Beschreibung
Ankergruppe für Monolagen organischer Verbindungen auf Metall und damit hergestelltes Bauelement auf Basis organischer Elektronik
Die Erfindung betrifft eine neuartige Ankergruppe für organische dielektrische oder leitende Verbindungen auf Metallelektroden, insbesondere auf Kupferschichten oder Kupfer ent- haltenden Schichten, wie sie beispielsweise bei der Herstellung organisch basierter elektronischer Bauelemente eingesetzt werden.
Im Sinne der Miniaturisierung ist es besonders vorteilhaft, dünnste Schichten, insbesondere Monolagen, mit genau ange- passter Funktionalität in elektronischen Bauelementen, insbesondere auch in organischen elektronischen Bauelementen, einzusetzen. Damit Moleküle in Monolagen sich selbst organisieren und damit höchste Funktionalität und Funktionsdichte zei- gen, empfiehlt es sich, sie an den jeweiligen Elektroden durch Kopf- oder Ankergruppen festzumachen, wodurch eine Ausrichtung der Linkergruppen, also der die beiden Enden verbindenden Gruppen, automatisch erfolgt. Die Anbindung an das Substrat findet spontan statt, sofern das Substrat entspre- chend vorbereitet wurde.
Die spezifische Funktionalität wird durch die Linker und Kopfgruppen bestimmt. Der Anker bestimmt die Selbstorganisation .
Dazu bekannt ist beispielsweise aus der DE 10 2004 005 082 eine aromatische, chemisch aufwändig einzuführende Kopfgruppe mit π-π-Wechselwirkung, die eine selbstorganisierende Dielektrikumschicht an eine Elektrode bindet. Als Anbindung an die Gegenelektrode, als so genannte Ankergruppe der organische dielektrische Verbindung, die als Monolage in einem Kondensator einsetzbar ist, dient gemäß der DE 10 2004 005 082
eine Silanverbindung, die über eine Oxidschicht, gebildet aus einem Nicht-Kupferoxid an die Elektrode anbindbar ist.
Nachteilig an dem bekannten Stand der Technik ist, dass die Elektrodenoberfläche, also beispielsweise die Kupferoberfläche bevorzugt zur Aufbringung der selbst organisierenden Mo- nolage mit Aluminium oder Titan funktionalisiert werden muss, das dann eine oxidische Oberfläche zur Anbindung zur Verfügung stellt. Ein solcher Funktionalisierungsschritt der Elektrodenoberfläche ist jedoch sehr kostenintensiv, da zunächst Nicht-Kupfermetalle aufgebracht und strukturiert werden müssen. Hinzu kommt, dass die Elektrodenoberflächen, wenn sie nach herkömmlichen Methoden auf herkömmlichen Platinen oder Leiterplatten oder Prepregs prozessiert werden, in der Regel eine Oberflächenrauhigkeit aufweisen, die im Bereich von ca. 4 μm liegt. Diese Rauhigkeit limitiert die mechanische Stabilität einer mit einer Monolage beschichteten Oberfläche, da an den Korngrenzen die Lücken nicht zwingend vollständig abgedeckt sind bzw. an Substratspitzen hohe Feldstär- ken entstehen. Die Höhe der Monolage, in der Regel ca. 2 bis 5, maximal 20nm planarisiert aufgrund der konformen Abscheidung die Rauhigkeit nicht.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden und insbesondere, eine Ankergruppe für eine selbstorganisierende Monolage (SAM) zur Verfügung zu stellen, die eine Aufbringung der SAM- Beschichtung auf eine mit herkömmlichen Methoden hergestellte und vorbereitete Kupfer-Elektrode ermöglicht.
Lösung der Aufgabe und Gegenstand der Erfindung sind in den unabhängigen und abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den Figuren enthalten.
Dementsprechend ist Gegenstand der Erfindung eine organische Verbindung für eine selbstorganisierende Monolage auf einer Kupferschicht oder Kupfer enthaltenden Schicht, zumindest eine Ankergruppe für eine erste Elektrodenschicht, eine Lin-
kergruppe und eine Kopfgruppe zur Anbindung an die folgenden Schichten umfassend, wobei die Ankergruppe zumindest eine Phosphonsäure und/oder ein Phosphonsäurederivat enthält. Die Kopfgruppe kann dabei speziell ausgeführt sein, bzw. auch entfallen. Zudem ist Gegenstand der Erfindung ein Bauelement auf Basis organischer Elektronik, das in eine Leiterplatte, einen Prepreg oder eine Platine integriert ist, wobei die Platine, Leiterplatte oder das Prepreg als Substrat dient, auf dem eine organische Verbindung für eine selbstorganisie- rende Monolage nach dem Gegenstand der Erfindung (s.o.) aufgebaut wird.
