JP4068323B2 - 研磨方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
研磨方法、および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨方法および半導体装置の製造方法に係り、特に、DRAMや高速ロジックLSIに搭載されるAl、Cu、Wなどのダマシン配線の形成や、絶縁膜の平坦化のための研磨技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在の半導体製造分野において、CMPは必須のプロセスとされており、特に、図8に示すようなテーブルタイプの研磨装置が主流とされている。こうした従来のテーブルタイプの研磨装置においては、図示するように定盤500上に研磨パッド501が配置され、ウエハ502は、被研磨面を下方のパッド501に向けてパッド501の上方に設けられる。定盤500は所定の回転数で回転し、ウエハ502は、定盤500上を円形軌道に沿って移動しつつ所定の回転数で回転する。研磨パッド501表面のコンディショニングは、ダイヤモンドドレッサー503により行なわれる。
【0003】
また、研磨パッド501には、スラリー供給ノズル506からスラリーが供給され、純水供給ノズル507および薬液供給ノズル508から、純水および薬液がそれぞれ供給される。
【0004】
さらに従来のテーブルタイプの研磨装置は、上述の部材に加えてウエハ502の被研磨面の研磨状態をモニターするための光学式センサー505、およびダイヤモンドドレッサー503を洗浄するためのドレッサー洗浄部504を具備している。そのため、装置幅は2.5mという大きなものとなる。
【0005】
将来的には、配線深さ0.2μm以下の超薄膜ダマシン配線を形成することが要求される。また、LSIチップを多量に得るためにシリコンウエハは12インチ以上の大きさになり、大口径化されたウエハの処理が必要とされる。こうした要求に応えて量産レベルで安定したプロセスを行なうことは、従来のテーブルタイプでは難しくなりつつある。
【0006】
例えば、エロージョンの小さいダマシン配線を形成するためには、研磨パッドのきめ細かいコンディショニングが不可欠である。従来の研磨装置では、図8に示されるようにダイヤモンドドレッサー503によって、研磨パッド501のコンディショニングが行なわれる。研磨パッド501の表面には、図9に示されるように20μm未満程度の凹凸を形成することが必要であるものの、こうした凹凸を安定に制御することは難しい。これは、研磨パッド501の最も難しい技術課題の一つである。
【0007】
エロージョンは、研磨時間を最適化することによって、ある程度は抑制することができ、研磨時間の最適化は、光学的、流体式、静電容量的あるいは電気的に研磨の終点を求めることによって行なわれる。従来のテーブルタイプの研磨装置においては、ウエハ502表面が研磨パッド501と向き合い接触している。このため、ウエハ502の表面状態を直接モニターする場合には、図8に示されるようにウエハ502をパッド501のないところまで移動させて、下方に配置された光学式センサー505によりウエハ502の表面状態を観察する。あるいはパッド501に穴を形成し、その穴を介してウエハ502の表面状態がモニターされる。いずれの場合も、スループットを落としたり、CMP特性を劣化させるといった懸念がある。
【0008】
また従来の研磨装置では、ウエハ502の一部に削れ残りのメタルが存在した場合、その残り部だけを研磨することはできず、ウエハ全体を研磨しなければならなかった。このため、過剰に研磨される領域が発生し、配線深さにばらつきが生じてしまう。ウエハ502が大口径化されるにつれて、この影響が大きくなる。
【0009】
さらに、研磨パッド501を介して純水や薬液が供給されるため、従来の研磨装置におけるウエハ502の洗浄は間接的である。スラリーの供給から薬液の供給に切り替える際には、純水が研磨パッド501を介してウエハ502に供給される。このとき、パッド501上からスラリーの残留物を完全に除去することが困難であるため、ウエハ502を十分に洗浄することが難しい。
【0010】
次世代の12インチウエハを研磨する際には、図8に示した構成の装置はさらに大型化するため、装置スペースが非常に大きくなる。また、重いテーブルを回転させるために電気代も無視できなくなる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、被研磨面を局所的に研磨可能であり、被研磨面の研磨状態を直接モニターし、被研磨面を直接洗浄することができる研磨方法を提供することを目的とする。
