WO2011040484A1 - シリコンエッチング液およびエッチング方法 - Google Patents

シリコンエッチング液およびエッチング方法 Download PDF

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WO2011040484A1
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thiourea
silicon
thioureas
solution
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喜子 藤音
隆二 外赤
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三菱瓦斯化学株式会社
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    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
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    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide

Definitions

  • the present invention relates to a silicon etching process, and more particularly to a silicon etching solution and a silicon etching method used for manufacturing MEMS parts and semiconductor devices.
  • TMAH tetramethylammonium
  • the silicon surface is oxidized by a component having an oxidizing action such as nitric acid to produce silicon oxide, and this silicon oxide is dissolved as silicon fluoride by hydrofluoric acid or the like, so that etching is performed. proceed.
  • a feature of etching with an acid-based etching solution is that etching proceeds isotropically.
  • the etching rate of the acidic etching solution varies depending on the mixing ratio of hydrofluoric acid and nitric acid, and is about 1 to 100 ⁇ m / min.
  • the acidic etching solution corrodes metal wiring such as Cu and Al, and has a drawback that it is difficult to use in a process in which metal coexists.
  • etching when an alkaline etching solution is used, silicon is dissolved as silicate ions by the hydroxy anion in the solution, and at this time, water is reduced to generate hydrogen.
  • etching when etching is performed with an alkaline etching solution, unlike an acid etching solution, etching with single crystal silicon proceeds while having anisotropy. This is based on the fact that there is a difference in the dissolution rate of silicon for each crystal plane orientation of silicon, which is also called crystal anisotropic etching. Microscopically, etching proceeds while maintaining anisotropy when viewed microscopically, but since the crystal grain orientation is randomly distributed, macroscopically isotropic etching seems to proceed. Looks like. In amorphous, etching proceeds isotropically both microscopically and macroscopically.
  • an aqueous solution of sodium hydroxide (NaOH), ammonia, hydrazine, or the like is used in addition to an aqueous solution of KOH and TMAH.
  • NaOH sodium hydroxide
  • TMAH TMAH
  • a long processing time of several hours to several tens of hours is often required depending on a target processing shape, temperature conditions for processing, and the like.
  • Patent Document 1 discloses a technique of using an aqueous solution obtained by adding hydroxylamines to TMAH as an etching solution.
  • Patent Document 2 discloses a technique in which an aqueous solution obtained by adding a specific compound such as iron, iron chloride (III), iron hydroxide (II) or the like to TMAH is used as an etching solution, and the effect of increasing the etching rate is disclosed. It is disclosed that a combination of iron and hydroxylamine is particularly suitable at a height of 5 mm.
  • Patent Document 3 discloses a technique using an aqueous solution obtained by adding hydroxylamines to KOH as an etching solution.
  • Patent Document 4 discloses an etching solution comprising an alkali reducing compound and an anticorrosive agent (such as sugar, sugar alcohol, catechol).
  • the alkaline etching solution containing hydroxylamine as disclosed in Patent Document 1 has a feature that the etching rate is greatly improved as compared with an alkaline etching solution not containing hydroxylamine, but the etching solution is heated for a long time. Then, there is a drawback that hydroxylamine is decomposed and the etching rate is lowered.
  • Patent Document 5 discloses a technique for suppressing decomposition of hydroxylamine by adding an acid to an alkali and suppressing a decrease in etching rate.
  • Patent Document 6 discloses a technique for suppressing decomposition of hydroxylamine by adding an alkali salt to alkali and hydroxylamine, thereby suppressing a decrease in etching rate.
  • Patent Document 7 as a patent including KOH, hydroxylamine, and urea, but it is a patent related to development of a photoresist, and there is no description about a silicon etching solution and an etching method. In addition, it is known that in the etching of Si ⁇ 110 ⁇ , if Cu is present, the etching rate is greatly reduced (Non-patent Document 3).
  • Cu may be used as a material used for various members including wiring.
  • An alkaline etching solution containing hydroxylamine has a feature that the etching rate of silicon is high, but if Cu is present on a substrate immersed in the etching solution, there is a disadvantage that the etching rate of silicon is remarkably reduced. Even when Cu is present on the same substrate as silicon or on another substrate that is immersed at the same time, it causes a decrease in the etching rate.
  • an object of the present invention is to provide an etching agent composition that maintains a high etching rate even when Cu is present on a substrate in silicon etching. Furthermore, it is providing the electronic device which has a silicon substrate processed by this etching method.
  • an alkaline etchant composition having a composition obtained by adding thioureas to an alkaline etchant containing hydroxylamine contains Cu.
  • the etching rate of silicon does not decrease, and have completed the present invention. That is, the present invention relates to a silicon etching solution and an etching method, and is as follows. 1.
  • a silicon etching solution for anisotropically dissolving single crystal silicon wherein (1) one or more alkaline hydroxides selected from potassium hydroxide, sodium hydroxide and tetramethylammonium hydroxide, (2) hydroxylamine And (3) a silicon etching solution, which is an alkaline aqueous solution containing thioureas. 2.
