WO2011081308A2 - 수소 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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WO2011081308A2
WO2011081308A2 PCT/KR2010/008618 KR2010008618W WO2011081308A2 WO 2011081308 A2 WO2011081308 A2 WO 2011081308A2 KR 2010008618 W KR2010008618 W KR 2010008618W WO 2011081308 A2 WO2011081308 A2 WO 2011081308A2
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hydrogen
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alloy
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이우영
이준민
이은영
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연세대학교 산학협력단
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    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/005H2

Definitions

  • the present invention relates to a hydrogen sensor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a hydrogen sensor using a transition metal or an alloy thin film thereof and a method for manufacturing the same.
  • Hydrogen energy is recyclable and has the advantage of not causing environmental pollution, and research on this is being actively conducted.
  • Hydrogen sensors developed to date include ceramic / semiconductor sensors (contact combustion, thermoelectric and semiconductor thick film sensors), semiconductor element sensors (MISFET, MOS), optical sensors and electrochemical (Po ten tiome) trie / Amperometric) sensor.
  • the change in the heat of combustion generated by the oxidation reaction generated by the contact of the combustible gas on the sensor surface is detected.
  • the sensor output is proportional to the gas concentration, the detection accuracy is high, and the ambient temperature or humidity is detected. There is a merit that there is little influence.
  • the disadvantage is that the operating temperature must be high and it is not selectable.
  • the electrochemical sensor is an apparatus that measures the current flowing through the pseudo circuit by oxidizing or reducing the gas to be detected electrochemically.
  • the electrochemical sensor can be classified into electrostatic potential, galvanic cell type, and ion electrode type according to the measuring principle.
  • the manufacturing method has the disadvantage of being complicated and difficult.
  • Recent materials used as hydrogen sensing technology for sensors include Pd thin film sensors, semiconductor sensors in MISFETs, carbon nano-levers, and titania nano-levers (F.Dimeo et al., 2003 Annual Merit Review). However, despite their respective advantages, their performance is still insignificant in terms of detectable initial hydrogen concentration reaction time, sensing sensitivity and driving power consumption.
  • Pd can be formed by using a graphite layer through reaction of palladium (Pd) with hydrogen, and the palladium particles thus formed are introduced as hydrogen enters the functionalized substrate.
  • Pd palladium
  • a technique using the phenomenon in which the electrical resistance is reduced by the expansion of the Pd lattice to be formed like wires connected to each other has been proposed (Penner et al. Science 293 (2001) 2227-2231).
  • the Pd nanoparticles were arranged in the form of a non-contiguous wire to detect an electrical signal.
  • the manufacturing method is complicated and the minimum detection concentration is high.
  • Hydrogen gas detection sensor using Pd thin film is commonly used because the hydrogen detection ability is significantly superior to the sensor made using other materials.
  • a method of inflating a lattice by applying a strong force to the Pd particles by sputtering and vapor deposition, etc. closely adheres to the substrate, but the amount of expansion is reduced by the bonding force with the substrate. The sensitivity was not so great.
  • bonding Pd particles to the substrate Otherwise, if hydrogen exposure is increased after the Pd lattice expands during hydrogen exposure, reproducibility is poor because the Pd lattice is not restored to the initial state due to the bonding force between Pds.
  • these hydrogen sensors using Pd particles have a problem in that the initial resistance value changes when only hydrogen is reacted at high concentration and the hydrogen exposure is stopped.
  • the conventional hydrogen sensors supplement the problems of the existing hydrogen sensors to some extent, but are not an alternative to the conventional sensors in the problems of sensing ability, sensitivity, stability, and fast reaction time at low concentration.
  • palladium has the property of reacting with hydrogen regardless of the surrounding environment, and when the hydrogen gas is chemically absorbed, the lattice constant increases, thereby increasing the resistance when applying a current.
  • the hydrogen sensor using palladium nanowires detects hydrogen using a phenomenon in which the resistance value of the palladium nanowires changes depending on the presence or absence of hydrogen.
  • the palladium nanowire manufacturing methods developed so far include a method using a HighIy Oriented Pyrolytic Graphite (HOPG) template, a method using E-beam lithography (EBL), and a method using di_electrophoresis (DEP).
  • HOPG HighIy Oriented Pyrolytic Graphite
  • EBL E-beam lithography
  • DEP di_electrophoresis
  • the method using the HOPG template is a method of manufacturing palladium nanowires electrochemically to the nano-mould of the substrate, but the production process is complicated, takes a long time, due to the error of manufacturing process, It was difficult to have a constant resistance value, so the number of production was low.
  • the method using the EBL has a disadvantage in that the method of forming palladium nanowires electrochemically after the nano patterning on the substrate or the number of production is low, the manufacturing cost is expensive.
  • the method using DEP also forms a layer of nanowire material on a substrate, and supplies a high frequency alternating current power through a metal electrode to manufacture nanowires, but complicated manufacturing process and uniform palladium nanoparticles. There was a disadvantage in that the number of production was low because wires could not be produced.
  • the present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and one object thereof is to replace the conventional hydrogen sensor manufacturing method which is complicated, time-consuming, and low in production, and is simple in a short time.
  • the present invention provides a method for manufacturing a new hydrogen sensor and a hydrogen sensor for producing a hydrogen sensor that can be manufactured at low cost.
  • a novel hydrogen sensor manufacturing method comprising the steps of forming a transition metal or an alloy thin film on the surface of the elastic substrate; Applying a tensile force to the elastic substrate to form a plurality of nanogaps in the alloy thin film formed on the surface of the substrate, and when the tensile force is applied, the thin film is stretched in the direction in which the tensile force is applied The thin film is compressed in a direction perpendicular to the direction in which the tensile force is applied, and when the tensile force is recovered, the thin film is recompressed in the direction in which the tensile force is recovered and is stretched again in a direction perpendicular to the recovery direction to form the nanogap.
  • the transition metal is Pd, Pt, Ni, Ag, Ti, Fe, Zn, Co, Mn, It may be selected from Au, W, In and Al.
  • the alloy is Pd-Ni, Pt-Pd, Pd-Ag, Pd—Ti, Pd-Fe, Pd-Zn, Pd— Co, Pd—Mn, Pd— Au, Pc ⁇ W, Pt—Ni, Pt-Ag, Pt-Ag, Pt-Ti, Fe-Pt, Pt-Zn, Pt-Co, Pt-Mn, Pt-Au and Pt—W can be selected.
  • the transition metal is Pd
  • the alloy may be a Pd alloy.
  • the surface of the elastic substrate satisfies 0.90 ⁇ x ⁇ 0.94
  • Pd x Nii-x alloy thin films may be formed.
  • the elastic substrate may be used having a Poisson's ratio of 0.2 ⁇ 8.8.
  • the tensile force may be applied to extend the elastic substrate by 1.05 to 1.50 times.
  • the elastic substrate may be made of natural rubber, synthetic rubber or polymer.
  • the tensile force may be repeatedly applied to the elastic substrate one or more times.
  • the tensile force may be applied to the elastic substrate in one or more directions.
  • the tensile force repeats in a first direction, a second direction perpendicular to the first direction, and a third direction forming a direction different from the first direction and the second direction. Can be authorized.
  • the thickness of the thin film may be about 1 nm to about 100 zm. In one embodiment, the nanogap may be formed at intervals of about 1 nm to 10 zm.
  • the method may further include heat treating the transition metal or the alloy thin film having the nano gap formed therein.
  • the method may further include ion milling the transition metal or the alloy thin film having the nanogap formed therein.
  • a novel method of manufacturing a hydrogen sensor comprising the steps of preparing an elastic substrate; Forming a Pd or Pd alloy thin film having an ⁇ phase on the elastic substrate; Exposing the thin film to a hydrogen-containing gas at a predetermined concentration to change the thin film of ⁇ phase into a thin film of ⁇ phase to form a nanogap in the thin film due to volume expansion; And increasing the exposure to the hydrogen-containing gas to change the ⁇ -phase thin film back to the ⁇ -phase thin film.
  • the method may further include heat treating the thin film converted into the ⁇ phase.
  • the method may further include milling the thin film converted to the ⁇ phase.
  • the hydrogen concentration may be 2 to 15% when the hydrogen-containing gas is exposed.
  • the thickness of the thin film may be in the range of about 1 nm to about 100 zm.
  • a hydrogen sensor includes a substrate made of an elastic material; A thin film of a transition metal or an alloy thereof formed on a surface of the substrate; An electrode is formed at both ends of the thin film, and the thin film includes a plurality of nanogaps formed by a tensile force applied to the substrate.
  • a hydrogen sensor includes a substrate made of an elastic material; The substrate A thin film of Pd or Pd alloy formed on the surface of the film; Electrodes formed at both ends of the thin film, characterized in that the thin film includes a plurality of nano-gaps formed by the method using the phase change.
  • the hydrogen sensor manufacturing method of the present invention is a conventional hydrogen sensor manufacturing method having a complex process (semiconductor type, catalytic combustion type, FET (field effect transistor) type electrolyte type (electrochemical type), optical fiber type, piezoelectric type, thermoelectric type, etc. ) Or a commercially available hydrogen sensor with a large, expensive, and inconvenient manner (contact hydrogen news, hydrogen-sensed palladium alloy and hot plate coupled hydrogen sensor, Pd / Ag alloy solid-state hydrogen sensor, Pd gate FET hydrogen sensor) The .
  • a physical gap is applied to a substrate on which a transition metal (for example, palladium) or an alloy thin film thereof (for example, Pd—Ni alloy thin film) is disposed, and the thin film has a nanogap capable of detecting hydrogen gas.
  • a transition metal for example, palladium
  • an alloy thin film thereof for example, Pd—Ni alloy thin film
  • the high performance hydrogen sensor can be mass-produced at low cost in a short time.
  • a transition metal or an alloy thin film thereof is disposed on an elastic substrate, the elastic substrate is tensioned, and is disposed on the substrate.
  • the thin film may be stretched in the direction of the tensile force action and simultaneously compressed in the vertical direction. Therefore, it is possible to easily form a transition metal having a nano gap or a thin film by imposing a physical strain by a simple method of applying a tensile force to the elastic substrate. Therefore, it is possible to manufacture a large amount of cheap and high-performance hydrogen sensor having a change in resistance value according to the change of hydrogen concentration, thereby significantly improving the number of hydrogen sensor manufactured.
  • the hydrogen sensor of the present invention arranges a transition metal or an alloy thin film on a surface of a substrate made of an elastic material.
  • the hydrogen sensor itself has elasticity and can be freely installed in various spaces in which hydrogen may leak, thereby expanding the range of utilization of the hydrogen sensor.
  • 1 is an explanatory diagram showing an embodiment in which a transition metal or an alloy thin film thereof disposed on an elastic substrate and the elastic substrate is deformed when a tensile force is applied to the elastic substrate on which the palladium thin film is disposed.
  • 2 is a perspective view of a hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a photograph showing a palladium thin film formed nano-gap, (a) is a micrograph of about 1000 times, (b) is a micrograph of about 50 times, (c) is a 3D stereoscopic image.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a shape change of a substrate on which a palladium thin film is formed when a tensile force is sequentially applied and removed in one or more directions.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a change in the resistance value of the hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention according to the presence or absence of hydrogen.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a system for measuring the hydrogen detection capability of the hydrogen sensor of the present invention.
  • FIG. 7 is a view showing a change in the resistance value and the current value measured at various hydrogen concentrations after mounting the hydrogen sensor in the measurement system according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a view showing a change in resistance at various hydrogen concentrations after the hydrogen sensor is mounted in a hydrogen detection system according to an embodiment of the present invention, (a) measuring the change in resistance at the concentration of 100 ppm hydrogen gas. It is a graph showing one result, (b) is a graph showing the result of measuring the resistance change at a concentration of 5000 ppm hydrogen gas, (c) is a graph showing the result of measuring the resistance change at a concentration of 500 ppm hydrogen gas.
  • FIG. 9 is a diagram showing a current value measured when the Pd thin film hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention is mounted on a measurement system and exposed to air vapor, and (a) measures a hydrogen sensor having a thickness of 16 nm Pd thin film.
  • FIG. 10 is a diagram showing a mechanism that occurs when a Pd thin film hydrogen sensor is repeatedly exposed to hydrogen and a change in current value with time when a hydrogen sensor having a Pd thin film thickness of 8 nm is exposed to hydrogen deposition.
  • FIG. 11 is a view schematically showing two methods of forming a Pd x Ni 1-x thin film on a substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a perspective view of a hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is an SEM image photograph of a Pd x N- x alloy thin film having a nano gap formed thereon.
  • FIG. 15 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd 93 Ni 7 alloy thin film having a thickness of 7.5 nm according to an embodiment of the present invention is mounted in a measurement system and exposed to nitrogen gas.
  • FIG. 16 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a 7.5 nm thick Pd 93 Ni 7 alloy thin film according to an embodiment of the present invention is mounted in a measurement system and exposed to air vapor.
  • FIG. 17 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd93Ni 7 alloy thin film having a thickness of 8 nm is mounted in a measurement system and exposed to air.
  • FIG. 18 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd 93 Ni 7 alloy thin film having a thickness of 10 nm is mounted in a measurement system and exposed to air vapor.
  • FIG. 18 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd 93 Ni 7 alloy thin film having a thickness of 10 nm is mounted in a measurement system and exposed to air vapor.
  • 19 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd 93 Ni 7 alloy thin film having a thickness of llnm is mounted in a measurement system and exposed to air.
  • 20 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd 93 Ni 7 alloy thin film having a thickness of 10 nm is mounted in a measurement system and exposed to nitrogen gas deposition.
  • FIG. 21 is a graph showing a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd93Ni 7 alloy thin film having a thickness of llnm is mounted in a measurement system and exposed to nitrogen gas.
  • FIG. 22 is a graph of current values measured when a hydrogen sensor having a Pd thin film having a thickness of 7.5 nm is mounted on a measurement system as a comparative example of the present invention and exposed to nitrogen gas.
  • FIG. 23 is a graph of current values measured when a hydrogen sensor having a Pd thin film having a thickness of 7.5 nm as a comparative example of the present invention is mounted in a measurement system and exposed to air.
  • 24 is a view illustrating a manufacturing process of a hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention.
  • 25 is a 0M image photograph of a 10-nm-thick Pd thin film manufactured according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 26A is a graph showing changes in current values measured when a Pd thin film having a thickness of lOnm is exposed to 0.5 to 4% hydrogen concentration
  • FIG. 25B is a 0.5 to 4 Pd thin film having a thickness of llnm. It is a graph showing the change of the measured current value when exposed to% hydrogen concentration.
  • FIG. 27 is a graph showing changes in current values measured when a Pd thin film having a thickness of 10.5 nm is exposed to 2% hydrogen concentration in air.
  • the hydrogen sensor manufacturing method of the present invention replaces the complicated conventional method of producing palladium nanowires using a MEMS process such as lithography, and places a transition metal or an alloy thin film thereof on an elastic substrate, and places the elastic substrate in a specific direction. By stretching, hydrogen sensors with nanogap can be produced in large quantities.