【0013】
また本発明は、超薄膜ダマシン配線を形成でき、大口径化されたウエハの処理に対応して、量産レベルで安定して半導体装置を製造し得る方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、被処理面を有する半導体基板を、前記被処理面を上向きにして回転させる工程と、前記被処理面にスラリーを供給して、研磨の進行状態をin−situでモニターしつつブラシにより研磨する工程とを具備し、前記スラリーは、10mPaS以上100mPaS以下の粘度を有し、カチオン性ポリマーの粒子とアニオン性ポリマーの粒子と研磨粒子とを含有することを特徴とする研磨方法を提供する。
【0016】
また本発明は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積して、導電性層を形成する工程と、前記絶縁膜の上に堆積された前記導電性材料を除去して前記絶縁膜の表面を露出させることにより、前記導電性材料を前記溝内部に残置する工程とを具備し、前記絶縁膜上に堆積された前記導電性材料の除去は、前記導電性層にスラリーを供給してブラシで研磨することにより行なわれ、前記スラリーは、10mPaS以上100mPaS以下の粘度を有し、カチオン性ポリマーの粒子とアニオン性ポリマーの粒子と研磨粒子とを含有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【0017】
さらに本発明は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積して、導電性層を形成する工程と、前記絶縁膜の上に堆積された前記導電性材料を除去して前記絶縁膜の表面を露出させることにより、前記導電性材料を前記溝内部に残置する工程とを具備し、前記絶縁膜上に堆積された前記導電性材料の除去は、前記導電性層を上向きにして前記半導体基板を回転させ、前記導電性層にスラリーを供給して、研磨の進行状態をin−situでモニターしつつブラシで研磨することにより行なわれ、前記スラリーは、10mPaS以上100mPaS以下の粘度を有し、カチオン性ポリマーの粒子とアニオン性ポリマーの粒子と研磨粒子とを含有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1に、本発明の一実施形態にかかる研磨装置の構成を表わす概略図を示す。
【0019】
図示する研磨装置においては、ウエハ保持機600は、ウエハ601の被研磨面(被処理面)を上方に向けてこれを保持し、所定の回転数で回転可能である。ウエハ601の被研磨面には、スラリー供給ノズル604からスラリーが供給され、水供給ノズル605および薬液供給ノズル606から、水および薬液がそれぞれ供給される。スラリーを除去するために水供給ノズル605から供給される水としては、純水およびイオン水等を用いることができる。また、薬液供給ノズル606から供給される薬液としては、コロージョン抑制のための界面活性剤、パーティクル除去(リフトオフ)するためのアンモニア水、および有機酸等が用いられる。
【0020】
ウエハ601の被研磨面は、スラリー供給ノズル604からスラリーを供給して移動式ブラシ602により研磨され、この研磨中には、移動式光学式センサー603によって研磨の進行状態がin−situでモニターされる。
【0021】
所望の研磨が達成されたことがモニター603により検知されると、被研磨面には水供給ノズル605から水が供給される。これによって、被研磨面からスラリーが除去され、さらに、薬液供給ノズル606から薬液が供給されて、被研磨面の洗浄が行なわれる。水や薬液を被研磨面に供給する際には、必ずしもブラシ602を用いる必要はなく、こうした液体を単に被研磨面に供給するだけでもよい。あるいは、水や薬液を供給しながら、例えばロールスポンジ等(図示せず)によって、スラリーを除去したり、被研磨面を洗浄することもできる。場合によっては、水や薬液の供給時にブラシを用いてもよい。このとき、ブラシの作用によって機械的に研磨される量は無視できる程度であるので、被研磨面に特に問題は生じない。
【0022】
