WO2010104206A1 - 基板洗浄方法 - Google Patents

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superfluid
wafer
cleaning
helium
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英章 松井
剛 守屋
栄一 西村
慎一 河口
山涌　純
國男 宮内
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Definitions

  • the present invention relates to a method for cleaning a substrate on which a fine pattern is formed.
  • contaminating component a process gas, a reactant, or the like
  • contaminating component may then be gasified to contaminate the environment around the semiconductor substrate. Therefore, the contaminated semiconductor substrate may be maintained for a certain period of time in a vacuum environment or in a gas-flowing environment.
  • purge process By holding for a period of time (hereinafter referred to as “purge process”), contaminant components are evaporated and removed from the semiconductor substrate, and then the semiconductor substrate is housed in a FOUP and advanced to the next processing step. .
  • the removal of contaminating components may be performed by using a liquid cleaning method.
  • a liquid cleaning method In recent resist patterns and etching patterns that have been refined (thinned), there is a problem of pattern collapse due to the surface tension of the liquid.
  • an aerosol cleaning method in which aerosol is sprayed onto an object to be cleaned to improve the cleaning power without damaging the fine pattern formed on the substrate, the aerosol is applied to the object to be cleaned at a predetermined speed or more.
  • An aerosol cleaning method has been proposed in which a supercritical state or a quasi supercritical state is locally generated on the surface of an object to be cleaned by collision to increase the cleaning power (see, for example, Patent Document 2).
  • Patent Document 2 since the cleaning process using the supercritical fluid disclosed in Patent Document 1 needs to be performed in a high-temperature and high-pressure environment, there is a problem that the apparatus configuration is complicated.
  • the aerosol cleaning method disclosed in Patent Document 2 requires an injection device that sprays an extremely high-speed aerosol onto the substrate, which increases the size and complexity of the device, and the high-speed aerosol is a pattern on the substrate. There is a problem of destroying.
  • An object of the present invention is to provide a substrate cleaning method that can be implemented with a simple apparatus configuration and that cleans a substrate on which a fine pattern is formed in a short time without adversely affecting the fine pattern.
  • a substrate cleaning method for cleaning a substrate having a fine pattern formed on a surface thereof, wherein the substrate is removed from a processing chamber for performing predetermined processing on the surface of the substrate.
  • the superfluid cleaning step is preferably performed by collecting the superfluid flowing out from the substrate while supplying the superfluid to the substrate.
  • the superfluid cleaning step includes an immersion step in which the substrate is immersed in the superfluid, and a water level of the superfluid in which the substrate is immersed is lower than the surface of the substrate. It is preferable to have an outflow step of flowing out the superfluid from the surface of the substrate.
  • the superfluid is preferably helium.
  • the representative length of the fine pattern is preferably 0.1 ⁇ m or less.
  • the present invention it is possible to remove a contaminating component from a substrate without causing pattern collapse on the substrate on which a fine pattern is formed, thereby preventing gas generation from the substrate. .
  • the cleaning is performed while pouring out the contaminating components from the substrate, the cleanliness of the substrate can be increased.
  • the superfluid containing contaminants can be removed from the substrate by utilizing the so-called wall rising phenomenon of the superfluid while suppressing the amount of the superfluid used.
  • the superfluid state can be realized with certainty.
  • the contaminating component can be removed without causing pattern collapse.
  • more precise cleaning can be performed by combining cleaning with a superfluid and cleaning with a supercritical fluid.
  • a substrate cleaning method according to the present invention is implemented using a substrate processing system that performs an etching process on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) as a substrate will be described.
  • wafer semiconductor wafer
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the structure of a first substrate processing system capable of performing a substrate cleaning method according to the present invention.
  • the substrate processing system 10 includes two process ships 11 that perform RIE (anisotropic etching) processing on a wafer W, and an atmospheric transfer chamber (hereinafter referred to as a rectangular common transfer chamber) to which the process ships 11 are connected. (Referred to as a “loader module”) 13.
  • the loader module 13 pre-aligns, for example, three hoop mounting tables 15 on which hoops 14 serving as storage containers for storing 25 wafers W are respectively mounted, and the position of the wafer W carried out of the hoop 14.
  • the orienter 16 is connected to a superfluid cleaning unit 17 that performs cleaning processing on the wafer W that has been subjected to RIE processing.
  • the two process ships 11 are connected to the side wall in the longitudinal direction of the loader module 13 and are disposed so as to face the three hoop mounting tables 15 with the loader module 13 interposed therebetween.
  • the orienter 16 is disposed at one end of the loader module 13 in the longitudinal direction
  • the superfluid cleaning unit 17 is disposed at the other end of the loader module 13 in the longitudinal direction. The structure of the superfluid cleaning unit 17 will be described in detail later.
  • a SCARA-type dual arm type transfer arm mechanism 19 for transferring the wafer W is disposed.
  • three load ports 20 are provided at positions corresponding to the position of the hoop mounting table 15 and used as a wafer W insertion port and a hoop connection port.
  • a load port 18 is provided on the side wall of the loader module 13 on the superfluid cleaning unit 17 side.
  • Each of the load ports 18 and 20 is provided with an opening / closing door (not shown).
  • the transfer arm mechanism 19 takes out the wafer W from the hoop 14 placed on the hoop placement table 15 via the load port 20, and removes the taken wafer W from the process ship 11, the orienter 16, and the superfluid cleaning unit. Carry in and out of 17.
  • the process ship 11 includes a process module 25 serving as a vacuum processing chamber for performing RIE processing on the wafer W, and a load / lock module 27 including a link type single pick type transfer arm 26 that delivers the wafer W to the process module 25. I have.
  • the cylindrical chamber for accommodating the wafer W the wafer stage disposed in the chamber for placing the wafer W, and the upper surface of the wafer stage at a constant interval.
  • the wafer stage has both a function of chucking the wafer W by a Coulomb force and the like, and a function as a lower electrode, and an interval between the upper electrode and the wafer stage is set to an appropriate distance for performing RIE processing on the wafer W. .