  • the thin film disposed on the substrate is stretched in the tensile force action direction and compressed in the vertical direction.
  • the thin film is compressed in the direction in which the tensile force is recovered and is stretched again in the vertical direction.
  • a physical strain is imposed on a transition metal such as palladium or an alloy thin film thereof by a simple method of imposing a tensile force on an elastic substrate, and thus, nanogap is cheap and easy in a short time.
  • a hydrogen sensor having can be prepared.
  • a hydrogen sensor having a nanogap may be manufactured using a phase change of the parallax.
  • the nanogap When the nanogap is formed in the transition metal or the alloy thin film as described above, since the current does not flow smoothly due to the nanogap, it has a high resistance value. However, in the hydrogen atmosphere, the surrounding hydrogen is absorbed to increase the lattice constant of the transition metal or its alloy thin film, and as the volume increases, the nano gap is filled so that the current flows smoothly. do. Hydrogen concentration can be measured by measuring a change in resistance value depending on the presence or absence of such hydrogen gas.
  • a transition metal or an alloy thin film thereof is disposed on an elastic substrate.
  • the substrate serves as a substrate on which the thin film serving as a sensor unit for detecting hydrogen is disposed, and when strain is applied in the process of manufacturing a hydrogen sensor, transferring the strain to the thin film disposed on the substrate. Play a role.
  • the substrate is made of an elastic material that can be stretched in that direction when a tensile force is applied and can be restored to its original shape when the tensile force is removed again.
  • the elastic material when tensioning an elastic material in the longitudinal direction (X direction), as is commonly seen in an elastic material, the elastic material is a longitudinal material as long as there is no condition other than the component in the longitudinal strain in the longitudinal direction. It is expected that shrinkage in the transverse direction (y direction) will occur as the stretch in the direction. In addition, the shrinkage strain in the lateral direction (y direction) is contracted while maintaining a constant ratio with the longitudinal tensile strain.
  • the tensile force applied to the stretched elastic material is recovered or the elastic material is compressed in the uniaxial direction, tensile strain occurs in the transverse direction, and at the time of tensioning between the transverse tensile strain and the longitudinal shrinkage change. Deformation is made while maintaining the same ratio as.
  • the ratio of a certain ratio between the transverse tensile strain and the longitudinal shrinkage change is defined as the Poisson's ratio of the elastic material.
  • a parallax or an alloy thin film disposed integrally coupled to the surface thereof is integrally deformed according to the deformation of the elastic material, and the aspect of the deformation is a tensile force.
  • this is applied, it is stretched in the X direction and contracted in the y direction, and when the tensile force is recovered, it is contracted in the X direction and is stretched in the y direction.
  • FIG. 2 which shows a hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention
  • it is physically attached to a thin film 110 integrally bonded to the surface of the elastic substrate 120 by a simple method of applying a tensile force to the elastic substrate.
  • a nanogap 11 is formed in the parallax or its alloy thin film 110 to which strain can be imposed and the physical strain is imposed, as shown in FIG. 3.
  • the tensile direction of the thin film 110 by the Poisson's ratio of the elastic substrate 120 ( X direction), or the ratio of tension and shrinkage in the shrinking direction (y direction) is determined.
  • the thin film is stretched in the X direction in which the tensile force is applied, and is contracted in the y direction in the vertical direction of the direction in which the tensile force is applied.
  • the elastic substrate 120 preferably has a Poisson's ratio of 0.2 to 0.8, more preferably has a Poisson's ratio of 0.3 to 0.7, and most preferably has a Poisson's ratio of five.
  • the elastic substrate 120 is preferably stretched, and the elastic substrate 120 is 1.05 to 1.50 times as large. Most preferably applied to stretch.
  • the transition metal or the alloy thin film 110 is disposed on the substrate 120.
  • the present invention is not limited to the type of transition metal, and various transition metals or alloy thin films thereof expandable by hydrogen may be used.
  • the transition metal may be selected from Pd, Pt, Ni, Ag, Ti, Fe, Zn, Co, Mn, Au, W, In and Al, which are expandable by hydrogen.
  • the alloy is Pd-Ni, Pt-Pd, Pd-Ag, Pd-Ti, Pd- Fe, Pd- Zn, Pd-Co, Pd-Mn, Pd-Au, Pd-W, Pt expandable by hydrogen -Ni, Pt- Ag, Pt- Ag, Pt-Ti, Fe-Pt, Pt-Zn, Pt-Co, Pt- Mn, Pt-Au, Pt- W can be selected.
  • Pd acts as a catalyst in reaction with hydrogen
  • Ni or Au reduces the lattice constant of Pd, which leads to the durability of hydrogen sensors made of Pd-Ni or Pd-Au alloys.
  • the transition metals and alloys use Pd and its alloys.
  • the method for disposing the transition metal or the alloy thin film 110 on the substrate 120 a method commonly used in the art may be used.
  • physical vapor deposition methods such as sputtering and evaporation, chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD) and the like may be used.
  • any material that can be stretched in the direction when a tensile force is applied, and can be restored to its original shape when the tensile force is removed again can be used. Rubber, synthetic rubber, or polymers.
  • the synthetic rubber examples include butadiene-based rubber, isoprene-based rubber, chloroprene-based rubber, nitrile-based rubber, polyurethane-based rubber, or silicone-based rubber, preferably having low interfacial free energy on the substrate.
  • PDMS polydimethylsiloane
  • Fluorocarbon polymers, acrylic polymers, polyaniline polymers, polyester polymers, etc. can also transfer tensile forces to thin films made of transition metals or their alloys. If possible, the elasticity can be adjusted appropriately.
  • the thin film 110 is stretched in the X direction to which the tensile force is applied and simultaneously in the y direction.
  • the nanogap 11 may be formed in the thin film.
  • the tensile force to act is repeated one or more times.
  • the application of the tensile force may be applied in only one specific direction, but is not limited thereto.
  • the tensile force in one or more directions, for example, two directions, three directions May be applied to facilitate the formation of nanogap in the thin film.
  • the tensile force is applied in the three directions, the first direction, a second direction perpendicular to the first direction, and a third direction forming a direction different from the first direction and the second direction.
  • the second direction may be that the tensile force applied is at an angle in the first direction and 90 °, the third direction being applied with the tensile force in the first direction and the low 12-direction and the ⁇ 0 ⁇ greater than or ⁇ 90 °
  • the angle is smaller, the strain applied to the thin film can be effectively concentrated.
  • the thickness of the transition metal or its alloy thin film is preferably in the range of lnm to 100/100.
  • the thickness of the transition metal or its alloy thin film is removed by applying a tensile force to the substrate. This is related to whether or not nano gaps are effectively generated in the thin film. The thinner the thickness, the more nanogaps can be created. However, if the thickness is too thin, when the tensile force is repeatedly applied to the substrate, the transition metal or its alloy thin film may be physically damaged and torn.
  • the thickness of the thin film is preferably in the range of Inm to 100 / ⁇ so as to effectively create the nanogap in the thin film and to withstand the applied tensile force, and the elastic properties of the elastic substrate and the physical properties of the transition metal or alloy thin film thereof.
  • the thickness of the thin film is more preferably 3 nm to 100 nm, and most preferably 5 nm to 15 nm.
  • the substrate is not limited in size, but when combining the convenience of applying a tensile force to the substrate and the size of the manufactured hydrogen sensor, etc., from a practical point of view 0.1 to 10 cm in width, 0.1 to 20 cm It is preferred to have a length of and a thickness of 0.01 to 1 cm.
  • the transition metal or the alloy thin film in which the nanogap is formed in the same manner as described above may exhibit high resistance because current does not flow smoothly due to the nanogap.
  • the hydrogen is absorbed to expand the volume, and the nano gaps are filled with the volume expansion, thereby having a low resistance. Therefore, by measuring the change in the resistance value, the concentration of hydrogen can be detected using the thin film having the nanogap formed as a hydrogen sensing unit.
  • the nano-gap can be freely controlled by the tensile force and the direction of the force applied to the substrate, the nano-gap is filled as the transition metal or its alloy expands by absorbing hydrogen in a hydrogen atmosphere, Considering the threshold value for detecting hydrogen through the change in the resistance value through this, it is preferable to have a width of lnm to 10 ⁇ .
  • a thin film having such a nanogap can maximize its surface area by subsequent milling.
  • the method of ion milling a thin film having such a nanogap may be performed by milling the upper part of the substrate on which the thin film is formed as described above, and more preferably, after applying the resin layer on the substrate on which the thin film is formed, the nano There is a method of forming a resin layer pattern to expose only a thin film portion having a gap, followed by milling the exposed thin film, and then removing the resin layer.
  • the mechanical properties may be increased by heat-treating the transition metal or the alloy thin film having the nanogap.
  • a heat treatment method includes a method of heat treating a substrate on which the thin film is formed in a furnace.
  • the thin film having the plurality of nanogaps formed thereon forms electrodes by depositing conductive metals at both ends in a direction parallel to the direction in which the nanogap is formed to apply current. At this time, the thin film electrode and the nanogap is formed is electrically connected to, each other. The current is applied to one of the electrodes thus formed (1+) and the voltage is measured (V +) and the current (I-) and voltage (V-) output from the other electrode are measured.
  • the quasi-two prove method can be used to measure the resistance change according to the hydrogen concentration change.
  • the hydrogen sensor having the electrode formed by depositing a conductive metal on the thin film has a resistance according to the presence or absence of hydrogen gas. It has the property of varying values, which makes it possible to measure the hydrogen concentration.
  • the hydrogen sensor 10 comprises a substrate 120 made of an elastic material; A transition metal or an alloy thin film 110 disposed on a surface of the substrate 120 and having a plurality of nanogaps 11 formed by a tensile force applied to the substrate 120; And electrodes 130 formed at both ends of the thin film.
  • the hydrogen partial pressure around the Pd thin film having a nanogap (H 2 partial pressure) is higher than the hydrogen partial pressure within the Pd thin film, a hydrogen molecule
  • H 2 partial pressure the hydrogen partial pressure within the Pd thin film
  • a hydrogen molecule In order to lower the interfacial energy of the Pd thin film surface, it is adsorbed on the surface of the Pd thin film and dissociated into H atoms.
  • the difference in the partial pressure of hydrogen inside and outside the Pd thin film acts as a driving force for the dissociated H atoms to diffuse into the Pd thin film, and the diffused H atoms are invasive sites of a lattice (fee, face centered cubic) structure formed by a—phase Pd atoms. Penetrates into PdHx. this The lattice constant increases due to H atoms entering the invasive sites.
  • the hydrogen sensor 10 has a low lattice constant under a hydrogen atmosphere, and thus, when the volume expands, the nano gaps 11 are filled by the volume expansion.
  • the concentration of hydrogen may be detected using the thin film having the nanogap formed as a hydrogen sensing unit.
  • the hydrogen sensor manufactured according to the above method can measure room temperature and has a small size, thereby reducing power consumption.
  • the hydrogen sensor of the present invention can satisfy the essential requirements as a sensor for reducing reaction time and stable driving while satisfying characteristics of low cost, miniaturization, low power consumption, and room temperature operation.
  • Pd was deposited using a sputter on a PDMS substrate 120 having a width of 20 mm, a length of 10 mm, and a thickness of 0.75 mm.
  • the Pd thin film 110 had a thickness of 7.5 nm and was disposed on the substrate 120 in a size of 15 mm in width and 10 mm in length.
  • the tensile force was applied to the substrate 120 five times to extend the horizontal length of the substrate 120 to 25 mm, and then the tensile force was removed.
  • the tensile force was applied as described above to form a nanogap in the Pd thin film 110.
  • the Au electrode is sputtered on both ends of the thin film 110 having the nanogap 11 formed thereon, and the thin film 110 and the electrode 130 are electrically connected to the PDMS substrate 120.
  • Hydrogen sensor 10 was prepared.
  • the hydrogen sensor 10 was manufactured in the same manner as in Preparation Example 1, except that the thickness of the Pd thin film 110 was set to 10 nm and the elastic substrate 120 was formed.
  • the hydrogen sensor 10 was manufactured in the same manner as in Production Example 1, with the Pd thin film 110 having a thickness of 12 nm and having been formed on the elastic substrate 120.
  • Pd was deposited using a sputter on a PDMS substrate 120 having a width of 20 mm, a length of 10 mm, and a thickness of 0.75 mm.
  • the Pd thin film 110 had a thickness of 6 nm and was disposed on the substrate 120 in a size of 15 mm in width and 10 mm in length.
  • the tensile force was applied to the substrate 120 in the transverse direction (first direction) to increase the horizontal length of the substrate 120 to 25 mm, and then the tensile force was removed to restore the original size.
  • Tensile force is applied to the substrate 120 exerted by the tensile force in the first direction in a diagonal direction (second direction) connecting the upper right and lower sides, so that the substrate 120 is stretched by 1.25 times the original diagonal length. After applying, the substrate was restored to its original size again.
  • the nanogap 11 was formed in the thin film 110 disposed on the surface of the substrate 120 by repeatedly applying the tensile force five times in the first, second, and third directions.
  • the Au electrode is sputtered on both ends of the thin film 110 having the nanogap 11 formed thereon, and the thin film 110 and the electrode 130 are electrically connected to the PDMS substrate 120.
  • Hydrogen sensor 10 was prepared.
  • the system is an IV measuring device as shown in FIG. About the sensor 10, the reaction chamber 210, the mass flow controller (MFC) 220 which regulates the flow rate of the gas of H 2 and N 2 , the voltage of the sensor, the current applying device 230 and the gas tank ( 240).
  • the reaction chamber 210 in which the hydrogen sensor 10 is mounted in the system 20 seals the hydrogen gas with the outside when the sensor reacts, and the H 2 and N 2 gas are transferred through the MFC 220 in an amount thereof. This precise control is responsible for producing the desired concentration of hydrogen gas.
  • the adjusted H 2 gas is reacted with the hydrogen sensor in the reaction chamber 210, and the electrical signal for the change of the sensor at this time is measured through the voltage and current application device 230.
  • FIG. 7 (a) shows the result of measuring the change in resistance value at a hydrogen concentration of 4% (40000 ppm) by mounting the hydrogen sensor 10 manufactured in Preparation Example 1 to the system 20 of FIG. 6.
  • 7B is a graph showing current values measured when the hydrogen sensor of Preparation Example 1 is exposed to a hydrogen concentration of 0 to 4%.
  • the hydrogen sensor 10 of Preparation Example 1 is only about 1 second (one point on the graph means 1 second) at a hydrogen concentration of 4%, the upper explosion limit. It can be seen that the abrupt change in resistance is observed, and the resistance value increases as soon as the hydrogen is removed in the reaction chamber 210, and it can act as a precision hydrogen sensor that can detect the change in hydrogen concentration on off. Able to know.
  • Figure 7 (c) is a hydrogen sensor manufactured in Preparation Example 2
  • Figure 7 (d) is a hydrogen sensor produced in Preparation Example 3 is mounted to the system 20 of Figure 6, respectively, hydrogen concentration change
  • the graph shows the result of measuring the change of resistance value or current value.
  • the hydrogen sensor of Preparation Example 2 can also act as a precision hydrogen sensor that can detect the change in hydrogen concentration of 0 to 4% on-off
  • Figure 7 Referring to (d) of, the hydrogen sensor of Preparation Example 3 also shows a change in the current value according to the change in the hydrogen concentration, it can be seen that it can act as a hydrogen sensor.
  • FIG. 8 shows that the hydrogen sensor 10 prepared in Preparation Example 4 is mounted to the system 20 of FIG. 6, respectively, at 1% (10000 ppm) (a), 0.5% (5000 ppm) (b), and 0.05 (500).
  • the graph shows the result of measuring the resistance change while changing the hydrogen concentration up to ppm) (c).
  • FIG. 9A is a graph illustrating a current value measured when a hydrogen sensor having a Pd thin film thickness of 16 nm is exposed to air according to another manufacturing example of the hydrogen sensor of the present embodiment
  • FIG. 9B Is a graph showing the change of current value with time when a hydrogen sensor having a Pd thin film thickness of 14 nm is exposed to air.
  • the Pd thin film is thick at 16 nm. In this case, it can be seen that the ON resistance does not fall to zero, and it works in the air chamber.
  • FIG. 9A the Pd thin film is thick at 16 nm.
  • FIG. 10 is a graph showing the change in the current value with respect to the mechanism when the hydrogen sensor of the present embodiment is exposed to nitrogen or air vapor and the hydrogen sensor having a Pd thin film thickness of 8nm in the air.
  • the basic resistance remains in an ON state where the basic resistance does not drop to 0, and when exposed to hydrogen, the resistance decreases due to expansion and hydrogen is removed.
  • thermodynamic equilibrium state changes to the thermodynamic equilibrium state and turns to the OFF state to operate as an ON-OFF sensor.
  • the hydrogen sensor having a thickness of 8 nm of Pd thin film is exposed to nitrogen gas, it shows a change in current value with time.
  • the hydrogen sensor was manufactured using a transition metal or an alloy thereof.
  • the hydrogen sensor is manufactured using a Pd x Nh- x alloy thin film among transition metal alloys in more detail. Since the present embodiment is substantially the same as that described in Example A, except that the Pd x Nh- x alloy thin film is formed on the elastic substrate, redundant descriptions are omitted.
  • a Pd x Nh- x alloy thin film is formed on an elastic substrate.
  • the alloy thin film can be formed by various methods, and in this embodiment, is formed according to the following method. That is, referring to FIG. 11, two methods of forming the Pd x N- x alloy thin film according to the present embodiment are schematically illustrated.
  • two targets (Pd, Ni) are positioned in parallel, and the sample holder portion is dilute, passing over two targets alternately in time, Pd and Ni Is deposited on the substrate in the form of a layer by layer.
  • the two targets are inclined so that the plasma from the two targets is overlapped at the lower side of the sample holder.
  • the sample holder is rotating so that two target materials are evenly deposited on the substrate. Since both materials are deposited at the same time, Pd and Ni form an alloy or solid solution, unlike the above method.
  • the present invention is not limited to the deposition method as described above. That is, the Pd x Ni 1-x alloy deposition method is merely an exemplary invention for depositing a Pd x Nh- x alloy on a substrate, and the present invention is not limited to a specific deposition method of Pd x Ni 1-x alloy. For example, as described in Example A, sputtering, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and the like can be used.
  • FIG. 12 is a perspective view of a hydrogen sensor 10 according to the present embodiment, comprising: a substrate 120 made of an elastic material; A Pd x Ni 1-x alloy thin film (110) formed on a surface of the substrate (120) and having a plurality of nanogaps (111) formed by a tensile force applied to the substrate (120); And electrodes 130 formed at both ends of the thin film.
  • a Pd x Ni 1-x alloy thin film satisfying 0.85 ⁇ x ⁇ 0.96 is formed on the substrate 120 of this embodiment.
  • a Pd x Ni 1-x alloy thin film having a predetermined composition ratio is formed in place of the Pd thin film commonly employed in the conventional hydrogen sensor. The specific reason is as follows.
  • the Pd x Nh- x alloy thin film is used instead of the Pd thin film, a phase transition phenomenon that is different from the exposed hydrogen concentration does not occur. It has been found that the same problem can be improved.
  • the Pd x N x alloy thin film 110 that satisfies 0.85 ⁇ x ⁇ 0.96 is formed on the elastic substrate 120. If the molar ratio X is less than 0.85, a problem of lowering the reaction amount due to exposure of hydrogen due to excessive Ni content occurs. If the molar ratio X exceeds 0.96, the problem of phase transition as described above is caused. More preferably, the molar ratio is 0.90 ⁇ x ⁇ 0.94.
  • a nanogap 111 is formed in the alloy thin film 110 formed on the surface of the substrate by applying a tensile force to the elastic substrate 120.
  • the other Poisson's ratio, the material of the elastic substrate, the tensile force applied to the elastic substrate, the number of times of applying the tensile force, the thickness of the alloy thin film in the tensile force direction, the width of the nanogap, and the like are the same as those of Example A described above, and thus redundant descriptions are omitted.
  • the hydrogen sensor manufactured according to the present embodiment can measure room temperature and has a small size, thereby reducing power consumption. Accordingly, the hydrogen sensor of the present invention can satisfy the essential requirements as a sensor for reducing reaction time and stable driving while satisfying characteristics of low cost, miniaturization, low power consumption, and room temperature operation.
  • a Pd x Ni 1-x (but 0.85 ⁇ x ⁇ 0.96) alloy was deposited on a PDMS substrate having a width of 20 mm, a length of 10 mm, and a thickness of 0.75 mm by sputtering. At this time, the PdxNii-x thin film was made to have a thickness of 7.5nm, placed on a substrate with a size of 15mm horizontal, 10mm vertical.
  • FIG. 13 is an SEM image photograph of a Pd x Nh- x alloy thin film having a nano gap formed according to the above process.
  • FIG. 14 is an optical image photograph of a Pd x Ni 1-x alloy thin film having a nano gap formed therein.
  • Pd was deposited using a sputter on a PDMS substrate having the same size as above.
  • the Pd thin film had a thickness of 7.5 nm and was disposed on a substrate with a size of 15 mm in width and 10 mm in length.
  • the tensile force was applied to the substrate five times, the horizontal length of the substrate was increased to 25 mm, and then the tensile force was removed to form a nano gap in the Pd thin film.
  • Au electrodes were sputtered on both ends of the thin film on which the nanogap was formed, thereby manufacturing a hydrogen sensor in which the thin film and the electrode were electrically connected to the PDMS substrate.
  • Example A In order to evaluate the characteristics of the hydrogen sensor manufactured according to the above, as in Example A, the system 20 of FIG. 6, which can be measured using a two-terminal measurement method, was used. Since the present system has been described in Embodiment A, the description thereof is omitted.
  • Measurements using the system were conducted at phase silver and atmospheric pressure, and the nano-gap PdxNii thin-film hydrogen sensor 10 was mounted in a reaction chamber 210 connected to a pseudo current applying device, and then H 2 and N 2 were mixed in the chamber. The intensity of the current was measured while keeping the voltage at 0.1V.
  • the lowest hydrogen detection concentration is about 0.08%. As shown in FIG. In this case, the lowest hydrogen detection concentration is 0.66%, which is very low.
  • FIGS. 17 to 19 show hydrogen detection concentrations when the thickness of the thin film is formed at 8 nm, 10 nm, and ll nm, respectively, and the hydrogen sensor is exposed to air in the reaction chamber 210.
  • the lowest hydrogen detection concentration is lower than in FIG. That is, in FIG. 17, the lowest hydrogen detection concentration was 0.65%, that is, 6500 ppm, and in FIG. 18, the lowest hydrogen detection concentration was about 0.45%.
  • the lowest hydrogen detection concentration was 500 ppm. It can be seen that. That is, it can be seen that as the thickness of the thin film of the composition is increased, hydrogen of lower concentration can be detected.
  • FIGS. 20 and 21 illustrate hydrogen detection concentrations when the thickness of the thin film is 10 nm and ll nm, respectively, and the hydrogen sensor is exposed to a nitrogen atmosphere in the reaction chamber 210.
  • the lowest hydrogen detection concentration is about 0.01%
  • the lowest hydrogen detection concentration is about 0.05% in FIG. 21, which is lower than that in air deposition.
  • the lowest hydrogen detection concentration was 0.4%. As shown, the lowest hydrogen detection concentration is 1.2% when exposed to air vapor, and the lowest hydrogen detection concentration is higher than that of the Pd x Nh- x alloy having the composition according to the present invention.
  • the phase transition phenomenon due to hydrogen exposure is suppressed, compared with the hydrogen sensor to which the Pd thin film is applied. It can be seen that it is possible to detect extremely lower concentrations of hydrogen.
  • Example A and B a tensile force was applied to the elastic substrate to form a nanogap in the thin film formed on the substrate, and hydrogen was detected using the nanogap.
  • the hydrogen gap is detected by forming a nano gap through a mechanism other than the application of phosphorus tension.
  • description of the part which overlaps with Example A, B is abbreviate
  • FIG. 24 is a view showing a hydrogen sensor manufacturing process according to this embodiment.
  • the elastic substrate 10 is first provided in the same manner as in the embodiment.
  • the elastic substrate 10 serves to accept the expansion as it is when the Pd or Pd alloy thin film formed thereon is subjected to volume expansion by a phase change in a subsequent process, thereby promoting nanogap formation in the thin film. .
  • the present invention is not particularly limited to the composition and type of the elastic substrate 10, and any elastic material that can accommodate the volume expansion and contraction caused when the phase change of the Pd or Pd alloy thin film formed on the substrate is used as it is. It is possible. For example, similarly to Example A, B, it can provide using a natural rubber, a synthetic rubber, or a polymer.
  • a Pd or Pd alloy thin film 30 having an ⁇ phase is formed on the elastic substrate 10.
  • a method for forming the Pd or Pd alloy thin film 30 any method commonly used in the art can be used, and sputtering, chemical vapor deposition (CVD) and the like can be used in the same manner as in the above embodiment.
  • the thickness of the formed thin film 30 is related to whether or not nanogap is effectively generated in the thin film 30 during the ⁇ ⁇ 3 phase change of the thin film 30 in a subsequent process. That is, the thinner the thickness, the more nanogaps can be created. Therefore, in order to effectively create a nanogap in the thin film, as in the above embodiment, the thickness of the thin film 30 is preferably in the range of lnm to 100 / zm, more preferably in the range of 3nm to 100nm, most preferably. 5 nm to 15 nm.
  • the Pd alloy thin film is selected from Pd_Ni, Pd-Pt, Pd-Ag, Pd- Ti, Pd-Fe, Pd-Zn, Pd-Co, Pd-Mn, Pd-Au, and Pd-W. It may be a thin film of species, more preferably, a Pd—Ni thin film.
  • the formed ⁇ -phase thin film 30 is exposed to a hydrogen-containing gas at a predetermined concentration. Due to the exposure of the hydrogen-containing gas, the ⁇ -phase thin film 30 formed on the substrate 10 gradually changes into the ⁇ -phase thin film 30.
  • the volume expansion occurs in the thin film 30 in accordance with the hydrogen absorption, the elastic substrate 10 of the lower portion to accommodate the volume expansion of the thin film (30).
  • a nano gap is formed in the thin film 30 phase-changed into the ⁇ phase according to volume expansion, and may have a width of approximately lnm to 10 / mm 3.
  • the hydrogen-containing gas is exposed to the hydrogen concentration is preferably in the range of 2 to 15%. This is because a phase change of the thin film 30 easily occurs in this concentration range.
  • the thin film 30 having the nanogap may be subjected to ion milling to increase its surface area, or may be heat treated to increase its mechanical properties.
  • the ⁇ -phase Pd thin film to be obtained was formed on the PDMS substrate with a thickness of 10 nm and llnm, respectively, having a size of 15 mm and 10 mm.
  • the ⁇ -phase Pd thin films formed on each of the PDMS substrates were exposed to a hydrogen-containing gas having a 10% hydrogen concentration, respectively, and the thin film was phase-changed into ⁇ -phase. Subsequently, the hydrogen-containing gas exposure was increased to switch the thin film phase back to the ⁇ phase.
  • FIG. 25 is an OM (Optical Microscope) image photograph of a 10 nm thick Pd thin film prepared by the above process. As shown in FIG. 25, in the case of the Pd thin film manufactured by the above process, a nano gap is formed therein, and thus, it may be easily used as a hydrogen sensor.
  • OM Optical Microscope
  • the Au electrode was sputtered on both ends of the thin film where the nanogap was formed through the above process to prepare a hydrogen sensor in which the Pd thin film and the electrode were electrically connected to the PDMS substrate.
  • the I-V measuring apparatus and the apparatus shown in FIG. 6, which can be measured using the two-terminal measuring method, were used as in the above-described embodiment.
  • FIG. 26 (a) is a graph showing a change in current value measured when a Pd thin film having a thickness of 10 nm is exposed to 0.5-4% hydrogen concentration
  • FIG. 26 (b) shows 0.5-4% hydrogen of a Pd thin film having a thickness of llnm. This graph shows the change in the measured current value when exposed to concentration. As shown in FIGS.
  • Fig. 27 is a graph showing the change of the measured current value when exposing a Pd thin film having a thickness of 10.5 nm to 2% hydrogen concentration in air vapor, and in this case, it has a current value when exposed to hydrogen gas, but the current value when hydrogen is removed. This decreases to 0, indicating that the change in hydrogen concentration can be detected on-off.

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Abstract

본 발명에 따라서 신규의 수소 센서 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 탄성기판의 표면에 전이금속 또는 그 합금 박막을 형성하는 단계와; 상기 탄성 기판에 인장력을 인가하여, 상기 기판 표면에 형성된 상기 합금 박막에 복수 개의 나노 갭을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 인장력의 인가 시에, 상기 박막은 인장력이 작용하는 방향으로 인장되는 동시에 인장력이 작용하는 방향과 수직한 방향으로 압축되고, 상기 인장력의 회수 시에 상기 박막은 인장력이 회수된 방향으로 다시 압축되면서 그 회수 방향과 수직한 방향으로 다시 인장되어, 상기 나노 갭이 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
수소 센서 및 그 제조 방법
【기술분야】
본 발명은 수소 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전이금속 또 는 그 합금 박막을 이용한 수소 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
【배경기술】
수소 에너지는 재활용이 가능하고, 환경 오염 문제를 일으키지 않는 장점이 있어, 이에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
그러나, 수소 가스는 대기 증에 4% 이상 누출되면 폭발 위험성이 있으므로, 사용시 안전이 담보되지 않으면 실생활에 널리 적용되기 어려운 문제점이 있다. 파라서, 수소 에너 지의 활용에 대한 연구와 함께, 실제 사용시 수소 가스의 누출을 조기에 검출할 수 있는 수 소 가스 검출 센서 (이하, 간단히 '수소센서'라고 함)의 개발이 병행되어 진행되고 있다. 현재까지 개발된 수소 센서로서, 세라믹 /반도체식 센서 (접촉 연소식, 열전식 (熱電式) 및 반도체 후막식 센서), 반도체 소자식 센서 (MISFET, MOS), 광학식 센서 및 전기화학식 (Po ten tiome trie/ Amperometric ) 센서 등이 있다.