図8に示した従来のテーブルタイプの装置幅2.5mと比較すると、図1に示される研磨装置の幅は0.5mとコンパクトである。図8に示したように従来の研磨装置では、大きな研磨パッド501を用いることが前提とされていた。そのため、パッド501のコンディショニングを行なう装置であるダイヤモンドドレッサー503およびその洗浄部504、さらに研磨の進行を観察する装置である光学式センサー505を、研磨位置近く(同じステージ上)に備える必要があった。これは研磨処理を迅速に行なうためであり、こうした理由から、従来のテーブルタイプの研磨装置は大型になっていた。
【0023】
これに対して図1に示す研磨装置では研磨材はブラシ602なので、大きな研磨パッドや、そのためのコンディショナーは必要とされない。さらに、ウエハ601の被研磨面が上方を向いて載置されるので、モニター装置603は、研磨部の横ではなくウエハの上方に取り付けられる。したがって、横方向に付加的なスペースを必要とせず装置内の空間が効率よく利用され、装置の小型化を図ることが可能となった。
【0024】
すでに説明したように、ウエハ601の研磨はブラシ602により行なわれるため、図1に示される研磨装置においては、従来の研磨パッドのコンディショニングをするための設備は必要とされない。ブラシの清浄(コンディショニング)は、研磨中に吸着した研磨くずおよび/またはスラリーを、ブラシ清浄機構で除去することによって行なうことができる。例えば、待機中に純水および/または薬液のプール607中で、ブラシを超音波洗浄することによって行なうことができる。あるいは、ブラシと同様の有機系材料からなるプレートに擦り付けて行なってもよい。
【0025】
図1に示す装置において用いられるブラシは、図2(a)に示すような円柱状のカップタイプ、図2(b)に示すようなスタンダードタイプ、図2(c)に示すようなロールタイプ、および図2(d)に示すような剣山タイプとすることができる。図2(a)に示されるカップタイプのブラシおよび図2(d)に示される剣山タイプのブラシは自転可能であり、図2(b)に示されるスタンダードタイプのブラシは横運動(よう動)可能である。また、図2(c)に示したロールタイプのブラシは、長手に延びる軸の周りを回転する。
【0026】
こうしたタイプのブラシの毛は、塩化ビニール製、ナイロン製、あるいはポリプロピレン製とすることができ、その毛先の直径は30μm以下であることが好ましい。図3に模式的に示すように、ブラシがウエハに押し付けられたとき、ブラシの毛と隣接するブラシの毛の間の隙間との関係、すなわちブラシの毛先の断面に沿った形状は、従来のパッド表面の凹凸に相当する。なお、図3中、参照符号301はブラシの毛先の断面を表わしている。従来のパッドの表面には、例えばエロージョンの小さいダマシン配線を形成するために、20μm未満の微細な凹凸が形成される必要があり、ブラシの場合には、ブラシの毛先の半径がその程度の大きさであることが要求される。
【0027】
ブラシの毛先の直径を30μm以下とすることによって、その半径は15μm以下となるので、被研磨面との間に最適な接触が得られ、エロージョンの小さいダマシン配線を形成することができる。
【0028】
なお、ブラシの毛先の直径は、製造可能な範囲で小さいことが望まれ、通常、その下限は5μm程度である。
【0029】
(実施例1)
実施例1では、ブラシを用いた研磨によりCuダマシン配線を形成した例を挙げて説明する。
【0030】
図1に示した装置を用いてCuダマシン配線を形成する工程図を、図4(a)および(b)に示す。
【0031】
まず、図4(a)に示すように、半導体基板100上に絶縁膜101を形成し、深さ300nmの溝を設けた。なお、半導体基板100は、バルク基板またはSOI基板とすることができ、この基板には素子(図示せず)が集積形成されている。次いで、TaNライナ102を10nm、およびCu膜103を600nm、スパッタリング(シード層)+メッキ法により堆積した。
【0032】
続いて、図1に示す装置を用いてCu膜103およびTaNライナ102からなる導電性層の不要部分をブラシで研磨することにより除去し、図4(b)に示すように溝内部にCu膜103およびTaNライナ102を埋め込んだ。
【0033】
まず、導電性層の研磨に用いられるスラリーについて、以下に詳細に説明する。スラリーは、ブラシに良好になじむものがよい。よって、研磨剤成分、特にスラリー中に配合される粒子などは疎水性として粘性を高めたものが好ましく用いられる。
【0034】
