸法に切り出すことで、成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体とした後、工程（ｅ）を行ってもよい。直接法による工程（ａ）で得られる透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体はＨ２やＯＨを含んだものとなる。直接法における火炎温度やガス濃度を調整することで、透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体のＯＨ濃度を調整できる。さらに、直接法による工程（ａ）で得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、真空中、減圧雰囲気、または常圧の場合、Ｈ２濃度が１０００体積ｐｐｍ以下、かつＯ２濃度が１８体積％以下である雰囲気で、７００～１８００℃の温度で、１０分～９０日間保持することによって脱ガスを行う方法によっても、透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体のＯＨ濃度を調整できる。
（工程（ｆ））
　工程（ｅ）で得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体に、切断、切削、研磨等の機械加工を行うことにより、所定の形状を有するＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材を得る。本発明においては、少なくとも研磨を行う。
　研磨工程はその研磨面の仕上がり状況に応じて２回以上の工程に分けて行うことが好ましい。最終研磨工程においては、研磨剤としてコロイダルシリカを用いることが好ましい。
　本発明においては、側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下としやすい点から、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら、研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシとＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体とを相対的に移動させて、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体の側面を研磨することが好ましい。研磨砥粒としては、昭和電工製　ＳＨＯＲＯＸ　Ａ-１０（ＫＴ）、研磨用ブラシ毛としては、素材：ＰＰ（ポリプロピレン）　ブラシ径：Φ０．５　形状：波が挙げられる。
（作用効果）
　以上説明した本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法にあっては、（Ｉ）ストリエによって生じる応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）が０．０５ＭＰａ以下、および／または（II）ストリエによって生じる応力の最大値と最小値との差（Δσ）が０．２３ＭＰａ以下、すなわちストリエの小さいＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨しているため、側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下とすることができる。
　また、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら、研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシとＴｉＯ２含有石英ガラス基材とを相対的に移動させて、ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨することによって、側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下とすることができる。
＜インプリントモールド＞
　インプリントモールドは、本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の主表面に、エッチングによって転写パターンを形成することによって製造できる。
　転写パターンは、目的とする微細な凹凸パターンの反転パターンであり、複数の微細な凸部および／または凹部からなる。
　エッチング方法としては、ドライエッチングが好ましく、具体的には、ＳＦ６による反応性イオンエッチングが好ましい。
　以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
　例１、２は実施例であり、例３は比較例である。
〔例１〕
（工程（ａ））
　ガラス形成原料であるＴｉＣｌ４およびＳｉＣｌ４を、それぞれガス化させた後に混合し、酸水素火炎中で加熱加水分解（火炎加水分解）させることで得られるＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス微粒子を堆積用基材に堆積、成長させて、多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を形成した。
　得られた多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体はそのままではハンドリングしにくいため、堆積用基材に堆積させたままの状態で、大気中、１２００℃にて４時間保持した後、堆積用基材から外した。
（工程（ｂ））
　得られた多孔質ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、減圧下にて１４５０℃で４時間保持して、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体を得た。
（工程（ｃ））
　得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２緻密体を、カーボン型に入れて１６８０℃にて４時間保持することによって透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得た。
（工程（ｄ））
　得られた透明ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、再度カーボン型に入れて、１７００℃にて４時間保持することによって成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得た。
（工程（ｅ））
　得られた成形ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、そのまま炉内で１０００℃まで１０℃／ｈｒで冷却した後、１０００℃で３時間保持し、９５０℃まで１０℃／ｈｒで冷却した後、９５０℃で７２時間保持し、９００℃まで５℃／ｈｒで冷却した後、９００℃で７２時間保持した後、７００℃まで１００℃／ｈｒで冷却し、その後室温まで放冷してＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を得た。
（評価）
　得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体について、ＴｉＯ２濃度、Ｔｉ３＋濃度、ΔＴｉ３＋／Ｔｉ３＋、ＯＨ濃度、ハロゲン濃度、内部透過率、応力、熱膨張係数を、上述の方法にて求めた。結果を表１および表２に示す。なお、工程（ｅ）で得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２についてのデータは、後述の工程（ｆ）における切断、切削、研磨等によって変化することはない。
（工程（ｆ））
　得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス体を、内周刃スライサーを用いて縦約１５３．０ｍｍ×横約１５３．０ｍｍ×厚さ約６．７５ｍｍの板状に切断し、未研磨のＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板を作製した。
　該ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板に、市販のＮＣ面取り機を用い、＃１２０のダイアモンド砥石によって、縦、横の外形寸法が約１５２ｍｍで面取り幅が０．２～０．４ｍｍになるように、面取り加工を施した。２０Ｂ両面ラップ機（スピードファム社製）を用い、研磨材である＃４００のＳｉＣによって、厚さが約６．５０ｍｍになるまで、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板の主表面を研磨した。
　研磨砥粒（酸化セリウム）を含む研磨液を供給しながら、円盤状の板に研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシとＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板とを相対的に移動させて、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板の側面および面取り面を研磨した。具体的には、日本国特許第２５８５７２７号公報に記載の研磨装置を用い、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板の側面および面取り面に対して全面均一にブラシ毛が当接し、圧力が加わるようにして、側面および面取り面を研磨した。
