WO2010091936A1 - Verfahren zur strukturierung einer halbleiteroberfläche und halbleiterchip - Google Patents

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Bernd Böhm
Alexander Heindl
Patrick Rode
Matthias Sabathil
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140030311A (ko) * 2011-08-31 2014-03-11 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 광학용 기재 및 반도체 발광 소자

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010020162A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Strukturierung eines Strahlungsauskoppelelements
KR101233768B1 (ko) * 2010-12-30 2013-02-15 포항공과대학교 산학협력단 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드
KR102120264B1 (ko) * 2013-02-11 2020-06-09 루미리즈 홀딩 비.브이. 발광 디바이스 및 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10306779A1 (de) 2002-12-30 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Aufrauhen einer Oberfläche eines Körpers und optoelektronisches Bauelement
WO2005048361A2 (en) * 2003-11-12 2005-05-26 Matsushita Electric Works, Ltd. A method for producing a light-emitting device
JP2006041415A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子の製造方法
US20070045640A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
DE102006024423A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Erzeugen von Strukturen in optoelektronischen Bauelementen und Vorrichtung dazu
KR20070084768A (ko) * 2006-02-21 2007-08-27 엘지전자 주식회사 임프린트를 이용한 에칭방법과 그에 사용되는 스탬프
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW445507B (en) * 2000-07-20 2001-07-11 United Epitaxy Co Ltd Roughened interface of light emitting device
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
EP1526411A1 (en) * 2003-10-24 2005-04-27 Obducat AB Apparatus and method for aligning surface
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
EP2060950A4 (en) * 2006-08-18 2014-06-25 Toppan Printing Co Ltd METHOD FOR PRODUCING AN ORGINAL PLATE, METHOD FOR PRODUCING A MICRONADEL PATCH, MICRONADEL PATCH AND EXPOSURE DEVICE
DE102006043400A1 (de) * 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102009023355A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10306779A1 (de) 2002-12-30 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Aufrauhen einer Oberfläche eines Körpers und optoelektronisches Bauelement
WO2005048361A2 (en) * 2003-11-12 2005-05-26 Matsushita Electric Works, Ltd. A method for producing a light-emitting device
JP2006041415A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子の製造方法
US20070045640A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
DE102006024423A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Erzeugen von Strukturen in optoelektronischen Bauelementen und Vorrichtung dazu
KR20070084768A (ko) * 2006-02-21 2007-08-27 엘지전자 주식회사 임프린트를 이용한 에칭방법과 그에 사용되는 스탬프
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHEN T P ET AL: "Recent developments in high brightness LEDs", PROCEEDINGS OF THE SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, vol. 6910, 7 February 2008 (2008-02-07), USA, pages 691005-1 - 691005-10, XP002581106, ISSN: 0277-786X *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140030311A (ko) * 2011-08-31 2014-03-11 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 광학용 기재 및 반도체 발광 소자
KR101675206B1 (ko) * 2011-08-31 2016-11-10 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 광학용 기재 및 반도체 발광 소자

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