-
Die
vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterspeicherzelle,
eine integrierte Halbleiterspeichereinrichtung unter Verwendung
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.
Die Erfindung betrifft insbesondere die Realisierung nicht-flüchtiger
und elektrisch programmierbarer oder umprogrammierbarer Speicherzellen
mit schwebender oder floatender Gateelektrode unter Verwendung einer
organischen Materialschicht oder Halbleiterschicht.
-
Bei
der Realisierung neuartiger Speicherarchitekturen entstand neben
der Zielsetzung einer möglichst
hochgradigen Integration und Speicherdichte auch der Wunsch, diese
Eigenschaften auch auf nicht-flüchtige
Speicherkonzepte auszudehnen. Es wurden daher verschiedene Speicherzellenarchitekturen
diskutiert, die unter anderem auch als Flashspeicherzellen bezeichnet
werden und bei bestimmten Architekturen als Speicherelement einer
gegebenen integrierten Halbleiterspeicherzelle eine Feldeffekttransistoreinrichtung
zugrunde legen, die ihrerseits einen Gatebereich besitzt, welcher
sich in eine Floatinggateelektrode ohne festen Bezug zu einem elektrischen
Potenzial und einer Steuergateelektrode mit definiertem elektrischem
Potenzialverhalten unterteilt.
-
Bei
all diesen Konzepten ergibt sich eine Beschränkung im Hinblick auf den Einsatzbereich
und konkreter im Hinblick auf die materielle Ausgestaltung, weil
bisherige Konzeptionen alleine auf üblichen Halbleitermaterialien
auf der Grundlage von Silizium und/oder von Germanium beruhen.
-
Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Halbleiterspeicherzelle,
eine integrierte Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zu
deren Herstellung bereitzustellen, welche besonders flexibel und
gleichwohl einfach, zuverlässig
und kostengünstig
sind.
-
Gelöst wird
die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe bei einer integrierten
Halbleiterspeicherzelle erfindungsgemäß mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs
1. Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird ferner gelöst bei einer
integrierten Halbleiterspeichereinrichtung erfindungsgemäß mit den
Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs
15. Schließlich
wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe bei einem Verfahren
zum Herstellen einer integrierten Halbleiterspeicherzelle erfindungsgemäß mit den
Merkmalen des unabhängigen
Patentanspruchs 16 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen integrierten Halbleiterspeicher
und der integrierten Halbleiterspeichereinrichtung sind jeweils
Gegenstand der abhängigen
Unteransprüche.
-
Ein
Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung einer integrierten
Halbleiterspeicherzelle.
-
Es
wird erfindungsgemäß eine integrierte Halbleiterspeicherzelle
vorgeschlagen, bei welcher als Speicherelement eine Feldeffekttransistoreinrichtung
mit einem Sourcebereich, mit einem Drainbereich, mit einem zwischen
dem Sourcebereich und dem Drainbereich vorgesehenen Kanalbereich
und mit einem Gatebereich ausgebildet ist, bei welcher der Gatebereich
der Feldeffekttransistoreinrichtung des Speicherelements der integrierten
Halbleiterspeicherzelle mit einer dem Kanalbereich zugewandten Floatinggateelektrode
und einer dem Kanalbereich abgewandten Steuergateelektrode ausgebildet ist
und bei welcher die Feldeffekttransistoreinrichtung des Speicherelements
der integrierten Halbleiterspeicherzelle mit oder auf der Grundlage
mindestens eines organischen Materials ausgebildet ist.
-
Es
ist somit eine Kernidee der vorliegenden Erfindung, bei eine bei
einer integrierten Halbleiterspeicherzelle als Speicherelement vorzusehende Feldeffekttransistoreinrichtung
mit oder auf der Grundlage mindestens eines organischen Materials auszubilden.
-
Auf
diese Art und Weise erschließt
sich eine Vielzahl neuer und mit Gewinn bringenden Eigenschaften
behafteter Materialien, die die normalerweise für integrierte Halbleiterspeicherzellen
zugrunde liegenden Materialien und deren Eigenschaften an Flexibilität und an
Breite des Einsatzspektrums übertreffen.
-
Außerdem sind
die Schichtstärken
des organischen Materials besonders gut steuerbar und/oder besonders
gering ausbildbar.
-
Die
Begriffe floatendes oder schwebendes Gate, floatende oder schwebende
Gateelektrode, Floatinggateelektrode und Floatinggate werden im Sinne
der Erfindung synonym verwendet.
-
Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle ist zwischen der Floatinggateelektrode und
der Steuergateelektrode der Feldeffekttransistoreinrichtung des
Speicherelements der integrierten Halbleiterspeicherzelle ein Dielektrikumsbereich
mit oder aus mindestens einem organischen Material ausgebildet.
-
Bei
einer anderen bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle ist das organische Material des Dielektrikumsbereichs
alternativ oder zusätzlich
ausgebildet mit oder aus mindestens einem organischen polymeren
Dielektrikum.
-
Bei
einer vorteilhaften Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle ist das organische Material des Dielektrikumsbereichs
alternativ oder zusätzlich
ausgebildet mit oder aus mindestens einem organischen molekularen
Dielektrikum.
-
Bei
einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle ist das organische Material des Dielektrikumsbereichs
alternativ oder zusätzlich
ausgebildet in Form mindestens einer selbstorganisierten monomolekularen
Schicht.
-
Alternativ
oder zusätzlich
ist es bei einer anderen vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle vorgesehen, dass das organische Material
des Dielektrikumsbereichs ausgebildet ist mit oder aus mindestens
einem thermisch vernetzten organischen Material.
-
Alternativ
oder zusätzlich
ist es bei einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle vorgesehen, dass das organische Material
des Dielektrikumsbereichs ausgebildet ist mit oder aus mindestens
einem optisch vernetzten organischen Material.
-
Gemäß einer
anderen Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle kann es vorgesehen sein, dass die Steuergateelektrode
und/oder die Floatinggateelektrode mit oder aus mindestens einem
metallischen Material ausgebildet sind.
-
Es
ist ferner alternativ oder zusätzlich
denkbar, das die erfindungsgemäße integrierte
Halbleiterspeicherzelle auf oder in einem Substrat ausgebildet ist,
insbesondere auf oder im Oberflächenbereich des
Substrats.
-
Dabei
ist es ferner möglich,
dass das Substrat ausgebildet ist mit oder aus mindestens einem Material
aus der Gruppe, die besteht aus einem Glas, einem mechanisch flexiblen
Material, einer Folie und einer Polymerfolie.
-
Gemäß einer
weiteren alternativen oder zusätzlichen
Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle ist es vorgesehen, dass die Feldeffekttransistoreinrichtung
des Speicherelements der integrierten Halbleiterspeicherzelle mit
einem Kanalbereich aus oder mit mindestens einem organischen Halbleitermaterial
ausgebildet ist.
-
Es
kann ferner vorteilhaft sein, wenn gemäß einer anderen alternativen
oder zusätzlichen
Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle die Feldeffekttransistoreinrichtung des
Speicherelements der integrierten Halbleiterspeicherzelle mit einem
Kanalbereich mit oder aus mindestens einem Material aus der Gruppe
ausgebildet ist, die gebildet wird von Pentazenen, Polythiophenen
und Oligothiophenen.
-
Es
ist ferner alternativ oder zusätzlich
denkbar, dass zwischen dem Kanalbereich und der Floatinggateelektrode
der Feldeffekttransistoreinrichtung des Speicherelements der integrierten
Halbleiterspeicherzelle ein Gateisolationsbereich ausgebildet ist
mit oder aus mindestens einem organischen Material.
-
Dabei
wird insbesondere bevorzugt, dass zwischen dem Kanalbereich und
der Floatinggateelektrode der Feldeffekttransistoreinrichtung des
Speicherelements der integrierten Halbleiterspeicherzelle ein Gateisolationsbereich
ausgebildet ist mit oder aus mindestens einem Material aus der Gruppe,
die gebil det wird von polymeren Dielektrika, molekularen Dielektrika
und selbstorganisierten Monoschichten.
-
Ein
anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung einer
integrierten Halbleiterspeichereinrichtung.
