WO2011111853A1 - 光電変換装置及びその特性検査方法 - Google Patents

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吉川　明彦
善博 石谷
一秀 草部
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国立大学法人千葉大学
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Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric conversion device and a characteristic inspection method thereof, and more particularly to a photoelectric conversion device capable of suppressing characteristic deterioration due to crystal defects and a method of detecting a crystal defect inherent in the photoelectric conversion device.
  • light-emitting elements such as light-emitting diodes and semiconductor lasers
  • light-receiving elements such as solar cells
  • FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of the photoelectric conversion element 100 as an example, and includes an n-type semiconductor layer 101, an active layer (photoelectric conversion unit) 102 formed on the n-type semiconductor layer 101, and the active layer. And a p-type semiconductor layer 103 formed on the substrate 103, and these are formed as a basic structure of a photoelectric conversion device by a known semiconductor manufacturing technique or the like.
  • the photoelectric conversion element may include a crystal defect (threading dislocation) 201 as shown in FIG. 8 due to the incomplete structure of the semiconductor crystal.
  • FIG. 8 schematically shows a crystal defect inherent in a semiconductor crystal constituting the photoelectric conversion element 100, and a threading dislocation 201 and a non-luminescent center 202 exist.
  • threading dislocations 201 that are generated at the interface between the growth substrate and the growth layer and propagate from below to the photoelectric conversion element 100 behave as non-luminescent centers 202 that inhibit photoelectric conversion in the active layer 102.
  • threading dislocations are usually included at a high density of 1 ⁇ 10 8 cm ⁇ 2 to 1 ⁇ 10 10 cm ⁇ 2 , which is a major obstacle to improving the performance of light-emitting elements.
  • Patent Documents 1 and 2 listed below are techniques for reducing the influence of this crystal defect.
  • Patent Documents 1 and 2 belong to a crystal growth technique called selective growth or lateral growth for those skilled in the art.
  • This lateral growth process requires a surface processing process such as mask formation accompanying normal crystal growth. This leads to an increase in the number of processes, which causes problems in terms of yield and manufacturing cost.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and provides a photoelectric conversion device that suppresses deterioration of characteristics due to crystal defects without increasing the number of manufacturing steps, and a method for detecting crystal defects inherent in the photoelectric conversion device.
  • the purpose is to do.
  • the photoelectric conversion device includes a photoelectric conversion unit and a dislocation inactive unit included in the photoelectric conversion unit.
  • the dislocation inactive part may be formed so as to include a crystal defect.
  • the dislocation inactive part may have a photoelectric conversion function.
  • the photoelectric conversion device may further include a first conductive part formed on the dislocation inactive part and a second conductive part formed under the dislocation inactive part.
  • the conducting portion may have a first band gap energy
  • the second conducting portion may have a second band gap energy
  • the dislocation inactive portion may have a third band gap energy
  • the third band gap energy may be It may be smaller than either of the first and second band gap energies.
  • the photoelectric conversion device includes a first In x Ga y Al 1-xy N layer having a first conductivity type and a first In x Ga y Al 1-xy N layer.
  • the In x Ga y Al 1-xy N photoelectric conversion unit and the In x Ga y Al 1-xy N photoelectric conversion unit are formed, and the second In x Ga y Al of the second conductivity type is formed.
  • comprising a 1-x-y N layer, a, x and y range from 0 ⁇ x, a y ⁇ 1, in x Ga y Al 1-x-y N photoelectric conversion unit, an InN transposition inactive portion Have.
  • the InN dislocation inactive part may have a layer thickness of 2 molecular layers or less.
  • the InN dislocation inactive part may be formed so as to include a crystal defect.
  • the method for detecting a crystal defect of a photoelectric conversion device includes a first In x Ga y Al 1-xy N layer having a first conductivity type, a first In x Ga y Al 1-xy
  • the In x Ga y Al 1-xy N photoelectric conversion unit formed on the N layer and the In x Ga y Al 1-xy N photoelectric conversion unit formed of the second conductivity type are formed on the In x Ga y Al 1-xy N photoelectric conversion unit.
  • the xy N photoelectric conversion unit includes an InN dislocation detection unit, and the InN dislocation detection unit is formed so as to include crystal defects, and detects crystal defects based on light emission characteristics from the InN dislocation detection unit. This is a crystal defect detection method.
  • the InN dislocation detection unit may have a layer thickness of two or less molecular layers.
  • the crystal defect may be detected based on cathodoluminescence from the InN dislocation detection unit.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a photoelectric conversion apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • a photoelectric conversion device 10 includes an n-type gallium nitride (hereinafter referred to as “n-GaN”) layer 11, a photoelectric conversion unit (Active layer) 12 formed on the n-GaN layer 11, and a photoelectric conversion device.
  • n-GaN n-type gallium nitride
  • p-GaN p-type gallium nitride
  • a dislocation inactive unit 14 included in the photoelectric conversion unit 12 are configured and are well-known. It is formed by semiconductor manufacturing technology.
  • nitride-based semiconductors have almost no suitable growth substrate, crystal defects such as threading dislocations generated from the interface between the n-GaN layer 11 and the substrate (not shown) are formed when the photoelectric conversion element 10 is formed. 21 is contained at a high density of about 1 ⁇ 10 8 cm ⁇ 2 to 1 ⁇ 10 10 cm ⁇ 2 .
  • the n-GaN layer 11 is used for transporting electrons
  • the p-GaN layer 13 is used for transporting holes. Therefore, the resistivity and the layer thickness of each of the n-GaN layer 11 and the p-GaN layer 13 are suitably adjusted from the viewpoint of carrier transport / collection.
  • the photoelectric conversion unit 12 converts injected electrons-holes into light through a recombination process, and in the case of a light receiving element, converts the absorbed light into electrons-holes.
  • the photoelectric conversion unit 12 includes, for example, gallium nitride (GaN), indium gallium nitride (InGaN), or indium nitride (InN), and includes the n-GaN layer 11.
  • the p-GaN layer 13 is preferably configured to have a forbidden band width (bandgap energy) smaller than any of the p-GaN layer 13.
  • the dislocation inactive part 14 will be described.
  • the dislocation inactive part 14 is an InN ultrathin film
  • the photoelectric conversion part 12 is described using an example of GaN.
