CN101225282A - 一种低介电材料抛光液 - Google Patents

一种低介电材料抛光液 Download PDF

Info

Publication number
CN101225282A
CN101225282A CNA2007100366747A CN200710036674A CN101225282A CN 101225282 A CN101225282 A CN 101225282A CN A2007100366747 A CNA2007100366747 A CN A2007100366747A CN 200710036674 A CN200710036674 A CN 200710036674A CN 101225282 A CN101225282 A CN 101225282A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing fluid
polishing
dioxide
content
speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007100366747A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101225282B (zh
Inventor
陈国栋
宋伟红
宋成兵
姚颖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Anji Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN 200710036674 priority Critical patent/CN101225282B/zh
Publication of CN101225282A publication Critical patent/CN101225282A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101225282B publication Critical patent/CN101225282B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明公开了一种低介电材料抛光液，其含有：磨料、含有羧基基团的速率增助剂、非铁型的氧化剂和除苯并三氮唑以外的缓蚀剂，pH值为7～13。本发明的抛光液对CDO(掺碳二氧化硅)和Ta具有较高的抛光速率。本发明的抛光液具有优于苯并三氮唑的缓蚀效果，且对晶片在前序制备过程中造成的缺陷有较强的修复作用。

Description

一种低介电材料抛光液
技术领域
本发明涉及一种抛光液，尤其涉及一种用于抛光低介电材料的抛光液。
背景技术
在集成电路制造中，互连技术的标准在提高，一层上面又沉积一层，使得在衬底表面形成了不规则的形貌。现有技术中使用的一种平坦化方法就是化学机械抛光(CMP)，CMP工艺就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫去抛光一集成电路表面。在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力。在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将磨料和化学活性溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应开始进行抛光过程。
随着集成电路复杂程度的增加和器件尺寸的减小，一些含有Si、C、O的低介电材料逐渐被应用于集成电路，以提高未来集成电路的开合能力。低介电材料包括掺碳二氧化硅(CDO)、碳氧化硅(SiOC)和有机硅玻璃(OSG)等，而掺碳二氧化硅(CDO)是目前应用较广的一种低介电材料。这些低介电材料在未来将取代二氧化硅(如TEOS、FSG、SOG等)，构成集成电路中的绝缘层。
在一些专利中，碱性抛光液用来抛光含有低介电材料的集成电路。美国专利7,056,829公开了一种含有非离子型表面活性剂的抛光液，其含有0～30％的磨料，0～15％的缓蚀剂，0～25％的氧化剂，0～10％的阻挡层抛光剂，0.001～5的非离子表面活性剂，pH值为7～10。其所含的非离子表面活性剂可为：链烷醇胺、烷基聚乙烯氧、烷基苯基聚乙烯氧、聚氧乙烯烷胺氧、聚氧乙烯聚氧丙烯二醇、烷基聚糖、脂肪羧酸酯、聚氧乙烯硫醇、烷基甘油二酯、聚氧乙烯烷醇胺、聚氧乙烯胺、叔炔乙二醇或上述化合物的混合物，其疏水链长大于6。该抛光液的特点为可抑制SiCN的抛光速率，可使抛光过程停止在CDO(掺杂碳的氧化物)层上。美国专利申请20050282390与此专利内容相似。美国专利申请20060131275公开了一种抛光液，其含有0～25％氧化剂，0.00002～5％的多元表面活性剂，0～15％的缓蚀剂，0～50％的磨料，0～20％的络合剂和水。其所含的多元表面活性剂有一疏水尾段、非离子型亲水链段和阴离子亲水链段，其中疏水尾段链长为6～30，而亲水部分链长10～300。该抛光液可使抛光过程停止在CDO(掺杂碳的氧化物)层上。
在这类专利中，主要是通过特殊的表面活性剂来降低低介电材料的抛光速率，使抛光过程能够停止在CDO层上。
发明内容
本发明的目的是公开一种对CDO(掺杂碳的氧化物)和Ta具有较高去除速率、缓蚀性好，修复性强的低介电材料抛光液。
本发明的抛光液含有：磨料、含有羧基基团的非氨基酸类的速率增助剂、非铁型的氧化剂和除苯并三氮唑以外的缓蚀剂，pH值为7～13。
本发明中，所述的磨料可为本领域常用磨料，较佳的为掺铝二氧化硅或二氧化硅，其粒径较佳的为5～200nm，更佳的为10～100nm。所述的磨料的含量较佳的为质量百分比2～20％，更佳的为质量百分比5～15％。
本发明中，所述的这类速率增助剂含有羧基基团，但不包括氨基酸类化合物，较佳的为有机酸或有机酸盐，其中更优选酒石酸或酒石酸钾。所述的速率增助剂的含量较佳的为质量百分比0.1～3％，更佳的为质量百分比0.1％～2％。本发明中所述的速率增助剂能够增加阻挡层，同时有效提高低介电材料和金属铜的抛光速率。
本发明中，所述的缓蚀剂为除苯并三氮唑以外的缓蚀剂，较佳的选自下列中的一个或多个：5-氨基四氮唑(ATA)、5-甲基四氮唑和苯基巯基四氮唑。所述的缓蚀剂的含量较佳的为质量百分比0.005～3％，更佳的为质量百分比0.05～1％。
本发明中，所述的氧化剂为非铁型的氧化剂，例如双氧水，含量较佳的为质量百分比1～3％。本发明实例中，氧化剂采用质量百分比1～3％时，更能显著提高Ta和CDO的抛光速率，同时保持金属铜的抛光速率基本不变，因此能够控制Ta和CDO与铜之间的选择比。
本发明中，所述的抛光液的pH值较佳的为10～12。
本发明中，所述的抛光液还可进一步含有表面活性剂。所述的表面活性剂可为阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和两性离子表面活性剂。这些表面活性剂能够对Ta、CDO、TEOS和Cu的抛光速率作进一步的调整和控制。
本发明的积极进步效果在于：
(1)本发明的碱性抛光液对CDO和Ta有较高的抛光速率。其中主要有效成分为含有羧基基团的非氨基酸类的速率增助剂(如有机酸或有机酸盐)，以及较高量的非铁型的氧化剂。
(3)采用除苯并三氮唑以外的缓蚀剂(如5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑和苯基巯基四氮唑)，与苯并三氮唑相比，具有更好的缓蚀效果，且使得该抛光液的Cu抛光速率较高且可调，可对晶片在前序制备过程中的缺陷有较强的修复作用。
附图说明
图1为实施例1中不同pH值的抛光液对低介电材料BD(掺碳二氧化硅)的去除速率图。
图2为实施例2中含不同磨料粒径的抛光液对BD的去除速率图。
图3为实施例3中具有不同磨料含量的抛光液对BD的去除速率图。
图4为实施例4中含不同速率增助剂的抛光液对BD、Ta和Cu的去除速率图。