-
Die
erfindungsgemäße integrierte
Halbleiterspeichereinrichtung ist eine Mehrzahl erfindungsgemäßer integrierter
Halbleiterspeicherzellen ausgebildet und vorgesehen.
-
Ein
weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines
Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Halbleiterspeicherzelle.
-
Erfindungsgemäß wird ein
Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterspeicherzelle vorgeschlagen,
bei welchem als Speicherelement eine Feldeffekttransistoreinrichtung
mit einem Sourcebereich, mit einem Drainbereich, mit einem zwischen
dem Sourcebereich und dem Drainbereich vorgesehenen Kanalbereich
und mit einem Gatebereich ausgebildet wird, bei welchem der Gatebereich der
Feldeffekttransistoreinrichtung des Speicherelements der integrierten
Halbleiterspeicherzelle mit einer dem Kanalbereich zugewandten Floatinggateelektrode
und einer dem Kanalbereich abgewandten Steuergateelektrode ausgebildet
wird und bei welchem die Feldeffekttransistoreinrichtung des Speicherelements
der integrierten Halbleiterspeicherzelle mit oder auf der Grundlage
mindestens eines organischen Materials ausgebildet wird.
-
Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
zum Herstellen einer integrierten Halbleiterspeicherzelle ist es
vorgesehen, dass zwischen der Floatinggateelektrode und der Steuergateelektrode
der Feldeffekttransistoreinrichtung des Speicherelements der integrierten
Halblei terspeicherzelle ein Dielektrikumsbereich mit oder aus mindestens
einem organischen Material ausgebildet wird.
-
Es
ist ferner alternativ oder zusätzlich
denkbar, dass das organische Material des Dielektrikumsbereichs
ausgebildet wird mit oder aus mindestens einem organischen polymeren
Dielektrikum.
-
Alternativ
oder zusätzlich
ist es dazu denkbar, dass das organische Material des Dielektrikumsbereichs
ausgebildet wird mit oder aus mindestens einem organischen molekularen
Dielektrikum.
-
In
diesem Fall ist es von besonderem Vorteil, wenn das organische Material
des Dielektrikumsbereichs ausgebildet wird in Form mindestens einer selbstorganisierten
monomolekularen Schicht.
-
Bei
einer anderen vorteilhaften Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
zum Herstellen einer integrierten Halbleiterspeicherzelle ist es
vorgesehen, dass das organische Material des Dielektrikumsbereichs
ausgebildet wird mit oder aus mindestens einem thermisch vernetzten
organischen Material.
-
Es
ist ferner alternativ oder zusätzlich
denkbar, dass das organische Material des Dielektrikumsbereichs
ausgebildet wird mit oder aus mindestens einem optisch vernetzten
organischen Material.
-
Die
Steuergateelektrode und/oder die Floatinggateelektrode können mit
oder aus mindestens einem metallischen Material ausgebildet werden.
-
Es
ist ferner in vorteilhafter Weise alternativ oder zusätzlich denkbar,
dass die integrierte Halbleiterspeicherzelle auf oder in einem Substrat
ausgebildet wird, insbesondere auf oder im Oberflächenbereich
des Substrats.
-
Dabei
ist es denkbar, dass das Substrat ausgebildet wird mit oder aus
mindestens einem Material aus der Gruppe, die besteht aus einem
Glas, einem mechanisch flexiblen Material, einer Folie und einer Polymerfolie.
-
Bei
einer anderen alternativen oder zusätzlichen Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle ist es vorgesehen, dass die Feldeffekttransistoreinrichtung
des Speicherelements der integrierten Halbleiterspeicherzelle mit
einem Kanalbereich aus oder mit mindestens einem organischen Halbleitermaterial
ausgebildet wird.
-
Dabei
kann es insbesondere von Vorteil sein, dass die Feldeffekttransistoreinrichtung
des Speicherelements der integrierten Halbleiterspeicherzelle mit
einem Kanalbereich mit oder aus mindestens einem Material aus der
Gruppe ausgebildet wird, die gebildet wird von Pentazenen, Polythiophenen
und Oligothiophenen.
-
Auch
kann es vorgesehen sein, dass zwischen dem Kanalbereich und der
Floatinggateelektrode der Feldeffekttransistoreinrichtung des Speicherelements
der integrierten Halbleiterspeicherzelle ein Gateisolationsbereich
ausgebildet wird mit oder aus mindestens einem organischen Material.
-
Dabei
ist es insbesondere denkbar, dass zwischen dem Kanalbereich und
der Floatinggateelektrode der Feldeffekttransistoreinrichtung des
Speicherelements der integrierten Halbleiterspeicherzelle ein Gateisolationsbereich
ausgebildet wird mit oder aus mindestens einem Material aus der
Gruppe, die gebil det wird von polymeren Dielektrika, molekularen Dielektrika
und selbstorganisierten Monoschichten.
-
Nachfolgend
werden diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung mit
anderen Worten näher
erläutert:
Die
Erfindung betrifft insbesondere unter anderem die Realisierung nicht
flüchtiger,
elektrisch programmierbarer oder umprogrammierbarer Speicherzellen mit
schwebender oder floatender Gateelektrode unter Verwendung einer
organischen Halbleiterschicht.
-
Einführung
-
Die
wissenschaftliche Entdeckung, dass bestimmte organische Materialien
Halbleitereigenschaften besitzen, hat in kürzester Zeit zu der Entwicklung
einer ganzen Reihe elektronischer Anwendungen geführt. Im
Vergleich zu anorganischen Halbleitern, wie zum Beispiel Silizium,
zeichnen sich organische Halbleiter dadurch aus, dass sie relativ
einfach und kostengünstig
gewonnen, auf gereinigt und in der Form dünner Schichten verarbeitet
werden können.
Darüber
hinaus kann die Schichtabscheidung in der Regel bei Temperaturen
erfolgen, die deutlich unter den in der Siliziumtechnologie üblichen Prozesstemperaturen
liegen. Diese Eigenschaften erlauben es, elektronische Bauelemente
auf der Grundlage organischer Halbleiterschichten kostengünstig auf
großflächigen,
preiswerten und gegebenenfalls sogar flexiblen Substraten zu fertigen.
-
Halbleiterspeicher
können
prinzipiell in flüchtige
Speicher und nicht flüchtige
Speicher unterteilt werden.
-
Arbeitsspeicher
mit extrem kurzen Zugriffszeiten, wie sie heute in enormem Umfang
in Computern zur Anwendung kommen, werden fast ausschließlich auf
der Grundlage flüchtiger
Spei cherarchitekturen ("volatile
memory"), insbesondere
in der DRAM-Technologie ("dynamic
random access memory")
gefertigt. Die DRAM Technologie beruht auf der Speicherung elektronischer
Ladungen in einem kapazitiven Speicherelement, also in einem Kondensator.
Jede Speicherzelle repräsentiert
eine Speichereinheit ("bit") und wird durch
einen Kondensator und einen Auswahltransistor (einen Feldeffekt-Transistor, FET)
gebildet. Aufgabe des Auswahltransistors ist die elektrische Isolation
der einzelnen Speicherzellen voneinander und von der Peripherie
des Zellenfeldes; durch Schalten des jeweiligen Auswahltransistors
kann auf jede beliebige Zelle gezielt und einzeln zugriffen werden
("random access"). Die DRAM-Architektur zeichnet
sich durch extrem kurze Zugriffszeiten, z. B. von wenigen Nanosekunden,
und extrem geringe Fertigungskosten, z. B. von weniger als 10–8 Euro
pro Speicherzelle, aus. Entscheidender Nachteil des DRAM Konzepts
ist die Flüchtigkeit
der gespeicherten Information, da die im Kondensator gespeicherte
Ladung so klein ist, z. B. von weniger als 500000 Elektronen, dass
sie bei Abschalten der Versorgungsspannung nach kurzer Zeit, z.
B. innerhalb weniger Millisekunden, auf Grund von Leckströmen innerhalb
des Zellenfeldes verloren geht.