세라믹 /반도체식 센서의 경우, 세라믹 반도체 표면에 가스가 접촉했을 때 일어나는 전기전도도의 변화를 이용하는 것이 많으며, 대부분 대기 중에서 가열하여 사용되는 일이 많아 고온에서 안정한 금속산화물 (세라믹스, Sn02, ZnO, Fe203)이 주로 사용된다. 하지만 고 농도의 수소기체 상태에서 포화되어, 높은 농도의 수소기체를 검지하는 것이 불가능하다는 단점을 가지고 있다.
이 중 접촉 연소식의 경우, 센서 표면상에서 가연성 가스의 접촉으로 생성되는 산화 반웅에 의해서 발생하는 연소열의 변화를 검출하는 방식으로서, 센서출력이 가스 농도에 비 례하고 검출 정밀도가 높으며 주위온도 또는 습도에 의한 영향이 적다는 장점이 있다. 하지 만 작동 온도가 고온이여야 하며 선택성이 없다는 단점을 가지고 있다.
이와 함께 반도체 소자식 센서 (MISFET, MOS)와 수소 흡착에 따라 광투과도가 변 화하는 가스채색 물질을 사용한 광학식 센서의 경우 수소기체를 잘 흡착하는 팔라듐을 사용 하는데, 고농도의 수소기체에 반복해서 노출될 경우 성능저하 등의 단점을 가지고 있다. 마지막으로 전기화학식 센서는 검지 대상가스를 전기 화학적으로 산화 또는 환원하 여 그 때 의부회로에 흐르는 전류를 측정하는 장치로서 측정원리에 따라 정전위식, 갈바닉 전지식, 이온 전극식 등으로 구분할 수 있다. 다양한 가스 탐지 능력에도 불구하고 제작 방 법이 복잡하고 어렵다는 단점을 가지고 있다.
최근 센서용 수소 감지기술로서 이용되는 재료에는 Pd 박막 센서, MISFET 둥의 반도체 센서, 카본나노류브 센서, 및 티타니아 나노류브센서둥이 있다 (F.Dimeo et al., 2003 Annual Merit Review). 그러나 이들 기술이 보유한 각각의 장점에도 불구하고, 수소센서의 핵심이라 할 수 있는 감지 가능한 초기 수소농도 반웅시간, 감지은도, 구동 소비전력 등의 측면에서 그 성능은 아직 미미한 수준에 머물러 있다.
기존에 개발된 기술로서, 팔라듐 (Pd)의 수소와의 반웅을 통해 graphite 층을 이용하 여 Pd이 생성될 수 있는 자리를 마련하고, 이렇게 생성된 팔라듐 입자들이, 기능화한 기판 에 수소가 유입됨에 따라서 Pd 격자의 팽창이 발생하여 서로 연결된 와이어 (wire)처럼 형성 됨으로써 전기저항이 감소되는 현상을 이용하는 기술이 제시되어 있다 (Penner et al. Science 293 (2001) 2227-2231). 여기에는 수소흡착에 의한 Pd의 격자 팽창을 실험적으로 확인함으로써 Pd 나노 입자들을 연속적이지 않는 와이어의 형태로 배열하여 전기신호를 검 출하였다. 하지만 제작 방법이 복잡하고 최소 검지 농도가 높다는 단점을 가지고 있다.
Pd 박막을 이용한 수소 가스 검지 센서는 다른 소재를 이용하여 제작한 센서에 비 하여 수소 검지능력이 월등히 뛰어나기 때문에 통상적으로 많이 사용되고 있다. 종래에 이 러한 수소센서의 경우 스퍼터와 증기증착법 등으로 강한 힘을 Pd 입자에 주어 기판에 밀착 하여 격자를 팽창시키는 방법을 이용하였는데, 팽창되는 양이 기판과의 결합력에 의해 감소 되기 때문에 수소에 대한 민감도가 크지 않은 모습을 보였다. 또한, Pd 입자를 기판에 접착 하지 않은 경우에는 수소 노출시 Pd 격자가 팽창한 후 수소 노출을 증단하면 Pd 간의 결합 력으로 인해 초기 상태로 복구되지 않아 재현성이 떨어지는 단점이 있다. 나아가, Pd 입자 를 이용한 이들 수소센서는 고농도의 수소에만 반응하고 수소 노출을 중단하게 되면 초기 저항값이 변하는 문제점도 있다.
이와 같이 종래의 수소센서들은 기존 수소센서의 문제점을 어느 정도 보완하였지만 감지능력, 민감도, 안정성, 저 농도에서의 빠른 반웅 시간 등의 과제에서 기존 센서에 대한 대안이 되지 못하는 실정이다.
따라서 수소 검출 성능을 최적화할 수 있는 재료 및 구조에 대한 연구가 진행 증에 있으몌 나노 재료를 사용하여 수소 검출 성능을 높이려는 시도가 계속되고 있다.
대표적인 나노 재료로서 팔라듐은 주변 환경과 관계없이 수소와 반웅하는 성질을 갖고 있고, 수소가스를 화학적으로 흡수하면 격자상수가 증가하고 이로 인해 전류를 인가할 때 저항이 증가되는 현상을 보인다.
이러한 현상을 이용하여 최근 표면적이 극대화된 팔라듬 나노 와이어를 이용하여 수소에만 반웅하는 고체 상태의 수소센서들의 연구들이 활발히 진행 중이다. 팔라듐 나노 와이어를 이용한 수소센서는 수소 존재의 유무에 따라 팔라듐 나노 와이어의 저항값이 변화 하는 현상을 이용하여 수소를 감지하게 된다.
지금까지 개발된 팔라듐 나노와이어 제조 방법은 HOPG(HighIy Oriented Pyrolytic Graphite) 주형 (template)을 이용한 방법 EBL(E-beam lithography)을 이용한 방법, 및 DEP(di_electrophoresis)를 이용한 방법 등이 있다.
상기 HOPG 주형을 이용한 방법은 기판의 나노 주형에 전기화학적으로 팔라듐 나 노와이어를 제조하는 방법이지만, 제조 공정이 복잡하고, 시간이 오래 걸리며, 제작 과정 증 의 오차로 인해, 생산된 팔라듬 나노와이어가 일정한 저항 값을 가지기가 어려워 생산 수을 이 낮은 단점이 있었다.
또한, 상기 EBL을 이용한 방법은 기판에 나노 패터닝을 한 후 전기화학적으로 팔라 듐 나노와이어를 형성하는 방법이나 생산 수을이 낮고, 제조 비용이 고가인 단점이 있었다. 마찬가지로, 상기 DEP를 이용하는 방법 역시 기판에 나노와이어 재료물질의 층을 형성하고, 금속 전극을 통해 고주파 교류 전원을 공급하여 나노와이어를 제조하는 방법이나, 제조 공정이 복잡하고, 균일한 형태의 팔라듐 나노와이어를 생산할 수 없어 생산 수을이 낮 은 단점이 있었다.
따라서, 팔라듬 금속이 가진 수소 감지 성능을 그대로 유지하면서도 저렴하고 간단 하게 팔라듐 수소 센서를 제조할 수 있는 새로운 제조 공정을 개발할 필요가 있다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 한 가지 목적 은 제조 방법이 복잡하고, 시간이 오래 걸리며, 생산 수을이 낮은 종래의 수소 센서의 제조 방법을 대체하여, 단시간에 간단하고 값싸게 제작 가능한 수소 센서를 제조할 수 있는 새로 운 수소 센서의 제조방법 및 그 수소 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제작 과정의 오차에 의한 영향을 배제하고, 수소센서가 수소 에 반웅하는 반웅 재연성을 높여 정밀하게 수소를 감지할 수 있는 초저가형 고성능의 수소 센서 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
【기술적 해결방법】
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따라서 신규의 수소 센서 제조 방법이 제 공되는데, 상기 방법은 탄성기판의 표면에 전이금속 또는 그 합금 박막을 형성하는 단계와; 상기 탄성 기판에 인장력을 인가하여, 상기 기판 표면에 형성된 상기 합금 박막에 복수 개 의 나노 갭을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 인장력의 인가 시에, 상기 박막은 인장력이 작용하는 방향으로 인장되는 동시에 인장력이 작용하는 방향과 수직한 방향으로 압축되고, 상기 인장력의 회수 시에 상기 박막은 인장력이 회수된 방향으로 다시 압축되면서 그 회수 방향과 수직한 방향으로 다시 인장되어, 상기 나노 갭이 형성되는 것을 특징으로 한다. 한 가지 실시예에 있어서, 상기 전이금속은 Pd, Pt, Ni, Ag, Ti, Fe, Zn, Co, Mn, Au, W, In 및 Al 중에서 선택될 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 합금은 Pd-Ni, Pt-Pd, Pd-Ag, Pd— Ti, Pd-Fe, Pd-Zn, Pd— Co, Pd—Mn, Pd— Au, Pc卜 W, Pt— Ni, Pt-Ag, Pt-Ag, Pt-Ti, Fe-Pt, Pt-Zn, Pt-Co, Pt-Mn, Pt-Au 및 Pt— W중에서 선택될 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 전이금속은 Pd이고, 상기 합금은 Pd 합금일 수 있 다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 탄성기판의 표면에 0.85≤x≤0.96를 만족하는 PdxNii-x 합금 박막을 형성할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 탄성기판의 표면에 0.90≤x≤0.94를 만족하는
PdxNii-x 합금 박막을 형성할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 탄성 기판은 0.2~Ό.8의 프와성 비 (Poisson's ratio)를 갖는 것을 이용할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 인장력은 상기 탄성 기판이 1.05 내지 1.50 배로 신 장되도록 인가될 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 탄성 기판은 천연고무, 합성고무 또는 폴리머로 제 조할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 인장력은 상기 탄성 기판에 1회 이상 반복 인가할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 인장력은 상기 탄성 기판에 1방향 이상에서 인가할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 인장력은 게 1 방향, 상기 제 1 방향과 수직을 이루 는 제 2 방향, 그리고 상기 제 1 방향 ,및 상기 제 2 방향과는 다른 방향을 이루는 제 3방 향으로 반복 인가할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 1박막의 두께는 약 1 nm 내지 약 100zm일 수 있다. 한 가지 실시예에 있어서, 상기 나노 갭은 약 1 nm 내지 10zm의 간격을 두고 형성 될 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 나 1 노 갭이 형성된 상기 전이금속 또는 그 합금 박막 을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어세 상기 나노 갭이 형성된 상기 전이금속 또는 그 합금 박막 을 이온 밀링하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따라서, 신규의 수소 센서 제조 방법이 제공되는데, 상기 방 법은 탄성 기판을 준비하는 단계와; 상기 탄성 기판에 α 상을 갖는 Pd 또는 Pd 합금 박막 을 형성하는 단계와; 상기 박막을 소정 농도의 수소 함유 가스에 노출시켜, 상기 α 상의 박 막을 β 상의 박막으로 변화시켜, 부피 팽창에 따른 나노 갭을 상기 박막에 형성하는 단계 와; 상기 수소 함유 가스에 대한 노출을 증단시켜, 상기 β상의 박막을 다시 α상의 박막으 로 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 α상으로 전환된 상기 박막을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 α상으로 전환된 상기 박막을 이은 밀링하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 수소 함유 가스 노출시 수소 농도를 2~15%로 할 수 있다.
한 가지 실시예에 있어서, 상기 박막의 두께는 약 1 nm 내지 약 lOOzm의 범위 내에 있을 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따라서 제공되는 수소 센서는 탄성 재질의 기판과; 상기 기 판의 표면에 형성된 전이금속 또는 그 합금의 박막과; 상기 박막의 양단에 형성된 전극을 포함하고, 상기 박막에는 상기 기판에 인가된 인장력에 의해 형성된 복수 개의 나노 갭이 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양태에 따라 제공되는 수소 센서는 탄성 재질의 기판과; 상기 기판 의 표면에 형성된 Pd 또는 Pd 합금의 박막과; 상기 박막의 양단에 형성된 전극을 포함하고, 상기 박막에는 상기 상변화를 이용한 방법에 따라 형성된 복수 개의 나노 갭이 포함되어 있 는 것을 특징으로 한다.
【유리한 효과】
본 발명의 수소 센서 제조방법은 복잡한 공정을 갖는 종래의 수소 센서 제조방법 (반 도체식, 접촉연소식, FET(field effect transistor)방식 전해질식 (전기화학식), 광섬유식, 압전 식, 열전식 등) 또는 크기가 크고, 가격이 비싸고 불편한 방식의 상용화된 수소센서 (접촉연 소식 수소센세 팔라듐 합금과 열판 결합형 수소센서, Pd/Ag 합금 고체상 수소센서, Pd 게 이트 FET 수소센서 둥)의 경우와는.달리, 전이금속 (예컨대, 팔라듐) 또는 그 합금 박막 (예 컨대, Pd— Ni 합금 박막)을 배치한 기판에 물리적인 인장력을 작용하여, 상기 박막이 수소 가스를 감지할 수 있는 나노 갭을 갖는 형태로 가공할 수 있어, 단시간에 저비용으로 고성 능의 수소 센서를 대량 생산할 수 있다.
본 발명의 수소 센서의 제조방법에 따르면, 복잡한 공정을 갖는 종래의 수소 센서 제조방법과는 달리, 전이금속 또는 그 합금 박막을 탄성 기판에 배치하고, 상기 탄성 기판을 인장하여, 상기 기판에 배치된 상기 박막을 인장력 작용방향으로 인장함과 동시에 그 수직 방향으로 압축할 수 있다. 따라서, 상기 탄성 기판에 인장력을 부과하는 간단한 방법으로 물 리적인 스트레인을 부과하여 손쉽게 나노 갭을 갖는 전이금속 또는 그 박막을 형성할 수 있 다. 따라서, 수소 농도의 변화에 따라 저항값의 변화를 갖는 값싸고 고성능의 수소 센서를 대량으로 제조할 수 있고, 이를 통해 수소 센서 제조 수을을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 수소 센서는 실리콘 옥사이드 기판, 사파이어 기판, 또는 유리 기판 처럼 비탄성 재질로 이루어진 기판상에 형성된 종래 수소 센서와는 달리, 탄성 소재로 이루 어진 기판 표면에 전이금속 또는 그 합금 박막을 배치하여 이루어짐으로써 수소 센서가 자 체적으로 탄성을 구비하게 되어 수소가 누출될 우려가 있는 다양한 공간에 자유롭게 설치 가능하여 수소 센서 활용의 폭을 넓힐 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 Pd 박막의 상변화 를 통하여 나노갭을 형성할 수 있어, 단시간에 저비용으로 고성능의 수소 센서를 제조할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1은 팔라듐 박막이 배치된 탄성 기판에 인장력을 작용시킬 때, 탄성 기판 및 상 기 탄성 기판에 배치된 전이금속 또는 그 합금 박막이 변형되는 양태를 도시한 설명도이다. 도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서의 사시도이다.