Als „organische Verbindung für eine selbstorganisierende Monolage" werden vorstehend Verbindungen bezeichnet, die sich aufgrund einer bestimmten Ankergruppe in der Schicht ausrichten, so dass eine Mehrzahl der Moleküle parallel und/oder gleich ausgerichtet in der Schicht vorliegt. Beispielsweise werden in der DE 10 2004 005082 entsprechende organische Verbindungen beschrieben, die Monolagen in der Dielektrikum- schicht eines Bauelements auf Basis organischer Elektronik bilden können. Die gemäß vorliegender Erfindung einsetzbaren organischen Verbindungen unterscheiden sich von diesen zumindest durch eine verschiedene Kopf- und/oder Ankergruppe. Darüber hinaus können gemäß der vorliegenden Erfindung viele kommerziell erhältliche Materialien Anwendung finden und zur Herstellung von dichten Monolagen hergenommen werden.
Nach einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird ein Bauelement auf Basis organischer Elektronik direkt auf einer Platine, beispielsweise einer nach üblichen Herstellungsmethoden produzierten Kupferplatine, aufgebaut, ohne dass diese durch ein weiteres Metall funktionalisiert oder durch spezielle Verfahren geglättet wird. Die Metallschicht, auf der die Ankergruppe aufgebracht wird, ist demnach eine Kupferschicht oder Kupferenthaltende Schicht, wobei der Anteil an Kupfer in der Schicht bevorzugt über 10%, insbesondere bevorzugt über 40% und ganz besonders bevorzugt über 70%, gemessen in Molprozent, beträgt.
Eine separate Vorbereitung der Substratoberfläche erübrigt sich. Die Vorbereitung beinhaltet nur Reinigungsschritte und nicht das Aufbringen zusätzlicher Materialien, wie nach dem Stand der Technik üblich.
Als Bauelement auf Basis organischer Elektronik kommt insbesondere ein Kondensator in Betracht. Des Weiteren können beispielsweise organische Feldeffekttransistoren, wobei das Ga- tedielektrikum für organische Feldeffekttransistoren zur direkten Integration in die Leiterplatte geeignet ist, oder Organische Lichtemittierende Dioden (OLEDs), wobei auf der dünnen Isolierung die Elektroden für die OLED abgeschieden werden, durch die vorliegende Erfindung verbessert werden, ins- besondere, da die Kupferschicht für topemitterende OLED hermetisch dicht ist. Eingeschlossen im Begriff OLED sind auch lichtemittierende elektrochemische Zellen (LEEC) .
Schließlich kann analog zum Aufbau für die OLEDs die Schicht- folge auch für Solarzellen eingesetzt werden, so dass als
Bauelemente auf Basis organischer Elektronik neben Kondensatoren zumindest auch organische Feldeffekttransistoren, OLEDs und organische Solarzellen in Betracht kommen. Grundsätzlich eignet sich die Erfindung für alle Arten organischer isolie- render Zwischenschichten. Die Schicht kann auch nur für einige Zeit, also temporär aufgebracht werden. Temporär oder permanent auf Kupfer oder Kupferlegierungen aufgebracht, eignet sich die Schicht auch als druckbarer „Fotoresistersatz" oder zur Erzeugung von Bereichen unterschiedlicher Hydrophobizi- tat.
Insbesondere ist es möglich, ein Bauelement kostengünstig direkt auf eine so genannte dekaptierte Kupferoberfläche aufzubauen. In Figur 1 wird ein derartiger Aufbau am Beispiel ei- nes Kondensators gezeigt.
Als Basismaterial für den Kondensator dient eine nach gebräuchlichen Methoden dekapierte Kupferplatine mit einer Auf-
läge von ca. 5 - 30 μm Kupferplatine und einer Rauhigkeit im μm-Breich. Die Dekapierung kann wie üblich durch Entfetten mit organischen Lösungsmitteln und anschließendem Anätzen mit Peroxodisulfaten und Schwefelsäure erfolgen. Fig. 2 visuali- siert die Rauhigkeit eines dekapierten Leiterplattensubstrates .