-
Im
Gegensatz zu den flüchtigen
Speichern zeichnen sich nichtflüchtige
Speicher ("nonvolatile memory") dadurch aus, dass
die gespeicherte Information auch nach Abschalten der Versorgungsspannung über lange
Zeiträume
(mehrere Jahre) erhalten bleibt. Nichtflüchtige, elektrisch programmierbare oder
umprogrammierbare Speicher (im Gegensatz zu elektrisch programmierbaren,
optisch löschbaren Speichern)
sind für
ein breites Spektrum von Anwendungen, z. B. in Digitalkameras, Mobiltelefonen,
mobilen Navigationsinstrumenten, Computerspielen, von Interesse
und könnten
auch den Umgang mit Computern revolutionieren, da ein Hochfahren
des Computers nach dem Einschalten unnötig würde ("instant-on computer"). Zu den bereits existierenden nichtflüchtigen,
elektrisch programmierbare oder umprogrammierbaren Speichertechnologien
gehört
die Ausführung
von Speicherzellen auf der Basis von Silizium Feldeffekttransistoren
mit schwebender Gate Elektrode ("floating
gate"). Bei diesen
Speicherzellen wird die Information in Form elektronischer Ladungen in
einer innerhalb des Dielektrikums des Feldeffekt-Transistors ausgeführten schwebenden
Gate Elektrode gespeichert und beim Auslesen als Änderung
der Schwellspannung des Transistors detektiert. Da die elektronische
Ladung in der schwebenden Gate Elektrode isoliert ist, geht sie
auch bei Abschalten der Versorgungsspannung nicht verloren. Zu den Nachteilen
dieser auch unter dem Begriff Flashspeicher bekannten Technologie
gehören
die im Vergleich zum DRAM deutlich längeren Zugriffszeiten, z. B.
Schreibzeiten, z. B. im Bereich von Mikrosekunden, oder Löschzeiten,
z. B. im Bereich von Millisekunden, sowie die auf Grund der hohen
elektrischen Belastung des Gate Dielektrikums beim Schreiben und
Löschen
beschränkte
Zuverlässigkeit.
-
Die
oben genannten Speicherkonzepte werden gegenwärtig ausschließlich auf
Silizium-Plattformen produziert, das heißt, die Herstellung der Speicherelemente
erfolgt ausschließlich
auf Siliziumsubstraten oder Siliziumwafern und ausschließlich unter Verwendung
von Transistoren oder Dioden auf der Basis von Silizium als Halbleiter.
Alternativ dazu werden gegenwärtig
Transistor-Konzepte entwickelt, die ohne die Verwendung von Siliziumwafern
auskommen, und die prinzipiell die Herstellung von Massenspeichern
auf preiswerten Glassubstraten und sogar auf flexiblen Polymerfolien
ermöglichen.
Solche neuartigen Massenspeicher sind für eine Vielzahl von Anwendungen
von Interesse, und zwar prinzipiell sowohl für viele Anwendungen, für die die
herkömmlichen
Siliziumspeicher produziert werden, als auch für Anwendungen, bei denen sich
die Verwendung von Siliziumsubstraten nachteilig auf die Einsatzmöglichkeiten
oder auf die Produktionskosten auswirkt.
-
Erfindung
beschreibt unter anderem insbesondere ein Konzept für die Anfertigung
nichtflüchtiger
Speicherzellen
- – auf der Basis von Feldeffekttransistoren
mit schwebender oder floatender Gateelektrode, insbesondere als
floating gate memory,
- – ohne
die Verwendung von Siliziumsubstraten,
- – unter
Verwendung molekularer selbstorganisierter Monolagen, self assembled
monolayer oder SAMs für
die Realisierung eines ultradünnen, elektrisch
robusten Dielektrikums für
das sichere und zuverlässige
Schreiben und Löschen
der Speicherzelle bei niedrigen Spannungen, und/oder
- – unter
Verwendung einer organischen Halbleiterschicht.
-
Aspekte der
Erfindung
-
Ein
detailliertes Konzept für
den Aufbau nichtflüchtiger,
elektrisch programmierbarer oder umprogrammierbarer Speicherzellen
mit schwebender oder floatender Gateelektrode, insbesondere als floating
gate memory, ohne Verwendung von Siliziumsubstraten und unter Verwendung
einer organischen Halbleiterschicht wurde bisher nicht demonstriert.
-
1 zeigt
den schematischen Querschnitt einer Flash-Speicherzelle in Silizium-Technologie.
-
Die
wesentlichen Bestandteile der Speicherzelle sind:
- – das einkristalline
Silizium-Substrat, in dem die hoch dotierten Source- und Drainkontaktgebiete sowie
der Ladungsträgerkanal
des Feldeffekt-Transistors ausgeführt sind,
- – das
Tunneloxid, welches einerseits die gezielte Injektion von Ladungsträgern aus
dem Silizium in die schwebende Gate Elektrode zum Zwecke der Programmierung
(bzw. das gezielte Abziehen von Ladungsträgern von der schwebenden Gate
Elektrode zum Zwecke des Löschens)
ermöglicht,
und andererseits dazu dient, die schwebenden Gate Elektrode elektrisch
vom Silizium Substrat zu isolieren (so dass die in der schwebenden
Gate Elektrode gespeicherte Ladung nicht durch ungewollten Abfluss
in das Silizium verloren geht),
- – die
schwebenden oder floatende Gateelektrode oder das floating gate,
die keine elektrische Verbindung nach außen besitzt und auf der die
gespeicherten Ladungen auch nach Abschalten der Versorgungsspannung
erhalten bleiben,
- – das
Sperroxid oder blocking oxide, das den Abfluss der gespeicherten
Ladungsträger
von der schwebenden Gate Elektrode zur Steuerelektrode ("control gate") verhindert, und/oder
- – die
Steuerelektrode oder das control gate, an die oder das die zum Zwecke
der Programmierung bzw. des Auslesens notwendigen elektrischen Potentiale
angelegt werden.
-
Um
nichtflüchtige,
elektrisch programmierbare oder umprogrammierbare Speicherzellen
mit schwebender oder floatender Gateelektrode ohne die Verwendung
von Siliziumsubstraten zu realisieren, wird z. B. der in den 2 und 3 schematisch
gezeigte Aufbau vorgeschlagen, welcher Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Speicherzelle
entspricht.
-
2 zeigt
schematischer einen Querschnitt einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen nichtflüchtigen,
elektrisch programmierbaren oder umprogrammierbaren Speicherzelle
mit schwebender oder floatender Gateelektrode ohne Verwendung eines
Siliziumsubstrats und unter Verwendung einer organischen Halbleiterschicht.
-
Da
in dieser Ausführung
die Source- und Drainkontakte unterhalb der organischen Halbleiterschicht
angeordnet sind, wird diese Ausführung
als Bottomkontaktausführung
bezeichnet.
-
3 zeigt
in schematischer Form einen Querschnitt einer Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen nichtflüchtigen,
elektrisch programmierbaren oder umprogrammierbaren Speicherzelle
mit schwebender oder floatender Gateelektrode ohne Verwendung eines
Siliziumsubstrats und unter Verwendung einer organischen Halbleiterschicht.
Da in dieser Ausführung
die Source- und Drainkontakte oberhalb der organischen Halbleiterschicht
angeordnet sind, wird diese Ausführung
als Topkontaktausführung
bezeichnet.
-
Als
Substrat für
den erfindungsgemäßen Aufbau
sind zum Beispiel Glas, Polymerfolien, Metallfolien, Papier und
viele andere Materialien geeignet.
-
Auf
der Oberfläche
des Substrats wird die Steuerelektrode ausgeführt, zum Beispiel durch Abscheidung
und nachfolgende Strukturierung einer dünnen Metallschicht. Geeignet
für die
Ausführung der
Steuerelektrode sind insbesondere solche Metalle, auf deren Oberfläche eine
molekulare selbstorganisie rende Monolage hoher Qualität erzeugt
werden kann, also insbesondere Aluminium.
-
Auf
der Oberfläche
der Steuerelektrode wird das Tunneldielektrikum in Form einer dünnen, elektrisch
isolierenden Schicht ausgeführt.
Im Hinblick auf die Funktionsfähigkeit
und die Zuverlässigkeit
der Speicherzelle sind die Eigenschaften des Tunneldielektrikums
besonders kritisch. Das Tunneldielektrikum muss einerseits hinreichend
dünn sein,
um eine genügend
große
Tunnelwahrscheinlichkeit für
die Programmierung der Speicherzelle zu gewährleisten. Andererseits müssen die
Isolationseigenschaften des Tunneldielektrikums möglichst
ohne jegliche Störstellen
(Defekte) gewährleistet
werden, um den unerwünschten
Abfluss gespeicherter Ladung nach Abschalten der Versorgungsspannung
zu verhindern. In der Siliziumtechnologie werden diese Eigenschaften
durch Verwendung einer hochwertigen, wenige Nanometer dicken, thermisch
gewachsenen Siliziumdioxid-Schicht bereit gestellt; diese Option steht
bei der erfindungsgemäßen Realisierung
der Speicherzelle ohne Verwendung von Siliziumsubstraten nicht zur
Verfügung.
Für die
erfindungsgemäße Ausführung des
Speicherzelle sind insbesondere Tunneldielektrika auf der Grundlage
molekularer selbstorganisierender Monolagen, self assembled monolayer
oder SAMs geeignet.
-
Molekulare
Selbstorganisation ist die Entstehung molekularer Monolagen durch
spontane Ausrichtung und direkte Adsorption organischer Moleküle an festen
Oberflächen.
Molekulare Selbstorganisation kann wahlweise aus flüssigen Lösungen oder aus
der Gasphase erfolgen, erfordert keinerlei mechanische Manipulation
der Moleküle
und führt
im Idealfall zu der Bildung dichter, hochgradig geordneter organischer
Monolagen mit hoher chemischer Beständigkeit, mechanischer Robustheit
und geringer Störstellendichte.
Molekulare Selbstorganisation beruht auf der chemischen Bindung
langkettiger Kohlenwasser stoffe mit reaktiven Ankergruppen auf glatten
Substratoberflächen,
die eine hinreichend hohe Dichte an geeigneten Bindungspositionen
aufweisen.
-
Zu
den am besten untersuchten SAM-Systemen gehören:
- – die Silane,
die die Selbstorganisation auf nativ oxidiertem Silizium ermöglichen,
- – die
Phosphonsäurederivate,
die die Selbstorganisation auf nativ oxidierten Metallen, zum Beispiel
auf Aluminium, ermöglichen,
und
- – die
Thiole, die die Selbstorganisation auf edlen oder noblen Metallen,
zum Beispiel Gold und Silber, ermöglichen.
-
Für die erfindungsgemäße Ausführung des Tunneldielektrikums
sind insbesondere Phosphonsäure-Derivate
geeignet, und zwar vorzugsweise im Zusammenhang mit Steuerelektroden
auf der Basis von Aluminium, da Phosphonsäure-Derivate auf nativ oxidiertem
Aluminium molekulare Monolagen mit hervorragenden Eigenschaften
bilden.
-
Besonderes
Merkmal molekularer selbstorganisierter Monolagen ist ihre Schichtdicke,
die allein durch die Länge
des für
die Selbstorganisation gewählten
Moleküls
und durch den Winkel zwischen Molekül und Substratoberfläche bestimmt
wird. Bei senkrechter Anordnung der Moleküle, wie sie zum Beispiel im
Allgemeinen für
Thiole auf Silber beobachtet wird, ist die Schichtdicke identisch
mit der Länge
der Moleküle.
Bei anderen Molekül-Substrat-Kombinationen
(wie zum Beispiel Phosphonsäurederivate auf
nativ oxidiertem Aluminium) werden andere Neigungswinkel und demzufolge
andere Schichtdicken beobachtet. Für eine bestimmte Molekül Substrat Kombination ist
die Schichtdicke immer absolut gleich. Im Allgemeinen liegen die
Schichtdicken molekularer selbstorganisierter Monolagen je nach
Wahl des Moleküls
und des Substrats im Bereich zwischen 1.5 nm und 2.5 nm und sind
damit hervorragend für die
Realisierung der erfindungsgemäßen nichtflüchtigen,
elektrisch umprogrammierbaren Speicherzellen ohne Silizium geeignet.
-
Auf
der Oberfläche
des Tunneldielektrikums wird die schwebende oder floatende Gateelektrode oder
das floating gate ausgeführt.
Hierfür
kommen prinzipiell eine Reihe von Materialien und Prozessen in Frage.
In der Siliziumtechnologie wird die schwebende oder floatende Gateelektrode
in der Regel in der Form polykristalliner Siliziumschichten oder
in der Form von Siliziumnitridschichten erzeugt, die beide mittels
chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) bei Temperaturen oberhalb
von 400 °C
erzeugt werden. Die Verwendung von Siliziumnitrid als schwebende
Gate Elektrode in Flash-Speichern wird auch als SONOS-Technologie
bezeichnet. In der Tat ist die Verwendung eines elektrisch leitfähigen Materials
für die
schwebende Gate Elektrode nicht zwingend, und unter bestimmten Voraussetzungen
bietet ein Isolator wie Siliziumnitrid gewisse Vorteile. Alternativ
wird in der Siliziumtechnologie auch die Verwendung dünner Metallschichten
diskutiert. Eine weitere Alternative stellt schließlich die
Erzeugung dünner
Schichten (idealerweise Monolagen) aus Siliziumnanokristallen dar.
Die Verwendung elektrisch voneinander isolierter Nanokristalle für die schwebende
Gate Elektrode hat gegenüber
der Verwendung geschlossener Schichten den entscheidenden Vorteil,
dass bei Vorhandensein einer Störstelle
im Tunneloxid nicht die gesamte auf der schwebenden Gate Elektrode
gespeicherte Ladung abfließt
und verloren geht, sondern lediglich die auf einem Nanokristall
oder auf einer kleinen Anzahl von Nanokristallen gespeicherten Ladungsträger, so
dass die gespeicherte Information prinzipiell erhalten bleibt. In
diesem Fall ist eine größere Dichte
von Störstellen
im Tunneloxid tolerierbar, weshalb ein dünneres Tunneloxid implementiert
werden kann und somit geringere Programmierspannungen möglich sind.
Siliziumnanokristallschichten werden in der Siliziumtechnologie
in der Regel mittels optimierter chemischer Gasphasenabscheidungs-Prozesse
bei Temperaturen oberhalb von 400°C
erzeugt.
-
Bei
der erfindungsgemäßen Ausführung der Speicherzelle
wird die schwebende Gate Elektrode im einfachsten Fall durch eine
dünne Metallschicht realisiert,
die mittels Vakuumdeposition auf dem Tunneldielektrikum abgeschieden
wird. Dafür
kommen prinzipiell eine Reihe von Metallen, wie zum Beispiel Aluminium
und Gold, in Frage. Obgleich die Störstellendichte in optimierten
molekularen selbstorganisierten Monolagen relativ gering ist, kann
die Verwendung von Nanokristallschichten gegenüber geschlossenen Schichten
auch bei der erfindungsgemäßen Ausführung der
schwebenden Gate Elektrode Vorteile hinsichtlich der Zuverlässigkeit
der Speicherzellen bieten. Die in der Siliziumtechnologie gängige chemische
Gasphasenabscheidung zur Erzeugung von Siliziumnanokristallschichten
ist auf Grund der hohen Prozess-Temperaturen (oberhalb 400 °C) bei der
erfindungsgemäßen Ausführung (also
im Zusammenhang mit molekularen selbstorganisierten Monolagen) allerdings
ungeeignet. Eine Möglichkeit, dünne Nanokristallschichten
zur Realisierung der schwebenden Gate Elektrode zu erzeugen, ist
die Abscheidung der Nanokristalle aus organischen Lösungsmitteln.
Aus der Literatur ist hierbei insbesondere die Verwendung von Goldnanokristallen
und Siliziumnanokristallen bekannt.
-
Auf
der Oberfläche
der schwebenden Gate Elektrode wird das Sperrdielektrikum oder blocking dielectric
in Form einer dünnen,
elektrisch isolierenden Schicht bzw. gegebenenfalls in Form eines
Stapels aus zwei oder mehr dünnen,
elektrisch isolierenden Schichten ausgeführt. Für die Funktionsweise der Speicherzelle
ist insbesondere das Verhältnis
der Kapazitäten
des Tunneldielektrikums und des Sperrdielektrikums wichtig. Einerseits
sollte das Sperrdielektrikum deutlich dicker sein als das Tunneldielektrikum,
so dass der Tunnelstrom durch das Sperrdielektrikum vernachlässigbar
ist und die auf der schwebenden Gate Elektrode gespeicherte Ladung
nicht über
das Sperrdielektrikum abließen
kann. Andererseits darf die Kapazität des Sperrdielektrikums im Vergleich
zu der Kapazität
des Tunneldielektrikums nicht zu klein sein, da ansonsten der Einfluss
der Steuerelektrode auf das Potential in der Halbleiterschicht verloren
geht. Idealerweise ist das Sperrdielektrikum zwar deutlich dicker
als das Tunneldielektrikum, hat aber eine vergleichsweise große Kapazität. Dieser
Widerspruch kann zum Beispiel durch Verwendung von Materialien mit
möglichst
unterschiedlichen Dielektrizitätskonstanten
gelöst
werden. Die relative Dielektrizitätskonstante der für die Realisierung des
Tunneldielektrikums vorgeschlagenen molekularen selbstorganisierten
Monolagen liegt in der Regel um etwa 2,5. Für das Sperrdielektrikum bietet
sich also ein Material mit deutlich höherer relativer Dielektrizitätskonstante
an. Im Hinblick auf die Prozessierbarkeit eignen sich dabei insbesondere
aus organischen Lösungsmitteln
abzuscheidende und thermisch oder optisch vernetzbare Polymere,
wie zum Beispiel Polyvinylphenol. Die Schichtdicke des Sperrdielektrikums
sollte bei etwa 10 nm liegen.
-
Zur
gezielten Optimierung der Isolationseigenschaften des Sperrdielektrikums
bietet sich ferner die Realisierung eines Stapels aus zwei dünnen isolierenden
Schichten an. Hierfür
sind insbesondere solche Prozesse geeignet, bei denen auf der Oberfläche der
schwebenden Gate Elektrode zunächst
eine etwa 2 nm dicke, molekulare selbstorganisierte Monolage erzeugt
wird, gefolgt von einer etwa 8 nm dicken, thermisch oder optisch
vernetzten Polyvinylphenol-Schicht. Solche Mehrlagen dielektrika
haben in der Regel ausgezeichnete Isolationseigenschaften. Die Gesamtschichtdicke
des Sperrdielektrikums sollte bei etwa 10 nm liegen.
-
Auf
der Oberfläche
des Sperrdielektrikums werden schließlich die organische Halbleiterschicht und
die Source und Drain Kontakte ausgeführt, um den Feldeffekt Transistor
zu komplettieren. Dabei sind prinzipiell der in 2 schematisch
gezeigte Bottom Kontakt Aufbau und der in 3 dargestellte
Top Kontakt-Aufbau denkbar. Bei dem Bottom Kontakt Aufbau wird zuerst
eine dünne
Schicht eines elektrisch leitfähigen
Materials (entweder ein Metall, wie zum Beispiel Gold, oder ein
leitfähiges
Polymer, wie zum Beispiel Polyanilin) abgeschieden und strukturiert,
um die Source und Drain Kontakte zu realisieren, und danach wird
die organische Halbleiterschicht abgeschieden und gegebenenfalls
strukturiert. Bei dem Top Kontakt Aufbau wird zuerst die organische
Halbleiterschicht abgeschieden und gegebenenfalls strukturiert,
und danach werden die Source und Drain Kontakte erzeugt. Für die Realisierung der
organischen Halbleiterschicht kommen prinzipiell sowohl niedermolekulare
Verbindungen, wie zum Beispiel Pentazen, verschiedene Oligothiophene
und Phthalozyanine, als auch halbleitende Polymere, wie zum Beispiel
Polythiophen, in Frage. Auf Grund seiner relativ guten elektrischen
Eigenschaften ist insbesondere Pentazen geeignet, welches vorzugsweise
durch thermisches Verdampfen abgeschieden wird. In Kombination mit
Pentazen ist die Verwendung von Gold für die Realisierung der Source
und Drain Kontakte zu bevorzugen.
-
Das
Schreiben und Löschen
der erfindungsgemäßen Speicherzelle
erfolgt durch kurzzeitiges Anlegen geeigneter elektrischer Potentiale
an die Steuerelektrode. Die Injektion von Elektronen von der Steuerelektrode
durch das Tunneldielektrikum auf die schwebende Gateelektrode zum
Zweck des Schreibens kann zum Beispiel durch Anlegen eines negativen
Potentials an die Steuerelektrode erfolgen; das Abziehen gespeicherter
Elektronen von der schwebende Gateelektrode durch das Tunneldielektrikum
zur Steuerelektrode (zum Zweck des Löschens) kann zum Beispiel durch
Anlegen eines positiven Potentials an die Steuerelektrode erfolgen.
-
Das
Auslesen der gespeicherten Information erfolgt durch Auswertung
des Drain Stroms des organischen Feldeffekt Transistors. Hierfür wird die
Tatsache ausgenutzt, dass die Programmierung der Speicherzelle,
also das Speichern negativ geladener Elektronen auf der schwebenden
Gateelektrode, zu einer reversiblen und reproduzierbaren Verschiebung
der Schwellspannung des Transistors (in Richtung positiver Spannung)
führt.
Diese Verschiebung der Schwellspannung Vth kann durch Messung des Drainstroms
ID bei einer vorgegebenen Steuerspannung ermittelt werden und gibt
Aufschluss über
den binären
Zustand der Speicherzelle. Hierzu wird an die Steuerelektrode ein
bestimmtes Potential VGS und zwischen den Source- und Drain Kontakten
eine bestimmte Drain Source Spannung VDS angelegt. Je nachdem, ob
die schwebende oder floatende Gateelektrode mit Elektronen belegt
ist oder nicht, wird ein größerer Drainstrom – schwebende
oder floatende Gateelektrode mit Elektronen belegt und Speicherzustand „1" – oder ein kleinerer Drainstrom – schwebende
oder floatende Gateelektrode nicht mit Elektronen belegt und Speicherzustand „0" – gemessen.
-
Durch
den Vorgang des Auslesens wird die Belegung der schwebenden Gateelektrode
nicht beeinflusst, das heißt,
das Lesen erfolgt zerstörungsfrei ("non destructive read") und kann prinzipiell
beliebig oft wiederholt werden, ohne dass der Speicherzustand verändert wird.
Bei hinreichend guten Isoliereigenschaften des Tunneldielektrikums
und des Sperrdielektrikums bleibt die Belegung der schwebenden oder
floaten den Gateelektrode, also der Speicherzustand der Zelle, auch
ohne Versorgungsspannung prinzipiell beliebig lange erhalten.
-
Kernaspekte
-
Kernidee
dieser Erfindung ist unter anderem insbesondere die Schaffung eines
Konzepts für
die Anfertigung nichtflüchtiger,
elektrisch programmierbarer oder umprogrammierbarer Speicherzellen
- – auf
der Basis von Feldeffekttransistoren mit schwebender Gateelektrode,
- – ohne
die Verwendung von Siliziumsubstraten,
- – unter
Verwendung molekularer selbstorganisierter Monolagen für die Realisierung
eines ultradünnen,
elektrisch robusten Dielektrikums für das sichere und zuverlässige Schreiben
und Löschen der
Speicherzelle bei niedrigen Spannungen, und
- – unter
Verwendung einer organischen Halbleiterschicht.
-
Grundsätzliche
Vorteile
-
Auf
ein Glassubstrat wird mittels thermischen Verdampfens eine etwa
30 nm dicke Schicht Aluminium aufgebracht, die mittels Fotolithographie und
nasschemischem Ätzen
in wässriger
Kaliumhydroxid Lösung
strukturiert wird, um die Steuerelektrode zu definieren. Im zweiten
Schritt wird das Tunneldielektrikum durch Aufbringen einer 2.5 nm
dicken, elektrisch isolierenden, molekularen selbstorganisierten
Monolage auf den Aluminium-Elektroden erzeugt. Nachfolgend wird
eine etwa 10 nm dicke Schicht Gold aufgedampft, um die schwebende Gate-Elektrode zu definieren.
Alternativ wird aus einem organi schen Lösungsmittel eine dünne Schicht Nanopartikel,
zum Beispiel Gold oder Silizium, auf dem Tunneldielektrikum abgeschieden.
Anschließend
wird aus organischer Lösung
eine etwa 10 nm dicke Schicht Polyvinylphenol aufgeschleudert und bei
einer Temperatur von 200 °C
in einem Vakuumofen quervernetzt. Im folgenden Schritt wird eine
30 nm dicke Schicht Gold aufgedampft und die mittels Fotolithographie
und nasschemischem Ätzen
in wässriger
Mischung aus Jod und Kaliumjodid strukturiert, um die Source- und
Drainkontakte zu definieren. Als organische Halbleiterschicht wird
abschließend eine
etwa 30 nm dicke Schicht Pentazen aufgedampft und mittels Fotolithographie,
z. B. unter Zuhilfenahme eines wasserlöslichen Fotolacks, und Plasmaätzen strukturiert.
-
Eine Ausführungsform
der Erfindung
-
Die
Vorteile der erfindungsgemäßen Speicherzelle
gegenüber
dem Stand der Technik sind, dass der erfindungsgemäß eine Isolation
der floatenden Gateelektrode durch eine einfache Methode herstellbar
ist und auf beliebigen Substraten unter Verwendung organischer selbstorganisierter
Monolagen als Isolation oder als Dielektrikum einsetzbar ist.
-
Der
Aufbau der Speicherzelle kann z.B. auch nach einem konventionellem
Schichtaufbau erfolgen, wobei die Schichten nacheinander unter Verwendung
z. B. von Verdampfungsprozessen, Druckprozessen oder Tauchprozessen
erzeugt werden können.
Dabei sind z.B. besonders die Verdampfungstemperaturen der organischen
Verbindungen, welche auf der Elektrodenoberfläche die dielektrische Monolage
ausbilden, besonders günstig
für die
Abscheidung auf flexiblen Substraten, da die Temperatur bei der
die Abscheidung erfolgt, in der Regel weniger als 200°C beträgt. Die
Schichtdicke des Dielektrikums ist lediglich die Stärke einer
Monolage und entspricht etwa der Moleküllänge, so dass sie im Bereich
von etwa 1 bis 3 nm liegt und aufgrund dessen hervorragende elektrische
Eigenschaften des erfindungsgemäßen Kondensators
erzielt werden können.
-
Wesentlich
für die
hervorragenden Dielektrikumseigenschaften ist z.B. das Moleküldesign
der organischen Verbindung, die aus Ankergruppe, Linkerkette und
Kopfgruppe besteht. Dabei hat die reaktive Ankergruppe die Aufgabe,
das Molekül
vorzugsweise kovalent an die Elektrodenoberfläche anzubinden, was eine besonders
hohe thermische, mechanische und chemische Stabilität der Monolage
zur Folge hat.
-
Die
Linkerkette, die vorzugsweise aus einer n-Alkylkette oder einer
Etherkette gebildet wird, bewirkt eine nahezu orthogonale Ausrichtung
und damit eine möglichst
dichte Packung der Moleküle.
Die Kopfgruppe, welche bevorzugt ein π-System oder einen anderen,
zu intermolekularen Wechselwirkungen befähigten Rest aufweist, dient
zur Stabilisierung der Monolage in der Weise, dass über genannte
intermolekulare Wechselwirkungen oder ππ-Wechselwirkungen Moleküle mit ihren
jeweiligen Nachbarn verstärkt
interagieren und somit zusätzlich
mechanisch und elektrisch stabilisiert werden. Als Konsequenzen
sind solche Schichten bessere Isolatoren als vergleichbare Monolagen
ohne entsprechende Kopfgruppen.
-
Ein
besonderer Vorteil der erfindungsgemäß vorgesehenen Materialien
ist die Variabilität
bezüglich
des Elektrodenmaterials durch Wahl geeigneter reaktiver Ankergruppen.
So eignen sich prinzipiell alle Metalle bzw. Legierungen oder Halbmetalle
als Elektrodenmaterial, die eine natürliche Oxidschicht besitzen
und/oder in einfacher Weise oberflächlich oxidiert werden können. Des
Weiteren eignen sich als Elektrodenmaterial auch andere Metalle
und deren Legierungen, welche zur Ausbildung kovalenter Bindungen
oder anderer starker Wechsel- Wirkungen mit
organischen reaktiven Gruppen befähigt sind, wie zum Beispiel
Gold, Silber, Kupfer und Galliumarsenid im Fall von Thiolankergruppen.
-
Zusammenfassend
ist festzustellen, dass die erfindungsgemäß vorgesehene Halbleiterspeicherzelle
eine technisch einfache Integration auf beliebigen Substraten ermöglicht und
dass eine hohe Variabilität
bei der Wahl der Elektrodenmaterialien vorliegt, insbesondere in
Bezug auf den Gatebereich G, das Floatinggate FG, das Steuergate
CG, den Sourcebereich S und den Drainbereich D.
-
In
einer besonderen Ausführungsform
weist die Schichtdicke des erfindungsgemäßen Dielektrikums die Länge eines
einzelnen Moleküls
auf und bewegt sich im Bereich von etwa 1 bis etwa 3 nm. Die Länge des
Moleküls
soll eine orthogonale Ausrichtung ermöglichen, so dass kürzere Moleküle, die
weniger als 1 nm sind, sehr schwer eine Monolage bilden. Bei den
Molekülen,
die länger
als 3 nm sind, ist wegen vieler Freiheitsgrade schwierig die orthogonale
Ausrichtung zu erhalten. In einer bevorzugten Ausführungsform
ist die Schichtdicke im Bereich von etwa 2 nm bis etwa 2,5 nm besonders
vorteilhaft.
-
Wie
schon vorstehend erwähnt
kann die Kopfgruppe im Prinzip jede Gruppe sein, die zwischen zwei
Molekülen
eine intermolekulare Wechselwirkung ermöglicht. Erfindungsgemäß können π-Systeme als Kopfgruppe
dienen, da dadurch eine ππ-Wechselwirkung zustande
kommen kann, was zur Stabilisierung der Monolage beiträgt. Die
erfindungsgemäßen π-Systeme
können
auch durch Heteroatome substituiert werden.
-
Als
Linkergruppen sind alle Gruppen geeignet, die eine orthogonale Ausrichtung
des Moleküls ermöglichen
und den Abstand zwischen der Kopfgruppe und der Ankergruppe stabil
halten. In einer besonderen Ausführungsform
der Erfindung sind die Link erketten aus π-Alkylketten oder Polyetherketten gebildet.
Die π-Alkyl-
bzw. Polyetherketten weisen Wiederholungseinheiten – (CH2)n- bzw. -(O-CH2-CH2)n-
auf, mit n im Bereich von etwa 2 bis 20 für die n-Alkylkette und im Bereich
von 10 bis 10 für
die Polyetherkette.
-
Wie
schon oben geschrieben, können
die Elektroden aus allen Metallen bzw. Metalllegierungen oder Halbmetallen
bestehen, wobei das einzige Wesentliche ist, dass das Elektrodenmaterial
mit der Ankergruppe vorzugsweise eine kovalente Bindungen eingeht.
Eine andere Wechselwirkung wie z. B. ionische Wechselwirkung, Wasserstoffbrücken oder Chargetransferwechselwirkung
kommen aber auch in Frage.
-
Für die Elektrodenmaterialien
sind Aluminium, Titan, Gold, Silber, Kupfer, Palladium, Platin,
Nickel, Silizium und Galliumarsenid besonders bevorzugt. Wenn das
Elektrodenmaterial aus Aluminium bzw. Titan besteht, kann die Oberfläche in einfacher Weise
oxidiert werden, um mit Ankergruppen reagieren zu können. Als
Ankergruppen kommen dann besonders bevorzugt R-SiCl3;
R-SiCl2-Alkyl, R-SiCl(Alkyl)2;
R-Si(OR)3; R-Si(OR)2-Alkyl;
R-SiOR(Alkyl)2 und/oder R-PO(OH)2 in Frage.
-
Wenn
Silizium mit nativer oder gezielt erzeugter Siliziumoxidschicht
wie zum Beispiel hydroxyterminiertes Silizium verwendet wird, sind
als Ankergruppen R-SiCl3; R-SiCl2-Alkyl; R-SiCl(Alkyl)2; R-Si(OR)3; R-Si(OR)2-Alkyl;
R-SiOR(Alkyl)2 besonders bevorzugt.
-
Wenn
Silizium mit Wasserstoffoberfläche
als Elektrodenmaterial verwendet wird, sind R-CHO(hν) und R-CH=CH2(hν)
besonders bevorzugt.
-
Für die zweite
Elektrode, die mit der selbstorganisierten Monolage keine kovalente
Bindung eingehen muss, sind prinzi piell alle elektrisch leitfähigen Materialien
geeignet, insbesondere Metalle und leitfähige Polymere.
-
Da
die Abscheidung der organischen Moleküle, die auf der Elektrodenoberfläche die
dielektrische Monolage ausbilden, besonders schonend ist, und für flexible
Substrate sehr geeignet ist, wird der erfindungsgemäße Kondensator
in einer bevorzugten Ausführungsform
in flexible Substrate eingebaut.
-
Zwischen
zwei Elektroden befindet sich eine Lage eines organischen Moleküls, das
mit einer Elektrode kovalente Bindung eingeht, eine nahezu orthogonale
Ausrichtung zwischen zwei Elektroden aufweist, und durch das π-System bei
der zweiten Elektroden stabilisiert ist. Die erste Elektrode besteht
aus nativ oxidiertem Silizium und die zweite Elektrode aus Gold.
-
Die
Herstellung des erfindungsgemäßen Kondensators
erfolgt durch Abscheiden der ersten Elektrode, In-Kontakt-Bringen
der ersten Elektrode mit der organischen Verbindung, um eine selbstorganisierte
Monolage der Verbindung auf der ersten Elektrode zu erhalten, gegebenenfalls
Spülen
der so erhaltenen Struktur mit dem Lösungsmittel, in dem die Verbindung
gelöst
war, um die überschüssige Verbindung
zu entfernen, Verdampfen des Lösungsmittels
und Abscheiden der zweiten Elektrode.
-
Das
Spülen
der überschüssigen Verbindung erfolgt
nur dann, wenn die Verbindung in einem Lösungsmittel gelöst ist.
In einer bevorzugten Ausführungsform
wird die Verbindung in der Lösung
mit der ersten Elektrode in Kontakt gebracht, wobei auch andere
Methoden zur Abscheidung der organischen Verbindungen möglich sind.
-
Die
Konzentration der organischen Verbindung, deren Lösung mit
der ersten Elektrode in Kontakt gebracht wird, beträgt vorzugsweise
zwischen etwa 10–4 und 1 Gewichtsprozent.
Diese Konzentration im Bereich von etwa 10–4 bis
1 Gewichtsprozent eignen sich besonders zur Herstellung dichter Schichten.
Es ist aber auch möglich,
weniger konzentrierte bzw. hochkonzentrierte Lösungen der organischen Verbindungen
zu verwenden. Die Abscheidung kann dann durch Eintauchen des Substrats
mit definierter erster Elektrode in die vorbereitete Lösung erfolgen,
wonach das Spülen
mit dem reinen Prozesslösungsmittel
erfolgen kann. Optional kann die so erhaltene Struktur anschließend mit
einem leicht flüchtigen
Lösungsmittel,
wie zum Beispiel Aceton oder Dichlormethan und anschließendes Trocknen unter
Schutzgas erfolgen. Die bevorzugten Lösungsmittel zum Auflösen der
organischen Verbindung sind getrocknete, wenig polare, aprotische
Lösungsmittel.
-
Beispielsweise
sind solche Lösungsmittel Toluol,
Tetrahydrofuran oder Cyclohexan.
-
Wenn
die organische Verbindung aus Gasphase mit der ersten Elektrode
in Kontakt gebracht wird, beträgt
der Druck vorzugsweise zwischen 10–6 bis
etwa 400 mbar und hängt
im Wesentlichen von der Flüchtigkeit
der organischen Verbindung ab.
-
Die
Verfahrenstemperatur bewegt sich vorzugsweise im Bereich von etwa
80 bis 200°C
und die Abscheidungszeit liegt zwischen etwa 3 Minuten und 24 Stunden.
-
Wenn
die molekulare selbstorganisierte Monolage erhalten wird, kann die
zweite Elektrode durch das Aufdampfen abgeschieden werden.
-
Nachfolgend
werden diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung anhand
einer schematischen Zeichnung auf der Grundlage bevorzugter Ausführungsformen
näher erläutert.
-
1 zeigt
in schematischer und geschnittener Seitenansicht eine integrierte
Halbleiterspeicherzelle mit herkömmlichem
Aufbau.
-
2 zeigt
in schematischer und geschnittener Seitenansicht eine erste Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle.
-
3 zeigt
in schematischer und geschnittener Seitenansicht eine andere Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle.
-
4 zeigt
in schematischer und geschnittener Seitenansicht Details einer Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle.
-
5 ist
eine schematische Darstellung eines Moleküls, wie es zur Ausbildung von
Dielektrikumsbereichen und insbesondere von Monoschichten bei einer
Ausführungsform
der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle verwendet werden kann.
-
Nachfolgend
werden strukturell und/oder funktionell ähnliche, vergleichbare oder äquivalente Elemente
mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Nicht in jedem Fall ihres
Auftretens wird eine Detailbeschreibung wiederholt.
-
1 zeigt
in schematischer und geschnittener Seitenansicht eine herkömmliche
integrierte Halbleiterspeicherzelle 100', bei welcher als Speicherelement 10' eine Feldeffekttransistoreinrichtung T' vorgesehen ist,
welche als Gatebereich G' in
der Anordnung der 1 eine erste oder obere Gateelektrode
als Steuergateelektrode CG sowie eine zweite oder untere Gateelektrode
als Floatinggateelektrode FG aufweist. Die erste oder obere Gateelektrode
wird als Steuergateelektrode CG von einer ersten und hier oberen
Materialschicht 14 aus einem ersten Material 14' gebildet. Die
zweite oder untere Gateelektrode wird als Floatinggateelektrode
FG von einer zweiten und hier unteren Materialschicht 18 aus einem
vorgesehenen zweiten Material 18' gebildet. Die Materialschichten 14 und 18 weisen
entsprechende Oberflächenbereich 14a bzw. 18a auf.
Die ersten und zweiten Materialschichten 14 und 18 sind durch
eine Sperrschicht 13 aus einem entsprechenden Sperrschichtmaterial 13' voneinander
elektrisch isoliert. Unterhalb des Gatebereichs G befindet sich, durch
eine Tunnelschicht 11 mit einem Tunnelschichtmaterial 11' elektrisch
isoliert ein Halbleitersubstrat 20 mit einem Oberflächenbereich 20a,
auf welchem der Gatebereich G' ausgebildet
ist. Im Oberflächenbereich 20a des
Substrats 20 sind ferner erste und zweite Dotierbereiche 21 bzw. 22 als
Sourcebereich S bzw. als Drainbereich D in n–-Dotierung ausgebildet.
Der Bereich zwischen dem Sourcebereich S und dem Drainbereich D
bildet den Kanalbereich K' der
so aufgebauten Feldeffekttransistoreinrichtung T' als Speicherelement 10' der herkömmlichen
integrierten Halbleiterspeicherzelle 100'.
-
Im
Betrieb der herkömmlichen
integrierten Halbleiterspeicherzelle 100' der 1 wird die schwebende
oder floatende Gateelektrode FG über das
Steuergate CG gesteuert, unterschiedlich stark elektrische Ladungen
aufnehmen, insbesondere in Form von Elektronen, so dass aufgrund
der elektrischen Isolation der Floatinggateelektrode FG gegenüber dem
Substrat 20 einerseits und gegenüber der Steuergateelektrode
CG andererseits im Wesentlichen permanent im Bereich der Floatinggateelektrode
FG verbleiben und somit den Kanalbereich K' zwischen dem Sourcebereich S und Drainbereich
D permanent beein flussen können.
Diese Beeinflussung des Kanalbereichs K' und dessen Leitfähigkeit kann durch Abtasten
des Leitfähigkeitszustandes
des Kanalbereichs K' ermittelt
werden. Über
eine Zuordnung zwischen den verschiedenen Leitfähigkeitszuständen zu
gewünschten
Speicherinhalten kann eine Codierung erfolgen, so dass über die
unterschiedlichen Ladungszustände
des Floatinggates FG und mithin über
die unterschiedlichen Leitfähigkeitstypszustände des
Kanalbereichs K' in
der Speicherzelle 100' verschiedene
Speicherzellen realisiert werden können.
