WO2010073457A1 - 粉末、その製造方法、及びその粉末を含む樹脂組成物 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a powder composed of spherical siliceous powder and / or spherical alumina powder, a production method thereof, and a resin composition containing the powder.
  • a semiconductor encapsulant for packaging (sealing) a semiconductor is a siliceous powder for the purpose of lowering the coefficient of thermal expansion, increasing the thermal conductivity, improving flame retardancy, and improving moisture resistance.
  • fillers such as alumina powder and the like are filled with fine metal particles as foreign matters in the manufacturing process. This is because part of the manufacturing equipment for fillers such as siliceous powder and alumina powder is generally made of metal such as iron or stainless steel, and the surface is used for pulverizing the powder or air flow. This is because it is scraped by powder when it is transported, classified, sieved, blended, etc.
  • Patent Document 1 As a technique for removing or detoxifying (non-conductive) metallic particles in siliceous powder and alumina powder, spherical silica powder containing metallic particles is placed in an aqueous sulfuric acid solution, and the metallic powder is dissolved. A removal method is disclosed (Patent Document 1). However, in this method, it is necessary to wash, heat dry and crush the spherical silica powder after the acid treatment, which is not only costly, but also in the heat drying step and the crushing step for pulverization, There is a problem that there is a large risk that the powdered powder will be mixed again.
  • the object of the present invention is to use a spherical siliceous powder and / or alumina that is suitable for preparing a semiconductor encapsulant with a small contamination rate of conductive foreign materials, which is used for encapsulating miniaturized and densified semiconductors. It is providing the powder which consists of powder, its manufacturing method, and a resin composition.
  • the number ratio of the magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is the same as that of the magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more and the particle diameter of 45 ⁇ m.
  • a 10,000 gauss bar magnet covered with a rubber cover having a thickness of 20 ⁇ m is immersed in the slurry to capture the magnetized particles, and sieved with a polyester filter having an opening of 45 ⁇ m.
  • the number of particles remaining on the filter is regarded as “the total number of magnetized colored particles having a particle size of 45 ⁇ m or more and non-magnetized particles having a particle size of 45 ⁇ m”.
  • the colored particles are regarded as “magnetically colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more”, and the number thereof is counted. (Number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more) ⁇ 100 / (total number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more and magnetized non-colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more), The number ratio of the magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more present in the magnetized particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is calculated.
  • the analysis conditions for EDS are an acceleration voltage of 15 kV, an irradiation current of 10 nA, a magnification of 2000 times, an integration time of 100 msec per pixel, a pixel size of 0.2 ⁇ m ⁇ , and a pixel count of 256 ⁇ 256 pixels.
  • the number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is 5 or less per 50 g of powder, and (ii) the magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more;
  • the total number of magnetized non-colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is 50 or less per 50 g of powder, and
  • the ratio of the number of particles oxidized to the center is 60% or more, particularly 70% or more.
  • the average sphericity of the powder is preferably 0.75 or more and the average particle size is 3 to 50 ⁇ m.
  • the present invention includes a step of melting a siliceous powder raw material and / or an alumina powder raw material with a flame formed in a furnace, spheroidizing the material, and then transporting it outside the furnace to collect the spherical powder.
  • oxygen gas and / or water vapor of 0.3 to 0.6 m 3 per 1 kg of the raw material powder is added to any at least one portion of the furnace where the ambient temperature is 1600 to 1800 ° C.
  • the powder composed of the spherical siliceous powder and / or the spherical alumina powder is preferably any of the powders of the present invention described above.
  • the present invention also provides a resin composition containing the powder of the present invention.
  • spherical siliceous powder and / or alumina powder suitable for preparing a semiconductor encapsulant with a small contamination rate of conductive foreign substances used for encapsulating miniaturized and densified semiconductors.
  • the powder which consists of, the manufacturing method, and the resin composition are provided.
  • the powder of the present invention comprises a spherical siliceous powder and / or a spherical alumina powder.
  • the semiconductor sealing material using siliceous powder has an advantage that the coefficient of thermal expansion is lower than that using an oxide powder other than siliceous powder.
  • the semiconductor sealing material using alumina powder has the advantage that the thermal conductivity is higher than that using oxide powder other than alumina powder.
  • the powder composed of siliceous powder and / or alumina powder may be a single powder or a mixed powder of both.
  • the average sphericity of the powder of the present invention is preferably 0.75 or more, particularly preferably 0.80 or more, more preferably 0.90 or more. Such average sphericity reduces the viscosity of the semiconductor sealing material, and can easily reduce the occurrence of problems such as wire flow during sealing.
  • the average sphericity is measured as follows. That is, a particle image photographed with a stereomicroscope (trade name “Model SMZ-10” manufactured by Nikon Corporation) is taken into an image analysis device (trade name “MacView” manufactured by Mountec Co., Ltd.), and the projected area (A) of the particles from the photograph. And measure the perimeter (PM).
  • the sphericity of the particle is A / B.
  • B ⁇ ⁇ (PM / 2 ⁇ ) 2
  • the sphericity of 200 arbitrary particles is obtained, and the average value is defined as the average sphericity.
  • the average particle size of the powder of the present invention is preferably 3 to 50 ⁇ m. If the average particle diameter is less than 3 ⁇ m, the viscosity of the semiconductor encapsulant increases, and there is a possibility that the semiconductor wire is deformed at the time of encapsulation. On the other hand, if the average particle diameter exceeds 50 ⁇ m, the particles may be too coarse to damage the semiconductor chip, or the coarse particles may collide with the semiconductor wire and the wire may be deformed. A particularly preferred average particle size is 5 to 45 ⁇ m.
  • the average particle size is a particle size having a cumulative value of 50% by mass in the cumulative particle size distribution of the powder, and can be measured based on particle size measurement by a laser diffraction scattering method.
  • water and powder are mixed using a measuring device of trade name “Cirrus Granurometer Model 920” manufactured by Cirrus, and the powder is dispersed with an ultrasonic homogenizer at an output of 200 W for 1 minute. Measure from The particle diameter channels are 1, 1.5, 2, 3, 4, 6, 8, 12, 16, 24, 32, 48, 64, 96, 128, and 196 ⁇ m.
  • the siliceous powder of the present invention preferably has an amorphous ratio (melting ratio) of 98% by mass or more.
  • the amorphous ratio is determined by X-ray diffraction analysis using a powder X-ray diffractometer (trade name “Model Mini Flex” manufactured by RIGAKU) in the range of 2 ⁇ of CuK ⁇ rays of 26 ° to 27.5 °. Measured from the peak intensity ratio.
  • crystalline silica has a main peak at 26.7 °, but amorphous silica has no peak.
  • amorphous silica and crystalline silica are mixed, a peak of 26.7 ° having a height corresponding to the ratio of crystalline silica can be obtained.
  • the number ratio of the magnetically colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more was the same as that of the magnetically colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more and the particle diameter of 45 ⁇ m. It is 20% or less, preferably 15% or less, particularly preferably 10% or less, based on the total number of the above magnetized non-coloring particles.
  • the fact that particles that are amber colored in magnetized particles of 45 ⁇ m or more (that is, magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more) is included means that part or all of the magnetized particles are dissolved in a 10% by mass hydrochloric acid aqueous solution.
  • the magnetized colored particles having a particle size of 45 ⁇ m or more are stainless steel particles, iron particles, and the like, and typical examples of the magnetized non-colored particles having a particle size of 45 ⁇ m or more are iron oxide particles.
  • both the magnetized colored particles and the magnetized non-colored particles are captured by a 10,000 G bar magnet.
  • magnetized particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more and the conductivity of the magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more are as follows. Almost all of the magnetized particles mixed in the powder are stainless steel (SUS304, SUS316, SUS430, etc.) particles, iron (Fe) particles, and oxides thereof derived from wear, cutting, peeling, etc. of manufacturing equipment. Particles. In the powder manufacturing process, in some heated stainless steel particles and iron particles, oxide films such as hematite (Fe 2 O 3 ) and magnetite (Fe 3 O 4 ) are formed in order from the outside. Are magnetic particles that are captured by a magnet of at least 10,000 Gauss.
  • stainless steel particles and iron particles are soluble in hydrochloric acid and have conductivity, but hematite is an insulator having very little hydrochloric acid solubility and almost no conductivity. Therefore, if the solubility of the magnetized particles in the hydrochloric acid aqueous solution can be determined, the magnitude of the conductivity of the magnetized particles can be determined.
