WO2011148778A1 - 音響トランスデューサ、および該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン - Google Patents

音響トランスデューサ、および該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン Download PDF

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隆 笠井
雄喜 内田
恭弘 堀本
セバスチアーノ コンティ
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オムロン株式会社
エスティーマイクロエレクトロニクス エス．アール．エル．
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    • H04R3/00—Circuits for transducers, loudspeakers or microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
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    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
    • H04R19/016—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic transducer that converts sound waves into an electrical signal, and a microphone that uses the acoustic transducer.
  • the present invention relates to a micro-sized acoustic transducer or the like produced using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology.
  • MEMS Micro Electro Mechanical System
  • ECM Electronic Condenser Microphone
  • the MEMS microphone includes an acoustic sensor (acoustic transducer) that detects sound waves, and an output IC (Integrated Circuit) that amplifies a detection signal from the acoustic sensor and outputs the amplified signal to the outside.
  • the acoustic sensor is manufactured using MEMS technology (for example, Patent Document 1).
  • FIG. 8 shows a schematic configuration of a conventional acoustic sensor.
  • FIG. 8A is a plan view
  • FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. And it is the figure seen from the arrow direction.
  • the vibration film 22 is provided on the upper surface of the semiconductor substrate 21, and further, the fixed film 123 is provided so as to cover the vibration film 22.
  • the vibration film 22 is a conductor and functions as the vibration electrode 22a.
  • the fixed film 123 includes a fixed electrode 123a that is a conductor and a protective film 123b that is an insulator for protecting the fixed electrode 123a.
  • the vibrating electrode 22a and the fixed electrode 123a face each other with a gap and function as a capacitor.
  • the edge of the vibration film 22 is attached to the semiconductor substrate 21 via the insulating layer 30. Further, the semiconductor substrate 21 has an opening 31 in which a region facing the central portion of the vibration film 22 is opened.
  • the fixed film 123 has a large number of sound hole portions 32 in which sound holes are formed. Normally, the sound hole portions 32 are regularly arranged at equal intervals, and the sound hole sizes of the sound hole portions 32 are substantially equal.
  • the acoustic sensor 111 having the above-described configuration, sound waves from the outside reach the vibrating membrane 22 through the sound hole portion 32 of the fixed membrane 123. At this time, since the vibration film 22 is vibrated by the sound pressure of the reached sound wave, the distance between the vibration electrode 22a and the fixed electrode 123a changes, and the capacitance between the vibration electrode 22a and the fixed electrode 123a is changed. Change. By converting this change in capacitance into a change in voltage or current, the acoustic sensor 111 can detect a sound wave from the outside and convert it into an electrical signal (detection signal).
  • the fixed film 123 has a large number of sound hole portions 32.
  • the sound hole portion 32 allows the sound waves from the outside to pass through and reaches the vibration film 22. Besides that, it works as follows. (1) Since the sound wave that reaches the fixed film 123 passes through the sound hole portion 32, the sound pressure applied to the fixed film 123 is reduced. (2) Since air between the vibrating membrane 22 and the fixed membrane 123 enters and exits through the sound hole portion 32, thermal noise (air fluctuation) is reduced. Further, since the damping of the vibration film 22 by the air is reduced, the deterioration of the high frequency characteristics due to the damping is reduced. (3) When a space is formed between the vibrating electrode 22a and the fixed electrode 123a using surface micromachining technology, it can be used as an etching hole.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2006-0675547 (published Mar. 09, 2006)”
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an acoustic transducer having improved resistance to impact.
  • the acoustic transducer includes a vibration film and a fixed film formed on an upper surface of a substrate, and a sound wave is converted into an electric signal by changing a capacitance between the vibration electrode in the vibration film and the fixed electrode in the fixed film.
  • the fixed film has a plurality of sound hole portions for allowing the sound wave to reach the vibration film from the outside, and the fixed electrode has a boundary between the edge portions of the sound hole portion. It is characterized by being formed so as not to intersect.
  • the acoustic transducer according to the present invention is formed so that the boundary of the edge of the fixed electrode does not intersect the sound hole, damage due to stress concentration at the edge of the fixed electrode can be avoided. As a result, there is an effect that resistance to impact can be improved.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the MEMS microphone of the present embodiment.
  • the MEMS microphone 10 includes an acoustic sensor (acoustic transducer) 11 that detects sound waves and an output IC 12 that amplifies a detection signal (electric signal) from the acoustic sensor 11 and outputs the amplified signal to the outside.
  • the cover 14 is disposed on the substrate 13 so as to cover the acoustic sensor 11 and the output IC 12.
  • a through hole 15 is formed in the cover 14 in order to allow sound waves from the outside to reach the acoustic sensor 11.
  • the acoustic sensor 11 is manufactured using MEMS technology.
  • the output IC 12 is manufactured using semiconductor manufacturing technology.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of an acoustic sensor 11 according to the present embodiment.
  • FIG. 1 (a) is a plan view
  • FIG. 1 (b) is an AA view of FIG. 1 (a). It is the figure which cut in the line and was seen in the direction of an arrow.
  • the acoustic sensor 11 of the present embodiment is different from the acoustic sensor 111 shown in FIG. 8 only in the shape of the fixed electrode of the fixed film, and the other configurations are the same.
  • symbol is attached
  • the fixed film 23 includes a fixed electrode 23a that is a conductor and a protective film 23b that is an insulator for protecting the fixed electrode 23a.