  • InN When InN is epitaxially grown on GaN, for example, when c-plane growth is performed, InN and GaN have a lattice mismatch of about 11%, so that high-density crystal defects are newly introduced during crystal growth. Will be introduced. This crystal defect significantly deteriorates the conversion efficiency in the photoelectric conversion element.
  • the present inventors have found that if InN is less than or equal to a bimolecular layer (2 ML), elastic deformation is maintained without introducing crystal defects and coherent growth is possible with respect to GaN as a base.
  • the ultra-thin film InN When the ultra-thin film InN is inserted into the photoelectric conversion unit 12, a quantum well structure having the ultra-thin film InN as a well layer and GaN as a barrier layer is formed. That is, the ultra-thin InN quantum well layer may function as a part of the photoelectric conversion unit 12.
  • FIG. 3 shows a sample in which a quantum well structure composed of an ultra-thin InN (1ML-InN) well layer and a GaN layer whose layer thickness is controlled to a single molecular layer is grown on a GaN underlayer.
  • CL image The result (CL image) of having performed cathodoluminescence (CL) observation of is shown.
  • CL observation refers to irradiating an accelerated electron beam from the sample surface and performing fluorescence spectroscopic measurement from the sample.
  • Vacc of the accelerating electron beam By controlling the acceleration voltage Vacc of the accelerating electron beam, the penetration depth of the electron beam can be controlled, and light emission distribution information of a desired layer structure region (depth position) can be obtained.
  • FIG. 3 shows respective CL images when the observation region is 19 ⁇ 19 ⁇ m 2 and the acceleration voltage Vacc is changed in the same visual field.
  • the acceleration voltages Vacc of 3 kV, 6 kV, 14 kV, and 18 kV correspond to electron beam penetration lengths of 48 nm, 160 nm, 710 nm, and 1100 nm, respectively. That is, when the acceleration voltage Vacc is 3 kV and 6 kV, the emission distribution mainly from the 1ML-InN quantum well is observed, and when the acceleration voltage Vacc is 14 kV and 18 kV, the emission distribution mainly from the GaN underlayer is observed. .
  • white contrast corresponds to a light emitting region
  • black contrast corresponds to a non-light emitting region (non-light emitting center), that is, a crystal defect 21 is present.
  • the ultrathin film InN is formed in an island shape having a surface coverage of less than 1.
  • the region illustrated by the circular frame as a mark is relatively brighter than the surroundings. It can be understood that the quantum well structure is formed only in the region and the emission intensity is improved. That is, it is considered that the ultrathin film InN is selectively grown so as to include the crystal defect 21 and has an island structure as shown in FIG.
  • the dislocation inactive layer 14 does not necessarily have to be a continuous film having a surface coverage of 1, and even in an island shape including the crystal defects 21, that is, in a configuration with a surface coverage of less than 1, the crystal defects 21.
  • the non-luminous property due to can be eliminated.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a configuration example of the photoelectric conversion device 30 which is an application example 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • a photoelectric conversion device 30 includes an n-type aluminum gallium nitride (hereinafter, n-AlGaN) layer 31, a photoelectric conversion unit (Active layer) 32 formed on the n-AlGaN layer 31, and the photoelectric conversion.
  • n-AlGaN n-type aluminum gallium nitride
  • p-AlGaN p-AlGaN
  • the photoelectric conversion unit 32 is made of, for example, gallium nitride (GaN), aluminum gallium nitride (AlGaN), or aluminum indium gallium nitride (AlInGaN), and more than any of the n-AlGaN layer 31 and the p-AlGaN layer 33. It is preferable to be configured to have a small forbidden bandwidth (band gap energy).
  • the dislocation inactive part 34 is composed of an ultrathin film InN.
  • the n-AlGaN layer 31 is used for transporting electrons.
  • the p-AlGaN layer 33 is used for transporting holes. Therefore, the resistivity and the layer thickness of the n-AlGaN layer 31 and the p-AlGaN layer 33 are each suitably adjusted in order to efficiently transport carriers.
  • the photoelectric conversion unit 32 converts the injected electron-holes into ultraviolet light through a recombination process.
  • the dislocation inactive part 34 suppresses the non-light emission center and increases the efficiency of the ultraviolet LED.
  • the photoelectric conversion unit 32 is AlGaN
  • the emission wavelength of the ultraviolet LED is shortened.
  • the Al composition of AlGaN increases, the difficulty of crystal growth becomes more significant, and the density of crystal defects 21 included in the photoelectric conversion device 30 also increases. Therefore, the light emission efficiency is deteriorated.
  • the ultra-thin film InN is inserted into the photoelectric conversion part 32, as shown in FIG. 3, the non-luminous property due to the crystal defect 21 is reduced. That is, in the photoelectric conversion device 30 that is an ultraviolet LED, the dislocation inactive portion 34 is configured by the ultrathin film InN, so that deterioration of the light emission efficiency accompanying the shortening of the light emission wavelength can be suppressed.
  • the crystal defect 21 is inherent in the photoelectric conversion unit 32 of the photoelectric conversion device 30, the characteristic deterioration due to the crystal defect 21 can be suppressed.
  • FIG. 6 is a block diagram showing a configuration example of a photoelectric conversion device 40 which is an application example 2 according to the first embodiment of the present invention.
  • a photoelectric conversion device 40 includes an n-type indium gallium nitride (hereinafter referred to as n-InGaN) layer 41, a photoelectric conversion unit (Active layer) 42 formed on the n-InGaN layer 41, and the photoelectric conversion.
  • the p-type indium gallium nitride (hereinafter referred to as p-InGaN) layer 43 formed on the part 42 and the dislocation inactive part 44 included in the photoelectric conversion part 42 are formed by a known semiconductor manufacturing technique or the like. Is done.
  • the photoelectric conversion unit 42 is made of, for example, indium nitride (InN), indium gallium nitride (InGaN), or aluminum indium gallium nitride (AlInGaN), and is more than any of the n-InGaN layer 41 and the p-InGaN layer 43. It is preferable to be configured to have a small forbidden bandwidth (band gap energy).
  • the dislocation inactive part 44 is composed of an ultrathin film InN.
  • the n-InGaN layer 41 is used for transporting electrons.
  • the p-InGaN layer 43 is used for transporting holes. Accordingly, the resistivity and the layer thickness of the n-InGaN layer 41 and the p-InGaN layer 43 are each suitably adjusted in order to efficiently transport carriers.