  • the magnetized colored particles exhibiting an amber color reaction are stainless steel particles, iron particles
  • the magnetized non-colored particles that are determined to have conductivity and do not exhibit a color reaction are determined to be those oxide particles having at least a hematite film and not to have conductivity (very small). be able to.
  • the powder of the present invention is configured based on such a novel viewpoint.
  • the ratio of the number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more exceeds 20% with respect to the total number of magnetized colored particles and magnetized non-colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more, semiconductor encapsulation
  • the number ratio of the magnetized colored particles having a particle diameter of less than 45 ⁇ m is small, but since the distance between the gold wires in the current state-of-the-art semiconductor is about 50 ⁇ m, these particles straddle the gold wires, and the semiconductor This is unlikely to cause a short circuit failure. Therefore, at the present time, it is important to regulate the number ratio of the magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more.
  • the number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is preferably 5 or less per 50 g of powder, particularly preferably 3 or less. This promotes the effects of the present invention.
  • the ideal number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is 0, but the amount of powder in the semiconductor encapsulant used per semiconductor is about 1 to 3 g. In particular, the short-circuit failure rate of semiconductors due to powder tends to be extremely small. Therefore, if the number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is 5 or less per 50 g of powder, a sufficient effect can be obtained from the viewpoint of reducing short circuit defects in the semiconductor.
  • the total number of magnetized colored particles having a particle size of 45 ⁇ m or more and magnetized non-colored particles having a particle size of 45 ⁇ m or more (that is, the number of magnetized particles having a particle size of 45 ⁇ m or more) per 50 g of powder.
  • the effect of the present invention can be further enhanced when the number is 50 or less, particularly 40 or less. That is, the non-magnetic colored particles that do not exhibit conductivity may be reduced in advance because the oxide film such as hematite may be destroyed depending on the handling method and may exhibit conductivity again. .
  • the number ratio of “particles oxidized to the center” calculated by performing the above (4) is preferably 60% or more, particularly preferably 70% or more.
  • the number ratio of the particles oxidized to the center is less than 60%, the effect of the present invention is not drastically impaired.
  • osmium was vapor-deposited with the thickness of about 5 nm with the osmium coater, and electroconductivity was provided. Under this condition, 10 cross-sections of arbitrary non-magnetized particles having a diameter of 45 ⁇ m or more were photographed. The number of particles was counted by enlarging with a microscope.
  • the number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more and the method of increasing / decreasing the number of magnetized non-colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more will be described later.
  • oxygen gas and What is necessary is just to increase supply_amount
  • powder raw material and / or spherical powder and stainless steel and / or iron are used. And the relative speed may be 5 m / s or less.
  • the average particle diameter of the powder can be increased or decreased by adjusting the average particle diameter of the powder raw material, and the average sphericity increases as the amount of powder raw material supplied to the flame is reduced.
  • a burner that can disperse the powder raw material strongly and inject it into the flame is used in order to increase the average sphericity and prevent the particles from aggregating and melting.
  • the strong dispersion of the powder raw material there are particles that go out of the flame without undergoing sufficient heat history in the flame, and there are many magnetized particles that are not oxidized.
  • the magnetized particles are once oxidized, they are reduced by the carbon component, hydrogen component, etc. in the combustible gas (for example, propane gas) for forming the flame, and return to the almost unoxidized state. There were also magnetized particles going out. According to the production method of the present invention, such problems can be solved and the powder of the present invention can be produced.
  • the siliceous powder raw material and / or the alumina powder raw material is melted by a flame formed in the furnace, spheroidized, and then conveyed outside the furnace to collect the spherical powder.
  • a device in which a collection device is connected to a furnace body equipped with a burner is used.
  • the furnace body may be either a vertical type or a horizontal type.
  • the collection device is provided with one or more of a gravity settling chamber, a cyclone, a bag filter, an electric dust collector, and the like, and spherical powder can be collected by adjusting the collection conditions thereof. Examples are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 11-57451 and 2001-233627.
  • oxygen gas and / or water vapor of 0.3 to 0.6 m 3 per 1 kg of the raw material powder is added to any at least one portion of the furnace where the ambient temperature is 1600 to 1800 ° C.
  • the first requirement is to supply at an angle of 60 ° to 90 ° with respect to the injection direction of the powder raw material.
  • the total amount is 0.3 to 0.6 m 3 .
  • the part of the furnace body where the ambient temperature is 1600-1800 ° C is specified by measuring with a B-type thermocouple (measurable temperature: 0-1800 ° C), an IrRh thermocouple (measurable temperature: 1100-2000 ° C), etc. it can.
  • the part is in the vicinity immediately after the raw material powder is melted and spheroidized at the flame temperature, and the raw material powder / spherical powder is floating.
  • Supplying oxygen gas and / or water vapor to such a field not only facilitates the transfer of heat to the stainless steel particles and iron particles, but also allows these particles to make sufficient contact with oxygen gas and / or water vapor.
  • the number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more can be reliably reduced, and the number of particles oxidized to the center can be increased. That is, if the ambient temperature at the location where the oxygen gas and / or water vapor is supplied is less than 1600 ° C., such an effect is reduced, while if it exceeds 1800 ° C., the oxygen gas is consumed in the combustion reaction and is absorbed. In addition to not contributing to the oxidation of the magnetic particles, the water vapor may lower the temperature of the flame and hinder the melting and spheroidization of the raw material powder. The preferred ambient temperature is 1700-1800 ° C. If the gas to be supplied is air or nitrogen gas, the stainless steel particles and iron particles cannot be sufficiently oxidized.
  • Patent Document 2 describes a method of oxidizing metallic particles by producing spherical siliceous powder and then heating it in the atmosphere at a temperature of 700 to 1500 ° C.
  • the siliceous powder may be heated at a high temperature, the siliceous powders are fused and aggregated, and the metallic particles buried in the spherical siliceous powder are not oxidized.
  • the supply amount of oxygen gas and / or water vapor is less than 0.3 m 3 per 1 kg of the raw material powder, the stainless steel particles and iron particles are not easily in contact with oxygen gas and / or water vapor, so the above-mentioned effects are small. On the other hand, if it exceeds 0.6 m 3 , melting and spheroidization of the raw material powder may be impaired.
  • a preferable supply amount of oxygen gas and / or water vapor is 0.4 to 0.5 m 3 per kg of the raw material powder.
  • a preferable supply angle is 70 ° to 90 ° with respect to the injection direction of the powder raw material, and particularly preferably 90 ° (right angle).
  • the oxygen gas and / or water vapor supply pipes are provided in at least one place of the furnace body, but are preferably installed in a total of four positions, one at each position where the straight lines connecting the installation positions are orthogonal to each other.
  • stainless steel particles and iron particles can be sufficiently brought into contact with oxygen gas and / or water vapor, and the number of magnetized colored particles having a particle diameter of 45 ⁇ m or more is surely determined.
  • the number of particles oxidized to the center can be increased. More preferably, it is installed at four locations on a plane at a position 50 cm above and below from this installation location, that is, a total of 12 locations.
  • the production method of the present invention is the above method wherein the powder raw material and / or the spherical powder and the stainless steel and / or iron are in contact between the melting of the powder raw material and the spheroidizing process to the collection of the spherical powder.
  • the second requirement is to set these relative speeds at 5 m / s or less.
  • the relative speed here refers to the moving speed of the powder raw material and / or the spherical powder (for example, the air flow conveying speed of the powder, the falling speed, etc.) when the constituent members of the apparatus do not move, such as a fixed pipe. If the powder does not move, such as a spherical powder stored in a collection device, the moving speed of the constituent members of the device (for example, the sliding speed of the slide plate, the peripheral speed of the rotary valve, etc.).
  • the relative speed regulated in the present invention is a relative speed between the powder raw material and / or spherical powder and stainless steel and / or iron, and is 5 m / s or less.
  • the preferred relative speed in this part is 4 m / s or less, more preferably 3 m / s or less.
  • a portion having a relative speed exceeding 5 m / s does not expose stainless steel and / or iron, and is lined with a non-metallic material such as alumina, natural rubber, or urethane.
  • the resin composition of the present invention contains a resin and the powder of the present invention.
  • the content of the powder in the resin composition is preferably 10 to 95% by mass, more preferably 40 to 93% by mass.