  • the semiconductor substrate 21 is a semiconductor having a thickness of about 500 ⁇ m and generated from single crystal silicon or the like.
  • the vibration film 22 has a thickness of about 0.7 ⁇ m and is a conductor generated from polycrystalline silicon or the like, and functions as the vibration electrode 22a.
  • the fixed film 23 includes a fixed electrode 23a and a protective film 23b.
  • the fixed electrode 23a has a thickness of about 0.5 ⁇ m and is a conductor generated from polycrystalline silicon or the like.
  • the protective film 23b is an insulator made of silicon nitride or the like having a thickness of about 2 ⁇ m.
  • the gap between the vibrating electrode 22a and the fixed electrode 23a is about 4 ⁇ m.
  • the fixed electrode 23a of the present embodiment is formed so that the boundary of the edge portion 40 does not intersect the sound hole portion 32 as compared with the conventional fixed electrode 123a shown in FIG. Thereby, damage due to stress concentration can be avoided at the edge portion 40 of the fixed electrode 23a, so that resistance to impact can be improved.
  • the fixed electrodes 23a and 123a face a region where the vibrating electrode 22a vibrates, that is, the central portion of the vibrating electrode 22a in order to reduce stray capacitance.
  • the region where the sound hole portion 32 is provided is wider than the region of the fixed electrode 123a and intersects the boundary line of the fixed electrode 123a.
  • the sound hole portion 32 can exist. A large stress concentration acts on the sound hole portion 32.
  • FIG. 3 is a plan view and a front view showing a block for explaining a location where stress concentration occurs.
  • the block 200 shown to (a) of the figure has the step part 201 on the upper surface.
  • the block 210 shown in FIG. 5B has a through portion 211 penetrating from the upper surface to the lower surface.
  • the block 220 shown to (c) of the figure has the step part 221 in the upper surface, and has the penetration part 222 penetrated from an upper surface to a lower surface.
  • the fixed film 23/123 At the time of manufacturing the acoustic sensor 111, the fixed film 23/123 generates a layer of the fixed electrode 23a / 123a, and generates a layer of the protective film 23b so as to cover the generated fixed electrode 23a / 123a. Therefore, as shown in FIGS. 8B and 1B, the protective film 23b is stepped at the edge 140 of the fixed electrodes 23a and 123a.
  • the sound hole 132 when the sound hole 132 is present at the edge 140 of the fixed electrode 123a, the sound hole 132 has a shape as shown in FIG. 3C. A strong stress concentration will occur. For this reason, in the conventional acoustic sensor 111, the fixed film 123 is damaged due to strong stress concentration, and the resistance to impact is reduced.
  • the fixed film 23 of the present embodiment does not have the sound hole portion 32 at the edge portion 40 of the fixed electrode 23a, so that no strong stress concentration occurs. Therefore, the acoustic sensor 11 according to the present embodiment can avoid damage to the fixed film 23 due to strong stress concentration as described above, and therefore can improve resistance to impact.
  • the degree of stress concentration (stress concentration coefficient) in the conventional fixed electrode 123a where the boundary of the edge 140 intersects the sound hole 132 is 1, the boundary of the edge 40 does not intersect with the sound hole 32.
  • the degree of stress concentration in the fixed electrode 23a of the form was about 0.6.
  • the fixed electrode 23a of the present embodiment is a polygon that is substantially inscribed in the circular vibration electrode 22a as shown in FIG. 1 so that the boundary of the edge portion 40 does not intersect the sound hole portion 32.
  • the one side is parallel to the arrangement direction of the sound hole portions 32.
  • the sound hole portions 32 are arranged in two directions rotated by 60 degrees to the left and right from the direction of the line AA in FIG.
  • a fixed electrode 23a is formed. In this case, since it is geometrically arranged, the mask shape of the fixed electrode 23a can be easily designed.
  • the diameter of the sound hole portion 32 is about 16 ⁇ m, and the distance between the centers of the adjacent sound hole portions 32 is similar to that of the sound hole portion 32, as in the conventional acoustic sensor 111. It is shorter than twice the diameter. As a result, a large number of sound holes 32 having a large hole diameter are arranged, so that the efficiency with which sound waves from the outside reach the diaphragm 22 via the sound holes 32 is improved, and the SNR is improved. Can do. In addition, if the diameter of the sound hole part 32 is about 6 micrometers or more, there can exist the same effect. The upper limit of the diameter of the sound hole portion 32 depends on the strength of the fixed film 23 and the required capacitance.
  • the diameter of the sound hole portion 32 is increased or the number of arrangements is increased, the strength of the fixed film 23 is decreased, or the capacitance between the vibrating electrode 22a and the fixed electrode 23a is decreased. become. Therefore, it is desirable to determine the diameter and the number of arrangement of the sound hole portions 32 in consideration of these.
  • the manufacturing method of the acoustic sensor 11 of this embodiment is only the shape of the mask for forming the fixed electrode 23a changed compared with the manufacturing method of the conventional acoustic sensor 111, and others are the same. .
  • a sacrificial layer (SiO 2 ) is formed on the upper surface of the single crystal silicon substrate that will be the semiconductor substrate 21.
  • a vibrating film 22 is formed by forming a polycrystalline silicon layer on the sacrificial layer and performing etching.
  • a sacrificial layer is formed again so as to cover the vibration film 22.