Eine zusätzliche Reinigung der Kupferoberfläche kann, wie in der Galvontechnik üblich, kathodisch erfolgen. Dazu wird in verdünnter Natriumcarbonatlösung das Substrat als Kathode geschaltet und bei einem Stromfluss von 10 - 100 mA/cm2 durch den entstehenden Wasserstoff gereinigt.
Durch die Dekapierung beträgt der Kontaktwinkel gegenüber Wasser kleiner 5°. Die Kupferoberfläche wird dadurch sehr hydrophil. Zur Vermeidung der Oxidation des Kupfers und als Primer für die nachfolgende dünne, nur lokal planarisierende Polymerabscheidung wird im unmittelbarem Anschluss eine Mono- lage einer organischen Phosphonsäure abgeschieden. Die Phosphonsäureankergruppe hat sich insbesondere für Kupfer als bestens geeignet erwiesen, während in DElO 2004 005082 B4 vorzugsweise mit Silanen gearbeitet wurde (Ausführungsbeispiel) und die Kupferoberfläche bevorzugt zur Abscheidung mit Aluminium oder Titan funktionalisiert werden muss. Ein sol- eher Funktionalisierungsschritt der Kupferoberfläche entfällt in dem vorgestellten Bauelement vollständig.
Bevorzugt sind die langkettigen Phosphonsäuren, wie Decyl- bis Octadecylphosphonsäure, allgemein CH3- (CH2) n-PO (OH) 2, wo- bei n = 8 - 25, bevorzugt n = 18. Die Molekülkette kann auch als Polyetherkette ausgebildet sein (-0-CH2-CH2-O-) m, wobei m zwischen 1 und 20, bevorzugt zwischen 2 und 10 liegt. Der Kontaktwinkel gegenüber Wasser erhöht sich nach Abscheidung einer Octadecylphosphonsäure auf > 130° für Alkylphosphonsäu- ren und ist damit ein Indiz für die Qualität der Abscheidung. Die Alkylketten können auch ganz oder teilweise fluoriert sein .
Alternativ kann die Abscheidung auch über die Phosphonsäu- reester bzw. deren Salze oder andere Derivate wie Amine etc erfolgen. Die Salze können direkt in Lösung durch Zugabe geringerer oder äquivalenter Mengen an Lauge (NaOH, KOH, Ammo- niak oder Ammoniumhydroxide) erhalten werden.
Als Kopfgruppe können bei Einsatz eines Stützpolymers einfachste verzweigte, unverzweigte Alkyl- oder für weitere Reaktionen (i.e. Vernetzung) geeignete Alkenylgruppen dienen. Zur Verbesserung der Anknüpfung der Monolage an das Stützpolymer kann die Kopfgruppe eine Fluor, Nitril, Amino, Ester, Aldehyd, Epoxy oder Säurefunktion darstellen. Im Falle einer Fluorierung könnte die Kopfgruppe aus -CF3, -CHF2, CH2F. bestehen .
Zur Erhöhung der mechanischen Stabilität wird nach einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung auf die Monolage zur Stabilisierung und/oder für die lokale Planarisierung des Kondensators oder Bauteils ein Stützpolymer, also eine dünne Polymerlage aufgebracht. Typischerweise ergibt sich für eine Integrationsdichte von 50pF/mm2 bei einer Dielektrizitätskonstante von 3,17 eine effektive Polymerschichtdicke von ca. 550 - 600 nm, während sich für eine Integrationsdichte von 150 pF/mm2 eine effektive Schichtdicke von 180 - 200 nm ergibt. In den Senken wird mehr Polymer eingebracht, während an den Spitzen ein dünnerer Polymerfilm vorliegt. Gegenüber dem von 3M vorgestellten Ansatz kann die Bauelementdicke von 14 μm um einen Faktor 70 gesenkt werden bei gleichzeitiger Erhöhung der Kapazität um einen Faktor 15.