  • the photoelectric conversion unit 42 converts the injected electron-holes into light through a recombination process.
  • the dislocation-inactive portion 44 suppresses the non-emission center and increases the efficiency of the green laser and the red-infrared wavelength region LED.
  • the photoelectric conversion unit 42 is InGaN
  • the emission wavelengths of the green laser and the red-infrared wavelength region LED are lengthened.
  • the In composition of InGaN increases, the difficulty of crystal growth becomes more remarkable, and the density of crystal defects 21 included in the photoelectric conversion device 40 also increases. Therefore, the light emission efficiency is deteriorated.
  • the ultra-thin film InN is inserted into the photoelectric conversion unit 42, as shown in FIG. 3, the non-luminous property due to the crystal defect 21 is reduced. That is, in the photoelectric conversion device 40 that is a green laser and a red-infrared wavelength region LED, the dislocation inactive portion 44 is configured by the ultrathin film InN, thereby suppressing the deterioration of the light emission efficiency due to the longer emission wavelength. be able to.
  • FIG. 7 is a block diagram showing a configuration example of a photoelectric conversion device 50 which is an application example 3 according to the first embodiment of the present invention.
  • a photoelectric conversion device 50 includes an n-type aluminum indium gallium nitride (hereinafter referred to as n-AlInGaN) layer 51, a photoelectric conversion unit (Depletion layer) 52 formed on the n-AlInGaN layer 51, and the photoelectric conversion device.
  • n-AlInGaN n-type aluminum indium gallium nitride
  • p-AlInGaN p-AlInGaN
  • the photoelectric conversion unit 52 is made of, for example, gallium nitride (GaN), indium gallium nitride (InGaN), aluminum indium nitride (AlInN), or aluminum indium gallium nitride (AlInGaN), and the n-AlInGaN layer 51 and p-AlInGaN.
  • the layer 53 is preferably configured to have a forbidden band width (band gap energy) smaller than any of the layers 53.
  • the dislocation inactive part 54 is composed of the ultrathin film InN.
  • the n-AlInGaN layer 51 is used for transporting electrons.
  • the p-AlInGaN layer 53 is used for transporting holes. Therefore, the resistivity and the layer thickness of the n-AlInGaN layer 51 and the p-AlInGaN layer 53 are each suitably adjusted from the viewpoint of carrier transport and concentration.
  • the photoelectric conversion unit 52 converts the absorbed light into electron-holes.
  • the dislocation inactive portion 54 improves the junction characteristics of the solar cell and increases the efficiency of the nitride solar cell.
  • the photoelectric conversion unit 52 is InGaN
  • the dislocation inactivation effect due to the crystal defects 21 is exhibited as shown in FIG. That is, in the photoelectric conversion device 50 that is a solar cell, the dislocation inactive portion 54 is configured by the ultrathin film InN, so that a decrease in conversion efficiency due to deterioration of the junction characteristics of the solar cell can be suppressed.
  • the growth mechanism of ultra-thin InN is a self-ordered and self-stopping process by supplying excess InN than the designed film thickness and evaporating / desorbing on the growth surface.
  • InN is pinned in the region where the crystal defect exists, it is considered that the evaporation / desorption rate is suppressed as compared with the region not including the crystal defect.
  • the ultra-thin film InN is grown as a fractional layer InN only in a region where crystal defects exist.
  • the fractional layer InN means that the surface coverage is 1 or less.
  • the 0.5 molecular layer is an island structure having a one-layer thickness and a surface coverage of 50%, that is, a quantum disk structure.
  • observation means by a transmission electron microscope or pit (etch pit) detection by an etching process is known. Is also complicated.
  • C cathodoluminescence
  • the ultrathin film InN is formed so as to include the crystal defect 21 by inserting the ultrathin film InN into the photoelectric conversion unit 12 in the photoelectric conversion device 10, and the dislocation detection unit exhibits the light emission characteristics. 15 can be used.
  • the crystal defect 21 is inherent in the photoelectric conversion unit 12 of the photoelectric conversion device 10, the crystal defect 21 is easily detected by observing the dislocation detection unit 15.
  • product inspection of the photoelectric conversion device 10 can be simplified.
  • the ultra-thin film InN is composed of one layer.
  • the present invention is not limited to this.
  • a configuration in which multiple layers are inserted is also possible.
  • the layer including nitride sandwiching the photoelectric conversion portion has conductivity, and can be expressed as a first conductive portion and a second conductive portion, respectively.
  • the first conductive portion and the second conductive portion can be expressed as In x Ga y Al 1-xy N layers, respectively.
  • the first conductive portion is represented by the first conductive type In x Ga y Al 1-1.
  • the xy N layer and the second conductive part can be expressed as a second conductivity type In x Ga y Al 1-xy N layer.
  • x and y may be the same or different, and the ranges of x and y may be 0 ⁇ x and y ⁇ 1.
  • the photoelectric conversion unit can be expressed as an In x Ga y Al 1-xy N layer.
  • each of the first conduction unit, the second conduction unit, and the photoelectric conversion unit has band gap energy, and the band gap energy (third band gap energy) of the third conduction unit. ) Is preferably smaller than either the band gap energy of the first conduction part (first band gap energy) or the band gap energy of the second conduction part (first band gap energy).
  • the photoelectric conversion device can be used for light-emitting elements and light-receiving elements corresponding to ultraviolet-infrared light, particularly solar cells.

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Abstract

結晶欠陥による特性劣化を抑制する光電変換装置、および光電変換装置に内在する結晶欠陥の検出方法を提供する。そのため、本発明に係る光電変換装置は、光電変換部と、前記光電変換部に含まれる転位不活性部と、を備える。

Description

光電変換装置及びその特性検査方法
　本発明は、光電変換装置及びその特性検査方法に関し、より詳細には、結晶欠陥による特性劣化を抑制することのできる光電変換装置及び光電変換装置に内在する結晶欠陥の検出方法に関する。
　半導体による光電変換素子として、発光ダイオードや半導体レーザーなどの発光素子、および太陽電池などの受光素子が知られている。
　発光素子の実用化、さらには高性能化に要求される事項は、光出力の高出力化および素子寿命の長寿命化である。一方、受光素子の場合では、変換効率の向上である。しかし、光電変換素子を構成する半導体結晶に内在する結晶欠陥（転位）が、上述した高性能化を阻害し、動作特性を劣化させることは周知の通りである。
　半導体結晶における結晶欠陥が、光電変換素子の動作特性を劣化させる様子を、図８を参照して説明する。
　図８は一例として、光電変換素子１００の構成を示すブロック図であり、ｎ型半導体層１０１と、前記ｎ型半導体層１０１上に形成される活性層（光電変換部）１０２と、前記活性層１０３上に形成されるｐ型半導体層１０３と、を備えており、これらが周知の半導体製造技術等によって、光電変換装置の基本構造として形成されている。
ここで光電変換素子１００の基本動作について、発光素子を例に簡単に説明する。
光電変換素子１００に電流を注入する場合、ｎ型半導体層１０１からは電子が注入され、ｐ型半導体１０３から正孔が注入される。注入された電子および正孔は、活性層１０２における発光再結合過程により光に変換され、外部へ光を出力する。
　ところが光電変換素子には、半導体結晶の構造不完全性から、図８に示すような結晶欠陥（貫通転位）２０１が含まれることがある。図８には光電変換素子１００を構成する半導体結晶に内在する結晶欠陥が模式的に示されており、貫通転位２０１と非発光中心２０２が存在している。例えば、成長基板と成長層との界面で発生し、光電変換素子１００まで下から伝搬してくる貫通転位２０１は、活性層１０２では光電変換を阻害する非発光中心２０２として振る舞うこととなる。
　特に、窒化物系半導体では、貫通転位が通常１×１０８ｃｍ－２から１×１０１０ｃｍ－２の高密度で含まれるため、発光素子の高性能化の大きな障害となっている。
　この結晶欠陥の影響を低減するための技術として、例えば下記特許文献１及び２がある。
特開２００６－１３５４７号公報 特開２００６－５０４４号公報
　特許文献１および２に記載される結晶欠陥低減技術は、当業者にとってすれば、選択成長もしくは横方向成長と称される結晶成長技術に属する。この横方向成長プロセスには、通常の結晶成長に付随して、マスク形成などの表面加工プロセスが必要となる。このことは、工程数の増加を招くため、歩留まりや製造コストの点で問題が生じることになる。
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、製造工程数を増やすことなく、結晶欠陥による特性劣化を抑制する光電変換装置、および光電変換装置に内在する結晶欠陥の検出方法を提供することを目的とする。
　本発明の第１態様に係る光電変換装置は、光電変換部と、光電変換部に含まれる転位不活性部と、を備える。
　本発明の第１態様に係る光電変換装置では、転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成されてもよい。
　本発明の第１態様に係る光電変換装置では、転位不活性部は、光電変換機能を有してもよい。
　本発明の第１態様に係る光電変換装置は、転位不活性部上に形成される第１伝導部と、転位不活性部下に形成される第２伝導部とを更に備えてもよく、第１伝導部は第１バンドギャップエネルギーを有し、第２伝導部は第２バンドギャップエネルギーを有し、転位不活性部は第３バンドギャップエネルギーを有してもよく、第３バンドギャップエネルギーは第１および第２バンドギャップエネルギーのいずれかよりも小さくてもよい。
　また本発明の第２態様に係る光電変換装置は、第１伝導型からなる第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層上に形成されるＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部と、ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部上に形成され、第２伝導型からなる第２ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、を備え、ｘおよびｙの範囲は０≦ｘ，ｙ≦１であり、ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部は、ＩｎＮ転位不活性部を有する。
　本発明の第２態様に係る光電変換装置では、ＩｎＮ転位不活性部は、層厚が２分子層以下であってもよい。
　本発明の第２態様に係る光電変換装置では、ＩｎＮ転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成されてもよい。
　本発明の第３態様に係る光電変換装置の結晶欠陥検出方法は、第１伝導型からなる第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層上に形成されるＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部と、ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部上に形成され、第２伝導型からなる第２ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、を備える光電変換装置の結晶欠陥検出方法であって、ｘおよびｙの範囲は０≦ｘ，ｙ≦１であり、ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部は、ＩｎＮ転位検出部を有し、ＩｎＮ転位検出部は、結晶欠陥を含むよう形成されており、ＩｎＮ転位検出部からの発光特性に基づいて、結晶欠陥を検出する結晶欠陥検出方法である。
　本発明の第３態様に係る光電変換装置の結晶欠陥検出方法では、ＩｎＮ転位検出部は、層厚が２分子層以下であってもよい。
　本発明の第３態様に係る光電変換装置の結晶欠陥検出方法では、ＩｎＮ転位検出部からのカソードルミネッセンスに基づいて、結晶欠陥を検出してもよい。
　以上説明したように、本発明によれば、光電変換装置に結晶欠陥が内在している場合でも、製造工程数を増やすことなく、結晶欠陥による特性劣化を抑制することができる。さらに、結晶欠陥の検出を容易にするので、光電変換装置の製品検査を簡便にすることができる。
本発明の実施形態に係る光電変換装置の構成例を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る光電変換部の構成を示すブロック図である。 本発明の転位不活性部の作用・効果を示す、カソードルミネッセンス測定による実験データである。 本発明の実施形態に係る光電変換部の構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る光電変換装置の構成例を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る光電変換装置の構成例を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る光電変換装置の構成例を示すブロック図である。 従来技術の光電変換装置の構成例を示すブロック図である。
　以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。但し、この実施例の記載は、本発明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
［第１実施形態］
　図１は、本願発明の第１実施形態に係る光電変換装置１０の構成例を示すブロック図である。図１において、光電変換装置１０は、ｎ型窒化ガリウム（以下、「ｎ－ＧａＮ」という。）層１１と、ｎ－ＧａＮ層１１上に形成される光電変換部（Ａｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）１２と、光電変換部１２上に形成されるｐ型窒化ガリウム（以下、「ｐ－ＧａＮ」という。）層１３と、光電変換部１２に含まれる転位不活性部１４と、を有して構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。なお窒化物系半導体では、適当な成長基板が殆ど存在しないことから、光電変換素子１０を構成する場合、ｎ－ＧａＮ層１１と基板（図面省略）との界面から発生する貫通転位などの結晶欠陥２１を１×１０８ｃｍ－２から１×１０１０ｃｍ－２程度と高密度に含む。
　ｎ－ＧａＮ層１１は、電子を輸送するために用いられ、ｐ－ＧａＮ層１３は、正孔を輸送するために用いられる。従って、ｎ－ＧａＮ層１１及びｐ－ＧａＮ層１３それぞれの抵抗率及び層厚は、キャリア輸送・集率の観点から、それぞれが好適に調整される。
　光電変換部１２は、発光素子の場合では、注入された電子－正孔を再結合過程によって光に変換し、受光素子の場合では、吸収した光を電子－正孔に変換する。この機能を有する限りにおいて限定されるわけではないが、光電変換部１２は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、または窒化インジウム（ＩｎＮ）を含んで、ｎ－ＧａＮ層１１およびｐ－ＧａＮ層１３のいずれかよりも小さい禁制帯幅（バンドギャップエネルギー）を有するように構成されていることが好ましい。
ここで転位不活性部１４について説明する。ここでは、転位不活性部１４がＩｎＮ超薄膜であり、光電変換部１２がＧａＮである例を用いて説明する。
　ＩｎＮがＧａＮ上にエピタキシー成長されるとき、例えば、ｃ面成長する場合では、ＩｎＮとＧａＮでは約１１％の格子不整合度を有しているため、結晶成長中に高密度の結晶欠陥を新たに導入してしまう。この結晶欠陥は、光電変換素子における変換効率を著しく劣化させることとなる。しかしながら、ＩｎＮが２分子層（２ＭＬ）以下であれば、結晶欠陥を導入せずに弾性変形を保持し、下地であるＧａＮに対してコヒーレント成長可能であることを本発明者らは見出した。
　さらに、この２分子層以下の超薄膜ＩｎＮでは、ＧａＮとの非混和性によって極めて構造完全性に優れた結晶成長が実現される。この結果、自己秩序的かつ自己停止的な形成プロセスが可能となり、原子層オーダで急峻なＩｎＮ／ＧａＮ界面が形成される。
　光電変換部１２内に上記超薄膜ＩｎＮを挿入すると、この超薄膜ＩｎＮを井戸層とし、ＧａＮをバリア層とした量子井戸構造が構成される。すなわち、超薄膜ＩｎＮ量子井戸層は、光電変換部１２の一部として機能してもよい。
　図２に示すように、結晶欠陥２１が光電変換部１２内部で超薄膜ＩｎＮを貫くと、通常の概念では、これらは非発光中心となり、光電変換部１２での変換効率（量子効率）を低減させると考えられる。しかしながら、超薄膜ＩｎＮは、この常識に反して、結晶欠陥２１によって貫かれているとしても、その貫通点は非発光中心にはならないことを発明者らは見出した。すなわち、超薄膜ＩｎＮは、それ自体が光電変換部１２の一部を構成するだけでなく、結晶欠陥による非発光性を消滅させる転位不活性部１４を構成できることを発明者らは見出した。
　この従来の常識から逸脱した転位不活性部１４の作用・効果について、超薄膜ＩｎＮに特有な物性と併せて説明する。
　図３は、層厚が１分子層に制御された超薄膜ＩｎＮ（１ＭＬ－ＩｎＮ）井戸層とＧａＮ層とによって構成される量子井戸構造を、ＧａＮ下地層（ＧａＮ　ｕｎｄｅｒｌａｙｅｒ）上に成長させた試料のカソードルミネッセンス（ＣＬ）観察を行った結果（ＣＬ像）を示すものである。ＣＬ観察とは、試料表面から加速電子線を照射し、試料からの蛍光分光測定を行うことを指す。加速電子線の加速電圧Ｖａｃｃを制御することで、電子線の侵入深さを制御し、所望の層構造領域（深さ位置）の発光分布情報を得ることができる。
　図３は、観察領域を１９×１９ μｍ２とし、同一視野において加速電圧Ｖａｃｃを変化させた場合のそれぞれのＣＬ像を示している。加速電圧Ｖａｃｃが３ｋＶ、６ｋＶ、１４ｋＶ、１８ｋＶとは、電子線侵入長の４８ｎｍ、１６０ｎｍ、７１０ｎｍ、１１００ｎｍにそれぞれ対応する。すなわち、加速電圧Ｖａｃｃが３ｋＶおよび６ｋＶの場合、主に１ＭＬ－ＩｎＮ量子井戸からの発光分布が観測され、加速電圧Ｖａｃｃが１４ｋＶおよび１８ｋＶの場合、主にＧａＮ下地層からの発光分布が観測される。
　ＣＬ像では、白いコントラストは発光領域に対応し、黒いコントラストは非発光領域（非発光中心）、すなわち結晶欠陥２１が存在していることに対応する。
　まず、加速電圧Ｖａｃｃが１４ｋＶおよび１８ｋＶのＣＬ像に注目する。幾つかの暗点が観測され、これらはＧａＮ下地層に含まれる結晶欠陥であると考えられる。これらの暗点に、目印としての円形枠を図示してある。
　一方図３において、加速電圧Ｖａｃｃが３ｋＶおよび６ｋＶのＣＬ像に注目すると、結晶欠陥に付けた目印である円形枠の領域が、周囲より相対的に明るく光っていることがわかる。従来から、ＧａＮ下地層に結晶欠陥２１が含まれている領域では、その上に成長された量子井戸も、結晶欠陥２１の影響により発光効率は劣化すると考えられてきた。しかし、超薄膜ＩｎＮはこの常識に反して、結晶欠陥２１の存在に関わらず発光効率は劣化しないことが初めて示された。この驚くべき実験事実は、超薄膜ＩｎＮは、それ自体が光電変換部１２の一部を構成するだけでなく、結晶欠陥による非発光性を消滅させる転位不活性部１４を構成できることを明示している。
　また、図３に示されている実験結果を、別の視点で解釈を与えると、超薄膜ＩｎＮは表面被覆率が１未満のアイランド状に形成されているとも考えられる。
　以下では、このアイランド状超薄膜ＩｎＮ形成とその作用・効果について説明する。
　図３において、加速電圧Ｖａｃｃが３ｋＶおよび６ｋＶのＣＬ像、すなわち、１ＭＬ－ＩｎＮ量子井戸領域の発光分布像では、目印としての円形枠で図示された領域が周囲より相対的に明るいことは、この領域にのみ量子井戸構造が形成されて、発光強度が向上したとも理解できる。すなわち、超薄膜ＩｎＮが結晶欠２１を含むように選択的に成長されており、図４に示すようなアイランド構造になっていると考えられる。
　すなわち、転位不活性層１４は、必ずしも表面被覆率が１である連続膜である必要はなく、結晶欠陥２１を含むようなアイランド状、すなわち、表面被覆率が１未満の構成でも、結晶欠陥２１による非発光性を消滅させることができる。
　以上述べたように、第１実施形態により、光電変換装置１０の光電変換部１２に結晶欠陥２１が内在している場合でも、結晶欠陥２１による特性劣化を抑制することができる。
［応用例１］
　窒化物半導体による光電変換素子の第１の応用として、紫外波長域での発光ダイオード（ＬＥＤ）が注目されている。特に、ＧａＮのバンド端波長である３６５ｎｍより短波長領域では、発光波長の短波長化に伴い、発光効率が急激に劣化する。ここでは、超薄膜ＩｎＮの非発光中心抑制効果による、紫外ＬＥＤの高効率化について説明する。
　図５は、本願発明の第１実施形態に係る応用例１である光電変換装置３０の構成例を示すブロック図である。図５において、光電変換装置３０は、ｎ型窒化アルミニウムガリウム（以下、ｎ－ＡｌＧａＮ）層３１と、前記ｎ－ＡｌＧａＮ層３１上に形成される光電変換部（Ａｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）３２と、前記光電変換部３２上に形成されるｐ型窒化アルミニウムガリウム（以下、ｐ－ＡｌＧａＮ）層３３と、転位不活性部３４を含む光電変換部３２と、を有して構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。
　光電変換部３２は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、または窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などによって構成され、ｎ－ＡｌＧａＮ層３１およびｐ－ＡｌＧａＮ層３３のいずれかよりも小さい禁制帯幅（バンドギャップエネルギー）を有するように構成されていることが好ましい。転位不活性部３４は、超薄膜ＩｎＮによって構成される。
　ｎ－ＡｌＧａＮ層３１は、電子を輸送するために用いられる。ｐ－ＡｌＧａＮ層３３は、正孔を輸送するために用いられる。従って、ｎ－ＡｌＧａＮ層３１およびｐ－ＡｌＧａＮ層３３の抵抗率および層厚はキャリア輸送を効率よく行うために、それぞれが好適に調整される。光電変換部３２は、注入された電子－正孔を再結合過程によって紫外光に変換する。
　次に、転位不活性部３４によって、非発光中心が抑制され、紫外ＬＥＤが高効率化されることについて説明する。ここでは、光電変換部３２がＡｌＧａＮである場合について説明する。
　ｎ－ＡｌＧａＮ層３１、ｐ－ＡｌＧａＮ層３３、および光電変換部３２をそれぞれ構成するＡｌＧａＮのＡｌ組成を増加させることで、紫外ＬＥＤの発光波長が短波長化される。しかし、一般にＡｌＧａＮのＡｌ組成が増加すると、結晶成長の困難性がより顕著となり、光電変換装置３０に含まれる結晶欠陥２１の密度も増大する。そのため、発光効率が劣化する。
　ところが、光電変換部３２に超薄膜ＩｎＮを挿入すると、図３で示したように、結晶欠陥２１による非発光性が低減される。すなわち、紫外ＬＥＤである光電変換装置３０において、転位不活性部３４を超薄膜ＩｎＮによって構成することによって、発光波長の短波長化に伴う発光効率の劣化を抑制することができる。
　以上、応用例１により、光電変換装置３０の光電変換部３２に結晶欠陥２１が内在している場合でも、結晶欠陥２１による特性劣化を抑制することができる。
［応用例２］
　窒化物半導体による光電変換素子の第２の応用として、緑色レーザーおよび赤色－赤外波長域での発光ダイオード（ＬＥＤ）が注目されている。特に、５００
ｎｍより長波長領域では、発光波長の長波長化に伴い、発光効率が急激に劣化する。ここでは、超薄膜ＩｎＮの非発光中心抑制効果による、緑色レーザーおよび赤色－赤外波長域ＬＥＤの高効率化について説明する。
　図６は、本願発明の第１実施形態に係る応用例２である光電変換装置４０の構成例を示すブロック図である。図６において、光電変換装置４０は、ｎ型窒化インジウムガリウム（以下、ｎ－ＩｎＧａＮ）層４１と、前記ｎ－ＩｎＧａＮ層４１上に形成される光電変換部（Ａｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）４２と、前記光電変換部４２上に形成されるｐ型窒化インジウムガリウム（以下、ｐ－ＩｎＧａＮ）層４３と、前記光電変換部４２に含まれる転位不活性部４４と、によって構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。
　光電変換部４２は、例えば、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、または窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などによって構成され、ｎ－ＩｎＧａＮ層４１およびｐ－ＩｎＧａＮ層４３のいずれかよりも小さい禁制帯幅（バンドギャップエネルギー）を有するように構成されていることが好ましい。転位不活性部４４は、超薄膜ＩｎＮによって構成される。
　ｎ－ＩｎＧａＮ層４１は、電子を輸送するために用いられる。ｐ－ＩｎＧａＮ層４３は、正孔を輸送するために用いられる。従って、ｎ－ＩｎＧａＮ層４１およびｐ－ＩｎＧａＮ層４３の抵抗率および層厚はキャリア輸送を効率よく行うために、それぞれが好適に調整される。光電変換部４２は、注入された電子－正孔を再結合過程によって光に変換する。
　次に、転位不活性部４４によって、非発光中心が抑制され、緑色レーザーおよび赤色－赤外波長域ＬＥＤが高効率化されることについて説明する。ここでは、光電変換部４２がＩｎＧａＮである場合について説明する。
　ｎ－ＩｎＧａＮ層４１、ｐ－ＩｎＧａＮ層４３、および光電変換部４２をそれぞれ構成するＩｎＧａＮのＩｎ組成を増加させることで、緑色レーザーおよび赤色－赤外波長域ＬＥＤの発光波長が長波長化される。しかし、一般にＩｎＧａＮのＩｎ組成が増加すると、結晶成長の困難性がより顕著となり、光電変換装置４０に含まれる結晶欠陥２１の密度も増大する。そのため、発光効率が劣化する。
　ところが、光電変換部４２に超薄膜ＩｎＮを挿入すると、図３で示したように、結晶欠陥２１による非発光性が低減される。すなわち、緑色レーザーおよび赤色－赤外波長域ＬＥＤである光電変換装置４０において、転位不活性部４４を超薄膜ＩｎＮによって構成することによって、発光波長の長波長化に伴う発光効率の劣化を抑制することができる。
　以上、応用例２により、光電変換装置４０の光電変換部４２に結晶欠陥２１が内在している場合でも、結晶欠陥２１による特性劣化を抑制することができる。
［応用例３］
　窒化物半導体による光電変換素子の第３の応用として、広い太陽光スペクトルに対応する太陽電池が注目されている。特に、窒化物半導体は、高密度の結晶欠陥を含むため、太陽電池の接合特性が粗悪である。ここでは、超薄膜ＩｎＮの転位不活性効果による、窒化物太陽電池の高効率化について説明する。
　図７は、本願発明の第１実施形態に係る応用例３である光電変換装置５０の構成例を示すブロック図である。図７において、光電変換装置５０は、ｎ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（以下、ｎ－ＡｌＩｎＧａＮ）層５１と、前記ｎ－ＡｌＩｎＧａＮ層５１上に形成される光電変換部（Ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ）５２と、前記光電変換部５２上に形成されるｐ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（以下、ｐ－ＡｌＩｎＧａＮ）層５３と、前記光電変換部５２に含まれる転位不活性部５４と、によって構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。
　光電変換部５２は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）、または窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などによって構成され、ｎ－ＡｌＩｎＧａＮ層５１およびｐ－ＡｌＩｎＧａＮ層５３のいずれかよりも小さい禁制帯幅（バンドギャップエネルギー）を有するように構成されていることが好ましい。転位不活性部５４は、前記超薄膜ＩｎＮによって構成される。
　ｎ－ＡｌＩｎＧａＮ層５１は、電子を輸送するために用いられる。ｐ－ＡｌＩｎＧａＮ層５３は、正孔を輸送するために用いられる。従って、ｎ－ＡｌＩｎＧａＮ層５１およびｐ－ＡｌＩｎＧａＮ層５３の抵抗率および層厚はキャリア輸送・集率の観点から、それぞれが好適に調整される。光電変換部５２は、吸収した光を電子－正孔に変換する。
　次に、転位不活性部５４によって、太陽電池の接合特性が改善され、窒化物太陽電池が高効率化されることについて説明する。ここでは、光電変換部５２がＩｎＧａＮである場合について説明する。
　ｎ－ＡｌＩｎＧａＮ層５１、ｐ－ＡｌＩｎＧａＮ層５３、および光電変換部５２をそれぞれ構成するＩｎＧａＮのＩｎ組成を増加させることで、太陽光スペクトルのほぼ全域をカバーする太陽電池が構成される。しかし、一般にＡｌＩｎＧａＮおよびＩｎＧａＮのＩｎ組成が増加すると、結晶成長の困難性がより顕著となり、光電変換装置５０に含まれる結晶欠陥２１の密度も増大する。そのため、太陽電池の接合特性が劣化し、太陽電池の変換効率も低減される。
　ところが、光電変換部５２に超薄膜ＩｎＮを挿入すると、図３で示したように、結晶欠陥２１による転位不活性効果が発現される。すなわち、太陽電池である光電変換装置５０において、転位不活性部５４を超薄膜ＩｎＮによって構成することによって、太陽電池の接合特性劣化に伴う変換効率の低下を抑制することができる。
　以上、応用例３により、光電変換装置５０の光電変換部５２に結晶欠陥２１が内在している場合でも、結晶欠陥２１による特性劣化を抑制することができる。
［第２実施形態］
　第１実施形態では、超薄膜ＩｎＮによる転位不活性部の作用・効果について述べた。ところで、図３に示されている実験結果を、別の視点で解釈を与えると、超薄膜ＩｎＮは転位検出部１５として利用できることがわかる。以下、超薄膜ＩｎＮによる転位検出部１５の作用・効果について説明する。
　超薄膜ＩｎＮの成長メカニズムとは、設計膜厚より過剰なＩｎＮを供給し、成長表面での蒸発・脱離による自己秩序的かつ自己停止的なプロセスである。ところが、結晶欠陥が存在する領域ではＩｎＮがピン止めされるために、結晶欠陥を含まない領域に対して、蒸発・脱離レートが抑制されていると考えられる。
　そのため、図４で示されるように、超薄膜ＩｎＮは結晶欠陥が存在する領域のみに分数層ＩｎＮとして成長されていると解釈される。分数層ＩｎＮとは、表面被覆率が１以下であることを意味し、例えば、０．５分子層とは、１分層厚かつ表面被覆率が５０％であるアイランド構造、すなわち、量子ディスク構造であることに対応する。
　一般に、結晶転位の検出するためには、透過型電子顕微鏡による観察手段、もしくは、エッチング処理によるピット（エッチピット）検出が知られているが、いずれの手法も試料の破壊検査に属し、その工程も複雑となる。
　ところが、カソードルミネッセンス（ＣＬ）観察は、基本的に非破壊検査に属し、かつ試料に対しての事前処理は必要ない。そのため、結晶欠陥の検出が容易となるので、光電変換装置の製品検査を簡便にすることができる。
　また、従来のＣＬ観察では、結晶欠陥をＣＬ像における暗点として評価していた。これは、発光効率の高い試料では、暗点とのコントラスト比が高く取れるので問題はないが、発光効率の低い試料、すなわち、転位検出の必要性が高い場合では、比較的暗い視野の中に暗点が存在することになり、ＣＬ像の明暗コントラストが十分に得られない。
　ところが、本実施形態では、光電変換装置１０における光電変換部１２に超薄膜ＩｎＮを挿入することで、超薄膜ＩｎＮが結晶欠陥２１を含むよう形成され、なおかつ発光特性を示すことから、転位検出部１５として利用できる。
　以上述べたように、第２実施形態により、光電変換装置１０の光電変換部１２に結晶欠陥２１が内在している場合に、転位検出部１５を観測することで、容易に結晶欠陥２１を検出でき、光電変換装置１０の製品検査を簡便にすることができる。
　なお、上述した各実施形態では、超薄膜ＩｎＮが１層で構成される例について述べたが、これだけに限定されず、例えば、多数層挿入された構成も可能である。
　また、本願発明は、上記実施形態によって限定されるものではなく、発明の意図から逸脱しない範囲での、変形、置換、省略がなされてもよいものとする。
　また、上記の実施形態から明らかなように、光電変換部を挟み込む窒化物を含む層は伝導性を有しており、それぞれ第１伝導部と第２伝導部として表現することができ、材料に着目すると、第１伝導部と第２伝導部はそれぞれＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層として表現することができ、特に第１伝導部を第１伝導型ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層、第２伝導部を第２伝導型ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と表現することができる。なお、それらにおけるｘ，ｙは同じであっても異なっていても良く、ｘおよびｙの範囲は０≦ｘ，ｙ≦１であっても良い。
　また、上記実施形態から明らかなように、上記光電変換部はＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層として表現することができる。
　また、上記実施形態から明らかなように、上記第１伝導部、第２伝導部及び光電変換部はそれぞれバンドギャップエネルギーを有しており、第３伝導部のバンドギャップエネルギー（第３バンドギャップエネルギー）は第１伝導部のバンドギャップエネルギー（第１バンドギャップエネルギー）および第２伝導部のバンドギャップエネルギー（第１バンドギャップエネルギー）のいずれかよりも小さいことが好ましい。
　本発明に係る光電変換装置は、紫外－赤外光に対応する発光素子および受光素子、特に太陽電池に利用が可能である。
　１０，３０，４０，５０，１００…光電変換装置　１１…ｎ型ＧａＮ層　１３…ｐ型ＧａＮ層　１２，３２，４２，５２，１０２…光電変換部　１４，３４，４４，５４…転位不活性部　１５…転位検出部　３１…ｎ型ＡｌＧａＮ層　３３…ｐ型ＡｌＧａＮ層　４１…ｎ型ＩｎＧａＮ層　４３…ｐ型ＩｎＧａＮ層　５１…ｎ型ＡｌＩｎＧａＮ層　５３…ｐ型ＡｌＩｎＧａＮ層　１０１…ｎ型半導体層　１０３…ｐ型半導体層　２１，２０１…結晶欠陥　２０２…非発光中心

Claims (10)

  1. 　光電変換部と、
    　前記光電変換部に含まれる転位不活性部と、を備える光電変換装置。
  2. 　前記転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成される請求項１に記載の光電変換装置。
  3. 　前記転位不活性部は、光電変換機能を有する請求項１に記載の光電変換装置。
  4. 　前記転位不活性部上に形成される第１伝導部と、
