DE102009008223A1 - Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip - Google Patents

Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip Download PDF

Info

Publication number
DE102009008223A1
DE102009008223A1 DE102009008223A DE102009008223A DE102009008223A1 DE 102009008223 A1 DE102009008223 A1 DE 102009008223A1 DE 102009008223 A DE102009008223 A DE 102009008223A DE 102009008223 A DE102009008223 A DE 102009008223A DE 102009008223 A1 DE102009008223 A1 DE 102009008223A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
wafer
semiconductor wafer
photoresist
structuring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102009008223A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Elmar Baur
Bernd Böhm
Alexander Heindl
Patrick Rode
Matthias Dr. Sabathil
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102009008223A priority Critical patent/DE102009008223A1/de
Priority to US13/148,631 priority patent/US20120032306A1/en
Priority to PCT/EP2010/050742 priority patent/WO2010091936A1/de
Priority to CN2010800070061A priority patent/CN102308396A/zh
Priority to KR1020117021093A priority patent/KR20110115166A/ko
Priority to TW099103149A priority patent/TW201036216A/zh
Publication of DE102009008223A1 publication Critical patent/DE102009008223A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
DE102009008223A 2009-02-10 2009-02-10 Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip Withdrawn DE102009008223A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009008223A DE102009008223A1 (de) 2009-02-10 2009-02-10 Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip
US13/148,631 US20120032306A1 (en) 2009-02-10 2010-01-22 Method for Patterning a Semiconductor Surface, and Semiconductor Chip
PCT/EP2010/050742 WO2010091936A1 (de) 2009-02-10 2010-01-22 Verfahren zur strukturierung einer halbleiteroberfläche und halbleiterchip
CN2010800070061A CN102308396A (zh) 2009-02-10 2010-01-22 用于结构化半导体表面的方法和半导体芯片
KR1020117021093A KR20110115166A (ko) 2009-02-10 2010-01-22 반도체 표면을 구조화하는 방법 및 반도체칩
TW099103149A TW201036216A (en) 2009-02-10 2010-02-03 Method for patterning a semiconductor surface, and semiconductor chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009008223A DE102009008223A1 (de) 2009-02-10 2009-02-10 Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102009008223A1 true DE102009008223A1 (de) 2010-08-12

Family

ID=42112195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009008223A Withdrawn DE102009008223A1 (de) 2009-02-10 2009-02-10 Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120032306A1 (und)
KR (1) KR20110115166A (und)
CN (1) CN102308396A (und)
DE (1) DE102009008223A1 (und)
TW (1) TW201036216A (und)
WO (1) WO2010091936A1 (und)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010020162A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Strukturierung eines Strahlungsauskoppelelements
EP2752895A1 (en) * 2011-08-31 2014-07-09 Asahi Kasei E-Materials Corporation Optical substrate and semiconductor light-emitting element
EP2660027A4 (en) * 2010-12-30 2016-01-20 Postech Acad Ind Found METHOD FOR PRODUCING A NANO IMPRINT FORM, METHOD FOR PRODUCING AN LED USING THE NANO-IMPRINT-MADE PRODUCED THEREFROM, AND LED PRODUCED THEREFROM

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014122565A1 (en) * 2013-02-11 2014-08-14 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device and method for manufacturing a light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10306779A1 (de) 2002-12-30 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Aufrauhen einer Oberfläche eines Körpers und optoelektronisches Bauelement
WO2008020631A1 (fr) * 2006-08-18 2008-02-21 Toppan Printing Co., Ltd. Procédé de production de plaque originale, procédé de production de timbre à micro-aiguilles, timbre à micro-aiguilles et appareils d'exposition
DE102006043400A1 (de) * 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW445507B (en) * 2000-07-20 2001-07-11 United Epitaxy Co Ltd Roughened interface of light emitting device
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
EP1526411A1 (en) * 2003-10-24 2005-04-27 Obducat AB Apparatus and method for aligning surface
JP4124102B2 (ja) * 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
JP4635507B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-23 パナソニック電工株式会社 発光素子の製造方法
US20070045640A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
DE102006024423A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Erzeugen von Strukturen in optoelektronischen Bauelementen und Vorrichtung dazu
KR100776240B1 (ko) * 2006-02-21 2007-11-16 엘지전자 주식회사 임프린트를 이용한 에칭방법과 그에 사용되는 스탬프
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102009023355A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10306779A1 (de) 2002-12-30 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Aufrauhen einer Oberfläche eines Körpers und optoelektronisches Bauelement
WO2008020631A1 (fr) * 2006-08-18 2008-02-21 Toppan Printing Co., Ltd. Procédé de production de plaque originale, procédé de production de timbre à micro-aiguilles, timbre à micro-aiguilles et appareils d'exposition
DE102006043400A1 (de) * 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010020162A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Strukturierung eines Strahlungsauskoppelelements
EP2660027A4 (en) * 2010-12-30 2016-01-20 Postech Acad Ind Found METHOD FOR PRODUCING A NANO IMPRINT FORM, METHOD FOR PRODUCING AN LED USING THE NANO-IMPRINT-MADE PRODUCED THEREFROM, AND LED PRODUCED THEREFROM
EP2752895A1 (en) * 2011-08-31 2014-07-09 Asahi Kasei E-Materials Corporation Optical substrate and semiconductor light-emitting element
EP2752895A4 (en) * 2011-08-31 2014-07-30 Asahi Kasei E Materials Corp OPTICAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
EP2866092A1 (en) * 2011-08-31 2015-04-29 Asahi Kasei E-materials Corporation Substrate for optics and semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110115166A (ko) 2011-10-20
US20120032306A1 (en) 2012-02-09
CN102308396A (zh) 2012-01-04
TW201036216A (en) 2010-10-01
WO2010091936A1 (de) 2010-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2638575B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
DE102008049395B4 (de) Verfahren zum Ausbilden eines feinen Musters und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-LED
DE112013000281B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE102006043400A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102008056175A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements und Strahlung emittierendes Dünnschichtbauelement
WO2010136251A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
WO2012116978A1 (de) Verfahren zur herstellung eines dünnfilm-halbleiterkörpers und dünnfilm-halbleiterkörper
DE102009008223A1 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip
DE10229231B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchips mit einer Strahlungsein- und/oder -auskoppel-Mikrostruktur
DE10340271B4 (de) Dünnschicht-Leuchtdiodenchip und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1579511B1 (de) Verfahren zum aufrauhen einer oberfläche eines optoelektronischen halbleiterkörpers.
WO2010136304A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102009018286A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
WO2011144199A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
WO2014049038A1 (de) Verfahren zum vereinzeln von bereichen einer halbleiterschicht
DE102016101442A1 (de) Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement
EP2304816A1 (de) Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung
DE102018101086A1 (de) Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierende rgb-einheit und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden rgb-einheit
DE102014114613B4 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip
DE102017124307A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
WO2012100868A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
DE102021117801A1 (de) Herstellungsverfahren und optoelektronischer halbleiterchip
DE102005056604A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
WO2016050432A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von halbleiterchips und halbleiterchip
DE102014116276A1 (de) Epitaxie-Wafer, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Epitaxie-Wafers und eines Bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination