JP2007208544A - 音響センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】静電容量型の音響センサにおいて、過大音圧印加時や、突入電圧印加時に、振動板とバックプレートが接触しても互いに短絡するのを防止し、従来より高い許容入力音圧や高耐突入電圧性を実現する。
【解決手段】音響センサ1は、音響によって振動する振動板3とそれに対向するバックプレート4を有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、互いに対向する振動板3とバックプレート4のが電気的に接触するのを防止するための絶縁部材6を振動板3に備えている。絶縁部材6は、振動板3に対向するバックプレート4対向面に備えるてもよい。また、絶縁部材6は、振動板3又はバックプレート4の互いの対向面のいずれか一方の中央部近傍に備えてもよい。
【選択図】図1
【解決手段】音響センサ1は、音響によって振動する振動板3とそれに対向するバックプレート4を有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、互いに対向する振動板3とバックプレート4のが電気的に接触するのを防止するための絶縁部材6を振動板3に備えている。絶縁部材6は、振動板3に対向するバックプレート4対向面に備えるてもよい。また、絶縁部材6は、振動板3又はバックプレート4の互いの対向面のいずれか一方の中央部近傍に備えてもよい。
【選択図】図1
Description
本発明は、空気等を媒体として伝わる可聴音や超音波などの音響を検知する静電容量型の音響センサに関する。
従来から、対向電極型のコンデンサ、例えば、平行平板コンデンサ、の一方の電極を音響によって振動させ、音響圧力の変化をコンデンサの静電容量の電気的変化に変換して音響検出を行う音響センサが知られている(例えば、特許文献1参照)。
このような静電容量型の音響センサは、例えば、振動板、バックプレート、接続部、及び基板を構成要素としている。振動板とバックプレートは、互いに電気絶縁状態で接続部によって空隙を隔てて配置されると共に基板に保持されて静電容量型コンデンサを形成する。振動板とバックプレートのそれぞれの少なくとも一部は、対向電極とするため導体である。接続部は、振動板の振動を妨げないように振動板とバックプレートの周辺において両者を支持する。基板の一部が、振動板又はバックプレートを構成することがある。また、このような音響センサは、音響を電気信号に変換する他に、電気信号を音響に変換することもでき、いわゆる、双方向の音響電気トランスデューサとして機能する。
特開平6−217396号公報
しかしながら、特許文献1に示されるような従来の静電容量型の音響センサにおいては、過大な音圧の印加時や突入電圧印加時に、振動板の最大変位部分がバックプレートに接触して振動板とバックプレートが短絡し、音響センサが破壊されたり、音響検出信号にノイズが混入したりする可能性がある。
本発明は、上記課題を解消するものであって、簡単な構成により過大音圧印加時や、突入電圧印加時に、振動板とバックプレートが接触しても互いに短絡することがなく、許容入力音圧の高い、また、耐突入電圧性の高い静電容量型の音響センサを提供することを目的とする。
上記課題を達成するために、請求項1の発明は、音響によって振動する振動板とそれに対向するバックプレートを有し、前記両者間の容量変化を検出することによって前記音響を検出する音響センサにおいて、前記振動板と前記バックプレートの少なくともいずれか一方の対向面に、互いの電気的接触を防止するための絶縁部材を備えたものである。
請求項2の発明は、請求項1に記載の音響センサにおいて、前記絶縁部材は、前記対向面の中央部近傍に備えられているものである。
請求項1の発明によれば、振動板とバックプレートの少なくともいずれか一方の対向面に、互いの電気的接触を防止するための絶縁部材を備えるので、過大音圧印加時や、突入電圧印加時に、振動板とバックプレートが接触しても電気的に短絡することがなく、許容入力音圧の高い、また、耐突入電圧性の高い静電容量型の音響センサを提供できる。
請求項2の発明によれば、振動板の、通常、最大変位部分となる中央部近傍に絶縁部材を備えるので、振動板とバックプレートが接触する場合の電気短絡を防止する絶縁部材を最小限にして短絡防止の効果を上げると共に、振動板の全体に絶縁部材を設ける場合よりも振動板に付加する質量を少なくすることで、音響センサの感度の低下を最小限に抑えて音響センサの性能を引き出すことができる。