Das Leckstromverhalten des hier gezeigten Kondensators wird fast ausschließlich durch die selbstorganisierende Monolage bestimmt. Deshalb wurde auch gemessen, (vergleiche dazu Figur 24), dass die Widerstände von der Stabilisierungspolymerdicke unabhängige Verläufe aufweisen weil der wesentliche Beitrag zum ohmschen Gesamtwiderstand des Kondensators gegen Gleichstrom von der Selbstorganisierenden Monolage geleistet wird. Daher können zur Planarisierung beliebige Polymere verwendet
werden, sofern sie mit den Leiterplattenprozessen kompatibel sind.
Beispielsweise wurde durch Melamin-Co-formaldehyd vernetztes Poly-hydroxystyrol verwendet. Eine gute planarisierende Wirkung wurde erreicht, wenn das Polyhydroxystyrol eine Molmasse im Bereich von 500 bis 100000, insbesondere von 3500 bis 50000, insbesondere bevorzugt von 8000 aufwies. Die Vernetzung wurde bevorzugt im Temperaturbereich zwischen 1800C - 230 °C durchgeführt. Nach der Vernetzung wird die Polymerschicht zur mechanischen Stabilisierung nicht mehr durch Lösungsmittel angegriffen.
Neben den novolack-artigen Polymeren können auch Harze auf der Basis von Epoxiden, Acrylaten, Urethanen oder Carbonaten, Verwendung als Stützpolymere finden. Weitere Polymere: Polyester, Polyamide, Polyimide, Polybenzoxazole, Polyvinyliden- difluorid (allg. teflonartige Materialien), Polyvinylverbin- dungen (Carbazole, Alkohole und deren Ester) . Co-polymere bzw. Block-co-polymere wie ABS sind ebenfalls geeignet. Die
Molmasse der Polymere kann im Bereich zwischen 1000 und 1 000 000 liegen.
Die lokal planarisierenden Polymerschichten können folgender- maßen aufgebracht werden: a. aus Lösung. Dazu werden 1 - 50 %, bevorzugt 5 - 20% des Polymers mit oder ohne Vernetzer in einem organischen Lösungsmittel gelöst (PGMEA = PropylenGlykolMonoEthyletherAce- tat, Tetrahydrofuran, Dioxan, Chlorbenzol, Diethylenglykol- diethylether, Diethylenglykolmonoethylether, gamma-
Butyrolacton, N-Methylpyrollidinon, Ethoxyethanol, Xylol, To- luol etc.) und durch Spincoating, Drucken (Siebdruck, Tinten- strahldruck Sprühen etc.) in entsprechender Dicke aufgebracht. Im Anschluss wird das Lösungsmittel durch einen Tem- perschritt verdampft, wobei die staubtrockene bzw. ausgehärtete Polymerschicht übrig bleibt. Die Polymere können thermisch oder photochemisch vernetzt werden. Die Vernetzung ist optional. Für Polyvinylalkohol ist beispielsweise auch Wasser
als Lösungsmittel geeignet. Mögliche Vernetzer sind Photosäuren .
b. Im Falle von Acrylaten und Epoxiden können die Monomere oder Oligo-Verbindungen durch Spincoating oder Drucken (siehe oben) aufgebracht werden und im Anschluss thermisch oder photochemisch zum Dielektrikum vernetzt werden.
Als Deckelektroden für den Kondensator kann jedes Metall, bzw. dessen Legierung oder leitfähige metallhaltige Druckpasten dienen. Ebenfalls geeignet sind organische Leiter, wie PEDOT (polystyrolsulfonsäure dotiertes Polydiethoxythiophen) oder PANI (champersulfonsäuredotiertes Polyanilin) . Besonders bevorzugt sind jedoch die in der Leiterplattenindustrie be- nutzten Metalle Kupfer, Aluminium, Nickel, Gold und Silber bzw. deren Legierung. Vollflächige aufgebrachte Metallgegenelektroden können im Anschluss durch die dem Fachmann bekannten Ätz- und mechanischen Ablationsverfahren (Laser) strukturiert werden. Werden mehrere Kondensatoren mit einer gemein- samen Gegenelektrode versehen ist, kann die Abscheidung der Gegenelektrode auch aus der Gasphase mittels Schattenmasken erfolgen (siehe Ausführungsbeispiele) .
Die Gegenelektroden können auch durch stromlose Metallisie- rung nach lokaler oder vollflächiger Bekeimung aufgebracht werden. Im Prinzip können alle Verfahren der Leiterplattenindustrie verwendet werden. Da das Dielektrikum nach der Vernetzung gegenüber den üblichen Medien der Leiterplattenindustrie kompatibel ist.