このようなスラリーは、例えば以下のようにして調製することができる。具体的には、溶媒としての純水に、酸化剤としての過硫酸アンモニウム2wt%、酸化抑制剤としてのキナルジン酸0.3wt%、界面活性剤としてのドデシルベンゼンスルホン酸0.03wt%、グリシン0.2wt%を配合し、pH調整剤としてのKOHによりpHを9.2に調整したケミカル成分中に、以下の成分を加える。
【0035】
研磨粒子としては、コロイダルシリカ(一次粒子径20nm)が用いられる。前述のケミカル成分の中に、このコロイダルシリカ10wt%、およびアミノ基を有するPMMA(ポリメチルメタクリレート)粒子1(一次粒子径150nm)5wt%を加える。これによって、コロイダルシリカ(親水性)とPMMA粒子1との凝集体1が形成される。PMMA粒子1に吸着して凝集体1を形成可能であれば、コロイダルシリカ以外の研磨粒子、例えばコロイダルアルミナ、チタニア、およびセリア等を用いてもよい。アミノ基を有するPMMA粒子1はカチオン性ポリマーであり、増粘剤として作用する。アミノ基は、カチオン性を付与するのに十分な濃度でPMMA粒子の表面に存在する。アミノ基以外の官能基でも十分なカチオン性を付与できるものであれば、PMMA粒子の表面に結合させて増粘剤として用いることができる。PMMA粒子は、アシスト粒子として重要と考えられる柔らかさ、および粒子破壊耐性といった性質を有しているために好ましく用いられる。PMMA粒子と同様の性質を有していることから、ポリスチレン粒子の表面に同様の官能基を結合させて、増粘剤として用いてもよい。
【0036】
なお、用いられるコロイダルシリカの一次粒子径は、通常10〜30nm程度であり、PMMA粒子の一次粒子径は、100〜300nm程度とすることが好ましい。PMMA粒子が小さすぎる場合には、その表面にコロイダルシリカを充分に吸着させることができない。一方、PMMA粒子が大きすぎる場合には、粗大粒子となりエロージョンを劣化させるおそれがある。
【0037】
また、コロイダルシリカとPMMA粒子1との配合割合(コロイダルシリカ:PMMA粒子1)は、重量で1:1〜0.5:1程度とすることが好ましい。PMMA粒子1が少なすぎる場合には、凝集体1を形成しないコロイダルシリカが増加し、一方、PMMA粒子1が多すぎる場合には、凝集体1を形成しないPMMA粒子1が増加するおそれがある。
【0038】
こうして得られた凝集体1は、PMMA粒子1の表面にコロイダルシリカが吸着した状態である。これによってスラリーの粘性は向上するが、凝集体自体は親水化されているので、次のような手法によって疎水性を高める。
【0039】
具体的には、カルボキシル基を有するPMMA粒子2(一次粒子径150nm)を5wt%、さらに添加する。このカルボキシル基を有するPMMA粒子2はアニオン性ポリマーであり、疎水化剤として作用する。すでに説明したPMMA粒子1の場合と同様に、PMMA粒子2においてもカルボキシル基は、アニオン性を付与するのに十分な濃度でPMMA粒子の表面に存在する。カルボキシル基以外にも、スルホン酸基等の官能基をPMMA粒子の表面に結合させて、疎水化剤として用いることができる。さらに、ポリスチレン粒子の表面に同様の官能基を形成して、疎水化剤としてもよい。
【0040】
こうしたPMMA粒子2で、前述の凝集体1を吸着させて凝集体2を形成することによって、スラリーの疎水性と粘性とを増加させることができる。
【0041】
なお、カルボキシル基を有するPMMA粒子2の一次粒子径は、前述のPMMA粒子1と同程度の100〜300nmとすることが好ましい。PMMA粒子2が小さすぎる場合には、前述の凝集体1を充分に吸着することができない。一方、PMMA粒子2が大きすぎる場合には、PMMA粒子1の場合と同様にエロージョンを劣化させるおそれがある。
【0042】
こうした粒子の状態を図5に模式的に示した。図5に示されるように、参照符号400で表わされるアミノ基を有するPMMA粒子1の表面には、コロイダルシリカ401が吸着して、凝集体1が形成されている。この凝集体1は、参照符号402で表わされるカルボキシル基を有するPMMA粒子2に吸着して、凝集体2が形成される。
【0043】
なお、1つのPMMA粒子の表面に、カチオンおよびアニオンの両方の官能基を結合させて、増粘剤かつ疎水化剤として用いてもよい。
【0044】
このように凝集体が形成されることによって、スラリーの粘度は40mPaSまで上昇した。なお、上述したようなカチオン性ポリマーおよびアニオン性ポリマーの併用による疎水化および増粘化処理を施さない通常のスラリーの粘度は、1.3mPaS程度であった。この粘度は、純水の1.0mPaSとほぼ同程度である。
【0045】
上述したように疎水化および増粘化処理を施したスラリーと、従来のスラリーとをそれぞれ用いて、図1に示される装置のブラシによりCu膜を研磨し、Cu研磨速度を調べた。ウエハ回転数は200rpmとし、ブラシ回転数は200rpmとした。その結果、増粘化および疎水化を施したスラリーを用いた場合には、Cuの研磨速度350nm/minが得られたのに対して、従来のスラリーを用いた場合では3nm/minであった。
【0046】
なお、疎水性が高く、粘性の高いPMMA粒子のみ(コロイダルシリカなし)での研磨速度も、2nm/minと低かった。これらの結果から、カチオン性およびアニオン性の2種類のPMMA粒子を含有することによって、PMMA粒子がコロイダルシリカのブラシへの付着を助長したものと考えられる。こうして、研磨力の高いコロイダルシリカがブラシに良好に吸着してなじみ、Cu膜を効率よく研磨することが可能となった。
【0047】
ここで、スラリーの粘度とCu研磨速度との関係を図6のグラフに示す。Cuの実用的な研磨速度は、300nm/min程度であるので、この値を得るためには、スラリーは10mPaS以上の粘度が必要である。特に、Cu研磨速度のマージンを考慮すると、スラリーの粘度は20mPaS以上であることが好ましい。なお、従来のテーブルタイプの研磨装置に用いられていたスラリーの粘度は1.3mPaSであり、この場合には、Cuの研磨速度は400nm/minであった。スラリーの増粘化および疎水化によって、ブラシを用いた研磨の効率が高められたと考えられる。
【0048】
しかしながら、粘度が100mPaSを越えるとスラリーの流動性が失われて、ウエハやブラシへのなじみが薄れるおそれがある。このため、スラリーの粘度の上限は100mPaSとすることが望まれる。
【0049】
10mPaS以上の粘度を得るためには、スラリー中におけるPMMA粒子1およびPMMA粒子2の合計添加量は10wt%以上とすることが望ましい。しかしながら、こうした粒子が過剰に添加されると、スラリーの粘度が100mPaSを越えるおそれがあるので、PMMA粒子の添加量の上限は、スラリーの粘度を考慮して決定することが好ましい。また、スラリーの粘度を適切な範囲内とするために、PMMA粒子1およびPMMA粒子2は、同程度の量で添加されることが望まれる。
【0050】
このように、導電性層などの被研磨面がブラシを用いて研磨される図1に示した装置においては、十分な研磨速度を得るために、10mPaS以上の粘度を有するスラリーを用いることが望まれる。
【0051】
図4(b)に示したCuダマシン配線の形成に当たっては、上述したように調製された粘度40mPaSのスラリーを用いて、図1に示す装置で3分間、モニター603により研磨の進行状態をin−situで検知しつつ研磨を行なった。なお、ブラシ602としては、図2(a)に示したカップタイプのものを用いた。このブラシの毛は塩化ビニール製であり、毛先の太さは30μmである。所望の研磨が達成された後には、一旦純水でスラリーを流し落とし、シュウ酸をウエハに滴下しながら洗浄を行なった。
【0052】
その結果、50μm配線におけるCuエロージョンは40nmであった。次世代LSIでは、エロージョンを50nm未満に抑えることが要求されている。このことを考慮すると、粘度40mPaSのスラリーを用いてブラシで研磨する本実施例により、十分に小さいエロージョンが達成されたことがわかる。
【0053】
なお、特開平8−153695号公報に記載されている研磨方法においては、ウエハ上に形成されたシリコン酸化膜をスラリーで研磨した後、パーティクルを除去する仕上げ研磨工程にブラシが用いられている。ここで用いられるブラシは、大きな定盤の表面に植立されたものであり、ウエハの被研磨面はブラシに対向して下向きに配置される。しかも、ウエハは円形軌道に沿って定盤上を搬送されるので、装置の小型化を図ることは不可能である。
【0054】
また、シリコン酸化膜の仕上げ研磨工程にブラシを用いることが意図されているのみであり、ダマシン配線を形成するためのCMP(例えばメインポリッシュ)は、この公報では考慮されていない。当然ながら、削れ残りの部分を局所的に研磨することや、研磨の進行状態を直接モニターすることもまた、この公報に記載されている研磨装置および研磨方法では不可能である。
【0055】