도 3은 나노 갭이 형성된 팔라듐 박막을 보여주는 사진으로서, (a)는 약 1000배의 현미경 사진이고, (b)는 약 50배의 현미경 사진이며, (c)는 3D 입체 사진이다.
도 4는 1방향 이상으로 순차적으로 인장력을 인가하고 제거하게 되면 나타나는 팔 라듐 박막이 배치된 기판의 형태 변화를 나타낸 설명도이다.
도 5는 수소 존재 유무에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서의 저항 값이 변화하는 것을 설명하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 수소 센서의 수소 검출 능력을 측정하기 위한 시스템의 개략도이 다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서를 측정 시스템에 장착한 후 여러 수 소 농도에서 측정한 저항 값 및 전류 값의 변화를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서를 수소 검출 시스템에 장착한 후, 여 러 수소 농도에서의 저항 변화를 보여주는 도면으로서, (a)는 lOOOOppm수소 가스의 농도에 서 저항 변화를 측정한 결과를 나타내는 그래프이고, (b)는 5000ppm 수소 가스의 농도에서 저항 변화를 측정한 결과를 나타내는 그래프이며, (c)는 500ppm수소 가스의 농도에서 저항 변화를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 Pd 박막 수소 센서를 측정 시스템에 장착하여, 공기증에 노출시킬 때 측정한 전류 값을 보여주는 도면으로서, (a)는 Pd 박막 두께 16nm의 수소 센서를 측정 시스템에 장착하여, 공기중에 노출시킬 때 측정한 전류 값을 나타내는 그 래프이고, (b)는 Pd박막 두께가 14nm인 수소 센서를 공기중에 노출시킬 때 시간에 대한 전 류값의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 10은 Pd박막 수소 센서가 수소에 반복적으로 노출될 때에 발생하는 메커니즘 및 Pd 박막 두께가 8nm인 수소 센서를 수소증에 노출시킬 때 시간에 대한 전류값의 변화를 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따라 PdxNi1-x 박막을 기판에 형성하는 두 가지 방법을 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서의 사시도이다.
도 13은 나노 갭이 형성된 PdxN -x 합금 박막의 SEM 이미지 사진이다.
도 14는 나노 갭이 형성된 PdxNh-x 합금 박막의 광학 이미지 사진이다.
도 15는 본 발명의 일실시예에 따른 두께 7.5nm의 Pd93Ni7 합금 박막을 갖는 수소 센서를 측정 시스템에 장착하여, 질소가스 중에 노출시킬 때 측정한 전류값을 나타내는 그 래프이다.
도 16은 본 발명의 일실시예에 따른 두께 7.5nm의 Pd93Ni7 합금 박막을 갖는 수소 센서를 측정 시스템에 장착하여, 공기 증에 노출시킬 때 측정한 전류값을 나타내는 그래프 이다.
도 17은 두께 8nm의 Pd93Ni7 합금 박막을 갖는 수소 센서를 측정 시스템에 장착하 여, 공기 중에 노출시킬 때 측정한 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 18은 두께 10nm의 Pd93Ni7 합금 박막을 갖는 수소 센서를 측정 시스템에 장착하 여 공기 증에 노출시킬 때 측정한 전류값을 나타내는 그래프이다.
- 도 19는 두께 llnm의 Pd93Ni7 합금 박막을 갖는 수소 센서를 측정 시스템에 장착하 여, 공기 중에 노출시킬 때 측정한 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 20은 두께 10nm의 Pd93Ni7 합금 박막을 갖는 수소 센서를 측정 시스템에 장착하 여, 질소 가스 증에 노출시킬 때 측정한 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 21은 두께 llnm의 Pd93Ni7 합금 박막을 갖는 수소 센서를 측정 시스템에 장착하 여, 질소 가스 중에 노출시킬 때 측정한 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 22는 본 발명의 비교예로서 두께 7.5nm의 Pd 박막을 갖는 수소센서를 측정 시스 템에 장착하여, 질소 가스 중에 노출시킬 때 측정한 전류값의 그래프이다.
도 23은 본 발명의 비교예로서 두께 7.5nm의 Pd 박막을 갖는 수소센서를 측정 시스 템에 장착하여, 공기 중에 노출시킬 때 측정한 전류값의 그래프이다.
도 24는 본 발명의 일실시예에 따른 수소 센서의 제조 공정를 보여주는 도면이다. 도 25는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 두께 10nm의 Pd 박막의 0M 이미지 사 진이다.
도 26의 (a)는 두께 lOnm의 Pd 박막을 0.5~4% 수소 농도에 노출시킬 때 측정한 전 류값의 변화를 나타낸 그래프이며, 도 25의 (b)는 두께 llnm의 Pd 박막을 0.5~4% 수소 농 도에 노출시킬 때 측정한 전류값의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 27은 두께 10.5nm의 Pd박막을 공기 중에서 2% 수소농도에 노출시킬 때 측정한 전류값의 변화를 나타낸 그래프이다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 여러 바람직한 실시형태를 설명한다. 본 발명의 수소 센서 제조방법은 리소그라피와 같은 MEMS 공정을 사용하여 팔라 듐 나노 와이어를 생산하는 복잡한 종래 방식을 대신하^ 전이금속 또는 그 합금 박막을 탄성 기판에 배치하고, 상기 탄성 기판을 특정 방향으로 인장하여 나노 갭을 갖는 수소 센 서를 대량으로 생산할 수 있다.
상기 기판에 배치된 박막은 인장력 작용방향으로 인장됨과 동시에 그 수직 방향으 로는 압축된다. 또한, 상기 탄성 기판에 인가된 인장력을 다시 회수하게 되면, 상기 박막은 인장력이 회수된 방향으로 압축됨과 동시에, 그 수직방향으로는 다시 인장된다.
이와 같이, 본 발명의 수소 센서의 제조 방법에 따르면, 탄성 기판에 인장력을 부과 하는 간단한 방법으로 팔라듐과 같은 전이금속 또는 그 합금 박막에 물리적인 스트레인을 부과하며, 이를 통해 단시간에 값싸고 손쉽게 나노 갭을 갖는 수소 센서를 제조할 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는 팔라듬의 상변화를 이용하여 나노갭을 갖는 수소 센서를 제조할 수도 있다.
상기와 같이 전이금속 또는 그 합금 박막에 나노 갭을 형성하게 되면, 상기 나노 갭 으로 인하여 전류의 흐름이 원활하게 이루어지지 못하므로 높은 저항 값을 갖는다. 그러나, 수소 분위기 하에서는 주위의 수소를 흡수하게 되어 전이금속 또는 그 합금박막의 격자상수 가 증가하게 되고, 부피 증가에 따라 상기 나노 갭이 메워지게 되어 전류의 흐름이 원활하 게 되므로 낮은 저항 값을 갖게 된다. 이러한 수소 가스의 존재 유무에 따른 저항값의 변화 를 측정하여 수소 농도를 측정할 수 있게 된다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예를 설명한다.
1. 실시예 A
우선, 본 발명의 수소 센서를 제조하기 위해서 탄성 기판 상에 전이금속 또는 그 합 금 박막을 배치한다.
이때, 상기 기판은 수소를 감지하는 센서부 역할을 수행하는 상기 박막이 배치되는 기재 역할을 수행하며, 수소 센서를 제조하는 과정에서 인장력을 인가할 때, 기판상에 배치 된 박막에 스트레인을 전달하는 역할을 수행한다.
상기 기판은 인장력을 인가할 때 그 방향으로 신장될 수 있고 다시 인장력을 제거 하면 본래의 형상으로 회복될 수 있는 탄성 소재로 이루어진다.
도 1을 참조하면, 탄성 소재에서 흔히 볼 수 있는 바와 같이, 탄성 소재를 종 방향 (X 방향)으로 인장할 때, 종 방향의 인장변형을 성분 이외에, 다른 아무런 조건이 없는 한, 탄성 소재는 종 방향으로 늘어남에 따라 횡 방향 (y 방향)의 수축이 일어날 것으로 예상된 다. 그리고, 상기 횡 방향 (y 방향)의 수축변형율은 종 방향 인장변형율과 일정한 비을을 유 지하면서 수축하게 된다. 다시 인장된 탄성 소재에 인가된 인장력을 회수하거나, 탄성 소재 를 단축방향으로 압축시키는 경우, 횡 방향으로는 인장변형을이 발생하게 되고, 이때 횡 방 향 인장변형율과 종 방향 수축변화을 사이에도 인장시와 동일한 일정비를 유지하면서 변형 이 이루어진다. 이러한 횡 방향 인장변형율과 종 방향 수축변화을이 갖는 일정 비의 값을 탄성 소재의 프와송 비 (Poisson's ratio)라 정의한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 탄성 소재에 인장력을 인가하게 되면, 그 표면에 일체로 결합하여 배치된 팔라듬 또는 그 합금 박막은 탄성 소재의 변형에 따라 일체로 변형되며, 그 변형의 양태는 인장력이 인가될 때에는 X 방향으로는 인장되는 동시에, y 방향으로는 수 축되게 되며, 다시 인장력을 회수하게 되면, X 방향으로는 수축되는 동시에, y 방향으로는 인장되게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서를 보여주는 도 2를 참조하면, 상기 탄성 기 판에 인장력을 부과하는 간단한 방법으로 상기 탄성 기판 (120)의 표면에 일체로 결합한 박 막 (110)에 물리적인 스트레인을 부과할 수 있고, 물리적인 스트레인이 부과된 상기 팔라듬 또는 그 합금 박막 (110)에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 나노 갭 (11)이 형성된다.
상기 탄성 기판 (120)에 작용된 인장력은 상기 팔라듐 또는 그 합금 박막 (110)에 그 대로 전달되기 때문에, 상기 탄성 기판 (120)이 갖는 프와송 비에 의해 상기 박막 (110)의 인 장방향 (X 방향), 또는 그 수축 방향 (y 방향)으로의 인장과 수축의 비율이 결정되게 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서 (10)의 제조 방법에서, 상기 박막은 인장력이 작용한 X 방향으로 인장됨과 동시에, 인장력이 작용한 방향의 수직 방향인 y 방향으로 수축 하게 된다. 따라서, 상기 박막 (110)에 작용하는 물리적인 스트레인, 및 스트레인에 의한 나노 갭 (11)의 효을적인 형성을 종합적으로 고려하여 상기 탄성 기판 (120)에 작용하는 인장력의 크기를 조절할 필요가 있으며, 이러한 이유로, 상기 탄성 기판 (120)은 0.2 내지 0.8의 프와송 비를 갖는 것이 바람직하고, 0.3 내지 0.7 의 프와송 비를 갖는 것이 더욱 바람직하며, 으5의 프와송 비를 갖는 것이 가장 바람직하다.
또한, 상기 탄성 기판 (120)에 작용하는 인장력은 상기 탄성 기판의 특성과 상기 탄 성 기판의 표면에 일체로 형성된 상기 전이금속 또는 그 합금 박막의 두께, 재질 및 성질 등을 종합적으로 고려하여, 상기 박막 (110)에 균일하게 나노 갭 (11)이 형성될 수 있도록, 상 기 탄성 기판 (120)이 인장되는 것이 바람직하며, 상기 탄성 기판 (120)이 1.05 내지 1.50 배로 신장되도록 인가되는 것이 가장 바람직하다.
상기 기판 (120) 상에는 전이금속 또는 그 합금 박막 (110)을 배치하게 된다. 이때 본 발명에서는 전이금속의 종류에 제한되지 않으며, 수소에 의해 팽창가능한 다양한 전이금속 또는 이들의 합금 박막을 이용할 수 있다.
바람직하게는 상기 전이금속은 수소에 의해 팽창가능한 Pd, Pt, Ni, Ag, Ti, Fe, Zn, Co, Mn, Au, W, In 및 Al 중에서 선택될 수 있다.
또한 상기 합금은 수소에 의해 팽창 가능한 Pd-Ni, Pt-Pd, Pd-Ag, Pd— Ti, Pd— Fe, Pd— Zn, Pd-Co, Pd-Mn, Pd-Au, Pd-W, Pt— Ni, Pt— Ag, Pt— Ag, Pt-Ti, Fe-Pt, Pt-Zn, Pt-Co, Pt— Mn, Pt-Au, Pt— W 증에서 선택될 수 있다. 예컨데 Pd_Ni 또는 Pd_Au합금의 경 우, Pd는 수소와의 반웅에서 촉매 역할을 수행하며, Ni나 Au는 Pd의 격자 상수를 감소시킴 으로써, Pd-Ni 또는 Pd-Au 합금으로 제조된 수소 센서의 내구성을 높이고 수소와 반웅하 는 시간을 단축시키는 역할을 한다. 보다 바람직하게는, 상기 전이금속 및 합금은 Pd 및 그 합금을 이용하는 것이다.
한편 상기 전이금속 또는 그 합금 박막 (110)을 기판 (120) 상에 배치하는 방법으로는 당업계에서 통상적으로 이용되는 방법을 이용할 수 있다. 예컨대, 스퍼터링 (Sputtering), 증 발법 (Evaporation) 등의 물리적 증착법과, 화학기상법 (CVD: chemical vapor deposition), 원 자층 증착법 (ALD: atomic layer deposition) 등의 증착법이 사용될 수 있다.
상기 탄성 기판 (120)으로 사용 가능한 소재로는 인장력을 인가할 때 그 방향으로 신 장ᅳ될 수 있고, 다시 인장력을 제거하면 본래의 형상으로 회복될 수 있는 어떠한 소재라도 사용 가능한데, 그 예로는 천연고무, 합성고무, 또는 폴리머를 이용하는 것 등이 있다.
상기 합성 고무의 예로는 부타디엔계 고무, 이소프렌계 고무, 클로로프렌계 고무, 니 트릴계 고무, 폴리우레탄계 고무, 또는 실리콘계 고무 등이 있으며, 바람직하게는 계면 자유 에너지 (interfacial free energy)가 낮아 기판상에 배치된 전이금속 또는 그 합금을 성형 가 공하기 좋고, 내구성이 좋은 탄성재인 PDMS(polydimethylsiloane)를 사용할 수 있으며, 상 기 PDMS 이외에도 폴리이미드 (Polyimide)계 고분자 물질, 폴리우레탄 (Polyurethane)계 고 분자 물질, 플로로카본 (Fluorocarbon)계 고분자 물질, 아크릴 (Acrylic)계 고분자 물질, 폴리아 닐린 (Polyaniline)계 고분자 물질, 폴리에스테르 (polyester)계 고분자 물질 등도 전이금속 또 는 그 합금으로 이루어진 박막에 인장력을 전달할 수 있다면 탄성을 적절하게 조절하여 사 용할 수 있다.