Die Kopfgruppe stabilisiert normalerweise die Monolage selbst. In der Regel bewirkt die Kopfgruppe die Anbindung der SAMs an die gegenüberliegende Schicht. Unter Anbindung wird dabei jede Form der Bindung, insbesondere eine chemische Bin- düng, die von einer kovalenten Doppelbindung über ionogene Bindungen bis zu einfachen van der Waals Bindungen reichen kann, verstanden.
Die Kopfgruppe kommt in einem Kondensator mit stabilisierender Polymerdeckschicht, wie nach einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung vorgesehen, nicht mit der Elektrode in Berührung. Mit der Deckelektrode kommt nur die Polymer- schicht in Berührung. Diese lässt sich dann mit den bekannten Verfahren funktionalisieren, wie beispielsweise durch Bedampfen oder Besputtern mit Metallen, Bedrucken mit Metallpasten etc. Experimentell hat sich gezeigt, dass dann auch auf eine aufwändige Kopfgruppe verzichtet werden kann. Die Wechselwir- kung der einzelnen Ketten ist grundsätzlich ausreichend für die Stabilisierung der selbstorganisierenden Monolage, jedoch kann eine Kopfgruppe auch bei Einsatz einer Polymerdeckschicht zur Stabilisierung der Monolage die elektrischen Eigenschaften verbessern.
Der vorgesehene Aufbau einer Elektrodenschicht mit einer darauffolgenden Isolatorschicht kann natürlich nicht nur in einem Kondensator vorteilhaft eingesetzt werden, sondern er eignet sich prinzipiell auch für folgende Anwendungen: Als
1. Gatedielektrikum für organische Feldeffekttransistoren zur direkten Integration in die Leiterplatte.
2. Substrat für topemitterende OLED (Die Kupferschicht ist hermetisch dicht) . Auf der dünnen Isolierung können dann die Elektroden für die OLED abgeschieden werden.
3. Analog dem Aufbau für die OLEDs eignet sich die Schichtfolge auch für Solarzellen.
Beispiel 1:
Für den Versuchsaufbau wird eine mit 30μm Kupfer kaschierte FR4-Platine auf ein Maß 50 x 50 m2 zugeschnitten. Diese wird zunächst mit Aceton und Isopropanol von Fett befreit. Ein kommerzieller Photolack (TMSR8900) wird 20 s bei 6000 rpm aufgeschleudert und 60s bei 1100C auf einer Hotplate getrocknet. Der Photolack wird 7s mit UV-Licht einer Wellenlänge von
365 nm belichtet und 60s in wässrig-alkalischem Entwickler entwickelt .
Im Anschluss an die Fotostrukturierung wird 3 min bei 400C in einer 5 % Ammoniumperoxodisulfatlösung dekapiert. Nach dem Spülen mit Wasser und Isopropanol wird die Platine in eine Lösung von Octadecylphosphonsäure (0.2 -0.25 g) in Isopropanol (100 ml) gelegt. Nach 12 Stunden wird die Platine mit Isopropanol gespült und 1 min bei 1000C im Stickstoffström getrocknet . Nach dem Dekapieren beträgt der Kontaktwinkel gegenüber Wasser 1° bis 4°. Nach der Abscheidung der Octadecylphosphonsäure beträgt der Kontaktwinkel 135°, was auf eine exzellente Bedeckung der Kupferschicht schließen lässt. Im Anschluss daran werden 100 nm Aluminium über eine Schattenmaske als Ge- genelektroden aufgedampft. Beispielsweise wurde so ein pro- zessiertes Kapazitätenmuster auf einer FR4-Leiterplatte hergestellt. Die elektrischen Kennlinien (Betrag ca. 10 Ω und Phasenwinkel der Impedanz ca. 0°) in den Figuren 3 und 4 zeigen, dass alle Kondensatoren kurzgeschlossen sind. Ein idea- ler Kondensator hätte einen Durchgangswiderstand von unendlich. 10 Ohm ist ein Kurzschluss d.h. der Kondensator ist nicht funktionsfähig. Es zeigt sich dass für Standardleiterplatten mit einer Rauhigkeit im μm-Bereich ohne Ti oder AI- Vorbehandlung bzw. ohne das Vorhandensein einer aromatischen Kopfgruppe am Primer das Verfahren aus DE 10 2004 005082 zum Aufbau von Kondensatoren in hoher Ausbeute nicht geeignet ist .