  • the resin include epoxy resin, silicone resin, phenol resin, melamine resin, urea resin, unsaturated polyester, fluororesin, polyamide such as polyimide, polyamideimide, and polyetherimide, polyester such as polybutylene terephthalate and polyethylene terephthalate, polyphenylene sulfide , Aromatic polyester, polysulfone, liquid crystal polymer, polyethersulfone, polycarbonate, maleimide modified resin, ABS resin, AAS (acrylonitrile-acrylic rubber / styrene) resin, AES (acrylonitrile / ethylene / propylene / diene rubber / styrene) resin, etc. can do.
  • an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable.
  • orthocresol novolac type epoxy resins from the viewpoint of moisture resistance and solder reflow resistance, orthocresol novolac type epoxy resins, bishydroxybiphenyl type epoxy resins, epoxy resins having a naphthalene skeleton, and the like are preferable.
  • the resin composition when the resin composition is an epoxy resin composition, the resin composition includes an epoxy resin curing agent, or an epoxy resin curing agent and an epoxy resin curing accelerator.
  • the epoxy resin curing agent include one or a mixture of two or more selected from the group of phenol, cresol, xylenol, resorcinol, chlorophenol, t-butylphenol, nonylphenol, isopropylphenol, octylphenol, and the like.
  • novolak-type resin obtained by reacting with para-xylene under an oxidation catalyst polyparahydroxystyrene resin, bisphenol compounds such as bisphenol A and bisphenol S, trifunctional phenols such as pyrogallol and phloroglucinol, maleic anhydride, anhydrous Examples include acid anhydrides such as phthalic acid and pyromellitic anhydride, and aromatic amines such as metaphenylenediamine, diaminodiphenylmethane, and diaminodiphenylsulfone.
  • the above-described curing accelerators such as triphenylphosphine, benzyldimethylamine, and 2-methylimidazole are preferable.
  • the resin composition of the present invention may further contain the following components as necessary. Silicone rubber, polysulfide rubber, acrylic rubber, butadiene rubber, rubbery materials such as styrene block copolymers and saturated elastomers, various thermoplastic resins, resinous materials such as silicone resins, and epoxy Resin, resin in which part or all of phenol resin is modified with amino silicone, epoxy silicone, alkoxy silicone, etc.
  • silane coupling agents epoxy silanes such as ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, aminopropyltriethoxysilane, ureidopropyltriethoxysilane, N-phenyl Aminosilanes such as aminopropyltrimethoxysilane, hydrophobic silane compounds such as phenyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, and mercaptosilane;
  • a surface treatment agent Zr chelate, titanate coupling agent, aluminum coupling agent, etc.
  • Sb 2 O 3 , Sb 2 O 4 , Sb 2 O 5 etc. as flame retardants, halogenated epoxy resins, phosphorus compounds, etc., As colorants, carbon black, iron oxide, dyes, pigments, etc.
  • the mold release agent include natural waxes, synthetic waxes, metal salts of linear fatty acids, acid amides, esters, and paraffin.
  • the resin composition of the present invention is produced by blending a predetermined amount of each of the above materials with a blender, a Henschel mixer, etc., then kneading with a heating roll, kneader, uniaxial or biaxial extruder, etc. can do.
  • Examples 1-7, Comparative Examples 1-9 Commercially available crystalline silica powder S1 (average particle diameter 26 ⁇ m), S2 (average particle diameter 5 ⁇ m), S3 (average particle diameter 45 ⁇ m), alumina powder A1 (average particle diameter 31 ⁇ m), A2 (average particle diameter 3 ⁇ m) shown in Table 1 ), A3 (average particle size 51 ⁇ m) was prepared. These raw material powders were melted and spheroidized in a flame under the production conditions described in Tables 2 and 3, and various spherical siliceous powders and spherical alumina powders were produced.
  • the apparatus used is obtained by adding the following improvements (a) to (d) to the apparatus described in FIG. 1 of JP-A-11-57451. In Comparative Example 9, an apparatus without these improvements was used.
  • (B) The mounting angle is powdered on the same circumference of the furnace body in which the atmospheric temperature in the furnace measured with a B-type thermocouple is either 1500 ° C, 1600 ° C, 1700 ° C, 1800 ° C or 1900 ° C.
  • Oxygen gas and / or water vapor supply pipe adjusted by a bearing at 30 °, 60 °, 90 ° or 120 ° with respect to the raw material injection direction (downward direction in FIG. 1 of JP-A-11-57451) Was installed.
  • the total number of supply pipes is four, and one supply pipe is installed at each position where the straight lines connecting the installation positions are orthogonal to each other.
  • An alumina tube was used for the contact portion of the burner, and alumina brick was attached to the inner wall of the furnace body.
  • C A portion where the relative speed between the powder and stainless steel and / or iron is 5 m / s or more, specifically, the exhaust communication port (reference numeral 9) in FIG. 1 of JP-A-11-57451, the primary powder The recovery port (symbol 10) and the secondary powder recovery port (symbol 11) were lined with alumina.
  • the powder secondary recovery device bag filter (reference numeral 12) was lined with natural rubber.
  • Oxygen gas and / or water vapor were supplied from each of the four supply pipes in an amount of 0 to 1.0 m 3 per 1 kg of the raw material powder in total.
  • the temperature of the supplied oxygen gas was 20 ° C.
  • the temperature of the water vapor gas was 105 to 110 ° C.
  • the supply amount of the raw material powder was 100 to 170 kg / Hr.
  • Propane gas and oxygen gas were used to form the flame.
  • the maximum flame temperature was about 2000 ° C. to 2100 ° C. above the melting point of alumina.
  • the number of magnetized non-colored particles was measured.
  • the average sphericity and average particle diameter of the spherical siliceous powder and the spherical alumina powder were measured. The results are shown in Tables 1 and 2.
  • the amorphous ratio of the spherical siliceous powder was 99% by mass or more.
  • the kneaded product was pressed with a press machine and cooled, and then pulverized and tableted to produce semiconductor encapsulant tablets (17 mm ⁇ , 32 mmH), and the number of semiconductor short-circuit defects was evaluated as follows.
  • all the parts in contact with each material were formed of any material of alumina, tungsten carbide, and urethane.
  • a semiconductor element of size 8 mm x 8 mm x 0.3 mm is placed on a BGA substrate via a die attach film, connected to the substrate with a gold wire, and then a semiconductor encapsulant tablet is packaged using a transfer molding machine. After forming into 38 mm ⁇ 38 mm ⁇ 1.0 mm, after-curing at 175 ° C. for 8 hours, a BGA type semiconductor was produced. The diameter of the gold wire is ⁇ 20 ⁇ m, the pitch is 80 ⁇ m, and the interval is 60 ⁇ m. Thirty semiconductors were manufactured using the same semiconductor encapsulant tablet, and the number of semiconductors in which a short circuit failure occurred was counted.
  • the semiconductor encapsulant containing the spherical siliceous powder and / or the spherical alumina powder of the present invention is the number of semiconductor short-circuit defects when the semiconductor is encapsulated. Can be significantly reduced. According to the powder composed of the spherical siliceous powder and / or the spherical alumina powder of the present invention, it is possible to provide a semiconductor sealing material that is suitably used for a miniaturized and densified semiconductor.
  • the powder composed of the spherical siliceous powder and / or the spherical alumina powder of the present invention is filled in a semiconductor encapsulant used for automobiles, portable electronic devices, personal computers, home appliances, laminated boards on which semiconductors are mounted, etc. Used as a material.
  • the resin composition of the present invention is used as a prepreg for printed circuit boards, various engineering plastics, and the like obtained by impregnating and curing glass woven fabric, glass nonwoven fabric, and other organic base materials in addition to the semiconductor sealing material. it can.

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Abstract

　本発明の課題は、導電性異物の混入率が極めて少ない半導体封止材を提供することであり、また、そのような半導体封止材を調製するのに好適な球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末、その製造方法、及び樹脂組成物を提供することである。 　本発明に係る粉末は、粒子径が４５μｍ以上の着磁性粒子について、特定条件でフェリシアン化カリウム水溶液による粒子呈色反応試験を行ったときに、呈色した粒子の個数割合が、着磁性粒子の総個数に対して２０％以下である、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末である。このような粉末は、炉内のうち雰囲気温度が１６００～１８００℃となっている任意の少なくとも１個所に、特定量の酸素ガス及び／又は水蒸気を粉末原料の噴射方向に対し６０°～９０°の角度にて供給し、粉末原料及び／又は球状粉末とステンレス鋼及び／又は鉄との相対速度を５ｍ／ｓ以下にすることによって製造できる。

Description

粉末、その製造方法、及びその粉末を含む樹脂組成物
　本発明は、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末、その製造方法及びその粉末を含む樹脂組成物に関する。
　電子機器の小型軽量化及び高性能化の要求に対応して、半導体の小型化、薄型化、及び高密度実装化が急速に進展している。このため、半導体の構造は、従来のＱＦＰやＳＯＰなどのリード端子型の構造よりも、薄型化及び高密度実装化に有利なＢＧＡやＬＧＡなどのエリアアレイ型の構造が増えつつある。さらに、近年では、一つの半導体パッケージ内に複数のＩＣチップが積層されたスタックドチップ構造も積極的に採用されるようになっており、半導体構造の複雑化及び高密度実装化がますます進んでいる。また、半導体の小型化、薄型化、及び高密度実装化に伴い、半導体内部の金ワイヤーの配線間隔も狭くなっており、最新の半導体では、金ワイヤーの間隔が５０μｍ程度のものも実用化され始めている。
　一方、半導体をパッケージング（封止）する半導体封止材には、熱膨張率を下げる、熱伝導率を上げる、難燃性を向上させる、耐湿性を向上させる等の目的で、シリカ質粉末やアルミナ質粉末などのフィラーが充填されているが、これらの粉末には、その製造工程において、微細な金属質粒子が異物として混入することがある。これは、シリカ質粉末及びアルミナ質粉末などのフィラーの製造設備の一部が、一般には、鉄やステンレス鋼などの金属で作られており、その表面が、上記粉末を粉砕する際や、気流で輸送する際、分級、篩分けを行う際、ブレンドを行う際などに、粉末により削られるためである。このように、半導体封止材に充填されるシリカ質粉末及びアルミナ質粉末などに導電性の金属質粒子が混入していると、この導電性の金属質粒子によって半導体のワイヤー等の配線間の短絡（ショート）が引き起こされる可能性が高くなってしまう。このため、シリカ質粉末及びアルミナ質粉末などに混入している導電性の金属質粒子を除去あるいは無害化（非導電化）する試みが種々検討されている。
　シリカ質粉末及びアルミナ質粉末中の金属質粒子を除去あるいは無害化（非導電化）する技術としては、金属質粒子を含んだ球状シリカ粉末を硫酸水溶液中に入れ、金属質粉末を溶解し、除去する方法が開示されている（特許文献１）。しかしながら、この方法では、酸処理後の球状シリカ粉末を洗浄、加熱乾燥、解砕させる必要があり、多大なコストがかかるばかりでなく、加熱乾燥工程、粉末化のための解砕工程で、金属質粉末が再び混入してしまうリスクが大きいという問題点がある。また、残留する硫酸イオンのために、該球状シリカ粉末を充填した半導体封止材の信頼性が低下してしまう問題も発生する。一方、金属質粉末を酸化し、非導電化する目的で、金属質粒子を含んだ破砕状シリカを、大気中、７００～１５００℃の温度領域で加熱し、金属質粒子を酸化させることも開示されている（特許文献２）。この方法では、シリカ質粉末を高温で加熱するために、シリカ粉末どうしが融着、凝集してしまう問題や、シリカ質粉末の中に埋もれている金属質粒子がすべて酸化されないという問題がある。また、金属質粒子が酸化されたとしても、加熱温度が低温であるため、酸化皮膜は金属質粒子の表面のみであり、酸化皮膜の厚みや機械的強度によっては、酸化皮膜が破壊した際に、金属質粒子が再び導電性を有する粒子となる問題もあり、上記方法が根本的な解決策とはなっていないのが実情である。一方、シリカ質粉末原料及び／又はアルミナ質粉末原料を炉内に形成された火炎で溶融、球状化処理した後、炉外に搬送して球状粉末を捕集する方法において、炉内壁への粉末の付着を防止するため、空気、酸素ガス等のガスを炉内に噴射する方法が提案されている（特許文献３、４）。
特開２００７－００５３４６号公報 特開２００４－１７５８２５号公報 特開２００１－２３３６２７号公報 特開昭６０－１０６５２４号公報
　本発明の目的は、小型化、高密度化した半導体の封止に用いられる、導電性異物の混入率が少ない半導体封止材を調製するのに好適な球状のシリカ質粉末及び／又はアルミナ質粉末からなる粉末、その製造方法、及び樹脂組成物を提供することである。
　本発明は、以下の方法で呈色反応試験を行ったときに、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合が、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数に対して２０％以下である、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末を提供する。
　（１）５０ｇの粉末試料を精秤し、それをイオン交換水８００ｇに分散させてスラリーを調製する。
　（２）厚み２０μｍのゴム製カバーを被せた１００００ガウスの棒磁石を、上記スラリーに浸漬して着磁性粒子を捕獲し、それを目開き４５μｍのポリエステル製フィルターで篩う。フイルター上に残った粒子を、「粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数」とみなし、その個数を数える。
　（３）上記フイルター上の粒子に、２０℃の室温下、塩酸１０質量％水溶液、プロピレングリコール５０質量％水溶液およびフェリシアン化カリウム０．５質量％水溶液の等質量混合溶液を約０．５ｍｌ滴下して粒子を湿潤させ、２０分間放置する。その結果、呈色した粒子を「粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子」とみなし、その個数を数える。式、（粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数）×１００／（粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の総個数）、により、粒子径が４５μｍ以上の着磁性粒子に存在する粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合を算出する。
　（４）つぎに、呈色反応試験を終えた粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子を選び、エポキシ樹脂で包埋し硬化させた後、切断・研磨して粒子断面を露出させ、断面の中心に存在する酸素の有無をエネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ）で分析する。その結果、断面の中心から酸素が検出された粒子を「中心部まで酸化されている粒子」とみなし、その個数を数える。式、（中心部まで酸化されている粒子の個数）×１００／（粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の個数）、により、粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子に存在する中心部まで酸化されている粒子の個数割合を算出する。なお、ＥＤＳの分析条件は、加速電圧１５ｋＶ、照射電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、画素あたりの積算時間１００ｍｓｅｃ、画素サイズ０．２μｍ□、画素数２５６×２５６ｐｉｘｅｌｓである。
　本発明にあっては、（ｉ）粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数が、粉末５０ｇあたり５個以下であること、（ｉｉ）粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の総個数が、粉末５０ｇあたり５０個以下であること、（ｉｉｉ）中心部まで酸化されている粒子の個数割合が６０％以上、特に７０％以上であること、又は（ｉｖ）粉末の平均球形度が０．７５以上、平均粒子径が３～５０μｍであることが好ましい。
　また、本発明は、シリカ質粉末原料及び／又はアルミナ質粉末原料を炉内に形成された火炎で溶融し、球状化処理した後、炉外に搬送して球状粉末を捕集する工程を有し、この工程が、炉内のうち雰囲気温度が１６００～１８００℃となっている任意の少なくとも１個所に、原料粉末１ｋｇあたり０．３～０．６ｍ３の酸素ガス及び／又は水蒸気を、粉末原料の噴射方向に対し６０°～９０°の角度にて供給する工程、及び、粉末原料の溶融、球状化処理から球状粉末の捕集までの間において、粉末原料及び／又は球状粉末とステンレス鋼及び／又は鉄とが接触する部分におけるこれらの相対速度を５ｍ／ｓ以下にする工程を有する、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末の製造方法も提供する。この発明においては、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末が、上記した本発明の粉末のいずれかであることが好ましい。
　また、本発明は、本発明の粉末を含有してなる樹脂組成物も提供する。
　本発明によれば、小型化、高密度化した半導体の封止に用いられる導電性異物の混入率が少ない半導体封止材を調製するのに好適な球状のシリカ質粉末及び／又はアルミナ質粉末からなる粉末、その製造方法、及び樹脂組成物が提供される。
　本発明の粉末は、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる。シリカ質粉末を用いた半導体封止材は、シリカ質粉末以外の酸化物粉末を用いたものよりも熱膨張率が低くなる利点を有する。また、アルミナ質粉末を用いた半導体封止材は、アルミナ質粉末以外の酸化物粉末を用いたものよりも熱伝導率が高くなる利点を有する。シリカ質粉末及び／又はアルミナ質粉末からなる粉末は、それぞれ単独の粉末であってもよく、両者の混合粉末であってもよい。