  • a processing gas such as a fluorine gas or a bromine gas is introduced into the chamber, and an electric field is generated between the upper electrode and the lower electrode, and the introduced processing gas is turned into plasma to generate ions and radicals. Then, RIE processing is performed on the wafer W by the ions and radicals. For example, a polysilicon layer formed on the surface of the wafer W is etched to form a fine pattern.
  • the load lock module 27 includes a vacuum gate valve 29 at the connection portion with the process module 25 and an atmospheric gate valve 30 at the connection portion with the loader module 13, thereby reducing the internal pressure of the load lock module 27 from the vacuum environment. It can be adjusted with the atmospheric pressure environment.
  • the transfer arm 26 is installed at a substantially central portion, and a first buffer 31 is installed on the process module 25 side, and a second buffer 32 is installed on the loader module 13 side.
  • the first buffer 31 and the second buffer 32 are arranged on a trajectory along which a pick 33 for supporting the wafer W arranged at the tip of the transfer arm 26 moves.
  • an operation controller 40 that controls the operation of the process ship 11, the loader module 13, the orienter 16, and the superfluid cleaning unit 17 is disposed at one end in the longitudinal direction of the loader module 13. That is, the operation controller 40 executes a program corresponding to the RIE process, the cleaning process, and the transfer process of the wafer W in accordance with a predetermined recipe. In this way, the operation of various operating elements constituting the substrate processing system 10 is controlled.
  • the operation controller 40 has a display unit (not shown) such as an LCD (Liquid Crystal Display), for example, so that the user can check recipes and the operating status of various operating elements. It has become.
  • the load port 20 is opened, and the transfer arm mechanism 19 causes the wafer W to be removed from the hoop 14. Is taken out and the wafer W is loaded into the orienter 16.
  • the wafer W whose position has been aligned in the orienter 16 is taken out of the orienter 16 by the transfer arm mechanism 19 and is maintained in an atmospheric pressure environment via the atmospheric gate valve 30 of one process ship 11. 27 is transferred to the transfer arm 26 in the terminal 27.
  • the vacuum gate valve 29 is opened and the wafer W is loaded into the process module 25.
  • the vacuum gate valve 29 is closed and the RIE process is performed in the process module 25, the vacuum gate valve 29 is opened, and the wafer W is unloaded from the process module 25 by the transfer arm 26 in the load lock module 27.
  • the load lock module 27 is returned to the atmospheric pressure environment, the atmospheric gate valve 30 is opened, and the wafer W is transferred from the transfer arm 26 to the transfer arm mechanism 19.
  • the transfer arm mechanism 19 carries the wafer W held through the load port 20 into the superfluid cleaning unit 17 where the wafer W is cleaned. The specific contents of this cleaning process will be described in detail later.
  • the wafer W that has undergone the cleaning process is unloaded from the superfluid cleaning unit 17 by the transfer arm mechanism 19 and returned to the predetermined FOUP 14.
  • FIG. 2 is a vertical sectional view schematically showing the structure of the superfluid cleaning unit.
  • the superfluid cleaning unit 17 includes an outer container 41 having a vacuum heat insulating layer (not shown) and an inner container 42 having a vacuum heat insulating layer (not shown) and disposed inside the outer container 41.
  • a cleaning chamber having a dual structure is provided.
  • a space for storing liquid nitrogen (Liq.N 2 ) is provided between the outer container 41 and the inner container 42, and liquid nitrogen is supplied to the liquid nitrogen storage space from the outside through the liquid nitrogen supply line 51. Nitrogen gas (N2-gas) supplied and evaporated there is discharged from the nitrogen gas discharge line 52.
  • N2-gas Nitrogen gas supplied and evaporated there is discharged from the nitrogen gas discharge line 52.
  • a stage 43 for placing the wafer W is disposed below the inner container 42, and the wafer W is placed on the stage 43.
  • the stage 43 is connected to a refrigerator 44 disposed outside the outer container 41 via a heat transfer tube 45.
  • a cryogenic refrigerator such as a Stirling refrigerator is preferably used as the refrigerator 44, and the stage 43 is preferably superfluid with helium (He) by cold heat transferred from the refrigerator 44 through the heat transfer tube 45.
  • He helium
  • a heater (not shown) that generates heat by power supply from the heater power supply 46 is embedded in the stage 43.
  • the heat transfer tube 45 is provided with a heat transfer blocking mechanism (not shown) that blocks the heat transfer of the cold heat from the refrigerator 44 to the stage 43.
  • the heat transfer blocking mechanism 45 Heat transfer to the stage 43 of the cold generated in 44 is cut off. Thereby, it is not necessary to stop the refrigerator 44, and the wafer W placed on the stage 43 can be quickly cooled after the heat transfer is restored.
  • a shower head 47 that supplies liquid helium (Liq.He) as a superfluid to the wafer W placed on the stage 43 is disposed on the upper side in the inner container 42. Liquid helium is supplied from the outside through the liquid helium supply line 53.
  • Liquid helium undergoes a phase transition at about 2.17 K and changes from normal liquid helium (normal flow helium; He I) to superfluid helium (He II).
  • Superfluid helium has a viscosity of 0 (zero), and exhibits the property that it rises up the wall or leaks out if there is a gap through which one atom can pass.
  • the helium gas (He-gas) generated when the liquid helium supplied into the inner container 42 evaporates is discharged from the helium gas discharge line 54.
  • a region near the load port 18 not shown in FIG. 2 has a temperature exceeding the boiling point of liquid helium, and the liquid helium evaporates mainly in this region.
  • the helium gas is reused by the liquefaction process. However, since the helium gas after the cleaning process of the wafer W contains impurities, the impurities are removed at the stage of the liquefaction process.
  • the liquid helium supplied into the inner container 42 is appropriately discharged to the outside through a drain 48 provided at the bottom of the inner container 42 and reused.
  • the drainage from the drain 48 is performed by opening and closing the valve 49.
  • the exhaust line 55 is connected to the inner container 42 so that the inside of the inner container 42 can be in a vacuum (depressurized) environment. Although this exhaust line 55 is not necessarily required, the phase transition from the normal flow state to the superfluid state without increasing the load of the refrigerator 44 by lowering the atmospheric pressure in the inner container 42. Can be easily reached every time.
