WO2010013790A1 - Materiau en alliage de cuivre pour composants electriques et electroniques et procede de fabrication associe - Google Patents

Materiau en alliage de cuivre pour composants electriques et electroniques et procede de fabrication associe Download PDF

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Abstract

L’invention concerne un matériau en alliage de cuivre pour composants électriques et électroniques, présentant la composition suivante : 0,5-2 % en masse de Co et 0,1-0,5 % en masse de Si, le reste étant constitué de Cu et d’impuretés inévitables. Le diamètre de grain cristallin de l’alliage de cuivre du matériau de base est de 3-35 mm, le diamètre de particule d’un précipité composé de Co et de Si est de 5-50 nm et la densité du précipité est comprise entre 1×108 et 1×1010 particules/mm2. La résistance à la traction de ce matériau en alliage de cuivre est d’au moins 550 MPa et la conductivité est d’au moins 50 % I.A.C.S.
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