以下、本発明の一実施形態に係る静電容量型の音響センサについて、図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る静電容量型の音響センサ1を示し、図2は音響センサの外形を示し、図3は音響センサ1を仮想的に分解した状態を示す。本実施形態の音響センサ1は、音響によって振動する振動板3とそれに対向するバックプレート4を有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、互いに対向する振動板3とバックプレート4のが電気的に接触するのを防止するための絶縁部材6を振動板3に備えている。
図1は本発明の第1の実施形態に係る静電容量型の音響センサ1を示し、図2は音響センサの外形を示し、図3は音響センサ1を仮想的に分解した状態を示す。本実施形態の音響センサ1は、音響によって振動する振動板3とそれに対向するバックプレート4を有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、互いに対向する振動板3とバックプレート4のが電気的に接触するのを防止するための絶縁部材6を振動板3に備えている。
さらに詳述すると、音響センサ1は、音響センサ1の形を保持すると共に音響を導く凹部21を有する基板2を備え、振動板3は、基板2に積層して形成され、振動板3の周囲を基板2に保持されると共にその一面を凹部21に臨ませており、凹部21に臨ませた部分の振動板3が音響によって振動する。また、バックプレート4は、振動板3の外周部の2ヶ所に設けた絶縁性の接続部5によって、振動板3と所定の間隔を保つように固定されている。また、基板2は、例えば、シリコンウエハを半導体プロセスによりエッチング加工して凹部21が形成されている。以下において、基板2はシリコン基板であり、音響センサ1は、シリコン半導体プロセスを用いて形成されるものとして説明するが、基板2の材料や音響センサ1の形成プロセスは、これらに限定されるものではない。
次に、各構成要素を説明する。振動板3は、バックプレートと共に平行板コンデンサを形成する部材であり、本実施形態では振動する部分の全体が導体によって形成され、コンデンサの一方の対向電極となっている。振動板3は、外部から到達する音響の有する微小な音圧変化によって振動するようにその厚さが十分薄く、例えば、1〜2μm程度に、形成されている。このような振動板3は、半導体プロセスを用いて形成される。例えば、基板2の上に振動板3となる所定の厚さの薄膜を積層し、基板2の一部をエッチングによって除去することにより凹部21を形成し、その凹部21の底に振動板3を露出させる。このような振動板3は、周囲を基板2によって保持され、凹部21の底に露出した部分が自由に振動する振動部分となる。
上述の振動板3となる薄膜は、基板2に高濃度不純物拡散を行って形成した拡散層や、基板2に形成したポリシリコン膜の堆積層などを用いることができる。振動板3が、ポリシリコン膜のように、非導電性又は高抵抗の薄膜によって形成される場合、不純物をドーピングしたり、金属薄膜を積層したりして、コンデンサの電極としての導電性を振動板3に付与することも行われる。また、振動板3となる薄膜層を有する基板2として、活性層を有するSOI基板を用いることもできる。振動板3は、振動板3から電気信号を外部に出力するための接続パッド32を備えている。接続パッド32には、例えばワイヤボンディングがなされる。
バックプレート4は、本実施形態では全体が導体によって形成され、コンデンサの一方の対向電極となっている。バックプレート4は、振動板3に対する固定電極となっており、振動板3と共に平行板コンデンサを形成して音響による音圧変化を容量の変化として検出可能とする。
また、バックプレート4は、振動板3が音響に応じて遅滞なく自在に振動するように、振動板3とバックプレート4の間の空気抵抗を減らすための空気流通孔、いわゆるアコースティックホール41を備えている。また、バックプレート4は、接続部5によって支持される部分が空気流通のために最少の2ヶ所とされ、さらに、バックプレート4の周辺部から空気が自在に流入又は流出するように、また、寄生容量の発生を抑えるように、最小限の外形寸法とされている。バックプレート4は、バックプレート4から電気信号を外部に出力するための接続パッド42を備えている。接続パッド42には、例えばワイヤボンディングがなされる。
上述のような構造を有するバックプレート4は、半導体プロセスの成膜技術やエッチング技術によって形成される。例えば、振動板3の形成と同様に、基板2に高濃度不純物拡散を行って形成した拡散層や、基板2に形成したポリシリコン膜の層などを用いてバックプレート4を形成することができる。非導電性又は高抵抗の薄膜に不純物をドーピングしたり、金属薄膜を積層したりしてバックプレート4にコンデンサの電極としての導電性を付与することも行われる。