-
2 zeigt
ebenfalls in schematischer und geschnittener Seitenansicht eine
integrierte Speicherzelle 100, bei welcher eine Feldeffekttransistoreinrichtung
T als Speicherelement 10 vorgesehen ist, bei welcher die
Feldeffekttransistoreinrichtung T einen Gatebereich G aus einer
Steuergateelektrode CG und einer Floatinggateelektrode FG aufweist.
-
Auf
einem grundlegenden Substrat 20 mit einem Oberflächenbereich 20a ist
eine erste und hier untere Materialschicht 14 eines ersten
Materials 14' für die Steuergateelektrode
CG ausgebildet und weist einen Oberflächenbereich 14a auf.
Auf dem Oberflächenbereich 14a des
Materials 14' für die Steuergateelektrode
CG ist eine Tunnelschicht 16 aus einem Tunnelschichtmaterial 16' mit einem Oberflächenbereich 16a ausgebildet,
wobei die Tunnelschicht 16 insbesondere als eine Monolage 16-5 ausgebildet
sein kann. Auf dem Oberflächenbereich 16a der
Tunnelschicht 16 ist eine zweite und hier obere Materialschicht 18 eines
zweiten Materials 18' für das Floatinggate
oder für
die Floatinggateelektrode FG mit einem Oberflächenbereich 18a vorgesehen.
Auf dem Oberflächenbereich 18a und
die gesamte Gatestruktur G umschließend, ist eine Sperrschicht 13 aus einem
Sperrschichtmaterial 13' mit
dem Oberflächenbereich 13a ausgebildet.
Oberhalb der Floatinggateelektrode FG ist auf dem Oberflächenbereich 13a ein
Materialbereich 50 aus einem organischen Halbleitermaterial 50' mit einem Oberflächenbereich 50a ausgebildet,
durch welchen auch der entsprechende Kanalbereich K für die Feldeffekttransistoreinrichtung
T gebildet wird. Dieser Kanalbereich K ist zwischen einem vorgesehenen
Sourcebereich 5 und einem vorgesehenen Drainbereich D ausgebildet,
die ihrerseits durch entsprechende Materialanordnungen 21 und 22 gebildet
werden.
-
Bei
der Ausführungsform
der 2 sind die Source-/Drainbereiche S, D direkt auf
dem Oberflächenbereich 13a der
Sperrschicht 13 ausgebildet.
-
Bei
der Ausführungsform
gemäß 3 ist dagegen
der organische Halbleitermaterialbereich 15 mit dem Kanalbereich
K aus dem organischen Halbleitermaterial 50' zwischen den Source/Drainbereichen
S, D und dem Oberflächenbereich 13a der Sperrschicht 13 vorgesehen,
so dass die Source-/Drainbereiche S, D und deren materielle Anordnungen 21 bzw. 22 auf
dem Oberflächenbereich 50a des
organischen Halbleitermaterials 50' ausgebildet sind. Ansonsten ist
der Aufbau der Ausführungsform der 3 mit
dem Aufbau der Ausführungsform
der 2 identisch.
-
Erfindungsgemäß können der
Kanalbereich K und die dort vorliegende Halbleitermaterialbereich 50,
die Sperrschicht 13 und/oder die Tunnelschicht 16 einzeln
oder in beliebiger Kombination mit oder aus organischen Materialien 50', 13' bzw. 16' ausgebildet
sein, wobei die Materialien 13' und 16' elektrisch isolierend und das
Material 50' halbleitend
sein müssen,
um die Funktionalität
einer nicht-flüchtigen integrierten
Halbleiterspeicherzelle 100 im Sinne der Erfindung zu gewährleisten.
-
In 5 ist
schematisch und beispielhaft dargestellt, dass das jeweilige Molekül 16-1 der
Anordnung des organischen Materials 16' für den Dielektrikumsbereich
der Tunnelschicht 16 eine im Wesentlichen lineare Erstreckung
besitzt, wobei jedes Molekül 16-1 einen
linearen Bereich 16-3 mit funktionellen Gruppen 16-2 und 16-4 an
den sich gegenüberliegenden
Enden des linearen Bereichs 16-3 aufweist. Die endständigen Gruppen
oder funktionellen Gruppen 16-2 und 16-4 können al-ternativ oder gemeinsam
vorgesehen sein.
-
Bei
der in 4 in schematischer und geschnittener Seitenansicht
gezeigten Anordnung mit organischem Material 16' für den Dielektrikumsbereich
der Tunnelschicht 16 einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen integrierten
Halbleiterspeicherzelle 100 wechselwirken die ersten Endgruppen oder
funktionellen Gruppen 16-2 der Moleküle 16-1 mit dem Oberflächenbereich 14a der
ersten oder unteren Materialschicht 14 des Materials 14' für die Steuergateelektrode
CG, wogegen die zweiten Endgruppen oder funktionellen Gruppen 16-4 mit
der Unterseite 18b der zweiten oder oberen Materialschicht 18 des
Materials 18' für die Floatinggateelektrode
FG wechselwirken, und zwar derart, dass sich eine selbstorganisierende
Monoschicht 16-5 für
die Anordnung der Moleküle 16-1 des
Dielektrikumsbereichs der Tunnelschicht 16 ergibt, bei
welcher die Einzelmoleküle 16-1 dicht
gepackt, insbesondere zweidimensional quasi kristallin angeordnet
sind, und gegebenenfalls eine gemeinsame Neigung gegenüber der Normalen
zur Oberfläche 14a bzw.
zur Unterseite 18b aufweisen.
-
- 10
- erfindungsgemäßes Speicherelement
- 10'
- herkömmliches
Speicherelement
- 11
- herkömmlicher
Tunnelbereich, herkömmliche
Tunnel
-
- schicht
- 11'
- Material
für Tunnelschicht 11
- 13
- Sperrschicht
- 13'
- Material
für Sperrschicht 13,
Sperroxid
- 14
- erste
Materialschicht, Materialschicht für die
-
- Steuergateelektrode
CG
- 14'
- erstes
Material, Material für
die Steuergatee
-
- lektrode
CG
- 14a
- Oberflächenbereich,
Oberseite
- 16
- Tunnelbereich,
Tunnelschicht
- 16'
- Material
für Tunnelbereich/Tunnelschicht 16
- 16a
- Oberflächenbereich,
Oberseite
- 16-1
- Molekül
- 16-2
- erste
oder untere Endgruppe, erste oder untere
-
- funktionelle
Gruppe
- 16-3
- linearer
Bereich des Moleküls 16-1
- 16-4
- zweite
oder obere Endgruppe, zweite oder obere
-
- funktionelle
Gruppe
- 16-5
- Monoschicht,
Monolage
- 18
- zweite
Materialschicht, Materialschicht für die
-
- Floatinggateelektrode
FG
- 18'
- zweites
Material, Material für
die Floatinggatee
-
- lektrode
FG
- 18a
- Oberflächenbereich,
Oberseite
- 18b
- Unterseite
- 20
- Substrat
- 20a
- Oberflächenbereich
- 30
- Feldeffekttransistoreinrichtung,
Transistorein
-
- richtung
- 50
- Materialschicht
des organischen Halbleitermateri
-
- als
- 50'
- organisches
Halbleitermaterial
- 100
- erfindungsgemäße integrierte
Halbleiterspeicher
-
- zelle
- 100'
- herkömmliche
integrierte Halbleiterspeicherzelle
- CG
- Steuergateelektrode
- D
- Drain,
Drainbereich, Drainelektrode
- FG
- Floatinggateelektrode
- G
- Gate,
Gatebereich
- G'
- herkömmliches
Gate, herkömmlicher
Gatebereich
- K
- Kanalbereich
- K
- herkömmlicher
Kanalbereich
- S
- Source,
Sourcebereich, Sourceelektrode
- T
- erfindungsgemäße Feldeffekttransistoreinrichtung
- T'
- herkömmliche
Feldeffekttransistoreinrichtung