  • a fixed film 23 composed of a fixed electrode 23a and a protective film 23b is formed by forming a polycrystalline silicon layer and a silicon nitride layer so as to cover the sacrificial layer and performing etching.
  • the opening 31 is formed by etching the single crystal silicon substrate. Then, by etching the sacrificial layer through the sound hole portion 32, an air gap between the vibration film 22 and the fixed film 23 is formed, an insulating layer 30 is formed, and the acoustic sensor 11 is completed.
  • FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of the acoustic sensor 11 according to the present embodiment.
  • the acoustic sensor 11 shown in FIG. 4 is different from the acoustic sensor 11 shown in FIG. 1 only in the shape of the fixed electrode, and the other configurations are the same.
  • the fixed electrode 23c of the present embodiment has a shape that is expanded stepwise than the fixed electrode 23a shown in FIG. In this case, since the shape is closer to the circular vibrating electrode 22a than the fixed electrode 23a shown in FIG. 1, a decrease in capacitance can be reduced.
  • FIG. 5A and 5B are plan views showing a schematic configuration of the acoustic sensor 11 according to the present embodiment and a schematic configuration of a conventional acoustic sensor 111 which is a comparative example of the acoustic sensor 11, respectively. is there.
  • the acoustic sensors 11 and 111 shown in FIG. 5 are different from the acoustic sensors 11 and 111 shown in FIGS. 1 and 8 in the arrangement direction of the sound hole portions 32 and 132.
  • the shape is different.
  • Other configurations are the same.
  • the fixed electrode 23d shown in FIG. 5A is formed so that the boundary of the edge portion 40 does not intersect the sound hole portion 32 as compared with the conventional fixed electrode 123a shown in FIG. . As a result, damage due to stress concentration can be avoided at the edge 40 of the fixed electrode 23d, so that resistance to impact can be improved.
  • the arrangement direction of the sound hole portions 32 and 132 is two directions, that is, the vertical direction shown in the figure and the horizontal direction rotated 90 degrees from the vertical direction. . Therefore, the fixed electrode 23d of the present embodiment is parallel to these two directions and a direction that bisects the two directions (an oblique direction rotated 45 degrees from the vertical direction in the drawing to the left and right). This facilitates the design of the mask shape of the fixed electrode 23d. Furthermore, since the fixed electrode 23d of the present embodiment is formed in a step shape, the fixed electrode 23d has a shape close to that of the circular vibrating electrode 22a, and the reduction in capacitance can be reduced.
  • FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of the acoustic sensor 11 according to the present embodiment.
  • the protective film 23b of the fixed film 23 is omitted.
  • the vibration electrode 22 b of the present embodiment has a shape in which square corners 50 each extend outward from the center, and is fixed to the semiconductor substrate 21 by the extension 51.
  • FIG. 7 shows the vibration amount of the vibrating electrode 22b when a predetermined sound wave reaches the vibrating electrode 22b having the above configuration.
  • the vibrating electrode 22 b hardly vibrates at the corner portion 50 and the extending portion 51. Therefore, in the present embodiment, the fixed electrode 23e has a shape in which the corner portion 50 and the extending portion 51 are omitted from the vibration electrode 22b.
  • the fixed electrode 23e of the present embodiment is formed so that the boundary of the edge portion 40 does not intersect the sound hole portion 32, as shown in FIG. Thereby, since damage due to stress concentration can be avoided at the edge 40 of the fixed electrode 23e, resistance to impact can be improved.
  • the arrangement direction of the sound hole portions 32 is the illustrated left-right direction and a direction rotated 60 degrees from the left-right direction. Therefore, the fixed electrode 23e of the present embodiment is divided into these three directions and two adjacent directions among the three directions (a direction rotated by 30 degrees from the horizontal direction in the drawing and a vertical direction in the drawing). ) And parallel to. This facilitates the design of the mask shape of the fixed electrode 23e. Furthermore, since the fixed electrode 23e of this embodiment is formed in a step shape at the boundary with the corner portion 50 of the vibration electrode 22b, the fixed electrode 23e has a shape close to the vibration portion of the vibration electrode 22b, and reduces the decrease in capacitance. be able to.
  • the sound hole portion 32 has a circular cross section, but may have an arbitrary shape such as a triangle or a quadrangle.
  • the vibration film and the fixed film are formed on the upper surface of the substrate, and due to the change in capacitance between the vibration electrode in the vibration film and the fixed electrode in the fixed film,
  • the fixed film has a plurality of sound hole portions for allowing the sound wave to reach the vibration film from the outside, and the fixed electrode has an edge boundary. Is formed so as not to cross the sound hole portion.
  • the fixed electrode when the sound hole portions are regularly arranged, has an arrangement direction of the sound hole portions and a direction that bisects the two adjacent arrangement directions. It is preferable that it is formed in a shape along the line. In this case, the shape of the fixed electrode can be easily designed. Further, the fixed electrode is preferably formed in a step shape so as to have a shape close to the vibrating portion of the vibrating electrode. Examples of the arrangement direction include a case where the angle formed by the adjacent arrangement directions is 60 degrees and a case where the angle is 90 degrees.
  • the sound hole portions are arranged such that the distance between the centers of the adjacent sound hole portions is shorter than the sum of the dimensions of the adjacent sound hole portions.
  • the dimension of the sound hole portion is 6 ⁇ m or more. In this case, since the area of the sound hole portion is widened, the efficiency with which an external sound wave reaches the vibration film via the sound hole portion is improved, and the SNR (signal to noise ratio) can be improved. .
