WO2010037265A1 - 一种化学机械抛光液 - Google Patents

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WO2010037265A1
WO2010037265A1 PCT/CN2009/001084 CN2009001084W WO2010037265A1 WO 2010037265 A1 WO2010037265 A1 WO 2010037265A1 CN 2009001084 W CN2009001084 W CN 2009001084W WO 2010037265 A1 WO2010037265 A1 WO 2010037265A1
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polishing liquid
mechanical polishing
chemical mechanical
liquid according
mass
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PCT/CN2009/001084
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English (en)
French (fr)
Inventor
宋伟红
姚颖
Original Assignee
安集微电子（上海）有限公司
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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

Definitions

  • the present invention relates to a polishing liquid, and in particular to a chemical mechanical polishing liquid.
  • the use of copper metal as the interconnect line reduces the resistance, thereby significantly reducing the propagation delay (RC delay), while the adoption of low dielectric materials (Low-k materials) is further weakened.
  • Parasitic capacitance such as carbon doped silicon oxide (CDO)
  • CDO carbon doped silicon oxide
  • PETEOS low dielectric materials
  • a silicon-based capping film such as silicon dioxide dielectric material (PETEOS), SiO, etc. is usually deposited thereon to ensure the medium during chemical mechanical polishing (CMP). The material does not create defects and corrosion to maintain its mechanical properties and dielectric constant.
  • CMP process requires rapid removal of the capping layer and a portion of the dielectric material under low stress.
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention contains abrasive particles, an oxidizing agent and water, and further contains an inorganic salt substance and a azole-containing compound.
  • the inorganic salt substance is a polishing promotion of silicon oxide (PETEOS) in the present invention, and comprises a strong acid strong base salt, a strong acid weak base salt, a strong base weak acid salt and a weak acid weak base salt, preferably.
  • the strong acid strong base salt and/or the strong acid weak base salt are preferably sodium chloride, potassium chloride, calcium chloride, sodium nitrate, potassium nitrate, calcium nitrate, potassium sulfate and sodium sulfate.
  • One or more of the strong acid weak base salts are preferably one or more of ammonium chloride, ammonium nitrate and ammonium sulfate; the content thereof is preferably 0.01-10% by mass, more preferably mass The percentage is 0.1-1%.
  • the azole-containing compound is a polishing accelerator for a low-k material, preferably one or more of the following three compounds I, II and III:
  • R 9 is hydrogen or C r C 6 alkyl. More preferably, in the compound I, R 2 and at the same time are hydrogen, preferably benzotriazole and/or methylbenzotriazole; wherein the compound is hydrogen; in the compound III, And at the same time hydrogen, preferably carbazole.
  • the content of the azole-containing compound is preferably 0.01 to 2% by mass, more preferably 0.1 to 1% by mass.
  • the inorganic salt substance and the azole-containing substance are not simply added in the polishing liquid of the present invention, and the two have a certain synergistic effect. When both of them exist, the removal rates of PETEOS and low-k materials are greatly improved, and they are more effective than any single substance.
  • alkyl group is intended to include a branched and straight-chain saturated aliphatic hydrocarbon group having the specified number of carbon atoms
  • alkoxy group means having the carbon atom bonded through an oxygen bridge.
  • the abrasive particles are abrasive particles commonly used in the art, preferably one or more selected from the group consisting of silica (such as silica sol particles), alumina, cerium oxide and polymer particles.
  • silica sol particles preferably one or more selected from the group consisting of silica (such as silica sol particles), alumina, cerium oxide and polymer particles.
  • the silica sol particles; the abrasive particles preferably have a particle diameter of 10 to 200 nm, more preferably 15 to 200 nm, most preferably 30 to 100 imi ; and the content of the abrasive particles is preferably It is 1-30% by mass, and more preferably 2-10% by mass.
  • the oxidizing agent is a conventional oxidizing agent in the chemical mechanical polishing liquid of the art, preferably selected from the group consisting of peroxides and/or persulfides, preferably hydrogen peroxide, sodium peroxide, potassium peroxide, sodium persulfate, ammonium persulfate and One or more of benzoyl peroxide, more preferably hydrogen peroxide; the oxidizing agent is preferably present in an amount of from 0.01 to 10% by mass, more preferably from 0.1 to 1% by mass.
  • the chemical mechanical polishing liquid preferably has a pH of from 1 to 4, more preferably from 2 to 3.