  • Thioureas are thiourea, N-methylthiourea, 1-allyl-3- (2-hydroxyethyl) -2-thiourea, thiourea dioxide, 1,3-dimethylthiourea, 1-benzoyl- 2-thiourea, isopropylthiourea, 1-phenyl-2-thiourea, 1,3-diethylthiourea, diphenylthiourea, benzylthiourea, Nt-butyl-N′-isopropylthiourea, N, N′-diisopropyl 2.
  • the silicon etching solution according to 1 above which is one or more selected from thiourea and di-n-butylthiourea.
  • Thioureas are thiourea, N-methylthiourea, 1-allyl-3- (2-hydroxyethyl) -2-thiourea, thiourea dioxide, 1,3-dimethylthiourea, 1-benzoyl- 2.
  • the silicon etching solution according to 1 above which is at least one selected from 2-thiourea, isopropylthiourea, 1-phenyl-2-thiourea, 1,3-diethylthiourea, and diphenylthiourea. 4).
  • the alkaline hydroxide is at least one selected from potassium hydroxide, sodium hydroxide and tetramethylammonium hydroxide;
  • the thioureas are thiourea, N-methylthiourea, 1-allyl -3- (2-hydroxyethyl) -2-thiourea, thiourea dioxide, 1,3-dimethylthiourea, 1-benzoyl-2-thiourea, isopropylthiourea, 1-phenyl 2-thiourea, 1,3
  • the above 6 which is at least one selected from diethylthiourea, diphenylthiourea, benzylthiourea, Nt-butyl-N′-isopropylthiourea, N, N′-diisopropylthiourea, and di-n-butylthiourea
  • the silicon etching method as described. 8).
  • the alkaline hydroxide used in the present invention is preferably potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and particularly preferably potassium hydroxide or tetramethylammonium hydroxide.
  • KOH potassium hydroxide
  • NaOH sodium hydroxide
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • alkaline hydroxides may be used alone or in combination.
  • the concentration of the alkali compound used in the present invention may be a conventional alkali compound concentration capable of obtaining desired etching characteristics, but the solubility of the alkali compound in water and the concentration of hydroxylamines and thioureas in the etching agent composition.
  • the concentration is 0.1% by mass or more, the silicon etching rate is not very slow or is not etched. If the concentration is 65% by mass or less, crystal precipitation or solidification occurs in the etching agent composition. It is preferable because there is nothing.
  • the concentration of thioureas used in the present invention is preferably 1 to 10000 ppm, more preferably 1 to 5000 ppm, further preferably 1 to 1500 ppm, and particularly preferably 5 to 1200 ppm.
  • concentration of 1 ppm or more the effect of suppressing Cu dissolution by adding thioureas can be clearly obtained, and the decrease in the etching rate of silicon when Cu coexists by adding thioureas can be suppressed.
  • the concentration is 10,000 ppm or less, the saturation concentration of thioureas is not approached, so that precipitation of thioureas does not occur due to water evaporation or the like.
  • thiourea N-methylthiourea, 1-allyl-3- (2-hydroxyethyl) -2-thiourea dioxide thiourea, 1,3-dimethylthiourea, 1-benzoyl-2-thiourea, Isopropylthiourea, 1-phenyl-2-thiourea, 1,3-diethylthiourea, diphenylthiourea, benzylthiourea, Nt-butyl-N′-isopropylthiourea, diisopropylthiourea, di-n-butylthiourea
  • the concentration of hydroxylamine used in the present invention can be appropriately determined according to a desired silicon etching rate, and is preferably in the range of 3 to 15% by mass. The range is more preferably 5 to 15% by mass, still more preferably 7 to 13% by mass, and particularly preferably 9 to 11% by mass.
  • the hydroxylamine concentration is 5% by mass or more, the rate of decrease in the etching rate of silicon when coexisting with Cu does not become low, so that the effect of suppressing the decrease in the etching rate of silicon in this etching solution can be clearly obtained.
  • the hydroxylamine concentration is increased, the etching rate tends to increase monotonously with this.
  • the concentration is 11% by mass or less, the effect of improving the etching rate by the concentration of hydroxylamine can be obtained efficiently.
  • the hydroxylamine concentration may be appropriately determined in consideration of a desired etching rate.
  • the object is usually immersed in a heated etching solution, taken out after a lapse of a predetermined time, and the etching solution adhering to the object is washed away with water or the like and then attached.
  • the etching temperature is preferably 40 ° C. or higher and lower than the boiling point, more preferably 50 ° C. to 90 ° C., particularly preferably 70 ° C. to 90 ° C.
  • the etching temperature is 40 ° C. or higher, the etching rate does not decrease, so that the production efficiency can be improved.
  • the temperature is 90 ° C.
  • the liquid composition hardly changes, and it is easy to keep the etching conditions constant.
  • an optimum processing temperature may be appropriately determined in consideration of suppressing a change in the composition of the etching solution.
  • Etching time can be appropriately selected depending on etching conditions and etching target.
  • the object of the etching treatment in the present invention is a substrate containing single crystal silicon, and single crystal silicon is present in the entire region or a partial region of the substrate.