图5为实施例5中具有不同速率增助剂含量的抛光液对BD、Ta和Cu的去除速率图。
图6为实施例6中具有不同氧化剂含量的抛光液对BD、Ta和Cu的去除速率图。
图7为实施例7中含不同缓蚀剂的抛光液对Cu的去除速率图。
图8为实施例7中含不同缓蚀剂的抛光液抛光Cu的log(电流/A)～电势/V图。
图9实施例8中为具有不同缓蚀剂含量的抛光液对Cu的去除速率图。
图10为实施例8中具有不同缓蚀剂含量的抛光液抛光Cu的log(电流/A)～电势/V图。
图11为实施例9中含不同表面活性剂的抛光液对BD、TEOS、Ta和Cu的去除速率图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1不同pH值的抛光液对BD的去除速率的影响
抛光液1：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝7。
抛光液2：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝10。
抛光液3：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液4：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝12。
抛光液5：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝13。
抛光条件：抛光压力1.0psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
不同pH值下抛光液对BD的抛光速率如图1所示，由图中可以看到在优选条件pH＝10-12之间时，抛光液对低介电材料具有较高的抛光速率，而且其抛光速率可控。
实施例2 具有不同磨料粒径的抛光液对BD的去除速率的影响
抛光液6：掺铝二氧化硅(5nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液7：掺铝二氧化硅(25nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液8：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液9：掺铝二氧化硅(80nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液10：二氧化硅(10nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液11：二氧化硅(30nm，H.C.Stack Company)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液12：二氧化硅(75nm，Fuso Company)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液13：二氧化硅(100nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液14：二氧化硅(120nm，H.C.Stack Company)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液15：二氧化硅(200nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光条件：1.0psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
不同磨料粒径下抛光液的BD抛光速率如图2所示。由图2(1)可以看到，掺铝二氧化硅的粒径优选较小时，抛光液具有较高的BD抛光速率。而在图2(2)中，抛光液的BD抛光速率随着二氧化硅的粒径的增加而增加。
实施例3具有不同磨料含量的抛光液对BD的去除速率的影响
抛光液16：掺铝二氧化硅(45nm)2％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液17：掺铝二氧化硅(45nm)5％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液18：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液19：掺铝二氧化硅(45nm)15％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液20：掺铝二氧化硅(45nm)20％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光条件：1.0psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
不同磨料用量下抛光液的BD抛光速率如图3所示。由图可见，随着磨料用量的增加，抛光液对BD的抛光速率增加。
实施例4含不同速率增助剂的抛光液对BD、Ta和Cu的去除速率的影响
抛光液21：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液22：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
对比抛光液1：掺铝二氧化硅(45nm)10％，甘氨酸1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
对比抛光液2：掺铝二氧化硅(45nm)10％，乙二胺1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光条件：1.5psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
含不同速率增助剂的抛光液对BD、Ta和Cu的去除速率如图4所示。从图中可以看出，当采用有机酸(酒石酸)和有机酸盐(酒石酸盐)时，抛光液具有较高的BD和Ta的抛光速率。而采用含有氨基的物质(甘氨酸和乙二胺)时，抛光液对BD和Ta的抛光速率较低。
实施例5具有不同速率增助剂含量的抛光液对BD、Ta和Cu的去除速率的影响
对比抛光液3：掺铝二氧化硅(45nm)10％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液23：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾0.1％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液24：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.0％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液25：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液26：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾2.0％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液27：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾3.0％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光条件：1.5psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