An weiteren Beispielen wird gezeigt, dass mit einem Primer auch ohne chemisch aufwändig einzuführende Kopfgruppe mit π- π-Wechselwirkung direkt auf Kupfer hochkapazitiven Kondensatoren aufgebaut werden können. Auf der Kupferoberfläche sitzt direkt die Ankergruppe, also die Phosphonsäuregruppe .
Beispiel 2: Integrationsdichte 50 pF/mm2 :
Analog zu Beispiel 1 wird eine kupferkaschierte FR4- Leiterplatte oder ein Prepreg mit dem Primer Octade-
cylphosphonsäure oder Hexadecylphosphonsäure beschichtet. Eine Lösung von 0.8g Polyvinylphenol (Molmasse 8000) mit 0.2g Polymelamincoformaldehyd -Vernetzter werden in 5.67g Propyle- ne-glycol-monomethyl-etheracetat gelöst und 40s bei 2500rpm aufgeschleudert und 60s bei 1000C auf einer Hotplate vorgetrocknet. In einem Vakuumofen wird das Novolack-artige Polymer mit dem Formaldehydvernetzer bei 1800C bis 2300C ausgehärtet. Im Anschluss daran werden analog Beispiel 1 Aluminiumelektroden durch Verdampfen (Basisdruck l*10~6 mbar) abge- schieden. Andere Integrationsdichten können durch Anpassung der Schleuderdrehzahl erhalten werden.
Figur 5 zeigt eine Spinkurve - wobei die effektive mittlere Schichtdicke der Polymerschicht als Funktion der Schleuderge- schwindigkeit dargestellt wird.
Figuren 6 bis 9 zeigen die Abhängigkeit der Kapazität (6), der Phase der Impedanz (7) und des Verlustfaktors (8) eines realisierten Kondensators mit der Integrationsdichte von 49pF/ mm2 (9) von der Frequenz und angelegter Gleichspannung Die elektrischen Kenndaten sind in den Figuren 6 bis 9 dargestellt. Die Abhängigkeit der gemessenen Kapazität von der Frequenz ist gering, was die Qualität des vorgestellten Kondensators demonstriert. Die Phase der Impedanz des realisier- ten Kondensators nimmt im dargestellten Frequenzbereich Werte zwischen -89° und -87° an. Der Verlustfaktor lag im Bereich von 0. Ox und ist, wie Figur 8 zeigt, ebenfalls nahezu unabhängig von der Frequenz. Außerdem ist keine Abhängigkeit der in den Figuren 6 bis 9 dargestellten Parameter von der ange- legten Gleichspannung zu erkennen. Bei den Messungen wurden Bias-Spannungen zwischen OV und 3V eingestellt, während die Amplitude der überlagerten Wechselspannung, derer Frequenz zwischen IkHz und IMHz variiert wurde, 0. IV betragen hat.
Die Figuren 10 bis 13 zeigen die Abhängigkeit der Kapazität von der Elektrodenfläche. Das streng lineare Verhalten zeigt, dass sich auch großflächige Kapazitäten (20 mm2 = 1 nF) herstellen lassen. Die Ausbeute an funktionsfähigen Substraten
ist auf einem Substrat gemäß Beispiel 1 100%. Die Qualität der Kondensatoren ist damit vergleichbar mit diskreten SMD Bauteilen (Verlustfaktor von 0.035 bei käuflichen Keramik SMD Kondensatoren)
Figuren 10 bis 13 zeigen die Abhängigkeit der Kapazität von der Elektrodenfläche bei OV bis 3V bei 50pF/mm2.
Figuren 14 und 15 zeigen die Leckstrommessung für einen Kon- densator mit einer Integrationsdichte von 50 pF/mm2 und (14) runden bzw. (15) eckigen Elektroden
Die Figuren 14 und 15 zeigen den gemessenen Leckstrom in Abhängigkeit der angelegten Gleichspannung bei Kondensatoren mit verschiedenen Elektrodenflächen. Die Messkurven zeigen keinen tatsächlichen Durchbruch, sondern lediglich einen ab 7VDC erhöhten Leckstrom (2nA bis 4nA) , der jedoch im Vergleich zu SMD Bauelementen klein ist. Außerdem ist keine Abhängigkeit der in den Figuren 14 und 15 gemessenen Ströme von der Elektrodenform zu erkennen.