Cu膜やTaNライナ等の導電性層の不要部分をブラシで研磨してダマシン配線を形成することは、本実施例により始めて可能となった。特に、10mPaS以上の粘度を有するスラリーを用いることによって、300nm/minという実用的な研磨速度、および低エロージョンを達成することができる。
【0056】
上述したように研磨剤の増粘化および疎水化を図ることによって、研磨粒子等のスラリーの成分を変更しても、テーブルタイプの研磨速度以上の研磨速度を得ることができる。
【0057】
スラリーには、通常用いられる添加剤を、必要に応じて配合することができる。具体的には、添加剤としては、酸化剤、界面活性剤、酸化抑制剤、およびpH調整剤などが挙げられる。
【0058】
酸化剤としては、H2O2、(NH4)2S2O8、K2S2O8、硝酸鉄、および硝酸アンモニウムセリウムなどが挙げられる。
【0059】
界面活性剤としては、ドデシルスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、脂肪酸塩、およびポリオキシエチレンアルキルアミンなどが挙げられる。
【0060】
酸化抑制剤としては、BTA(ベンゾトリアゾール)、カルボキシ基を有するアミンなどが挙げられ、pH調整剤としてはアンモニア水、KOH、硝酸、クエン酸、シュウ酸、およびコハク酸などが挙げられる。
【0061】
こうした添加剤は、CMP用スラリーに通常使用される量で配合すればよい。
【0062】
さらに、Cu以外にも、Al、W、Ti、Nb、Ta、あるいはVを主成分とする導電性層を、ブラシを用いて研磨した場合にも、スラリーの増粘化および疎水化を図ることによって、テーブルタイプの研磨速度と同等以上の研磨速度が得られる。
【0063】
(参考例2)
参考例2では、ブラシを用いた研磨によりAlダマシン配線を形成した例を挙げて説明する。特に、ウエハの被研磨面が上面を向いているため、薬液での洗浄が直接的であり、その効果が大きい点について説明する。
【0064】
ここでのAlダマシン配線の形成工程は、図4(a)におけるライナ102のTaNをTiNに置き換え、Cu膜103をAl膜に置き換えた以外は、前述の実施例1の場合と同様である。
【0065】
Al膜およびTiNライナからなる導電性層の不要部分を、図1に示す装置を用いてブラシにより研磨した。ブラシ602としては、図2(b)に示したスタンダードブラシを用いた。このブラシの毛はナイロン製であり、毛先の太さは30μm程度である。
【0066】
研磨に用いられるスラリーは、以下のようにして調製した。まず、溶媒としての純水に、研磨粒子としてのコロイダルシリカ(一次粒子径30nm)を加えて、固形分20wt%のスラリーを得た。pHは、KOHより6に調製した。さらに、フッ素系のノニオン界面活性剤としてのユニダイン(ダイキン(株)社製)を5wt%加えて、スラリーの粘度を30mPaSに高めるとともに疎水化処理を施した。
【0067】
スラリーの粘度を高めるために界面活性剤を用いる場合には、ノニオン界面活性剤を用いることが望ましい。電位をもった被研磨面にイオン性界面活性剤が吸着すると、研磨速度が著しく低下するおそれがある。特に、スラリーの増粘化および疎水化を同時に達成するためには、フッ素系あるいはシリコン系のノニオン界面活性剤を用いることが望まれる。
【0068】
フッ素系あるいはシリコン系のノニオン界面活性剤は、増粘剤かつ疎水化剤として作用する。スラリー全体の疎水性を高めるために、こうしたノニオン界面活性剤は、臨界ミセル濃度以上で使用することが好ましい。例えば、界面活性剤のHLB(親水疎水バランス)値を10以下とすることによって、十分な疎水性をスラリーに付与することができ、Al研磨速度も十分に大きなものとなる。また、実用的なAl研磨速度を確保するためには分子量500以下とすることが望まれる。さらに、スラリー中におけるノニオン界面活性剤の濃度は、0.1wt%以上であることが好ましい。ただし、過剰に含有されると、疎水性が強くなりすぎて純水に溶けにくくなるおそれがあるので、その上限は10wt%程度とすることが望まれる。
【0069】
フッ素系あるいはシリコン系のノニオン界面活性剤としては、上述したような条件を満たす任意のものを用いることができる。
【0070】
CMP特性を劣化させないように、上述したような低HLB値および低分子量を両立することは、炭化水素系のノニオン界面活性剤では困難である。フッ素系あるいはシリコン系のノニオン界面活性剤を用いることによって、初めて可能となった。
【0071】
なお、被研磨面と逆電位の親水部を有するものを選択すれば、イオン性の界面活性剤を増粘剤として用いることもできる。さらには、グリシンのような両性界面活性剤を用いて、スラリーの増粘化と疎水化とを図ることもできる。
【0072】
Al膜およびTiNライナからなる導電性層の研磨に当たっては、上述したように調製されたスラリーをスラリー供給ノズルから供給しつつ、ウエハを300rpmで回転させ、ブラシは5cmの距離を10回/秒の速度でよう動させた。研磨中には、モニターによりin−situでウエハ表面を観察した。
【0073】
なお、Alの研磨では、コロージョンを防止することが課題の一つである。従来のAlの研磨の場合には、次のようにコロージョンが発生していた。例えば、ウエハ面内でAl残りがないように所定の削り量よりも多めに研磨を行なう、いわゆるオーバーポリッシュの際、早く削れた領域でコロージョンが発生した。また、コロージョン防止液に浸すまでに時間を要し、防食に間に合わなかったという問題がある。
【0074】
これに対し本実施例では、被研磨面が上面を向いてウエハが載置されているので、ウエハ内での局所的な研磨、また、研磨位置での薬液洗浄が可能である。このため、例えば、約3分間の粗研磨によりウエハの8割程度大まかに削り、その直後に防食液(例えば、ポリカルボン酸0.01wt%)を、ウエハ表面に直接供給することができる。ウエハ表面に研磨不足の領域が発見された場合には、引き続き、速やかにその不足部分をin−situモニターしつつ、部分的に研磨を行なえばよい。
【0075】
これによって、エロージョンおよびコロージョンを抑制したダマシン配線を形成することが可能となる。
【0076】
本実施例により形成されたAlダマシン配線においては、Alエロージョンは35nmであり、コロージョンは、従来の1000個/ウエハから30個/ウエハ程度に抑制された。
【0077】
(実施例2)
以上の実施例では導電性層の研磨について説明したが、ブラシを用いた研磨を絶縁膜の平坦化に適用することもできる。
【0078】
図7に、絶縁膜としてのSiO2膜平坦化の工程図を示す。
【0079】
まず、素子201(高さ150nm)を形成した半導体基板200上に、図7(a)に示すように、SiO2膜202を800nmの膜厚で堆積する。次いで、SiO2膜202における素子201の高さ分程度の段差を、図1に示した装置によりブラシで研磨して平坦化する。
【0080】
ブラシ602としては、図2(c)に示したロールタイプのものを用いた。このブラシはポリプロピレン製であり、毛先の太さは20μm程度である。
【0081】
SiO2膜202の研磨に用いるスラリーは、以下のようにして調製した。まず、溶媒としての純水に、研磨粒子としてのコロイダルシリカ(一次粒子径30nm)を加えて固形分15wt%のスラリーを得た。pHは、KOHにより11に調製した。さらに、前述の実施例1と同様のアミノ基を有するPMMA粒子1と、カルボキシル基を有するPMMA粒子2とをそれぞれ5wt%順番に加えて、スラリーの粘度を25mPaSに高めるとともに疎水化処理を施した。
【0082】
ブラシ回転数およびウエハ回転数は、いずれも200rpmとし、モニターによりウエハの状態を観察しながら、SiO2膜202の研磨を行なった。その結果、図7(b)に示すように段差を10nm以下まで平坦化することができた。
【0083】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、被研磨面を局所的に研磨可能であり、被研磨面の研磨状態を直接モニターし、被研磨面を直接洗浄することができる研磨方法が提供される。また本発明によれば、超薄膜ダマシン配線を形成でき、大口径化されたウエハの処理に対応して、量産レベルで安定して半導体装置を製造し得る方法が提供される。本発明は、導電性層や絶縁膜の研磨、特にDRAMや高速ロジックLSIに搭載されるAl、Cu、Wなどのダマシン配線の形成に極めて有効に用いられ、その工業的価値は絶大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかる研磨装置を説明する概略図。
【図2】図1に示した研磨装置に用いられるブラシを説明する概略図。
【図3】ブラシの研磨時の表面状態を説明する概略図。
【図4】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造方法を表わす工程断面図。
【図5】スラリー中の粒子の凝集状態を説明する概略図。
【図6】Cu研磨速度とスラリー粘度との関係を説明するグラフ図。
【図7】本発明の他の実施例にかかる研磨方法を表わす工程断面図。
【図8】従来のテーブルタイプの研磨装置を説明する概略図。
【図9】従来のテーブルタイプの研磨装置におけるパッドの表面を表わす概略図。
【符号の説明】
100…半導体基板
101…溝を形成した絶縁膜
102…TaNライナ
103…Cu膜
200…半導体基板
201…素子
202…SiO2膜
301…ブラシの断面
400…PMMA粒子1
401…コロイダルシリカ粒子
402…PMMA粒子2
500…定盤
501…研磨パッド
502…被研磨面が下を向いたウエハ
503…ダイヤモンドドレッサー
504…ドレッサー洗浄部
505…光学式センサー
506…スラリー供給ノズル
507…純水供給ノズル
508…薬液供給ノズル
600…ウエハ保持機
601…被研磨面が上を向いたウエハ
602…移動式ブラシ
603…移動式光学式センサー
604…スラリー供給ノズル
605…純水供給ノズル
606…薬液供給ノズル
607…ブラシ清浄機構
Claims (7)
- 被処理面を有する半導体基板を、前記被処理面を上向きにして回転させる工程と、
前記被処理面にスラリーを供給して、研磨の進行状態をin−situでモニターしつつブラシにより研磨する工程とを具備し、
前記スラリーは、10mPaS以上100mPaS以下の粘度を有し、カチオン性ポリマーの粒子とアニオン性ポリマーの粒子と研磨粒子とを含有することを特徴とする研磨方法。 - 前記カチオン性ポリマーの粒子は、アミノ基を有するポリメチルメタクリレート粒子またはポリスチレン粒子であることを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
- 前記アニオン性ポリマーの粒子は、カルボキシル基を有するポリメチルメタクリレート粒子またはポリスチレン粒子であることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨方法。
- 前記研磨粒子は、コロイダルシリカ、コロイダルアルミナ、チタニア、およびセリアからなる群から選択されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の研磨方法。
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に溝を形成する工程と、
前記溝の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積して、導電性層を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に堆積された前記導電性材料を除去して前記絶縁膜の表面を露出させることにより、前記導電性材料を前記溝内部に残置する工程とを具備し、
前記絶縁膜上に堆積された前記導電性材料の除去は、前記導電性層にスラリーを供給してブラシで研磨することにより行なわれ、前記スラリーは、10mPaS以上100mPaS以下の粘度を有し、カチオン性ポリマーの粒子とアニオン性ポリマーの粒子と研磨粒子とを含有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に溝を形成する工程と、
前記溝の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積して、導電性層を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に堆積された前記導電性材料を除去して前記絶縁膜の表面を露出させることにより、前記導電性材料を前記溝内部に残置する工程とを具備し、
前記絶縁膜上に堆積された前記導電性材料の除去は、前記導電性層を上向きにして前記半導体基板を回転させ、前記導電性層にスラリーを供給して、研磨の進行状態をin−situでモニターしつつブラシで研磨することにより行なわれ、前記スラリーは、10mPaS以上100mPaS以下の粘度を有し、カチオン性ポリマーの粒子とアニオン性ポリマーの粒子と研磨粒子とを含有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨粒子は、コロイダルシリカ、コロイダルアルミナ、チタニア、およびセリアからなる群から選択されることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
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