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention may further contain other conventional additives in the art, such as bactericides, mold inhibitors and lubricants, etc., but the specific additive materials are required to be compatible with other components of the polishing liquid of the present invention.
  • the water is preferably deionized water in an amount of 100% by mass of the make-up polishing liquid.
  • the reagents and starting materials used in the present invention are commercially available.
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention can be simply and uniformly mixed from the above components, and then adjusted to a desired pH by a pH adjusting agent known in the art. .
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention can be polished under low stress (0.8 to 1.5 psi).
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention can have a low solid content, i.e., an abrasive particle content, which causes a low amount of surface contaminants while maintaining a high removal rate of the dielectric material.
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention can improve the removal rate of PETEOS by using an inorganic salt substance, that is, an electrolyte, and can adjust the adsorption effect of the abrasive particles and the surface of the dielectric material by changing the kind and concentration of the inorganic salt substance, thereby adjusting The removal rate of PETEOS.
  • an inorganic salt substance that is, an electrolyte
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention can increase the removal rate of the low-k material by using a azole-containing compound, and can adjust the removal rate of the low-k material by changing the kind and concentration of the azole-containing compound.
  • the inorganic salt substance and the azole-containing compound in the chemical mechanical polishing liquid of the present invention have a certain synergistic effect, and when they are present, the removal rates of PETEOS and low-k materials are greatly improved, Any single substance can work better.
  • the chemical mechanical polishing liquid of the present invention can change the removal rate of metallic copper by adjusting the concentration of the oxidizing agent, and the change rate of the removal rate of the dielectric material is small, so that the selection ratio can be changed to achieve the surface topography required by the process.
  • the surface of the material polished by the polishing liquid of the present invention is smooth and has a high flatness.
  • the concentration of the chemical mechanical polishing liquid of the present invention can be made into a stable sample with stable performance, which is easy to store and transport, and can be diluted at a certain ratio during use, thereby reducing the storage and transportation of the polishing liquid and the packaging cost. .
  • Figure 1 is a photomicrograph of a polishing solution 16 after polishing a TEOS 854 graphics wafer.
  • 2 is a photomicrograph of a polishing solution 20 after polishing a TEOS 854 pattern wafer.
  • Table 1 shows the polishing liquids of Examples 1 to 37
  • Table 2 lists the polishing liquids of Examples 38 to 57. According to the formulation, the components are simply and uniformly mixed, and the mass percentage of the polishing liquid is made up with water by 100%. Each of the polishing liquids can be prepared by adjusting the pH with dilute nitric acid. Table 1 Example 1-37 polishing solution
  • Table 2 is the polishing liquid of Examples 38 to 57, except that the azole-containing compound is different, all other conditions are the same as follows: Si0 2 (60 legs), 6%; NH 4 N0 3 , 0.3%; H 2 0 2 , 0.2%; pH, 3, azole-containing compound, 1%, with water to make up 100% by mass of polishing solution.
  • BTA is benzotriazole
  • Biocide is a fungicide. It is a polyquaternary ammonium salt produced by Tianjin Chemical Research Institute under the model number T-801.
  • polishing liquids of Examples 1 to 27 were polished by the polishing liquids of Examples 1 to 27, and the polishing conditions were as follows: Polished base material: Barrier metal tantalum (Ta) blank wafer, Cu blank wafer, silicon dioxide (PETEOS) blank crystal Round, Black Diamond 1 (ie BD1, a carbon-doped silica low dielectric material) blank wafer; polishing machine: LP50; downforce (ie stress): 0,8 ⁇ 1.5psi; flow: lOOml /min; Speed: 70/100 rpm.
  • Polished base material Barrier metal tantalum (Ta) blank wafer, Cu blank wafer, silicon dioxide (PETEOS) blank crystal Round, Black Diamond 1 (ie BD1, a carbon-doped silica low dielectric material) blank wafer
  • polishing machine LP50
  • flow lOOml /min
  • Speed 70/100 rpm.
  • the polishing liquid of the present invention can be polished at a lower pressing pressure of 0.8 to 1.5 psi) while maintaining a high removal rate of the dielectric material;
  • the polishing liquid of the present invention can have a lower grinding The particle content (2% ⁇ 10%), while maintaining a high removal rate of the dielectric material, causes little or no surface contaminants;
  • the polishing liquid 21 can change the removal rate of the metal copper by adjusting the concentration of the oxidizing agent, and the removal rate of the dielectric material is small, so that the selection ratio thereof can be changed, thereby Adjust the size of the surface defects (disc dents or array erosion) and the surface morphology after polishing.