  • the Cu etching rate of the substrate, such as wiring is exposed from the beginning of the substrate surface, or the Cu inside the substrate is exposed to the surface by etching of silicon. Can be suppressed.
  • Single crystal silicon may be in a single layer or in a state of being laminated in multiple layers. Those which are ion-doped in the whole region or a partial region of these substrates are also objects of etching treatment.
  • the present invention also applies to a case where a material such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon organic film, or a metal film such as an aluminum film, a chromium film, or a gold film is present on the surface of the etching object or inside the object. It is included in the object of the etching process.
  • a material such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon organic film, or a metal film such as an aluminum film, a chromium film, or a gold film is present on the surface of the etching object or inside the object. It is included in the object of the etching process.
  • the silicon etching solution of the present invention has a high silicon etching rate, which is a feature of an alkaline aqueous solution containing hydroxylamine, even when Cu is present in the solution as in the case where Cu is not present. It can be expressed. Therefore, the silicon etching solution of the present invention is suitably used for etching an object in which a silicon substrate is used and Cu is used as a constituent member thereof.
  • the etching object used for the evaluation is a single crystal silicon (100) (sometimes simply referred to as silicon (100)) wafer.
  • One side of the silicon (100) wafer is covered with a protective film made of a silicon thermal oxide film, and a part of the silicon thermal oxide film is removed by dry etching on the other side.
  • the silicon surface (0.25 cm ⁇ 0.25 cm) has a pattern shape that is regularly exposed.
  • This silicon (100) wafer was immersed in a 1% hydrofluoric acid aqueous solution at 23 ° C. for 15 minutes immediately before etching, and then rinsed with ultrapure water and dried. By this hydrofluoric acid aqueous solution treatment, the silicon natural oxide film formed on the surface of the exposed portion of the patterned silicon surface was removed, and then the next etching treatment was performed.
  • the single crystal silicon (100) wafer that has been subjected to the etching process has a pattern portion that is recessed from the surroundings as the single crystal silicon is etched, and the height difference between the etched portion and the unetched portion is measured.
  • the etching depth of the single crystal silicon (100) plane in 30 minutes was obtained.
  • a value obtained by dividing the etching depth by 30 was calculated as an etching rate (unit: ⁇ m / min) of the single crystal silicon (100) plane.
  • the thickness of the Cu flakes was measured again with a fluorescent X-ray analyzer, and the etching depth of the Cu flakes in 60 minutes was determined by determining the difference in film thickness before and after the treatment. A value obtained by dividing the etching depth by 60 was calculated as a Cu etching rate (unit: ⁇ / min).
  • the etching rate of Cu is less than 1 ⁇ / min.
  • the etching rate of Cu is 10 ⁇ / min or more. From this, it has been found that thioureas have not only the effect of not decreasing the etching rate of Si when Cu coexists, but also the ability to prevent dissolution of Cu.
  • Comparative Example 14-33 The results are summarized in Table 4 except that the etching solution shown in Table 4 contains 0.5 ppm of Cu (excluding Cu flakes) and is the same as Example 27. Since the silicon etching solution of the present invention can exhibit a high silicon etching rate, which is a feature of an alkaline aqueous solution containing hydroxylamine, even when Cu is present in the solution, as in the case where Cu is not present.
  • One component (3) thioureas is considered to exhibit the ability to form a chelate with Cu.
  • the chelating agent used in Comparative Examples 14-33 having the ability to form a chelate with Cu it is shown that the silicon etching performance is significantly inferior to the silicon etching solution of the present invention. It was. That is, according to the present invention, it has been shown that (3) thioureas can provide an excellent effect due to a synergistic effect with other components (1) alkaline hydroxide and (2) hydroxylamine.
  • an etching solution that does not reduce the etching rate of silicon and that does not etch Cu can be provided, which is industrially useful.