  • the upper limit of the size of the sound hole portion depends on the strength of the fixed film and the required capacitance.
  • the fixed film includes the fixed electrode and a protective film wider than the fixed electrode, and the protective film is stepped at the boundary of the edge of the fixed electrode.
  • the protective film is stepped at the boundary of the edge of the fixed electrode.
  • the acoustic transducer according to the present invention is formed so that the boundary of the edge of the fixed electrode does not intersect with the sound hole, damage due to stress concentration can be avoided at the edge of the fixed electrode.
  • the present invention can be applied to an acoustic sensor having an arbitrary structure having a sound hole portion in a fixed film.

Abstract

　音響センサ（１１）は、半導体基板の上面に振動膜（２２）および固定膜（２３）が形成され、振動膜（２２）における振動電極（２２ａ）と固定膜（２３）における固定電極（２３ａ）との間の静電容量の変化により音波を検出する。固定膜（２３）には、音波を外部から振動膜（２２）に到達させるために複数の音孔部（３２）が形成されており、固定電極（２３ａ）は、縁部（４０）の境界が音孔部（３２）と交わらないように形成されている。

Description

音響トランスデューサ、および該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン
　本発明は、音波を電気信号に変換する音響トランスデューサ（acoustic transducer）、該音響トランスデューサを利用したマイクロフォンとに関するものである。特に、本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて制作される微小サイズの音響トランスデューサなどに関するものである。
　従来、携帯電話機などに搭載される小型のマイクロフォンとしてＥＣＭ（Electret Condenser Microphone）が広く使用されていた。しかしながら、ＥＣＭは熱に弱く、また、デジタル化への対応、小型化、高機能・多機能化、省電力といった点で、ＭＥＭＳマイクロフォンの方が優れていることから、現在では、ＭＥＭＳマイクロフォンが普及しつつある。
　ＭＥＭＳマイクロフォンは、音波を検出する音響センサ（音響トランスデューサ）と、該音響センサからの検出信号を増幅して外部に出力する出力ＩＣ（Integrated Circuit）とを備えている。上記音響センサが、ＭＥＭＳ技術を利用して製造される（例えば、特許文献１など）。
　図８は、従来の音響センサの概略構成を示しており、同図の（ａ）は、平面図であり、同図の（ｂ）は、同図の（ａ）のＸ－Ｘ線で断面し、矢印方向に見た図である。図８に示すように、音響センサ１１１では、半導体基板２１の上面にて、振動膜２２が設けられ、さらに、振動膜２２を覆うように固定膜１２３が設けられている。振動膜２２は、導電体であり、振動電極２２ａとして機能する。一方、固定膜１２３は、導電体である固定電極１２３ａと、固定電極１２３ａを保護するための絶縁体である保護膜１２３ｂとからなる。振動電極２２ａおよび固定電極１２３ａは、空隙を介して対向し、コンデンサとして機能する。
　振動膜２２の縁部は、絶縁層３０を介して半導体基板２１に取り付けられている。また、半導体基板２１は、振動膜２２の中央部に対向する領域が開口した開口部３１を有している。また、固定膜１２３は、音孔の形成された音孔部３２を多数有している。通常、音孔部３２は、等間隔で規則正しく配列されており、各音孔部３２の音孔のサイズはほぼ等しい。
　上記構成の音響センサ１１１において、外部からの音波は、固定膜１２３の音孔部３２を介して振動膜２２に到達する。このとき、振動膜２２は、到達した音波の音圧が印加されて振動するので、振動電極２２ａおよび固定電極１２３ａの間隔が変化して、振動電極２２ａおよび固定電極１２３ａの間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を電圧または電流の変化に変換することにより、音響センサ１１１は、外部からの音波を検出して電気信号（検出信号）に変換することができる。
　上記構成の音響センサ１１１では、固定膜１２３に多数の音孔部３２を有しているが、この音孔部３２は、上述のように、外部からの音波を通過させて振動膜２２に到達させる以外にも、下記のように機能する。
（１）固定膜１２３に到達した音波が音孔部３２を通過していくので、固定膜１２３に印加される音圧が軽減される。
（２）振動膜２２および固定膜１２３の間の空気が、音孔部３２を介して出入りするので、熱雑音（空気の揺らぎ）が軽減される。また、上記空気による振動膜２２のダンピングが軽減されるので、該ダンピングによる高周波特性の劣化が軽減される。
（３）表面マイクロマシニング技術を利用して振動電極２２ａおよび固定電極１２３ａの間に空隙を形成する場合に、エッチングホールとして利用することができる。
日本国公開特許公報「特開２００６－０６７５４７号（２００６年０３月０９日公開）」
　今後、ＭＥＭＳマイクロフォンをさらに普及させるには、衝撃に対する耐性を向上させて、故障率を低下したり、歩留まりを向上させたりすることが望まれている。本願発明者らは、鋭意検討の結果、音孔部で応力集中が発生することに着目し、以下の発明を案出した。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、衝撃に対する耐性を向上させた音響トランスデューサなどを提供することにある。
　本発明に係る音響トランスデューサは、基板の上面に振動膜および固定膜が形成され、該振動膜における振動電極と上記固定膜における固定電極との間の静電容量の変化により、音波を電気信号に変換する音響トランスデューサにおいて、上記固定膜には、上記音波を外部から上記振動膜に到達させるために複数の音孔部が形成されており、上記固定電極は、縁部の境界が上記音孔部と交わらないように形成されていることを特徴としている。
　上記の構成によると、固定電極の縁部にて、該固定電極の境界と交わる音孔部が存在しない。これにより、該固定電極の縁部にて応力集中による破損を回避できるので、衝撃に対する耐性を向上させることができる。
　以上のように、本発明に係る音響トランスデューサは、固定電極の縁部の境界が音孔部と交わらないように形成されているので、該固定電極の縁部にて応力集中による破損を回避でき、その結果、衝撃に対する耐性を向上させることができるという効果を奏する。
本発明の一実施形態であるＭＥＭＳマイクロフォンにおける音響センサの概略構成を示す平面図および断面図である。 上記ＭＥＭＳマイクロフォンを示す断面図である。 応力集中の発生箇所を説明するためブロックを示す平面図および正面図である。 本発明の別の実施形態であるＭＥＭＳマイクロフォンにおける音響センサの概略構成を示す平面図である。 本発明のさらに別の実施形態であるＭＥＭＳマイクロフォンにおける音響センサの概略構成と、該音響センサの比較例である従来の音響センサの概略構成とを示す平面図である。 本発明の他の実施形態であるＭＥＭＳマイクロフォンにおける音響センサの概略構成を示す平面図である。 上記音響センサの振動電極の振動量を示す平面図である。 従来の音響センサの概略構成を示す平面図である。
　〔実施の形態１〕
　本発明の一実施形態について図１～図３を参照して説明する。図２は、本実施形態のＭＥＭＳマイクロフォンの概略構成を示す断面図である。
　図２に示すように、ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、音波を検出する音響センサ（音響トランスデューサ）１１と、音響センサ１１からの検出信号（電気信号）を増幅して外部に出力する出力ＩＣ１２とが、プリント基板１３に配置されており、音響センサ１１および出力ＩＣ１２を覆うようにカバー１４が設けられた構成である。カバー１４には、外部からの音波を音響センサ１１に到達させるために、貫通孔１５が形成されている。音響センサ１１は、ＭＥＭＳ技術を利用して製造される。なお、出力ＩＣ１２は、半導体製造技術を利用して製造される。
　図１は、本実施形態における音響センサ１１の概略構成を示しており、同図の（ａ）は、平面図であり、同図の（ｂ）は、同図の（ａ）のＡ－Ａ線で断面し、矢印方向に見た図である。
　本実施形態の音響センサ１１は、図８に示す音響センサ１１１に比べて、固定膜の固定電極の形状が異なるのみであり、その他の構成は同様である。なお、図８に関して説明した構成と同様の機能を有する構成には同一の符号を付して、その説明を省略する。
　固定膜２３は、導電体である固定電極２３ａと、固定電極２３ａを保護するための絶縁体である保護膜２３ｂとを備えている。
　なお、実施例では、半導体基板２１は、厚さが約５００μｍであり、単結晶シリコンなどから生成される半導体である。振動膜２２は、厚さが約０．７μｍであり、多結晶シリコンなどから生成される導電体であり、振動電極２２ａとして機能する。固定膜２３は、固定電極２３ａと保護膜２３ｂとからなる。固定電極２３ａは、厚さが約０．５μｍであり、多結晶シリコンなどから生成される導電体である。一方、保護膜２３ｂは、厚さが約２μｍであり、窒化シリコンなどから生成される絶縁体である。また、振動電極２２ａと固定電極２３ａとの空隙は約４μｍである。
　本実施形態の固定電極２３ａは、図８に示す従来の固定電極１２３ａに比べて、縁部４０の境界が、音孔部３２と交わらないように形成されている。これにより、固定電極２３ａの縁部４０にて応力集中による破損を回避できるので、衝撃に対する耐性を向上させることができる。
　これについて、図１・３・８を参照して詳細に説明する。一般に、固定電極２３ａ・１２３ａは、浮遊容量を低減するために、振動電極２２ａが振動する領域、すなわち、振動電極２２ａの中央部に対向することが望ましい。一方、音孔部３２は、外部からの音波を振動膜２２に効率よく伝達させるためにも、固定膜２３・１２３に多数設けることが望ましい。
　このため、図８に示すように、従来の固定膜１２３では、音孔部３２が設けられた領域の方が、固定電極１２３ａの領域よりも広くなっており、固定電極１２３ａの境界線と交わる音孔部３２が存在し得ることになる。この音孔部３２には、大きな応力集中が働く。
　この原因について、図３を参照して説明する。図３は、応力集中の発生箇所を説明するためブロックを示す平面図および正面図である。同図の（ａ）に示すブロック２００は、上面に段部２０１を有している。また、同図の（ｂ）に示すブロック２１０は、上面から下面に貫通する貫通部２１１を有している。そして、同図の（ｃ）に示すブロック２２０は、上面に段部２２１を有し、上面から下面に貫通する貫通部２２２を有している。
　図３の（ａ）に示すブロック２００に対し、図示の左右方向に応力が印加されると、段部２０１に応力集中が発生することになる。また、同図の（ｂ）に示すブロック２１０に対し、図示の左右方向に応力が印加されると、貫通部２１１の前部２１１ａおよび後部２１１ｂに応力集中が発生することになる。従って、同図の（ｃ）に示すブロック２２０に対し、図示の左右方向に応力が印加されると、段部２２１および貫通部２２２の交わる領域に、強い応力集中が発生することになる。
　音響センサ１１１の製造時において、固定膜２３・１２３は、固定電極２３ａ・１２３ａの層を生成し、生成した固定電極２３ａ・１２３ａを覆うように保護膜２３ｂの層を生成している。このため、図８の（ｂ）・図１の（ｂ）に示すように、固定電極２３ａ・１２３ａの縁部１４０では、保護膜２３ｂが段状となっている。
　従って、図８の（ｂ）に示すように、固定電極１２３ａの縁部１４０に音孔部１３２が存在すると、当該音孔部１３２は、図３の（ｃ）に示すような形状となるため、強い応力集中が発生することになる。このため、従来の音響センサ１１１は、強い応力集中による固定膜１２３の破損が発生して、衝撃に対する耐性が低下することになっていた。