  • the TEOS 854 pattern wafer was polished with the polishing solutions of Example 16 and Example 20, respectively, and the polishing conditions were as follows: polishing machine: LP50; downforce (ie stress): 1.5 psi; flow rate: 100 ml/min; /100rpm.
  • polishing machine LP50
  • downforce (ie stress) 1.5 psi
  • flow rate 100 ml/min
  • /100rpm The micrograph of the polishing solution of Example 16 after polishing the TEOS 854 pattern wafer is shown in Fig. 1. It can be seen that there is particulate residue on the polished wafer.
  • Example 20 The polishing solution of Example 20 on the TEOS 854 graphic wafer after polishing is shown in Figure 2. It can be seen that the polished wafer surface is smooth and flat, free of particulate contaminants.
  • the polishing liquid of the present invention maintains a high removal rate of the dielectric material while causing little or no surface contamination, and the polished material has a smooth surface and a high flatness.

Description

一种化学机械抛光液 技术领域
本发明涉及一种抛光液， 具体的涉及一种化学机械抛光液。
技术背景
在 130nm及更先进的制程中，选采用铜金属做为互连线路，可以降低电 阻， 从而大幅降低传输延迟（RC延迟）， 同时， 低介电材料 （Low-k材料） 的采用也进一步削弱了寄生电容， 例如掺杂碳的氧化硅（CDO)与 PETEOS 相比， 电容降低大约 30%。 此外由于 low-k材料的机械性能相对较弱， 通常 在上面沉积一层硅基封盖膜例如二氧化硅介电材料 （PETEOS)、 SiO 等， 以确保在化学机械抛光（CMP)过程中介质材料不会产生缺损和腐蚀， 以保 持其机械性能和介电常数。 这样 CMP过程就要求在低的应力下， 快速去除 封盖层和部分介质材料。为达到工艺要求的参数，还必须对 PETEOS和 low-k 材料的抛光选择比有一定的控制能力。 因为氧化硅为四价， 不能被氧化， 不 能采用氧化还原的方法加快去除。一般认为提高研磨粒子的含量， 增大机械 力可以增加去除速率， 但也会增加表面污染物指标尤其是微划伤等。采用化 学方法在低应力下提高 PETEOS或 low-k材料去除速率的专利鲜见报道， 曾 有专利 (S2002123224A1 , US7351662B2)用碳酸钾或碳酸铵或采用聚乙烯亚 胺等方法提高 PETEOS的去除，但是在高的下压力下进行，提高的幅度很有 限。
较低的应力和较低的固含量一直是化学机械抛光液的目标， 因为可以大 幅度降低表面污染物的数量。 封盖材料和 low-k介质材料的选择比也是在先 进工艺尤其是 90nm及以下制程中的难点问题。 发明概要 本发明所要解决的技术问题是为了克服现有的化学机械抛光液固含量 较高， 进行抛光时需在较高的应力下进行， 对低介电材料（Low-k材料）和 氧化硅 （PETEOS) 的化学去除较困难， 且容易造成金属和介质材料的腐蚀 等缺陷， 而提供了一种可以在低应力下对铜阻挡层用化学方法进行抛光、具 有较高的介质材料的去除速率的化学机械抛光液，其还可以具有较低的固含 量。 用此抛光液抛光后的材料表面光洁， 平坦度较高。
本发明化学机械抛光液含有研磨颗粒、氧化剂和水， 其还含无机盐类物 质和含氮唑类化合物。
其中， 所述的无机盐类物质在本发明中是氧化硅 （PETEOS) 的抛光促 进齐 ϋ， 其包括强酸强碱盐、 强酸弱碱盐、 强碱弱酸盐和弱酸弱碱盐， 较佳的 选自强酸强碱盐和 /或强酸弱碱盐， 所述的强酸强碱盐优选氯化钠、 氯化钾、 氯化钙、 硝酸钠、 硝酸钾、 硝酸钙、 硫酸钾和硫酸钠中的一种或多种， 所述 的强酸弱碱盐优选氯化铵、硝酸铵和硫酸铵中的一种或多种； 其含量较佳的 为质量百分比 0.01-10%， 更佳的为质量百分比 0.1-1%。