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Abstract

　シリコンのエッチング加工、特に半導体やＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミンを含有するエッチング液に特徴的な、液中にＣｕが存在すると起こるＳｉエッチング速度の低下を抑制することによって、高いエッチング速度を発現するエッチング液およびエッチング方法を提供する。　アルカリ性水酸化物とヒドロキシルアミンとチオ尿素類を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法である。

Description

シリコンエッチング液およびエッチング方法
　本発明はシリコンのエッチング加工に関し、特にＭＥＭＳ部品や半導体デバイスの製造に用いるシリコンエッチング液ならびにシリコンエッチング方法に関する。
　一般にシリコン単結晶基板を化学薬液にてエッチングする場合には、フッ酸と硝酸等の成分を加えた混合水溶液である酸系エッチング液にてエッチングする方法、または水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（以下、単にＴＭＡＨと表記することがある。）等の水溶液であるアルカリ系エッチング液にてエッチングする方法が行われている（非特許文献１、２参照）。
　酸系エッチング液を用いた場合、硝酸等の酸化作用をもった成分によってシリコン表面が酸化されて酸化ケイ素が生成し、この酸化ケイ素はフッ酸等によってフッ化シリコンとして溶解されることによってエッチングが進行する。酸系エッチング液でエッチングを行った際の特徴はエッチングが等方的に進行することにある。酸性エッチング液のエッチング速度は、フッ酸と硝酸の混合比によって異なり、１～１００μｍ／ｍｉｎ程度である。しかし、酸性エッチング液はＣｕやＡｌなどの金属配線を腐食してしまい、金属が共存する工程においては使用しづらいという欠点がある。
　一方、アルカリ系エッチング液を用いた場合、液中のヒドロキシアニオンによってシリコンはケイ酸イオンとして溶解し、この際、水が還元されて水素を発生する。アルカリ系エッチング液でエッチングを行うと、酸系エッチング液とは異なり、単結晶シリコンでのエッチングは異方性を有しながら進行する。これはシリコンの結晶面方位ごとにシリコンの溶解速度に差があることに基づいており、結晶異方性エッチングとも呼ばれる。多結晶でも微視的に見れば異方性を保持しつつエッチングが進行するが、結晶粒の面方位はランダムに分布していることから、巨視的には等方性のエッチングが進行するように見える。非晶質では微視的にも巨視的にも等方性にエッチングが進行する。
　アルカリ系エッチング液としては、ＫＯＨ、ＴＭＡＨの水溶液以外にも水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、アンモニア、ヒドラジンなどの水溶液が使用される。これらの水溶液を用いた単結晶シリコン基板のエッチング加工においては、目的とする加工形状や処理を行う温度条件等にもよるが、数時間から数十時間という長い加工時間を要する場合が多い。
　この加工時間を少しでも短縮することを目的に、高いエッチング速度を示す薬液が開発されている。例えば、特許文献１にはＴＭＡＨにヒドロキシルアミン類を添加した水溶液をエッチング液として使用する技術が開示されている。また特許文献２にはＴＭＡＨに鉄、塩化鉄（ＩＩＩ）、水酸化鉄（ＩＩ）などの特定の化合物を添加した水溶液をエッチング液として使用する技術が開示されており、エッチング速度を速くする効果の高さでは、鉄とヒドロキシルアミンを併用する組み合わせが特に好適であることが開示されている。また特許文献３にはＫＯＨにヒドロキシルアミン類を添加した水溶液をエッチング液として使用する技術が開示されている。また、特許文献４にはアルカリ還元性化合物と防食剤（糖、糖アルコール、カテコール等）からなるエッチング液が開示されている。特許文献１に示されるようなヒドロキシルアミンを含有したアルカリエッチング液は、ヒドロキシルアミン未含有のアルカリエッチング液と比較してエッチング速度が大幅に向上するという特長をもつが、エッチング液を長時間加温するとヒドロキシルアミンが分解してしまい、エッチング速度が低下してしまうという欠点がある。
　これを解決する為に、特許文献５にはアルカリに酸を添加することでヒドロキシルアミンの分解を抑制し、エッチング速度低下を抑制する技術が開示されている。また、特許文献６にはアルカリとヒドロキシルアミンにアルカリ塩を添加することでヒドロキシルアミンの分解を抑制し、エッチング速度低下を抑制する技術が開示されている。ＫＯＨ、ヒドロキシルアミン、尿素を含む特許として特許文献７があるが、フォトレジストの現像に関する特許であり、シリコンエッチング液およびエッチング方法に関する記載は一切ない。
　また、Ｓｉ｛１１０｝のエッチングにおいて、Ｃｕが存在するとエッチング速度が大きく低下することが知られている（非特許文献３）。
特開２００６－０５４３６３号広報 特開２００６－１８６３２９号広報 特開２００６－３５１８１３号広報 特開２００７－２１４４５６号広報 特開２００９－１１７５０４号広報 特開２００９－１２３７９８号広報 特開２０００－５１６３５５号広報 佐藤、「シリコンエッチング技術」、表面技術、Ｖｏｌ．５１、Ｎｏ．８、２０００、ｐ７５４～７５９ 江刺、「２００３マイクロマシン／ＭＥＭＳ技術大全」、ｐ．１０９～１１４ 田中、阿部、米山、井上、「ｐｐｂオーダの不純物を制御したシリコン異方性エッチング」デンソーテクニカルレビュー、Ｖｏｌ．５、Ｎｏ．１、２０００、ｐ５６－６１
　半導体デバイスやＭＥＭＳ部品の製造工程において、配線をはじめとする各種部材に用いられる材料としてＣｕが使われることがある。ヒドロキシルアミン入りのアルカリ系エッチング液はシリコンのエッチング速度が高いという特長をもつが、エッチング液中に浸漬する基板上にＣｕが存在すると、シリコンのエッチング速度が著しく低下してしまうという欠点がある。Ｃｕは、シリコンと同一基板上に存在する場合でも、同時に浸漬する他の基板上に存在する場合でもエッチング速度の低下を引き起こす。
　本発明の目的は、前記の問題点を鑑み、シリコンエッチングにおいて、基板上にＣｕが存在する場合においても、エッチング速度が高く保持されるエッチング剤組成物を提供する。更にはこのエッチング方法により加工されたシリコン基板を有する電子機器を提供することにある。
　本発明者等は上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、ヒドロキシルアミンを含有するアルカリ系エッチング液にチオ尿素類を添加した組成のアルカリ系エッチング剤組成物が、Ｃｕが存在してもシリコンのエッチング速度が低下しないことを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明はシリコンエッチング液およびエッチング方法に関するものであり、以下のとおりである。
１．単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング液であって、（１）水酸化カリウム、水酸化ナトリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムから選ばれる１種以上のアルカリ性水酸化物、（２）ヒドロキシルアミンおよび（３）チオ尿素類を含有したアルカリ性水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液。
２.（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル－２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、ジフェニルチオ尿素、ベンジルチオ尿素、Ｎ－ｔ－ブチル－Ｎ’－イソプロピルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピルチオ尿素、およびジ－ｎ－ブチルチオ尿素から選ばれる１種以上である上記１記載のシリコンエッチング液。
３.（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２―ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル－２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、ジフェニルチオ尿素から選ばれる１種以上である上記１記載のシリコンエッチング液。
４．（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、および二酸化チオ尿素から選ばれる１種以上である上記１記載のシリコンエッチング液。
５．シリコン基板が用いられ、その構成部材にＣｕが使用される対象物のエッチングに用いられる上記１～４のいずれかに記載のシリコンエッチング液。
６．単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング方法であって、（１）アルカリ水酸化物と、（２）ヒドロキシルアミンおよび（３）チオ尿素類を含有するアルカリ性水溶液を用いてエッチング対象物をエッチングすることを特徴とするシリコンエッチング方法。
７.（１）アルカリ性水酸化物が水酸化カリウム、水酸化ナトリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムから選ばれる１種以上であり、（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル－２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、ジフェニルチオ尿素、ベンジルチオ尿素、Ｎ－ｔ－ブチル－Ｎ’－イソプロピルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピルチオ尿素、およびジ－ｎ－ブチルチオ尿素から選ばれる１種以上である上記６記載のシリコンエッチング方法。
８．エッチング対象物が、シリコン基板が用いられ、その構成部材にＣｕが使用されるものである上記６又は７に記載のシリコンエッチング方法。
　本願発明により、シリコンエッチングにおいて、液中にＣｕが存在する場合においてもＣｕが存在しない場合と同様にヒドロキシルアミンを含んだアルカリ性水溶液の特長である高いシリコンエッチング速度を発現できる。
　本発明に用いる（１）アルカリ性水酸化物は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）あるいは水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）が好ましく、特に水酸化カリウムまたは水酸化テトラメチルアンモニウムが好ましい。また、（１）アルカリ性水酸化物は、これらを単独であるいは複数を組み合わせて用いてもよい。
　本発明に用いるアルカリ化合物の濃度は、所望のエッチング特性を得られる従来のアルカリ化合物濃度でよいが、アルカリ化合物の水への溶解度並びにエッチング剤組成物中のヒドロキシルアミン類濃度およびチオ尿素類の濃度によって適宜決定することも可能であり、好ましくは０．１～６５質量％の範囲、より好ましくは、１～４５質量％、さらに好ましくは５～４０質量％、特に好ましくは５～３０質量％の範囲で使用される。０．１質量％以上の濃度では、シリコンエッチング速度が非常に遅い、あるいはエッチングがなされないということがなく、６５質量％以下の濃度ではエッチング剤組成物中での結晶の析出や固化などが生じることがないため好ましい。
　本発明に用いるチオ尿素類の濃度は１～１００００ｐｐｍが好ましく、１～５０００ｐｐｍがより好ましく、さらに１～１５００ｐｐｍが好ましく、特に５～１２００ｐｐｍが好ましい。１ｐｐｍ以上の濃度では、チオ尿素類添加によるＣｕ溶解抑制効果を明確に得られ、また、チオ尿素類添加によるＣｕ共存時のシリコンのエッチング速度の低下を抑制できる。また、濃度が１００００ｐｐｍ以下であると、チオ尿素類の飽和濃度に近くなることがないので、水の蒸発などでチオ尿素類の析出が発生することがなくなる。
　チオ尿素類のうち、チオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル－２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、ジフェニルチオ尿素、ベンジルチオ尿素、Ｎ－ｔ－ブチル－Ｎ’－イソプロピルチオ尿素、ジイソプロピルチオ尿素、ジ－ｎ－ブチルチオ尿素が好ましく、更には、チオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル－２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、及びジフェニルチオ尿素が好ましく、特にチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、及び二酸化チオ尿素が工業的に入手しやすく、アルカリ溶液に対する溶解度も１００００ｐｐｍ程度と高いため、使用にあたって非常に好ましい。
　本発明に用いるヒドロキシルアミンの濃度は、所望のシリコンエッチング速度に応じて適宜決定することが可能であり、好ましくは３～１５質量％の範囲で用いられる。より好ましくは５～１５質量％の範囲であり、さらに好ましくは７～１３質量％の範囲であり、９～１１質量％が特に好ましい。ヒドロキシルアミン濃度が５質量％以上であると、Ｃｕ共存時のシリコンのエッチング速度の低下割合が低くならないため、本エッチング液のシリコンのエッチング速度の低下を抑制する効果が明確に得られる。ヒドロキシルアミン濃度を増加させた際には、これに伴いエッチング速度も単調に増加する傾向が見られる。一方、濃度が１１質量％以下であれば、ヒドロキシルアミンの濃度によるエッチング速度の向上効果が効率的に得られる。所望のエッチング速度を考慮したうえで、ヒドロキシルアミン濃度を適宜決定すればよい。