　本発明の粉末の平均球形度は０．７５以上が好ましく、特に好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．９０以上である。このような平均球形度によって、半導体封止材の粘度が低下し、封止時のワイヤー流れなどの不具合の発生を容易に低減させることができる。平均球形度は、以下のようにして測定する。すなわち、実体顕微鏡（ニコン社製商品名「モデルＳＭＺ－１０型」）にて撮影した粒子像を画像解析装置（マウンテック社製商品名「ＭａｃＶｉｅｗ」）に取り込み、写真から粒子の投影面積（Ａ）と周囲長（ＰＭ）を測定する。周囲長（ＰＭ）に対応する真円の面積を（Ｂ）とすると、その粒子の球形度はＡ／Ｂである。試料の周囲長（ＰＭ）と同一の周囲長を持つ真円を想定すると、ＰＭ＝２πｒ、Ｂ＝πｒ２であるから、Ｂ＝π×（ＰＭ／２π）２であり、個々の粒子の球形度は、Ａ／Ｂ＝Ａ×４π／（ＰＭ）２で求められる。このようにして任意の粒子２００個の球形度を求め、その平均値を平均球形度とする。
　本発明の粉末の平均粒子径は３～５０μｍであることが好ましい。平均粒子径が３μｍ未満であると、半導体封止材の粘度が上昇し、封止時に半導体のワイヤーが変形するという不具合が発生する恐れがある。一方、平均粒子径が５０μｍを超えると、粒子が粗すぎて半導体チップを傷つけたり、粗い粒子が半導体のワイヤーに衝突してワイヤーが変形したりする恐れがある。特に好ましい平均粒子径は５～４５μｍである。平均粒子径とは、粉末の累積粒度分布において、累積値５０質量％である粒子径のことであり、レーザー回折散乱法による粒度測定に基づいて測定することができる。本発明においては、シーラス社製商品名「シーラスグラニュロメーター　モデル９２０」の測定機を用い、水と粉末とを混合し、超音波ホモジナイザーで２００Ｗの出力で１分間かけて粉末を分散処理してから測定する。なお、粒子径チャンネルは、１、１．５、２、３、４、６、８、１２、１６、２４、３２、４８、６４、９６、１２８、１９６μｍである。
　本発明のシリカ質粉末の非晶質率（溶融率）は９８質量％以上であることが好ましい。非晶質率は、粉末Ｘ線回折装置（ＲＩＧＡＫＵ社製商品名「モデルＭｉｎｉ　Ｆｌｅｘ」）を用い、ＣｕＫα線の２θが２６°～２７．５°の範囲においてＸ線回折分析を行い、特定回折ピークの強度比から測定する。シリカ質粉末の場合、結晶質シリカでは２６．７°に主ピークが存在するが、非晶質シリカではピークが存在しない。非晶質シリカと結晶質シリカとが混在していると、結晶質シリカの割合に応じた高さの２６．７°のピークが得られるので、結晶質シリカ標準試料のＸ線強度に対する試料のＸ線強度の比から、結晶質シリカ混在比（試料のＸ線回折強度／結晶質シリカのＸ線回折強度）を算出し、下記の式、
非晶質率（質量％）＝（１－結晶質シリカ混在比）×１００
から非晶質率を求めることができる。
　本発明の粉末は、上記の呈色反応試験を行ったときに、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合が、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数に対して２０％以下、好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下である。４５μｍ以上の着磁性粒子において紺色に呈色する粒子（すなわち粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子）が含まれるということは、着磁性粒子の一部又は全部が１０質量％塩酸水溶液に溶解してＦｅイオンを放出し、着磁性粒子が導電性を示すことを意味している。粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子はステンレス鋼粒子、鉄粒子などであり、粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の典型は酸化鉄粒子である。呈色反応試験においては、着磁性呈色粒子、着磁性非呈色粒子のいずれも、１００００Ｇの棒磁石で捕獲される。
　粒子径が４５μｍ以上の着磁性粒子の着磁性と、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の導電性との関係についての更なる説明は以下のとおりである。粉末中に混入しているほぼすべての着磁性粒子は、製造設備の摩耗、切削、剥離等に由来するステンレス鋼（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ４３０等）粒子、鉄（Ｆｅ）粒子、及びこれらの酸化物粒子である。粉末の製造工程において、加熱された一部のステンレス鋼粒子、鉄粒子では、その外側から順にヘマタイト（Ｆｅ２Ｏ３）、マグネタイト（Ｆｅ３Ｏ４）のような酸化物皮膜が形成されているが、いずれも少なくとも１００００ガウスの磁石で捕獲される着磁性粒子である。このうち、ステンレス鋼粒子、鉄粒子は塩酸溶解性で導電性を有するが、ヘマタイトは塩酸溶解性が極めて小さく導電性もほとんど有しない絶縁体である。したがって、着磁性粒子の塩酸水溶液に対する易溶解性が判別できれば、着磁性粒子の導電性の大小を判断することができる。すなわち、塩酸水溶液の作用により、着磁性粒子の表面からＦｅイオンが溶出し、フェリシアン化カリウム水溶液と接触させた際に、紺色の呈色反応を示す着磁性呈色粒子は、ステンレス鋼粒子、鉄粒子であり、導電性を有すると判別され、呈色反応を示さない着磁性非呈色粒子は、少なくともヘマタイト皮膜を有するこれらの酸化物粒子であり、導電性を有しない（極めて小さい）と判別することができる。本発明の粉末はこのような新規な観点に基づいて構成されている。
　粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合が、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と着磁性非呈色粒子との総個数に対して２０％を超えると、半導体封止材で封止した半導体の短絡不良率が急激に上昇する。なお、粒子径が４５μｍ未満の着磁性呈色粒子の個数割合も少ない方が好ましいが、現在の最先端半導体における金ワイヤーの間隔が５０μｍ程度であるため、これらの粒子が金ワイヤーを跨ぎ、半導体の短絡不良を引き起こす原因とはなりにくい。したがって、現時点においては、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合を規制することに重要な意義がある。
　本発明の粉末は、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数が、粉末５０ｇあたり５個以下が好ましく、特に３個以下であることが好ましい。これによって、本発明の効果が助長される。粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数は、０個が理想であるが、半導体１個あたりに使用される半導体封止材中の粉末は約１～３ｇ程度であるため、確率論的に、粉末に起因する半導体の短絡不良率は極めて小さい値になる傾向にある。したがって、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数が、粉末５０ｇあたり５個以下であれば、半導体の短絡不良を低減するという観点において十分な効果が得られる。また、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数（すなわち、粒子径が４５μｍ以上の着磁性粒子の個数）が、粉末５０ｇあたり５０個以下、特に４０個以下であることで、本発明の効果をより一層高めることができる。すなわち、導電性を示さない着磁性非呈色粒子は、そのハンドリング方法によってはヘマタイトなどの酸化皮膜が破壊し、再び導電性を示す恐れがあるので、あらかじめその恐れを軽減しておくことができる。
　本発明の粉末は、上記（４）を行って算出された「中心部まで酸化されている粒子」の個数割合が、６０％以上が好ましく、特に７０％以上であることが好ましい。これによって、粉末のハンドリング中、たとえ着磁性非呈色粒子の表層が破壊しても、中心部まで酸化されている粒子が多いので、再び導電性を有する粒子が発生する恐れが極めて少なくなる。なお、中心部まで酸化されている粒子の個数割合が６０％未満であっても、本発明の効果を急激に損なうことはない。
　なお、呈色反応試験において、（１）、（２）の操作は、フィルターの材質、目開きを変更したことを除き、特開２００８－１４５２４６号公報の段落［００２３］～［００２５］）の記載に準じて行った。また、（４）の操作におけるＥＤＳとして、ＪＥＯＬ社製商品名「ＪＳＭ－６３０１Ｆ型操作電子顕微鏡」に取り付けたＯＸＦＯＲＤ社製商品名「ＩＮＣＡ型ＥＤＳ」を用いた。なお、着磁性非呈色粒子の切断にはダイヤモンドカッターを用い、断面研磨はダイヤモンド砥粒を用いて鏡面研磨により行った。また、断面観察の際には、オスミウムコーターでオスミウムを約５ｎｍの厚みで蒸着し、導電性を付与した。この条件で任意の４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の断面１０個を撮影した。また、粒子の個数はマイクロスコープで拡大して数えた。
　本発明の粉末において、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数と、粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の個数の増減方法については後述するが、その一例を示すと、着磁性呈色粒子の個数割合を減らし、中心部まで酸化されている粒子の個数割合を増やすには、着磁性粒子の酸化を促進するため、より高温な雰囲気下で、原料粉末に対する酸素ガス及び／又は水蒸気の供給量を多くすればよい。また、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数を低減するには、粉末原料及び／又は球状粉末とステンレス鋼及び／又は鉄との相対速度を５ｍ／ｓ以下にすればよい。粉末の平均粒子径は粉末原料の平均粒子径を調整することで増減でき、平均球形度は粉末原料の火炎への供給量を少なくすると大きくなる。
　本発明の粉末の製造方法について説明する。