本发明中， 所述的含氮唑类化合物是低介电 （low-k) 材料的抛光促进 剂， 较佳的为下述三种化合物 I、 II和 III中的一种或多种：
Figure imgf000003_0001
I II III
其中， 和 独自的为氢、 CrC6烷基、 羧基或连接 C 烷氧基的羰 基 （-COOR)等， 为氢或 CrC6垸基等；
和 独自的为氢、 Cr 烷基、羧基、氨基或巯基等， R6为氢或 CrC6 焼基等；
和 独自的为氢、 CrC6垸基或羧基等， R9为氢或 CrC6烷基等。 更佳的， 所述的化合物 I中 R2和 同时为氢， 优选苯并三氮唑和 /或甲 基苯并三氮唑； 所述的化合物 Π中 为氢； 所述的化合物 III中， 和 同时为氢， 优选吲唑。
所述的含氮唑类化合物的含量较佳的为质量百分比 0.01-2%， 更佳的为 质量百分比 0.1-1%。
所述的无机盐类物质和含氮唑类物质在本发明的抛光液中并非简单的 相加， 两者具有一定的协同作用。 它们都存在时， PETEOS和 low-k材料的 去除速率均有较大程度的提高， 比任何单独一种物质存在的时候效果更好。
本发明中， 所述的 "烷基"意指包括具有指定碳原子数目的支链和直链 的饱和脂族烃基， 所述的 "烷氧基"表示通过氧桥连接的具有所述碳原子数 目的环状或者非环状烷基。
本发明中， 所述的研磨颗粒为本领域常用的研磨颗粒， 较佳的选自二氧 化硅 （如二氧化硅溶胶颗粒）、 氧化铝、 氧化铈和聚合物颗粒中的一种或多 种； 优选二氧化硅溶胶颗粒； 所述的研磨颗粒的粒径较佳的为 10〜200nm， 更佳的为 15-200nm， 最佳的为 30-100imi; 所述的研磨颗粒的含量较佳的为 质量百分比 1-30%， 更佳的为质量百分比 2-10%。
氧化剂为本领域化学机械抛光液中常规的氧化剂，其较佳的选自过氧化 物和 /或过硫化物， 优选过氧化氢、过氧化钠、过氧化钾、过硫酸钠、过硫酸 铵和过氧化苯甲酰中的一种或多种， 更佳的为过氧化氢； 所述的氧化剂的含 量较佳的为质量百分比 0.01-10%， 更佳的为质量百分比 0.1-1%。
本发明中，所述的化学机械抛光液的 pH值较佳的为 1-4，更佳的为 2-3。 本发明的化学机械抛光液还可含有其他本领域的常规添加剂， 如 杀菌剂、 防霉剂和润滑剂等， 但具体的添加剂物质需与本发明的抛光液中其 它成分相容。
本发明中， 所述的水较佳的为去离子水， 含量为补足抛光液的质量百分 比 100%。 本发明所用的试剂及原料均市售可得。
本发明的化学机械抛光液可以由上述成分简单均匀混合，然后用本领域 公知的 pH调节剂调节至所需 pH值即可。 .
本发明的积极进步效果在于：
( 1 )本发明的化学机械抛光液可以在低应力下 （0.8-1.5psi)进行抛光。
(2)本发明的化学机械抛光液可以有较低的固含量， 即研磨颗粒含量， 在保持较高的介质材料去除速率的同时， 造成的表面污染物数量很低。
( 3 )本发明的化学机械抛光液可以利用无机盐类物质也就是电解质提高 PETEOS的去除速率， 并且可以通过改变无机盐类物质的种类和浓度改变研 磨颗粒与介质材料表面的吸附作用， 从而调节 PETEOS的去除速率。
(4)本发明的化学机械抛光液可以用含氮唑类化合物提高 low-k材料的 去除速率， 并且可以通过改变含氮唑类化合物的种类和浓度来调节 low-k材 料的去除速率。
(5 ) 本发明的化学机械抛光液中无机盐类物质和含氮唑类化合物具有 一定的协同作用， 它们都存在时， PETEOS和 low-k材料的去除速率均有较 大程度的提高， 比任何单独一种物质存在的时候效果更好。
(6)本发明的化学机械抛光液可以通过调节氧化剂的浓度改变金属铜的 去除速率， 而介质材料去除速率变化较小， 这样就可以改变他们的选择比从 而达到工艺要求的表面形貌。
(7) 用本发明的抛光液抛光后的材料表面光洁， 平坦度较高。
( 8 ) 本发明的化学机械抛光液中浓度较高时可以做成性能稳定的浓缩 样， 易于存储和运输， 在使用时按一定比例稀释即可， 这样可以降低抛光液 的储运以及包装成本。
附图说明
图 1是抛光液 16对 TEOS 854图形晶圆进行抛光后的显微镜照片。 图 2为抛光液 20对 TEOS 854图形晶圆进行抛光后的显微镜照片。
发明内容
下面用实施例来进一步说明本发明， 但本发明并不受其限制。
表 1给出了实施例 1〜37的抛光液，表 2列出了实施例 38〜57的抛光液， 按其中配方， 将各成分简单均匀混合， 用水补足抛光液的质量百分比 100%， 之后采用稀硝酸调节 pH， 即可制得各抛光液。 表 1 实施例 1-37的抛光液
Figure imgf000006_0001
Figure imgf000007_0001
80l00/600ZN3/X3d S9Z.C0/0T0Z OAV
Figure imgf000008_0001
表 2为实施例 38〜57的抛光液， 除含氮唑类化合物不同外， 其它所有条 件都相同， 均如下所述： Si02 (60腿） ， 6%； NH4N03， 0.3%； H202， 0.2%； pH， 3， 含氮唑类化合物， 1%， 用水补足抛光液质量百分比 100%。