　本発明のシリコンエッチング方法は、通常、加温されたエッチング液中に対象物を浸漬し、所定時間経過後に取り出し、対象物に付着しているエッチング液を水等で洗い流した後、付着している水を乾燥するという方法が採られている。エッチング温度は、４０℃以上沸点未満の温度が好ましく、さらに好ましくは５０℃から９０℃、特に７０℃から９０℃が好ましい。エッチング温度が４０℃以上であると、エッチング速度が低くならないので、生産効率を良好なものとすることができる。一方、９０℃以下であると、液組成変化が生じにくいので、エッチング条件を一定に保つことが容易である。エッチング液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング液の組成変化を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。
　エッチング時間は、エッチング条件およびエッチング対象物により適宜選択することができる。
　本発明におけるエッチング処理の対象物は、単結晶シリコンを含んだ基板であり、基板の全域または一部領域に単結晶シリコンが存在しているものである。なお、配線などの基板の部材を構成するＣｕが、基板表面に初めから露出していても、シリコンのエッチングによって基板内部のＣｕが表面に露出しても、どちらの場合でもシリコンエッチング速度の低下を抑制することができる。単結晶シリコンは単層でも多層に積層された状態でも構わない。これらの基板の全域または一部領域にイオンドープしたものもエッチング処理の対象物となる。またシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン有機膜等材料やアルミニウム膜、クロム膜、金膜などの金属膜が上記のエッチング対象物の表面や対象物内部に存在しているものについても、本発明におけるエッチング処理の対象物に含まれる。
　本発明のシリコンエッチング液は、上記したようにシリコンエッチングにおいて、液中にＣｕが存在する場合においてもＣｕが存在しない場合と同様にヒドロキシルアミンを含んだアルカリ性水溶液の特長である高いシリコンエッチング速度を発現しうるものである。よって、本発明のシリコンエッチング液は、シリコン基板が用いられ、その構成部材にＣｕが使用される対象物のエッチングに好適に用いられる。
　以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明する。評価に用いたエッチング対象物は単結晶シリコン（１００）（単にシリコン（１００）という場合がある）ウェハである。このシリコン（１００）ウェハの片側の面は、その全面がシリコン熱酸化膜からなる保護膜によって覆われた状態となっており、もう片側の面ではシリコン熱酸化膜の一部をドライエッチングにより除去し、シリコン面（０．２５ｃｍ×０．２５ｃｍ）が規則的に露出したパターン形状を有している。このシリコン（１００）ウェハはエッチング処理をする直前に２３℃の１％のフッ化水素酸水溶液に１５分間浸漬し、その後超純水によるリンスを施し、乾燥を行った。このフッ化水素酸水溶液処理によって、パターン形状のシリコン面が露出した部分の表面に生成しているシリコン自然酸化膜を除去した後、次のエッチング処理を行った。
単結晶シリコン（１００）ウェハのエッチング処理方法及びエッチング速度の算出方法
　エッチング液４０ｇをＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製の容器に入れ、この容器を湯浴中に浸してエッチング液の温度を８０℃に加温した。エッチング液の温度が８０℃に達した後、単結晶シリコン（１００）ウェハ（１ｃｍ×１ｃｍ）と０．５ｃｍ×０．５ｃｍのＣｕ薄片（Ｃｕの厚みは６０００Å）をエッチング液の中に同時に浸し、３０分間浸漬処理を行い、その後、単結晶シリコン（１００）ウェハを取り出して超純水によるリンスおよび乾燥を行った。エッチング処理を行った単結晶シリコン（１００）ウェハは、単結晶シリコンのエッチングに伴いパターン部分が周囲よりも窪んだ状態になり、エッチングされた部分とエッチングされていない部分との高低差を測定することによって、３０分間での単結晶シリコン（１００）面のエッチング深さを求めた。このエッチング深さを３０で割った値を単結晶シリコン（１００）面のエッチング速度（単位はμｍ／ｍｉｎ）として算出した。
実施例1～２６、比較例１～８
　表１記載のエッチング液を用いてエッチング処理を行い、結果を表１に記した。チオ尿素類を含まない比較例１～５、７、８は、対応する実施例１～５、２５、２６より明らかにエッチング速度が小さかった。
実施例２７－４３　比較例９－１１
　表２記載のエッチング液にＣｕを０．５ｐｐｍ含有させた（Ｃｕ薄片は含まず）以外は、実施例１～２６と同様に行い、結果を表２にまとめた。
　チオ尿素類を添加していない比較例９～１１ではＣｕの影響により、チオ尿素類を添加している対応する実施例２７、４２、４３より明らかにエッチング速度が小さかった。チオ尿素類が、Ｃｕ薄片がエッチング液中に共存している場合だけでなく液中にＣｕが溶解している場合においてもエッチング速度低下を抑制する性能を有することがわかる。
実施例４４－６１　比較例１２－１３
　Ｃｕ薄片のエッチング処理方法およびエッチング速度の算出方法
　表３記載のエッチング液４０ｇをＰＴＦＥ単結晶シリコン（ポリテトラフルオロエチレン）製の容器に入れ、この容器を湯浴中に浸してエッチング液の温度を８０℃に加温した。エッチング液の温度が８０℃に達した後、あらかじめ膜厚を蛍光Ｘ線分析装置で測定済みの２ｃｍ×２ｃｍのＣｕベタ膜（Ｃｕの厚みは６０００Å）をエッチング液の中に同時に浸し、６０分間浸漬処理を行い、その後、Ｃｕ薄片を取り出して超純水によるリンスおよび乾燥を行った。Ｃｕ薄片の膜厚を再度蛍光Ｘ線分析装置で測定し、処理前後の膜厚の差を求めることによって、６０分間でのＣｕ薄片のエッチング深さを求めた。このエッチング深さを６０で割った値をＣｕのエッチング速度（単位はÅ／ｍｉｎ）として算出した。エッチング液にチオ尿素類を含む場合は、Ｃｕのエッチング速度は１Å／ｍｉｎ未満であるが、チオ尿素を含まない場合はＣｕのエッチング速度は１０Å／ｍｉｎ以上になっている。このことから、チオ尿素類は、Ｃｕが共存している場合にＳｉのエッチング速度を低下させない効果だけでなく、Ｃｕの溶解を防ぐという性能もあることがわかった。
比較例１４－３３
　表４記載のエッチング液にＣｕを０．５ｐｐｍ含有させた（Ｃｕ薄片は含まず）以外は、実施例２７と同様に行い、結果を表４にまとめた。本発明のシリコンエッチング液は、該液中にＣｕが存在する場合においてもＣｕが存在しない場合と同様にヒドロキシルアミンを含んだアルカリ性水溶液の特長である高いシリコンエッチング速度を発現しうることから、その一成分である（３）チオ尿素類は、Ｃｕとキレートを形成する性能を奏するものと考えられる。しかし、Ｃｕとキレートを形成する性能を有する比較例１４－３３に使用されるキレート剤を用いた場合、本発明のシリコンエッチング液と比較して、シリコンエッチング性能は著しく劣っていることが示された。すなわち、本発明によって、（３）チオ尿素類が、他の成分である（１）アルカリ性水酸化物及び（２）ヒドロキシルアミンとの相乗効果により、優れた効果が得られることが示された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 浸漬温度：８０℃、浸漬時間：３０分
ＫＯＨ：水酸化カリウム、ＮａＯＨ：水酸化ナトリウム、ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 浸漬温度：８０℃、浸漬時間：３０分
ＫＯＨ：水酸化カリウム、ＮａＯＨ：水酸化ナトリウム、ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 浸漬温度：８０℃、浸漬時間：６０分
ＫＯＨ：水酸化カリウム、ＮａＯＨ：水酸化ナトリウム、ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム


Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 浸漬温度：８０℃、浸漬時間：３０分
ＫＯＨ：水酸化カリウム
　Ｃｕを含むシリコンエッチングにおいて、シリコンのエッチング速度を低下させることがなく、更にＣｕをエッチングすることがないエッチング液を提供することができ、産業上有用である。

Claims (8)

  1. 　単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング液であって、（１）水酸化カリウム、水酸化ナトリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムから選ばれる１種以上のアルカリ性水酸化物、（２）ヒドロキシルアミンおよび（３）チオ尿素類を含有したアルカリ性水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液。
  2. 　（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２―ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル－２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、ジフェニルチオ尿素、ベンジルチオ尿素、Ｎ－ｔ－ブチル－Ｎ’－イソプロピルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピルチオ尿素、およびジ－ｎ－ブチルチオ尿素から選ばれる１種以上である請求項１記載のシリコンエッチング液。
  3. 　（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２―ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル－２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、ジフェニルチオ尿素から選ばれる１種以上である請求項１記載のシリコンエッチング液。
  4. 　（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、および二酸化チオ尿素から選ばれる１種以上である請求項１記載のシリコンエッチング液。
  5. 　シリコン基板が用いられ、その構成部材にＣｕが使用される対象物のエッチングに用いられる請求項１～４のいずれかに記載のシリコンエッチング液。
  6. 　単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング方法であって、（１）アルカリ水酸化物と、（２）ヒドロキシルアミンおよび（３）チオ尿素類を含有するアルカリ性水溶液を用いてエッチング対象物をエッチングすることを特徴とするシリコンエッチング方法。
  7. 　（１）アルカリ性水酸化物が水酸化カリウム、水酸化ナトリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムから選ばれる１種以上であり、（３）チオ尿素類がチオ尿素、Ｎ－メチルチオ尿素、１－アリル－３－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオ尿素、二酸化チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、１－ベンゾイル－２－チオ尿素、イソプロピルチオ尿素、１－フェニル２－チオ尿素、１，３－ジエチルチオ尿素、ジフェニルチオ尿素、ベンジルチオ尿素、Ｎ－t－ブチル－Ｎ’－イソプロピルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピルチオ尿素、およびジ－ｎ－ブチルチオ尿素から選ばれる１種以上である請求項６記載のシリコンエッチング方法。
  8. 　エッチング対象物が、シリコン基板が用いられ、その構成部材にＣｕが使用されるものである請求項６又は７に記載のシリコンエッチング方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014112430A1 (ja) * 2013-01-15 2014-07-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコンエッチング液およびエッチング方法並びに微小電気機械素子
WO2023145826A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 花王株式会社 樹脂マスクの剥離方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2011055825A1 (ja) * 2009-11-09 2013-03-28 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン貫通ビアプロセスにおけるシリコン基板裏面エッチング用エッチング液及びこれを用いたシリコン貫通ビアを有する半導体チップの製造方法
JP5869368B2 (ja) * 2011-03-04 2016-02-24 富士フイルム株式会社 キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液
TWI546371B (zh) 2014-11-10 2016-08-21 盟智科技股份有限公司 研磨組成物
US9873833B2 (en) 2014-12-29 2018-01-23 Versum Materials Us, Llc Etchant solutions and method of use thereof
CN104587567B (zh) * 2015-01-05 2018-01-05 华南师范大学 一种微型空心硅针的制备方法
WO2017069560A1 (ko) * 2015-10-23 2017-04-27 오씨아이 주식회사 실리콘 텍스쳐링 조성물 및 이의 제조방법
CN108998032B (zh) * 2017-06-06 2021-06-04 关东鑫林科技股份有限公司 蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法
WO2020129737A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 株式会社トクヤマ シリコンエッチング液
CN112480928A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 利绅科技股份有限公司 硅蚀刻组成物及其作用于硅基材的蚀刻方法