不同速率增助剂用量下抛光液对BD、Ta和Cu的抛光速率如图5所示。从图中可以看到，随着速率增助剂用量的增加，抛光液对BD、Ta和Cu的抛光速率增加。但在速率增助剂用量超过2％以后，抛光液对BD、Ta和Cu的抛光速率基本增加不大。
实施例6具有不同氧化剂含量的抛光液对BD、Ta和Cu的去除速率的影响抛光液28：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 0.1％，pH＝11。
抛光液29：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液30：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 1.5％，pH＝11。
抛光液31：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.2％，H2O2 3.0％，pH＝11。
抛光条件：1.5psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
具有不同氧化剂含量下抛光液对BD、Ta和Cu的抛光速率如图6所示。从图中可以看出，随着氧化剂含量的增加，Ta和BD抛光速率不断增加，但Cu的抛光速率基本变化不大。
实施例7含不同缓蚀剂的抛光液对Cu的去除速率和电化学性能的影响
对比抛光液4：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，苯并三唑0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液32：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液33：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-甲基四氮唑0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液34：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，苯基巯基四氮唑0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液35：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑0.1％，苯基巯基四氮唑0.4％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光条件：1.5psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
测试条件和方法：在CHI600B电化学工作站(上海辰华仪器公司)上进行电化学研究测试，以铂电极为辅助电极、饱和甘汞电极为参比电极和铜电极为工作电极，扫描范围-1.0～1.5V，扫描结果如图8。通过自带软件分析得到腐蚀电流并计算得到静态腐蚀速率，如表1所示。
表1对比抛光液4和抛光液32～34的腐蚀电流及静态腐蚀速率
Figure A20071003667400131
含不同缓蚀剂的抛光液对Cu的抛光速率如图7所示。与采用苯并三氮唑作为缓蚀剂相比，当缓蚀剂为5-氨基四氮唑、5-氨基四氮唑、苯基巯基四氮唑以及他们的混合物时，抛光液具有较高的Cu抛光速率，从而能够更为容易修复前端制程留下的缺陷，例如Cu划伤。同时结合表1可以看到，抛光液采用5-氨基四氮唑、5-氨基四氮唑、苯基巯基四氮唑为缓蚀剂时，具有较低的Cu腐蚀速率。
实施例8具有不同缓蚀剂含量的抛光液对Cu的去除速率和电化学性能的影响
对比抛光液5：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液36：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑0.005％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液37：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑0.05％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液38：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑0.2％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液39：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑0.5％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液40：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑1.0％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光液41：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑3.0％，H2O2 1.0％，pH＝11。
抛光条件：1.5psi，抛光盘转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
测试条件和方法：在CHI600B电化学工作站(上海辰华仪器公司)上进行电化学研究测试，以铂电极为辅助电极、饱和甘汞电极为参比电极和铜电极为工作电极，扫描范围-1.0～1.5V，扫描结果如图10。通过分析和计算得到腐蚀电流和静态腐蚀速率，如表2所示。
表2抛光液37、39和40的腐蚀电流及静态腐蚀速率
Figure A20071003667400151
含不同含量缓蚀剂的抛光液对Cu的抛光速率如图9所示。随着缓蚀剂用量的增加，Cu的抛光速率反而增加，但当缓蚀剂用量高于1％后Cu抛光速率已经基本不变。同时结合表2可以看到，采用不同的缓蚀剂用量时，抛光液对Cu的腐蚀速率基本不变。
实施例9含不同表面活性剂的抛光液对BD(掺杂碳的二氧化硅)、二氧化硅(TEOS)、Ta和Cu的去除速率的影响
抛光液42：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.1％，H2O2 1.0％，葡聚糖(分子量20000)0.2％，pH＝11。
抛光液43：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.1％，H2O2 1.0％，PEG200(聚乙二醇)0.2％，pH＝11。
抛光液44：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.1％，H2O2 1.0％，CAB-30(甜菜碱两性表面活性剂)0.2％，pH＝11。
抛光液45：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.1％，H2O2 1.0％，BYK154(聚丙烯酸，德国毕克化学公司)0.2％，pH＝11。
抛光液46：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.1％，H2O2 1.0％，Gemini表面活性剂(河南道纯公司)0.2％，pH＝11。
抛光液47：掺铝二氧化硅(45nm)10％，酒石酸钾1.5％，5-氨基四氮唑(ATA)0.1％，H2O2 1.0％，十二烷基三甲基溴化铵0.2％，pH＝11。
抛光条件：1.5psi，抛光盘及抛光头转速70rpm，抛光液流速100ml/min，抛光垫IC1010，Logitech PM5 Polisher。
不同表面活性剂下抛光液对BD、Ta、TEOS和Cu的抛光速率如图11所示。采用各种表面活性剂时，抛光液对BD、Ta、TEOS和Cu的抛光速率都有所改变。