  • a pressure increase due to evaporation of liquid helium in the inner container 42 is used, or an exhaust line 55 or helium gas is used. Clean gas is introduced into the inner container 42 using the discharge line 54.
  • the wafer W in the superfluid cleaning unit 17, it is sufficient that the wafer W can be brought into contact with the superfluid helium. Therefore, the wafer W is not necessarily cooled to the phase transition temperature at which the liquid helium becomes superfluid.
  • the temperature at which the wafer W is not damaged at the first contact with the liquid helium for example, most of the liquid helium that has contacted the wafer W instantaneously becomes normal flow helium, and the normal flow helium has a pattern. It only needs to be cooled to a temperature at which it will not fall.
  • FIG. 3 is a flowchart showing the cleaning processing in the cleaning processing unit.
  • FIG. 3 shows both the first processing flow (first cleaning method) and the second processing flow (second cleaning method).
  • the wafer W is loaded into the superfluid cleaning unit 17 and placed on the stage 43, the wafer W is cooled to a predetermined temperature together with the stage 43 by the cooling heat from the refrigerator 44 (step S10).
  • liquid helium is supplied from the shower head 47 to the wafer W, and the wafer W is cleaned.
  • the valve 49 is kept open, and the liquid helium flowing down from the wafer W is discharged from the drain 48 and collected.
  • the liquid helium need only be in a superfluid state on the wafer W, and the inside of the inner container 42 may be an atmospheric pressure environment or a vacuum environment.
  • FIG. 4 is a schematic view showing a state of flowing out due to the so-called property of flowing up the wall of superfluid helium.
  • the superfluid helium in the grooves and holes (for example, trenches and holes formed by the RIE process) between the convex portions 60 of the fine pattern formed on the wafer W is in a state where the water level is lower than the top of the convex portions 60. Even if it exists, it will flow up the convex part 60 as shown in the left figure of FIG. 4, and will flow to a place with a lower water level by the property which flows up a wall.
  • superfluid helium does not remain in the grooves and holes between the convex portions 60, and finally all superfluid helium flows down from the surface of the wafer W. Since superfluid helium has a viscosity of 0 (zero), pattern collapse does not occur even if the pattern formed on the wafer W becomes very fine. For this reason, the cleaning of the wafer W using superfluid helium is preferably used when the representative length of the fine pattern formed on the wafer W is 0.1 ⁇ m or less.
  • the valve 49 is closed, the heat transfer of cold heat to the stage 43 is cut off, and the wafer W is returned to room temperature (step S12). Thereafter, the wafer W is unloaded from the superfluid cleaning unit 17 and accommodated in the FOUP 14.
  • the wafer W is loaded into the superfluid cleaning unit 17 and placed on the stage 43, the wafer W is cooled to a predetermined temperature together with the stage 43 by the cooling heat from the refrigerator 44 (step S10).
  • liquid helium is supplied from the shower head 47 to the wafer W with the valve 49 closed, and the liquid helium is stored in the inner container 42.
  • the supply of liquid helium is stopped (step S21).
  • step S22 the process proceeds to step S22 after a predetermined time has elapsed.
  • the inside vessel 42 is further cooled or depressurized to cause phase transition to superfluid helium, and the wafer W is immersed in superfluid helium. Put it in a state. That is, between steps S21 to S22, the wafer W is immersed in the superfluid helium.
  • the valve 49 is opened so that the water level of the superfluid helium in the inner container 42 is lower than the surface of the wafer W, and a certain amount of superfluid helium is introduced from the inner container 42. Is discharged.
  • the superfluid helium on the wafer W flows out from the wafer W and does not remain on the wafer W (step S22).
  • steps S21 and S22 are set as one set, and one cleaning process is performed. By performing steps S21 and S22 a predetermined number of times, the wafer W can be more precisely cleaned.
  • step S23 it is determined whether or not steps S21 and 22 have been performed a predetermined number of times (step S23). If the determination in step S23 is “YES”, the valve 49 is opened, and the superfluid helium in the inner container 42 is discharged and collected (step S24). On the other hand, if the determination in step S23 is “NO”, the process returns to step S21 and the wafer W is further cleaned.
  • step S24 the valve 49 is closed, the heat transfer of the cold heat to the stage 43 is cut off, and the wafer W is returned to room temperature (step S12).
  • the wafer W thus returned to room temperature is unloaded from the superfluid cleaning unit 17 and accommodated in the FOUP 14.
  • the cleaning of the wafer W in the superfluid cleaning unit 17 may be performed by combining the first and second cleaning methods described above. Moreover, the effect of removing metallic contaminants can be obtained by adding fluorine to superfluid helium, and the effect of removing contaminants having reactivity with oxygen can be obtained by adding ozone to superfluid helium. Are expected to be obtained.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing the structure of a second substrate processing system capable of performing the substrate cleaning method according to the present invention.
  • the substrate processing system 10A has a structure in which a supercritical cleaning unit 70 for performing a supercritical cleaning process on the wafer W is further added to the substrate processing system 10 shown in FIG. Therefore, only the outline of the supercritical cleaning unit 70 will be described here.
  • the supercritical cleaning unit 70 is connected to the side wall of the loader module 13 in line with the hoop mounting table 15.
  • the arrangement position of the supercritical cleaning unit 70 is not limited to this.
  • the supercritical cleaning unit 70 may be disposed on the process ship 11 side, and is disposed on the superfluid cleaning unit 17 to constitute a multistage cleaning unit. May be.
  • the supercritical cleaning unit 70 includes a high-temperature and high-pressure chamber that accommodates the wafer W, a temperature control device that controls the temperature in the high-temperature and high-pressure chamber, and a high-temperature and high-pressure chamber.
  • a pressure control device for controlling the internal pressure, a medium supply / recovery line for supplying / recovering the supercritical fluid to the high-temperature / high-pressure chamber, and a purge line for purging the high-temperature / high-pressure chamber with an inert gas such as nitrogen gas.