상기 전이금속 또는 그 합금 박막 (110)이 배치된 탄성 기판 (J20)에 인장력을 인가하 게 되면, 상술한 바와 같이, 상기 박막 (110)은 인장력이 인가된 X 방향으로 인장함과 동시에 y 방향으로 수축하여 물리적인 스트레인을 받게 되어 나노 갭 (11)을 형성하게 된다. 이때, 단 1회라도 인장력을 인가하더라도 상기 박막에는 나노 갭 (11)이 형성될 수 있으나, 나노 갭 (11)이 형성될 때의 방향성 및 균일성을 고려하면, 상기 탄성 기판 (120)에 작용하는 인장력 은 1회 이상 반복하여 작용하는 것이 바람직하다.
또한 상기 인장력의 인가는 단순히 하나의 특정 방향으로만 인가될 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 팔라듬 합금의 제조에 첨가 되는 금속 성분에 의해 상기 합금의 연성이 증가하는 경우에는, 하나 이상의 방향, 예를 ,들 면, 2 방향, 3 방향으로 인장력을 인가하여 상기 박막에 나노 갭을 형성하는 것을 촉진할 수 도 있다.
상기 3 방향으로 인장력이 인가되는 경우에는, 제 1방향, 상기 제 1방향과 수직을 이 루는 제 2방향, 및 상기 제 1방향 및 상기 제 2방향과는 다른 방향을 이루는 제 3방향으로 1회 이상 반복하여, 상기 박막에 작용하는 스트레인을 효과적으로 집증시킬 수 있고, 이를 통해 상기 전이금속 또는 그 합금 박막에 나노 갭을 형성할 수 있다. 이때 상기 인장력이 인가되 는 제 2방향은 상기 제 1방향과 90°의 각도를 갖고, 상기 인장력이 인가되는 제 3방향은 상기 제 1방향 및 저 12방향과 ±0ο 보다 크거나 ±90°보다 작은 각도를 갖는 경우에 상기 박막에 작 용하는 스트레인을 효과적으로 집중시킬 수 있다.
한편, 상기 전이금속 또는 그 합금 박막의 두께는 lnm 내지 100/皿의 범위로 하는 것 이 바람직하다. 전이금속 또는 그 합금 박막의 두께는 상기 기판에 인장력을 인가하여 제거 할 때 상기 박막에 효과적으로 나노 갭이 생성되는지 여부와 관련이 있다. 두께가 얇을수록 더 많은 나노 갭이 생성될 수 있다. 그러나, 두께가 지나치게 얇으면 상기 기판에 인장력을 반복적으로 인가할 때, 전이금속 또는 그 합금 박막이 물리적으로 손상되어 찢어질 우려가 있다. 따라서, 효과적으로 박막에 나노 갭을 생성시키면서, 인가된 인장력에 견딜 수 있도록 박막의 두께를 Inm 내지 100/πι로 하는 것이 바람직하며, 상기 탄성 기판의 탄성 특성 및 상 기 전이금속 또는 그 합금 박막의 물성 등을 종합적으로 고려할 때, 상기 박막의 두께는 3 nm 내지 lOOnm로 하는 것이 더욱 바람직하며, 5nm 내지 15nm로 하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 상기 기판은 그 크기에 제한을 받지는 않으나, 기판에 인장력을 인가할 때의 편리성 및 제조된 수소 센서의 크기 등을 종합할 때, 실용적인 관점에서 0.1 내지 10cm의 폭, 0.1 내지 20 cm의 길이, 및 0.01 내지 1cm의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
도 5를 참조하면, 상기와 같은 방법으로 나노 갭이 형성된 전이금속 또는 그 합금 박막은 수소가 존재하지 않는 경우 전류의 흐름이 상기 나노 갭으로 인하여 원활하지 못해 높은 저항을 나타내게 된다. 그러나, 수소 분위기 하에서는 수소를 흡수하여 부피가 팽창하 게 되고, 부피 팽창에 따라 나노 갭들이 메워지면서 낮은 저항을 갖게 된다. 따라서, 이러한 저항값의 변화를 측정하여 상기 나노 갭이 형성된 상기 박막을 수소 감지부로 사용하여 수 소의 농도를 감지할 수 있다.
상기 나노 갭은 상기 기판에 인가되는 인장력 및 그 힘의 방향에 의해 그 폭을 자 유 자재로 조절할 수 있는데, 수소 분위기 하에서 수소를 흡수하여 전이금속 또는 그 합금 이 팽창함에 따라 나노 갭이 메워지고, 이를 통한 저항 값의 변화를 통해 수소를 감지할 수 있는 한계치를 고려하면, lnm 내지 10皿의 폭을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 나노 갭을 갖는 박막은 이은 밀링 처리함으로써 그 표면적을 극 대화시킬 수 있다. 이러한 나노 갭을 갖는 박막을 이온 밀링 처리하는 방법에는 상기와 같 은 박막이 형성된 기판 상부를 이은 밀링 처리하는 방법이 있으며, 이보다 더 바람직하게는, 상기 박막이 형성된 기판 위에 수지층을 도포한 뒤 나노 갭을 갖는 박막 부분만을 노출되도 록 수지층 패턴을 형성하고, 노출된 박막을 이은 밀링 처리한 뒤 그 수지층을 제거하는 방 법이 있다.
또한, 상기 나노 갭을 갖는 전이금속 또는 그 합금 박막을 열처리함으로써 기계적 성질을 증가시킬 수 있다. 이러한 열처리 방법에는 상기 박막이 형성된 기판을 퍼니스 (furnace) 내에서 열처리하는 방법이 있다.
상기 다수개의 나노 갭이 형성된 박막은 전류를 인가할 수 있도록 상기 나노 갭이 형성된 방향과 평행한 방향의 양 끝단에 전도성 금속을 증착하여 전극을 형성시키게 된다. 이때 나노 갭이 형성된 박막과 전극은 서로 전기적으로 연결되어'있다. 이렇게 형성된 전극 중 하나에 전류를 인가 (1+)함과 동시에 전압을 측정 (V+)하고, 다른 한쪽 전극에서 출력되는 전류 (I-)와 전압 (V-)을 측정하여, 2단자 측정 방식 (quasi-two prove method)을 이용하여 수 소 농도 변화에 따른 저항 변화를 측정할 수 있다.
상기와 같이 전이금속 또는 그 합금 박막이 배치된 탄성 기판에 인장력을 작용시켜 나노 갭을 형성한 후, 상기 박막에 전도성 금속을 증착시켜 전극을 형성한 수소 센서는 수 소 가스의 존재 유무에 따라 저항값을 달리하는 특성을 가지며 이를 통해 수소 농도를 측 정할 수 있게 된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서 (10)는 탄성 소재 로 이루어진 기판 (120); 상기 기판 (120) 표면에 배치되고, 상기 기판 (120)에 인가된 인장력에 의해 다수개의 나노 갭 (11)이 형성된 전이금속 또는 그 합금 박막 (110); 및 상기 박막의 양 단에 형성된 전극 (130);을 포함한다.
다시 도 5를 참조하면, 상기 수소 센서 (10)가 수소 가스에 노출되면, 나노 갭을 갖는 Pd 박막 주위의 수소 분압 (H2 partial pressure)이 Pd 박막 내부의 수소 분압 보다 높아지게 되고, 수소 분자는 Pd 박막 표면의 계면 에너지를 낮추기 위해 Pd 박막 표면에 흡착되어 H 원자로 해리된다. Pd 박막 안팎의 수소 분압 차이는 해리된 H 원자가 Pd 박막 내부로 확산 해 들어가는 구동력으로 작용하고, 확산되어 들어간 H 원자는 a— phase Pd 원자가 형성한 격자 (fee, face centered cubic) 구조의 침입형 자리로 침투해서 PdHx를 형성하게 된다. 이 때 침입형 자리로 들어간 H 원자 때문에 격자 상수가 증가하게 된다.
따라세 상기 수소 센서 (10)는 수소 분위기 하에서 격자 상수가 증가하고, 이에 따라 부피가 팽창하게 되면, 부피 팽창에 의해 나노 갭 (11)들이 메워지면서 낮은 저항을 갖게 된 다. 이러한 저항 값의 변화를 측정하여 상기 나노 갭이 형성된 상기 박막을 수소 감지부로 사용하여 수소의 농도를 감지할 수 있다.
상기 방법에 따라 제조된 수소 센서는 기존의 수소 검출 센서와는 달리 상온 측정 이 가능하고 크기가 작으므로 소비 전력을 저감시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 수소 센서는 저가형, 소형화, 저전력소모, 상온 동작의 특성을 만 족시키면서 반웅시간 감소와 안정적 구동이라는 센서로서 필수적인 요건을 충족시킬 수가 있다.
이하에서는, 본 실시예의 여러 구체적인 실험예를 더욱 상세하게 설명한다.
제조예 1
가로 20mm, 세로 10mm, 및 두께 0.75mm의 PDMS 기판 (120) 상에 Pd을 스퍼터를 이용하여 증착시켰다. 이때, Pd 박막 (110)은 두께를 7.5nm로 하고, 가로 15mm, 세로 10mm 의 크기로 기판 (120) 상에 배치하였다.
이어서, 상기 기판 (120)에 인장력을 5회 인가하여, 상기 기판 (120)의 가로 길이가 25mm가 되도록 늘인 후, 인장력을 제거하였다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 상기와 같이 인장력을 작용시켜, Pd 박막 (110)에 나노 갭 을 형성할 수 있었다.
상기 공정을 통해 나노 갭 (11)이 형성된 박막 (110)의 양쪽 단부에 Au전극을 스퍼터 링 방식으로 증착하여 상기 PDMS 기판 (120) 상에 박막 (110)과 전극 (130)이 전기적으로 연 결된 수소 센서 (10)를 제조하였다.
제조예 2
Pd 박막 (110)의 두께를 10nm로 하여, 탄성 기판 (120)에 형성한 것을 제외하고, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 수소 센서 (10)를 제조하였다.
제조예 3
Pd 박막 (110)의 두께를 12nm로 하여, 탄성 기판 (120)에 형성한 것을 제의하고, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 수소 센서 (10)를 제조하였다.
제조예 4
가로 20mm, 세로 10mm, 및 두께 0.75mm의 PDMS 기판 (120) 상에 Pd을 스퍼터를 이용하여 증착하였다. 이때, Pd 박막 (110)은 두께를 6nm로 하고, 가로 15mm, 세로 10mm의 크기로 기판 (120) 상에 배치하였다.
이어서, 상기 기판 (120)에 인장력을 가로 방향 (제 1 방향)으로 인가하여 상기 기판 (120)의 가로 길이가 25mm가 되도록 늘인 후, 인장력을 제거하여, 원래 크기로 복원시켰다. 상기 제 1방향으로 인장력을 작용시킨 기판 (120)에 우상—좌하를 연결하는 대각선 방 향 (제 2방향)으로 인장력을 인가하여, 상기 기판 (120)이 원 대각선 길이에 1.25 배까지 늘어나 도록 인장력을 인가한 후, 다시 원래 크기로 상기 기판을 복원시켰다.
연속해서, 상기 제 2방향으로 인장력을 작용시킨 기판 (120)에 좌상—우하를 연결하는 대각선 방향 (제 3방향)으로 인장력을 작용하여, 상기 기판 (120)이 원 대각선 길이의 1.25 배로 늘어나도록 인장력을 작용 시킨 후, 다시 원래 크기로 상기 기판을 복원시켰다.
상기 제 1, 제 2, 및 제 3방향으로 순차적으로 인장력을 5회 반복 작용하여 상기 기판 (120) 표면에 배치된 상기 박막 (110)에 나노 갭 (11)을 형성하였다.
상기 공정을 통해 나노 갭 (11)이 형성된 박막 (110)의 양쪽 단부에 Au전극을 스퍼터 링 방식으로 증착하여 상기 PDMS 기판 (120) 상에 박막 (110)과 전극 (130)이 전기적으로 연 결된 수소 센서 (10)를 제조하였다.
실험예 1
상기 제조예에 따라 제조된 수소 센서의 특성을 평가하기 위하여, 2단자 측정 방식 을 이용하여 측정이 가능한 시스템 (20)을 제작하여 사용하였다.
상기 시스템은 도 6에 도시된 바와 같은 I-V 측정 장치이며, 상기 제조예의 수소 센서 (10)를 중심으로, 반웅챔버 (210), H2와 N2의 가스의 흐름량을 조절하는 MFC(Mass Flow Controller)(220), 센서의 전압, 전류 인가 장치 (230) 및 가스 탱크 (240)로 구성된다. 상기 시스템 (20)에서 상기 수소 센서 (10)가 장착되는 반응 챔버 (210)는 수소 가스와 센서가 반응할 때 이를 외부와 밀폐시키며, H2와 N2가스는 MFC(220)을 통해 그 양이 정확 하게 조절되어 원하는 비율의 수소 가스 농도를 만들어주는 역할을 한다. 농도가 조절된 H2 가스는 반웅 챔버 (210) 내에서 수소 센서와 반웅하게 되몌 이때의 센서의 변화에 대한 전기 적 신호는 상기 전압, 전류 인가 장치 (230)을 통해 측정된다.
이러한 측정은 상온 및 상압에서 실시되었으며, 나노 갭 (11)을 갖는 Pd 박막 수소 센서 (10)를 외부 전류 인가 장치와 연결된 반웅 챔버 (210) 내에 장착한 뒤, 챔버 내에 H2와 N2가 혼합된 가스를 홀려주며 ΙΟΟηΑ의 전류를 인가하여 전위차의 변화로써 저항의 차이를 측정하였다.
도 7의 (a)는 상기 제조예 1에서 제조된 수소 센서 (10)를 도 6의 시스템 (20)에 장착 하여 4%(40000 ppm)의 수소 농도에서 저항 값의 변화를 측정한 결과를 보여주는 그래프이 고, 도 7의 (b)는 상기 제조예 1의 수소센서를 0 내지 4%의 수소 농도에 노출시킬 때 측정 한 전류 값을 나타내는 그래프이다.
도 7의 (a) 및 (b)를 참조하면, 제조예 1의 수소 센서 (10)는 폭발 상한 농도인 4%의 수소 농도에서 약 1초 (그래프 상의 점 하나가 1초를 의미함) 만에 갑작스러운 저항 변화가 나타남을 알 수 있고, 반웅 챔버 (210) 내에 수소를 제거하는 즉시 저항값이 증가하여, 수소 농도의 변화를 on off 식으로 감지할 수 있는 정밀 수소 센서로 작용할 수 있음을 알 수 있 다.
또한, 도 7의 (c)는 상기 제조예 2에서 제조된 수소 센서, 도 7의 (d)는 상기 제조예 3에서 제조된 수소 센서를 각각 도 6의 시스템 (20)에 장착하여 수소 농도 변화에 따른 저항 값 또는 전류 값 변화를 측정한 결과를 보여주는 그래프이다.