　従来の粉末の製造方法では、平均球形度を大きくし、粒子が凝集したまま溶融されないようにするため、粉末原料を強力に分散して火炎中に噴射できるバーナーが用いられている。しかし、粉末原料を強力に分散するあまり、火炎中で熱履歴を十分に受けないまま火炎外に出る粒子が存在し、酸化されない着磁性粒子が多数存在していた。また、着磁性粒子がいったん酸化されたとしても、火炎を形成するための可燃性ガス（例えばプロパンガスなど）中の炭素成分、水素成分などにより還元され、ほぼ未酸化の状態に戻って、火炎外に出る着磁性粒子も存在していた。本発明の製造方法によれば、このような課題を解決し、本発明の粉末を製造することができる。
　本発明の製造方法では、シリカ質粉末原料及び／又はアルミナ質粉末原料を炉内に形成された火炎で溶融し、球状化処理した後、炉外に搬送して球状粉末を捕集する。これを実現できる装置としては、例えばバーナーを備えた炉体に捕集装置が接続されたものが使用される。炉体は、縦型、横型のいずれであってもよい。捕集装置には、重力沈降室、サイクロン、バッグフィルター、電気集塵機等の一つ以上が設けられ、それらの捕集条件を調整することによって、球状粉末を捕集することができる。一例は、特開平１１－５７４５１号公報、特開２００１－２３３６２７号公報などに開示されている。
　本発明の製造方法は、炉内のうち雰囲気温度が１６００～１８００℃となっている任意の少なくとも１個所に、原料粉末１ｋｇあたり０．３～０．６ｍ３の酸素ガス及び／又は水蒸気を、粉末原料の噴射方向に対し６０°～９０°の角度にして供給することを第一の要件とする。複数の箇所から、酸素ガス及び／又は水蒸気を供給するときは、それらの合計量が０．３～０．６ｍ３である。
　炉体のうち雰囲気温度が１６００～１８００℃である部位は、Ｂ型熱電対（測定可能温度：０～１８００℃）、ＩｒＲｈ熱電対（測定可能温度：１１００～２０００℃）などで測ることによって特定できる。通常、その部位は、原料粉末が火炎温度で溶融、球状化した直後付近にあって、原料粉末／球状粉末が浮遊している場である。このような場に、酸素ガス及び／又は水蒸気を供給すると、ステンレス鋼粒子、鉄粒子に熱が伝わりやすくなるだけでなく、これらの粒子が酸素ガス及び／又は水蒸気と十分に接触することができるため、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数を確実に減らし、中心部まで酸化されている粒子の個数を増やすことができる。すなわち、酸素ガス及び／又は水蒸気を供給する個所の雰囲気温度が１６００℃未満であると、このような作用効果が小さくなる一方、１８００℃を超えると、酸素ガスが燃焼反応に消費されて、着磁性粒子の酸化に寄与しなくなることに加え、水蒸気が火炎の温度を下げ、原料粉末の溶融、球状化を妨げる恐れがある。好ましい雰囲気温度は１７００～１８００℃である。なお、供給するガスが、空気や窒素ガスであると、ステンレス鋼粒子、鉄粒子を十分に酸化させることができない。
　特許文献２には、球状シリカ質粉末を製造した後、大気中、７００～１５００℃の温度で加熱して金属質粒子を酸化させる方法が記載されている。しかし、この方法では、球状シリカ質粉末は高温で加熱されることがあるので、シリカ質粉末同士が融着し凝集する、球状シリカ質粉末の中に埋もれている金属質粒子が酸化されない、仮に酸化されても酸化されるのが表面のみである、などの問題がある。このことは、特許文献２の実施例１～３で製造された粉末について呈色反応試験を行ったところ、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合が、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数に対して約４０～７０％であったことから明白である。
　酸素ガス及び／又は水蒸気の供給量が、原料粉末１ｋｇあたり０．３ｍ３未満であると、ステンレス鋼粒子、鉄粒子が酸素ガス及び／又は水蒸気が十分に接触しにくいので、上記作用効果が小さくなる一方、０．６ｍ３を超えると、原料粉末の溶融、球状化が損なわれる恐れがある。好ましい酸素ガス及び／又は水蒸気の供給量は、原料粉末１ｋｇあたり０．４～０．５ｍ３である。
　雰囲気温度が１６００～１８００℃である場の少なくとも１箇所に、粉末原料の噴射方向に対し６０°～９０°の角度で酸素ガス及び／又は水蒸気を供給するには、取付角度を調節して、酸素ガス及び／又は水蒸気の供給管を炉体に取り付ければよい。供給角度が上記範囲を外れると、ステンレス鋼粒子、鉄粒子が酸素ガス及び／又は水蒸気が十分に接触しにくいので、上記作用効果が小さくなるおそれがある。好ましい供給角度は、粉末原料の噴射方向に対し７０°～９０°であり、特に好ましくは９０°（直角）である。
　酸素ガス及び／又は水蒸気の供給管は、炉体の少なくとも１箇所に設けられるが、好ましくは設置位置を結ぶ直線が直交するような位置にそれぞれ１箇所の計４箇所に設置する。このような位置関係に設置することによって、ステンレス鋼粒子、鉄粒子を酸素ガス及び／又は水蒸気と十分に接触させることができ、確実に、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数を減らし、中心部まで酸化されている粒子の個数を増やすことができる。さらに好ましくは、この設置箇所から上下に５０ｃｍ離れた位置にある平面上、円周状にそれぞれ４箇所、つまり合計１２ヶ所に設置する。これによって、雰囲気温度が１６００～１８００℃である場に酸素ガス及び／又は水蒸気を供給することが容易になり、ステンレス鋼粒子、鉄粒子を酸素ガス及び／又は水蒸気と一段と十分に接触させることができる。
　本発明の製造方法は、上記方法において、粉末原料の溶融、球状化処理から球状粉末の捕集までの間に、粉末原料及び／又は球状粉末と、ステンレス鋼及び／又は鉄とが接触する部分におけるこれらの相対速度を５ｍ／ｓ以下にすることを第二の要件とする。
　ここでいう相対速度とは、例えば固定された配管等のように、装置の構成部材が移動しないときは、粉末原料及び／又は球状粉末の移動速度（たとえば、粉末の気流搬送速度、落下速度など）であり、捕集装置などに貯蔵された球状粉末など、粉末が移動しない場合は、装置の構成部材の移動速度（たとえば、スライド板のスライド速度、回転バルブの周速など）である。本発明で規制される相対速度は、粉末原料及び／又は球状粉末とステンレス鋼及び／又は鉄との相対速度であり、５ｍ／ｓ以下である。相対速度が５ｍ／ｓを超えると、ステンレス鋼及び／又は鉄が摩耗し、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子が混入する、酸化された着磁性非呈色粒子が破壊され、再び着磁性呈色粒子になるなどの恐れがある。この部分における好ましい相対速度は４ｍ／ｓ以下、更に好ましくは３ｍ／ｓ以下である。５ｍ／ｓを超える相対速度である部分はステンレス鋼及び／又は鉄を露出させず、アルミナ、天然ゴム、ウレタンなどの非金属質の材料でライニングする。
　本発明の樹脂組成物について説明する。
　本発明の樹脂組成物は樹脂と、本発明の粉末とを含有するものである。樹脂組成物中の粉末の含有率は１０～９５質量％が好ましく、更に好ましくは４０～９３質量％である。樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル、フッ素樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド等のポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエステル、ポリスルホン、液晶ポリマー、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネイト、マレイミド変成樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＡＳ（アクリロニトリルーアクリルゴム・スチレン）樹脂、ＡＥＳ（アクリロニトリル・エチレン・プロピレン・ジエンゴム－スチレン）樹脂等を使用することができる。
　これらの中、半導体封止材に用いる樹脂組成物中の樹脂としては、１分子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂が好ましく、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びビスフェノールＳなどのグリシジルエーテル、フタル酸やダイマー酸などの多塩基酸とエポクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル酸エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、アルキル変性多官能エポキシ樹脂、β－ナフトールノボラック型エオキシ樹脂、１，６－ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、２，７－ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、更には難燃性を付与するために臭素などのハロゲンを導入したエポキシ樹脂等が挙げられる。なかでも、耐湿性や耐ハンダリフロー性の点からは、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格のエポキシ樹脂等が好適である。
　樹脂組成物がエポキシ樹脂組成物である場合、樹脂組成物は、エポキシ樹脂の硬化剤、又はエポキシ樹脂の硬化剤とエポキシ樹脂の硬化促進剤を含む。エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えばフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、クロロフェノール、ｔ－ブチルフェノール、ノニルフェノール、イソプロピルフェノール、オクチルフェノール等の群から選ばれた１種又は２種以上の混合物をホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド又はパラキシレンとともに酸化触媒下で反応して得られるノボラック型樹脂、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂、ビスフェノールＡやビスフェノールＳ等のビスフェノール化合物、ピロガロールやフロログルシノール等の３官能フェノール類、無水マレイン酸、無水フタル酸や無水ピロメリット酸等の酸無水物、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族アミン等が挙げられる。エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進するために、上記した例えばトリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン、２－メチルイミダゾール等の硬化促進剤が好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、更に以下の成分を必要に応じて含有することができる。