Die Dielektrizitätskonstante des vernetzen Polymers wurde wie folgt bestimmt. Wegen der zu hohen Rauhigkeit der FR4 Substrate (siehe Figur 2) ist eine genaue Bestimmung der Die- lektrikumsdicke unmöglich. Aus diesem Grund wurden Kondensatoren auf einem Substrat mit möglichst geringer Rauhigkeit realisiert. Dazu wurden Glassubstrate als Träger gewählt. Mit Hilfe eines Profilometers wurde zuerst das Profil eines solchen Substrates untersucht. Figur 16 zeigt die Rauhigkeits- messung an einer Glasprobe.
Wie in Figur 16 zu erkennen ist, liegt die Rauhigkeit im Bereich von 0.20nm bis 0.33nm. Für die weitere Charakterisierung der Kondensatoren wurden beide Elektroden auf dem Sub- strat durch einen Aufdampfprozess aufgebracht. Die Homogenität der aufgedampften Schichten ist in Figur 17 dargestellt.
Gedampft wurde eine 100 nm dicke Kupferschicht. Die Ecken der Glasprobe wurden mit Kaptonband als Schattenmaske abgeklebt. Nach dem Aufdampfverfahren wurde das Kaptonband entfernt und die Schichtdicke mit Hilfe eines Profilometers gemessen.
Nach der Abscheidung der SAM auf dem Substrat, wurde die Polymerschicht durch Rotationsbeschichtung aufgebracht (20 Gew % Polymerlösung, 2500rpm Rotationsgeschwindigkeit) . Vor diesem Prozessierungsschritt wurde die Probe erneut an einer Ecke mit Kaptonband versehen. Dadurch wurde eine definierte Stufe geschaffen, an welcher die Dicke des Dielektrikums bestimmt werden kann. Die nachfolgende Schichtdickenmessung hat eine effektive mittlere Dicke von 573 nm ergeben. Mit Hilfe eines erneuten AufdampfSchrittes wurde die obere Elektrode der Kondensatoren realisiert.
Durch die Auftragung der gemessenen Kapazität als Funktion des Produktes zwischen Elektrodenfläche, Dielektrizitätskonstante für Vakuum und dem Kehrwert des Abstandes zwi- sehen den beiden Kondensatorplatten kann graphisch die relative Dielektrizitätskonstante bestimmt werden.
Figur 18 zeigt die Messung zur Bestimmung der relativen Dielektrizitätskonstanten
Für die relative Dielektrizitätskonstante wurde durch die beschriebenen Messungen, unter Berücksichtigung der Messunsicherheiten, ein Wert von 3.17 ± 0.08 errechnet.
Beispiel 3: Integrationsdichte 150 pF/mm2.
Analog zu Beispiel 1 wird eine kupferkaschierte FR4- Leiterplatte oder ein Prepreg mit dem Primer Octade- cylphosphonsäure oder Hexadecylphosphonsäure beschichtet. Um die Klebeeigenschaften des Prepregs zu erhalten wird ein photochemisch vernetzendes Expoxidharz verwendet. Die Photovernetzung wird beispielsweise über eine Schattenmaske durchgeführt. Nach dem Abspülen der nicht-vernetzten Bereiche blei-
ben definierte Dielektriumsbereiche übrig. Kontaktstellen werden freigelegt.
Im Falle der Leiterplatte wird eine Lösung von Ig Polyvinyl- phenol (Molmasse 8000) mit 0.25 g Polymelamincoformaldehyd - Vernetzter werden in 8.75g Propylene-glycol-monomethyl- etheracetat gelöst und 40s bei 2000rpm aufgeschleudert und 60s bei 1000C auf einer Hotplate vorgetrocknet. In einem Vakuumofen wird das Novolack-artige Polymer mit dem Formalde- hydvernetzer ausgehärtet. Im Anschluss daran werden analog Beispiel 1 Aluminiumelektroden durch Verdampfen (Basisdruck l*10~6 mbar) abgeschieden.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann die Ge- genelektrode eine Kupferelektrode, die beispielsweise gesput- tert aufgebracht ist, sein.
Die elektrischen Kenndaten der Kondensatoren mit einer Integrationsdichte von 150pF/mm2 sind in den Figuren 19 bis 22 dar- gestellt.