  • an inert gas such as carbon dioxide (CO 2 ) or argon (Ar) can be used.
  • the cleaning process of the wafer W by the supercritical cleaning unit 70 may be performed before or after the cleaning process of the wafer W in the superfluid cleaning unit 17.
  • the cleaning process with the superfluid and the cleaning process with the supercritical fluid it is possible to perform a more precise cleaning process, for example, by removing the contaminating components that cannot be removed by only one process by the other process.
  • the supercritical cleaning unit 70 the contaminated components are removed by exposing the wafer W to the supercritical fluid for a predetermined time. Since the supercritical fluid is a gas, pattern collapse does not occur in the fine pattern formed on the wafer W.
  • the process module 25 that performs the RIE process on the wafer W is taken up, the process module may perform a film forming process or a diffusion process on the wafer W.
  • the substrate processing systems 10 and 10A are configured by connecting the superfluid cleaning unit 17 to an apparatus that performs RIE processing.
  • the superfluid cleaning unit 17 can be connected to various processing apparatuses that perform RIE processing, film formation processing, diffusion processing, and the like, it can be easily applied to existing processing apparatuses.
  • the superfluid cleaning unit 17 can be used as an independent cleaning processing apparatus without being connected to these processing apparatuses.
  • a semiconductor wafer is taken up as a substrate.
  • the substrate is not limited to this, and an FPD (Flat Panel Display) substrate such as an LCD (Liquid Crystal Display), a photomask, a CD substrate, a printed substrate, etc.
  • FPD Full Panel Display
  • LCD Liquid Crystal Display
  • a photomask a CD substrate
  • a printed substrate etc.
  • Various substrates may be used.
  • An object of the present invention is to supply a computer (for example, a control unit) to a computer (for example, a control unit) a storage medium in which the operation controller 40 records software program codes for realizing the functions of the above-described embodiments. It is also achieved by reading out and executing the program code stored in.
  • the program code itself read from the storage medium realizes the functions of the above-described embodiments, and the program code and the storage medium storing the program code constitute the present invention.
  • a storage medium for supplying the program code for example, RAM, NV-RAM, floppy (registered trademark) disk, hard disk, magneto-optical disk, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD (DVD-ROM) , DVD-RAM, DVD-RW, DVD + RW) or the like optical disk, magnetic tape, nonvolatile memory card, other ROM, etc., as long as they can store the program code.
  • the program code may be supplied to the computer by downloading from another computer or database (not shown) connected to the Internet, a commercial network, a local area network, or the like.
  • the function expansion is performed based on the instruction of the program code.
  • the form of the program code may be in the form of object code, program code executed by an interpreter, script data supplied to the OS, and the like.

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Abstract

　簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへウエハＷを搬送し、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却し、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す。

Description

基板洗浄方法
　本発明は、微細パターンが形成された基板の洗浄方法に関する。
　例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体基板にエッチング処理や成膜処理等の処理を行った際に、半導体基板の表面にその処理に応じてプロセスガスや反応物等（以下「汚染成分」という）が残留する。このような汚染成分は、その後、ガス化して半導体基板の周囲の環境を汚染するおそれがあるため、処理後の半導体基板を真空環境で一定時間保持することにより、または、ガスが流れる環境で一定時間保持すること（以下「パージ処理」いう）により、汚染成分を蒸発等させて半導体基板から除去し、その後、半導体基板をフープ（ＦＯＵＰ）に収容して次の処理工程に進める等している。
　しかし、半導体基板から多量のガスが発生する場合には、ガスが処理装置のパーツに付着してそのパーツを腐食させたり、パーツに付着した後に剥離してパーティクルの原因となったりする等の問題が生じる。また、真空処理機能は、処理装置の仕様によっては搭載できない場合があり、その場合、パージ処理に長い処理時間が必要となって、処理装置のスループットが低下する場合がある。
　汚染成分の除去には、液体による洗浄方法の適用も考えられるが、近年の微細化（細線化）されたレジストパターンやエッチングパターンでは、液体の表面張力によるパターン倒れの問題が生じる。
　そこで、例えば、リソグラフィー法を適用して微細パターンを形成する過程において基板表面に塗布されてパターン形成に使用された後に残存するレジストを除去するために、基板においてレジストが付着している部位を超臨界流体中に浸漬するレジストの除去方法が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
　また、基板に形成された微細パターンにダメージを与えることなく、洗浄力を向上させるために、エアロゾルを被洗浄物に吹付けて洗浄するエアロゾル洗浄方法において、エアロゾルを所定速度以上で被洗浄物に衝突させることにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界状態又は擬似超臨界状態を生成させて、洗浄力を高めるエアロゾル洗浄方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開平０６−１８１０５０号公報 特開２００３−２０９０８８号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された超臨界流体による洗浄処理は、高温高圧の環境下において行う必要があるために、装置構成が複雑になるという問題がある。また、特許文献２に開示されたエアロゾル洗浄方法は、極めて高速のエアロゾルを基板に対して吹き付ける噴射装置が必要であるため、装置が大型化、複雑化し、また、高速のエアロゾルが基板上のパターンを破壊するという問題がある。
　本発明の目的は、簡単な装置構成で実施が可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄する基板洗浄方法を提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、微細パターンが表面に形成された基板を洗浄する基板洗浄方法であって、前記基板を、前記基板の表面に所定の加工を施す処理チャンバから前記基板の洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、前記洗浄チャンバ内において、前記基板を所定の温度に冷却する冷却ステップと、超流動体を前記基板の表面に供給し、その後、前記基板の表面から前記超流動体を流し出すことによって前記微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップと、を有する基板洗浄方法が提供される。
　本発明において、前記超流動洗浄ステップは、前記基板に前記超流動体を供給しながら、前記基板から流れ出る前記超流動体を回収することにより行われることが好ましい。
　本発明において、前記超流動洗浄ステップは、前記基板を前記超流動体に浸漬する浸漬ステップと、前記基板が浸漬されている前記超流動体の水位を前記基板の表面よりも低くすることによって、前記超流動体を前記基板の表面から流し出す流し出しステップと、を有することが好ましい。
　本発明において、前記超流動体はヘリウムであることが好ましい。
　本発明において、前記微細パターンの代表長が０．１μｍ以下であることが好ましい。
　本発明において、前記基板を前記超流体により洗浄処理する前又は後において、前記基板を超臨界流体により洗浄する超臨界洗浄ステップをさらに有することが好ましい。
　本発明によれば、微細パターンが形成された基板に対して、パターン倒れを発生させることなく、基板から汚染成分を除去することができ、これにより、基板からのガス発生を防止することができる。
　本発明によれば、基板から汚染成分を流し出しながら洗浄を行うために、基板の清浄度を高めることができる。
　本発明によれば、超流動体の使用量を少なく抑えながら、超流動体の、所謂、壁を昇る現象を利用して、基板上から汚染成分を含む超流動体を除去することができる。
　本発明によれば、超流動状態を確実に実現することができる。
　本発明によれば、代表長が０．１μｍ以下の極めて微細なパターンであっても、パターン倒れを発生させることなく、汚染成分を除去することができる。
　本発明によれば、超流動体による洗浄と超臨界流体による洗浄とを組み合わせることにより、より精密な洗浄を行うことができる。
本発明に係る基板洗浄方法を実施可能な第１の基板処理システムの構造を概略的に示す平面図である。 図１に示した基板処理システムが備える洗浄処理ユニットの構造を概略的に示す断面図である。 洗浄処理を示すフローチャートである。 基板に形成された微細パターンにおける超流動体の流れを模式的に示す図である。 本発明に係る基板洗浄方法を実施可能な第２の基板処理システムの構造を概略的に示す平面図である。
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、基板としての半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にエッチング処理を施す基板処理システムを用いて、本発明に係る基板洗浄方法を実施する形態について説明する。
　図１は、本発明に係る基板洗浄方法を実施可能な第１の基板処理システムの構造を概略的に示す平面図である。この基板処理システム１０は、ウエハＷにＲＩＥ（異方性エッチング）処理を施す２つのプロセスシップ１１と、これらのプロセスシップ１１がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としての大気搬送室（以下「ローダーモジュール」という）１３とを備えている。そして、ローダーモジュール１３には、例えば２５枚のウエハＷを収容する収納容器としてのフープ１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５と、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６と、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷの洗浄処理を行う超流動洗浄ユニット１７と、が接続されている。