接続部5は、振動板3とバックプレート4の間にあって、両者を電気絶縁した状態で一定の距離に保つものである。接続部5の材料は、例えば、半導体プロセスでは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。
絶縁部材6は、本実施形態では、振動板3の上面、すなわち、バックプレート4に対する対向面の全面に形成されている。絶縁部材6の材料は、例えば、半導体プロセスでは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。このような絶縁部材6は、振動板3とバックプレート4の互いの電気的接触を防止するので、過大音圧印加時や、突入電圧印加時に、振動板3とバックプレート4が接触しても互いに短絡することがなく、許容入力音圧の高い音響センサ1、また、耐突入電圧性の高い音響センサ1が実現する。
上述の各構成要素と構造を有する音響センサ1は、例えば、半導体プロセスを用いて、シリコン基板の上に各構成要素の材料層を順番に積層し、各層を周知のパターニング技術やエッチング技術を用いて加工し形成される。また、上述のように、導電性付与のために不純物拡散やドーピングを行うこともある。加工時に成膜する代わりに、予め成膜されたSOI基板を用いることもできる。
また、接続部5の形成は、犠牲層エッチングの手法で形成することができる。犠牲層エッチングでは、犠牲層と呼ばれる層であって、その一部が接続部5となり、他の部分がエッチング除去される層を、振動板3の上に形成し、バックプレート4の形状を形成した後に、犠牲層がエッチングされる。犠牲層のエッチングでは、バックプレート4の下層にある犠牲層を接続部5が残存するようにエッチング除去され、その結果、接続部5でバックプレート4を支持した3次元立体構造が形成される。犠牲層エッチングは、接続部5のエッチングレートを、他の部材、つまり基板2、振動板3、絶縁部材6、及びバックプレート4のエッチングレートより高くする(レジストで保護することも含む)ことにより、等方性のエッチングによって容易に行われる。
図4、図5は、それぞれ上述の第3の実施形態に係る静電容量型の音響センサ1の変形例を示す。これらの図に示される音響センサ1の絶縁部材6は、図1の音響センサ1とは異なり、振動板3の全面ではなく振動板3のバックプレート4に対向する面の中央部付近に限定して設けられている。振動板3の中央部は、通常、振動板3の最大変位部分となるところであり、中央部近傍に絶縁部材を備えるので、絶縁部材を必要最小限にできる。振動板3の全体に絶縁部材を設ける場合よりも振動板3に付加する質量が少なく、音響センサ1の感度の低下を最小限に抑えることができる。
また、図4に示した音響センサ1は、上述の図1に示した音響センサと同様に、振動板3の全体が導電性となっているものであり、図5に示した音響センサ1は、振動板3の中央部のみが導電性になっているものである。図5の音響センサ1の振動板3の電極部分は、不図示の導体パターン又は不純物をドープした低抵抗部分によって接続パッド32に接続されている。
図5の音響センサ1は、振動板3の導電性部分、すなわち、平行板コンデンサの電極となる部分が、振動板3の中央部の振幅が大きくなる部分に限定して形成されているので、寄生容量、言い換えれば、容量変動に寄与しない容量の成分が少なく、従って、図1や図4に示したものよりも寄生容量が少ない分、全体容量に対する変動容量(信号成分)の割合が高く、高感度のものとなる。
(第2の実施形態)
図6は本発明の第2の実施形態に係る静電容量型の音響センサ1を示す。この実施形態の音響センサ1は、絶縁部材6がバックプレート4の下面、つまりバックプレート4の振動板3に対向する面に設けられている点が、上述の第1の実施形態における音響センサ1と異なり、他の点は第1の実施携帯の音響センサ1と同様である。
図6は本発明の第2の実施形態に係る静電容量型の音響センサ1を示す。この実施形態の音響センサ1は、絶縁部材6がバックプレート4の下面、つまりバックプレート4の振動板3に対向する面に設けられている点が、上述の第1の実施形態における音響センサ1と異なり、他の点は第1の実施携帯の音響センサ1と同様である。
このような音響センサ1において、例えば、半導体プロセスを用いて、振動板3の上に接続部5を形成するための犠牲層を形成し、さらに、絶縁部材6とバックプレートを形成するための各層を形成し、絶縁部材6とバックプレート4の同時パターニングを行い、その後、犠牲層の犠牲層エッチングを行うことにより、接続部5で絶縁部材6とバックプレート4を支持した3次元立体構造を形成することができる。