Die Figuren 19 bis 22 zeigen die Abhängigkeit der Kapazität (19), der Phase (20), des Verlustfaktors (21) von der Frequenz und Leckstromverhalten (22) der Kondensatoren mit einer Integrationsdichte von 150pF/mm2 in Abhängigkeit von dem Kapazitätswert (bzw. Elektrodenfläche).
Die Ausbeute an funktionsfähigen Substraten war auf einem Substrat analog Beispiel 1 war >> 90%. Figur 19 zeigt die im Wesentlichen von der Frequenz unabhängigen Verhalten Kapazität eines Kondensators der Fläche 1 mm2. Der Verlustfaktor lag im Bereich von 0.05 - 0.3 und ist, wie Figur 21 zeigt, ebenfalls nahezu unabhängig von der Frequenz. Figur 22 zeigt den gemessenen Leckstrom für Kondensatoren mit unterschiedli- chen Elektrodenflächen. Die Messergebnisse sind im Wesentlichen von dem Kapazitätswert und damit von der Elektrodenfläche unabhängig. Außerdem sind die gemessenen Ströme mit denen in Beispiel 2, Figur 6 und 7 vergleichbar. Bild 23 zeigt den
gemessenen ohmschen Widerstand im Ersatzschaltbild des realen Kondensators bei verschiedenen Integrationsdichten bzw. bei verschiedenen effektiven mittleren Polymerschichtdicken (180- 200nm für 150pF/mm2 und 500 - 600nm für 50pF/mm2). Der Wider- stand ist in beiden Fällen gleich.
Figur 23 zeigt den Widerstand des Kondensators gegen DC Strom bei verschieden eingestellten Integrationsdichten.
Die Tatsache, dass die gemessenen Widerstände in Bild 23 gleiche Verläufe aufweisen zeigt, dass der wesentliche Beitrag zum ohmschen Gesamtwiderstand des Kondensators gegen Gleichstrom von der Selbstorganisierenden Monolage geleistet wird. Die Qualität der abgeschiedenen SAM-Schicht ist des- halb tragend einerseits für die guten Isolationseigenschaften und andererseits für eine gute Ausbeute der realisierten Kondensatoren. Figur 24 zeigt, dass der Prozess eine geringe Dynamik hat. Nach 10 Sekunden Einlegzeit ist der Kontaktwinkel nur um 1,1° kleiner als nach 10 Minuten und 1,9° kleiner als nach einer Stunde. Der Winkel bleibt dann nach wiederholten Messungen bei einem Mittelwert von 135° ± 0.8° auch nach 72 Stunden Einlegzeit der Proben in der SAM - Lösung.
Figur 24 zeigt die Abhängigkeit des gemessenen Kontaktwinkels nach der SAM-Beschichtung der Leiterplatte von der Einlegezeit der Probe in der Lösung.
Nach einer weiteren Ausführungsform wird die Polymerschicht in ABS (Acrylnitril-Butadien-Styrol) ausgeführt. Dies wird nach Standardmethoden mit Palladium strukturiert bekeimt und die Deckelektroden aus Kupfer oder Nickel stromlos abgeschieden .
Hier werden erstmals Kondensatoren beschrieben, die sich in einem Parallelprozess auf einem Prepreg oder anderen gängigen Leiterplattensubstraten herstellen lassen. Im Anschluss daran kann die vorgefertigte Kondensatorlage in die Leiterplatte
integriert werden, wodurch sich für die Oberfläche der Leiterplatte ein Platz-/Kostengewinn ergibt.
Die Topographie des Kondensators ist im Bezug auf die Rauhig- keit des Grundsubstrats äußerst gering. Der Stand der Technik geht davon aus, dass sich selbstorganisierende Monolagen nicht auf Kupfer abscheiden lassen. Hier wird gezeigt, dass sich selbstorganisierende Monolagen (SAM) mit Phosphonsäu- reanker sehr gut und schnell auf Kupfer abscheiden lassen, nachdem die Kupferoberfläche entsprechend gereinigt wurde.
Diese Schicht bildet die eigentliche Isolationslage des Kondensators. Zur mechanischen Stabilisierung wird eine dünne Polymerschicht auf die SAM aufgebracht. Der Deckkontakt kann vielfältig ausgeführt sein.