Claims (16)

1.一种低介电材料抛光液，其特征在于：磨料、含有羧基基团的非氨基酸类的速率增助剂、非铁型的氧化剂和除苯并三氮唑以外的缓蚀剂，pH值为7～13。
2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的磨料为掺铝二氧化硅或二氧化硅。
3.如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅或二氧化硅粒径为5～200nm。
4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于：所述的粒径为10～100nm。
5.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的磨料的含量为质量百分比2～20％。
6.如权利要求5所述的抛光液，其特征在于：所述的磨料的含量为质量百分比5～15％。
7.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的速率增助剂为有机酸或有机酸盐。
8.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述的速率增助剂为酒石酸或酒石酸钾。
9.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的速率增助剂的含量为质量百分比0.1～3％。
10.如权利要求9所述的抛光液，其特征在于：所述的速率增助剂的含量为质量百分比0.1％～2％。
11.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的缓蚀剂选自下列中的一个或多个：5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑和苯基巯基四氮唑。
12.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的缓蚀剂的含量为质量百分比0.005～3％。
13.如权利要求12所述的抛光液，其特征在于：所述的缓蚀剂的含量为质量百分比0.05～1％。
14.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂的含量为质量百分比1～3％。
15.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的pH值为10～12。
16.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液还含有表面活性剂。
CN 200710036674 2007-01-19 2007-01-19 一种低介电材料抛光液 Active CN101225282B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200710036674 CN101225282B (zh) 2007-01-19 2007-01-19 一种低介电材料抛光液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200710036674 CN101225282B (zh) 2007-01-19 2007-01-19 一种低介电材料抛光液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101225282A true CN101225282A (zh) 2008-07-23
CN101225282B CN101225282B (zh) 2013-05-01