　２つのプロセスシップ１１は、ローダーモジュール１３の長手方向における側壁に接続されると共に、ローダーモジュール１３を挟んで３つのフープ載置台１５と対向するように配置されている。オリエンタ１６はローダーモジュール１３の長手方向に関する一端に配置され、超流動洗浄ユニット１７はローダーモジュール１３の長手方向に関する他端に配置されている。なお、超流動洗浄ユニット１７の構造について、後に詳細に説明する。
　ローダーモジュール１３の内部には、ウエハＷを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構１９が配設されている。ローダーモジュール１３のフープ載置台１５側の側壁には、フープ載置台１５の位置と対応する位置に、ウエハＷの投入口且つフープ接続口として用いられる３つのロードポート２０が設けられている。同様に、ローダーモジュール１３の超流動洗浄ユニット１７側の側壁にはロードポート１８が設けられている。なお、これらのロードポート１８，２０にはそれぞれ開閉扉（図示しない）が設けられている。このような構成により、搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５に載置されたフープ１４からウエハＷをロードポート２０経由で取り出し、取り出したウエハＷをプロセスシップ１１やオリエンタ１６、超流動洗浄ユニット１７に対して搬出入する。
　プロセスシップ１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す真空処理室としてのプロセスモジュール２５と、プロセスモジュール２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの搬送アーム２６を内蔵するロード・ロックモジュール２７とを備えている。
　プロセスモジュール２５は、その詳細な構造は図示しないが、ウエハＷを収容する円筒状のチャンバと、ウエハＷを載置するためにチャンバ内に配置されたウエハステージと、ウエハステージの上面と一定間隔で対向するように配置された上部電極とを備えている。ウエハステージはウエハＷをクーロン力等によってチャックする機能と、下部電極としての機能を併せ持っており、上部電極とウエハステージとの間隔は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す適切な距離に設定されている。
　プロセスモジュール２５では、チャンバ内部にフッ素系ガス又は臭素系ガス等の処理ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、そのイオン及びラジカルによってウエハＷにＲＩＥ処理を施す。例えば、ウエハＷの表面に形成されたポリシリコン層がエッチングされて、微細パターンが形成される。
　プロセスシップ１１では、ローダーモジュール１３の内部の圧力は大気圧に維持される一方、プロセスモジュール２５の内部圧力は真空に維持される。そのため、ロード・ロックモジュール２７は、プロセスモジュール２５との連結部に真空ゲートバルブ２９を備えると共に、ローダーモジュール１３との連結部に大気ゲートバルブ３０を備えることによって、その内部圧力を真空環境と大気圧環境との間で調整可能となっている。
　ロード・ロックモジュール２７において、搬送アーム２６は略中央部に設置されており、プロセスモジュール２５側に第１のバッファ３１が、ローダーモジュール１３側に第２のバッファ３２がそれぞれ設置されている。第１のバッファ３１及び第２のバッファ３２は、搬送アーム２６の先端部に配置されたウエハＷを支持するためのピック３３が移動する軌道上に配置されている。ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的にピック３３の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとのプロセスモジュール２５における円滑な入れ換えが可能となっている。
　基板処理システム１０において、ローダーモジュール１３の長手方向に関する一端には、プロセスシップ１１、ローダーモジュール１３、オリエンタ１６及び超流動洗浄ユニット１７の動作を制御するオペレーションコントローラ４０が配置されている。すなわち、オペレーションコントローラ４０は、ＲＩＥ処理や洗浄処理、ウエハＷの搬送処理を所定のレシピで実行するために、これに対応するプログラムを実行する。こうして、基板処理システム１０を構成する各種稼働要素の動作が制御される。なお、オペレーションコントローラ４０は、例えばＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等の表示部（図示せず）を有しており、この表示部でレシピの確認や各種稼働要素の動作状況を確認することができるようになっている。
　上述の通りに構成された基板処理システムにおいては、ウエハＷが収納されたフープ１４がフープ載置台１５に載置されると、ロードポート２０が開かれ、搬送アーム機構１９によってフープ１４からウエハＷが取り出され、そのウエハＷはオリエンタ１６に搬入される。オリエンタ１６において位置のアライメントが行われたウエハＷは、搬送アーム機構１９によってオリエンタ１６から取り出され、一方のプロセスシップ１１の大気ゲートバルブ３０を介して、大気圧環境に維持されたロード・ロックモジュール２７内の搬送アーム２６に受け渡される。
　大気ゲートバルブ３０が閉じられ、ロード・ロックモジュール２７内が真空環境とされた後、真空ゲートバルブ２９が開かれて、ウエハＷはプロセスモジュール２５に搬入される。真空ゲートバルブ２９が閉じられて、プロセスモジュール２５においてＲＩＥ処理が行われた後、真空ゲートバルブ２９が開かれて、ウエハＷはプロセスモジュール２５からロード・ロックモジュール２７内の搬送アーム２６によって搬出される。
　真空ゲートバルブ２９が閉じられた後、ロード・ロックモジュール２７内は大気圧環境に戻され、大気ゲートバルブ３０が開かれて、ウエハＷは、搬送アーム２６から搬送アーム機構１９に受け渡される。搬送アーム機構１９は、ロードポート２０を通して保持したウエハＷを超流動洗浄ユニット１７に搬入し、そこでウエハＷの洗浄処理が行われる。この洗浄処理の具体的内容については後に詳細に説明する。洗浄処理を終えたウエハＷは、搬送アーム機構１９によって超流動洗浄ユニット１７から搬出され、所定のフープ１４に戻される。
　次に、超流動洗浄ユニット１７について詳細に説明する。図２は超流動洗浄ユニットの構造を概略的に示す垂直断面図である。超流動洗浄ユニット１７は、真空断熱層（図示せず）を備えた外側容器４１と、真空断熱層（図示せず）を有し、外側容器４１の内側に配置された内側容器４２とからなる二重構造を有する洗浄チャンバを備えている。外側容器４１と内側容器４２との間には、液体窒素（Ｌｉｑ．Ｎ２）を貯留する空間が設けられており、この液体窒素貯留空間には、液体窒素供給ライン５１を通じて外部から液体窒素が供給され、また、そこで蒸発した窒素ガス（Ｎ２−ｇａｓ）が窒素ガス排出ライン５２から排出されるようになっている。
　なお、液体窒素貯留空間に熱伝導性に優れた銅等の金属からなる伝熱板を設け、この伝熱板にスターリング型冷凍機等の冷凍機で発生させた冷熱を伝熱することにより、液体窒素貯留空間内の液体窒素を固化させることができる構成としてもよい。
　内側容器４２内の下側には、ウエハＷを載置するためのステージ４３が配置されており、ステージ４３上にウエハＷが載置される。ステージ４３は、伝熱管４５を介して、外側容器４１の外側に配置された冷凍機４４と接続されている。冷凍機４４としてはスターリング型冷凍機等の極低温冷凍機が好適に用いられ、ステージ４３は、好ましくは、冷凍機４４から伝熱管４５を介して伝えられる冷熱によって、ヘリウム（Ｈｅ）が超流動の性質を示す相転移温度（＝約２．１７Ｋ）まで冷却され、これにより、ステージ４３に載置されたウエハＷもまたこの相転移温度まで冷却される。
　その一方で、ステージ４３には、冷却されたウエハＷを速やかに室温に戻すために、ヒータ電源４６からの給電によって発熱するヒータ（図示せず）が埋設されている。そのため、伝熱管４５には、冷凍機４４からステージ４３への冷熱の熱伝達を遮断する伝熱遮断機構（図示せず）が設けられており、ヒータの動作時にはこの伝熱遮断機構によって冷凍機４４に発生させた冷熱のステージ４３への熱伝達が遮断されるようになっている。これにより、冷凍機４４を停止させる必要がなくなり、熱伝達の回復後、ステージ４３上に載置されたウエハＷを速やかに冷却することができる。
　内側容器４２内の上側には、ステージ４３に載置されたウエハＷに超流動体としての液体ヘリウム（Ｌｉｑ．Ｈｅ）を供給するシャワーヘッド４７が配設されており、シャワーヘッド４７には、液体ヘリウム供給ライン５３を通して、外部から液体ヘリウムが供給されるようになっている。
　液体ヘリウムは約２．１７Ｋで相転移を起こし、通常の液体ヘリウム（常流動ヘリウム；Ｈｅ　Ｉ）から超流動ヘリウム（Ｈｅ　ＩＩ）に変わる。超流動ヘリウムは、粘性が０（ゼロ）の状態となっており、壁を昇っていったり、原子１個が通れる隙間さえあればそこから漏れ出したりする性質を示す。
　但し、有限温度領域では、常流動ヘリウムと超流動ヘリウムとが共存しており、そのため、常流動ヘリウムによって洗浄効果が得られる。なお、超流動ヘリウムには粘性がないので、固体状の汚染成分に対する洗浄効果は期待できないが、ウエハＷの微細パターンに付着し又は取り込まれている分子状汚染成分を物理的に置換して、除去する効果が期待できる。そこで、シャワーヘッド４７から吐出された液体ヘリウムは超流動状態に維持され、超流動ヘリウムにより、ウエハＷに形成された微細パターンに付着した脱ガス原因となる汚染成分を除去し、ウエハＷを洗浄する。
　内側容器４２内に供給された液体ヘリウムが蒸発することによって発生するヘリウムガス（Ｈｅ−ｇａｓ）は、ヘリウムガス排出ライン５４から排出される。図２には示していないロードポート１８の近傍領域は、液体ヘリウムの沸点を超える温度となり、主にこの領域で液体ヘリウムが蒸発する。ヘリウムガスは液化処理により再利用されるが、ウエハＷの洗浄処理を行った後のヘリウムガスには不純物が含まれるため、液化処理の段階で不純物が除去される。
　内側容器４２内に供給された液体ヘリウムは、適宜、内側容器４２の底部に設けられたドレイン４８を通して外部に排出され、再利用されるようになっている。ドレイン４８からの排液はバルブ４９の開閉操作によって行われる。
　内側容器４２には、内側容器４２内を真空（減圧）環境にすることができるように、排気ライン５５が接続されている。この排気ライン５５は必ずしも必要なものではないが、内側容器４２内の気圧を下げることによって、冷凍機４４の負荷を増大させることなく、液体ヘリウムを、常流動状態から超流動状態となる相転移度に容易に到達させることができる。内側容器４２内を真空環境とした場合に、内側容器４２内を大気圧に戻すには、内側容器４２内での液体ヘリウムの蒸発による圧力上昇を利用するか、また、排気ライン５５又はヘリウムガス排出ライン５４を利用して清浄なガスを内側容器４２内に導入する。
　なお、上述の通り、超流動洗浄ユニット１７では、ウエハＷを超流動ヘリウムと接触させることができればよいので、ウエハＷは、必ずしも液体ヘリウムが超流動状態となる相転移温度にまで冷却されていなければならないものではなく、ウエハＷは、液体ヘリウムとの最初の接触時にダメージを受けない温度、例えば、ウエハＷに接触した液体ヘリウムの殆どが瞬時に常流動ヘリウムとなり、該常流動ヘリウムがパターンを倒すことがない温度に冷却されていればよい。
　次に、超流動洗浄ユニット１７における処理フローについて詳細に説明する。図３は洗浄処理ユニットにおける洗浄処理を示すフローチャートである。図３には、第１の処理フロー（第１洗浄方法）と、第２の処理フロー（第２洗浄方法）を併記している。
　第１洗浄方法では、まず、ウエハＷは、超流動洗浄ユニット１７に搬入され、ステージ４３に載置されると、冷凍機４４からの冷熱によってステージ４３と共に所定温度に冷却される（ステップＳ１０）。次いで、シャワーヘッド４７からウエハＷに液体ヘリウムが供給されてウエハＷの洗浄処理が行われ、このとき、バルブ４９は開いた状態に維持され、ウエハＷから流れ落ちる液体ヘリウムはドレイン４８から排出、回収される（ステップＳ１１）。このステップＳ１１では、液体ヘリウムはウエハＷ上で超流動状態となっていればよく、内側容器４２内は、大気圧環境であってもよいし、真空環境であってもよい。
　ステップＳ１１を終了するためにウエハＷへの液体ヘリウムの吐出が停止されると、ウエハＷの超流動ヘリウムは、自然にウエハＷ表面から流れ落ちる。図４は、超流動ヘリウムが有する、所謂、壁を昇って流れる性質により流れ出る様子を示した模式図である。
　ウエハＷに形成された微細パターンの凸部６０間の溝や穴（例えば、ＲＩＥ処理により形成されたトレンチやホール等）の中の超流動ヘリウムは、その水位が凸部６０の頂部より低い状態にあったとしても、壁を昇って流れる性質によって、図４の左図に示されるように凸部６０を這い上がってより水位の低い場所へと流れる。
　これにより、図４の右図に示されるように、凸部６０間の溝や穴には超流動ヘリウムは残らず、最終的に、全ての超流動ヘリウムはウエハＷの表面から流れ落ちる。超流動ヘリウムは粘性が０（ゼロ）であるために、ウエハＷに形成されるパターンが極めて微細になっても、パターン倒れが起こることがない。そのため、超流動ヘリウムを用いたウエハＷの洗浄は、ウエハＷに形成された微細パターンの代表長さが０．１μｍ以下の場合に、好適に用いられる。
　超流動ヘリウムがウエハＷから流れ落ちた後に、バルブ４９が閉じられ、ステージ４３への冷熱の熱伝達が遮断され、ウエハＷは室温に戻される（ステップＳ１２）。その後、ウエハＷは、超流動洗浄ユニット１７から搬出され、フープ１４に収容される。
　第２洗浄方法では、ウエハＷは、超流動洗浄ユニット１７に搬入され、ステージ４３に載置されると、冷凍機４４からの冷熱によってステージ４３と共に所定温度に冷却される（ステップＳ１０）。次いで、バルブ４９を閉じた状態でシャワーヘッド４７からウエハＷに液体ヘリウムを供給し、内側容器４２内に液体ヘリウムを貯留する。そして、ウエハＷが液体ヘリウムに浸漬したら、液体ヘリウムの供給を停止する（ステップＳ２１）。
　このとき、液体ヘリウムが超流動ヘリウムであれば、所定時間経過後にステップＳ２２へと進む。一方、液体ヘリウムが常流動ヘリウムの状態となっているならば、内側容器４２内をさらに冷却し又は減圧することにより、超流動ヘリウムへと相転移させ、ウエハＷを超流動ヘリウムに浸漬させた状態にする。つまり、ステップＳ２１~２２の間で、ウエハＷは超流動ヘリウムに浸漬された状態となる。
　ウエハＷが超流動ヘリウムに浸漬された後、内側容器４２内の超流動ヘリウムの水位がウエハＷの表面よりも低くなる程度に、バルブ４９を開いて内側容器４２内から一定量の超流動ヘリウムを排出する。これにより、先に図４を参照して説明したように、ウエハＷ上の超流動ヘリウムは、ウエハＷ上から流れ出て、ウエハＷ上に残留しない状態となる（ステップＳ２２）。
　第２洗浄方法では、このようにステップＳ２１，２２を１セットとして、１回の洗浄処理が行われる。ステップＳ２１，２２を所定回数行うことで、ウエハＷの洗浄をより精密に行うことができる。
　ステップＳ２２の次には、ステップＳ２１，２２が予め定められた処理回数行われた否かが判断される（ステップＳ２３）。ステップＳ２３の判断が“ＹＥＳ”の場合には、バルブ４９が開かれ、内側容器４２内の超流動ヘリウムが排出、回収される（ステップＳ２４）。一方、ステップＳ２３の判断が“ＮＯ”の場合には、ステップＳ２１に戻って、さらにウエハＷの洗浄処理が行われる。
　ステップＳ２４の後には、バルブ４９が閉じられ、ステージ４３への冷熱の熱伝達が遮断され、ウエハＷは室温に戻される（ステップＳ１２）。こうして、室温に戻されたウエハＷは、超流動洗浄ユニット１７から搬出され、フープ１４に収容される。