　低応力化剤として、シリコーンゴム、ポリサルファイドゴム、アクリル系ゴム、ブタジエン系ゴム、スチレン系ブロックコポリマーや飽和型エラストマー等のゴム状物質、各種熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂状物質、更にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂の一部又は全部がアミノシリコーン、エポキシシリコーン、アルコキシシリコーンなどで変性された樹脂など、
　シランカップリング剤として、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等の疎水性シラン化合物やメルカプトシランなど、
　表面処理剤として、Ｚｒキレート、チタネートカップリング剤、アルミニウム系カップリング剤など、
　難燃助剤として、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ４、Ｓｂ２Ｏ５など、難燃剤として、ハロゲン化エポキシ樹脂やリン化合物など、
　着色剤として、カーボンブラック、酸化鉄、染料、顔料など、
　離型剤として、天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィンなどが挙げられる。
　本発明の樹脂組成物は、所定量の上記各材料をブレンダーやヘンシェルミキサー等によりブレンドした後、加熱ロール、ニーダー、一軸又は二軸押し出し機等により混練したものを冷却後、粉砕することによって製造することができる。
　実施例１～７、比較例１～９
　表１に示される市販の結晶シリカ粉末Ｓ１（平均粒子径２６μｍ）、Ｓ２（平均粒子径５μｍ）、Ｓ３（平均粒子径４５μｍ）、アルミナ粉末Ａ１（平均粒子径３１μｍ）、Ａ２（平均粒子径３μｍ）、Ａ３（平均粒子径５１μｍ）を用意した。これらの原料粉末を、表２及び表３に記載された製造条件にて火炎中で溶融、球状化し、種々の球状シリカ質粉末、球状アルミナ質粉末を製造した。
　用いた装置は、特開平１１－５７４５１号公報の図１に記載された装置に以下の（イ）～（ニ）の改良を加えたものである。比較例９では、これらの改良を加えていない装置を用いた。
　（イ）Ｂ型熱電対で測定された炉内の雰囲気温度が１５００℃、１６００℃、１７００℃、１８００℃又は１９００℃のいずれかとなっている炉体の同一円周上に、取付角度を粉末原料の噴射方向（特開平１１－５７４５１号公報の図１における下方向）に対し３０°、６０°、９０°又は１２０°のいずれかにベアリングで調節して酸素ガス及び／又は水蒸気の供給管を設置した。供給管の設置本数は合計４本であり、設置位置を結ぶ直線が直交するような位置にそれぞれ１本ずつ設置した。
　（ロ）バーナーの接粉部には、アルミナ製の管を使用し、炉体の内壁にはアルミナレンガを貼りつけた。
　（ハ）粉末とステンレス鋼及び／又は鉄との相対速度が５ｍ／ｓ以上となる部分、具体的には、特開平１１－５７４５１号公報の図１の排気連絡口（符合９）、粉末一次回収口（符合１０）、粉末二次回収口（符合１１）をアルミナでライニングした。また、粉末二次回収装置バッグフィルター（符合１２）を天然ゴムでライニングした。
　（ニ）粉末二次回収口の出口に設置したステンレスＳＵＳ３０４製の回転バルブの周速を１～１８ｍ／ｓの間に調整した。なお、本試験においては、粉末一次回収口は使用せず閉じたままとし、すべての粉末は粉末二次回収口より回収した。
　酸素ガス及び／又は水蒸気を、上記４本の供給管の各々より均等に、４本の合計で原料粉末１ｋｇあたり０～１．０ｍ３の量で供給した。供給した酸素ガスの温度は２０℃、水蒸気ガスの温度は１０５～１１０℃とした。原料粉末の供給量は１００～１７０ｋｇ／Ｈｒとした。火炎の形成にはプロパンガス、酸素ガスを用いた。なお、火炎の最高温度はアルミナの融点以上の約２０００℃～２１００℃であった。
　捕集された球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末中の、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数、４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の個数、中心部まで酸化されている着磁性非呈色粒子の個数を測定した。また、球状シリカ質粉末、球状アルミナ質粉末の平均球形度、平均粒子径を測定した。それらの結果を表１、２に示す。なお、球状シリカ質粉末の非晶質率は、いずれも９９質量％以上であった。
　球状シリカ質粉末、球状アルミナ質粉末の半導体封止材の充填材としての特性を評価するため、以下に従う試験を行った。それらの結果を表１、２に示す。
　［半導体封止材タブレットの製造］
　各粉末８７．８部（質量部、以下同じ）に対し、ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製ＹＸ－４０００Ｈ）５．９部、フェノールアラルキル樹脂（三井化学社製ＸＬＣ－ＬＬ）５．１部、トリフェニルホスフィン０．２部、メルカプトシランカップリング剤０．６部、カーボンブラック０．１部、カルナバワックス０．３部を加え、ヘンシェルミキサーにてドライブレンドした後、同方向噛み合い二軸押出混練機（スクリュー径Ｄ＝２５ｍｍ、ニーディングディスク長１０Ｄｍｍ、パドル回転数５０～１２０ｒｐｍ、吐出量２．５ｋｇ／Ｈｒ、混練物温度９９～１００℃）で加熱し混練した。混練物をプレス機にてプレスして冷却した後、粉砕、打錠して半導体封止材のタブレット（１７ｍｍφ、３２ｍｍＨ）を作製し、半導体の短絡不良個数を以下に従って評価した。なお、半導体封止材を作製するための設備及び器具からの着磁性粒子の混入を避けるため、各材料が接する部位は、すべてアルミナ、タングステンカーバイド、ウレタンのいずれかの材質で形成した。
　［半導体の短絡不良個数の測定］
　ＢＧＡ用基板に、ダイアタッチフィルムを介して、サイズ８ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍの半導体素子を載せ、金ワイヤーで基板と接続した後、トランスファー成形機を用いて、半導体封止材タブレットをパッケージサイズ３８ｍｍ×３８ｍｍ×１．０ｍｍに成形した後、１７５℃で８時間アフターキュアし、ＢＧＡ型半導体を作製した。なお、金ワイヤーの径はφ２０μｍ、ピッチは８０μｍ、間隔は６０μｍである。同じ半導体封止材タブレットを用いて３０個の半導体を作製し、短絡不良が起きた半導体の個数をカウントした。
　［半導体のワイヤー変形量］
　上記で作製したＢＧＡ型半導体の金ワイヤーの部分を軟Ｘ線透過装置で観察し、パッケージングにより金ワイヤーが流された最大距離を３０個の半導体について測定し、３０本の金ワイヤーの最大流れ距離の平均値を求め、ワイヤー変形量とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　実施例と比較例の対比から明らかなように、本発明の球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末を含む半導体封止材は、半導体を封止した際の半導体の短絡不良個数を顕著に低減することができた。本発明の球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末によれば、小型化、高密度化した半導体に好適に用いられる半導体封止材を提供することができる。
　本発明の球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末は、自動車、携帯電子機器、パソコン、家庭電化製品等に使用される半導体封止材、半導体が搭載される積層板などの充填材として使用される。また、本発明の樹脂組成物は、半導体封止材の他に、ガラス織布、ガラス不織布、その他有機基材に含浸硬化させてなる例えばプリント基板用のプリプレグや、各種エンジニアリングプラスチックス等として使用できる。

Claims (9)

  1. 　以下の（１）～（３）からなる呈色反応試験を行ったときに、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合が、粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数に対して２０％以下である、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末。
    　（１）５０ｇの粉末試料を精秤し、それをイオン交換水８００ｇに分散させてスラリーを調製する。
    　（２）厚み２０μｍのゴム製カバーを被せた１００００ガウスの棒磁石を、上記スラリーに浸漬して着磁性粒子を捕獲し、それを目開き４５μｍのポリエステル製フィルターで篩う。フイルター上に残った粒子の個数を数え、その個数を「粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数」とみなす。
    　（３）上記フイルター上の粒子に、２０℃の室温下、塩酸１０質量％水溶液、プロピレングリコール５０質量％水溶液およびフェリシアン化カリウム０．５質量％水溶液の等質量混合溶液を約０．５ｍｌ滴下して粒子を湿潤させ、２０分間放置する。その結果、呈色した粒子を「粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子」とみなし、その個数を数える。式、（粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数）×１００／（粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数）、により、粒子径が４５μｍ以上の着磁性粒子に存在する粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数割合を算出する。
  2. 　粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子の個数が、粉末５０ｇあたり５個以下である請求項１記載の粉末。
  3. 　粒子径が４５μｍ以上の着磁性呈色粒子と粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子との総個数が、粉末５０ｇあたり５０個以下である請求項１又は２記載の粉末。