図7、図8は、それぞれ上述の第2の実施形態に係る静電容量型の音響センサ1の変形例を示す。これらの図に示される音響センサ1の絶縁部材6は、図6の音響センサ1とは異なり、バックプレート4の全面ではなくバックプレート4の中央部付近であって、振動板3の最大変位部分に対面する部分に限定して設けられている。図7に示した音響センサ1は、上述の図6に示した音響センサと同様に、バックプレート4の全体が導電性となっているものであり、図8に示した音響センサ1は、バックプレート4の中央部のみが導電性になっているものである。
図8の音響センサ1のバックプレート4の中央部の電極部分は、不図示の導体パターン又は不純物をドープした低抵抗部分によって接続パッド42に接続されている。図8の音響センサ1は、図5に示した音響センサ1と同様に、図6や図7に示したものよりも寄生容量が少ない分、高感度のものとなる。
以上のように、本発明の音響センサ1は、振動板3又はバックプレート4の全面又は中心部の対向面に絶縁部材6を設けているので、過大音圧印加時や、突入電圧印加時に、振動板3とバックプレート4が接触しても互いに短絡するのを防止でき、従来より高い許容入力音圧や高い耐突入電圧性を実現できる。
なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。例えば、接続部5を基板に設けて、基板2でバックプレート4を保持する用にしてもよい。また、基板2と振動板3を別層とする代わりに、基板2の材料そのものを用いて振動板3を形成してもよい。また、上述の各実施形態の構造を組み合わせた構造の音響センサ1とすることもできる。また、上記において、耐突入電圧性の高い音響センサ1とは、振動板3とバックプレート4の間にバイアス電圧を印可するときの突入電圧に対する耐性が高いという特性、及び、音響センサ1を、電気信号を音響に変換する電気音響トランスデューサ(スピーカ)として用いる場合の特性について述べたものである。
1 音響センサ
3 振動板
4 バックプレート
6 絶縁部材
3 振動板
4 バックプレート
6 絶縁部材
Claims (2)
- 音響によって振動する振動板とそれに対向するバックプレートを有し、前記両者間の容量変化を検出することによって前記音響を検出する音響センサにおいて、
前記振動板と前記バックプレートの少なくともいずれか一方の対向面に、互いの電気的接触を防止するための絶縁部材を備えたことを特徴とする音響センサ。 - 前記絶縁部材は、前記対向面の中央部近傍に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の音響センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006023736A JP2007208544A (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 音響センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006023736A JP2007208544A (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 音響センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007208544A true JP2007208544A (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=38487619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006023736A Withdrawn JP2007208544A (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 音響センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007208544A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010081192A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Rohm Co Ltd | Memsセンサ |
JP2015035730A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | オムロン株式会社 | マイクロフォン、音響センサ及び音響センサの製造方法 |
-
2006
- 2006-01-31 JP JP2006023736A patent/JP2007208544A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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