    　前記転位不活性部下に形成される第２伝導部と
    を備え、
    　前記第１伝導部は第１バンドギャップエネルギーを有し、
    　前記第２伝導部は第２バンドギャップエネルギーを有し、
    　前記転位不活性部は第３バンドギャップエネルギーを有し、
    　前記第３バンドギャップエネルギーは前記第１および前記第２バンドギャップエネルギーのいずれかよりも小さい請求項１に記載の光電変換装置。
  5. 　第１伝導型からなる第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、
    　前記第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層上に形成されるＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部と、
    　前記ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部上に形成され、第２伝導型からなる第２ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、
    を備える光電変換装置であって、
    　前記ｘおよびｙの範囲は０≦ｘ，ｙ≦１であり、
    前記ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部は、ＩｎＮ転位不活性部を有する光電変換装置。
  6. 　前記ＩｎＮ転位不活性部は、層厚が２分子層以下である請求項５に記載の光電変換装置。
  7. 　前記ＩｎＮ転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成される請求項５に記載の光電変換装置。
  8. 　第１伝導型からなる第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、
    　前記第１ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層上に形成されるＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部と、
    　前記ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部上に形成され、第２伝導型からなる第２ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ層と、
    を備える光電変換装置の結晶欠陥検出方法であって、
    　前記ｘおよびｙの範囲は０≦ｘ，ｙ≦１であり、
    前記ＩｎｘＧａｙＡｌ１－ｘ－ｙＮ光電変換部は、ＩｎＮ転位検出部を有し、
    　前記ＩｎＮ転位検出部は、結晶欠陥を含むよう形成され、
    　前記ＩｎＮ転位検出部からの発光特性に基づいて、結晶欠陥を検出する結晶欠陥検出方法。
  9. 　前記ＩｎＮ転位検出部は、層厚が２分子層以下である請求項８に記載の結晶欠陥検出方法。
  10. 　前記ＩｎＮ転位検出部からのカソードルミネッセンスに基づいて、結晶欠陥を検出する請求項８に記載の結晶欠陥検出方法。 
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6054620B2 (ja) * 2012-03-29 2016-12-27 トランスフォーム・ジャパン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
US10018579B1 (en) 2015-02-18 2018-07-10 Kla-Tencor Corporation System and method for cathodoluminescence-based semiconductor wafer defect inspection
US10349367B2 (en) * 2015-03-03 2019-07-09 Qualcomm Incorporated Methods and systems for synchronizing devices
NZ746231A (en) * 2016-03-31 2020-03-27 Ericsson Telefon Ab L M Methods and devices for determining precoder parameters in a wireless communication network

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007254258A (ja) * 2005-06-06 2007-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体基板とその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005044A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Rohm Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
JP4042775B2 (ja) 2005-09-09 2008-02-06 ソニー株式会社 半導体薄膜および半導体素子の製造方法
JP2010040692A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 窒化物系半導体素子及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007254258A (ja) * 2005-06-06 2007-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体基板とその製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHE SONG-BEK ET AL.: "Chikka Indium-kei Nano Kozo Hakko Device no Gijutsu Kaihatsu", GEKKAN DISPLAY, vol. 15, no. 2, 1 February 2009 (2009-02-01), pages 17 - 26 *
CHE SONG-BEK ET AL.: "Cho Usumaku InN/GaN Ryoshi Ido Kozo kara no Yudo Hoshutsu", DAI 69 KAI EXTENDED ABSTRACTS; THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS, 2008, pages 322 *
KAZUHIDE KUSABE ET AL.: "Proposal of ultrathin InN-based asymmetric structure III-N QWs for novel photonic devices : Development from emitters into solar cells", IEICE TECHNICAL REPORT, vol. 109, no. 289, 12 November 2009 (2009-11-12), pages 79 - 82 *

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