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000010_0001
Figure imgf000011_0001
10
表 1和表 2中， 百分比均为质量百分比； Si02均为溶胶颗粒； pH调节剂 为稀硝酸； TTA为甲基苯丙三氮唑， 结构式为
Figure imgf000012_0001
BTA为苯并三氮唑； Biocide为杀菌剂， 是天津化工研究院生产的产品型号 为 T-801的聚季氨盐。
效果实施例 1 :
用实施例 1〜27的抛光液对几种基底材料进行抛光， 抛光条件如下： 抛光基底材料： 阻挡层金属钽 （Ta) 空白晶圆、 Cu 的空白晶片、 二氧 化硅 （PETEOS) 的空白晶圆、 Black Diamond 1 (即 BD1， 指一种碳参杂的 二氧化硅低介电材料） 空白晶片； 抛光机台： LP50; 下压力 （即应力）： 0,8〜1.5psi; 流量： lOOml/min; 转速： 70/100rpm。
结果如表 3所示- 表 3实施例；!〜 27的抛光液在不同晶片上的抛光速率和抛光效果
Figure imgf000012_0002
1.0 \ \ 396 206 少里
1.0 \ \ 431 224 量
1.0 \ \ 478 223 少量
1.0 \ \ 433 329 少量
1.0 \ \ 433 326 少量
1.0 \ \ 110 192 少量
1.0 \ \ 139 279 少里
1.0 \ \ 158 286 无
1.0 450 \ 363 230 无
1.0 462 \ 316 303 无
1.5 \ \ 299 237 少量颗粒残留物
1.5 \ \ 353 214 \
1.5 . 556 \ 441 317 无
1.5 580 \ 607 631 无
1.5 596 245 623 605 无
1.5 565 425 612 589 无
1.5 613 295 712 623 无
1.5 756 385 822 723 无
1.5 756 385 822 723 无
0.8 580 350 625 586 无
1.5 \ \ 102 95 \
1.5 320 302 323 265 无 总结：
1， 由上述所有效果数据可以看出， 本发明的抛光液可以在较低的下压0.8〜1.5psi) 下进行抛光， 同时能保持对介质材料较高的去除速率； 2, 由上述所有效果数据可以看出， 本发明的拋光液可以有较低的研磨 颗粒含量 （2%〜10%)， 在保持较高的介质材料去除速率的同时， 造成的表 面污染物很少或没有；
3， 由上述抛光液 2-10的效果数据可以看出， 与抛光液 1相比， 加入无 机盐类物质后， PETEOS的去除速率均有不同程度的提高；
4， 由上述抛光液 11-13的效果数据可以看出， 与抛光液 1相比， 加入 含氮唑类化合物例如 BTA后 BD1的去除速率有一定程度的提高；
5、 在下压力为 l.Opsi下时， 对抛光液 14和拋光液 11的效果数据进行 对比， 对抛光液 15和抛光液 12的效果数据进行对比； 在下压力 1.5psi下， 对抛光液 18、 19和抛光液 17进行对比， 可以明显看出通过加入无机盐类物 质和含氮唑类化合物这两种物质， PETEOS禾 P low- k材料（BD1 ) 的去除速 率均有较大程度的提高，而且两种物质并非简单的相加，有一定的协同作用， 比任何单独一种物质存在的时候效果更好；
6、由抛光液 2〜10和 17的效果数据可以看出，利用改变无机盐类物质 也就是电解质的种类和浓度可以改变研磨颗粒与介质材料表面的吸附作用， 从而提高 PETEOS的去除速率；
7、对抛光液 11〜13效果数据进行对比、抛光液 14和 15的效果数据进 行对比、 抛光液 18和 19的效果数据进行对比， 可以看出， 用含氮唑化合物 的种类和浓度可以调节 low-k材料的去除速率；
8、 与抛光液 20、 22〜25和 27相比， 抛光液 21通过调节氧化剂的浓度 可以改变金属铜的去除速率， 而介质材料去除速率变化较小， 这样就可以改 变他们的选择比， 从而调节表面缺陷的大小（碟形凹陷或者阵列侵蚀）和抛 光后的表面形貌。
效果实施例 2
分别用实施例 16和实施例 20的抛光液对 TEOS 854图形晶圆进行抛光， 抛光条件如下：抛光机台： LP50;下压力（即应力）： 1.5psi;流量： 100ml/min; 转速： 70/100rpm。 实施例 16的抛光液对 TEOS 854图形晶圆抛光后的显微镜照片见图 1， 可以看出抛光后的的晶圆上有颗粒残留物。
实施例 20的抛光液对 TEOS 854图形晶圆抛光后的显微镜照片见图 2， 可以看出拋光后的晶圆表面光洁平整， 无颗粒污染物。
总结： 本发明的抛光液在保持较高的介质材料去除速率的同时， 造成的 表面污染物很少或没有， 而且抛光后的材料表面光洁， 平坦度较高。

Claims

权利要求
1、 一种化学机械抛光液， 其含有研磨颗粒、 氧化剂和水， 其特征在于： 其还含有无机盐类物质和含氮唑类化合物。
2、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的无机盐 类物质选自强酸强碱盐和 /或强酸弱碱盐。
3、 如权利要求 2所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的强酸强 碱盐为氯化钠、 氯化钾、 氯化钙、 硝酸钠、 硝酸钾、 硝酸钙、 硫酸钾和硫酸 钠中的一种或多种； 所述的强酸弱碱盐为氯化铵、硝酸铵和硫酸铵中的一种 或多种。
4、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的无机盐 类物质的含量为质量百分比 0.01-10%。
5、 如权利要求 4所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的无机盐 类物质的含量为质量百分比 0.1-1%。
6、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的含氮唑 类化合物为下述化合物 I、 II和 III中的一种或多种：
Figure imgf000016_0001
I II III
其中， 和 独自的为氢、 CrC6烷基、 羧基或连接 CrC6烷氧基的羰 基， R3为氢或 CrC6垸基；
R4和 R5独自的为氢、 d-C6烷基、 羧基、 氨基或巯基， R6为氢或 -C6
R7和 R8独自的为氢、 C C6烷基或羧基， R9为氢或 d- 烷基。
7、如权利要求 6所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的化合物 I 中 R2和 R3同时为氯； 所述的化合物 II中， 为氢； 所述的化合物 ΠΙ中， 和 同时为氢。
8、如权利要求 7所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的化合物 I 为苯并三氮唑和 /或甲基苯并三氮唑，· 所述的化合物 III为吲唑。
9、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的含氮唑 类化合物的含量为质量百分比 0.01-2%。
10、如权利要求 9所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的含氮唑 类化合物的含量为质量百分比 0.1-1%。
11、如权利要求 1所述的化学机械拋光液， 其特征在于： 所述的氧化剂 为过氧化物和 /或过硫化合物。
12、 如权利要求 11所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的氧化 剂为过氧化氢、 过氧化钠、 过氧化钾、 过硫酸钠、 过硫酸铵和过氧化苯甲酰 中一种或多种。
13、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的氧化剂 的含量为质量百分比 0.01-10%。
14、 如权利要求 13所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的氧化 剂的含量为质量百分比 0.1-1%。
15、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的研磨颗 粒为二氧化硅、 氧化铝、 氧化铈和聚合物颗粒中的一种或多种。
16、 如权利要求 15所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的研磨 颗粒为二氧化硅溶胶颗粒。
17、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的研磨颗 粒的含量为质量百分比 1-30%。
18、 如权利要求 17所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的研磨 的颗粒的含量为质量百分比 2-10%。
19、如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的研磨颗 粒的粒径为 15-200nm。
20、 如权利要求 19所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的研磨 颗粒的粒径为 30-100nm。
21、 如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的化学机 械抛光液的 pH值为 1-4。
22、 如权利要求 21所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的化学 机械抛光液的 pH值为 2-3。
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