Family

ID=39857493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200710036674 Active CN101225282B (zh) 2007-01-19 2007-01-19 一种低介电材料抛光液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101225282B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009070967A1 (fr) * 2007-11-30 2009-06-11 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd Liquide de polissage chimico-mécanique
CN102786879A (zh) * 2012-07-17 2012-11-21 清华大学 钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用
WO2018120811A1 (zh) * 2016-12-28 2018-07-05 安集微电子科技（上海）股份有限公司 化学机械抛光液及其应用
CN109971353A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN115678437A (zh) * 2022-11-04 2023-02-03 河北工业大学 基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6893476B2 (en) * 2002-12-09 2005-05-17 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal
US7300601B2 (en) * 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
US7022255B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use
US20050097825A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 Jinru Bian Compositions and methods for a barrier removal
US20050234136A1 (en) * 2004-04-19 2005-10-20 Holland Brian T Colloidal compositions and methods of preparing same
US20070037892A1 (en) * 2004-09-08 2007-02-15 Irina Belov Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles
US7790618B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Selective slurry for chemical mechanical polishing

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009070967A1 (fr) * 2007-11-30 2009-06-11 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd Liquide de polissage chimico-mécanique
CN102786879A (zh) * 2012-07-17 2012-11-21 清华大学 钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用
WO2018120811A1 (zh) * 2016-12-28 2018-07-05 安集微电子科技（上海）股份有限公司 化学机械抛光液及其应用
CN108250978A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN109971353A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN109971353B (zh) * 2017-12-27 2021-12-07 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN115678437A (zh) * 2022-11-04 2023-02-03 河北工业大学 基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法
CN115678437B (zh) * 2022-11-04 2024-02-27 河北工业大学 基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101225282B (zh) 2013-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101020613B1 (ko) 탄탈 배리어 제거 용액
KR101186110B1 (ko) 금속막의 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물
TWI382106B (zh) 金屬用研磨液及研磨方法
JP5567293B2 (ja) 二段階で銅を除去する化学機械研磨工程の両段階における金属層を平坦化するための研磨組成物
JP6327326B2 (ja) 金属用研磨液及び研磨方法
JP4816836B2 (ja) 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
CN101225282B (zh) 一种低介电材料抛光液
JP2003031529A (ja) Ｃｍｐ用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法
WO2010037265A1 (zh) 一种化学机械抛光液
TWI399428B (zh) Ｃｍｐ研磨液以及使用此ｃｍｐ研磨液的基板研磨方法
CN101490734B (zh) 用于抛光低介电材料的抛光液
CN102159657A (zh) 一种化学机械抛光液
CN102093816A (zh) 一种化学机械抛光液
CN102108259A (zh) 一种化学机械抛光液
CN101955732B (zh) 一种化学机械抛光液
CN103205205A (zh) 一种碱性化学机械抛光液
CN101523562B (zh) 分布化学机械抛光方法
US20030189186A1 (en) Chemical-mechanical polishing composition for metal layers
JP4068323B2 (ja) 研磨方法、および半導体装置の製造方法
JP2005082649A (ja) 研磨用スラリー
CN1170909C (zh) 金属布线的化学机械平面化
CN104745090A (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
CN113122141A (zh) 一种化学机械抛光液
JP5567261B2 (ja) 化学機械研磨の構成物
JP2005223257A (ja) 研磨粒子を含有する金属研磨組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant