WO2010005094A1 - 光電変換素子 - Google Patents

光電変換素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2010005094A1
WO2010005094A1 PCT/JP2009/062645 JP2009062645W WO2010005094A1 WO 2010005094 A1 WO2010005094 A1 WO 2010005094A1 JP 2009062645 W JP2009062645 W JP 2009062645W WO 2010005094 A1 WO2010005094 A1 WO 2010005094A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductor
compound
conductors
oxide
electron
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/062645
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
上谷保則
本多祥晃
竹中幸子
Original Assignee
住友化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友化学株式会社 filed Critical 住友化学株式会社
Priority to EP09794537A priority Critical patent/EP2302713A1/en
Priority to US13/002,584 priority patent/US9362515B2/en
Priority to CN200980126167.XA priority patent/CN102084513B/zh
Publication of WO2010005094A1 publication Critical patent/WO2010005094A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115Polyfluorene; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151Copolymers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Definitions

  • This book relates to photons.
  • an object is to provide a photon with high photoelectric efficiency.
  • a photoelectron having an activity between, and, having a conductor and a conductor, and a product of the conductor and the conductor being on the basis of activity 3 plus 0 2.
  • the product of the total is the activity 3
  • the child which is below. Third, it provides a child whose activity includes a polymer compound. Fourth, the present invention provides a child containing an active conductor and a polymer compound. To carry out Ming
  • It has a crystal structure, such as a compound of a conductor that is an electron compound and a conductor that is an electron donating compound.
  • the conductor of activity contains the conductor by separating the conductor from the conductor.
  • the product of Akira's activity 3 is 002
  • a method for determining the P compound there is a method of obtaining the area by observing the activity 2 using a transmission microscope (). By observing a characteristic image of the element contained in the conductor and / or the type conductor, the p-type conductor and the conductor can be separated and observed. Naturally Some of the highlights are elemental pegging with a negita, a negre with a neg value that gives the same trust as the elemental wrapping, and a neglect X analysis with a scanning microscope (S
  • the element image by X For example, the element image by X). Compared with the type conductor conductor, it is possible to calculate the sum by performing two processes: an image in which the bright phase is white and the dark phase is black. In this case, you can use the three mole images. It can be manufactured by using, for example, a mold conductor and / or a solution in which the mold conductor is dissolved.
  • the factors determined by the combination are the dissolution of the conductor and the dissolution of the conductor. It is preferable that the conductor's resolution with respect to 00 is 0 ⁇ 0. Also, it is preferable that the conductor has a resolution of 5 to 20 with respect to 00. If the solution is too high, the separation from the mold conductor and conductor tends to be fine, and the charge mobility tends to be poor. On the other hand, if the resolution is too low, there is a tendency for charge separation to become worse.
  • the electrodes (and most likely) of the light child include metals, bores and their conductors, bots and their conductors, and metals are preferred.
  • Including metals include thium, um, naum, gne, aum, camium, um, scandium, titanium, nadium, cum, nga, iron, iron, tin, ga, gam, ga , Bidium, strium, yttrium, dium , O, bude, um, dium, radium, silver, cadmium, indium, tin, anti, cesium, um, rata, fum, tanta, tungsten, um, osmium, idium, platinum, gold, mercury , Taum, bis, rata and the like. It is also possible to use gold of these metals, graphite, or a mixture with these graphites.
  • Examples of the inclusion include an electrode made of a metal and a compound containing the following.
  • the electrode of the genus may contain not only metals but also metal and metal objects. However, when the amount of metal is set to 00, the total of metal compounds and metal objects is less than 0. It is preferable that it is substantially made of only metal.
  • Examples of the metal oxide in the potential oxide include indium oxide, oxidization oxide, and combinations thereof such as indium tin oxide (O) and iridium oxide.
  • Examples of the electrode manufacturing method include vacuum deposition, sputtering, ion plating, and plating. It is also possible to produce electrodes with metal ink, metal stock, genus, ink containing organic matter, etc.
  • the electrode is not deformed when forming an electrode and forming a layer containing an organic substance.
  • the material include glass, plastic, polymer film, and the like.
  • the opposite (, board etc. It is preferable that the electric) is transparent.
  • the fee for writing include the following. Specifically, it was made using materials such as indium, zinc oxide, tin oxide, and their combination of iridium tin oxide (O), iridium xoxide, etc. (S etc.) Gold, platinum, silver are used, and O, iridium oxide, and tin oxide are preferred. Explain the working mechanism of the child.
  • the leeks from the bright pole are collected by electron compounds and / or electron donors, producing excitons that combine electrons and pho.
  • exciton formed moves and reaches the surface where the electron compound and electron donating compound are in contact, each OO onion O onion on the surface can cause the child and ho to move independently.
  • Child and ho are generated.
  • the generated electric charges can be taken out as external electric springs () by moving. It has the activity of containing an electron compound and an electron donor between the bright electrodes.
  • the compound usually corresponds to a type conductor. Child-giving compounds usually correspond to type conductors.
  • the OO leek of the electron or electron compound that is suitably used for the child is higher than the OO leek of the electron donating compound, and the O leek of the compound is higher than the O leek of the electron donating compound.
  • the child-given compound may be a compound or a polymer compound. Examples of the compound include a, metal tar, poi, metal boiler, orio, tetrace, tase, and the like.
  • the compounds are: Oxazo conductor, Atlas meta and its conductor, Nzokino and its conductor, Futokino and its conductor, Anthraquino and its conductor, Tetra anoanthra meta and its conductor, Ono conductor, Dichi and its conductor, Zinon conductor, 8
  • nant conductors such as natrins.
  • Molecular compounds include: Bolivis and its conductors, Polylane and its conductors, Boxane conductors with side openings, Pore and their conductors, Potion and its conductors, Boppi and their conductors, Bobi and their conductors, Bolivi and their Conductors, po and their conductors. That is why the conductor is preferred.
  • Examples of the hula include runners such as C0, C, and carbon, and their conductors.
  • the C hula conductors include the following.
  • the combination of the La conductor and the run conductor in an activity containing the electron donating compound is preferably 0 to 00 with respect to the electron donation 00, and 50 to 50. Is more preferred. It is preferred that the activity in the child is high, and that the polymer compound is included, and the polymer compound may be used alone or in combination of two or more. Even so, it is preferable that the activity includes a conjugated molecular compound and a run conductor. For example, it can be an organic activity containing a conjugated molecule and a conductor.
  • Molecular compounds include: substituted ony, unsubstituted ony, zofrajy, unsubstituted zoffy, unsubstituted zodiy, non-substituted oy, unsubstituted radio, non-substituted pi
  • Two or more kinds selected from the group consisting of dii, unsubstituted asiazoi, unsubstituted nunzyi, substituted chimbizi, and unsubstituted toi group are used as repeating units, and repeaters are directly Polymer compounds bonded together.
  • examples thereof include, bi, tajii, and atlas ji.
  • a molecular compound two or more types selected from the group consisting of a polymer compound having a phenoxy group and an oyster grave are used as repeating units, and a repeating unit is bonded via a direct link.
  • Molecular compounds In general, it is ⁇ 0, preferably 2 to 0, more preferably 5 to 5 and even more preferably 2 200.
  • the organic film used in the method may be a method using a solution containing a conjugated molecule compound and a conductor. From liquids, spint, cast, gravure, gravure,, g, wire, dit, spt, screen,, auto Set, quizzes, dice sa, noz
  • hydrocarbons such as Ton, Ki, Met, Tetrane, Kan, Bik, Tibeze, S Chize, Chinze, Carbon Tetrachloride, Quom, Kumeta, Kuta , Kutta, buta, kupeta, butane, kuxane, kissa, kuxane, kuxa, etc.
  • Examples include hydrogen saturated hydrogen, tetradrane, tetrara and the like.
  • the active electrode active layers There may be further inorganic between the active electrode active layers.
  • materials included in the above are, for example, titanium oxide, tin oxide, zinc oxide, iron oxide, tungste oxide, zinc oxide, oxide, strontium oxide, indium oxide, cerium oxide, it oxide, lanthanum oxide, Metal oxides such as sodium oxide, oboxide, titanium oxide, gallium oxide, oxide, titanium strontium, titanium, okaum, and tantalum silver, silver, silver, silver, copper, titanium, etc.
  • Gold zinc, titanium, bismuth, um, dium, tantalum, de, silver, copper, tin, tungste, atimon and other metal cerium, cesium, zinc, cesium Gold such as chita, cedium, centaungste, senmobude, senbisu, cesium sane, tetaste, temode, tezinc, tebisus, etc.
  • gold such as zinc, lithium, phosphorous indium, and um, indium cerium, indium oxide, gallium, and the like, and may be a mixture of two or more of these.
  • the compound include a compound with zinc oxide oxide and a compound with tin titanium oxide.
  • photoelectric power is generated at the electrodes, and it can be operated as a positive battery. It can also be used as a thin-film positive battery module by stacking positive batteries.
  • a photocurrent flows and it can operate as a sensor. It can also be used as an image sensor by stacking sensors.
  • the expressed interface (bottom, molecular compound) 2 2 was obtained.
  • the molecular compound was the average of 5 ⁇ and the weight average numerator of X0.
  • composition 2 was produced by passing through a Tef () filter with pores 0.
  • Compound 5 was mixed as a molecular compound of 5 as an electron donor compound.
  • the hole O was passed through (1) to produce composition 3. (Of 4)
  • composition (5) was prepared by passing the lizard in the solution.
  • composition 2 an organic positive battery was prepared in the same manner as in the implementation, and the photoelectric constant was measured. Display the results. (Evaluation of positive battery)
  • composition 4 an organic battery was prepared in the same manner as in the implementation, and the photoelectric rate was measured. Display the results.
  • the composition was applied onto the glass by a spin to obtain a layer corresponding to (00n) of the organic positive battery. Then, it was dried under vacuum. ⁇ gX Pa.
  • Used J 2200 S manufactured by Honden Electronics Co., Ltd.
  • the observation of the P-type conductor part and the conductor component was performed by obtaining a pig image of sulfur by the law.
  • Tok's 3 soot 3 O the resulting image is binarized by making the phase containing the polymer compound, which is the part, white, and the phase containing 60 PC, the dark part, black.

Abstract

陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に活性層を有し、該活性層がn型半導体とp型半導体とを有し、該n型半導体と該p型半導体とのpn接合の面積が、活性層1μm3あたり100μm2以上である光電変換素子。

Description

術分野
本 、 光電 子に関する。
年、 光 ネ ギ を利用した有機光電 ( 陽電池、 光セ サ ) が着目されて る。 とりわけ、 型 導体とp 導体 を含む を有 する ジャ ク ョ 陽電池が着目されて る ( pp ed Phys cs Le e s o 58 ( 99 ) 062 明の
し し、 上記 ジャンク ョ 大 電池のよ
ク ョン 子にお て、 その 率を高めるための 必ずしも明らかで な た。
そこで 、 光電 率が高 光電 子を提供することを目的 す る。 第一に、 、 との間に活性 を有し、 導体と 導体とを有し、 導体と 導体との 合の 積が、 活性 3あた 0 2 上である光電 子を提供 する。 第二に、 合の 積が、 活性 3
は あた 300 2
は 下で ある前記 子を提供する。 第三に、 活性 が高分子 合物を含む 子を提供する。 第四に、 活性 ラ 導体と高分子 合物とを含む 子を提供する。 明を実施するための
下に本 明を詳細に説明する。
明の 子の 、 電子 化合物である 導体と電子 供与 化合物である 導体との 合物 らな 、 ク ョ 造を有する。
ク ョ 造にお ては、 活性 が含有する 導体と 導体が相 離することによ て、 活性 の 合を生じる。 明 の 、 活性 3あた の 合の 積が 00 2
は 上で ある。 電荷 、 合で生じるため、 合の 00 2 は とすることで、 光電荷 離が起こ やす な 、 光電 率が高 なる。 合の 、 5 2
は 上が好まし 、 30 2
は 上がよ 好まし 。 来の 、 活性 合の 積が小 ため、 光電荷 離が 起こりに 、 十分な光電 率が得られな た。 P 合の 積が大きすぎる場合、 細か 造を有し、 型、 型の各 の 域が細か 分断され、 型 導体 P 導体 部での 送に障害 を生じる傾向がある。 合の 、 活性 3あた 、 300 2
p 下が好まし 、 250 2
は 下がよ 好まし 。 P 合の の 定方法としては、 透過 子顕微鏡 ( ) を用 て活 性 2 察することにより面積を求める方法が挙げられる。 を用 て 導体および または 型 導体が含有する元素に特徴的な像を観察する ことによ 、 p型 導体と 導体を分離して観察することができる。 素に 徴的な としては、 ネ ギ ィ タ による元素 ッピ グ 、 元 素 ッピング と同じ ントラストを与える ネ ギ 値を用 た ネ ギ ス 、 走査 子顕微鏡を用 た ネ ギ X 分析 ( S
X) による元素 ッピ グ像などが挙げられる。 型 導体 導体 とを 較して、 明る 相を白に、 暗 相を黒にする像の2 理を行 ことで 合の 算出することができる。 合の 、 の3 モグラ ィ 像を用 て めることもで きる。 明の 子の 、 例え 、 型 導体及び 又は 型 導体 を 溶解した 液を用 る により製造することができる。
この 合、 合の 定める要因の に、 対する 導体の 解性及び 対する 導体の 解性がある。 00 に対する 導体の 解度が0・ ~ 0 であることが好まし 。 また、 00 に対する 導体の 解度が5~20 であることが好まし 。 解度が高すぎる場合、 型 導体 導体 との 離が細 な 、 電荷の 動度が悪 なる傾向がある。 方、 解度が低すぎると、 離が な 、 電荷 離が悪 なる傾向がある。 明の 子が有する電極 ( および たほ ) として 、 金 属を含む 、 ボ ア びその 導体、 ボ チオ びその 導体 の 機の 含む があげられ、 金属を含む 好まし 。 含む における金属としては、 チウム、 ウム、 ナ ウム 、 グネ 、 ア ウム、 カ ウム、 ウム、 スカ ジウム、 チタン 、 ナジウム、 ク ム、 ンガ 、 鉄、 ト、 ッケ 、 、 、 ガ ウ ム、 ゲ ウム、 ビジウム、 スト チウム、 イット ウム、 ジ ウム 、 オ 、 ブデ 、 ウム、 ジウム、 ラジウム、 銀、 カド ウム、 インジウム、 スズ、 アンチ 、 セ ウム、 ウム、 ラ タ 、 フ ウム、 タンタ 、 タングステン、 ウム、 オス ウム、 イ ジウム、 白金、 金、 水銀 、 タ ウム、 、 ビス ス、 ラ タ 等が挙げられる。 これら金属の 金や、 グラ ァイト又はこれらの グラ ァイ との 合物 用 ることも できる。 属の中では、 ア ム、 グネ 、 チタ 、 ム、 鉄、 、 ケ 、 、 、 ガ 、 ジ ウム、 モ ブデン、 銀、 イ ジウム、 ス が好まし 。 含む としては、 金属 らなる電極、 の 化物 含む があげられる。 属 らなる電極は、 金属に加え、 金属の 、 金属の ゲ 物を含んで てもよ が、 金属 量を 00とした場合に、 金属の 化物の 金属の ゲン 物の との 計が 0 下であることが好ま し 、 実質的に、 金属のみからなることがよ 好まし 。 電位の 化物 含む における金属 化物としては、 酸化インジウム 、 、 酸化ス 、 びそれらの 合体であるイ ジウム・スズ・ キサイ ド ( O) 、 イ ジウム・ ・ キサイド等があげれられる。 極の 製方法としては、 真空蒸着 、 ス ッタ ング 、 イオンプ テ イング 、 メッキ が挙げられる。 その 、 金属インク 金属 ス ト、 属、 有機物を含むイ ク等を用 て、 で電極を作製することもできる
明の 、 通常、 基 上に形成される。 この 、 電極を形 成し 有機物を含む層を形成する際に変形しな ものであるこ が好まし 。 の 料としてほ、 例えば、 ガラス、 プラスチック、 高分子フィ ム、 ン 等が挙げられる。 透明な基 を用 る場合には、 反対の ( 、 板 ら 方の電 ) が透明 明であることが好まし 。 記の 明の 料 しては、 の 、 明の が挙げられる。 体的には、 インジウム、 酸化亜鉛、 酸化スズ、 びそれらの 合体であるイ ジウム・スズ・ キサイド ( O) 、 イ ジウ ム・ ・ キサイド等 らなる 料を用 て作製された ( S 等 ) や、 金、 白金、 銀、 が用 られ、 O、 イ ジウム・ ・ キサイド 、 酸化スズが好まし 。 子の 作機構を説明する。 明の 極から した ネ ギ が電子 化合物及び 又は電子供与 物で 収され、 電子とホ の 合した励起子を生成する。 成した励起子が移動して、 電子 化合 物 電子供与 化合物が 接して る 面に達すると 面でのそれぞ れの O O ネ ギ O ネ ギ の により 子とホ が 、 独立に動 こ ができる電荷 ( 子とホ ) が発生する。 生した電荷 は、 それぞれ 移動することによ 外部 電気 ネ ギ ( ) として取 り出すことができる。 明の 、 極の間に電子 化合物及び電子供与 物を含有する活性 を有する。 化合物は、 通常、 型 導体に 当する。 子供与 化合物は、 通常、 型 導体に 当する。 子に好適に用 られる電子 、 電子 化合物の O O ネ ギ が電子供与 化合物の O O ネ ギ よ も高 、 、 化合物の O ネ ギ が電子供与 化合物の O ネ ギ よ も高 なる。 子供与 化合物は、 合物であ ても高分子 合物であ てもよ 。 合物としては、 ア 、 金属 タ ア 、 ポ イ 、 金属ボ イリン、 オリ オ 、 テトラセ 、 タセ 、 等が 挙げられる。 分子 合物としては、 ポ ゾ びその 導体、 ポ ラ びその 導体、 側 ア を有するポ キ 導体、 ポ ア リン びそ 導体、 ポ チオ びその 導体、 ポリ ピロ びその 導体、 ポ フ ビ びその 導体、 リチ ビ びその 導体、 ボ オ びその 導体 が挙げられる。 と わけ 分子 合物が好まし 、 共役 分子 合物がより好まし 。 化合物は、 合物であ ても高分子 合物であ てもよ 。 合物 しては、 オキ アゾ 導体、 ア トラ メタ びそ の 導体、 ンゾキノ びその 導体、 フトキノ びその 導体、 アント ラキノ びその 導体、 テトラ アノアンスラ メタ びその 導体、 オ ノ 導体、 ジ チ びその 導体、 ジ ノン 導体、 8 ン びその 導体の 体、 ボ
びその 導体、 ボ サ びその 導体、 ボ オ ン びその 導体、 C 0等のフラ ン びその 導体、 2、 9 メチ ー4 7 ジ 、 ナ ト リン等の ナント 導体 が挙げられる。 分子 合物 しては、 ボリビ ゾ びその 導体、 ポリ ラン びその 導体、 側 ア を有するボ キサン 導体、 ポ ア びその 導体、 ポ チオフ ン びその 導体、 ボ ピ び その 導体、 ボ ビ びその 導体、 ボリ ビ びその 導体、 ポ オ びその 導体 が挙げられる。 わけ ラ びその 導体が好まし 。 フラ 類としては、 C 0、 C 、 カ ボン チ ブ等の ラ ン びその 導体が挙げられる。 C フラ の 導体としては、 以下のよ なも のが挙げられる。
Figure imgf000008_0001
化合物 して、 ラ 導体を用 る場合、 ラ 導体及 び電子供与 化合物を含有する活性 における ラ ン 導体の 合が、 電子 供与 00 に対して、 0~ 00 であることが好まし 、 50~50 であるこ がより好まし 。 明の 子における活性 、 高分子 合物を含むことが好まし 、 高分子 合物を 種 独で んで ても二種以上を組み合わ て んで て よ 。 申でも、 活性 に共役 分子 合物と ラ ン 導体とを含むことが 好まし 。 えば、 共役 分子 物と ラ 導体とを含有する有機 活性 として ることができる。 分子 合物としては、 換の オ ンジイ 、 非 置換の オ ジイ 、 ゾフラ ジイ 、 非 置換 の ゾ オフ イ 、 非 置換の ゾ ジイ 、 非 換の オ イ 、 非 置換の ラ ジイ 、 非 は置換のピ ジイ 、 非 置換の アジアゾ ジイ 、 非 置換の ンビ ジイ 、 置換のチ ンビ ジイ 、 び非 置換のト イ 基 らなる群 ら選ばれる一種 二種以上を繰 返し 位とし、 り返し 士が直接 を介して結合した高分子 合物 があげられる。 分子 合物にお て、 前記 り返し 士が連結 を介して結合 して る場合、 としては、 例え 、 、 ビ 、 タ ジイ 、 ア トラセ ジイ 等があげられる。 分子 合物の まし 例としてはフ オ ジイ 基を有する高分子 合物および オ イ 墓 らなる群 ら選ばれる一種 二種以上を繰 返し 位とし、 り返し 士が直接 連結 を介して結合した高分子 合物 があげられる。 、 、 通常、 ~ 0 であ 、 好まし は2 ~ 0 であ 、 よ 好まし は5 ~5 であ 、 さらに好 まし は2 200 である。 に用 られる有機 膜の 、 例え 、 共役 分子 合物 ラ 導体とを含む 液からの による方法があげられる。 液から の には、 スピン ト 、 キヤスティ グ 、 イク グラビア ト 、 グラビア ト 、 、 ト 、 ワイア ト 、 デ ィッ ト 、 スプ ト 、 スクリ ン 、 、 オ セット 、 イ クジ ッ 、 デイス サ 、 ノズ
、 キヤ ラリ ト の を用 ることができ、 スピ ト 、 フ 、 イ クジ ッ 、 デイス サ が好まし 。
としては、 例えば、 ト ン、 キ 、 メ チ 、 テトラ ン、 カ ン、 ビ ク 、 チ ベ ゼ 、 S チ ゼ 、 チ ンゼ 等の炭化水素 、 四塩化炭素、 ク ホ ム、 ク メタ 、 ク タ 、 ク タ 、 ブ タ 、 ク ペ タ 、 ブ タン、 ク キサン、 キサ 、 ク ク キサン、 ク キサ 等の ゲン 化水素 、 ク ンゼ 、 ク
、 ト ク ンゼン等 ゲン 飽和 化水素 、 テトラ ド ラン、 テトラ ラ 等の テ 類 があげられる。
明に用 られる 、 2 上の溶 含んで てもよ 、 上記で 示 した 2 上 んで ても 。 明の 、 電極 活性層の間に、 さらに無機 を有して ても よ 。 に含まれる材料としては、 例えば、 酸化チタ 、 酸化スズ、 酸化 亜鉛、 酸化鉄、 酸化タングステ 、 酸化ジ ウム、 酸化 ウム、 酸化ス トロンチウム、 酸化インジウム、 酸化セ ウム、 酸化イット 、 酸化ラ タ ン、 酸化 ナジウム、 酸化 オブ、 酸化タ タ 、 酸化ガ ウム、 酸化 、 チタン スト ンチウム、 チタン ウム、 オ カ ウム、 タ タ ナト ウム等の金 化物 銀、 化銀、 ウ 目、 化銅、 ッ チ ウム等の金 ゲ 化亜鉛、 チタ 、 イ ジウム、 ビス ス、 ウム、 ジ ウム、 タンタ 、 デ 、 化銀、 化銅、 スズ、 タングステ 、 ア チモン等の金 化物 セ ウム、 セ ジ ウム、 セ 亜鉛、 セ チタ 、 セ イ ジウム、 セ ン タングステ 、 セ ン モ ブデ 、 セ ン ビ ス ス、 セ の セ ン ウム、 テ タ グ ステ 、 テ モ デ 、 テ 亜鉛、 テ ビス ス等の金 テ 0 ン 亜鉛、 リ ガ ウム、 リン イ ジウム、 ウム等の 金 、 イ ジウム セ 物、 インジウム 化物、 、 ゲ ウム等が挙げられ、 また、 これらの2 以上の混合 物であ てもよ 。 合物としては、 例えば 化亜鉛 酸化ス との 合物、 スズ 酸化チタンとの 合物 が挙げられる。 明の 、 透明 明の 極 ら太陽光等の光を照射する ことにより、 電極 に光 電力が発生し、 陽電池 して動作させることが できる。 陽電池を 積することにより薄膜 陽電池モジ として 用 るこ もできる。 に電圧を印 した状態で、 透明 明 極 ら光を照射すること により、 光電流が流れ、 センサ として動作さ ることができる。 センサ を 積することによ イメ ジセ サ として ることもできる。 下、 本 明をさらに詳細に説明するために実施 を示すが、 はこれら に限定 れるものではな 。
下、 本 明をさらに詳細に説明するために実施 を示すが、 はこれら に限定 れるものではな 。 下の にお て、 重合体のポ スチ 算の 均分子量及び 均分子 、 GPCラボラ リ 製GPC (P GP 2000 を用 て めた。 合体を約 度 なるよ に ク ンゼンに溶解 せ て サンプ を調整した。 GPCの としては ク ンゼンを用 、 これを、 測定温度 40oCで、 分の流速で流した。 カラ としては P G 0 XE B (P ラボラ ト 製) を3 直列で げた を用 た。
( 分子 合物 の )
Figure imgf000012_0001
ア 換した2 フラス に化合物 (7 9289 6 72 ) 、 化 合物 ( 3 g 7 60 。 、 メチ ト オ チ ア ウム ライド ( 品名 a A d ch CH N ( H ) H dens y 08849 m 25 で、 ( ) (4 9799) 、 ト ン405 を入れ、 しながら系 を30 ア ブ グにより した。 ク ビス (ト フ ス ィ ) ラジウム ( ) (0 029) を加え、 05 に 、 しながら2 o XLの ナト ウム 溶液42 2 を した。 後5 させ、
(2 69) ト ・8 1を加えて05Cで 6 した。 その 、 ト 700m 7・5 カ ン ナト ウム
200m を加えて85Cで3 した。 その 、 水 を除去し、 有機 60Cの イオン 300 1で2 、 60Cの3 300 で 、 さらに60㌔のイオン
300 で3 した。 ライト、 ア ナ、 シ カを充填した に通し、 ト ン800mで を洗浄した。 液を700m まで した後、 2L のメタノ に 、 再 させた。
合体を して回収し、 500 のメタノ 、 アセトン、 メタノ で し た。 50Cで一晩 することによ 、 下記
Figure imgf000013_0001
表される ンタチ ーフ オ ポ ( 下、 分子 合物 ) 2 2 を得た。 分子 合物 ボ スチ 算の 均分 子 5・ 、 重量 均分子 ・ X 0 であ た。
( 製 )
型 導体である ラ 導体として 5 6 6 C 6 メチ ステ (C60PC ) ( ティアカ ボン 00) と P型 導体である電子供与 化合物として5 の 分子 合物 として 000 ク ゼ とを混合した。 その 、 孔 ・ は のテ ン ( ) イ タ で 過して組成 製造した。
( 2の )
ラ 導体 して5 6 6 C6 メチ ステ (C60PC ) ( ティアカ ボ 00) 電子供与 化合物として5 の 分子 合物 として 0 ク ゼ とを混合した。 その 、 孔 ・ 0 のテフ ( ) ィ タ で 過して組成 2を製造した。 ( 3の ) ラ 導体として 5 6 6 C6 メチ ステ (C60PC ) ( ンティアカ ボ 00) 電子供与 化合物として5 の 分子 合物 と として 000 ク ンゼ とを混合した。 その 、 孔 Oは のテ ( ) フイ 過して組成 3を製造した。 ( 4の )
フラ 導体 して 5 6 6 C6 メチ ステ (C60PC ) ( ンティアカ ボ 00) 電子供与 物として5 の 分子 合物 と して 000 キ ンとを混合した。 その 、 孔 ・ Oは のテ ( ) フィ タ で 過して組成 4を製造した。 ( 5の )
ラ 導体として 5 C70PC (Pheny C7 bu y c ac d me hy es e 、 アメ カ ダイソ ス 、 商品名 S 7 A、 ット 07 022 ) 電子供与 化合物として5 の 分子
して 000 ク ゼンとを混合した。 その 、 カゲ (Wa O e C 300 45~75は ) 、 和光
を の 量に対して 加し、 23 Cで 2 した。 後 、 ・ は のテ ン ( ) ィ タ て溶液中の カゲ を 過し、 組成 5を製造した。
( 陽電池の 、 評価)
ス ッタ法によ 50 の みで O膜を付けたガラス オゾン 理して表面 理を行った。 次に、 スピン トによ 組成 を塗布し、 有機 陽電池の ( 0 ) を得た。 その 、 真空蒸着 によ チウムを 4 で蒸着し、 次 で を nで蒸着した。 着の ときの 、 す て ~ Paであ た。 られた有機 陽電 池の 、 2 2 の 角形であ た。 られた有機 陽電池に ソ ラ タ ( 光計器製、 商品名 TENT SU ㎜・5 フィ タ 、 放射 00 2
cm ) を用 て一定の光を照射し、 発生する電流と電圧を測定 して 率を求めた。 果を表 示す。 2
( 陽電池の 、 評価)
に えて組成 2を用 た以外は実施 同様の 法で有機 陽電池を作製し、 光電 率を測定した。 果を表 示す。 ( 陽電池の 、 評価)
に えて組成 3を用 た以外は実施 同様の 法で有機 電池を作製し、 光電 率を測定した。 果を表 示す。 2
( 陽電池の 、 評価
にかえて組成 4を用 た以外は実施 同様の 法で有機 電池を作製し、 光電 率を測定した。 果を表 示す。 3
( 陽電池の 、 評価)
に えて組成 5を用 た以外は実施 同様の 法で有機 電池を作製し、 光電 率を測定した。 果を表 示す。 評価
( 2 察による 合の の ) ガラス 上に、 スピ トによ 組成 塗布し、 有機 陽電池の ( 00n ) に相当する層を得た。 その 、 真空下で 燥を 行 た。 、 ~gX Paであ た。 次に、 2 察によ 、 導体と 導体 の 界の さの 定を行 た。 はJ 2200 S ( 本電子製) を加速電圧20 Vで用 、 上方 ら900 Xg00 の 囲の層を観察し、 その 800 X800 の 囲の層を面積の 定に用 た。 P型 導体部分と 導体成分の 察を、 3ウィ が法による硫黄 子の ピ グ像を得ることによ て行 た 。 られた像を トック 製の3 ソ ト 3 O を用 て、 る 部分である高分子 合物を含む相を白に、 暗 部分である 60PC を 含む相を黒とすることで2 化し 3
、 は あた の 合の 求 めた。 果を表 示す。 評価 2
2 察による 合の の )
に えて組成 2を用 た以外は評価 同様の 法で は あた の 合の 測定した。 果を表 示す。 評価 3
( 2 察による 合の の )
ガラス 上に、 スピ ト こよ 組成 3を塗布し、 有機 陽電池の ( 00n ) に相当する層を得た。 その 、 真空下で 燥を 行 た。 、 ~gX 0 Paであ た。 次に、 2 察によ り、 導体と 導体との 界の さの 定を行 た。 はJ 220O S 本電子製) を加速電圧200 で用 、 の 方 ら900 Xg0 の 囲の層を観察し、 その 800 X800 の 囲の層を面積の 定に用 た。 型 導体部分と 導体成分の 察を、 20e ネ ギ ス像を得ることによって行 た。 20 eV ネ ギ ス像は、 子の ピ グ と同じ トラストが得 られることを事前に確認した。 られた像を 製の3 ソ 3 O を用 て、 明る 部分である高分子 合物を含む相を白に 暗 部分であるC60PC を含む相を黒 することで2 化し、 3 あた の 合の 求めた。 果を表 示す。 評価 4
( 2 察による 合の の )
に えて組成 4を用 た以外 同様の 法で は あた のp 合の 測定した。 果を表 示す。 評価 5
( 2 察による 合の の )
3に えて組成 5を用 た以外は評価 3 同様の 法で は 3あた の 合の 測定した。 果を表 示す。
た組成 ( ) 2 察による は あたりの 合の u「 )
( 3・ 6
( 2) 2・
2
( ) ・ 8 94
3
( 2) ・ 85
4
3) 3・ 6 9
5
、 3あたりのP 合の 積が 0O 2 上の場合、 高 光 電 率であることが示された。 上の利用 能性
明の 高 光電 率を示すので、 工業的に めて有用である。