　これに対し、本実施形態の固定膜２３は、図１の（ｂ）に示すように、固定電極２３ａの縁部４０に音孔部３２が存在しないので、強い応力集中が発生しない。従って、本実施形態の音響センサ１１は、上述のように、強い応力集中による固定膜２３の破損を回避できるので、衝撃に対する耐性を向上させることができる。シミュレーションでは、縁部１４０の境界が音孔部１３２と交わる従来の固定電極１２３ａにおける応力集中の程度（応力集中係数）を１とすると、縁部４０の境界が音孔部３２と交わらない本実施形態の固定電極２３ａにおける応力集中の程度が約０．６であった。
　また、本実施形態の固定電極２３ａは、縁部４０の境界が音孔部３２と交わらないようにするために、図１に示すように、円形の振動電極２２ａにほぼ内接する多角形となっており、その一辺は、音孔部３２の配列方向に平行となっている。具体的には、音孔部３２の配列方向は、図１のＡ－Ａ線の方向と、該方向から左右へそれぞれ６０度回転した２方向であるので、これら３方向に平行な正六角形に固定電極２３ａが形成されている。この場合、幾何学的に配置されているため、固定電極２３ａのマスク形状の設計が容易となる。
　また、本実施形態の音響センサ１１は、従来の音響センサ１１１と同様に、音孔部３２の直径が約１６μｍであり、隣り合う音孔部３２の中心同士の間隔が、音孔部３２の直径の２倍よりも短くなっている。これにより、孔の直径が大きい音孔部３２が多数配置されることになるので、外部からの音波が音孔部３２を介して振動膜２２に到達する効率が良くなり、ＳＮＲを向上させることができる。なお、音孔部３２の直径が約６μｍ以上であれば、同様の効果を奏することができる。また、音孔部３２の直径の上限は、固定膜２３の強度や、必要とする静電容量に依存する。
　なお、音孔部３２について、直径を大きくしたり、配置数を増やしたりすると、固定膜２３の強度が低下したり、振動電極２２ａおよび固定電極２３ａの間の静電容量が低下したりすることになる。従って、これらを考慮して、音孔部３２の直径および配置数を決定することが望ましい。
　なお、本実施形態の音響センサ１１の製造方法は、従来の音響センサ１１１の製造方法に比べて、固定電極２３ａを形成するためのマスクの形状が変更されるのみであり、その他は同様である。
　すなわち、まず、半導体基板２１となる単結晶シリコン基板の上面に、犠牲層（ＳｉＯ２）を形成する。次に、該犠牲層の上に、多結晶シリコン層を形成してエッチングを行うことにより、振動膜２２が形成される。次に、振動膜２２を覆うように、犠牲層を再び形成する。次に、該犠牲層を覆うように、多結晶シリコン層および窒化シリコン層を形成してエッチングを行うことにより、固定電極２３ａと保護膜２３ｂとからなる固定膜２３が形成される。
　次に、上記単結晶シリコン基板のエッチングを行うことにより、開口部３１が形成される。そして、音孔部３２を介して上記犠牲層のエッチングを行うことにより、振動膜２２および固定膜２３間のエアギャップが形成され、絶縁層３０が形成されて、音響センサ１１が完成する。
　〔実施の形態２〕
　次に、本発明の別の実施形態について図４を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る音響センサ１１の概略構成を示す平面図である。図４に示す音響センサ１１は、図１に示す音響センサ１１に比べて、固定電極の形状が異なるのみであり、その他の構成は同様である。
　図４に示すように、本実施形態の固定電極２３ｃは、図１に示す固定電極２３ａよりも段状に広げた形状となっている。この場合、図１に示す固定電極２３ａよりも、円形の振動電極２２ａに近い形状となるので、静電容量の低下を軽減することができる。
　〔実施の形態３〕
　次に、本発明のさらに別の実施形態について図５を参照して説明する。図５の（ａ）・（ｂ）は、それぞれ、本実施形態に係る音響センサ１１の概略構成と、該音響センサ１１の比較例である従来の音響センサ１１１の概略構成とを示す平面図である。図５に示す音響センサ１１・１１１は、図１・図８に示す音響センサ１１・１１１に比べて、音孔部３２・１３２の配列方向が異なっており、このため、本実施形態の固定電極の形状が異なっている。なお、その他の構成は同様である。
　図５の（ａ）に示す固定電極２３ｄは、同図の（ｂ）に示す従来の固定電極１２３ａに比べて、縁部４０の境界が、音孔部３２と交わらないように形成されている。これにより、固定電極２３ｄの縁部４０にて応力集中による破損を回避できるので、衝撃に対する耐性を向上させることができる。
　また、同図の（ａ）・（ｂ）に示すように、音孔部３２・１３２の配列方向は、図示の上下方向と、該上下方向から９０度回転した左右方向との２方向である。そこで、本実施形態の固定電極２３ｄは、これら２方向と、該２方向を２等分する方向（図示の上下方向から左右にそれぞれ４５度回転した斜め方向）とに平行となっている。これにより、固定電極２３ｄのマスク形状の設計が容易となる。さらに、本実施形態の固定電極２３ｄは、段状に形成されているので、円形の振動電極２２ａに近い形状となり、静電容量の低下を軽減することができる。
　〔実施の形態４〕
　次に、本発明の他の実施形態について図６・図７を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る音響センサ１１の概略構成を示す平面図である。なお、同図では、固定膜２３の保護膜２３ｂを省略している。
　図６に示す音響センサ１１は、図１に示す音響センサ１１に比べて、振動電極の形状が異なっており、このため、固定電極の形状が異なっている。なお、その他の構成は同様である。本実施形態の振動電極２２ｂは、正方形の隅部５０が、それぞれ中心から外向きに延在した形状であり、該延在部５１にて半導体基板２１に固定されている。
　図７は、上記構成の振動電極２２ｂに所定の音波が到達した場合の振動電極２２ｂの振動量を示している。同図では、振動量が少ないと暗く示され、振動量が多いと明るく示されている。図示のように、振動電極２２ｂは、隅部５０および延在部５１にてほとんど振動していない。従って、本実施形態では、固定電極２３ｅは、振動電極２２ｂから隅部５０および延在部５１を省略した形状となっている。
　本実施形態の固定電極２３ｅは、図６に示すように、縁部４０の境界が、音孔部３２と交わらないように形成されている。これにより、固定電極２３ｅの縁部４０にて応力集中による破損を回避できるので、衝撃に対する耐性を向上させることができる。