도 7의 (c)를 참조하면, 제조예 2의 수소 센서 역시 0 내지 4%의 수소 농도의 변화 를 on-off 식으로 감지할 수 있는 정밀 수소 센서로 작용할 수 있음을 알 수 있고, 도 7의 (d)를 참조하면, 제조예 3의 수소 센서 역시 수소 농도의 변화에 따라, 전류 값 변화를 보여, 수소 센서로 작용할 수 있음을 알 수 있다.
도 8은 상기 제조예 4에서 제조된 수소 센서 (10)를 도 6의 시스템 (20)에 장착하여 각각 1%(10000 ppm)(a), 0.5%(5000 ppm)(b), 0.05(500 ppm)(c)까지 수소 농도에 변화를 주 면서 저항변화를 측정한 결과를 보여주는 그래프이다.
도 8의 (a)를 참조하면, 폭발 상한 농도 (4%)의 1/4인 l%(10,000ppm) 수소 농도에서 약 1초 만에 갑작스러운 저항 변화가 나타남을 알 수 있다 (X축은 전체 반웅시간을 나타낸 다). 즉, 기존의 수소 센서 소자와 비교하여 월등히 빠른 속도로 수소 가스를 검출할 수 있 다는 것을 나타내고 있을 뿐만 아니라, 수회 반복 후에도 그 신호의 크기에 변화가 없는 매 우 좋은 내구성을 갖고 있음을 알 수 있다.
그리고, 반웅 챔버 (210) 내의 수소를 제거하면. 약 1 내지 2초 만에 빠른 속도로 저 항 값이 증가하여 빠른 회복 속도를 가짐을 알 수 있었다.
도 8의 (b)를 참조하면, 0.5%(5,000ppm)로 수소 농도를 감소시킬 때에도 대략 3 내 지 5초 만에 갑작스러운 저항 변화가 나타나 빠른 속도로 수소를 검출할 수 있음을 알 수 있었고, 회복시간은 대략 3초로 측정되어 본 발명의 수소 센서가 수소 가스를 검출하는데 우수한 성능을 보임을 알 수 있었다.
또한, 도 8의 (c)를 참조하면, 센서의 가장 증요한 요소라고 할 수 있는 초기감지 수 소량에서도 0.05%(500ppm) 수소 농도에서 약 3 내지 5초 만에 수소 가스를 검출하여, 극소 량의 수소를 즉시 검출해 내는 특성을 보였다. 그리고, 수소 제거시 1초 만에 저항값이 증가 하여 빠른 희복 속도를 가짐을 알 수 있었다.
한편, 도 9의 (a)는 본 실시예의 수소 센서의 다른 제조예에 따른 것으로 Pd박막 두께가 16nm인 수소센서를 공기중에 노출시킬 때 측정한 전류 값을 나타내는 그래프이며, 도 9의 (b)는 Pd박막 두께가 14nm인 수소 센서를 공기중에 노출시킬 때 시간에 대한 전류 값의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 9의 (a)에 나타난 바와 같이, Pd 박막이 16nm로 두꺼 을 경우, 기본저항이 0으로 떨어지지 않는 ON센서로 공기증에서 작동함을 알 수 있다. 이에 비하여, Pd 박막의 두께가 14nm로 얇은 도 9의 (b)의 경우 기본저항이 0으로 떨어지는 센 서로서 초기 몇번의 선행 반응 이후 공기 증에서 ON-OFF 센서로 동작함을 알 수 있다. 한편, 도 10은 본 실시예의 수소 센서를 질소중 또는 공기증에 노출시킬 때 나타나 는 메커니즘 및 Pd박막 두께가 8nm인 수소 센서를 공기중에 노출시킬 때 시간에 대한 전 류값의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 10에 나타낸 바와 같이, Pd 박막이 인장에 의해 나 노 크택이 형성 되어 있을 때에는 기본저항이 0으로 떨어지지 않는 ON상태로 존재하다가 수소에 노출하게 되면 팽창에 의해 저항이 감소하게 되고 수소가 모두 제거된 뒤에는 열역 학적 평형 상태로 변화됨에 따라 OFF 상태로 변하여 ON-OFF 센서로 작동함을 알 수 있 다. 이에 대한 하나의 예시로, Pd 박막의 두께가 8nm인 수소 센서를 질소증에 노출시킬 때 시간에 대한 전류값의 변화를 나타내었다.
2. 실시예 B
상기 실시예에서는 전이금속 또는 그 합금을 이용하여 수소센서를 제조하는 것을 설명하였다. 본 실시예에서는 전이금속 합금 중 PdxNh-x 합금 박막을 이용하여 수소 센서 를 제조하는 것을 더욱 구체적으로 설명한다. 본 실시예는 탄성 기판 상에 PdxNh-x 합금 박막을 형성하는 것을 제의하고는 실시예 A에서 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 중복 되는 설명은 생략한다.
먼저 본 발명의 수소 센서를 제조하기 위해서 탄성 기판 상에 PdxNh-x 합금 박막을 형성한다. 상기 합금 박막은 여러 방법으로 형성할 수 있으며, 본 실시예에서는 다음과 같 은 방법에 따라 형성한다. 즉 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따라 상기 PdxN -x 합금 박 막을 형성하는 두 가지 방법이 개략적으로 도시되어 있다.
도 11의 좌측을 보면, 층 대 층 증착 방식으로서, 두 개의 타겟 (Pd, Ni)이 평행하게 위치하고, 샘플 홀더 부분이 희전하면서, 두 타겟 위를 시간차를 두고 번갈아가면 지나가게 되어, Pd와 Ni을 층 대 층 (layer by layer) 형태로 기판 상에 증착한다. 한편, 도 11의 우측 을 보면, 상기 방식과는 다르다는 것을 알 수 있다. 즉 두 개의 타겟이 경사지게 설치되어 있어서, 두 타겟에서 나오는 플라스마는 아래쪽의 샘플 홀더 쪽에서 겹쳐지게 된다. 샘플 홀더가 회전하고 있어, 두 개의 타겟 물질이 고르게 기판 상에 증착된다. 두 물질이 동시에 증착되므로, 상기 방식과 달리 Pd와 Ni이 합금 혹은 고용체를 형성한다. 이러한 방식에 따라 PdxNh-x 합금을 기판 상에 형성하였으며, 어느 방식으로 박막을 증착하여도, 후술하는 수소 검지 특성에는 차이가 없다. 한편, 본 발명은 상기와 같은 증착방식에 제한되지 않는 다는 것을 이해하여야 한다. 즉 상기 PdxNi1-x 합금 증착 방식은 기판에 PdxNh-x 합금을 증착하는 예시적인 발명에 불과하고, 본 발명은 PdxNi1-x 합금의 특정 증착 방식에 제한되지 않는다. 예컨대, 실시예 A에서 설명한 바와 같이, 스퍼터링, 화학기상법, 원자층 증착법 등 이 사용될 수 있다.
도 12에는 본 실시예에 따른 수소 센서 (10)의 사시도가 도시되어 있는데, 탄성 소재 로 이루어진 기판 (120); 상기 기판 (120) 표면에 형성되고, 상기 기판 (120)에 인가된 인장력에 의해 다수개의 나노 갭 (111)이 형성된 PdxNi1-x 합금 박막 (110); 및 상기 박막의 양단에 형성 된 전극 (130)을 포함한다. 실시예 A와 달리, 본 실시예의 기판 (120) 상에는 0.85≤x≤0.96를 만족하는 PdxNi1-x 합금 박막을 형성한다. 본 실시예에서는 종래의 수소 센서에서 통상 채용 되는 Pd 박막 대신에 소정의 조성비를 갖는 PdxNi1-x 합금 박막을 형성하는데, 그 구체적인 이유는 다음과 같다.
즉, Pd 박막의 경우 소정 농도의 수소에 노출됨에 따라 특정 농도이상에서 그 상이 변화하는 상전이 현상이 발생한다. 인장에 의한 나노 갭이 형성되어 수소에 노출되면 갭 사이 간격을 감소시키는 수소농도 이상에서만 반웅이 일어나게 된다. 이는 Pd의 상전이에 의한 것으로서 이 때문에 최저 검지 농도가 매우 높아지는 단점을 갖는다.
그런데 Pd 박막이 아니라 본 실시예에서 제시하는 바와 같이 PdxNh-x 합금 박막을 이용할 경우 노출된 수소농도에 차이에 기이한 상전이 현상이 발생하지 않아, 상술한 바와 같은 수소가스 감지능의 저하와 같은 문제점을 개선할 수 있다는 것이 발견되었다. 본 실 시예에서는 이러한 점을 고려하여, 탄성 기판 (120) 상에 0.85≤x≤0.96를 만족하는 PdxN x 합금 박막 (110)을 형성한다. 상기 몰비 X가 0.85미만이면 Ni함량의 과다로 수소의 노출에 따 른 반웅정도가 낮아지게 되는 문제가 발생하고, 0.96을 초과하면 상술한 바와 같은 상전이의 문제를 유발한다. 보다 바람직하게는, 상기 몰비는 0.90≤x≤0.94이다.
다음으로, 상기 탄성 기판 (120)에 인장력을 인가하여 상기 기판 표면에 형성된 상기 합금 박막 (110)에 나노 갭 (111)을 형성한다. 기타 프와송 비, 탄성 기판의 재료, 탄성 기판 에 인가되는 인장력, 인장력 인가 횟수, 인장력 방향 합금 박막의 두께, 나노 갭의 폭 등은 상기한 실시예 A와 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.
본 실시예에 따라 제조된 수소 센서는 실시예 A의 수소센서와 마찬가지로, 기존의 수소 검출 센서와는 달리 상온 측정이 가능하고 크기가 작으므로 소비 전력을 저감시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 수소 센서는 저가형, 소형화, 저전력소모, 상온 동작의 특성을 만족 시키면서 반웅시간 감소와 안정적 구동이라는 센서로서 필수적인 요건을 층족시킬 수가 있 다.
이하에서는 본 실시예의 실험예를 상세히 설명한다.
가로 20mm, 세로 10mm, 및 두께 0.75誦의 PDMS 기판 상에 PdxNi1-x(단, 0.85≤x <0.96)합금을 스퍼터를 이용하여 증착시켰다. 이때 PdxNii-x 박막은 그 두께를 7.5nm로 하 고, 가로 15mm, 세로 10mm의 크기로 기판 상에 배치하였다.
이어, 상기 기판에 인장력을 5회 인가하여, 상기 기판의 가로 길이가 25mm가 되도 록 늘인 후, 인장력을 제거함으로써 상기 PdxNh-x 박막에 나노 갭을 형성하였다. 도 13은 상기 과정에 따라 나노 갭이 형성된 PdxNh-x 합금 박막의 SEM 이미지 사진이몌 도 14는 나노 갭이 형성된 PdxNi1-x 합금 박막의 광학 이미지 사진이다.
그리고 비교를 위하여, 상기와 동일한 크기의 PDMS 기판상에 Pd를 스퍼터를 이용 하여 증착시켰다. 이때 Pd 박막은 그 두께를 7.5nm로 하고, 가로 15mm, 세로 10mm의 크기 로 기판 상에 배치하였다. 이어, 기판에 인장력을 5회 인가하여, 상기 기판의 가로 길이가 25mm가 되도록 늘인 후, 인장력을 제거함으로써 상기 Pd박막에 나노 갭을 형성하였다. 상기 2개의 공정을 통해 나노 갭이 형성된 박막의 양쪽 단부 각각에 Au전극을 스퍼 터링 방식으로 증착하여 PDMS 기판 상에 박막과 전극이 전기적으로 연결된 수소 센서를 제조하였다. '
상기에 따라 제조된 수소 센서의 특성을 평가하기 위하여, 실시예 A와 마찬가지로, 2단자 측정 방식을 이용하여 측정이 가능한 도 6의 시스템 (20)을 사용하였다. 본 시스템은 실시예 A에서 설명하였으므로, 그 설명을 생략한다.
상기 시스템을 이용한 측정은 상은 및 상압에서 실시하였으며, 나노 갭을 갖는 PdxNii 박막 수소 센서 (10)를 의부 전류 인가 장치와 연결된 반웅 챔버 (210) 내에 장착한 뒤, 챔버 내에 H2와 N2가 혼합된 가스를 홀려주며, 전압을 0.1V로 유지하면서 전류의 세기 를 측정하였다.
도 15에 도시한 바와 같이, Pd9sNi7 합금 박막을 갖는 수소센서를 질소중에 노출시 킬 경우, 최저 수소 검지농도가 약 0.08%임을 알 수 있으며, 도 16에 도시한 바와 같이, 공 기중에 노출시켰을 경우 최저 수소 검지 농도가 0.66%로 매우 낮음을 알 수 있다.
한편, 본 발명자는 기판 상에 형성되는 상기 조성의 박막의 두께를 변화시켜 가면 서, 상기 과정에 따라 실험을 수행하였으며, 그 결과를 도 17 내지 도 21에 나타내었다. 즉 도 17 내지 도 19는 박막의 두께를 각각 8nm, 10nm 및 llnm로 형성한 후 반웅 챔버 (210) 내에서 수소 센서를 공기 중에 노출시켰을 경우 수소 검지 농도를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 도 16과 비교하여 최저 수소 검지 농도가 더 낮아졌음을 알 수 있다. 즉 도 17의 경 우 최저 수소 검지 농도는 0.65%, 즉 6500 ppm이고, 도 18의 경우 최저 수소 검지 농도는 약 0.45%이몌 도 19의 경우 최저 수소 검지 농도는 500 ppm으로서, 극미량의 수소도 검지 할 수 있음을 알 수 있다. 즉 상기 조성의 박막 두께를 증가시킬수록 보다 낮은 농도의 수 소를 검출할 수 있음을 알 수 있다.
한편, 도 20 및 도 21은 박막의 두께를 각각 10nm 및 llnm로 형성한 후, 반웅 챔버 (210) 내에서 수소 센서를 질소 분위기에 노출시켰을 경우 수소 검지 농도를 보여주는 도면 으로서, 도 20의 경우 최저 수소 검지 농도는 약 0.01%, 도 21의 경우 최저 수소 검지 농도 는 약 0.05%로서, 공기 증에서보다 더 낮음을 알 수 있다.
상기한 본 실시예의 실험예와 비교하여, 도 22에 도시한 바와 같이, Pd 박막 (7.5nm 두께)을 갖는 수소센서를 질소 증에 노출시켰을 경우, 최저 수소 검지 농도는 0.4%였으며, 도 23에 도시한 바와 같이, 공기 증에 노출시켰을 경우는 최저 수소 검지 농도가 1.2%로서ᅳ 본 발명에 따른 조성을 갖는 PdxNh-x 합금과 비교하여 그 최저 수소 검지 농도가 더 높음 을 알 수 있다.
즉, 상기한 바와 같이, 본 발명에 따라 소정의 조성을 갖는 PdxN —x 합금 박막을 수 소센서에 이용하는 경우, 수소 노출에 따른 상전이 현상이 억제되어, Pd 박막이 적용된 수 소센서와 비교하여, 극히 더 낮은 농도의 수소를 검지할 수 있다는 것을 알 수 있다.