  4. 　前記呈色反応試験の後に以下の（４）を行って算出される、中心部まで酸化されている粒子の個数割合が、６０％以上である請求項１～３のいずれかに記載の粉末。
    　（４）呈色反応試験を終えた粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子を選び、エポキシ樹脂で包埋し硬化させた後、切断・研磨して粒子断面を露出させ、断面の中心に存在する酸素の有無をエネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ）で分析する。その結果、断面の中心から酸素が検出された粒子を「中心部まで酸化されている粒子」とみなし、その個数を数える。式、（中心部まで酸化されている粒子の個数）×１００／（粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子の個数）、により、粒子径が４５μｍ以上の着磁性非呈色粒子に存在する中心部まで酸化されている粒子の個数割合を算出する。なお、ＥＤＳの分析条件は、加速電圧１５ｋＶ、照射電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、画素あたりの積算時間１００ｍｓｅｃ、画素サイズ０．２μｍ□、画素数２５６×２５６ｐｉｘｅｌｓである。
  5. 　（４）を行って算出される、中心部まで酸化されている粒子の個数割合が、７０％以上である請求項４記載の粉末。
  6. 　粉末の平均球形度が０．７５以上で、平均粒子径が３～５０μｍである請求項１～５のいずれか記載の粉末。
  7. 　シリカ質粉末原料及び／又はアルミナ質粉末原料を炉内に形成された火炎で溶融し、球状化処理した後、炉外に搬送して球状粉末を捕集する工程を有し、この工程が、炉内のうち雰囲気温度が１６００～１８００℃となっている任意の少なくとも１個所に、原料粉末１ｋｇあたり０．３～０．６ｍ３の酸素ガス及び／又は水蒸気を、粉末原料の噴射方向に対し６０°～９０°の角度にて供給する工程、及び、粉末原料の溶融、球状化処理から球状粉末の捕集までの間において、粉末原料及び／又は球状粉末とステンレス鋼及び／又は鉄とが接触する部分におけるこれらの相対速度を５ｍ／ｓ以下にする工程を有する、球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末の製造方法。
  8. 　球状シリカ質粉末及び／又は球状アルミナ質粉末からなる粉末が、請求項１～６のいずれか記載の粉末である請求項７記載の製造方法。
  9. 　請求項１～６のいずれか記載の粉末を含有してなる樹脂組成物。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012206870A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Admatechs Co Ltd 球状シリカ粉体の製造方法及び半導体封止材の製造方法
JP2015086120A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 株式会社トクヤマ 球状シリカ微粉末とその製造方法
JP2023036470A (ja) * 2021-09-02 2023-03-14 デンカ株式会社 無機酸化物粒子の製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104157581B (zh) * 2014-07-23 2017-03-15 西安空间无线电技术研究所 一种功率二极管二次封装方法
KR101900549B1 (ko) * 2015-06-30 2018-09-19 삼성에스디아이 주식회사 과립상 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 봉지된 반도체 소자
KR102578962B1 (ko) * 2018-01-26 2023-09-14 덴카 주식회사 비정질 실리카 분말 및 그 제조 방법, 용도
CN111065603B (zh) * 2018-08-17 2021-04-23 浙江三时纪新材科技有限公司 一种半导体封装材料的制备方法以及由此得到的半导体封装材料
JP7543394B2 (ja) * 2020-03-31 2024-09-02 デンカ株式会社 アルミナ粉末、フィラー組成物、樹脂組成物、封止材、及び指紋認証センサー
TWI744067B (zh) * 2020-11-02 2021-10-21 財團法人工業技術研究院 粉體圓球化設備
KR102810250B1 (ko) * 2024-04-11 2025-05-23 (주)샘씨엔에스 구속용 시트, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 다층 세라믹 기판 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1157451A (ja) * 1997-08-25 1999-03-02 Denki Kagaku Kogyo Kk 無機質球状粒子の製造方法及び装置
JPH1171107A (ja) * 1997-08-25 1999-03-16 Denki Kagaku Kogyo Kk 無機質球状粒子の製造方法及び装置
JP2000178413A (ja) * 1998-12-16 2000-06-27 Tokuyama Corp 半導体封止材用球状シリカ
JP2005281063A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Denki Kagaku Kogyo Kk 高純度球状アルミナ粉末、その製造方法及び組成物
JP2005306923A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 無機質粉末及びこれを含有した組成物
JP2008145246A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Denki Kagaku Kogyo Kk 非磁性金属酸化物粉末における着磁性粒子の個数測定方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06106524A (ja) 1992-09-24 1994-04-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウエハのスライシング方法
KR100388141B1 (ko) * 1995-07-10 2003-10-17 도레이 가부시끼가이샤 에폭시수지조성물
JP3446951B2 (ja) * 1999-11-15 2003-09-16 電気化学工業株式会社 無機質粉末及びそれが充填された樹脂組成物
JP4294191B2 (ja) 2000-02-22 2009-07-08 電気化学工業株式会社 球状シリカ粉末の製造方法及び製造装置
CN1436819A (zh) * 2002-02-07 2003-08-20 户田工业株式会社 半导体密封材料用黑色复合颗粒和半导体密封材料
JP2004175825A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Matsushita Electric Works Ltd 封止材料の製造方法およびこれにより製造した封止材料
JP4083560B2 (ja) * 2002-12-13 2008-04-30 株式会社トクヤマ 絶縁特性が改善された無機酸化物粒子の製造方法
US7112393B2 (en) * 2003-07-29 2006-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Non-magnetic toner
DE102004051671A1 (de) * 2004-10-22 2006-04-27 Microdyn-Nadir Gmbh Vorrichtung zum Filtern von Stoffen aus Flüssigkeiten
JP2006124478A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2007005346A (ja) 2005-06-21 2007-01-11 Sanyu Rec Co Ltd 金属性異物の除去方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1157451A (ja) * 1997-08-25 1999-03-02 Denki Kagaku Kogyo Kk 無機質球状粒子の製造方法及び装置
JPH1171107A (ja) * 1997-08-25 1999-03-16 Denki Kagaku Kogyo Kk 無機質球状粒子の製造方法及び装置
JP2000178413A (ja) * 1998-12-16 2000-06-27 Tokuyama Corp 半導体封止材用球状シリカ
JP2005281063A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Denki Kagaku Kogyo Kk 高純度球状アルミナ粉末、その製造方法及び組成物
JP2005306923A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 無機質粉末及びこれを含有した組成物
JP2008145246A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Denki Kagaku Kogyo Kk 非磁性金属酸化物粉末における着磁性粒子の個数測定方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012206870A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Admatechs Co Ltd 球状シリカ粉体の製造方法及び半導体封止材の製造方法
JP2015086120A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 株式会社トクヤマ 球状シリカ微粉末とその製造方法
JP2023036470A (ja) * 2021-09-02 2023-03-14 デンカ株式会社 無機酸化物粒子の製造方法

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