　また、図６に示すように、音孔部３２の配列方向は、図示の左右方向と、該左右方向からそれぞれ６０度回転した方向である。そこで、本実施形態の固定電極２３ｅは、これら３方向と、該３方向のうち、隣り合う２方向を２等分する方向（図示の左右方向からそれぞれ３０度回転した方向と、図示の上下方向）とに平行となっている。これにより、固定電極２３ｅのマスク形状の設計が容易となる。さらに、本実施形態の固定電極２３ｅは、振動電極２２ｂの隅部５０との境界において段状に形成されているので、振動電極２２ｂの振動部分に近い形状となり、静電容量の低下を軽減することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　例えば、上記実施形態では、音孔部３２は、断面が円形であるが、三角形、四角形など、任意の形状にしてもよい。
　以上のように、本発明に係る音響トランスデューサは、基板の上面に振動膜および固定膜が形成され、該振動膜における振動電極と上記固定膜における固定電極との間の静電容量の変化により、音波を電気信号に変換する音響トランスデューサにおいて、上記固定膜には、上記音波を外部から上記振動膜に到達させるために複数の音孔部が形成されており、上記固定電極は、縁部の境界が上記音孔部と交わらないように形成されていることを特徴としている。
　上記の構成によると、固定電極の縁部にて、該固定電極の境界と交わる音孔部が存在しない。これにより、該固定電極の縁部にて応力集中による破損を回避できるので、衝撃に対する耐性を向上させることができる。
　本発明に係る音響トランスデューサでは、上記音孔部が規則的に配列されている場合、上記固定電極は、上記音孔部の配列方向と、隣り合う２つの該配列方向を二等分する方向とに沿う形状に形成されていることが好ましい。この場合、固定電極の形状の設計が容易となる。さらに、上記固定電極は、上記振動電極の振動部分に近い形状とするために、段状に形成されていることが好ましい。なお、上記配列方向の例としては、隣り合う上記配列方向のなす角度が６０度である場合や、９０度である場合が挙げられる。
　本発明に係る音響トランスデューサでは、上記音孔部は、隣り合う音孔部の中心同士の間隔が、上記隣り合う音孔部の寸法の和よりも短くなるように配置されていることが好ましい。また、本発明に係る音響トランスデューサでは、上記音孔部の寸法は６μｍ以上であることが好ましい。この場合、上記音孔部の領域が広くなるので、外部からの音波が上記音孔部を介して上記振動膜に到達する効率が良くなり、ＳＮＲ（信号対ノイズ比）を向上させることができる。なお、上記音孔部の寸法の上限は、固定膜の強度や、所要の静電容量に依存する。
　なお、音響トランスデューサには、上記固定膜は、上記固定電極と、該固定電極よりも広い保護膜とを備えており、該保護膜は、上記固定電極の縁部の境界で段状となっているものが存在する。この場合、上記段状という形状により、上記固定電極の縁部の境界で応力集中が発生することになる。従って、当該音響トランスデューサに対し、本発明を適用することが好ましい。
　なお、上記構成の音響トランスデューサと、該音響トランスデューサからの電気信号を増幅して外部に出力する出力ＩＣとを備えるマイクロフォンであれば、上述と同様の効果を奏することができる。
　以上のように、本発明に係る音響トランスデューサは、固定電極の縁部の境界が音孔部と交わらないように形成されることにより、固定電極の縁部にて応力集中による破損を回避できるので、固定膜に音孔部を有する任意の構造の音響センサに適用することができる。
１０　ＭＥＭＳマイクロフォン
１１　音響センサ（音響トランスデューサ）
１２　出力ＩＣ
１３　プリント基板
１４　カバー
１５　貫通孔
２１　半導体基板
２２　振動膜
２２ａ・ｂ　振動電極
２３　固定膜
２３ａ・ｃ～ｅ　固定電極
２３ｂ　保護膜
３０　絶縁層
３１　開口部
３２　音孔部
４０　縁部
５０　隅部
５１　延在部

Claims (9)

  1. 　基板の上面に振動膜および固定膜が形成され、該振動膜における振動電極と上記固定膜における固定電極との間の静電容量の変化により、音波を電気信号に変換する音響トランスデューサにおいて、
    　上記固定膜には、上記音波を外部から上記振動膜に到達させるために複数の音孔部が形成されており、
    　上記固定電極は、縁部の境界が上記音孔部と交わらないように形成されていることを特徴とする音響トランスデューサ。
  2. 　上記音孔部は、規則的に配列されており、
    　上記固定電極は、上記音孔部の配列方向と、隣り合う２つの該配列方向を二等分する方向とに沿う形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
  3. 　上記固定電極は、上記振動電極の振動部分に近い形状とするために、段状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の音響トランスデューサ。
  4. 　隣り合う上記配列方向のなす角度が６０度であることを特徴とする請求項２または３に記載の音響トランスデューサ。
  5. 　隣り合う上記配列方向のなす角度が９０度であることを特徴とする請求項２または３に記載の音響トランスデューサ。
  6. 　上記音孔部は、隣り合う音孔部の中心同士の間隔が、上記隣り合う音孔部の寸法の和よりも短くなるように配置されていることを特徴とする請求項１から５までの何れか１項に記載の音響トランスデューサ。
  7. 　上記音孔部の寸法は６μｍ以上であることを特徴とする請求項１から６までの何れか１項に記載の音響トランスデューサ。
  8. 　上記固定膜は、上記固定電極と、該固定電極よりも広い保護膜とを備えており、
    　該保護膜は、上記固定電極の縁部の境界で段状となっていることを特徴とする請求項１から７までの何れか１項に記載の音響トランスデューサ。
  9. 　請求項１から８までの何れか１項に記載の音響トランスデューサと、該音響トランスデューサからの電気信号を増幅して外部に出力する出力ＩＣとを備えるマイクロフォン。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2491257A (en) * 2011-05-25 2012-11-28 Bosch Gmbh Robert Sound wave based sensor

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9380380B2 (en) 2011-01-07 2016-06-28 Stmicroelectronics S.R.L. Acoustic transducer and interface circuit
JP5872163B2 (ja) 2011-01-07 2016-03-01 オムロン株式会社 音響トランスデューサ、および該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン
US9454954B2 (en) * 2012-05-01 2016-09-27 Fujifilm Dimatix, Inc. Ultra wide bandwidth transducer with dual electrode
US8767512B2 (en) 2012-05-01 2014-07-01 Fujifilm Dimatix, Inc. Multi-frequency ultra wide bandwidth transducer
US9660170B2 (en) 2012-10-26 2017-05-23 Fujifilm Dimatix, Inc. Micromachined ultrasonic transducer arrays with multiple harmonic modes
KR101500130B1 (ko) * 2013-09-02 2015-03-06 현대자동차주식회사 스티어링 휠에 설치된 차량용 제어장치
US10672365B2 (en) 2017-08-17 2020-06-02 JERS Tech, LLC Address location assistance system and associated methods
CN207665147U (zh) * 2017-12-08 2018-07-27 歌尔科技有限公司 一种麦克风模组
US11119532B2 (en) * 2019-06-28 2021-09-14 Intel Corporation Methods and apparatus to implement microphones in thin form factor electronic devices

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005086535A1 (ja) * 2004-03-09 2005-09-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. エレクトレットコンデンサーマイクロホン
JP2006067547A (ja) 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 音響センサ
JP2008053400A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd エレクトレットコンデンサ
JP2008113057A (ja) * 2004-09-01 2008-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd エレクトレットコンデンサー
JP2009038732A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Panasonic Corp 電子部品とその製造方法及び該電子部品を備える電子装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5870482A (en) * 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
EP1722595A4 (en) * 2004-03-05 2010-07-28 Panasonic Corp ELECTRET condenser
US8327711B2 (en) * 2008-02-20 2012-12-11 Omron Corporation Electrostatic capacitive vibrating sensor
JP4419103B1 (ja) * 2008-08-27 2010-02-24 オムロン株式会社 静電容量型振動センサ
US9162876B2 (en) * 2011-03-18 2015-10-20 Stmicroelectronics S.R.L. Process for manufacturing a membrane microelectromechanical device, and membrane microelectromechanical device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005086535A1 (ja) * 2004-03-09 2005-09-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. エレクトレットコンデンサーマイクロホン
JP2006067547A (ja) 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 音響センサ
JP2008113057A (ja) * 2004-09-01 2008-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd エレクトレットコンデンサー
JP2008053400A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd エレクトレットコンデンサ
JP2009038732A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Panasonic Corp 電子部品とその製造方法及び該電子部品を備える電子装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2579617A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2491257A (en) * 2011-05-25 2012-11-28 Bosch Gmbh Robert Sound wave based sensor
GB2491257B (en) * 2011-05-25 2015-02-18 Bosch Gmbh Robert Sound wave based sensor

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