3. 실시예 C
상기 실시예 A, B에서는 탄성 기판에 인장력을 인가하여 상기 기판에 형성된 박막 에 나노갭을 형성하고, 이 나노 갭을 이용하여 수소를 검출하였다. 이하의 실시예에서는 인 장력 인가가 아닌 다른 메커니즘을 통해 나노 갭을 형성하여 수소를 검출하는 것을 설명한 다. 한편, 실시예 A, B와 중복되는 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 24는 본 실시예에 따라 수소센서 제조공정을 보여주는 도면이다. 도 24(a)에 나 타난 바와 같이, 본 실시예에서도 상기 실시예와 마찬가지로 먼저 탄성기판 (10)을 마련한다. 이러한 탄성 기판 (10)은 후속하는 공정에서 그 위에 형성된 Pd 또는 Pd 합금 박막이 상변 화로 부피 팽창시, 그 팽창을 그대로 수용하는 역할을 하며, 이에 의해 상기 박막에 나노 갭 형성을 촉진시키는 역할을 한다.
본 발명은 탄성 기판 (10)의 조성 및 종류에 특별히 제한되지 않으며, 기판 상부에 형성되는 Pd 또는 Pd 합금 박막의 상변화시 야기되는 부피팽창 및 수축을 그대로 수용할 수 있는 탄성재료이면 무엇이든 사용 가능하다. 예컨대, 실시예 A, B와 마찬가지로, 천연고 무, 합성고무, 또는 폴리머를 이용하여 마련할 수 있다.
이어서, 도 24(b)에 나타낸 바와 같이, 상기 탄성기판 (10)상에 α상을 갖는 Pd 또는 Pd 합금박막 (30)을 형성한다. 이러한 Pd또는 Pd 합금박막 (30)을 형성하는 방법으로는 당업 계에서 통상 사용되고 있는 어떠한 방법도 사용 가능하며, 상기 실시예와 마찬가지로 스퍼 터링, 화학기상법 (CVD) 등을 이용할 수 있다.
한편 상기 형성되는 박막 (30)의 두께는 후속하는 공정에서 박막 (30)의 α {3상변화시 상기 박막 (30)에 효과적으로 나노 갭이 생성되는지 여부와 관련이 있다. 즉 두께가 얇을수록 더 많은 나노 갭이 생성될 수 있다. 따라서 효과적으로 박막에 나노 갭을 생성시킬 수 있도 록, 상기 실시예와 마찬가지로, 상기 박막 (30)의 두께를 lnm 내지 100/zm로 하는 것이 바람직 하며, 보다 바람직하게는 3nm 내지 lOOnm, 가장 바람직하게는 5nm 내지 15nm이다.
그리고 본 실시예에서 상기 Pd 합금 박막은 Pd_Ni, Pd-Pt, Pd-Ag, Pd- Ti, Pd-Fe, Pd-Zn, Pd-Co, Pd-Mn, Pd-Au, Pd-W중 선택된 1종의 박막일 수 있으며, 보다 바람직하게 는, Pd— Ni 박막이다.
이어서, 도 24(c)에 도시한 같이, 상기 형성된 α상의 박막 (30)을 소정 농도의 수소 함유 가스에 노출시킨다. 이러한 수소함유 가스 노출에 의해 기판 (10)에 형성된 α상의 박막 (30)은 서서히 β상의 박막 (30)으로 상변화가 일어나게 된다.
이때 도 24(c)에 나타낸 바와 같이, 수소 흡수에 따라 상기 박막 (30)에 부피팽창이 발생하게 되며, 그 하부의 탄성 기판 (10)은 이러한 박막 (30)의 부피팽창을 수용하게 된다. 그 결과, 상기 β상으로 상변화된 박막 (30) 내부에는 부피 팽창에 따른 나노 갭이 형성되며, 대략 lnm 내지 10/皿의 폭을 가질 수 있다. 한편, 상기 수소함유 가스 노출시 그 수소 농도를 2~15 % 범위로 하는 것이 바람직하다. 이러한 농도 범위에서 상기 박막 (30)의 상변화가 용 이하게 일어나기 때문이다.
후속하여, 수소함유 가스 노출을 증지시켜 β상의 박막 (30)을 다시 α상으로 전환시킨 다 (도 24(d)). 이러한 α상으로 전환 이후에도, 상기 박막 (30)의 내부에는 계속하여 부피 팽창 에 따른 나노 갭이 잔존하게 되어 유효하게 수소 센서로서 작동할 수 있다. 나노갭에 의한 수소 센서 동작 원리는 상기한 실시예와 동일하다. 또한, 상기 실시예와 마찬가지로, 상기 나노 갭을 갖는 박막 (30)을 이온 밀링 처리하여 그 표면적을 증가시킬 수도 있고, 또 열처리 하여 기계적 성질을 증대시킬 수도 있다.
이하, 실험예를 통하여 본 실시예를 상세히 설명한다.
(실험예)
가로 20mm, 세로 10mm, 및 두께 0.75mm의 PDMS 기판 상에 Pd을 스퍼터를 이용 하여 증착시켰다. 이때, 얻어질 α상의 Pd 박막은 두께를 각각 10nm, llnm로 하여, 가로 15mm, 세로 10mm의 크기로 PDMS 기판상에 형성하였다. 이어, 상기 각각의 PDMS 기판 상에 형성된 α상의 Pd 박막을 각각 10% 수소농도를 갖는 수소함유 가스에 노출시켜 그 박 막을 β상으로 상변화시켰다. 후속하여, 상기 수소 함유 가스 노출을 증지시켜 다시 그 박막 의 상을 다시 α상으로 전환시켰다.
도 25는 상기 공정으로 제조된 두께 10nm의 Pd 박막에 대한 OM(OPtical Microscope, 전자광학현미경) 이미지 사진이다. 도 25에 나타낸 바와 같이, 상기 공정으로 제조된 Pd 박막의 경우 그 내부에 나노 갭이 형성되어 있으며, 이에 따라 수소 센서로서 용이하게 이용될 수 있음을 알 수 있다.
이어서, 상기 공정을 통해 나노 갭이 형성된 박막의 양쪽 단부에 Au전극을 스퍼터 링 방식으로 증착하여 PDMS 기판상에 Pd 박막과 전극이 전기적으로 연결된 수소 센서를 제조하였다. 그리고 상기 제조된 수소 센서의 특성을 평가하기 위하여, 상기 실시예와 마찬 가지로 2단자 측정 방식을 이용하여 측정이 가능한 도 6에 도시한 것과 I-V 측정 장치를 사용하였다.
이러한 측정은 상온 및 상압에서 실시되었으며, 나노 갭을 갖는 Pd 박막 수소 센서 (10)를 외부 전류 인가 장치와 연결된 반웅 챔버 (210) 내에 장착한 뒤, 챔버 내에 H2와 N2가 혼합된 가스를 홀려주며 ΙΟΟηΑ의 전류를 인가하여 시간에 따른 전류의 변화를 측정하였다. 도 26(a)는 두께 10nm의 Pd 박막을 0.5~4% 수소 농도에 노출시킬 때 측정한 전류 값의 변화를 나타낸 그래프이며, 도 26(b)는 두께 llnm의 Pd 박막을 0.5~4% 수소 농도에 노출시킬 때 측정한 전류값의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 26(a) 및 (b)에 나타낸 바와 같 이, 본 실시예에 따라 제조된 수소 센서의 경우, 수소 노출 시는 전류값을 가지나 수소 제거 시 그 전류값이 0으로 감소하여 수소 농도의 변화를 on-off 식으로 감지할 수 있는 정밀 수 소 센서로 작용할 수 있음을 알 수 있다.
한편 도 27은 두께 10.5nm의 Pd박막을 공기 증에서 2% 수소농도에 노출시킬 때 측 정한 전류값의 변화를 나타낸 그래프로서, 이 경우에도 수소가스 노출 시 전류값을 가지나 수소 제거시 그 전류값이 0으로 감소하여 수소농도의 변화를 on-off 식으로 감지할 수 있음 을 알 수 있다.
이상 본 발명의 여러 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 이들 실시예에 제 한되지 않는다는 점을 이해하여야 한다. 즉 후술하는 특허청구범위 내에서 상기 실시예를 다양하게 변형 및 수정할 수 있으며, 이들은 모두 본 발명의 범위 내에 속하는 것이다. 따 라서, 본 발명은 특허청구범위 및 그 균등물에 의해서만 제한된다.

Claims

【청구의 범위】
【청구항 1】
탄성기판의 표면에 전이금속 또는 그 합금 박막을 형성하는 단계와;
상기 탄성 기판에 인장력을 인가하여, 상기 기판 표면에 형성된 상기 합금 박막에 복수 개의 나노 갭을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 인장력의 인가 시에 상기 박막은 인장력이 작용하는 방향으로 인장되는 동시 에 인장력이 작용하는 방향과 수직한 방향으로 압축되고, 상기 인장력의 회수 시에 상기 박 막은 인장력이 회수된 방향으로 다시 압축되면서 그 회수 방향과 수직한 방향으로 다시 인 장되어, 상기 나노 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 수소 센서 제조 방법.
【청구항 2】
청구항 1에 있어서, 상기 전이금속은 Pd, Pt, Ni, Ag, Ti, Fe, Zn, Co, Mn, Au, W, In 및 Al 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수소센서의 제조방법.
【청구항 3】
청구항 1에 있어서, 상기 합금은 Pd— Ni, Pt-Pd, Pd-Ag, Pd- Ti, Pd-Fe, Pd-Zn, Pd-Co, Pd— Mn, Pd-Au, Pd-W, Pt-Ni, Pt-Ag, Pt— Ag, Pt-Ti, Fe— Pt, Pt-Zn, Pt-Co, Pt-Mn, Pt-Au 및 Pt-W증에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수소센서의 제조방법.
【청구항 4】
청구항 1에 있어서, 상기 전이금속은 Pd이고, 상기 합금은 Pd 합금인 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 5】
청구항 1에 있어서, 상기 탄성기판의 표면에 0.85≤x≤0.96를 만족하는 PdxNi1-x 합 금 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 6】
청구항 5에 있어서, 상기 탄성기판의 표면에 0.90≤x≤0.94를 만족하는 PdxNh-x 합 금 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 7】
청구항 1 내지 청구항 6 증 어느 한 항에 있어서, 상기 탄성 기관은 으2~0.8의 프와 송 비 (Poisson's ratio)를 갖는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
[청구항 8】
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인장력은 상기 탄성 기판이 1.05내지 1.50 배로 신장되도록 인가되는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 9】
청구항 1 내지 청구항 8중 어느 한 항에 있어서, 상기 탄성 기판은 천연고무, 합성 고무 또는 폴리머로 제조하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 10】
청구항 1 내지 청구항 9 증 어느 한 항에 있어서, 상기 인장력은 상기 탄성 기판에 1회 이상 반복 인가하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 11】
청구항 1 내지 청구항 10중 어느 한 항에 있어서, 상기 인장력은 상기 탄성 기판에
1방향 이상에서 인가하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 12]
청구항 11에 있어서, 상기 인장력은 제 1 방향, 상기 제 1 방향과 수직을 이루는 제
2 방향, 그리고 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향과는 다른 방향을 이루는 제 3방향으로 반복 인가하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 13]
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막의 두께는 약 1 nm 내 지 약 인 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 14] 청구항 1 내지 청구항 13 증 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 갭은 약 1 nm 내지 10^의 간격을 두고 형성되는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 15]
청구항 1 내지 청구항 14 증 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 갭이 형성된 상기 전 이금속 또는 그 합금 박막을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 센서 의 제조방법.
【청구항 16]
청구항 1 내지 청구항 14 증 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 갭이 형성된 상기 전 이금속 또는 그 합금 박막을 이온 밀링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조방법.
【청구항 17】
탄성 기판을 준비하는 단계와;
상기 탄성 기판에 α상을 갖는 Pd또는 Pd 합금 박막을 형성하는 단계와;
상기 박막을 소정 농도의 수소 함유 가스에 노출시켜, 상기 α 상의 박막을 β 상의 박막으로 변화시켜, 부피 팽창에 따른 나노 갭을 상기 박막에 형성하는 단계와;
상기 수소 함유 가스에 대한 노출을 중단시켜, 상기 β 상의 박막을 다시 α 상의 박 막으로 변화시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 18]
청구항 17에 있어서, 상기 α상으로 전환된 상기 박막을 열처리하는 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조방법.
【청구항 19]
청구항 17 또는 청구항 18에 있어서, 상기 α 상으로 전환된 상기 박막을 이은 밀링 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조방법.
【청구항 20]
청구항 17 내지 청구항 19증 어느 한 항에 있어세 상기 수소 함유 가스 노출시 수 소 농도를 2~15%로 하는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 21]
청구항 17 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막의 두께는 약 1 nm 내지 약 100/mi의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 수소 센서의 제조 방법.
【청구항 22]
탄성 재질의 기판과;
상기 기판의 표면에 형성된 전이금속 또는 그 합금의 박막과;
상기 박막의 양단에 형성된 전극
을 포함하고,
상기 박막에는 상기 기판에 인가된 인장력에 의해 형성된 복수 개의 나노 갭이 포 함되어 있는 것을 특징으로 하는 수소 센서.
【청구항 23】
청구항 22에 있어서, 상기 전이금속은 Pd, Pt, Ni, Ag, Ti, Fe, Zn, Co, Mn, Au, W, In 및 Al 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수소센서.
【청구항 24】
청구항 22에 있어서, 상기 합금은 Pd_Ni, Ptᅳ Pd, Pd— Ag, Pd- Ti, Pd— Fe, Pd— Zn, Pd-Co, Pd-Mn, Pd— Au, Pd-W, Pt-Ni, Pt-Ag, Pt-Ag, Ptᅳ Ti, Fe-Pt, Pt-Zn, Pt-Co, Pt-Mn, Pt-Au 및 Pt-W증에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수소센서.
【청구항 25】
청구항 24에 있어서, 상기 박막은 0.85<x≤0.96를 만족하는 PdxNh-x 합금 박막인 것을 특징으로 하는 수소 센서.
【청구항 26】
청구항 25에 있어서, 상기 박막은 0.90≤x≤().94를 만족하는 PdxNi1-x 합금 박막인 것을 특징으로 하는 수소 센서.
【청구항 27]
청구항 22 내지 청구항 26 증 어느 한 항에 있어서, 상기 박막은 그 두께가 약 1 nm 내지 약 100/ΛΠ의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 수소 센서.
【청구함 28】
청구항 22 내지 청구항 27 증 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 갭은 약 1 ητη 내지 약 10/ 의 간격을 두고 형성된 것을 특징으로 하는 수소 센서.
【청구항 29]
탄성 재질의 기판과;
상기 기판의 표면에 형성된 Pd또는 Pd 합금의 박막과;
상기 박막의 양단에 형성된 전극
을 포함하고,
상기 박막에는 청구항 17의 방법에 따라 형성된 복수 개의 나노 갭이 포함되어 있 는 것을 특징으로 하는 수소 센서.
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