DE102005018096B3

DE102005018096B3 - Herstellungsverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherelement basierend auf zwei stabilen Widerstandszuständen in organischen Molekülen

Info

Publication number: DE102005018096B3
Application number: DE102005018096A
Authority: DE
Inventors: Klaus Ufert
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2005-04-19
Filing date: 2005-04-19
Publication date: 2007-01-11
Anticipated expiration: 2025-04-20
Also published as: US7410868B2; US20060234418A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen Speicherelements mit den Schritten Bereitstellen eines Substrates; Herstellen einer Nanomaskenstruktur auf dem Substrat; Aufwachsen einer selbstorganisierten Monolage eines organischen Speichermoleküls auf dem Substrat auf dem nicht von der Nanomaskenstruktur bedeckten Bereich; Strukturieren der Substratoberfläche mittels eines Elektrodenstrahls zum Ausbilden von Bereichen mit organischen Speichermolekülen und Bereichen ohne organische Speichermoleküle; Aufbringen eines oberen Kontaktes auf aus organischen Speichermolekülen und der Nanomaske gebildeten Monolage.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherelement basierend auf zwei stabilen Widerstandszuständen in organischen Molekülen.
Die bisher eingesetzten Speicherkonzepte (Floating Gate Memories wie Flash und DRAM) basieren auf der Speicherung von Ladungen in anorganischen, Silizium-basierten Materialien. Die Technologie für die Speicherung von Ladungen wird in absehbarer Zeit an Skalierungsgrenzen stoßen. Daher wird vermehrt nach alternativen Methoden zur Speicherung von Informationen gesucht. Hierbei hat sich das Prinzip des resistiven Schaltens zwischen zwei stabilen Widerstandszuständen in organischen Molekülen als vielversprechend herausgestellt.
Konjugierte Oligophenylenethinylene werden hierbei als molekulare Drähte in Bauteilen (mit nichtlinearen I(v) Kurven oder für dynamische Schreib-/Lesezugriffspeicher (DRAM)) eingesetzt. Solche organischen Moleküle, wie z.B. Amino-4-ethinylphenylbenzenthiol, werden in einer selbstorganisierten molekularen Monolage (self-assembled monolayer; SAM) aufgewachsen. Anschließend wird das offene Ende der molekularen Drähte mit einem Topkontakt versehen.

Ein Problem der Abscheidung von selbstorganisierten molekularen Monolagen ist die Haftung bzw. die chemische Bindung des organischen Moleküls auf dem Substrat. Dieses besteht zumeist aus einem Metall, bevorzugt aus Gold, oder aus einem Halbleitermaterial (M.C. Hersam, R.G. Reifenberger; MRS Bulletin Vol. 29, no. 6 (2004) S. 385). Ein weiteres Problem ist die Kompatibilität des Herstellungsprozesses des organischen molekularen Speicherelements mit der bestehenden CMOS-Technologie. Ungelöst ist bisher auch der technologische Transfer der molekularen Dimensionen der einzelnen organischen Speicherzellen in ein kontaktierbares Array aus Speicherzellen unter Nutzung von Standardtechnologien, wobei der Vorteil der geringen Dimensionierung der organischen Speicherzelle weitestgehend gewahrt werden soll.

Bisher konnte weder die Kopplung des organischen Speichermoleküls an das Substrat noch eine Integration des organischen Speichermoleküls in eine in der herkömmlichen Siliziumtechnologie kompatible Konfiguration im Dimensionsbereich von wenigen Nanometern befriedigend realisiert werden.

1 zeigt eine herkömmliche Realisierung einer auf Gold aufgewachsenen molekularen Monolage mit einem Goldkontakt (C. Zhou, M.R. Deshpande, M.A. Reed, L. Jones II and J.M. Tour; Appl. Phys. Lett. 71(5), S. 611). In einer Membran 1 aus SiN wird eine Pore durch ein Plasmaätzverfahren geöffnet (sieh 1a). In die wannenförmige Öffnung mit einem Durchmesser von ca. 30 nm wird Gold 3 gedampft, worauf organische Speichermoleküle 4 in Form einer SAM aufgebracht werden. Die auf dem Goldkontakt 3 aufgewachsene Schicht 4 aus organischen Molekülen wird durch einen weiteren Kontakt 2 aus Titan und Gold kontaktiert (siehe 1b, eine vergrößerte Ansicht aus 1a). Hierbei ist deutlich der ernorme Unterschied in den Dimensionen sichtbar. Eine dichte Packung von resistiven Speicherzellen ist bisher mit dieser Technologie nicht möglich.

2 zeigt eine vergrößerte Ansicht des resistiven Speicherelements. Auf einem Substrat 5 sind Goldkontakte 6 aufgebracht. Der Kontakt des Moleküls zur Goldschicht 6 erfolgt über eine Sulfidbrücke einer Thiolgruppe des organischen Moleküls. Der Topkontakt 7 kann wie in diesem Beispiel auch über einen Palladiumkontakt oder ein metallbeschichtetes Nanoröhrchen erfolgen.

Bisher konnte die Anbindung organischer Speichermoleküle, wie z.B. Amino-4-ethinylphenylbenzenthiol, über die Thiolgruppe zum Substrat, das mit einer Goldschicht beschichtet sein muss, gelöst werden (J. Chen, M.A. Reed, A.M. Rawlett, J.M. Tour; Science, Vol. 2286 (1999), S. 1550Q). Dabei waren aufwändige Prozessschritte notwendig, wie z.B. Ätzen einer schüsselförmigen Mulde in den Wafer, Ätzen von Poren in eine Siliziummembran, Gold-Bottomkontakt einfüllen sowie mechanisches Polieren des Goldkontaktes, wie es in 1 dargestellt ist. Das Integrieren von Goldschichten und das chemisch-mechanische Polieren dieses Materials ist nicht ohne Probleme in die bestehende CMOS-Technologie möglich. Neben den dadurch auftretenden höheren Kosten kann der Vorteil der geringen Moleküldimension und der möglichen hohen Packungsdichte in der bisher realisierten Speicherzellenkonfiguration nur unbefriedigend genutzt werden. Auch der hohe Aufwand und die geringe Reproduzierbarkeit beim Aufbringen von mit Titan oder Palladium beschichteten Kohlenstoffnanoröhren als Topkontakte auf den organischen Speichermolekülen stellen ein Problem dar.

Aus Alokik Kanwal et al, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 830, D7.2.1, 2004 Fall Proceedings ist ein nichtflüchtiges Speicherelement bekannt, bestehend aus einem Substrat, auf dem eine Nanomaskenstruktur aufgebracht ist, und das Bereiche mit organischen Speichermolekülen und Bereiche ohne organische Speichermoleküle sowie einem oberen Kontakt besitzt.

Aus Husband, C.P. et al, IEEE Transactions on Electron Devices, Volume 50, Issue 9, pp. 1865–1875; Sept 2003, ist ebenfalls ein wie vorstehend beschriebenes Speicherelement bekannt, das in Form eines cross point arrays angeordnet ist.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Herstellungsverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherelement auf Siliziumbasis bereitzustellen.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das in Anspruch 1 angegebene Herstellungsverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherelement gelöst.

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, die Kontaktfläche mit einer Nanomaske auf effektive Kontaktflächen, beispielsweise im Bereich von 2,5 nm bis 15 nm, bevorzugt 3 nm bis 7 nm, zu beschränken, die Kontaktierung der organischen Moleküle direkt auf ein Silizium- oder Siliziumoxidsubstrat über Nitrilgruppen zu ermöglichen, und mittels Elektronenstrahllithographie die Speicherelemente zu strukturieren.

Für die direkte Anbindung des organischen Speichermoleküls wird dieses statt mit einer Thiolgruppe mit einer Nitrilgruppe als Ankergruppe versehen. Über den Stickstoff der Nitrilgruppe kann eine direkte Anbindung an ein Substrat aus Silizium oder Siliziumoxid erfolgen. Hierdurch wird das Aufbringen einer Goldschicht, auf der die organischen Speichermoleküle in Form von selbstorganisierten Monolagen aufwachsen, überflüssig.

Kleine Strukturen werden durch das Aufbringen einer Nanopartikelmaske auf dem Substrat bereitgestellt. Durch die Nanomaske werden effektive Kontaktflächen im Bereich von 3 nm bis 7 nm bereitgestellt. Die Nanopartikelmaske kann z.B. aus SiO_x-Nanopartikeln direkt auf einem Siliziumwafer aufgebracht werden.

Die auf der verbleibenden freien Fläche, der effektiven Kontaktfläche, aufgewachsenen organischen Speichermoleküle können mittels Elektronenstrahllithographie ohne Verwendung von Strukturmasken in Streifen von z.B. 20 nm Breite strukturiert werden. Die streifenförmigen Bereiche mit darauf aufgewachsenen organischen Molekülen können eine Breite von 15 nm bis 50 nm besitzen. aber den Elektrodenstrahl, der sehr fein fokussierbar ist und somit genaue Strukturierung zulässt, werden die organischen Speichermoleküle in dem vom Strahl getroffenen Bereich z.B. durch Verdampfen oder Schmelzen und chemisches Umwandeln entfernt. Die darunter liegende Schicht kann z.B. von Silizium in Siliziumoxid verwandelt werden. Somit lässt sich ein nichtflüchtiges, molekulares organisches Speicherelement herstellen, das einen erheblich kleineren Speicherplatz benötigt, mit geringerem Leistungsbedarf auskommt und sich mit geringerem Aufwand umsetzen lässt.

Zur Komplettierung der Speicherzelle mit organischen Molekülen wird auf die Moleküle und die Nanomaske ein oberer Kontakt (Topkontakt) sehr schonend aufgebracht. Dies kann z.B. durch Aufdampfen einer Goldschicht im Vakuum bei gekühltem Substrat erfolgen. Auch mit Titan oder Palladium beschichtete Kohlenstoffnanoröhren (C-Nanotubes) können als Topkontakt verwendet werden.

In der vorliegenden Erfindung werden somit die eingangs erwähnten Probleme dadurch gelöst, dass auf einem bereitgestellten Substrat eine Nanomaskenstruktur hergestellt wird, auf dem Substrat eine selbstorganisierte Monolage eines organischen Speichermoleküls aufgewachsen wird, die Substratoberfläche mittels eines Elektrodenstrahls strukturiert wird und anschließend auf die Schicht aus organischen Speichermolekülen und die Nanomaske ein oberer Kontakt aufgebracht wird.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Erfindungsgegenstandes.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist das bereitgestellte Substrat ein Siliziumwafer.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung bestehen die Nanopartikel aus SiO_x- oder ZnO-Nanopartikeln oder isolierenden Metalloxid-Nanopartikeln.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die organischen Speichermoleküle über eine Nitrilgruppe an das Siliziumsubstrat gebunden.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der obere Kontakt durch Aufdampfen einer Goldschicht aufgebracht. Dabei ist es besonders bevorzugt, wenn das Substrat während des Aufdampfens gekühlt wird und/oder wenn das Aufdampfen im Vakuum durchgeführt wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung kann der obere Kontakt ein mit Titan oder Palladium beschichtetes Kohlenstoffnanoröhrchen sein.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Siliziumsubstrat nach dem Aufwachsen der selbstorganisierten Monolage aus organischen Speichermolekülen gespült und getrocknet. Die Trockung kann durch einen Strom aus getrocknetem Inertgas erfolgen. Bevorzugt erfolgt die Trocknung im trockenen Stickstoffgasstrom.

Bevorzugt ist ein Speicherelement in einem Cross Point Array angeordnet.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen:
1 eine nach herkömmlichem Verfahren hergestellte Anordnung eines nichtflüchtigen Speicherelementes;
2 die Anbindung organischer Speichermoleküle an eine Goldoberfläche und die Kontaktierung mittels eines Palladiumtopkontaktes nach dem Stand der Technik;
3 eine nach dem Ausführungsbeispiel hergestellte Nanostruktur mit 2,9-nm-Öffnungen;
4 eine nach dem Ausführungsbeispiel hergestellte Nanostruktur mit 7,9-nm-Öffnungen;
5 eine schematische Darstellung der Oberflächenstruktur der Speicherzelle nach Ausbilden der Nanomaske, Auftragen der organischen Moleküle und vor der Strukturierung.
6 eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Oberflächenstruktur der Speicherzelle nach der reaktiven Elektronenstrahlstrukturierung und vor der Abscheidung des oberen Kontaktes; und
7 eine schematische Darstellung der aktiven molekularen Speicherzelle in der Seitenansicht.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
1 zeigt ein nichtflüchtiges Speicherelement mit organischen Molekülen nach dem Stand der Technik. Für die Herstellung eines solchen Speichermoleküls sind bisher aufwändige Prozessschritte notwendig gewesen. Hierunter fallen das Ätzen einer schüsselförmigen Mulde in den Wafer, das Ätzen von Poren in eine Membran 1 aus SiN, das Einfüllen des Gold-Bottomkontaktes 3 sowie das mechanische Polieren des Goldkontaktes. 1 zeigt des Weiteren die auf dem Goldkontakt aufgetragenen organischen Moleküle 4 sowie einen aufgebrachten Topkontakt 2 aus Titan und Gold.
2 zeigt einen Ausschnitt aus einem solchen Speicherelement nach herkömmlicher Bauart. Dabei sind organische Moleküle über eine Schwefelbrücke auf einer Goldschicht 6 verankert. Der Topkontakt 7 wird durch ein mit Palladium beschichtetes Kohlenstoffnanoröhrchen hergestellt.
Die 3 und 4 zeigen eine nach dem Ausführungsbeispiel hergestellte Nanomaskenstruktur mit 2,9-nm- bzw. 7,9-nm-Öffnungen.
5 zeigt die schematische Darstellung der Oberflächenstruktur vor der Strukturierung mit einem Elektronenstrahl. Auf einem Substrat 8 sind dabei Nanopartikel 9 aufgebracht. In den Freiräumen zwischen den Nanopartikeln sind organische Speichermoleküle 10 in Form einer SAM aufgetragen.
6 zeigt die schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Oberflächenstruktur der Speicherzelle nach der reaktiven Elektronenstrahlstrukturierung mit einem Elektronenstrahl 12 und vor der Topkontaktabscheidung. Die Nanomaskenpartikel 9 werden auf einem Substrat aus Silizium 8 aufgebracht. Die Aufbringung einer oxidischen Nanostruktur wird z.B. in R.F. Mulligan, A. Iliadis, P. Kofinas: J. Appl. Polymer Science, Vol. 89, (2003) S. 1058 und R.T. Clay, R.E. Cohen; Supramol. Science Vol. 5 (1998) S. 41 am Beispiel von ZnO ausführlich beschrieben. Ebenso lassen sich aus anderen Metallen Metalloxid-Nanopartikel herstellen. Obwohl Nanopartikel aus ZnO eine geeignete Maskenstruktur erzeugen können, werden bevorzugt Nanopartikel aus SiO_x auf Siliziumsubstraten verwendet. Nach der Bereitstellung der Nanomaske werden organische Moleküle 10 auf der Oberfläche aufgewachsen. Dies erfolgt mittels SAM. Während des Strukturierens kann die von organischen Molekülen befreite Fläche 8b zu Siliziumoxid oxidiert werden.
Ausgangssubstanzen für die Synthese einer oxidischen Nanostruktur sind die Block-Copolymere bestehend aus Polynorbornen und Poly(norbornendicarbonsäure). Diese Copolymere bilden die Vorlage für die Nanopartikelstruktur. Nach der Synthese des Copolymers wird dieses nach dem Trocknen wieder in Lösung gebracht. In diese Lösung wird dann die in z.B. Tetrahydrofuran gelöste Menge von z.B. SiCl₄ oder ZnCl₂ eingebracht. Die Kationen, wie z.B. Si⁴⁺ oder Zn²⁺, verbinden sich in der Lösung mit den Carboxylgruppen des einen Block-Copolymers.
Bringt man diese Lösung auf das Substrat, z.B. ein Silizium-Bottom-Elektrodensubstrat, auf, wächst eine Schicht in einem selbstorganisierten Prozess in hexagonal geordneter Weise. Die Lösung kann mittels Schleudern aufgebracht werden, oder das Substrat wird in die Lösung eingetaucht. Das entsprechende Salz aus z.B. Si⁴⁺ oder Zn²⁺ und Carboxylat kann mittels Ammoniumhydroxid in ein Metall- oder Siliziumoxid umgewandelt werden. Das Copolymer wird anschließend durch Plasma-Ashing entfernt. Die Entfernung des Copolymers ist auch durch andere Plasmaverfahren oder chemisches Lösen möglich. Dadurch entsteht auf dem Substrat eine Nanomaskenstruktur aus Nanopartikeln. Die Nanopartikelgröße und die Nanomaskenöffnung kann im Bereich zwischen 2,5 nm und 15 nm variiert werden.
Die organischen Moleküle werden durch die Methode der Abscheidung selbstorganisierter Monolagen (SAM) aufgewachsen. Dabei besitzen die organischen Moleküle eine Nitrilgruppe, über die eine Anbindung des Moleküls an die Substratoberfläche aus Silizium erfolgen kann. Beispielhaft kann 2'-Amino-4-ethinylphenyl-4'-ethinylphenyl-5'-nitro-l-benzonitril als organisches Molekül verwendet werden. Zur Aufbringung der selbstorganisierten Monolage wird das Substrat in eine Lösung der Moleküle getaucht. Nach der Abscheidung kann das Substrat gespült werden und bevorzugt im trockenen Stickstoffstrom getrocknet werden.
Das mit der Nanopartikelmaske und den organischen Speichermolekülen versehene Substrat wird anschließend mit einem Elektronenstrahl strukturiert. Diese Strukturierung kann in sauerstoffreicher Atmosphäre durchgeführt werden, wodurch das Siliziumsubstrat an der Oberfläche leicht aufoxidiert wird. Dabei werden die SiO_x-Nanopartikel durch den niederenergetischen Elektronenstrahl nicht verändert oder lediglich weiter oxidiert.
7 zeigt in der Seitenansicht die schematische Darstellung der aktiven molekularen Speicherzelle. Auf die Nanopartikelmaske 9 wurde ein Goldkontakt 11 aufgebracht. Dieser wird sehr schonend z.B. durch Aufdampfen im Vakuum und/oder bei gekühltem Substrat aufgebracht. Auch die Verwendung von mit Titan oder Palladium beschichteten Kohlenstoffnanoröhrchen als oberer Kontakt bzw. Topkontakt ist möglich. Der obere Kontakt wird dabei von den Nanopartikeln 9 der Nanopartikelmaske getragen und berührt die organischen Speichermoleküle.
Durch Kontaktieren der beiden Kontakte 8 und 11 kann über die molekularen Drähte aus organischem Speichermaterial ein Strom fließen. Durch Anlegen von Spannungen höher als die Schwellspannung kann das organische Molekül zwischen zwei resistiven Zuständen umgeschaltet werden.
Beispiel
Es wird eine Siliziumelektrodenstruktur auf der Grundlage der SOI-Technologie hergestellt. Hierzu wird ein oxidierter Siliziumwafer mit einem elementaren Siliziumwafer unter hohem Druck und hoher Temperatur zusammengepresst und nachfolgend die Siliziumwaferseite mittels Chemical Mechanical Polishing (CMP) abgedünnt. Die Siliziumbahnen werden mittels derzeit eingesetzter Siliziumätztechniken, wie z.B. dem Trockenätzen mittels reaktivem Plasmaätzen auf der Basis von HBr und O₂ oder SF₆ geätzt. Anschließend wird ein Copolymer aus Polynorbornen und Poly(norbornendicarbonsäure) hergestellt. Nach Trocknen des Copolymers wird dieses wieder in Lösung gebracht und dann die in THF gelöste stöchiometrische Menge von SiCl₄ zugegeben. Diese Lösung wird auf das Siliziumsubstrat aufgebracht. Dabei wächst die Schicht in einem selbstorganisierten Prozess in hexagonal geordneter Weise. Durch Ammoniumhydroxid wird das Siliziumsalz in Siliziumoxid umgewandelt. Anschließend wird das Copolymer durch Plasma-Ashing entfernt. Es verbleibt eine Nanomaskenstruktur aus Nanopartikeln (siehe
3 und 4) auf dem Wafer. Auf das so präparierte Substrat wird 2'-Amino-4-ethinylphenyl-4'-ethinylphenyl-5'-nitro-1-benzonitril in einem Lösungsmittel gelöst aufgetragen. Das Substrat wird mit dem Lösungsmittel gespült und im trockenen Stickstoffstrom getrocknet. Der mit dem organischen Speichermolekül und der Nanopartikelmaske versehene Siliziumwafer wird mit einem Elektronenstrahl in sauerstoffreicher Atmosphäre strukturiert. Mit dem fein fokussierten Elektronenstrahl wird die organische Molekülmonolage in definierten Bahnen entfernt. Die SiO_x-Nanopartikel werden dabei nicht verändert oder höchstens weiter aufoxidiert. Die Siliziumoberfläche wird durch die Aufheizung in sauerstoffreicher Atmosphäre leicht oxidiert.
Zur Vervollständigung der organischen Molekülspeicherzelle wird auf die Nanopartikel und die organischen Moleküle sehr schonend durch Aufdampfen im Vakuum bei gekühltem Substrat eine Goldschicht aufgebracht.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.

1: Membran aus SiN
2: Obere Elektrode aus Ti/Au
3: Untere Elektrode aus Au
4: Organische Speichermoleküle
5: Siliziumsubstrat
6: Goldkontakt
7: Pd-Topkontakt
8: Substrat aus Si
9: Nanomaske
10: Leitfähige Pfade
11: Oberer Elektrode aus Au
12: Elektronenstrahl

Claims

Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen Speicherelements mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Substrates (8); b) Herstellen einer Nanomaskenstrukur (9) auf dem Substrat (8); c) Aufwachsen einer selbstorganisierten Monolage eines organischen Speichermoleküls (10) auf dem Substrat (8) auf dem nicht von der Nanomaskenstrukur (9) bedeckten Bereich; d) Strukturieren der Substratoberfläche (8) mittels eines Elektrodenstrahls (12) zum Ausbilden von Bereichen mit organischen Speichermolekülen (8a) und Bereichen ohne organische Speichermoleküle (8b); e) Aufbringen eines oberen Kontaktes (11) auf aus organischen Speichermolekülen (10) und der Nanomaske (9) gebildeten Monolage.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat (8) ein Siliziumsubstrat ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Nanomaske Nanopartikel (9) aufweist, und die Nanopartikel SiO_x- oder ZnO-Nanopartikel oder isolierende Metalloxid-Nanopartikel sind.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die organischen Speichermoleküle (10) über eine Nitrilgruppe an das Substrat (8) gebunden werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der obere Kontakt (11) durch Aufdampfen einer Goldschicht aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Substrat (8) während des Aufdampfens gekühlt wird.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Aufdampfen im Vakuum durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der obere Kontakt (11) ein mit Titan oder Palladium beschichtetes Kohlenstoff-Nanoröhrchen ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach Schritt c) das Substrat (8) getrocknet wird.