CN111440613B (zh) * 2019-12-09 2022-03-25 杭州格林达电子材料股份有限公司 一种tmah系各向异性硅蚀刻液及其制备方法
CN111138083A (zh) * 2019-12-17 2020-05-12 河南豫科光学科技股份有限公司 一种防滑玻璃基板的制备工艺
CN111876157A (zh) * 2020-06-30 2020-11-03 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司 一种tmah蚀刻液的制备蚀刻方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196379A (ja) * 1999-10-12 2001-07-19 Applied Materials Inc 化学機械研磨後の金属層腐食防止方法および複合装置
JP2006186329A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Tokuyama Corp シリコンエッチング液
JP2008305900A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Kanto Chem Co Inc 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物
JP2009206335A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Hayashi Junyaku Kogyo Kk シリコン異方性エッチング液組成物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5227146A (en) * 1991-05-23 1993-07-13 American Cyanamid Company Stabilization of aqueous hydroxylamine solutions
ATE122647T1 (de) * 1991-05-23 1995-06-15 Cytec Tech Corp Stabilisierung von wässerigen hydroscylaminelösungen.
US5955244A (en) 1996-08-20 1999-09-21 Quantum Corporation Method for forming photoresist features having reentrant profiles using a basic agent
US7285229B2 (en) * 2003-11-07 2007-10-23 Mec Company, Ltd. Etchant and replenishment solution therefor, and etching method and method for producing wiring board using the same
JP3994992B2 (ja) 2004-08-13 2007-10-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
JP2006351813A (ja) 2005-06-15 2006-12-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
JP5109261B2 (ja) 2006-02-10 2012-12-26 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物
JP2009117504A (ja) 2007-11-05 2009-05-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP2009123798A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Mitsubishi Gas Chem Co Inc シリコンエッチング液およびエッチング方法
TWI390600B (zh) * 2008-02-01 2013-03-21 Topco Scient Co Ltd A wafer circuit protection structure and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196379A (ja) * 1999-10-12 2001-07-19 Applied Materials Inc 化学機械研磨後の金属層腐食防止方法および複合装置
JP2006186329A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Tokuyama Corp シリコンエッチング液
JP2008305900A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Kanto Chem Co Inc 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物
JP2009206335A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Hayashi Junyaku Kogyo Kk シリコン異方性エッチング液組成物

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014112430A1 (ja) * 2013-01-15 2014-07-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコンエッチング液およびエッチング方法並びに微小電気機械素子
KR20150107773A (ko) 2013-01-15 2015-09-23 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자
US20150340241A1 (en) * 2013-01-15 2015-11-26 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element
JPWO2014112430A1 (ja) * 2013-01-15 2017-01-19 三菱瓦斯化学株式会社 シリコンエッチング液およびエッチング方法並びに微小電気機械素子
US9875904B2 (en) 2013-01-15 2018-01-23 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element
WO2023145826A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 花王株式会社 樹脂マスクの剥離方法
JP7490834B2 (ja) 2022-01-31 2024-05-27 花王株式会社 樹脂マスクの剥離方法

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