　１次ポリシュとして、２０Ｂ両面ポリシュ機を用い、研磨材である平均粒径１．５ｕｍの酸化セリウムを主成分とするスラリによって、主表面を約５０μｍ研磨した。
　２次ポリシュとして、２０Ｂ両面ポリシュ機を用い、研磨材である平均粒径１．０ｕｍの酸化セリウムを主成分とするスラリによって、主表面を約１０μｍ研磨した。
　３次ポリシュとして、別の研磨機を用いて最終研磨を行った。最終研磨においては、研磨剤としてコロイダルシリカ（フジミコーポレーション製、コンポール２０）を用いた。
　研磨後のＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板を、第一槽目を硫酸と過酸化水素水の熱溶液、第三槽目を中性界面活性剤溶液とした多段式自動洗浄機を用いて洗浄した。
（評価）
　得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材について、仮想温度分布、側面の算術平均粗さ、凹凸の二乗平均平方根、面取り面の算術平均粗さを、上述の方法にて求めた。結果を表３に示す。
　また、得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材を、クリーンルーム内でポリメチルメタクリレート製の収納ケースに収納し、米軍規格ＭＩＬ（Ｍｉｌｉｔａｒｙ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ　ａｎｄ　Ｍｉｌｉｔａｒｙ　Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）のＭＩＬ－ＳＴＤ－８１０Ｆに準拠した収納ケースの振動試験を行う。
　振動試験後、収納ケースをクリーンルーム内で開封し、取り出したＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材について、欠陥検査装置（レーザーテック社製、Ｍ１３２０）を用いて主表面における付着異物による欠陥個数を測定し、下記の基準にて評価する。結果を表３に示す。
　Ａ：振動試験前後で欠陥個数にほとんど差は認められない。
　Ｂ：振動試験前に比べ振動試験後の欠陥個数が明らかに増加した。
〔例２〕
　工程（ｆ）のＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板の側面および面取り面の研磨をロール状の支持体に外周方向に向けてブラシが突設された研磨ブラシを用い、ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス板を主表面に垂直な軸を回転軸として回転させ、回転させたロール状ブラシに接触させることによって行う以外は、例１と同様にしてＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材を得る。結果を表１～３に示す。
〔例３〕
　ガラス体の作製方法において、工程（ｅ）を実施しないこと以外は、例１と同様にしてＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス基材を得る。結果を表１～３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０１０年７月１２日出願の、日本特許出願２０１０－１５７８１１に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材は、半導体デバイス、光導波路、微小光学素子（回折格子等）、バイオチップ、マイクロリアクタ等における寸法１ｎｍ～１０μｍの微細な凹凸パターンを形成する目的で用いられるインプリントモールドの材料として有用である。
　１０　インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材
　１２　主表面
　１４　側面
　１６　面取り面

Claims (9)

  1. 　主表面と側面とを有する、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材であって、
    　前記側面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１ｎｍ以下であり、
    　前記側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）が、１０ｎｍ以下である、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材。
  2. 　前記主表面と前記側面との間に介在する面取り面を有し、
    　前記面取り面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１ｎｍ以下である、請求項１に記載のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材。
  3. 　ＴｉＯ２濃度が、３～１２質量％である、請求項１または２に記載のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材。
  4. 　ストリエによって生じる応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）が、０．０５ＭＰａ以下である、請求項１～３のいずれかに記載のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材。
  5. 　ストリエによって生じる応力の最大値と最小値との差（Δσ）が、０．２３ＭＰａ以下である、請求項１～４のいずれかに記載のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材。
  6. 　主表面と側面とを有する、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材を製造する方法であって、
    　ストリエによって生じる応力の標準偏差（ｄｅｖ［σ］）が０．０５ＭＰａ以下のＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨することによって、
    　前記側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、
    　前記側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下とする、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法。
  7. 　主表面と側面とを有する、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材を製造する方法であって、
    　ストリエによって生じる応力の最大値と最小値との差（Δσ）が０．２３ＭＰａ以下のＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨することによって、
    　前記側面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とし、
    　前記側面の、１０μｍから１ｍｍの波長領域の凹凸の二乗平均平方根（ＭＳＦＲ＿ｒｍｓ）を１０ｎｍ以下とする、インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法。
  8. 　研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら、研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシと前記ＴｉＯ２含有石英ガラス基材とを相対的に移動させて、前記ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面を研磨する、請求項６または７に記載のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法。
  9. 　前記ＴｉＯ２含有石英ガラス基材が、前記主表面と前記側面との間に介在する面取り面を有し、
    　ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の側面とともに面取り面を研磨することによって、
    　前記面取り面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とする、請求項６～８のいずれかに記載のインプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材の製造方法。
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