　超流動洗浄ユニット１７におけるウエハＷの洗浄は、上述した第１，第２洗浄方法を組み合わせて行ってもよい。また、超流動ヘリウムにフッ素を含有させることによって、金属系の汚染成分を除去する効果が得られ、超流動ヘリウムにオゾンを含有させることによって、酸素との反応性を有する汚染成分を除去する効果が得られることが、それぞれ期待される。
　次に、本発明に係る基板洗浄方法を実施可能な別の基板処理システムについて説明する。図５は、本発明に係る基板洗浄方法を実施可能な第２の基板処理システムの構造を概略的に示す平面図である。この基板処理システム１０Ａは、図１に示した基板処理システム１０にさらに、ウエハＷに超臨界洗浄処理を施す超臨界洗浄ユニット７０を備えた構造を有している。そのため、ここでは超臨界洗浄ユニット７０の概要についてのみ説明することとする。
　超臨界洗浄ユニット７０は、フープ載置台１５と一列に並んでローダーモジュール１３の側壁に接続されている。超臨界洗浄ユニット７０の配設位置はこれに限定されるものではなく、プロセスシップ１１側に配置してもよく、また、超流動洗浄ユニット１７の上部に配置して、多段洗浄ユニットを構成してもよい。
　超臨界洗浄ユニット７０の詳細な構造の図示は省略するが、超臨界洗浄ユニット７０は、ウエハＷを収容する高温高圧チャンバと、高温高圧チャンバ内の温度を制御する温度制御装置と、高温高圧チャンバ内の圧力を制御する圧力制御装置と、高温高圧チャンバに超臨界流体を供給／回収する媒体供給／回収ラインと、窒素ガス等の不活性ガスで高温高圧チャンバ内をパージするパージラインとを備えている。超臨界流体としては、例えば、二酸化炭素（ＣＯ２）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを用いることができる。
　超臨界洗浄ユニット７０によるウエハＷの洗浄処理は、超流動洗浄ユニット１７におけるウエハＷの洗浄処理の前に行ってもよいし、後に行ってもよい。超流動体による洗浄処理と超臨界流体による洗浄処理とを行うことで、一方のみの処理では除去できない汚染成分を他方の処理で除去する等して、より精密な洗浄処理を行うことができる。超臨界洗浄ユニット７０では、ウエハＷが、所定時間の間、超臨界流体に晒されることによって、汚染成分が除去される。超臨界流体は気体であるため、ウエハＷに形成された微細パターンにパターン倒れが発生することがない。
　以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記形態に限定されるものではない。例えば、ウエハＷにＲＩＥ処理を施すプロセスモジュール２５を備える基板処理システムを取り上げたが、プロセスモジュールは、ウエハＷに成膜処理や拡散処理を行うものであってもよい。
　上記形態においては、ＲＩＥ処理を施す装置に超流動洗浄ユニット１７を接続することによって、基板処理システム１０，１０Ａを構成した。このように、超流動洗浄ユニット１７は、ＲＩＥ処理や成膜処理、拡散処理等を施す種々の処理装置に接続が可能であるため、既存の処理装置に容易に適用することができるものであるが、一方で、超流動洗浄ユニット１７を、これらの処理装置に接続することなく、独立した洗浄処理装置として使用することも可能である。
　上記説明では、基板として半導体ウエハを取り上げたが、基板はこれに限定されるものではなく、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等のＦＰＤ（Ｆｌａｔ　Ｐａｎｅｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板やフォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等の各種基板であってもよい。
　本発明の目的は、オペレーションコントローラ４０において、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、コンピュータ（例えば、制御部）に供給し、コンピュータのＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
　この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
　プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。
　また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
　さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
　上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
　１０，１０Ａ　　基板処理システム
　１３　　ローダーモジュール
　１７　　超流動洗浄ユニット
　２５　　プロセスモジュール
　２７　　ロード・ロックモジュール
　４０　　オペレーションコントローラ
　４１　　外側容器
　４２　　内側容器
　４３　　ステージ
　４４　　冷凍機
　４５　　伝熱管
　４６　　ヒータ電源
　４７　　シャワーヘッド
　４８　　ドレイン
　４９　　バルブ
　５１　　液体窒素供給ライン
　５２　　窒素ガス排出ライン
　５３　　液体ヘリウム供給ライン
　５４　　ヘリウムガス排出ライン
　５５　　排気ライン
　７０　　超臨界洗浄ユニット
　Ｗ　　　（半導体）ウエハ

Claims (6)

  1. 　微細パターンが表面に形成された基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
    　前記基板を、前記基板の表面に所定の加工を施す処理チャンバから前記基板の洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、
    　前記洗浄チャンバ内において、前記基板を所定の温度に冷却する冷却ステップと、
    　超流動体を前記基板の表面に供給し、その後、前記基板の表面から前記超流動体を流し出すことによって前記微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップと、
    　を有することを特徴とする基板洗浄方法。
  2. 　前記超流動洗浄ステップは、前記基板に前記超流動体を供給しながら、前記基板から流れ出る前記超流動体を回収することにより行われることを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
  3. 　前記超流動洗浄ステップは、
    　前記基板を前記超流動体に浸漬する浸漬ステップと、
    　前記基板が浸漬されている前記超流動体の水位を前記基板の表面よりも低くすることによって、前記超流動体を前記基板の表面から流し出す流し出しステップと、
    　を有することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
  4. 　前記超流動体はヘリウムであることを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
  5. 　前記微細パターンの代表長が０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
  6. 　前記基板を前記超流体により洗浄処理する前又は後において、前記基板を超臨界流体により洗浄する超臨界洗浄ステップをさらに有することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
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