Claims

8 求の ・ 、 との間に活性 を有し、 導 体と P 導体 を有し、 導体と 導体との 合の 積が、
3あた 00 2
は 上である光電 。 2・ P 合の 積が、 活性 3あた 300 2
は 下である
記載の 。 3・ が高分子 合物を含む 又は2に記載の 。 4・ フラ 導体 高分子 合物 を含む 3に記載の
PCT/JP2009/062645 2008-07-08 2009-07-07 光電変換素子 WO2010005094A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09794537A EP2302713A1 (en) 2008-07-08 2009-07-07 Photoelectric conversion element
US13/002,584 US9362515B2 (en) 2008-07-08 2009-07-07 Photoelectric conversion element
CN200980126167.XA CN102084513B (zh) 2008-07-08 2009-07-07 光电转换元件

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008177644 2008-07-08
JP2008-177644 2008-07-08
JP2008-299268 2008-11-25
JP2008299268A JP2010041022A (ja) 2008-07-08 2008-11-25 光電変換素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010005094A1 true WO2010005094A1 (ja) 2010-01-14

Family

ID=41507202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/062645 WO2010005094A1 (ja) 2008-07-08 2009-07-07 光電変換素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9362515B2 (ja)
EP (1) EP2302713A1 (ja)
JP (1) JP2010041022A (ja)
KR (1) KR20110038110A (ja)
CN (1) CN102084513B (ja)
WO (1) WO2010005094A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014185536A1 (ja) * 2013-05-16 2014-11-20 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5462998B2 (ja) * 2007-08-10 2014-04-02 住友化学株式会社 組成物及び有機光電変換素子
JP2010041022A (ja) * 2008-07-08 2010-02-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 光電変換素子
JP5639783B2 (ja) * 2010-05-10 2014-12-10 国立大学法人京都大学 光電変換素子
WO2012132828A1 (ja) * 2011-03-29 2012-10-04 住友化学株式会社 有機光電変換素子の製造方法
JP2014189666A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体層形成用組成物及びそれを用いた太陽電池素子
CN106206249B (zh) * 2015-06-01 2019-12-06 中国科学院金属研究所 一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法
CN105698977A (zh) * 2016-03-19 2016-06-22 复旦大学 WTe2单晶作为低温压力传感器材料的应用
KR102650654B1 (ko) 2016-11-08 2024-03-25 삼성전자주식회사 높은 광전변환 효율과 낮은 암전류를 구현할 수 있는 이미지 센서
WO2019082849A1 (ja) 2017-10-23 2019-05-02 住友化学株式会社 光電変換素子およびその製造方法
US10991842B2 (en) 2017-10-23 2021-04-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Photoelectric conversion element
CN109802045B (zh) * 2019-01-16 2021-08-06 苏州大学 NaTaO3和PCBM作为双电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN109802038B (zh) * 2019-01-16 2021-08-06 苏州大学 NaTaO3作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008106239A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機光電変換素子及びその製造に有用な重合体
JP2008141103A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Oji Paper Co Ltd 光電変換素子の製造方法
JP2008536317A (ja) * 2005-04-07 2008-09-04 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ カリフォルニア ポリマー自己組織化による高効率ポリマー太陽電池
JP2008266459A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 共重合体およびそれを用いた有機光電変換素子
WO2009022733A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Sumitomo Chemical Company, Limited 組成物及び有機光電変換素子

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758634A (en) * 1986-09-08 1988-07-19 Honeywell Inc. Method of making electroactive polymers having aromatic and quinonoid bonding structures
US6344272B1 (en) * 1997-03-12 2002-02-05 Wm. Marsh Rice University Metal nanoshells
CA2312140A1 (en) * 1999-06-25 2000-12-25 Matthias Ramm Charge separation type heterojunction structure and manufacturing method therefor
JP2001199715A (ja) * 2000-01-14 2001-07-24 Sony Corp フラーレン重合体及びその生成方法、並びに、フラーレン重合体を用いた機能素子及びその製造方法
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP2002359076A (ja) * 2001-03-27 2002-12-13 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、発光方法、表示方法および透明基板
JP2007533165A (ja) * 2004-04-13 2007-11-15 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ バルクヘテロ接合を有する光電子装置の製造方法
US7419846B2 (en) * 2004-04-13 2008-09-02 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating an optoelectronic device having a bulk heterojunction
US7276724B2 (en) * 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
CN100583485C (zh) * 2004-09-24 2010-01-20 普莱克斯托尼克斯公司 含杂原子立体规则性聚(3-取代噻吩)的光电池
US7846759B2 (en) * 2004-10-21 2010-12-07 Aonex Technologies, Inc. Multi-junction solar cells and methods of making same using layer transfer and bonding techniques
US20090107539A1 (en) * 2005-08-02 2009-04-30 Adeka Corporation Photoelectric device
US7314773B2 (en) * 2005-08-17 2008-01-01 The Trustees Of Princeton University Low resistance thin film organic solar cell electrodes
JP4677314B2 (ja) * 2005-09-20 2011-04-27 富士フイルム株式会社 センサーおよび有機光電変換素子の駆動方法
US20070119497A1 (en) * 2005-11-29 2007-05-31 Nitto Denko Corporation Photoelectromotive force apparatus and manufacturing method thereof
EP1804309B1 (en) * 2005-12-23 2008-07-23 Novaled AG Electronic device with a layer structure of organic layers
CN101529610B (zh) * 2006-06-13 2013-01-02 普雷克托尼克斯公司 包含富勒烯及其衍生物的有机光伏器件
US20100084000A1 (en) 2006-09-26 2010-04-08 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic photoelectric conversion device and polymer useful for producing the same
JP2009158734A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Hitachi Ltd 光電変換素子
JP2010041022A (ja) * 2008-07-08 2010-02-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 光電変換素子
JP5276972B2 (ja) * 2008-12-24 2013-08-28 株式会社日立製作所 光電変換素子
JP5621405B2 (ja) * 2010-08-19 2014-11-12 コニカミノルタ株式会社 光電変換素子、光電変換素子の製造方法および太陽電池
JP5682189B2 (ja) * 2010-09-14 2015-03-11 コニカミノルタ株式会社 光電変換素子、光電変換素子の製造方法および太陽電池
JP2012084300A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Konica Minolta Business Technologies Inc 光電変換素子および太陽電池

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008536317A (ja) * 2005-04-07 2008-09-04 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ カリフォルニア ポリマー自己組織化による高効率ポリマー太陽電池
JP2008106239A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機光電変換素子及びその製造に有用な重合体
JP2008141103A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Oji Paper Co Ltd 光電変換素子の製造方法
JP2008266459A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 共重合体およびそれを用いた有機光電変換素子
WO2009022733A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Sumitomo Chemical Company, Limited 組成物及び有機光電変換素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 58, 1991, pages 1062

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014185536A1 (ja) * 2013-05-16 2014-11-20 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
JP2017186344A (ja) * 2013-05-16 2017-10-12 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010041022A (ja) 2010-02-18
US20110108884A1 (en) 2011-05-12
EP2302713A1 (en) 2011-03-30
CN102084513A (zh) 2011-06-01
US9362515B2 (en) 2016-06-07
CN102084513B (zh) 2014-05-07
KR20110038110A (ko) 2011-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010005094A1 (ja) 光電変換素子
Wu et al. 2D metal–organic framework for stable perovskite solar cells with minimized lead leakage
Aitola et al. Carbon nanotube-based hybrid hole-transporting material and selective contact for high efficiency perovskite solar cells
Cheng et al. Ion migration-induced degradation and efficiency roll-off in quasi-2D perovskite light-emitting diodes
Zhu et al. Perovskite and conjugated polymer wrapped semiconducting carbon nanotube hybrid films for high-performance transistors and phototransistors
Kymakis et al. High open-circuit voltage photovoltaic devices from carbon-nanotube-polymer composites
Schubert et al. Bi-alkali antimonide photocathodes for high brightness accelerators
Bati et al. Electrically sorted single-walled carbon nanotubes-based electron transporting layers for perovskite solar cells
Nguyen et al. MXene-integrated metal oxide transparent photovoltaics and self-powered photodetectors
Habisreutinger et al. Rapid charge-transfer cascade through SWCNT composites enabling low-voltage losses for perovskite solar cells
Soufiani et al. Electro-and photoluminescence imaging as fast screening technique of the layer uniformity and device degradation in planar perovskite solar cells
US20150179353A1 (en) Photoelectric conversion element
Şenocak et al. Synthesis and organic solar cell performance of BODIPY and coumarin functionalized SWCNTs or graphene oxide nanomaterials
Kokal et al. Solar cells with PbS quantum dot sensitized TiO 2–multiwalled carbon nanotube composites, sulfide-titania gel and tin sulfide coated C-fabric
WO2010001984A1 (ja) 有機光電変換素子
Wang et al. Large conduction band energy offset is critical for high fill factors in inorganic perovskite solar cells
CN109155367A (zh) 太阳能电池
Graddage et al. Near-infrared-II photodetectors based on silver selenide quantum dots on mesoporous TiO2 scaffolds
EP3465790A1 (en) Composite perovskite materials, methods of making, and methods of use
US8748740B2 (en) Asphaltene based photovoltaic devices
Wei et al. Formation of single-walled carbon nanotube thin films enriched with semiconducting nanotubes and their application in photoelectrochemical devices
Fu et al. Layer and material-type dependent photoresponse in WSe2/WS2 vertical heterostructures
Stergiou et al. (Photo) electrocatalysis of molecular oxygen reduction by S-doped graphene decorated with a star-shaped oligothiophene
Aïssa et al. Influence of single-walled carbon nanotubes induced exciton dissociation improvement on hybrid organic photovoltaic devices
JPWO2019059270A1 (ja) 太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980126167.X

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09794537

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009794537

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13002584

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117002685

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A